JP6694093B2 - 気化器 - Google Patents

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Description

本発明は、気化に先だって液体原料を霧化させるための噴霧用キャリアガスを使用しない気化器に関し、更に詳しくは、液体原料の気化器への導入管(毛細管)を多孔質部材(焼結フィルター)に接触又は近接させることによって、気化過程での圧力変動が極めて小さい気化器に係る。
半導体デバイスの製造工程には、製膜工程、エッチング工程、拡散工程などがあるが、それらの工程では、多くは原料としてガスが使用されている。しかしながら、近年、原料ガスに代わって液体原料が多用されるようになってきた。
この液体原料は、気化器によってガスに変換されて反応工程に供される。原料がガスの場合は、マスフローコントローラにより、流量制御されるために流量の安定性は良好である。
一方、液体原料では、流量制御された液体原料を気化器に導入し、気化器内部で噴霧ガスによってこれを霧化した後、これを加熱によって気化させることになるが、原料がガスの場合に比べて圧力変動が大きい。均一な膜を安定的に作成するためには、このような圧力変動を出来る限り抑制する必要がある。
このような半導体成膜工程で、最新の半導体成膜工程では、キャリアガスを使用しない場合が増えている。このような噴霧ガスやキャリアガスを使用しない気化工程では、後述する理由で噴霧ガスやキャリアガスを使用する場合より圧力変動は著しく大きくなる。
特許3650543号公報 特許4601535号公報
液体原料を効率良く、かつ安定的に気化させるために、上記のように液体原料を噴霧器によって噴霧し、気化室内に導入する方法が採用されている。これによって安定的な気化が行われ気化室内部の圧力変動は抑制される。
しかし、噴霧器を使用しない最新の方法では、液体原料は細い導入管から滴下され、大粒の液滴のまま気化室に導入される。導入された液滴は、加熱された気化室の内壁に次々と接触し瞬間的に気化される。そのため、気化室の内壁に突沸が次々発生し、気化器の内部圧(気化室の内圧)は大幅に変動する。この変動は成膜装置に供給される原料ガスの粗密となって現れる。これは成膜装置に対して致命的であり、均一な成膜が妨げられる。これが噴霧器を使用しない場合の気化工程における大きな問題となっている。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、噴霧器を用いない方法において、液体原料が加熱面に接触したときに発生する突沸を抑制して気化器内部の圧力変動が非常に少ない気化器を提供することにある。
請求項1に記載した発明は、
内部に気化空間5を有する容器本体10と、
前記気化空間5内に設けられ、加熱されている多孔質部材30と、
外部から気化空間5に挿通され、液体原料Lを多孔質部材30に供給する導入管40と、
多孔質部材30にて気化されて生成した原料ガスGを気化空間5から外部に排出するガス排出路7とで構成された気化器1であって、
前記導入管40の出口41が多孔質部材30に接触するように配置され
前記導入管40の出口41の近傍の側面に微小貫通孔45が穿設されていることを特徴とする。
請求項2に記載した発明は、請求項1に記載の気化器1において、
多孔質部材30の表面に導入管40の出口41が挿入される凹部34が形成されていることを特徴とする。
請求項3に記載した発明は、請求項1又は2に記載の気化器1において、
多孔質部材30が、金属焼結体、セラミックス、金属網積層体又は金属繊維不織布の焼結体で構成されていることを特徴とする。
請求項4に記載した発明は、請求項1に記載の気化器1において、
多孔質部材30が、複数の多孔質板30a・30bの積層体で構成されていることを特徴とする。
請求項5に記載した発明は、請求項2に記載の気化器1において、
多孔質部材30が、複数の多孔質板30a・30bの積層体で構成され、導入管40の出口41側の多孔質板30aに凹部34を形成するための貫通孔34aが設けられ、前記出口41から遠い方の多孔質板30bは平板状に構成されていることを特徴とする。
請求項6に記載した発明は、
内部に気化空間5を有する容器本体10と、
前記気化空間5内に設けられ、加熱されている多孔質部材30と、
外部から気化空間5に挿通され、液体原料Lを多孔質部材30に供給する導入管40と、
多孔質部材30にて気化されて生成した原料ガスGを気化空間5から外部に排出するガス排出路7とで構成された気化器1であって、
前記導入管40の出口41が多孔質部材30に接触するように配置され、
前記導入管40の出口41の端面42に至る切欠48が前記出口41の近傍に設けられていることを特徴とする。
本発明の気化器1は、その導入管40の出口41が多孔質部材30に接触または上記のような範囲の離間距離Hで近接して配置されているので、出口41から出た液体原料Lは、多孔質部材30に接触すると同時に気化されるより早く多孔質部材30内に浸透し、出口41に一致する点を中心にその周囲に急速に拡散する。
そして、導入管40の出口41に一致する点の周囲において、多孔質部材30の表面から液体原料Lが徐々に連続的に蒸発する。これにより気化器1内での圧力変動が大幅に抑制される。
本発明の気化器とこれに接続された液体流量制御バルブの縦断面図である。 本発明の多孔質部材に導入管を接触させた状態の縦断面図である。 図2のX−X線断面矢視図である。 図2の場合において、出口が閉塞され、微小貫通孔から液体原料が流出している場合の縦断面図である。 本発明の多孔質部材に導入管を離間させた状態の縦断面図である。 本発明の多孔質部材の凹部に導入管を挿入させた状態の縦断面図である。 本発明の多孔質部材が金属金網積層体の焼結体である場合の縦断面図である。 本発明の多孔質部材が金属繊維不織布焼結体である場合の縦断面図である。 本発明の多孔質部材が複数枚で構成されている状態の縦断面図である。 本発明の多孔質部材が複数枚で構成されて、最上部の多孔質板に貫通孔が設けられている状態の縦断面図である。 本発明の導入管の出口端部に切欠を設けた状態の縦断面図である。
以下、本発明を図面に従って説明する。図1は本発明にかかる気化器1の縦断面図で、容器本体10と、多孔質部材30と、導入管40と、ヒータ50a・50b及び熱電対60a・60bとで構成されている。
容器本体10は、アウターブロック11とインナーブロック21とで構成され、これらは液体原料Lに冒されない耐蝕性材料で構成されている。アウターブロック11には下面開口の収納穴12が形成されており、且つアウターブロック11の上面から収納穴12の天井面に至る挿通孔13が穿設されている。そして、収納穴12を取り巻くアウターブロック11の側壁14には、1〜複数のヒータ50aが嵌め込まれ、アウターブロック11を設定温度に加熱するようになっている。アウターブロック11の天井部分にはアウターブロック11の温度を測定する熱電対60aが装着されている。その先端は天井部分に接する気化空間5の温度を正確に測るため、天井部分に近接する部分まで挿入されている。
インナーブロック21は、基台22と、該基台22の上面中央に突設された台部23とで構成され、インナーブロック21の底部から台部23の上面近傍に至る部分にインナーブロック21用のヒータ50bが1〜複数本装着されている。
台部23の上面とアウターブロック11の収納穴12の天井面との間には空間が設けられており、この空間を気化空間5とする。また、収納穴12の内周面と台部23との外周面との間に全周にわたって隙間が設けられており、この隙間をガス排出路7の一部を構成するガス排出隙間17とする。
そしてインナーブロック21内には下面から台部23の上面に向かって下面開口のセンター穴24が設けられている。センター穴24の下面は蓋部材27で閉塞されている。このセンター穴24の上端部の側面からガス排出隙間17に連通するガス導入孔25が設けられ、センター穴24の底部近傍の側面から基台22の側面に設けられたガス排出ノズル29の先端に通ずるガス排出孔26が設けられている。これらガス排出隙間17、ガス導入孔25、センター穴24及びガス排出孔26でガス排出路7が形成される。そして、この場合も気化空間5内の温度を検知するために、台部23の上面近くの温度を測定するため、インナーブロック21の底部から台部23の上面近くまで熱電対60bが装着されている。
なお、アウターブロック11のヒータ50aで気化空間5内の温度を気化可能な温度に十分に保てる場合は、インナーブロック21のヒータ50bは省略される。逆に、インナーブロック21のヒータ50bで気化空間5内の温度を気化可能な温度に十分に保てる場合は、アウターブロック11のヒータ50aは省略される。
多孔質部材30は厚板円板状の部材で、耐食性に優れたステンレス鋼、ハステロイ、パーマロイなどの合金の粒子31の焼結体、液体原料Lの種類によってはその他の金属、例えば、銅やアルミニウム、鉄などの焼結体、更には、セラミックスの焼結体なども利用可能である。
これら多孔質部材30の粒子31の間に設けられた隙間38は互いに連通し(いわゆる、連続気泡型)、且つ多孔質部材30の表面(更には後述する凹部34の内周面と底面)に無数に開口している。厚みは気化空間5の高さ(台部23から収納穴12の天井面までの高さ)より薄く、最大の大きさは台部23の上面全体を覆う大きさである。勿論、浸透した液体原料Lの気化を妨げないのであれば、台部23の上面より小さくてもよい。
多孔質部材30の他の例としては、図7に示すような耐食性、耐薬品性に優れた金網積層体の焼結体32、図8に示すような耐食性、耐薬品性に優れた金属繊維の厚手の不織布状焼結体33が挙げられる。これらの高さを及び面積は、上記の粒子31の焼結体と同じである。これら金網や繊維の隙間が隙間38となり、液体原料Lが浸透して行く。
これら多孔質部材30の形状的な変形例として、図6に示すように多孔質部材30の上面中心部に凹部34を形成したものがある。この凹部34には後述する導入管40の下端である出口41が挿入される。上記のようにこの凹部34の内周面及び底面には無数の隙間38が開口している。この凹部34は金属金網積層体の焼結体32、金属繊維の厚手の不織布状焼結体33にも形成される。この多孔質部材30はインナーブロック21の台部23の上面に固定される。
図9は、多孔質部材30が複数の多孔質板30a・30bの積層体で構成されている例である。図では上下2枚であるが、勿論、これに限られず、3枚以上でも良い。これら多孔質板30a・30bの空隙率は同じとしてもよいが、最上層(導入管40に近接している多孔質板30a)の空隙率を大きく(即ち、粗)、それ以下の多孔質板30bの空隙率を、最上層の多孔質板30aの空隙率より小さく(即ち、密)にしてもよい。そのためには、多孔質板30a・30bを構成する素材(上記に示す)を変えてもよい。
最上層の多孔質板30aはそれ以下の多孔質板30bに比べて目詰まりしやすいので、目詰まりを生じた場合には最上層の多孔質板30aだけを交換するようにすればよい。
図10は図6の変形例で、複数の多孔質板30a・30bの内、上の層(導入管40の出口41側)の多孔質板30aに凹部34を形成するための貫通孔34aを設け、下側(出口41から遠い方)の多孔質板30bを平板状に構成し、図6に示すような凹部34を導入管40の出口41の直下に位置するようにしてもよい。
導入管40は、気化器1の上方に設置され、設定された質量流量の液体原料Lを下流である気化器1に供給する、例えば液体流量制御バルブ9のような装置から導出された毛細管である。図1では導入管40は、1本の部材で表されているが、複数の部材を接合してもよい。この導入管40も、多孔質部材30と同様、耐食性、耐薬品性に優れた素材で構成されている。
この導入管40は、全体を1本の毛細管で構成してもよいし、図2、図3のように先端部分の側面に微小貫通孔45を設けてもよい。図では4個の微小貫通孔45が設けられている。
そしてこの導入管40は、図2のように、多孔質部材30の表面にその先端の出口41を接触させて設けられる場合と、図5のように、多孔質部材30の表面と出口41との間に若干の離間距離Hを空けて設置される場合の2通りがある。この使い分けは、原則的には液体原料Lが熱分解しやすくて反応生成物にいる堆積物70ができやすいものに対しては、若干の離間距離Hを空けて設置し、そうでないものは接触させて使用する。
前記離間距離Hは通常0.5mm〜1.0mm程度であるが、離間距離Hの最大は、導入管40の出口41から液体原料Lを滴下させたとき、出口41からその滴の下端までの大きさとする。これは、この離間距離Hが大き過ぎると液体原料Lを導入管40から滴下させた時、その滴が出口から離れ、球状となって多孔質部材30の上面に衝突することになり、その衝突の瞬間に突沸が生じて気化空間5内に大きな気圧変動を発生させるので、これを防ぐためである。即ち、離間距離Hを液体原料Lの滴の大きさをした場合、出口41から滴下した液体原料Lの滴は、出口41から離れる前に多孔質部材30の表面に接触し、その瞬間に多孔質部材30内に浸透して上記のような突沸を発生させない。
図11は導入管40の他の例で、導入管40の出口41の端面42に至る切欠48が前記出口41の近傍(端面42から1mm〜5mmの範囲内)に1乃至複数設けられている。該切欠48は、図のように出口41の端面42に向かって切欠き幅が拡大する正面視三角形状でもよいし、切欠き幅が変わらない線状でも良い。
次に、本発明にかかる気化器1の使用例について説明する。気化器1のアウターブロック11用のヒータ50aに通電するとアウターブロック11が設定温度まで加熱される。温度管理はアウターブロック11に設置されている熱電対60aでフィードバック制御にて行われる。これにより気化空間5内は、気化に適した温度に保たれ、これにより多孔質部材30もその温度に保たれることになる。
図2の場合では、導入管40は、その先端部分に微小貫通孔45が設けられており、図11の場合は切欠48が設けられており、その出口41は多孔質部材30の上面に接するように設けられている。液体原料Lは加熱により反応生成物が発生しにくいものが選ばれる。
このような状態で、多孔質部材30に向けて、例えば、液体流量制御バルブ9から質量流量制御された液体原料Lが導入管40から供給されると、導入管40の出口41に到達した液体原料Lは、気化することなく、瞬時に多孔質部材30の表面から隙間38に浸透し、周囲に急速に拡散して行く。
多孔質部材30はインナーブロック21の台部23の上面に固定され、上記のように設定温度に保たれているので、多孔質部材30に浸透した液体原料Lは多孔質部材30にて加熱される。加熱された液体原料Lは、導入管40の周囲にて多孔質部材30の表面に露出している隙間38から突沸なく順次静的に気化して行く。その結果、気化空間5内の圧力変動は極めて小さくなり、安定的な気化が行われる。気化した原料ガスGは、アウターブロック11とインナーブロック21との間のガス排出隙間17、ガス導入孔25、センター穴24、及びガス排出孔26で構成されるガス排出路7を通って次工程に送られる。これにより高精度な成膜が可能となる。
上記ではアウターブロック11にヒータ50aのみを使用したが、このヒータ50aの能力を超えて液体原料Lが供給された場合、或いは液体原料Lの特性上、気化が容易でない場合、インナーブロック21のヒータ50bを併用することになる。多孔質部材30はインナーブロック21の台部23の上面に固定されているので、インナーブロック21のヒータ50bに給電されると、その熱が多孔質部材30に伝わる。
勿論、両ヒータ50a・50bは、熱電対60a・60bにより、熱管理されているので、最初の場合でも両ヒータ50a・50bを併用してもよい。
上記気化作業が長時間に及ぶと反応生成物が発生しにくい液体原料Lであっても導入管40の出口41に反応生成物が堆積し、遂には出口41を閉塞する場合がある。この場合、出口41近傍の側面に微小貫通孔45から液体原料Lが押し出され、導入管40の外面を伝って多孔質部材30に静的に流下し直ちにこれに浸透する。このように出口近傍に微小貫通孔45を設けておくと、たとえ出口41が閉塞した場合でも、気化作業を中断することなく進められる。
図11に示す切欠48は微小貫通孔45と同じで、出口41に反応生成物が堆積しても切欠48の、反応生成物堆積高さ以上の部分で開口しており、この部分から液体原料Lが静的に流下し直ちにこれに浸透する。
これに対して図5は多孔質部材30の表面から導入管40の出口41を離間させて配置した場合である。適用される液体原料Lは、反応生成物が出来やすいものでも適用可能である。
この場合は、上記のように仮に導入管40の出口41から多孔質部材30の隙間38にかけての範囲で反応生成物が次第に堆積したとしても、堆積物70と導入管40の出口41との間に液体原料Lが流出するだけの隙間が確保されるので、気化作業を中断することなく進められる。流出した液体原料Lは気化する前に多孔質部材30に吸収され、隙間なしの場合と同様、静定な状態を保ちつつ気化される。
ここで、導入管40の出口と多孔質部材30との離間距離Hであるが、導入管40の出口と多孔質部材30との離間距離Hが大き過ぎると、出口41から流出した液体原料Lがその表面張力によって球状となり、多孔質部材30の表面に落下し、その瞬間に瞬時に気化して突沸が生じ、気化空間5に大きな圧力変動を発生させる。それ故、この離間距離Hが静的な気化作業を遂行する上で重要な要素となる。
離間距離Hは、通常、0.5mm〜1.0mmの間で設定されるが、最大で出口41から、出口41から垂れ下がった滴の下端までの距離ということになる。この値は液体原料Lの表面張力により一定しないが、この値より小さい値を選定すればよく、実際には上記のような値が選定される。この意味からして上記数値は本発明において重要な意味を持つ。
なお、この場合において、最上層(及びこれを含む上層)の多孔質板30aが、下層の多孔質板30bより粗に形成されている場合、最上層(及びこれを含む上層)の多孔質板30aへの液体原料Lの浸透速度が速くなり、上記突沸をより良く抑制できるようになる。
図6は、多孔質部材30の表面中央に凹部34を設け、この凹部34の底に導入管40の出口41を接触、又は上記離間距離Hの範囲内で離間させて挿入した場合である。この場合は、上記の作用効果に加えて、凹部34内に液体原料Lが溜まることになるので、液体原料Lが凹部34の底部のみならず内側面から多孔質部材30内に浸透していくことになり、浸透面積が増加する。これにより凹部34を設けない場合よりも液体原料Lの多孔質部材30への浸透速度が大きくなる。それ以外は上記と同様である。
なおこの場合において、多孔質部材30が複数の多孔質板30a・30bで構成され、凹部34用の貫通孔34aが形成されている多孔質板30aと、凹部34用の貫通孔34aが形成されていない平板状の多孔質板30bの内の最上層の多孔質板を上記のように粗に形成したものを用い、平板状の多孔質板30bの内の最上層の多孔質板より下の多孔質板を上記のように密にした場合、粗な部分に液体原料Lの浸透速度が速くなり、上記同様突沸をより良く抑制できるようになる。
1:気化器、5:気化空間、7:ガス排出路、9:液体流量制御バルブ、10:容器本体、11:アウターブロック、12:収納穴、13:挿通孔、14:側壁、17:ガス排出隙間、21:インナーブロック、22:基台、23:台部、24:センター穴、25:ガス導入孔、26:ガス排出孔、27:蓋部材、29:ガス排出ノズル、30:多孔質部材、30a・30b:多孔質板、31:粒子、32:金属金網積層体の焼結体、33:金属繊維の厚手の不織布状焼結体、34:凹部、34a:貫通孔、38:隙間、40:導入管、41:出口、42:端面、45:微小貫通孔、48:切欠、50a・50b:ヒータ、60a・60b:熱電対、70:堆積物、G:原料ガス、H:離間距離、L:液体原料

Claims (6)

  1. 内部に気化空間を有する容器本体と、
    前記気化空間内に設けられ、加熱されている多孔質部材と、
    外部から気化空間に挿通され、液体原料を多孔質部材に供給する導入管と、
    多孔質部材にて気化されて生成した原料ガスを気化空間から外部に排出するガス排出路とで構成された気化器であって、
    前記導入管の出口が多孔質部材に接触するように配置され
    前記導入管の出口の近傍の側面に微小貫通孔が穿設されていることを特徴とする気化器。
  2. 多孔質部材の表面に導入管の出口が挿入される凹部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
  3. 多孔質部材が、金属焼結体、セラミックス、金属網積層体又は金属繊維不織布の焼結体のいずれか1で構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の気化器。
  4. 多孔質部材が、複数の多孔質板の積層体で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の気化器。
  5. 多孔質部材が、複数の多孔質板の積層体で構成され、導入管の出口側の多孔質板に凹部を形成するための貫通孔が設けられ、前記出口から遠い方の多孔質板は平板状に構成されていることを特徴とする請求項2に記載の気化器。
  6. 内部に気化空間を有する容器本体と、
    前記気化空間内に設けられ、加熱されている多孔質部材と、
    外部から気化空間に挿通され、液体原料を多孔質部材に供給する導入管と、
    多孔質部材にて気化されて生成した原料ガスを気化空間から外部に排出するガス排出路とで構成された気化器であって、
    前記導入管の出口が多孔質部材に接触するように配置され、
    前記導入管の出口の端面に至る切欠が前記出口の近傍に設けられていることを特徴とする気化器。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS461535Y1 (ja) 1970-02-16 1971-01-20
JP2946347B2 (ja) * 1990-06-09 1999-09-06 株式会社エステック 液体材料供給システムにおける気化器
JPH0528960U (ja) * 1991-09-26 1993-04-16 サンデン株式会社 液体混入検知機構
JPH06300197A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Canon Inc 液体原料気化供給装置
JPH1085581A (ja) * 1996-05-24 1998-04-07 Ebara Corp 気化器
JP3650543B2 (ja) 1999-07-01 2005-05-18 株式会社リンテック 気化装置
KR100649852B1 (ko) * 1999-09-09 2006-11-24 동경 엘렉트론 주식회사 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템
JP2001239151A (ja) * 2000-03-01 2001-09-04 Toho Gas Co Ltd 気化装置
EP1866074A4 (en) * 2005-03-16 2017-01-04 Entegris Inc. System for delivery of reagents from solid sources thereof
KR100877021B1 (ko) * 2005-03-29 2009-01-07 가시오게산키 가부시키가이샤 증발장치 및 증발방법
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
JP5179823B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 気化器及び成膜装置
JP4972657B2 (ja) * 2009-02-02 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 気化器及び成膜装置
US8495973B2 (en) * 2009-11-03 2013-07-30 Protonex Technology Corporation Thin film vaporizer
JP5254259B2 (ja) * 2010-02-02 2013-08-07 東京瓦斯株式会社 気化装置
WO2013094680A1 (ja) * 2011-12-20 2013-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および気化装置

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