CN101040571A - 2层挠性基板及其制造方法 - Google Patents

2层挠性基板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101040571A
CN101040571A CNA2005800345307A CN200580034530A CN101040571A CN 101040571 A CN101040571 A CN 101040571A CN A2005800345307 A CNA2005800345307 A CN A2005800345307A CN 200580034530 A CN200580034530 A CN 200580034530A CN 101040571 A CN101040571 A CN 101040571A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
metal layer
substrate
layers
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005800345307A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100566505C (zh
Inventor
永田纯一
浅川吉幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Mining Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Publication of CN101040571A publication Critical patent/CN101040571A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100566505C publication Critical patent/CN100566505C/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/021—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal alloy layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y10T428/12556—Organic component
    • Y10T428/12569—Synthetic resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12806—Refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
    • Y10T428/12826—Group VIB metal-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12944—Ni-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
    • Y10T428/2495—Thickness [relative or absolute]
    • Y10T428/24967—Absolute thicknesses specified
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678—Of metal
    • Y10T428/31681—Next to polyester, polyamide or polyimide [e.g., alkyd, glue, or nylon, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供没有由于在绝缘体薄膜上由干式电镀处理形成基底金属层时产生的气泡所引起的铜覆膜层的脱落，而且绝缘体薄膜和基底金属层的粘合性、耐腐蚀性优良的形成了绝缘可靠性高的铜覆膜层的2层挠性基板和它的制造方法。本发明的2层挠性基板，其特征在于，在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层的2层挠性基板中，上述基底金属层由干镀法形成，主要含有铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％、剩余部分为镍的镍－铬－钼合金，膜厚3～50nm。

Description

2层挠性基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及2层挠性基板及其制造方法，更具体地讲，涉及在绝缘体薄膜上由干镀法形成镍-铬-钼基底金属层(种子层)，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层，从而形成粘合性高、有耐腐蚀性且绝缘可靠性高的铜覆膜层的2层挠性基板及其制造方法。
背景技术
一般说来，用于制作挠性配线板的基板，大致分为在绝缘体薄膜上使用粘接剂来贴合成为导体层的铜箔的3层挠性基板(例如，参照专利文献1)和在该绝缘体薄膜上不使用粘接剂由干镀法或者湿式电镀法直接形成成为导体层的铜覆膜层的2层挠性基板。
在此，在使用3层挠性基板时，通过由减去法在基板上形成所希望的配线图案，可以制造3层挠性配线板，而在使用2层挠性基板时，通过由减去法或者添加法在基板上形成所希望的配线图案，可以制造2层挠性配线板，但在以前，使用可以用简单的制造方法用低成本制造的3层挠性基板占主流。
可是，伴随近年来的电子设备的高密度化，更加需求配线宽度窄间距化的配线板。
但是，在制造3层挠性基板时，根据所希望的配线图案，对在形成于作为基板的绝缘体薄膜上的铜覆膜层上进行蚀刻形成配线部来制造配线板时，由于配线部的侧面被腐蚀产生所谓的侧腐蚀，因此配线部的截面形状容易成为下部宽的梯形。
因此，由于当蚀刻到确保配线部间的电气的绝缘性时，配线间距宽度过宽，因此以前只能使用把一般使用的35μm厚度的铜箔用粘接剂与绝缘体薄膜贴合的3层挠性基板，在配线板上进行配线部的窄间距化存在局限。
为此，使用18μm厚度以下的薄铜箔叠合基板，代替原有的35μm厚度的铜箔叠合基板。减小由侧腐蚀引起的下部宽的幅度来谋求配线板上的配线部的窄间距化。
但是，由于这种薄壁的铜箔的刚性小、操作性差，曾采用在铜箔上贴合铝载体等增强材料来提高刚性之后，进行该铜箔和绝缘体薄膜的贴合，然后再去除铝载体等方法，但该方法过于费事和费时间，存在作业性、生产性差的问题。
另外，用这种薄的铜箔，也存在由膜厚的偏差、气孔或龟裂的产生等引起的覆膜缺陷增加等制造技术上的问题，如果铜箔再薄，的确是铜箔自身的制造变得困难，制造价格变高，结果失去了3层挠性配线板的成本优势。
特别是最近，强烈需求不使用厚度数十μm以下或者数μm左右的铜箔就不能制造的具有窄宽度、窄间距的配线部的配线板，使用3层挠性基板的配线板，即存在上述的技术问题，也存在制造成本上的问题。
因此，使用不用粘接剂可以直接在绝缘体薄膜上形成铜覆膜层的2层挠性基板的2层挠性配线板受到人们的关注。
这种2层挠性基板是不用粘接剂直接在绝缘体薄膜上形成铜导体层的基板，因此，除了可以减薄基板自身的厚度以外，还具有可以把覆盖的铜导体覆膜的厚度调整到任意的厚度的优点。
而且，在制造这种2层挠性基板时，作为在绝缘体薄膜上形成均匀厚度的铜导体层的方法，通常采用电镀铜法，为此，一般是在实施电镀铜镀覆膜的绝缘体薄膜上形成薄膜的基底金属层并对全部表面赋予导电性，再在其上进行电镀铜处理(例如，参照专利文献2)。
可是，为了在绝缘体薄膜上得到薄膜的基底金属层，一般是使用真空蒸镀法、离子电镀法等干镀法，由于在由这种干镀法得到的覆膜层上，通常产生大量的数十μm～数百μm大小的气孔，因此往往在基底金属层上产生气孔引起的绝缘体薄膜露出部分。
以往，一般在这种挠性配线板上，配线需要的铜的导电性覆膜的厚度，从超过35μm到50μm是适当的，但由于形成的配线的宽度是数百μm左右，因此由于数十μm的气孔的存在产生的配线部的缺陷很少。
但是，在想得到具有本发明中所面向的窄宽度、窄间距的配线部的挠性配线板时，如上所述，用于形成配线部的铜覆膜的厚度一般18μm以下，优选是8μm以下，理想的是5μm左右的非常薄的厚度，在配线部上产生缺陷的危险性增多。
如以使用在形成了基底金属层的绝缘体薄膜上形成了所希望厚度的铜覆膜层的2层挠性基板，用例如减去法进行挠性配线板的制造的情况为例说明该状况时，配线部图案的形成通过下述的工序进行。
(1)在该铜导体层上，设置具有所希望的配线图案的抗蚀剂层，该抗蚀剂层只掩盖配线部而露出非配线部的铜导体层，
(2)由化学蚀刻处理去除露出的铜导体层，
(3)最后剥离去除抗蚀剂层。
因此，在使用把铜覆膜层的厚度做成例如5μm那样非常薄的基板来制造例如配线宽度15μm、配线间距30μm那样的窄配线宽度、窄配线间距的配线板时，在由干镀处理在基板的基底金属层上生成的气孔之中，粗大的气孔达到数十μm及至数百μm的数量级的大小，故形成5μm左右厚度的电镀铜覆膜不可能大体上覆盖由气孔产生的绝缘体薄膜露出部分，因此该露出部分即导体层的剥落部分达到配线部，配线部在该气孔的位置上剥落并成为配线缺陷，即使不是这样，也会成为导致配线部附着不良的原因。
作为解决上述问题的方法，提出了除了在绝缘体薄膜上由干镀法形成基底金属层而外，再施加作为中间金属层的由无电解电镀形成的铜覆膜层来覆盖由气孔引起的绝缘体薄膜的露出部分的方法(例如，参照专利文献3)。
但是，采用该方法时，确实可在某种程度上消除了由气孔引起的绝缘体的露出部分，但另一方面，已经知道，在无电解镀铜处理中使用的电镀液或其前处理液等，从已经形成的大小不等的气孔部分浸透到绝缘体薄膜和基底金属层之间，这有可能成为阻碍基底金属层的附着性、由在其后形成的电镀铜产生的导体层的附着性的原因，没有成为彻底的解决方案。
另外，例如，在专利文献4中，提出了包含具有等离子体处理的表面的聚合物薄膜和附着在该等离子体处理的表面上的，含有镍或者镍合金的镍过渡涂层、附着在该镍层上的铜镀层、以及附着在该铜镀层上的另一个铜层的无粘接剂的挠性层合材料，记载了镍合金用的金属从由Cu、Cr、Fe、V、Ti、Al、Si、Pd、Ta、W、Zn、In、Sn、Mn、Co和它们之中2种以上的混合物构成的群中选择的镍粘结层。具体地讲，作为有用的Ni合金，可以举出Monel(约67％Ni、30％Cu)、Inconel(约76％Ni、16％Cr、8％Fe)等。得到的层合薄膜在初期剥离强度、焊接浮动后的剥离强度、热循环后的剥离强度上表现出优良性能，但没有对于复合金属膜的特性的良好度的记载。
再有，例如，在专利文献5中记载了为了提高在铜箔上涂布了聚酰亚胺漆并使其硬化的覆铜的聚酰亚胺薄膜的聚酰亚胺侧的聚酰亚胺与金属界面的耐热附着性，提高该复合基材的生产性、最终电气产品的耐久性及可靠性，在聚酰亚胺侧由真空成膜法形成由从镍、铬、钼、钨、钒、钛、及锰构成的群中选出的至少一种金属构成的第一薄层，在其上面由真空成膜法形成由铜构成的规定厚度的第二薄层，在第二薄层上以规定的电流密度进行电镀形成由规定厚度的铜构成的第三薄层，但在实施例中，作为第一薄层，只表示了铬，对于复合金属的特性的良好性没有记载。
同样地，例如在专利文献6中记载了以得到层间的附着力、耐热性、耐药品性、耐弯曲性和电气特性优良的、高可靠性且价廉的挠性印刷电路配线板为目的，在塑料薄膜的一面或双面上层叠形成了所希望的电路的叠层体和由不形成电路的绝缘性的有机物构成的屏蔽层来做成挠性印刷电路配线板，上述叠层体是由镍、钴、铬、钯、钛、锆、钼或钨的蒸镀层和由叠层在该蒸镀层上的蒸镀的粒径在0.007～0.850μm的范围内的集合体构成的电子束加热蒸镀铜层所构成，但在实施例中只记载了铬蒸镀层，对于复合金属膜的特性的良好性没有记载。
专利文献1：特开平6-132628号公报
专利文献2：特开平8-139448号公报
专利文献3：特开平10-195668号公报
专利文献4：特表2000-508265号公报
专利文献5：特开平7-197239号公报
专利文献6：特开平5-283848号公报
发明内容
本发明的目的在于，解决使用干镀法和电镀法的挠性配线板的制造中的上述问题，提供在绝缘体薄膜上没有起因于由干式电镀处理形成基底金属层时生成的气泡的铜覆膜部的剥落，而且形成绝缘体薄膜和基底金属层的粘合性、耐腐蚀性优良的绝缘可靠性高的铜覆膜层的2层挠性基板及其制造方法。
发明人发现，使用2层挠性基板，解决了上述问题，所述2层挠性基板的特征在于，在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望的铜导体层的2层挠性基板中，在上述绝缘体薄膜上，由干镀法形成膜厚3～50nm，主要含有铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％、剩余部分为镍的镍-铬-钼合金的基底金属层、在该基底金属层上形成铜覆膜层，可以得到粘合性高、具有耐腐蚀性、形成了绝缘可靠性高的铜覆膜层的2层挠性基板，也可以用于具有窄宽度、窄间距的配线部的2层挠性配线板，从而完成本发明。
即，本发明的第1发明，是提供2层挠性基板的发明，其特征在于，在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层，上述基底金属层由干镀法形成，由主要含铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％、剩余部为镍的镍-铬-钼合金的膜厚3～50nm的基底金属层构成。
另外，本发明的第2发明，是提供第1发明所述的2层挠性基板的发明，其特征在于，在上述基底金属层上形成的上述铜覆膜层的膜厚是10nm～35μm。
再有，本发明的第3发明，是提供第1发明所述的2层挠性基板的发明，其特征在于，上述绝缘体薄膜是从聚酰亚胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中选出的树脂薄膜。
本发明的第4发明，是提供一种2层挠性基板的制造方法的发明，其特征在于，在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层的2层挠性基板的制造方法中，在上述绝缘体薄膜上，由干镀法形成铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％，剩余部分是镍的镍-铬-钼合金的基底金属层，膜厚3～50nm，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层。
另外，本发明的第5发明，是提供第4发明所述的2层挠性基板的制造方法的发明，其特征在于，在由干镀法形成上述铜覆膜层后，再在该铜覆膜层之上由湿式电镀法形成铜覆膜层。
再有，本发明的第6发明，是提供第4、5发明所述的2层挠性基板的制造方法的发明，其特征在于，上述干镀法是真空蒸镀法、溅射法或离子电镀法的任何一种。
根据本发明的2层挠性基板的制造方法，可以得到2层挠性基板，其特征在于，在至少在绝缘体薄膜的单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望厚度的铜导体层的2层挠性基板中，在上述绝缘体薄膜上，由干镀法形成厚膜3～50nm，主要含有铬的比例为4～22重量％、钼的比例为5～40重量％、剩余部分为镍的镍-铬-钼合金的基底金属层，在该基底金属层上形成膜厚10nm～35μm的铜覆膜层。
而且，根据本发明的2层挠性基板，由于在该基底金属层上含有铬，因此可以防止耐热抗剥强度的降低，由于同时含有钼，因此可以提高耐热腐蚀性、绝缘可靠性，通过使用该2层挠性基板，可以高效率地得到具有粘合性、耐腐蚀性高的没有缺陷的配线部，具有可靠性高的窄宽度、窄间距的配线部的挠性配线板，其效果非常大。
具体实施方式
1)2层挠性基板
本发明的2层挠性基板，是在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望的厚度的铜导体的2层挠性基板，其特征在于，在上述绝缘体薄膜上，由干镀法形成膜厚3～50nm的主要含有铬的比例为4～22重量％、钼的比例为5～40重量％、剩余部分为镍的镍-铬-钼合金的基底金属层，在该基底金属层上形成铜覆膜层。
由于采用上述结构，可以得到形成了粘合性高，有耐腐蚀性、绝缘可靠性高的铜导体层的2层挠性基板。
在此，由上述干镀法得到的主要含有镍-铬-钼合金的基底金属层的膜厚，优选在3～50nm范围内。当该膜厚比3nm薄时，由于进行配线加工时浸入腐蚀液的配线部漂浮等原因，产生配线剥离强度显著下降等问题，因此不理想。当该膜厚比50nm厚时，难以进行蚀刻，因此不理想。
另外，该基底金属层的组成，必须铬的比例占4～22重量％、钼的比例占5～40重量％，剩余的部分是镍。
首先，铬的比例是4～22重量％，这是为了防止热劣化引起的耐热抗剥强度的显著降低而需要的。当铬的比例比4重量％低时，不能防止耐热抗剥强度因热劣化而显著降低，因此不理想。另外，当铬的比例比22重量％多时，难以蚀刻，因此不理想。
为此，对于铬来说，更优选的比例是4～15重量％，特别好的比例是5～12重量％。
其次，钼的比例是5～40重量％，这是为了提高耐腐蚀性、绝缘可靠性而需要的。当钼的比例比5重量％少时，不出现添加效果，见不到耐腐蚀性、绝缘可靠性的提高，因此不理想。当钼的比例超过40重量％时，具有耐热抗剥强度非常低的倾向，因此不理想。
再有，通常在镍基的合金靶的场合，当镍的比例比93％大时，溅射靶自身成为强磁性体，在用磁控溅射成膜时，成膜速度降低，因此不理想。在本结构的靶组成中，由于镍量为93％以下，因此即使在用磁控管溅射法成膜时也可以得到良好的成膜率。因此，为了提高镍-铬-钼合金的耐热性和耐腐蚀性，可以根据目的的特性适当地添加迁移金属元素。
另外，在该基底金属层上，除了该镍-铬-钼合金以外，也可以存在制作靶时进入等时而含有的1重量％以下的不可避免的杂质。
为此，在后述的表1中，作为含有1重量％以下的不可避免的杂质的镍量，记为剩余部分(＝bal.(balance))。
在本发明的2层挠性基板中，在该基底金属层上形成的、合并有由干镀法形成的铜覆膜层和在该铜覆膜层之上由湿式电镀法叠层形成的铜覆膜层的铜覆膜层的膜厚，优选是10nm～35μm。比10nm薄时，由于由干镀法形成的铜覆膜层变薄，在其后的湿式电镀工序中难以进行供电，因此不理想。比35μm厚时，生产性下降，因此不理想。
在本发明的2层挠性基板中，作为绝缘体薄膜，可以举出从聚酰亚胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中选出的树脂薄膜，从适用于需要回流焊接等高温连接的用途上看，优选聚酰亚胺系薄膜及聚酰胺系薄膜。
另外，上述薄膜可以很好地使用厚度8～75μm的薄膜。也可以适当地添加玻璃纤维等无机材料。
再有，作为干镀法，可以使用真空蒸镀法，溅射法、或者离子电镀法的任何一种。
另一方面，在由干镀法形成铜层后，在该铜覆膜层之上再由湿式电镀法叠层形成铜覆膜层，这适于形成比较厚的膜。
2)2层挠性基板的制造方法
下面，详细叙述本发明的2层挠性基板的制造方法。
在本发明中如上所述，在从聚酰亚胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜，聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中选出的作为树脂薄膜的绝缘体薄膜的至少一面上，不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望的厚度的铜导体层。
a)脱水处理
该薄膜通常含有水分，在由干镀法形成主要含有镍-铬-钼合金的基底金属层之前，需要进行大气干燥或/和真空干燥，去除薄膜中存在的水。当脱水不充分时，基底金属层的粘合性变差。
b)基底金属层的形成
在由干镀法形成主要含有镍-铬-钼合金的基底金属层时，例如，在用卷取式溅射装置形成基底金属层时，把具有基底金属层的组成的合金靶子装在溅射用阴极上，或者，把镍-铬合金靶子和钼靶子装在2个阴极上，同时进行溅射，通过控制各个阴极的投入电量也能得到所希望的膜组成的基底金属层。
具体地讲，在对设置了薄膜的溅射装置内进行真空排气后，导入Ar气，使装置内保持1.3Pa左右，再以每分3m左右的速度输送装在装置内的卷取卷出辊上的绝缘体薄膜，同时，由与阴极连接的溅射用直流电源供给电力，开始溅射放电，在薄膜上连续形成主要含有镍-铬-钼合金的基底金属层。由该成膜工序，所希望的膜厚的主要含有镍-铬-钼合金的基底金属层形成在薄膜上。
c)铜覆膜层的形成
同样地，使用把铜靶子装在溅射用阴极上的溅射装置，由干镀法可以形成铜覆膜层。这时优选基底金属层和铜覆膜层在同一真空装置内连续地形成。
另外，在该铜覆膜层上再由湿式电镀法形成铜覆膜层的场合，存在只由电气铜电镀处理的场合和、组合作为一次镀敷处理的无电解铜电镀处理，作为二次电镀处理的电解铜电镀处理等湿式电镀法进行的场合。
在此，作为一次电镀进行无电解铜电镀，是因为用蒸镀进行干式电镀时往往形成粗大的气泡，在表面上往往存在露出树脂薄膜的地方，通过在基板全面上形成无电解铜电镀覆膜层，覆盖薄膜露出面并使基板全面为良导体，由此不受气泡的影响。
再有，在无电解电镀中使用的无电解电镀液，只要是含有的金属离子具有自身催化性，能由肼、次磷酸钠、甲醛等还原剂还原并析出金属的还原析出型的电镀液，无论哪一种都可以，但根据本发明的宗旨，由于目的在于谋求使因在基底金属层上产生的气泡而露出的绝缘体薄膜的露出部分为良导体，因此，导电性良好且相对的作业性好的无电解铜电镀液是最适合的。
另外，由这样的作为一次电镀的无电解铜电镀处理产生的铜电镀覆膜层的厚度，只要是能够修复在基板面上由气泡产生的缺陷，在实施后述的作为二次电镀的电解铜电镀处理时不会被电气铜电镀液溶解的厚度就可以，最好在0.01～1.0μm的范围内。
其次，在该无电解铜电镀覆膜层上，进行作为二次电镀的电气铜电镀处理，是为了形成所希望的厚度的铜导体层。
这样一来，根据在基底金属层上形成的铜覆膜层，可以得到不受在基底金属层形成时产生的大小不一的气泡的影响的良好的、导电层的粘合度高的2层挠性基板。
再有，本发明中进行的湿式铜电镀处理，一次、二次都可以采用通常的湿式铜电镀法中的各种条件。
另外，这样一来，在基底金属层上形成的干式和湿式电镀法产生的铜覆膜层的合计厚度，即使再厚也要在35μm以下。
3)配线图案的形成
用上述的本发明的2层挠性基板，在该2层挠性基板的至少单面上，个别地形成配线图案。另外，在规定的位置上形成用于层间连接的通孔，也可以用于各种用途。
更具体地讲，(a)在挠性基板的至少单面上个别地形成高密度配线图案。(b)在形成该配线层的挠性基板上，形成贯通该配线层和挠性基板的通孔。(c)根据情况，在该通孔内填充导电性物质，使孔内导电。
作为上述配线图案的形成方法，可以使用光刻等原来众所周知的方法，例如，准备至少单面上形成了铜覆膜层的2层挠性基板，在该铜上进行网板印刷或者层叠干薄膜，在形成感光性保护膜后，进行暴光显影来形成图案。接下来，用氯化铁溶液等蚀刻液选择性地蚀刻去除该金属箔，然后去除保护膜并形成规定的配线图案。
为了使配线更高密度，优选准备在两面上形成了铜覆膜层的2层挠性基板，对两面进行图案加工并在基板两面上形成配线图案。是否把全部配线图案分割成几个配线区域，要根据该配线图案的配线密度的分布等，例如，把配线图案分成配线宽度和配线间隔分别是50μm以下的高密度配线区域和其他的配线区域，考虑与印刷电路板的热膨胀差或处理上的情况等，可以把分割的配线基板的尺寸设定为10～65mm左右，进行适当的分割。
作为上述通孔形成方法，可以使用原有的众所周知的方法，例如，由激光加工、光刻等在上述配线图案的规定的位置上，形成贯通该配线图案和挠性基板的通孔。通孔的直径，在不妨碍孔内的导电化范围内，优选做得小些，通常100μm以下，最好做成50μm以下。
在该通孔内，由电镀、蒸镀、溅射等填充铜等导电性金属，或者使用具有规定的开孔图案的掩膜并压入导电性糊，进行干燥，使孔内导电化来进行层间的电连接。作为上述导电性金属，可以举出铜、金、镍等。
[实施例]
下面，与比较例一起说明本发明的实施例。
抗剥强度的测量方法，用符合IPC-TM-650、NUMBER2.4.9的方法进行。但是，导线宽度定为1mm、剥离的角度定为90°。导线用减去法或半添加法形成。作为耐热性的指标，把形成1mm的导线的薄膜基材，在150℃的烘箱内放置168小时，取出后放置到成为室温后，进行90°抗剥强度的评价。
首先，用得到的2层挠性基板，用氯化铁蚀刻30μm间距(线/空隔＝15/15μm)的梳齿试验片，制作由减去法形成的或者由半添加法形成的试验片。
蚀刻性的确认，基本上由上述试验片的显微镜观察来进行。也可以用HHBT试验片的绝缘电阻值来进行，在10-6Ω以下的电阻值的场合，被认为导线间有蚀刻残渣，判定为蚀刻性不好。
作为环境试验的HHBT(High Temperature High Humidity BiasTest)试验的测量，使用上述试验片，根据JPCA-ETO4，在85℃85％RH环境下，在端子间施加DC40V，观察1000hr后的电阻。电阻为106Ω以下时，判断为短路，经过1000hr后如果是106Ω以上，判断为合格。
作为腐蚀指标，可以举出里面变色，这由HHBT试验后的样品里面观察来进行。见到显著的变色时，判断为不良，变色轻微时判断为合格。
实施例1
把厚度38μm的聚酰亚胺薄膜(東レ·デイユポン社制，产品名“カプトン150EN”)切成12cm×12cm的大小，在其单面上，作为基底金属层的第1层，用4重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法，成膜为4重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层。对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。在形成了上述NiCrMo膜的薄膜上，再在其上做为第2层，用Cu靶子(住友金属矿山(株)制)由溅射法形成铜覆膜层，厚度200nm，用电镀成膜到8μm，作为评价用的原料基材。由该基材用减去法形成剥离强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
得到的2层挠性基板的初期抗剥强度是640N/m。在150℃的烘箱内放置168小时后的耐热抗剥强度为510N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行了绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变色。
实施例2
作为基底金属层的第1层，用22重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为22重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是623N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为597N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例3
作为基底金属层的第1层，用4重量％Cr-5重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为4重量％Cr-5重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是631N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为505N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例4
作为基底金属层的第1层，用4重量％Cr-40重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为4重量％Cr-40重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是645N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为450N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例5
作为基底金属层的第1层，用15重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为15重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为575N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例6
作为基底金属层的第1层，用6重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为6重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，通过改变溅射时间来改变膜厚，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是30nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期抗剥强度是660N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为560N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例7
作为基底金属层的第1层，用12重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成12重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，通过改变溅射时间来改变膜厚，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是5nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为590N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例8
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，通过改变测射时间使其缩短来改变膜厚，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是3nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是632N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为577N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例9
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，除了通过加长溅射时间来变更膜厚而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是50nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是613N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为595N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例10
与实施例1同样，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作为第2层的，用Cu靶子(住友金属矿山(株)制)由溅射法形成1μm厚的铜覆膜层，由电镀成膜到8μm，作为评价用的原料基材。由该基材用减去法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是610N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为547N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例11
与实施例1同样，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作为第2层的，用Cu靶子(住友金属矿山(株)制)由溅射法把铜覆膜层成膜到8μm，作为评价用的原料基材。由该基材用减去法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是630N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为565N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例12
与实施例1同样，形成膜厚20nm的NiCrMo膜。再在其上形成作为第2层的，用Cu靶子(住友金属矿山(株)制)由溅射法把铜覆膜层成膜到500nm，作为评价用的原料基材。由该基材用半添加法加厚到8μm形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是605N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为535N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
实施例13
作为薄膜，使用厚度12μm的芳香族聚酰胺薄膜(帝人AdvancedFilms(株)制，产品名「アラミカ120RC」)，除此而外，与实施例1相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减去法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是600N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为500N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
(比较例1)
作为基底金属层的第1层，用3重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为3重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减去法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是630N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为380N/m，见到了较大的降低。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个个也没有劣化。没有蚀刻残渣，蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
(比较例2)
作为基底金属层的第1层，用24重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为24重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是632N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为586N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，2个样品不能用盐铁蚀刻基底金属层，不能形成30μm间距的导线。在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中，薄膜里面没有见到变化。
(比较例3)
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-4重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成10重量％Cr-4重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是610N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为560N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，2个样品电阻为106Ω以下，为短路，不好。另一方面，蚀刻性是良好的。在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中，薄膜里面很多部分变色。
(比较例4)
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-44重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法成膜为10重量％Cr-44重量％Mo-Ni合金基底金属层，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是20nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是635N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为250N/m，见到了较大的降低。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个也没有劣化。蚀刻性也是良好的。进一步，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
(比较例5)
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，把溅射时间更换为比实施例8还短来变更膜厚，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是2nm。由该基材用减去法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是620N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为540N/m，没有大的变化，是良好的。
对3个样品进行绝缘可靠性试验，无论哪一个样品电阻都为106Ω以下，为短路，不好。另一方面，蚀刻性是良好的。在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中，薄膜里面的很多部分变色。
(比较例6)
作为基底金属层的第1层，用10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金靶子(住友金属矿山(株)制)，由直流溅射法形成10重量％Cr-20重量％Mo-Ni合金基底金属层，把溅射时间更换为比实施例9还长来变更膜厚，除此而外，与第1实施例相同，得到评价用的原料基材。
对另外的在相同条件下成膜的一部分，用透过型电子显微镜(TEM：日立制作所(株)制)测量膜厚，是53nm。由该基材用减除法形成抗剥强度评价用的1mm的导线和HHBT试验用的30μm间距的梳齿试验片。
所得到的2层挠性基板的初期的抗剥强度是618N/m。在150℃的烘箱中放置168小时后的耐热抗剥强度为566N/m，没有大的变化，是良好的。
在蚀刻试验中，3个样品之中，2个样品不能用盐铁蚀刻液蚀刻基底金属层，不能形成30μm间距的导线。
再有，对3个样品进行绝缘可靠性试验，哪一个都没有劣化。
另外，在耐腐蚀性试验(在85℃85％RH恒温槽中放置1000小时后的薄膜里面变色)中没有见到变化。
上述实施例，比较例的结果集中表示在表1中。
[表1]
基底金属层组成(重量％) 基底金属层膜厚(nm) 铜覆膜层膜厚(μm)   初期抗剥强度(N/m)   耐热抗剥强度(N/m) 蚀刻性 绝缘可靠性试验 耐腐蚀性试验
Cr Mo Ni
  实施例1   4   20   bal.   20   8   640   510   ○   ○   ○
  实施例2   22   20   bal.   20   8   623   597   ○   ○   ○
  实施例3   4   5   bal.   20   8   631   505   ◎   ○   ○
  实施例4   4   40   bal.   20   8   645   450   ◎   ○   ○
  实施例5   15   20   bal.   20   8   620   575   ◎   ○   ○
  实施例6   6   20   bal.   30   8   660   560   ○   ○   ○
  实施例7   12   20   bal.   5   8   620   590   ◎   ○   ○
  实施例8   10   20   bal.   3   8   632   577   ◎   ○   ○
  实施例9   10   20   bal.   50   8   613   595   ○   ○   ○
实施例10 4 20 bal. 20   8溅射1μm+电镀 610 547 ○ ○ ○
实施例11 4 20 bal. 20   8溅射8μm 630 565 ○ ○ ○
实施例12 4 20 bal. 20   8溅射500nm半添加法 605 535 ○ ○ ○
  实施例13   4   20   bal.   20   8   600   500   ○   ○   ○
  比较例1   3   20   bal.   20   8   630   380   ◎   △   ○
  比较例2   24   20   bal.   20   8   632   586   △   △   ○
  比较例3   10   4   bal.   20   8   610   560   ○   △   ×
  比较例4   10   44   bal.   20   8   635   250   ○   ○   ○
  比较例5   10   20   bal.   2   8   620   540   ○   ×   ×
  比较例6   10   20   bal.   53   8   618   566   △   ○   ○
如上所述，根据本发明的2层挠性基板的制造方法，在至少在绝缘体薄膜的单面上，不经粘接剂直接形成基底金属层，在该基底金属层上形成所希望厚度的铜覆膜层的2层挠性基板中，在上述绝缘体薄膜上，由干镀法形成膜厚3～50nm，可以形成主要含有铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％、剩余部分为镍-铬-钼合金的基底金属层和在该基底金属层上形成的膜厚10nm～35μm的铜覆膜层，而且，根据本发明的2层挠性基板，由于该基底金属层上含有铬，因此可以防止耐热抗剥强度的降低，同时，由于含有钼，可以提高耐腐蚀性、绝缘可靠性，因此通过使用该2层挠性基板，可以高效率地得到具有粘合性耐腐蚀性高、具有没有缺陷的配线部的可靠性高的窄宽度、窄间距的配线部的挠性配线板，其效果非常大。

Claims (6)

1.一种2层挠性基板，其特征在于，是绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层的2层挠性基板，其中，上述基底金属层是由用干镀法形成、主要含有铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40％、剩余部分为镍的镍-铬-钼合金的膜厚3～50nm的基底金属层构成。
2.如权利要求1所述的2层挠性基板，其特征在于，在上述基底金属层上形成的铜覆膜层的膜厚是10nm～35μm。
3.如权利要求1或2所述的2层挠性基板，其特征在于，上述绝缘体薄膜是从聚酰亚胺系薄膜、聚酰胺系薄膜、聚酯系薄膜、聚四氟乙烯系薄膜、聚苯硫醚系薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯系薄膜、液晶聚合物系薄膜中选出的树脂薄膜。
4.一种2层挠性基板的制造方法，其特征在于，是在绝缘体薄膜的至少单面上不经粘接剂直接形成基底金属层，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层的2层挠性基板的制造方法，其中，在上述绝缘体薄膜上由干镀法形成铬的比例是4～22重量％、钼的比例是5～40重量％，剩余部分是镍的镍-铬-钼合金的基底金属层，膜厚3～50nm，接着在该基底金属层上形成铜覆膜层。
5.如权利要求4所述的2层挠性基板的制造方法，其特征在于，在由干镀法形成上述铜覆膜层后，再在该铜覆膜层之上由湿式电镀法形成铜覆膜层。
6.如权利要求4或5所述的2层挠性基板的制造方法，其特征在于，上述干镀法是真空蒸镀法、溅射法或离子电镀法的任何一种。
CNB2005800345307A 2004-09-01 2005-08-24 2层挠性基板及其制造方法 Active CN100566505C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP254941/2004 2004-09-01
JP2004254941 2004-09-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101040571A true CN101040571A (zh) 2007-09-19
CN100566505C CN100566505C (zh) 2009-12-02

Family

ID=35999897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005800345307A Active CN100566505C (zh) 2004-09-01 2005-08-24 2层挠性基板及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20080090095A1 (zh)
JP (1) JP4605511B2 (zh)
KR (1) KR100858309B1 (zh)
CN (1) CN100566505C (zh)
WO (1) WO2006025240A1 (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103221213A (zh) * 2011-01-05 2013-07-24 吉坤日矿日石金属株式会社 覆铜箔层压板及其制造方法
CN104562121A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 住友金属矿山株式会社 两层挠性配线用基板及其制造方法以及两层挠性配线板及其制造方法
CN104968158A (zh) * 2015-06-03 2015-10-07 洛阳伟信电子科技有限公司 一种厚铜箔细线路微间距电路板外层线路加工方法
CN104247576B (zh) * 2012-04-24 2017-05-31 住友金属矿山株式会社 2层挠性配线用基板及挠性配线板及其制造方法
CN110049618A (zh) * 2018-01-15 2019-07-23 达迈科技股份有限公司 用于金属化的聚酰亚胺膜、基板结构及电路基板
CN110121923A (zh) * 2016-12-28 2019-08-13 凸版印刷株式会社 配线基板的单片化方法以及封装用基板
CN112601370A (zh) * 2019-10-02 2021-04-02 住友金属矿山株式会社 覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011100846A (ja) * 2009-11-05 2011-05-19 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ２層フレキシブル基板とその製造方法、２層フレキシブル配線板とその製造方法並びにプラズマ処理装置
CN102792786B (zh) * 2010-03-16 2015-11-25 住友金属矿山株式会社 2层挠性基板及其制造方法
CN102717554B (zh) * 2012-07-02 2015-08-19 武汉光谷创元电子有限公司 一种两层型挠性覆铜板
JP5521130B1 (ja) * 2012-08-30 2014-06-11 パナソニック株式会社 電子部品パッケージおよびその製造方法
JP5651807B2 (ja) 2012-09-05 2015-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101357141B1 (ko) * 2012-09-27 2014-02-03 엘에스엠트론 주식회사 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
KR101421701B1 (ko) 2012-09-27 2014-07-22 엘에스엠트론 주식회사 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
JP6292466B2 (ja) * 2013-02-20 2018-03-14 日立金属株式会社 金属薄膜および金属薄膜形成用Ｍｏ合金スパッタリングターゲット材
WO2016039314A1 (ja) * 2014-09-09 2016-03-17 住友電気工業株式会社 プリント配線板用基材、プリント配線板及びプリント配線板用基材の製造方法
US11342256B2 (en) * 2019-01-24 2022-05-24 Applied Materials, Inc. Method of fine redistribution interconnect formation for advanced packaging applications
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
US11931855B2 (en) 2019-06-17 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Planarization methods for packaging substrates
US11862546B2 (en) 2019-11-27 2024-01-02 Applied Materials, Inc. Package core assembly and fabrication methods
US11257790B2 (en) 2020-03-10 2022-02-22 Applied Materials, Inc. High connectivity device stacking
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
US11400545B2 (en) 2020-05-11 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Laser ablation for package fabrication
US11232951B1 (en) 2020-07-14 2022-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for laser drilling blind vias
US11676832B2 (en) 2020-07-24 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Laser ablation system for package fabrication
US11521937B2 (en) 2020-11-16 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Package structures with built-in EMI shielding
US11404318B2 (en) 2020-11-20 2022-08-02 Applied Materials, Inc. Methods of forming through-silicon vias in substrates for advanced packaging
US11705365B2 (en) 2021-05-18 2023-07-18 Applied Materials, Inc. Methods of micro-via formation for advanced packaging
CN113692111B (zh) * 2021-08-24 2022-08-23 江苏耀鸿电子有限公司 一种高耐蚀性柔性覆铜板及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3857683A (en) * 1973-07-27 1974-12-31 Mica Corp Printed circuit board material incorporating binary alloys
US6171714B1 (en) * 1996-04-18 2001-01-09 Gould Electronics Inc. Adhesiveless flexible laminate and process for making adhesiveless flexible laminate
JPH1065311A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ２層フレキシブル基板の製造方法
JPH1065316A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ２層フレキシブル基板の製造方法
JP2828071B2 (ja) * 1996-10-22 1998-11-25 三菱マテリアル株式会社 耐食性のすぐれた物理蒸着非晶質膜材
JPWO2002067641A1 (ja) * 2001-02-21 2004-06-24 鐘淵化学工業株式会社 配線基板およびその製造方法、並びに該配線基板に用いられるポリイミドフィルムおよび該製造方法に用いられるエッチング液
CN1211001C (zh) * 2001-12-18 2005-07-13 黄堂杰 软性电路基板及其制造方法
JP4008388B2 (ja) * 2003-06-30 2007-11-14 シャープ株式会社 半導体キャリア用フィルムおよびそれを用いた半導体装置、液晶モジュール

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103221213A (zh) * 2011-01-05 2013-07-24 吉坤日矿日石金属株式会社 覆铜箔层压板及其制造方法
CN104247576B (zh) * 2012-04-24 2017-05-31 住友金属矿山株式会社 2层挠性配线用基板及挠性配线板及其制造方法
CN104562121A (zh) * 2013-10-23 2015-04-29 住友金属矿山株式会社 两层挠性配线用基板及其制造方法以及两层挠性配线板及其制造方法
CN104562121B (zh) * 2013-10-23 2018-01-30 住友金属矿山株式会社 两层挠性配线用基板及其制造方法以及两层挠性配线板及其制造方法
CN104968158A (zh) * 2015-06-03 2015-10-07 洛阳伟信电子科技有限公司 一种厚铜箔细线路微间距电路板外层线路加工方法
CN110121923A (zh) * 2016-12-28 2019-08-13 凸版印刷株式会社 配线基板的单片化方法以及封装用基板
CN110121923B (zh) * 2016-12-28 2022-07-05 凸版印刷株式会社 配线基板的单片化方法以及封装用基板
CN110049618A (zh) * 2018-01-15 2019-07-23 达迈科技股份有限公司 用于金属化的聚酰亚胺膜、基板结构及电路基板
CN112601370A (zh) * 2019-10-02 2021-04-02 住友金属矿山株式会社 覆铜积层板及覆铜积层板的制造方法
TWI729572B (zh) * 2019-10-02 2021-06-01 日商住友金屬鑛山股份有限公司 覆銅積層板及覆銅積層板之製造方法
US11426976B2 (en) 2019-10-02 2022-08-30 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Copper-clad laminate

Also Published As

Publication number Publication date
US20080090095A1 (en) 2008-04-17
US8318320B2 (en) 2012-11-27
US20110059334A1 (en) 2011-03-10
JP4605511B2 (ja) 2011-01-05
CN100566505C (zh) 2009-12-02
WO2006025240A1 (ja) 2006-03-09
KR100858309B1 (ko) 2008-09-11
KR20070041608A (ko) 2007-04-18
JPWO2006025240A1 (ja) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101040571A (zh) 2层挠性基板及其制造方法
CN1117512C (zh) 多层印刷电路板及其制造方法
CN1551710A (zh) 精密图形印刷布线用铜箔及其制造方法
JP3973197B2 (ja) キャリア箔付電解銅箔及びその製造方法
CN1073547A (zh) 电阻金属层及其制作方法
CN1260684A (zh) 具有优良的耐化学性和耐热性的用于印刷线路板的铜箔
CN100335534C (zh) 聚酰亚胺薄膜及其制造方法,和使用聚酰亚胺薄膜的聚酰亚胺/金属叠层体
CN101040572A (zh) 2层挠性基板及其制造方法
CN1599513A (zh) 带有载体的极薄铜箔及其制造方法及布线板
CN1657279A (zh) 表面处理铜箔和电路基板
CN1767721A (zh) 金属包覆基板及其制造方法
CN101031367A (zh) 电子产品生产中的镀银
CN1327489A (zh) 附有载体箔的电解铜箔及其制作方法和使用该电解铜箔的敷铜层压板
CN1891018A (zh) 印刷电路板、其制造方法以及电路装置
CN1428458A (zh) 电子部件的制造方法及该电子部件，无电敷镀方法
CN1263570A (zh) 高质量型面很矮的铜箔制造工艺及由其制成的铜箔
CN1391242A (zh) 金属膜及其制备方法,层压陶瓷电子元件及其制备方法
CN101031183A (zh) 带电路的悬挂基板
CN1464837A (zh) 层压体及其制造方法
CN101039545A (zh) 布线电路基板及布线电路基板的连接结构
CN1674269A (zh) 多层布线基板制造用层间构件及其制造方法
CN1874651A (zh) 布线电路基板及其制造方法
CN1756654A (zh) 薄片材料及布线板
CN1725932A (zh) 带电阻层的导电性基材及带电阻层的电路基板材料
CN1081802C (zh) 成象装置及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant