CN104247576B - 2层挠性配线用基板及挠性配线板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种耐折性优异的2层挠性配线用基板及挠性配线板及其制造方法。本发明为一种2层挠性配线用基板，其是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而设置有由镍合金而成的基底金属层，及于上述基底金属层的表面设置有铜层的层合结构者，其特征在于：由JIS C‑5016‑1994规定的耐折性试验的实施前后所获得的铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。

Description

2层挠性配线用基板及挠性配线板及其制造方法
技术领域
本发明为关于一种借助铜电镀法而使铜层的一部分析出从而改良耐折性的2层挠性配线用基板及挠性配线板，以及该2层挠性配线用基板的制造方法及挠性配线板的制造方法。
背景技术
挠性配线板为有效利用其弯曲性而广泛用于硬盘的读写头或印头等电子机器的需要弯折或弯曲的部分、或液晶显示器内的弯折配线等。
于该挠性配线板的制造中，使用如下方法：使用金属面腐蚀法等，对层合有铜层与树脂层的挠性配线用基板(亦称为软性铜箔基板，FCCL：Flexible Copper CladLamination)进行配线加工。
所谓该金属面腐蚀法是指对挠性配线用基板的铜层进行化学蚀刻处理，将不需要的部分去除的方法。即，于挠性配线用基板的铜层中作为导体配线需要保留的部分的表面设置抗蚀剂，经由对应于铜的蚀刻液的化学蚀刻处理与水洗，选择性去除铜层的不需要的部分，从而形成导体配线。
且说，挠性配线用基板(FCCL)可分类为3层FCCL板(以下称为3层FCCL)与2层FCCL板(称为2层FCCL)。3层FCCL成是于基底(绝缘层)的树脂膜接着有电解铜箔或轧压铜箔的结构(铜箔/粘接剂层/树脂膜)。另一方面，2层FCCL成为层合有铜层或铜箔与树脂膜基材的结构(铜层或铜箔/树脂膜)。
另外，上述2层FCCL大致存在3种。即，于树脂膜的表面依序镀敷基底金属层与铜层而形成的FCCL(通称金属化基板)、于铜箔涂布树脂膜的清漆而形成绝缘层的FCCL(通称浇铸基板)，及于铜箔层合树脂膜的FCCL(通称层合基板)。
上述金属化基板、即于树脂膜的表面依序镀敷基底金属层与铜层而形成的FCCL可进行铜层的薄膜化，且聚酰亚胺膜与铜层界面的平滑性较高，因此，与浇铸基板或层合基板或者3层FCCL相比，适于配线的精细图案化。例如，金属化基板的铜层可借助干式镀敷法及电镀法而自由地控制层厚，相对于此，浇铸基板或层合基板或者3层FCCL则因使用的铜箔，而导致其厚度等受到限制。
另外，关于用于挠性配线板的配线的铜箔，例如借助对铜箔实施热处理的方法(参照专利文献1)或进行轧压加工的方法(参照专利文献2)而谋求耐折性的提升。然而，该等方法为关于3层FCCL的轧压铜箔或电解铜箔、用于2层FCCL中的浇铸基板及层合基板的铜箔自身的处理的方法。
再者，铜箔的耐折性评价为工业性使用以JIS C-5016-1994等或ASTM D2176为标准的MIT耐折强度试验(Folding Endurance Test)。
该试验是以形成于直至试片的电路图案断线为止的弯折次数进行评价，且该弯折次数越大，则视为耐折性越好。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开平8-283886号公报
专利文献2：日本专利特开平6-269807号公报
发明内容
发明所欲解决的课题
本发明设为对象的2层挠性配线用基板是于树脂膜基材的至少单面依序形成有由未借助粘接剂而形成的籽晶层与铜镀敷层而成的金属层的镀敷基板，因此，难以实施如现有技术中揭示的仅铜镀敷层的热处理或轧压加工，而提升耐折性，且于镀敷基板中，期望耐折性优异的镀敷基板的制造方法。鉴于此种状况，本发明提供一种耐折性优异的2层挠性配线用基板、挠性配线板及其制造方法。
用于解决课题的技术手段
本发明的发明人为解决上述问题，而对利用镀敷法形成于聚酰亚胺树脂层的铜层的耐折性进行努力研究，其结果，确认耐折性前后的结晶配向性的变化对耐折性试验结果造成的影响，从而完成本发明。
本发明的第1发明是一种2层挠性配线用基板，所述2层挠性配线用基板是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而设置有由镍合金构成的基底金属层，并于上述基底金属层的表面设置有铜层的层合结构的2层挠性配线用基板；其特征在于：在由JIS C-5016-1994规定的耐折性试验的实施前后所获得的上述铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。
进而，其特征在于，将该铜层的膜厚为5μm～12μm，铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上，且其表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.2μm以下，该铜层由成膜于基底金属层的表面的铜薄膜层，及成膜于该铜薄膜层的表面的铜电镀层构成。
另外，该2层挠性配线用基板的特征在于：该铜电镀层是于与其表面在聚酰亚胺膜方向上相距膜厚的10％以上的厚度范围，借助周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向(Periodic Reverse)电流的铜电镀来形成的。
本发明的第2发明为一种挠性配线板，所述挠性配线板设有层合结构的配线，上述层合结构的配线在聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而具有由镍合金构成的基底金属层，并在上述基底金属层的表面具有铜层；该挠性配线板的特征在于：在由JIS-P-8115规定的耐折性试验的实施前后所获得的上述铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。
进而，其特征在于，将该铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上，其表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.2μm以下，该铜层由成膜于基底金属层的表面的铜薄膜层，及成膜于该铜薄膜层的表面的铜电镀层构成。
另外，该挠性配线板的特征在于：该铜电镀层是于与其表面在聚酰亚胺膜方向上相距铜电镀层膜厚的10％以上的厚度范围，借助周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀来形成的。
本发明的第3发明为第1发明的2层挠性配线用基板的制造方法，其特征在于：该2层挠性配线用基板具有由镍合金构成的基底金属层，和由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层的层合结构，上述由镍合金构成的基底金属层是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂并借助干式镀敷法而成膜，上述由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层是于上述基底金属层的表面，进行利用干式镀敷法的铜薄膜层的成膜，及于上述铜薄膜层的表面进行利用电镀法的铜电镀层的成膜而形成，上述铜电镀层，自上述铜电镀层的表面沿上述聚酰亚胺膜方向在上述铜电镀层膜厚的10％以上的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀法来形成。
本发明的第4发明为第2发明的挠性配线板的制造方法，其特征在于：借助金属面腐蚀法而于配线形成2层挠性配线用基板的由基底金属层与铜层构成的层合结构；上述2层挠性配线用基板为具有由镍合金构成的基底金属层，和由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层的层合结构；由镍合金构成的上述基底金属层是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而借助干式镀敷法来成膜；上述由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层，是于上述基底金属层的表面进行利用干式镀敷法的铜薄膜层的成膜，及于上述铜薄膜层的表面进行利用电镀法的铜电镀层的成膜而形成；上述铜电镀层，自上述铜电镀层的表面沿聚酰亚胺膜方向在铜电镀层的膜厚的10％以上的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀法来形成。
发明效果
作为获得金属化聚酰亚胺膜的方法，如本发明所述，于聚酰亚胺膜表面以蒸镀法或溅镀法形成Ni、Cr、Cu等金属层及合金层，其后于电镀法、无电解镀敷法或组合两者的方法层合铜的步骤中，借助将MIT耐折性试验(JIS C-5016-1994)前后所获得的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.03以上的铜层层合于聚酰亚胺膜表面，而获得耐折性经改良了的2层挠性配线用基板。
附图说明
图1是以金属化法制作的2层挠性配线用基板的剖面模式图。
图2为表示将2层挠性配线用基板的基底金属层及铜薄膜层成膜的辊-辊(roll-to-roll)溅镀装置的概要图。
图3为表示2层挠性配线用基板的制造中进行电镀的辊-辊方式的连续镀敷装置的概要图。
图4为示意性地表示本发明中的周期性反向(PR(Periodic Reverse))电流的时间与电流密度的图。
具体实施方式
(1)2层挠性配线用基板
首先，对本发明的2层挠性配线用基板进行说明。本发明的2层挠性配线用基板为采用于聚酰亚胺膜的至少单面不借助粘接剂而逐次层合有基底金属层与铜层的层合结构，且该铜层由铜薄膜层与铜电镀层构成。
图1为表示以金属化法制作的2层挠性配线用基板6的剖面的示意图。
于树脂膜基板1中使用聚酰亚胺膜，且于该聚酰亚胺膜的至少一面，自聚酰亚胺膜侧将基底金属层2、铜薄膜层3、铜电镀层4依序地成膜进行层合。铜层5由铜薄膜层3与铜电镀层4构成。
作为使用的树脂膜基板，除聚酰亚胺膜以外，可使用聚酰胺膜、聚酯膜、聚四氟乙烯膜、聚苯硫醚膜、聚2,6萘二甲酸乙二酯膜、液晶聚合物膜等。
尤其，就机械强度、耐热性或电绝缘性的观点而言，较佳为聚酰亚胺膜。
进而，可较佳地使用膜厚为12.5～75μm的上述树脂膜基板。
基底金属层2用来确保树脂膜基板与铜等金属层的密接性或耐热性等可靠性。因此，基底金属层的材质为选自镍、铬或该等的合金中的任一种，但若考虑密接强度或配线制作时的蚀刻容易度，则较佳为镍·铬合金。
镍·铬合金的组成较理想为自铬15重量％以上至22重量％以下，且期待耐蚀性或抗迁移性的提升。
其中，20重量％铬的镍-铬合金作为镍铬合金流动，且作为磁控溅镀法的溅镀靶可容易获得。另外，于包含镍的合金中，也可添加铬、钒、钛、钼、钴等。
进而，也可层合铬浓度不同的数个镍-铬合金的薄膜，构成设置有镍·铬合金的浓度梯度的基底金属层。
基底金属层的膜厚较理想为3nm～50nm。
若基底金属层的膜未满3nm，则无法确保聚酰亚胺膜与铜层的密接性，耐蚀性或抗迁移性方面较差。另一方面，若基底金属层的膜厚超过50nm，则于以金属面腐蚀法进行配线加工时，产生难以充分去除基底金属层的情况。于基底金属层的去除不充分的情形时，则有配线间的迁移等不良情况之虞。
铜薄膜层3主要由铜构成，且其膜厚较理想为10nm～1μm。
若铜薄膜层的膜厚未满10nm，则无法确保以电镀法成膜铜电镀层时的导电性，而造成电镀时的外观不良。即便铜薄膜层的膜厚超过1μm，亦不会产生2层挠性配线用基板的质量上的问题，但存在生产性欠佳的问题。
(2)基底金属层与铜薄膜层的成膜方法
基底金属层及铜薄膜层较佳为借助干式镀敷法来形成。
干式镀敷法中，可列举溅镀法、离子电镀法、簇离子束(cluster ion beam)法、真空蒸镀法、化学气相沈积(CVD，Chemical Vapor Deposition)法等，就籽晶层的组成的控制等观点而言，较佳为溅镀法。
对树脂膜基材进行溅镀成膜时，可以公知的溅镀装置进行成膜，对长条的树脂膜基材进行成膜时，可以公知的辊-辊方式溅镀装置进行。若使用该辊-辊溅镀装置，则可于长条的聚酰亚胺膜的表面，将基底金属层及铜薄膜层连续地成膜。
图2为辊-辊溅镀装置的一例。
辊-辊溅镀装置10包括收纳有其构成零件的大部分的长方体状框体12。
框体12可为圆筒状，但无论其形状如何，可保持减压至10-4Pa～1Pa的范围的状态即可。
于该框体12内，具有供给作为长条的树脂膜基板的聚酰亚胺膜F的卷出辊13、罐辊14、溅镀阴极15a、15b、15c、15d、前进给辊16a、后进给辊16b、张力辊17a、张力辊17b、卷取辊18。
卷出辊13、罐辊14、前进给辊16a、卷取辊18具有伺服马达产生的动力。卷出辊13、卷取辊18借助粉末离合器等的转矩控制而保持聚酰亚胺膜F的张力平衡。
张力辊17a、17b为表面由硬质铬镀敷而完成，且具有张力传感器。
溅镀阴极15a～15d以磁控阴极式而与罐辊14相向配置。溅镀阴极15a～15d的聚酰亚胺膜F的宽度方向的尺寸宽于聚酰亚胺膜F的宽度即可。
聚酰亚胺膜F在作为辊-辊真空成膜装置的辊-辊溅镀装置10内进行搬送，于与罐辊14对向的溅镀阴极15a～15d成膜，加工成附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2。
罐辊14为其表面由硬质铬镀敷而完成，且于其内部，自框体12的外部供给的冷媒或温媒进行循环，调整为大致固定的温度。
于使用辊-辊溅镀装置10，将基底金属层与铜薄膜层成膜的情形时，将具有基底金属层的组成的靶安装于溅镀阴极15a，将铜靶安装于溅镀阴极15b～15d，将卷出辊13中设置有聚酰亚胺膜的装置内进行真空排气后，导入氩气等溅镀气体，将装置内保持为1.3Pa左右。
另外，于利用溅镀将基底金属层成膜后，也可利用蒸镀法，将铜薄膜层成膜。
(3)铜电镀层及其成膜方法
铜电镀层为借助电镀法而成膜。该铜电镀层的膜厚较理想为1μm～20μm。
此处，使用的电镀法是于硫酸铜的镀敷浴中使用不溶性阳极进行电镀者，且使用的铜镀敷浴的组成也可为通常所用的印刷配线板用的高均一性硫酸铜镀敷浴。
图3为可用于本发明的2层挠性配线用基板的制造的辊-辊连续电镀装置(以下称为镀敷装置20)的一例。
将基底金属层与铜薄膜层成膜所得的附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2为自卷出辊22卷出，一边反复浸渍于电镀槽21内的镀敷液28一边连续地搬送。再者，28a是指镀敷液的液面。
附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2是于浸渍于镀敷液28的期间，借助电镀而于金属薄膜的表面将铜层成膜，且于形成特定膜厚的铜层后，作为金属化树脂膜基板的2层挠性配线用基板S，由卷取辊29卷取。再者，附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2的搬送速度较佳为数m～数十m/分的范围。
具体地进行说明，将附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2自卷出辊22卷出，经由供电辊26a浸渍于电镀槽21内的镀敷液28。进入电镀槽21内的附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2经由反转辊23将搬送方向反转，并借助供电辊26b朝向电镀槽21外抽出。
如此，于将附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2反复数次(图3中为10次)浸渍于镀敷液的期间，于附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2的金属薄膜上形成铜层。
于供电辊26a与阳极24a的间连接有电源(未图示)。
电镀电路为由供电辊26a、阳极24a、镀敷液、附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜F2及电源构成。另外，不溶性阳极无需特别限定，可是以导电性陶瓷涂布表面的公知的阳极。再者，于电镀槽21的外部，具有对镀敷液28供给铜离子的机构。
铜离子对镀敷液28的供给是以氧化铜水溶液、氢氧化铜水溶液、碳酸铜水溶液等供给。或者，亦有于镀敷液中添加微量的铁离子，将无氧铜球溶解，供给铜离子的方法。铜的供给方法可使用上述的任一方法。
镀敷中的电流密度为随着自阳极24a进入搬送方向下游而使电流密度阶段性上升，于阳极24o至24t成为最大的电流密度。
可借助以此方式使电流密度上升，而防止铜层的变色。尤其于铜层的膜厚较薄的情形时，若电流密度较高则容易产生铜层的变色，因此，除下述的周期性反向电流的反转电流以外，镀敷中的电流密度较理想为0.1A/dm2～8A/dm2。若电流密度变高，则产生铜电镀层的外观不良。
为了制造本发明的2层挠性配线用基板，而于与铜电镀层的膜厚的表面相距10％以上的范围使用PR电流来形成。
于使用周期性反向电流(以下有时称为PR电流)的情形时，反转电流施加正电流的1～9倍的电流即可。
作为反转电流时间比例，较理想为1～10％左右。
另外，PR电流的其次的反转电流流动的周期较理想为10m秒以上，更理想为20m秒～300m秒。
图4为示意性地表示PR电流的时间与电流密度的图。
再者，镀敷电压以可实现上述电流密度的方式进行适当调整即可。
为利用辊-辊连续电镀装置(以下称为镀敷装置20)制造本发明的2层挠性配线用基板，只要自搬送路径的下游侧起于1个以上的阳极中使PR电流流动即可，且使PR电流流动的阳极数量由如何设定自铜电镀层的表面至聚酰亚胺膜侧利用PR电流进行成膜的范围的比例来决定。即，至少阳极24t流动有PR电流，且根据需要使PR电流流入阳极24s、阳极24r、阳极24q。
再者，也可于全部阳极中流入PR电流，但由于PR电流用的整流器价格较高，故而制造成本增加。因此，本发明的2层挠性配线用基板中，若利用PR电流将自铜电镀层的表面起在聚酰亚胺方向上膜厚的10％成膜，则于耐折性试验(JIS C-5016-1994)的实施前后，铜层的结晶配向比[(200)/(117)]之差d[(200)/(111)]可为0.03以上，因此，结果是可期望耐折性试验(MIT试验)的提升。
期待使用PR电流的铜电镀的原因在于，若使电流反转，则铜电镀层的铜的结晶粒径可为200nm左右以上，从而可减少晶界，因此，可减少晶界中产生的裂纹的起点。
一般而言，于电镀法中，镀敷析出的铜受到经镀铜的基材表面的影响，但若以PR电流将自铜电镀层的表面至膜厚的10％以上成膜，则可控制晶界，因此，若2层挠性配线用基板的铜电镀层的表面至膜厚的10％以上成为符合耐折性的结晶，则获得对铜电镀层的耐折性的效果，从而可达成本发明的课题。
再者，于以化学研磨等对所获得的2层挠性配线用基板的铜层的厚度进行调整的情形时，若残留有自研磨后的铜层的表面至膜厚的10％以上由PR电流成膜的层，则可发挥本发明的效果。
(4)铜电镀层的特征
本发明的挠性配线用基板的铜层的特征在于呈现1.2以上的铜的(111)结晶配向度指数，且于此种状态下，于MIT耐折性试验中，结晶容易滑动。再者，于本发明的挠性配线用基板的铜层，除包含(111)配向以外，亦包含(200)、(220)、(311)配向，但其中(111)配向占大部分，其结晶配向度指数呈现1.20以上。
进一步的特征在于，MIT耐折性试验(JIS C-5016-1994)前后的结晶的配向比[(200)/(111)]之差成为0.03以上的状态。此种状态可认为是因进行MIT耐折性试验故而结晶滑动，从而引起再结晶。
就表面的光泽性而言，较佳为光泽膜，以避免表面的凹凸成为缺口的要因。
另外，平均结晶粒径的大小虽越大越好，但亦对以金属面腐蚀法将挠性配线用基板配线加工成挠性配线板时的铜层蚀刻造成影响，因此必需注意。
于金属面腐蚀法中的铜层的蚀刻中使用氯化铁水溶液的情形时，亦存在铜层的结晶粒径未造成影响的情况，但于蚀刻铜层的结晶粒子的晶界的情形时，结晶粒径亦对配线的形状造成影响。作为平均结晶粒径，较理想为200nm～400nm左右。若为200nm以下，则晶界较多，容易产生成为断裂起点的裂纹，而设为400nm以下的原因在于保持金属表面的平滑性。
另外，本发明的挠性配线用基板的铜层借助上述的铜层的成膜方法而获得，从而成为具有MIT耐折性试验前后的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.03以上的特性等的铜层。再者，铜电镀层的结晶配向可根据X线绕射的Wilson的配向度指数获知。
进而，以上述方法获得的铜层的铜结晶是于弯折时具有常温下的动态再结晶效应。耐折性试验后的平均结晶粒径具有因再结晶而成为100nm～200nm左右的倾向。
一般认为，铜的电镀膜于常温下不产生动态再结晶。然而，本发明的挠性配线用基板于常温下产生动态再结晶，因此，结果是，若进行如MIT试验的弯折试验则试样难以切断。铜层的平均结晶粒径与常温下的动态再结晶可借助剖面扫描离子显微镜(SIM(ScanningIon Microscope))像进行观察。
其次，算术表面粗糙度Ra较理想为0.2μm以下。
若表面粗糙度Ra超过0.2μm，则即便MIT耐折性试验前后的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.03以上，耐折性的改善效果亦较少。因此，较理想为，MIT耐折性试验前后的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.03以上，且算术表面粗糙度Ra为0.2μm以下。
当然，于以化学研磨等对铜层的表面进行研磨的情形时，化学研磨后的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra为0.2μm以下即可。
(5)挠性配线板
本发明的挠性配线板是以金属面腐蚀法对本发明的2层挠性配线用基板进行配线加工而制造。
将铜电镀层等进行配线加工的蚀刻加工中使用的蚀刻液并不限定于特殊调配的包含氯化铁、氯化铜及硫酸铜的水溶液或特殊的药液，可使用普通的包含比重1.30～1.45的氯化铁水溶液或比重1.30～1.45的氯化铜水溶液的市售的蚀刻液。
于配线的表面，根据需要于必要的部位实施镀锡、镀镍、镀金等，且以公知的阻焊剂等覆盖表面。继而，安装半导体组件等电子零件，形成电子装置。
实施例
以下，使用实施例进一步说明本发明。
附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜为使用辊-辊溅镀装置10制造。
将用以将基底金属层成膜的镍-20重量％铬合金靶安装于溅镀阴极15a，铜靶安装于溅镀阴极15b～15d，且设置有厚度38μm的聚酰亚胺膜(Kapton，注册商标，TORAY-DUPONT公司制造)的装置内进行真空排气后，导入氩气，将装置内保持为1.3Pa，制造附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜。基底金属层(镍-铬合金)的膜厚为20nm，铜薄膜层的膜厚为200nm。
对所得的附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜，使用镀敷装置20进行铜电镀，将铜电镀层成膜。镀敷液使用pH为1以下的硫酸铜水溶液，阳极24o至24t若无特别说明则成为最大的电流密度(PR电流的反转电流除外)，且以最终铜电镀层的膜厚成为8.5μm的方式调整电流密度。
耐折性试验为将氯化铁用于蚀刻液，以金属面腐蚀法形成JIS-C-5016-1994的测试图案，并依据相同标准进行评价。
耐折性试验前后的铜电镀层的结晶配向是于X线绕射中使用Wilson的配向度指数进行测定。
实施例1
为了于自铜电镀层的表面至10％的膜厚范围使用PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24t，制作实施例1的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前的铜电镀层的(111)结晶配向度指数为1.31、MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.04、算术表面粗糙度Ra为0.06μm的实施例1的样品，于MIT耐折性试验中获得536次良好的结果。
实施例2
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为1.35，且为了于自铜电镀层的表面至30％的膜厚范围使用PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24r～24t，除此以外，与实施例1同样地进行，制作实施例2的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.09、算术表面粗糙度Ra为0.18μm的实施例2的样品于MIT耐折性试验中获得736次的良好的结果。
实施例3
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为1.42，且为了于自铜电镀层的表面至40％的膜厚范围使用PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24r～24t，除此以外，与实施例1同样地进行，制作实施例3的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.10、算术表面粗糙度Ra为0.20μm的实施例3的样品于MIT耐折性试验中获得608次的良好的结果。
(比较例1)
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为0.98，且为了于自铜电镀层的表面至8％的膜厚范围使用PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24t，且将该阳极的电流密度设为实施例1的80％，除此以外，与实施例1同样地进行，制作比较例1的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.02、算术表面粗糙度Ra为0.15μm的比较例1的样品于MIT耐折性试验中为135次的未呈现改善效果的结果。
(比较例2)
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为0.85，且为了于自铜电镀层的表面至5％的膜厚范围以PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24t，且将该阳极的电流密度设为实施例1的50％，除此以外，与实施例1同样地进行，制作比较例2的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.01、算术表面粗糙度Ra为0.16μm的比较例2的样品于MIT耐折性试验中为83次的未呈现改善效果的结果。
(比较例3)
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为1.06，且为了于自铜电镀层的表面至9％的膜厚范围使用PR电流进行电镀，而使PR电流流入阳极24t，且将该阳极的电流密度设为实施例1的90％，除此以外，与实施例1同样地进行，制作比较例3的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.02、算术表面粗糙度Ra为0.11μm的比较例3的样品于MIT耐折性试验中为141次的未呈现改善效果的结果。
实施例4
使用电镀槽的深度与实施例1不同的镀敷装置，以铜电镀层的膜厚成为8.5μm的方式调整搬送速度，除此以外，与实施例1同样地进行，制作实施例4的2层挠性配线用基板。
MIT耐折性试验前的铜电镀层的结晶配向为(111)结晶配向度指数为1.22，且MIT耐折性试验前后的以X线配向度指数表示的结晶配向比[(200)/(111)]之差为0.04、算术表面粗糙度Ra为0.22的实施例4的样品于MIT耐折性试验中获得197次的结果。虽相较于比较例1、2、3，MIT耐折性试验得以提升，但结果不及实施例1、2、3。
附图标记说明
1 聚酰亚胺膜(树脂膜基板)
2 基底金属层
3 铜薄膜层
4 铜电镀层
5 铜层
6 2层挠性配线用基板
10 辊-辊溅镀装置
12 框体
13 卷出辊
14 罐辊
15a、15b、15c、15d 溅镀阴极
16a 前进给辊
16b 后进给辊
17a、17b 张力辊
18 卷取辊
20 辊-辊方式的连续镀敷装置
21 电镀槽
22 卷出辊
23 反转辊
24a～24t 阳极
26a～26k 供电辊
28 镀敷液
28a 镀敷液的液面
29 卷取辊
F 聚酰亚胺膜(树脂膜基板)
F2 附有铜薄膜层的聚酰亚胺膜(附有铜薄膜层的树脂膜基板)
S 2层挠性配线用基板

Claims (6)

1.一种2层挠性配线用基板，所述2层挠性配线用基板是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而设置有由镍合金构成的基底金属层，并于上述基底金属层的表面设置有铜层的层合结构的2层挠性配线用基板；其特征在于：
上述铜层由成膜于上述基底金属层的表面的铜薄膜层与成膜于上述铜薄膜层的表面的铜电镀层构成，上述铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上，且上述铜层的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra为0.2μm以下，
上述铜电镀层，是自其表面沿上述聚酰亚胺膜方向在膜厚的10％以上、40％以下的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀形成的电镀层，
在由JIS C-5016-1994规定的耐折性试验的实施前后所获得的上述铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。
2.如权利要求1所述的2层挠性配线用基板，其特征在于，上述铜层的膜厚为5μm～12μm。
3.如权利要求1或2所述的2层挠性配线用基板，其特征在于，上述铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上、1.42以下。
4.一种挠性配线板，所述挠性配线板设有层合结构的配线，上述层合结构的配线在聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而具有由镍合金构成的基底金属层，并在上述基底金属层的表面具有铜层；该挠性配线板的特征在于：
上述铜层由成膜于上述基底金属层的表面的铜薄膜层，和成膜于上述铜薄膜层的表面的铜电镀层构成，上述铜层的(111)面的结晶配向度指数为1.2以上，且上述铜层的表面粗糙度按算术平均粗糙度Ra为0.2μm以下，
上述铜电镀层，是自其表面沿上述聚酰亚胺膜方向在上述铜电镀层膜厚的10％以上、40％以下的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀形成的电镀层，
在由JIS-P-8115规定的耐折性试验的实施前后所获得的上述铜层的结晶配向比[(200)/(111)]之差d[(200)/(111)]为0.03以上。
5.一种2层挠性配线用基板的制造方法，其为权利要求1至3中的任一项所述的2层挠性配线用基板的制造方法，其特征在于：
上述2层挠性配线用基板具有由镍合金构成的基底金属层，和由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层的层合结构，上述由镍合金构成的基底金属层是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂并借助干式镀敷法而成膜，上述由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层是于上述基底金属层的表面，进行利用干式镀敷法的铜薄膜层的成膜，及于上述铜薄膜层的表面进行利用电镀法的铜电镀层的成膜而形成，
上述铜电镀层，自上述铜电镀层的表面沿上述聚酰亚胺膜方向在上述铜电镀层膜厚的10％以上、40％以下的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀法来形成。
6.一种挠性配线板的制造方法，其为权利要求4所述的挠性配线板的制造方法，其特征在于：
借助金属面腐蚀法而于配线形成2层挠性配线用基板的由基底金属层与铜层构成的层合结构；上述2层挠性配线用基板为具有由镍合金构成的基底金属层，和由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层的层合结构；
由镍合金构成的上述基底金属层是于聚酰亚胺膜的表面不借助粘接剂而借助干式镀敷法来成膜；上述由铜薄膜层及铜电镀层构成的铜层，是于上述基底金属层的表面进行利用干式镀敷法的铜薄膜层的成膜，及于上述铜薄膜层的表面进行利用电镀法的铜电镀层的成膜而形成；
上述铜电镀层，自上述铜电镀层的表面沿聚酰亚胺膜方向在铜电镀层的膜厚的10％以上、40％以下的厚度范围内，借助利用周期性进行短时间的电位翻转的周期性反向电流的铜电镀法来形成。
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