CN101034694A - 采用了无铅焊锡的带引线的电子部件 - Google Patents

采用了无铅焊锡的带引线的电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN101034694A
CN101034694A CNA2007100063246A CN200710006324A CN101034694A CN 101034694 A CN101034694 A CN 101034694A CN A2007100063246 A CNA2007100063246 A CN A2007100063246A CN 200710006324 A CN200710006324 A CN 200710006324A CN 101034694 A CN101034694 A CN 101034694A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead
wire
semiconductor device
rigidity
semiconductor chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007100063246A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100578772C (zh
Inventor
中塚哲也
芹泽弘二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of CN101034694A publication Critical patent/CN101034694A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100578772C publication Critical patent/CN100578772C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49537—Plurality of lead frames mounted in one device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D24/00—Filters comprising loose filtering material, i.e. filtering material without any binder between the individual particles or fibres thereof
    • B01D24/46—Regenerating the filtering material in the filter
    • B01D24/4631—Counter-current flushing, e.g. by air
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D24/00—Filters comprising loose filtering material, i.e. filtering material without any binder between the individual particles or fibres thereof
    • B01D24/48—Filters comprising loose filtering material, i.e. filtering material without any binder between the individual particles or fibres thereof integrally combined with devices for controlling the filtration
    • B01D24/4807—Handling the filter cake for purposes other than regenerating
    • B01D24/4815—Handling the filter cake for purposes other than regenerating for washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3421—Leaded components
    • H05K3/3426—Leaded components characterised by the leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10689—Leaded Integrated Circuit [IC] package, e.g. dual-in-line [DIL]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/1075—Shape details
    • H05K2201/10848—Thinned leads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10742—Details of leads
    • H05K2201/10886—Other details
    • H05K2201/10909—Materials of terminal, e.g. of leads or electrodes of components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

提出了如下的半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多个引线由刚性彼此不同的两种以上的引线构成。

Description

采用了无铅焊锡的带引线的电子部件
技术领域
本发明涉及防止因流动焊接时产生的基板的弯曲而导致的部件剥离的带引线的电子部件(包括半导体器件、其他的芯片部件)，以及其制造方法，和设置了该半导体器件的电子设备以及其制造方法。
背景技术
作为向电化制品的有机基板等电路基板进行锡焊的方法，向电路基板吹送热风，使被印刷到电极上的焊锡膏熔化，然后进行表面安装部件(电子部件)的锡焊的回流焊接(回流锡焊)工序，和使熔化焊锡喷流接触基板下面，然后在存在于基板下面上的部件电极上进行锡焊的流动焊接(流动锡焊)工序是主流。并且，如今，需要采用了这两个工序的混合安装的制品正在增加。
但是，当在回流工序之后有流动工序的情况下，出现各种问题。
一个问题是：通过回流工序先设置的电子部件的连接部的焊锡，在进行流动焊接时因传递到基板上的热的影响而再次熔化，使连接强度降低、引起部件剥离。这在采用毒性较少的无铅焊锡时是特别显著的问题。即，当采用低耐热部件的回流所使用的Sn-Ag-Cu类焊锡或Sn-Ag-Cu-Bi类焊锡时，由于焊锡成分偏析生成低温共晶相，因此在之后的流动工序中连接部容易再次熔化。例如，如果是Sn-Ag-Cu-Bi类，通常由于焊锡成分偏析而生成熔点为138℃的低温共晶相，在与在连接部件侧混有铅的部分的连接部上，生成熔点为97℃的温度非常低的共晶相，因此无法避免流动时的再次熔化。
另外，作为其他的问题，有因进行流动焊接时的热而产生的基板的弯曲的问题，当因弯曲而使得基板具有某个曲率时，与所述内容同样，出现电子部件的剥离。该部件剥离一般可以说部件尺寸越大，越容易发生。这是因为部件的尺寸越大，垂直于焊锡连接部的基板面的方向(Z方向)的高度不匀就越大。
以上的再次熔化问题和基板的弯曲的问题是同时发生的，由于该组合，在回流工序之后的流动工序中，部件剥离的问题更显著地显现出来。
作为对于因所述再次熔化而导致的部件剥离的问题的对策，提出了在回流工序中采用Sn-Ag-Cu-In类焊锡的方案(例如，参照专利文献1·特开2005-26393号公报。)。Sn-Ag-Cu-In类焊锡可以进行低温锡焊，并可以用于低耐热部件的回流，另一方面，其成分中的In和作为焊锡的主要成分的Sn容易生成固溶体，并且生成的固溶体维持与作为主要成分的Sn极为相似的性质，因此具有很难生成具有较低的熔点的低温共晶相的特征，因此是有效的。
另外，作为其他的对策，提出了假设即便出现基板的弯曲，只要没有再次熔化，就不会发生部件剥离，在进行流动焊接时，从基板的上面向连接部吹送氮气将其冷却，防止连接部的再次熔化的方案(例如，按照专利文献2·特开2003-181631号公报。)。
但是，在所述专利文献1的情况下，可以使用的无铅焊锡是稀有金属，并且只限于含有高成本的In的Sn-Ag-Cu-In类焊锡，不能采用其他的无铅焊锡材料，因此限制了实用范围。
另外，在所述专利文献2的情况下，由于在基板上面冷却装置内吹送的氮气的气流的影响而引起大气的卷入，破坏了必需的低氧浓度环境，因此存在妨碍焊锡的湿润性，不能很好地得到连接自身的问题。为了解决该问题，必须有特殊的锡焊装置，因此还必须有设备的替换。
另外，如果考虑连接部件的规格，从部件的尺寸越大越容易发生剥离的观点来看，也可以考虑通过尺寸的小型化谋求剥离减少。
但是，相对于作为混合安装时发生部件剥离的一个主要原因的进行流动焊接时的基板的弯曲，尺寸较大的，容易进行表面安装的电子部件的引线的追随，并有助于部件发生率降低，因此，只是封装的小型化，严密地说并不能成为剥离减少的对策。
于是，本发明者们为了验证进行流动焊接时发生的先设置的电子部件的剥离的机理，从与各种部件的部件尺寸的关系，调查当在基板上赋予一定的曲率时的电子部件引线从基板承受的每个单位面积的拉力。
表1展示基板的曲率半径为约1m时各部件的引线从基板承受的每个单位面积的拉力(拉伸力)的最大值，和部件尺寸的关系的实验结果。
(表1)
表面安装部件  部件尺寸L(mm)   引线拉力σ(N/mm2) 剥离的有无
  2边引线部件   海鸥展翅式   SOP32F  8   4.90   ○
  SOP44A  19   4.81   ○
  SOP32C  21   7.84   ○
  J曲轴   SOJ36A  23   10.81   ○
  4边引线部件   海鸥展翅式   FP80Q  14   2.92   ○
  FP100B  14   7.00   ○
  FP128B  20   5.44   ○
  FP144  20   12.24   ○
  TQFP144  20   14.28   ×
  FP136(A42)  20   14.28   ×
  FP208  28   16.00   ×
  FP240  32   20.89   ×
  FP304(A42)  40   14.69   ×
  J曲轴   QFJ52  20   9.64   ○
  QFJ68  24   14.02   ×
  QFJ84  29   15.53   ×
另外，在表1中一起展示了在实际上用Sn-3Ag-0.5Cu的焊锡将所述各部件回流连接到基板(厚度1.6mm，内层4层)上之后，用250℃的Sn-3Ag-0.5Cu的熔化焊锡在各种条件(基板输送带速度)下进行流动焊接，是否发生由热影响导致的剥离的实验结果(将没有剥离的记做○，将有剥离的记做×)。
据此，明白了与其说剥离的发生依存于部件尺寸，不如说依存于部件引线从基板承受的每个单位面积的拉伸力的最大值。即，明白了焊锡连接可以维持的条件是当基板的曲率半径约1m时，部件引线从基板承受的每个单位面积的最大拉伸力大约在14MPa以下，最好是在12MPa以下。进而，明白了该最大拉伸力的大小虽然随着部件尺寸的增加而变大，但从对于基板弯曲的追随性的观点来看，较大地影响各引线所具有的刚性等物性值。
于是，本发明者们得到了如下的见解，即，为了抑制进行流动焊接时的热影响导致的剥离的发生，重要的是调整部件的各引线所具有的刚性等，因此尝试了将所有的引线厚度变薄，将所有的引线材料变软，但引线整体的耐受性变得过弱，出现了在进行部件设置时，引线由于物理压力而变形，或者发生由锡焊不良或引线的弯曲或变形导致的引线间的绝缘不良等新的问题。另外，在加长了引线长度的情况下，发生与所述内容同样的问题，进而由于安装基板上的安装高度增加，留下了很难实现小型化的问题。
发明内容
本发明的目的在于解决所述问题，提供既是具有回流焊接工序以及流动焊接工序的混合安装，又是小型，且具有良好的连接可靠性的电子部件，特别是半导体器件和电子设备。
除此之外，本发明的特征可以从本说明书的记载以及附图明白。
在本申请中公开的发明之中，如果简单地说明具有代表性的发明的概要，则内容如下。
(1)一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多个引线由刚性彼此不同的两种以上的引线构成。
(2)一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，所述多个引线包括：从所述半导体器件的第一边突出的第一引线群，与所述第一引线群邻接、从所述第一边突出的第二引线群，与所述第二引线群邻接、从所述第一边突出的第三引线群，其中，所述第二引线群的刚性低于所述第一引线群以及所述第三引线群的刚性。
(3)一种电子设备，具有布线基板和具备与所述布线基板的多个电极电连接的多个引线的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的多个引线包括具有第一刚性的第一引线和具有与所述第一刚性不同的第二刚性的第二引线。
以下参照附图对本发明的实施方式进行更加详细的说明，使本发明的这些以及其他目的、特征和优点更加清楚。
附图说明
图1(a)是安装在基板上的第一实施方式的引线型半导体器件的侧视图。图1(b)是展示由于基板的弯曲而产生的向引线型半导体器件的应力的图。图1(c)是第一实施方式的引线型半导体器件的俯视图。
图2(a)是第一实施方式的引线型半导体器件的制造方法的流程图，图2(b)～(f)是其制造工序的示意图。
图3是展示第二实施方式的引线型半导体器件的制造方法的流程的图。
图4(a)是安装到基板上的第三实施方式的引线型半导体器件的侧视图，图4(b)是该半导体器件的俯视图。
图5(a)是展示第三实施方式的引线型半导体器件的制造方法的流程的图，图5(b)是引线半蚀刻处理后的引线框的俯视图和A-A’剖面图。
图6是第四实施方式的引线型半导体器件的俯视图。
图7(a)是第五实施方式的引线型半导体器件的俯视图，图7(b)是其端部的放大剖面图。
图8是展示向存在于小片之间的引线施加较大的变形时的应力变形曲线的图。
图9(a)是第四实施方式的其他的引线型半导体器件的侧视图，图9(b)是其俯视图。
图10是引线型半导体器件的剖面图。
图11是设置了本发明引线型电子部件的电子设备的立体图。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式，特别是以半导体器件1的情况为例进行说明。
本发明的第一实施方式是具有与半导体芯片(图未示)的电极电连接的用第一种材料形成的第一引线11a、用与第一种材料不同的第二种材料形成的第二引线11b、和安装所述半导体芯片的用树脂等形成的封装部101的半导体器件，在图1(a)中展示了经由焊锡连接部7连接在布线基板2上的状态的侧视图。
如图1(b)所示，当由于流动时的热而在基板上产生弯曲时，在设置的半导体器件的中央部存在较强的拉伸力，在端部存在较强的按压力，在其之间存在基本没有承受负荷的零负荷的位置。因而，在由基板2的弯曲导致的对引线的拉伸力或按压力较强的部分(在Z方向的变位上需要容易的追随的部分)上，采用由刚性较低的Cu引线等材料构成的引线11a，在拉伸力或按压力相对较弱的部分(在Z方向的变位上不需要容易的追随的部分)上，为了增加引线的强度的目的，相对于所述引线11a采用由刚性相对较强的42合金(Fe-Ni类合金)引线等材料构成的引线11b。这样，通过根据拉伸力或按压力的强弱改变引线材料的方式，可以提供一面维持对于基板的弯曲的追随性一面防止引线变形、并且在基板安装时连接可靠性较高的半导体器件。
另外，在本实施方式的情况下，由于并用机械性质不同的材料，因此可以将引线的形状(宽度和厚度)统一成大致相同的尺寸，从而构成具有2种以上的刚性的引线11，并具有很难在焊锡对引线的湿润性等上产生差，作为整体可以得到良好的连接的优点。另外，还可以防止产生桥接的发生率局部变多的部位。
再者，如图1(c)所示的俯视图，在半导体器件是4边引线型的情况下，只要将各4边都设为同样的引线结构即可，但不限于此，也可以只是彼此相对的2边。另外，在此展示了2种材料的引线，但不限于此，在所述宗旨中，可以采用3种以上的刚性不同的材料的引线。
在此，关于半导体器件的内部的半导体芯片和引线的关系，例如，如图10所示，可以列举经由焊锡连接部5将半导体芯片3设置在引线框11的芯片焊盘(tab)上，并通过引线键合4将该半导体芯片3的电极(图未示)和引线11连接的例子，但不限于此。对于以下说明的实施方式也是同样的。
用图2说明该第一实施方式的半导体器件的制造方法。
首先，如图2(a)所示的流程图那样，只在由基板的弯曲导致的拉伸力或按压力较强的部分上配置设置了引线前端部的低刚性的引线框11a(图2(b))。其次，只在安装到基板上时由基板的弯曲导致的拉伸力或按压力较弱的部分上，重叠配置设置了引线前端部的高刚性的引线框11b(图2(c))，在引线框11上的芯片焊盘上设置半导体芯片3(图2(d))，通过引线键合将半导体芯片3的电极和各引线框电连接。其次，在用树脂等将芯片模塑(密封)而形成封装部101之后(图2(e))，切断引线框的规定的一部分(图2(f))，制成半导体器件。
本发明的第二实施方式只有提供具有2种以上的刚性的引线的方法不同，其他的部分与第一实施方式相同。
具体地说，其特征在于，通过在Cu引线等由刚性较低的材料构成的多个引线中，相对于配置在由基板的弯曲导致的引线拉伸力较弱的部分(在Z方向的变位上不需要容易的追随的部分)上的引线，实施Sn-Bi类等局部焊锡镀敷处理而提高刚性的方式，提供Cu引线等和进行了Sn-Bi类镀敷等的Cu引线等具有2种以上的刚性的引线。
在本实施方式的情况下，由于预先准备的引线框的材料只要一种即可，因此制造工序容易，且可以谋求低成本化。
在图3中展示了该第二实施方式的半导体器件的制造方法的流程图。
首先，当在一个引线框的芯片焊盘上设置了半导体芯片之后，通过引线键合将半导体芯片的电极和引线框的引线前端部电连接。
其次，在用树脂等将半导体芯片部分模塑之后，切断引线框的一部分。之后，通过只在由基板的弯曲导致的拉伸力较弱的部分上实施Sn-Bi镀敷，提高引线的刚性的方式，制造第二实施方式的半导体器件。
本发明的第三实施方式是具有与半导体芯片(图未示)的电极电连接的具有第一宽度的引线11a、具有比第一宽度大的宽度的引线11b、和由安装所述半导体芯片的用树脂等形成的封装部101的半导体器件，在图4(a)中展示了经由焊锡连接部7连接在布线基板2上的状态的侧视图。另外，图4(b)是其俯视图。与第二实施方式同样，与第一实施例不同的是提供具有2种以上的刚性的引线的方法，其特征在于，通过使由基板的弯曲导致的引线拉伸力较小的部位的引线11b的宽度比其他的部位的引线11a宽的方式，得到高的刚性。
在本实施方式的情况下，由于可以用一种材料制成各种刚性的引线，因此只要蚀刻一片引线框，就能够简单地制造。
再者，不仅可以通过改变引线宽度来制成具有2种以上的刚性的引线，还可以通过厚度或厚度与宽度的组合来改变形状。
例如，在改变厚度的情况下，通过将厚度150微米的引线框的一部分进行半蚀刻等，可以制成局部厚度为70微米左右的引线。这时，厚度150微米的引线是刚性较高的引线11b，通过半蚀刻等变成70微米左右的引线是刚性较低的引线11a。
在图5中展示了该第三实施方式的半导体器件的制造方法的具体例。
首先，如图5(a)的流程所示，在通常的引线框之中，在对应于在安装到基板上时由基板的弯曲导致的引线拉伸力较强的部分的引线前端部上，实施半蚀刻，从而形成较薄的引线前端部。在图5(b)中展示了该阶段的引线框的俯视图以及虚线A-A’上的剖面图。其次，配置该引线框，在其芯片焊盘上设置半导体芯片，并通过引线键合将半导体芯片的电极和引线框的引线前端部电连接。之后，在用树脂等将半导体芯片部分模塑之后，通过切断引线框的一部分，制成第三实施方式的半导体器件。
本发明的第四实施方式如图6所示，是具有与半导体芯片(图未示)的电极电连接的低刚性的多个引线11a、支撑所述引线11a的支撑部件6、和安装所述半导体芯片的用树脂等形成的封装部101的半导体器件。在本实施方式中，其特征在于，通过将所有的都设为低刚性引线，可以一面确保相对于基板的弯曲的追随性，一面通过用作为绝缘体的支撑部件6支撑引线，防止引线变形和伴随它的引线间短路。
具体地说，在引线间填充特富龙(特富龙是注册商标)等具有耐热性、绝缘性以及润滑性的薄板材，或者在引线之间的间隙内通过线材来支撑加强。由此，即便在与基板平面平行的方向的力作用于部件上的情况下，直接夹着薄板材或线材的两根引线间隔由于薄板材厚度或线材剖面的尺寸(如果线材剖面是圆形，就是直径)而很产生难较大变化。由于所述直接夹着的两根引线不变化，因此其他的邻接的两根引线间隔也同样很难产生较大变化，只要在部件的1边的某个部分上夹着薄板材或线材，这一边就可以整体地减少引起引线间短路的概率。
因而，只要用部件的各边(如果是QFP就是4边)的至少1个部位夹着薄板材或线材等支撑部件，该部件就可以整体地防止引线间短路。当然，可以夹着多个部位来加强。另外，如图9所示，也能够以环绕半导体器件整体一周的方式设置特富龙薄板等支撑部件6。
再者，为了实施回流等锡焊，该薄板材或线材最好是具有接近300℃的耐热性的材料。另外，同样地，由于该薄板材或线材与分别输送不同的电信号的引线接触，因此必须有绝缘性。进而，该薄板材或线材最好是具有当在基板上发生弯曲时使部件的各个邻接的引线独立地变形的润滑性的材料。
本发明的第五实施方式如图7(a)以及(b)所示，是具有与半导体芯片(图未示)的电极电连接的多个引线11、和安装所述半导体芯片的用树脂等形成的封装部101，并且所述封装部被小片101a分割的半导体器件。通过以将封装部分割成约15mm至20mm的小片的方式设置间隙，即便没有引线材料或支撑部件，也可以使封装整体地追随基板的弯曲。该间隙在模塑时，通过采用规定的模具可以很容易地形成。
再者，必须决定各小片之间的间隙d，使存在于小片之间的引线处于不是进行塑性变形、而是进行弹性变形的变形范围内。虽然依存于芯片的尺寸，但最好是大约在10微米～100微米左右。如果是该程度，即便在部件设置时施加不可避免的冲击力，也只在存在于小片之间的引线上施加较小的变形，并且只进行弹性变形(图8)，因此在设置之后，存在于小片之间的引线的形状复原，并且不会引起焊锡连接不良。另一方面，如果超过这个范围，由于在存在于小片之间的引线上施加较大的变形，因此就产生塑性变形，引起焊锡连接不良。
再者，也可以在这各个小片之间的间隙的整体或一部分内插入硅酮橡胶等弹性体。这时，由于由引线和硅酮橡胶构成复合弹性体，因此即便施加较大的变形也没问题，即便是100微米以上的间隙也没关系。
另外，关于被分割的封装尺寸，如果在15mm以下，则由于小片的分割数增加，因此存在封装模塑工序复杂化，部件剥离防止效果也不会较大地提高的问题，相反如果20mm以上，则由于对于部件的基板弯曲的追随效果变得不充分，因此最好是15mm至20mm左右。
以上，记载了几个实施方式，各实施方式也可以在可以的范围内组合，例如第一实施方式和第四实施方式的组合等。另外，各实施方式以设置了半导体芯片的半导体器件为例进行了说明，但不限于此，如果是电容器、晶体管等具有引线的电子部件，也可以同样地应用。进而，各实施方式展示了4边引线型，当然即便是2边引线型也是同样的。
其次，说明将到目前为止列举的各实施方式的LSI封装等半导体器件、部件等电子部件安装到印刷电路板或主板等布线基板上的电子设备。
图11展示了通过回流焊接工序在布线基板2上安装了多个所述实施方式的任意一个的半导体器件1以及芯片部件8的电子设备。虽然这里图未示，但半导体器件1以及芯片部件8的引线部分经由焊锡连接部与布线基板2上的电极电连接。根据本发明的半导体器件1以及芯片部件8，即便被置于之后的流动焊接工序的高温化，由于在与布线基板的Z方向的变位上需要容易的追随的部分上设有低刚性引线11a，在Z方向的变位上不需要容易的追随的部分上设有可以补充引线强度的高刚性引线11b，因此不会出现伴随基板的弯曲的部件剥离，可以提供连接可靠性较高的电子设备。
以下，展示具体进行的实验结果。
(实验例1)
用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上，将
封装尺寸：32mm见方；
引线间距：0.5mm；
引线宽度：0.2mm；
引线数：240根；
引线镀敷：Sn-10Pb
的QFP(方型扁平封装)进行回流焊接之后，在用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面进行流动焊接的工序中，为了调查引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该QFP的剥离的难度，采用如下这2种QFP进行锡焊：
(1)全部的引线为42合金
(2)从部件左右两端的角部开始各10根以及中央的20根为刚性比42合金低的铜，除此之外为42合金
其结果，可以防止部件剥离的该QFP的连接部温度(不发生部件剥离的范围的最高温度)条件分别为：
(1)的情况：最高153℃
(2)的情况：最高162℃。
由此可知，为了较难引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该带引线的表面安装部件的剥离，具有复合的2种以上的刚性的引线是有效的。
(实验例2)
用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上，将
封装尺寸：32mm见方；
引线间距：0.5mm；
引线宽度：0.2mm；
引线数：240根；
引线镀敷：Sn-10Pb
的QFP进行回流焊接之后，在用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面进行流动焊接的工序中，为了调查引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该QFP的剥离的难度，采用如下这2种QFP然后进行锡焊：
(1)引线厚度为150微米的42合金
(2)从部件左右两端的角部开始各10根以及中央的20根引线厚度为70微米，剩余的为150微米的42合金
其结果，可以防止部件剥离的该QFP的连接部温度(不发生部件剥离的范围的最高温度)条件分别为：
(1)的情况：最高153℃
(2)的情况：最高161℃。
由此可知，为了较难引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该带引线的表面安装部件的剥离，通过将引线的厚度变薄来降低引线刚性的方法是有效的。
(实验例3)
用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上，将以下的部件(引线材料：铜)进行回流焊接。
(部件A)
部件名：QFJ(四边J形引线扁平封装)
封装尺寸：28mm见方
引线间距：1.27mm
引线宽度：0.6mm
引线厚度：0.15mm
引线数：84根
引线镀敷：Sn-10Pb
(部件B)
部件名：QFJ
封装尺寸：24mm见方
引线间距：1.27mm
引线宽度：0.6mm
引线厚度：0.15mm
引线数：68根
引线镀敷：Sn-10Pb
(部件C)
部件名：QFP
封装尺寸：40mm见方
引线间距：0.5mm
引线宽度：0.2mm
引线厚度：0.15mm
引线数：304根
引线镀敷：Sn-10Pb
(部件D)
部件名：QFJ
封装尺寸：20mm见方
引线间距：1.27mm
引线宽度：0.6mm
引线厚度：0.15mm
引线数：52根
引线镀敷：Sn-10Pb
(部件E)
部件名：QFP
封装尺寸：20mm见方
引线间距：0.5mm
引线宽度：0.2mm
引线厚度：0.15mm
引线数：144根
引线镀敷：Sn-10Pb
将所述5种部件用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上进行回流焊接。
之后，在用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面进行流动焊接时，确认了以下事实：由于因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲，部件A、B、C在自身的连接部温度是160℃的条件时，从电路基板剥离。
于是，当调查基板面的弯曲时，发生了局部最大曲率半径为1.3m的基板的弯曲，在该状态下，当调查相对于各个部件连接部基板面起作用的连接部拉力的垂直方向分量的最大值时，是：
(部件A)16.7MPa
(部件B)14.2MPa
(部件C)13.4MPa
(部件D)11.6MPa
(部件E)8.0MPa。
由此，由于发生了剥离的部件A、B、C的垂直方向分量大概超过12MPa，因此为了调整引线的刚性以使部件不剥离，将发生了剥离的各部件的引线规格以如下的方式进行部分调整，并将这些称为部件A’、B’、C’。
(部件A’)
调整了引线的刚性的部位：
从部件左右两端的角部开始各4根，以及中央的7根
引线宽度：0.4mm
引线厚度：0.11mm
(部件B’)
调整了引线的刚性的部位：
从部件左右两端的角部开始各2根，以及中央的5根
引线宽度：0.4mm
引线厚度：0.11mm
(部件C’)
调整了引线的刚性的部位：
从部件左右两端的角部开始各14根，以及中央的24根
引线宽度：0.2mm
引线厚度：0.10mm
这时，在发生了局部的最大曲率半径为1.3m的基板的弯曲的状态下，当调查相对于各个部件连接部基板面起作用的连接部拉力的垂直方向分量的最大值时，确认了改善为：
(部件A’)
11.7MPa
(部件B’)
10.5MPa
(部件C’)
9.1MPa。
于是，其次将与所述内容同样地进行了引线规格变更的部件A’、B’、C’、D、E这5种部件，用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm，层数6的电路基板上进行回流焊接。
之后，当用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面进行流动焊接时，确认了以下事实：即便在所有部件的连接部温度是160℃的条件的情况下，也不会由于流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲而发生从电路基板剥离。
(实验例4)
用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上，将
封装尺寸：32mm见方；
引线材料：42合金；
引线间距：0.5mm；
引线宽度：0.2mm；
引线厚度：70微米；
引线数：240根；
引线镀敷：Sn-10Pb
的QFP进行回流焊接之后，在用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面进行流动焊接的工序中，为了调查在该QFP连接部上发生的不良状况，采用如下这2种QFP进行锡焊：
(1)如图9所示，以通过8处角部引线和其内侧的相邻的引线之间的间隙，并环绕部件一周的方式设置厚度10微米的特富龙薄板的；
(2)用没有进行(1)的措施的两种QFP进行焊接
其结果，用于防止部件剥离的该QFP的连接部温度条件分别是最高为161℃。
但是，由于部件设置时的冲击而在引线上产生些许变形，在由此而产生的引线之间的短路发生率上，存在如下的差异。
(1)的情况下：约1％
(2)的情况下：100ppm
由此可知，为了较难引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该带引线的表面安装部件的剥离，虽然通过将引线厚度变薄来降低引线刚性的方式是有效的，但通过在具有易于追随该电路基板的弯曲的低刚性的引线的表面安装部件的引线之间，将特富龙等具有耐热性、绝缘性以及润滑性的薄板材穿过引线之间的间隙来进行加强，进而具有降低由部件设置时的引线变形导致的邻接引线之间的绝缘不良发生率的效果。
(实验例5)
用Sn-4Ag-0.5Cu-7In(单位：重量％)(固相线温度：198℃，液相线温度：211℃)焊锡，在厚度1.6mm、层数6的电路基板上，将
(部件A)
封装尺寸：32mm见方；
引线材料：42合金；
引线间距：0.5mm；
引线宽度：0.2mm；
引线厚度：150微米；
引线数：240根；
引线镀敷：Sn-10Pb
(部件B)
封装尺寸：32mm见方；
(但是，如图7所示，将封装分割成约16mm的小片，并且为了使存在于小片之间的引线处于不进行塑性变形而进行弹性变形的范围内，将各小片之间的间隙设为约90微米，使部件容易追随基板弯曲。)
引线材料：42合金；
引线间距：0.5mm；
引线宽度：0.2mm；
引线厚度：150微米；
引线数：232根；
引线镀敷：Sn-10Pb
的QFP进行回流焊接之后，用Sn-3Ag-0.5Cu(单位：重量％)焊锡，以焊锡温度：250℃，传送带速度：0.5～1.2m/分，将该电路基板的下面实施流动焊接。
其结果，可以防止部件剥离的该QFP的连接部温度(不发生部件剥离的范围的最高温度)条件分别为：
部件A：最高153℃
部件B：最高170℃。
由此可知，为了较难引起因流动焊接的热影响而在该电路基板上发生的弯曲导致的该带引线的表面安装部件的剥离，将封装分割成小片，使部件易于追随基板弯曲的方法是有效的。
如以上所述，在将用无铅焊锡进行表面安装的电子部件，用回流焊接连接到布线基板上之后，当在该布线基板的下面上发生进行流动焊接时的基板弯曲时，通过以使焊锡连接部可以很容易地追随基板表面的Z方向的变位的方式赋予支撑部件所必需的最小限度附近的引线刚性，可以防止该电子部件的剥离。
进而，通过在电子部件的引线之间将特富龙等具有耐热性、绝缘性以及润滑性的薄板材穿过引线之间的间隙来进行加强，可以降低伴随引线刚性的降低，由部件设置时等的引线变形导致的邻接引线之间的绝缘不良发生率。
如以上所述，根据在本申请中公开的发明，可以提供既是具有回流焊接工序以及流动焊接工序的混合安装，又是小型，且具有良好的连接可靠性的电子部件，特别是半导体器件和电子设备。
在不脱离本发明的思想的前提下，可以以其他具体实施方式来实现本发明。因此本发明不局限于说明书的具体实施方式，由权利要求所覆盖的所有变更均包含在本发明的范围中。

Claims (20)

1.一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，
所述多个引线包括刚性彼此不同的两种以上的引线。
2.一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，
所述多个引线包括具有第一刚性的第一引线和具有与所述第一刚性不同的第二刚性的第二引线。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线被邻接地设置多个，所述第二引线也被邻接地设置多个。
4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线用与所述第二引线不同的材料形成。
5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线是Cu引线，所述第二引线是42合金引线。
6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线具有与所述第二引线不同的宽度。
7.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线具有与所述第二引线不同的厚度。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线与所述第二引线材料相同。
9.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引线是在与所述第二引线相同材料的引线的表面上设置了金属膜的引线。
10.一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，
所述多个引线包括：从所述半导体器件的第一边突出的第一引线群，
与所述第一引线群邻接、从所述第一边突出的第二引线群，和
与所述第二引线群邻接、从所述第一边突出的第三引线群，其中
所述第二引线群的刚性低于所述第一引线群以及所述第三引线群的刚性。
11.一种半导体器件，具有：具备多个电极的半导体芯片，通过键合线与所述半导体芯片的多个电极电连接的多个引线，和安装所述半导体芯片的树脂，其特征在于，
所述多个引线包括：从所述半导体器件的第一边突出的第一引线，
与所述第一引线邻接、从所述第一边突出的第二引线，
与所述第二引线邻接、从所述第一边突出的第三引线，其中
所述第二引线的刚性低于所述第一引线以及所述第三引线的刚性。
12.一种电子设备，具有布线基板和具备与所述布线基板的多个电极电连接的多个引线的半导体器件，其特征在于，
所述半导体器件的多个引线包括具有第一刚性的第一引线和具有与所述第一刚性不同的第二刚性的第二引线。
13.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线被邻接地设置多个，所述第二引线也被邻接地设置多个。
14.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线用与所述第二引线不同的材料形成。
15.如权利要求14所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线是Cu引线，所述第二引线是42合金引线。
16.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线具有与所述第二引线不同的宽度。
17.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线具有与所述第二引线不同的厚度。
18.如权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线材料相同。
19.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述第一引线是在与所述第二引线相同材料的引线的表面上设置了金属膜的引线。
20.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，在所述布线基板上还设置有具有多个引线的芯片部件；
所述芯片部件的多个引线包括刚性彼此不同的两种以上的引线。
CN200710006324A 2006-03-07 2007-02-02 采用了无铅焊锡的带引线的电子部件 Expired - Fee Related CN100578772C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006060432A JP4595835B2 (ja) 2006-03-07 2006-03-07 鉛フリーはんだを用いたリード付き電子部品
JP2006060432 2006-03-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101034694A true CN101034694A (zh) 2007-09-12
CN100578772C CN100578772C (zh) 2010-01-06

Family

ID=38477923

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200710006324A Expired - Fee Related CN100578772C (zh) 2006-03-07 2007-02-02 采用了无铅焊锡的带引线的电子部件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7911062B2 (zh)
JP (1) JP4595835B2 (zh)
KR (1) KR100803454B1 (zh)
CN (1) CN100578772C (zh)
TW (1) TW200746959A (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009040051B4 (de) * 2009-09-03 2014-05-08 Siemens Aktiengesellschaft Freikolbenmaschine mit magnetischer Lagerung des Kolbens
JP2015138899A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 株式会社デンソー 半導体装置および電子装置
WO2016178902A1 (en) * 2015-05-01 2016-11-10 Georgia Tech Research Corporation Vertically curved mechanically flexible interconnects, methods of making the same, and methods of use

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63144A (ja) * 1986-06-19 1988-01-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd フラツトパツケ−ジｌｓｉ
JP2602076B2 (ja) * 1988-09-08 1997-04-23 三菱電機株式会社 半導体装置用リードフレーム
JPH0755003Y2 (ja) * 1988-10-28 1995-12-18 沖電気工業株式会社 半導体素子用セラミックパッケージ
US5138431A (en) * 1990-01-31 1992-08-11 Vlsi Technology, Inc. Lead and socket structures with reduced self-inductance
US5196725A (en) * 1990-06-11 1993-03-23 Hitachi Cable Limited High pin count and multi-layer wiring lead frame
JP2782934B2 (ja) * 1990-09-05 1998-08-06 セイコーエプソン株式会社 Ｔａｂ内蔵型半導体装置並びにリードフレーム
JP2819825B2 (ja) * 1990-11-21 1998-11-05 セイコーエプソン株式会社 Ｔａｂ内蔵型半導体装置
JPH04363055A (ja) * 1991-05-16 1992-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JPH05243462A (ja) * 1992-03-02 1993-09-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP2708320B2 (ja) * 1992-04-17 1998-02-04 三菱電機株式会社 マルチチップ型半導体装置及びその製造方法
JPH06224353A (ja) * 1993-01-21 1994-08-12 Kokusai Electric Co Ltd 電子部品の電極構造
US5637914A (en) * 1994-05-16 1997-06-10 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin
WO1996031906A1 (en) * 1995-04-05 1996-10-10 National Semiconductor Corporation Multi-layer lead frame
JPH1012790A (ja) * 1996-06-24 1998-01-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
US5736784A (en) * 1996-10-31 1998-04-07 Hewlett-Packard Co. Variable-width lead interconnection structure and method
US5945732A (en) * 1997-03-12 1999-08-31 Staktek Corporation Apparatus and method of manufacturing a warp resistant thermally conductive integrated circuit package
US6573028B1 (en) * 1998-02-10 2003-06-03 Nissha Printing Co., Ltd. Base sheet for semiconductor module, method for manufacturing base sheet for semiconductor module, and semiconductor module
TW468258B (en) * 1998-10-21 2001-12-11 Hitachi Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3773679B2 (ja) * 1998-11-20 2006-05-10 富士通株式会社 テープキャリアパッケージ
JP2000188366A (ja) * 1998-12-24 2000-07-04 Hitachi Ltd 半導体装置
KR20010009153A (ko) * 1999-07-07 2001-02-05 김진성 박형 시스템 대응 고방열 히트스프레다 부착 패키지구조 및 그의 제조 방법
JP2002299542A (ja) * 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Cable Ltd 複合リードフレーム及びこれを用いた半導体装置
US6608375B2 (en) * 2001-04-06 2003-08-19 Oki Electric Industry Co., Ltd. Semiconductor apparatus with decoupling capacitor
JP3895169B2 (ja) 2001-12-21 2007-03-22 株式会社日立製作所 鉛フリーはんだを用いたフローはんだ付け装置
JP2004063688A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及び半導体アセンブリモジュール
JP2004214233A (ja) * 2002-12-26 2004-07-29 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3729817B2 (ja) * 2003-04-28 2005-12-21 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP2004349316A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2005026393A (ja) 2003-07-01 2005-01-27 Hitachi Ltd Ｐｂフリーはんだ合金を用いたリフローはんだ付け方法および混載実装方法並びに混載実装構造体
US20070096269A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-03 Mediatek Inc. Leadframe for semiconductor packages

Also Published As

Publication number Publication date
KR100803454B1 (ko) 2008-02-14
US20070210139A1 (en) 2007-09-13
JP2007242743A (ja) 2007-09-20
CN100578772C (zh) 2010-01-06
JP4595835B2 (ja) 2010-12-08
TWI354519B (zh) 2011-12-11
KR20070092101A (ko) 2007-09-12
US7911062B2 (en) 2011-03-22
TW200746959A (en) 2007-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1210795C (zh) 电子装置及其制造方法
CN1269390C (zh) 半导体装置及半导体装置的制造方法
CN1294635C (zh) 凸起的形成方法、半导体器件的制造方法
CN1287648C (zh) 形成电极间粘合结构的方法和电极间粘合结构
CN1303677C (zh) 电路基板、带凸块的半导体元件的安装结构和电光装置
CN1218392C (zh) 半导体器件
CN1237595C (zh) 具有树脂部件作为加固件的焊料球的形成
CN1244139C (zh) 半导体器件和半导体组件
CN1697148A (zh) 半导体器件及制造该半导体器件的方法
CN1173400C (zh) 板状体和半导体器件的制造方法
CN1186971C (zh) 印刷电路板、电池组件和印刷电路板的制造方法
CN1110846C (zh) 半导体装置的制造方法
CN1314058C (zh) 叠层陶瓷电子元件及其生产方法
CN1123015C (zh) 电阻器及其制造方法
CN1497709A (zh) 电路基板、焊球网格陈列的安装结构和电光装置
CN1280884C (zh) 半导体装置及其制造方法、电路板以及电子机器
CN1241244C (zh) 半导体元件的安装方法
CN1873939A (zh) 半导体器件的制造方法
CN101076884A (zh) 半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置
CN1260795C (zh) 半导体装置及其制造方法、电路板以及电子机器
CN1426271A (zh) 电路板装置及其安装方法
CN1320964A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1574346A (zh) 一种制造半导体器件的方法
JP2014096571A (ja) スタッドバンプ構造およびその製造方法
CN1188241C (zh) 用于焊接的合金和焊接接合

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100106

Termination date: 20170202

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee