JP2782934B2

JP2782934B2 - Ｔａｂ内蔵型半導体装置並びにリードフレーム

Info

Publication number: JP2782934B2
Application number: JP23316190A
Authority: JP
Inventors: 啓二桑原
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1990-09-05
Filing date: 1990-09-05
Publication date: 1998-08-06
Anticipated expiration: 2013-08-06
Also published as: JPH04114439A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、リードフレームに対するTAB式半導体装置
の実装構造に係り、さらに詳しくは、リードフレームの
改良に関するものである。

［従来の技術］ポリイミドフィルムの如き可撓性のフィルムに半導体
素子を搭載し、その電極にフィルムに設けたリードを接
続してなるTAB式半導体装置は、多量生産に適する、小
形化できる、ファインパターン化が可能であるなど種々
特長を有するため、広く使用されている。特に最近で
は、このTAB式半導体装置をリードフレームに実装して
パッケージしたTAB内蔵型半導体装置が実用化されてい
る。

第６図はリードフレームにTAB式半導体装置（以下単
に半導体装置という）を実装した一例を示す模式図であ
る。図において、（１）は半導体装置で、（２）はフィ
ルム、（３）はフィルム（２）の中心部に設けたデバイ
スホール、（４）はフィルム（２）に形成された銅箔等
からなるリードで、フィルム（２）から外側に延出され
た部分でアウタリード（4a）が形成されている。（５）
はフィルム（２）のデバイスホール（３）内に配置さ
れ、その電極がそれぞれリード（４）に接続された半導
体素子である。（11）はリードフレームで、半導体装置
（１）のアウタリード（4a）に対応した多数のリード
（12）が形成されている。

上記のようなリードフレーム（11）に半導体装置を実
装するには、第７図に示すように、リードフレーム
（１）のリード（12）と半導体装置（１）のアウタリー
ド（4a）とをそれぞれ位置合せし、ボンディングツール
（15）を下降して加圧、加熱し、リード（12）にアウタ
リード（4a）をそれぞれ接続する。

［発明が解決しようとする課題］リードフレーム（11）に半導体装置（１）を実装する
場合のリード（12）とアウタリード（4a）の位置合せ
は、リードフレーム（11）の各辺の端部のリード（12
a）〜（12h）を基準リードとし、この基準リード（12
a）〜（12h）に半導体装置（１）の各辺の端部のアウタ
リード（4a）を整合させていた。

しかしながら、従来のリードフレーム（11）のリード
（12）はすべて同じ幅に形成されているため変形し易
く、特に各辺の両端部のリード（12a）〜（12h）は変形
し易かった。このため、各辺の端部のリード（12a）〜
（12h）を基準にして位置合せを行なうと、ボンディン
グに際して第８図に示すようにリード（12）とアウタリ
ード（4a）との間に位置ずれを生ずることがあり、接続
不良などが発生して信頼性を損うことがあった。

本発明は上記の課題を解決すべくなされたもので、リ
ードフレームのリードの変形を防止することにより、位
置ずれを生じるおそれのないTAB式半導体装置の実装構
造を得ることを目的としたものである。

［課題を解決するための手段］本発明に係るTAB内蔵型半導体装置は、半導体素子の
電極と可撓性フィルムに一体形成されたインナリードと
が接続されたTAB式半導体装置と、前記TAB式半導体装置
のアウタリードと前記アウタリードに対応して設けられ
たリードを有するリードフレームとを有し、前記TAB式
半導体装置の前記アウタリードと前記リードフレームの
前記リードとを接続してなるTAB内蔵型半導体装置であ
って、一方向に連続的に配列形成された前記リードのうち、
端部に位置するリードの幅を他のリードの幅よりも幅広
に形成してなることを特徴とする。

また、上記構成に加えて、幅広に形成した前記リード
の表面には、該リードに接続される前記TAB式半導体装
置のアウタリードが勘入可能な広さの凹部が形成されて
なることを特徴とする。

さらに上記構成に加えて、前記凹部内には、はんだ層
が設けられてなることを特徴とする。

また上記のいずれかの構成に加えて、第１方向及び前
記第１方向に垂直な第２方向に配列形成された前記リー
ドにおいて、前記第１方向に配列形成されたリードにお
ける少なくとも１つの端部に幅広のリードを設けるとと
もに、前記第２方向に配列形成されたリードにおける少
なくとも１つの端部にも幅広のリードを設けてなること
を特徴とする。

一方、上記のTAB内蔵型半導体装置に用いられるリー
ドフレームとしては、リードが各方向から中央に向かっ
て延設されるリードフレームであって、一方向に連続的
に配列形成された前記リードのうち、端部に位置するリ
ードの幅を他のリードの幅よりも幅広に形成してなるこ
とを特徴とする。

さらに、前記幅広のリードには凹部が形成されてなる
ことを特徴とする。

［作用］端部のリードの幅を広く形成したので剛性が増し変形
し難い。このため、このリードを基準にしてTAB式半導
体装置のアウタリードを位置合せしても位置ずれを生じ
ない。

また、上記幅広のリードに形成した凹部にアウタリー
ドを嵌入して位置合せをすれば、位置合せを容易かつ迅
速に行なうことができる。

［実施例］第１図は本発明実施例の模式図である。本実施例にお
いてはリードフレーム（11）の各辺のリード（12）のう
ち、例えば第１方向のリードをリード12a、12b、12c、1
2e、12fとすると、第２方向のリードはリード12c、12
d、12g、12hとなるが、これらの両端部のリード（12a）
と（12b）、（12c）と（12d）、（12e）と（12f）、（1
2g）と（12h）の幅（W₁）をその間に設けられたリード
（12）の幅（Ｗ）より広く形成したものである。実施例
ではW₁＝2Wとした。

上記のように構成したリードフレーム（11）は、各辺
の両端部のリード（12a）〜（12h）の幅をその間に設け
られたリード（12）の幅より広く形成したので剛性を増
し、変形することはほとんどない。したがって、半導体
装置（１）のアウタリード（4a）をボンディングする際
に、リードフレーム（11）の各辺の両端部のリード（12
a）〜（12b）を基準にして位置合せを行なえば、半導体
装置（１）の各アウタリード（4a）はリードフレーム
（11）の各リード（12）上の正規の位置にボンジィング
され、位置ずれを生ずることはない。

第３図は本発明の他の実施例を示すもので、幅広に形
成した各辺の端部のリード（例えば12a）の先端部か
ら、ほぼ半導体装置（１）のアウタリード（4a）が接続
される長さの範囲に、半導体装置（１）のアウタリード
（4a）の幅より広い間隔を隔ててその両側にはんだ等
（13）をメッキし、その間に凹部（14）を形成して凹部
（14）の底部に蒸着、スパッタ等によりはんだ層（15）
を設けたものである。

また、第４図の実施例は、リード（12a）上にスパッ
タ等によってアウタリード（4a）の幅より広い幅の凹部
（14）を形成し、その底部にはんだ層（15）を設けたも
のである。

なお、第３図、第４図の実施例においては、凹部（1
4）の深さを５〜35μｍ、幅はリード（４）の幅1.2〜1.
5倍とした。

上記のようなリード（12a）〜（12h）を備えたリード
フレーム（11）に半導体装置（１）のアウタリード（4
a）を接続するには、第５図に示すように半導体装置
（１）の各辺の両端部のアウタリード（4a）をリード
（12a）〜（12h）の凹部（14）内にそれぞれ嵌入する。
これにより、アウターリード（４）の位置合せを容易か
つ迅速に行なうことができる。そして位置合せを行なっ
たのち、ボンディングツールを用いて各リード（12）と
アウタリード（４）をそれぞれ接続する。

上記の実施例では、リードフレーム（11）の各辺の両
端部のリード（12a）〜（12h）をいずれも幅広に形成し
た場合を示したが、本発明はこれに限定するものではな
く、各辺のうち直交する２辺の各一方の端部のリード
（例えば２図の12aと12c）のみを幅広に形成し、このリ
ード（12a）と（12c）を基準にして位置合せを行なって
もよい。また、リードフレーム（11）の各辺の両端部に
形成した幅広のリード（12a）〜（12h）にそれぞれ凹部
（14）を形成した場合を示したが、上述のように各辺の
リード（12）のうち直交する２辺の一方の端部のリード
にのみ凹部（14）を設けてもよい。

さらに、すべてのリード（12）に凹部（14）を設けて
もよく、このように構成することにより位置合せがさら
に容易になるばかりでなく、ボンディングで加熱、加圧
されてフィルム（２）が多少伸びても、凹部（14）の幅
はアウタリード（4a）の幅より大きく形成して余裕をも
たせてあるので、アウタリード（4a）は凹部（14）内で
リード（12）に接続され、接続不良を生じることはな
い。

［発明の効果］以上の説明から明らかなように、本発明のTAB内蔵型
半導体装置では、一方向に連続的に配列形成された前記
リードのうち、端部に位置するリードの幅を他のリード
の幅よりも幅広に形成したので、その端部に位置するリ
ードは剛性が増して変形し難くなるので、その端部のリ
ードを基準としてTAB式半導体装置のアウタリードの位
置合わせをしても位置ずれを生じることがなくなる。ま
た位置合わせの基準に用いるリードが幅広なので、位置
合わせし易くなるという効果もある。

また特に第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方向
に配列形成された前記リードにおいて、前記第１方向に
配列形成されたリードにおける少なくとも１つの端部に
幅広のリードを設けるとともに、前記第２方向に配列形
成されたリードにおける少なくとも１つの端部にも幅広
のリードを設けておけば、それぞれの方向にて少なくと
も１つの位置合わせを基準用リードができるため、いわ
ゆるＸ−Ｙ方向両方の位置決めが確実に行えることにな
る。このため、ボンディングに際して接続不良を生ずる
おそれがなく、信頼性を向上することができる。

また、少なくとも上記幅広に形成したリードの上面に
凹部を設け、この凹部にアウトリードを嵌入して位置合
せをするようにしたので、位置合せを容易かつ迅速に行
なうことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の模式図、第２図はその作用説明
図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明の他の実施例の
要部を示す模式図で、（ａ）は正面図、（ｂ）は平面
図、第５図はその作用説明図、第６図は従来のリードフ
レームにTAB式半導体装置を実装した状態を示す平面
図、第７図はそのボンディング状態を示す模式図、第８
図はボンディング結果を示す模式図である。（１）:TAB式半導体装置、（4a）：アウタリード、
（５）：半導体素子、（11）：リードフレーム、（1
2）：リード、（12a）〜（12h）：幅広のリード、（1
4）：凹部。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子の電極と可撓性フィルムに一体
形成されたインナリードとが接続されたTAB式半導体装
置と、前記TAB式半導体装置のアウタリードと前記アウ
タリードに対応して設けられたリードを有するリードフ
レームとを有し、前記TAB式半導体装置の前記アウタリ
ードと前記リードフレームの前記リードとを接続してな
るTAB内蔵型半導体装置であって、一方向に連続的に配列形成された前記リードのうち、端
部に位置するリードの幅を他のリードの幅よりも幅広に
形成してなることを特徴とするTAB内蔵型半導体装置。
【請求項２】幅広に形成した前記リードの表面には、該
リードに接続される前記TAB式半導体装置のアウタリー
ドが勘入可能な広さの凹部が形成されてなることを特徴
とする請求項１記載のTAB内蔵型半導体装置。
【請求項３】前記凹部内には、はんだ層が設けられてな
ることを特徴とする請求項２記載のTAB内蔵型半導体装
置。
【請求項４】第１方向及び前記第１方向に垂直な第２方
向に配列形成された前記リードにおいて、前記第１方向
に配列形成されたリードにおける少なくとも１つの端部
に幅広のリードを設けるとともに、前記第２方向に配列
形成されたリードにおける少なくとも１つの端部にも幅
広のリードを設けてなることを特徴とする請求項１乃至
３項記載のTAB内蔵型半導体装置。
【請求項５】リードが各方向から中央に向かって延設さ
れるリードフレームであって、一方向に連続的に配列形
成された前記リードのうち、端部に位置するリードの幅
を他のリードの幅よりも幅広に形成してなることを特徴
とするリードフレーム。
【請求項６】前記幅広のリードには凹部が形成されてな
ることを特徴とする請求項５記載のリードフレーム。