CN101034597A - 陶瓷粉末及使用它的电介质糊、层叠陶瓷电子部件、其制法 - Google Patents

陶瓷粉末及使用它的电介质糊、层叠陶瓷电子部件、其制法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的是提供一种层叠陶瓷电子部件，实现绝缘不良的降低或耐电压特性的改善，抑制裂缝或分层的发生，提高制造成品率。为此，在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为用于形成电介质陶瓷层的陶瓷粉末，使用如下陶瓷粉末，即具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3。四方相与立方相的重量比Wt/Wc是通过Rietveld法多相分析求得的。陶瓷粉末例如可以是钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4～10m2/g。

Description

陶瓷粉末及使用它的电介质糊、层叠陶瓷电子部件、其制法
技术领域
本发明涉及在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中电介质陶瓷层的形成所使用的陶瓷粉末，特别涉及在提高层叠陶瓷电子部件的耐电压特性方面有用的陶瓷粉末。进一步，涉及使用了所述陶瓷粉末的电介质糊、层叠陶瓷电子部件及其制造方法。
背景技术
例如，作为层叠陶瓷电子部件之一的层叠陶瓷电容具有多个电介质陶瓷层与内部电极层交替层叠的结构，作为小型、大容量、高可靠性的电子部件而被广泛应用。在1台电子仪器中使用多个层叠陶瓷电容的情况也为数不少。
近年，随着电子仪器的小型化或高性能化不断发展，对于层叠陶瓷电容中更加小型化或大容量化、低价格化、高可靠性化等的要求也越来越高。所以，与此相应，例如为了实现层叠陶瓷电容的小型化、大容量化，而需要对电介质陶瓷层薄层化或增加层叠数。如果使构成层叠陶瓷电容的电介质陶瓷层薄层化、增加层叠数，则能够实现所述的小型化或大容量化。
然而，考虑到所述电介质陶瓷层薄层化或层叠数增加时，使用以Pd等贵金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层，在例如制造成本方面是不利的。使用以Pd等贵金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层的话，随着层叠数的增加，电极形成成本显著提高。因此，对以Ni等贱金属为主成分的内部电极用导电糊进行开发，使用它形成内部电极层的层叠陶瓷电容等得以实用化。
但是，利用所述以Ni等贱金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层时，例如使电介质陶瓷层的厚度为10μm以下，或使层叠数为100层以上时，由于内部电极层的收缩、膨胀与电介质陶瓷层的收缩行为不同，导致可能发生剥离(分层)或裂缝，产生制造成品率变差的问题。
为了解决这些问题，抑制烧成工序中Ni粉末的收缩是很有效的，或者使构成电介质陶瓷层的电介质材料的强度提高是很有效的。因此，以往，向用于形成内部电极层的内部电极用导电糊中添加陶瓷氧化物或有机金属化合物作为共材，或者变更构成电介质陶瓷层的陶瓷组成，或者变更烧成条件或再氧化处理条件等(例如参照专利文献1等)。
专利文献1中公开了层叠陶瓷电子部件的制造方法，该方法使外层陶瓷层烧成时收缩率变化率最大的温度与内部电极层叠部分的陶瓷层在形成内部电极的状态下烧成时收缩率变化率最大的温度的差为60℃以下，其中，与构成内部电极层叠部分陶瓷层的陶瓷的A位置离子的摩尔浓度A和B位置离子的摩尔B的比A/B相比，外层陶瓷层的摩尔比A/B变低。
[专利文献1]特开2004-221268号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，随着层叠陶瓷电子部件进一步的小型化、大容量化，仅靠上述的以往技术不能解决问题。也就是说，随着层叠陶瓷电子部件的进一步小型化、大容量化的发展，Ni部分(内部电极层)在器件整体中所占的比例变高，如上所述的分层或裂缝的问题更加显著，即使采用上述对策，仍存在裂缝发生率高、制品成品率变低的问题。进而成为发生绝缘不良或耐电压降低等层叠陶瓷部件可靠性下降的原因。
本发明是鉴于所述的以往情况提出的，目的是提供陶瓷粉末和电介质糊，即使在期望实现构成层叠陶瓷电子部件的电介质陶瓷层的进一步薄层化或层叠数增加的情况下，也能够实现绝缘性不良的减少或耐电压的提高，进而能够减少裂缝(结构缺陷)的发生、提高制造成品率。另外，本发明的目的是，通过提供所述陶瓷粉末和电介质糊，实现绝缘性或高温负荷时的耐久性优良、可靠性高的层叠陶瓷电子部件，进而提供其制造方法。
解决问题的方案
为了达到上述目的，本发明人等反复进行了长期深入的研究。具体讲，对于层叠陶瓷电子部件的电介质陶瓷层所使用的陶瓷粉末，进行了进一步的详细分析。结果发现，具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末中含有四方(Tetragonal)相和立方(Cubic)相，为了抑制层叠陶瓷电子部件的分层或裂缝的发生，改善绝缘性或耐电压，使这些四方相和立方相的比率(重量比率)最优化是有效的。
本发明是基于这些发现而完成的。也就是说，本发明的陶瓷粉末为，用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述电介质陶瓷层的陶瓷粉末，其特征为，具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3。
另外，本发明的电介质糊的特征为，其为用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述电介质陶瓷层的电介质糊，作为陶瓷粉末含有上述的陶瓷粉末。进一步，本发明的层叠陶瓷电子部件的特征为，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件，所述电介质陶瓷层是由所述电介质糊形成电介质生坯片，将其烧成而形成的；本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征为，使由电介质糊和导电糊形成的电介质生坯片和电极前体层交替层叠形成后，将其烧成而成为层叠陶瓷电子部件时，使用上述电介质糊。
迄今，关于作为电介质陶瓷层中使用的陶瓷粉末，例如进行X射线衍射分析，基于分析结果，尝试对使用的陶瓷粉末进行最优化。例如，具有钙钛矿型晶体结构的钛酸钡，随着比表面积的变化，X射线衍射图谱也变化，由其X射线衍射图谱的变化捕捉作为四方相的晶格常数的变化，设定其范围等。但是，以如上所述的捕捉方法也未必能够得到满意的效果。
因此，发明人推测所述X射线衍射图谱的变化是四方相与立方相的混相而引起的，利用リ一トベルト(Rietveld)法对X射线衍射图谱进行多相分析(例如假定为四方相和立方相的2相的2相分析)时，与所述推测高度一致，证实所述推测是正确的。进一步进行分析的结果是，所述四方相和立方相的比率根据钛酸钡的制造条件等而变化，这给特性带来影响。即，具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末中，以四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3的话，可以抑制裂缝或分层的发生，减少绝缘不良，并且提高耐电压。
发明效果
本发明中，作为原料(陶瓷粉末)的选定指标，采用的是四方相的含量Wt和立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc(＝X)。通过使用基于该指标选择的陶瓷粉末，从而即使是在例如随着小型化或大容量化而使构成层叠陶瓷电子部件的电介质陶瓷层薄层化或增加层叠数时，也能够减少绝缘性不良、提高耐电压。另外，能够减少裂缝或分层的发生，提高层叠陶瓷电子部件的制造成品率。
附图说明
图1是表示层叠陶瓷电容的一结构例的概略截面图。
图2(a)～(e)是模式性地表示钛酸钡粉末的X射线衍射图谱的变化状态的图。这些X射线衍射图谱的2θ在44°～46°附近的范围内。
图3是表示四方相的晶格常数的模式图。
图4(a)是四方相和立方相的X线衍射图谱，(b)是假定为混相时的X射线衍射图谱。这些X射线衍射图谱的2θ在44°～46°附近的范围内。
符号说明
1     层叠陶瓷电容
2     电介质陶瓷层
3     内部电极层
4，5  外部电极
6     外装电介质层
具体实施方式
本发明的最佳实施方式
以下，对于应用本发明的陶瓷粉末和电介质糊、进而对于使用了它们的层叠陶瓷电子部件(这里是层叠陶瓷电容)及其制造方法进行详细说明。
首先，对使用本发明陶瓷粉末的层叠陶瓷电容进行说明，如图1所示，层叠陶瓷电容1中，多个电介质陶瓷层2和内部电极层3交替层叠构成器件本体。内部电极层3按使器件本体相向的两个端面上各侧端面交替露出而层叠，在器件本体的两侧端部上按与这些内部电极层3导通而形成一对外部电极4，5。另外，器件本体中，所述电介质陶瓷层2和内部电极层3的层叠方向的两端部分配置了外装电介质层6，该外装电介质层6主要具有保护器件本体的作用，是作为非活性层形成的。
器件本体的形状没有特别限定，通常是长方体形状。其尺寸没有特别限制，只要是根据用途而设定的尺寸即可。例如，长0.6mm～5.6mm(优选0.6mm～3.2mm)×宽0.3mm～5.0mm(优选0.3mm～1.6mm)×厚0.1mm～1.9mm(优选0.3mm～1.6mm)左右。
所述电介质陶瓷层2由电介质陶瓷组合物构成，通过电介质陶瓷组合物粉末(陶瓷粉末)烧结而形成。本发明中，所述电介质陶瓷组合物为，含有组成式ABO3(式中，A位置是由从Sr、Ca和Ba中选出的至少一种元素构成的，B位置是由从Ti和Zr中选出的至少一种元素构成的)表示的具有钙钛矿型晶体结构的电介质氧化物作为主成分的组合物。这里，氧(O)量也可以与所述组成式的化学理论组成有若干偏差。所述电介质氧化物中，A位置主要由Ba构成，B位置主要由Ti构成，优选是钛酸钡。更优选，以组成式BamTiO2+m(式中，0.995≤m≤1.010，0.995≤Ba/Ti≤1.010。)表示的钛酸钡。
电介质陶瓷组合物中，除主成分外，还可以含有各种副成分。作为副成分，例如可以是从Sr、Zr、Y、Gd、Tb、Dy、V、Mo、Zn、Cd、Ti、Sn、W、Ba、Ca、Mn、Mg、Cr、Si和P的氧化物中选出的至少一种。通过添加副成分，能够使主成分的介电特性不恶化而进行低温烧成。另外，能够降低使电介质陶瓷层2薄层化时的可靠性不良，且长寿命化。
所述电介质陶瓷层2的层叠数或厚度等各条件，只要根据用途而适当决定即可。电介质陶瓷层2的厚度是1μm～50μm左右，优选5μm以下。从实现层叠陶瓷电容的小型化、大容量化的观点考虑，电介质陶瓷层2的厚度优选为3μm以下，电介质陶瓷层2的层叠数优选为150层以上。
内部电极层3中所含的导电材料没有特别限制，例如可以使用Ni、Cu、Ni合金或Cu合金等贱金属。内部电极层3的厚度可以根据用途等适当决定，例如可以是0.5μm～5μm左右，优选1.5μm以下。
外部电极4，5中所含的导电材料也没有特别限制，通常使用Cu、Cu合金、Ni、Ni合金、Ag、Ag-Pd合金等。Cu、Cu合金、Ni和Ni合金是廉价的材料，因此是有利的。外部电极4，5的厚度可以根据用途等而适当确定，例如可以是10μm～50μm左右。
具有上述结构的层叠陶瓷电容1中，电介质陶瓷层2中使用的电介质陶瓷组合物(母体材料)对于特性有很大影响。本发明中，对作为所述母体材料的陶瓷粉末进行改善，从而改善耐电压特性等。具体来讲，具有钙钛矿型晶体结构陶瓷粉末使用如下陶瓷粉末，即，对该陶瓷粉末进行粉末X射线衍射分析，对于该粉末X射线衍射的结果，例如利用Rietveld法进行多相分析，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时X＜3。
以下，对于利用所述Rietveld法进行的多相分析进行说明。例如粉末X射线衍射中，从峰位置可以掌握晶格常数，从衍射曲线的面积(积分面积)可以掌握晶体结构参数(极化坐标、占有率、原子位移参数等)，从曲线的宽度可以掌握晶格变形或微晶尺寸，从混合物中各相的比例系数(尺度因子)可以掌握质量分率。粉末中子射线衍射中，进一步可以从积分强度掌握各磁性原子位的磁矩。
所述Rietveld法为，在固体物理、化学、材料化学等中，能够同时求得基本的重要物理量的通用粉末衍射数据分析技术，该方法是用于从结构方面理解多晶材料表现的物理现象或化学特性的工具。Rietveld法的重要目的在于，对晶体结构因子Fk中所含的晶体结构参数进行精密化，以粉末X射线衍射图样或粉末中子衍射图样整体为对象，直接对结构参数和晶格常数进行精密化。也就是说，按使其尽量与实测图样一致来基于近似结构模型对计算得到的衍射图样进行拟合。作为Rietveld法的突出优点，可以举出，从以全分析图样作为拟合的对象，特性X射线的情况下，还考虑Kα2反射的存在，因此不仅可以以高准确度和高精度求得晶体结构参数，也可以以高准确度和高精度求得晶格常数，可以对晶格变形或微晶尺寸、混合物中的各成分含量进行定量等。
具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末，例如钛酸钡的情况下，已知存在四方相和立方相。那么，例如随着其平均粒径(比表面积)的变化，X射线衍射图样有所变化。图2表示钛酸钡的X射线衍射图样的变化状态。钛酸钡的X射线衍射中，平均粒径大(比表面积小)的情况下，如图2(a)所示，观察到四方相的2个峰。与此相反，平均粒径逐渐变小的话(比表面积逐渐变大的话)，如图2(b)～图2(d)所示，2个峰逐渐变得不清晰，最终成为如图2(e)所示的立方相的单一峰。
以往提出，由所述X射线衍射图谱的变化捕捉晶格常数的变化，作为所用的陶瓷粉末的指标。例如提出，如图3所示，四方相的晶格常数a、b、c中，捕捉a＝b时c/a的变化。X射线衍射图谱由图2(a)向图2(e)变化时，所述晶格常数c/a逐渐变小，成为2(e)所示状态的c/a＝1(立方相)。
所述规定是考虑到了例如介电特性的规定，与所用的陶瓷粉末的平均粒径或比表面积的规定没有显著差别，另外，对于耐电压特性的改善等则完全没有考虑。这里，本发明人等尝试了X射线衍射图谱的详细分析。即，本发明人等，将图2(b)～图2(d)所示的状态假定为，如4(a)和图4(b)所示的，四方相的X射线衍射图谱和立方相衍射X射线图谱重合得到的状态(即，陶瓷粉末为四方相和立方相的混相)，尝试利用Rietveld法对X射线衍射图谱进行多相分析(这里为2相)。其中，对于利用上述Rietveld法的多相分析，并不限于上述2相分析，例如也可以是3相以上的分析。
其结果，首先第一是，上述2相分析结果启示进行了精密化优良、正确分析。这可以说支持了上述假定(是四方相和立方相的混相的假定)是正确的，从而掌握平均粒径较小(比表面积较大)的陶瓷粉末是四方相和立方相的混相。迄今，对于钛酸钡粉末，还没有其为四方相和立方相的混相的认识。
第二，作为层叠陶瓷电容1的电介质陶瓷层2的母体材料使用的情况下，所述四方相和立方相的比率对特性产生影响，特别是重视绝缘性或耐电压特性的情况下，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3是有利的。通过使X＜3，即使是构成层叠陶瓷电容1的电介质陶瓷层2进行薄层化或增加层叠数的情况下，也能够减少绝缘不良，提高耐电压。另外，能够减少裂缝或分层的发生。
所述重量比率X，例如根据陶瓷粉末的制造条件而变化，即使是看起来相同的X射线衍射图谱，实际如果利用所述Rietveld法进行多相分析的话，也有所述重量比率X为不同值的情况。这样的差异，用以往的X射线衍射分析是无法掌握的，需要通过利用所述Rietveld法进行多相分析求得其值，选择满足所述条件的值。
对于所述四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc(X)，如上所述，X＜3成为具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末的选择基准，但该情况的前提是四方相和立方相的混相，所以不包括单独立方相的情况(X值为零)。而且，对于所述X值，即使例如改善制造条件等其自然而然也有界限。所以，所述X值优选最小为2(所以X≥2)。
本发明中，目的是对电介质陶瓷层2进行薄层化，并实现高耐电压特性等，所以各电介质陶瓷层2的厚度优选为如上所述的3μm以下。与此相应，使用的陶瓷粉末，优选比表面积SSA为4m2/g以上(平均粒径0.25μm以下)，更优选比表面积SSA为4m2/g～10m2/g。比表面积SSA为10m2/g时，平均粒径约为0.1m2/g。
如上所述，层叠陶瓷电容1中，通过使用基于Rietveld法多相分析的原料选择方法选择的原料(陶瓷粉末)，可以实现层叠陶瓷电容1的进一步的小型化、大容量化，本发明的层叠陶瓷电容最适于高耐电压用途。接着下面，对于使用了所述陶瓷粉末的层叠陶瓷电容的制造方法进行说明。
为了制造具有所述结构的层叠陶瓷电容，准备烧成后成为电介质陶瓷层2的电介质生坯片，烧成后成为内部电极层3的电极前体层以及构成外装电介质层6的外装生坯片，将它们层叠，形成层叠体。
电介质生坯片可以通过调制含有陶瓷粉末的电介质糊，利用刮刀法等将其涂布在作为支持物的载片上，经干燥而形成。电介质糊是将成为母体材料的陶瓷粉末和有机赋形剂或水系赋形剂混炼而调制的。调制该电介质糊时，使用基于Rietveld法多相分析的原料选择方法选择的陶瓷粉末。另外，其平均粒径或比表面积可以在所述范围内根据电介质陶瓷层2的厚度进行选定。
其中，所述电介质糊的调制中使用的有机赋形剂为，将粘合剂溶解于有机溶剂中得到的物质。有机赋形剂中使用的粘合剂没有特别限制，可以从乙基纤维素、聚乙烯醇丁缩醛等通常的各种粘合剂中适当选择。另外，有机赋形剂中使用的有机溶剂也没有特别限定，可以从萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各种有机溶剂中适当选择。水系赋形剂为，将水溶性粘合剂或分散剂溶解于水中得到的物质，作为水溶性粘合剂，没有特别限定，例如可以使用聚乙烯醇、纤维素、水溶性丙烯酸树脂等。
另外，通过将含有导电材料的导电糊印刷于所述电介质生坯片的规定区域，形成电极前体层。导电糊是将导电材料或共材(陶瓷粉末)与有机赋形剂混炼而调制的。
形成层叠体后，进行脱粘合剂处理、烧成和用于使电介质陶瓷层2和外装电介质层6再氧化的热处理，得到烧结体(器件本体)。用于脱粘合剂处理、烧成和再氧化的热处理，可以将这些处理连续进行，也可以各自独立进行。
脱粘合剂处理可以在通常的条件下进行，但内部电极层3的导电材料中使用Ni、Ni合金等贱金属的情况下，优选在如下条件下进行。即，使升温速度为5～300℃/小时，特别为10～50℃/小时，保持温度为200～400℃，特别为250～340℃，保持时间为0.5～20小时，特别为1～10小时，氛围气为加湿的N2和H2的混合气体。
烧成条件优选是，使升温速度为50～500℃/小时，特别为200～300℃/小时，保持温度为1100～1300℃，特别为1150～1250℃，保持时间为0.5～8小时，特别为1～3小时，氛围气为加湿的N2和H2的混合气体。
烧成时，氛围气中的氧分压优选是10-2Pa以下。氧分压超出上述范围时，内部电极层3可能氧化。但是，氧分压过低时，发生电极材料的异常烧结，内部电极层3有中断的倾向。所以，烧成氛围气的氧分压优选是10-2Pa～10-8Pa。
烧成后的热处理是使保持温度或最高温度通常为1000℃以上，优选为1000～1100℃而进行的。所述保持温度或最高温度小于1000℃时，电介质材料的氧化不充分，因此有绝缘电阻寿命变短的倾向，超过1100℃时，内部电极层3中的导电材料(Ni)氧化，可能发生对层叠陶瓷电容的容量或寿命带来不良的影响。
使所述热处理的氛围气氧分压高于烧成时的氧分压，优选10-3Pa～1Pa，更优选10-2Pa～1Pa。所述热处理的氛围气氧分压小于所述范围时，电介质层的再氧化变得困难，反之，超过所述范围时，内部电极层3可能氧化。所述热处理的条件为，使保持时间为0～6小时，特别为2～5小时，冷却速度为50～500℃/小时，特别为100～300℃/小时，气氛体为加湿的N2气体等。
最后，在作为得到的烧结体的器件本体上形成外部电极4，5，得到图1所示的层叠陶瓷电容1。外部电极4，5可以是例如通过滚磨或喷砂等对烧结体的端面进行研磨后，通过烧附外部电极用涂料而形成的。
实施例
以下，基于实验结果，对应用本发明的具体实施例进行说明。
XRD(粉末X射线衍射)测定
粉末X射线衍射(XRD)测定是使用粉末X射线衍射装置(リガク社制，商品名Rint2000)进行的(测定范围：2θ＝10°～130°)，得到Rietveld分析用的XRD谱线数据。这时，按照使步宽为0.01°，最大峰脉冲数为约10000脉冲数来设定电流、电压，进行测定。
Rietveld分析
对于得到的XRD谱线，使用Rietveld分析用软件RIETAN-2000(Rev.2.4.1)(windows用)进行分析。求各相的质量分率时，通过修正微吸收(Microabsorption)，求得质量分率。
关于Rietveld法多相分析的可靠性的研究
对于具有钙钛矿型晶体结构的钛酸钡粉末(比表面积SSA 6.16m2/g，利用扫描型电子显微镜SEM得到的平均粒径0.16μm)，尝试利用Rietveld法进行分析。作为Rietveld分析，有四方相(正方晶)单相的分析、立方相(立方晶)单相的分析、四方相(正方晶)+立方相(立方晶)的2相分析三种。各分析的可靠性因子如表1所示。
                             表1
SSA SEM径 模型         可靠性因子
  S值   Rwp
  6.16   0.16  正方晶   1.3654   15.23
 立方晶   1.5423   16.21
 正方晶+立方晶   1.2445   11.84
用于评价Rietveld分析的进展情况或观测强度和计算强度的一致程度的指标中，最重要的R因子是Rwp。但是，由于Rwp受到衍射强度或背底强度的影响，因此，用于将等价于统计学上预想的最小Rwp的Re和Rwp进行比较的指标S值(＝Rwp/Re)，作为表示分析拟合优异性的实质性尺度而发挥作用。S＝1意味着精密化是完善的，S小于1.3的话，作为应该满足的分析结果也是可以的。以这样的观点看表1的话，作为正方晶和立方晶的2相分析的结果的s值为1.3以下，比单相分析时的s值小，因而可知，认为所分析的陶瓷粉末是正方晶和立方晶的2相的想法更为妥当。
关于陶瓷粉末的四方相含量Wt和立方相含量Wc的重量比率Wt/Wc(＝X)的研究
使用各种陶瓷粉末(钛酸钡粉末)，按照上述的制造方法，制作层叠陶瓷电容(实施例1～3，比较例1)。制作的层叠陶瓷电容的尺寸为1.0mm×0.5mm×0.5mm，电介质陶瓷层的层叠数为160，电介质陶瓷层每层的厚度为1.6μm，内部电极层的厚度为1.0μm。所使用的陶瓷粉末的比表面积SSA、四方相的含量Wt、立方相含量Wc、它们的重量比率Wt/Wc(＝X)、烧结体的粒径、粒径的偏差σ、制作的层叠陶瓷电容的IR(绝缘电阻)不良率、耐电压以及结构缺陷发生个数如表2所示。
                                      表2
                                      陶瓷粉末               层叠陶瓷电容
  SSA                 重量比        烧结体   IR不良率   耐电压(V/μm)   结构缺陷发生个数
  四方相(Wt)   立方相(Wc) Wt/Wc 粒径 粒径偏差
  实施例1 6.21 0.746 0.254 2.94 0.28 0.03 21/1000 85 51ppm
  实施例2 6.13 0.742 0.258 2.88 0.28 0.03 11/1000 75 30ppm
  实施例3 6.11 0.732 0.268 2.74 0.28 0.03 12/1000 79 45ppm
  比较例1 6.25 0.762 0.238 3.20 0.29 0.07 98/1000 54 456ppm
由表2可知，所使用的陶瓷粉末中，通过使四方相和立方相的重量比率Wt/Wc(＝X)＜3，可以实现IR不良率的降低和耐电压的提高。另外，发生结构缺陷的个数也显著变少。
关于陶瓷粉末的比表面积的研究
对于比表面积不同的陶瓷粉末，将四方相和立方相的重量比率Wt/Wc为3以上时和Wt/Wc小于3时的特性进行比较。结果如表3所示。
                                   表3
                                        陶瓷粉末                 层叠陶瓷电容
  SSA                          重量比        烧结体   IR不良率   耐电压(V/um)   结构缺陷发生个数
  四方相(Wt)   立方相(Wc)   Wt/Wc   粒径   粒径偏差σ
  比较例4   4.00   0.772   0.228   3.38   0.31   0.07   80/1000   55   505ppm
  实施例4   4.12   0.744   0.256   2.19   0.33   0.04   21/1000   65   110ppm
  比较例5   5.21   0.822   0.178   4.61   0.29   0.06   35/1000   60   342ppm
  实施例5   5.22   0.733   0.267   2.75   0.30   0.03   16/1000   73   186ppm
  比较例1   6.25   0.762   0.238   3.20   0.29   0.07   98/1000   54   456ppm
  实施例2   6.13   0.742   0.258   2.88   0.28   0.03   11/1000   75   30ppm
  比较例6   7.34   0.812   0.188   4.31   0.21   0.06   43/1000   68   200ppm
  实施例6   7.41   0.721   0.279   2.58   0.20   0.04   11/1000   84   50ppm
  比较例7   9.80   0.815   0.185   4.41   0.19   0.05   28/1000   75   152ppm
  实施例7   9.90   0.746   0.254   2.94   0.17   0.03   6/1000   92   20ppm
由表3可知，使陶瓷粉末的比表面积SSA为4m2/g～10m2/g时，任何情况下，只要四方相和立方相的重量比率Wt/Wc＜3，就可以实现IR不良率的降低、耐电压的提高、结构缺陷的抑制。所以认为，使用的陶瓷粉末中，使比表面积SSA为4m2/g～10m2/g，四方相和立方相的重量比率Wt/Wc小于3时，则可以制造绝缘性或耐久性优良、可靠性高的层叠陶瓷电容。

Claims (8)

1.陶瓷粉末，其特征在于，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述电介质陶瓷层形成用的陶瓷粉末，
具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X＜3。
2.根据权利要求1所述的陶瓷粉末，其特征在于，所述四方相的含量Wt与立方相的含量Wc是通过Rietveld法多相分析求得的值。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积为4～10m2/g以上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的陶瓷粉末，其特征在于，以钛酸钡粉末作为主成分。
5.电介质糊，其特征在于，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述电介质陶瓷层形成用的电介质糊，
作为所述陶瓷粉末，含有权利要求1至4中的任一项所述的陶瓷粉末。
6.层叠陶瓷电子部件，其特征在于，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件，
所述电介质陶瓷层是由权利要求5所述的电介质糊形成电介质生坯片，将其烧成而形成的。
7.根据权利要求6所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于，其为高耐电压用的层叠陶瓷电容。
8.层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，将由电介质糊和导电糊形成的电介质生坯片和电极前体层交替层叠形成后，将其烧成而成为层叠陶瓷电子部件，
作为所述电介质糊使用权利要求5所述的电介质糊。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102173785A (zh) * 2011-01-21 2011-09-07 天津大学 一种宽工作温区热稳定型复合介质陶瓷的制备方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4827011B2 (ja) * 2006-03-10 2011-11-30 Ｔｄｋ株式会社 セラミック粉末及びこれを用いた誘電体ペースト、積層セラミック電子部品、その製造方法
JP4949220B2 (ja) * 2007-12-25 2012-06-06 京セラ株式会社 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ
KR101452057B1 (ko) * 2012-12-04 2014-10-22 삼성전기주식회사 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판
JP6547435B2 (ja) * 2014-09-12 2019-07-24 Tdk株式会社 誘電体膜および誘電体素子
US10773972B2 (en) 2016-07-13 2020-09-15 Skyworks Solutions, Inc. Temperature insensitive dielectric constant garnets
JP6759909B2 (ja) * 2016-09-14 2020-09-23 日本製鉄株式会社 結晶相の質量比率の補正方法
US11417450B2 (en) 2018-07-18 2022-08-16 Skyworks Solutions, Inc. Magnetic materials with high curie temperatures and dielectric constants
US20220028621A1 (en) * 2018-11-13 2022-01-27 Drexel University High permittivity and low leakage dielectric thin film materials
KR20210151451A (ko) * 2020-06-05 2021-12-14 삼성전기주식회사 유전체 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0739019B1 (en) * 1994-10-19 2003-12-03 TDK Corporation Multilayer ceramic chip capacitor
JPH113834A (ja) * 1996-07-25 1999-01-06 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
US6194229B1 (en) * 1999-01-08 2001-02-27 Micron Technology, Inc. Method for improving the sidewall stoichiometry of thin film capacitors
US6258655B1 (en) * 1999-03-01 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Method for improving the resistance degradation of thin film capacitors
JP3780851B2 (ja) * 2000-03-02 2006-05-31 株式会社村田製作所 チタン酸バリウムおよびその製造方法ならびに誘電体セラミックおよびセラミック電子部品
US6737364B2 (en) * 2002-10-07 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for fabricating crystalline-dielectric thin films and devices formed using same
US7020374B2 (en) * 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
JP2006117446A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Tokyo Institute Of Technology チタン酸バリウム粉末およびその製造方法
US7433173B2 (en) * 2004-11-25 2008-10-07 Kyocera Corporation Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102173785A (zh) * 2011-01-21 2011-09-07 天津大学 一种宽工作温区热稳定型复合介质陶瓷的制备方法

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