CN100557727C - 具有基于有机材料的绝缘层的电子装置及其制备方法 - Google Patents
具有基于有机材料的绝缘层的电子装置及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN100557727C CN100557727C CNB2005101315048A CN200510131504A CN100557727C CN 100557727 C CN100557727 C CN 100557727C CN B2005101315048 A CNB2005101315048 A CN B2005101315048A CN 200510131504 A CN200510131504 A CN 200510131504A CN 100557727 C CN100557727 C CN 100557727C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- insulating barrier
- conductor
- coil
- novolac resin
- electronic installation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 214
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000011368 organic material Substances 0.000 title claims description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 90
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims abstract description 73
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 6
- BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N helicin Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1C=O BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 34
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N ferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000032050 esterification Effects 0.000 description 1
- 238000005886 esterification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N n'-amino-n-iminomethanimidamide Chemical compound N\N=C\N=N VMGAPWLDMVPYIA-HIDZBRGKSA-N 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N renifolin D Natural products CC(=C)[C@@H]1Cc2c(O)c(O)ccc2[C@H]1CC(=O)c3ccc(O)cc3O BOLDJAUMGUJJKM-LSDHHAIUSA-N 0.000 description 1
- 238000012958 reprocessing Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000011378 shotcrete Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/2804—Printed windings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
- H01F27/323—Insulation between winding turns, between winding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Insulating Of Coils (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
在电子装置中,在位于装置内部的金属导体(23和27)上的绝缘层24,26和28由酚醛清漆树脂制成的绝缘层形成,在这些绝缘层上覆盖由聚酰亚胺组成的绝缘层用作绝缘层(30)并露在装置的表面上。这样可以阻止每一绝缘层(24,26和28)的一部分开口露出金属导体的情形,重新加工也可以容易的实行。采用由聚酰亚胺树脂组成的绝缘层作为暴露在装置表面上的绝缘层(30),提供了优异的耐候性和可靠性。
Description
技术领域背景
本发明涉及具有至少一层基于有机材料的绝缘层的电子装置,特别涉及具有至少一层基于有机材料的绝缘层并且即使将绝缘层部分暴露于装置表面上,在耐候性能上和可靠性上优异,而且容易制造和再加工的电子装置。
背景技术
如果要缩小电子仪器诸如个人电脑和移动电话的尺寸,需要缩小电子零件诸如装在电子仪器内部的线圈和电容器的尺寸或形成薄膜。
例如,薄膜磁头包括多层叠层的薄膜层,诸如磁性膜和绝缘层,并且还包括在其中形成的线圈导体。薄膜感应器也具有提供基底的结构,在其外表面上有将与外电路相连的电极,并且在基底内部以覆盖绝缘层装备有以自感应运行的导体。
用于这种薄膜磁头和这种薄膜感应器的绝缘层由无机材料诸如SiO2构成的绝缘层以及由有机材料诸如酚醛清漆树脂和聚酰亚胺树脂制成的绝缘层至今是已知的(日本专利延迟公开号2000-114045)。在这些绝缘层之中,由有机材料制成的绝缘层特别应用于薄膜磁头和薄膜感应器,其中在高温下热处理影响磁性层的电阻率,因为利用有机材料时,这种绝缘层能在相对低的温度下制备并且能容易制备厚绝缘层。
例如,日本专利延迟公开号7-296329,以叠层方式使用由聚酰亚胺制成的第一绝缘层和由酚醛清漆树脂制成的第二绝缘层。这种情况表明利用具有高体积电阻率的聚酰亚胺绝缘层同单独利用酚醛清漆树脂相比能够较大幅度改善绝缘性质;向叠层中增加酚醛清漆树脂层,同单独使用聚酰亚胺树脂的情况相比较降低了绝缘层周边区域中线圈导体破裂的危险,这是因为经固化的由酚醛清漆树脂制成的薄膜形状是平滑的。而且在这种情况下,在叠层绝缘层上形成线圈导体来制备薄膜磁头。
制成线圈导体的金属是较容易电离的金属材料诸如铜(Cu)。因此,当使用光敏的聚酰亚胺作为绝缘层覆盖线圈导体时,除非先用Ni等覆盖由铜制成的线圈导体,然后形成覆盖绝缘层,存在铜离子渗透到光敏的聚酰亚胺中形成铜与聚酰亚胺的络合物的问题。这种铜络合物的形成导致在暴露后在显影过程中显影失败,妨碍获得所需的图案。特别是这种显影失败引发了当聚酰亚胺层覆盖在导体上时形成诸如接触孔的图案的问题。
同时,在制备过程中,当由于形成图案失败而无法获得所需图案时,将根据情况采用剥离掉失败的树脂图案,并再次涂覆相关的树脂以形成图案的重新加工工序;在此牵涉到聚酰亚胺在耐候性方面是优异的,而重新加工性差的问题。
如上述日本专利延迟公开号7-296329中公开的那样,利用由聚酰亚胺层和酚醛清漆树脂层组成的叠层结构会因聚酰亚胺能够改进可靠性达到一定的水平,同时因酚醛清漆树脂达到一定水平的可加工性。然而,本发明人已经发现如果将酚醛清漆树脂暴露于装置表面上,将使装置的耐候性迅速降低。
发明内容
本发明的一个目的是通过利用酚醛清漆树脂和聚酰亚胺树脂作为绝缘层材料,即使绝缘层区域暴露在装置的表面上时也能提供一种在耐候性和可靠性方面均优异的电子装置,并且其价格也是低廉的。
本发明的另一个目的是利用酚醛清漆树脂和聚酰亚胺树脂提供一种重新加工性能优异的基于有机材料的绝缘层结构。
本发明人基于如上所述的思路已经实现了本发明,即通过采用酚醛清漆树脂和聚酰亚胺树脂的适当结合,形成由树脂材料制成的绝缘层,以便能利用酚醛清漆树脂和聚酰亚胺树脂的优点并能够弥补其中的缺点。
更具体地说,本发明包括以下的方面(1)-(11):
(1)一种电子装置,由至少一部分暴露在装置表面上的绝缘层组成,其中该绝缘层包括由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层,由酚醛清漆树脂制成的绝缘层构成位于装置内部的金属导体上的绝缘层,该绝缘层的一部分敞开以露出金属导体,由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层作为暴露在装置表面上的绝缘层。
(2)根据上述(1)的电子装置,其中该电子装置是薄膜磁性装置,其中具有夹在两层磁性材料之间的绝缘层,该绝缘层包含由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层,绝缘层中埋有螺旋状的线圈导体。
(3)根据上述(2)的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是薄膜感应器。
(4)根据上述(2)的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是薄膜磁头。
(5)根据上述(2)的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是共式扼流线圈(common-mode choke coil),包括:
由磁性材料制成的第一磁性基底;
在第一磁性基底上形成的第一绝缘层;
在第一绝缘层上形成的第二绝缘层;
埋入第二绝缘层并构成螺旋状的线圈导体;
在线圈导体的内部周边和外部周边上的绝缘层中形成的开口;
在至少开口处通过填充形成的磁性层;
固定在磁性层上由磁性材料制成的第二磁性基底;
连接到线圈导体终端和布置在第一和第二磁性基底的侧面上的端电极;其中至少第二绝缘层包括由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层。
(6)根据上述(5)的电子装置,其中至少在线圈导体上层或下层的任何一层上提供引线端子,用于线圈导体与端电极进行电连接;将由酚醛清漆树脂制成的绝缘层插入线圈导体和引线端子之间;和通过在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层中形成的接触孔将线圈导体与引线端子相连。
(7)根据以上所述(1)至(6)的电子装置,其中用酚醛清漆树脂制成的绝缘层覆盖金属导体。
(8)一种用于制备电子装置的方法,该电子装置是由至少一部分暴露于装置表面上的绝缘层形成的,绝缘层包含至少一层由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层,在位于装置内部的金属导体上形成的由酚醛清漆树脂制成的绝缘层,且由酚醛清漆树脂制成的绝缘层一部分敞开以露出金属导体,该方法包括:
将由酚醛清漆树脂制成的绝缘层形成一定形状,以阻止绝缘层到达装置的外周边表面的步骤,和
通过覆盖以这种形状形成的由酚醛清漆树脂制成的绝缘层,来形成由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层,作为暴露于装置表面上的绝缘层的步骤。
(9)根据上述(8)的制备电子装置的方法,其中该电子装置是薄膜磁性装置,其包括夹在两层磁性材料层之间的绝缘层,该绝缘层包括由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层,该绝缘层中埋有螺旋状的线圈导体。
(10)根据上述(9)的制备电子装置的方法,其中:
薄膜磁性装置是共式扼流线圈,和该方法包括:
在由磁性材料制成的第一磁性基底上形成第一绝缘层的步骤;
在第一绝缘层上形成第一引线端子的步骤;
使用酚醛清漆树脂构成第一绝缘层和第一引线端子上的第二绝缘层一部分和使酚醛清漆树脂制成的绝缘层以阻止绝缘层到达装置外周边表面的形状制成图案,连同接触孔露出一部分引线端子的步骤;
在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层上和接触孔中沉积金属层并形成至少一个螺旋图案的第一线圈导体的步骤;
使用聚酰亚胺树脂构成第一线圈导体上的第二绝缘层的一部分,以便覆盖装置的整个表面和在线圈导体的内部周边和外部周边上形成开口的步骤;
在由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层上形成具有至少螺旋图案的第二线圈导体的步骤;
使用酚醛清漆树脂制成由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层和第二线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使由酚醛清漆树脂制成的绝缘层以阻止绝缘层到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同接触孔露出第二线圈导体一部分的步骤;
在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层上、在接触孔中和在由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层上沉积金属层,形成第二引线端子的步骤;
使用聚酰亚胺树脂构成第二引线端子上的第二绝缘层的一部分,以便覆盖装置的整个表面,在线圈导体内部周边和外部周边上形成开口的步骤;
在至少开口处通过填充形成磁性层的步骤;
在磁性层上固定由磁性材料制成的第二磁性基底步骤;和
将端电极布置在第一和第二磁性基底的侧面,该端电极通过引线端子连接到线圈导体上的步骤;
(11)根据上述(9)制备电子装置的方法,其中:
薄膜磁性装置是共式扼流线圈;该方法包括:
在由磁性材料制成的第一磁性基底上形成第一绝缘层的步骤;
在第一绝缘层上形成较低的引线端子的步骤;
使用酚醛清漆树脂构成在第一绝缘层和较低的引线端子上的第二绝缘层的一部分和使由酚醛清漆树脂制成的绝缘层以阻止绝缘层到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同接触孔一起图案化露出引线端子一部分的步骤;
在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层上和在接触孔中沉积金属层,形成具有至少一个螺旋图案的第一线圈导体的步骤;
使用酚醛清漆树脂构成第一线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使酚醛清漆树脂以阻止所述层到达装置外部周边表面的形状形成图案的步骤;
在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层上沉积金属层并形成具有至少一个螺旋图案的第二线圈导体的步骤;
使用酚醛清漆树脂构成由酚醛清漆树脂制成的绝缘层和第二线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使酚醛清漆树脂制成的绝缘层以阻止绝缘层到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同接触孔露出第二线圈导体一部分的步骤;
在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层上和在接触孔中沉积金属层和形成连接到较低引线端子层的上部引线端子的步骤;
使用聚酰亚胺树脂构成上部引线端子上的第二绝缘层一部分,以便覆盖装置的整个表面和形成线圈导体内部周边和外部周边的开口的步骤;
在至少开口处通过填充形成磁性层的步骤;
在磁性层上安装由磁性材料制成的第二磁性基底的步骤;和
将端电极布置在第一和第二磁性基底的侧面,其中通过引线端子将端电极连接到线圈导体上的步骤。
在本发明中,在完成装置的制备后,最终成为装置表面的绝缘层的一部分由聚酰亚胺薄膜制成,因此装置在耐候性和可靠性方面均是优异的,并且使用价格低廉和加工性能方面优异的酚醛清漆树脂作为绝缘层的一部分,便于制备装置。
在需要复杂图案的区域,特别是诸如金属导体上形成的接触孔的图案化区域使用酚醛清漆树脂来防止显影失败;而且酚醛清漆树脂在重新加工性方面是优异的,因此能容易进行重新加工,而且能够提高产率。
附图简述
图1A到1K是根据本发明的第一具体实施方式用示意图形式说明制备芯片共式扼流线圈的截面流程图;
图2A到2K是根据本发明的第二具体实施方式用示意图形式说明制备芯片共式扼流线圈的截面流程图;
图3是图2A到2K的芯片共式扼流线圈的分解倾斜透视图;和
图4是显示完成的芯片共式扼流线圈的倾斜透视图。
具体实施方式
本发明中使用的酚醛清漆树脂具代表性的是由酚类化合物和甲醛缩合获得的树脂,具体地说,是指将各种取代基引入酚部分的树脂。在本发明中,优选使用易于形成图案的光敏酚醛清漆抗蚀剂。
本发明中使用的聚酰亚胺树脂是通过热固化聚酰亚胺前体(聚酰胺酸)形成聚酰亚胺环获得的物质,和多种包括非光敏聚酰亚胺、带有引入其中的光敏基团的光敏聚酰亚胺的聚酰亚胺树脂,和可溶性聚酰亚胺。光敏聚酰亚胺的例子包括将光敏基团酯化结合到羧基上的聚酰亚胺前体的酯键型光敏聚酰亚胺,和将光敏基团离子化偶合到羧基上的聚酰亚胺前体的离子偶合型光敏聚酰亚胺。离子耦合型光敏聚酰亚胺存在由结合铜形成的络合物会引起显影失败的问题。酯键型光敏聚酰亚胺施加大的应力,并且当其中形成厚膜时有时会产生裂缝。然而,因为利用光敏聚酰亚胺作为聚酰亚胺树脂有利于制备工艺,各种聚酰亚胺树脂的优点是能通过优化聚酰亚胺树脂与酚醛清漆树脂的组合分别显示出来。
从耐热性的角度,对于要求较高温处理诸如杂质扩散的电子装置,与本发明匹配的电子装置受到有时不能采用本发明的限制。特别当将本发明用于包括磁性材料诸如包含薄膜磁头和薄膜感应器的薄膜磁性装置的电子装置时,会获得有利结果。
现在,以下将参考共式扼流线圈作为本发明应用的薄膜磁性装置描述本发明。
图1A到1K是根据本发明的第一具体实施方式示意说明制备芯片共式扼流线圈步骤的截面流程图;在实际制备中,同时制备多个装置,但描述仅限于本发明具体实施方式中的一个装置。
如图1K所示,按照下列顺序在第一磁性基底1的主表面上整体叠层下列部件制备本具体实施方式的芯片共式扼流圈线圈:用于控制阻抗的绝缘层2,第一引线端子层3,绝缘层4,第一线圈导体层(螺旋形线圈导体图案)5,绝缘层6,第二线圈导体层(螺旋形线圈导线图案)8,绝缘层9,第二引线端子层10,绝缘层11,磁性层12和第二磁性基底13,和在其侧面提供的电极14。
第一磁性基底1和第二磁性基底13由烧结铁氧体、复合铁氧体等构成,用于控制阻抗的绝缘层2由绝缘性能优异和加工性令人满意的材料构成,诸如聚酰亚胺树脂和环氧树脂。绝缘层4和9由酚醛清漆树脂制成,和绝缘层6和11由聚酰亚胺制成。通过真空薄膜形成法(蒸发法、溅射法等)或电镀法使用金属形成第一和第二引线端子层3和10和作为螺旋形线圈导体图案5和8的第一和第二线圈导体层;从传导率和可加工性的角度上优选铜、铝等,并且可以特别优选使用铜和铜合金。在本具体实施方案中,使用铜。磁性层12是由将磁性粉末诸如铁氧体粉末混入树脂中诸如环氧树脂中的材料构成。
在芯片共式扼流圈线圈的制备中,如图1A所示,在第一磁性基底1的整个主表面上形成1到20微米厚度的由绝缘树脂制成的控制阻抗的绝缘层2。形成方法采用涂覆方法诸如旋涂法、浸渍法、喷射法或印刷法,或薄膜形成法。特别地,利用薄膜形成法可形成对于控制阻抗的绝缘层2变化范围小和精确度高的膜。因此,可以缩小阻抗的变化范围。
接着,通过真空薄膜形成法或电镀法在用于控制阻抗的绝缘层2上形成金属膜来形成具有所需图案形状的第一引线端子3。能采用的形成图案的方法的例子可以包括在已经将金属膜覆盖用于控制阻抗的绝缘层2的整个表面上之后,使用众所周知的光刻蚀法通过蚀刻形成所需图案的方法,和在用于控制阻抗的绝缘层2上形成抗蚀膜,使用众所周知的光刻蚀法形成图案,其后在图案内形成金属薄膜的加合法。
接着在第一引线端子3上形成图案状的由酚醛清漆树脂制成的绝缘层4。这一图案形成了下一步将形成的第一线圈导体5中的螺旋图案的中央部分和外部周边部分,和第一引线端子3和第一线圈导体5彼此连接(图1B)的接触孔。
接着,形成作为螺旋形线圈导体图案的第一线圈导体5(图1C)。有关的形成方法与形成第一引线端子3的相同。
接着,在整个装置的表面(图1D)形成聚酰亚胺绝缘层6,从第一线圈导体5的螺旋图案中除去中央区域和外部周边区域(未显示)的一部分,并因此形成除去树脂的区域7(图1E)。
在聚酰亚胺绝缘层6上进行图案化,形成第二线圈导体8(图1F)作为螺旋线圈导体图案。
接着,同图1B类似,以图案(图1G)形式形成由酚醛清漆树脂制成的绝缘层9,和同图1A类似,形成第二引线端子10(图1H)。
同上述的图1D和1E类似,形成和图案化聚酰亚胺绝缘层11,和通过印刷法自绝缘层11的上表面起应用含磁性粉的树脂(经固化后成为磁性层12),以将其填入到除去树脂的区域。在图11中,研磨磁性层12直到暴露出绝缘层11,但研磨方式不限于这种情况并且假如磁性层12的部分保留在绝缘层11上时它不会引起问题。
通过未显示的粘附层将第二磁性基底13结合到磁性层12和绝缘层11的上表面(图1J)。
最后,如图1K所示,将电极14形成在装置的侧面来完成共式扼流线圈。
通常,在直到图1J这些步骤中,将许多芯片形成在一个基底上,和在切割成每个均具有一个装置形状的单个芯片之后,进行图1K的步骤。
在第一具体实施方式中,由酚醛清漆树脂制成的绝缘层不暴露在装置的表面上;同样对于聚酰亚胺,仅在同金属导体分离的区域中形成包含聚酰亚胺的图案,以便不引起显影失败。
图2A到2K是根据本发明的第二具体实施方式示意说明制备芯片共式扼流线圈步骤的截面流程图。在该具体实施方案中,夹在线圈导体25和27中的绝缘层24、26和28是由酚醛清漆树脂制成的,和最终用聚酰亚胺树脂30覆盖整个装置。
图2A到2C的步骤与1A到1C的相同;标示数21表示第一磁性基底,22表示控制阻抗的绝缘层,23表示较低的引线端子层,24表示由酚醛清漆树脂制成的绝缘层,和25表示第一线圈导体。
接着,如图2D所示,将酚醛清漆树脂应用到线圈导体25上和图案化以形成绝缘层26。接着,同图2C类似,形成第二线圈导体27(图2E),在上面按所需图案(图2F)形成由酚醛清漆树脂制成的绝缘层27。如图2G所示,形成上部的引线端子层29。
接下来,如图2H所示,在基底21上表面形成聚酰亚胺绝缘层30,如图2I所示,除去线圈导体的螺旋图案中的中心区域和外部周边区域(未显示)部分,这样通过填充形成磁性层31。同上,与前面的图1J和1K类似,结合第二磁性基底32,最后根据本具体实施方式形成电极33来完成共式扼流线圈(图2J和2K)。图3显示了由第二种实施方式获得的共式扼流线圈的分解倾斜透视图,图4显示了完全的共式扼流线圈的倾斜透视图。在图3中,省略了最后形成的电极33;实际上,如图4所示,在四个位置的每一个位置都形成了电极33,以便与引线端子23和29连接;将聚酰亚胺绝缘层30暴露在没有形成电极33的底表面上。
在第二个实施方式中,在装置的中心区域形成由酚醛清漆树脂制成的绝缘层,在由酚醛清漆树脂制成的绝缘层中形成与线圈导体等电接触的接触孔,使得可以防止显影失败。用由聚酰亚胺树脂构成的绝缘层覆盖整个装置,以便获得具有优异的抗气候性和高可靠性的装置。可以通过一步形成使以填充磁性层为目的的图案,来简化制备步骤。
在上述的实施方式中,当形成接触孔等时,有时较低的导体和孔的位置会彼此偏离。当在常规情况下单独使用聚酰亚胺作为绝缘材料时,几乎不能进行重复加工和因此抛弃图案偏离的产品。然而,在本发明中,为了形成其中形成接触孔的绝缘层,使用酚醛清漆树脂,以便当产生图案偏离时,通过利用特殊的洗提液或利用等离子灰化可以容易地将形成的酚醛清漆树脂绝缘层除掉,使通过再次应用树脂形成图案变得容易进行。
下面参照实施例详细描述本发明,但是应理解的是,本发明并不仅限于这个实施例。
在下面的实施例中,基于下述方法利用聚酰亚胺树脂和酚醛清漆树脂形成绝缘层。
基于下述方法形成聚酰亚胺树脂绝缘层。
将感光性的聚酰亚胺,即PHOTONEECETM UK-5100(Toray公司制造)应用在线圈上,例如,厚度为8微米,用加热板在100℃加热10分钟以进行预热,然后冷却到室温。
通过掩模进行曝光(曝光设备:佳能股份有限公司制造的佳能PLATM;曝光波长:Hg-宽频带),将掩模图案作为潜像转移到光敏的聚酰亚胺上。在90℃用加热板加热3分钟使潜像区域交联。然后,冷却到室温。
使用含2-甲基砒咯烷酮的显影剂进行显影,使用异丙醇进行漂洗。
在氮气氛下,在400℃加热显影的图像1小时,形成固化的膜(固化后的薄膜厚度:在线圈上为4微米)。
基于下述方法形成酚醛清漆树脂绝缘层。
将酚醛清漆树脂抗蚀剂(商品名:AZ-4000系列,由Clariant Japan KK制造)应用到线圈上,例如,厚度为6微米,用加热板在120℃加热3分钟以进行预热,然后冷却到室温。
通过掩模进行曝光(曝光设备:佳能股份有限公司制造的佳能PLATM;曝光波长:Hg-宽频带),将掩模图案作为潜像转移到酚醛清漆树脂抵抗剂上。
使用由氢氧化四甲铵(TMAH)水溶液构成的显影剂进行显影,使用纯水进行漂洗。
在氮气氛下,在300℃加热显影的图像1小时,形成固化的膜(固化后的薄膜厚度:在线圈上为4微米)。
实施例1
根据图2A-2K所示的步骤,制备了一个芯片共式扼流线圈。在这个实施例中,由酚醛清漆树脂制成的绝缘层没有暴露在装置的表面上,而是由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层30暴露在装置的表面上。
比较例1
在图2A-2K所示的步骤中,绝缘层26和28由部分暴露在装置表面上的酚醛清漆树脂形成。
比较例2
根据图2A-2K所示的步骤,绝缘层30由酚醛清漆树脂制成。
比较例3
根据2A-2K所示的步骤,所有的绝缘层由聚酰亚胺树脂制成。在制备过程中,有时不能除去导体图样上的绝缘层,制备不出装置。为可靠性评价,只有装置制备成功的样品被采用。
可靠性评价
使上述实施例1和比较例1-3中获得的样品维持在85℃和相对湿度为85%的环境中1个月;之后,样品显示的线圈电阻变化1%或更大的视为差。每种条件下样品的数量设为1000,评价根据差样品的比率(%)进行。即差的份数(%)。
重复加工性
形成接触孔图样后的绝缘层通过利用特殊的剥离液或利用等离子灰化方式除去,绝缘层的除去性质通过视觉检查观察。除去性质根据除去的完全程度评价,即完全除去和不完全除去分别用好和差表示,分别示于表1中。
所得结果显示在表1中。
表1
可靠性评价(缺陷率%) | 重复加工性 | |
实施例1 | 0.0 | 好 |
比较例1 | 92.8 | 好 |
比较例2 | 98.4 | 好 |
比较例3 | 0.0 | 差 |
从表1可以看出,在比较例1和2中,酚醛清漆树脂暴露在装置表面上的每个样品,差的份数相当大,在只用了聚酰亚胺树脂的样品中,重复加工性差。
在上述具体描述的是共式扼流线圈;但是本发明适用于各种目的包括其它薄膜磁装置,更不用说具有暴露在装置表面上的有机绝缘层的芯片半导装置和印刷线路板。
Claims (11)
1、一种电子装置,其包含至少一个由有机材料形成的绝缘层和位于该装置内部的金属导体,且所述绝缘层的一部分暴露该在装置的外周边表面上,其中:
绝缘层包括由酚醛清漆树脂制成的绝缘层A和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层B;
将绝缘层A用作至少在所述金属导体上形成的绝缘层,该绝缘层A的一部分敞开以露出金属导体,且该绝缘层A形成阻止该绝缘层A到达装置的外周边表面的形状;和
绝缘层B被用作暴露在装置外周边表面上的绝缘层,其环绕在相同层水平的所述形状的绝缘层A。
2、根据权利要求1的电子装置,其中:
该电子装置是薄膜磁性装置,其包含在所述绝缘层外部的两层由磁性材料制成的基底,以及作为金属导体的螺旋状的线圈导体。
3、根据权利要求2的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是薄膜感应器。
4、根据权利要求2的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是薄膜磁头。
5、根据权利要求2的电子装置,其中所述薄膜磁性装置是共式扼流线圈,包括:
由磁性材料制成的第一磁性基底;
在第一磁性基底上形成的第一绝缘层;
在第一绝缘层上形成的第二绝缘层;
埋入第二绝缘层的线圈导体;
在线圈导体的内部周边和外部周边上的绝缘层中形成的开口;
在至少开口处通过填充形成的磁性层;
固定在磁性层上由磁性材料制成的第二磁性基底;
连接到线圈导体终端和被布置跨越第一和第二磁性基底的侧面的端电极;其中至少第二绝缘层包括所述绝缘层A和B。
6、根据权利要求5的电子装置,其中至少在线圈导体上层或下层的任何一层上提供引线端子,用于线圈导体与端电极进行电连接;将绝缘层A插入线圈导体和引线端子之间;和
通过在绝缘层A中形成的接触孔将线圈导体与引线端子相连。
7、根据权利要求1的电子装置,其中用绝缘层A覆盖金属导体,除了暴露所述金属导体的部分之外。
8、一种用于制备电子装置的方法,该电子装置包含至少一个由有机材料形成的绝缘层和位于该装置内部的金属导体,且所述绝缘层的一部分暴露该在装置的外周边表面上,所述绝缘层包含至少一层由酚醛清漆树脂制成的绝缘层A和由聚酰亚胺树脂制成的绝缘层B,该方法包括:
在金属导体上形成绝缘层A,通过除去绝缘层A的一部分形成暴露所述金属导体的开口,将所述绝缘层A成形为一定形状,以阻止绝缘层A到达装置的外周边表面的步骤,和
通过覆盖以这种形状形成的绝缘层A,来形成绝缘层B,作为暴露于装置表面上的绝缘层的步骤。
9、根据权利要求8的制备电子装置的方法,其中该电子装置是薄膜磁性装置,且该方法进一步包括形成在所述绝缘层外部的两层由磁性材料制成的基底,并形成作为金属导体的螺旋状的线圈导体。
10、根据权利要求9的制备电子装置的方法,其中:
薄膜磁性装置是共式扼流线圈,和该方法包括:
在由磁性材料制成的第一磁性基底上形成第一绝缘层的步骤;
在第一绝缘层上形成第一引线端子的步骤;
使用第一酚醛清漆树脂构成在第一绝缘层和第一引线端子之上的第二绝缘层的一部分和使该第一酚醛清漆树脂以阻止该第一酚醛清漆树脂到达装置外周边表面的形状制成图案,连同第一接触孔露出一部分引线端子,以形成由所述第一酚醛清漆树脂制成的绝缘层A1的步骤;
在绝缘层A1上和所述第一接触孔中沉积金属层并形成至少一个螺旋图案的第一线圈导体的步骤;
使用第一聚酰亚胺树脂构成在第一线圈导体上的第二绝缘层的一部分,以便覆盖装置的整个表面以形成绝缘层B1,和在线圈导体的内部周边和外部周边上在所述绝缘层B1中形成开口的步骤;
在绝缘层B1上形成具有至少螺旋图案的第二线圈导体的步骤;
使用第二酚醛清漆树脂构成在绝缘层B1和第二线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使第二酚醛清漆树脂以阻止该第二酚醛清漆树脂到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同第二接触孔露出第二线圈导体一部分,以形成由所述第二酚醛清漆树脂制成的绝缘层A2的步骤;
在绝缘层A2上、在第二接触孔中和在绝缘层B1上沉积金属层并形成第二引线端子的步骤;
使用第二聚酰亚胺树脂构成在第二引线端子上的第二绝缘层的一部分,以便覆盖装置的整个表面以形成绝缘层B2,在第二线圈导体内部周边和外部周边上在所述绝缘层B2中形成与所述第一开口有连接的第二开口的步骤;
在至少所述第一和第二开口处通过填充形成磁性层的步骤;
在磁性层上固定由磁性材料制成的第二磁性基底步骤;和
将端电极布置在第一和第二磁性基底的侧面,该端电极通过相对的第一或第二引线端子连接到线圈导体上的步骤;
11、根据权利要求9的制备电子装置的方法,其中:
薄膜磁性装置是共式扼流线圈;该方法包括:
在由磁性材料制成的第一磁性基底上形成第一绝缘层的步骤;
在第一绝缘层上形成较低的引线端子的步骤;
使用第一酚醛清漆树脂构成在第一绝缘层和较低的引线端子上的第二绝缘层的一部分和使该第一酚醛清漆树脂以阻止该第一酚醛清漆树脂到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同第一接触孔一起图案化露出较低的引线端子一部分,以形成由所述第一酚醛清漆树脂制成的绝缘层A1的步骤;
在绝缘层A1上和在所述第一接触孔中沉积金属层,形成具有至少一个螺旋图案的第一线圈导体的步骤;
使用第二酚醛清漆树脂构成在第一线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使该第二酚醛清漆树脂以阻止该第二酚醛清漆树脂到达装置外部周边表面的形状形成图案,以形成由所述第二酚醛清漆树脂制成的绝缘层A2的步骤;
在绝缘层A2上沉积金属层并形成具有至少一个螺旋图案的第二线圈导体的步骤;
使用第三酚醛清漆树脂构成在绝缘层A2和第二线圈导体上的第二绝缘层的一部分和使该第三酚醛清漆树脂以阻止该第三酚醛清漆树脂到达装置外部周边表面的形状形成图案,连同第二接触孔露出第二线圈导体一部分,以形成由所述第三酚醛清漆树脂制成的绝缘层A3的步骤;
在绝缘层A3上和在所述第二接触孔中沉积金属层和形成连接到较低引线端子层的上部引线端子的步骤;
使用聚酰亚胺树脂构成上部引线端子上的第二绝缘层一部分,以便覆盖装置的整个表面而形成绝缘层B和形成线圈导体内部周边和外部周边上在所述绝缘层B2中的开口的步骤;
在至少开口处通过填充形成磁性层的步骤;
在磁性层上安装由磁性材料制成的第二磁性基底的步骤;和
将端电极布置在第一和第二磁性基底的侧面,其中通过相对的较低和上部引线端子将端电极连接到所述第一和第二线圈导体上的步骤。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004286887 | 2004-09-30 | ||
JP2004286887A JP4317107B2 (ja) | 2004-09-30 | 2004-09-30 | 有機材料系絶縁層を有する電子素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1783366A CN1783366A (zh) | 2006-06-07 |
CN100557727C true CN100557727C (zh) | 2009-11-04 |
Family
ID=36099790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005101315048A Expired - Fee Related CN100557727C (zh) | 2004-09-30 | 2005-09-30 | 具有基于有机材料的绝缘层的电子装置及其制备方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7477127B2 (zh) |
JP (1) | JP4317107B2 (zh) |
CN (1) | CN100557727C (zh) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI362047B (en) * | 2007-09-28 | 2012-04-11 | Cyntec Co Ltd | Inductor and manufacture method thereof |
US8999807B2 (en) * | 2010-05-27 | 2015-04-07 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method for manufacturing a semiconductor component that includes a common mode choke and structure |
US8766401B2 (en) | 2010-10-01 | 2014-07-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of manufacturing a semiconductor component and structure |
US8601673B2 (en) * | 2010-11-25 | 2013-12-10 | Cyntec Co., Ltd. | Method of producing an inductor with a high inductance |
KR101862409B1 (ko) * | 2011-12-22 | 2018-07-05 | 삼성전기주식회사 | 칩 인덕터 및 칩 인덕터 제조방법 |
KR20140011693A (ko) * | 2012-07-18 | 2014-01-29 | 삼성전기주식회사 | 파워 인덕터용 자성체 모듈, 파워 인덕터 및 그 제조 방법 |
KR101771732B1 (ko) * | 2012-08-29 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 코일부품 및 이의 제조 방법 |
CN108807208B (zh) * | 2013-03-25 | 2023-06-23 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
US20140292460A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Inductor and method for manufacturing the same |
US9209132B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-12-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
US9431385B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-08-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component that includes a common mode filter and method of manufacturing the semiconductor component |
US9111758B2 (en) | 2013-08-09 | 2015-08-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method of manufacture |
JP6064854B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-01-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
KR101983152B1 (ko) * | 2013-10-16 | 2019-05-28 | 삼성전기주식회사 | 공통 모드 필터 |
KR20160024262A (ko) * | 2014-08-25 | 2016-03-04 | 삼성전기주식회사 | 공통 모드 필터 및 그 제조 방법 |
JP6535450B2 (ja) * | 2014-10-14 | 2019-06-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
KR102217286B1 (ko) * | 2015-04-01 | 2021-02-19 | 삼성전기주식회사 | 하이브리드 인덕터 및 그 제조방법 |
JP6507027B2 (ja) | 2015-05-19 | 2019-04-24 | 新光電気工業株式会社 | インダクタ及びその製造方法 |
JP6690386B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2020-04-28 | Tdk株式会社 | コイル部品及び電源回路ユニット |
US11239019B2 (en) | 2017-03-23 | 2022-02-01 | Tdk Corporation | Coil component and method of manufacturing coil component |
JP2019179907A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Tdk株式会社 | コイルユニット、ワイヤレス送電装置、ワイヤレス受電装置及びワイヤレス電力伝送システム |
JP7084504B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-06-14 | コナ アイ カンパニー リミテッド | メタルカードの製造方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05290325A (ja) | 1992-04-06 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JPH07296329A (ja) | 1994-04-26 | 1995-11-10 | Sony Corp | 薄膜磁気ヘッド |
JP2000114045A (ja) | 1998-10-02 | 2000-04-21 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜インダクタ及び薄膜インダクタの製造方法 |
JP2000114041A (ja) | 1998-10-09 | 2000-04-21 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜積層体、薄膜積層体の製造方法、並びにこの薄膜積層体を用いた薄膜トランス、薄膜インダクタ、および薄膜磁気ヘッド |
JP2000150238A (ja) | 1998-11-13 | 2000-05-30 | Alps Electric Co Ltd | 平面型磁気素子及び平面型磁気素子の製造方法 |
JP2000294443A (ja) | 1999-04-01 | 2000-10-20 | Tdk Corp | 薄膜デバイスの製造方法及び薄膜デバイス |
JP2000306215A (ja) | 1999-04-16 | 2000-11-02 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド及びこれを用いた磁気ディスク装置 |
JP2000322709A (ja) * | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜素子およびその製造方法 |
JP3363832B2 (ja) * | 1999-05-13 | 2003-01-08 | アルプス電気株式会社 | 薄膜構造体およびその製造方法 |
JP2002123910A (ja) | 2000-10-16 | 2002-04-26 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
JP3724405B2 (ja) * | 2001-10-23 | 2005-12-07 | 株式会社村田製作所 | コモンモードチョークコイル |
JP2003289231A (ja) | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Yamaha Corp | 薄膜ノイズフィルタおよびその製造方法 |
EP1580235A4 (en) | 2002-12-27 | 2007-05-30 | Tdk Corp | RESIN COMPOSITION, CURED RESIN, CURED RESIN SHEET, LAMINATE, PREIMPREGNE, ELECTRONIC COMPONENT, AND MULTILAYER SUBSTRATE |
JP2004221572A (ja) | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Tdk Corp | 電子部品及び多層基板 |
JP4524774B2 (ja) * | 2003-06-13 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7145427B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-12-05 | Tdk Corporation | Coil component and method of manufacturing the same |
JP4600638B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-12-15 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
JP2005109082A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | コイル部品 |
JP2005150329A (ja) | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Canon Inc | 配線構造及びその作製方法 |
JP4339777B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2009-10-07 | Tdk株式会社 | コモンモードチョークコイル |
-
2004
- 2004-09-30 JP JP2004286887A patent/JP4317107B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-09-29 US US11/237,982 patent/US7477127B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-30 CN CNB2005101315048A patent/CN100557727C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1783366A (zh) | 2006-06-07 |
JP4317107B2 (ja) | 2009-08-19 |
US20060068602A1 (en) | 2006-03-30 |
US7477127B2 (en) | 2009-01-13 |
JP2006100685A (ja) | 2006-04-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100557727C (zh) | 具有基于有机材料的绝缘层的电子装置及其制备方法 | |
JP4404088B2 (ja) | コイル部品 | |
CN101202152B (zh) | 线圈部件 | |
US7145427B2 (en) | Coil component and method of manufacturing the same | |
CN102646628B (zh) | 用于制造半导体装置的方法 | |
CN100538925C (zh) | 薄膜共模滤波器和薄膜共模滤波器阵列 | |
TW200921876A (en) | Method for making copper-core layer multi-layer encapsulation substrate | |
JP2773366B2 (ja) | 多層配線基板の形成方法 | |
CN101276673B (zh) | 线圈元件 | |
KR20010050609A (ko) | 박형 집적 레지스터/캐패시터/인덕터 패캐이지 및 제조방법 | |
JP4238097B2 (ja) | コイル部品の製造方法 | |
US9173291B2 (en) | Circuit board and method for manufacturing the same | |
US20170133145A1 (en) | Coil component and method of manufacturing the same | |
JP2006313946A (ja) | 薄膜型コモンモードチョークコイル及びコモンモードチョークコイルアレイ | |
US6629366B1 (en) | Method of producing a multilayer wiring board | |
CN101683003B (zh) | 薄膜陶瓷多层衬底的制造方法 | |
US7390742B2 (en) | Method for producing a rewiring printed circuit board | |
CN103117267B (zh) | 用于电隔离的信号传输的半导体装置以及用于制造此类装置的方法 | |
TWI236320B (en) | Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multilayer wiring board and sheet having foreign portion | |
JPH08250858A (ja) | 回路基板 | |
US20240186056A1 (en) | Coil component and manufacturing method therefor | |
JP2005079323A (ja) | コイル部品及びその製造方法 | |
KR20050079552A (ko) | 박막 저항기 제조 방법 | |
CN118475215A (zh) | 半导体器件的制作方法、半导体器件及mram底电极 | |
JPS6146973B2 (zh) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20091104 Termination date: 20150930 |
|
EXPY | Termination of patent right or utility model |