CN100438124C - 具有有机-金属混合层的显示器件 - Google Patents

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CN100438124C CNB028287045A CN02828704A CN100438124C CN 100438124 C CN100438124 C CN 100438124C CN B028287045 A CNB028287045 A CN B028287045A CN 02828704 A CN02828704 A CN 02828704A CN 100438124 C CN100438124 C CN 100438124C
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Abstract

一种显示器件(10),由(a)一个阴极、(b)一个阳极(30)、(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域(40)和一个紧邻该电极之一的可选区域组成,其中该阴极、该阳极、该发光区域和该可选区域中至少一个包括一种金属-有机混合层,该混合层由(i)一种含有无机金属的材料,(ii)一种有机材料,和(iii)可选地,至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份组成。

Description

具有有机-金属混合层的显示器件
有机发光器件(OLEDs)代表了一种用于显示应用的有前景的技术。典型的有机发光器件包括一个第一电极、一个包括一种或多种电致发光有机材料的发光区域、和一个第二电极;其中该第一电极和该第二电极中的至少一种作为空穴注入阳极,且另外一个电极作为电子注入阴极;且其中该第一电极和该第二电极中的至少一种为前电极,且另外一个电极为后电极。该前电极为透明的(或至少部分透明的),同时该后电极通常对光线具有高反射。当沿该第一和第二电极施用电压时,从该发光区域发射光线,并通过该透明前电极。当在高环境照明下观察时,该反射后电极反射大量的该环境照明到观察者,其导致与器件自身发射比较更高比例的反射照明,导致该显示图像的“冲失”。
通常为了改进电致发光显示器的对比度,如在美国专利US 4,287,449中描述的吸光层、或如在美国专利US 5,049,780中描述的光学干涉部件,已经被用于降低该环境照明反射。
公知的有机发光器件的另一问题,起源于在该阴极中使用具有低功函且因此高反应性的金属。由于它们的高反应性,这样的阴极材料在环境条件下是不稳定的,并与大气的O2和水反应,形成非发射性黑点。例如参见Burrows等“Reliability and Degradation of OrganicLight Emitting Devices,”Appl.Phys.Lett.Vol.65,pp.2922-2924(1994)。为了降低这样的环境影响,典型地将有机发光器件,在装配之后立即地,在严格的条件例如如低于10ppm的湿度气氛下密封。
这样,存在本发明致力于避免或最小化许多上述问题的新显示器件的需要。特别地,如在此描述,本显示器件在实施方式中提供了一种降低的光反射。
与本发明可能相关的其它文献包括如下:
Liang-Sun Hung等,″Reduction of Ambient Light Reflectionin Organic Light-Emitting Diodes,″Advanced Materials Vol.13,pp.1787-1790(2001);
Liang-Sun Hung等,美国申请序号09/577,092(申请日2000.05.24);
EP1160890A2(要求基于上述美国申请序号09/577,092的优先权);
日本公开专利文献No.8-222374(公开日8/30/1996);
O.Renault等,″A low reflectivity multilayer cathode fororganic light-emitting diodes,″Thin Solid Films,Vol.379,pp.195-198(2000);
WO 01/08240A1;
WO 01/06816A1;
David Johnson等,技术文件33.3,“Contrast Enhancement ofOLED Displays,”http://www.luxell.com/pdfs/OLED_tech_ppr.pdf,pp.1-3(2001.04);
Junji Kido等,″Bright organic electroluminescent deviceshaving a metal-doped electron-injecting layer,″AppliedPhysics Letters Vol.73,pp.2866-2868(1998);
Jae-GyoungLee等,″Mixing effect of chelate complex andmetal in organic light-emitting diodes,″Applied PhysicsLetters Vol.72,pp.1757-1759(1998);
Jingsong Huang等,″Low-voltage organic electroluminescentdevices using pin structures,″Applied Physics Letters Vol.80,pp.139-141(2002);
L.S.Hung等,″Sputter deposition of cathodes in organiclight emitting diodes,″Applied Physics Letters,Vol.86,pp.4607-4612(1999);
EP 0 977 287 A2;
EP 0 977 288 A2;
Hany Aziz等,美国申请序号09/935,031(Attorney Docket No.D/A 0888),申请日2001.08.22。
与本申请可能相关其它文献以同系列的美国申请序号09/800,716(申请日2001.03.08)提交,这样的其它文献是:
美国专利4,885,211;
美国专利5,247,190;
美国专利4,539,507;
美国专利5,151,629;
美国专利5,150,006;
美国专利5,141,671;
美国专利5,846,666;
美国专利5,516,577;
美国专利6,057,048
美国专利5,227,252;
美国专利5,276,381;
美国专利5,593,788;
美国专利3,172,862;
美国专利4,356,429;
美国专利5,601,903;
美国专利5,935,720;
美国专利5,728,801;
美国专利5,942,340;
美国专利5,952,115;
美国专利4,720,432;
美国专利4,769,292;
美国专利6,130,001;
Bernius等,″developmental progress of electroluminescentpolymeric materials and devices,″SPIE Conference on OrganicLight  Emitting Materials  and Devices III,Denver,Colorado,July 1999,SPIE,Vol.3797,pp.129-137;
Baldo等,″highly efficient organic phosphorescentemission from organic electroluminescent devices,″Nature Vol.395,pp.151-154(1998);
Kido等,″white light emitting organic electroluminescentdevice using lanthanide complexes,″Jpn.J.Appl.Phys.Vol.35,pp.L394-L396(1996);
在实施方式中,实现本发明通过提供一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;
其中该阴极、该阳极和该发光区域中至少一个包括一种二元的金属-有机混合层,其由下述组成:
(i)一种含有单一无机金属的材料,其中含有该无机金属的材
料的金属选自由Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Se和Te组成的组,
(ii)一种单一有机材料。
在实施方式中也提供了一种显示器件,其包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;和
(d)一个紧邻选自由该阴极和该阳极组成的组的电极的区域,其中该区域包括一个金属~有机混合层,该混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,
(ii)一种有机材料,和
(iii)可选地,至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
在本发明进一步的实施方式中,提供了一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;
其中,该该阴极、该阳极和该发光区域中至少一个包括一种金属-有机混合层,该混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,
(ii)一种有机材料,和
(iii)至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
仍在其它实施方式中,提供了一种电致发光器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;
其中该阴极包括一种金属-有机混合层,该混合层包括:
(i)一种金属,
(ii)一种有机材料,和
(iii)至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
图1阐明了一种包括一个阴极的有机发光器件,依据本发明的一种实施方式;
图2阐明了一种包括一个阴极的有机发光器件,依据本发明的另一种实施方式;
图3阐明了一种类似于图1中所示有机发光器件的有机发光器件,包括一个包含一个空穴传输区和一个电子传输区的发光区域;
图4阐明了一种包括一个传统阴极结构的有机发光器件;
图5阐明了一种包括一个依据本发明的阴极的实施方式的有机发光器件;
图6A显示,在器件装配之后,包括一个传统阴极的有机发光器件的发光区域;
图6B显示,在将该器件保存在环境条件下48小时之后,图6A中有机发光器件的发光区域;
图7A显示,在器件装配之后,包括一个依据本发明的阴极的有机发光器件的发光区域;
图7B显示,在将该器件保存在环境条件下48小时之后,图7A中有机发光器件的发光区域;
图8显示对于传统有机发光器件和依据本发明的有机发光器件来说,%反射对波长的图表;
图9显示对于依据本发明的有机发光器件来说,在不同视角下的%反射对波长的图表;
图10显示对于依据本发明具有不同金属-有机混合层组份的有机发光器件来说,%反射对波长的图表;
图11显示对于传统有机发光器件和依据本发明的有机发光器件来说,%反射对波长的图表;
图12阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中单一层电极结合MOML;
图13阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中电极包括MOML和一个封端区域;
图14阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中电极包括一个电荷注入区域和MOML;
图15阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中电极包括一个电荷注入区域、MOML和一个封端区域;
图16阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中该发光区域包括MOML;和
图17阐明了本发明显示器件的一种实施方式,其中该MOML位于一个并不认为是该紧邻电极部件的区域。
除非另外指出,在不同图表中的相同参考数字表示相同或类似特征。
本发明在实施方式中提供用于电致发光器件的阴极。本发明在实施方式中也提供包括该阴极的电致发光器件。本发明在实施方式中也提供用于形成该阴极的方法。
依据本发明实施方式的阴极,可以用于在电致发光器件,且更特别地在有机电致发光器件(即“有机发光器件”或OLEDs)中的例子。该阴极可以提供包括降低的光发射和因此改进的对比度的优点。该阴极也可以提供降低的黑点生成率。黑点来源于有机发光器件暴露于环境条件下。
在图1中显示了一种有机发光器件10,其包括一个依据本发明的阴极的一种示意性实施方式。该有机发光器件10在一种基体20上形成。该基体20在底部只是示意性地示出。本领域一般技术人员将理解,该有机发光器件10,以及依据本发明下面描述的其它有机发光器件,可以和具有与该有机发光器件相关的任意其它合适位置的基体一起使用。该有机发光器件10包括一个阳极30;一个在该阴极30之上包括一种有机发光材料的发光区域40;和在该发光区域40之上的该阴极50。
该阴极50包括一个金属-有机混合层(MOML)。该金属-有机混合层包括至少两种组份,特别地至少三种组份;即(i)至少一种含有无机金属材料第一组份,(ii)至少一种有机材料第二组份,和可选地(iii)至少一种第三组份,其可以选自金属、有机材料和/或无机材料。
在一些实施方式中,该阴极50可以基本上由该金属-有机混合层组成。在这样的实施方式中,该金属-有机混合层可以包括该组份(i)、(ii)和(iii),或其可以基本上由这些组份组成。
图2显示了一种包括阴极150的有机发光器件110,依据本发明的另一种实施方式。该阴极150除了该金属-有机混合层之外,还包括一种或多种可选层。例如,该阴极可以包括一个、两个、三个或更多个这样的可选附加层。该有机发光器件110在一种基体120上显示。该有机发光器件110包括一个阳极130;一个该阳极130之上的发光区域140;和该发光区域140之上的该阴极150。在这种示意性的实施方式中,该阴极150包括一种金属-阴极混合层和两种形成于该金属-有机混合层160之上的附加层170和180。
该金属-有机混合层160包括至少三种组份;即,(i)至少一种含无机金属的材料第一组份,(ii)至少一种有机材料第二组份,和(iii)至少一种第三组份,其可以选自金属、有机材料和/或无机材料。
在一些实施方式中,该金属-有机混合层可以基本上由该组份(i)、(ii)和(iii)组成。
在包括一种或多种这样的附加层的阴极,如阴极150的实施方式中,该金属-有机混合层160作为一种电子注入接点。形成该金属-有机混合层160,以接触有机发光器件的发光区域140。
在依据本发明的阴极的实施方式中,该金属-有机混合层可以包括具有功函低于约4eV的金属。
在该阴极的这样实施方式中,该阴极的一种或多种附加层可以包括至少一种金属和/或至少一种无机材料。可以被用于该附加层的合适示意性金属包括,但是并不限定于,Mg、Ag、Al、In、Ca、Sr、Au、Li、Cr和它们的混合物。可以被用于该附加层的合适示意性无机材料包括,但是并不限定于,SiO、SiO2、LiF、MgF2和它们的混合物。例如,在图2中所示的阴极150中,该层170可以包括Mg:Ag、Mg、Ag、Al、In、Ca、Sr、Au、Li、Cr、SiO或SiO2,且该层180可以包括Ag、Al、In、SiO或SiO2
该一种或多种附加层可以相互之间具有相同或不同的功能。例如,该阴极的一种或多种附加层可以包括,或可以基本上组成为,一种用于形成具有低薄膜电阻(如<10Ω/平方)导电层的金属。另外,该阴极的一种或多种附加层可以通过形成一种保护或至少降低环境湿度对MOML、发光区域和阳极的渗透的保护层,保护该金属-有机混合层免受环境的影响。而且,该阴极的一种或多种附加层可以作为一种热保护层,以提供保护免于在升高温度下的器件收缩。例如,可以提供在温度范围为约60℃~约110℃下的保护,如在美国申请第09/770,154、申请日为2001.02.26中更详细地讨论,其通过参考在此全部引入。
依据本发明的该阴极的一些实施方式包括一种金属-有机混合层,其包括至少一种附加的金属组份。也就是,该金属-有机混合层的第三组份为至少一种金属。这样的阴极的示意性优选实施方式包括一种含有(1)Ag、(2)三(8-羟基喹啉酸)铝盐(AlQ3)、和(3)Mg的金属-有机混合层。但是,在这样的实施方式中,该第三组份可以是任意合适的一种或多种金属,且并不限定于Mg。
在依据本发明的阴极的一些实施方式中,Ag是必须的,以获得期望的对比度效果。
在依据本发明的阴极和阳极中,该金属-有机混合层的厚度和该金属-有机混合层组份的混合比例二者都可以选择,以获得期望的阴极和阳极性能;即,增加的对比度和降低的黑点生成。
在实施方式中,该金属-有机混合层(MOML)的厚度可以例如为约50nm~约1,000nm,且特别地为约100nm~约600nm。
该金属-有机混合层不同组份的混合比例的一定范围,是最有效地获得在该发光区域中黑点生成的降低率,和/或达到在该有机发光器件中改进的对比度所需的该金属-有机混合层所期望的光反射降低性能。该混合比例的优选范围取决于形成该金属-有机混合层的所选组份。
例如,在由AlQ3+Mg+Ag形成的金属-有机混合层中,该金属-有机混合层的组份混合比例可以为约20体积%~约80体积%的AlQ3、约80体积%~约20体积%的Mg、和约1体积%~约20体积%的Ag。该组份的一个示例性范围为约30体积%~约50体积%的AlQ3、约30体积%~约50体积%的Mg、和约2体积%~约10体积%的Ag。一种示意性的优选金属-有机混合层组合物包括约74.4体积%的AlQ3、约47.4体积%的Mg和约5.2体积%的Ag。
在依据本发明的MOML的其它实施方式中,AlQ3可以为其它合适的8-羟基喹啉金属复合物替代。
依据本发明的金属-有机混合层的厚度也可以控制,以获得所期望的效果。例如,在包括AlQ3+Mg+Ag的金属-有机混合层中,该金属-有机混合层的示例性厚度范围为约80nm~约300nm。
依据本发明的示意性金属-有机混合层包括AlQ3+Mg+Ag,各自比例为约74.4体积%的AlQ 3:约47.4体积%的Mg:约5.2体积%的Ag。具有这种组合的金属-有机混合层的示例性厚度为约150nm。
该金属-有机混合层可以通过任意合适的方法形成。例如,该金属-有机混合层可以通过热沉积形成。如上所述,该金属-有机混合层包括至少两种组份,特别地至少三种组份。在实施方式中,该至少两种组份可以被共蒸发。可以单独控制每种材料组份的沉积速度,以在该金属-有机混合层中获得所期望的组份混合比例。
在该有机光发光器件10、110中,该阳极30、130分别可以包括合适的正电荷注入电极,如铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物、金和铂。用于形成该阳极的其它合适材料包括,但是并不限定于,电导性碳、π-共轭聚合物如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等等,其具有例如等于或大于约4eV的功函,且优选为约4eV-约6eV。
该阳极30、130可以具有任意合适的形态。可以将薄导电层涂附于光可传导的基体上,例如一种透明的或基本透明的玻璃板材或塑料膜。有机发光器件的实施方式可以包括一种由玻璃上涂附锡氧化物或铟锡氧化物形成的光可传导的阳极。而且,可以被使用的很薄的光透明性金属阳极具有厚度例如为小于约200,且优选地为约75~约150
Figure C0282870400123
。这些薄阳极可以包括金属如金、铂等等。另外,导电碳或共轭聚合物如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯等等的透明或半透明薄层,可以被用于形成阳极。这些薄层可以具有厚度例如为50
Figure C0282870400124
~约175
Figure C0282870400125
。该阳极30、130的附加合适形态公开于美国专利4,885,211,其通过参考在此全部引入。
该阳极30、130的厚度可以范围为约1nm~约5000nm。该阳极的优选厚度范围依赖于该阳极材料的光学常数。该阳极的一种优选厚度范围为约30nm~约300nm。虽然很少地被优选,该范围之外的厚度也可以被使用。
本显示器件的发光区域在实施方式中包括至少一种电致发光有机材料。合适的有机电致发光材料包括,例如聚亚苯基亚乙烯基类,如聚(对-亚苯基亚乙烯基)PPV、聚(2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)1,4-亚苯基亚乙烯基)MEHPPV、和聚(2,5-二烷氧基亚苯基亚乙烯基)PDMeOPV,和公开于美国专利5,247,190中的其它材料,其通过参考在此全部引入;聚亚苯基类,如聚(对-亚苯基)PPP、梯形-聚-对-亚苯基(LPPP)、和聚(四氢化芘)PTHP;和聚芴类,如聚(9,9-二-正辛基芴-2,7-二基)、聚(2,8-(6,7,12,12-四烷基茚并芴)、和含芴的共聚物如芴-胺共聚物(参看如Bernius等,″Developmental Progressof Electroluminescent Polymeric Materials and Devices,″Proceedings of SPIE Conference on Organic Light EmittingMaterials and Devices III,Denver,Colorado,July 1999,Volume3797,p.129)。
可以被用于该发光区域的另外一类的有机电致发光材料包括,但并不限定于,如公开于美国专利4,539,507、5,151,629、5,150,006、5,141,671和5,846,666中的金属羟喹啉酸化合物,其每篇文献通过参考在此全部引入。示例性的例子包括三(8-羟基喹啉酸)铝盐(AlQ3),其为一种优选的例子;和二(8-羟基喹啉酸)-(4-苯并苯酚)铝盐(BAlq),其为另外一种优选的例子。这类材料的其它例子包括三(8-羟基喹啉酸)镓盐、二(8-羟基喹啉酸)镁盐、二(8-羟基喹啉酸)锌盐、三(5-甲基-8-羟基喹啉酸)铝盐、三(7-丙基-8-羟基喹啉酸)铝盐、二[苯并{f}-8-喹啉酸]锌盐、二(10-羟基苯并[h]喹啉酸)铍盐、等等,和公开于美国专利5,846,666(其通过参考在此全部引入)中的金属硫代羟喹啉酸化合物,如金属硫代羟喹啉酸化合物;二(8-喹啉硫羟酸)锌盐、二(8-喹啉硫羟酸)镉盐、三(8-喹啉硫羟酸)镓盐、三(8-喹啉硫羟酸)铟盐、二(5-甲基喹啉硫羟酸)锌盐、三(5-甲基喹啉硫羟酸)镓盐、三(5-甲基喹啉硫羟酸)铟盐、二(5-甲基喹啉硫羟酸)镉盐、二(3-甲基喹啉硫羟酸)镉盐、二(5-甲基喹啉硫羟酸)锌盐、二[苯并{f}-8-喹啉硫羟酸]锌盐、二[3-甲基苯并{f)-8-喹啉硫羟酸]锌盐、二[3,7-二甲基苯并{f}-8-喹啉硫羟酸]锌盐等等。优选材料为二(8-羟基喹啉酸)锌盐、二(8-喹啉硫羟酸)镉盐、三(8-喹啉硫羟酸)镓盐、三(8-喹啉硫羟酸)铟盐和二[苯并{f}-8-喹啉酸]锌盐。
更特别地,可以用于该发光区域的一类有机电致发光材料包括均二苯乙烯衍生物,如公开于美国专利5,516,577中的那些,其通过参考在此全部引入。一种优选的均二苯乙烯衍生物为4,4’-二(2,2-二苯基乙烯基)联苯。
适用于在该发光区域中应用的另外一类合适的有机电致发光材料为公开于美国申请No.08/829,398中的噁二唑金属螯合物,其通过参考在此全部引入。这些材料包括二[2-(2-羟基苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]铍、二[2-(2-羟基苯基)-5-(1-萘基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-(1-萘基)-1,3,4-噁二唑]铍、二[5-联苯基-2-(2-羟基苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[5-联苯基-2-(2-羟基苯基)-1,3,4-噁二唑]铍、二(2-羟基苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]锂、二[2-(2-羟基苯基)-5-对-甲苯基-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-对-甲苯基-1,3,4-噁二唑]铍、二[5-(对-叔-丁基苯基)-2-(2-羟基苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[5-(对-叔-丁基苯基)-2-(2-羟基苯基)-1,3,4-噁二唑]铍、二[2-(2-羟基苯基)-5-(3-氟代苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-(4-氟代苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-(4-氟代苯基)-1,3,4-噁二唑]铍、二[5-(4-氯代苯基)-2-(2-羟基苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-(4-甲氧基苯基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基-4-甲基苯基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-α-(2-羟基萘基)-5-苯基-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-对-吡啶基-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-对-吡啶基-1,3,4-噁二唑]铍、二[2-(2-羟基苯基)-5-(2-苯硫基)-1,3,4-噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-苯基-1,3,4-硫代噁二唑]锌、二[2-(2-羟基苯基)-5-苯基-1,3,4-硫代噁二唑]铍、二[2-(2-羟基苯基)-5-(1-萘基)-1,3,4-硫代噁二唑]锌、和二[2-(2-羟基苯基)-5-(1-萘基)-1,3,4-硫代噁二唑]铍等等;和三嗪,包括公开于美国申请No.09/489,144、申请日为2000.02.21和美国专利6,057,048中的那些,其每篇文献在此全部引入。
该发光区域可以进一步包括约0.01重量份~约25重量份的作为掺杂剂的一种发光材料,可以在该发光区域中应用的掺杂材料例子为荧光材料,例如如香豆素、二腈基甲基吡喃、聚甲炔、氧杂苯并蒽、呫吨、吡喃鎓、喹诺酮、苝等等。另一种优选类别的荧光材料为喹吖二酮染料。喹吖二酮染料的示例性例子包括喹吖二酮、2-甲基喹吖二酮、2,9-二甲基喹吖二酮、2-氯喹吖二酮、2-氟喹吖二酮、1,2-苯并喹吖二酮、N,N’-二甲基喹吖二酮、N,N’-二甲基-2-甲基喹吖二酮、N,N’-二甲基-2,9-二甲基喹吖二酮、N,N’-二甲基-2-氯喹吖二酮、N,N’-二甲基-2-氟喹吖二酮、N,N’-二甲基-1,2-苯并喹吖二酮、等等,如公开于美国专利5,227,252、5,276,381和5,593,788中的那些,其每篇文献在此全部引入。可以使用的另一类荧光材料为熔融环荧光染料。示意性的合适熔融环荧光染料包括苝、红荧烯、蒽、蔻、菲、芘等等,如公开于美国专利3,172,862,其通过参考在此全部引入。而且,荧光材料包括丁二烯类,如1,4-二苯基丁二烯和四苯基丁二烯,和均二苯乙烯类等等,如公开于美国专利4,356,429和5,516,577,其每篇文献通过参考在此全部引入。可以使用的荧光材料的其它例子为公开于美国专利5,601,903中的那些,其通过参考在此全部引入。
另外地,可以在该发光区域中应用的发光掺杂剂为公开于美国专利5,935,720(其通过参考在此全部引入)中的荧光染料,例如如4-(二腈基甲基)-2-I-丙基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼定基-9-炔基)-4H-吡喃(DCJTB);镧系金属螯合物,例如如三(乙酰丙酮)(菲啶酮)铽、三(乙酰丙酮)(菲啶酮)铕和三(噻吩甲酰三氟代丙酮)(菲啶酮)铕,和公开于Kido等″White light emitting organicelectroluminescent device using lanthanide complexes,″Jpn.J.Appl.Phys.,Volume 35,pp.L394-L396(1996)中的那些,其通过参考在此全部引入;和磷光材料,例如如含重金属原子的有机金属化合物,其导致强大的自旋轨道耦合,如公开于Baldo等″Highlyefficient organic phosphorescent emission from organicelectroluminescent devices,″Letters to Nature,Volume 395,pp.151-154(1998)中的那些,其通过参考在此全部引入。优选的例子包括2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H23H-佛尔酮铂(II)(PtOEP)和色度三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)3)。
该发光区域也可以包括一种或多种具有空穴传输性能的材料。可以在该发光区域中应用的空穴传输材料例子包括聚吡咯、聚苯胺、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚噻吩、聚芳胺,如公开于美国专利5,728,801,其通过参开在此全部引入,和它们的衍生物,和公知的半导体有机材料;卟啉衍生物,如1,10,15,20-四苯基-21H,23H-卟啉铜(I I),公开于美国专利4,356,429,其通过参考在此全部引入;铜酞菁染料,铜四甲基酞菁染料;锌酞菁染料;氧化钛酞菁染料;镁酞菁染料;等等。
可以在该发光区域中应用的一种特定类型空穴传输材料为芳族叔胺,如公开于美国专利4,539,507中的那些,其通过参考在此全部引入。合适的示意性芳族叔胺包括,但并不限定于,二(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)甲苯、N,N,N-三(对-甲苯基)胺、1,1-二(4-二-对-甲苯基氨基苯基)环己胺、1,1-二(4-二-对-甲苯基氨基苯基-4-苯基环己胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(3-甲基苯基)-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、N,N′-二苯基-N,N′-二(4-甲氧基苯基)-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、N,N,N′,N′-四-对-甲苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、N,N′-二-1-萘基-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺、N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(″NPB″)、它们的混合物等等。另外一类芳族叔胺为多核芳胺。这些多核芳胺的例子包括,但是并不限定于,N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-甲苯基氨基)-4-联苯基]苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-甲苯基氨基)-4-联苯基]-间-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-甲苯基氨基)-4-联苯基]-对-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-对-甲苯基氨基)-4-联苯基]苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-对-甲苯基氨基)-4-联苯基]-间-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-对-甲苯基氨基)-4-联苯基]-对-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-对-氯代苯基氨基)-4-联苯基]-间-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-氯代苯基氨基)-4-联苯基]-间-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-氯代苯基氨基)-4-联苯基]-对-甲苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-甲苯基氨基)-4-联苯基]-对-氯代苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-对-甲苯基氨基)-4-联苯基]-间-氯代苯胺、N,N-二-[4′-(N-苯基-N-间-甲苯基氨基)-4-联苯基]-1-氨基萘、它们的混合物等等;4,4′-二(9-咔唑基)-1,1′-二苯基化合物,例如如4,4′-二(9-咔唑基)-1,1′-二苯基和4,4′-二(3-甲基-9-咔唑基)-1,1′-二苯基等等。
可以在该发光区域中使用的一种特定类型的空穴传输材料为吲哚并咔唑类,如公开于美国专利5,942,340和5,952,115中的那些,其每篇文献通过参考在此全部引入,例如如5,11-二-萘基-5,11-二氢化吲哚[3,2-b]咔唑和2,8-二甲基-5,11-二-萘基-5,11-二氢化吲哚[3,2-b]咔唑、N,N,N′N′-四芳基联苯胺,其中芳基可以选自苯基、间甲苯基、对甲苯基、间甲氧基苯基、对甲氧基苯基、1-萘基、2-萘基等等。N,N,N′N′-四芳基联苯胺的示例性例子为N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺,其为更优选;N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺;N,N’-二(3-甲氧基苯基)-N,N’-二苯基-1,1’-二苯基-4,4’-二胺等等。可以在该发光区域中使用的优选空穴传输材料为萘基取代的联苯胺衍生物。
该发光区域也可以包括一种或多种具有电子传输性能的材料。可以在该发光区域中使用的电子传输材料的例子为聚芴,如聚(9,9-二-正-辛基芴-2,7-二基),聚(2,8-(6,7,12,12-四烷基茚并芴),和含有芴的共聚物如芴-胺共聚物,如公开于引入的Bernius等Proceedingsof SPIE Conference on Organic Light Emitting Materials andDevices III,Denver,Colorado,July 1999,Volume 3797,p.129。
可以在该发光区域中使用的电子传输材料的其它例子可以选自金属羟喹啉酸化合物、噁二唑金属螫合物、三嗪化合物和均二苯乙烯化合物,其例子如上详细描述。
在当该发光区域除了该有机电致发光材料之外还包括一种或多种空穴传输材料和/或一种或多种电子传输材料的实施方式中,该有机电致发光材料、该空穴传输材料、和/或该电子传输材料可以在单独的层中形成,例如如公开于美国专利4,539,507、4,720,432和4,769,292中的OLEDs;或在相同层中形成,这样形成两种或多种材料的混合区域,例如如公开于美国专利6,130.001和美国申请09/357,551申请日为1999.07.20、09/606,670申请日为2000.06.30、和09/770,159申请日为2001.02.26中的OLEDs。这些专利和专利申请的公开内容通过参考在此全部引入。
该发光区域的厚度可以不同,例如为约1nm~约1000nm、典型地为约20nm~约200nm、和特别地为约50nm~约150nm。
图3阐明了一种类似于图1中所示有机发光器件10的有机发光器件210,其中该发光区域240包括一个单独的空穴传输区242和一个电子传输区244。该空穴传输区242形成于该阳极230之上,和该电子传输区244形成于该空穴传输区242之上且与该阴极250接触。该阴极可以只包括一个金属-有机混合层,或者其可以包括一个金属-有机混合层和一种或多种附加层,如在图2中所示的该阴极150。
本发明在降低黑点生成率和降低在有机发光器件中环境光线反射上的效力,通过比较含有依据本发明的阴极的有机发光器件和包括传统阴极的有机发光器件,已得到证明。
图4和5分别阐明了有机发光器件310、410的结构,其被测试并相互比较。图4中所示的有机发光器件310包括一个传统阴极350。该有机发光器件310形成于一种基体320之上,且包括一个阳极330、一个包括一个该阳极330之上的空穴传输区342和一个该空穴传输区342之上的电子传输区344的有机材料区340、和一个包括第一组份区352和第二组份区域354的阴极350。
在被测试的该有机发光器件310中,该基体320由一种透明材料形成;该阳极330由铟锡氧化物形成,具有厚度为30nm;该空穴传输区342由NPB形成,具有厚度为60nm;该发射电子传输区344由AlQ3形成,具有厚度为75nm;该第一组份区域352由分别为90体积%和10体积%的Mg:Ag形成,具有厚度为120nm;且该第二组份区域由Ag形成,具有厚度为90nm。
在图5中所示的该有机发光器件410,包括一个依据本发明的阴极450的示意性实施方式。该有机发光器件410形成于一种基体420之上,且包括一个该基体420之上的阳极430;一个包括一个该阳极430之上的空穴传输区442和一个该空穴传输区442之上的电子传输区444的有机材料区域440;和一个包括一个金属-有机混合层460、一个该金属-有机混合层460之上的第一附加层470和一个该第一附加层470之上的第二附加层480。
在测试的该有机发光器件中,该基体420由一种透明材料形成;该阳极430由铟锡氧化物形成,具有厚度为30nm;该空穴传输区442由N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)形成,具有厚度为60nm;该发射电子传输区444由AlQ3形成,具有厚度为75nm;该金属-有机混合层由AlQ3+Mg+Ag以比例为47.4体积%AlQ3、47.4体积Mg%和5.2体积%Ag形成,具有厚度为为150nm;该第一附加层470由分别为90体积%和10体积%的Mg:Ag形成,具有厚度为90nm;且该第二附加层480由Ag形成,具有厚度为90nm。
当在电流密度等于约25mA/cm2下操作时,有机发光器件310和410产生明亮的绿光发射,亮度分别为670和450cd/m2,且驱动电压分别为约6.7和6.65伏特。对于两种器件几乎相同的驱动电压显示,在器件410中依据本发明的阴极450为有效的电子注入体,且其电子注入特性比得上在器件310中的传统阴极350的特性。
图6A、6B和7A、7B分别为显示在包括一种传统阴极350的有机发光器件310和包括一种依据本发明的阴极450的有机发光器件410的发射区域中黑点的显微图。在器件装配之后立即获得图6A和7A。在环境条件下保存相同的有机发光器件48小时之后,获得图6B和7B。图6A-7B证明,包括依据本发明的阴极的有机发光器件,与不包括金属-有机混合层的传统阴极比较时,具有充分降低的黑点生成率。
在有机发光器件中,在实施方式中的该金属-有机混合层,可以作为该电子注入接点或空穴注入接点。因而,可以在依据本发明的阴极或阳极的附加层中使用的合适材料,并不限定于只具有一定电荷注入性能的金属。因此,本发明使更稳定的材料能够用于形成该阴极附加层。通过形成和测试具有包括一种由AlQ3+Mg+Ag形成的金属-有机混合层和在联接该金属-有机混合层的附加层中的不同材料的有机发光器件,已证实了这种效果。该有机发光器件具有类似于在图5中所示器件结构的结构,其中该Mg:Ag第一附加层470由一种In或Ag层替代。不考虑在该附加阴极层中使用的特定材料时,每种这些有机发光器件证明了大约相同的操作电压,其为获得一定亮度或电流密度水平所需的电压。
通过本发明者的其它研究显示,有机发光器件410的该操作电压也不依赖于该金属-有机混合层460的厚度,其表明,沿该金属-有机混合层460的电压降是忽略不计的。这样的结果进一步证实,该金属-有机混合层是高导电的,且作为有机发光器件中的一种高效电子注入接点。
为了证明与传统阴极比较时,依据本发明的阴极在降低有机发光器件环境光线反射上的效果,进行器件410(依据本发明)和器件310(传统)光反射特性的比较测量。结果在图8中示出,在可见光谱全部波长范围内以%反射(即,从该有机发光器件反射回观察者的入射环境光线的百分比)的形式表示。该结果证明,器件410的%反射特性,在与器件310的%反射特性比较时,显著较低。该较低的%反射特性获得改进的显示对比度。
为了证明依据本发明的阴极的改进对比度效果不依赖于视角,且因此不具有用于改进显示对比度的其它方法的缺点,例如如公开于美国专利5,049,780中的实施方式,其通过参考在此全部引入,进行在不同视角下器件410光反射特性的测量。结果在图9中显示,对于约10度的视角和约30度的视角,在可见光谱全部波长范围内以%反射(即,从该有机发光器件反射回观察者的入射环境光线的百分比)的形式表示。对于两种视角来说几乎相同的%反射特性显示,器件410的降低光反射性能(且因此改进的对比度)不依赖于视角。该反射特性几乎不依赖于视角的事实表明,相信在依据本发明的阴极中的降低光反射,主要归因于在该金属-有机混合层中的光吸收。通过本发明者的其它研究显示,该金属-有机混合层460为有色的(即对光线不完全透过的),也证实该金属-有机混合层吸收光线。
为了证明依据本发明的阴极的降低光反射特性取决于包括该金属-有机混合层的组份的混合比例,比较测量器件410的光发射特性,其中该金属-有机混合层由AlQ3+Mg+Ag以比例为47.4体积%AlQ3、47.4体积%Mg和5.2体积%Ag,和另一器件特性,其除了金属-有机混合层由AlQ3+Mg+Ag以比例为31.0体积%AlQ3、62.1体积%Mg和6.9体积%Ag形成之外,所有方面相同于器件410。结果在图10中示出,在可见光谱全部波长范围内以%反射(即,从该有机发光器件反射回观察者的入射环境光线的百分比)的形式表示。这些结果显示对于该两种器件显著不同的%反射特性。该结果显示,对于在包括获得改进的对比度的金属-有机混合层的组份的混合比例来说,存在优选的范围。
为了证明依据本发明的阴极的降低光反射特性不限定于含有一种包括AlQ3+Mg+Ag的金属-有机混合层的阴极,形成了一种相同于上述器件410的有机发光器件,除了该金属-有机混合层是由铜酞菁染料(CuPc)+Mg+Ag以比例为31.0体积%的CuPc、62.1体积%的Mg和6.9体积%的Ag形成。进行该器件和器件310(传统)的光反射特性的比较测量。结果在图11中示出,在可见光谱全部波长范围内以%反射(即,从该有机发光器件反射回观察者的入射环境光线的百分比)的形式表示。该结果证明,当与器件310的%反射特性比较,依据本发明的器件显著较低的%反射特性,其包括一种由CuPc+Mg+Ag形成的金属-有机混合层。该较低的%反射特性导致改进的显示对比度。这个例于表明,依据本发明的阴极的降低光反射特性,可以通过包括多种组份的金属-有机混合层来实现。
在依据本发明实施方式的电极的金属-有机混合层中,可选的第三组份可能引起一种具有高导电性的层形成,其在本质上(从电荷传输的观点)与特定的二组份、金属-有机层根本不同。在本发明中可利用的各种实施方式,允许该金属-有机混合物层具有宽范围的厚度,例如约50nm~约1000nm,具有改进的显示器件对比度和降低的黑点生成率。
依据本发明,包括MOML的电致发光器件可以在各种类型的图像形成器件或显示应用例如如平板显示器中使用。这样的应用可以在宽范围产品例如如用于电视和计算机的显示器、器械显示器、用于汽车和航空应用的显示器,和手持电子器件例如如便携式电话等中使用。
用于任意创造性显示器件的发光区域,可以包括任意合适的材料,如在此公开的那些材料。例如,该发光区域可以包括下列中的任意一种或两种或多种的混合物:分子(小分子)电致发光材料、聚合物电致发光材料、和无机电致发光材料。分子(小分子)电致发光材料和聚合物电致发光材料的例子在此公开。无机电致发光材料包括,例如磷,如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe等等,且其可以进一步包括掺杂剂,如Cu、Mn和镧系。无机电致发光材料的其它例子包括GaAs、GaP、GaAsP、GaAlAs、InGa、SiC、GaN、AlInGaP、InGaN、InSe、等等,且其可以进一步包括掺杂剂,如Zn、O、N、Si等等。
为了避免在理解本发明范围上的混淆,下列指导可以被使用:
(1)术语“层”表明为一种单一层,其通常具有一种不同于紧邻层组合物的组合物;
(2)术语“区域”表示为一种单一层,一种多层如二、三或更多层,和/或一个或多个“区”;
(3)术语“区”,其在电荷传输区(即空穴传输区和电子传输区)和发光区的内容中使用,表示为一种单一层、一种多层、一种层中的单一功能区域、和一种层中的多功能区域;
(4)通常,位于该两电极之间或参予操作该显示器件所需的电荷传导过程的显示器件的所有区域和层,被认为是每个阴极、发光区域或阳极的部件;
(5)通常,没有参予该显示器件电荷传导过程且可以被视为在该两电极之外的层(如基体),应不认为是该电极的部件;但是,这样的层(如基体),仍可以被认为是该显示器件的一部分;
(6)但是,封端区域(其保护电极免于周围环境的影响),不论该封端区域是否参予该显示器件的电荷传导过程,都被认为是该电极的部件;
(7)注入电荷于该发光区域的任意区域或层(如电子注入区域和空穴注入区域),被认为是该电极的部件;
(8)如果MOML可以等同地被视为该电极或该显示区域的部件,惯例是,MOML是该电极的部件;
(9)杂质(其可能存在少量的两种、三种、四种或更多种补充该MOML的材料组份)通常不认为是MOML的指定组份;例如,在由含无机金属的材料和有机化合物的两种指定组份组成的“二元MOML”中杂质的存在,应不改变作为“二元MOML”的MOML的指定;和
(10)“发光区域”和“发光区域”可交替地使用。
在本发明实施方式中,该MOML可以位于该显示器件中的任何位置。例如,该MOML可以为该阴极、阳极或发光区域的部件。在实施方式中,该MOML可以位于该显示器件的一个并不认为是该电极或该发光区域部件的区域。也可以在该显示器件占具有多个MOMLs。在这种情形下,该两种或多种MOML可以相互连接,或可以通过一个或多个层分隔。
如在此讨论,该MOML可以是一种“二元MOML”(具有两种组份)、一种“三元MOML”(具有三种组份)、“四元MOML”(具有四种组份)、或其它具有多于四种组份的MOML。在这些实施方式中,含有该无机金属的材料、该有机化合物和任意其它附加组份的选择,可以基于该MOML应具有所期望的性能或多种性能而进行。除了光反射降低之外,该MOML可以具有一种或多种附加的理想性能,例如包括电导性,和任意其它为了作为通过在该显示器件中装配该MOML可能所需的功能(例如,如果该MOML为紧邻该发光区域的电极的部件时,对于也能够有效地注入电荷的需求)而该MOML可能必须具有的性能。在当该显示器件包括多个MOML的情形时,该MOML可以是相同或不同的材料组合。
现在紧随的是本显示器件示意性材料和结构的讨论。为了方便,在图12-17中没有描述基体,但是应理解的是,基体可以位于在该描述的显示器件中的任意合适的位置,如与任一电极联接。
在实施方式中,该MOML可以在该显示器件的一个、两个、或多个层或区域中使用。当在两个或多个层或区域中使用时,该MOML可以为相互相同或不同。每个MOML可以为一种“二元MOML”、“三元MOML”、“四元MOML”、或一种具有多于四种组份的MOML,同时该MOML具有如在此描述的组合。除非另外指出,描述为适用于一种MOML类型的组份种类的材料,通常适用于其它MOML类型(其中该MOML类型为二元的、三元的、四元的和更高的)的相同组份种类,其中组份种类例如为“含无机金属的材料”、“有机材料”、“金属”、“无机材料”等等。
指出的是,用于一种特定MOML类型中的组份的合适材料的目录可能重叠。例如,在一种“三元MOML”中,用于该第二组份(即有机材料)的合适材料与用于第三组份“有机材料”的选择相同。另外,在一种“三元MOML”中,用于第一组份(即含无机金属的材料)的合适材料,与用于第三组份“金属”和“无机材料”的选择重叠。但是,只要该MOML类型的所选组份是相互不同的,即每个所选组份是唯一的,即使在一种特定MOML类型组份中用于该组份的合适材料的目录重叠,也不存在相互矛盾。
在此描述示例性的数值和示例性的材料。但是,本发明也包括在此没有特别叙述的数值、数值范围(和副范围)、材料、和材料组(和副组)。例如,数字范围1-10的公开内容,包括在该范围内的每个数,以及副范围如1-3、2-5等等。
二元MOML
短语“二元MOML”表示为一种由两种组份组成的金属-有机混合层:(i)一种含无机金属的材料和(ii)一种有机材料。这样的二元MOML的示意性实施方式可以包括:
1.由Ag或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机混合物组成的MOML。
2.由一种组11金属(如Cu、Ag或Au)或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机化合物组成的MOML。
3.由一种组10金属(如Ni、Pd或Pt)或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机化合物组成的MOML。
4.由一种组13金属(如In)或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机化合物组成的MOML。
5.由一种组4金属(如Ti)或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机化合物组成的MOML。
6.由一种金属或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种在波谱的400-700nm波长范围内具有显著的光学吸收的有机化合物(如一种有机染料化合物)组成的MOML。
7.由一种组16金属(即Se和Te)或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)和一种有机化合物组成的MOML。
三元MOML
短语“三元MOML”表示为一种由三种组份组成的金属-有机混合层:(i)一种含无机金属的材料、(ii)一种有机材料和(iii)一种附加的可以是一种金属、一种有机材料或一种无机材料的第三组份(不同于另外两种组份)。该三元MOML的示意性实施方式包括:
1.由上述二元MOML实施方式和进一步包括一种组1金属(有时也称为一种碱金属)如Li、Na、K、Rb或Cs或一种其化合物如一种组1金属卤化物(如氟化物、氯化物、溴化物、碘化物)、氧化物、氢氧化物、氮化物或硫化物的MOML。
2.由上述二元MOML实施方式和进一步包括一种组2金属(有时也称为碱土金属)如Be、Mg、Ca、Sr或Ba或一种其化合物如一种组2金属卤化物(如氟化物、氯化物、溴化物、碘化物)、氧化物、氢氧化物、氮化物、硼化物或硫化物的MOML。
3.由至少一种含元机金属的材料、一种有机化合物、和Ag或一种Ag化合物(如一种银氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、炭化物、硼化物等等)组成的MOML。
4.由(i)一种含无机金属的材料、(ii)有机化合物、和(iii)Zn、In或Sn或其化合物(如ZnO、ZnS、In2O3、SnO2)组成的MOML。
5.由至少一种含无机金属的材料和I NCONELTM(一种由多种金属组成的合金)组成的MOML。
6.由至少Al或一种其无机化合物(如一种氧化物、氢氧化物、卤化物、硫化物、氮化物、碳化物、硼化物等等)、一种有机化合物、和可以为另外一种金属(如Ag、一种组1金属、或一种组2金属)或其化合物的任意第三组份组成的MOML。
7.由(i)卟啉、叔芳族胺、吲哚并咔唑、聚噻吩、PEDOTTM(其为一种特定的聚噻吩),(ii)Ag或一种其化合物,和(iii)Au、Cr、Cu、Pt、In、Ni、Sn或其化合物如In2O3、SnO2组成的MOML。
四元MOML
短语“四元MOML”表示为一种由四种组份组成的金属-有机混合层:(i)一种含无机金属的材料、(ii)一种有机材料、(iii)一种附加的第三组份、和(iv)一种附加的第四组份。该附加的第三和第四组份(其相互不同且不同于第一和第二组份)可以是金属、有机材料或无机材料。四元MOML的示意性实施方式包括:
1.由一种有机化合物、Ag、Mg、和一种组1金属(如Li)或一种其化合物(如LiF)组成的MOML。
2.由一种有机化合物、Ag、Ca、和一种组1金属(如Li)或一种其化合物(如LiF)组成的MOML。
3.由一种有机化合物、Ag、Ca、和另外一种组2金属(如Mg)或一种其化合物(如MgF2或MgO)组成的MOML。
4.由一种有机化合物、Ag、Al、和一种组1金属(如Li)或一种其化合物(如LiF)、或一种组2金属(如Ca或Mg)或一种其化合物组成的MOML。
MOML作为电极的部件
图12-15阐明了由第一电极(550、650、750、850)、发光区域(540、640、740、840)、和第二电极(530、630、730、830)组成的显示器件(510、610、710、810),其中该第一电极结合该MOML(554、654、754、854)。在图12中,该第一电极为一种全部由该MOML组成的单一层。该第一电极可以由多层组成:
图13-封端区域656/MOML654;
图14-MOML/电荷注入区域752;和
图15-封端区域856/MOML854/电荷注入区域852。
现在将讨论本发明实施方式,其中该阴极包括该MOML。在一种单一层阴极中,该阴极可以全部由该MOML组成。在一种多层阴极中,一个或多个或甚至全部层可以由该MOML组成。在当该MOML接触该发光区域时,该MOML,除了为电导性和光反射降低之外,也可以能够有效地注入电子于该发光区域。在这些情形下,该MOML的电子注入性能,可以通过例如在该MOML中包括一种低功函金属(典型地<4.0eV)或一种其化合物,得到增强。用于结合该MOML的阴极的示意性实施方式包括在图12-15中描述的实施方式,其中该第一电极为阴极,该第二电极为阳极,且该电荷注入区域为一种电子注入区域。
当该MOML接触该发光区域(如,当该MOML为一种单一层阴极或当该阴极为一种多层且该MOML为紧邻该发光层的层)时,若其提供有效的电子注入于该发光区域,该MOML可以例如选自一种二元、三元或四元MOML。当该MOML为一种联接该发光区域的阴极层时,该MOML可以由一种具有<4.0eV功函的金属或一种其混合物组成,这些MOML的例子是:(i)有机化合物+Mg+Ag,(ii)有机化合物+Mg+Ag+一种组1金属或其化合物,(iii)有机化合物+Ag+Al+一种组1金属或其化合物,(iv)有机化合物+Mg+Ag+Ca,(v)有机化合物+Ca+Ag,(vi)有机化合物+Ca+Ag+一种组1金属或一种其化合物,和(vii)有机化合物+Ag+一种组1金属或一种其化合物。
为了保护该MOML免于环境条件的影响,或当该MOML的导电性不足以维持高的横向传导时(为了维持高的横向传导,该MOML的薄膜电阻可以例如小于约1,000欧姆/平方,且特别地小于约100欧姆/平方),该阴极可选地进一步包括一种封端区域,如参见图13和15中的例子。封端区域可以由金属(如Al、Mg、Mg:Ag、Ag、Ca、In、Ti、Ni)或无机材料(如C、SiO、SiO2、SiN、和金属化合物如Al2O3、In2O3、SnO2、ITO、LiF、MgF2)组成。封端区域可以包括另一种MOML。例如,我们的研究显示,当由一种由有机化合物+Ag+一种组1金属或其化合物制备的MOML,和一种由Ag制备的封端区域组成的一种阴极,可以在一些实施方式中具有较差稳定性时,一种第二MOML(由一种有机化合物+Mg+Ag组成)作为在该第一MOML和该Ag封端区域之间的另一封端区域的使用,增强了该稳定性。因而,一些实施方式中,理想的是在该封端区域中使用两个或多个层,其本身是另一组合的MOML。较差的稳定性例如表示为黑点的迅速生长,使得如果在放置于空气中在其装配24小时内,它们生长大到足够覆盖约10%或更高的该OLED发射区域。
在实施方式中,当可以理想的进一步促进电子注入从该MOML到该放光区域、或减少该MOML的电子注入需求,可以在该阴极中进一步包括一种分隔的电子注入区域。在图14-15中图示地显示了一种结合一种分隔的电子注入区域的阴极,其中该电荷注入区域为一种电子注入区域。电子注入区域可以是由一种低功函金属(<4.0eV)(如一种组1金属或一种组2金属)、和合金和低功函金属化合物(如Al:Li、Ca:Al、Mg:Ag、Al:LiF、Al:Li2O)组成的一个或多个薄层。在一种双层电子注入区域中,联接该发光区域的该层,典型地包括一种组1或组2金属、或一种合金或一种其化合物,且连接该MOML的该层,典型地由任意金属或一种金属合金组成。在该电子注入区域中的任意金属层的厚度,可以为很小(典型地,每层<25nm),以允许绝大部分的该入射光线(例如,至少30%)被透射到该MOML,且避免显著的光反射。该电子注入区域可以本身为具有较该第一MOML更有效的电子注入特性的另一种MOML。例如,该MOML可以由一种有机化合物+Ag(或Au或Cu或Ti或Ni)组成,且该电子注入区域可以为(i)一层LiF、(ii)一层Ca、(iii)一层Mg:Ag合金、(iv)一层Al:Li合金、(v)一层Al:LiF混合物、(vi)一种由有机化合物+Ag+一种组1金属或一种组2金属组成的第二MOML层、(vii)一种由有机化合物+Ag+一种组1金属化合物或一种组2金属化合物组成的第二MOML层、或(viii)一层一种组1金属化合物和一层Al或任意其它金属。
现在将讨论本发明实施方式,其中该阳极包括该MOML。在一种单一层的阳极中,该阳极可以全部由该MOML组成。在一种多层阳极中,一个或多个或甚至全部层可以由该MOML组成。在当该MOML接触该发光区域时,该MOML,除了为电导性和光反射降低之外,也可以能够有效地注入空穴于该发光区域。在这些情形下,该MOML的空穴注入性能,可以通过例如在该MOML中包括一种高功函金属(典型地>4.0eV)或一种其化合物,得到增强。用于结合该MOML的阳极的示意性实施方式包括在图12-15中描述的实施方式,其中该第一电极为阳极,该第二电极为阴极,且该电荷注入区域为一种空穴注入区域。
当该MOML接触该发光区域(如,当该MOML为一种单一层阳极或当该阳极为一种多层且该MOML为紧邻该发光层的层)时,若其提供有效的空穴注入于该发光区域,该MOML可以例如选自一种二元、三元或四元MOML。当该MOML为一种联接该发光区域的阳极层时,该MOML可以由具有>4.0eV功函的一种金属或一种半导体组成,这些MOML的例子为:(i)有机化合物(如一种卟啉或一种叔芳族胺或一种吲哚并咔唑)+一种组10金属或一种组11金属(如Ag或Au或Cu或P t或Pd或Ni),(ii)有机化合物+Ag(或Au)+一种高功函(>4eV)金属或金属化合物,(iii)有机化合物+一种组10金属或一种组11金属+Cr或ITO或In2O3或SnO2
为了保护该MOML免于环境条件的影响,或当该MOML的导电性不足以维持高的横向传导时(为了维持高的横向传导,该MOML的薄膜电阻可以小于约1,000欧姆/平方,且特别地小于约100欧姆/平方),该阳极可选地包括一种封端区域,如参见图13和15中的例子。封端区域可以由金属(如Al、Ag、In、Sn、Se、Ti、Ni、Pt、Au、Cr、Cu、INCONELTM、Au:Pd)或无机材料(如C、Si、Ge、SiO、SiO2、SiN、和金属化合物如Al2O3、In2O3、SnO2、ITO、ZnO)组成。如阴极一样,用于该阳极的封端区域也可以由MOML组成。
在当可以理想的是,进一步促进空穴注入从该MOML到该发光区域或减少该MOML的空穴注入需求情形时,可以在该该阳极中进一步包括一个分隔的空穴注入区域。在图14-15中图示地显示了一种结合一种分隔的空穴注入区域的阳极,其中该电荷注入区域为空穴注入区域。空穴注入区域可以包括由具有>4.0eV功函的一种金属、一种金属化合物或一种半导体(如Au、Ni、Pt、Ag、Cr、Pd、Au:Pd、Cu、ITO、In2O3、SnO2、ZnO)或具有>4.0eV电离电位的一种有机化合物(如CuPc)组成的一个或两个薄层。在一种双层空穴注入区域中,接触该发光区域的该层,典型地由具有>4.0eV功函的一种半导体(如ITO)或具有电离电位>4.0eV的一种有机化合物(如CuPc)、或都具有>4.0eV功函的一种金属、一种合金或一种金属化合物组成;且接触该MOML的该层,典型地由任意金属或一种金属合金组成。在该空穴注入区域中的任意金属层的厚度,可以为很小(典型地,每层<25nm),以允许绝大部分的该入射光线(例如,至少30%)被透射到该MOML,且避免显著的光反射。如在阴极情形中那样,该空穴注入区域可以本身为具有较该第一MOML更有效的空穴注入特性的另一种MOML。
在该发光区域中的MOML
该MOML可以为该发光区域的部件,例如位于该发光区域内的任意位置。例如,其可以位于(并因而可以被视为其部件)该电子传输区或空穴传输区(其中该电子传输区和该空穴传输区对应于包括该发光区域的相同层或两、三或更多层的功能区域)之内。该MOML也可以位于该电子传输区和该发光区域之间内、或该空穴传输区和该发光区域之间内。
图16描述了一种由第一电极950、发光区域940和第二电极930组成的图示显示器件910。该发光区域940包括一个第一电荷传输区944和第二电荷传输区942之间的发光区946。该第一电荷传输区944包括一个电极最紧密层944C、一个中间层944B、和一个发生区最紧密层944A。该电极最紧密层、该中间层和该发射区最紧密层中的一个或多个,可以含有一个MOML(其中使用两个或多个MOML时,它们可以是相同的或彼此不同的)。在实施方式中,该中间层为MOML。该第一电极可以是该阴极或阳极,且该第二电极可以是该阴极或阳极。另外,该第一电荷传输区可以是空穴传输区(且该第二电荷传输区为电子传输区)或电子传输区(且该第二电荷传输区为空穴传输区)。
一个包括一个位于该电子传输区内的MOML的OLED结构的例子如下(“ETM”表示为电子传输材料;“HTM”表示为空穴传输材料):
(1)阳极/(2)由一种HTM组成的空穴传输区/(3)由一种HTM+ETM混合物组成的发光区/(4)由ETM1/由ETM2+含有无机金属的材料组成的MOML/ETM3组成的电子传输区/(5)阴极;且其中ETM、ETM1、ETM2和ETM3可以是相同的或不同的电子传输材料。例如,ETM、ETM1、ETM2和ETM3可以全部为一种三嗪(如T1,其为4,4′-二[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三吖嗪基)]-1,1′-二苯基)或一种金属螯合物(如AlQ3),且含有无机金属的材料例如为Ag或一种其化合物。
一个包括一个位于该空穴传输区内的MOML的OLED结构的例子如下:
(1)阳极/(2)由HTM1/由HTM2+含有无机金属的材料组成的MOML/HTM3组成的空穴传输区/(3)由一种HTM+ETM混合物组成的发光区/(4)包括ETM的电子传输区/(5)阴极;且其中HTM、HTM1、HTM2和HTM3可以是相同的或不同的空穴传输材料。例如,HTM、HTM1、HTM2和HTM3可以全部为一种叔芳族胺(如NPB,其为N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺),且含有无机金属的材料例如为Ag或一种其化合物。替换地,例如,HTM1和HTM3中的一种或二者可以为一种卟啉(如CuPc)。
多层MOMLs
在实施方式中,该显示器件可以包括两个或多个MOML,在这种情形下,该MOMLs的一些或全部可以是彼此紧邻的(如接触),且该MOMLs的一些或全部可以通过其它层分隔。已在此描述了紧邻的多层MOMLs的例子。例如,一种含有非紧邻MOMLs的显示器件可以是这种情形,其中该阳极和该阴极分别包括一个或多个MOML。显然,其它实施方式也是可能的。
本显示器件的降低反射效果,可能是由于下列光学效果中的一种、两种或多种:光吸收、破坏性的光学干涉现象、和各种光散射和弥散现象。所以,虽然认为本显示器件的降低反射效果主要归因于该MOML的光吸收本质(例如从单个的MOML膜为黑色的事实来看,其是显然的),其它光学效果,如破坏性的光学干涉现象、或各种光散射和弥散现象,也可以在获得该降低的光反射效果中起到作用。在本发明实施方式中,可以将一个或多个附加层结合入该显示器件,以增强该破坏性的光学干涉现象。
电极和发光区域之外的MOML
图17描述了一种由下列组成的显示器件1010的实施方式:含有MOML的区域1090,第一电极1050,发光区域1040,和第二电极1030。含有MOML的该区域不参予该显示器件的电荷传导过程,且这样并认为是该第一电极的部件。由于含有MOML的区域被认为该第一电极之外,该第一电极可以例如含有紧邻含有MOML的区域的一种不导电层或区域(例如,非传导的封端区域);或者,含有MOML的区域可以包括紧邻该第一电极的非传导层;或者含有MOML的区域和该第一电极二者分别包括一种紧邻的非传导层。由于含有MOML的区域不认为是该第一电极的部件(出于电荷传导的观点)。所以该MOML可以为导电的或不导电的。
含有MOML的区域可以由一个、两个、三个或多个层组成,其中任意一个、几个或全部可以为MOML。在实施方式中,含有MOML的区域多对层,如一对、两对等等。在每对中,邻近该第一电极的该层可以为该MOML,且另外一层可以为基本透明的。该基本透明的层可以例如类似在US 5,049,780中公开的那些(ZrO2、Al2O3、ZnS、ITO、TiO2、SiO2等等的层组合物),其公开内容通过参考在此全部引入;该基本透明的层也可以为导电的,如在WO 01/08240A1中公开的那些(ITO、ZnO等等的层组合物),其公开内容通过参考在此全部引入。
一个具有含有外部MOML的区域的显示器件的例子如下:(1)透明阳极;(2)发光区域;(3)透明或基本透明的阴极(包括[A]一种例如由(i)一层LiF、(ii)一层Ca、(iii)一层Mg:Ag合金、(iv)一层Al:Li合金、(v)一层Al:LiF混合物、或(vi)用一层Al涂敷的一层LiF组成的电子注入区域(<25nm),和[B]一种例如包括ITO或ZnO的导电性透明区域);和(4)一种MOML。可选地,该阴极包括一个透明的保护性封端层(如SiO、SiO2、ZrO2或Al2O3)。在上述实施方式中,含有MOML的区域为一种由该MOML组成的单一层;另外,这种实施方式的该MOML可以为导电的或不导电的。
结合MOML(s)的显示器件的一般讨论
那些为导电性且同时反射降低的MOML实施方式的确切本质,仍是不清楚的。一种可能性可能为,含有无机金属的该材料和该有机材料存在相间隔离,且因而形成分隔的区域(即富金属区域和富有机物区域)。另外一种可能性可能是,含有无机金属的该材料和该有机材料形成该两种材料的完全可混的固体溶液,或甚至在分子/原子水平上相互作用并形成新的物种,其提供该现察的特性。也可能是,含无机金属的该材料,在形成该MOML中可以应用的该物理气相沉积(“PVD”)过程中,或在该MOML中接触该有机材料中,被转化为一种导电的光吸收金属化合物。出于这种认识,大量的金属化合物被认为是导电的和光吸收的。因而,认为,有机化合物和导电光吸收金属化合物的混合物,可能可以用于提供该MOML的实施方式。
在实施方式中的该MOML,在沿该整个MOML厚度上具有一种通常均一的组成。为了获得该通常均一的组成,可以通过使用一种“控制的混合比例方法”(如旋涂和共沉积)来制备该MOML。这样,在实施方式中,该MOML为一种可控组份的混合物,出于理解,通过例如同时控制从单个蒸发原料蒸发的每种不同组份的蒸发速度的手段,一定水平地控制该不同组份的混合比例。在实施方式中,在该MOML中的不同组份的比例通常保持相同,且不随时间而改变(即,如果装配之后立即测量在该MOML中的组份的比例,应等同于随后和更长时间时的比例)。
在其它实施方式中,该MOML在沿该整个MOML厚度上可以具有一种非均一的组成。可以使用共沉积来制备该非均一组成的MOML(如,在该MOML形成中通过变化该MOML材料的共沉积速度)。由于层内扩散或层间扩散,可能在该MOML的一些实施方式中,长时间内产生从一种通常均一组成(当通过一种“可控的混合比例方法”制备时)到一种非均一组成的改变。另外,材料的层间扩散,可以用于制备该MOML。出于下面的原因,扩散是一种用于装配该MOML较少优选的途径:(a)扩散可能需要很长的时间(几天、几周、几月、或更长);(b)该混合比例随时间改变;且(c)不能控制MOML材料的期望比例。
在本发明实施方式中,该MOML通常为反射降低的,而且为导电的。导电MOML可以具有例如不超过约100,000欧姆的横截面(即沿该MOML厚度上)欧姆电阻,且特别地不超过约5,000欧姆。但是,在其它实施方式中,该MOML为反射降低的,但是可能被认为不导电的,如具有高于在此描述的示意性范围附近的欧姆电阻值。
在实施方式中,与不具有任何MOML的显示器件比较时,本显示器件降低光反射至少约30%,特别地至少约50%。
用于该MOML的含有无机金属的材料例如包括金属和无机金属化合物。在此使用的,短语“含无机金属的材料的金属”(其中该短语先于一系列的特定单质金属)表示为单质金属和无机金属化合物的金属组份两种。该金属可以为,但是并不限定于,例如Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Se、Te、Ce、Nd、Sm、和Eu。在本发明实施方式中,术语“金属”包括Sb、Se和Te。在实施方式中,金属合金可以被用于形成该MOML。该金属合金的一种金属被认为是该含无机金属的材料;该金属合金的其它金属或多种金属被认为是该MOML的附加组份或多种组份。例如,结合该有机材料的一种二元金属合金,应被认为是一种三元MOML。
用于该MOML的无机金属化合物可以为一种金属卤化物(如氟化物、氯化物、溴化物、碘化物)、金属氧化物、金属氢氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属碳化物或一种金属硼化物。该金属卤化物可以为,但是并不限定于,例如LiF、LiCl、LiBr、LiI、NaF、NaCl、NaBr、NaI、KF、KCl、KBr、KI、RbF、RbCl、CsF、CsCl、MgF2、CaF2、SrF2、AlF3、AgCl、AgF、和CuCl2。该金属氧化物可以为,但是并不限定于,Li2O、Ca2O、Cs2O、In2O3、SnO2、ZnO、ITO、Cu2O、CuO、Ag2O、NiO、TiO、Y2O3、ZrO2、Cr2O3。该金属氢氧化物可以是,但是不限定于,例如AgOH。该金属氮化物可以是,但是不限定于,LaN、YN和GaN。该金属硫化物可以是,但是不限定于,ZnS、Sb2S3、Sb2S5、和CdS。该金属碳化物可以是,但是不限定于,Li2C、FeC和NiC。该金属硼化物可以是,但是不限定于,CaB6
用于该MOML的无机材料例如包括:(i)单质非金属材料如C、Si和Ge;(ii)这些单质非金属材料的无机化合物,如SiC、SiO、SiO2、Si3N4;和(iii)无机金属化合物,如在此描述的那些。因为存在一种用于金属的单独组份类别(在用于该MOML的系列组份中),因而金属并不分类为无机材料。
如在此描述,一些金属化合物被认为是导电的和光吸收的。因而在实施方式中,有机化合物和这些金属化合物的混合物,可以能够实现本发明的期望特征。在实施方式中,用于在该MOML中使用的含有无机金属的材料,可以为可能是导电的且光吸收的一种金属化合物,特别地为金属化合物,例如如Ag2O、Cu2O、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、NiO、V2O5、ZnS、ZnO、In2O3和SnO2
用于该MOML的合适有机材料,可以例如为在装配该显示器件发光区域中应用的电致发光材料,如在此描述的电致发光材料。例如,用于该MOML的合适有机材料,可以包括分子(小分子)有机化合物如金属羟喹啉类、金属螯合物、叔芳族胺、吲哚并咔唑、卟啉、酞菁、三嗪、蒽、和噁二唑;和聚合体化合物如聚噻吩、聚芴、聚亚苯基、聚苯胺、和聚亚苯基亚乙烯基。其它也可以在该MOML中使用的有机化合物包括聚碳酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、有机染料和色素(如蒽嵌壬烯、香豆素、和其它熔融芳族环化合物)。
本显示器件的实施方式包括在任意一种OLEDs中一个或多个MOMLs的使用,包括分子(小分子)基OLEDs、聚合物基OLEDs、或在该发光区域中含有分子和聚合体材料二者的混合OLEDs。MOMLs也可以应用于在该发光区域中由有机和无机材料二者组成的混合OLEDs。进一步,包含于本发明内的各种类型显示器件,包括OLEDs、无机电致发光或无机发光材料器件、液晶显示器、等离子显示器等等。
任意合适的技术和设备可以用于形成该MOMLs和该显示器件的其它部件。例如,可以使用热沉积(即物理气相沉积-“PVD”)、旋涂、溅射、电子束、电弧、化学气相沉积(“CVD”)等等。该第一两种技术,且特别地为PVD,可能是更理想的途径。在PVD情形中,可以通过例如共蒸发该MOML组份的手段制备该MOML,同时单独控制每种材料的沉积速度,以获得所期望的混合比例。我们的研究显示,一定范围混合比例的不同组份,在该MOML中更有效地产生所期望的特性。这些优选的混合比例,可以依据用于特定材料混合的反复试验基础来确定。一般来说,该MOML可以包括约5体积%~约95体积%的该有机化合物和约95体积%~约5体积%的该含无机金属的材料。更优选的范围将取决于所选的特定材料。短语“控制的混合比例方法”表示为旋涂和共沉积。共沉积表示为热沉积(即物理气相沉积-“PVD”)、溅射、电子束、电弧、化学气相沉积(“CVD”)等等。
在实施方式中,可以使用下面的示意性PVD过程形成该MOML:(i)共蒸发该无机金属化合物、该有机化合物、和任意的可选组份,(ii)共蒸发一种单质金属、一种有机化合物、和任意的可选组份,其中在该过程中或在该MOML中,该单质金属被转化为该无机金属化合物(i),或甚至通过(iii)共蒸发一种该单质金属(ii)的不同无机化合物、一种有机化合物、和任意可选附加组份,其中在该过程中或在该MOML中,不同无机金属化合物被转化为该无机金属化合物(i)。替换地,可以通过旋涂例如一种包括含有无机金属的材料和任意其它可选组份的聚合物溶液,形成该MOML。
除非另外指出,所有的百分数和份数通过该MOML的体积表示。
实施例1-51(比较实施例用“C”显示)
在下面第一表格中的实施例1-51,概括了创造性的OLED器件,其为了操作已被简化。在使用UV-臭氧清洗处理预清洁的涂敷ITO的玻璃基体上,在真空中(5×10-6Torr)使用物理气相沉积,制备所有器件。括号内的数字表示为以
Figure C0282870400351
为单位的层厚。该创造性器件的降低反射能力,与该比较器件的那些比较时,在“%反射”栏中以较低值观察。从上面为操作而简化的实施例来看,明显的是,依据本发明的多种实施方式,可以提供除了如在所示亮度和电压值中反射出的改进器件性能之外,还具有降低的光反射的器件。
实施例1A-23A
在下面第二表格中的实施例1A-23A,概括了其它创造性的OLED器件,其可以使用如用于实施例1-51的相同过程来制备。在括号内的数字表示为以
Figure C0282870400352
为单位的层厚。实施例1A-23A为“论证实施例”,其没有为了操作而被简化。
在下面该表格中,使用了下列原料:
PeDot: 聚噻吩;
TPD:   N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1-二苯基-4,4’-二
        胺);
CuPc:  铜酞菁染料;
NPB:   N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺);
AlQ3:  三(8-羟基喹啉)铝;
掺杂剂:任意的掺杂剂如C545T和PtOEP;
ITO:   铟-锡氧化物;
MeNIC: 2,8-二甲基-5,11-二-1-萘基-5,11-二氢化吲哚[3,2-b]咔
        唑;
T1:    4,4′-二[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三吖嗪基)]-1,1′-二苯
        基);
蒽嵌壬烯黑色色素:二(1,8-萘并咪唑)蒽嵌壬烯;
PtOEP: 2,3,7,8,12,13,17,18-八乙基-21H,23H-卟吩铂(II);和
C545T: 10-2-(苯并噻唑基)-2,3,6,7-四氢-1,1,7,7-四甲基-1H,
        5H,11H-(1)苯并焦吡喃(6,7,-8-ij)喹嗪-11-酮。
Figure C0282870400371
Figure C0282870400381
Figure C0282870400391
Figure C0282870400421
Figure C0282870400431

Claims (13)

1.一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;和
(d)一个紧邻选自由该阴极和该阳极组成的组的电极的区域,其中该区域包括一种金属-有机混合层,该混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,
(ii)一种有机材料,和
(iii)可选地,至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
2.一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;
其中,该阴极、该阳极和该发光区域中至少一个包括一种金属-有机混合层,
该混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,
(ii)一种有机材料,和
(iii)至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
3.一种电致发光器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;
其中该阴极包括一种金属-有机混合层,该混合层包括:
(i)一种金属,
(ii)一种有机材料,和
(iii)至少一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
4.一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;和
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域,其中该阴极包括多个金属-有机混合层,并且所述金属-有机混合层为紧邻的,其中每个该金属-有机混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,和
(ii)一种有机材料。
5.如权利要求4所述的器件,其中金属-有机混合层的数量范围为2~3。
6.如权利要求4所述的器件,其中每个该金属-有机混合层进一步包括:
(iii)一种选自由金属、有机材料和无机材料组成的组的组份。
7.如权利要求4所述的器件,其中该金属-有机混合层包括相同浓度的含有相同无机金属的材料。
8.如权利要求4所述的器件,其中该金属-有机混合层包括不同浓度的含有相同无机金属的材料。
9.如权利要求4所述的器件,其中含有相同无机金属的材料的浓度相同或不同,其中该含有无机金属的材料选自由银和银化合物组成的组。
10.如权利要求4所述的器件,其中该金属-有机混合层包括相同浓度的含有相同无机金属的材料和相同浓度的相同有机材料。
11.如权利要求4所述的器件,其中该金属-有机混合层包括不同浓度的含有相同无机金属的材料和不同浓度的相同有机材料。
12.如权利要求4所述的器件,其中该阳极包括铟-锡氧化物。
13.一种显示器件,包括:
(a)一个阴极;
(b)一个阳极;
(c)一个该阴极和该阳极之间的发光区域;和
(d)一个紧邻该阴极或该阳极的可选区域,其中该器件包括位于该阴极、该阳极、该发光区域和该可选区域中的一个或多个之上的多个紧邻的金属-有机混合层,其中每个该金属-有机混合层包括:
(i)一种含有无机金属的材料,和
(ii)一种有机材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108431289A (zh) * 2015-11-10 2018-08-21 诺瓦尔德股份有限公司 用于制备含金属层的方法

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7288887B2 (en) * 2001-03-08 2007-10-30 Lg.Philips Lcd Co. Ltd. Devices with multiple organic-metal mixed layers
US6750609B2 (en) 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode
US6956240B2 (en) * 2001-10-30 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
SG176316A1 (en) 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
EP1367659B1 (en) * 2002-05-21 2012-09-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic field effect transistor
US7045955B2 (en) * 2002-08-09 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
TWI272874B (en) * 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP3729262B2 (ja) * 2002-08-29 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
TW578439B (en) * 2002-10-25 2004-03-01 Ritdisplay Corp Organic light emitting diode and material applied in the organic light emitting diode
JP3997888B2 (ja) * 2002-10-25 2007-10-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
JP2006526274A (ja) * 2003-04-23 2006-11-16 ツェン−ホン ルー 埋込み電荷注入電極を有する発光デバイス
JP4624653B2 (ja) * 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
KR100527191B1 (ko) * 2003-06-03 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 저저항 캐소드를 사용하는 유기 전계 발광 소자
KR100542993B1 (ko) * 2003-07-26 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 고효율 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7504049B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrode device for organic device, electronic device having electrode device for organic device, and method of forming electrode device for organic device
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
EP2276088B1 (en) * 2003-10-03 2018-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light emitting element, and light emitting device using the light emitting element
JP2005123083A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布組成物および有機el素子の製造方法
JP2005129279A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Canon Inc 有機発光素子
KR20050045635A (ko) * 2003-11-12 2005-05-17 엘지전자 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조방법
WO2005064995A1 (en) * 2003-12-26 2005-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP4689176B2 (ja) * 2004-02-26 2011-05-25 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2005276739A (ja) * 2004-03-26 2005-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7629695B2 (en) * 2004-05-20 2009-12-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Stacked electronic component and manufacturing method thereof
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
KR100587304B1 (ko) * 2004-06-03 2006-06-08 엘지전자 주식회사 유기 el 소자 및 그 제조 방법
US7402681B2 (en) * 2004-12-14 2008-07-22 Xerox Corporation Compound with indolocarbazole moieties and devices containing such compound
US7449831B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having inorganic material containing anode capping layer
US7449830B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
GB0424294D0 (en) * 2004-11-03 2004-12-01 Elam T Ltd Buffer layer
KR101215866B1 (ko) * 2004-11-30 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그를 사용하는 전자 장치
US7402346B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-22 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Organic electroluminescent devices
US7663653B2 (en) * 2005-02-24 2010-02-16 Seiko Epson Corporation Optical head and image forming apparatus incorporating the same
JP5201798B2 (ja) * 2005-03-22 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US8125144B2 (en) * 2005-04-11 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and vapor deposition apparatus
CN101867019B (zh) * 2005-04-21 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
US7777407B2 (en) * 2005-05-04 2010-08-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US7728517B2 (en) * 2005-05-20 2010-06-01 Lg Display Co., Ltd. Intermediate electrodes for stacked OLEDs
US7795806B2 (en) * 2005-05-20 2010-09-14 Lg Display Co., Ltd. Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML)
US7943244B2 (en) * 2005-05-20 2011-05-17 Lg Display Co., Ltd. Display device with metal-organic mixed layer anodes
US7811679B2 (en) * 2005-05-20 2010-10-12 Lg Display Co., Ltd. Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers
US7750561B2 (en) * 2005-05-20 2010-07-06 Lg Display Co., Ltd. Stacked OLED structure
US8017252B2 (en) * 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
CN102163697B (zh) * 2005-07-25 2015-09-16 株式会社半导体能源研究所 发光元件,发光器件,和电子设备
EP1777758A1 (en) * 2005-10-18 2007-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device
US20070138637A1 (en) * 2005-12-19 2007-06-21 Shiva Prakash Electronic device having low background luminescence, a black layer, or any combination thereof
US7638206B2 (en) * 2005-12-21 2009-12-29 Lg Display Co., Ltd. Bifunctional compounds and OLED using the same
JP2007250329A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子、自発光パネル、自発光素子の製造方法、および自発光パネルの製造方法
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US20070292681A1 (en) * 2006-06-20 2007-12-20 Fuji Xerox Co., Ltd Organic electroluminescence device
JP5056420B2 (ja) * 2008-01-10 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 有機elパネルおよびその製造方法
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
KR20110008206A (ko) * 2008-04-03 2011-01-26 큐디 비젼, 인크. 양자점들을 포함하는 발광 소자
US20090267891A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Bamidele Ali Virtual paper
KR101279317B1 (ko) * 2008-06-04 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US8643000B2 (en) * 2008-11-18 2014-02-04 E I Du Pont De Nemours And Company Organic electronic device with low-reflectance electrode
JP2012038441A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Alps Electric Co Ltd 発光装置
EP2503618B1 (en) 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
JP6023461B2 (ja) 2011-05-13 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
KR20120139383A (ko) * 2011-06-17 2012-12-27 삼성전자주식회사 전계방출패널 및 그를 구비한 액정 디스플레이와 전계방출 디스플레이
US9419239B2 (en) 2011-07-08 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound
TWI421328B (zh) 2011-09-06 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 螢光材料與白光發光裝置
KR101877441B1 (ko) * 2011-12-13 2018-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드표시장치
KR101879274B1 (ko) 2012-01-09 2018-08-20 삼성디스플레이 주식회사 저온 증착 장치
CN104124381A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124353A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124360A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124359A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124397A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124398A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124352A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124351A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124396A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124346A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124366A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124339A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218177A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104218155A (zh) * 2013-05-30 2014-12-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104022142B (zh) * 2014-06-12 2017-10-17 四川虹视显示技术有限公司 高开口率的顶发射amoled器件与制成方法
US10236464B2 (en) 2014-08-21 2019-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
US10003041B2 (en) * 2014-08-21 2018-06-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
US11211575B2 (en) 2014-08-21 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode
CN104979285A (zh) * 2015-07-01 2015-10-14 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
EP3168324A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-17 Novaled GmbH Process for making a metal containing layer
EP3168894B8 (en) * 2015-11-10 2023-07-26 Novaled GmbH N-doped semiconducting material comprising two metal dopants
JP2018081855A (ja) * 2016-11-17 2018-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
JP2018113149A (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 日本放送協会 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池
KR102577891B1 (ko) 2017-04-07 2023-09-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
CN109192882B (zh) * 2018-10-31 2021-02-19 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
US20230217696A1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Lg Display Co., Ltd. Light Emitting Display Device
KR20230102596A (ko) * 2021-12-30 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1190322A (zh) * 1997-01-27 1998-08-12 城户淳二 有机场致发光元件
CN1238655A (zh) * 1998-02-17 1999-12-15 城户淳二 有机场致发光装置
US6023073A (en) * 1995-11-28 2000-02-08 International Business Machines Corp. Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3172862A (en) 1960-09-29 1965-03-09 Dow Chemical Co Organic electroluminescent phosphors
US4287449A (en) * 1978-02-03 1981-09-01 Sharp Kabushiki Kaisha Light-absorption film for rear electrodes of electroluminescent display panel
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
DE8231092U1 (de) 1982-11-06 1983-02-10 ONI-Metallwarenfabriken Günter & Co, 4973 Vlotho Rollenlager fuer eine in einer schiene haengend gefuehrte schiebetuer
US4652794A (en) * 1982-12-10 1987-03-24 National Research Development Corporation Electroluminescent device having a resistive backing layer
US4539507A (en) * 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4767966A (en) * 1984-12-03 1988-08-30 Luminescent Electronics, Inc. Electroluminescent panels
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
CA1302547C (en) * 1988-12-02 1992-06-02 Jerzy A. Dobrowolski Optical interference electroluminescent device having low reflectance
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子
JP2815472B2 (ja) 1990-01-22 1998-10-27 パイオニア株式会社 電界発光素子
US5047687A (en) 1990-07-26 1991-09-10 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilized cathode
JPH04357694A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜el素子
US5141671A (en) * 1991-08-01 1992-08-25 Eastman Kodak Company Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors
US5150006A (en) * 1991-08-01 1992-09-22 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (II)
US5151629A (en) * 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
JP2974835B2 (ja) 1991-09-12 1999-11-10 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
EP0569827A2 (en) * 1992-05-11 1993-11-18 Idemitsu Kosan Company Limited Organic electroluminescence device
JP3226640B2 (ja) 1992-12-15 2001-11-05 沖電気工業株式会社 直流型ガス放電表示装置
JP3332491B2 (ja) 1993-08-27 2002-10-07 三洋電機株式会社 有機el素子
JPH08102360A (ja) * 1994-09-29 1996-04-16 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機無機複合薄膜型電界発光素子
JP2931229B2 (ja) 1995-02-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US5593788A (en) 1996-04-25 1997-01-14 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices with high operational stability
US5728801A (en) 1996-08-13 1998-03-17 The Dow Chemical Company Poly (arylamines) and films thereof
US6054809A (en) * 1996-08-14 2000-04-25 Add-Vision, Inc. Electroluminescent lamp designs
JPH10125469A (ja) * 1996-10-24 1998-05-15 Tdk Corp 有機el発光素子
US5846666A (en) * 1997-02-27 1998-12-08 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5935720A (en) 1997-04-07 1999-08-10 Eastman Kodak Company Red organic electroluminescent devices
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
US6274979B1 (en) * 1997-09-17 2001-08-14 Texas Instruments Incorporated Organic light emitting diodes
US5952115A (en) 1997-10-02 1999-09-14 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US5942340A (en) 1997-10-02 1999-08-24 Xerox Corporation Indolocarbazole electroluminescent devices
US6140763A (en) 1998-07-28 2000-10-31 Eastman Kodak Company Interfacial electron-injecting layer formed from a doped cathode for organic light-emitting structure
US6137223A (en) 1998-07-28 2000-10-24 Eastman Kodak Company Electron-injecting layer formed from a dopant layer for organic light-emitting structure
EP0977257A3 (en) 1998-07-30 2003-09-10 Texas Instruments Incorporated Stacked capacitor DRAM cell and method of producing the same
US6057048A (en) 1998-10-01 2000-05-02 Xerox Corporation Electroluminescent (EL) devices
JP4505067B2 (ja) * 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000340365A (ja) 1999-05-25 2000-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
CA2277654A1 (en) 1999-07-19 2001-01-19 Luxell Technologies Inc. Electroluminescent display packaging and method therefor
US6411019B1 (en) 1999-07-27 2002-06-25 Luxell Technologies Inc. Organic electroluminescent device
JP4048521B2 (ja) * 2000-05-02 2008-02-20 富士フイルム株式会社 発光素子
US6429451B1 (en) 2000-05-24 2002-08-06 Eastman Kodak Company Reduction of ambient-light-reflection in organic light-emitting devices
US6750609B2 (en) * 2001-08-22 2004-06-15 Xerox Corporation OLEDs having light absorbing electrode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6023073A (en) * 1995-11-28 2000-02-08 International Business Machines Corp. Organic/inorganic alloys used to improve organic electroluminescent devices
CN1190322A (zh) * 1997-01-27 1998-08-12 城户淳二 有机场致发光元件
CN1238655A (zh) * 1998-02-17 1999-12-15 城户淳二 有机场致发光装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108431289A (zh) * 2015-11-10 2018-08-21 诺瓦尔德股份有限公司 用于制备含金属层的方法
CN108431289B (zh) * 2015-11-10 2021-01-12 诺瓦尔德股份有限公司 用于制备含金属层的方法

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