JP2018113149A - 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池 - Google Patents

導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
JP2018113149A
JP2018113149A JP2017002506A JP2017002506A JP2018113149A JP 2018113149 A JP2018113149 A JP 2018113149A JP 2017002506 A JP2017002506 A JP 2017002506A JP 2017002506 A JP2017002506 A JP 2017002506A JP 2018113149 A JP2018113149 A JP 2018113149A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
organic
derivative
layer
cathode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017002506A
Other languages
English (en)
Inventor
弘彦 深川
Hirohiko Fukagawa
弘彦 深川
清水 貴央
Takahisa Shimizu
貴央 清水
拓 大野
Hiroshi Ono
拓 大野
翼 佐々木
Tasuku Sasaki
翼 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Broadcasting Corp
Original Assignee
Nippon Hoso Kyokai NHK
Japan Broadcasting Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Hoso Kyokai NHK, Japan Broadcasting Corp filed Critical Nippon Hoso Kyokai NHK
Priority to JP2017002506A priority Critical patent/JP2018113149A/ja
Publication of JP2018113149A publication Critical patent/JP2018113149A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

【課題】電極材料として用いることができ、大気中での安定性が良好な導電膜を提供する。【解決手段】有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜した導電膜1とする。導電膜1と、導電膜1に接して形成された導電層3との積層体からなる電極とする。陽極9と陰極11との間に発光層6を有する有機エレクトロルミネッセンス素子10であって、陰極11が、導電膜1を有する有機エレクトロルミネッセンス素子10とする。【選択図】図1

Description

本発明は、導電膜およびそれを用いた電極、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、エレクトロルミネッセンス(電界発光)を「EL」と記す場合がある。)、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池に関する。
有機EL素子は、低電圧で駆動できる、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能であるなどの特徴を有している。このため、有機EL素子は、画像表示装置および照明装置に好適に用いられている。
有機EL素子は、陰極と陽極との間に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の複数の層が積層された構造を有している。有機EL素子としては、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものと、基板と発光層との間に陰極が配置された逆構造のものとがある。逆構造の有機EL素子では、これを画像表示装置などに用いる場合に、陰極とトランジスタなどとを容易に接続できる。
陰極の材料としては、従来、Al等が用いられている。
近年、大気中で安定かつ仕事関数が小さい金属酸化物を、陰極表面に成膜した逆構造の有機EL素子が提案されている(例えば、非特許文献1および非特許文献2参照)。この有機EL素子では、効率よく電子を有機層へ注入できる。また、この有機EL素子は、大気中での動作安定性が高い。
特開2011−184430号公報 特開2012−151148号公報
APPLIED PHYSICS LETTERS Volume89,page183510(2006) Advanced Materials Volume23,page1829(2011) H.Choら、Science,vol.350,p.1222(2015) H.Yoshida、J.Phys.Chem.C,vol.119,p.24459(2015)
従来の有機EL素子では、大気中の水分および酸素の影響を受けて電極材料が劣化することにより、非発光部が形成されることが問題となっていた。このため、従来の有機EL素子では、有機EL素子を厳密に封止して、電極材料の劣化を防止していた。しかし、有機EL素子を厳密に封止することが、有機EL素子を用いた画像表示装置などにおいて、フレキシブル化の妨げとなる場合があった。
したがって、有機EL素子の電極として用いることができ、大気中での安定性が高い電極材料を開発することが要求されている。
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、電極材料として用いることができ、大気中での安定性が良好な導電膜を提供することを課題とする。
また、上記の大気中での安定性が良好な導電膜を用いた電極、有機EL素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を解決するために、鋭意検討を重ねた。その結果、有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜した導電膜とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は、以下の発明に関わる。
〔1〕 有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜したことを特徴とする導電膜。
〔2〕 有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを含むことを特徴とする導電膜。
〔3〕 前記第1材料が、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ナフチリジン誘導体、フェナジン誘導体、キノキサリン誘導体、イミダゾール誘導体、キノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、トリアゾール誘導体、ホスフィン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、シクロペンジエン誘導体、シクロオクタジエン誘導体、アセチルアセトン誘導体、キレート剤から選ばれるいずれか1種または2種以上であることを特徴とする〔1〕に記載の導電膜。
〔4〕 前記第1材料が、クラウンエーテル誘導体、シクロデキストリン誘導体、カリックスアーレン誘導体から選ばれるいずれか1種または2種以上であることを特徴とする〔1〕に記載の導電膜。
〔5〕 平均厚さが1〜1000nmであることを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の導電膜。
〔6〕 〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の導電膜と、前記導電膜に接して形成された導電層との積層体からなることを特徴とする電極。
〔7〕 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極および/または前記陰極が、〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の導電膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔8〕 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陽極および/または前記陰極が、〔6〕に記載の電極であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔9〕 〔7〕または〔8〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
〔10〕 〔7〕または〔8〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
〔11〕 〔1〕〜〔5〕のいずれか一項に記載の導電膜を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。
本発明の導電膜は、有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜したものである。本発明の導電膜では、金属(第2材料)の大気中での劣化が有機物(第1材料)によって抑制されるため、酸素耐性および水分耐性が良好であり、大気中での安定性が良好である。よって、本発明の導電膜は、必ずしも厳密な封止をする必要はない。したがって、本発明の導電膜は、有機EL素子などの電極材料として好適である。
また、本発明の導電膜を用いた電極、有機EL素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池では、導電膜の大気中での安定性が良好であるため、長期間安定して使用できる。
本実施形態の有機EL素子の一例を説明するための断面模式図である。 本実施形態の有機EL素子の他の例を説明するための断面模式図である。 大気安定性を評価する素子の封止方法を説明するための模式図である。 初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間、100時間経過する毎に撮影した素子3と素子7の発光面の写真である。 初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間の経過時間(連続駆動時間)と発光面積との関係を示したグラフである。 初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間の経過時間(連続駆動時間)と発光面積との関係を示したグラフである。 素子3の透過型電子顕微鏡(TEM)写真である。
以下、本発明の導電膜、およびそれを用いた電極、有機EL素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池について、図面を用いて詳細に説明する。
「導電膜」
本発明の導電膜は、有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜したものである。
本発明の導電膜は「第1材料」と「第2材料」とを共蒸着することにより成膜してなるものである。本発明の導電膜は、第2材料の大気中での劣化が第1材料によって抑制されるため、第2材料からなる導電膜と比較して、酸素耐性および水分耐性が良好である。この効果は、共蒸着により得られた本発明の導電膜が(1)第1材料と第2材料との混合物、(2)第1材料と第2材料との反応生成物と、反応しなかった第1材料および/または反応しなかった第2材料との混合物、(3)第1材料と第2材料との反応生成物のいずれかであることによるものである。
しかし、本発明において、共蒸着することにより成膜してなる導電膜が上記(1)〜(3)のいずれであるか、および導電膜中の反応生成物が何であるか、さらに反応しなかった第1材料および/または反応しなかった第2材料の大きさがどの程度であるかは、「第1材料」および「第2材料」の種類、その割合によって異なり、文言によって一概に特定することは不可能である。よって、本願の導電膜の特徴は、物の構造又は特性により直接特定することは、およそ実際的ではない。
本実施形態の導電膜は、有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを含む。導電膜中の第1材料および第2材料は、一部または全部が第1材料と第2材料との反応生成物として存在していてもよい。導電膜中に第1材料と第2材料との反応生成物が含まれている場合、酸素耐性および水分耐性がより良好となり、大気中での安定性がより一層良好となるため好ましい。
有機物からなる第1材料は、金属からなる第2材料と共蒸着できる有機物であればよい。第1材料としては、例えば、アリールアミン系化合物、各種金属錯体、アクセプター材料である1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)、アクセプター材料である2,3,5,6−テトラフルオロ−7,7,8,8−テトラシアノ−キノジメタン(F4−TCNQ)、アクセプター材料であるヘキサフルオロテトラシアノナフトキノジメタン(F6−TNAP)、フラーレン誘導体などが挙げられる。
第1材料は、第2材料(金属)と共蒸着することにより金属と反応して反応生成物を生成する材料であることが好ましく、具体的には、導電膜中に含まれる金属と電荷のやり取りが可能な有機物であることが好ましい。
このような第1材料としては、例えば、その材料が持つ非共有電子対を金属に配位することにより、金属と錯体を形成する有機物が挙げられる。具体的には、例えば、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ナフチリジン誘導体、フェナジン誘導体、キノキサリン誘導体、イミダゾール誘導体、キノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、トリアゾール誘導体、ホスフィン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、シクロペンジエン誘導体、シクロオクタジエン誘導体、アセチルアセトン誘導体、キレート剤から選ばれるいずれか1種または2種以上を用いることができる。これらの第1材料の中でも、金属と電荷のやり取りをして(反応して)錯体を形成する(例えば、非特許文献4参照。)材料であるため、ピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体から選ばれるいずれか1種または2種以上が好ましい。例えば、有機物(第1材料)であるピリジン誘導体の一例と金属(第2材料)であるAlとの錯体の例を下記一般式(1)に示す。
また、導電膜中に含まれる金属と電荷のやり取りが可能な他の第1材料として、例えば、金属イオンを分子内に取り込むことができる有機物が挙げられる。具体的には、例えば、クラウンエーテル誘導体、シクロデキストリン誘導体、カリックスアーレン誘導体から選ばれるいずれか1種または2種以上を用いることができる。例えば、有機物(第1材料)であるクラウンエーテル誘導体の一例の分子内に、金属(第2材料)であるAlを取り込んだ例を下記一般式(2)に示す。
金属からなる第2材料としては、Mg、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられる。上記の第1材料の中でも特に、Mg、Ag、Alが好ましい。
本実施形態の導電膜は、平均厚さが1〜1000nmであることが好ましく、1〜150nmであることがより好ましく、10〜100nmであることがさらに好ましい。導電膜の平均厚さが1nm以上であると、電極材料として用いることのできる十分な導電性が得られやすく、好ましい。導電膜の平均厚さが1000nm以下であると、短時間で効率よく導電膜を形成でき、好ましい。
また、導電膜の材料として不透明な材料を用いる場合、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、透明な導電膜として使用でき、かつ電極材料として好適な導電性が得られる。
本実施形態の導電膜中の第1材料と第2材料との重量比は、特に限定されないが、第1材料の重量を1としたときの第2材料の重量が0.5〜10.0の範囲であることが好ましく、1.00〜4.00の範囲であることがより好ましい。第1材料の重量を1としたときの第2材料の重量が0.5以上であると、第2材料が十分に含まれているために導電性が良好な導電膜となる。第1材料の重量を1としたときの第2材料の重量が10.0以下であると、第1材料が十分に含まれているために酸素耐性および水分耐性が良好となる。
導電膜中の第1材料と第2材料との重量比は、均一であってもよいし、不均一であってもよい。導電膜中の第1材料と第2材料との重量比が不均一である場合、例えば、導電膜の厚み方向に上記重量比の勾配を持たせても良い。
導電膜の平均厚さおよび第1材料と第2材料との重量比は、水晶振動子膜厚計により導電膜の成膜時に測定できる。この測定方法では、導電膜中に第1材料と第2材料との反応生成物が含まれている場合、反応生成物中の第1材料成分と第2材料成分との重量比が、第1材料と第2材料との重量比として検出される。
「導電膜の製造方法」
本実施形態の導電膜は、有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜する。本実施形態では、共蒸着する際に、二つの蒸着源(第1材料用蒸着源・第2材料用蒸着源)を用いることが好ましい。そして、各蒸着源の蒸着レートを意図する値まで上げ、導電膜中の両者の重量比に対応する蒸着レートのバランスとしてから、サンプルのシャッターを開けて導電膜の成膜を開始する。その後、必要な厚みとなるまで、所定の蒸着レートのバランスで成膜する。このことにより、所定の重量比で第1材料と第2材料とを含む導電膜が得られる。
「電極」
本実施形態の電極は、導電膜と、導電膜に接して形成された導電層との積層体からなる。本実施形態の電極に用いられる導電層の材料としては、従来電極に使用されている公知の材料を用いることができる。例えば、ITO(インジウム酸化錫)、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素酸化錫)、InSnZnO(インジウム酸化亜鉛錫、ITZO)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物、Au、Pt、Ag、Cu、Al、Pd、Mo、Ni、Mg、Biまたはこれらを含む合金等の金属材料が挙げられる。
導電層と導電膜との仕事関数が近い程、電子および正孔の注入に有利であるため、導電層の材料は、上記の導電膜中の金属からなる第2材料と、一部または全部が同じであることが好ましい。
導電層の平均厚さは、導電膜および導電層の材料と、電極の用途とに応じて適宜決定でき、特に限定されない。
本実施形態の電極は、従来公知の製造方法により形成した導電層上に、上述した導電膜の製造方法により導電膜を形成することにより製造できる。また、上述した導電膜の製造方法により形成した導電膜上に、従来公知の製造方法により導電層を形成してもよい。
なお、本実施形態では、導電膜と、導電膜に接して形成された導電層との積層体からなる電極を例に挙げて説明したが、導電膜のみで十分な導電性が得られる場合には、導電膜を単独で電極として用いてもよい。
「有機EL素子」
図1は、本実施形態の有機EL素子の一例を説明するための断面模式図である。図1に示す本実施形態の有機EL素子10は、陽極9(電極)と陰極11(電極)との間に、発光層6を含む積層構造が形成されているものである。
図1に示す有機EL素子10では、陰極11として、上述した実施形態の電極が配置されている。
本実施形態の有機EL素子10における積層構造は、正孔注入層8と、正孔輸送層7と、発光層6と、電子輸送層5と、電子注入層4とがこの順に形成されたものである。本実施形態の有機EL素子10は、基板2と発光層6との間に陽極9が配置された順構造ものである。
本実施形態では、図1に示す順構造の有機EL素子10を例に挙げて説明するが、図2に示すように、本発明の有機EL素子20は、基板2と発光層6との間に陰極13が配置された逆構造のものであってもよい。図2に示す有機EL素子20における積層構造は、電子注入層4、電子輸送層5、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8とがこの順に形成されたものである。
図2に示す有機EL素子20では、図1に示す順構造の有機EL素子10とは異なり、陽極12として上述した実施形態の電極が配置されている。そして、陽極12の導電膜1は、導電層14の発光層6側に配置されている。
図1に示す有機EL素子10は、基板2と反対側に光を取り出すトップエミッション型のものであってもよいし、基板2側に光を取り出すボトムエミッション型のものであってもよい。
(基板)
基板2の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。基板2の材料は、1種のみを用いてもよいし、2種以上組み合わせて使用してもよい。
基板2に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板2の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機EL素子10、20が得られるため好ましい。
基板2に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
有機EL素子10がボトムエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板を用いる。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
基板2の平均厚さは、0.1〜30mmであることが好ましく、より好ましくは0.1〜10mmである。
基板2の平均厚さはデジタルマルチメーター、ノギスにより測定することができる。
(陰極)
陰極11は、上述した実施形態の電極からなる。陰極11は、上述した実施形態の導電膜1と、導電膜1に接して形成された導電層3との積層体からなる。図1に示す有機EL素子10では、陰極11の導電膜1は、導電層3の発光層6側に配置されている。一般に有機EL素子では、陰極の発光層側の界面から酸素や水分が入り込み、陰極が酸化されてダークスポットが発生する。したがって、導電層3の発光層6側に酸素耐性および水分耐性の良好な導電膜1を設けることで、有機EL素子10の大気中での安定性向上効果がより効果的に得られる。
上述した実施形態の電極を、図1に示す有機EL素子10の陰極11として用いる場合、導電層3の材料として、Au、Pt、Ag、Cu、Al、Pd、Mo、Ni、Mg、Biまたはこれらを含む合金等が用いることが好ましい。中でも導電層3の材料として、Au、Ag、Alのいずれかを用いることが好ましい。
陰極11における導電層3の平均厚さは、特に限定されないが、例えば10〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは30〜150nmである。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、導電層3の材料として、透明な材料を用いることが好ましい。有機EL素子10がトップエミッション型のものであって、導電層3の材料として照射光に不透明な材料を用いる場合、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、透明な導電層3として使用できる。
導電層3の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
上述した実施形態の電極を、図1に示す有機EL素子10の陰極11として用いる場合、導電膜1における有機物からなる第1材料として、金属と反応性が高い材料であるピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体から選ばれるいずれか1種または2種以上を用いることが好ましい。また、金属からなる第2材料として、仕事関数が小さく電子注入性に優れる材料であるAl、Ag、Mgを用いることが好ましい。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合、陰極11における導電膜1の材料として透明な材料を用いる。有機EL素子10がトップエミッション型のものであって、導電膜1の材料として照射光に不透明な材料を用いる場合、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、透明な導電膜1として使用できる。
導電膜1の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
図2に示す逆構造の有機EL素子20である場合、陰極13として、例えば、後述する図1に示す有機EL素子10の陽極9と同様のものを用いることができる。
(正孔注入層)
正孔注入層8は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。正孔注入層8を蒸着により形成する場合には、正孔注入層8の材料として、例えば、F4−TCNQ、HAT−CN等の有機材料、酸化バナジウム(V)、三酸化モリブデン(酸化モリブデン:MoO)、酸化ルテニウム(RuO)等の酸化物から選ばれる1種または2種以上を用いることができる。これらの中でも特に、酸化バナジウムまたは酸化モリブデンを用いることが好ましい。また、正孔注入層8を塗布方法により形成する場合には、正孔注入層8の材料として、例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)等を用いることができる。
正孔注入層8の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、5〜50nmであることがより好ましい。
(正孔輸送層)
正孔輸送層7の材料としては、正孔輸送層7の材料として通常用いることができるいずれの化合物を用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。
正孔輸送層7の材料としては、例えば、N4,N4’−ビス(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニルー4,4’−ジアミン(DBTPB)、1,1−ビス(4−ジ−パラ−トリアミノフェニル)シクロへキサン、1,1’−ビス(4−ジ−パラ−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、4,4’,4’’−トリメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD1)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD3)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、TPTEのようなアリールアミン系化合物、N,N,N’,N’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(パラ−トリル)−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(メタ−トリル)−メタ−フェニレンジアミン(PDA)のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、4−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、OxZのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、m−MTDATAのようなトリフェニルメタン系化合物、1−フェニル−3−(パラ−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン(シクロヘキサジエン)系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ジ(4−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4,−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、2,4,7,−トリニトロ−9−フルオレノン、2,7−ビス(2−ヒドロキシ−3−(2−クロロフェニルカルバモイル)−1−ナフチルアゾ)フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、1,4−ジチオケト−3,6−ジフェニル−ピロロ−(3,4−c)ピロロピロールのようなピロール系化合物、フルオレンのようなフルオレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン、N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いることができる。
これらの中でも、α−NPD、TPTEのようなアリールアミン系化合物が好ましい。
正孔輸送層7の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、より好ましくは40〜100nmである。
正孔輸送層7の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
(発光層)
発光層6を形成する材料は、低分子材料であってもいし、高分子材料であってもよいし、これらを混合して用いてもよい。なお、本発明において、低分子材料とは、高分子材料(重合体)ではない材料を意味し、分子量が低い有機化合物を必ずしも意味するものではない。
発光層6を形成する高分子材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ(ジ−フェニルアセチレン)(PDPA)、ポリ(アルキルフェニルアセチレン)(PAPA)のようなポリアセチレン系化合物;ポリ(パラ−フェンビニレン)(PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン)(RO−PPV)、シアノ−置換−ポリ(パラ−フェンビニレン)(CN−PPV)、ポリ(2−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン)(DMOS−PPV)、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−パラ−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物;ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)、ポリ(オキシプロピレン)トリオール(POPT)のようなポリチオフェン系化合物;ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)、ポリ(ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール)(F8BT)、α,ω−ビス[N,N’−ジ(メチルフェニル)アミノフェニル]−ポリ[9,9−ビス(2−エチルヘキシル)フルオレン−2,7−ジル](PF2/6am4)、ポリ(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ(アントラセン−9,10−ジイル)のようなポリフルオレン系化合物;ポリ(パラ−フェニレン)(PPP)、ポリ(1,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレン)(RO−PPP)のようなポリパラフェニレン系化合物;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなポリカルバゾール系化合物;ポリ(メチルフェニルシラン)(PMPS)、ポリ(ナフチルフェニルシラン)(PNPS)、ポリ(ビフェニリルフェニルシラン)(PBPS)のようなポリシラン系化合物;更には特許文献1および特許文献2に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。
発光層6を形成する低分子材料としては、リン光発光材料の他、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ))、トリス[1−フェニルイソキノリン−C2,N]イリジウム(III)(Ir(piq))、トリス(4−メチル−8キノリノレート)アルミニウム(III)(Almq)、8−ヒドロキシキノリン亜鉛(Znq)、(1,10−フェナントロリン)−トリス−(4,4,4−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−ブタン−1,3−ジオネート)ユーロピウム(III)(Eu(TTA)(phen))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィンプラチナム(II)のような各種金属錯体;ジスチリルベンゼン(DSB)、ジアミノジスチリルベンゼン(DADSB)のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、6−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、N,N’−ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレン−ジ−カルボキシイミド(BPPC)のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、4−(ジ−シアノメチレン)−2−メチル−6−(パラ−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、4,4’−ビス[9−ジカルバゾリル]−2,2’−ビフェニル(CBP)、4、4’−ビス(9−エチルー3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)のようなカルバゾール系化合物、2,5−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、2,2’−(パラ−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル(1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン)、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、1,2,3,4,5−ペンタフェニル−1,3−シクロペンタジエン(PPCP)のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、2,2’,7,7’−テトラフェニル−9,9’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン(HPc)、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
発光層6としては、可視光を発光する材料以外にも、例えば赤外の発光を示す有機材料を用いることもできる。また、発光層6の材料としては、有機材料以外にも、例えば量子ドットやCHNHPbBrに代表されるようなペロブスカイト構造の材料(例えば、非特許文献3参照。)を用いてもよい。発光層6の材料としては、蛍光材料やリン光材料に加え、熱活性化遅延蛍光材料を用いてもよい。
発光層6の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましくより好ましくは20〜100nmである。
発光層6の平均厚さは、発光層6の材料が低分子化合物である場合、水晶振動子膜厚計により測定できる。発光層6の材料が高分子化合物である場合、接触式段差計により測定できる。
(電子輸送層)
電子輸送層5の材料としては、電子輸送層の材料として通常用いることができるいずれの化合物も用いることができ、これらを混合して用いてもよい。
電子輸送層5の材料としては、例えば、ホウ素含有化合物、トリス−1,3,5−(3’−(ピリジン−3’’−イル)フェニル)ベンゼン(TmPyPhB)のようなピリジン誘導体、(2−(3−(9−カルバゾリル)フェニル)キノリン(mCQ))のようなキノリン誘導体、2−フェニル−4,6−ビス(3,5−ジピリジルフェニル)ピリミジン(BPyPPM)のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)のようなフェナントロリン誘導体、2,4−ビス(4−ビフェニル)−6−(4’−(2−ピリジニル)−4−ビフェニル)−[1,3,5]トリアジン(MPT)のようなトリアジン誘導体、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)のようなオキサジアゾール誘導体、2,2’,2’’−(1,3,5−ベントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(TPBI)のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ))、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq)等に代表される各種金属錯体、2,5−ビス(6’−(2’,2’’−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いることができる。
これらの中でも、Alqのような金属錯体、TmPyPhBのようなピリジン誘導体が好ましい。
電子輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、より好ましくは40〜100nmである。
電子輸送層5の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
(電子注入層)
電子注入層4の材料としては、例えば、LiF,Ba,Ce等のアルカリ金属を含む化合物、ポリエチレンイミン等の表面の仕事関数を小さくする化合物などから選ばれる1種または2種以上を用いることができる。
電子注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、0.5〜1000nmであることが好ましく、1〜100nmであることがより好ましい。
有機EL素子20が図2に示す逆構造のものである場合、電子注入層4が、金属酸化物からなる1層以上の酸化物層を含むことが好ましい。酸化物層は、ポリエチレンイミン等の表面の仕事関数を小さくする化合物からなる電子注入層の陰極13側に設けられていることが好ましい。
酸化物層を形成する金属酸化物を構成する金属元素としては、例えば、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素などが挙げられる。
酸化物層が、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、または二種類以上の金属酸化物を混合した層である場合、酸化チタン/酸化亜鉛、酸化チタン/酸化マグネシウム、酸化チタン/酸化ジルコニウム、酸化チタン/酸化アルミニウム、酸化チタン/酸化ハフニウム、酸化チタン/酸化ケイ素、酸化亜鉛/酸化マグネシウム、酸化亜鉛/酸化ジルコニウム、酸化亜鉛/酸化ハフニウム、酸化亜鉛/酸化ケイ素、酸化カルシウム/酸化アルミニウム、から選ばれる二種の金属酸化物の組合せを積層及び/又は混合したもの、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化マグネシウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ジルコニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化アルミニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ハフニウム、酸化チタン/酸化亜鉛/酸化ケイ素、酸化インジウム/酸化ガリウム/酸化亜鉛、から選ばれる三種の金属酸化物の組合せを積層及び/又は混合したものなどが挙げられる。酸化物層は、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるIGZOおよび/またはエレクトライドである12CaO・7Alを含むものであってもよい。
電子注入層4の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、2〜100nmであることがより好ましい。
(陽極)
陽極9の材料としては、ITO(インジウム酸化錫)、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素酸化錫)、InSnZnO(インジウム酸化亜鉛錫、ITZO)、In、SnO、Sb含有SnO、Al含有ZnO等の酸化物の導電材料を用いることが好ましい。これらの中でも特に、陽極9の材料としてITO、IZO、FTOを用いることが好ましい。
陽極9の平均厚さは、特に制限されないが、10〜500nmであることが好ましく、より好ましくは100〜200nmである。
図2に示す逆構造の有機EL素子20である場合、陽極12の導電膜1および導電層14として、それぞれ図1に示す有機EL素子10の陰極11における導電膜1および導電層3と同様のものを用いることができる。
「有機EL素子の製造方法」
図1に示す有機EL素子10は、基板2上に、陽極9と、正孔注入層8と、正孔輸送層7と、発光層6と、電子輸送層5と、電子注入層4と、陰極11をこの順に形成することにより製造できる。
また、図2に示す有機EL素子20は、基板2上に、陰極13と、電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8と、陽極12とをこの順に形成することにより製造できる。
図1に示す有機EL素子10の陰極11、図2に示す有機EL素子20の陽極12は、上述した電極の製造方法により形成できる。
図1および図2に示す有機EL素子10、20の正孔注入層8、正孔輸送層7、発光層6、電子輸送層5、電子注入層4、図1に示す有機EL素子10の陽極9、図2に示す有機EL素子20の陰極13の各層の形成方法は、特に限定されず、各層に用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いて形成できる。
具体的には、例えば、図1に示す有機EL素子10の陽極9、図2に示す有機EL素子20の陰極13を形成する方法として、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解(SPD)法、原子層堆積(ALD)法、気相成膜法、液相成膜法等が挙げられる。
また、電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8の各層を形成する方法として、各層となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ESDUS(Evaporative Spray Deposition from Ultra−dilute Solution)法などが挙げられる。これらの形成方法の中でも特に、塗布法を用いることが好ましい。
また、電子注入層4、電子輸送層5、正孔輸送層7、正孔注入層8のうちいずれかの層が無機材料からなるものである場合、無機材料からなる層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等の方法を用いて形成できる。
なお、図1および図2に示す有機EL素子10、20を形成している各層の厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーを用いて測定することができる。また、各層を真空蒸着法で形成する場合、各層の厚さは、水晶振動子膜厚計を用いて製膜時に測定できる。
図1に示す有機EL素子10では陰極11として、図2に示す有機EL素子20では陽極12として、本実施形態の導電膜1を有する電極が配置されている。本実施形態の導電膜1は、酸素耐性および水分耐性が良好であり、大気中での安定性が良好である。よって、図1に示す有機EL素子10および図2に示す有機EL素子20は、長期間安定して使用できるし、必ずしも厳密な封止をする必要はない。したがって、図1に示す有機EL素子10および図2に示す有機EL素子20は、フレキシブルな表示装置および照明装置の材料として好適である。
具体的には、例えば、図1に示す有機EL素子10において、陰極11の導電層3の材料として活性な金属であるAlを用い、導電膜1を設けない場合、導電層3の電子注入層4側の界面が大気中の酸素および水分によって容易に酸化され、劣化する。その結果、導電層3からの電子注入層4への電子注入が妨げられて、ダークスポット等の非発光部が形成される。
これに対し、図1に示す有機EL素子10では、導電層3の電子注入層4側に導電膜1が設けられている。このため、導電膜1中の金属(第2材料)の大気中での劣化が、有機物(第1材料)によって抑制されるとともに、導電膜1によって導電層3の酸化も抑制される。その結果、電子注入層4と陰極11との間の酸素耐性および水分耐性が飛躍的に向上し、有機EL素子10の大気中での安定性が良好となる。
「他の例」
本発明の有機EL素子は、上述した実施形態において説明した有機EL素子に限定されるものではない。
具体的には、図1および図2に示す有機EL素子10、20においては、陽極と陰極のうち、発光層に対して基板と反対側に配置された電極が、導電膜1の発光層と反対側の面で導電膜1に接して形成された導電層3、14との積層体からなるものである場合を例に挙げて説明した。しかし、本発明の有機EL素子は、陽極と陰極のうち発光層の基板側に配置された電極、または陽極と陰極の両方が、導電膜の発光層と反対側の面で導電膜に接して形成された導電層との積層体からなるものであってもよい。
図1および図2に示す有機EL素子10、20において、発光層の基板と反対側に配置された電極における導電層3、14は、必要に応じて形成すればよく、設けられていなくてもよい。
また、図1および図2に示す有機EL素子10、20における発光層の基板と反対側に配置された電極における導電膜1は、導電層3、14の発光層側に配置されているが、導電層3、14の発光層と反対側に配置されていてもよい。
また、図1および図2に示す有機EL素子10、20では、導電膜1が電極の一部を形成する場合を例に挙げて説明したが、本発明の導電膜は電極として用いなくてもよく、有機EL素子の積層構造のどこに挿入してもよい。
図1および図2に示す有機EL素子10、20においては、電子注入層4、電子輸送層5、正孔輸送層7、正孔注入層8は、必要に応じて形成すればよく、設けられていなくてもよい。
また、電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8の各層は、1層で形成されているものであってもよいし、2層以上からなるものであってもよい。
また、図1および図2に示す有機EL素子10、20は、陽極9、12、正孔注入層8、正孔輸送層7、発光層6、電子輸送層5、電子注入層4、陰極13、11の各層の間に、他の層を有するものであってもよい。具体的には、有機EL素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて、電子阻止層などを有していてもよい。
「表示装置」
本実施形態の表示装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて画像を表示するものである。本実施形態の表示装置は、陽極および/または陰極が大気中での安定性が良好な導電膜を有する有機EL素子を備える。このため、長期間安定して使用できる。
「照明装置」
本実施形態の照明装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて面発光を行うものである。本発明の照明装置は、陽極および/または陰極が大気中での安定性が良好な導電膜を有する有機EL素子を備える。このため、長期間安定して使用できる。
「太陽電池」
本実施形態の太陽電池は、光を電気エネルギーに変換するものである。本実施形態の太陽電池は、大気中での安定性が良好な導電膜を含む。このため、長期間安定して使用できる。
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。なお、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。
<素子1〜素子6(実施例の有機EL素子)>
以下に示す方法により、図1に示す順構造の有機EL素子10を製造した。
[1]市販されている平均厚さ0.7mmのITO膜付きのガラス製透明基板(以下、単に基板とも称する)2を用意した。次いで、基板2を、ITOターゲットを有するミラートロンスパッタ装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。この時、基板2上のITO膜を幅3mmにパターニングできるように、メタルマスクを併設した。チャンバー内を約1×10−4Paまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタリング処理を実行した。これにより、基板2上に膜厚90nmのITOからなる陽極9を形成した。
[2]次に、陽極9を形成した基板2を、アセトン中およびイソプロパノール中でそれぞれ10分間超音波洗浄し、さらにイソプロパノール中で5分間煮沸した。その後、基板2をイソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、UVオゾン洗浄を20分間行った。
[3]次に、Hereus社製Clevious HIL1.5溶液を、基板2上に滴下し、毎分2000回転で60秒間回転させ、正孔注入層8を形成した。
[4]次に、正孔注入層8まで形成した基板2を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。下記一般式(3)で示されるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、下記一般式(4)で示されるトリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq)、LiF、陰極11に用いる有機物およびAlをそれぞれルツボに入れて蒸着源にセットした。
[5]真空蒸着装置内を約1×10−5Paまで減圧し、α−NPDを35nm成膜し、正孔輸送層7とした。さらに、Alqを35nm蒸着し、発光層6を兼ねる電子輸送層5とした。次に、LiFを1nm蒸着し、電子注入層4を成膜した。次に、表1に示す有機物からなる第1材料と、金属(Al)からなる第2材料とを共蒸着することにより、陰極11の導電膜1を成膜した。最後に、Alを膜厚100nmになるように蒸着し、陰極11の導電層3を形成した。以上の工程により、有機EL素子10である素子1〜素子6を得た。
なお、表1に記載の有機物および金属の膜厚は、成膜した導電膜に使用した有機物および金属をそれぞれ単独で蒸着した場合に得られる膜厚である。素子1〜素子6で成膜した導電膜の膜厚は、表1に示す有機物の膜厚と金属の膜厚との合計である。また、表1に示す金属の重量比は、有機物の重量を1としたときの金属の重量である。
また、陰極11(導電膜1および導電層3)を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、素子1〜素子6の発光面積を9mmとした。
表1における有機物としては、以下に示す化合物を用いた。
HAT−CN(一般式(5));1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(アクセプター)
BCP(一般式(6));Bathocuproine(フェナントロリン誘導体)
BPhen(一般式(7));Bathophenanthroline(フェナントロリン誘導体)
Alq(一般式(4));トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム
BPy−OXD(一般式(8));1,3−Bis[2−(2,2‘−bipyridine−6−yl)−1,3,4−oxadiazo−5−yl]benzene(ピリジン誘導体)
<素子7(比較例の有機EL素子)>
陰極11の導電膜1を形成しなかったこと以外は、素子1と同様にして、有機EL素子である素子7を得た。
なお、導電層3を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、素子7の発光面積を9mmとした。
上記の素子1〜素子7を構成する各層の平均厚さは、触針式段差計(製品名「アルファステップIQ」、KLAテンコール社製)を用いて測定した。
(素子1〜7の初期発光特性の測定)
素子1〜7を、それぞれキャッピングガラスを用いて封止し、5Vの電圧を印加した時の電流密度および輝度を測定した。各素子への電圧印加および電流測定は、ケースレー社製の「2400型ソースメーター」を用いて行った。また、各素子の発光輝度は、コニカミノルタ社製の「LS−110」を用いて測定した。その結果を表1に示す。
表1に示すように、導電膜1を形成した素子1〜6と、導電膜1を形成しなかった素子7とでは、5Vの電圧を印加した時の電流密度および輝度に大きな差はなかった。このことから、陰極11として導電膜1と導電層3との積層体を形成した場合でも、十分な導電性を確保できることが確認できた。
(素子1〜7の大気安定性の評価)
図3は、大気安定性を評価する素子の封止方法を説明するための模式図である。図3に示すように、素子1〜7の基板と反対側の面を、ガラス枠とバリアフィルムとで覆い、硬化樹脂を用いて封止した。バリアフィルムとしては、尾池工業株式会社製の水蒸気透過率10−4(g/m/day)のものを用いた。
そして、封止した各素子について、初期輝度を200cd/mとして連続駆動させ、発光面の変化を調べた。
図4は、初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間、100時間経過する毎に撮影した素子3と素子7の発光面の写真である。
図4に示すように、導電膜1を形成しなかった素子7では、非発光部を形成するシュリンクおよびダークスポットの発生が観測され、時間の経過とともにシュリンクおよびダークスポットが増加した。これは、素子7の陰極(導電層3)およびその周辺が、大気中の酸素および水分によって劣化したことが原因であると推定される。
これに対し、導電膜1を形成した素子3では、素子7と比較して、非発光部の形成が大幅に抑制されていた。
また、初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間、100時間経過する毎に撮影した素子1〜素子7それぞれの発光面の画像から、それぞれ発光面積を算出した。その結果を図5に示す。
図5は、初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間の経過時間(連続駆動時間)と発光面積との関係を示したグラフである。図5における縦軸は、発光を開始(0h経過)した時点での発光面積を1としたときの変化の割合である。図5に示すように、導電膜1を形成した素子1〜素子6では、導電膜1を形成しなかった素子7と比較して、発光面積の変化が小さかった。このことから、導電膜1を形成したことによって、素子の大気中での安定性が高まったことが分かる。
具体的には、図5に示すように、導電膜1を形成しなかった素子7では、700時間経過後における発光面積が、発光を開始(0h経過)時の約6割になっている。これに対し、例えば、最も発光面積の変化が小さかった素子3では、700時間経過するまでに形成された非発光部の割合が1割以下であった。
また、図5に示すように、金属と錯体を形成するフェナントロリン誘導体であるBCPを用いて導電膜1を形成した素子3、フェナントロリン誘導体であるBPhenを用いて導電膜1を形成した素子4、ピリジン誘導体であるBpy−OXDを用いて導電膜1を形成した素子6では、素子1〜素子6の中でも特に発光面積の変化が小さかった。
<素子8(実施例の有機EL素子)>
以下に示す方法により、図2に示す逆構造の有機EL素子20を製造した。
[1]素子1の陽極9と同様にして、基板2上に膜厚90nmのITOからなる陰極13を形成した。
[2]次に、陰極13を形成した基板2を、メタルマスクを併設したままZnターゲットを有するミラートロンスパッタ装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。チャンバー内を約1×10−4Paまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態で陰極13と同様のパターンで、スパッタリング処理を実行した。これにより、陰極13上に膜厚10nmのZnO膜からなる第1電子注入層を形成した。
[3]アセトン中およびイソプロパノール中でそれぞれ10分間超音波洗浄し、さらにイソプロパノール中で5分間煮沸した。その後、基板2をイソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、UVオゾン洗浄を20分間行った。
[4]次に、下記一般式(9)で示されるポリエチレンイミンの0.5重量%のエタノール溶液を作成した。次に、第1電子注入層まで形成した基板2をスピンコーターにセットした。基板2の第1電子注入層上に上記のポリエチレンイミンのエタノール溶液を滴下し、毎分2000回転で30秒間回転させて、ポリエチレンイミンを含む第2電子注入層を形成した。さらに、第2電子注入層までの各層が形成された基板2を、窒素雰囲気中で120℃にセットしたホットプレートにより1時間アニール処理を行った。これにより、膜厚10nmのZnO膜からなる第1電子注入層と、膜厚10nmのポリエチレンイミンからなる第2電子注入層とからなる電子注入層4を形成した。
[5]次に、電子注入層4まで形成した基板2を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。下記一般式(10)で示されるビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ))、下記一般式(11)で示されるトリス[1−フェニルイソキノリン−C2,N]イリジウム(III)(Ir(piq))、上記一般式(3)で示されるα−NPD、N4,N4’−ビス(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニルー4,4’−ジアミン(DBTPB)、HAT−CN、BCP、Alをそれぞれルツボに入れて蒸着源にセットした。
[6]真空蒸着装置内を約1×10−5Paまで減圧し、Zn(BTZ)を10nm成膜し、電子輸送層5とした。さらに、Zn(BTZ)をホスト、(Ir(piq))をドーパントとして25nm共蒸着し、発光層6を製膜した。この時、(Ir(piq))のドープ濃度が発光層6全体に対して6%となるようにした。次に、DBTPBを10nm蒸着し、α−NPDを30nm蒸着することにより、正孔輸送層7を製膜した。次に、HAT−CNを膜厚10nmになるように蒸着し、正孔注入層8とした。
[7]次に、有機物からなる第1材料として一般式(6)に示すBCP(膜厚20nm)と、金属(Al(膜厚10nm))からなる第2材料とを共蒸着することにより、陽極12の導電膜1を成膜した。最後に、Alを膜厚100nmになるように蒸着し、陽極12の導電層14を形成した。以上の工程により、有機EL素子20である素子8を得た。
なお、素子8の導電膜に使用した有機物および金属の後に記載した膜厚は、導電膜に使用した有機物および金属をそれぞれ単独で蒸着した場合に得られる膜厚である。素子8で成膜した導電膜の膜厚は、上記の有機物の膜厚と金属の膜厚との合計(30nm)である。
また、陽極12(導電膜1および導電層14)を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、素子8の発光面積を9mmとした。
<素子9(比較例の有機EL素子)>
陽極12の導電膜1を形成しなかったこと以外は、素子8と同様にして、有機EL素子である素子9を得た。
なお、導電層14を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、素子9の発光面積を9mmとした。
上記の素子8および素子9を構成する各層の平均厚さは、触針式段差計(製品名「アルファステップIQ」、KLAテンコール社製)を用いて測定した。
次に、素子8および素子9の大気安定性を素子1と同様にして評価した。そして、初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間、100時間経過する毎に撮影した素子8と素子9それぞれの発光面の写真について、発光面の画像から発光面積を算出した。その結果を図6に示す。
図6は、初期輝度で発光を開始(0h経過)してから700時間経過するまでの間の経過時間(連続駆動時間)と発光面積との関係を示したグラフである。図6における縦軸は、発光を開始(0h経過)した時点での発光面積を1としたときの変化の割合である。図6に示すように、導電膜1を形成した素子8では、導電膜1を形成しなかった素子9と比較して、発光面積の変化が小さかった。このことから、導電膜1を形成したことによって、素子の大気中での安定性が高まったことが分かる。
<有機EL素子の透過型電子顕微鏡(TEM)観察>
上記の素子3を、集束イオンビーム(FIB)法を用いて薄片化し、透過型電子顕微鏡(TEM)観察を行った。その結果を図7に示す。
図7において、符号1はAlとBCPとからなる導電膜、符号2はITO膜付きのガラス製透明基板からなる基板、符号3はAlからなる導電層、符号4はLiFからなる電子注入層、符号6はAlqからなる発光層を兼ねる電子輸送層5、符号7はα−NPDからなる正孔輸送層、符号8はClevious HILからなる正孔注入層、符号9はITOからなる陽極である。
TEM写真におけるコントラストは、重い原子で形成されている層ほど濃くなる。このため、Alqからなる発光層6およびα−NPDからなる正孔輸送層7と比較して、ITOからなる陽極9およびAlからなる導電層3は、濃い色となっている。
AlとBCPとからなる導電膜1の色は、発光層6および正孔輸送層7の色と、陽極9および導電層3の色との中間の濃さであり、略均一となっている。これは、上記の素子3の導電膜1が、Alと有機物との略均一な混合物で形成されているためであると推定できる。
1 導電膜
2 基板
3、14 導電層
4 電子注入層
5 電子輸送層
6 発光層
7 正孔輸送層
8 正孔注入層
9、12 陽極
10、20 有機EL素子
11、13 陰極

Claims (11)

  1. 有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを共蒸着することにより成膜したことを特徴とする導電膜。
  2. 有機物からなる第1材料と、金属からなる第2材料とを含むことを特徴とする導電膜。
  3. 前記第1材料が、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、フェナントロリン誘導体、ナフチリジン誘導体、フェナジン誘導体、キノキサリン誘導体、イミダゾール誘導体、キノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、トリアゾール誘導体、ホスフィン誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、シクロペンジエン誘導体、シクロオクタジエン誘導体、アセチルアセトン誘導体、キレート剤から選ばれるいずれか1種または2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の導電膜。
  4. 前記第1材料が、クラウンエーテル誘導体、シクロデキストリン誘導体、カリックスアーレン誘導体から選ばれるいずれか1種または2種以上であることを特徴とする請求項1に記載の導電膜。
  5. 平均厚さが1〜1000nmであることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の導電膜。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の導電膜と、前記導電膜に接して形成された導電層との積層体からなることを特徴とする電極。
  7. 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記陽極および/または前記陰極が、請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の導電膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  8. 陽極と陰極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記陽極および/または前記陰極が、請求項6に記載の電極であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  9. 請求項7または請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
  10. 請求項7または請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
  11. 請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の導電膜を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。
JP2017002506A 2017-01-11 2017-01-11 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池 Pending JP2018113149A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017002506A JP2018113149A (ja) 2017-01-11 2017-01-11 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017002506A JP2018113149A (ja) 2017-01-11 2017-01-11 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018113149A true JP2018113149A (ja) 2018-07-19

Family

ID=62912410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017002506A Pending JP2018113149A (ja) 2017-01-11 2017-01-11 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018113149A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020068240A (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 日本放送協会 有機素子
JPWO2021045179A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11
WO2022131355A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 株式会社日本触媒 有機電界発光素子、表示装置、照明装置、有機電界発光素子の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11120894A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子注入用陰極およびその製造方法
JP2000260572A (ja) * 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
WO2005020643A1 (ja) * 2003-08-25 2005-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器
JP2005522852A (ja) * 2002-04-05 2005-07-28 ゼロックス コーポレイション 有機金属混合層を有する表示装置
JP2007250329A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子、自発光パネル、自発光素子の製造方法、および自発光パネルの製造方法
JP2012069560A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子、電極、電極の製造方法および有機エレクトロニクス素子の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270171A (ja) * 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JPH11120894A (ja) * 1997-10-13 1999-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子注入用陰極およびその製造方法
JP2000260572A (ja) * 1999-03-04 2000-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネル
JP2005522852A (ja) * 2002-04-05 2005-07-28 ゼロックス コーポレイション 有機金属混合層を有する表示装置
WO2005020643A1 (ja) * 2003-08-25 2005-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機デバイス用電極およびそれを有する電子機器
JP2007250329A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子、自発光パネル、自発光素子の製造方法、および自発光パネルの製造方法
JP2012069560A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロニクス素子、電極、電極の製造方法および有機エレクトロニクス素子の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020068240A (ja) * 2018-10-22 2020-04-30 日本放送協会 有機素子
JP7232616B2 (ja) 2018-10-22 2023-03-03 日本放送協会 有機素子
JPWO2021045179A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11
WO2021045179A1 (ja) * 2019-09-06 2021-03-11 日本放送協会 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、光電変換素子、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
CN114341144A (zh) * 2019-09-06 2022-04-12 日本放送协会 有机薄膜和有机薄膜的制造方法、有机电致发光元件、显示装置、照明装置、有机薄膜太阳能电池、薄膜晶体管、光电转换元件、涂料组合物、有机电致发光元件用材料
JP7421560B2 (ja) 2019-09-06 2024-01-24 日本放送協会 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、光電変換素子、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料
WO2022131355A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 株式会社日本触媒 有機電界発光素子、表示装置、照明装置、有機電界発光素子の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017022299A (ja) 有機el素子
JP2018113149A (ja) 導電膜、電極、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置および薄膜太陽電池
Grykien et al. Photo-and electroluminescent properties of bithiophene disubstituted 1, 3, 4-thiadiazoles and their application as active components in organic light emitting diodes
JP6852172B2 (ja) 有機電界発光素子
JP6990996B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
JP6226533B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2014154715A (ja) 有機電界発光素子、表示装置および有機電界発光素子の製造方法
WO2013027735A1 (ja) 有機電界発光素子
JP2014154714A (ja) 有機電界発光素子、表示装置および有機電界発光素子の製造方法
JP2017098036A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
JP2018093080A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置
JP7108493B2 (ja) 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ
JP7105607B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2018200939A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池
JP6863765B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
JP6814617B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置
JP2020027875A (ja) 有機光センサー
JP6496183B2 (ja) 有機電界発光素子、表示装置、照明装置および有機電界発光素子の製造方法
JP6105299B2 (ja) 有機電界発光素子用組成物、及び、有機電界発光素子
JP6212261B2 (ja) 有機電界発光素子
JP6925201B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置
JP2021009926A (ja) 界面形成層、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP7049888B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置
JP2013046040A (ja) 発光デバイス、並びに、電子デバイス用無機薄膜及びその製造方法
WO2015152148A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181026

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20191202

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201201

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210127

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20210224