JP2018093080A - 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子およびその製造方法、有機EL素子を含む省電力な表示装置および照明装置を提供する。【解決手段】陰極3と陽極9との間に発光層6が設けられ、陰極3と発光層6との間に、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる電子注入層1が設けられている有機エレクトロルミネッセンス素子10とする。金属酸化物が酸化亜鉛であることが好ましい。2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物がアクリジンオレンジベースであることが好ましい。【選択図】図1
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、エレクトロルミネッセンス(電界発光)を「EL」と記す場合がある。)およびその製造方法、表示装置、照明装置に関する。
有機EL素子は、低電圧で駆動できる、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能であるなどの特徴を有している。このため、有機EL素子は、画像表示装置および照明装置に好適に用いられている。
有機EL素子は、陰極と陽極との間に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の複数の層が積層された構造を有している。有機EL素子としては、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものと、基板と発光層との間に陰極が配置された逆構造のものとがある。逆構造の有機EL素子では、これを画像表示装置などに用いる場合に、陰極とトランジスタなどとを容易に接続できる。
有機EL素子は、陰極と陽極との間に、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の複数の層が積層された構造を有している。有機EL素子としては、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものと、基板と発光層との間に陰極が配置された逆構造のものとがある。逆構造の有機EL素子では、これを画像表示装置などに用いる場合に、陰極とトランジスタなどとを容易に接続できる。
従来、有機EL素子の電子注入層の材料として、LiFなどのアルカリ金属化合物が用いられている。
近年、大気中で安定かつ仕事関数が小さい金属酸化物層を、陰極表面に成膜した逆構造の有機−無機ハイブリッド有機EL素子(Hybrid Organic Inorganic LED:HOILED)が提案されている(例えば、非特許文献1および非特許文献2参照)。
金属酸化物としては、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化鉄(Fe2O3)、酸化錫(SnO2)等が使用可能である(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
近年、大気中で安定かつ仕事関数が小さい金属酸化物層を、陰極表面に成膜した逆構造の有機−無機ハイブリッド有機EL素子(Hybrid Organic Inorganic LED:HOILED)が提案されている(例えば、非特許文献1および非特許文献2参照)。
金属酸化物としては、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タングステン(WO3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化鉄(Fe2O3)、酸化錫(SnO2)等が使用可能である(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
APPLIED PHYSICS LETTERS Volume89,page183510(2006)
Advanced Materials Volume23,page1829(2011)
H.Choら、Science,vol.350,p.1222(2015)
しかしながら、従来の電子注入層を有する有機EL素子では、さらに電子注入性を向上させて、駆動電圧を低下させるとともに発光効率を向上させることが要求されていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子およびその製造方法、有機EL素子を含む省電力な表示装置および照明装置を提供することを課題とする。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子およびその製造方法、有機EL素子を含む省電力な表示装置および照明装置を提供することを課題とする。
本発明者は、上記課題を解決するために、以下に示すように、鋭意検討を重ねた。
その結果、有機EL素子の電子注入層として、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる層を設ければよいことを見出し、本発明を想到した。
その結果、有機EL素子の電子注入層として、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる層を設ければよいことを見出し、本発明を想到した。
すなわち、本発明は、以下の発明に関わる。
〔1〕 陰極と陽極との間に発光層が設けられ、
前記陰極と前記発光層との間に、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる電子注入層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔1〕 陰極と陽極との間に発光層が設けられ、
前記陰極と前記発光層との間に、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる電子注入層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔2〕 前記金属酸化物が酸化亜鉛であることを特徴とする〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔3〕 前記2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物がアクリジンオレンジベースであることを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔3〕 前記2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物がアクリジンオレンジベースであることを特徴とする〔1〕または〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔4〕 前記発光層と前記陽極との間に正孔注入層が設けられていることを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔5〕 前記発光層と前記正孔注入層との間に正孔輸送層が設けられていることを特徴とする〔4〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔6〕 前記発光層と前記電子注入層との間に、有機材料からなる有機電子注入層が設けられていることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔5〕 前記発光層と前記正孔注入層との間に正孔輸送層が設けられていることを特徴とする〔4〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔6〕 前記発光層と前記電子注入層との間に、有機材料からなる有機電子注入層が設けられていることを特徴とする〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
〔7〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする表示装置。
〔8〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする照明装置。
〔8〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする照明装置。
〔9〕 〔1〕〜〔6〕のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
電子注入層を形成する工程が、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液を、前記電子注入層の被形成面に塗布する塗布工程と、前記溶液の塗布された前記被形成面を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
電子注入層を形成する工程が、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液を、前記電子注入層の被形成面に塗布する塗布工程と、前記溶液の塗布された前記被形成面を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
〔10〕 前記2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物が、アクリジンオレンジベースであり、前記金属塩が亜鉛アセチルアセトナート錯体である〔9〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
本発明の有機EL素子は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる電子注入層が設けられているものであるので、電子注入性が良好であり、駆動電圧が低く、発光効率の高いものとなる。また、本発明の有機EL素子の電子注入層は、例えば、アルカリ金属化合物からなる電子注入層と比較して大気中での安定性に優れる。このため、本発明の有機EL素子は、必ずしも厳密な封止をする必要はない。
本発明の表示装置および照明装置は、本発明の有機EL素子を含むため、駆動電圧が低く、発光効率の高い省電力なものとなる。
また、本発明の有機EL素子の製造方法によれば、本発明の有機EL素子を製造できる。
また、本発明の有機EL素子の製造方法によれば、本発明の有機EL素子を製造できる。
以下、本発明の有機EL素子およびその製造方法、表示装置、照明装置について、図面を用いて詳細に説明する。
「有機EL素子」
図1は、本実施形態の有機EL素子の一例を説明するための断面模式図である。図1に示す本実施形態の有機EL素子10は、陽極9(電極)と陰極3(電極)との間に、発光層6を含む積層構造が形成されているものである。
「有機EL素子」
図1は、本実施形態の有機EL素子の一例を説明するための断面模式図である。図1に示す本実施形態の有機EL素子10は、陽極9(電極)と陰極3(電極)との間に、発光層6を含む積層構造が形成されているものである。
本実施形態の有機EL素子10における積層構造は、電子注入層1と、有機電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8とがこの順に形成されたものである。本実施形態の有機EL素子10は、基板2と発光層6との間に陰極3が配置された逆構造のものである。また、本実施形態の有機EL素子10は、電子注入層1が無機材料である金属酸化物を含む逆構造の有機−無機ハイブリッド有機EL素子である。
図1に示す有機EL素子10は、基板2と反対側に光を取り出すトップエミッション型のものであってもよいし、基板2側に光を取り出すボトムエミッション型のものであってもよい。
本実施形態の有機EL素子10において、各層を形成する材料は低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよく、これらを混合して用いてもよい。
本発明において低分子化合物とは、高分子化合物(重合体)ではない材料を意味し、必ずしも分子量が低い有機化合物を意味するものではない。
本発明において低分子化合物とは、高分子化合物(重合体)ではない材料を意味し、必ずしも分子量が低い有機化合物を意味するものではない。
(基板)
基板2の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。基板2の材料は、1種のみを用いてもよいし、2種以上組み合わせて使用してもよい。
基板2に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板2の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機EL素子10が得られるため好ましい。
基板2に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
基板2の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。基板2の材料は、1種のみを用いてもよいし、2種以上組み合わせて使用してもよい。
基板2に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板2の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機EL素子10が得られるため好ましい。
基板2に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。
有機EL素子10がボトムエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板を用いる。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、基板2の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜(絶縁膜)を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。
基板2の平均厚さは、0.1〜30mmであることが好ましく、より好ましくは0.1〜10mmである。
基板2の平均厚さはデジタルマルチメーター、ノギスなどにより測定できる。
基板2の平均厚さはデジタルマルチメーター、ノギスなどにより測定できる。
(陰極)
陰極3の材料としては、ITO(インジウム酸化錫)、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素酸化錫)、InSnZnO(インジウム酸化亜鉛錫、ITZO)、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物の導電材料を用いることが好ましい。これらの中でも特に、陰極3の材料としてITO、IZO、FTOを用いることが好ましい。
陰極3の材料としては、ITO(インジウム酸化錫)、IZO(インジウム酸化亜鉛)、FTO(フッ素酸化錫)、InSnZnO(インジウム酸化亜鉛錫、ITZO)、In3O3、SnO2、Sb含有SnO2、Al含有ZnO等の酸化物の導電材料を用いることが好ましい。これらの中でも特に、陰極3の材料としてITO、IZO、FTOを用いることが好ましい。
陰極3の平均厚さは、特に制限されないが、10〜500nmであることが好ましく、より好ましくは100〜200nmである。
(電子注入層)
電子注入層1は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる。
金属酸化物は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、マンガン、チタン、モリブデン、マグネシウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウムのうちいずれか1つの元素を含むことが好ましい。電子注入層1に含まれる金属酸化物は、電子注入性に優れているため、酸化亜鉛であることが好ましい。
電子注入層1は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる。
金属酸化物は、インジウム、ガリウム、亜鉛、スズ、アルミニウム、シリコン、マンガン、チタン、モリブデン、マグネシウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウムのうちいずれか1つの元素を含むことが好ましい。電子注入層1に含まれる金属酸化物は、電子注入性に優れているため、酸化亜鉛であることが好ましい。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物としては、特に限定されるものではない。例えば、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物として、アクリジンオレンジベース、N,N,N‘,N’−テトラメチル−1,3−フェニレンジアミン、N,N,N‘,N’−テトラメチル−1,8−ナフタレンジアミンなどが挙げられる。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物としては、特に、下記一般式(1)で示されるアクリジンオレンジベースが好ましい。2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物としてアクリジンオレンジベースを用いることで、孤立電子対からの電子供与による双極子の形成作用に起因する優れた電子注入性が得られるとともに、導電性の良好な電子注入層1が得られる。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物としては、特に、下記一般式(1)で示されるアクリジンオレンジベースが好ましい。2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物としてアクリジンオレンジベースを用いることで、孤立電子対からの電子供与による双極子の形成作用に起因する優れた電子注入性が得られるとともに、導電性の良好な電子注入層1が得られる。
電子注入層1を形成している混合物中における2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物との割合は、金属酸化物100質量%に対して、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物を0.5〜400質量%含むことが好ましい。2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物との割合が上記範囲であると、より優れた電子注入性が得られる。2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物との割合は、より好ましくは3〜200質量%、さらに好ましくは80〜120質量%である。
電子注入層1の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは2〜100nmである。電子注入層1の平均厚さが1nm以上であると、電子注入層1を有することによる効果が十分に得られる。また、電子注入層1の平均厚さが1000nm以下であると、電子注入層1を効率よく形成できる。
電子注入層1の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
電子注入層1の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。
(有機電子注入層)
有機電子注入層4の材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ(ジ−フェニルアセチレン)(PDPA)、ポリ(アルキル,フェニルアセチレン)(PAPA)のようなポリアセチレン系化合物;ポリ(パラ−フェンビニレン)(PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン)(RO−PPV)、シアノ−置換−ポリ(パラ−フェンビニレン)(CN−PPV)、ポリ(2−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン)(DMOS−PPV)、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−パラ−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物;ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)、ポリ(オキシプロピレン)トリオール(POPT)のようなポリチオフェン系化合物;ポリ(9,9−ジオクチルフルオレンのようなポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)、ポリ(ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール)(F8BT)、α,ω−ビス[N,N’−ジ(メチルフェニル)アミノフェニル]−ポリ[9,9−ビス(2−エチルヘキシル)フルオレン−2,7−ジル](PF2/6am4)、ポリ(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ(アントラセン−9,10−ジイル)のようなポリフルオレン系化合物;ポリ(パラ−フェニレン)(PPP)、ポリ(1,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレン)(RO−PPP)のようなポリパラフェニレン系化合物;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなポリカルバゾール系化合物;ポリ(メチルフェニルシラン)(PMPS)、ポリ(ナフチルフェニルシラン)(PNPS)、ポリ(ビフェニリルフェニルシラン)(PBPS)のようなポリシラン系化合物や、特許文献3に記載のホウ素含有化合物や、特許文献4に記載のポリアミン類等が挙げられる。これらは1種を用いてもよく、2種以上を用いてもよい。
有機電子注入層4の材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ(ジ−フェニルアセチレン)(PDPA)、ポリ(アルキル,フェニルアセチレン)(PAPA)のようなポリアセチレン系化合物;ポリ(パラ−フェンビニレン)(PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン)(RO−PPV)、シアノ−置換−ポリ(パラ−フェンビニレン)(CN−PPV)、ポリ(2−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン)(DMOS−PPV)、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−パラ−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物;ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)、ポリ(オキシプロピレン)トリオール(POPT)のようなポリチオフェン系化合物;ポリ(9,9−ジオクチルフルオレンのようなポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)、ポリ(ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール)(F8BT)、α,ω−ビス[N,N’−ジ(メチルフェニル)アミノフェニル]−ポリ[9,9−ビス(2−エチルヘキシル)フルオレン−2,7−ジル](PF2/6am4)、ポリ(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ(アントラセン−9,10−ジイル)のようなポリフルオレン系化合物;ポリ(パラ−フェニレン)(PPP)、ポリ(1,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレン)(RO−PPP)のようなポリパラフェニレン系化合物;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなポリカルバゾール系化合物;ポリ(メチルフェニルシラン)(PMPS)、ポリ(ナフチルフェニルシラン)(PNPS)、ポリ(ビフェニリルフェニルシラン)(PBPS)のようなポリシラン系化合物や、特許文献3に記載のホウ素含有化合物や、特許文献4に記載のポリアミン類等が挙げられる。これらは1種を用いてもよく、2種以上を用いてもよい。
有機電子注入層4の平均厚さは5〜100nmであることが好ましく、より好ましくは10〜60nmである。
有機電子注入層4の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。または、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
有機電子注入層4の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。または、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
(電子輸送層)
電子輸送層5の材料としては、電子輸送層5の材料として通常用いることができるいずれの材料も用いることができ、これらを混合して用いてもよい。
電子輸送層5の材料として用いることができる低分子化合物の例としては、ビス[2−(o−ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール]亜鉛(II)(ZnBTZ2)、ホウ素含有化合物、トリス−1,3,5−(3’−(ピリジン−3’’−イル)フェニル)ベンゼン(TmPyPhB)のようなピリジン誘導体、(2−(3−(9−カルバゾリル)フェニル)キノリン(mCQ))のようなキノリン誘導体、2−フェニル−4,6−ビス(3,5−ジピリジルフェニル)ピリミジン(BPyPPM)のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)のようなフェナントロリン誘導体、2,4−ビス(4−ビフェニル)−6−(4’−(2−ピリジニル)−4−ビフェニル)−[1,3,5]トリアジン(MPT)のようなトリアジン誘導体、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)のようなオキサジアゾール誘導体、2,2’,2’’−(1,3,5−ベントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(TPBI)のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ)2)、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)等に代表される各種金属錯体、2,5−ビス(6’−(2’,2’’−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いることができる。
これらの中でも、ZnBTZ2が好ましい。
電子輸送層5の材料としては、電子輸送層5の材料として通常用いることができるいずれの材料も用いることができ、これらを混合して用いてもよい。
電子輸送層5の材料として用いることができる低分子化合物の例としては、ビス[2−(o−ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール]亜鉛(II)(ZnBTZ2)、ホウ素含有化合物、トリス−1,3,5−(3’−(ピリジン−3’’−イル)フェニル)ベンゼン(TmPyPhB)のようなピリジン誘導体、(2−(3−(9−カルバゾリル)フェニル)キノリン(mCQ))のようなキノリン誘導体、2−フェニル−4,6−ビス(3,5−ジピリジルフェニル)ピリミジン(BPyPPM)のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン(BPhen)のようなフェナントロリン誘導体、2,4−ビス(4−ビフェニル)−6−(4’−(2−ピリジニル)−4−ビフェニル)−[1,3,5]トリアジン(MPT)のようなトリアジン誘導体、3−フェニル−4−(1’−ナフチル)−5−フェニル−1,2,4−トリアゾール(TAZ)のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾール)(PBD)のようなオキサジアゾール誘導体、2,2’,2’’−(1,3,5−ベントリイル)−トリス(1−フェニル−1−H−ベンズイミダゾール)(TPBI)のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(Zn(BTZ)2)、トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(Alq3)等に代表される各種金属錯体、2,5−ビス(6’−(2’,2’’−ビピリジル))−1,1−ジメチル−3,4−ジフェニルシロール(PyPySPyPy)等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いることができる。
これらの中でも、ZnBTZ2が好ましい。
電子輸送層5の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましく、より好ましくは、40〜100nmである。
電子輸送層5の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
電子輸送層5の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
(発光層)
発光層6を形成する材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよいし、これらを混合して用いてもよい。
発光層6を形成する材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよいし、これらを混合して用いてもよい。
発光層6を形成する高分子化合物としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ(ジ−フェニルアセチレン)(PDPA)、ポリ(アルキルフェニルアセチレン)(PAPA)のようなポリアセチレン系化合物;ポリ(パラ−フェンビニレン)(PPV)、ポリ(2,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン)(RO−PPV)、シアノ−置換−ポリ(パラ−フェンビニレン)(CN−PPV)、ポリ(2−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン)(DMOS−PPV)、ポリ(2−メトキシ,5−(2’−エチルヘキソキシ)−パラ−フェニレンビニレン)(MEH−PPV)のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物;ポリ(3−アルキルチオフェン)(PAT)、ポリ(オキシプロピレン)トリオール(POPT)のようなポリチオフェン系化合物;ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)(PDAF)、ポリ(ジオクチルフルオレン−アルト−ベンゾチアジアゾール)(F8BT)、α,ω−ビス[N,N’−ジ(メチルフェニル)アミノフェニル]−ポリ[9,9−ビス(2−エチルヘキシル)フルオレン−2,7−ジル](PF2/6am4)、ポリ(9,9−ジオクチル−2,7−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ(アントラセン−9,10−ジイル)のようなポリフルオレン系化合物;ポリ(パラ−フェニレン)(PPP)、ポリ(1,5−ジアルコキシ−パラ−フェニレン)(RO−PPP)のようなポリパラフェニレン系化合物;ポリ(N−ビニルカルバゾール)(PVK)のようなポリカルバゾール系化合物;ポリ(メチルフェニルシラン)(PMPS)、ポリ(ナフチルフェニルシラン)(PNPS)、ポリ(ビフェニリルフェニルシラン)(PBPS)のようなポリシラン系化合物;更には特許文献5および特許文献6に記載のホウ素化合物系高分子化合物等が挙げられる。
発光層6を形成する低分子化合物としては、リン光発光材料の他、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)、トリス[1−フェニルイソキノリン−C2,N]イリジウム(III)(Ir(piq)3)、ビス[2−(o−ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール]亜鉛(II)(ZnBTZ2)トリス(4−メチル−8キノリノレート)アルミニウム(III)(Almq3)、8−ヒドロキシキノリン亜鉛(Znq2)、(1,10−フェナントロリン)−トリス−(4,4,4−トリフルオロ−1−(2−チエニル)−ブタン−1,3−ジオネート)ユーロピウム(III)(Eu(TTA)3(phen))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィンプラチナム(II)のような各種金属錯体;ジスチリルベンゼン(DSB)、ジアミノジスチリルベンゼン(DADSB)のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、6−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、N,N’−ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェニル)−3,4,9,10−ペリレン−ジ−カルボキシイミド(BPPC)のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、4−(ジ−シアノメチレン)−2−メチル−6−(パラ−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(DCM)のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、4,4’−ビス[9−ジカルバゾリル]−2,2’−ビフェニル(CBP)、4、4’−ビス(9−エチルー3−カルバゾビニレン)−1,1’−ビフェニル(BCzVBi)のようなカルバゾール系化合物、2,5−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、2,2’−(パラ−フェニレンジビニレン)−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル(1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン)、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、1,2,3,4,5−ペンタフェニル−1,3−シクロペンタジエン(PPCP)のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、2,2’,7,7’−テトラフェニル−9,9’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン(H2Pc)、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物等が挙げられ、これらの1種又は2種以上を用いることができる。
発光層6としては、可視光を発光する材料以外にも、例えば赤外の発光を示す有機材料を用いることもできる。また、発光層6の材料としては、有機材料以外にも、例えば量子ドットやCH3NH3PbBr3に代表されるようなペロブスカイト構造の材料(例えば、非特許文献4参照。)を用いてもよい。発光層6の材料としては、蛍光材料やリン光材料に加え、熱活性化遅延蛍光材料を用いてもよい。
発光層6の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましくより好ましくは20〜100nmである。
発光層6の平均厚さは、発光層6の材料が低分子化合物である場合、水晶振動子膜厚計により測定できる。発光層6の材料が高分子化合物である場合、接触式段差計により測定できる。
発光層6の平均厚さは、発光層6の材料が低分子化合物である場合、水晶振動子膜厚計により測定できる。発光層6の材料が高分子化合物である場合、接触式段差計により測定できる。
(正孔輸送層)
正孔輸送層7の材料としては、正孔輸送層7の材料として通常用いることができるいずれの材料も用いることができ、これらを混合して用いてもよい。
正孔輸送層7の材料としては、正孔輸送層7の材料として通常用いることができるいずれの材料も用いることができ、これらを混合して用いてもよい。
正孔輸送層7の材料としては、N4,N4’−ビス(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニルー4,4’−ジアミン(DBTPB)、1,1−ビス(4−ジ−パラ−トリアミノフェニル)シクロへキサン、1,1’−ビス(4−ジ−パラ−トリルアミノフェニル)−4−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、4,4’,4’’−トリメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD1)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メトキシフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(TPD3)、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、TPTEのようなアリールアミン系化合物、N,N,N’,N’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(パラ−トリル)−パラ−フェニレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラ(メタ−トリル)−メタ−フェニレンジアミン(PDA)のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、N−イソプロピルカルバゾール、N−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、4−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、OxZのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、m−MTDATAのようなトリフェニルメタン系化合物、1−フェニル−3−(パラ−ジメチルアミノフェニル)ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン(シクロヘキサジエン)系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ジ(4−ジメチルアミノフェニル)−1,3,4,−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、9−(4−ジエチルアミノスチリル)アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、2,4,7,−トリニトロ−9−フルオレノン、2,7−ビス(2−ヒドロキシ−3−(2−クロロフェニルカルバモイル)−1−ナフチルアゾ)フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、1,4−ジチオケト−3,6−ジフェニル−ピロロ−(3,4−c)ピロロピロールのようなピロール系化合物、フルオレンのようなフルオレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン、N,N,N’,N’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられ、これらの1種または2種以上を用いることができる。
これらの中でも、DBTPB、α−NPD、TPTEのようなアリールアミン系化合物が好ましい。
これらの中でも、DBTPB、α−NPD、TPTEのようなアリールアミン系化合物が好ましい。
正孔輸送層7の平均厚さは、特に限定されないが、10〜150nmであることが好ましい。より好ましくは、40〜100nmである。
正孔輸送層7の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
正孔輸送層7の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
(正孔注入層)
正孔注入層8は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。
正孔注入層8が有機材料である場合、正孔注入層8の材料として、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)および/または1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)等を用いることができる。
正孔注入層8は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。
正孔注入層8が有機材料である場合、正孔注入層8の材料として、例えば、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン(F4TCNQ)および/または1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)等を用いることができる。
正孔注入層8が無機材料である場合、正孔注入層8の材料として、酸化バナジウム(V2O5)、三酸化モリブデン(酸化モリブデン:MoO3)、酸化ルテニウム(RuO2)等のうち、1種または2種以上の酸化物を用いることが好ましい。これらの中でも特に、酸化バナジウムまたは酸化モリブデンを主成分とすることが好ましい。
正孔注入層8の平均厚さは、特に限定されないが、1〜1000nmであることが好ましく、5〜50nmであることがより好ましい。
正孔注入層8の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
正孔注入層8の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定することができる。
(陽極)
陽極9の材料としては、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも陽極9の材料として、Au、Ag、Alのいずれかを用いることが好ましい。
陽極9の材料としては、Au、Pt、Ag、Cu、Alまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも陽極9の材料として、Au、Ag、Alのいずれかを用いることが好ましい。
陽極9の平均厚さは、特に限定されないが、例えば10〜1000nmであることが好ましく、より好ましくは30〜150nmである。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、陽極9の材料として、透明な材料を用いることが好ましい。有機EL素子10がトップエミッション型のものであって、陽極9の材料として照射光に不透明な材料を用いる場合、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、透明な陽極9として使用できる。
陽極9の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
有機EL素子10がトップエミッション型のものである場合には、陽極9の材料として、透明な材料を用いることが好ましい。有機EL素子10がトップエミッション型のものであって、陽極9の材料として照射光に不透明な材料を用いる場合、平均厚さを10〜30nm程度にすることで、透明な陽極9として使用できる。
陽極9の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定できる。
「有機EL素子の製造方法」
図1に示す有機EL素子10は、基板2上に、陰極3と、電子注入層1と、有機電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8と、陽極9とをこの順に形成することにより製造できる。
図1に示す有機EL素子10は、基板2上に、陰極3と、電子注入層1と、有機電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8と、陽極9とをこの順に形成することにより製造できる。
本実施形態では、電子注入層1を形成する工程が、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液を、電子注入層1の被形成面に塗布する塗布工程と、溶液の塗布された被形成面を熱処理する熱処理工程とを含む。
金属塩としては、例えば、酢酸亜鉛、酢酸マグネシウム、酢酸モリブデン、酢酸カルシウムなどの酢酸塩、硝酸亜鉛や硝酸アルミニウムなどの硝酸塩、炭酸亜鉛や炭酸マンガンなどの炭酸塩、硫酸スズや硫酸ハフニウムなどの硫酸塩、テトラエトキシシランやチタンテトライソプロポキシドなどのアルコキシド金属錯体、亜鉛アセチルアセトナート錯体やジルコニウムアセチルアセトナート錯体、インジウムアセチルアセトナート錯体、ガリウムアセチルアセトナート錯体などのアセチルアセトナート金属錯体などが挙げられる。これらの金属塩の中でも、低温の熱処理により金属酸化物を形成できることなどから、亜鉛アセチルアセトナート錯体が好ましい。
本実施形態における「金属塩」は金属の塩および金属の錯体を含むものを意味する。
本実施形態における「金属塩」は金属の塩および金属の錯体を含むものを意味する。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを溶媒中に分散および/または溶解させることによって得られる。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物および金属塩と溶媒の他に、必要に応じて、分散剤などを含むものであってもよい。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液に用いる溶媒としては、例えば、シクロペンタノン、エタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン(THF)、クロロホルム、トルエンなどを用いることができる。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物および金属塩と溶媒の他に、必要に応じて、分散剤などを含むものであってもよい。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液に用いる溶媒としては、例えば、シクロペンタノン、エタノール、メタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン(THF)、クロロホルム、トルエンなどを用いることができる。
2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液の製造方法は、特に限定されるものではなく、例えば、金属塩と溶媒とからなる金属塩溶液と、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と溶媒とからなる芳香族化合物溶液とを任意の割合で混合する方法などにより製造できる。金属塩溶液中の溶媒と、芳香族化合物溶液中の溶媒とは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
熱処理工程は、金属塩(前駆体)の一部または全部を金属酸化物に変化させるために行う。すなわち、熱処理工程後に得られる電子注入層1は、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物のみからなる混合物であってもよいし、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩と金属酸化物とを含む混合物であってもよい。
熱処理工程における熱処理温度および熱処理時間は、使用する金属塩に応じて決定する。例えば、金属塩として、亜鉛アセチルアセトナート錯体を用いた場合、熱処理温度は、100〜250℃の範囲であることが好ましく、120〜150℃の範囲であることがより好ましい。熱処理温度を100℃以上とすることで、亜鉛アセチルアセトナート錯体を酸化亜鉛に効率よく変化させることができる。熱処理温度が250℃以下であると、基板1として樹脂材料からなるものを用いた場合に、基板2の変形を充分に防止できる。
金属塩として、亜鉛アセチルアセトナート錯体を用いた場合、熱処理時間は、15秒〜60分であることが好ましく、30秒〜10分であることがより好ましい。熱処理時間を15秒以上とすることで、亜鉛アセチルアセトナート錯体を充分に酸化亜鉛に変化させることができる。また、熱処理時間を60分超にすると熱処理による効果が飽和するため、60分以下にすることが好ましい。
金属塩として、亜鉛アセチルアセトナート錯体を用いた場合、熱処理時間は、15秒〜60分であることが好ましく、30秒〜10分であることがより好ましい。熱処理時間を15秒以上とすることで、亜鉛アセチルアセトナート錯体を充分に酸化亜鉛に変化させることができる。また、熱処理時間を60分超にすると熱処理による効果が飽和するため、60分以下にすることが好ましい。
図1に示す有機EL素子10の陰極3と、有機電子注入層4と、電子輸送層5と、発光層6と、正孔輸送層7と、正孔注入層8と、陽極9の各層の形成方法は、特に限定されず、各層に用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いて形成できる。
具体的には、例えば、図1に示す有機EL素子10の陰極3、陽極9を形成する方法として、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解(SPD)法、原子層堆積(ALD)法、気相成膜法、液相成膜法等が挙げられる。
有機電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8の各層を形成する方法として、各層となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ESDUS(Evaporative Spray Deposition from Ultra−dilute Solution)法などが挙げられる。これらの形成方法の中でも、塗布法を用いることが好ましい。
塗布法により塗布する塗布液の調製に使用する溶媒としては、有機化合物を溶解できるものである限り特に制限されないが、テトラヒドロフラン(THF)、トルエン、キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロベンゼン、シクロペンタノン等から選ばれる1種または2種以上を用いることができる。これらの中でも、THF、トルエン、クロロホルム、ジクロロエタン、シクロペンタノンが好ましい。
上記塗布液は、溶媒中の有機化合物の濃度が0.05〜10質量%であることが好ましい。このような濃度であると、塗布した時の塗りムラや凹凸の発生を抑えることができる。溶媒中の有機化合物の濃度は、より好ましくは0.1〜5質量%であり、さらに好ましくは0.1〜3質量%である。
上記各層を形成する方法として塗布法を用いる場合、スピンコート法、キャスティング法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布方法を用いることができる。この中でも、スピンコート法が好ましい。
また、電子輸送層5、正孔輸送層7、正孔注入層8のうちいずれかの層が無機材料からなるものである場合、無機材料からなる層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等の方法を用いて形成できる。
なお、図1に示す有機EL素子10を形成している各層の厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーを用いて測定できる。また、各層を真空蒸着法で形成する場合、各層の厚さは、水晶振動子膜厚計を用いて製膜時に測定できる。
本実施形態の有機EL素子10は、陰極3と陽極9との間に発光層6が設けられ、陰極3と発光層6との間に、電子注入層1が設けられている。本実施形態の有機EL素子10は、電子注入層1が2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなるので、電子注入性が良好であり、駆動電圧が低く、発光効率の高いものとなる。また、本実施形態の有機EL素子10の電子注入層1は、例えば、アルカリ金属化合物と比較して大気中での安定性に優れるため、必ずしも厳密な封止をする必要はない。したがって、本実施形態の有機EL素子10は、表示装置や照明装置の材料等として好適に用いることができる。
本実施形態の有機EL素子10の製造方法では、電子注入層1を形成する工程が、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液を、電子注入層1の被形成面(図1では陰極3上)に塗布する塗布工程と、溶液の塗布された被形成面を熱処理する熱処理工程とを含む。
また、本実施形態の有機EL素子10の製造方法では、例えば、金属塩として、アセチルアセトナート金属錯体を用いた場合、スパッタリング法を用いて金属酸化物層を成膜する場合と比較して、低い熱処理温度で電子注入層1を形成できる。このため、必要に応じて、柔軟性に優れたフレキシブルな有機EL素子10を実現するために、樹脂材料からなる基板を用いることが可能である。
また、本実施形態の有機EL素子10の製造方法では、例えば、金属塩として、アセチルアセトナート金属錯体を用いた場合、スパッタリング法を用いて金属酸化物層を成膜する場合と比較して、低い熱処理温度で電子注入層1を形成できる。このため、必要に応じて、柔軟性に優れたフレキシブルな有機EL素子10を実現するために、樹脂材料からなる基板を用いることが可能である。
「他の例」
本発明の有機EL素子は、上述した実施形態において説明した有機EL素子に限定されるものではない。
例えば、上述した実施形態では、図1に示す逆構造の有機EL素子10を例に挙げて説明したが、本発明の有機EL素子は、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものであってもよい。
本発明の有機EL素子は、上述した実施形態において説明した有機EL素子に限定されるものではない。
例えば、上述した実施形態では、図1に示す逆構造の有機EL素子10を例に挙げて説明したが、本発明の有機EL素子は、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものであってもよい。
図1に示す有機EL素子10において、有機電子注入層4、電子輸送層5、正孔輸送層7、正孔注入層8は、必要に応じて形成すればよく、設けられていなくてもよい。
また、陰極3、有機電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8、陽極9の各層は、1層で形成されているものであってもよいし、2層以上からなるものであってもよい。
また、陰極3、有機電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8、陽極9の各層は、1層で形成されているものであってもよいし、2層以上からなるものであってもよい。
また、図1に示す有機EL素子10は、陰極3、電子注入層1、有機電子注入層4、電子輸送層5、発光層6、正孔輸送層7、正孔注入層8、陽極9の各層の間に、他の層を有するものであってもよい。具体的には、有機EL素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて、電子阻止層などを有していてもよい。
「表示装置」
本実施形態の表示装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて画像を表示するものである。本実施形態の表示装置は、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子を備える。このため、省電力である。
「照明装置」
本実施形態の照明装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて面発光を行うものである。本発明の照明装置は、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子を備える。このため、省電力である。
本実施形態の表示装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて画像を表示するものである。本実施形態の表示装置は、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子を備える。このため、省電力である。
「照明装置」
本実施形態の照明装置は、有機EL素子を複数配列した素子配列群を用いて面発光を行うものである。本発明の照明装置は、駆動電圧が低く、発光効率の高い有機EL素子を備える。このため、省電力である。
以下、本発明の実施例および比較例について説明する。なお、本発明は以下に示す実施例に限定されるものではない。
<実施例>
以下に示す方法により、図1に示す逆構造の有機EL素子10を製造した。
[1]ITO膜(膜厚150nm、幅3mmにパターニング済)からなる陰極3を有する平均厚さ0.7mmの市販されているガラス製透明基板(以下、単に基板とも称する)2を用意した。
以下に示す方法により、図1に示す逆構造の有機EL素子10を製造した。
[1]ITO膜(膜厚150nm、幅3mmにパターニング済)からなる陰極3を有する平均厚さ0.7mmの市販されているガラス製透明基板(以下、単に基板とも称する)2を用意した。
[2]次に、陰極3を有する基板2を、アセトン中およびイソプロパノール中でそれぞれ10分間超音波洗浄し、さらにイソプロパノール中で5分間煮沸した。その後、基板2をイソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、UVオゾン洗浄を15分間行った。
[3]次に、亜鉛アセチルアセトナート錯体の水和物(シグマアルドリッチ社製)10g/Lのシクロペンタノン溶液を作製した。また、アクリジンオレンジベース(シグマアルドリッチ社製のものをカラム精製し、高速液体クロマトグラフィー(HPLC)を用いて測定した純度が99.8%であるもの)10g/Lのシクロペンタノン溶液を作製した。上記2種類のシクロペンタノン溶液を等量の体積で混ぜ合わせ、混合溶液とした。
上記の陰極3を有するUVオゾン洗浄した基板2を、スピンコーターにセットした。基板2の陰極3上(被形成面)に上記混合溶液を滴下し、毎分2000回転で45秒間回転させて塗布した(塗布工程)。陰極3上に混合溶液の塗布された基板2を、大気中で120℃にセットしたホットプレートにより30秒間熱処理した(熱処理工程)。これにより、アクリジンオレンジベースと酸化亜鉛とを少なくとも含む混合物からなる平均膜厚5nmの電子注入層1を形成した。
上記の陰極3を有するUVオゾン洗浄した基板2を、スピンコーターにセットした。基板2の陰極3上(被形成面)に上記混合溶液を滴下し、毎分2000回転で45秒間回転させて塗布した(塗布工程)。陰極3上に混合溶液の塗布された基板2を、大気中で120℃にセットしたホットプレートにより30秒間熱処理した(熱処理工程)。これにより、アクリジンオレンジベースと酸化亜鉛とを少なくとも含む混合物からなる平均膜厚5nmの電子注入層1を形成した。
[4]次に、下記一般式(1)で示されるホウ素含有化合物の1.0重量%のシクロペンタノン溶液を作成した。電子注入層1まで形成した基板2をスピンコーターにセットし、上記ホウ素含有化合物のシクロペンタノン溶液を滴下し、毎分3000回転で30秒間回転させて塗布した。さらに、上記ホウ素含有化合物のシクロペンタノン溶液を塗布した基板2を、窒素雰囲気中で150℃にセットしたホットプレートを用いて、1時間アニールした。これにより、平均膜厚が30nmのホウ素含有化合物からなる有機電子注入層4を形成した。
[5]次に、有機電子注入層4まで形成した基板2を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。下記一般式(2)で示されるビス[2−(o−ヒドロキシフェニルベンゾチアゾール]亜鉛(II)(ZnBTZ2)、下記一般式(3)で示されるトリス[1−フェニルイソキノリン−C2,N]イリジウム(III)(Ir(piq)3)、下記一般式(4)で示されるN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン(α−NPD)、下記一般式(5)で示されるN4,N4’−ビス(ジベンゾ[b,d]チオフェン−4−イル)−N4,N4’−ジフェニルビフェニルー4,4’−ジアミン(DBTPB)、下記一般式(6)で示される1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン−2,3,6,7,10,11−ヘキサカルボニトリル(HAT−CN)、Alをそれぞれルツボに入れて蒸着源にセットした。
[6]真空蒸着装置内を約1×10−5Paまで減圧し、ZnBTZ2を10nm成膜して電子輸送層5とした。さらに、ZnBTZ2をホスト、(Ir(piq)3)をドーパントとして20nm共蒸着し、発光層6を製膜した。この時、(Ir(piq)3)のドープ濃度が発光層6全体に対して6%となるようにした。次に、DBTPBを10nm成膜し、さらにα−NPDを40nm成膜することにより、正孔輸送層7を製膜した。次に、HAT−CNを膜厚10nm蒸着し、正孔注入層8とした。最後に、Alを膜厚100nmになるように蒸着し、陽極9を形成した。以上の工程により、有機EL素子10を得た。
なお、陽極9を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、有機EL素子10の発光面積を9mm2とした。
なお、陽極9を蒸着する時、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅3mmの帯状になるようにした。このことにより、有機EL素子10の発光面積を9mm2とした。
<比較例1>
電子注入層を形成する工程の塗布工程において、混合溶液に代えて、亜鉛アセチルアセトナート錯体の水和物(シグマアルドリッチ社製)5g/Lのエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例と同様にして有機EL素子を製造した。
電子注入層の平均膜厚は5nmであった。
電子注入層を形成する工程の塗布工程において、混合溶液に代えて、亜鉛アセチルアセトナート錯体の水和物(シグマアルドリッチ社製)5g/Lのエタノール溶液を用いたこと以外は、実施例と同様にして有機EL素子を製造した。
電子注入層の平均膜厚は5nmであった。
<比較例2>
以下に示す方法により、電子注入層を形成したこと以外は、実施例と同様にして有機EL素子を製造した。
上記の陰極3を有するUVオゾン洗浄した基板2を、亜鉛金属ターゲットを有するマグネトロンスパッタ装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。チャンバー内を約1×10−4Paまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でZnOのスパッタリング処理を実行した。その後、これを大気中で400℃にセットしたホットプレートにより1時間のアニール処理を行った。これにより、膜厚5nm程度のZnO膜からなる電子注入層を形成した。
以下に示す方法により、電子注入層を形成したこと以外は、実施例と同様にして有機EL素子を製造した。
上記の陰極3を有するUVオゾン洗浄した基板2を、亜鉛金属ターゲットを有するマグネトロンスパッタ装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定した。チャンバー内を約1×10−4Paまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でZnOのスパッタリング処理を実行した。その後、これを大気中で400℃にセットしたホットプレートにより1時間のアニール処理を行った。これにより、膜厚5nm程度のZnO膜からなる電子注入層を形成した。
(有機EL素子の発光特性測定)
ケースレー社製の「2400型ソースメーター」により、有機EL素子への電圧印加と、電流測定を行った。また、コニカミノルタ社製の「LS−110」により、発光輝度を測定した。
ケースレー社製の「2400型ソースメーター」により、有機EL素子への電圧印加と、電流測定を行った。また、コニカミノルタ社製の「LS−110」により、発光輝度を測定した。
実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子各々の印加電圧と輝度との関係を図2に示す。図2に示すように、実施例の有機EL素子では、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、低い印加電圧で高い輝度が得られている。
実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子各々の印加電圧と電流密度との関係を図3に示す。図3に示すように、実施例の有機EL素子では、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、低い印加電圧で高い電流密度が得られている。
実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子各々の印加電圧と電流密度との関係を図3に示す。図3に示すように、実施例の有機EL素子では、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、低い印加電圧で高い電流密度が得られている。
図2および図3の結果から、実施例の有機EL素子では、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、電子注入性が良好であるといえる。なお、図3に示すように3V以下の低電圧領域では、比較例1において、実施例よりも高い電流密度が得られている。これは、比較例1の有機EL素子では、発光に寄与しないリーク電流が多いためである。つまり、実施例の有機EL素子は、比較例1の有機EL素子と比較して、リーク電流が抑制されているとともに、発光特性が良好であることが分かる。
実施例、比較例1および比較例2の有機EL素子各々の電流密度と外部量子効率との関係を図4に示す。図4に示すように、実施例の有機EL素子では、どの電流密度領域でも、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、高い外部量子効率が得られている。これは、実施例の有機EL素子は、比較例1および比較例2の有機EL素子と比較して、電子注入性が良好であるため、キャリアバランスが向上したことによるものであると考えられる。
(電子注入層の紫外線光電子分光測定)
実施例、比較例1および比較例2の電子注入層の性質(仕事関数)を調べるために、紫外線光電子分光測定を行った。測定にはPHI社製(VersaProbe)の測定装置を用いた。紫外光としてはHe I線(21.22eV)を用いた。フェルミ準位は金を基準とした。
実施例、比較例1および比較例2の電子注入層の性質(仕事関数)を調べるために、紫外線光電子分光測定を行った。測定にはPHI社製(VersaProbe)の測定装置を用いた。紫外光としてはHe I線(21.22eV)を用いた。フェルミ準位は金を基準とした。
図5は、実施例、比較例1および比較例2の電子注入層の紫外線光電子分光測定結果を示したグラフである。図5に示すように、実施例においては17.9eVから、比較例1及び比較例2においては17.5eVから、立ち上がる大きな状態密度を示唆する光電子が観測された。このことから、実施例では、比較例1および比較例2よりも真空準位が高い束縛エネルギー側にシフトしていることがわかる。つまり、実施例では、比較例1および比較例2と比較して、電子の注入障壁が下がることを意味し、電子注入性が向上していることが分かる。
1 電子注入層
2 基板
3 陰極
4 有機電子注入層
5 電子輸送層
6 発光層
7 正孔輸送層
8 正孔注入層
9 陽極
10 有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)
2 基板
3 陰極
4 有機電子注入層
5 電子輸送層
6 発光層
7 正孔輸送層
8 正孔注入層
9 陽極
10 有機EL素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)
Claims (10)
- 陰極と陽極との間に発光層が設けられ、
前記陰極と前記発光層との間に、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属酸化物とを少なくとも含む混合物からなる電子注入層が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記金属酸化物が酸化亜鉛であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物がアクリジンオレンジベースであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記陽極との間に正孔注入層が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記正孔注入層との間に正孔輸送層が設けられていることを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記発光層と前記電子注入層との間に、有機材料からなる有機電子注入層が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする表示装置。
- 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含むことを特徴とする照明装置。
- 請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
電子注入層を形成する工程が、2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物と金属塩とを含む溶液を、前記電子注入層の被形成面に塗布する塗布工程と、前記溶液の塗布された前記被形成面を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 前記2つのジメチルアミノ基を有する芳香族化合物が、アクリジンオレンジベースであり、前記金属塩が亜鉛アセチルアセトナート錯体である請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2016235969A JP2018093080A (ja) | 2016-12-05 | 2016-12-05 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法、表示装置、照明装置 |
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-
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---|---|---|---|---|
JP2019176093A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 株式会社日本触媒 | 有機電界発光素子 |
JP2020155539A (ja) * | 2019-03-19 | 2020-09-24 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
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