CN100367325C - 晶体管、制造其的方法、及包括其的发光显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光显示器。一种发光显示器包括：至少一个第一金属层；与第一金属层交叉并具有第一宽度的第二金属层；与第一金属层和第二金属层彼此交叉所在的区域处邻近而形成的发光器件；以及包括至少一个使得发光器件发光的晶体管的像素电路。该晶体管包括具有宽于第一宽度的第二宽度的半导体层。使用这种结构，在本发明的发光显示器中，在源极/漏极金属层与栅极金属层彼此交叠所在的区域中形成的晶体管的半导体层，并且其具有的宽度大于源极/漏极金属层的宽度，使得源极/漏极金属层设置在该半导体层的宽度内。

Description

晶体管、制造其的方法、及包括其的发光显示器
技术领域
本发明涉及晶体管、制造其的方法及包括其的发光显示器(light emittingdisplay)，更特别地，涉及一种防止其金属层之间的静电的晶体管、制造其的方法以及包括其的发光显示器。
背景技术
最近，已经研发了各种平板显示器，并且它们是阴极射线管(CRT)显示器的替代物，因为CRT显示器相对较沉并且体积大。平板显示器可以是液晶显示器(LCD)、场致发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、发光显示器(LED)等。
在平板显示器中，发光显示器可以通过电子-空穴重组而本身发光，允许其荧光层发光。发光显示器分为包括无机发射层的无机发光显示器，以及包括有机发射层的有机发光显示器。有机发光显示器称为电致发光显示器。
这种发光显示器的优点是具有类似于CRT显示器的快响应时间，并且区别于要求单独光源的诸如LCD的无源发光器件。
发明内容
因此，本发明的一个方面是提供一种可以防止其金属层之间的静电的晶体管、一种制造其的方法、以及一种包括其的发光显示器。
通过提供一种发光显示器实现本发明的前述和/或其它方面，该发光显示器包括：至少一个第一金属层；与第一金属层交叉并具有第一宽度的第二金属层；邻近第一金属层和第二金属层彼此交叉的区域而形成的发光器件；以及像素电路，其包括至少一个使得发光器件发光的晶体管。晶体管包括具有宽于第一宽度的第二宽度的半导体层。
根据本发明的一个方面，第一金属层具有在与半导体层交叠的区域中保持均匀的宽度。
根据本发明的另一方面，晶体管还包括：形成在半导体层上的第一绝缘层；形成在第一绝缘层上的栅极金属层；形成在栅极金属层上的第二绝缘层；以及形成在第二绝缘层上的源极/漏极金属层。
根据本发明又一方面，第一金属层包括栅极金属层，并且第二金属层包括源极/漏极金属层。
根据本发明另外的方面，像素电路包括：在从第一金属层形成的电源线与发光器件之间连接的驱动晶体管；第一电容器，具有与第一节点连接的第一端子以及与驱动晶体管的栅极端子连接的第二端子；第一晶体管，其通过应用于从第一金属层形成的第一扫描线上的第一扫描信号控制，并且连接在从第二金属层形成的数据线与第一节点之间；第二晶体管，其通过应用于从第一金属层形成的第二扫描线上的第二扫描信号控制，并且连接在第一节点与电源线之间；以及第三晶体管，其通过第二扫描信号控制，并且连接在驱动晶体管的栅极与连接到驱动晶体管的输出端子的第二节点之间；第四晶体管，其通过第二扫描信号控制，并且连接在第二节点与发光器件的阳极电极之间；以及第二电容器，其连接在第一节点与电源线之间。
根据本发明的另一方面，第四晶体管和第三晶体管在N和P型材料的设置上彼此不同。
通过提供一种晶体管实现本发明的另一方面，该晶体管包括：形成在衬底上并且具有第一宽度的半导体层；形成用来覆盖半导体层的第一绝缘层；栅极金属层，其形成在第一绝缘层上并且与半导体层交叠；形成用来覆盖栅极金属层的第二绝缘层；以及源极/漏极金属层，其形成在第二绝缘层上，并且具有比第一宽度窄的第二宽度，并且在第一宽度内与半导体层交叠。
根据本发明的另一方面，栅极金属层具有在与半导体层交叠的区域中保持均匀的宽度。
通过提供一种制造晶体管的方法实现本发明的又一方面，该方法包括步骤：在衬底上形成具有第一宽度的半导体层；形成第一绝缘层，用来覆盖半导体层；在第一绝缘层上形成栅极金属层，从而与半导体层交叠；形成第二绝缘层，用来覆盖栅极金属层；以及在第二绝缘层上形成源极/漏极金属层，其具有比第一宽度窄的第二宽度且在第一宽度内与半导体层交叠。
根据本发明一个方面，栅极金属层的宽度在与半导体层交叠的区域中保持均匀。
附图说明
当结合附图考虑时，参照下面的详细描述，本发明的更完全的理解及其许多附带的优点将更明显，并且变得更好理解，附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中：
图1为发光显示器中像素的电路图。
图2为用于操作发光显示器的发光器件的信号波形。
图3为发光显示器的像素的平面图。
图4为图3中“A”的放大平面图。
图5为沿图4中的线V-V′截取的截面图的扫描电子显微镜(SEM)照片。
图6为栅极绝缘层的SEM照片，其具有由于半导体层与栅极金属层之间的静电的断层。
图7为根据本发明实施例的发光显示器的像素的平面图。
图8为图7中“B”的放大平面图。
图9为沿图8中的线IX-IX′截取的截面图的SEM照片。
图10A至10C是按照制造顺序，沿图8中的线X-X′截取的晶体管的截面图。
具体实施方式
图1为发光显示器中像素的电路图。
参照图1，在发光显示器中，当扫描信号应用于扫描线S时选择像素11，并且像素11发出与应用到数据线D的数据信号相对应的光。
每一像素11放置在数据线D与扫描线S彼此交叉的地方。像素11包括设置在第一电源VDD与低于第一电源VDD的第二电源VSS之间的有机发光器件(OLED)，并且像素电路40与数据线D和扫描线S连接，并且驱动OLED发光。
OLED具有与像素电路40连接的阳极电极以及与第二电源VSS连接的阴极电极。另外，OLED包括置于阳极电极与阴极电极之间的发射层、电子传输层、以及空穴传输层。另外，OLED可以包括电子注入层以及空穴注入层。在OLED中，当在阳极电极与阴极电极之间施加电源时，由阴极电极产生的电子通过电子注入层和电子传输层迁移到发射层，并且由阳极电极产生的空穴通过空穴注入层和空穴传输层迁移到发射层。于是，来自电子传输层的电子和来自空穴传输层的空穴在发射层中重新结合，从而发光。
像素电路40包括：连接在第一电源VDD与OLED之间的驱动晶体管Q5；连接到第N条扫描线Sn(其中N为正整数)和数据线D的第一晶体管Q1；与第一晶体管Q1、第一电源VDD、以及第(N-1)条扫描线Sn-1连接的第二晶体管Q2；与第(N-1)条扫描线Sn-1连接并且连接在驱动晶体管Q5的栅极电极与漏极电极之间的第三晶体管Q3；与第(N-1)条扫描线Sn-1连接并且连接在驱动晶体管Q5的漏极电极与OLED的阳极电极之间的第四晶体管Q4；连接在第一电源VDD与第一节点N1之间的存储电容器Cst，第一节点连接到第一晶体管Q1和第二晶体管Q2各自的漏极电极；以及连接在第一节点N1与驱动晶体管Q5的栅极电极之间的补偿电容器Cvth。在此，第一、第二、第三和驱动晶体管Q1、Q2、Q3和Q5分别是P型晶体管，而第四晶体管Q4是N型晶体管。
第一晶体管Q1的栅极电极与第N条扫描线Sn连接，其源极电极与数据线D连接，并且其漏极电极与第一节点N1连接。第一晶体管Q1响应施加到第N条扫描线Sn上的扫描信号，将来自数据线D的数据信号传输到第一节点N1。
第二晶体管Q2的栅极电极与第(N-1)条扫描线Sn-1连接，其源极电极与第一电源VDD连接，并且其漏极电极与第二节点N2连接。第二晶体管Q2响应施加到第N-1条扫描线Sn-1的扫描信号，将来自第一电源VDD上的电压传输到第一节点N1。
第三晶体管Q3的栅极电极与第(N-1)条扫描线Sn-1连接，其源极电极与驱动晶体管Q5的栅极电极连接，并且其漏极电极与第二节点N2连接，N2连接到驱动晶体管Q5的输出端子。第三晶体管Q3响应施加到第(N-1)条扫描线Sn-1上的扫描信号，将驱动晶体管Q5的栅极电极与第二节点N2连接，从而允许驱动晶体管Q5用作二极管。
当将扫描信号应用到第N条扫描线Sn上时，存储电容器Cst存储对应于通过第一晶体管Q1施加到第一节点N1上的数据信号的电压，并且当第一晶体管Q1关闭时，其保持驱动晶体管Q5导通一帧。
当将扫描信号应用到第(N-1)条扫描线Sn-1上时，补偿电容器Cvth基于第一电源VDD存储对应于驱动晶体管Q5的阈值电压的电压。也就是，补偿电容器Cvth存储的补偿电压在第二和第三晶体管Q2和Q3分别导通时，用于补偿驱动晶体管Q5的阈值电压。
驱动晶体管Q5的栅极电极与第三晶体管Q3的源极电极和补偿电容器Cvth连接，其源极电极与第一电源VDD连接，并且其漏极电极与第四晶体管Q4的源极电极连接。驱动晶体管Q5根据提供到其栅极电极的电压，调节从第一电源VDD发出并应用于其源极和漏极电极之间的电流，并将调节的电流提供到第四晶体管Q4。
第四晶体管Q4的栅极电极与第(N-1)条扫描线Sn-1连接，其源极电极与第二节点N2连接，并且其漏极电极与OLED的阳极电极连接。第四晶体管Q4响应施加到第(N-1)条扫描线Sn-1上的高电平的扫描信号，将来自驱动晶体管Q5的电流提供到OLED，从而使得OLED发光。而且，当低电平的扫描信号应用到第(N-1)条扫描线Sn-1上时，第四晶体管Q4截断驱动晶体管Q5与OLED之间流通的电流。
这样配置下，像素11工作如下。
图2为用于操作发光显示器的发光器件的信号波形，并且图3为发光显示器的像素的平面图。
如图2中所示，对于其中分别将低和高扫描信号SS应用于第(N-1)条扫描线Sn-1和第N条扫描线Sn的周期T1，第二晶体管Q2和第三晶体管Q3导通，并且第一晶体管Q1关闭。在此周期中，第四晶体管Q4通过应用于第(N-1)条扫描线Sn-1的低扫描信号关闭。因为第三晶体管Q3导通，驱动晶体管Q5用作二极管，并且驱动晶体管Q5的栅极和源极电极之间的电压达到阈值电压Vth。而且，补偿电容器Cvth存储对应于驱动晶体管Q5的阈值电压的补偿电压。
然后，对于其中分别将高和低扫描信号SS应用于第(N-1)条扫描线Sn-1和第N条扫描线Sn的周期T2，第二晶体管Q2和第三晶体管Q3关闭，并且第一晶体管Q1导通。此时，数据信号通过第一晶体管Q1从数据线D传输到第一节点N1。因此，第一节点N1处的电压差Vdata-VDD与存储在补偿电容器Cvth中的补偿电压之和提供到驱动晶体管Q5的栅极电极。关于这一点，存储电容器Cst存储第一节点N1处的电压差。因此在周期T2中，通过下面的等式1计算应用于驱动晶体管Q5的栅极电极与源极电极之间的电压Vgs：
[等式1]
Vgs＝Vth+Vdata-VDD
其中VDD是供给电压，Vdata是数据信号，并且Vth是驱动薄膜晶体管(TFT)的阈值电压。
而且，对于周期T2，第四晶体管Q4通过应用于第(N-1)条扫描线Sn-1的高扫描信号导通。此时，驱动晶体管Q5被第一节点N1的电压差与存储在补偿电容器Cvth中的补偿电压之和导通，并且将与所补偿的数据信号对应的电流传输到第四晶体管Q4。于是，OLED由于驱动晶体管Q5通过晶体管Q4所提供的电流而发光，从而显示图像。
在其中将高扫描信号SS应用于第N条扫描线Sn的周期T2之后，与存储在存储电容器Cst中的数据信号对应的电压保持驱动晶体管Q5导通，使得OLED发光一帧，从而显示图像。
即使各个像素11在应用于其驱动晶体管Q5的阈值电压Vth方面有所不同，为了补偿驱动晶体管Q5的阈值电压Vth，这种发光显示器分别包括补偿电容器Cvth以及第二和第三晶体管Q2和Q3，使得流入各自OLED的电流均衡，从而根据它们的位置保持像素11的明度均匀。
通常在发光显示器中，因为在晶体管之间由于非均匀的制造工艺所产生的阈值电压偏差，特别由于驱动晶体管Q5的阈值电压Vth之间的偏差，像素11的明度不是均匀的。因此，如上所述，发光显示器的各个像素11分别包括补偿电容器Cvth以及第二、第三和第四晶体管Q2、Q3和Q4，以补偿驱动晶体管Q5的阈值电压Vth。然而，在每个像素11包括5个晶体管Q1、Q2、Q3、Q4和Q5以及两个电容器Cvth和Cst的情况下，产生的问题就是开口率(aperture ratio)降低。
因此，在发光显示器中，扫描线Sn、数据线D、第一电源线VDDL、以及每个晶体管Q1、Q2、Q3、Q4和Q5的源极/漏极电极如图3中所示彼此部分地交叠来形成像素11，从而增加了每个像素11的开口率。然而，信号线的交叠结构增加了开口率，但是其在信号线的交叠区域中产生静电。
图4为图3中“A”的放大平面图，图5为沿着图4中的线V-V′截取的截面图的扫描电子显微镜(SEM)照片，并且图6为栅极绝缘层的SEM照片，其由于半导体层与栅极金属层之间的静电而具有断层。
参照图4和5，在晶体管的半导体层50由多晶硅制成的情况下，在晶界处多晶硅不是均匀地形成的，使得在其表面上产生尖部(tip)52，结果蚀刻时边缘锥形(edge taper)并不均匀地形成。因此，栅极绝缘层54和栅极金属层56不是均匀地形成在半导体层50上。特别地，由于晶界而形成在半导体层50的边缘部分处的尖部52使得栅极金属层56具有尖部。而且，在发光显示器的每一像素中，第一金属层56在与半导体层50交叠的区域处形成有条带部分(banding portion)59。也就是，第一金属层56在与半导体层50交叠的区域具有不规则的线宽度。于是，在半导体层50的边缘部分与源极/漏极金属层58交叠的情况下，半导体层50的尖部导致栅极金属层56具有尖部，使得电流集中在栅极金属层56的边缘部分，从而在源极/漏极电极58之间产生静电。因此，在发光显示器中，在栅极金属层56与源极/漏极金属层58之间产生静电，使得置于栅极金属层56与源极/漏极金属层58之间的绝缘层57断开，如图6中所示。
以下，将参照附图详细地描述本发明的优选实施例。通过本领域的技术人员容易理解的方式提供本发明的优选实施例，使得各种变型，并且本发明于是并不仅限于此处所公开的实施例。
图7为根据本发明实施例的发光显示器的像素的平面图，图8为图7中“B”的放大平面图，并且图9为沿着图8中的线IX-IX′截取的截面图的SEM照片。
参照图7和8，根据本发明的实施例的发光显示器包括：OLED、与从第一金属层形成的第N条扫描线Sn连接并且与从第二金属层形成的数据线D连接的第一晶体管Q1；驱动晶体管Q5，其连接在从第二金属层形成的电源线VDDL与OLED之间；第二晶体管Q2，其连接到第一晶体管Q1、连接到从第二金属层形成的电源线VDDL、并且连接到第(N-1)条扫描线Sn-1；第三晶体管Q3，其连接到第(N-1)条扫描线Sn-1、并且连接在驱动晶体管Q5的栅极与漏极电极之间；第四晶体管Q4，其连接到第(N-1)条扫描线Sn-1、连接到驱动晶体管Q5的漏极电极、并且连接到OLED的阳极电极；存储电容器Cst，其连接在电源线VDDL与第一节点N1之间，第一节点N1连接到第一和第二晶体管Q1和Q2的漏极电极；以及补偿电容器Cvth，其连接在第一节点N1与驱动晶体管Q5的栅极电极之间。在此，第一、第二、第三和驱动晶体管Q1、Q2、Q3和Q5分别是P型晶体管，而第四晶体管Q4是N型晶体管。
在根据本发明实施例的发光器件中，晶体管Q1、Q2、Q3、Q4和Q5中的每个包括半导体层150，其宽度大于第二金属层的宽度。第一金属层是由与每一晶体管的栅极电极相同的材料制成，并且第二金属层是由与每一晶体管的源极/漏极电极相同的材料制成。
第一晶体管Q1包括与第N条扫描线Sn连接的栅极电极、通过接触孔与数据线D连接的源极电极、以及通过接触孔与第一节点N1连接的漏极电极。第一晶体管Q1响应施加到第N条扫描线Sn上的扫描信号将来自数据线D的数据信号传输到第一节点N1。
第二晶体管Q2包括与第(N-1)条扫描线Sn-1连接的栅极电极、通过接触孔与第一电源线VDDL连接的源极电极、以及通过接触孔与第二节点N2连接的漏极电极。第二晶体管Q2响应施加到第(N-1)条扫描线Sn-1上的扫描信号，将来自第一电源线VDDL的电压传输到第一节点N1。
第三晶体管Q3包括与第(N-1)条扫描线Sn-1连接的栅极电极、与驱动晶体管Q5的栅极电极连接的源极电极、以及与第二节点N2连接的漏极电极，N2连接到驱动晶体管Q5的输出端子。第三晶体管Q3响应施加到第(N-1)条扫描线Sn-1的扫描信号，将驱动晶体管Q5的栅极电极与第二节点N2连接，从而让驱动晶体管Q5用作二极管。
当将扫描信号应用到第N条扫描线Sn上时，存储电容器Cst存储对应于通过第一晶体管Q1施加到第一节点N1上的数据信号的电压，并且当第一晶体管Q1关闭时，其保持驱动晶体管Q5导通一帧。
当将扫描信号应用到第(N-1)条扫描线Sn-1上时，补偿电容器Cvth基于施加到第一电源线VDDL上的电压，存储对应于驱动晶体管Q5的阈值电压的电压。也就是，补偿电容器Cvth存储补偿电压，用于在第二和第三晶体管Q2和Q3分别导通时补偿驱动晶体管Q5的阈值电压。
驱动晶体管Q5包括与第三晶体管Q3的源极电极和补偿电容器Cvth连接的栅极电极、与第一电源线VDDL连接的源极电极、以及与第四晶体管Q4的源极电极连接的漏极电极。驱动晶体管Q5根据提供到其栅极电极的电流，调节从第一电源线VDDL传送并应用于源极与漏极电极之间的电流，并将调节的电流提供到第四晶体管Q4。
第四晶体管Q4包括与第(N-1)条扫描线Sn-1连接的栅极电极、与第二节点N2连接的源极电极、以及与OLED的阳极电极连接的漏极电极。第四晶体管Q4响应施加到第(N-1)条扫描线Sn-1上的高电平的扫描信号，将来自驱动晶体管Q5的电流提供到OLED，从而引起OLED发光。而且，当将低电平的扫描信号应用到第(N-1)条扫描线Sn-1上时，第四晶体管Q4截断驱动晶体管Q5与OLED之间的电流。
OLED包括与第四晶体管Q4的漏极电极连接的阳极电极以及与第二电源线(未示出)连接的阴极电极。另外，OLED包括置于阳极电极与阴极电极之间的发射层、电子传榆层、以及空穴传输层。另外，OLED包括电子注入层以及空穴注入层。在OLED中，当在阳极电极与阴极电极之间施加电压时，由阴极电极产生的电子通过电子注入层和电子传输层迁移到发射层，并且由阳极电极产生的空穴通过空穴注入层和空穴传输层迁移到发射层。然后，来自电子传输层的电子和来自空穴传输层的空穴在发射层中重新结合，从而发光。
使用该结构，根据本发明实施例的发光显示器包括补偿电容器Cvth以及第二和第三晶体管Q2和Q3，从而即使这些像素在驱动晶体管Q5的阈值电压Vth方面彼此不同，也可以补偿驱动晶体管Q5的阈值电压Vth，使得应用于OLED的电流保持稳定，从而不管它们的位置而保持像素明度的均匀。
参照图8和9，在根据本发明实施例的发光显示器的每一像素中，第一晶体管Q1的半导体层150形成在第一金属层156与第二金属层158彼此交叉的地方，其具有的线宽度大于第二金属层158的宽度。而且，在根据本发明实施例的发光显示器的每一像素中，第一金属层156形成在与半导体层150交叠的区域，而没有条带部分159。也就是，第一金属层156在与半导体层150交叠的区域具有均匀的线宽度。
以下，将参照图10A至10C描述制造晶体管的方法，所述图是按照制造顺序，沿着图8中的线X-X′截取的晶体管的截面图。
首先如图10A所示，首先在衬底100上形成诸如缓冲层102的第一绝缘层。缓冲层102由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等形成为单层。可替换地，缓冲层102可以形成为二氧化硅(SiO2)/氮化硅(SiNx)的双层。
然后在缓冲层102上沉积非晶硅，并且晶化从而形成半导体层150。如图10B中所示，形成诸如栅极绝缘层154的第二绝缘层。栅极绝缘层154由二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等形成为单层。可替换地，栅极绝缘层154可以形成为二氧化硅(SiO2)/氮化硅(SiNx)的双层。
然后在半导体层150上沉积第一金属层即栅极金属层156。这时，栅极金属层156与半导体层150部分交叠，并且与施加有导通/关闭薄膜晶体管的扫描信号的线连接。而且，栅极金属层156在与半导体层150交叠的部分具有均匀的线宽度。
然后，使用离子对衬底100进行掺杂，使得半导体层150的源极和漏极区用离子掺杂。因此，半导体层150形成为在源极与漏极区之间有沟道。
然后，如图10C中所示，形成诸如间层绝缘层(interlaid insulatinglayer)157的第三绝缘层，从而覆盖衬底100上的栅极金属层156。而且，在第三金属层157上形成第二金属层即源极/漏极金属层158，其具有的宽度W2比半导体层150的宽度W1窄。此时，源极/漏极金属层158在第一宽度W1内与半导体层150交叠。形成第四绝缘层160，从而覆盖衬底100上的源极/漏极金属层158。
于是，在根据本发明实施例的发光显示器中，在栅极金属层156与源极/漏极金属层158彼此交叠的区域，半导体层150所具有的第一宽度W1大于源极/漏极金属层158所具有的第二宽度W2，使得源极/漏极金属层158设置在半导体层150的第一宽度W1内。因此，由于在半导体层150的晶界和图案边缘中形成的尖部导致的栅极金属层156的尖部并没有设置在与源极/漏极金属层158交叠的区域内，从而防止了栅极金属层156与源极/漏极金属层158之间的静电的产生。
在根据本发明实施例的发光显示器中，用于使得OLED发光的像素电路包括至少两个晶体管和至少一个电容器。此时，每一晶体管的半导体层所具有的宽度比源极/漏极金属层的宽度大，并且在栅极金属层与半导体层彼此交叠的区域中栅极金属层的线宽度均匀地形成。
如上所述，在根据本发明实施例的发光显示器中，在源极/漏极金属层与栅极金属层彼此交叉的区域中形成的晶体管的半导体层所具有的宽度大于源极/漏极金属层的宽度，使得源极/漏极金属层设置在半导体层的宽度内。于是，根据本发明的实施例，形成在半导体层的晶界和图案边缘中的栅极金属层的尖部并没有设置在与源极/漏极金属层交叠的区域内，从而防止了栅极金属层与源极/漏极金属层之间的静电的产生。
虽然已经示出并描述了本发明的优选实施例，但是本领域的技术人员应理解，在不脱离权利要求及其等同物所定义的本发明的原理和精神的情况下，可以对所公开的实施例进行改变。
本申请要求2004年6月25日向韩国知识产权局提交的标题为“TRANSISTOR AND FABRICATION METHOD THEREOF AND LIGHTEMITTING DISPLAY”的序列号为2004-48321的申请的优先权。

Claims (11)

1.一种发光显示器，包括：
至少一个第一金属层；
与所述第一金属层交叉并具有第一宽度的第二金属层；
邻近所述第一金属层和所述第二金属层彼此交叉所在的区域而形成的发光器件；以及
像素电路，其包括至少一个用于使得所述发光器件发光的晶体管；
其中所述至少一个晶体管包括具有宽于所述第一宽度的第二宽度的半导体层，且
其中在所述半导体层之上所述第二金属层交叉所述第一金属层。
2.根据权利要求1的发光显示器，其中所述至少一个第一金属层在与所述半导体层交叠的区域中具有均匀的宽度。
3.根据权利要求1的发光显示器，其中所述至少一个晶体管还包括：
形成在该半导体层上的第一绝缘层；
形成在该第一绝缘层上的栅极金属层；
形成在该栅极金属层上的第二绝缘层；以及
形成在该第二绝缘层上的源极/漏极金属层。
4.根据权利要求3的发光显示器，其中该栅极金属层包括在该第一金属层中。
5.根据权利要求3的发光显示器，其中该源极/漏极金属层包括在该第二金属层中。
6.根据权利要求1的发光显示器，其中该像素电路还包括：
驱动晶体管，其连接在由该第一金属层形成的电源线与该发光器件之间，并包括栅极端子；
第一电容器，其具有与第一节点连接的第一端子，并具有与该驱动晶体管的栅极端子连接的第二端子；
第一晶体管，其通过应用于由该第一金属层形成的第一扫描线的第一扫描信号控制，并且连接在由该第二金属层形成的数据线与该第一节点之间；
第二晶体管，其通过应用于由该第一金属层形成的第二扫描线的第二扫描信号控制，并且连接在该第一节点与该电源线之间；
第三晶体管，其通过该第二扫描信号控制，并且连接在该驱动晶体管的栅极端子与第二节点之间，该第二节点连接到该驱动晶体管的输出端子；
第四晶体管，其通过该第二扫描信号控制，并且连接在该第二节点与该发光器件的阳极电极之间；以及
第二电容器，其连接在该第一节点与该电源线之间。
7.根据权利要求6的发光显示器，其中该第三晶体管和该第四晶体管在N和P型材料的设置上彼此不同。
8.一种晶体管，包括：
形成在衬底上并且具有第一宽度的半导体层；
形成为用来覆盖该半导体层的第一绝缘层；
栅极金属层，其形成在该第一绝缘层上并且与该半导体层交叠；
形成为用来覆盖该栅极金属层的第二绝缘层；以及
源极/漏极金属层，在该半导体层之上交叉所述栅极金属层，其形成在该第二绝缘层上，具有比该第一宽度小的第二宽度，并且在该第一宽度内与该半导体层交叠。
9.根据权利要求8的晶体管，其中该栅极金属层在与该半导体层交叠的区域中具有均匀的宽度。
10.一种制造晶体管的方法，包括步骤：
在衬底上形成具有第一宽度的半导体层；
形成第一绝缘层，从而覆盖该半导体层；
在该第一绝缘层上形成栅极金属层，使得与该半导体层交叠；
形成第二绝缘层，从而覆盖该栅极金属层；以及
在该半导体层上形成在该半导体层之上交叉所述栅极金属层的源极/漏极金属层，并且在该第一宽度内与该半导体层交叠，所述源极/漏极金属层具有比该第一宽度小的第二宽度。
11.根据权利要求10的方法，其中该栅极金属层在与该半导体层交叠的区域中具有均匀的宽度。
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