KR100562658B1 - 발광 표시 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

발광 표시 장치 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100562658B1 KR1020040048313A KR20040048313A KR100562658B1 KR 100562658 B1 KR100562658 B1 KR 100562658B1 KR 1020040048313 A KR1020040048313 A KR 1020040048313A KR 20040048313 A KR20040048313 A KR 20040048313A KR 100562658 B1 KR100562658 B1 KR 100562658B1
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Abstract

본 발명은 데이터선과 화소의 개구부 사이에서 발생되는 빛샘현상을 방지할 수 있는 발광 표시 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치는 열방향으로 형성되는 다수의 데이터선과, 행방향으로 형성되는 다수의 주사선과, 상기 데이터선과 주사선의 교차영역에 위치되는 개구부와, 상기 개구부에 형성되는 발광소자와, 상기 발광소자를 구동하기 위하여 상기 교차영역에 형성되는 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터와, 상기 데이터선과 상기 개구부 사이에 형성되어 빛을 차단하기 위한 빛차단층을 구비한다.
이러한 구성에 의하여, 본 발명에서는 데이터선과 화소의 사이로 공급되는 빛을 차단함으로써 빛샘현상을 방지할 수 있다.

Description

발광 표시 장치 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DISPLAY AND FABRICATING METHOD THEREOF}
도 1은 종래의 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도.
도 2는 도 1에 화소의 투시 평면도 일례를 나타내는 도면.
도 3은 도 2에 도시된 "Ⅲ-Ⅲ"선을 절취하여 나타내는 단면도.
도 4는 도 1에 도시된 화소에서 발생되는 빛샘 현상을 나타내는 도면.
도 5는 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치의 화소를 나타내는 평면도.
도 6a 내지 도 6e는 도 5에 도시된 빛차단층의 형성과정을 나타내는 단면도.
도 7은 도 5에 도시된 빛차단층이 게이트전극과 다른 물질로 형성되는 것을 나타내는 단면도.
도 8은 도 5에 도시된 빛차단층에서 빛이 차단되는 것을 나타내는 도면.
도 9는 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도.
도 10은 도 9에 도시된 화소회로를 구동하기 위한 구동파형을 나타내는 파형도.
도 11은 도 9에 도시된 화소의 평면도의 일례를 나타내는 도면.
도 12a 내지 도 12e는 도 11에 도시된 빛차단층의 형성과정을 나타내는 단면도.
도 13은 도 11에 도시된 빛차단층이 게이트전극과 다른 물질로 형성되는 것을 나타내는 평면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,204,400 : 화소 12,202,402 : 화소회로
100,300,500 : 기판 102,302,502 : 버퍼층
104,304,504 : 반도체 활성층 106,306,506 : 게이트 절연막
108,308,508 : 게이트전극 110,310,510 : 층간 절연물
112,312,512 : 금속물질 114,314,514 : 평탄화층 118,318,518 : 하부 전극층 120,320,520 : 화소 정의막 122,322,522 : 유기층 124,324,524 : 상부 전극층 210,410 : 빛차단층
본 발명은 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 데이터선과 화소의 개구부 사이에서 발생되는 빛샘현상을 방지할 수 있는 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. 평판표시장치로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시소자(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.
평판표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자이다. 이러한, 발광 표시장치는 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점이 있다.
도 1을 참조하면, 발광 표시장치의 화소(10)는 주사선(S)에 선택신호가 인가될 때 데이터선(D)으로부터 데이터신호를 공급받고, 공급받은 데이터신호에 대응하는 빛을 발생한다.
이를 위해, 각각의 화소(10)는 유기발광소자(OLED)와, 데이터선(D), 주사선(S) 및 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속되는 화소회로(12)를 구비한다.
유기발광소자(OLED)의 애노드전극은 화소회로(12)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(VSS)에 접속된다. 이와 같은, 유기발광소자(OLED)는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 구비한다. 여기서, 유기발광소자(OLED)는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정 공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에 전압이 인가되면 캐소드전극으로부터 발생된 전자가 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 경유하여 발광층(EML)으로 이동하고, 애노드전극으로부터 발생된 전자가 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 경유하여 발광층으로 이동한다. 그러면, 발광층에서 전자 수송층(ETL)으로부터 공급되어진 전자와 정공 수송층(HTL)으로부터 공급되어진 정공이 재결합함에 의해 빛이 발생한다.
화소회로(12)는 제 1전원(VDD)과 유기발광소자(OLED) 사이에 접속된 구동박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하 "TFT"라 함)(MD)와, 구동 TFT(MD), 데이터선(D) 및 주사선(S)의 사이에 접속된 스위칭 TFT(MS)와, 구동 TFT(MD)의 게이트전극와 소스전극 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 도 1에서 각각의 TFT(MD, MS)는 P 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET : Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다.
스위칭 TFT(MS)의 게이트전극은 주사선(S)에 접속되고, 소스전극은 데이터선(D)에 접속된다. 그리고, 스위칭 TFT(MS)의 드레인전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1단자에 접속된다. 이와 같은 스위칭 TFT(MS)는 주사선(S)으로부터 선택신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(D)으로부터 공급되는 데이터신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급한다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다.
구동 TFT(MD)의 게이트전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1단자에 접속되 고, 소스전극은 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2단자 및 제 1전원(VDD)에 접속된다. 그리고, 구동 TFT(MD)의 드레인전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이와 같은 구동 TFT(MD)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압값에 대응하여 제 2전원(VDD)으로부터 유기발광소자(OLED)로 흐르는 전류량을 제어한다. 이때, 유기발광소자(OLED)는 구동 TFT(MD)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 휘도의 빛을 생성한다.
도 2는 도 1의 화소의 레이아웃에 기초한 화소의 투시 평면도의 일례이다.
도 2를 참조하면, 화소는 유기발광소자(OLED)와 화소회로(12)를 포함한다. 그리고, 각각의 화소는 주사선(S), 데이터선(D) 및 제 1전원선(VDD)에 둘러싸여 있다. 주사선(S)은 행방향으로 형성되고, 데이터선(D) 및 제 1전원선(VDD)은 열방향으로 형성된다.
화소회로(12)는 스위칭 TFT(MS), 구동 TFT(MD), 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 스위칭 TFT(MS)는 주사선(S)으로 공급되는 선택신호에 대응되어 데이터선(D)으로 공급된 데이터신호를 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 TFT(MS)를 통해 전달되는 데이터신호를 한 프레임동안 저장한다. 구동 TFT(MD)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터신호에 대응하여, 즉 게이트전극과 소스전극 간의 전압차(Vgs)에 대응하여 제 1전원선(VDD)으로부터 유기발광소자(OLED)로 유입되는 전류량을 제어한다. 유기발광소자(OLED)는 구동 TFT(MD)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 발생한다.
이와 같은 화소의 형성방법을 도 3의 단면도를 이용하여 상세히 설명하기로 한다.
도 3을 참조하면, 먼저 기판(100) 상에 버퍼층(102)이 형성된다. 기판(100)은 투명물질, 예를 들면 글라스 등으로 선택된다. 버퍼층(102)은 절연물질, 예를 들면 산화막 등으로 형성된다. 기판(100) 상에 버퍼층(102)이 형성된 후 버퍼층(102) 상에 소정 패턴의 반도체 활성층(104)이 형성된다. 반도체 활성층(104)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 열처리하여 얻어진 폴리실리콘(polycrystalline silicon)등으로 형성된다. 반도체 활성층(104)이 형성된 후 버퍼층(102) 및 반도체 활성층(104)의 상부에 게이트 절연막(106)이 형성된다. 게이트 절연막(106)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등의 물질로 형성될 수 있다.
게이트 절연막(106)이 형성된 후 게이트 절연막(106) 상에 반도체 활성층(104)과 중첩되도록 게이트전극(108)이 형성된다. 게이트전극(108)은 전도체, 예를 들면 Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 게이트전극(108)과 동시에 주사선(S)(도시하지 않음)이 게이트전극(108)과 동일한 물질로 형성된다. 게이트전극(108)이 형성된 후 게이트전극(108) 상에 층간 절연물(110)이 형성된다. 이후, 반도체 활성층(104)이 노출되도록 층간 절연물(110) 및 게이트 절연막(106)에 콘택홀들이 형성된다.
콘택홀들이 형성된 후 층간 절연물(110) 상에 소정 패턴으로 금속물질(112)이 형성된다. 여기서, 콘택홀 상에 형성된 금속물질(112)은 반도체 활성층(104)에 접속되어 소스전극 및 드레인전극으로 이용된다. 그리고, 콘택홀 이외의 영역에 형성된 금속물질(112)은 그 형성위치에 따라서 데이터선(D) 또는 제 1전원선(VDD)으로 이용된다. 층간 절연물(110)에 상에 금속물질(112)이 형성된 후 금속물질(112) 상에 패시베이션층(114)이 형성된다.
패시베이션층(114)이 형성된 후 평탄화층(114)이 형성된다. 평탄화층(114)은 아크릴, 폴리 이미드, BCB 등으로 형성된다. 이후, 금속물질(112) 중 드레인전극이 노출되도록 평탄화층(114)에 콘택홀이 형성된다. 콘택홀이 형성된 후 평탄화층(114)의 상부에 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 사용되는 하부 전극층(118)이 형성된다. 여기서, 하부 전극층(118)은 콘택홀을 통해 금속물질(112)과 전기적으로 접속된다. 이후, 하부 전극층(118) 및 평탄화층(114) 상에 화소 정의막(120)이 형성된다.
화소 정의막(120)에는 화소영역을 구획하기 위한 개구부가 형성되고, 이 개구부에 유기층(122)이 형성된다. 그리고, 유기층(122) 및 화소 정의막(120) 상에 유기발광소자(OLED)의 캐소드전극으로 사용되는 상부 전극층(124)이 형성된다. 유기층(122)은 하부 전극층(118) 및 상부 전극층(124)의 대향영역에서 정공 및 전자를 주입받아 발광되고, 유기층(122)에서 발광된 빛은 기판(100)을 경유하여 관찰자에게 공급된다.
하지만, 종래의 발광 표시장치는 원하지 않는 영역에서 빛이 새는 빛샘현상이 발생되는 문제점이 있다. 특히, 종래의 발광 표시장치에서 빛샘현상은 데이터선(D)과 개구부(유기발광소자(OLED) 형성영역) 사이에서 주로 발생되어 화질 저하 의 직접적인 원인이 된다. 실제로, 종래의 발광 표시장치에서는 도 4와 같이 데이터선(D)과 개구부의 사이에서 원하지 않는 빛이 발생된다. 한편, 빛샘 현상은 도 1 및 도 2와 같이 화소회로(12)에 2개의 TFT 및 1개의 커패시터를 구비하는 발광 표시장치뿐만 아니라 화소회로(12)에 다수의 TFT 및 커패시터를 포함하는 발광 표시장치에서도 동일하게 발생된다.
따라서, 본 발명의 목적은 데이터선과 화소의 개구부 사이에서 발생되는 빛샘현상을 방지할 수 있는 발광 표시 장치 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치는 열방향으로 형성되는 다수의 데이터선과, 행방향으로 형성되는 다수의 주사선과, 상기 데이터선과 주사선의 교차영역에 위치되는 개구부와, 상기 개구부에 형성되는 발광소자와, 상기 발광소자를 구동하기 위하여 상기 교차영역에 형성되는 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터와, 상기 데이터선과 상기 개구부 사이에 형성되어 빛을 차단하기 위한 빛차단층을 구비한다.
상기 빛차단층은 상기 데이터선 및 상기 개구부와 적어도 일부영역 중첩되게 형성된다.
상기 빛차단층은 상기 주사선과 동일물질로 형성된다.
상기 빛차단층은 전도체로 형성된다.
상기 빛차단층은 Al, MoW 및 Al/Cu 중 어느 하나로 형성된다.
상기 빛차단층은 투명물질을 제외한 빛을 차단할 수 있는 물질로 형성된다.
상기 빛차단층은 전기적으로 격리된다.
상기 빛차단층의 길이는 상기 개구부보다 길게 설정된다.
본 발명의 발광 표시 장치의 제조방법은 기판을 마련하는 제 1단계와; 상기 기판 상에 다수의 주사선 및 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선의 교차영역에 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터를 포함하는 화소회로와, 상기 데이터선과 적어도 일부영역 중첩되는 빛차단층을 형성하는 제 2단계와; 상기 교차영역에 위치된 개구부에 유기층을 형성하는 제 3단계를 포함한다.
상기 제 2단계는 상기 기판 상에 제 1절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 1절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제 1절연층 및 반도체층 상에 제 2절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 2절연층 상에 상기 주사선, 게이트전극 및 빛차단층을 형성하는 단계와, 상기 주사선, 게이트전극 및 빛차단층 상에 제 3절연층을 형성하는 단계와, 상기 제 3절연층 상에 상기 반도체 활성층과 접속되는 소스전극, 드레인전극을 형성함과 동시에 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 소스전극, 드레인전극 및 데이터라인 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제 3단계는 상기 평탄화층 상에 하부 전극층이 형성되는 단계와, 상기 평탄화층과 상기 하부 전극층의 일부영역에 상기 개구부가 노출되도록 화소 정의막이 형성되는 단계와, 상기 개구부에 상기 유기층이 형성되는 단계와, 상기 화소 정 의막 및 상기 유기층 상에 상부 전극층이 형성되는 단계를 포함한다.
상기 빛차단층은 상기 하부 전극층과 일부영역 중첩되게 위치된다.
상기 빛차단층은 상기 주사선 및 게이트전극과 동일 물질로 형성된다.
상기 빛차단층은 전도체로 형성된다.
상기 빛차단층은 투명물질을 제외한 빛을 차단할 수 있는 물질로 형성된다.
상기 빛차단층은 전기적으로 격리된다.
상기 제 2단계는 상기 데이터선과 나란한 제 1전원선이 형성된다.
상기 제 2단계는 상기 주사선과 나란한 발광 제어선과, 상기 데이터선과 나란한 제 1제어선이 형성되는 단계를 더 포함한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시 예를 첨부된 도 5 내지 도 13을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치의 화소를 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치의 화소(204)는 유기발광소자(OLED)와 화소회로(202)를 포함한다. 주사선(S)은 행방향으로 형성되고, 데이터선(D) 및 제 1전원선(VDD)은 열방향으로 형성된다.
유기발광소자(OLED)는 주사선(S) 및 데이터선(D)의 교차영역에 마련된 개구부에 위치된다. 유기발광소자(OLED)의 애노드전극(도시하지 않음)은 화소회로(202)에 접속되고, 캐소드전극(도시하지 않음)은 제 2전원(VSS)(도시하지 않음)에 접속된다. 이와 같은, 유기발광소자(OLED)는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 발광층(EML), 전자 수송층(ETL) 및 정공 수송층(HTL)을 구비한다. 여기서, 유기발광소자(OLED)는 전자 주입층(EIL)과 정공 주입층(HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자(OLED)의 애노드전극과 캐소드전극 사이에 전압이 인가되면 캐소드전극으로부터 발생된 전자가 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 경유하여 발광층(EML)으로 이동하고, 애노드전극으로부터 발생된 전자가 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 경유하여 발광층으로 이동한다. 그러면, 발광층에서 전자 수송층(ETL)으로부터 공급되어진 전자와 정공 수송층(HTL)으로부터 공급되어진 정공이 재결합함에 의해 빛이 발생한다.
화소회로(202)는 스위칭 TFT(MS), 구동 TFT(MD) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 구비한다. 스위칭 TFT(MS)는 주사선(S)으로 공급되는 선택신호에 대응되어 데이터선(D)으로 공급된 데이터신호를 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 TFT(MS)를 통해 전달되는 데이터신호를 한 프레임동안 저장한다. 구동 TFT(MD)는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터신호에 따라서, 즉 게이트전극과 소스전극 간의 전압차에 대응하여 제 1전원선(VDD)으로부터 유기발광소자(OLED)로 유입되는 전류량을 제어한다. 유기발광소자(OLED)는 구동 TFT(MD)로부터 공급되는 전류량에 대응되는 빛을 발생한다. 도 5에 도시된 화소회로(202)의 TFT들(MS, MD)의 형성위치는 도 5에 한정되는 것이 아니라 설계자의 설계의도, 패널의 해상도 및 인치 등에 대응하여 다양하게 설정될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 제 1실시예에 의한 발광 표시장치의 데이터선(D)과 개구부(유기발광소자(OLED) 형성영역)의 사이에 빛차단층(210)이 형성된다. 빛차단층(210)은 데이터선(D) 및 개구부와 일부 중첩되도록 위치되어 데이터선(D)과 개구부 사이의 빛을 차단한다. 즉, 본 발명에서 빛차단층(210)은 데이터(D)과 개구부 사이에서 발생되는 빛샘 현상을 방지함으로써 발광 표시장치의 화질을 향상시키게 된다. 한편, 본 발명의 제 1실시예에서 빛차단층(210)의 길이는 빛을 충분히 차단할 수 있도록 개구부보다 길게 형성될 수 있다. 그러나, 빛차단층(210)의 길이는 이에 한정되지 않고, 개구부와 동일하거나 짧게 형성될 수 있다.
도 5에 도시된 화소의 형성방법을 도 6a 내지 6e를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 6a를 참조하면, 먼저 기판(300) 상에 버퍼층(302)이 형성된다. 기판(300)은 투명물질, 예를 들면 글라스 등으로 선택된다. 버퍼층(302)(또는 제 1절연층)은 절연물질, 예를 들면 산화막 등으로 형성된다. 기판(300) 상에 버퍼층(302)이 형성된 후 버퍼층(302) 상에 소정 패턴의 반도체 활성층(304)이 형성된다. 반도체 활성층(304)은 비정질 실리콘을 열처리하여 얻어진 폴리 실리콘등으로 형성된다. 실제로, 반도체 활성층(304)은 채널을 구성할 수 있는 다양한 물질로 형성될 수 있다.
반도체 활성층(304)이 형성된 후 도 6b와 같이 버퍼층(302) 및 반도체 활성층(304)의 상부에 게이트 절연막(306)(또는 제 2절연층)이 형성된다. 게이트 절연 막(306)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등으로 형성된다. 게이트 절연막(306)이 형성된 후 게이트전극(308) 및 빛차단층(210)이 형성된다. 게이트전극(308)은 게이트 절연막(306)과 중첩되도록 위치된다. 이와 같은 게이트전극(308)은 전도체, 예를 들면, Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 그리고, 게이트전극(308)이 형성될 때 도시되지 않은 주사선(S)이 게이트전극(308)과 동일 물질로 형성된다. 빛차단층(210)은 게이트전극(308)과 동일물질로 형성되어 자신에게 공급되는 빛을 차단한다. 이와 같은 빛차단층(210)은 전도체로 형성되지만 전기적으로 격리된다.
한편, 본 발명의 실시예에서 빛차단층(210)은 도 7과 같이 게이트전극(308)과 상이한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우 빛차단층(210)은 게이트물질과 상이한 시간(게이트물질이 도포되기 전 또는 후)에 게이트 절연막(306) 상에 형성된다. 빛차단층(210)은 전기적으로 격리되기 때문에 절연체 또는 전도체로 형성될 수 있다. 실제로, 빛차단층(210)은 빛을 차단할 수 있는 물질(즉, 투명물질 제외) 중에서 다양하게 선택될 수 있다.
이후, 게이트전극(308), 빛차단층(210) 및 게이트 절연막(306) 상에 도 6c와 같이 층간 절연물(310)(또는 제 3절연층)이 형성된다. 층간 절연물(310)이 형성된 후 반도체 활성층(304)이 노출되도록 층간 절연물(310) 및 게이트 절연막(306)에 콘택홀들이 형성된다. 콘택홀들이 형성된 후 층간 절연물(310) 상에 소정 패턴으로 금속물질(312)이 형성된다. 여기서, 콘택홀 상에 형성된 금속물질(312)은 반도체 활성층(304)에 접속되어 소스전극 및 드레인전극으로 이용된다. 그리고, 콘택 홀 이외의 영역에 형성된 금속물질(312)은 그 형성위치에 따라서 데이터선(D) 또는 제 1전원선(VDD)으로 이용된다. 여기서, 데이터선(D)은 빛차단층(210)에 적어도 일부 영역이 중첩되도록 위치된다.
금속물질(312)이 형성된 후 도 6d와 같이 금속물질(312) 및 층간 절연물(310) 상에 평탄화층(314)이 형성된다. 평탄화층(314)은 아크릴, 폴리 이미드, BCB 등으로 형성된다.
이후, 도 6e와 같이 금속물질(312) 중 드레인전극이 노출되도록 평탄화층(314)에 콘택홀이 형성된다. 콘택홀이 형성된 후 평탄화층(314)의 상부에 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 사용되는 하부 전극층(318)이 형성된다. 여기서, 하부 전극층(318)은 콘택홀을 통해 금속물질(312)과 전기적으로 접속된다. 그리고, 하부 전극층(318)은 빛차단층(210)과 일부영역 중첩되도록 형성된다. 이후, 하부 전극층(318) 및 평탄화층(316) 상에 화소 정의막(320)이 형성된다.
화소 정의막(320)에는 빛을 방출하기 위한 개구부가 형성되고, 이 개구부에 유기층(322)이 형성된다. 그리고, 유기층(322) 및 화소 정의막(320) 상에 유기발광소자(OLED)의 캐소드전극으로 사용되는 상부 전극층(324)이 형성된다. 유기층(322)은 하부 전극층(318) 및 상부 전극층(324)의 대향영역에서 정공 및 전자를 주입받아 발광되고, 유기층(322)에서 발광된 빛은 기판(300)을 경유하여 관찰자로 공급된다. 여기서, 유기층(322)으로부터 발생된 빛의 일부는 빛차단층(210)에 의해 차단되어 외부로 공급되지 못한다.
이를 상세히 설명하면, 빛차단층(210)은 도 6e에 도시된 바와 같이 데이터선(D) 및 하부 전극층(318)(즉, 개구부)의 사이에서 데이터선(D) 및 개구부와 일부 중첩되도록 위치된다. 따라서, 유기층(322)으로부터 생성된 광 중 데이터선(D) 및 개구부의 사이로 입사되는 광은 외부로 공급되지 못한다. 즉, 본 발명의 제 1실시예에서는 데이터선(D)과 개구부 사이에 빛차단층을 설치하여 원하지 않는 빛이 외부로 공급되는 빛샘 현상을 방지할 수 있고, 이에 따라 화질을 향상시킬 수 있다. 실제로, 본 발명의 실시예에 의한 발광 표시장치에서는 도 8과 같이 데이터선(D)과 개구부 사이에서 빛이 관찰되지 않는다. 한편, 본 발명의 제 1실시예에 의한 빛차단층은 화소회로(202)에 포함되는 TFT의 수 및 커패시터의 수와 무관하게 적용 가능하다.
도 9는 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치의 화소(400)는 주사선(S)에 선택신호가 인가될 때 선택되어 데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호에 대응되는 빛을 발생한다.
이를 위해, 각각의 화소(400)는 유기발광소자(OLED)와, 데이터선(D), 주사선(S) 및 발광 제어선(E)에 접속되어 유기발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 화소회로(402)를 구비한다.
유기발광소자(OLED)의 애노드전극은 화소회로(402)에 접속되고, 캐소드전극은 제 2전원(VSS)에 접속된다. 이와 같은 유기발광소자(OLED)는 화소회로(402)로부터 공급되는 전류에 대응되는 빛을 생성한다.
화소회로(402)는 제 1전원(VDD)과 유기발광소자(OLED) 사이에 접속된 구동 TFT(MD)와, 발광 제어선(E), 유기발광소자(OLED) 및 구동 TFT(MD)에 접속된 제 4스위칭소자(MS4)와, 제 m주사선(Sm)과 데이터선(D)에 접속된 제 1스위칭소자(MS1)와, 제 1스위칭소자(MS1), 제 1전원(VDD) 및 제 m-1주사선(Sm-1)에 접속된 제 2스위칭소자(MS2)와, 구동 TFT(MD)와 제 4스위칭소자(MS4) 사이인 제 1노드(N1)와 제 m-1주사선(Sm-1) 및 구동 TFT(MD)의 게이트전극에 접속된 제 3스위칭소자(MS3)와, 제 1 및 제 2스위칭소자(MS1, MS2) 사이의 제 2노드(N2)와 제 1전원(VDD) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)와, 제 2노드(N2)와 구동 TFT(MD) 사이에 접속된 보상용 커패시터(Cvth)를 구비한다. 도 9에서 각각의 TFT(MD,MS)는 P타입 MOSFET로 도시되었지만, 본 발명의 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다.
제 1스위칭소자(MS1)의 게이트전극은 제 m주사선(Sm)에 접속되고, 소스전극은 데이터선(D)에 접속된다. 그리고, 제 1스위칭소자(MS1)의 드레인전극은 제 2노드(N2)에 접속된다. 이와 같은 제 1스위칭소자(MS1)는 제 m주사선(Sm)에 공급되는 선택신호에 응답하여 데이터선(D)으로부터의 데이터신호를 제 2노드(N2)로 공급한다.
제 2스위칭소자(SW2)의 게이트전극은 제 m-1주사선(Sn-1)에 접속되고, 소스전극은 제 1전원(VDD)에 접속된다. 그리고, 제 2스위칭소자(SW2)의 드레인전극은 제 2노드(N2)에 접속된다. 이와 같은 제 2스위칭소자(SW2)는 제 m-1주사선(Sm-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 제 1전원(VDD)으로부터의 전압을 제 2노드(N2)로 공급한다.
제 3스위칭소자(MS3)의 게이트전극은 제 m-1주사선(Sm-1)에 접속되고, 소스전극은 구동 TFT(MD)에 접속된다. 그리고, 제 3스위칭소자(MS3)의 드레인전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이와 같은 제 3스위칭소자(MS3)는 제 m-1주사선(Sm-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 구동 TFT(MD)의 게이트전극을 제 1노드(N1)에 접속시킨다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 m주사선(Sm)에 선택신호가 공급될 때 제 2노드(N2)로 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하고, 저장된 전압을 한 프레임동안 유지한다.
보상용 커패시터(Cvth)는 제 m-1주사선(Sm-1)에 선택신호가 공급될 때 구동 TFT(MD)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 여기서, 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 전압은 구동 TFT(MD)의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압으로 이용된다.
구동 TFT(MD)의 게이트전극은 제 3스위칭소자(MS3)의 소스전극과 보상용 커패시터(Cvth)에 접속되고, 소스전극은 제 1전원(VDD)에 접속된다. 그리고, 구동 TFT(MD)의 드레인전극은 제 4스위칭 TFT(MS4)에 접속된다. 이와 같은 구동 TFT(MD)는 자신의 게이트전극에 공급되는 전압에 따라서 제 1전원(VDD)으로부터 제 1노드(N1)로 공급되는 전류를 조절한다.
제 4스위칭 TFT(MS4)의 게이트전극은 발광 제어선(Em)에 접속되고, 소스전극은 제 1노드(N1)에 접속된다 그리고, 제 4스위칭 TFT(MS4)의 드레인전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드전극에 접속된다. 이와 같은 제 4스위칭소자(MS4)는 발광 제어선(Em)으로 공급되는 발광신호에 대응하여 구동 TFT(MD)로부터 유기발광소자(OLED)로 공급되는 전류의 공급시점을 제어한다.
이와 같은 화소(400)의 동작과정을 도 10과 결부하여 상세히 설명하기로 한다. 먼저, T1 기간동안 제 m-1주사선(Sm-1)에 로우상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 m주사선(Sm)에 하이상태의 선택신호(SS)가 공급된다. 그리고, T1 기간동안 발광 제어선(E)으로 하이상태의 발광신호(EMI)가 공급된다. 제 m-1주사선(Sm-1)으로 로우상태의 선택신호(SS)가 공급되면 제 2 및 제 3스위칭소자(MS2,MS3)가 턴-온된다. 제 m주사선(Sm)으로 하이상태의 선택신호(SS)가 공급되면 제 1스위칭소자(MS1)가 턴-오프된다. 발광 제어선(E)으로 하이 상태의 발광신호(EMI)가 공급되면 제 4스위칭소자(MS4)가 턴-오프된다.
T1 기간에 제 2 및 제 3스위칭소자(MS2,MS3)가 턴-온되면 구동 TFT(MD)는 다이오드 기능을 수행하게 되고, 구동 TFT(MD)의 게이트-소스 간 전압은 자신의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이에 따라, 보상용 커패시터(Cvth)는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 보상전압이 저장된다.
T2 기간동안 제 m-1주사선(Sm-1)에 하이상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 m주사선(Sm)에 로우상태의 선택신호(SS)가 공급된다. 그리고, T2 기간동안 발광 제어선(E)으로 하이상태의 발광신호(EMI)가 공급된다. 제 m-1주사선(Sm-1)으로 하이상태의 선택신호(SS)가 공급되면 제 2 및 제 3스위칭소자(MS2,MS3)가 턴-오프된다. 제 m주사선(Sm)으로 로우상태의 선택신호(SS)가 공급되면 제 1스위칭소자(MS1)가 턴-온된다. 발광 제어선(E)으로 하이 상태의 발광신호(EMI)가 공급되면 제 4스위칭소자(MS4)는 턴-오프 상태를 유지한다.
T2 기간동안 제 1스위칭소자(MS1)가 턴-온되면 데이터선(D)으로 공급되는 데이터신호는 제 1스위칭소자(MS1)를 경유하여 제 2노드(N2)로 공급된다. 제 2노드(N2)로 데이터신호가 공급되면 스토리지 커패시터(Cst)에 데이터신호에 대응되는 전압이 충전된다. 여기서, 구동 TFT(MD)의 게이트전극에는 스토리지 커패시터(CSt)에 충전된 전압(Vdata-VDD)과 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 보상전압이 더해진 전압이 공급된다. 즉, 도 9에 도시된 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치는 보상용 커패시터(Cvth)에 구동 TFT(MD)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 충전시킴으로써 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 보상하고, 이에 따라 화소(400)의 위치에 무관하게 휘도를 균일성을 확보할 수 있다.
한편, 이와 같은 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치에도 빛샘을 방지하기 위한 빛차단층이 설치된다. 이를 도 11을 참조하여 설명하기로 한다. 도 11은 도 9의 화소의 투시 평면도의 일례이다. 도 11에 도시된 구동 TFT(MD) 및 스위칭 TFT(MS1 내지 MS4)들은 일례로서 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고 설계자의 설계의도, 패널의 패상도 및 인치등을 고려하여 다양한 형태로 형성될 수 있다.
도 11을 참조하면, 화소(400)는 유기발광소자(OLED)와 화소회로를 포함한다. 여기서, 주사선(S) 및 발광 제어선(E)은 행방향으로 형성되고, 데이터선(D) 및 제 1전원선(VDD)은 열방향으로 형성된다. 화소회로(402)는 스위칭 TFT들(MS1 내지 MS4), 구동 TFT(MD), 스토리지 커패시터(Cst) 및 보상용 커패시터(Cvth)를 구비한 다.
제 2 및 제 3스위칭소자(MS2, MS3)는 제 m-1주사선(Sm-1)으로 선택신호가 공급될 때 턴-온되어 보상용 커패시터(Cvth)에 구동 TFT(MD)의 문턱전압에 상응하는 전압을 충전시킨다. 제 1스위칭소자(MS1)는 제 m주사선(Sm)으로 선택신호가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(D)으로부터의 데이터신호를 스토리지 커패시터(Cst)로 공급한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제 1스위칭소자(MS1)로부터 공급되는 데이터신호에 대응되는 전압을 한 프레임동안 저장한다. 구동 TFT(MD)는 스토리지 커패시터(Cst) 및 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 전압값에 대응되어 제 1전원선(VDD)으로부터 제 4스위칭 TFT(MS4)로 공급되는 전류를 제어한다. 제 4스위칭 TFT(MS4)는 발광 제어선(Em)으로부터 공급되는 발광신호에 대응하여 구동 TFT(MD)로부터 유기발광소자(OLED)로 공급되는 전류의 공급시점을 제어한다.
이와 같은 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치의 데이터선(D)과 개구부(유기발광소자(OLED) 형성영역)의 사이에 빛차단층(410)이 형성된다. 빛차단층(410)은 데이터선(D) 및 개구부와 일부 중첩되도록 위치되어 자신에게 공급되는 빛을 차단한다. 즉, 본 발명의 제 2실시예에서 빛차단층(410)은 데이터선(D)과 개구부 사이에서 발생되는 빛샘 현상을 방지함으로써 발광 표시장치의 화질을 향상시키게 된다. 한편, 본 발명의 제 2실시예에서 빛차단층(410)의 길이는 개구부에서 발생되는 빛을 충분히 차단할 수 있도록 개구부보다 길게 형성될 수 있다. 그러나, 빛차단층(410)의 길이는 이에 한정되지 않고, 개구부와 동일하게 형성되거나 개구부보다 짧게 형성될 수 있다.
도 11에 도시된 빛 차단층의 형성방법을 도 12a 내지 도 12e를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 도 12a 내지 도 12e의 단면도는 도 11에서 데이터선(D), 빛차단층(410), 유기발광소자(OLED), 제 4스위칭 TFT(MS4) 및 스토리지 커패시터(Cst)가 나타나도록 도시되었다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 빛차단층(410)의 제외한 단면도의 구성은 도 12a 내지 도 12e에 한정되지 않고 다양하게 설정될 수 있다. 그리고, 도 12a 내도 12e에서는 스토리지 커패시터(Cst)가 게이트물질과 반도체활성층에 의하여 형성되는 걸로 도시하였지만 실제로 스토리지 커패시터(Cst)는 다양하게 형성될 수 있다.
도 12a를 참조하면, 먼저 기판(500) 상에 버퍼층(502)(또는 제 1절연층)이 형성된다. 기판(500)은 투명물질, 예를 들면 투명 글라스 등으로 선택된다. 버퍼층(502)은 산화막 등으로 형성된다. 기판(500) 상에 버퍼층(502)이 형성된 후 버퍼층(502) 상에 소정 패턴의 반도체 활성층(504)(또는 반도체층)이 형성된다. 반도체 활성층(504)은 비정질 실리콘을 열처리하여 얻어진 폴리 실리콘 등으로 형성된다. 실제로, 반도체 활성층(504)은 채널을 구성할 수 있는 물질로 다양하게 선택된다. 그리고, 반도체 활성층(504)이 형성될 때 반도체 활성층 물질이 소정패턴으로 배치되어 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1전극이 형성된다.
반도체 활성층(504)이 형성된 후 도 12b와 같이 버퍼층(502) 및 반도체 활성층(504)의 상부에 게이트 절연막(506)(또는 제 2절연층)이 형성된다. 게이트 절연막(506)은 절연물질, 예를 들면 SiO2 등으로 형성된다. 게이트 절연막(506)이 형성 된 후 소정 패턴으로 게이트전극(508), 빛차단층(410), 주사선(S)(도시하지 않음) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2전극이 형성된다. 여기서, 게이트전극(508), 빛차단층(410), 주사선(S)(도시하지 않음) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 제 2전극은 동일물질로 형성된다. 실제로, 게이트전극(508), 빛차단층(410), 주사선(S)(도시하지 않음) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 제 1전극(509)은 전도체, 예를 들면 Al, MoW, Al/Cu 등으로 형성된다. 빛차단층(410)은 자신에게 공급되는 빛을 차단한다. 이와 같은 빛차단층(410)은 전도체로 형성되지만 전기적으로 격리된다.
한편, 본 발명의 실시예에서 빛차단층(410)은 도 13과 같이 게이트물질과 상이한 물질로 형성될 수 있다. 이 경우 빛차단층(410)은 게이트물질과 상이한 시간(게이트물질이 도포되기 전 또는 후)에 게이트 절연막(506) 상에 형성된다. 빛차단층(410)은 전기적으로 격리되기 때문에 절연체 또는 전도체로 형성될 수 있다. 실제로, 빛차단층(410)은 빛을 차단할 수 있는 물질(즉, 투명물질 제외) 중에서 다양하게 선택될 수 있다.
이후, 게이트전극(508), 빛차단층(410) 및 게이트 절연막(506) 상에 도 12c와 같이 층간 절연물(510)(또는 제 3절연층)이 형성된다. 층간 절연물(510)이 형성된 후 반도체 활성층(504)이 노출되도록 층간 절연물(510) 및 게이트 절연막(506)에 콘택홀들이 형성된다. 콘택홀들이 형성된 후 층간 절연물(510) 상에 소정 패턴으로 금속물질(512)이 형성된다. 여기서, 콘택홀 상에 형성된 금속물질(512)은 반도체 활성층(304)에 접속되어 소스전극 및 드레인전극으로 이용된다. 그리고, 콘택홀 이외의 영역에 형성된 금속물질(512)은 그 형성위치에 따라서 데이 터선(D) 및 제 1전원선(VDD)(도시되지 않음)으로 이용된다. 여기서, 데이터선(D)은 빛차단층(410)에 적어도 일부영역이 중첩된다.
금속물질(512)이 형성된 후 도 12d와 같이 금속물질(512) 및 층간 절연물(510) 상에 평탄화층(514)이 형성된다. 평탄화층(514)은 아크릴, 폴리 이미디, BCB 등으로 형성될 수 있다.
이후, 도 12e와 같이 금속물질(512) 중 드레인전극이 노출되도록 평탄화층(514)에 콘택홀이 형성된다. 콘택홀이 형성된 후 평탄화층(514)의 상부에 유기발광소자(OLED)의 애노드전극으로 사용되는 하부 전극층(518)이 형성된다. 하부 전극층(518)은 콘택홀을 통해 금속물질(512)과 전기적으로 접속된다. 그리고, 하부 전극층(518)은 빛차단층(410)과 적어도 일부영역 중첩되도록 형성된다. 이후, 하부 전극층(518) 및 평탄화층(514) 상에 화소 정의막(520)이 형성된다.
화소 정의막(520)에는 빛을 방출하기 위한 개구부가 형성되고, 이 개구부에 유기층(522)이 형성된다. 그리고, 유기층(522) 및 화소 정의막(520) 상에 유기발광소자(OLED)의 캐소드전극으로 사용되는 상부 전극층(524)이 형성된다. 유기층(522)은 하부 전극층(518) 및 상부 전극층(524)의 대향영역에서 정공 및 전자를 주입받아 발광되고, 유기층(522)에서 발광된 빛은 기판(500)을 경유하여 외부로 방출된다. 여기서, 유기층(522)으로부터 발생된 빛의 일부는 빛차단층(410)에 의해 차단되어 외부로 공급되지 못한다.
이를 상세히 설명하면, 빛차단층(410)은 도 12e에 도시된 바와 같이 데이터선(D) 및 하부 전극층(518)(또는 개구부)의 사이에서 데이터선(D) 및 하부 전극층(518)과 일부영역 중첩되게 위치된다. 따라서, 유기층(522)에서 생성된 광 중 데이터선(D) 및 하부 전극층(518)으로 입사되는 광은 빛차단층(410)에 의해 차단되어 외부로 공급되지 못한다. 즉, 본 발명의 제 2실시예에서는 데이터선(D)과 개구부 사이에 빛차단층(410)을 설치하여 원하지 않는 빛이 외부로 공급되는 빛샘 현상을 방지할 수 있고, 이에 따라 화질을 향상시킬 수 있다. 실제로, 본 발명의 제 2실시예에 의한 발광 표시장치에서는 도 8과 같이 데이터선(D)과 개구부 사이에서 빛이 관찰되지 않는다.
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서, 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시 장치 및 그 제조방법에 의하면 데이터선과 화소의 개구부 사이에 빛차단층을 설치하여 데이터선과 화소의 사이로 공급되는 빛을 차단함으로써 빛샘현상을 방지할 수 있다.

Claims (18)

  1. 열방향으로 형성되는 다수의 데이터선과,
    행방향으로 형성되는 다수의 주사선과,
    상기 데이터선과 주사선의 교차영역에 위치되는 개구부와,
    상기 개구부에 형성되는 발광소자와,
    상기 발광소자를 구동하기 위하여 상기 교차영역에 형성되는 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터와,
    상기 데이터선과 상기 개구부 사이에 형성되어 빛을 차단하기 위한 빛차단층을 구비하는 발광 표시 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 빛차단층은 상기 데이터선 및 상기 개구부와 적어도 일부영역 중첩되게 형성되는 발광 표시 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 빛차단층은 상기 주사선과 동일물질로 형성되는 발광 표시 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 빛차단층은 전도체로 형성되는 발광 표시 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 빛차단층은 Al, MoW 및 Al/Cu 중 어느 하나로 형성되는 발광 표시 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 빛차단층은 투명물질을 제외한 빛을 차단할 수 있는 물질로 형성되는 발광 표시 장치.
  7. 제 4항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 빛차단층은 전기적으로 격리되는 발광 표시 장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 빛차단층의 길이는 상기 개구부보다 길게 설정되는 발광 표시 장치.
  9. 기판을 마련하는 제 1단계와;
    상기 기판 상에 다수의 주사선 및 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선의 교차영역에 적어도 하나 이상의 박막 트랜지스터를 포함하는 화소회로와, 상기 데이터선과 적어도 일부영역 중첩되는 빛차단층을 형성하는 제 2단계와;
    상기 교차영역에 위치된 개구부에 유기층을 형성하는 제 3단계를 포함하는 발광 표시 장치의 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2단계는
    상기 기판 상에 제 1절연층을 형성하는 단계와,
    상기 제 1절연층 상에 반도체층을 형성하는 단계와,
    상기 제 1절연층 및 반도체층 상에 제 2절연층을 형성하는 단계와,
    상기 제 2절연층 상에 상기 주사선, 게이트전극 및 빛차단층을 형성하는 단계와,
    상기 주사선, 게이트전극 및 빛차단층 상에 제 3절연층을 형성하는 단계와,
    상기 제 3절연층 상에 상기 반도체 활성층과 접속되는 소스전극, 드레인전극을 형성함과 동시에 데이터라인을 형성하는 단계와,
    상기 소스전극, 드레인전극 및 데이터라인 상에 평탄화층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 표시 장치의 제조방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제 3단계는
    상기 평탄화층 상에 하부 전극층이 형성되는 단계와,
    상기 평탄화층과 상기 하부 전극층의 일부영역에 상기 개구부가 노출되도록 화소 정의막이 형성되는 단계와,
    상기 개구부에 상기 유기층이 형성되는 단계와,
    상기 화소 정의막 및 상기 유기층 상에 상부 전극층이 형성되는 단계를 포함하는 발광 표시 장치의 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 빛차단층은 상기 하부 전극층과 일부영역 중첩되게 위치되는 발광 표시 장치의 제조방법.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 빛차단층은 상기 주사선 및 게이트전극과 동일 물질로 형성되는 발광 표시 장치의 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 빛차단층은 전도체로 형성되는 발광 표시 장치의 제조방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 빛차단층은 투명물질을 제외한 빛을 차단할 수 있는 물질로 형성되는 발광 표시 장치의 제조방법.
  16. 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
    상기 빛차단층은 전기적으로 격리되는 발광 표시 장치의 제조방법.
  17. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2단계는 상기 데이터선과 나란한 제 1전원선이 형성되는 단계를 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 9항에 있어서,
    상기 제 2단계는 상기 주사선과 나란한 발광 제어선과, 상기 데이터선과 나란한 제 1제어선이 형성되는 단계를 더 포함하는 발광 표시 장치의 제조방법.
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