JP2005215609A - 単位回路、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ドレイン電流の飽和特性を利用して有機EL素子等の電気光学素子を電流駆動する電気光学装置において、表示品質を改善する。
【解決手段】 有機ELディスプレイ10における画素部200において、有機EL素子260を駆動するための電流を供給する電流プログラム用TFT210は、固定電極211を備える。固定電極211は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域212を介して活性層213と接続されており、電流プログラム用TFT210の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。従って、ドレイン電流の飽和特性が改善され、有機EL素子の階調品質が向上する。
【選択図】図2
【解決手段】 有機ELディスプレイ10における画素部200において、有機EL素子260を駆動するための電流を供給する電流プログラム用TFT210は、固定電極211を備える。固定電極211は、ソース及びドレインに相当する不純物領域とは逆の極性を有する逆導電型不純物領域212を介して活性層213と接続されており、電流プログラム用TFT210の動作時には、活性層中に蓄積して飽和特性を劣化させる原因となる電荷を除去する。従って、ドレイン電流の飽和特性が改善され、有機EL素子の階調品質が向上する。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば有機EL(Electro-Luminescence)素子等の自発光型の電気光学素子を備える単位回路、電気光学装置及び該電気光学装置を備える電子機器の技術分野に関する。
この様な電気光学装置として、例えば、薄膜トランジスタ(Thin-Film-Transistor:以下適宜「TFT」と称す)を利用してアクティブマトリクス駆動される有機EL装置が挙げられる。この有機EL装置に使用される有機EL素子は、各画素部の駆動回路内に設けられた電流駆動用の電荷を供給するためのTFTにおける電流飽和特性を利用して、電流駆動されるのが一般的である(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1に記載の有機EL装置では、複数の電流経路を有する様に駆動回路を構成し、そのうち少なくとも一つの電流経路は有機EL素子を含まない様にすることによって、有機EL装置の電力消費を抑制することが可能であるとされている。
しかしながら、係る電流駆動型の有機EL装置は、以下に示す問題点を有する。
有機EL素子を電流駆動により発光させるTFTにおいて、活性層が電位的に不安定な状態にある場合、活性層にチャネルが形成されて電流が流れるに伴い、実効的なキャリアとは逆の極性を有するキャリアが活性層に蓄積し易い。この結果、TFTにおけるゲート電圧に対するドレイン電流の飽和特性が劣化する。
前述の通り、電流駆動型の有機EL装置においては、有機EL素子を電流駆動するTFTは、そのゲート電圧に対してドレイン電流が飽和することを前提として各画素部における駆動回路が構成されている。このため、係る飽和特性の劣化は、最終的に係る有機EL装置における表示特性、とりわけ階調度の劣化に直結する。即ち、上述した如き従来の有機EL装置では、高い表示品質を実現することが困難である。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、電流駆動用のトランジスタにおける飽和特性を利用しつつ、電気光学装置において高い表示品質を実現可能な単位回路、該単位回路を有する電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備してなる各種電子機器を提供することを課題とする。
本発明の単位回路は、上記問題点を解決するために、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを具備しており、前記第2のトランジスタは、該第2のトランジスタの飽和特性に基づいて導通状態が制御され、前記第2のトランジスタにおける活性層の延在部における電位を所定電位に固定する電位固定手段とを含む。
本発明に係る単位回路によれば、その動作時には、第2のトランジスタの活性層の延在部における電位は、「電位固定手段」によって「所定電位」に固定される。ここに、「所定電位」とは、例えば、第2のトランジスタのソース電位などであり、一定でなくてもよい。或いは、固定電位配線における一定電位や、周期的に変動される電位であってもよい。即ち、活性層に蓄積した不要な電荷を逃がし、これら不要な電荷によって生じる飽和特性の劣化を改善しうるもの全てが、ここで述べられる「所定」の範疇に属する。また、ここで述べられる「トランジスタ」とは、TFTを含む。
このように活性層の延在部における電位が電位固定手段によって所定電位に固定されるので、電位固定手段が活性層の延在部と共に、所謂「ボディコンタクト」として機能する。即ち、チャネルが形成される活性層内に蓄積する、実効的なキャリアとは逆の極性を有する余分なキャリア(即ち、電子又はホール)を、電位固定手段によって延在部を介して抜くことが可能となる。従って、活性層内に蓄積される該余分なキャリアに起因した、第2のトランジスタにおけるアバランシェ降伏等の不都合が発生する事態が低減され、第2のトランジスタの飽和特性が改善される。仮に、このような活性層の延在部及び電位固定手段が存在せねば、例えば、この単位回路がアクティブマトリクス駆動される各画素部を構成している場合などに、活性層内に蓄積する余分なキャリアによって、所謂アバランシェ降伏と呼ばれる雪崩現象を低電界で誘発してしまい、第2のトランジスタの飽和特性が無視し得ない程に劣化してしまうのである。
以上の結果、本発明によれば、第2のトランジスタにおける飽和特性が改善されるので、動作する際に高い安定性を有する。
本発明の電気光学装置は、上記問題点を解決するために、複数の単位回路を備えた電子装置であって、前記複数の単位回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを具備しており、前記第2のトランジスタは、該第2のトランジスタの飽和特性に基づいて導通状態が制御され、前記第2のトランジスタにおける活性層の延在部における電位を所定電位に固定する電位固定手段とを含む。
本発明に係る電気光学装置は、例えば、画像表示領域に複数の単位回路をマトリクス状に画素部として配置し、電気光学素子及び該電気光学素子をアクティブ制御により電流駆動する形態を含み、また、第2のトランジスタによって駆動される、例えば、有機EL素子等の自発光型の電気光学素子を有する単位回路を複数有してなり、この電流駆動が、トランジスタの電流飽和特性に基づいて行なわれる装置を含む。
係る電気光学装置において、その動作時には、例えば、画像表示領域に縦方向に夫々延びるように配列されたデータ線、電源供給配線等の電荷供給配線によって、電流駆動用の電荷が各単位回路に供給される。これと並行して、例えば、画像表示領域内に横方向に夫々延びるように配列された走査線、書込選択配線、表示選択配線等の選択配線等によって、選択信号が各単位回路の駆動回路に供給される。この際、第2のトランジスタでは、そのゲート電極に、例えば電流プログラムされた電圧、選択信号の電圧等の制御電圧が印加されるのに応じて、例えばP型又はN型の半導体層からなる活性層にチャネルが形成される。更に、第2のトランジスタのソース領域には、例えばそのソース電極を介して電荷供給配線から電流駆動用の電荷が供給され、そして、第2のトランジスタのドレイン領域からは、例えばそのドレイン電極を介して電気光学素子へと電流駆動用の電荷が供給される。これらにより、各画素部毎に発光すべきタイミングに応じて、電流駆動用の電荷が、第2のトランジスタを介して電気光学素子に供給される。
このような電流駆動用の電荷の供給は、各画素部の駆動回路における、例えば電流プログラミング方式、電圧プログラム方式、電圧比較方式、カレントミラー方式、単純なアクティブマトリクス方式等の各種駆動方式に応じて、各単位回路について電荷供給配線を介しての電荷の単位回路を駆動する駆動回路への供給と電気光学素子への供給とが同時に行なわれてもよい。或いは、各単位回路について電荷供給配線を介しての電荷の単位回路を駆動する駆動回路への供給と電気光学素子への供給とが時間を隔てて行なわれてもよい。例えば後者の場合、発光量を規定する電流量を実際の発光前にプログラミングするプログラミングステージと、該プログラミングされた電流量を実際に電気光学素子に供給することで発光させるリプロダクションステージとが時間的に別々に設けられていてもよい。尚、選択配線の種類や各画素部に接続される本数、電荷供給配線の種類や各画素部に接続される本数などは、各単位回路における、例えば電流プログラム方式等の駆動方式に応じて定まる。
ここで特に、画素部として機能する単位回路の駆動中に、第2のトランジスタの活性層の延在部における電位は、「電位固定手段」によって「所定電位」に固定される。即ち、電位固定手段は、前述したボディコンタクトとして機能する。
従って、本発明によれば、各単位回路における電流駆動を行なうための第2のトランジスタにおける飽和特性が改善されるので、当該電気光学装置における、特に階調度等の表示品質が改善される。
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記延在部は、前記活性層におけるソース領域及びドレイン領域と逆導電型に不純物ドープされた部分からなり、前記電位固定手段は、前記延在部に接続された電極部分を含む。
この態様によれば、活性層、即ち半導体層におけるソース領域及びドレイン領域がP型であれば、延在部は、N型にドープされる。逆に、該ソース領域及びドレイン領域がN型であれば、延在部は、P型にドープされる。そして、延在部には、第2のトランジスタにおけるゲート電極、ソース電極及びドレイン電極という3つの電極の他に設けられた、ボディコンタクト用の言わば「第4の電極」たる電極部分が、例えばコンタクトホールを介して接続されている。そして、この電極部分を介して、延在部は、電位固定手段によって、所定電位に固定される。従って何れの場合にも、電位固定手段が延在部と共に、ボディコンタクトとして良好に機能し得、第2のトランジスタにおける電流駆動という基本的な機能を害することは殆ど無い。
尚、「逆導電型」とは、このトランジスタ中の実効的なキャリアとは逆極性のキャリアに対して親和性を有するものとして広い範囲で定義されるものである。また、ここで述べられる「電極部分」とは、即ち、これら不要な電荷の出口という趣旨であり、換言すれば、活性層中から係る電荷の排出を可能とするものが係る「電極部分」の範疇なのであって、材質及び形態は係る動作を可能とする範囲内において何らの限定を受けるものではない。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネセンス素子であり、前記第2のトランジスタは、ガラス基板上に形成されてなる。
電気光学装置の一種である有機EL装置において、各単位回路を構成するトランジスタは、例えば低温多結晶シリコンで構成されたTFTであり、基板には主としてガラスが使用されることが多い。この様な場合には、ガラス基板の非導電特性の為、活性層に一層キャリアが蓄積し易く、飽和特性が劣化し易い。
本態様によれば、第2のトランジスタの飽和特性が改善されるので、特に有機EL装置における表示特性改善に効果的である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記所定電位は、前記第2のトランジスタのソース電位である。
この態様によれば、活性層の延在部の電位がソース電位と共通化されるので、単位回路の構成を単純化することが可能である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第2のトランジスタはPチャネル型であり、前記単位回路に電流駆動用の電荷を供給するための複数の電荷供給配線を具備しており、前記所定電位は、前記電荷供給配線の少なくとも一部を介して前記単位回路に供給される電源電圧である。
ここで述べる「Pチャネル型」とは、トランジスタにおいて活性層にチャネルが形成された場合の実効的なキャリアが正孔であることを意味する。即ち、活性層を挟むソース領域及びドレイン領域に相当する不純物領域が、P型の不純物領域であることを表す。Pチャネル型のTFTは、これとは極性が逆であるNチャネル型のトランジスタに比較して電流飽和特性が良好であり、係る飽和特性を利用して電流駆動を行う単位回路に好適である。
係る態様によれば、元々比較的良好である飽和特性が一層改善されるので、電気光学装置における表示特性が一層改善される。
但し、本発明に係る電気光学装置において、第2のトランジスタはPチャネル型に限定されるものではない。本発明によれば、トランジスタの導電型に因らず飽和特性の改善が可能である。従って、従来では飽和特性が不十分であったNチャネル型のトランジスタを、本発明に係る「第2のトランジスタ」として使用することも可能となり、単位回路を構成するに際し、選択の幅が広がるので効果的である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記単位回路を選択する選択信号を供給するための複数の選択配線を具備しており、前記単位回路を選択する前記選択信号は、前記複数の単位回路に対して(i)画素行別に電荷書込用の期間を規定する書込選択信号及び(ii)前記画素行別に表示用の期間を規定する表示選択信号を含み、前記単位回路における電流経路は、(i)前記書込選択信号に応じて前記単位回路に前記電流駆動用の電荷が書き込まれる際の電流経路及び(ii)前記表示選択信号に応じて前記単位回路が前記電気光学素子を発光させる際の電流経路を含んでなる。
この態様によれば、例えば、電流経路は、(i)単位回路に電流駆動用の電荷が書き込まれる際の、即ち、プログラミング或いはプログラミングステージ用の電流経路及び(ii)単位回路が電気光学素子を発光させる際の、即ち、リプロダクション或いはリプロダクションステージ用の電流経路を含んでなる。電流経路が複数ある場合には、消費電流の低減を図ることが可能であるが、これら複数の電流経路毎に電気光学素子に電流を供給するTFTの負荷が変化すると、第2のトランジスタの動作点(ソース−ドレイン間電位差)が変化する。このとき、飽和特性の乏しい第2のトランジスタを用いた場合、プログラミングステージでの電流とリプロダクションステージでの電流とに電流差が生じる。本発明のトランジスタを用いることにより、このような電流差を低減することができ、この様に複数の電流経路を有する電気光学装置においても、表示特性の劣化を生じさせないので効果的である。
この態様では、前記単位回路は、前記書込選択信号に応じて、前記保持素子に前記電気信号を前記電気量として保持し、前記表示選択信号に応じて、前記電気光学素子に前記導通状態に相対した電流量を供給する第3のトランジスタを含むように構成してもよい。
このように構成すれば、第3のトランジスタが、表示選択信号に応じて電気光学素子に電流を供給するスイッチとして機能する。従って、電気光学素子の発光タイミングを容易に制御可能である。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記単位回路は、前記第2のトランジスタと、ゲート電極同士、ソース電極同士及びドレイン電極同士が夫々電気的に接続された第4のトランジスタを更に具備する。
この態様によれば、主として製造工程に起因してトランジスタの駆動特性にバラツキが生じた場合であっても、第4のトランジスタを第2のトランジスタと並列に配置することによって、係るバラツキが平均化されるから、電気光学装置における表示品質のバラツキを抑制することが可能となる。
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記単位回路は、前記第2のトランジスタを含むカレントミラー回路を具備する。
このように構成すれば、単位回路が第2のトランジスタを含むカレントミラー回路を備えるので、第2のトランジスタの電流を簡便に制御可能である
本発明の電子機器は、上述問題点を解決するために、上述した電気光学装置のうちいずれかを具備する。
本発明の電子機器は、上述問題点を解決するために、上述した電気光学装置のうちいずれかを具備する。
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)等を実現することも可能である。
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
<第1実施形態>
<実施形態の構成>
始めに、本発明の第1実施形態に係る有機ELディスプレイ10の構成について、図1を参照して説明する。ここに、図1は、有機ELディスプレイ10のブロック図である。尚、本発明に係る「電気光学装置」とは、例えば、この有機ELディスプレイ10に代表される電気光学パネル、電気光学パネルと同一基板内に内蔵された又は外付けされた走査線駆動回路及びデータ線駆動回路、更に画像信号供給等のための図示略のプロセッサ、ROM、及びRAM等が不図示の筺体に収容されてなる表示装置である。
<実施形態の構成>
始めに、本発明の第1実施形態に係る有機ELディスプレイ10の構成について、図1を参照して説明する。ここに、図1は、有機ELディスプレイ10のブロック図である。尚、本発明に係る「電気光学装置」とは、例えば、この有機ELディスプレイ10に代表される電気光学パネル、電気光学パネルと同一基板内に内蔵された又は外付けされた走査線駆動回路及びデータ線駆動回路、更に画像信号供給等のための図示略のプロセッサ、ROM、及びRAM等が不図示の筺体に収容されてなる表示装置である。
図1において、有機ELディスプレイ10は、画像表示領域100に複数の画素部200を備え、画像表示領域100の周辺に、走査線駆動回路110及びデータ線駆動回路120を備える。画像表示領域100には、本発明に係る「選択配線」の一例たる複数本の書込み選択信号線101と、同じく「選択配線」の他の一例たる表示選択信号線104とが、図においてX(行)方向に延在して形成され、また、本発明に係る「電荷供給配線」の一例たる複数本のデータ線102、及び同じく「電荷供給配線」の他の一例たる複数本の電源線103が、Y(列)方向に延在して形成されている。この電源線103には、図示略の電源における高位側の電位(Vdd)が印加されている。この電位「Vdd」は、本発明に係る「単位回路に供給される電源電圧」の一例である。画素部200は、これら書込み選択信号線101、データ線102、電源線103及び選択信号線104によって囲まれた領域に形成されている。
走査線駆動回路110は、書込み選択信号線101及び表示選択信号線104に対し、夫々書込み選択信号GWRT及び表示選択信号GSELを供給する回路である。この書込み選択信号GWRTは、後述するスイッチング用TFT220及び230をアクティブ又は非アクティブに制御するための信号であり、表示選択信号GSELは、後述する表示選択用TFTをアクティブ又は非アクティブに制御するための信号である。
データ線駆動回路120は、その内部に、各データ線102に対し電流Idataを供給する不図示の電流源を備え、スイッチング用TFT220の導通状態に応じて、データ線102に画像データに対応する電流を供給する。
走査線駆動回路110の動作とデータ線駆動回路120の動作とは、同期信号線140によって相互に同期が図られている。
次に、画素部200の構成について、図2を参照して説明する。ここに、図2は画素部200の回路構成を例示する平面図である。尚、画素部200は、有機ELディスプレイ10が有する全ての画素について同等の構成を有するから、ここでは、ある一つの画素部についてのみ説明する。
画素部200は、電流プログラム用TFT210、スイッチング用TFT220、スイッチング用TFT230、表示選択用TFT240、蓄積容量250及び有機EL素子260を備えて構成される、本発明に係る「単位回路」の一例である。この内、有機EL素子260は、本発明に係る「電気光学素子」の一例である。
電流プログラム用TFT210は、Pチャネル型のTFTであり、本発明に係る「第2のトランジスタ」の一例である。電流プログラム用TFT210のソース電極210sは、電源線103に電気的に接続されており、他方、ドレイン電極210dは、表示選択用TFT240のドレイン電極240d、スイッチング用TFT220のドレイン電極220d、及びスイッチング用TFT230のソース電極230sに夫々電気的に接続されている。また、電流プログラム用TFT210の活性層の延在部には、本発明に係る「電位固定手段」の一例たる固定電極211が設けられ、電源線103に電気的に接続されている。即ち、電流プログラム用TFT210は、固定電極211によりボディコンタクトがとられている。このボディコンタクトに係る構成については、後に詳述する。
尚、電流プログラム用TFT210の活性層は、例えば、不純物がドープされたポリシリコン層、アモルファスシリコン層、単結晶シリコン層からなる。
スイッチング用TFT220及びスイッチング用TFT230は、共にNチャネル型のTFTであり、本発明に係る「第1のトランジスタ」の夫々一例である。スイッチング用TFT220のゲート電極220g及びスイッチング用TFT230のゲート電極230gは、電気的に共通化されており、書込み選択信号線101に電気的に接続されている。
スイッチング用TFT220において、ソース電極220sはデータ線102に電気的に接続されており、ドレイン電極220dは、スイッチング用TFT230のソース電極230sに電気的に接続されている。また、スイッチング用TFT230において、ドレイン電極230dは、蓄積容量250の一端に電気的に接続されている。このスイッチング用TFT220及び230は、書込み選択信号GWRTが高電位、即ちHレベルとなった際にアクティブとなる。
蓄積容量250は、一方端がスイッチング用TFT230におけるドレイン電極230dに電気的に接続されると共に、他端が電源線103と電気的に接続された、本発明に係る「保持素子」の一例である。
表示選択用TFT240は、Nチャネル型のTFTであり、本発明に係る「第3のトランジスタ」である。表示選択用TFT240は、ゲート電極240gに電気的に接続された表示選択信号線104に供給される表示選択信号GSELがHレベルとなった時のみアクティブとなり、有機EL素子260に電流を供給するトランジスタである。表示選択用TFT240において、ソース電極240sは、有機EL素子260の陽極260aに電気的に接続されており、ドレイン電極240dは、電流プログラム用TFT210のドレイン電極210dに電気的に接続されている。
有機EL素子260は、陽極260aと陰極260cとの間に、有機EL層が挟持されてなり、陽極260aから陰極260cに向かう順方向電流に応じた輝度で発光する自発光素子である。また、陽極260aは、表示選択用TFT240のソース電極240sに接続される。一方、陰極260cは、全ての画素部200において共通であり、図示略の電源における低位側の電位(即ち、基準電位)に接続されている。
<実施形態の動作>
次に、上記構成を有する有機ELディスプレイ10の動作について説明する。
次に、上記構成を有する有機ELディスプレイ10の動作について説明する。
走査線駆動回路110が、書込み選択信号線101に、Hレベルの書込み選択信号GWRTを供給すると、この書込み選択信号101に対応する画素部200(画素行)におけるスイッチング用TFT220及び230において、ゲート電極220g及び230gに電圧が印加され、これらスイッチング用TFTがアクティブとなる。、
スイッチング用TFT230がアクティブとなると、ドレイン電極230dとソース電極230sとの間が導通するので、電流プログラム用TFT210において、ゲート電極210gとドレイン電極210dとが導通状態となって、電流プログラム用TFT210は単なるダイオードとして機能する様になる。
スイッチング用TFT230がアクティブとなると、ドレイン電極230dとソース電極230sとの間が導通するので、電流プログラム用TFT210において、ゲート電極210gとドレイン電極210dとが導通状態となって、電流プログラム用TFT210は単なるダイオードとして機能する様になる。
一方、Hレベルの書込み選択信号GWRTが供給されるに伴い、スイッチング用TFT230とゲート電圧が共通化されたスイッチング用TFT220もアクティブとなる。結局、書込み選択信号GWRTがHレベルにある期間では、データ線駆動回路120内にある電流源によって供給される電流Idataは、電源線103、電流プログラム用TFT210、スイッチング用TFT220、データ線102を順次通過する経路で流れることとなる。この期間において、蓄積容量250には、電流プログラム用TFT210のゲート電極210gの電位と電源線103の電位との電位差に対応する電荷が蓄積される。この蓄積された電荷は、電流プログラム用TFT210によって有機EL素子260に供給される電流を規定する電荷であるから、この期間は、「プログラミングステージ」と称される。
走査線駆動回路110が、書込み選択信号GWRTを低電位(即ち、Lレベル)に制御すると、この画素部200を含む画素行のプログラミングステージは終了する。プログラミングステージの終了(即ち、Lレベルの書込み選択信号GWRTの供給)に伴って、スイッチング用TFT220及び230は非アクティブ状態となる。しかしながら、蓄積容量250には電荷が蓄積されているので、電流プログラム用TFT210のゲート電極210gの電位は従前の値に保持される。
走査線駆動回路110は、プログラミングステージが終了した画素部200の表示選択信号線104に対し、所定のタイミングでHレベルの表示選択信号GSELを供給する。
係る表示選択信号の供給時には、表示選択用TFT240がアクティブとなる。電流プログラム用TFT210のソース電極210sとドレイン電極210dとの間には、ゲート電極210gが基準電位との間に有する電圧に基づいた電流が流れることとなる。この電流の経路は、電源線103、電流プログラム用TFT210、表示選択用TFT240、有機EL素子260を順次通過する経路で流れることとなって、有機EL素子260は発光する。この有機EL素子260の発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行なわれるため、この有機EL素子260の発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。
係る表示選択信号の供給時には、表示選択用TFT240がアクティブとなる。電流プログラム用TFT210のソース電極210sとドレイン電極210dとの間には、ゲート電極210gが基準電位との間に有する電圧に基づいた電流が流れることとなる。この電流の経路は、電源線103、電流プログラム用TFT210、表示選択用TFT240、有機EL素子260を順次通過する経路で流れることとなって、有機EL素子260は発光する。この有機EL素子260の発光は、前段階のプログラミングステージで予めプログラミングされた電流値に基づいて行なわれるため、この有機EL素子260の発光期間は、「リプロダクションステージ」とも称される。
走査線駆動回路110は、画像表示領域100において、画素行単位でプログラミングステージを実行すると共に、順次このプログラミングステージを実行する画素行を切り替えて走査を行なっている。プログラミングステージが終了した画素行は、所定の遅延時間を隔ててリプロダクションステージに移行する。このプログラミングステージとリプロダクションステージとの切り替えタイミングは、走査線駆動回路110によって適切に、例えば、ある画素行について、プログラミングステージとリプロダクションステージとが同時に実行されない様に制御されている。
<固定電極211の構成及び動作>
一方、この様に電流駆動される有機ELディスプレイ10において、電流プログラム用TFT210が十分な飽和特性を有さない場合、有機ELディスプレイ10の階調品質が劣化し、この有機ELディスプレイ10を備える有機EL装置において表示品質が劣化することは既に述べた通りである。本実施形態に係る電流プログラム用TFT210は、固定電極211を介してボディコンタクトをとることによって、この問題を解決している。以下に、固定電極211の詳細について、図3から図5を参照して説明する。ここに、図3は電流プログラム用TFT210の上面模式図、図4は図3におけるA−A’線視断面図、図5は、図3におけるB−B’線視断面図である。尚、各図において、上述した図1又は図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
一方、この様に電流駆動される有機ELディスプレイ10において、電流プログラム用TFT210が十分な飽和特性を有さない場合、有機ELディスプレイ10の階調品質が劣化し、この有機ELディスプレイ10を備える有機EL装置において表示品質が劣化することは既に述べた通りである。本実施形態に係る電流プログラム用TFT210は、固定電極211を介してボディコンタクトをとることによって、この問題を解決している。以下に、固定電極211の詳細について、図3から図5を参照して説明する。ここに、図3は電流プログラム用TFT210の上面模式図、図4は図3におけるA−A’線視断面図、図5は、図3におけるB−B’線視断面図である。尚、各図において、上述した図1又は図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
図3において、活性層213は、境界面P、境界面Q、境界面R及び境界面Sを有する略T字型の平面形状を有する。この活性層213において、境界面PにはP型の不純物領域として形成されたソース領域214が、また、境界面Rには同じくP型の不純物領域として形成されたドレイン領域215が、夫々の境界面において活性層213と接合する様に形成されている。このソース領域214にはソース電極210sが、ドレイン領域215にはドレイン電極210dが形成されている。ゲート電極210gは、活性層213の全域を覆い、図中境界面Sから境界面Qの方向に向かって(即ち、図中上方向に向かって)延在している。
一方、境界面Sには、ソース領域214及びドレイン領域215とはキャリアの極性が異なる、即ちN型の不純物領域である逆導電型不純物領域212が形成されており、その中央付近には、この逆導電型不純物領域212の電位を規定する固定電極211が形成されている。この逆導電型不純物領域212は、本発明に係る「延在部」の一例である。
図4において、活性層213、ソース領域214及びドレイン領域215は、ゲート絶縁膜216に覆われており、このゲート絶縁膜216を介してゲート電極210gに覆われている構成となっている。また、ゲート電極210gの周囲には、ゲート絶縁膜216を覆う様に形成された層間絶縁膜217が形成されている。ソース電極210s及びドレイン電極210dは、夫々、ゲート絶縁膜216及び層間絶縁膜217を貫通し、層間絶縁膜217の上部に現れており、図示せぬ他の配線パターンや層と電気的に接続されて、所定の電圧を印加可能となっている。例えば、本実施形態においては、ソース電極210sは電源線103と電気的に接続されている。
図5において、逆導電型不純物領域212に形成された固定電極211は、ゲート絶縁膜216及び層間絶縁膜217を貫通し、ソース電極210s及びドレイン電極210dと同様に層間絶縁膜217の表面に現れている。この固定電極211は、電源線103に電気的に接続され、従って、この逆導電型不純物領域212の電位は、電源線103の電位と等しくなっている。
係る構成の下、電流プログラム用TFT210の動作時(即ち、ゲート電極210gへの所定の電圧印加時)には、活性層213にP型のチャネルが形成され、ソース領域214とドレイン領域215との間でキャリアである正孔が移動し始める。この移動の過程において、活性層213における非実効的なキャリアである電子は、活性層213に蓄積する。しかしながら、この活性層213には、N型の逆導電型不純物領域212が形成され、固定電極211によって電位固定されているので、この電子は、逆導電型不純物領域212を介して固定電極211の方向に逃がされることとなる。
以上説明した様に、本実施形態によれば、活性層213中に不要な電荷が蓄積されることがなく、ソースドレイン間電流(即ち、ドレイン電流)Idsの、ゲートソース間電圧(即ちゲート電圧)Vgsに対する飽和特性が改善される。
図6は、係る固定電極211の効果を例示するグラフである。図における横軸はVgs、縦軸はIdsとなっている。固定電極211を設けない場合(図における点線)と比較して、固定電極211を設けた場合(図における実線)には飽和特性が明確に改善される。尚、図はあくまでも、本実施形態に係る画素部200において実測された飽和特性に基づき、固定電極211の効果を分かり易くするための若干の変更を伴うものであって、実際のドレイン電流特性とは必ずしも一致するものではない。
尚、電流プログラム用TFT210をNチャネル型TFTで構成し、スイッチング用TFT220、230及び表示選択用TFT240を夫々Pチャネル型TFTで構成することも無論可能である。
<変形例>
画素部200の回路構成は、上述した構成に限定されるものではない。例えば、以下に示す如く画素部を構成することも可能である。
画素部200の回路構成は、上述した構成に限定されるものではない。例えば、以下に示す如く画素部を構成することも可能である。
<第1変形例>
図7は、本発明の第1の変形例に係る画素部300の回路構成を例示する平面図である。尚、同図において、図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
図7は、本発明の第1の変形例に係る画素部300の回路構成を例示する平面図である。尚、同図において、図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
画素部300は、電流プログラム用TFT210、蓄積容量250、有機EL素子260及びNチャネル型のスイッチング用TFT310を備える。即ち、図2と比較して、スイッチング用TFT220、230及び表示選択用TFT240がない代わりに、これらに代替するスイッチング用TFT310を備えた回路である。
電流プログラム用TFT210のゲート電極210gは、蓄積容量250の一端に電気的に接続されると共に、スイッチング用TFT310のドレイン電極310dと電気的に接続されている。また、ソース電極210sは電源線103に、ドレイン電極210dは有機EL素子260の陽極に夫々接続されている。また、固定電極211が、電源線103に電気的に接続されている。そして、スイッチング用TFT310のゲート電極310gは、書込み選択信号線101に、ソース電極310sは、データ線102に夫々接続されている。
係る回路構成は、画素部200がTFTを4個備えるのに対し、2個のTFTで画素部を駆動する回路であるから、回路構成を単純にすることが可能であると共に、固定電極211によって提供される、本発明に係る飽和特性の改善効果を併せもつものである。
<第2変形例>
図8は、図7における回路に変更を加えた、本発明の第2変形例に係る画素部400の回路構成を示す平面図である。画素部400においては、電流プログラム用TFT210と並列に、本発明に係る「第4のトランジスタ」の一例たる補正用TFT410を備える点で画素部300と異なっている。
図8は、図7における回路に変更を加えた、本発明の第2変形例に係る画素部400の回路構成を示す平面図である。画素部400においては、電流プログラム用TFT210と並列に、本発明に係る「第4のトランジスタ」の一例たる補正用TFT410を備える点で画素部300と異なっている。
係る画素部400によれば、製造工程等に起因するTFT間の駆動特性のばらつきが補正用TFT410を並列配置することによって平均化され、画素間の表示特性を均一化することができて効果的である。
<第3変形例>
図9は、本発明の第3変形例に係る画素部500の回路構成を示す平面図である。同図において、図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
図9は、本発明の第3変形例に係る画素部500の回路構成を示す平面図である。同図において、図2と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
画素部500は、電流プログラム用TFT210、蓄積容量250、有機EL素子260、カレントミラーTFT510、スイッチング用TFT520及び530を備える。
カレントミラーTFT510は、ゲート電極510gが、電流プログラム用TFT210のゲート電極210gと電気的に共通化され、蓄積容量250における電源線103に接続されていない方の端部に電気的に接続されている。また、カレントミラーTFT510のソース電極510sは電流プログラム用TFT210のソース電極210sと同様、電源線103に電気的に接続されている。即ち、カレントミラーTFT510は、電流プログラム用TFT210とペアとなって、カレントミラー回路を構成するTFTである。
画素部500が、係るカレントミラー構成を有する場合にも、電流プログラム用TFT210の固定電極211による飽和特性の改善効果は発揮され、有機ELディスプレイ10における表示品質の改善が実現される。尚、カレントミラーTFT510に固定電極211が形成されてもいてもよい。
<電子機器の実施形態>
次に、本発明に係る電気光学装置が各種電子機器に適用される場合について説明する。
次に、本発明に係る電気光学装置が各種電子機器に適用される場合について説明する。
<A:モバイル型コンピュータ>
先ず、モバイル型のパーソナルコンピュータに、上述した有機ELディスプレイ10を有する電気光学装置を適用した例について図10を参照して説明する。ここに、図10は、コンピュータ600の構成を示す斜視図である。尚、図10において、上述した図1と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
先ず、モバイル型のパーソナルコンピュータに、上述した有機ELディスプレイ10を有する電気光学装置を適用した例について図10を参照して説明する。ここに、図10は、コンピュータ600の構成を示す斜視図である。尚、図10において、上述した図1と重複する箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
図において、コンピュータ600は、キーボード610を備えた本体部620と、電気光学装置を用いて構成された表示ユニット630とを備えている。
<B:携帯型電話機>
更に、この電気光学装置を、携帯型電話機に適用した例について図11を参照して説明する。ここに、図11は、携帯型電話機700の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話機700は、複数の操作ボタン710と共に、有機ELディスプレイ10を備える電気光学装置を備えるものである。
更に、この電気光学装置を、携帯型電話機に適用した例について図11を参照して説明する。ここに、図11は、携帯型電話機700の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話機700は、複数の操作ボタン710と共に、有機ELディスプレイ10を備える電気光学装置を備えるものである。
尚、本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
10…有機ELディスプレイ、100…画像表示領域、101…書込み選択信号線、102…データ線、103…電源線、104…表示選択信号線、110…走査線駆動回路、120…データ線駆動回路、140…同期信号線、200…画素部、210…電流プログラム用TFT、210g…ゲート電極、210s…ソース電極、210d…ドレイン電極、211…固定電極、212…逆導電型不純物領域、220…スイッチング用TFT、230…スイッチング用TFT、240…表示選択用TFT、250…蓄積容量、260…有機EL素子、300…画素部(第1変形例)、400…画素部(第2変形例)、500…画素部(第3変形例)、600…コンピュータ(第2実施形態)、700…携帯型電話機(第2実施形態)。
Claims (11)
- 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを具備しており、
前記第2のトランジスタは、該第2のトランジスタの飽和特性に基づいて導通状態が制御され、
前記第2のトランジスタにおける活性層の延在部における電位を所定電位に固定する電位固定手段とを含む
ことを特徴とする単位回路。 - 複数の単位回路を備えた電子装置であって、前記複数の単位回路の各々は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタを介して供給される電気信号を電気量として保持する保持素子と、前記保持素子に保持された電気量に基づいて導通状態が制御される第2のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを具備しており、
前記第2のトランジスタは、該第2のトランジスタの飽和特性に基づいて導通状態が制御され、
前記第2のトランジスタにおける活性層の延在部における電位を所定電位に固定する電位固定手段とを含む
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記延在部は、前記活性層におけるソース領域及びドレイン領域と逆導電型に不純物ドープされた部分からなり、
前記電位固定手段は、前記延在部に接続された電極部分を含む
ことを特徴とする請求項2に記載の電気光学装置。 - 前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネセンス素子であり、前記第2のトランジスタは、ガラス基板上に形成されてなる
ことを特徴とする請求項2又は3に記載の電気光学装置。 - 前記所定電位は、前記第2のトランジスタのソース電位である
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第2のトランジスタはPチャネル型であり、
前記単位回路に電流駆動用の電荷を供給するための複数の電荷供給配線を具備しており、
前記所定電位は、前記電荷供給配線の少なくとも一部を介して前記単位回路に供給される電源電圧である
ことを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記単位回路を選択する選択信号を供給するための複数の選択配線を具備しており、
前記選択信号は、前記複数の単位回路に対して(i)画素行別に電荷書込用の期間を規定する書込選択信号及び(ii)前記画素行別に表示用の期間を規定する表示選択信号を含み、
前記単位回路における電流経路は、(i)前記書込選択信号に応じて前記単位回路に前記電流駆動用の電荷が書き込まれる際の電流経路及び(ii)前記表示選択信号に応じて前記単位回路が前記電気光学素子を発光させる際の電流経路を含んでなる
ことを特徴とする請求項2から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記単位回路は、
前記書込選択信号に応じて、前記保持素子に前記電気信号を前記電気量として保持し、
前記表示選択信号に応じて、前記電気光学素子に前記導通状態に相対した電流量を供給する第3のトランジスタを含むを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置。 - 前記単位回路は、
前記第2のトランジスタと、ゲート電極同士、ソース電極同士及びドレイン電極同士が夫々電気的に接続された第4のトランジスタを更に具備する
ことを特徴とする請求項2から7のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記単位回路は、
前記第2のトランジスタを含むカレントミラー回路を具備する
ことを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。 - 請求項2から10のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。
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JP2004025407A JP2005215609A (ja) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 単位回路、電気光学装置及び電子機器 |
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