CN100355162C - 半导体激光器 - Google Patents

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Abstract

提供一种半导体激光器，前端面为低反射率，且由温度变化导致的振荡波长的变化小。该半导体激光器至少具有有源层、包层、和出射光的端面，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。半导体激光器增益变成最大的波长下的低反射膜的反射率优选为小于等于1%。

Description

半导体激光器
技术领域
本发明涉及一种用于光信息处理用的光源、光通信的信号源或光纤放大器的激发光源等的半导体激光器。
背景技术
图13表示了现有半导体激光器的波长与光输出的关系。图13的半导体激光器中，分别在出射端面的前端面上设置SiO2膜，后端面上设置由SiO2膜和非晶硅膜构成的多层膜。这时，前端面的反射率是6％，后端面的反射率是94％(例如，参照非专利文献1。)。
由图13可看出，光输出从1mW变化到30mW，而振荡波长从780nm变化到786nm。将其换算为每单位输出的波长变化的话，就是0.21nm/mW。所以，设斜度效率为1mW/mA，每单位电流的波长变化为0.21nm/mA。
这样的波长变化，因随着注入电流增加造成有源层温度上升而引起。而且，每单位温度的波长变化，一般认为对AlGaAs系半导体激光器约0.2～0.3nm/℃，对InGaAsP系半导体激光器约0.4～0.7nm/℃(例如，参照非专利文献。)。
【非专利文献1 】 T.Ohtoshi等，「具有自整合的条状埋入异质结构造的高输出可见光GaAlAs激光器(High-power visible GaAlAslasers with self-aligned stripe buried hetero-structure)，Journal ofApplied Physics，(美国)Vol.56，No.9，p.2491～2496。
【非专利文献2】米津宏雄著，「光通信素子光学：光通信器件光学」，第3版，光学图书株式会社，昭和61年12月15日，p.243～255。
发明内容
上述现有的半导体激光器是，成为前端面设置了相对于波长λ厚度仅λ/4的SiO2膜的构造。所以，前端面的反射率也为6％左右，而不是小于等于1％的低反射率。
并且，对现有的半导体激光器来说，由于增益的温度依赖性而引起振荡波长变化大。因此，在用于需要波长稳定光源的用途场合，变成了很大的问题。
本发明就是鉴于这样的问题点而研发的。即，本发明的目的在于提供一种前端面为低反射率，同时随温度变化而引起的振荡波长变化小的半导体激光器。
本发明的其它目的和优点从以下说明中会变得清楚起来。
本发明的半导体激光器，至少具有有源层、包层、和出射光的端面，其中，在其端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，该低反射膜的反射率变成极小的波长位于半导体激光器的增益变成最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等。
本发明如以上说明过的那样，通过设法在出射光端面设置随波长而反射率变化的低反射膜，该低反射膜的反射率使得极小的波长位于半导体激光器的增益为最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随波长增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失变成相等，就能够制成前端面为低反射率，同时温度变化引起的振荡波长变化小的半导体激光器。
附图说明
图1是本实施方式的半导体激光器的剖面图的一例。
图2是表示本实施方式的半导体激光器的增益对波长依赖性曲线图。
图3是表示本实施方式的低反射膜的一例的图。
图4是表示本实施方式的低反射膜的反射率对波长依赖性的图。
图5是表示本实施方式的低反射膜的反射率对波长依赖性的图。
图6是表示本实施方式的低反射膜的反射率对波长依赖性的图。
图7是表示本实施方式的半导体激光器中，不同温度下注入电流与振荡波长的关系的图。
图8是表示本实施方式的半导体激光器中，不同温度下注入电流与光输出的关系的图。
图9表示本实施方式的低反射膜的反射率对波长依赖性曲线图。
图10是表示本实施方式的半导体激光器中，不同温度下注入电流与振荡波长的关系的图。
图11表示本实施方式的低反射膜的反射率对波长依赖性曲线图。
图12是表示本实施方式的半导体激光器中，不同温度下注入电流与振荡波长的关系的图。
图13表示现有半导体激光器的振荡波长对输出依赖性的图。
具体实施方式
图1是有关本实施方式的半导体激光器的剖面图的一例。图1中，1是n侧电极、2是n侧GaAs衬底、3是n侧AlGaAs包层、4是未掺杂n侧AlGaAs导层、5是未掺杂n侧GaAs导层、6是未掺杂InGaAs量子阱有源层、7是未掺杂GaAs势垒层、8是未掺杂p侧GaAs导层、9是未掺杂p侧AlGaAs导层、10是p侧AlGaAs包层、11是p侧GaAs盖层、12是Si3N4绝缘膜、13是p侧电极、14是金丝、15是脊形区、16是在脊形区15外侧的低折射率区、17是在低折射率区16外侧的高折射率区。图1中，在高折射率区17上引线焊接金丝14。
如图1所示，通过在脊形区15的外侧设置低折射率区16，可将激光有效地封闭在脊形区15内。而且，通过在Si3N4绝缘膜12上设置窗口部12a，可以封闭电流。
图2是表示以共振器长1500μm解理以后装配图1的半导体激光器，自阈值电流起以1mA低电流值测定的增益对波长依赖性的一例的图。图2的例子中，增益达到最大的波长约为984nm。还有，在半导体激光器端面上涂敷的膜的反射率和由该反射率求出的镜面损失，数值随着作为对象的波长而变化。因此，在本说明书中，由增益变成最大的波长来规定这些值。还有，本实施方式中，用作光纤放大器的激发光源，虽然以振荡波长980nm的半导体激光为例，但是本发明并不限于此，这是不言而喻的。
图3是本实施方式的半导体激光器中，作为出射光端面的前端面上设置的低反射膜的一例。通过设置这样的低反射膜，就可以对前端面的反射率具有波长依赖性。
图3中，18表示等效折射率nc＝3.370的半导体激光器，19表示以折射率n3＝1.629、膜厚d1＝20.0nm的Al2O3(氧化铝)构成的第1层膜，20表示以折射率n2＝1.484、膜厚d2＝8.28nm的SiO2(石英)构成的第2层膜，21表示以折射率n1＝2.072、膜厚d3＝85.59nm的Ta2O5(氧化钛)构成的第3层膜，22表示以折射率n2＝1.484、膜厚d4＝183.89nm的SiO2构成的第4层膜，23表示以折射率n1＝2.072、膜厚d5＝85.59nm的Ta2O5(氧化钛)构成的第5层膜，24表示以折射率n2＝1.484、膜厚d6＝183.89nm的SiO2构成的第6层膜。这样，低反射膜由第1层膜19、第2层膜20、第3层膜21、第4层膜22、第5层膜23和第6层膜24顺序叠层的多层膜构成。而且，第1层膜19要设置在最接近半导体激光器18的前端面。还有，图3中，25表示折射率1.00的外部空间。外部空间25包括空气或氮气或者自由空间。
图4是表示通过计算求出图3中所示低反射膜的反射率与波长的关系结果的图。由图4可知，低反射膜的反射率随波长变化。
在图4中反射率的极小值为零，该低反射膜具有成为无反射的波长。这里，无反射的波长会随着半导体激光器增益达到最大的波长改变而变化。现在，假设增益达到最大的波长为984nm，图4中无反射的波长就是1000nm。所以，波长984nm附近的反射率就该与波长的增长一起降低。图5是把图4从波长940nm扩大到波长1020nm范围的图。由图5清楚地知道，在波长984nm附近，随波长增长而反射率降低的样子。
这样，本实施方式的低反射膜，其反射率达到极小的波长位于半导体激光器增益达到最大的波长的靠长波长侧，只在低反射膜的反射率随着波长的增加而减少的区域半导体激光器的增益和损失成为相等直至振荡为特征。采用这样的办法，就能够制作前端面为低反射率且因温度变化引起的振荡波长变化小的半导体激光器。
并且，本实施方式的低反射膜，在半导体激光器的增益达到最大的波长下具有小于等于1％的反射率是优选的。图4的例子中，反射率为小于等于1％的波长是从波长889nm到波长1103nm的范围。所以，在增益达到最大的波长984nm下有小于等于1％的反射率。并且，这时，反射率为小于等于1％的范围是频带为214nm。这样，通过扩大频带，可以防止发生激烈的波长跳跃。
在本实施方式的半导体激光器中，例如，可在作为第1层膜的Al2O3膜上交替层叠SiO2膜和非晶硅膜，在后端面上设置总计由10层构成的多层膜。在这里，各层膜厚可设为λ/4。这样场合下的后端面反射率约为97％，即使波长变化，反射率也几乎不变。
图6中，表示对本实施方式的半导体激光器，测定波长与反射率关系的结果的一例。图6的例子中，增益达到最大的波长(984nm)的反射率Rf是0.16％。这时，在波长984nm±10nm范围内求出的镜面损失变化(Δα/Δλ)是0.015cm-1/nm。
图7是表示对图6的半导体激光器，改变温度测定振荡波长对注入电流的结果的一例的图。随着注入电流增加和温度上升，半导体激光器的振荡波长处于逐渐加长的倾向。所以，倘若采用本实施方式，从温度15℃下注入电流100mA到温度85℃下注入电流600mA为止变化的场合，振荡波长的变化ΔλL为8.19nm左右，是非常小的值。这样，采用在半导体激光器的前端面上设置反射率随波长变化的膜的办法，就能够把因注入电流和温度变化而引起的振荡波长变化控制在极小的范围。与此不同，在半导体激光器的前端面设置反射率不随波长变化的膜的情况下，由实验可以确认，从温度15℃下注入电流100mA到温度85℃下注入电流600mA为止变化的场合下，振荡波长变化ΔλL为40nm，是很大的值。
图8是表示对图6的的半导体激光器，改变温度测定电流与光输出关系的结果的一例的图。由图8可知，随温度上升阈值电流也增大，但效率几乎不变。
一般来说，如果反射率下降，取出到半导体激光器之外的光输出增大。因此，斜度效率也就增加。对此，本申请中，因为将设于半导体激光器前端面的膜的反射率为小于等于1％的低反射率，所以发生由于能带填满效应而发生载流子溢出。因而，随着内部量子效率的降低而抵消镜面损失增加的结果，能够抑制因温度变化引起的斜度效率的变化。
采取或者改变无反射的波长，或者改变构成无反射膜的各层膜厚的办法，可以改变增益达到最大波长的反射率和镜面损失的变化。图9是对本实施方式的半导体激光器，测定波长与反射率关系的另一例的结果。图9的例子中，增益达到最大的波长(984nm)的反射率Rf是0.32％。这时，在波长984nm±10nm范围内求出的镜面损失变化(Δα/Δλ)是0.038cm-1/nm。
图10是表示对图9的半导体激光器，改变温度测定振荡波长对注入电流的结果的一例的图。和图7同样，随着注入电流增加和温度上升，半导体激光器的振荡波长逐渐变长。这时，从温度15℃下注入电流100mA到温度85℃下注入电流600mA为止变化的场合下，振荡波长的变化ΔλL为19.87nm左右。
图11是对本实施方式的半导体激光器，测定波长与反射率的另一例的结果的图。在图11的例子中，增益达到最大的波长(984nm)的反射率Rf是0.25％。这时，在波长984nm±10nm范围内求出的镜面损失变化(Δα/Δλ)是0.063cm-1/nm。
图12是表示对图11的半导体激光器，改变温度测定振荡波长对注入电流的结果的一例的图。和图7或图10同样，随着注入电流增加和温度上升，半导体激光器的振荡波长逐渐变长。这时，从温度15℃下注入电流100mA到温度85℃下注入电流600mA为止变化的场合下，振荡波长的变化ΔλL为18.53nm左右。
本实施方式中，虽然由6层构成的多层膜是设于半导体激光器的前端面的无反射膜，但是本发明不限于此。只要是反射率随波长变化的膜，或是其反射率达到极小的波长位于半导体激光器的增益达到最大的波长的靠长波长一侧的低反射膜，也可以是除6层以外的多层膜(例如，8层膜等)，甚至也可以是单层膜。
并且，本发明也可以应用于光纤放大器激发光源用半导体激光器(振荡波长980nm)以外的其它半导体激光器。例如，除蓝紫色半导体激光器和红色半导体激光器外，也能应用于振荡波长为780nm、1.3μm、1.48μm或1.55μm的各种半导体激光器。

Claims (3)

1.一种半导体激光器，至少具有有源层、包层、和出射光的端面，其特征是：
在所述端面上设置有反射率随波长变化的低反射膜，
所述低反射膜的反射率变成极小的波长位于所述半导体激光器的增益变成最大的波长的长波长一侧，
只在所述低反射膜的反射率伴随波长增加而减少的区域，所述半导体激光器的增益和损失变成相等。
2.如权利要求1所述的半导体激光器，其特征是：在所述半导体激光器的增益变成最大的波长下，所述低反射膜的反射率是小于等于1％。
3.如权利要求1或2所述的半导体激光器，其特征是：所述低反射膜是在Al2O3膜上交替层叠SiO2膜和Ta2O5膜而形成的膜，最接近所述端面形成所述Al2O3膜。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3857294B2 (ja) * 2004-11-11 2006-12-13 三菱電機株式会社 半導体レーザ
JP5008831B2 (ja) * 2005-02-03 2012-08-22 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザ装置、レーザ装置の制御装置、レーザ装置の制御方法、レーザ装置の波長切換方法およびレーザ装置の制御データ
JP2008244300A (ja) 2007-03-28 2008-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ
JP2009182052A (ja) * 2008-01-29 2009-08-13 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ素子
JP6024365B2 (ja) 2012-10-09 2016-11-16 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
DE102020202018A1 (de) 2020-02-18 2021-08-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlaser und verfahren zu dessen herstellung

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975922A (en) * 1988-06-27 1990-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Multi-layered dielectric film
JPH10247756A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP2001119096A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー装置
EP1317034A2 (en) * 2001-11-01 2003-06-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser comprising low reflectivity coatings

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
JPS61207091A (ja) * 1985-03-11 1986-09-13 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JP3014208B2 (ja) * 1992-02-27 2000-02-28 三菱電機株式会社 半導体光素子
US5285468A (en) * 1992-07-17 1994-02-08 At&T Bell Laboratories Analog optical fiber communication system, and laser adapted for use in such a system
JP3290531B2 (ja) * 1994-02-10 2002-06-10 ローム株式会社 半導体レーザの製法
JPH10509283A (ja) * 1995-09-14 1998-09-08 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体ダイオードレーザ及びその製造方法
JPH09107156A (ja) * 1995-10-12 1997-04-22 Fujikura Ltd 半導体レーザ
JPH09129979A (ja) * 1995-11-06 1997-05-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ装置
JPH1084161A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH1117248A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体レーザ用高反射膜構造および半導体レーザ
JP3814432B2 (ja) * 1998-12-04 2006-08-30 三菱化学株式会社 化合物半導体発光素子
JP4488559B2 (ja) * 1999-10-06 2010-06-23 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体レーザ装置
EP1164669B1 (en) * 1999-11-30 2007-01-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device, method for producing the same, and optical disk device
JP2002064244A (ja) * 2000-06-06 2002-02-28 Furukawa Electric Co Ltd:The 分布帰還型半導体レーザ素子
US6693935B2 (en) * 2000-06-20 2004-02-17 Sony Corporation Semiconductor laser
JP2002164609A (ja) * 2000-11-28 2002-06-07 Sharp Corp 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2002299759A (ja) * 2001-04-02 2002-10-11 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ装置
JP2003179304A (ja) * 2001-09-28 2003-06-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよび半導体レーザモジュールを用いた光ファイバ増幅器
JP4236840B2 (ja) * 2001-12-25 2009-03-11 富士フイルム株式会社 半導体レーザ素子
JP2004088049A (ja) 2002-03-08 2004-03-18 Mitsubishi Electric Corp 光半導体装置
JP3856300B2 (ja) * 2002-03-11 2006-12-13 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
JP2004327581A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体レーザ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4975922A (en) * 1988-06-27 1990-12-04 Sharp Kabushiki Kaisha Multi-layered dielectric film
JPH10247756A (ja) * 1997-03-04 1998-09-14 Sharp Corp 半導体レーザ素子
JP2001119096A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザー装置
EP1317034A2 (en) * 2001-11-01 2003-06-04 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser comprising low reflectivity coatings

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