CH693393A5 - Belichtungsverfahren und Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer Hologramm-Maske. - Google Patents

Belichtungsverfahren und Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer Hologramm-Maske. Download PDF

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CH693393A5
CH693393A5 CH01803/02A CH18032002A CH693393A5 CH 693393 A5 CH693393 A5 CH 693393A5 CH 01803/02 A CH01803/02 A CH 01803/02A CH 18032002 A CH18032002 A CH 18032002A CH 693393 A5 CH693393 A5 CH 693393A5
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CH01803/02A
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Yukio Taniguchi
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Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu
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Description


  


 Hintergrund der Erfindung 
 


 1. Gebiet der Erfindung 
 



  [0001] Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Belichtungsverfahren und eine Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer Hologramm-Maske für Belichtungszwecke zur Verwendung in einem Fotolithografie-Verfahren bei der Produktion einer integrierten Halbleiterschaltung, einer Flüssigkristallanzeige und dergleichen. 


 2. Beschreibung des einschlägigen Standes der Technik 
 



  [0002] Es ist ein Aufzeichnungsverfahren bekannt, welches eine Phasenverschiebungsmaske verwendet, die eine Phasenschieber genannte Phasenmodulationsschicht aufweist, um den Nachteil zu überwinden, dass bei einem Aufzeichnungsverfahren zur Abbildung eines Belichtungsmusters einer direkt an einem Objekt liegenden Belichtungsmaske durch Kontaktbelichtung, Linsenprojektionsbelichtung, Spiegelprojektionsbelichtung oder dergleichen, die Auflösung eines Belichtungsmusters mit einer Linienbreite von etwa gleicher Grössenordnung wie die Wellenlänge des Belichtungslichts wegen des Phänomens der Lichtbeugung schwierig ist (so genannte Beugungsbegrenzung). 



  [0003] Wenn bei dem eine solche Phasenverschiebungsmaske verwendenden Aufzeichnungsverfahren ein Phasenschieber beispielsweise in einem von zwei in einer Phasenverschiebungsmaske gebildeten benachbarten lichtdurchlässigen Teilen gebildet wird, um zu bewirken, dass die den einen und den anderen lichtdurchlässigen Teil durchlaufenden Lichtstrahlen einander gegenphasig sind, dann löschen die gebeugten Lichtstrahlen einander wegen gegenphasiger Interferenz miteinander aus, sodass die Beugungsbegrenzung weniger streng und dadurch die Auflösung eines auf dem Objekt gebildeten Bildes verbessert wird. 



  [0004] Bei dem eine Phasenverschiebungsmaske verwendenden Aufzeichnungsverfahren wird jedoch als optisches Abbildungssystem ein optisches Linsensystem verwendet, was zur Folge hat, dass der Abbildungsfehler und die numerische Apertur des optischen Linsensystems die Bildauflösung beeinflusst und somit die Auflösung des schliesslich erhaltenen Bildes beschränkt. 



  [0005] Zur Beseitigung dieses Nachteils, nämlich dass die Bildauflösung wegen des Abbildungsfehlers und der numerischen Apertur des zur Abbildung verwendeten optischen Linsensystems beschränkt ist, wurde ein Verfahren zur Bildung eines die Information eines Belichtungsmusters einer Phasenverschiebungsmaske enthaltenden Musters vorgeschlagen, bei dem eine Hologramm-Maske mit darauf gebildeter, die Information eines Belichtungsmusters einer Phasenverschiebungsmaske enthaltender Interferenzstreifen-Erscheinung verwendet wird und die Hologramm-Maske mit einem Laserstrahl bestrahlt wird, um auf einem Objekt ein Bild des durch die Interferenzstreifen-Erscheinung der Hologramm-Maske hindurchgegangenen Lichts zu erzeugen. 



  [0006] Bei dem eine solche Hologramm-Maske verwendenden Aufzeichnungsverfahren können, ob zwischen der Hologramm-Maske und dem Objekt ein optisches System wie beispielsweise eine Linse vorgesehen ist oder nicht, eine Abbildung ohne Abbildungsfehler aus Prinzipgründen und eine Abbildung von hoher Auflösung erhalten werden, da eine hohe numerische Apertur (NA) erreichbar ist. 



  [0007] Es ist jedoch das Problem aufgetreten, dass die Hologramm-Maske durch Aufzeichnung der Information der Phasenverschiebungsmaske hergestellt wird und daraus eine Original-Maske aus einem Hologramm-Material wird, was die Herstellung der Phasenverschiebungsmaske erschwert. 


 Kurzfassung der Erfindung 
 



  [0008] Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Aufzeichnung der Information einer Phasenverschiebungsmaske auf einem Hologramm-Material bei der Herstellung einer Hologramm-Maske zu erleichtern. 



  [0009] Das Belichtungsverfahren zur Herstellung einer erfindungsgemässen Hologramm-Maske ist ein Belichtungsverfahren, bei dem eine Vielzahl von Original-Masken verwendet wird und ein auf jeder Original-Maske gebildetes lichtdurchlässiges Schirmmuster einer Lichtmodulationsschicht auf einem und demselben Hologramm-Material belichtet wird, sodass eine Hologramm-Maske hergestellt wird mit einer Interferenzstreifen-Erscheinung, die eine Modulationsinformation bezüglich einer Lichtdurchlässigkeit und einer Phase enthält, wobei das Verfahren umfasst:

   einen ersten Belichtungsschritt zur Belichtung des lichtdurchlässigen Schirmmusters einer ersten Original-Maske auf dem Hologramm-Material unter Verwendung eines zur Bestrahlung des Hologramm-Materials durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Objektlichts sowie eines zur Bestrahlung des Hologramm-Materials nicht durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Referenzlichts;

   einen auf den ersten Belichtungsschritt folgenden zweiten Belichtungsschritt, bei dem ein zur Bestrahlung des Hologramm-Materials durch eine zweite Original-Maske hindurch bestimmtes zweites Objektlicht sowie ein zur Bestrahlung des Hologramm-Materials nicht durch die zweite Original-Maske hindurch bestimmtes zweites Referenzlicht verwendet werden und an einer Stelle eines von einer Lichtquelle zum Hologramm-Material führenden optischen Pfades, als Schritt zur Änderung der Phasendifferenz, eine zweite Phasendifferenz zwischen dem zweiten Objektlicht und dem zweiten Referenzlicht geändert wird, sodass danach eine erste Phasendifferenz zwischen dem ersten Objektlicht und dem ersten Referenzlicht von der zweiten Phasendifferenz ver- schieden ist, womit das lichtdurchlässige Schirmmuster der zweiten Original-Maske auf dem Hologramm-Material belichtet wird. 



  [0010] Nach einem solchen Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Hologramm-Maske enthält die bei einem ersten Belichtungsschritt auf einem Hologramm-Material aufzuzeichnende Information eine Information über ein lichtdurchlässiges Schirmmuster einer ersten Original-Maske, während die bei einem zweiten Belichtungsschritt auf einem Hologramm-Material aufzuzeichnende Information eine Information über ein lichtdurchlässiges Schirmmuster einer zweiten Original-Maske wie auch eine Modulationsinformation bezüglich einer Phase enthält. 



  [0011] Wird beispielsweise angenommen, dass der ersten Original-Maske und der zweiten Original-Maske jeweils ein sich auf die lichtdurchlässige Maskierung eines Belichtungsmusters einer Phasenverschiebungsmaske beziehendes Muster auf geeignete Weise zugeordnet wird und beim zweiten Belichtungsschritt die zweite Phasendifferenz so geändert wird, dass sie der Phasenmodulationsinformation der ersten Phasenverschiebungsmaske entspricht, dann werden mit den beiden Belichtungen auf dem Hologramm-Material die beim ersten Belichtungsschritt auf dem Hologramm-Material aufgezeichnete Information und die beim zweiten Belichtungsschritt auf dem Hologramm-Material aufgezeichnete und die Modulationsinformation bezüglich der Phase enthaltende Information aufgezeichnet. 



  [0012] Da der ersten Original-Maske und der zweiten Original-Maske jeweils ein die Phasendifferenz der Phasenverschiebungsmaske enthaltendes Muster als lichtdurchlässiges Schirmmuster zugeordnet ist, erhöht sich die Anzahl erforderlicher Original-Masken im Vergleich zum Fall, bei dem die Phasenverschiebungsmaske als Original verwendet wird, demgegenüber besteht aber keine Notwendigkeit, eine Phasenverschiebungsmaske herzustellen. 



  [0013] Der Schritt zur Änderung der Phasendifferenz umfasst vorzugs weise einen Schritt der Änderung zumindest einer der optischen Pfadlängen entweder des optischen Pfads von der Lichtquelle zum Hologramm-Material durch die zweite Original-Maske hindurch oder des optischen Pfads von der Lichtquelle zum Hologramm-Material nicht durch die zweite Original-Maske hindurch. Bei einem solchen Schritt der Änderung der Phasendifferenz werden die Phase des Lichts, dessen optische Pfadlänge geändert wird, moduliert und die zweite Phasendifferenz geändert. 



  [0014] Das lichtdurchlässige Schirmmuster kann ein Muster sein, das enthält: eine Vielzahl von bandförmigen lichtdurchlässigen Bereichen, die eine vorbestimmte Breite aufweisen und wie ein Streifenmuster angeordnet sind; und eine Vielzahl von zwischen den lichtdurchlässigen Bereichen angeordneten bandförmigen lichtabschirmenden Bereichen, wobei die lichtdurchlässigen Bereiche der ersten Original-Maske zumindest einer Teilfläche entsprechen, welche durch die lichtabschirmenden Bereiche der zweiten Original-Maske abzuschirmen ist, und die Differenz zwischen der ersten Phasendifferenz und der zweiten Phasendifferenz etwa gleich  ist.

   Dies bewirkt, dass Information über ein Muster mit einer räumlichen Frequenz, welche durch die wie ein Streifenmuster angeordneten bandförmigen lichtdurchlässigen Bereiche und lichtabschirmenden Bereiche reduziert und Information mit zwei einander gegenphasigen Wellen auf dem Hologramm-Material aufgezeichnet wird. Eine solche Phasenverschiebungsmaske wird im Allgemeinen als vom "Shibuya-Levenson Typus" bezeichnet. 



  [0015] Zudem kann ein Schritt der Änderung der Beugungswirksamkeit vorgesehen werden, der zwischen einer Beugungswirksamkeit, die auf eine beim ersten Belichtungsschritt auf dem Hologramm-Material gebildete erste Interferenzstreifen-Erscheinung zurückzuführen ist, und einer Beugungswirksamkeit, die auf eine beim zweiten Belichtungsschritt auf dem Hologramm-Material gebildete zweite Interferenzstreifen-Erscheinung zurückzuführen ist, einen Unterschied verursacht. Mit dem Belichtungsverfahren, das einen solchen Schritt der Änderung der Beugungswirksamkeit umfasst, kann eine Hologramm-Maske hergestellt werden, die eine ähnliche Funktion hat wie diejenige eines lichthalbdurchlässigen Phasenschiebers einer Phasenverschiebungsmaske. Eine solche Phasenverschiebungsmaske wird im Allgemeinen als vom "Halb-Farbton-Typus" bezeichnet. 



  [0016] Der Schritt der Änderung der Beugungswirksamkeit kann umfassen: einen Schritt der Verminderung der Lichtintensität, der irgendwo zwischen mindestens einer der Original-Masken und der Lichtquelle ein Verhältnis der Lichtintensität eines Objektlichts zur Lichtintensität eines Referenzlichts so vermindert, dass es kleiner wird als ein zur Maximierung der Beugungswirksamkeit benötigtes Verhältnis der Lichtintensität; oder einen Schritt der Einstellung der Belichtungsenergie, welcher die dem Hologramm-Material zugeführte Belichtungsenergie so einstellt, dass sie kleiner wird als eine zur Maximierung der Beugungswirksamkeit benötigte Belichtungsenergie.

   Wenn das Belichtungsverfahren einen solchen Schritt der Verminderung der Lichtintensität oder einen die Beugungswirksamkeit ändernden Schritt mit einem solchen Schritt der Einstellung der Belichtungsenergie umfasst, ist eine Hologramm-Maske herstellbar, die eine ähnliche Funktion hat wie diejenige eines verschiedene Lichtdurchlässigkeiten aufweisenden Phasenschiebers einer Phasenverschiebungsmaske. 



  [0017] Es konnte erreicht werden, dass die auf dem Hologramm-Material schliesslich gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung ein Streifenmuster mit wechselweise angeordneten bandförmigen lichtdurchlässigen Bereichen und bandförmigen lichthalbdurchlässigen Bereichen von jeweils vorbestimmter Breite umfasst, die lichtabschirmenden Bereiche der ersten Original-Maske und der zweiten Original-Maske den lichtdurchlässigen und lichthalbdurchlässigen Bereichen des Streifenmusters des Hologramm-Materials entsprechen, die lichtdurchlässigen Bereiche der ersten Original-Maske zumindest einer von den lichtabschirmenden Bereichen der zweiten Original-Maske abzuschirmenden Teilfläche entsprechen, die Differenz zwischen der ersten Phasendifferenz und der zweiten Phasendifferenz etwa gleich  ist, wobei ein die Beugungswirksamkeit ändernder Schritt vorgesehen ist,

   der die Beugungswirksamkeit des Hologramm-Materials an den lichthalbdurchlässigen Bereichen vermindert. Dies ermöglicht die Herstellung einer Hologramm-Maske, die eine ähnliche Funktion hat wie die Funktion eines verschiedene Lichtdurchlässigkeiten aufweisenden Phasenschiebers der Phasenverschiebungsmaske. 



  [0018] Im Hologramm-Material kann derselbe lichtempfindliche Film oder dieselbe lichtempfindliche Schicht beim ersten Belichtungsschritt und beim zweiten Belichtungsschritt verwendet werden, oder es können beim ersten Belichtungsschritt und beim zweiten Belichtungsschritt jeweils verschiedene lichtempfindliche Filme oder verschiedene lichtempfindliche Schichten verwendet werden. 



  [0019] Die Belichtungsvorrichtung zur Herstellung der erfindungsgemässen Hologramm-Maske ist eine Belichtungsvorrichtung mit einer Vielzahl von Original-Masken zur Belichtung eines auf jeder Original-Maske gebildeten lichtdurchlässigen Schirmmusters einer optischen Modulationsschicht auf einem und demselben Hologramm-Material, um eine Hologramm-Maske herzustellen mit einer Interferenzstreifen-Erscheinung, die eine Modulationsinformation bezüglich einer Lichtdurchlässigkeit und einer Phase enthält, und mit Phasenmodulationsmitteln zur Änderung einer zweiten Phasendifferenz an einer Stelle eines von einer Lichtquelle zum Hologramm-Material führenden optischen Pfades,

   sodass bei zumindest zwei aufeinander folgenden Belichtungen danach eine erste Phasendifferenz zwischen einem zur Bestrahlung des Hologramm-Materials bei einer vorangegangenen ersten Belichtung durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Objektlicht und einem zur Bestrahlung des Hologramm-Materials nicht durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Referenzlicht verschieden ist von einer zweiten Phasendifferenz zwischen einem zur Bestrahlung des Hologramm-Materials bei einer der ersten Belichtung folgenden zweiten Belichtung durch die zweite Original-Maske hindurch bestimmten zweiten Objektlicht und einem zur Bestrahlung des Hologramm-Materials nicht durch die zweite Original-Maske hindurch bestimmten zweiten Referenzlicht. 



  [0020] Gemäss der Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer solchen Hologramm-Maske enthält die bei der ersten Belichtung auf dem Hologramm-Material aufzuzeichnende Information die Information bezüglich des lichtdurchlässigen Schirmmusters der ersten Original-Maske, während die bei der zweiten Belichtung auf dem Hologramm-Material aufzuzeichnende Information die Information bezüglich des lichtdurchlässigen Schirmmusters der zweiten Original-Maske enthält. 



  [0021] Das Aufzeichnungsverfahren unter Verwendung der erfindungsgemässen Hologramm-Maske ist ein Aufzeichnungsverfahren, das eine Hologramm-Maske verwendet und umfasst: einen Vorbelichtungsschritt zur Herstellung einer Hologramm-Maske mit einer Interferenzstreifen-Erscheinung, die eine Modulationsinformation bezüglich einer Lichtdurchlässigkeit und einer Phase enthält, unter Verwendung einer Vielzahl von Original-Masken zur Belichtung des lichtdurchlässigen Schirmmusters einer bei jeder Original-Maske auf einem und demselben Hologramm-Material gebildeten optischen Modulationsschicht; und einen regulären Belichtungsschritt zur Aufzeichnung der Modulationsinformation bezüglich der Lichtdurchlässigkeit und der Phase durch Bestrahlung der Hologramm-Maske.

   Der Vorbelichtungsschritt umfasst: einen Maskenvorbereitungsschritt zur Vorbereitung zumindest der ersten Original-Maske und der zweiten Original-Maske; einen ersten sekundären Belichtungsschritt zur Belichtung des lichtdurchlässigen Schirmmusters der ersten Original-Maske auf dem Hologramm-Material unter Verwendung des zur Bestrahlung des Hologramm-Materials durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Objektlichts und des zur Be strahlung des genannten Hologramm-Materials nicht durch die erste Original-Maske hindurch bestimmten ersten Referenzlichts;

   und einen dem ersten sekundären Belichtungsschritt folgenden zweiten sekundären Belichtungsschritt zur Belichtung des lichtdurchlässigen Schirmmusters der zweiten Original-Maske auf dem Hologramm-Material unter Verwendung eines zur Bestrahlung des Hologramm-Materials durch die zweite Original-Maske hindurch bestimmten zweiten Objektlichts und eines zur Bestrahlung des Hologramm-Materials nicht durch die zweite Original-Maske hindurch bestimmten zweiten Referenzlichts, wobei an einer Stelle eines von einer Lichtquelle zum Hologramm-Material führenden optischen Pfades eine zweite Phasendifferenz zwischen dem zweiten Objektlicht und dem zweiten Referenzlicht geändert wird, sodass danach eine erste Phasendifferenz zwischen dem ersten Objektlicht und dem ersten Referenzlicht von der zweiten Phasendifferenz verschieden ist. 



  [0022] Gemäss dem Aufzeichnungsverfahren unter Verwendung einer solchen Hologramm-Maske enthält die beim ersten sekundären Belichtungsschritt aufzuzeichnende Information die Information bezüglich des lichtdurchlässigen Schirmmusters der ersten Original-Maske, während die beim zweiten sekundären Belichtungsschritt auf dem Hologramm aufzuzeichnende Information die Modulationsinformation bezüglich des lichtdurchlässigen Schirmmusters der zweiten Original-Maske und der Phase enthält. 



  [0023] Wenn die Modulationsinformation bezüglich einer Lichtdurchlässigkeit und einer Phase unter Verwendung einer solchen Hologramm-Maske auf einem belichteten Objekt aufgezeichnet wird, um die aufzuzeichnende Hologramm-Maske mit Licht zu bestrahlen, wird die Auflösung eines abgebildeten Musters durch eine Wirkung der Phasenverschiebungsmaske verbessert. 


 Kurze Beschreibung der Zeichnungen 
 
 
   Fig. 1 ist eine Ansicht, die eine Ausbildung der Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer erfindungsgemässen Hologramm-Maske zeigt. 
   Fig. 2(a) und 2(b) sind Ansichten, die eine Ausbildung einer in der Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer erfindungsgemässen Hologramm-Maske verwendeten Phasenänderungsvorrichtung zeigen, wobei Fig. 2(a) eine Phasenänderungsvorrichtung zeigt, die einen Tripelspiegelwürfel verwendet, und Fig.

   2(b) eine Phasenänderungsvorrichtung zeigt, die ein lichtdurchlässiges Element verwendet. 
   Fig. 3(a), 3(b) und 3(c) sind Ansichten, welche eine Ausführungsweise des Belichtungsverfahrens zur Herstellung der erfindungsgemässen Hologramm-Maske erläutern, wobei Fig. 3(a) eine Phasenverschiebungsmaske zeigt, Fig. 3(b) eine erste Original-Maske und ein Hologramm-Material zeigt, und Fig. 3(c) eine zweite Original-Maske und ein Hologramm-Material zeigt. 
   Fig. 4(a), 4(b) und 4(c) sind Ansichten, welche eine andere Ausführungsweise des Belichtungsverfahrens zur Herstellung der erfindungsgemässen Hologramm-Maske erläutern, wobei Fig. 4(a) eine Phasenverschiebungsmaske zeigt, Fig. 4(b) eine erste Original-Maske und ein Hologramm-Material zeigt, und Fig. 4(c) eine zweite Original-Maske und ein Hologramm-Material zeigt. 
   Fig.

   5 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Aufzeichnungsvorrichtung zur Verwendung bei einer Ausführungsweise des Aufzeichnungsverfahrens unter Verwendung einer erfindungsgemässen Hologramm-Maske zeigt. 
 


 Bevorzugte Ausbildungen der Erfindung 
 



  [0024] Die Belichtungsvorrichtung zur Herstellung einer erfindungsgemässen Hologramm-Maske wird nachstehend unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläutert. Die in Fig. 1 gezeigte Belichtungsvorrichtung ist eine einzelne Ausbildung der Vorrichtung, es kann jedoch eine andere Belichtungsvor richtung verwendet werden. 



  [0025] Gemäss Fig. 1 umfasst eine Belichtungsvorrichtung 10: eine Lichtquelle 12; ein konvergentes optisches System 24 zur Fokussierung eines Lichts 16, das von der Lichtquelle 12 ausgehend durch eine Original-Maske 14 hindurch auf ein lichtempfindliches Material eines Hologramm-Materials 18 als Objektlicht 22 fokussiert wird; und ein Referenzlicht bildendes optisches System 30, das ein Licht 26 aus der Lichtquelle 12 als nicht durch die Original-Maske 14 hindurchgegangenes Referenzlicht 28 einleitet. 



  [0026] Als Lichtquelle 12 sind verschiedene Arten von Kohärenz aufweisenden Lasern wie beispielsweise Ar Laser, Kr Laser, YAG Laser verwendbar. 



  [0027] Die Original-Maske 14 umfasst eine lichtdurchlässige Maskenunterlage und eine optische Modulationsschicht mit einem lichtdurchlässigen Bereich und einem lichtabschirmenden Bereich, die jeweils in der Maskenunterlage gebildet sind. Gefertigt ist die Maskenunterlage aus Glasmaterial ausgezeichneter Lichtdurchlässigkeit wie beispielsweise Quarzglas. Der lichtabschirmende Bereich ist eine mittels Dünnschicht-Technik gebildete Metalldünnschicht. In der in Fig. 1 gezeigten Ausbildung wird Chrom als Material der Metalldünnschicht verwendet. 



  [0028] Als lichtempfindliches Material ist jedes Material verwendbar, das zur Aufzeichnung einer Hologramm-Information fähig ist. Beispielsweise sind ein Silberhalogenid-Material, Dichromat-Gelatine, ein Fotopolymer für Hologrammzwecke (beispielsweise mit dem Warenzeichen Omnidex) von E. I. Dupont de Nemours & Company in den U. S. A. usw. verwendbar. 



  [0029] Die Belichtungsvorrichtung 10 umfasst ausserdem einen Phasenmodulator 32, der auf einem optischen Pfad von der Lichtquelle 12 durch die Original-Maske 14 hindurch zum lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 hin angeordnet ist. Der Phasenmodulator 32 ändert die optische Pfadlänge des einen Lichts 38 der beiden Lichtbündel 36, 38, die sich aus der Aufspaltung eines Lichts 26 aus der Lichtquelle 12 durch einen Strahlenteiler 34 ergeben. Im Ergebnis wird die Phasendifferenz zwischen dem Objektlicht 22 und dem Referenzlicht 28 geändert. 



  [0030] Die in Fig. 2(a) und 2(b) gezeigten Phasenmodulatoren sind zwei typische Beispiele, und es kann ein anderer Phasenmodulator verwendet werden. Der in Fig. 2(a) gezeigte Phasenmodulator 32 umfasst einen ersten reflektierenden Spiegel 54, einen Tripelspiegelwürfel 56 und einen zweiten reflektierenden Spiegel 58. 



  [0031] Der Tripelspiegelwürfel 56 weist drei rechtwinklig zueinander stehende reflektierende Flächen 60, 62, 64 auf und ist so ausgebildet, dass ein in den Tripelspiegelwürfel 56 eintretendes Licht 66 und ein aus dem Tripelspiegelwürfel 56 austretendes Licht 68 einander parallel verlaufen. Der Tripelspiegelwürfel 56 wird zur Einstellung seiner Lage durch eine (nicht dargestellte) Antriebseinheit in Richtung des Pfeils 70 bewegt. 



  [0032] Das aus der Lichtquelle 12 eingeleitete Licht 38 (vgl. Fig. 1) tritt in den Phasenmodulator 32 ein, wird am ersten reflektierenden Spiegel 54 reflektiert und tritt als Licht 66 in den Tripelspiegelwürfel 56 ein. Das Licht, das in den Tripelspiegelwürfel 56 eingetreten ist, wird der Reihe nach an den reflektierenden Flächen 60, 62, 64 reflektiert und tritt als Licht 68 aus dem Tripelspiegelwürfel 56 aus. Das Licht 68 verläuft parallel zu dem in entgegengesetzter Richtung in den Tripelspiegelwürfel 56 eintretenden Licht 66, wird am zweiten reflektierenden Spiegel 58 reflektiert und tritt als Licht 72 aus dem Phasenmodulator 32 aus. 



  [0033] Durch Bewegen des Tripelspiegelwürfels 56 in Richtung des Pfeils 70 kann die optische Pfadlänge für das durch den Phasenmodulator 32 hindurchgegangene Licht 38 beliebig eingestellt werden. 



  [0034] Der in Fig. 2(b) gezeigte Phasenmodulator 32 umfasst ein lichtdurchlässiges Element 74 mit einem Brechungsindex N0 von mehr als 1. Das lichtdurchlässige Element 74 weist Flächen 76, 78, 80, 82 und 84 auf mit einer Dickendimension, die sich in Richtung der optischen Achse schrittweise ändert. Das lichtdurchlässige Element 74 wird durch eine nicht dargestellte Antriebseinheit in Richtung der Pfeile 86, 88 bewegt und ist in seiner Lage einstellbar. 



  [0035] Das aus der Lichtquelle 12 eingeleitete Licht 38 (vgl. Fig. 1) tritt in den Phasenmodulator 32 und tritt in das lichtdurchlässige Element 74 ein. Das in das lichtdurchlässige Element 74 eingetretene Licht wird innerhalb des lichtdurchlässigen Elements 74 weitergeleitet, tritt aus der Fläche 76 des lichtdurchlässigen Elements 74 aus und tritt als Licht 90 aus dem Phasenmodulator 32 aus. Da das lichtdurchlässige Element 74 einen Brechungsindex N0 von mehr als 1 aufweist, ändert sich die optische Pfadlänge des Lichts 38 entsprechend dem Produkt von Dickendimension der vom Licht 38 durchgegangenen Stelle des lichtdurchlässigen Elements 74 und  Brechungsindex N0-1.0 (Brechungsindex der Luft)Ü. 



  [0036] Durch Bewegen des lichtdurchlässigen Elements 74 in Richtung des Pfeils 86 kann beliebig als Fläche des lichtdurchlässigen Elements 74, an der das Licht 38 austritt, eine der Flächen 78, 80, 82 und 84 eingestellt werden. Dies ermöglicht, die Dickendimension der vom Licht 38 durchgegangenen Stelle des lichtdurchlässigen Elements 74 zu ändern und die optische Pfadlänge des Lichts 38 einzustellen. 



  [0037] Der Phasenmodulator 32, der fähig ist, eine solche Phasendifferenz zu ändern, kann die Phasendifferenz zwischen dem Objektlicht und dem Referenzlicht ändern. 



  [0038] Nachstehend wird das Belichtungsverfahren zur Herstellung der erfindungsgemässen Hologramm-Maske unter Bezugnahme auf Fig. 1 erläutert. Das Licht 26 aus der Lichtquelle 12 wird vom Strahlenteiler 34 in die Lichtbündel 36, 38 aufgespaltet. Das Licht 36 tritt durch das Referenzlicht bildende optische System 30 mit den Linsen 40, 42 hindurch als Referenzlicht 28 in das lichtempfindliche Material 20 des Hologramm-Materials 18 ein. 



  [0039] Das Licht 38 tritt durch den Phasenmodulator 32, Spiegel 44, 46 und Linsen 48, 50 hindurch in die Original-Maske 14 ein. Das durch die Original-Maske 14 hindurchgegangene Licht wird durch ein konvergentes optisches System 24 als Objektlicht 22 gesammelt und zur Abbildung auf dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 oder in dessen Nähe gerichtet. 



  [0040] Die beiden Lichtbündel, nämlich das durch die Original-Maske 14 und das konvergente optische System 24 hindurchgegangene Objektlicht 22 und das nicht durch die Original-Maske 14 hindurchgegangene Referenzlicht 28, interferieren also miteinander auf dem lichtempfindlichen Material 20 oder in dessen Nähe, und das lichtdurchlässige Schirmmuster der Original-Maske 14 wird auf dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 als Information über eine Interferenzstreifen-Erscheinung aufgezeichnet. 



  [0041] Zur Belichtung wird eine Vielzahl von Original-Masken 14 verwendet und das lichtdurchlässige Schirmmuster der in jeder Original-Maske 14 gebildeten optischen Modulationsschicht auf dem lichtempfindlichen Material 20 eines und desselben Hologramm-Materials 18 belichtet, wodurch ein Hologramm-Material 18 mit darin gebildeter Interferenzstreifen-Erscheinung, die eine Modulationsinformation über die Lichtdurchlässigkeit und die Phase enthält, erzeugt wird. 



  [0042] Bei der ersten Belichtung wird das lichtdurchlässige Schirmmuster der ersten Original-Maske 14 auf dem lichtempfindlichen Material 20 unter Verwendung des zur Bestrahlung des lichtempfindlichen Materials 20 durch die erste Original-Maske 14 hindurch bestimmten ersten Objektlichts 22 und des zur Bestrahlung des lichtempfindlichen Materials 20 nicht durch die erste Original-Maske 14 hindurch bestimmten ersten Referenzlichts 28 belichtet. 



  [0043] Bei der ersten Belichtung befindet sich der Phasenmodulator 32 in einem gewissen Zustand, der die Phasendifferenz zwischen dem Objektlicht und dem Referenzlicht bei der ersten Belichtung bestimmt. 



  [0044] Bei der ersten Belichtung wird in dem bei der Belichtung mit Licht bestrahlten Bereich des lichtempfindlichen Materials 20 ein latentes Bild gebildet. 



  Ä0045Ü Bei der auf die erste Belichtung folgenden zweiten Belichtung werden das zur Bestrahlung des lichtempfindlichen Materials 20 durch die zweite Original-Maske 14 hindurch bestimmte zweite Objektlicht 22 und das zur Bestrahlung des lichtempfindlichen Materials 20 nicht durch die zweite Original-Maske 14 hindurch bestimmte zweite Referenzlicht 28 verwendet, um das lichtdurchlässige Schirmmuster der zweiten Original-Maske 14 auf dem lichtempfindlichen Material 20 zu belichten. 



  Ä0046Ü Vor der zweiten Belichtung wird der Phasenmodulator 32 betätigt, um die optische Pfadlänge des aus der Lichtquelle 12 eingestrahlten und durch den Strahlenteiler 34 hindurchgegangenen Lichts 38 zu ändern, was die zweite Phasendifferenz ändert, sodass danach die erste Phasendifferenz zwischen dem ersten Objektlicht 22 und dem Referenzlicht 28 von der zweiten Phasendifferenz zwischen dem zweiten Objektlicht 22 und dem zweiten Referenzlicht 28 verschieden ist. 



  [0047] Demnach tritt bei der zweiten Belichtung das Licht, dessen optische Pfadlänge geändert wurde, in die zweite Original-Maske 14 ein, um das zweite Objektlicht zu werden, und es tritt in das lichtempfindliche Material 20 ein. Die Phasendifferenz zwischen dem zweiten Objektlicht 22 und dem zweiten Referenzlicht 28 ist nämlich von der Phasendifferenz zwischen dem ersten Objektlicht 22 und dem ersten Referenzlicht 28 um die in der optischen Pfadlänge von der Lichtquelle 12 zum lichtempfindlichen Material 20 durch die zweite Original-Maske 14 hindurch verursachte Änderung der optischen Pfadlänge verschieden. 



  [0048] Die bei der ersten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 aufzuzeichnende Information enthält die Information über das lichtdurchlässige Schirmmuster der ersten Original-Maske 14, während die bei der zweiten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 aufzuzeichnende Information die Modulationsinformation über das lichtdurchlässige Schirmmuster der zweiten Original-Maske 14 und die Phase enthält. Die bei der ersten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 aufzuzeichnende Information und die bei der zweiten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 aufzuzeichnende, die Modulationsinformation und die Phase enthaltende Information werden auf dem lichtempfindlichen Material 20 durch die beiden Belichtungen aufgezeichnet. 



  [0049] Wie bereits erwähnt ermöglicht die Verwendung einer Vielzahl von Original-Masken, auf dem Hologramm-Material d.h. auf dem lichtempfindlichen Material 20 die gleiche Information wie die Information der Phasenverschiebungsmaske aufzuzeichnen, ohne die Herstellung der schwierig herzustellenden Phasenverschiebungsmaske zu erfordern. 



  [0050] Der Phasenmodulator 32 zur Änderung der Phasendifferenz ist auf dem optischen Pfad von der Lichtquelle 12 zum lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 durch die Original-Maske 14 hindurch angeordnet, kann aber beispielsweise an der in Fig. 1 mit dem Bezugszeichen 52 bezeichneten Stelle auf dem optischen Pfad von der Lichtquelle 12 zum lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 nicht durch die Original-Maske 14 hindurch angeordnet sein. 



  [0051] Der Phasenmodulator 32 kann auf jedem der beiden optischen Pfade von der Lichtquelle 12 zum lichtempfindlichen Material 20 durch die zweite Original-Maske 14 hindurch bzw. von der Lichtquelle 12 zum lichtempfindlichen Material 20 nicht durch die zweite Original-Maske 14 hindurch angeordnet werden. 



  [0052] Um zudem zu bewirken, dass die Beugungswirksamkeit, welche zurückzuführen ist auf die bei der ersten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung, verschieden ist von der Beugungswirksamkeit, welche zurückzuführen ist auf die bei der zweiten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 gebildete Inter ferenzstreifen-Erscheinung, kann zudem, zur Verminderung des Verhältnisses der Lichtintensität des Objektlichts 22 zur Lichtintensität des Referenzlichts 28, irgendwo zwischen der Original-Maske 14 und der Lichtquelle 12 eine Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität vorgesehen werden, sodass das Verhältnis der Lichtintensität bei der ersten Belichtung und bei der zweiten Belichtung verschieden gemacht kann. 



  [0053] Zur Einstellung der dem lichtempfindlichen Material 20 eingegebenen Belichtungsenergie kann die Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität mit einer Vorrichtung zur Einstellung der Belichtungsenergie versehen sein, sodass die dem lichtempfindlichen Material 20 eingegebene Belichtungsenergie kleiner gemacht werden kann als die benötigte Belichtungsenergie zur Maximierung der Beugungswirksamkeit, welche zurückzuführen ist auf die auf dem lichtempfindlichen Material 20 gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung, 



  [0054] Das lichtempfindliche Material 20 kann aus einem einzelnen lichtempfindlichen Film oder einer einzelnen lichtempfindlichen Schicht ausgebildet sein, der bzw. die gemeinsam bei der ersten Belichtung und bei der zweiten Belichtung verwendet wird. Das lichtempfindliche Material 20 kann auch aus verschiedenen Schichten von lichtempfindlichen Filmen oder lichtempfindlichen Schichten zur Verwendung jeweils bei der ersten Belichtung bzw. bei der zweiten Belichtung ausgebildet sein. 



  [0055] Bei der Herstellung der Hologramm-Maske sind neben den vorerwähnten Vorrichtungen verschiedene Vorrichtungen verwendbar. Beispielsweise gibt es Herstellungsvorrichtungen wie die eine, die auf dem Prinzip beruht, das von Jumpei Tsujiuchi in "Holography" beschrieben wurde [von Shokabo-sha als "Selected Book of Physics" 22 (1997), S. 354-358, veröffentlicht, und wie diejenigen, die auf den in den Offenbarungen der Patente US-4 857 425, US-4 966 428 beschriebenen Verfahren beruhen usw. Gemäss letzterem Patent ist zwischen einem Hologramm-Material und einer Origi nal-Maske nicht notwendigerweise ein Linsensystem vorgesehen. 



  [0056] Auch kann eine Hologramm-Maske hergestellt werden, indem Belichtungsvorrichtungen namens "HMA series" verwendet werden, die von Holtronic Technologies Limited in London, England, der Anmelderin der vorgenannten US-Patente, hergestellt werden. 



  [0057] Nachstehend wird konkret ein Fall der Herstellung einer Hologramm-Maske erläutert, die eine ähnliche Funktion hat wie diejenige einer Phasenverschiebungsmaske vom "Shibuya-Levenson Typus". 



  [0058] Die Phasenverschiebungsmaske 92 vom "Shibuya-Levenson Typus" umfasst, wie in Fig. 3(a) gezeigt, eine Maskenunterlage 94, einen lichtdurchlässigen Bereich 96, einen lichtabschirmenden Bereich 98 und einen Phasenschieber 100. Der Phasenschieber 100 ist als Teilbereich des lichtdurchlässigen Bereichs 96 ausgebildet. Wird die Phase eines Lichts durch den lichtdurchlässigen Bereich 96 ohne Phasenschieber 100 hindurch als Referenz genommen (Phase 0), so wird die Phase eines Lichts durch den lichtdurchlässigen Bereich 96 mit Phasenschieber 100 hindurch um  geändert (Phase ). 



  [0059] Zur Herstellung einer Hologramm-Maske mit einer solchen Funktion wie diejenige der Phasenverschiebungsmaske 92 vom "Shibuya-Levenson Typus" durch ein Doppelbelichtungsverfahren unter Verwendung von zwei Original-Masken werden eine in Fig. 3(b) gezeigte erste Original-Maske 102 und eine in Fig. 3(c) gezeigte zweite Original-Maske 104 verwendet. 



  [0060] Die erste Original-Maske 102 umfasst eine Maskenunterlage 106, einen lichtdurchlässigen Bereich 108 und einen lichtabschirmenden Bereich 110. Der lichtdurchlässige Bereich 108 der ersten Original-Maske 102 entspricht zumindest einem Teil der durch einen lichtabschirmenden Bereich 114 der zweiten Original-Maske 104 abzuschirmenden Fläche. 



  [0061] Bei der in Fig. 3(a), 3(b) und 3(c) gezeigten Ausbildung sind die lichtdurchlässigen Bereiche 108, 112 bandförmig mit einer vorbestimmten Breite ausgebildet und wie ein Streifenmuster angeordnet, und es sind ein oder mehrere lichtabschirmende Bereiche 110, 114 bandförmig ausgebildet und zwischen den lichtdurchlässigen Bereichen 108, 112 angeordnet. 



  [0062] Bei der ersten Belichtung unter Verwendung der ersten Original-Maske 102 wird das lichtdurchlässige Schirmmuster der ersten Original-Maske 102, das den lichtdurchlässigen Bereich 108 umfasst, der dazu bestimmt ist, entsprechend dem lichtdurchlässigen Bereich 96 der Phasenverschiebungsmaske 92 die lichtdurchlässige Fläche und die Phase 0 zu ergeben, auf dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 belichtet. 



  [0063] Bei der zweiten Belichtung unter Verwendung der zweiten Original-Maske 104 wird dann das lichtdurchlässige Schirmmuster der zweiten Original-Maske 104, das den lichtdurchlässigen Bereich 112 umfasst, der dazu bestimmt ist, entsprechend dem lichtdurchlässigen Bereich 96 mit dem Phasenschieber 100 der Phasenverschiebungsmaske 92 die lichtdurchlässige Fläche und die Phase  zu ergeben, auf dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 belichtet. Bei der zweiten Belichtung wird die optische Pfadlänge durch den Phasenmodulator 32 geändert, sodass danach die Phase eines in den lichtdurchlässigen Bereich 112 eintretenden Lichts im Vergleich zur ersten Belichtung um  verzögert ist. 



  [0064] Die Phasendifferenz zwischen dem Objektlicht und dem Referenzlicht wird bei der zweiten Belichtung durch den Phasenmodulator 32 geändert, und die auf dem lichtempfindlichen Material 20 bei der zweiten Belichtung aufzuzeichnende Information enthält die Phasenmodulationsinformation. 



  [0065] Als anderes konkretes Beispiel wird nachstehend ein Fall der Herstellung einer Hologramm-Maske erläutert, die eine ähnliche Funktion hat wie diejenige einer Phasenverschiebungsmaske vom "Halbtontypus" als Hologramm-Maske. Bei einer zur Herstellung einer solchen Hologramm-Maske verwendeten Belichtungsvorrichtung ist, wie weiter unten erläutert, irgendwo zwischen der Original-Maske und der Lichtquelle eine (nicht dargestellte) Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität zum Zwecke der Verminderung eines Lichtintensitäts-Verhältnisses angeordnet. 



  [0066] Eine Phasenverschiebungsmaske 116 vom Halbtontypus umfasst, wie in Fig. 4(a) gezeigt, eine Maskenunterlage 94, einen lichtdurchlässigen Bereich 118 und einen Phasenschieber 120. Zur Ausbildung des Phasenschiebers 120 wird ein lichthalbdurchlässiges Material von vorbestimmter Lichtdurchlässigkeit verwendet. Wird die Phase eines Lichts durch den lichtdurchlässigen Bereich 118 hindurch als Referenz genommen (Phase 0), so erfährt das Licht durch den Phasenschieber 120 hindurch eine Phasenänderung um  (Phase ). 



  [0067] Zur Herstellung einer Hologramm-Maske mit einer solchen Funktion wie diejenige der Phasenverschiebungsmaske 116 vom Halbtontypus durch ein Doppelbelichtungsverfahren werden zwei Original-Masken verwendet, nämlich die in Fig. 4(b) gezeigte erste Original-Maske 122 und die in Fig. 4(c) gezeigte zweite Original-Maske 124. 



  [0068] Die erste Original-Maske 122 umfasst eine Maskenunterlage 106, einen lichtdurchlässigen Bereich 126 und einen lichtabschirmenden Bereich 128. Die zweite Original-Maske 124 umfasst eine Maskenunterlage 106, einen lichtdurchlässigen Bereich 130 und einen lichtabschirmenden Bereich 132. Der lichtdurchlässige Bereich 126 der ersten Original-Maske 122 entspricht zumindest einem Teil der durch den lichtabschirmenden Bereich 132 der zweiten Original-Maske 124 abzuschirmenden Fläche. 



  [0069] In der in Fig. 4(a), 4(b) und 4(c) gezeigten Ausbildung umfasst die auf dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 schliesslich gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung ein Streifenmuster, bei dem bandförmige, eine vorbestimmte Breite aufweisende lichtdurchlässige Bereiche und lichthalbdurchlässige Bereiche wechselweise angeordnet sind. 



  Ein lichtabschirmender Bereich 128 der ersten Original-Maske 122 entspricht einem lichthalbdurchlässigen Bereich des Streifenmusters des lichtempfindlichen Materials 20, während ein lichtabschirmender Bereich 132 der zweiten Original-Maske 124 einem lichtdurchlässigen Bereich des Streifenmusters des lichtempfindlichen Materials 20 entspricht. 



  [0070] Der lichtdurchlässige Bereich 126 der ersten Original-Maske 122 entspricht einem Teil der durch den lichtabschirmenden Bereich 132 der zweiten Original-Maske 124 abzuschirmenden Fläche. 



  [0071] Bei der ersten Belichtung unter Verwendung der ersten Original-Maske 122 wird das lichtdurchlässige Schirmmuster der ersten Original-Maske 122, das den lichtdurchlässigen Bereich 126 umfasst, der dazu bestimmt ist, entsprechend dem lichtdurchlässigen Bereich 118 der Phasenverschiebungsmaske 116 die lichtdurchlässige Fläche und die Phase 0 zu ergeben, auf dem lichtempfindlichen Material 20 belichtet. 



  [0072] Bei der zweiten Belichtung unter Verwendung der zweiten Original-Maske 124 wird dann das lichtdurchlässige Schirmmuster der zweiten Original-Maske 124, das den lichtdurchlässigen Bereich 130 umfasst, der dazu bestimmt ist, entsprechend dem lichthalbdurchlässigen Phasenschieber 120 der Phasenverschiebungsmaske 116 die lichthalbdurchlässige Fläche und die Phase zu ergeben, auf dem lichtempfindlichen Material 20 belichtet. Bei der zweiten Belichtung wird die optische Pfadlänge durch den Phasenmodulator 32 geändert, sodass danach die Phase eines in den lichtdurchlässigen Bereich 130 eintretenden Lichts im Vergleich zur ersten Belichtung um  verzögert ist. 



  [0073] Auch wird bei der zweiten Belichtung das Lichtintensitäts-Verhältnis durch eine (nicht dargestellte) Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität vermindert, die irgendwo zwischen der zweiten Original-Maske 124 und der Lichtquelle 12 der Belichtungsvorrichtung angeordnet ist. 



  [0074] Als Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität ist bei spielsweise eine lichtabsorbierende Filtervorrichtung verwendbar. Eine solche lichtabsorbierende Filtervorrichtung kann beispielsweise eine solche sein, welche die Intensität von hindurchgehendem Licht vermindert, beispielsweise indem eine Vielzahl von lichtabsorbierenden Filtern bereitgestellt und irgendeines oder zumindest eines der lichtabsorbierenden Filter auf geeignete Weise in den optischen Pfad eingesetzt wird. 



  [0075] Mittels einer solchen Vorrichtung zur Verminderung der Lichtintensität wird das Verhältnis der Lichtintensität des zweiten Objektlichts zur Lichtintensität des zweiten Referenzlichts vermindert, sodass danach die Beugungswirksamkeit, welche zurückzuführen ist auf die bei der ersten Belichtung auf dem lichtempfindliche Material 20 gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung, verschieden ist von der Beugungswirksamkeit, welche zurückzuführen ist auf die bei der zweiten Belichtung auf dem lichtempfindlichen Material 20 gebildete Interferenzstreifen-Erscheinung. 



  [0076] Durch Einstellung der dem lichtempfindlichen Material 20 eingegebenen Belichtungsenergie ist es auch möglich, die Lichtintensität zu vermindern, sodass die dem lichtempfindlichen Material 20 des Hologramm-Materials 18 eingegebene Belichtungsenergie kleiner wird als die zur Maximierung der Beugungswirksamkeit benötigte Belichtungsenergie. Die Einstellung der dem lichtempfindlichen Material 20 einzugebende Belichtungsenergie kann durch Einstellung der Belichtungszeit und der Lichtintensität aus der Lichtquelle erfolgen. 



  [0077] Nachstehend wird ein Verfahren zur Aufzeichnung der Modulationsinformation über die Lichtdurchlässigkeit und die Phase durch Lichteinstrahlung auf die Hologramm-Maske unter Verwendung einer solchen Hologramm-Maske, wie sie vorstehend erwähnt wurde, erläutert. 



  [0078] Die in Fig. 5 gezeigte Aufzeichnungsvorrichtung 134 ist eine bei einem Aufzeichnungsverfahren verwendbare Ausbildung der Aufzeichnungsvorrichtung unter Verwendung einer erfindungsgemässen Holo gramm-Maske, es kann aber eine andere Aufzeichnungsvorrichtung verwendet werden. Die Aufzeichnungsvorrichtung 134 kann ein optisches System verwenden, das dem in der Belichtungsvorrichtung 10 in Fig. 1 verwendeten ähnlich ist. 



  [0079] Die Aufzeichnungsvorrichtung 134 umfasst eine Lichtquelle 136, ein zur Bestrahlung bestimmtes optisches System 138 und ein konvergentes optisches System 140. 



  [0080] Das zur Bestrahlung bestimmte optische System 138 mit den Linsen 142, 144 konvertiert ein Licht 146 aus der Lichtquelle 136 in einen parallelen Lichtstrahl 148 und führt diesen zum lichtempfindlichen Material 20 der Hologramm-Maske 18. Das zur Bestrahlung bestimmte optische System 138 ist in der Aufzeichnungsvorrichtung 134 angeordnet, sodass bei der Aufzeichnung der Hologramm-Maske der parallele Lichtstrahl 148 dem Referenzlicht 28 entgegengesetzt gerichtet ist. 



  [0081] Das konvergente optische System 140 konvertiert ein durch die Hologramm-Maske 18 hindurchgegangenes Licht 150 in ein Licht 152, fokussiert dieses auf ein belichtetes Objekt 154 und belichtet ein Bild auf dem belichteten Objekt 154. Als konvergentes optisches System 140 wird dasselbe verwendet wie das optische System 24 bei der Aufzeichnung der Hologramm-Maske. 



  [0082] Der Terminus "belichtetes Objekt" umfasst eine "Halbleiter-Unterlagenplatte, auf der eine Fotopolymerschicht gebildet ist". Hier wird der Terminus "Halbleiter-Unterlagenplatte" in der Bedeutung von "Unterlagenmaterial mit einer darauf gebildeten laminierten Schicht" verwendet, sodass er einen Fall umfasst, bei dem ein Unterlagenmaterial Glas oder dergleichen ist.

   Auch wird zumindest der Terminus "Unterlagenmaterial" in der Bedeutung von "Unterlagenmaterial von kreisförmiger, rechteckiger oder anderer Form aus Halbleiter oder Glas usw." verwendet, und der Terminus "laminierte Fläche" wird verwendet, um eine Fläche von auf dem Unterla genmaterial gebildeten laminierten Material zu bezeichnen, welche beispielsweise eine leitende Schicht von Schaltungen, Elektroden und dergleichen, eine Schicht von elektrisch isolierenden Materialien, eine Schicht von lichtselektierendem Material und eine Halbleiterschicht usw. umfasst. 



  [0083] Zudem kann das "belichtete Objekt" eine Unterlagenplatte mit einem lichtselektierendem Material zur Auswahl einer spezifischen Wellenlänge sein, das als Schicht aufgebracht ist, um besondere Belichtungseffekte herbeizuführen und es kann verschiedentlich geändert werden, ohne sich vom betreffenden Gedanken zu entfernen. 



  [0084] Im Falle einer Aufzeichnung der auf dem lichtempfindlichen Material 20 der Hologramm-Maske 18 aufgezeichneten Information auf dem belichteten Objekt tritt das Licht 146 aus der Lichtquelle 136 in das lichtempfindliche Material 20 der Hologramm-Maske 18 durch das zur Bestrahlung bestimmte optische System mit den Linsen 142, 144 hindurch ein, und das durch die Hologramm-Maske 18 hindurchgegangene Licht 150 wird zur Abbildung durch das konvergente optische System 140 auf das belichtete Objekt 154 gerichtet. 



  [0085] Da zu diesem Zeitpunkt dieselbe Information wie diejenige der Phasenverschiebungsmaske auf dem Hologramm-Material oder dem lichtempfindlichen Material 20 aufgezeichnet worden ist, wird die Auflösung des abzubildenden Musters verbessert, wie auch die Wirkung der Phasenverschiebungsmaske. 



  [0086] Nachstehend werden Erläuterungen zu den optischen Merkmalen des vorstehend erwähnten Doppelbelichtungsverfahrens gegeben. Es wird auch ein Vergleich zwischen einem solchen Doppelbelichtungsverfahren und einem einzelnen Belichtungsverfahren unter Verwendung der Phasenverschiebungsmaske erläutert. 



  [0087] Wird die Amplitudenverteilung eines durch die erste Original-Maske hindurch gebildeten, bei der ersten Belichtung zu verwendenden Objektlichts A gleich PA gesetzt, so kann die komplexe Amplitudenverteilung GA des Lichts unmittelbar vor seinem Eintritt in das Hologramm-Material oder das lichtempfindliche Material wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (1) erhalten werden. 



  [0088]
 [Formel 1]
 GA = PA x exp[i alpha ] ...(1) 



  [0089] Hier stellt  alpha  die Phase des Objektlichts A dar. 



  [0090] Wird die Amplitudenverteilung eines bei der ersten Belichtung zu verwendenden Referenzlichts R1 gleich PR1 gesetzt, so kann die komplexe Amplitudenverteilung GR1 des Lichts unmittelbar vor seinem Eintritt in das Hologramm-Material wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (2) erhalten werden. gamma 1 stellt die Phase des Referenzlichts R1 dar. 



  [0091]
 [Formel 2]
 GR1 = PR1 x exp[i gamma 1] ...(2) 



  [0092] Wird die Amplitudenverteilung eines durch die zweite Original-Maske hindurch gebildeten, bei der zweiten Belichtung zu verwendenden Objektlichts B gleich PB gesetzt, so kann die komplexe Amplitudenverteilung GB des Lichts unmittelbar vor seinem Eintritt in das Hologramm-Material oder das lichtempfindliche Material wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (3) erhalten werden,  beta  stellt die Phase des Objektlichts B dar.
 [Formel 3]
 GB = PB x exp[i beta ] ...(3) 



  [0093] Wird die Amplitudenverteilung eines bei der zweiten Belichtung zu verwendenden Referenzlichts R2 gleich PR2 gesetzt, so kann die komplexe Amplitudenverteilung GR2 des Lichts unmittelbar vor seinem Eintritt in das Hologramm-Material wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (4) erhalten werden.  gamma 2 stellt die Phase des Referenzlichts R2 dar. 



  [0094]
 [Formel 4]
 GR2 = PR2 x exp[i gamma 2] ...(4) 



  [0095] Demzufolge kann eine bei der ersten Belichtung und der zweiten Belichtung auf das lichtempfindliche Material eingestrahlte Lichtintensität I2AB wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (5) erhalten werden. 



  [0096]
 [Formel 5]
 I2AB = IGA + GR1I<2> + IGB + GR2l<2>
 = IGAI<2> + IGR1l<2> + GA x GR1* + GA* x GR1
 + IGBI<2> + IGR2I<2> + GB x GR2* + GB* x GR2 ...(5) 



  [0097] Hier stellen jeweils GA*, GB*, GR1* und GR2* die konjugierten komplexen Zahlen von GA, GB, GR1 und GR2 dar. 



  [0098] Sollte dasselbe Referenzlicht R für das bei der ersten Belichtung zu verwendende Referenzlicht R1 und für das bei der zweiten Belichtung zu verwendende Referenzlicht R2 verwendet werden, so gilt GR1 = GR2 = GR, und der Ausdruck (5) kann wie im nachstehenden Ausdruck (6) umgeschrieben werden. 



  [0099]
 [Formel 6]
 I2AB = IGA + GRI<2> + IGB + GRI<2>
 = IGAI<2> + IGBI<2> + 2 x IGRI<2>
 + GA x GR* + GA* x GR+ GB x GR* + GB x GR ...(6) 



  [0100] Hier, wird die Amplitudenverteilung des Referenzlichts R gleich PR gesetzt, so kann die komplexe Amplitudenverteilung GR des Lichts unmittelbar vor seinem Eintritt in das lichtempfindliche Material wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (7) erhalten werden.  gamma  stellt die Phase des Referenzlichts R dar. 



  [0101]
 [Formel 7]
 GR = PR x exp[i gamma ] ...(7) 



  [0102] Nach der zweiten Belichtung wird das lichtempfindliche Material der Hologramm-Maske entwickelt. Wird als lichtempfindliches Material beispielsweise ein Silberhalogenid-Material verwendet, in  welchem eine Intensitätsverteilung als Lichtdurchlässigkeits-Verteilung aufgezeichnet wird, kann die im lichtempfindlichen Material aufgezeichnete Amplitudendurchlässigkeits-Verteilung T2AB wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (8) erhalten werden. 



  [0103]
 [Formel 8]
 T2AB = T0 + t1 x I2AB ...(8) 



  [0104] Hier sind T0, t1 feste Zahlen, die entsprechend der Art des zu verwendenden lichtempfindlichen Materials und des Verfahrens zur Aufzeichnung auf dem lichtempfindlichen Material bestimmt werden. 



  [0105] Nach der Entwicklung wird die auf dem lichtempfindlichen Material aufgezeichnete Information auf dem belichteten Objekt aufgezeichnet. Wenn das vorstehend erwähnte Referenzlicht R als aus der Lichtquelle eingestrahltes und in das lichtempfindliche Material eintretendes, als zur Belichtung bestimmtes Licht RL verwendet wird, kann ein auf das belichtete Objekt einzustrahlendes Licht oder ein regeneriertes Licht S wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (9) unter Verwendung der Ausdrücke (6), (7) und (8) erhalten werden. 



  [0106]
 [Formel 9] 
 S = GR x T2AB = GR x (T0 + t1 x I2AB)
 = GR x T0 + GR x t1 x  IGAI<2> + IGBI<2> + 2 x IGRI<2>Ü
 + t1 x (GA x IGRI<2> + GA* x GR<2>)
 + t1 x (GB x IGRI<2> + GB* x GR<2>) ...(9) 



  [0107] Im Ausdruck (9) können, wie nachstehend gezeigt, die nachstehend gezeigten Ausdrücke (10 - 1), (10 - 2) und (10 - 3) als mitgezeigt verstanden werden. 



  [0108]
 [Formel 10]
 (Licht nullter Ordnung) =
 = GR x T0 + GR x t1 x  IGAl<2> + IGBl + 2 x lGRl<2>Ü ...(10 - 1)
 (+/- Licht erster Ordnung des Objektlichts A) = 
 = t1 x (GA x IGRI<2> + GA* x GR<2>) ...(10-2)
 (+/- Licht erster Ordnung des Objektlichts B) =
 = t1 x (GB x IGRI<2> + GB* x  GR<2>) ...(10-3) 



  [0109] Auch stellt im Ausdruck (9) der Terminus t1 x (GA x IGRI<2>) die Regenerierung des Objektlichts A dar, während der Terminus t1 x (GB x IGRI<2>) die Regenerierung des Objektlichts B darstellt. 



  [0110] Wie vorstehend erwähnt, entsteht beim Doppelbelichtungsverfahren in dem das regenerierte Licht S darstellenden Ausdruck kein so genanntes Rauschen-Glied. Dies bedeutet, dass kein unnötiges Rauschen erzeugt wird. 



  [0111] Zum Vergleich des vorstehend erwähnten Doppelbelichtungsverfahrens wird eine Erläuterung zu einem einzelnen Belichtungsverfahren unter Verwendung der Phasenverschiebungsmaske gegeben. Bei der einzelnen Belichtung unter Verwendung der Phasenverschiebungsmaske werden das Objektlicht A bei der ersten Belichtung und das Objektlicht B bei der zweiten Belichtung bzw. das Referenzlicht R beim Doppelbelichtungsverfahren mittels einer einzelnen Belichtung auf das lichtempfindliche Material eingestrahlt. Demzufolge kann die dem lichtempfindlichen Material mittels eines einzelnen, die Phasenverschiebungsmaske verwendenden Belichtungsverfahrens einzustrahlende Lichtintensität I1AB wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (11) erhalten werden. 



  [0112]
 [Formel 11]
 I1AB = IGA + GB + GRI<2>
 = IGAI<2> + IGBI<2> + IGRI<2>
 + GA x GB* + GA* x GB
 + GA x GR* + GA* x GR
 + GB x GR* + GB* x GR ...(11) 



  [0113] Die im lichtempfindlichen Material mittels einer einzelnen Belichtung aufgezeichnete Amplitudendurchlässigkeits-Verteilung T1AB kann wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (12) erhalten werden. 



  [0114]
 [Formel 12]
 T1AB = T0 + t1 x I1AB ...(12) 



  [0115] Ein auf das belichtete Objekt einzustrahlendes Licht oder ein regeneriertes Licht S1 kann wie nachstehend gezeigt aus dem Ausdruck (13) unter Verwendung der Ausdrücke (7), (11) und (12) erhalten werden. 



  [0116]
 [Formel 13]
 S = GR x T1AB = GR x (T0 + t1 x I1AB)
 = GR x T0 + GR x t1 x  IGAI<2> + IGBI<2> + IGRI<2>Ü
 + GR x t1 x (GA x GB* + GA* x GB)
 + t1 x (GA x IGRI<2> + GA* x GR<2>)
 + t1 x (GB x lGRl<2> + GB* x GR<2>) ...(13) 



  [0117] Im Ausdruck (13) können, wie nachstehend gezeigt, die nachstehend gezeigten Ausdrücke (14-1), (14-2) und (14-3) als mitgezeigt verstanden werden. 



  [0118]
 [Formel 14]
 (Licht nullter Ordnung) =
 = GR x T0 + GR x t1 x  IGAl<2> + IGBl<2> + IGRl<2>Ü ...(14-1)
 (Rauschen) = GR x t1 x (GA x GB* + GA* x GB) ...(14-2)
 (+/- Licht erster Ordnung des Objektlichts A) = 
 = t1 x (GA x lGRl<2> + GA* x GR<2>) ...(14-3)
 (+/- Licht erster Ordnung des Objektlichts B) =
 = t1 x (GB x IGRI<2> + GB* x GR<2>) ...(14-4)
 [0119] Auch stellt im Ausdruck (14) der Terminus t1 x (GA x IGRI<2>) die Regenerierung des Objektlichts A dar, während der Terminus t1 x (GB x IGRI<2>) die Regenerierung des Objektlichts B darstellt. 



  [0120] Wie vorstehend erwähnt, entsteht in dem das regenerierte Licht S1 darstellenden Ausdruck bei einer einzelnen Belichtung unter Verwendung der Phasenverschiebungsmaske ein so genanntes Rauschen-Glied. Dies bedeutet, dass ein unnötiges Rauschen erzeugt wird. Auch in Bezug auf diesen Punkt kann verstanden werden, dass das erfindungsgemässe Verfahren gegenüber dem herkömmlichen Verfahren einen Vorteil aufweist. 



  [0121] Die vorliegende Erfindung kann verschiedentlich geändert werden, ohne sich vom betreffenden Gedanken zu entfernen.

Claims (10)

1. Belichtungsverfahren zur Herstellung einer Hologramm-Maske mit einer Interferenzstreifen-Erscheinung, die eine Modulationsinformation bezüglich einer Lichtdurchlässigkeit und einer Phase enthält, wobei eine Vielzahl von Original-Masken (14, 102, 104, 122, 124) verwendet und ein auf jeder Original-Maske gebildetes lichtdurchlässiges Schirmmuster einer optischen Modulationsschicht auf einem und demselben Hologramm-Material (18) belichtet wird, umfassend:
einen ersten Belichtungsschritt zur Belichtung des genannten lichtdurchlässigen Schirmmusters einer ersten Original-Maske (14, 102, 122) auf dem genannten Hologramm-Material (18) unter Verwendung eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) durch die erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Objektlichts sowie eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Referenzlichts (28);
und einen auf den genannten ersten Belichtungsschritt folgenden zweiten Belichtungsschritt, bei dem ein zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) durch eine zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmtes zweites Objektlicht (22) sowie ein zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmtes zweites Referenzlicht (28) verwendet werden und bei dem an einer Stelle (52) eines von einer Lichtquelle (12) zum genannten Hologramm-Material (18) führenden optischen Pfades, als Schritt zur Änderung der Phasendifferenz, eine zweite Phasendifferenz zwischen dem genannten zweiten Objektlicht (22) und dem genannten zweiten Referenzlicht (28) geändert wird, sodass danach eine erste Phasendifferenz zwischen dem genannten ersten Objektlicht (22) und dem genannten ersten Referenzlicht (28)
von der genannten zweiten Phasendifferenz verschieden ist, womit das genannte lichtdurchlässige Schirmmuster der genannten zweiten Original-Maske (14, 104, 124) auf dem genannten Hologramm-Material (18) belichtet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem der genannte Schritt zur Änderung der Phasendifferenz einen Schritt der Änderung zumindest einer der optischen Pfadlängen entweder des optischen Pfads von der genannten Lichtquelle (12) zum genannten Hologramm-Material (18) durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch oder des optischen Pfads von der genannten Lichtquelle (12) zum genannten Hologramm-Material (18) nicht durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch umfasst.
3.
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem das genannte lichtdurchlässige Schirmmuster eine Vielzahl von bandförmigen lichtdurchlässigen Bereichen (96, 108, 112, 118, 126, 130) umfasst, die eine vorbestimmte Breite aufweisen und wie ein Streifenmuster angeordnet sind, und eine Vielzahl von zwischen den genannten lichtdurchlässigen Bereichen (96,108, 112, 118, 126, 130) angeordneten bandförmigen lichtabschirmenden Bereichen (98, 110, 114, 128, 132); wobei die genannten lichtdurchlässigen Bereiche (96, 108, 112, 118, 126, 130) der genannten ersten Original-Maske (14, 102, 122) zumindest einer Teilfläche entsprechen, die durch die genannten lichtabschirmenden Bereiche (98, 110, 114, 128, 132) der zweiten Original-Maske (14, 104, 124) abzuschirmen ist;
und wobei die Differenz zwischen der genannten ersten Phasendifferenz und der genannten zweiten Phasendifferenz etwa gleich ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1, welches zudem einen Schritt der Änderung der Beugungswirksamkeit umfasst, der zwischen einer Beugungswirksamkeit, die auf eine beim genannten ersten Belichtungsschritt auf dem genannten Hologramm-Material (18) gebildete erste Interferenzstreifen-Erscheinung zurückzuführen ist, und einer Beugungswirksamkeit, die auf eine beim genannten zweiten Belichtungsschritt auf dem genannten Hologramm-Material (18) gebildete zweite Interferenzstreifen-Erscheinung zurückzuführen ist, einen Unterschied verursacht.
5.
Verfahren nach Anspruch 4, bei welchem der genannte Schritt der Änderung der Beugungswirksamkeit umfasst: einen Schritt der Verminderung der Lichtintensität, der irgendwo zwischen mindestens einer der Original-Masken (14, 124) und der Lichtquelle (12) das Verhältnis der Lichtintensität eines Objektlichts zur Lichtintensität eines Referenzlichts (28) so vermindert, dass es kleiner wird als ein zur Maximierung der genannten Beugungswirksamkeit benötigtes Verhältnis der Lichtintensität, oder einen Schritt der Einstellung der Belichtungsenergie, der eine dem genannten Hologramm-Material (18) zugeführte Belichtungsenergie so einstellt, dass sie kleiner wird als eine zur Maximierung der genannten Beugungswirksamkeit benötigte Belichtungsenergie.
6.
Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem eine auf dem genannten Hologramm-Material (18) schliesslich zu bildende Interferenzstreifen-Erscheinung ein Streifenmuster mit wechselweise angeordneten bandförmigen lichtdurchlässigen Bereichen (96, 108, 112, 118, 126, 130) und bandförmigen lichthalbdurchlässigen Bereichen (100, 120) von jeweils vorbestimmter Breite umfasst;
wobei die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) und die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) lichtabschirmende Bereiche (98, 110, 114, 128, 132) aufweisen, die den genannten lichtdurchlässigen Bereichen (96, 108, 112, 118, 126, 130) und den genannten lichthalb durchlässigen Bereichen (100, 120) des genannten Streifenmusters des genannten Hologramm-Materials (18) entsprechen, von denen die genannten lichtdurchlässigen Bereiche (96, 108, 112, 118, 126, 130) der genannten ersten Original-Maske (14, 102, 122) zumindest einer von den genannten lichtabschirmenden Bereichen (98, 110, 114, 128, 132) der genannten zweiten Original-Maske (14, 104, 124) abzuschirmenden Teilfläche entsprechen; wobei die Differenz zwischen der genannten ersten Phasendifferenz und der genannten zweiten Phasendifferenz etwa gleich ist;
und wobei ein die Beugungswirksamkeit ändernder Schritt vorgesehen ist, der die Beugungswirksamkeit des genannten Hologramm-Materials (18) an den genannten lichthalbdurchlässigen Bereichen (100, 120) vermindert.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem beim genannten ersten Belichtungsschritt und beim genannten zweiten Belichtungsschritt auf dem genannten Hologramm-Material (18) ein und derselbe darauf gebildete lichtempfindliche Film oder eine und dieselbe darauf gebildete lichtempfindliche Schicht verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, bei welchem beim genannten ersten Belichtungsschritt und beim genannten zweiten Belichtungsschritt auf dem genannten Hologramm-Material (18) jeweils verschiedene lichtempfindliche Filme oder verschiedene lichtempfindliche Schichten verwendet werden.
9.
Belichtungsvorrichtung (10) zur Ausführung des Verfahrens nach Anspruch 1, umfassend Phasenmodulationsmittel (32) zur Änderung einer zweiten Phasendifferenz an einer Stelle (52) eines von einer Lichtquelle (12) zum genannten Hologramm-Material (18) führenden optischen Pfades, sodass bei zumindest zwei aufeinander folgenden Belichtungen danach eine erste Phasendifferenz zwischen einem zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) bei einer vorangegangenen ersten Belichtung durch die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Objektlicht (22) und einem zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Referenzlicht (28) verschieden ist von einer zweiten Phasendifferenz zwischen einem zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18)
bei einer der ersten Belichtung folgenden zweiten Belichtung durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmten zweiten Objektlicht (22) und einem zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmten zweiten Referenzlicht.
10.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem zwischen dem ersten und dem zweiten im Anspruch 1 definierten Belichtungsschritt ein Vorbelichtungsschritt ausgeführt wird, wobei der genannte Vorbelichungsschritt umfasst: einen Maskenvorbereitungsschritt zur Vorbereitung zumindest einer ersten Original-Maske (14, 102, 122) und einer zweiten Original-Maske (14, 104, 124);
einen ersten sekundären Belichtungsschritt zur Belichtung des genannten lichtdurchlässigen Schirmmusters der genannten ersten Original-Maske (14, 102, 122) auf dem genannten Hologramm-Material (18) unter Verwendung eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) durch die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Objektlichts und eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte erste Original-Maske (14, 102, 122) hindurch bestimmten ersten Referenzlichts (28);
und einen dem ersten sekundären Belichtungsschritt folgenden zweiten sekundären Belichtungsschritt zur Belichtung des genannten lichtdurchlässigen Schirmmusters der genannten zweiten Original-Maske (14, 104, 124) auf dem genannten Hologramm-Material (18) unter Verwendung eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmten zweiten Objektlichts (22) und eines zur Bestrahlung des genannten Hologramm-Materials (18) nicht durch die genannte zweite Original-Maske (14, 104, 124) hindurch bestimmten zweiten Referenzlichts (28), wobei an einer Stelle (52) eines von einer Lichtquelle (12) zum genannten Hologramm-Material (18) führenden optischen Pfades eine zweite Phasendifferenz zwischen dem genannten zweiten Objektlicht (22) und dem genannten zweiten Referenzlicht (28) geändert wird,
sodass danach eine erste Phasendifferenz zwischen dem genannten ersten Objektlicht (22) und dem genannten ersten Referenzlicht (28) von der zweiten Phasendifferenz verschieden ist.
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100458568C (zh) * 2003-12-11 2009-02-04 麦克罗尼克激光系统公司 用于对工件构图的方法和装置以及制造该装置的方法
EP1706792B1 (de) * 2003-12-11 2012-11-14 Micronic Mydata AB Räumlicher lichtmodulator und verfahren zur strukturierung eines arbeitsstücks
US7312021B2 (en) * 2004-01-07 2007-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Holographic reticle and patterning method
US8227150B2 (en) * 2004-01-07 2012-07-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Holographic reticle and patterning method
JP2006276666A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujitsu Ltd ホログラム記録装置
JP2007041436A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Fujitsu Ltd ホログラム記録装置
JP5057202B2 (ja) * 2005-11-28 2012-10-24 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法および製造装置
KR100727780B1 (ko) * 2006-04-06 2007-06-14 주식회사 대우일렉트로닉스 위상 마스크를 구비하는 광 정보 처리 장치
US7710623B2 (en) * 2006-08-22 2010-05-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Security hologram, method of recording same, and method of using same wherein the holographic imaging includes a single coherent beam of electromagnetic radiation in combination with a Lloyd's mirror to provide both reference and object beams
US20080090396A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light exposure apparatus and method for making semiconductor device formed using the same
JP4941163B2 (ja) * 2007-08-06 2012-05-30 パルステック工業株式会社 ホログラム記録装置及びホログラム記録装置のレーザ光の光路長調整方法
CN104903792B (zh) * 2013-01-15 2019-11-01 Hoya株式会社 掩膜板坯料、相移掩膜板及其制造方法
TWI547770B (zh) * 2015-01-29 2016-09-01 國立臺灣科技大學 全像曝光系統
WO2017011188A1 (en) 2015-07-13 2017-01-19 Applied Materials, Inc. Quarter wave light splitting
CN107390475B (zh) * 2017-08-09 2019-03-05 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光设备及其曝光方法
DE102017218544A1 (de) 2017-10-18 2019-04-18 Robert Bosch Gmbh Belichtungsvorrichtung zum Aufnehmen eines Hologramms, Verfahren zum Aufnehmen eines Hologramms und Verfahren zum Steuern einer Belichtungsvorrichtung zum Aufnehmen eines Hologramms
CN111239883B (zh) * 2020-02-19 2022-08-23 京东方科技集团股份有限公司 偏光片、lcd屏幕和oled屏幕

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3642472A (en) * 1967-08-30 1972-02-15 Holotron Corp Bleaching of holograms
US3537854A (en) * 1968-05-15 1970-11-03 Ibm Holographic method for generating masking patterns
FR1582104A (de) * 1968-06-11 1969-09-26
US3894787A (en) * 1969-05-19 1975-07-15 Battelle Development Corp Holograms
AT323808B (de) * 1969-12-19 1975-07-25 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen mit holographischer projektion der ätzmuster und anordnung hiefür
DE1965261C3 (de) * 1969-12-29 1974-10-24 Krone Gmbh, 1000 Berlin Verfahren und Vorrichtung zur zeitabhängigen optischen Tonaufnahme und -wiedergabe
US3715164A (en) * 1971-11-01 1973-02-06 Trw Inc Four beam holographic interferometry
HU172499B (hu) * 1976-05-31 1978-09-28 Mta Koezponti Fiz Kutato Intez Sposob i ustrojstvo dlja kontrolja fotomaski, metodom izvlechenija
US4244633A (en) * 1978-05-22 1981-01-13 Minnesota Mining And Manufacturing Company Multicolor hologram and method for forming same
US4339176A (en) * 1980-05-19 1982-07-13 Honeywell Inc. Holographic space-variant system for evaluating the ambiguity integral
GB2140170B (en) * 1983-05-19 1987-01-28 New Holographic Design Improvements in or relating to holography
JPS62217283A (ja) * 1986-03-19 1987-09-24 Sony Corp ホログラム記録装置
US4703994A (en) * 1986-03-24 1987-11-03 Grumman Aerospace Corporation System and method for automatically fabricating multi-hologram optical elements
US5322747A (en) * 1989-03-22 1994-06-21 Hugle William B Method of manufacturing an optical disc
JPH0312914A (ja) * 1989-06-12 1991-01-21 Nec Corp パターン露光方法
JP2922958B2 (ja) * 1990-02-13 1999-07-26 株式会社日立製作所 拡大投影露光方法及びその装置
US5543251A (en) * 1990-06-29 1996-08-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of recording plural holographic images into a holographic recording material by temporal interleaving
GB2249387B (en) * 1990-10-11 1995-01-25 Holtronic Technologies Ltd Apparatus for and a method of transverse position measurement in proximity lithographic systems
US5719691A (en) * 1995-05-05 1998-02-17 Lucent Technologies Inc. Phase correlation multiplex holography
US5943145A (en) * 1995-05-05 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Phase distance multiplex holography
JP3931208B2 (ja) * 1995-11-09 2007-06-13 大日本印刷株式会社 ホログラムカラーフィルター及びその作製方法
JP3471556B2 (ja) * 1997-03-27 2003-12-02 理化学研究所 位相シフトディジタルホログラフィ装置

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Publication number Publication date
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