JPH0312914A - パターン露光方法 - Google Patents
パターン露光方法Info
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- JPH0312914A JPH0312914A JP1149159A JP14915989A JPH0312914A JP H0312914 A JPH0312914 A JP H0312914A JP 1149159 A JP1149159 A JP 1149159A JP 14915989 A JP14915989 A JP 14915989A JP H0312914 A JPH0312914 A JP H0312914A
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- JP
- Japan
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- hologram
- wafer
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- light
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造工程の一つであるフォトリソ
グラフィ工程におけるパターン露光方法に関する。
グラフィ工程におけるパターン露光方法に関する。
従来、この種のパターン露光方法では、第５図に示すよ
うに、水銀ランプ１２からの拡散光をコンデンサレンズ
１３で平行光にした後、フォトマスク１１を透過させ、
結像レンズ１４でフォトマスク１１のパターンをウェハ
１０上に投影し、露光を行っている。
うに、水銀ランプ１２からの拡散光をコンデンサレンズ
１３で平行光にした後、フォトマスク１１を透過させ、
結像レンズ１４でフォトマスク１１のパターンをウェハ
１０上に投影し、露光を行っている。
上述した従来のパターン露光方法では、フォトマスク１
１を透過した光をそのままウェハ１０の表面に結像させ
ているため、被写体となるフォトマスク１１のパターン
は平面像、すなわち２次元像となる。このため、このフ
ォトマスク１１の表面に塵埃や異物が付着したときには
、これらの像がウェハ１０上に投影されることになり、
局所的なパターン欠陥を生じる原因となる。
１を透過した光をそのままウェハ１０の表面に結像させ
ているため、被写体となるフォトマスク１１のパターン
は平面像、すなわち２次元像となる。このため、このフ
ォトマスク１１の表面に塵埃や異物が付着したときには
、これらの像がウェハ１０上に投影されることになり、
局所的なパターン欠陥を生じる原因となる。
本発明は局所的なパターン欠陥の発生を防止することが
可能なパターン露光方法を提供することを目的とする。
可能なパターン露光方法を提供することを目的とする。
本発明のパターン露光方法は、光源から射出されるコヒ
ーレントな光を分岐し、一方の光を所要のパターンが形
成されたマスクを透過し或いは反射させて拡散光とし、
他方を参照光とし、これら拡散光と参照光とを干渉させ
て得られる干渉パターンのホログラムを作成する。
ーレントな光を分岐し、一方の光を所要のパターンが形
成されたマスクを透過し或いは反射させて拡散光とし、
他方を参照光とし、これら拡散光と参照光とを干渉させ
て得られる干渉パターンのホログラムを作成する。
また、作成されたホログラムに参照光を照射し、得られ
る回折像をウェハに結像させて前記マスクのパターンを
露光している。
る回折像をウェハに結像させて前記マスクのパターンを
露光している。
この露光方法では、ホログラムの干渉パターンから得ら
れる回折像によりウェハにパターン露光を行うため、フ
ォトマスクやホログラム上の塵埃や傷がウェハに露光さ
れることはない。
れる回折像によりウェハにパターン露光を行うため、フ
ォトマスクやホログラム上の塵埃や傷がウェハに露光さ
れることはない。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例のホログラム作成時の光学
系配置図である。レーザ源１からの光ビーム（コヒーレ
ント光）はミラー２ａで反射された後、ビームスプリッ
タ３で２つに分岐される。
系配置図である。レーザ源１からの光ビーム（コヒーレ
ント光）はミラー２ａで反射された後、ビームスプリッ
タ３で２つに分岐される。
一方はミラー２ｂで反射された後、ビーム拡散用レンズ
４ａで拡散され、アパーチャ５ａで絞られる。その後、
コンデンサレンズ６ａで平行光に戻される。そして、拡
散板７で散乱光とされた上で、ウェハに転写するパター
ンが書き込まれているマスターマスク８を透過される。
４ａで拡散され、アパーチャ５ａで絞られる。その後、
コンデンサレンズ６ａで平行光に戻される。そして、拡
散板７で散乱光とされた上で、ウェハに転写するパター
ンが書き込まれているマスターマスク８を透過される。
これにより、光はマスターマスク８のパターンに従って
透過し、最終的にホログラム９に達する。以下、このビ
ームを拡散光と称する。
透過し、最終的にホログラム９に達する。以下、このビ
ームを拡散光と称する。
また、前記ビームスプリッタ３で反射されて分岐された
他方の光ビームは、ミラー２Ｃで反射された後、ビーム
拡散用レンズ４ｂで拡散され、かつアパーチャ５ｂで絞
られた上で、コンデンサ１／ンズ６ｂで平行光にされて
から、前記ホログラム９に投影される。以下、このビー
ムを参照光と称する。
他方の光ビームは、ミラー２Ｃで反射された後、ビーム
拡散用レンズ４ｂで拡散され、かつアパーチャ５ｂで絞
られた上で、コンデンサ１／ンズ６ｂで平行光にされて
から、前記ホログラム９に投影される。以下、このビー
ムを参照光と称する。
以上のように、ボログラム９には拡散光と参照光が同時
に照射されることになるが、コヒーレント光を用いてい
るために干渉を起こす。ホログラム９には写真撮影用の
乳剤が塗布しであるため、この干渉パターンを記憶する
ごとができる。
に照射されることになるが、コヒーレント光を用いてい
るために干渉を起こす。ホログラム９には写真撮影用の
乳剤が塗布しであるため、この干渉パターンを記憶する
ごとができる。
第２図は、第１図で製造したホログラム９からマスター
マスク８に描画されたパターンをウェハに露光する方法
を示す図である。なお、第１図と同一部分には同一符号
を付しである。
マスク８に描画されたパターンをウェハに露光する方法
を示す図である。なお、第１図と同一部分には同一符号
を付しである。
この構成では、第１図の構成一部をそのまま利用してい
るが、ビームスプリッタ３をミラー２ｄに代えている点
が相違している。また、ホログラム９は第１図において
露光したものを現像し、干渉パターンがフィルム上の濃
淡として現れているものを使用する。
るが、ビームスプリッタ３をミラー２ｄに代えている点
が相違している。また、ホログラム９は第１図において
露光したものを現像し、干渉パターンがフィルム上の濃
淡として現れているものを使用する。
このように、現像済ののホログラム９に参照光を照射す
ると、参照光はホログラム９に現れている干渉パターン
に従ってホログラム後方に回折され、マスターマスク７
に描画されていた像と同一像を再現することができる。
ると、参照光はホログラム９に現れている干渉パターン
に従ってホログラム後方に回折され、マスターマスク７
に描画されていた像と同一像を再現することができる。
この位置にフォトレジストを塗布したウェハ１０を置げ
ば、パターン露光が実現される。
ば、パターン露光が実現される。
したがって、この露光方法では、ウェハ１０上の一点に
おける像はホログラム９全体からの回折光によって生成
されるため、ホログラム９に塵埃が付着したり、傷が生
じている場合でも、これらが直接ウェハ１０上に投影さ
れることはなく、再生像の局所的な欠陥の発生が防止さ
れる。
おける像はホログラム９全体からの回折光によって生成
されるため、ホログラム９に塵埃が付着したり、傷が生
じている場合でも、これらが直接ウェハ１０上に投影さ
れることはなく、再生像の局所的な欠陥の発生が防止さ
れる。
第３図は本発明の第２実施例のホログラム作成時の光学
系配置図である。
系配置図である。
この実施例では、レーナ゛源１からのビームはビームス
プリッタ３で２つに分岐される。一方はミラー２ｅで反
射された後に、ビーム拡散用レンズ４ａで拡散され、か
つアパーチャ５ａで絞った後、マスターマスク８に照射
される。マスターマスク８からの反射光は最終的に拡散
光としてホログラム９に達する。また、分岐された他方
のビームは、ミラー２ｆ、２ｇで反射された後、ビーム
拡散用レンズ４ｂにより拡散されかつアパーチャ５ｂで
絞った後、参照光としてホログラム９に投影される。
プリッタ３で２つに分岐される。一方はミラー２ｅで反
射された後に、ビーム拡散用レンズ４ａで拡散され、か
つアパーチャ５ａで絞った後、マスターマスク８に照射
される。マスターマスク８からの反射光は最終的に拡散
光としてホログラム９に達する。また、分岐された他方
のビームは、ミラー２ｆ、２ｇで反射された後、ビーム
拡散用レンズ４ｂにより拡散されかつアパーチャ５ｂで
絞った後、参照光としてホログラム９に投影される。
これにより、マスターマスク８のパターンに対応する干
渉パターンが形成される。
渉パターンが形成される。
第４図は第３図で製造したホログラム９を用いてウェハ
に露光を行う方法を示す図である。図において、第３図
と同一部分には同一符号を付してある。また、ここでは
、ビームスプリンタ３に代えてミラー２ｈを用いている
。
に露光を行う方法を示す図である。図において、第３図
と同一部分には同一符号を付してある。また、ここでは
、ビームスプリンタ３に代えてミラー２ｈを用いている
。
この実施例においても、現像したホログラム９に参照光
のみを照射すると、ホログラム９の後方にマスターマス
ク８に書き込まれたパターンが再生され、ここにレジス
トを塗布したウェハ１０を置けばバクーン露光が実現さ
れる。
のみを照射すると、ホログラム９の後方にマスターマス
ク８に書き込まれたパターンが再生され、ここにレジス
トを塗布したウェハ１０を置けばバクーン露光が実現さ
れる。
なお、この実施例ではホログラムにはマスターマスクの
三次元像が記憶されるため、三次元のフォトリソグラフ
ィが可能となる。
三次元像が記憶されるため、三次元のフォトリソグラフ
ィが可能となる。
また、参照光の方向を変えたり、波長を変えれば、−枚
のホログラムに別々のパターンを記憶でき、かつ同時に
これらのパターンを再生することも可能となる。
のホログラムに別々のパターンを記憶でき、かつ同時に
これらのパターンを再生することも可能となる。
以上説明したように本発明は、マスクを透過し或いは反
射させた拡散光と、参照光とを干渉させて得られる干渉
パターンのホログラムを作成し、このホログラムから得
られる回折像をウェハに露光しているので、フォトマス
クやホログラムに塵埃や異物が付着したり、傷が伺いた
としても、これらが直接ウェハ表面に投影されることは
なく、再生像の局所的な欠陥の発生が防止できる。
射させた拡散光と、参照光とを干渉させて得られる干渉
パターンのホログラムを作成し、このホログラムから得
られる回折像をウェハに露光しているので、フォトマス
クやホログラムに塵埃や異物が付着したり、傷が伺いた
としても、これらが直接ウェハ表面に投影されることは
なく、再生像の局所的な欠陥の発生が防止できる。
第１図は本発明の第１実施例のホログラム作成時の光学
系配置図、第２図は第１実施例のホログラムを用いてウ
ェハへの露光を行う時の光学系配置図、第３図は本発明
の第２実施例のホログラム作成時の光学系配置図、第４
図は第２実施例のホログラムを用いてウェハへの露光を
行う時の光学系配置図、第５図は従来のパターン露光方
法を示す光学系配置図である。 １・・・レーザ源、２ａ〜２ｈ・・・ミラー、３・・・
ビームスプリッタ、４ａ、４ｂ・・・ビーム拡散用レン
ズ、５ａ、５ｂ・・・アパーチャ、６ａ、６ｂ・・・コ
ンデンサレンズ、７・・・拡散板、８・・・マスターマ
スク、９・・・ホログラム、１０・・・ウェハ、１１・
・・フォトマスク、１２・・・水銀ランプ、１３・・・
コンデンサレン第１
系配置図、第２図は第１実施例のホログラムを用いてウ
ェハへの露光を行う時の光学系配置図、第３図は本発明
の第２実施例のホログラム作成時の光学系配置図、第４
図は第２実施例のホログラムを用いてウェハへの露光を
行う時の光学系配置図、第５図は従来のパターン露光方
法を示す光学系配置図である。 １・・・レーザ源、２ａ〜２ｈ・・・ミラー、３・・・
ビームスプリッタ、４ａ、４ｂ・・・ビーム拡散用レン
ズ、５ａ、５ｂ・・・アパーチャ、６ａ、６ｂ・・・コ
ンデンサレンズ、７・・・拡散板、８・・・マスターマ
スク、９・・・ホログラム、１０・・・ウェハ、１１・
・・フォトマスク、１２・・・水銀ランプ、１３・・・
コンデンサレン第１
Claims (1)
- １、光源から射出されるコヒーレントな光を分岐し、一
方の光を所要のパターンが形成されたマスクを透過し或
いは反射させて拡散光とし、他方を参照光とし、これら
拡散光と参照光とを干渉させて得られる干渉パターンの
ホログラムを作成する工程と、このホログラムに参照光
を照射し、得られる回折像をウェハに結像させて前記マ
スクのパターンを露光する工程とを含むことを特徴とす
るパターン露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149159A JPH0312914A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | パターン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1149159A JPH0312914A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | パターン露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0312914A true JPH0312914A (ja) | 1991-01-21 |
Family
ID=15469083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1149159A Pending JPH0312914A (ja) | 1989-06-12 | 1989-06-12 | パターン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0312914A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003195475A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | ホログラムマスク作製用の露光方法及び装置、並びにホログラムマスクを用いた記録方法 |
| WO2008126195A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | ホログラム記録装置 |
-
1989
- 1989-06-12 JP JP1149159A patent/JPH0312914A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003195475A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | ホログラムマスク作製用の露光方法及び装置、並びにホログラムマスクを用いた記録方法 |
| WO2008126195A1 (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-23 | Fujitsu Limited | ホログラム記録装置 |
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