DE602004009377T2

DE602004009377T2 - Verfahren zur Herstellung einer Masterplatte für ein optisches Aufzeichnungsmedium, Verfahren zur Herstellung eines Musters, einer Mutterplatte, einer Matrize, eines optischen Aufzeichnungsmediums und eines Resists

Info

Publication number: DE602004009377T2
Application number: DE602004009377T
Authority: DE
Inventors: Eiichi Ito; Eiji Ohno; Yuuko Kawaguchi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp
Priority date: 2003-08-26
Filing date: 2004-07-31
Publication date: 2008-07-24
Anticipated expiration: 2024-08-01
Also published as: CN100345200C; DE602004009377D1; EP1511026A3; EP1511026A2; US20050048248A1; JP2005071488A; KR20050021313A; JP4093938B2; TW200511307A; CN1591631A; EP1511026B1; ATE375592T1

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Resist, das ein Wärmemodus-Aufzeichnen ermöglicht, ein Verfahren zum Bilden eines Musters unter Verwendung des Resists, ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, einen Master, einen Stempel und ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium.
2. Beschreibung des Standes der Technik
Ein Verfahren zum Bilden eines Musters verwendet ein fotoempfindliches Material, das ein Resist genannt wird, wobei der Zustand des Resists sich gezielt mittels einer Lichtaussetzung (einschließlich verschiedener Bestrahlungsstrahlen wie einem Elektronenstrahl oder einem Ladungspartikelstrahl) ändert. Danach wird ein Ätzen (und Entwickeln) durchgeführt, um so ein Muster von Pits und Lands unter Verwendung von unterschiedlichen Ätzraten zwischen Bereichen, in denen sich der Zustand des Resists geändert hat, und Bereichen herzustellen, in denen sich der Zustand nicht geändert hat. Dieses Verfahren wird in der Praxis in verschiedenen Arten der Mikrobearbeitung zur Herstellung von optischen Informationsaufzeichnungsmedien oder Halbleitervorrichtungen verwendet.
Ein herkömmliches Beispiel des Verfahrens zum Bilden eines Musters unter Verwendung des Resists wird mit Bezug auf 3 beschrieben werden, in der ein Verfahren zum Herstellen von optischen Informationsaufzeichnungsmedien veranschaulicht ist.
Als Erstes wird ein Prozess zum Herstellen eines Masters 305 beschrieben werden. Ein Aufzeichnungsmaster 303, der eine Resist-Schicht 302 aufweist, die auf einem Substrat 301 gebildet ist, wird einem Laserstrahl oder einem Elektronen strahl ausgesetzt, so dass ein gewünschtes Muster wie ein Führungsgraben oder Informations-Pits als ein latentes Bild 304 gebildet werden (3(A)). Der Aufzeichnungsmaster 303 wird nach der Belichtung entwickelt und das gewünschte Muster, das als das latente Bild 304 aufgezeichnet ist, wird zu Lands oder Pits, so dass der Master 305 hergestellt ist (3(B)). Hierbei zeigt 3 den Fall, dass das latente Bild als Pits gebildet ist. Es ist zu bemerken, dass bei dem Herstellungsprozess eines Masters für eine DVD oder ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium der nächsten Generation ein blauer Farblaser oder ein Ultraviolettstrahlenlaser eine weite Verbreitung bei der Belichtung und eine Alkalilösung eine breite Verwendung bei der Entwicklung finden.
Als Nächstes wird ein Herstellungsprozess eines Stempels 308 beschrieben werden. Eine leitfähige Schicht 306 wird auf dem Master 305 gebildet (3(C)), wonach eine Metallschicht 307 durch Beschichten gebildet wird, das die leitfähige Schicht 306 verwendet (3(D)). Dann wird lediglich die Metallschicht 307 oder die Metallschicht 307 zusammen mit der leitfähigen Schicht 306 von dem Master 305 entfernt und ein Formungsverfahren sowie ein Rückseitenpolieren oder Stanzen wird an der Metallschicht 307 durchgeführt, um so den Stempel 308 herzustellen.
Schließlich wird ein Disk-Substrat des optischen Informationsaufzeichnungsmediums 309 durch Spritzguss hergestellt, wobei der Stempel 308 verwendet wird (3(F)). Ein Resist der positiven Art wurde oben beschrieben. Die obige Beschreibung gilt jedoch ebenso für ein Resist einer negativen Art, mit der Ausnahme, dass die Pits und Lands an dem Master umgekehrt sind (siehe 3(E)).
Die obige Beschreibung eines Verfahrens zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums ist ein Beispiel für ein Verfahren des Herstellens eines Musters unter Verwendung eines Resists. Dieses Verfahren des Herstellens eines Musters ist ein Aufzeichnungsmedium der Photonenart, das ein Resist verwendet, das ein fotoempfindliches Material ist und eine fotochemische Reaktion während der Belichtung verwendet. Es gibt jedoch ein anderes Verfahren, bei dem ein wärmeempfindliches Material als das Resist verwendet wird und bei dem eine Wärmemodus-Aufzeichnung durchgeführt wird (siehe beispielsweise japanische ungeprüfte Patentoffenlegung Nr. H10-97738 ).
Ein Wärmemodus-Aufzeichnen ist ein Aufzeichnungsverfahren, das eine Zustandsänderung verwendet, die durch eine Temperaturänderung infolge einer Belichtung verursacht wird. Dieses Verfahren ermöglicht, dass die fotoempfindliche Änderung nur in einem Teil des belichteten Bereichs ausgeführt wird, indem eine spezifische Temperatur erreicht wurde. Unter Verwendung der gleichen Wellenlänge des Lichtes zur Belichtung ist es daher möglich, ein feineres Muster herzustellen, als durch Verwenden eines Photonenmodus-Aufzeichnens, bei dem eine fotoempfindliche Änderung über den gesamten belichteten Bereich kontinuierlich in Abhängigkeit von der Belichtungsintensität auftritt. Mit anderen Worten erlaubt ein Wärmemodus-Aufzeichnen die Bildung eines feinen Musters von Pits und Lands, das die gleiche Größe wie ein herkömmliches aufweist, allerdings unter Verwendung von Licht einer längeren Wellenlänge.
Bei Verfahren zum Herstellen eines Musters unter Verwendung eines Resists wurde in jüngster Zeit die Wellenlänge des Lichts, das zur Belichtung verwendet wird, kürzer, wie beispielsweise 248 nm oder 193 nm, um ein feineres Muster herzustellen. Darüber hinaus kann ebenso ein Elektronenstrahl zur Belichtung verwendet werden und die Benutzung und Herstellung eines Resists, einer Lichtquelle und optischer Komponenten wird schwieriger. In diesem Zusammenhang bestehen Bedürfnisse für ein Verfahren zum Bilden eines Musters unter Verwendung eines Resists durch Wärmemodus-Aufzeichnung, bei dem Licht einer längeren Wellenlänge verwendet werden kann, um ein feines Muster der gleichen Größe herzustellen.
Eine Idee besteht darin, eine Chalcogenverbindung, das ein wohl bekanntes Phasenänderungsmaterial ist, als ein potenzielles Resist zu verwenden, das eine Wärmemodus-Aufzeichnung ermöglicht (siehe beispielsweise japanische ungeprüfte Patentoffenlegung Nr. H10-97738 ). Es gibt jedoch kein Dokument, das ein spezifisches Resist und ein Verfahren zum Bilden eines Musters unter Verwendung einer Chalcogenverbindung klar beschreibt. Die vorliegenden Erfinder haben Telluroxid, was eine Chalcogenverbindung ist, bemerkt, und dessen Eigenschaften als ein Resist untersucht. Als ein Ergebnis wurde gefunden, dass das Material einen sehr geringen Kontrast hinsichtlich der Entwicklung hat, was bedeutet, dass wesentliche praktische Probleme hinsichtlich des Verhältnisses der verbleibenden Schicht und der Linienkantenrauigkeit bestehen.
JP 11-102540 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer optischen Disk, das einen Prozess umfasst, bei dem eine Fotoresistschicht der positiven Art auf der Hauptoberfläche eines Glassubstrats erzeugt wird, um eine Masterdisk zu bilden. Ein Laserstrahl wird auf die Fotoresistschicht fokussiert, um ein latentes Bild zu bilden, das aus feinen Ausnehmungen besteht. Die Masterdisk wird dann in Kontakt mit einer Alkalilösung gebracht, um den latenten Bildteil zu entfernen, und entwickelt und feine Ausnehmungen werden auf der Masterdisk gebildet. Die Masterdisk wird in einer Alkalilösung entwickelt, deren Normalität sich in einem Bereich von 0,17 N–0,21 N befindet.
EP 0 423 446 A1 offenbart eine Fotoazid erzeugende Fotoresistverbindung, die mit einem aromatischen heterocyclischen Multi-Ring-Sensibilisator, der Stickstoff enthält, sensibilisiert wird, vorzugsweise mit einem ring-erweiterten Phenothiazin-Derivat. Die Verwendung des Sensibilisators erlaubt ein Aussetzen von Fotoresisten zu Nah-UV-Bestrahlung, wobei derartige Fotoresiste zuvor mit extremer UV-Bestrahlung belichtet werden mussten.
Zusammenfassung der Erfindung
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist ein Resist bereitzustellen, das eine Wärmemodus-Aufzeichnung ermöglicht, eine hohe Umgebungswiderstandskraft aufweist, bei dem ein breiter Wellenlängenbereich verwendet werden kann, mit einem hohen Verhältnis von verbleibender Schicht während einer Entwicklung, einer geringen Linienkantenrauigkeit, und das mit einer herkömmlichen Entwicklungsausrüstung verwendet werden kann, ebenso wie ein Verfahren zum Bilden eines Musters unter Verwendung des obigen Resists und ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums unter Verwendung des Resists.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, ein Verfahren zum Bilden eines Musters, ein Master als solcher, ein Stempel, ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium und ein Resist gemäß der vorliegenden Erfindung werden beschrieben werden. Das Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums umfasst einen Resist-Schicht-Bildungsschritt des Verwenden eines Resist zum Bilden einer Resist-Schicht auf einer oberen Oberfläche eines Substrats, einen Belichtungsschritt zum ausgewählten Belichten der Resist-Schicht zum Verursachen einer Zustandsänderung in der Resist-Schicht und einen Entwicklungsschritt zum Durchführen eines Alkali-Entwicklungs-Prozesses an der Resist-Schicht nach dem Belichtungsschritt. Das Resist besteht vornehmlich aus einem anorganischen Material, das zumindest Te und O aufweist und ferner ein stabilisierendes Additiv aufweist, das eine geringere Löslichkeit als TeO₂ in einer basischen Umgebung besitzt.
Bei dem Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Aufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglichen das Te und TeO₂ ein Wärmemodus-Aufzeichnen, sind inert gegenüber Licht eines breiten Wellenlängenbereichs wie Sonnenlicht, besitzen eine Absorbanz in einem weiten Wellenlängenbereich von Vakuum-Ultraviolett bis Infrarot und ermöglichen eine Entwicklung durch ein Alkali. Darüber hinaus verbessert das stabilisierende Additiv die Widerstandskraft von unbelichteten Bereichen gegenüber einer Entwicklungslösung, so dass eine gute Musterbildung durchgeführt werden kann.
Das Resist enthält vorzugsweise Te und O in der Verbindungsformel TeO_x, wobei 0,3 ≤ x ≤ 1,7, und enthält bevorzugter Te und O in der Verbindungsformel TeO_x, wobei 0,8 ≤ x ≤ 1,4.
Als das stabilisierende Additiv enthält das Resist vorzugsweise zumindest ein Material, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, As, Se, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sb, Ta, W, Pt, Au, Bi und einer Kombination dieser Elemente. Besonders bevorzugt enthält das Resist als das stabilisierende Additiv zumindest ein Material, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Pd, Au, Pt, Cu, Sb, Bi, Si und einer Kombination dieser Elemente.
Das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs in dem Resist liegt bevorzugt im Bereich von 0,05–0,55 und besonders bevorzugt im Bereich von 0,15–0,50. Der Grund hierfür ist, dass der obige Bereich ein ausreichend hohes Verhältnis von verbleibendem Film bei einer Entwicklung und einer ausreichend geringen Linienkantenrauigkeit ermöglicht.
Bei dem Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Resist-Schicht in dem Resist-Schicht-Bildungsschritt vorzugsweise durch ein Vakuumverfahren gebildet. Ein Vakuumverdampfungsverfahren oder ein Sputter-Verfahren können als der Vakuumprozess verwendet werden, wobei das Sputter-Verfahren das am meisten bevorzugte Verfahren ist.
Beim Verfahren des Herstellens eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung wird in dem Entwicklungsschritt eine Alkalilösung als Entwicklungslösung verwendet. Es ist vorzuziehen, TMAH als das Alkali zu verwenden. Der Grund hierfür liegt darin, dass der Rückstand des belichteten Bereichs besonders gering ist, wenn TMAH verwendet wird. In diesem Fall liegt die Konzentration von TMAH vorzugsweise im Bereich von 0,02%–20%.
Beim Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung kann in dem Belichtungsschritt eine Wellenlänge von Licht, das zur Belichtung verwendet wird, irgendeine Wellenlänge sein, die von dem Resist der vorliegenden Erfindung absorbiert werden kann, obwohl Licht mit einer Wellenlänge von wenigstens zwischen 121–940 nm verwendet werden kann. Zusätzlich liegt die Dicke der Resist-Schicht vorzugsweise im Bereich von 5–200 nm.
Gemäß der vorliegenden Erfindung können ein Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, ein Verfahren zum Bilden eines Musters, ein Master selbst, ein Stempel, ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium und ein Resist erhalten werden, die eine Wärmemodus-Aufzeichnung ermöglichen, eine Verwendung von herkömmlicher Entwicklungsausrüstung ermöglichen und ein Resist aufweisen, das ein hohe Umgebungswi derstandskraft aufweist, das einen weiten Wellenlängenbereich absorbieren kann, ein hohes Verhältnis von verbleibender Schicht bei einer Entwicklung aufweist und eine geringe Linienkantenrauigkeit besitzt.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
1(A)–1(C) zeigen ein Verfahren zum Bilden eines Musters gemäß der vorliegenden Erfindung.
2 zeigt ein Belichtungsverfahren beim Verfahren zum Bilden eines Musters gemäß der vorliegenden Erfindung.
3 zeigt eine konventionelle Technik.
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
Im Folgenden werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben werden.
Ein Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums wird als ein Beispiel für das Resist und das Verfahren zum Bilden eines Musters gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet. Die Effekte des Resists und des Verfahrens zum Bilden eines Musters der vorliegenden Erfindung sind jedoch nicht auf diese Anwendung begrenzt. Natürlich können die Effekte der vorliegenden Erfindung nicht nur bei der Aufzeichnung eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums erhalten werden, sondern auch bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen und bei verschiedenen fotolithografischen Techniken.
(1) Resist-Schicht-Bildungsschritt
Wie in 1(A) im Querschnitt gezeigt, wird eine Resist-Schicht 102 auf einem Substrat 101 hergestellt, das aus irgendeiner Art von Glas, Silizium oder einem Harz hergestellt ist, und als ein Aufzeichnungsmaster 103 bezeichnet. Die Resist-Schicht 102 besteht vornehmlich aus einem Resist, das aus einem anorgani schen Material besteht, und das Resist enthält zumindest Te, O (im Folgenden wird die Kombination von Te und O als TeO_x bezeichnet) und ein stabilisierendes Additiv, das ein Material mit einer geringeren Löslichkeit in einer basischen Umgebung als TeO₂ ist. Die Resist-Schicht 102 wird durch einen Vakuumprozess wie ein Sputter-Verfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren gebildet. Es ist zu bemerken, dass der Aufzeichnungsmaster andere Elemente wie eine Schnittstellenschicht, eine thermische Isolationsschicht oder eine Reflexionsschicht aufweisen kann, solange er die oben beschriebene Struktur beibehält.
Das Substrat kann vorab mit einem Muster von Pits und Lands versehen werden, um so zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung verwendet zu werden, oder kann ein anderes Material als das oben beschriebene sein, solange es die Resist-Schicht nicht davon abhält, wie im Folgenden im Detail beschrieben gebildet zu werden.
Beim Verwenden eines Sputter-Verfahrens zum Bilden der Resist-Schicht kann ein Target mit der gleichen Zusammensetzung wie das gewünschte Resist verwendet werden, um so ein Sputtern unter einem Inertgas wie Ar oder Xe durchzuführen, oder ein Target von TeO_x und ein Target des stabilisierenden Additivs können individuell vorbereitet werden, um ein Co-Sputtern durchzuführen. Darüber hinaus kann hinsichtlich des TeO_x-Targets ein Target (das ein einzelnes Te-Target sein kann) mit einem geringeren Verhältnis von O als das Resist verwendet werden, indem O in das Inertgas (wie Ar oder Xe) gemischt wird, um so beispielsweise ein reaktives Sputtern durchzuführen. In ähnlicher Weise kann im Fall, dass ein Vakuumverdampfungsverfahren verwendet wird, die Dampfabscheidung von einem einzelnen Material oder einer Mehrzahl von Materialien durchgeführt werden. Beim Ausführen des Verfahrens der vorliegenden Erfindung ist ein Sputter-Verfahren zum Bilden einer Resist-Schicht zu bevorzugen (insbesondere ein reaktives Sputter-Verfahren zur Feinjustierung der Menge von O), da eine gleichmäßige amorphe Schicht einfach gebildet werden kann, eine Feinjustierung der Zusammensetzung (insbesondere Menge) einfach sein wird, wenig Staub erzeugt wird und ein stabile Schicht erzeugt werden kann. Die Effekte der vorliegenden Erfindung können jedoch durch irgendein anderes Verfahren erhalten werden, wie beispielsweise ein Sintern von Pulvermaterial. Es ist zu bemerken, dass die Zusammensetzung des Resists und seine Eigenschaften später im Detail beschrieben werden.
(2) Belichtungsschritt
Als Nächstes, wie in 1(B) gezeigt, wird ein latentes Bild 104 durch gezieltes Belichten des Aufzeichnungsmasters 103 aufgezeichnet, was im Detail mit Bezug auf 2 beschrieben werden wird. Ein Aufzeichnungsmaster 201 wird auf einem Rotationstisch 202 platziert und mit dem Rotationstisch 202 rotiert. Ein Aufzeichnungslicht, das von einer Lichtquelle 203 emittiert wird, wird durch eine Linse 204 auf eine Oberfläche des Aufzeichnungsmasters 201 fokussiert. Wenn nötig, kann das Aufzeichnungslicht in der Aufzeichnungslichtquelle 203 moduliert und abgelenkt werden. Während des Aufzeichnungsprozesses werden ein Aufzeichnungskopf 205 und der Rotationstisch 202 relativ und parallel zueinander bewegt, so dass ein spiralartiges Aufzeichnen an dem Aufzeichnungsmaster durchgeführt wird. Das Aufzeichnungslicht kann jedes Licht sein, das gezielt die Temperatur der Resist-Schicht erhöhen kann, obwohl ein Laserstrahl oder ein Elektronenstrahl infolge ihrer Fokussiereigenschaften und der Verfügbarkeit von reichlichen Peripherkomponenten ebenso für das Verfahren der vorliegenden Erfindung geeignet sind.
Es ist zu bemerken, dass, obwohl ein Verfahren zum Aufzeichnen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums oben als ein Beispiel des Belichtungsschritts bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung beschrieben wurde, irgendein anderes Verfahren wie Fotolithografie, das eine Temperatur des Resists durch eine gezielte Belichtung erhöhen kann, als das Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
(3) Entwicklungsschritt
Als Nächstes wird der Aufzeichnungsmaster unter Verwendung einer Alkalilösung wie Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH), KOH oder NaOH entwickelt. Ein herkömmliches Entwicklungsverfahren wie ein Sprayverfahren, ein Duschverfahren oder ein Pfützenverfahren kann für die Entwicklung verwendet werden, und daher kann herkömmliche Ausrüstung verwendet werden. Es ist zu bemer ken, dass, solange das Entwicklungsverfahren ein Alkali verwendet, der Effekt der vorliegenden Erfindung erhalten wird. Wie in 1(C) gezeigt, kann ein Master 105, auf dem das latente Bild 104 als ein Pit-Muster gebildet ist, mittels der Entwicklung hergestellt werden.
(Ausführungsform 1)
Das Resist der vorliegenden Erfindung arbeitet als ein Resist der positiven Art mittels des Alkali-Entwicklungsprozesses. Ein Mechanismus davon wird beschrieben werden und Details seiner Zusammensetzung werden mit Bezug auf Experimentalergebnisse beschrieben werden. Das Material TeO_x ist als ein Phasenänderungsmaterial wohl bekannt und wird beispielsweise bei einer optischen Disk der Art zum einmaligen Schreiben und mehrfachen Lesen vermarktet. Die vorliegenden Erfinder entdeckten das Phänomen, dass eine Alkalilöslichkeit von TeO_x durch eine Kristallisation infolge einer Belichtung erhöht wird, und einen Mechanismus hiervon. Die vorliegenden Erfinder haben ebenso gefunden, dass die Alkalilöslichkeit von unbelichteten Bereichen (unkristallisierten Bereichen) verringert wird, wenn ein stabilisierendes Additiv hinzugefügt wird, das ein Material mit einer geringeren Löslichkeit als TeO₂ in einer basischen Umgebung ist, und dass das Verhältnis der verbleibenden Schicht und die Linienkantenrauigkeit verbessert werden. Es wird angenommen, dass der Mechanismus wie folgt ist.
Das Material TeO in dem Resist der vorliegenden Erfindung befindet sich vor der Belichtung in einem amorphen Zustand, d. h. in einem Zustand, bei dem Te, das in Alkali unlöslich ist, und TeO₂, das in Alkali löslich ist, gleichmäßig gemischt sind. Wenn sich jedoch TeO₂, das an der Oberfläche des Resists vorhanden ist, in dem Alkali infolge des Alkali-Entwicklungs-Prozesses löst, erscheint schnell Te an der Oberfläche, so dass die Löslichkeit des Resists in Alkali relativ gering ist. Wenn das Resist der vorliegenden Erfindung durch Belichtung und Heizen geschmolzen und kristallisiert wird, verursachen Te und TeO₂ infolge ihrer geringen Phasenlöslichkeit eine Phasentrennung. Als ein Ergebnis wachsen Kristalle von Te und TeO₂ ist gleichmäßig verteilt, um die Lücken zwischen den Kristallen von Te zu füllen. Als Folge davon löst sich das gleichmäßig verteilte TeO₂ auf, wenn der Alkali-Entwicklungs-Prozess ausgeführt wird, und die Kristalle von Te, die ihre umgebenden Moleküle (TeO₂) verloren haben, lösen sich ebenso in die Alkalilösung auf. Daher kann das Resist der vorliegenden Erfindung als ein Resist der positiven Art mittels des Alkali-Entwicklungs-Prozesses arbeiten. Es wurde jedoch gefunden, dass das folgende Problem verbleibt, wenn ein Material aus lediglich TeO als das Resist verwendet wird.
Beim Bilden eines exzellenten Musters ist es vorzuziehen, dass das Resist während einer Entwicklung einen hohen Kontrast aufweist. Mit anderen Worten ist es vorzuziehen, dass das Resist an unbelichteten Bereichen eine geringe Löslichkeit in der Entwicklungslösung und eine hohe Löslichkeit in der Entwicklungslösung an belichteten Bereichen aufweist. Wenn diese zwei Präferenzen im Fall des Verwendens eines Resists, das aus TeO hergestellt ist, interpretiert und neu formuliert werden, werden die folgenden zwei Bedingungen offenbar.
(Erste Bedingung)
Es ist vorzuziehen, dass eine große Menge von Te in der Zusammensetzung des Resists enthalten ist, um die Löslichkeit in der Entwicklungslösung (Alkali) von unbelichteten Bereichen (unkristallisierten Bereichen) zu verringern.
(Zweite Bedingung)
Es ist vorzuziehen, dass ein geeigneter Wert des Zusammensetzungsverhältnisses von Te und TeO₂ vorliegt, um so die Löslichkeit in der Entwicklungslösung (Alkali) bei belichteten Bereichen (kristallisierten Bereichen) zu erhöhen.
Es wurde jedoch gefunden, dass es schwierig ist, diesen zwei Bedingungen zur gleichen Zeit gerecht zu werden, da das Zusammensetzungsverhältnis von Te, das die erste Bedingung erfüllt, die Menge an Te für die zweite Bedingung überaus groß macht. Daher könnte ein Resist, das lediglich aus TeO hergestellt ist, nicht ein gutes Verhältnis einer verbleibenden Schicht oder eine gute Linienkantenrauigkeit erreichen.
Entsprechend haben die vorliegenden Erfinder versucht, ein Material wie Pd, Au oder Pt, das eine geringere Löslichkeit in Alkali als TeO_x aufweist, als ein stabilisierendes Additiv hinzuzufügen, so dass das stabilisierende Additiv eine Rolle beim Verringern der Löslichkeit in Alkali an unbelichteten Bereichen (unkristallisierten Bereichen) spielt, während das Zusammensetzungsverhältnis von Te und TeO₂ auf einen Wert gesetzt wird, der zum Erhöhen der Löslichkeit in Alkali an belichteten Bereichen (kristallisierten Bereichen) geeignet ist. Als ein Ergebnis war es möglich, eine Entwicklung mit einem hohen Kontrast durchzuführen. Daher konnte ein gutes Verhältnis von verbleibender Schicht und eine gute Linienkantenrauigkeit realisiert werden. Das stabilisierende Additiv wird lediglich benötigt, um den Effekt der Verringerung der Löslichkeit in Alkali bei den unbelichteten Bereichen zu haben. Daher wird angenommen, dass jedes Material mit einer geringeren Löslichkeit in Alkali als TeO₂, das für die Löslichkeit in Alkali an den unbelichteten Bereichen verantwortlich ist, als das stabilisierende Additiv verwendet werden kann.

Bei einem Musterbildungsexperiment wurde ein Resist unter Verwendung von Pd als dem stabilisierenden Additiv als eine Resist-Schicht mit einer Dicke von 60 nm auf einem Quarzsubstrat gebildet. Das Ergebnis des Verhältnisses von verbleibender Schicht und der Linienkantenrauigkeit ist in Tabelle 1 gezeigt. [Tabelle 1]

Mischungsverhältnis des Additivs	Verhältnis der verbleibenden Schicht	Linienkantenrauigkeit
0,00	0,13	schlecht
0,05	0,31	akzeptabel
0,10	0,61	akzeptabel
0,15	0,89	gut
0,20	0,92	gut
0,25	0,91	gut
0,30	0,93	gut
0,35	0,95	gut
0,40	0,95	gut
0,45	0,98	gut
0,50	0,99	gut
0,55	0,98	gut
0,60	0,98	-
0,65	0,99	-

Es ist zu bemerken, dass das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs ausgedrückt wird durch (die Anzahl von Atomen des stabilisierenden Additivs in dem Resist)/(die Summe der Anzahl von Atomen von Te und der Anzahl von Atomen des stabilisierenden Additivs in dem Resist).
Aus den verschiedenen Bedingungen des Mischungsverhältnisses des stabilisierenden Additivs wird die Zusammensetzung von O in dem Resist so gewählt, dass sie die ist, bei der das am meisten zu bevorzugende Muster gebildet wurde (ein gutes Ergebnis wurde erhalten, als x in TeO_x innerhalb des Bereichs von 0,3–1,7 war). Die Belichtung wurde gezielt ausgeführt unter Verwendung eines Lasers mit einer Wellenlänge von 405 nm, einer Bestrahlungsintensität auf dem Resist innerhalb des Bereichs 0,1–2,0 mJ/m und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,95, um so eine Serie von langen und kurzen Pits zu bilden, bei einer minimalen Pitlänge von etwa 100 nm und einem Spurabstand von 320 nm in einer Spirale. Bei dem Entwicklungsprozess wurde aus den verschiedenen Bedingungen des Mischungsverhältnisses des stabilisierenden Additivs der Konzentrationswert von TMAH ausgewählt, bei dem das beste Muster erreicht wurde (ein gutes Ergebnis wurde bei einer Konzentration innerhalb des Bereichs von 0,02%–20% erreicht).
Das Verhältnis von verbleibender Schicht wird durch (einer Schichtdicke in dem unbelichteten Bereich nach der Entwicklung)/(einer Schichtdicke in dem belichteten Bereich nach der Entwicklung).
Die Linienkantenrauigkeit ist definiert durch (der maximale Wert einer Pitbreite) – (der minimale Wert einer Pitbreite), bei einem Pit, der ausreichend lang ist, um als Linie betrachtet zu werden. Das Beurteilungsergebnis der Linienkantenrauigkeit wird mit den drei Noten "gut, akzeptabel und schlecht" gezeigt: "gut" bezeichnet eine gute Linienkantenrauigkeit, die geringer als 20 nm ist, "akzeptabel" bezeichnet eine akzeptable Linienkantenrauigkeit, die innerhalb des Bereichs von 20–60 nm liegt, und "schlecht" bezeichnet eine unakzeptable Linienkantenrauigkeit, die gleich oder größer als 60 nm ist.
Obwohl die Belichtung bei diesem Experiment unter Verwendung einer Lichtquelle mit der Wellenlänge von 405 nm und einer Bestrahlungsintensität auf dem Resist innerhalb des Bereichs von 0,1–2,0 mJ/m durchgeführt wurde, ist zu bemerken, dass das Verfahren der vorliegenden Erfindung nicht auf diese Werte von Wellenlänge und Intensität des Lichts, das zur Belichtung verwendet wird, beschränkt ist. Es wurde durch Experimente unter Verwendung von beispielsweise einer Deuteriumlampe, Halbleiterlasern oder Gaslasern verschiedener Wellenlängen bestätigt, dass das Resist der vorliegenden Erfindung eine Empfindlichkeit innerhalb des Bereichs von 121 nm–940 nm aufweist. Bei einer Wärmemodus-Aufzeichnung hängt ein Belichtungslicht nicht direkt von der Wellenlänge selbst ab, solange es die Temperatur erhöhen kann. Die Effekte der vorliegenden Erfindung können unter Verwendung von Licht oder Bestrahlungsstrahlen irgendeiner Wellenlänge erreicht werden. Zusätzlich ist die Dicke der Resist-Schicht nicht auf 60 nm beschränkt, obwohl gefunden wurde, dass eine Resist-Schicht mit einer Dicke innerhalb des Bereichs von 5–200 nm ohne irgendein Problem verwendet werden kann. Je dünner die Dicke der Resist-Schicht ist, desto feiner ist das Muster, das gebildet werden kann. Eine Mustergröße, die bereits experimentell bestätigt wurde, weist eine Linienbreite von 17 nm und einen Lochdurchmesser von 24 nm auf. Es besteht jedoch kein Beleg für die Auflösungsgrenze des Resists, so dass angenommen wird, dass ein feineres Muster durch Optimieren der Belichtungswellenlänge und des optischen Systems gebildet werden kann. Hinsichtlich der Zusammensetzung des Resists ist es zu bevorzugen, dass ein Absorptionskoeffizient des Resists größer ist, wenn die Dicke der Resist-Schicht klein ist. Daher ist es gut, die Menge an O in der Zusammensetzung des Resists zu verringern. Im Gegenteil ist es vorzusehen, dass ein Absorptionskoeffizient des Resists kleiner ist, wenn die Dicke der Resist-Schicht groß ist. In diesem Fall ist es gut, die Menge an O in der Zusammensetzung des Resists zu erhöhen.
Wie klar aus Tabelle 1 zu ersehen ist, kann der Effekt des Erhöhens des Verhältnisses von verbleibender Schicht verlässlich erreicht werden, wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs größer oder gleich 0,05 ist, und der Effekt des Erhöhens des Verhältnisses der verbleibenden Schicht kann sogar noch weiter verbessert werden, wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs größer oder gleich 0,15 ist. Wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs größer oder gleich 0,05 ist, ist zusätzlich die Linienkantenrauigkeit verbessert. Wenn jedoch das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs gleich oder größer als 0,55 ist, wird ein Abfall in der Empfindlichkeit des Resists beobachtet. Wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs gleich oder größer 0,6 ist, konnte die Belichtung nicht eine Kristallisierung erzeugen.
Gemäß den oben beschriebenen Experimentalergebnissen kann der Effekt der vorliegenden Erfindung erreicht werden, wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs zumindest innerhalb des Bereichs von 0,05–0,55 ist und der Effekt der vorliegenden Erfindung kann erhöht werden, wenn es in dem Bereich von 0,15–0,50 ist. Es wird jedoch angenommen, dass der Effekt der vorliegenden Erfindung erhalten werden kann, auch wenn das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs gleich oder größer als 0,60 ist, wenn ein Abfall der Empfindlichkeit des Resists nicht von Bedeutung ist.
Außer Pd gibt es weitere stabilisierende Additive, die ermöglichen, dass der Effekt der vorliegenden Erfindung erhalten wird, einschließlich von Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, As, Se, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sb, Ta, W, Pt, Au, Bi und Oxide, Nitride und Ähnliches dieser Elemente. Aus diesen sind stabilisierenden Additive, die ermöglichen, dass ein besonders großer Effekt der vorliegenden Erfindung erreicht wird, Pd, Au, Pt, Cu, Sb, Bi, Si und Verbindungen wie Oxide, Nitride und Ähnliches dieser Elemente. Jedes weist eine geringe Löslichkeit in Alkali auf und es wird angenommen, dass es den Effekt des Verringerns der Löslichkeit in Alkali bei unbelichteten Bereichen des Resists der vorliegenden Erfindung hat.
(Ausführungsform 2)
Als Nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums unter Verwendung des Resists und das Verfahren zum Bilden eines Musters der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf detailliertere Daten beschrieben werden. Es ist zu bemerken, dass Schritte vor dem Herstellen des Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums wie oben beschrieben sind und dass die folgende Beschreibung lediglich ein Beispiel des obigen Verfahrens ist. Die folgende Beschreibung begrenzt nicht den Bereich der Anwendung des Verfahrens der vorliegenden Erfindung. Ein Resist von TeO_xPd_y wurde zu einer Dicke von 60 nm auf einem Substrat, das aus Quarzglas mit einem Durchmesser von 200 mm und einer Dicke von 5 mm hergestellt ist, gebil det. Das Resist wurde gebildet unter Verwendung eines Targets, das eine Mischung von Te und Pd bei dem Verhältnis von 74 zu 26 ist, und einer Gasmischung von Ar und 0 durch das reaktive Sputter-Verfahren gebildet, um so einen Aufzeichnungsmaster herzustellen. Der Druck innerhalb der Vakuumkammer betrug während des Sputterns 2 mTorr und der Partialdruck von 0 betrug 0,6 mTorr. Besonders gute Eigenschaften konnten erreicht werden, wenn x innerhalb des Bereichs 0,8–1,4 war, während y etwa 26/74 war.
Unter Verwendung dieses Aufzeichnungsmasters, eines Lasers mit der Wellenlänge 405 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,95 wurde eine Serie von langen und kurzen Pits mit der minimalen Pitlänge von etwa 100 nm gezielt durch das Aufzeichnungsverfahren belichtet, das oben mit Bezug auf 2 erläutert wurde. Das Signalmodulationsmuster war 1–7 pp, eine Länge des Signals 2T (was der kürzeste Pit war) wurde auf 149 nm gesetzt und der Spurabstand wurde auf 320 nm eingestellt (dies entspricht einer 25-GB-Speicherkapazität pro Schicht bei einem optischen Informationsaufzeichnungsmedium mit dem Durchmesser von 120 mm). Es ist zu bemerken, dass ein gutes Muster gebildet werden konnte, indem eine Resist-Schicht mit der gleichen Zusammensetzung und der gleichen Dicke verwendet wurde und indem die physikalische minimale Pitlänge auf 50 nm und der Spurabstand auf 100 nm eingestellt wurde. Es ist zu bemerken, dass keine Grenze für die Dicke des Resists zum Bilden größerer Muster besteht, soweit es die Belichtungsvorrichtung erlaubt. Wenn die Dicke der Resist-Schicht verringert wird, kann natürlich ein feineres Muster gebildet werden.
Als Nächstes wurde eine Entwicklung für 60 Sekunden unter Verwendung von 2,4% TMAH durchgeführt, um so einen Master eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums mit einem Muster von Lands und Pits mit einer Höhe von 55 nm herzustellen. Es wurde gefunden, dass eine Konzentration von TMAH innerhalb des Bereichs von 0,2%–4% keine Änderung in dem Muster von Pits und Lands auf dem Master oder in dem Verhältnis von verbleibender Schicht verursacht, und dass das Resist der vorliegenden Erfindung einen sehr großen Entwicklungsspielraum im Vergleich zu dem herkömmlichen Resist aufweist. Zusätzlich war bei einem anderen Resist der vorliegenden Erfindung mit einer anderen Zusammensetzung bei einem Bereich der Konzentration der Entwicklungslösung, der die gleichen Entwicklungseffekte hatte, der Maximalwert des Bereichs etwa zehnmal so groß wie der Minimalbereich. Es ist zu bemerken, dass der Absolutwert der Konzentration von dem oben beschriebenen abweichen kann. Ebenso war für einen Bereich von Entwicklungszeiten, in dem das Entwicklungsergebnis sich nicht ändert, der Maximalwert des Bereichs mehr als zweimal so groß wie der Minimalwert. Hinsichtlich der Umgebungswiderstandskraft des Resists der vorliegenden Erfindung hat es darüber hinaus exzellente Eigenschaften und der Entwicklungsprozess wird nach einer Belichtung durch Sonnenlicht oder einem Lagern unter Atmosphäre bei Umgebungstemperatur für sechs Monate nicht beeinflusst.
Das Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums von einem Master, der wie oben beschrieben hergestellt wurde, ist eine konventionelle Technik, so dass sie im Folgenden nur kurz beschrieben wird. Eine Metallschicht wird auf dem Master durch Beschichten mit Ni oder Ähnlichem gebildet und die Metallschicht, die von dem Master entfernt wird, wird verarbeitet und geformt, um so einen Stempel herzustellen. Unter Verwendung einer Spritzgusstechnik wird das Muster von Pits und Lands dieses Stempels auf ein Disksubstrat übertragen, das aus Polycarbonat hergestellt ist und einen Durchmesser von 120 mm und eine Dicke von 1,1 mm aufweist. Es ist zu bemerken, dass andere Harze wie Acrylharz als das Material des Disksubstrats verwendet werden können und dass der Durchmesser und die Dicke des Disksubstrats irgendeinen Wert annehmen können. Unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens oder eines Dampfabscheidungsverfahrens wird darüber hinaus eine Reflexionsschicht, die aus Ag hergestellt ist, auf dem Muster von Pits und Lands dieses Disksubstrats gebildet. Dann wird ein ultraviolett härtendes Harz auf die Reflexionsschicht durch ein Spin-Coating-Verfahren aufgebracht und das Harz durch ultraviolette Strahlen gehärtet, womit eine Schutzschicht mit einer Dicke von 0,1 mm gebildet wird, was die Herstellung des optischen informationsaufzeichnungsmediums abschließt. Es ist zu bemerken, dass ein Material, wie Au, Al oder Si, das eine hohe Reflektivität aufweist, für die Reflexionsschicht verwendet werden kann und dass Harzschichten von Polycarbonat oder Acrylharz mittels einer Klebefolie für die Schutzschicht zusammengebracht werden können. Wenn eine Signalwiedergabe von der der Schutzschicht gegenüberliegenden Seite ausgeführt wird, kann zusätzlich ein undurchsichtiges Material für die Schutzschicht verwendet werden.
Das optische Informationsaufzeichnungsmedium, das in dieser Weise hergestellt wurde, wurde hinsichtlich des Jitters der wiedergegebenen Signale unter Verwendung eines Wiedergabelichts mit einer Wellenlänge von 405 nm und einer Objektivlinse mit einer NA von 0,85 untersucht. Als ein Ergebnis dieser Untersuchung wurde eine sehr gute Signalcharakteristik erhalten, die 5,7% betrug, wenn ein Grenz-Equalizer verwendet wurde. Es ist zu verstehen, dass, wenn der Jitter-Wert des wiedergegebenen Signals unter den oben erwähnten Bedingungen 6,5% oder weniger beträgt, dieser ausreichend klein für eine praktische Verwendung ist.
(Andere Ausführungsformen)
Es ist zu bemerken, dass obwohl ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium einer Nur-Lese-Art in der obigen Beschreibung des Herstellungsverfahrens erläutert wurde, das Verfahren der vorliegenden Erfindung ebenso auf ein Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums der beschreibbaren Art angewendet werden kann. In diesem Fall kann anstelle der oben erwähnten Reihe von kurzen und langen Pits ein Führungsgraben gezielt belichtet werden und eine Aufzeichnungsschicht, die aus einem Phasenänderungsmaterial hergestellt ist, zusätzlich zu der oben erwähnten Reflexionsschicht gebildet werden. Das Verfahren zum Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung hat jedoch einen maximalen Effekt, wenn ein Muster unter Verwendung des Resists der vorliegenden Erfindung gebildet wird. Solange ein Muster von Pits und Lands, das durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung gebildet ist, direkt oder indirekt auf das optische Informationsaufzeichnungsmedium übertragen wird, können jegliche Strukturen und jegliche Elemente der Reflexionsschicht und der Aufzeichnungsschicht des optischen Informationsaufzeichnungsmediums angenommen werden. Die Bildung eines Führungsgrabenmusters ist zudem einfacher als die Bildung eines Musters von Pits mit derselben Breite. Wenn das Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums (das durch Erläutern eines Mediums der Nur-Lese-Art beschrieben wurde) verwendet wird, kann daher ein Master mit einer höheren Dichte und dann ebenso ein optisches Informationsaufzeichnungsmedium hergestellt werden.
Das Resist, das Verfahren zum Bilden eines Musters und das Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums gemäß der vorliegenden Erfindung haben die Effekte, dass ein feineres Muster als das des Photonenmodus-Aufzeichnungsverfahrens gebildet werden kann, unter Verwendung einer Lichtquelle der gleichen Wellenlänge, und dass eine hohe Umgebungswiderstandskraft erhalten werden kann. Die vorliegende Erfindung ist nützlich für mikrobearbeitende Prozesse in der Größenordnung von Nanometern, wie dem Herstellen eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, einer Halbleitervorrichtung, einer Anzeigetafel oder einer Mikromaschine.

Claims

Verfahren zum Herstellen eines Masters eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, mit den Schritten: Resist-Schicht-Bildungsschritt des Verwendens eines Resists zum Bilden einer Resist-Schicht auf einer oberen Oberfläche eines Substrats, Belichtungsschritt zum ausgewählten Belichten der Resist-Schicht zum Verursachen einer Zustandsänderung in der Resist-Schicht, und Entwicklungsschritt zum Durchführen eines Alkali-Entwicklungs-Prozesses an der Resist-Schicht nach dem Belichtungsschritt, wobei das Resist vornehmlich aus einem anorganischen Material besteht, das zumindest Te, O und ein stabilisierendes Additiv enthält, das eine geringere Löslichkeit als TeO₂ in einer basischen Umgebung besitzt.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Kombination von Te und O in dem Resist durch die Verbindungsformel TeO_x ausgedrückt ist, wobei 0,3 ≤ x ≤ 1,7.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Kombination von Te und O in dem Resist durch die Verbindungsformel TeO_x ausgedrückt ist, wobei 0,8 ≤ x ≤ 1,4.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das stabilisierende Additiv des Resists zumindest ein Material enthält, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, As, Se, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sb, Ta, W, Pt, Au, Bi und einer Kombination dieser Elemente.
Verfahren nach Anspruch 4, wobei das stabilisierende Additiv des Resists zumindest ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Pd, Au, Pt, Cu, Sb, Bi, Si und einer Kombination dieser Elemente.
Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs innerhalb des Bereichs von 0,05 bis 0,55 liegt.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs innerhalb des Bereichs von 0,15 bis 0,50 liegt.
Verfahren nach einem Ansprüche 1 bis 7, wobei die Resist-Schicht in dem Resist-Schicht-Bildungsschritt durch ein Vakuumverfahren gebildet wird.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Vakuumverfahren in dem Resist-Schicht-Bildungsschritt ein Sputter-Verfahren verwendet.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei in dem Entwicklungsschritt der Alkali-Entwicklungs-Prozess eine Entwicklungslösung verwendet, die TMAH enthält.
Master eines optischen Informationsaufzeichnungsmediums, wobei der Master mit einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt ist.
Stempel, der unter Verwendung eines Masters gemäß Anspruch 11 hergestellt ist.
Optisches informationsaufzeichnungsmedium, das unter Verwendung eines Stempels gemäß Anspruch 12 hergestellt ist.
Resist mit einem anorganischen Material, das zumindest Te, O und ein stabilisierendes Additiv enthält, das eine geringere Löslichkeit als TeO₂ in einer basischen Umgebung besitzt.
Resist nach Anspruch 13, wobei die Kombination von Te und O durch die Verbindungsformel TeO_x ausgedrückt ist, wobei 0,3 ≤ x ≤ 1,7.
Resist nach Anspruch 15, wobei die Kombination von Te und O durch die Verbindungsformel TeO_x ausgedrückt ist, wobei 0,8 ≤ x ≤ 1,4.
Resist nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das stabilisierende Additiv zumindest ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Mg, Si, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, As, Se, Y, Nb, Mo, Tc, Ru, Rh, Pd, Ag, Cd, In, Sb, Ta, W, Pt, Au, Bi und einer Kombination dieser Elemente.
Resist nach Anspruch 17, wobei das stabilisierende Additiv zumindest ein Material aufweist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Pd, Au, Pt, Cu, Sb, Bi, Si und einer Kombination dieser Elemente.
Resist nach Anspruch 17 oder 18, wobei das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs innerhalb des Bereichs von 0,05 bis 0,55 liegt.
Resist nach Anspruch 19, wobei das Mischungsverhältnis des stabilisierenden Additivs innerhalb des Bereichs von 0,15 bis 0,50 liegt.
Verfahren zum Bilden eines Musters, mit: einem Resist-Schicht-Bildungsschritt des Verwendens eines Resists nach einem der Ansprüche 14 bis 20 zum Bilden einer Resist-Schicht auf einer oberen Oberfläche eines Substrats, einem Belichtungsschritt zum ausgewählten Belichten der Resist-Schicht zum Verursachen einer Zustandsänderung in der Resist-Schicht, und einem Entwicklungsschritt zum Durchführen eines Alkali-Entwicklungs-Prozesses an der Resist-Schicht nach dem Belichtungsschritt.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Mischungsverhältnis von TeO_x innerhalb des Bereichs von 0,45 bis 0,95 liegt.