TW539915B - Exposure method and apparatus for producing a hologram mask and recording method using the hologram mask - Google Patents

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539915 A7 ----~~----21__ 五、發明說明（1 ) [發明所屬技術領域] 本發明為一種關於在半導體積體電路或液晶顯示裝置 等之製造中，用以製作光蝕刻步驟中所使用之曝光用全像 光罩之曝光方法及裝置，以及使用全像光罩之記錄方法。 [習知之技術] 藉由近接式曝光、透鏡投影曝光或鏡面投影曝光等， 將曝光用光罩之曝光圖案直接成像在被曝光物之記錄方法 中’具有與曝光光波長度相同程度之線寬的曝光圖案之解 像’為了解決因光衍射現象所造成的困難（所謂衍射效率 界限）之不良情況，而有一種記錄方法，該方法係使用具 有稱之為移相器之相位調製層的移相光罩。 在使用如此之移相光罩之記錄方法中，例如在移相光 罩所形成之2個接近的光穿透部之一方形成移相器，若使 透過兩光穿透部之光相位互相逆向，由於藉由逆相位互相 干擾的衍射光會互相抵消，因而會緩和衍射界限，提高對 被曝光物之成像解像度。 但是，使用移相光罩之記錄方法中，由於使用透鏡光 學系統作為成像光學系統，因此該透鏡光學系統之像差及 開口數會對成像之解像度造成影響，且限制最終獲得之成 像解像度。 為了解決因如此之成像用透鏡光學系統之像差及開口 數而造成限制成像解像度之不良情況，有一種方法，係使 用形成有包含移相光罩之曝光圖案資訊的干擾紋之全像光 罩，並將雷射光照射在全像光罩，藉由將經由全像光罩之 紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·____ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

ϋ n n I H ϋ ϋ I I n ϋ I I I ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ I* ϋ ϋ ϋ n I I ϋ ϋ I 314082 539915 A7 五、發明說明（2 ) 干擾紋的光，成像在被曝光物之方式，將具有移相光罩之 曝光圖案資訊的圖案形成在被曝光物。 使用如此之全像光罩之記錄方法中，在全像光罩與被 曝光物之間’無論裝設有透鏡等光學系統之情況或未裝設 之情況’均可獲得原理上無像差之成像，同時因為容易獲 得高開口數（NA )因而可獲得高解像度之成像。 [發明所欲解決之問題] 但是，全像光罩之製作係藉由將原版之移相光罩資訊 記錄在全像材料之方式而進行，且具有該移相光罩製作困 難之問題。 本發明之目的，係在全像光罩之製作中，使移相光罩 資訊容易地記錄在全像材料。 [解決問題之方法、作用及效果] 本發明之全像光罩製作用之曝光方法，係一種使用複 數：原版光罩，將形成在各原版光罩之光調製層的光穿透 遮敝圖案曝光在相同的全像材料，以製作具有干擾紋之全 像光罩之曝光方法，該干擾紋包含有光穿透率及相位相關 之調製資訊，且包含：第！曝光步驟，使用經由第i前述 原版光罩，而照射在前述全像材料之第1物體光以及不經 由前述第1原版光罩，而照射在前述全像材料之第ι參昭 前述第丨原版光罩之前述光穿透韻㈣曝光在前 述：像材料；第2曝光步驟，係連續在前述第光步驟 :::;1 吏用經由第2前述原版光罩而照射在前述全像材 體光以及不經由前述第2原版光罩，而照射在 本紙張尺度祕⑵G Χ 297公6 2 訂 線 314082 539915 B7 五、發明說明（3 ) 之第2參照光’在從光源到達前述全像材料 2先程的任忍位置中’為了使前述第i物體光與前述第i 參照光之間的第彳j / i 第1相位差，及前述第2物體光與前述第2 、…^之間的第2相位差相異’而改變前述第2相位差， 並將别述第2原版光罩之前述光透過遮蔽圖案曝光在前述 全像材料。 依據如此之全像光罩製作用之曝光方法，帛1曝光步 驟中記錄在全像材料之資訊包含第1原版光罩之光透過遮 蔽圖案貧訊，第2曝光步驟中記錄在全像材料之資訊包含 第2原版光罩之光透過遮蔽圖案資訊和有關相位之調製資 訊。 例如關於移相光罩曝光圖案之光穿透遮蔽之圖案，適 當地分配在第1原版光罩和第2原版光罩，在第2曝光步 驟中，若改變第2相位差，俾與移相光罩之移相器的相位 調製資訊相對應，則第i曝光步驟中記錄在全像材料之資 訊，以及第2曝光步驟中記錄在全像材料且包含有關相位 之調製資訊之資訊，會藉由2次曝光記錄在全像材料。 包含移相光罩之相位差的圖案，由於分配在第丨原版 光罩和第2原版光罩’以作為光穿透遮蔽圖案，因此與將 移相光罩作為原版使用時相比較，必要之原版光罩片數會 增加，但不須製作移相光罩。 消 改變前述相位差之步驟，以可具備改變光之至少一方 的光程長度之步驟為佳，該光程係從前述光源經由前述第 I 2原版光罩到達前述全像材料之^程，及從前述光源不經 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公髮7" 3 314082 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 539915 五、發明說明（4 ) 由刚述第2原版光罩且到達前述全像材料之光程。改變如 此之相位差的步驟中，會調製光程長度改變之光相位，並 變更第2相位差。 、將前述光穿透遮蔽圖案，作為包含複數個光穿透部和 複數個光遮蔽部之圖案，該複數個光穿透部係具有預定寬 度尺寸之帶狀光穿透部且配設成紋路狀，該複數個光遮蔽 部係配設在該複數個光穿透部間之帶狀；將前述第丨原版 光罩之前述光穿透部對應在藉由前述第2原版光罩之前述 光遮蔽部所遮蔽之區域的至少一部分，使前述第ι相位差 與，述第2相位差之間之相異成為大約τ亦可。因此，藉 由交互配設成紋路狀之帶狀複數個光穿透部和光遮蔽部， 而將具有減少之空間頻率之圖案資訊和2種波互相形成逆 純的資訊’記錄在全像材料。如此之移相光罩一般稱為 「涉谷雷班森型」。 再者’亦可包含衍射效率變更步驟，其係使在前述第 1曝光步驟中形成在前述全像材料之第i干擾紋所造成之 何射效率，和在前述第2曝光步驟中形成在前述全像材料 之第2干擾紋所造成之衍射效率之間產生差異。藉由包含 上述衍射效率變更步驟之士 +變更/驟之曝先方法’可製作-種全像光 罩，八具備與移相光罩之光半穿透性之移相器所且有之功 能相同的功能。如此之移相光罩—般稱為「半色調㈣卜 tone)型」。 前述衍射效率變更步驟’亦可具備:光強度減少步驟， 糸在則述先源^版光罩減少’使相對於參照

Μ氏張尺度_ τ關家標準（CNS)A4麟⑵Q 314082 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 539915 五、發明說明（5 ) 之物體光的光強度比減少至比用來將前述衍射效率設定成 最大時所需之光強度比小；或曝光量調整步驟，其係將賦 予前述全像材料之曝光量調整成比用來將前述衍射效率設 定成最大時所需的曝光量小。藉由包含有具備上述光強度 減少步驟或曝光量調整步驟的衍射效率變更步驟之曝光方 法’可製作一種全像光罩，其具備與移相器所具有之功能 相同的功能，該移相器具有移相光罩之各種光穿透率。 最終形成於前述全像材料的干擾紋，包含具有預定寬 度尺寸之帶狀光穿透性部分以及半光穿透性部分交替並列 的紋路狀，前述第1原版光罩及前述第2原版光罩具有前 述光遮蔽部，其係對應在前述全像材料之前述紋路之前述 光半穿透性部分或前述光穿透性部分，前述第1原版光罩 之前述光穿透部，係對應在藉由前述第2原版光罩之前述 光遮蔽部所遮蔽之區域的至少一部分，使前述第1相位差 與前述第2相位差之相異成為大約π，且具備使前述全像 材料之衍射效率變更成在前述光半穿透性部分變小的衍射 效率變更步驟亦可。因此，可製作一種全像光罩，其具備 與移相器所具有之功能相同的功能，該移相器具有移相光 罩之各種光穿透率。 前述全像材料，亦可形成前述第1曝光步驟及前述第 2曝光步驟之兩方所使用的同一感光臈或感光層，亦可形 成分別使用在前述第1曝光步驟及前述第2曝光步驟之不 同感光膜或感光層。 用以製作本發明之全像光罩之曝光裝置，係一種用以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q—χ 297公餐y ---— 一 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 籲 I — I I I I I β * — — — — — — — — — — — — — — — — — — —— — — — 1 — — — — — —喔 539915 B7 五、發明說明（6 ) = Ϊ之曝光裝置，該全像光罩具有干擾紋，其包 複相位相關之調製資訊，該曝光裝置係使用 it ίί ^ F. 4, . ^成在各原版光罩之光調製層的光穿 案曝光在相同的全像材料，在連續之至”種 曝先中，為了使第1相位差和第2相位差相異，而且備右 用以於在從光源到達前述全像材料之光程的任意位置上改 變=第2相位差的相位調製機構，該第1相位差係位於丨參 經由先進行之第丨曝光中 述全像材料之m“ 罩而照射在前 2㈣科之第1物體光、與不經由前述第！原版光罩而 在則遑全像材料之第1參照光之間，而該第2相位差 係位於經由接著進行之第2曝光中之前述第2原版光罩而 照射在前逑全像材料之第2物體光、與不經由前述第2原 版光罩而照射在前述全像材料之第2參照光之間。 依據如此之全像光罩製作用之曝光裝置，藉由第！曝 光記錄在全像材料之資訊包含有第1原版光罩之光穿透遮 蔽圖案資訊，藉由第2曝光記錄在全像材料之資訊包含有 第2原版光罩之光牙透遮蔽圖案資訊及有關相位之調製資 訊。 、 使用本發明之全像光罩之記錄方法，包含有：預備曝 光步驟’其係使用複數個原版光罩，將形成在各原版光罩 之光調製層的光穿透遮蔽圖案曝光在相同的全像材料，用 以製作一種全像光罩，其具有包含光穿透率和相位相關之 調製貝讯的干擾紋；以及正式曝光步驟，其藉由對前述全 ^像光罩之光照射’將有關前述光穿透率及相位之調製資訊 t氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（½ x 297公爱）— 、 6 314082 539915 A7 B7 五、發明說明（7 ) 記錄在被曝光物；前述預僙曝光步驟包含： :備至少第1原版光罩和第2原版光罩;W副曝光步驟， !用第1參照光，經由前述第1原版光罩，不經由照射在 像材料之第1物體光和前述第1原版光罩，而昭射 2前述全像材料將前述第1原版光罩之前述光穿透遮蔽圖 〃曝先在前述全像材料；以及第2副曝光步驟，其係接續 在前述第1曝光步驟之第2曝光步驟，使用經由前述第2 原版光罩而照射在前述全像材料之第2物體光以及不經由 前述第2原版光罩而照射在前述全像材料之第2參照光， 在從光源到達前述全像材料之光程的任意位置中，改變前 述第2相位差，俾使則述第^體光與前述第1參照光之 間的第1相位差，及述第2物體光與前述第2參照光之間 的^ 2相位差相異，並將前述第2原版光罩之前述光穿透 遮蔽圖案曝光在前述全像材料。 線 依據使用如此之全像光罩之記錄方法，藉由第】副曝 光步驟記錄在全像材料之資訊包含有第U版光罩之光穿 透遮蔽圖案資訊，藉由第2副曝光步驟記錄在全像材料之 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 資訊包含有第2原版光罩之光穿透遮蔽圖案資訊及有關相 位之調製資訊。 若使用如此之全像光罩，藉由對該全像光罩之光照 射，若將有Μ穿透率及相位之調冑資訊記錄在被曝光 物，則藉由移相光罩所具有之效果，可提高成像圖案之解 像度。 [發明之實施型態] 本i氏翻中關家標準（CNS)A4規格⑽χ 297公餐了 7 314082 539915 A7 --—-----B7___ 五、發明說明（8 ) " ^ 參照第i圖說明本發明之全像光罩製作用之曝光裝 置。第1圖所示之曝光裝置係全像光罩製作用之曝光褒置 之一種實施例，亦可使用其他曝光裝置。 第1圖中’曝光裝置10包含有：光源12;聚光光與 系統24,其係將從光源12導入且經由原版光罩14之^ 16’當作物體光22聚焦在全像材料18之感光材料2〇;以 及參照光形成光學系統30，其係將來自光源12的光26， 不經由原版光罩14而當作參照光28導入至感光材料2〇。 光源12可使用具有同調（c〇herent)之雷射光，例如 Ar雷射光或Kr雷射光、YAG雷射光之各種雷射光。 原版光罩14包含光穿透性之光罩基板，和具有形成在 該光罩基板之光穿透部及光遮蔽部之光調製層。光罩基板 係使用石英玻璃等光穿透性優良之玻璃材料而作成。光遮 蔽部係藉由薄膜技術以金屬薄臈而形成。第丨圖之實施例 中，使用鉻當作金屬薄膜之材料。 感光材料2 0可使用可當作全像資訊進行記錄之材 料’例如可使用銀鹽感光材料、重鉻酸鹽明膠（Dichr〇mate

Gelatin )或美國杜邦（Ε· I· DUpont de Nemours & Company ) 么司之全像用感光聚合物（例如，商品名Omn i dex )。 再者，曝光裝置10包含有調相裝置32，其係配設在 從光源1 2經由原版光罩14到達全像材料18之感光材料 20的光程。調相裝置32會改變光38之光桎長度，其係藉 由分光鏡34將來自光源12的光26分割成光36、38之一 方。因此，其結果將變更物體光22與參照光28之間之相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 --------訂----- -----線 I ---------------------- 8 539915 A7 B7 五、發明說明（9 ) 仇差。 第2圖所示之調相裝置為代表性之2例，亦 4吏用甘 他調相裝置。第2圖（a)所示之調相裝置32包含第 射鏡54、直角稜鏡56和第2反射鏡58。 直角稜鏡56具有互相垂直之3個反射面6〇、62、64， 射入於直角棱鏡56之光66和從直角稜鏡56射 巧了出之光68 你形成平行。直角稜鏡56藉由未圖示之驅動裝 卜 ~ ^ i ’朝向箭 碩70移動，並調整位置。 從光源12 (參照第1圖）導入之光38會射入調相裝 置32’藉由第1反射鏡54反射，且當作光“射入至直 稜鏡56。射入至直角稜鏡56之光，在反射面6〇、μ、^ 依序反射，並當作光68從直角稜鏡56射 64 ^ * 元68與射入 於直角稜鏡56之光66,朝平行且相反方向前進，並藉由 第2反射鏡58反射，當作光72從調相裝置32射出曰 藉由使直角稜鏡56朝箭頭70方向移動，可任专土 = 整光38通過調相裝置32内之光程長度。 思地調 第2圖（b)所示之調相裝置32，包含光穿透構件 其具有比1大之折曲率Nq。光穿透構件74具有 ， 80、82、84’其係用以使光軸方向中的厚度尺寸變化8、 梯狀。光穿透構件74藉由未圖示之驅動裝置階 86、88方向移動，並且可調整位置。 别向則頭 從光源12(參照第！圖）導入之光 裝置32’且射入至光穿透構件74。射入 至調相 ^11!^牛7"前進二吏光穿透構件牙74 = 74 本紙張尺錢心— 攸面 314082 (請先閱讀背面之注咅心事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 -· - — — - — — — I — I — * I — — — — — — — III — — — — — — — — — — — — 9 539915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（l〇 ) 射出，當作光90從調相裝置32射出。由於光穿透構件？4 具有比1大的曲折率N〇，因此對應光38通過之光穿透構 件74之處的厚度尺寸和丨折曲率& —1〇(空氣之折曲率）} 之積，而變更光38之光程長度。 使光穿透構件74朝向箭頭86方向移動，可將光38 從光牙透構件74射出之面設定成面78、8〇、82、84之任 者因此可變更光38通過之光穿透構件74之處的厚 度尺寸’且可調整光38之光程長度。 藉由可變更如此之相位差的調相裝置32,可改變物體 光與參照光之間的相位差。 以下參照第1圖說明本發明之全像光罩製作用之曝光 方法。來自光源12的光26，藉由分光鏡34分割成光36、 38。光36經由包含透鏡40、42之參照光形成光學系統3〇， 當作參照光28射入至全像材料is之感光材料2〇。 光38經由調相裝置32、鏡面44、46及透鏡48、50， 射入至原版光罩14。透過原版光罩14之光16，藉由聚光 光學系統24當作物體光22而聚光，旦成像在全像材料18 之感光材料20上方或其附近。 如此，經由2種光亦即原版光罩14及集光光學系統 24之物體光22和不經由原版光罩14之參照光28,在感光 材料20或其附近受到干擾，原版光罩14之光透過遮蔽圖 案會記錄在全像材料18之感光材料20以作為干擾紋資 訊。 曝光中，使用複數個原版光罩14,藉由將形成在原版 ----------------線—Αν— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 314082 539915 A7 五、發明說明（li 光軍14的光調製層之# 姑、 先牙透遮蔽圖案曝光在相同的全像 ;斗18之感光材料2 〇之太斗、 材料 ^ 方式’裏作形成有干擾紋之全像 訊’。，，該干擾紋包含有光穿透率及相位相關之調製資 f 1曝光t ’使用經由第i原版光罩14而照射在感光 =斗20之第i物體光22，以及系經由^原版光罩14而 ’、、、^在感光材料20之第1參照光28,將第i原版光罩14 之光穿透遮蔽圖案曝光在感光材料2〇。 、第1曝光中，調相裝置32處於某種狀態，其決定第ι 曝光之物體光和參照光之間的相位差。 第1曝光令，感光材料20藉由曝光使光照射之區域藉 由光化學反應而產生潛像。 3 線 接續第1曝光之第2曝光中，使用經由第2原版光罩 14而照射在感光材料2〇之第2物體光22，以及不經由第 2原版光罩14而照射在感光材料2〇之第2參照光28，將 第2原版光罩14之光穿透遮蔽圖案曝光在感光材料2〇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2曝光之前，使調相裝置32動作，改變第2相位差， 俾使第1物體光22與第1參照光28之間的第1相位差， 及第2物體光2 2與第2參照光2 8之間的第2相位差相異， 並改變從光源12經過分光鏡34之光38的光程長度。 因而，第2曝光中，改變光程長度之光會射入至第2 原版光罩14，而形成第2物體光，並射入至感光材料2〇。 亦即，第2物體光22與第2參照光28之間的相位差，對 應從光源12經由第2原版光罩14到達感光材料2〇之光程 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 11 314082 539915 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7__ 五、發明說明（12 ) 中所產生的光程長度之變更量，而與第1物體光22與第1 參照光28之間的相位差相異。 第1曝光中記錄在感光材料20的資訊包含有第1原版 光罩14之光穿透遮蔽圖案資訊，第2曝光中記錄在感光材 料20之資訊包含有第2原版光罩14之光穿透遮蔽圖案之 資訊和有關相位之調製資訊。第1曝光中記錄在感光材料 20之貧訊’和第2曝光中記錄在感光材料20且包含有相 位相關之調製資訊的資訊，係藉由2次曝光記錄在感光材 料20 〇 如上所述，若使用複數個原版光罩，可以不製作製作 困難的移相光罩，可將與移相光罩資訊相同的資訊記錄在 全像材料，亦即感光材料20。 變更相位差之移相裝置32’在上述說明中，係配設在 從光源12經由原版光罩14到達全像材料ι8之感光材料 20的光程，但亦可配設在從光源12不經由原版光罩ι4而 到達全像材料18之感光材料20的光程，例如第1圖中編 號52之位置。 而且，亦可將調相裝置32配設在從光源丨2經由原版 光罩14到達感光材料20之光程，及從光源丨2不經由第2 原版光罩14而到達感光材料2〇之光程之任一者。 再者，亦可裝設光強度減少裝置，使對應參照光28 之物體光22的光強度比，在光源〗2側比原版光罩14減 少，以使其在第1曝光和第2曝光中相異，並使第丨曝光 j形成在感光材料20之干擾紋所造成之衍射效率，和第2 &張^1適用中關家標準（CNS)^規格（21G χ 297 ________ 12 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂ί •線丨-- X39915

消 13 光強度減少裝置亦可具備曝光量調整裝置，其係用以 調整:予感光材料20之曝光量，俾使賦予感光材料20之 曝光里比用來將形成在感光材料2〇之干擾紋所造成的衍 射效率設定成最大時所需之曝光量小 感光材料20可开> 成第！曝光及第2曝光均使用之同一 感光膜或感光層。而且’感光材料20亦可形成分別使用在 第1曝光及第2曝光之相異層的感光膜或感光層。 全像光罩之製作中，除了前述裝置以外亦可採用各種 裝置。例如，依據辻内順平著，物理學 (刪年），裳華房社1 354頁至第358 f所記象載之原 理之製作裝置’依據美國專利第4, 857, 425號或美國專 利第4 966,428號等說明書所記載之方法之製作裝置等。 後者之製作裝置中，不須在全像材料和原版光罩之間裝設 透鏡系統。 而且’亦可使用前述美國專利之申請人英國倫敦市之 赫特羅尼克技術公司（HGltrGnic TechnGlQgies Limited) 製之曝光裝置「HMA系列」，來製作全像光罩。 以下具體地說明關於製作具有與涉谷雷班森型之移相 光罩同樣功能之全像光罩的情況。 如第3圖（a)所示，涉谷雷班森型之移相光罩”包 含光罩基板94、光穿透部96、光遮蔽部⑽和移相器1〇〇。 ，在部分光穿透部96形成有移相器1〇〇。若以經由未具有移 本紙張尺度剌t關家鮮（CNS)A4規格~^^7公髮）_ 314082 ·tT-------- 線丨#------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 539915 B7 五、發明說明（14 ) 相器100之光穿透部96的光相位為基準（相位〇)，則經 由具有移相器100的光穿透部96之光，其相位僅改變瓦（相 位；r )。 為了使用2種原版光罩並藉由2重曝光法，製作與如 此之涉谷雷班森型的移相光罩92具有同樣功能之全像光 罩，而使用第3圖（b)所示之第1原版光罩1〇2和第3 圖（c)所示之第2原版光罩1〇4。 訂 第1原版光罩102包含光罩基版1〇6、光穿透部1〇8 和光遮蔽部110。第2原版光罩104包含光罩基版1〇6、光 牙透部112和光遮蔽部114。第1原版光罩1〇2之光穿透 4 108係對應於藉由第2原版光罩1〇4之光遮蔽部114所 遮蔽之區域的至少一部分。 第3圖所示之實施例中，光穿透部1〇8、112形成具有 預定寬度尺寸之帶狀且配設成紋路狀，丨以上的光遮蔽部 110 114形成帶狀且配設在複數個光穿透部1Q8、112之 間。 經 濟 部 智 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 使用第1原版光罩102之第i曝光中，將包含光穿透 部108之第1原版光罩！ 02的光穿透遮蔽圖案曝光在全像 材料18之感光材料20，該光穿透部1〇8係當作對應於移 相光罩92之光穿透部96的穿透及相位〇之區域。 接著，使用第2原版光罩1〇4之第2曝光中，將包含 光穿透部112之第2原版光罩1〇4之光穿透遮蔽圖案曝光 在全像材料18之感光材料20,該光穿透部112係作為對 應於光1 透部96之穿透及相位7Γ之區域，且該光穿透部 本紙張尺度家標準（CN3A4規格⑽x 297公复） 14 314082 539915 A7 消 五、發明說明（15 ) 96具有移相光罩92之移相器100。在第2曝光中，藉由調 相裝置32變更光程長度’俾使射人至光穿透部112之光相 位比第1曝光偏離；Γ。 藉由調相裝置32，第2曝光中，物體光和參照光之間 的相位差會改變，且在第2曝光中，記錄在感光材料2〇 之資訊包含有調相資訊。 p另一具體例將說明關於製作一種具有與半色調型之移 相光罩同樣功能之全像光軍的情形。為了製作如此之全像 光罩而使用的曝光裝置中，如後所述，用以減少光強度比 之光強度減少裝置（未圖示）係從原版光罩配設在光源側。 如第4圖（a)所示，半色調型之移相光罩116包含有 光罩基版94、光穿透部118和移相器12〇。移相器12〇係 使用具有預定穿透率之光半穿透性材料而形成。若以經由 光牙透部118之光相位為基準（相位〇 )，則經由移相器12 〇 之光相位僅變化；r (相位冗）。 為了使用2種原版光罩並藉由2重曝光法，製作與如 此之半色調型之移相光罩具有同樣功能之全像光罩，而使 用第4圖（b)所示之第1原版光罩122,和第4圖（c) 所示之第2原版光罩124。 第1原版光罩122包含光罩基版1〇6、光穿透部126 和光遮蔽部128。第2原版光罩124包含光罩基版1〇6、光 穿透部130和光遮蔽部132。第1原版光罩i22之光穿透 部126係對應於藉由第2原版光罩124之光遮蔽部132所 遮蔽之區域的至少一部分。 W長尺度iiiTi國家標準(c—10 χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .·---- 訂^丨·----------------------- 15 314082 539915 A7 B7

五、發明說明（16 ) 第4圖所不之實施例中，最終形成於全像材料18之感 光材料20的干擾紋’係包含具有狀寬度尺寸之帶狀光穿 透刀和光半穿透性部分交替並列之紋路狀。第1原版 光罩122之光遮蔽部128係對應於感光材料2G之紋路狀的 光半穿透性部分，第2原版光罩m之光遮蔽部132則對 應於感光材料20之紋路狀的光穿透過性部分。 第1原版光罩122之光穿透部126係對應於藉由第2 原版光罩124之光遮蔽部132所遮蔽之區域的至少一部 分。 使用第1原版光罩122之第1曝光中，將包含光穿透 部126之第1原版光罩122的光穿透遮蔽圖案曝光在全像 材料18之感光材料20，該光穿透部126係作為對應於移 相光罩116之光穿透部ι18的穿透及相位〇之區域。 接著，使用第2原版光罩i 24之第2曝光中，將包含 光穿透部130之第2原版光罩124之光穿透遮蔽圖案曝光 在全像材料18之感光材料20，該光穿透部13〇係作為對 應於移相光罩116之光半穿透性移相器12〇之光半穿透及 相位7Γ之區域。在第2曝光中，藉由調相裝置32變更光程 長度’俾使射入至光穿透部130之光相位比第1曝光偏離 71 。 而且，在第2曝光中，藉由比曝光裝置内的第2原版 光罩124配設在更接近光源12側之光強度減少裝置（未圖 示）減少光強度比，以對應移相光罩11 6之光半穿透性之 移相器120所具有之穿透率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -I · n ϋ I I ιϋ ·ϋ I. 一 0、I I mmmmmw ·ϋ I I I n I ϋ n I n n ϋ n ϋ ϋ ϋ l n i^i n ϋ ϋ ί ί 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 16 314082 539915 A7 五、發明說明（17 ) 光強度減少裝置例如可使用光吸收濾光器裝置。作為 該種光吸收濾光器裝置之一例，亦可使用具備複數個光吸 收濾光器，且藉由使光吸收濾光器之至少任一種適當地朝 光程移動而減少通過的光強度之構件。 藉由如此之光強度減少裝置，使藉由第〗曝光形成在 感光材料20之干擾紋所造成之衍射效率，以及藉由第2 曝光形成在感光材料20之干擾紋所造成之衍射效率相 異，以減少相對於第2參照光之第2物體光之光強度比。 光強度比之減少亦可藉由調整賦予在感光材料2〇之 曝光量之方式進行，俾使賦予在全像材料之感光材料 20的曝光量，比用來將衍射效率設定成最大時所需之曝光 里小賦予在感光材料2〇之曝光量的調整可藉由調整曝光 時間或來自光源之光的強度之方式進行。 以下將說明關於使用如前述之全像光罩，藉由對該全 像光罩之光照射，將有關光穿透率及相位之調製資訊記錄 在被曝光物之方法^ 第5圖所示之記錄裝置丨34，係使用本發明之全像光 罩之記錄方法所使用的記錄裝置之一種實施例，亦可使用 其他記錄裝置。記錄裝置134使用與第i圖所示之曝光裝 置1 〇所使用之光學系統同樣的光學系統。 記錄裝置134包含光源136、照射光學系統ι38和聚 光光學系統140。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) .·---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

一：°JI ϋ n n ϋ n ·ϋ I I ϋ n I —>i -1 ϋ - I - - i^i n m i^i n n n I 照射光學系統138包含透鏡142、144,將來自光源136 的光146變換成平行光148，且導入至全像光罩18之感光

17 314082 539915 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（18 材料20。以平行光148與全像光罩記錄時之參照光28恰 好逆向之方式，將照射光學系統138配設在記錄裝置134。 聚光光學系統140將經由全像光罩18之光15〇，變換 成光152，聚光在被曝光物154，且成像在被曝光物154。 聚光光學系統140係使用與全像光罩記錄時之光學系統24 同一構件。 「被曝光物」包含「形成有光阻層之半導體基板」。此 處，「半導體基板」係以「形成有積層區域之基材」之意而 使用，因而，包含基材係玻璃等之情形。而且，「基材」至 少係以「由半導體或玻璃等構成之圓形、矩形等基材」之 意而使用，「積層區域」係用於當作形成在基材之層狀材料 區域之意而使用，例如，包含配線或電極等導電層、電性 絕緣材料或光選擇材料等層、半導體層等。 再者，「被曝光物」可使用將選擇特定波長之光選擇材 料積層之基板，以達到特殊照明或照明效果，在不超出其 意旨之内，可進行各種變更。 將記錄在全像光罩18之感光材料2〇之資訊，記錄在 被曝光物時，從光源136射出之光146經由包含透鏡142、 144之照射光學系統138，射入至全像光罩18之感光材料 20,而經由全像光罩18之光15〇則藉由聚光光學系統 140，成像在被曝光物154上方。 此時，由於與移相光罩資訊相同之資訊記錄在全像材 料亦即感光材料20，因此與該相位光罩所具有之效果同樣 地’會提高成像圖案之解像度。 本紙張尺度料關家標準（CNS)A4規格（21G X 297公餐） 18 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂i .^丨--- 539915 A7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（19 ) 以下說明關於如前述之2重曝光方法中的光學特性。 又’亦將說明關於如此之2重曝光方法與僅進行1次之使 用移像光罩之曝光方法之比較。 將經由第1次曝光所使用的第1原版光罩所形成之物 體光A的振幅分佈設定成Pa時，射入至全像材料亦即感光 材料之前的光複數振幅分佈，係依據以下所示之數式j 求出。 (數式1 ) Ga = Pax exp[ ία]· · · ( 1 ) 此處’ α表示物體光a之相位。 將第1次曝光所使用之參照光R1之震幅分佈設定成 Pri時，射入至全像材料之前的光複數震幅分佈，係藉 由以下數式（2 )求出。r i表示參照光R1之相位。 (數式2) Gri二PriX exp[ i 7 j ] · · · ( 2 ) 將經由第2次曝光所使用之第2原版光罩所形成的物 體光B之震“佈设定成Ρβ時，射入至感光材料之前的光 複數震幅分佈Gb，係藉由以下所示之數式（3)求出。々 表示物體光B之相位。 (數式3) Gb二Pbx exp[ i 冷]· · .(3) 將第2次曝光所使用之參照光R2之震幅㈣設定成 〜時，射入至全像材料之前的光複數震幅分佈、，係藉 由以下所示之數式（4)求出。 --—---— —__ 不參照光R2之相位。 本紙張尺度適用中關wWUNS)A4規格⑽公爱） 19 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i •線丨申丨 (4)539915 20 A7 五、發明說明（ (數式4 ) GR2二PR2x exp[ i 7 2] 因而，藉由第1次曝光及第2次曝光而赋予在感光材 料之光強度I2AB，係藉由以下所示之數式（5)求出。 (數式5) !2AB =丨 Ga + Gr1 丨2 + |Gb + Gr2 丨 = |Ga|2 + Gr1|2 + Gax Gri* + Ga*x GR1 :IGb|2+|GR2|2 + GbxGr2* + Gb*xGR2· · .(5) 此處，Ga*、Gb*、Gr1*、Gr2*分別表示 Ga、GB、Gri、GR2 之共辄複數。 若使用相同的參照光R當作第1次曝光所使用之參照 光R1及第2次曝光所使用之參照光R2，形成Gh=gr2=：gr， 可將數式（5)改寫成以下之數式（6)° (數式6 ) I2ab= I ga + gr 12+ I Gb + Gr 12 -|Ga|2+|Gb|2 + 2x |GrI2 + GaxGr* + Ga*xGr + GbxGr* + Gb*xGr· · .(6) 此處，將參照光R之震幅分佈設定成Pr時’射入至感 光材料之前的光複數震幅分佈GR，係藉由以了所示之數式 (7)求出。r表示參照光R之相位。 (數式7)

Gr = Prx exp[ i r ] · · · ( 7 ) 第2次曝光後，將全像光罩之感光材料顯像處理。感 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -I · ί ϋ ϋ ϋ I n ϋ』eJ· I ϋ n n I- 1 / I ϋ n ϋ ϋ ϋ n ϋ n ϋ ϋ n I ϋ n ϋ ϋ H ϋ ϋ ϋ ϋ n , 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 314082 539915 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ ） 光材料例如使用將如銀鹽感光材料般之強度分佈當作穿透 率分佈而記錄之材料時，記錄在感光材料之震幅穿透率分 佈T2AB，係依據以下數式（8 )求出。 (數式8) T2AB = T〇 + t1x Ι2ΑΒ · · -(8) 此處，TG、h係依據對所使用的感光材料之種類或感 光材料之記錄方法而決定之常數。 顯像處理後’將§2*錄在感光材料之資訊記錄在被曝光 物。從光源導入且射入在感光材料之光，亦即照明光&， 使用前述參照光R時，照射在被曝光物之光，亦即再生光 S，係使用數式（6)、數式（7)、數式（8)且藉由以下數 式（9)求出。 (數式9) s = grX T2AB=Grx ( To + t^ I2AB) = Grx T0 + Grx tjX { I GA12+I GB12 + 2x |GR|2} + t^x (Gax |Gr|2+Ga*x Gr2) + qx ( Gbx |Gr|2+Gb*x Gr2) · · · ( 9) 在數式（9)中，可依據如以下之數式（l〇-1)、數式 (10-2)、數式（1〇-3)所示而理解。 (數式10) (〇 次光）=GRX Tg + Grx tlX {IGAr+|GB|2+2x |Gr| 2} · · · ( 10-1 ) (物體光 A 之土 1 次光( GAx IGr|2 + ga*x gr2)· · · (10-2) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 21 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· 訂-------- 線丨# 539915 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（22 ) (物體光 B 之± 1 次光 >tlX(GBx |GR|2 + GB 木 X GR2)·· · (10-3) 而且’在數式（9)申，項tlX ( GAx |GR|2)表示物體 光A之再生，項hx (GBx |GR|2)表示物體光B之再生， 如上所述’在2重曝光方法中，表示再生光S之數式 中’不會發生所明雜訊項。其表示不會發生不必要的雜訊。 為了與上述之2重曝光方法做比較，以下說明關於僅 進行1次之使用相位光罩之曝光方法。僅進行1次之使用 相位光罩之曝光方法中，2重曝光方法中之第1次曝光之 物體光A、第2次曝光之物體光b和參照光R，會藉由1 次曝光照射在感光材料。因而，藉由僅進行1次之使用相 位光罩之曝光，賦予在感光材料之光強度Iiab，係藉由以 下所示之數式（11)求出。 (數式11) I iabH GA + GB + GR 丨2 HGa|2+|Gb|2+|Gr|2 + Gax Gb* + Ga*x Gb + Gax Gr* + Ga*x Gr + Gbx Gr* + Gb*x Gr · · · ( I” 藉由1次曝光記錄在感光材料之震幅穿透率分佈 T1AB，係藉由以下之數式（12)求出。 (數式12) ΤΐΑΒ^Το + t^ Ιιαβ · · -(12) 照射在被曝光物之光’亦即再生光Si，係使用數式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ··____ n ϋ ϋ ϋ 訂_丨 -線丨·丨 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 314082 539915 A7 B7 23 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（, (7)、數式（11)、數式（12)，真藉由以下之數式〔） 求出。 (數式13)S = Grx T1AB = GRx ( To + tiX I1AB) =grx t〇+grx tlX { igai2+igbI2+ IGr,2} + Grx tiX ( Gax 〇Β*+〇Α*χ Gb) + tiX ( Gax |Gr|2+Ga*x Gr2) + tlX (Gbx |Gr|2+Gb*x Gr2)· · -(13) 在數式（13)中，可依據如以下之數式（m)、數式 (14-2)、數式（14-3)、數式（14-4)所示而理解。 (數式14)(0 次光）=GRx Tg + Grx tlx {|GaI2+IGbI2+ |G«|2}· · · (14-1 ) (雜訊）=GRxtlX (GaxGb* + Ga*xgb)· · ·(14 — 2) (物體光 A 之± 1 次光 ktjx ( GAx IgrI2 + ga*x gr2)· · · (14-3) (物體光 B 之±1 次光( Gbx I Gr I 2 + Gb* x Gr2 ) · · · ( 14-4 ) 而且，在數式（14)中，項tlx (GAx |GR|2)表示物 體光A之再生，項t〗x (GBx jGR|2)表示物體光B之再生。 如上所述，僅進行1次之使用移相光罩之曝光中，表 示再生光S!之數式中，會發生所謂雜訊項。其表示發生不 必要的雜訊。從該點亦可理解本發明之方法較習知之方法 本紙張尺度適用中國國家;f示準（CNS)A4規格（210x 297公爱） 23 314082 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I AW--I--— II · I I I I----I -------------1-------- 539915 A7 B7 五、發明說明（24 ) ^^ 具有優點。 本發明不限於上述實施例，只要不超出該意旨， 行各種變更。 [圖面之簡單說明] 第1圖係本發明之全像光罩製作用之曝光裝置之實施 例示意圖。 第2圖係本發明之全像光罩製作用之曝光位置所使用 之調相裝置之實施例示意圖。（a)為使用直角稜鏡之調相 裝置之示意圖，（b)為使用光穿透構件之調相裝置之示意 圖。 第3圖係本發明之全像光罩製作用之曝光方法之實施 例之說明圖。（a )為移相光罩示意圖，（b )為第1原版光 罩及全像材料之示意圖，（c)為第2原版光罩及全像材料 之示意圖。 第4圖係本發明之全像光罩製作用之曝光方法另一實 施例之說明圖。（a )為移相光罩之示意圖，（b )為第丨原 版光罩及全像材料之示意圖，（c)為第2原版光罩及全像 材料之不意圖。 第5圖係使用本發明之全像光罩之記錄方法之實施例 中所使用之記錄裝置之1例之示意圖。 [元件符號之說明] 10 曝光裝置 12、136光源 14 原版光罩 16、26、36、38、66、68、72、76、90、146、150、152 光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 314082 f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i I I ϋ 一δ、I i n I ί I i / I 1 I ϋ n ϋ I I ϋ ϋ n I n I ϋ I n n ϋ 1 ·1 24 539915 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（25 ) 18 全像材料、全像光罩 20 感光材料 22、A、B物體光 24、 140聚光光學系統 28 > R 、 R1 、 R2 參照光 30 參照光形成光學系統 32 調相裝置 34 分光鏡 40 > 42 、 48 ' 50 ' 142 > 144 透鏡 44、 46鏡面 52 光程 54 第1反射鏡 56 直角稜鏡 58 第2反射鏡 60、丨 52、64反射面 70、 86、88箭頭 74 光穿透構件 76 ^ 78 、 80 、 82 、 84 面 92 > 11 6移相光罩 94、 106光罩基板 96 > 108 、 112 、 11 光穿透部 126、 130、98、110、114 ' 128、132 光遮蔽部 100、 120移相器 102 ' 122第1原版光 104、 124第2原版光罩 134 記錄裝置 138 照射光學系統 148 平行光 154 被曝光物 IlAB ’ 、12AB光強度 Pa、Ga、Pri、GR1、PB、GB、PR2、GR2、 VGf t 光振幅分佈 Rl 照明光 S、 Si再生光 Ti ab T2ab 震幅度透率 T 移相0 N 非移相 PP 移相7Γ PS 半移相7Γ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·. 訂ί •線丨---------------------- 25 314082

Claims (1)

1. 539915 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 1 · 一種全像光罩製作用之曝光方法，其係使用複數個原版 光罩’將形成在各原版光罩之光調製層的光穿透遮蔽圖 案曝光在相同的全像材料，以製作具有干擾紋之全像光 罩’該干擾紋係包含有光透過率及相位相關之調製資 訊’其特徵為包括有： 第1曝光步驟，使用經由第i前述原版光罩，而照 射在前述全像材料之第1物體光以及不經由前述第1原 版光罩而照射在前述全像材料之第i參照光將前述第i 原版光罩之前述光透過遮蔽圖案曝光在前述全像材 料；以及 第2曝光步驟，其係接續前述第1曝光步驟之第2 曝光步驟，使用由第2前述原版光罩而照射在前述全像 材2之第2物體光以及不經由前述第2原版光罩而照射 在岫述全像材料之第2參照光，在從光源至前述全像材 料的光程之任意位置中，改變前述第2相位差，俾前述 第1物體光與前述第i參照光之間的第】相位差，和前 述第2物體光與前述第2參照光之間的第2相位差相 異’並將前述第2原版光罩之前述光穿透遮蔽圖案曝光 在前述全像材料。 2.如申請專利範圍第w之方法，其中，改變前述相位差 之步驟’具備有改變光程之至少-方的光程長度之步 驟’該光程係從前述光源經由前述第2原版光罩到達前 述全像材料之光程，及從前述光源不經由前述第2原版 光罩且到達前述全像材料之光程。 W尺度翻中國國家標準規格⑵㈡97公髮） 26 314082 (請先閱讀背面之注意事項再 ** --- 本頁) 線· 539915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申請專利範圍 3·如申請專利範圍第1項及第2項中任一項之方法，其 中’ 4述光穿透遮蔽圖案包含有：複數個光穿透部，其 係具有預定寬度尺寸之帶狀光穿透部且配設成紋路 狀；以及帶狀之複數個光遮蔽部，其係配設在該複數個 光穿透部之間， 前述第1原版光罩之前述光透過部，係對應於藉由 前述第2原版光罩之前述光遮蔽部所遮蔽之區域的至 少一部分， 前述第1相位差與前述第2相位差之間之差異為大 約7Γ。 4·如申請專利範圍第丨項及第2項中任一項之方法，其 中，進一步包含衍射效率變更步驟，其係使藉由前述第 1曝光步驟形成在前述全像材料之第丨干擾紋所造成的 何射效率，和藉由前述第2曝光步驟形成在前述全像材 料之第2干擾紋所造成之衍射效率之間產生差異。 5·如申請專利範圍第4項之方法，其中，前述衍射效率變 更步驟包括有：光強度減少步驟，其係在前述光源側比 前述原版光罩減少，使相對於參照光之物體光的光強度 比減少至比用來將前述衍射效率設定成最大時所需之 光強度比小；或曝光量調整步驟，其係將賦予前述全像 材料之曝光量調整成比用來將前述衍射效率設定成最 大時所需之曝光量小。 6·如申請專利範圍第丨項之方法，其中，最終形成於前述 全像材料之干擾紋，包含具有預定寬度尺寸之帶狀光穿 本&張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 27 314082 (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

   --線. 539915 09888 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申料利範n ——~一 透性部分和光半穿透性部分交互並列之紋路狀， 前述第U版光罩及前㈣2原版光罩具㈣ =部，其對應在前述全像材料之前述紋路狀之前述光 丰:透性部分或前述光穿透性部分，前述第^版光罩 之前述光穿透部，係對應在藉由前述第2原版光罩之前 途光遮蔽部所遮蔽之區域的至少一部分， 約，前述第！栢位差與前述第2相位差之相異為大 八且具備衍射效率變更步驟，其係使前述全像材料之 何射效率變更成在前述光半穿透性之部分變小。 如申請專利範圍第1項及第2項中任一項之方法，其 中’則述全像材料形成有使用在前述第i曝光步驟及前 述第2曝光步驟兩方之同一感光膜或感光層。 8·如申請專利範圍第1項及第2項中任一項之方法，其 中刖述全像材料形成有分別使用在前述第丨曝光步驟 及前述第2曝光步驟之不同的感光膜或感光層。 種王像光罩製作用之曝光裝置，係使用複數個原版光 罩，將形成在各原版光罩之光調製層的光透過遮蔽圖案 曝光在相同的全像材料，以製作具有干擾紋之全像光 罩’該干擾紋包含有光穿透率及相位相關之調製資訊， 連續的至少2種曝光中，為了使第1相位差和第2 相位差相異，而具備有用以在從光源到達前述全像材料 之光程的任意位置上改變前述第2相位差之調製機 構’該第1相位差係位於經由先進行之第1曝光中之第 7 9. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 314082 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 本 4. 539915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C8 --*--------- D8___ 六、申請專利範圍 1原版光罩照射在前述全像材料之第i物體光、與不經 由爾述帛1原版光軍，而照射在前述全像材料之第i參 照光之間’而該第2相位差係位於經由接著進行的第2 曝光中之第2原版光罩而照射在前述全像材料之第2物 體光、與不經由前述第2原版光罩’而照射在前述全像 材料之第2參照光之間。 1〇·-種使用全像光罩之記錄方法，其包含有：預備曝光步 驟，係使用複數個原版以，㈣成在各原版光罩之光 調裝層的光透過遮蔽圖案曝光在相同的全像材料，以製 作具有干擾紋之全像光罩，該干擾紋包含有光透過率及 相位相Μ之調製資訊；以及正式曝光㈣，藉由對前述 全像光罩之光照射，將前述光穿透率及相位相關之調製 資訊記錄在被曝光物， 钿述預備曝光步驟包含： 光罩準備步驟，準備至少第J原版光罩和第2原版 光罩； 第1副曝光步驟，使用經由前述第1原版光罩而照 射在刖述全像材料之第丨物體光以及不經由前述第i原 版光罩而照射在前述全像材料之第1參照光將前述第i 原版光罩之刖述光牙透遮蔽圖案曝光在前述全像材 料；以及 第2副曝光步驟，其係接續前述第1曝光步驟之第 2曝光步驟，使用經由前述第2原版光罩而照射在前述 全像材料之第2物體光以及不經由前述第2原版光罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29 314082 (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

   訂· _ -線· 539915 A8 B8 C8 D8 六 申請專利範圍 照射在則述全像材料之第2參照光，在從光源到達前述 全像材料之光程的任意乜置中，改變前述第2相位差， 俾使前述第1物體光與前述第1參照光之間的第1相位 差以及刖述第2物體光與前述第2參照光之間的第2 相位差相異，並將前述第2原版光罩之前述光透過遮蔽 圖案曝光在前述全像材料。 (請先閱讀背面之注意事項再 本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 30 314082