JP4579977B2 - リソグラフィにおけるイメージングおよび装置 - Google Patents
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Description
λ/2(n−1) 方程式1
ここで、λは放射線230の波長であり、nはフィーチャ515,715の屈折率であり、また、マスクを囲む媒体の屈折率が1であると仮定される)、ホール510、トレンチ710、および、フィーチャ515,715のレイアウトおよびデューティ比を選択する方法を図示する。
wavelength features)と称される。このようなサブ半波長フィーチャは、多くの高解像度印刷技術、すなわち電子ビーム印字、転写技術、イオンビーム印字、および、EUVおよびX線リソグラフィのいずれかを使用して形成される。
λ/(n−1) 方程式2
ここで、λは放射線230の波長であり、nはフィーチャ515,715の屈折率であり、また、マスクを囲む媒体の屈折率は1であると仮定される)、ホール510、トレンチ710、およびフィーチャ515,715のレイアウトをどのように選択することができるかの別の実施例を図示する。
Claims (38)
- マイクロエレクトロニクス装置をパターン化するために、放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含む部分を含む反射モードのリソグラフィ・マスクであって、前記サブ波長のフィーチャの集合を含む部分は、前記放射線のゼロ回折次数の強度および位相を、前記装置の前記フィーチャのレイアウトを関数として、変調することを特徴とするマスク。
- 前記サブ波長のフィーチャは、前記放射線の波長の半分未満の寸法を有するサブ半波長のフィーチャを含むことを特徴とする請求項1記載のマスク。
- 前記サブ波長のフィーチャは、前記反射モードのリソグラフィ・マスク内に形成されたフィーチャを含むことを特徴とする請求項1記載のマスク。
- 前記サブ波長のフィーチャは、前記反射モードのリソグラフィ・マスク上の薄膜中に形成されたフィーチャを含むことを特徴とする請求項1記載のマスク。
- 前記フィーチャは、前記強度および前記位相をプログラム可能に変調するためのダイナミック要素を含むことを特徴とする請求項1記載のマスク。
- 前記フィーチャの前記レイアウトは、前記フィーチャのパターンを含むことを特徴とする請求項1記載のマスク。
- ゼロ回折次数の放射線の強度および位相を前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含む部分を含む反射モードのリソグラフィ・マスクで変調することにより、マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階を含み、前記変調はサブ波長のフィーチャの集合を含む部分で達成されることを特徴とする方法。
- 前記マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階は、前記放射線の少なくとも一部を前記装置で偏光する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階は、前記放射線の少なくとも一部を前記装置で散乱する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階は、前記放射線の波長の半分未満の寸法を有するサブ半波長のフィーチャを含む前記装置で前記放射線を変調する段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記マイクロエレクトロニクス装置を生成する段階は、前記強度および前記位相を変調するために、前記サブ波長のフィーチャをプログラムする段階を含むことを特徴とする請求項7記載の方法。
- マイクロエレクトロニクス装置をパターン化するために、放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの第1の集合を含む第1の部分と、
1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの第2の集合を含む第2の部分であって、前記第2の集合は、前記第1の部分によって反射されない前記放射線とは異なる反射率および異なる位相の少なくとも1つを備えるゼロ回折次数の放射線を除く全てを反射する、第2の部分と、
を含むことを特徴とする反射モードのリソグラフィ・マスク。 - 前記第1の部分は、2またはそれ以上の関連する開口を有する交互位相シフト領域を含むことを特徴とする請求項12記載のマスク。
- 前記マスクは、拡散するフィーチャの集合を含む第3の部分をさらに含むことを特徴とする請求項12記載のマスク。
- マスク基板装置の第1の部分をエッチングする段階であって、前記第1の部分中にマイクロエレクトロニクス装置をパターン化するために、放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの第1の集合を形成する、段階と、
前記マスク基板装置の第2の部分をエッチングする段階であって、前記第2の部分中に放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの第2の集合を含み、前記第2の集合は前記第1の部分によって伝播される前記放射線とは異なる透過率および異なる位相の少なくとも1つを備えるゼロ回折次数の放射線を伝播する、段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記第1の部分をエッチングする段階は、2またはそれ以上の関連する開口を有する交互位相シフト領域を形成する段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記第1の部分をエッチングする段階は、前記伝播する放射線の位相を変更する薄膜をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 拡散するフィーチャの集合を含む第3の部分をエッチングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- 前記第1の部分をエッチングする段階および前記第2の部分をエッチングする段階は、同じエッチング動作中に同じエッチング深さへ前記第1の部分および前記第2の部分をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項15記載の方法。
- マスク基板中に第1位相シフタおよび第2位相シフタを基板を形成するために前記マスク基板を単一のエッチングでエッチングする段階を含む方法であって、
前記第1位相シフタは、マイクロエレクトロニクス装置のパターン化のために、ゼロ回折次数の放射線の位相を第1の範囲までシフトし、
前記第2位相シフタは、前記ゼロ回折次数の前記放射線の前記位相を第2の範囲までシフトし、前記第1および第2位相シフタの少なくとも1つは、前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記エッチングする段階は、前記放射線の偏光と実質的に無関係に前記放射線と相互に作用する非偏光性のフィーチャをエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記エッチングする段階は、前記第1位相シフタおよび前記第2位相シフタ双方の近傍領域の前記放射線に平均化されるサブ半波長のフィーチャをエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記エッチングする段階は、前記第2位相シフタと関連して前記第1位相シフタをエッチングする段階を含み、その結果、前記第1位相シフタを通して伝播する放射線は、前記第2位相シフタを通して伝播する放射線に干渉することを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記エッチングする段階は、前記基板を通って伝播する前記ゼロ回折次数の前記放射線を減衰ずる吸収材料をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 前記エッチングする段階は、3またはそれ以上の別個のカテゴリーのフィーチャを含むマルチ要素シフタの一部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項20記載の方法。
- 単一のエッチング中に、マスク基板中へ第1の領域および第2の領域をエッチングする段階を含む方法において、
前記第1の領域は、マイクロエレクトロニクス装置のパターン化のために、ゼロ回折次数の放射線の強度を第1の範囲まで減衰し、
前記第2の領域は、前記パターン化されたマイクロエレクトロニクス装置の品質を改善するために、前記ゼロ回折次数の前記放射線の強度を前記第1の範囲とは十分異なる第2の範囲まで減衰し、前記第1および第2の領域の少なくとも1つは、前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含む、
ことを特徴とする方法。 - 前記第1の領域および前記第2の領域をエッチングする段階は、吸収材料をエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項26記載の方法。
- マスク基板と、
マイクロエレクトロニクス装置のパターン化のために、ゼロ回折次数の放射線の位相を第1の範囲へシフトするための、前記マスク基板にエッチングされた第1の位相シフタと、
前記ゼロ回折次数の前記放射線の前記位相を第2の範囲へシフトするための、前記マスク基板にエッチングされた第2の位相シフタと、を含み、前記第1および第2の位相シフタの少なくとも1つは、前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含み、
前記第1位相シフタおよび前記第2位相シフタは同じエッチング深さを有する、
ことを特徴とするリソグラフィ・マスク。 - 前記第1位相シフタは、偏光性の位相シフタを含むことを特徴とする請求項28記載のマスク。
- 前記第1位相シフタおよび前記第2位相シフタは、各々近傍領域の前記放射線に平均されるサブ半波長のフィーチャを含むことを特徴とする請求項28記載のマスク。
- マイクロエレクトロニクス装置をパターン化するために、前記ゼロ回折次数の放射線を減衰する吸収材料をさらに含み、前記第1位相シフタは前記吸収材料中にエッチングされることを特徴とする請求項28記載のマスク。
- 前記減衰する吸収材料は、不透明な金属膜を含むことを特徴とする請求項31記載のマスク。
- 前記吸収材料は、前記減衰した放射線の位相を変更する埋め込み位相シフタの材料を含むことを特徴とする請求項31記載のマスク。
- マイクロエレクトロニクス装置のパターン化のために、マスクを通って伝播するゼロ回折次数の放射線の位相を異なる範囲へシフトするための複数の位相シフト領域の集合であって、前記領域の数は、前記領域を形成するために使用されるエッチング動作の数より大きく、前記位相シフト領域の少なくとも1つは、前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合を含む、
ことを特徴とする反射モードのリソグラフィ・マスク。 - 前記位相シフト領域の少なくとも1つは、前記放射線の前記ゼロ回折次数の前記位相をシフトするためのサブ半波長のフィーチャの集合を含むことを特徴とする請求項34記載のリソグラフィ・マスク。
- マイクロエレクトロニクス装置をパターン化するために、マスクを通って伝播するゼロ回折次数の放射線を異なる量に減衰すると共に、前記ゼロ回折次数の前記放射線の位相を同時に異なる範囲へシフトする、複数の減衰領域の集合であって、前記減衰領域の少なくとも1つは、前記放射線の1波長未満のピッチ寸法を有するサブ波長のフィーチャの集合、
を含むことを特徴とする反射モードのリソグラフィ・マスク。 - 前記減衰領域の少なくとも1つは、前記ゼロ回折次数の前記放射線を減衰し、かつ前記放射線の前記位相をシフトするためのサブ半波長のフィーチャの集合を含むことを特徴とする請求項36記載のマスク。
- 前記減衰領域の数は、前記領域を形成するために用いられるエッチング動作の数より大きいことを特徴とする請求項36記載のマスク。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/846,403 US7438997B2 (en) | 2004-05-14 | 2004-05-14 | Imaging and devices in lithography |
PCT/US2005/014972 WO2005114327A1 (en) | 2004-05-14 | 2005-04-29 | Imaging and devices in lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007537597A JP2007537597A (ja) | 2007-12-20 |
JP4579977B2 true JP4579977B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=34967831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007513187A Expired - Fee Related JP4579977B2 (ja) | 2004-05-14 | 2005-04-29 | リソグラフィにおけるイメージングおよび装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7438997B2 (ja) |
JP (1) | JP4579977B2 (ja) |
KR (1) | KR100868111B1 (ja) |
CN (1) | CN1954262B (ja) |
TW (1) | TWI321701B (ja) |
WO (1) | WO2005114327A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7438997B2 (en) * | 2004-05-14 | 2008-10-21 | Intel Corporation | Imaging and devices in lithography |
US9685524B2 (en) * | 2005-03-11 | 2017-06-20 | Vishay-Siliconix | Narrow semiconductor trench structure |
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WO2019166190A1 (en) * | 2018-02-27 | 2019-09-06 | Stichting Vu | Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2004
- 2004-05-14 US US10/846,403 patent/US7438997B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-04-29 WO PCT/US2005/014972 patent/WO2005114327A1/en active Application Filing
- 2005-04-29 JP JP2007513187A patent/JP4579977B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-29 CN CN200580015552.9A patent/CN1954262B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-29 KR KR1020067023852A patent/KR100868111B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-05-02 TW TW094114123A patent/TWI321701B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-10-20 US US12/254,101 patent/US7732106B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005114327A1 (en) | 2005-12-01 |
JP2007537597A (ja) | 2007-12-20 |
US7438997B2 (en) | 2008-10-21 |
TWI321701B (en) | 2010-03-11 |
CN1954262B (zh) | 2016-10-26 |
US20090042111A1 (en) | 2009-02-12 |
KR20070011498A (ko) | 2007-01-24 |
TW200608148A (en) | 2006-03-01 |
US7732106B2 (en) | 2010-06-08 |
US20050255388A1 (en) | 2005-11-17 |
KR100868111B1 (ko) | 2008-11-10 |
CN1954262A (zh) | 2007-04-25 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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