CH652532A5 - Verwendung eines feinstdrahtes fuer die herstellung der aussenanschluesse von halbleiter-bauelementen. - Google Patents

Verwendung eines feinstdrahtes fuer die herstellung der aussenanschluesse von halbleiter-bauelementen. Download PDF

Info

Publication number
CH652532A5
CH652532A5 CH79/82A CH7982A CH652532A5 CH 652532 A5 CH652532 A5 CH 652532A5 CH 79/82 A CH79/82 A CH 79/82A CH 7982 A CH7982 A CH 7982A CH 652532 A5 CH652532 A5 CH 652532A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
copper
weight
wires
aluminum
connection
Prior art date
Application number
CH79/82A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Fritz Dr Aldinger
Albrecht Dr Bischoff
Wolfgang Bonifer
Original Assignee
Heraeus Gmbh W C
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Gmbh W C filed Critical Heraeus Gmbh W C
Publication of CH652532A5 publication Critical patent/CH652532A5/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • H10W72/07533
    • H10W72/5363
    • H10W72/5522
    • H10W72/5524
    • H10W72/59
    • H10W72/952

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
CH79/82A 1981-02-12 1982-01-07 Verwendung eines feinstdrahtes fuer die herstellung der aussenanschluesse von halbleiter-bauelementen. CH652532A5 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19813104960 DE3104960A1 (de) 1981-02-12 1981-02-12 "feinstdraht"

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH652532A5 true CH652532A5 (de) 1985-11-15

Family

ID=6124622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH79/82A CH652532A5 (de) 1981-02-12 1982-01-07 Verwendung eines feinstdrahtes fuer die herstellung der aussenanschluesse von halbleiter-bauelementen.

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS57149744A (cg-RX-API-DMAC10.html)
CH (1) CH652532A5 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE (1) DE3104960A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
FR (1) FR2499767A1 (cg-RX-API-DMAC10.html)
GB (1) GB2093064B (cg-RX-API-DMAC10.html)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60223149A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Hitachi Ltd 半導体装置
US4705204A (en) * 1985-03-01 1987-11-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of ball forming for wire bonding
US4676827A (en) * 1985-03-27 1987-06-30 Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha Wire for bonding a semiconductor device and process for producing the same
US5149917A (en) * 1990-05-10 1992-09-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wire conductor for harness
JPH05184788A (ja) * 1991-12-19 1993-07-27 Daiken Trade & Ind Co Ltd 乾燥庫
JPH0716797U (ja) * 1993-08-27 1995-03-20 武盛 豊永 除湿機付高温衣類乾燥機
JP2501303B2 (ja) * 1994-04-11 1996-05-29 株式会社東芝 半導体装置
JP2501305B2 (ja) * 1994-06-06 1996-05-29 株式会社東芝 半導体装置
JP2501306B2 (ja) * 1994-07-08 1996-05-29 株式会社東芝 半導体装置
DE19606116A1 (de) * 1996-02-20 1997-08-21 Berkenhoff Gmbh Elektrische Kontaktelemente
JP3891346B2 (ja) * 2002-01-07 2007-03-14 千住金属工業株式会社 微小銅ボールおよび微小銅ボールの製造方法
TWI287282B (en) 2002-03-14 2007-09-21 Fairchild Kr Semiconductor Ltd Semiconductor package having oxidation-free copper wire
WO2006073206A1 (ja) 2005-01-05 2006-07-13 Nippon Steel Materials Co., Ltd. 半導体装置用ボンディングワイヤ
SG10201600329SA (en) * 2016-01-15 2017-08-30 Heraeus Materials Singapore Pte Ltd Coated wire
WO2017221434A1 (ja) 2016-06-20 2017-12-28 日鉄住金マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
DE102018122574B4 (de) * 2018-09-14 2020-11-26 Kme Special Products Gmbh Verwendung einer Kupferlegierung
DE102019113082A1 (de) * 2019-05-17 2020-11-19 Infineon Technologies Ag Halbleiter-gehäuse und verfahren zum bilden eines halbleiter-gehäuses
US20230119577A1 (en) * 2021-10-15 2023-04-20 Lincoln Global, Inc. High alloy welding wire with copper based coating

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1090437B (de) * 1956-08-14 1960-10-06 Nippert Electric Products Comp Verfahren zum Verbessern der elektrischen und mechanischen Eigenschaften von Kupfer-Zirkon-Legierungen
BE559732A (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1956-10-31 1900-01-01
DE2929623C2 (de) * 1979-07-21 1981-11-26 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Feinstdraht aus einer Aluminiumlegierung
JPS5678357U (cg-RX-API-DMAC10.html) * 1979-11-09 1981-06-25
DE3011661C2 (de) * 1980-03-26 1982-08-26 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung mit Kontaktierungsdrähten
DE3023528C2 (de) 1980-06-24 1984-11-29 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Aluminium enthaltender Feinstdraht

Also Published As

Publication number Publication date
FR2499767B3 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1984-01-06
DE3104960C2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1987-09-24
JPH0237095B2 (cg-RX-API-DMAC10.html) 1990-08-22
FR2499767A1 (fr) 1982-08-13
JPS57149744A (en) 1982-09-16
DE3104960A1 (de) 1982-08-26
GB2093064B (en) 1984-10-31
GB2093064A (en) 1982-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CH652532A5 (de) Verwendung eines feinstdrahtes fuer die herstellung der aussenanschluesse von halbleiter-bauelementen.
DE3023528C2 (de) Aluminium enthaltender Feinstdraht
DE3645066C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE69032879T2 (de) Verbindungsverfahren für Halbleiterpackung und Verbindungsdrähte für Halbleiterpackung
DE60109339T2 (de) Verfahren zum Drahtbonden
DE112004000360T5 (de) Zweimetallisches Stud-Bumping für Flipchip-Anwendungen
DE2111572A1 (de) Verfahren zum Verbinden von Metallen
DE112020004723T5 (de) Drahtbondstruktur, hierfür verwendeter Bonddraht und Halbleitervorrichtung
DE69003333T2 (de) Thermokompressionsverbindung für I.C.-Verpackung.
EP0867932B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen
DE112016006908T5 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE3780630T2 (de) Verbindung von elektronischen bauteilen untereinander.
DE4232745A1 (de) Bonddraht zum Ultraschallbonden
DE3300549A1 (de) Gedruckte schaltungsplatine und verfahren zu ihrer herstellung
EP0890987B1 (de) Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
DE3514253A1 (de) Halbleitereinrichtung
DE3153395C2 (en) Use of a very fine wire made of a copper/tin alloy
DE112007000671T5 (de) Aluminiumerhebungs-Bonden für einen Aluminiumdraht
DE3704200C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)
DE4433503C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
EP0101592A2 (de) Golddraht für Halbleiterbauelemente
DE3621917A1 (de) Verfahren zur herstellung elektrischer verbindungen innerhalb von halbleiterbauelementen und elektrische verbindung fuer halbleiterbauelemente
EP0020857B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements
DE3916168A1 (de) Ultrafeine draehte aus einer kupferlegierung und halbleitervorrichtungen unter verwendung derselben
DE3335274C2 (cg-RX-API-DMAC10.html)

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased
PL Patent ceased