BRPI0808074A2 - Formulações com base em oxometalato ativado por peróxido para remoção de resíduo de gravação à água forte - Google Patents
Formulações com base em oxometalato ativado por peróxido para remoção de resíduo de gravação à água forte Download PDFInfo
- Publication number
- BRPI0808074A2 BRPI0808074A2 BRPI0808074-7A BRPI0808074A BRPI0808074A2 BR PI0808074 A2 BRPI0808074 A2 BR PI0808074A2 BR PI0808074 A BRPI0808074 A BR PI0808074A BR PI0808074 A2 BRPI0808074 A2 BR PI0808074A2
- Authority
- BR
- Brazil
- Prior art keywords
- peroxide
- oxometalate
- formulation
- cleaning composition
- ammonium
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 62
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002699 waste material Substances 0.000 title description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000009472 formulation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 claims abstract description 23
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 13
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000012458 free base Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000013011 aqueous formulation Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000013020 final formulation Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 15
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 14
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 4
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical group [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P ammonium molybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O APUPEJJSWDHEBO-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims 3
- 229940010552 ammonium molybdate Drugs 0.000 claims 2
- 235000018660 ammonium molybdate Nutrition 0.000 claims 2
- 239000011609 ammonium molybdate Substances 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims 2
- APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N tetramethylazanium;silicate Chemical group C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-][Si]([O-])([O-])[O-] APSPVJKFJYTCTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 2-[[(1s,2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]cyclohexyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)[C@H]1CCCC[C@@H]1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UWVGGRQHSA-N 0.000 claims 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical group NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003893 H2WO4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P ammonium dichromate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O JOSWYUNQBRPBDN-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims 1
- QGAVSDVURUSLQK-UHFFFAOYSA-N ammonium heptamolybdate Chemical compound N.N.N.N.N.N.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo].[Mo] QGAVSDVURUSLQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims 1
- YVBOZGOAVJZITM-UHFFFAOYSA-P ammonium phosphomolybdate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])=O.[O-][Mo]([O-])(=O)=O YVBOZGOAVJZITM-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims 1
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-diamine Chemical compound NC1CCCCC1N SSJXIUAHEKJCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten Chemical compound O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O IYDGMDWEHDFVQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N silicic acid;trioxotungsten Chemical group O[Si](O)(O)O.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1.O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 CGFYHILWFSGVJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000003826 tablet Substances 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/08—Acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/10—Salts
- C11D7/14—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
- Steroid Compounds (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Dental Preparations (AREA)
Description
Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "FORMULAÇÕES COWl BASE EM OXOMETALATO ATIVADO POR PERÓXIDO PARA REMOÇÃO DE RESÍDUO DE GRAVAÇÃO À ÁGUA FORTE".
CAMPO DA INVENÇÃO 5 A presente invenção refere-se a composições úteis para remo
ção de resíduo de gravação à água forte de dispositivos microeletrônicos, cuja composição fornece boa resistência à corrosão e eficiência de limpeza melhorada. Em particular, a invenção fornece formulações de oxometalato altamente alcalinas aquosas ativadas por peróxido que são especialmente 10 úteis na indústria de microeletrônicos e especialmente eficazes na remoção de resíduo de gravação à água forte de substratos de microeletrônico possuindo fios e vias de metal. A invenção também fornece método para limpeza de tais substratos de microeletrônico e dispositivos empregando tais composições.
ANTECEDENTES DA INVENÇÃO
Uma parte integral de fabricação de microeletrônicos é o uso de fotorResistores para transferir uma imagem de uma máscara ou retículo para a camada de circuito desejada. Depois que a transferência de imagem desejada foi alcançada, um processo de gravação à água forte é usado para for20 mar as estruturas desejadas. As estruturas mais comuns formadas deste modo são fios e vias de metal. Os fios de metal são usados para formar conexões elétricas entre várias partes do circuito integrado que consistem na mesma camada de fabricação. As vias são orifícios que são gravados por água forte por camadas dielétricas e depois carregados com um metal con25 dutor. Nesse sentido são usadas para produzir conexões elétricas entre diferentes das verticais do circuito integrado. Um halogênio contendo gás é geralmente usado nos processos usados para formação de fios e vias de metal.
Depois que o processo de gravação à água forte foi concluído, a carga do fotorresistor pode ser removida por ou uma solução extratora química ou por um processo de acinzentamento de plasma de oxigênio. O problema é que estes processos de gravação à água forte produzem resíduos contendo metal altamente insolúvel que podem não ser removidos por soluções extratoras químicas comuns. Também, durante um processo de acinzentamento, os resíduos contendo metal são oxidados e tornam-se até mais difíceis de remover, particularmente no caso de circuitos integrados com ba5 se em alumínio. Vide, Managing Etch and Implant Residue," Semiconductor International, August 1997, páginas 56-63.
Um exemplo de um tal processo de gravação à água forte é a padronização de fios de metal em um circuito integrado. Neste processo, um revestimento de fotorresistor é aplicado sobre uma película de metal em seguida imageada por uma máscara ou retículo para seletivamente expor um padrão no revestimento de fotorresistor. O revestimento é desenvolvido para remover fotorresistor exposta ou não-exposto, dependendo do tom do fotorresistor usado, e produz um fotorresistor no padrão de metal. A fotorresistor restante é cozido geralmente energicamente em alta temperatura para remover solventes e opcionalmente reticular a matriz de polímero. A etapa de gravação à água forte de metal real é em seguida desempenhada. Esta etapa de gravação à água forte remove metal não-revestido pelo fotorresistor pela ação de um plasma gasoso. Remoção de tal metal transfere o padrão da camada de fotorresistor para a camada de metal. O fotorresistor restante é em seguida removido ("extraído") com uma solução extratora orgânica ou com um procedimento de acinzentamento de plasma de oxigênio. O procedimento de acinzentamento é frequentemente seguido por uma etapa de enxágüe que usa uma solução extratora orgânica líquida. No entanto, as soluções extratoras atualmente disponíveis, geralmente soluções extratoras alcalinas, deixam óxidos de metal insolúveis et al. resíduos contendo metal no circuito integrado.
Outro exemplo de um tal processo de gravação à água forte é a padronização de vias (orifícios interconectados) em um circuito integrado. Neste processo, um revestimento de fotorresistor é aplicado sobre uma pelí30 cuia dielétrica em seguida imageada por uma máscara ou retículo para seletivamente expor um padrão no revestimento de fotorresistor. O revestimento é desenvolvido para remover fotorresistor ou exposto ou não-exposto, dependendo do tom do fotorresistor usado, e produzir um fotorresistor no padrão de metal. O fotorresistor restante é cozido geralmente duro em alta temperatura para remover solventes e opcionalmente reticular a matriz de polímero. A etapa de gravação à água forte dielétrica atual é em seguida 5 desempenhada. Esta etapa de gravação à água forte remove dielétricas não-revestidas por fotorresistor pela ação de um plasma gasoso. Remoção de tais dielétricas transfere o padrão da camada de fotorresistor para a camada dielétrica. O fotorresistor restante é em seguida removido ("extraído") com uma solução extratora orgânica ou com um procedimento de acinzen10 tamento de plasma de oxigênio. Tipicamente, a dielétrica é gravada á água forte a um ponto onde a camada de metal fundamental é exposta. Uma camada de barreira de difusão ou antirrefletiva de titânio ou nitreto de titânio está tipicamente presente na fronteira de metal/dielétrica. Esta camada de fronteira é geralmente gravada à água forte inteiramente para expor o metal 15 fundamental. Foi constatado que a ação de gravação à água forte pela camada de titânio ou nitreto de titânio faz com que o titânio seja incorporado nos resíduos de gravação à água forte formados dentro da via. Acinzentamento de plasma de oxigênio oxida estes resíduos da via tornando-os mais difíceis de remover. Um agente de realce de remoção de resíduo de titânio 20 deve por esse motivo ser adicionado à solução extratora para permitir a limpeza destes resíduos. Vide "Removal of Titanium Oxide Grown on Titanium Nitride and Reduction of Via contato Resistance usando a Modem Plasma Asher", Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 495, 1998, páginas 345-352. O procedimento de acinzentamento é frequentemente seguido por uma etapa 25 de enxágüe que usa uma solução extratora orgânica líquida. No entanto, as soluções extratoras atualmente disponíveis, geralmente soluções extratoras alcalinas, deixam óxidos de metal insolúveis et al. resíduos contendo metal no circuito integrado. Há alguns extratores com base em hidroxilamina e removedores de resíduo após acinzentamento no mercado que possuem um 30 alto conteúdo de solvente orgânico, mas eles não são tão eficazes em outros resíduos encontrados em vias ou em fios de metal. Eles também requerem uma alta temperatura (tipicamente 65°C ou mais alta) a fim de limpar os resíduos das vias e fios de metal.
O uso de extratores alcalinos em películas de metal contendo microcircuito nem sempre produziu circuitos de qualidade, particularmente quando usados com películas de metal contendo alumínio ou várias combinações ou ligas de metais ativos tais como alumínio ou titânio com mais metais eletropositivos tais como cobre ou tungstênio. Vários tipos de corrosão de metal, tais como fios de corrosão, corrosão galvânica, depressão, entalhe de fios de metal, foram observados devido, pelo menos em parte, à reação dos metais com extratores alcalinos. Além disso, foi mostrado por Lee et ai., Proc. Interface '89, pp. 137-149, que ação corrosiva muito pequena ocorre até a etapa de enxágüe por água que é requerida para remover o extrator orgânico da pastilha. A corrosão é evidentemente um resultado de contato dos metais com a solução aquosa fortemente alcalina que está presente durante o enxágüe. Metal de alumínio é conhecido corroer-se rapidamente sob tais condições, Ambat et al., Corrosion Science, Vol. 33 (5), p. 684. 1992.
Métodos anteriores usados para evitar este problema de corrosão empregaram enxágues intermediários com solventes orgânicos nãoalcaiinos tais como álcool de isopropila. No entanto, tais métodos são caros e possuem conseqüências de segurança, higiene química, e ambientais indesejadas.
Na Patente Norte-americana 6.465.403, nesse sentido é descrito composições alcalinas aquosas úteis na indústria de microeletrônicos para extração ou limpeza de substratos de pastilha semicondutora por remoção de resíduos de fotorresistor e outros contaminantes indesejados. As compo25 sições aquosas tipicamente contêm (a) uma ou mais bases livres de íon de metal em quantidades suficientes para produzir um pH de cerca de 10 a 13; (b) cerca de 0,01% a cerca de 5% em peso (expressado como % de S1O2) de um silicato livre de íon de metal solúvel em água; (c) cerca de 0,01% a cerca de 10% em peso de um ou mais agentes de quelação de metal e (d) 30 opcionalmentet al. ingredientes.
No entanto, nenhuma das composições descritas na técnica anterior eficazmente remove toda a contaminação orgânica e resíduos contendo metal restantes depois de um processo de gravação à água forte típico. Resíduos contendo silício são particularmente difíceis de remover usando estas formulações. Há, por esse motivo, uma necessidade por composições de extração que limpam substratos de pastilha semicondutora por remoção 5 de contaminação inorgânica e orgânica de tais substratos sem danificação dos circuitos integrados. Com o uso bastante difundido de instrumentos de pastilha únicos, há também uma necessidade por formulações que sejam capazes de remover contaminação metálica e orgânica em menos tempo e em temperaturas menores do que composições na técnica anterior. Tais 10 composições não devem corroer as características de metal que parcialmente compreendem o circuito integrado e deveriam evitar os gastos e conseqüências adversas causadas por enxágues intermediárias. Fios de tungstênio e alumínio são particularmente suscetíveis a corrosão na limpeza com as formulações discutidas no parágrafo.
SUMÁRIO DA INVENÇÃO
De acordo com esta invenção, nesse sentido são fornecidas formulações aquosas altamente alcalinas compreendendo (a) água, (b) pelo menos uma base livre de íon de metal em quantidades suficientes para produzir uma composição final de pH alcalino, de preferência um pH alcalino de 20 cerca de 11 a cerca de 13,4, (c) de cerca de 0,01% a cerca de 5% em peso (expressado como % de S1O2) de pelo menos um inibidor de corrosão de silicato livre de íon de metal solúvel em água; (d) de cerca de 0,01% a cerca de 10% em peso de pelo menos um agente de quelação de metal, e (e) de mais do que 0 a cerca de 2,0% em peso de pelo menos um oxometalato. 25 Tais formulações são combinadas com pelo menos um peróxido que reage com o oxometalato para formar um peroxometalato resultando em umas composições de limpeza de microeletrônicos alcalinos aquosos. A quantidade de água é o equilíbrio dos 100% em peso da formulação ou composição. Todas as porcentagens mencionadas neste pedido são porcentagem em 30 peso a não ser que indicado de outra forma e são com base no peso total da composição.
As composições de limpeza são colocadas em contato com um substrato de pastilha semicondutora durante um tempo e em uma temperatura suficiente para limpar contaminantes e/ou resíduos indesejados da superfície de substrato. As composições desta invenção fornecem resistência à corrosão realçada e eficiência de limpeza melhorada.
DESCRIÇÃO DETALHADA DA INVENÇÃO E MODALIDADES PREFERIDAS
Formulação aquosa altamente alcalina desta invenção compreende (a) água, (b) pelo menos uma base livre de íon de metal em quantidades suficientes para produzir uma final formulação de pH alcalino, de prefe10 rência um pH de cerca de 11 a cerca de 13,4, (c) de cerca de 0,01% a cerca de 5% em peso (expressado como % de S1O2) de pelo menos um inibidor de corrosão de silicato livre de íon de metal solúvel em água; (d) de cerca de
0,01% a cerca de 10% em peso de pelo menos um agente de quelação de metal, e (e) de mais do que 0 a cerca de 2,0% em peso de pelo menos um 15 oxometalato são fornecidos de acordo com esta invenção. Tais formulações são combinadas com pelo menos um peróxido reativo com os oxometalatos da formulação de modo que peroxometalatos sejam formados antes do uso das composições de limpeza resultantes. As composições resultantes são colocadas em contato com um dispositivo microeletrônico tal como um subs20 trato de pastilha semicondutora durante um tempo e em uma temperatura suficiente para limpar contaminantes e/ou resíduos indesejados da superfície de substrato.
A presente invenção fornece novas formulações aquosas para combinação com um peróxido para extração e limpeza de superfícies de 25 pastilha semicondutora de contaminantes e resíduos cujas formulações contêm água (de preferência água desionizada de alta pureza), uma ou mais bases livres de íon de metal, um ou mais inibidores de corrosão de silicato livre de íon de metal, um ou mais agentes de quelação de metal e um ou mais oxometalatos.
Qualquer base adequada pode ser usada nas formulações a
quosas da presente invenção. As bases são de preferência hidróxidos de amônio quaternário, tais como hidróxidos de amônio de tetra-alquila (incluin
Claims (20)
1. Formulação aquosa alcalina para combinação com peróxido para limpeza de um dispositivo microeletrônico, a formulação compreendendo: (a) água, (b) pelo menos uma base livre de íon de metal em quantidades suficientes para produzir uma formulação final possuindo um pH alcalino (c) de cerca de 0,01% a cerca de 5% em peso (expressado como % de SiO2) de pelo menos um inibidor de corrosão de silicato livre de íon de metal solúvel em água; (d) de cerca de 0,01% a cerca de 10% em peso de pelo menos um agente de quelação de metal, e (e) de mais do que 0 a cerca de 2,0% em peso de pelo menos um oxometalato.
2. Formulação de acordo com a reivindicação 1, em que o oxometalato é um oxometalato de um metal selecionado do grupo consistindo em molibdênio (Mo), tungstênio (W)1 vanádio (V), nióbio (Nb), cromo (Cr) e tântalo (Ta).
3. Formulação de acordo com a reivindicação 2, em que 0 oxometalato é selecionado do grupo consistindo em oxometalatos mononucleares, oxometalatos homopolinucleares e oxometalato heteropolinuclear.
4. Formulação de acordo com a reivindicação 2, em que o pH alcalino da formulação é de cerca de pH 11 a cerca de 13,4.
5. Formulação de acordo com a reivindicação 2, em que a base livre de íon de metal é um hidróxido de amônio, o silicato livre de íon de metal é um silicato de amônio quaternário, e o agente de quelação de metal é um ácido aminocarboxílico.
6. Formulação de acordo com a reivindicação 5, em que o oxometalato é selecionado do grupo consistindo em molibdato de amônio ((NH4)2MoO4), tungstato de amônio ((NH4)2WO4), ácido tungstênico (H2WO4), metavanadato de amônio (NH4VOa), heptamolibdato de amônio ((NH4)6Mo7O24), metatungstato de amônio ((NH4)6H2W-|204o), paratungstato de amônio ((NH4)IoH2Wi2O42), decavanadato de tetrametilamônio ((TMA)4H2Vi0O28), decaniobato de tetrametilamônio ((TMA)6NbioO2S), dicromato de amônio ((NH4)2Cr2O7), fosfomolibdato de amônio ((NH4)3PMoi2O4O, ácido silicotungstênico (H4SiWi2O40), ácido fosfotungstênico (H3PWi2O40), ácido fosfomolibdênico (H3PM0-12O40), ácido silicomolibdênico (H4S1M012O40), e molibdovanadofosfatos (H5PM010V2O40).
7. Formulação de acordo com a reivindicação 6, em que a base livre de íon de metal é hidróxido de tetrametilamônio, o silicato livre de íon de metal é silicato de tetrametilamônio, o agente de quelação de metal é ácido tetra-acético de trans-1,2-ciclo-hexanodiamina, e o oxometalato é selecionado do grupo consistindo em molibdato de amônio e ácido silicotungstênico.
8. Formulação de acordo com a reivindicação 7, compreendendo hidróxido de tetrametilamônio a 2,1%, silicato de tetrametilamônio a 0,14%, ácido tetra-acético de trans-1,2-ciclo-hexanodiamina a 0,12%, e de cerca de 0,01 a cerca de 2% do oxometalato, e a água em equilíbrio à 100%.
9. Formulação de acordo com a reivindicação 8, em que o oxometalato é molibdato de amônio.
10. Formulação de acordo com a reivindicação 8, em que o oxomolibdato é ácido silicotungstênico.
11. Composição de limpeza aquosa alcalina para limpeza de um dispositivo microeletrônico, a composição de limpeza compreendendo a formulação como definida na reivindicação 1, misturada com pelo menos um peróxido em uma relação da formulação para peróxido de cerca de 5:1 a cerca de 40:1 e em que 0 pelo menos um peróxido é reativo com o oxometalato para formar um peroxometalato.
12. Composição de limpeza aquosa alcalina para limpeza de um dispositivo microeletrônico, a composição de limpeza compreendendo a formulação como definida na reivindicação 2, misturada com pelo menos um peróxido em uma relação da formulação para peróxido de cerca de 5:1 a cerca de 40:1 e em que o pelo menos um peróxido é reativo com o oxometalato para formar um peroxometalato.
13. Composição de limpeza aquosa alcalina para limpeza de um dispositivo microeletrônico, a composição de limpeza compreendendo a formulação como definida na reivindicação 7, misturada com pelo menos um peróxido em uma relação da formulação para peróxido de cerca de 5:1 a cerca de 40:1 e em que 0 pelo menos um peróxido é reativo com o oxometalato para formar um peroxometalato.
14. Composição de limpeza aquosa alcalina de acordo com a reivindicação 11, em que o pelo menos um peróxido compreende peróxido de hidrogênio.
15. Composição de limpeza aquosa alcalina de acordo com a reivindicação 12, em que o pelo menos um peróxido compreende peróxido de hidrogênio.
16. Composição de limpeza aquosa alcalina de acordo com a reivindicação 13, em que o pelo menos um peróxido compreende peróxido de hidrogênio.
17. Processo para limpeza de contaminantes ou resíduo de um substrato microeletrônico compreendendo contato do substrato microeletrônico com uma composição de limpeza como definida na reivindicação 11, durante um tempo e temperatura suficiente para remover os contaminantes ou resíduos.
18. Processo para limpeza de contaminantes ou resíduo de um substrato microeletrônico compreendendo contato do substrato microeletrônico com uma composição de limpeza como definida na reivindicação 12, durante um tempo e temperatura suficientes para remover os contaminantes ou resíduos.
19. Processo para limpeza de contaminantes ou resíduos de um substrato microeletrônico compreendendo contato do substrato microeletrônico com uma composição de limpeza como definida na reivindicação 13, durante um tempo e temperatura suficiente para remover os contaminantes ou resíduos.
20. Processo para limpeza de contaminantes ou resíduos de um substrato microeletrônico compreendendo contato do substrato microeletrônico com uma composição de limpeza como definida na reivindicação 16, ' durante um tempo e temperatura suficiente para remover os contaminantes ou resíduos.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US88976207P | 2007-02-14 | 2007-02-14 | |
| US60/889,762 | 2007-02-14 | ||
| PCT/US2008/001103 WO2008100377A1 (en) | 2007-02-14 | 2008-01-28 | Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| BRPI0808074A2 true BRPI0808074A2 (pt) | 2014-08-05 |
Family
ID=39495820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| BRPI0808074-7A BRPI0808074A2 (pt) | 2007-02-14 | 2008-01-28 | Formulações com base em oxometalato ativado por peróxido para remoção de resíduo de gravação à água forte |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8183195B2 (pt) |
| EP (1) | EP2111445B1 (pt) |
| JP (1) | JP2010518242A (pt) |
| KR (1) | KR101446368B1 (pt) |
| CN (1) | CN101611130B (pt) |
| AT (1) | ATE483012T1 (pt) |
| BR (1) | BRPI0808074A2 (pt) |
| CA (1) | CA2677964A1 (pt) |
| DE (1) | DE602008002819D1 (pt) |
| DK (1) | DK2111445T3 (pt) |
| ES (1) | ES2356109T3 (pt) |
| IL (1) | IL199999A (pt) |
| MY (1) | MY145938A (pt) |
| PL (1) | PL2111445T3 (pt) |
| PT (1) | PT2111445E (pt) |
| TW (1) | TWI441920B (pt) |
| WO (1) | WO2008100377A1 (pt) |
| ZA (1) | ZA200905362B (pt) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY145938A (en) * | 2007-02-14 | 2012-05-31 | Avantor Performance Mat Inc | Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue |
| US8853081B2 (en) | 2012-12-27 | 2014-10-07 | Intermolecular, Inc. | High dose ion-implanted photoresist removal using organic solvent and transition metal mixtures |
| TWI618712B (zh) * | 2012-12-28 | 2018-03-21 | Tosoh Corporation | 第五族金屬側氧基－烷側氧基錯合物及其製造方法、製膜用材料及第五族金屬氧化物膜的製作方法 |
| CN103605270B (zh) * | 2013-10-31 | 2016-08-17 | 合肥中南光电有限公司 | 一种光刻胶水基硅片清洗液及其制备方法 |
| JP6240495B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-11-29 | 東ソー株式会社 | ニオブオキソ−アルコキソ錯体、その製造方法及びニオブ酸化物膜の作製方法 |
| JP6240496B2 (ja) * | 2013-12-25 | 2017-11-29 | 東ソー株式会社 | タンタルオキソ−アルコキソ錯体、その製造方法及びタンタル酸化物膜の作製方法 |
| JP6455980B2 (ja) * | 2015-05-11 | 2019-01-23 | 株式会社エー・シー・イー | シリコンウェーハのウェットエッチング方法 |
| TW202216922A (zh) | 2016-10-14 | 2022-05-01 | 美商Ｃ３奈米有限公司 | 穩定硬塗層前驅物溶液 |
| KR20180060489A (ko) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 삼성전자주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| DE102017209332A1 (de) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Bleichendes Wasch- oder Reinigungsmittel |
| CN107338126A (zh) * | 2017-06-23 | 2017-11-10 | 昆山欣谷微电子材料有限公司 | 一种水基微电子剥离和清洗液组合物 |
| EP3724371A1 (de) * | 2017-12-12 | 2020-10-21 | Chemetall GmbH | Borsäurefreie zusammensetzung zur entfernung von kryolithhaltigen ablagerungen |
| JP7137586B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-09-14 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、及び、処理方法 |
| JP2023502112A (ja) | 2019-11-18 | 2023-01-20 | シー３ナノ・インコーポレイテッド | スパース金属導電性層の安定化のための透明導電性フィルムのコーティング及び加工 |
| CN112007592B (zh) * | 2020-09-03 | 2022-09-27 | 中科芯云微电子科技有限公司 | 一种消除光刻版图形保护集成电路知识产权的酸性胶体及其应用 |
| US11884832B2 (en) | 2022-03-17 | 2024-01-30 | Jeffrey Mark Wakelam | Material restoration composition and method |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE425007B (sv) | 1976-01-05 | 1982-08-23 | Shipley Co | Stabil etslosning omfattande svavelsyra och veteperoxid samt anvendning av densamma |
| US4144119A (en) | 1977-09-30 | 1979-03-13 | Dutkewych Oleh B | Etchant and process |
| US4247490A (en) | 1979-09-10 | 1981-01-27 | Ethyl Corporation | Process for the purification of dialkylphosphorochloridothioates |
| FR2497249A1 (fr) | 1980-12-30 | 1982-07-02 | Soletanche | Procede de realisation de panneaux de paroi moulee et paroi moulee ainsi obtenue |
| US4419183A (en) | 1983-01-18 | 1983-12-06 | Shipley Company Inc. | Etchant |
| JPS63172799A (ja) | 1987-01-12 | 1988-07-16 | 日本パ−カライジング株式会社 | アルミニウムの表面洗浄剤 |
| US5041142A (en) | 1990-03-23 | 1991-08-20 | Lever Brothers Company, Division Of Conopco Inc. | Peroxymetallates and their use as bleach activating catalysts |
| DE19530786A1 (de) * | 1995-08-22 | 1997-02-27 | Hoechst Ag | Bleichmittelzusammensetzung enthaltend Polyoxometallate als Bleichkatalysator |
| DE19530787A1 (de) * | 1995-08-22 | 1997-02-27 | Hoechst Ag | Mangan enthaltende Polyoxometallate, Synthese und Verwendung |
| US5817610A (en) * | 1996-09-06 | 1998-10-06 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues |
| US5904734A (en) | 1996-11-07 | 1999-05-18 | S. C. Johnson & Son, Inc. | Method for bleaching a hard surface using tungsten activated peroxide |
| JP4141514B2 (ja) * | 1996-11-26 | 2008-08-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | リンス用組成物 |
| GB9725614D0 (en) * | 1997-12-03 | 1998-02-04 | United States Borax Inc | Bleaching compositions |
| JP4565741B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2010-10-20 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス基板洗浄用珪酸塩含有アルカリ組成物 |
| US6465403B1 (en) * | 1998-05-18 | 2002-10-15 | David C. Skee | Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| KR100447551B1 (ko) * | 1999-01-18 | 2004-09-08 | 가부시끼가이샤 도시바 | 복합 입자 및 그의 제조 방법, 수계 분산체, 화학 기계연마용 수계 분산체 조성물 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US6599370B2 (en) * | 2000-10-16 | 2003-07-29 | Mallinckrodt Inc. | Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates |
| JP3398362B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2003-04-21 | 大塚化学株式会社 | 洗浄剤組成物、及び洗濯槽などの洗浄方法 |
| MY139607A (en) | 2001-07-09 | 2009-10-30 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| MY131912A (en) * | 2001-07-09 | 2007-09-28 | Avantor Performance Mat Inc | Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility |
| WO2003021651A1 (fr) * | 2001-08-16 | 2003-03-13 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Fluide de polissage conçu pour un film metallique et procede de production d'un substrat semi-conducteur au moyen de ce fluide de polissage |
| JP2003073323A (ja) * | 2001-09-04 | 2003-03-12 | Nippon Shokubai Co Ltd | 有機化合物の酸化方法 |
| JP3925296B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2007-06-06 | 栗田工業株式会社 | 防食方法 |
| US6811747B2 (en) | 2002-06-12 | 2004-11-02 | Bioquest, Llc | Corrosion inhibitor |
| US20050192195A1 (en) | 2002-08-27 | 2005-09-01 | Busch Daryle H. | Catalysts and methods for catalytic oxidation |
| US6803353B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-12 | Atofina Chemicals, Inc. | Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents |
| JP2004211137A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kurita Water Ind Ltd | 防食剤組成物 |
| US7018967B2 (en) | 2003-03-12 | 2006-03-28 | Ecolab Inc. | Prespotting treatment employing singlet oxygen |
| US6918820B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-07-19 | Eastman Kodak Company | Polishing compositions comprising polymeric cores having inorganic surface particles and method of use |
| BRPI0416067A (pt) * | 2003-10-29 | 2007-01-02 | Mallinckrodt Baker Inc | removedores alcalinos de resìduo de cinza/gravação pós-plasma e composições de descascamento de fotorresistes contendo inibidores de corrosão de haleto de metal |
| US7767636B2 (en) * | 2004-03-01 | 2010-08-03 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Nanoelectronic and microelectronic cleaning compositions |
| JP2006193593A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nippon Shokubai Co Ltd | 漂白活性化剤及び該化合物を含有する漂白剤組成物 |
| WO2006075618A1 (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-20 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | 漂白活性化剤及び該化合物を含有する洗浄用組成物 |
| US7695981B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-04-13 | Siluria Technologies, Inc. | Seed layers, cap layers, and thin films and methods of making thereof |
| US7358218B2 (en) * | 2005-06-03 | 2008-04-15 | Research Foundation Of The University Of Central Florida, Inc. | Method for masking and removing stains from rugged solid surfaces |
| JP4704835B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-06-22 | 株式会社片山化学工業研究所 | 水系における孔食防止剤および孔食防止方法 |
| MY145938A (en) * | 2007-02-14 | 2012-05-31 | Avantor Performance Mat Inc | Peroxide activated oxometalate based formulations for removal of etch residue |
| US7678605B2 (en) * | 2007-08-30 | 2010-03-16 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| WO2010138724A1 (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-02 | Rogers Corporation | Polishing pad, polyurethane layer therefor, and method of polishing a silicon wafer |
-
2008
- 2008-01-28 MY MYPI20093365A patent/MY145938A/en unknown
- 2008-01-28 DK DK08724882.9T patent/DK2111445T3/da active
- 2008-01-28 JP JP2009549586A patent/JP2010518242A/ja active Pending
- 2008-01-28 EP EP08724882A patent/EP2111445B1/en not_active Not-in-force
- 2008-01-28 PT PT08724882T patent/PT2111445E/pt unknown
- 2008-01-28 US US12/522,716 patent/US8183195B2/en active Active
- 2008-01-28 KR KR1020097016902A patent/KR101446368B1/ko active IP Right Grant
- 2008-01-28 CN CN2008800051913A patent/CN101611130B/zh active Active
- 2008-01-28 AT AT08724882T patent/ATE483012T1/de active
- 2008-01-28 ES ES08724882T patent/ES2356109T3/es active Active
- 2008-01-28 DE DE602008002819T patent/DE602008002819D1/de active Active
- 2008-01-28 BR BRPI0808074-7A patent/BRPI0808074A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2008-01-28 PL PL08724882T patent/PL2111445T3/pl unknown
- 2008-01-28 WO PCT/US2008/001103 patent/WO2008100377A1/en active Application Filing
- 2008-01-28 CA CA002677964A patent/CA2677964A1/en not_active Abandoned
- 2008-02-13 TW TW097105089A patent/TWI441920B/zh active
-
2009
- 2009-07-21 IL IL199999A patent/IL199999A/en active IP Right Grant
- 2009-07-31 ZA ZA200905362A patent/ZA200905362B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE483012T1 (de) | 2010-10-15 |
| ES2356109T8 (es) | 2011-10-11 |
| CA2677964A1 (en) | 2008-08-21 |
| IL199999A (en) | 2013-03-24 |
| US8183195B2 (en) | 2012-05-22 |
| CN101611130A (zh) | 2009-12-23 |
| ES2356109T3 (es) | 2011-04-05 |
| EP2111445A1 (en) | 2009-10-28 |
| IL199999A0 (en) | 2010-04-15 |
| DK2111445T3 (da) | 2011-01-17 |
| DE602008002819D1 (de) | 2010-11-11 |
| MY145938A (en) | 2012-05-31 |
| KR101446368B1 (ko) | 2014-10-01 |
| KR20090110906A (ko) | 2009-10-23 |
| TWI441920B (zh) | 2014-06-21 |
| JP2010518242A (ja) | 2010-05-27 |
| EP2111445B1 (en) | 2010-09-29 |
| PL2111445T3 (pl) | 2011-04-29 |
| CN101611130B (zh) | 2011-05-18 |
| WO2008100377A1 (en) | 2008-08-21 |
| TW200907049A (en) | 2009-02-16 |
| ZA200905362B (en) | 2010-05-26 |
| PT2111445E (pt) | 2010-12-29 |
| US20100035786A1 (en) | 2010-02-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| BRPI0808074A2 (pt) | Formulações com base em oxometalato ativado por peróxido para remoção de resíduo de gravação à água forte | |
| JP4224652B2 (ja) | レジスト剥離液およびそれを用いたレジストの剥離方法 | |
| JP3302120B2 (ja) | レジスト用剥離液 | |
| KR100222513B1 (ko) | 내식막용 박리액 조성물 및 이를 사용한 내식막 박리 방법 | |
| CN101454872B (zh) | 光刻胶剥离剂组合物和用该光刻胶剥离剂组合物剥离光刻胶的方法 | |
| JP3339575B2 (ja) | 剥離剤組成物および剥離方法 | |
| KR19990023681A (ko) | 반도체장치용 세정제 | |
| KR20100076999A (ko) | 포토레지스트 박리를 위한 화합물 | |
| KR20040022422A (ko) | 세정 조성물 | |
| JP3255551B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物 | |
| JPH09283507A (ja) | フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法 | |
| JP3773227B2 (ja) | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 | |
| KR100363271B1 (ko) | 포토레지스트 리무버 조성물 | |
| TWI360729B (en) | Photoresist residue remover composition and semico | |
| US20040043610A1 (en) | Compositions for removal of processing byproducts and method for using same | |
| JP2008216843A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物 | |
| JP2005535784A (ja) | 清浄液 | |
| JP5206177B2 (ja) | レジスト剥離液組成物およびそれを用いた半導体素子の製造方法 | |
| JP4310624B2 (ja) | 表面処理液 | |
| JPH0954442A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物及び剥離方法 | |
| JP4483114B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
| JPH08190205A (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 | |
| JP2000147794A (ja) | フォトレジスト剥離液 | |
| JP2004212818A (ja) | レジスト剥離液組成物 | |
| JPH06222573A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| B08F | Application dismissed because of non-payment of annual fees [chapter 8.6 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE A 6A ANUIDADE. |
|
| B08K | Patent lapsed as no evidence of payment of the annual fee has been furnished to inpi [chapter 8.11 patent gazette] |
Free format text: REFERENTE AO DESPACHO 8.6 PUBLICADO NA RPI 2277 DE 26/08/2014. |