CN101611130B - 用于去除蚀刻残余物以过氧化物活化的金属氧酸盐为基础的制剂 - Google Patents

用于去除蚀刻残余物以过氧化物活化的金属氧酸盐为基础的制剂 Download PDF

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Abstract

本发明提供了强碱性含水制剂，其包括(a)水，(b)至少一种无金属离子的碱，该碱的量足以使最终制剂为碱性pH，(c)约0.01％至约5％重量(以％SiO2表示)的至少一种水溶性无金属离子的硅酸盐腐蚀抑制剂；(d)约0.01％至约10％重量的至少一种金属螯合剂，和(e)大于0至约2.0％重量的至少一种金属氧酸盐。该制剂与过氧化物组合使得形成过氧金属氧酸盐以制备形成微电子清洁组合物。用于从微电子设备，如微电子衬底中去除污染物和残余物。

Description

用于去除蚀刻残余物以过氧化物活化的金属氧酸盐为基础的制剂
发明领域
本发明涉及用于从微电子设备中去除蚀刻残余物的组合物，该组合物提供了良好的耐腐蚀性和改善的清洁效力。具体而言，本发明提供了被过氧化物活化的含水强碱性金属氧酸盐(oxometalate)制剂，其尤其用于微电子工业，且尤其有效地用于从具有金属线(metal line)和通孔(vias)的微电子衬底(microelectronic substrates)中去除蚀刻残余物。本发明也提供了使用这些组合物清洁这些微电子衬底和设备的方法。
发明背景
微电子制造的基本部分使用光致抗蚀剂以将图像从掩模或中间掩模转(reticle)移到所需的电路层中。在实现所需图像的转移后，使用蚀刻方法形成所需的结构。在该方法中最常形成的结构为金属线和通孔。金属线用于形成在相同工艺层(fabrication layer)中的集成电路各个部分之间的电连接。通孔为被蚀刻通过介电层的孔，且之后填入导电金属。这些用于制备集成电路不同垂直层之间的电连接。含卤素的气体通常用于这些形成金属线和通孔的步骤中。
完成蚀刻步骤后，大量光致抗蚀剂可通过化学剥离溶液或通过氧等离子体灰化过程被去除。问题是这些蚀刻过程大量产生含不溶金属的残余物，这些残余物不能通过常规化学剥离溶液除去。而且，在灰化过程中，含金属的残余物被氧化且甚至更难被除去，尤其是在基于铝的集成电路中。参见，″Managing Etch and Implant Residue，″Semiconductor International，1997年8月，56-63页。
该蚀刻方法的一个实例为金属线在集成电路上形成图案。在该方法中，在金属膜上施加光致抗蚀剂涂层，然后通过掩模或中间掩模成像以选择性将图案暴露在光致抗蚀剂涂层中。显影该涂层以根据所用光致抗蚀剂的性质去除暴露的或未暴露的光致抗蚀剂，并在金属图案上产生光致抗蚀剂。通常残余的光致抗蚀剂在高温下烤硬以去除溶剂，且任选交联聚合物基质。然后进行实际金属蚀刻步骤。该蚀刻步骤通过气体等离子作用去除没有被光致抗蚀剂覆盖的金属。该金属的去除将图案从光致抗蚀剂层转移到金属层。然后用有机剥离溶液或用氧等离子灰化方法去除(″剥离″)残余的光致抗蚀剂。通常在灰化步骤之后进行清洗步骤，该清洗步骤使用液体有机剥离溶液。然而，目前可用的剥离溶液，通常为碱性剥离溶液，使不溶金属氧化物和其它含金属的残余物留在集成电路上。
该蚀刻方法的另一个实例为在集成电路上形成通孔(互相连接的孔)的图案。在该方法中，将光致抗蚀剂涂层施加于介电膜上，然后通过掩模或中间掩模成像以选择性将图案暴露在光致抗蚀剂涂层中。显影该涂层以根据所用光致抗蚀剂的性质去除暴露的或未暴露的光致抗蚀剂，并在金属图案上产生光致抗蚀剂。通常残余的光致抗蚀剂在高温下烤硬以去除溶剂，且任选交联聚合物基质。然后进行实际介电蚀刻(dielectric etching)步骤。蚀刻步骤通过气体等离子作用去除没有被光致抗蚀剂覆盖的电介质(dielectric)。该电介质的去除将图案从光致抗蚀剂层转移至介电层。然后用有机剥离溶液或用氧等离子灰化方法去除(″剥离″)残余的光致抗蚀剂。通常，电介质被蚀刻成点，在此暴露下层金属层。通常钛或氮化钛抗反射或扩散阻挡层存在于金属/电介质界面。该界面层通常被刻穿以暴露下层金属。发现刻穿钛或氮化钛层的作用导致钛进入到通孔内部形成的蚀刻残余物中。氧等离子灰化氧化这些通孔残余物使得它们更难被除去。因此必须向剥离溶液中加入钛残余物去除增强剂以使能够清洁这些残余物。参见″Removal of Titanium Oxide Grown onTitanium Nitride and Reduction of Via Contact Resistance Using a ModernPlasma Asher″，Mat.Res.Soc.Symp.Proc.，Vol.495，1998，第345-352页。通常灰化过程后进行洗涤步骤，所述洗涤步骤使用液体有机剥离溶液。然而，目前可用的剥离溶液，通常为碱性剥离溶液，使不溶金属氧化物和其它含金属的残余物留在集成电路上。市场上有一些基于羟胺的剥离剂和灰化后残余物去除剂，它们具有高有机溶剂含量，但它们对于通孔中或金属线上的其它残余物无效。它们也需要高温(通常65℃或更高)以从通孔和金属线中清洁残余物。
在含有金属膜的微电路上使用碱性剥离剂总是不能得到高质量的电路，尤其是当用于含铝或多种组合或活泼金属(如铝或钛)与正电性更高的金属(如铜或钨)的合金的金属膜时。已经观察到多种类型的金属腐蚀，如腐蚀须(corrosion whiskers)、原电池腐蚀、金属线的点蚀、刻蚀，这至少部分是由于金属与碱性剥离剂的反应。而且Lee等人Proc.Interface′89，pp.137-149，已经表明在水清洗步骤前发生的腐蚀作用非常的少，需要所述水清洗步骤以从晶片去除有机剥离剂。显然腐蚀是金属与洗涤过程中使用的强碱性水溶液接触的结果。已知铝金属在该条件下迅速被腐蚀，Ambat等人，Corrosion Science，Vol.33(5)，p.684.1992。
现有用于避免该腐蚀问题的方法采用非碱性有机溶剂(如异丙醇)的中间洗涤(intermediate rines)。然而，该方法是昂贵的，且具有不希望的安全、化学卫生和环境后果。
在美国专利6,465,403中公开了在微电子工业中通过去除光致抗蚀剂残余物和其它不希望的污染物剥离或清洁半导体晶片衬底的含水碱性组合物。该含水组合物通常含有：(a)一种或多种无金属离子的碱，其量足以使pH为约10-13；(b)约0.01％至约5％重量(以％SiO2表示)的水溶性无金属离子的硅酸盐；(c)约0.01％至约10％重量的一种或多种金属螯合剂，和(d)任选其它成分。
然而，在现有技术中公开的这些组合物中没有一种能够有效去除典型蚀刻方法后的所有有机污染和含金属的残余物。使用这些制剂尤其难以去除含硅的残余物。因此，需要通过从这种衬底中去除无机和有机污染以清洁半导体晶片衬底而不破坏集成电路的剥离组合物。随着单个晶片工具的广泛使用，还需要能够在比现有技术组合物更短的时间和在更低的温度下去除金属污染和有机污染的制剂。所述组合物不会腐蚀组成集成电路的金属部分(metalfeatures)，且应该避免中间洗涤产生的昂贵的成本和不利后果。当用前一段中所述制剂洗涤时，钨和铝线尤其易于腐蚀。
发明概述
根据本发明，提供了强碱性含水制剂，其包含(a)水，(b)至少一种无金属离子的碱，其量足以使最终组合物呈碱性pH，优选为约11至约13.4的碱性pH，(c)约0.01％至约5％重量(以％SiO2表示)的至少一种水溶性无金属离子的硅酸盐(silicate)腐蚀抑制剂；(d)约0.01％至约10％重量的至少一种金属螯合剂，和(e)大于0至约2.0％重量的至少一种金属氧酸盐(oxometalate)。该制剂与至少一种过氧化物组合，所述过氧化物与金属氧酸盐反应形成过氧金属氧酸盐(peroxometalate)，得到含水碱性的微电子清洁组合物。水的量为制剂或组合物100％重量的余量。除另有说明，本申请中所有百分比为重量百分比，且基于组合物的总重量。
使清洁组合物与半导体晶片衬底接触，且接触时间和温度足以从衬底表面清洁不希望的污染物和/或残余物。本发明的组合物提供了提高的耐腐蚀性和改善的清洁效力。
发明详述和优选实施方案
根据本发明提供了本发明的强碱性含水制剂，其包含(a)水，(b)至少一种无金属离子的碱，其量足以使最终制剂呈碱性pH，优选为约11至约13.4的pH，(c)约0.01％至约5％重量(以％SiO2表示)的至少一种水溶性无金属离子的硅酸盐腐蚀抑制剂；(d)约0.01％至约10％重量的至少一种金属螯合剂，和(e)大于0至约2.0％重量的至少一种金属氧酸盐。该制剂与至少一种过氧化物组合，所述过氧化物与制剂的金属氧酸盐反应使得在使用所得清洁组合物之前形成过氧金属氧酸盐。使所得组合物与微电子设备(如半导体晶片衬底)接触，且接触时间和温度足以从衬底表面清洁不希望的污染物和/或残余物。
本发明提供了用于与过氧化物组合用于剥离和清洁半导体晶片表面的污染物和残余物的新颖含水制剂，该制剂包含水(优选高纯度的去离子水)，一种或多种无金属离子的碱，一种或多种无金属离子的硅酸盐腐蚀抑制剂，一种或多种金属螯合剂和一种或多种金属氧酸盐。
任何适合的碱可用于本发明的含水制剂中。该碱优选为季铵氢氧化物，如氢氧化四烷基铵(包括含羟基-和烷氧基-的烷基，通常在烷基或烷氧基中具有1-4个碳原子)。最优选的这些碱性材料为氢氧化四甲基铵和三甲基-2-羟基乙基铵氢氧化物(胆碱)。其它可用的季铵氢氧化物的实例包括：三甲基-3-羟基丙基铵氢氧化物、三甲基-3-羟基丁基铵氢氧化物、三甲基-4-羟基丁基铵氢氧化物、三乙基-2-羟基乙基铵氢氧化物、三丙基-2-羟基乙基铵氢氧化物、三丁基-2-羟基乙基铵氢氧化物、二甲基乙基-2-羟基乙基铵氢氧化物、二甲基二(2-羟基乙基)铵氢氧化物、单甲基三(2-羟基乙基)铵氢氧化物、四乙基铵氢氧化物、四丙基铵氢氧化物、四丁基铵氢氧化物、单甲基-三乙基铵氢氧化物、单甲基三丙基铵氢氧化物、单甲基三丁基铵氢氧化物、单乙基三甲基铵氢氧化物、单乙基三丁基铵氢氧化物、二甲基二乙基铵氢氧化物、二甲基二丁基铵氢氧化物等及其混合物。
本发明中可使用的其它碱包括氢氧化铵，有机胺，尤其是烷醇胺，如2-氨基乙醇、1-氨基-2-丙醇、1-氨基-3-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙基胺等，和其它强有机碱，如胍、1，3-戊烷二胺、4-氨基甲基-1，8-辛烷二胺、氨基乙基哌嗪、4-(3-氨基丙基)吗啉、1，2-二氨基环己烷、三(2-氨基乙基)胺、2-甲基-1，5-戊烷二胺和羟胺。含有金属离子(如钠或钾)的碱性溶液也是可以使用的，但不是优选的，因为可能产生残余金属污染物。这些其它碱性成分(尤其是氢氧化铵)与上述氢氧化四烷基铵的混合物也是可用的。
在制剂中使用的无金属离子的碱的量使得最终制剂呈强碱性pH，通常pH为约11至约13.4。
任何适合的无金属离子的硅酸盐可用于本发明的制剂中。硅酸盐优选为季铵硅酸盐，如硅酸四烷基铵(包括含羟基和烷氧基的烷基，通常在烷基或烷氧基中具有1-4个碳原子)。最优选的无金属离子的硅酸盐成分为硅酸四甲基铵。本发明其它适合的无金属离子的硅酸盐源可以通过将任意一种或多种下述材料溶解于强碱性清洁剂中而原位产生。用于在清洁剂中产生硅酸盐的适合的无金属离子的材料为固体硅晶片(solid silicon wafer)、硅酸、胶体二氧化硅、气相二氧化硅(fumed silica)或任何其它适合形式的硅或二氧化硅。
制剂中存在的至少一种无金属离子的硅酸盐的量为约0.01至约5％重量，优选为约0.01至约2％。
本发明的制剂也与适合的一种或多种金属螯合剂配制以增加制剂在溶液中保持金属的能力和增强晶片衬底上金属残余物的溶解。用于该目的的金属螯合剂的典型实例为下述有机酸和它们的异构体和盐：乙二胺四乙酸(EDTA)、丁二胺四乙酸、环己烷-1，2-二胺四乙酸(CyDTA)、二亚乙基三胺五乙酸(DETPA)、乙二胺四丙酸、(羟基乙基)乙二胺三乙酸(HEDTA)、N，N，N′，N′-乙二胺四(亚甲基)膦酸(N，N，N′，N′-ethylenediaminetetra(methylenephosphonic)acid，EDTMP)、三亚乙基四胺六乙酸(TTHA)、1，3-二氨基-2-羟基丙烷-N，N，N′，N′-四乙酸(DHPTA)、甲基亚氨基二乙酸、丙二胺四乙酸、次氮基三乙酸(nitrolotriacetic acid，NTA)、柠檬酸、酒石酸、葡糖酸、葡糖二酸、甘油酸、草酸、邻苯二甲酸、马来酸、扁桃酸、丙二酸、乳酸、水杨酸、邻苯二酚、没食子酸、没食子酸丙酯、连苯三酚、8-羟基喹啉和半胱氨酸。
优选作为金属螯合剂的是氨基羧酸，如环己烷-1，2-二胺四乙酸(CyDTA)。这类金属螯合剂对于含铝残余物(通常出现在等离子“灰化”后的金属线和通孔上)具有高亲和力。而且，这类金属螯合剂的pKa通常包括一种约12的pKa，其增强了本发明组合物的性能。
在制剂中存在的至少一种金属螯合剂的量为约0.01至约10％重量，优选的量为约0.01至约2％。
来自元素周期表V和VI族的过渡金属的任何适合的金属氧酸盐可用于本发明的制剂。金属氧酸盐成分可包含一种或多种选自下列的金属氧酸盐：单核金属氧酸盐(mononuclear oxometalate)、均多核金属氧酸盐(homopolynuclearoxometalate)和杂多核金属氧酸盐(heteropolynuclear oxometalate)。本发明的过渡金属的金属氧酸盐包括钼(Mo)、钨(W)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)或钽(Ta)的金属氧酸盐。在制剂中存在的金属氧酸盐的量为大于0至约2％，优选的量为约0.01至2％重量。
适合的单核金属氧酸盐包括式[MOp]n-Z+的那些，其中M为高氧化态的前过渡金属(early transition metals)，如Cr、V、Mo、W、Nb和Ta，且Z为电荷平衡反离子。最优选的电荷平衡反离子为质子、四烷基铵和铵阳离子。金属离子，如钠或钾也是可用的，但不优选，因为可能产生残余金属污染。这种适合的单核金属氧酸盐的一个实例为，例如(NH4)2MoO4，其中NH4 +为电荷平衡反离子，且LMoO4 -为金属氧酸根。
适合的均多核金属氧酸盐包括式[MmOp]n-Z+的那些，其中M为高氧化态的前过渡金属，如Cr、V、Mo、W、Nb和Ta，且Z为电荷平衡反离子。这些由单核金属氧酸盐与酸缩合形成。适合的均多核金属氧酸盐的一个实例为(NH4)6Mo7O24，其中NH4 +为电荷平衡反离子，且Mo7O24 6-为均多核金属氧酸根。适合的杂多核金属氧酸盐包括式[XxMmOp]n-Z+的那些，其中M为高氧化态的前过渡金属，如Cr、V、Mo、W、Nb和Ta；X为杂原子，其可以为过渡金属或主族元素，且Z为电荷平衡反离子。适合的杂多核金属氧酸盐的一个实例为H4SiW12O40，其中H+为电荷平衡反离子，Si为杂原子X，且W为前过渡金属M。
本发明的制剂可含有任选的对清洁组合物的效果无害的成分，例如表面活性剂、残余物去除增强剂等。
对于本发明制剂适合的金属氧酸盐包括，但不限于，钼酸铵((NH4)2MoO4)、钨酸铵((NH4)2WO4)、钨酸(H2WO4)、偏钒酸铵(NH4VO3)、七钼酸铵((NH4)6Mo7O24)、偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40)、仲钨酸铵((NH4)10H2W12O42)、十钒酸四甲基铵((TMA)4H2V10O28)、十铌酸四甲基铵((TMA)6Nb10O28)、重铬酸铵((NH4)2Cr2O7)、磷钼酸铵((NH4)3PMo12O40、硅钨酸(H4SiW12O40)、磷钨酸(H3PW12O40)、磷钼酸(H3PMo12O40)、硅钼酸(H4SiMo12O40)和磷钼钒酸(molybdovanadophosphates)(H5PMo10V2O40)。
本发明优选制剂的实例包括，但不限于，这样的制剂，其包含2.1％氢氧化四甲基铵、0.14％硅酸四甲基铵、0.12％反-1，2-环己烷二胺四乙酸、和约0.01至约2％钼酸铵或硅钨酸、和至100％的余量的水。
上述制剂将与至少一种过氧化物组合，所述制剂与过氧化物的比例为约5∶1至约40∶1，优选比例为15∶1至30∶1，且最优选的比例为20∶1，以提供微电子清洁组合物。可以使用任何与上述制剂的金属氧酸盐反应的适合的过氧化物以形成过氧金属氧酸盐。适合的过氧化物包括过氧化氢；过氧酸，如过磷酸(peroxydiphosphoric acid)(H4P2O8)、过硫酸(H4S2O8)、苯二甲酰亚氨基过氧己酸(phthalimidoperoxycaproic acid)、过乙酸(C2H4O3)、过苯甲酸、二过氧邻苯二甲酸(diperoxyphthalic acid)及它们的盐；和烷基过氧化物如过氧化苯甲酰、甲基乙基酮过氧化物、过氧化二异丙苯、叔丁基异丙苯基过氧化物。优选的过氧化物为过氧化氢。
认为增强的清洁效力是由于过氧化物被这些金属氧酸盐物质活化。在碱性溶液中，金属氧酸盐(金属＝WVI、MoVI、CrVI、VV、NbV和TaV)与过氧化物反应形成无机过氧金属氧酸盐。这些过氧金属氧酸盐可以以两种方式增强清洁力。第一，过氧金属氧酸盐分解产生单线态氧(高反应性基团氧化剂)，其为比过氧化氢更强的氧化剂。认为该单线态氧可增强残余物的氧化，而由此促进残余物的溶解。也已知过氧金属氧酸盐是过氧化物氧化有机物的有效催化剂。该催化的活性可增强基于碳的残余物的氧化和去除。
由于在组合溶液中产生的所得过氧金属氧酸盐的分解，这些溶液的寿命通常是有限的。根据过氧钼酸盐(peroxomolybdate)产生的红色溶液，当上述第27段含有钼酸铵的优选制剂与过氧化氢(20％)以20∶1稀释混合时，表现出在25°的寿命为5分钟(2％钼酸铵)至45分钟(0.01％钼酸铵)。在上述第27段中含有硅钨酸的优选制剂的情况中，根据颜色的改变，制剂与20％过氧化氢(20∶1)混合所得的清洁组合物的寿命要长得多，为45分钟(2％硅钨酸)至5小时(0.01％硅钨酸)。对于清洁组合物(包含上述第27段含有硅钨酸(0.5％)的优选制剂)的Al蚀刻速率(etch rate)改变的检测，当与过氧化氢20％以20∶1稀释混合时表现出浴寿命(bath life)仅为3.5小时，但组合物可通过加入过氧化氢而再活化。加热这些组合物导致这些组合物寿命的明显降低。
在这些用于半导体和微芯片工业中的清洁组合物中使用金属氧酸盐的另一个关注的问题是处理后金属可能留在晶片表面。使用XPS(X-射线光电子光谱法)检测来自这些组合物的钼和钨的金属吸收。在Al和TEOS晶片用上述第27段含钼酸铵和硅钨酸盐的优选制剂与过氧化氢(20％)以20∶1比例的混合处理后，在去离子水中洗涤1分钟，并在Ar中干燥，在任何晶片表面都没有观察到Mo或W。这表明这些金属阴离子可以容易地从晶片表面洗掉，且使用这些制剂时过渡金属污染不应该成为问题。
在25℃在上述第27段的优选制剂中以稀释比为20∶1加入20％过氧化氢用于检测本发明清洁组合物的蚀刻速率。作为比较，制备不含任何金属氧酸盐的对照制剂(对照制剂＝水，2.1％氢氧化四甲基铵，0.14％硅酸四甲基铵，0.12％反-1，2-环己烷二胺四乙酸)。与对照制剂相比，所有检测的含硅钨酸或钼酸铵的优选清洁组合物均没有明显降低Al、Ti和TEOS蚀刻速率，但是W蚀刻速率大约为对照制剂得到的蚀刻速率的一半。
在Al金属线和通孔上检测向这些优选制剂中以20∶1的比例加入20％过氧化氢的清洁效果。作为对照，使用上一段所述的对照制剂。在被检测的Al金属线的情况中，对照制剂仅能在45℃处理5分钟后去除所有残余物，但总能观察到电偶腐蚀(galvanic corrosion)，即使在25℃处理5分钟后也能观察到。对于两种优选的制剂，与对照制剂相比观察到电偶腐蚀明显降低，且残余物去除在降低的温度和降低的处理时间下完成。对于含有钼酸铵(0.1％)的优选制剂，在25℃处理低至2分钟的时间清洁了这些金属线，而没有腐蚀。对于含硅钨酸(0.5％)的优选制剂，金属线能够在25℃处理2分钟而完全清洁，而几乎没有观察到腐蚀。在被检测的Al通孔(vias)的情况中，对照制剂与20％过氧化氢混合(比例为20∶1)能够在25℃处理低至5分钟而清洁通孔。含硅钨酸的优选制剂使用制剂与20％过氧化氢的更高比例(30∶1)，且与对照制剂相比没有观察到增加的腐蚀。在该情况下，清洁能够在25℃处理低至2分钟就完成。
通常，含硅钨酸和钼酸铵的优选制剂与对照制剂相比表现出改善的腐蚀抑制和清洁效力。而且在两种情况中，钨蚀刻速率减到对照制剂的一半。
虽然本发明已经通过其具体实施方案进行了描述，但能够理解可以进行改变、修改和变形而没有偏离本文公开的发明理念的精神和范围。因此，意欲包括所有落入所附权利要求的精神和范围中的这些改变、修饰和变形。

Claims (20)

1.与过氧化物组合用于清洁微电子设备的碱性含水制剂，该制剂包含：(a)水，(b)至少一种无金属离子的碱，该碱的量足以使最终制剂具有碱性pH，(c)以％SiO2表示，0.01％至5％重量的至少一种水溶性无金属离子的硅酸盐腐蚀抑制剂；(d)0.01％至10％重量的至少一种金属螯合剂，和(e)大于0至2.0％重量的至少一种来自元素周期表V和VI族的过渡金属的金属氧酸盐。
2.根据权利要求1的制剂，其中所述金属氧酸盐为选自下列金属的金属氧酸盐：钼(Mo)、钨(W)、钒(V)、铌(Nb)、铬(Cr)和钽(Ta)。
3.根据权利要求2的制剂，其中所述金属氧酸盐选自单核金属氧酸盐、均多核金属氧酸盐和杂多核金属氧酸盐。
4.根据权利要求2的制剂，其中所述制剂的碱性pH为11至13.4。
5.根据权利要求2的制剂，其中所述无金属离子的碱为氢氧化铵，所述无金属离子的硅酸盐为季铵硅酸盐，且所述金属螯合剂为氨基羧酸。
6.根据权利要求5的制剂，其中所述金属氧酸盐选自钼酸铵((NH4)2MoO4)、钨酸铵((NH4)2WO4)、钨酸(H2WO4)、偏钒酸铵(NH4VO3)、七钼酸铵((NH4)6Mo7O24)、偏钨酸铵((NH4)6H2W12O40)、仲钨酸铵((NH4)10H2W12O42)、十钒酸四甲基铵((TMA)4H2V10O28)、十铌酸四甲基铵((TMA)6Nb10O28)、重铬酸铵((NH4)2Cr2O7)、磷钼酸铵((NH4)3PMo12O40)、硅钨酸(H4SiW12O40)、磷钨酸(H3PW12O40)、磷钼酸(H3PMo12O40)、硅钼酸(H4SiMo12O40)和磷钼钒酸(H5PMo10V2O40)。
7.根据权利要求6的制剂，其中所述无金属离子的碱为氢氧化四甲基铵，所述无金属离子的硅酸盐为硅酸四甲基铵，所述金属螯合剂为反-1，2-环己烷二胺四乙酸，且所述金属氧酸盐选自钼酸铵和硅钨酸。
8.根据权利要求7的制剂，其包含2.1％氢氧化四甲基铵、0.14％硅酸四甲基铵、0.12％反-1，2-环己烷二胺四乙酸和0.01至2％的金属氧酸盐，和余量的水至100％。
9.根据权利要求8的制剂，其中所述金属氧酸盐为钼酸铵。
10.根据权利要求8的制剂，其中所述金属氧酸盐为硅钨酸。
11.用于清洁微电子设备的碱性含水清洁组合物，该清洁组合物包含与 至少一种过氧化物混合的权利要求1的制剂，其中所述制剂与过氧化物的比例为5∶1至40∶1，且其中至少一种过氧化物与金属氧酸盐反应形成过氧金属氧酸盐。
12.用于清洁微电子设备的碱性含水清洁组合物，该清洁组合物包含与至少一种过氧化物混合的权利要求2的制剂，其中所述制剂与过氧化物的比例为5∶1至40∶1，且其中至少一种过氧化物与金属氧酸盐反应形成过氧金属氧酸盐。
13.用于清洁微电子设备的碱性含水清洁组合物，该清洁组合物包含与至少一种过氧化物混合的权利要求7的制剂，其中所述制剂与过氧化物的比例为5∶1至40∶1，且其中至少一种过氧化物与金属氧酸盐反应形成过氧金属氧酸盐。
14.根据权利要求11的碱性含水清洁组合物，其中至少一种过氧化物包括过氧化氢。
15.根据权利要求12的碱性含水清洁组合物，其中至少一种过氧化物包括过氧化氢。
16.根据权利要求13的碱性含水清洁组合物，其中至少一种过氧化物包括过氧化氢。
17.从微电子衬底清洁污染物或残余物的方法，该方法包括使微电子衬底与权利要求11的清洁组合物接触，且接触时间和温度足以去除污染物或残余物。
18.从微电子衬底清洁污染物或残余物的方法，该方法包括使微电子衬底与权利要求12的清洁组合物接触，且接触时间和温度足以去除污染物或残余物。
19.从微电子衬底清洁污染物或残余物的方法，该方法包括使微电子衬底与权利要求13的清洁组合物接触，且接触时间和温度足以去除污染物或残余物。
20.从微电子衬底清洁污染物或残余物的方法，该方法包括使微电子衬底与权利要求16的清洁组合物接触，且接触时间和温度足以去除污染物或残余物。 
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