BR112014032521B1 - Portador, revelador de dois componentes, revelador suplementar, método de formação de imagem, cartucho de processo e aparelho de formação de imagem - Google Patents

Portador, revelador de dois componentes, revelador suplementar, método de formação de imagem, cartucho de processo e aparelho de formação de imagem Download PDF

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Abstract

portador, revelador de dois componentes, revelador suplementar, método de formação de imagem, cartucho de processo e aparelho de formação de imagem. é provido um portador incluindo partículas de núcleo magnético; e uma camada de revestimento em uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético, em que a camada de revestimento contém partículas eletrocondutoras; em que as partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio; e em que uma razão de dope de fósforo ou tungstênio para estanho no estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio é 0,010 a 0,100.

Description

Campo Técnico
[0001] A presente invenção se refere a um portador de revelação de imagem latente eletrostática usado para um método eletrofotográfico ou um método de gravação eletrostático, e um revelador de dois componentes, um revelador suplementar, um método de formação de imagem, um cartucho de processo e um aparelho de formação de imagem usando o portador.
Antecedentes da técnica
[0002] Na formação de imagem eletrofotográfica, uma imagem latente eletrostática é formada em um membro de suporte de imagem latente eletrostática tal como um material fotocondutor, e formado em uma imagem de toner com um toner carregado. A imagem de toner então é transferida para e fixada em um meio de gravação para formar desta maneira imagem de saída. No campo de eletrofotografia, copiadores coloridos e impressoras foram trazidos rapidamente para o consumo em massa no lugar de copiadoras monocromáticas e impressoras recentemente. Portanto, um mercado de copiadores coloridos e impressoras tende a se expandir.
[0003] Nas formações de imagem colorida, em geral, três toners de cor de amarelo, magenta e ciano, ou quatro toners de cor preta bem como amarelo, magenta, e ciano são sobrepostos para reproduzir desta forma todas as cores. Assim, de maneira a obter uma imagem colorida aguda sendo excelente na reprodução de cor, é necessário suavizar a superfície de uma imagem de toner fixa de forma a reduzir o espalhamento de luz. Por esta razão, nos copiadores coloridos convencionais, imagens tendo um brilho médio para um alto brilho de 10% a 50% geralmente foram formadas.
[0004] Em geral, como um método para fixar uma imagem de toner seco em um meio de gravação, o método de fixação de calor por contato geralmente foi empregado em que um rolo ou correia tendo uma superfície suave é deixado contatar por pressão com um toner enquanto aquece o rolo ou correia. Este método possui vantagens pelo fato de que exibe alta eficiência térmica, permite fixação de alta velocidade e transmite brilho e transparência para imagens de toner coloridas. Por outro lado, este método inconvenientemente causa um assim chamado fenômeno de deslocamento em que uma parte de uma imagem de toner adere à superfície de um rolo de fixação e então transferido para outra imagem, já que a superfície de um membro de fixação de calor é feita em contato com um toner fundido sob pressão e então eles são separados entre si.
[0005] De maneira a evitar o fenômeno de deslocamento, foi adotado um método de formação de uma camada de superfície de um rolo de fixação com o uso de um material que é excelente na propriedade de liberação tal como uma borracha de silicone ou uma fluororesina, e adicionalmente aplicando um óleo de prevenção de adesão de toner tal como um óleo de silicone para a camada de superfície do rolo de fixação. Este método é extremamente eficaz na prevenção do deslocamento de toner. No entanto, este método necessita prover adicionalmente um dispositivo para fornecer o óleo, levando a um aumento no tamanho do dispositivo de fixação.
[0006] Portanto, nas formações de imagem monocromática, geralmente foi adotado um sistema sem óleo em que um toner, que possui uma alta viscoelasticidade em um estado fundido e contém um agente de liberação de maneira a evitar fratura interna do toner fundido, é usado para eliminar a necessidade de aplicar óleo no rolo de fixação, ou um sistema em que o toner é usado para diminuir extremamente a quantidade de aplicação do óleo.
[0007] Enquanto isso, também nas formações de imagem colorida, um sistema sem óleo tendeu a ser empregado para diminuir no tamanho de um dispositivo de fixação e simplificar a estrutura do mesmo de maneira similar com formações de imagem monocromática. No entanto, em formações de imagem colorida, existe uma necessidade de reduzir a viscoelasticidade do toner em um estado fundido de maneira a suavizar a superfície de uma imagem de toner fixa. Portanto, as formações de imagem colorida causam mais facilmente o fenômeno de deslocamento do que as formações de imagem monocromática não brilhosas, que torna difícil empregar o sistema sem óleo nas formações de imagem colorida. Quando um agente de liberação é incorporado em um toner, o toner tem a adesividade aumentada, de forma que a capacidade de transferência do toner para um meio de gravação é degradada. Adicionalmente, a incorporação do agente de liberação para o toner desvantajosamente causa a formação de filme de toner, levando à degradação na exigibilidade e assim na durabilidade.
[0008] Por outro lado, têm existido tentativas de prolongar a vida de serviço de um portador através do revestimento da superfície de núcleo do portador com uma resina tendo uma energia de superfície baixa tal como uma fluororesina ou uma resina de silicone, para o propósito de evitar a formação de filme de ocorrer, formando uma superfície de portador uniforme, evitando que uma superfície de portador seja oxidada, evitando a sensibilidade à umidade de reduzir, prolongando a vida de serviço de um revelador, evitando um portador de aderir na superfície de um fotocondutor, protegendo um fotocondutor de ser arranhado ou abradado, controlando a polaridade de carga, e ajustando a quantidade de carga.
[0009] Exemplos do portador revestido com a resina tendo uma energia de superfície baixa incluem um portador revestido com uma resina de silicone curável em temperatura ambiente e uma resina de nitrogênio carregada positivamente (ver PTL 1), um portador revestido com um material de revestimento contendo pelo menos uma resina de silicone modificada (ver PTL 2), um portador tendo uma camada de revestimento contendo uma resina de silicone curável de temperatura ambiente e uma resina acrílica de estireno (ver PTL 3), um portador em que a superfície de uma partícula de núcleo é revestida com duas ou mais camadas de uma resina de silicone de forma que as camadas não se aderem entre si (ver PTL 4), um portador em que a superfície de uma partícula de núcleo é revestida com múltiplas camadas de uma resina de silicone (ver PTL 5) , um portador do qual a superfície é revestida com uma resina de silicone contendo um carbeto de silício (ver PTL 6) , um portador carregado positivamente revestido com um material que exibe tensão de superfície crítica de 20 dyn/cm ou menos (ver PTL 7), e um portador revestido com um material de revestimento contendo fluoroalquil acrilato (ver PTL 8) .
[00010] Recentemente, no entanto, tem existido uma demanda crescente para maior velocidade, redução em carga de resíduo ambiental que resulta da vida de serviço prolongada, e redução no custo para imprimir por página no aparelho de formação de imagem. Portanto, existe uma necessidade por um portador tendo maior durabilidade.
[00011] Por outro lado, a resistividade é uma propriedade importante para um portador. A resistividade do portador é controlada de forma a alcançar uma qualidade de impressão intencionada dependendo de um sistema de aparelho de formação de imagem que é usado em combinação com o portador. Uma camada de revestimento do portador contém partículas eletrocondutoras como um material para controlar a resistividade. Exemplos das partículas eletrocondutoras exemplares incluem negro de carbono, óxido de titânio, óxido de zinco, e ITO (óxido de índio estanho) . Dentre eles, um negro de carbono do tipo partícula única e ITO revestido com uma camada eletrocondutora foi usada como excelentes partículas eletrocondutoras em muitos casos. Por exemplo, um portador em que negro de carbono é usado como partículas eletrocondutoras foi descrito (ver PTL 9, PTL 10, e PTL 11) . No entanto, existe uma necessidade por aprimoramento no portador acima já que não é respondido até uma imagem recente que se forma sob condições de bastante tensão, de forma que manchas de cor problemáticas ocorrem.
[00012] Ainda, partículas eletrocondutoras em que partículas de base são revestidas com ITO servindo como um material eletrocondutor foram descritas (ver PTL 12, PTL 13, PTL 14, PTL 15, e PTL 16) . No entanto, no caso das partículas eletrocondutoras em que partículas de base são revestidos com camadas finas do material eletrocondutor sendo excelentes em desempenho eletrocondutor, quando um portador é formado a partir das mesmas e usado em aparelho de formação de imagem de alta velocidade, as camadas finas do material eletrocondutor que é exposto nas superfícies de partículas de portador são raspadas devido à colisão das partículas de portador entre si dentro de um dispositivo de revelação. Como um resultado, as partículas de base tendo alta dureza são expostas rapidamente, de forma que camadas de revestimento de resina nos portadores são diminuídas de maneira acelerada na resistência ao impacto, levando adicionalmente à raspagem das camadas de revestimento e diminuindo na resistividade. De maneira apropriada, espalhamento de portador ocorre, que torna impossível que o portador seja usado por um longo período de tempo.
[00013] Desta forma, de maneira a alcançar um portador bastante durável, a opção de partículas eletrocondutoras e uma resina de revestimento é selecionada é importante.
Lista de Citação Literatura de Patente
[00014] PTL 1 Pedido ■ de Patente Japonês aberto (JP-A) No. 55
[00015] -127569PTL 2 : JP-A No. 55-157751
[00016] PTL 3 : JP-A No. 56-140358
[00017] PTL 4 : JP-A No. 57-96355
[00018] PTL 5: JP-A No. 57-96356
[00019] PTL 6: JP-A No. 58-207054
[00020] PTL 7 : JP-A No. 61-110161
[00021] PTL 8 : JP-A No. 62-273576
[00022] PTL 9: JP-A No. 07-140723
[00023] PTL 10: : JP-A No. 08-179570
[00024] PTL 11: : JP-A No. 08-286429
[00025] PTL 12: : Patente Japonesa (JP-B) No. 4307352
[00026] PTL 13; : JP-A No. 2006-79022
[00027] PTL 14: : JP-A No. 2008-262155
[00028] PTL 15; : JP-A No. 2009-186769
[00029] PTL 16; : JP-A No. 2009-251483
Sumário da Invenção Problema Técnico
[00030] A presente invenção deseja prover um portador de revelação de imagem latente eletrostática usado para um revelador de dois componentes usado em um método eletrofotográfico ou um método de gravação eletrostático que pode alcançar uma alta durabilidade, e um revelador de dois componentes, um revelador suplementar, um método de formação de imagem, um cartucho de processo e um aparelho de formação de imagem usando o portador.
Solução para o Problema
[00031] Meios para resolver os problemas acima são como na sequência.
[00032] Um portador incluindo:
[00033] partículas de núcleo magnético; e
[00034] uma camada de revestimento em uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético,
[00035] em que a camada de revestimento contémpartículas eletrocondutoras;
[00036] em que as partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ouestanho dopado com tungstênio; e
[00037] em que uma razão de dope de fósforo outungstênio para estanho no estanho dopado com fósforo ouestanho dopado com tungstênio é 0,010 a 0,100.
Efeitos Vantajosos da Invenção
[00038] De acordo com a presente invenção, um portador é provido que é obtido através da aplicação para partículas de núcleo magnético uma resina contendo certas partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio servindo como um material eletrocondutor, seguido por sujeitado a um tratamento térmico para desta forma policondensar componentes de reticulação na resina.
[00039] O portador da presente invenção resulta em um portador bastante durável e revelador tendo uma camada de revestimento forte formada a partir de componentes de reticulação com base em silano tendo uma energia de superfície baixa e as partículas eletrocondutoras, sendo excelentes em estabilidade de carga por um longo período de tempo devido a um controle da resistividade, sendo menos provável de variar na resistividade do portador ou uma quantidade de um revelador fornecido, tendo uma quantidade reduzida da camada de revestimento raspada ou descascada, suprimindo o toner gasto, e sendo capaz de evitar a adesão do portador.
[00040] Em adição, o portador suprime a variação de carga dependendo do ambiente e evita a variação na densidade de imagem, manchas de fundo, e contaminação devido ao espalhamento de toner em um dispositivo de revelação sob vários ambientes.
[00041] Ainda, o portador exibe uma vantagem extremamente excelente em prover um método de revelação bastante confiável e aparelho de formação de imagem.
Breve Descrição dos Desenhos
[00042] A FIG. 1 ilustra uma vista de explicação de uma célula de medição para medir a resistividade volumétrica na presente invenção.
[00043] A FIG. 2 ilustra um exemplo de cartucho de processo de acordo com a presente invenção.
[00044] A FIG. 3 ilustra de maneira esquemática um exemplo de aparelho de formação de imagem da presente invenção.
Descrição das Modalidades (Portador)
[00045] Um portador da presente invenção inclui partículas de núcleo magnético e uma camada de revestimento em uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético.
[00046] A camada de revestimento contém partículas eletrocondutoras. As partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio.
[00047] Os presentes inventores descobriram que a durabilidade pode ser garantida enquanto mantém a qualidade de imagem com o tempo, como um portador de revelação de imagem latente eletrostática, usando um portador tendo uma certa estrutura em que partículas eletrocondutoras estão contidas nas camadas de revestimento, as partículas eletrocondutoras incluindo pigmentos inorgânicos brancos servindo como partículas de base e estanho dopado com fósforo servindo como um material eletrocondutor revestido nas partículas de base.
[00048] Um portador de revelação de imagem latente eletrostática da presente invenção inclui partículas de núcleo magnético e uma camada de revestimento em uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético, a camada de revestimento contém partículas eletrocondutoras, e as partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo servindo como um material eletrocondutor.
[00049] Na presente invenção, é extremamente importante usar partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio servindo como um material eletrocondutor. Como descrito acima, negro de carbono e ITO foram usados como partículas eletrocondutoras sendo excelentes agentes de controle de resistividade. No entanto, no aparelho de formação de imagem de alta velocidade, ocorreram problemas a ser resolvidos tais como manchas de cor sob condições de alta tensão no caso de negro de carbono e uma diminuição de resistividade devido à raspagem das camadas de revestimento com o tempo no caso de ITO.
[00050] O estanho dopado com fósforo possui menor capacidade de controle da resistividade do que negro de carbono e ITO. Portanto, quando se forma partículas eletrocondutoras revestidas com camadas eletrocondutoras, isto é, partículas eletrocondutoras em que partículas de base são revestidos com um material eletrocondutor, estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio deve ser usado em uma quantidade maior do que aquela de ITO de maneira a alcançar partículas eletrocondutoras tendo a mesma resistividade específica do pó como um todo. Ou seja, as resultantes camadas eletrocondutoras do estanho dopado com fósforo ou o estanho dopado com tungstênio são mais grossos do que aquelas de ITO em relação ao diâmetro de partículas das partículas de base, que resulta surpreendentemente em uma característica vantajosa da presente invenção.
[00051] Ou seja, as partículas eletrocondutoras contendo, como o material eletrocondutor, estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio são expostas nas superfícies de portadores, de forma que elas são inevitavelmente raspadas devido à colisão das partículas de portador entre si dentro de um dispositivo de revelação no aparelho de formação de imagem de maneira similar às partículas eletrocondutoras contendo ITO. No entanto, elas possuem grossas camadas de revestimento, o que evita partículas de base rígidas de serem expostas rapidamente. Portanto, as camadas de revestimento dos portadores não são raspadas rapidamente, o que permite que qualidade de imagem seja mantida de maneira estável com o tempo.
[00052] Em adição às partículas eletrocondutoras contendo estanho como o material eletrocondutor, existem muitas outras partículas eletrocondutoras tais como aquelas contendo nióbio dopado, tântalo, antimônio, ou flúor. No entanto, estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio é compreensivamente adequado a partir dos pontos de vista de capacidade de fabricação, segurança, e custo.
[00053] Por segundo, uma razão de revestimento do material eletrocondutor para os pigmentos inorgânicos brancos servindo como partículas de base também é importante. Na presente invenção, a seguinte relação preferivelmente é satisfeita: 1,4 < R2/R1 < 2,6 ...Expressão relacional (1)
[00054] onde R1 denota um diâmetro de partícula de pigmentos inorgânicos brancos (μm) e R2 denota um diâmetro de partícula de partículas eletrocondutoras (μm).
[00055] Quanto menor é R2/R1, mais fina é a camada de revestimento; e quanto maior é R2/R1, mais grossa é a camada de revestimento. Quando R2/R1 é menor do que 1,3, as partículas de base são expostas rapidamente, o que facilita a raspagem da camada de revestimento. Quando R2/R1 é mais do que 2,6, as partículas eletrocondutoras se tornam muito grandes em um diâmetro de partícula a ter uma tendência a ser separadas a partir das camadas de revestimento devido à colisão das partículas de portador entre si, o que aumenta resistividade do portador e assim pode deteriorar a qualidade da imagem.
[00056] Na presente invenção, estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio são usados como o material eletrocondutor para as partículas eletrocondutoras. A adição de uma pequena quantidade de fósforo ou tungstênio pode alcançar pó eletrocondutor branco sendo excelente em eletrocondutividade e estabilidade temporal, bem como sendo de baixo custo enquanto mantém a cor branca.
[00057] Quando a razão de dope é menor do que 0,010, uma eletrocondutividade desejada não pode ser alcançada, o que torna difícil controlar a resistividade de portadores e deteriora a estabilidade temporal da resistividade. Quando a razão de dope é maior do que 0,100, pigmentos servindo como as partículas de base são diminuídas na brancura devido à coloração, o que pode causar manchas de cor em uma imagem e deteriora a estabilidade temporal da carga. A razão de dope pode ser calculada a partir dos resultados de medição de XPS (espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X) obtidos por, por exemplo, AXIS-URTRA (produto de Kratos Group Plc.).
[00058] O diâmetro de partícula médio volumétrico das partículas eletrocondutoras é preferivelmente 0,35 μm a 0,65 μm. Quando o diâmetro de partícula médio volumétrico é menor do que 0,35 μm, as partículas agregam e se tornam difíceis de se dispersar na forma de uma única partícula. De maneira apropriada, quando formada em um portador, as partículas eletrocondutoras estão presentes na forma de um grande agregado, o que fascina uma separação das partículas eletrocondutoras a partir das camadas de revestimento. Quando o diâmetro de partícula médio volumétrico é maior do que 0,65 μm, as partículas eletrocondutoras também podem tender a se separar a partir das camadas de revestimento.
[00059] R1 e R2 podem ser medidos, por exemplo, pela série NANOTRAC UPA (produto de Nikkiso Co., Ltd.).
[00060] As partículas eletrocondutoras preferivelmente possuem resistividade específica do pó de 3 Q.cm a 20 Q.crn. A quantidade das partículas eletrocondutoras incorporadas no portador é determinada dependendo de uma resistividade intencionada. Quando a resistividade específica do pó é menor do que 3 Q.cm, as partículas eletrocondutoras se tornam muito grandes em um diâmetro de partícula para ter uma tendência de ser separada a partir das camadas de revestimento. Quando a resistividade específica do pó é maior do que 20 Q.crn, as camadas de revestimento se tornam finas, de forma que as partículas de base tendo alta dureza são expostas rapidamente, levando a raspagem das camadas de revestimento.
[00061] A resistividade específica do pó das partículas eletrocondutoras pode ser medida usando, por exemplo, LCR meter (produto de Agilent Technologies, Inc.).
[00062] Os pigmentos inorgânicos brancos servindo como partículas de base nas partículas eletrocondutoras podem ser qualquer um de dióxido de titânio, óxido de alumínio, dióxido de silício, óxido de zinco, sulfato de bário, óxido de zircônio, sais de metal alcalino de ácido titânico, ou muscovita. Como um exemplo, dióxido de titânio será explicado em detalhe. Dióxido de titânio não está particularmente limitado no diâmetro de partícula e na forma (por exemplo, esférica ou acicular). Ainda, dióxido de titânio pode ser cristalino (por exemplo, anatase, rutilo) ou não cristalino.
[00063] Notavelmente, apesar de a presente invenção colocar ênfase na brancura, a presente invenção pode ser aplicada a vários pigmentos coloridos tais como óxido de ferro.
<Método de produção de partículas eletrocondutoras>
[00064] Um método de produção das partículas eletrocondutoras não está particularmente limitado e pode ser, por exemplo, como na sequência. Camadas de hidrato de sal de estanho contendo hidrato de sal de fósforo ou hidrato de sal de tungstênio são depositadas de maneira uniforme nas superfícies de pigmentos inorgânicos brancos para obter desta forma camadas de revestimento, seguida por queima.
[00065] Por exemplo, camadas de hidrato de sal de estanho contendo hidrato de sal de fósforo ou hidrato de sal de tungstênio podem ser depositadas de maneira uniforme nas superfícies de pigmentos inorgânicos brancos enquanto evita que as partículas de pigmento inorgânico brancas se dissolvam ou sejam modificadas na superfície com ácidos ou bases como na sequência. O sal de fósforo acima (por exemplo, pentaóxido de fósforo ou POCl3) ou sal de tungstênio (por exemplo, cloreto de tungstênio, oxicloreto de tungstênio, tungstato de sódio, ou ácido tungstico), e sal de estanho (por exemplo, sais de estanho tais como cloreto de estanho, sulfato de estanho, ou nitrato de estanho; estanatos tais como estanato de sódio ou estanato de potássio; ou compostos de estanho orgânico tais como alcóxido de estanho) são dissolvidos e dispersos para obter desta forma líquido aquoso ácido. O resultante líquido aquoso ácido e um agente de ajuste de pH (por exemplo, líquido aquoso básico) são adicionados simultaneamente gota a gota a um líquido aquoso ácido em que as partículas de pigmento inorgânico brancas foram dispersas. O agente de ajuste de pH é usado para precipitar ou depositar o fósforo ou tungstênio e estanho adicionados na forma de hidrato nas superfícies das partículas de pigmento.
[00066] Aqui, uma taxa de dope de fósforo ou tungstênio para SnO2 pode ser controlada controlando a quantidade de fósforo ou tungstênio adicionada gota a gota e a quantidade de solução de cloreto de estanho adicionada gota a gota. No entanto, é claro que, preferivelmente é notado que um ponto isoelétrico de hidrato de estanho (isto é, hidróxido de estanho ou ácido estanico) não é necessariamente o mesmo que aquele de componentes de fósforo ou tungstênio, e que a solubilidade do hidrato de estanho em um certo pH pode ser diferente daquela dos componentes de fósforo ou tungstênio. Solventes orgânicos solúveis em água (por exemplo, metanol ou metil etil cetona) podem ser misturados com o sal de fósforo ou sal de tungstênio e sal de estanho de maneira a, através da adição gota a gota, atenuar o ataque contra as partículas de pigmento inorgânico brancas, evitar uma reação de hidratação excessiva de fósforo ou tungstênio e estanho, e assim permitir que a camada de revestimento seja uniforme. O hidrato resultante pode ser preferivelmente disparado a 300°C a 850°C sob atmosfera não oxidativa, o que permite que a resistividade volumétrica de pó seja extremamente baixa se comparada com aquela que foi aquecida no ar.
[00067] As partículas eletrocondutoras podem ser tratadas na superfície, o que permite sobrepor camadas eletrocondutoras para aderir às superfícies das partículas de maneira uniforme e hermeticamente. Assim, as partículas eletrocondutoras podem exibir um efeito de controle de resistividade satisfatório. As partículas eletrocondutoras podem ser tratadas na superfície usando, por exemplo, um agente de acoplamento de silano com base em amino, um agente de acoplamento de silano com base em metacriloxi, um agente de acoplamento de silano com base em vinil, ou um agente de acoplamento de silano com base em mercapto.
[00068] O diâmetro de partícula médio volumétrico do portador não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado, mas preferivelmente é de 32 μm a 40 μm. Quando o diâmetro de partícula médio volumétrico é menor do que 32 μm, a adesão de portador pode ocorrer. Quando o diâmetro de partícula médio volumétrico é maior do que 40 μm, a imagem resultante pode ser deteriorada na reprodutibilidade em detalhes, o que pode evitar formações de imagem finas.
[00069] O diâmetro de partícula médio volumétrico pode ser medido usando, por exemplo, analisador de tamanho de partícula MICROTRAC Modelo HRA9320-X100 (produto de Nikkiso Co., Ltd.).
[00070] A resistividade volumétrica do portador não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado, mas preferivelmente é 8 (LogQ.cm) a 14 (LogQ.cm).
[00071] Quando a resistividade volumétrica é menor do que 8 (LogQ.cm), deposição de portador pode ocorrer em porções que não são de imagem. Quando a resistividade volumétrica é maior do que 14 (LogQ.cm), um grau inaceitável do efeito da borda pode ocorrer.
[00072] A resistividade volumétrica do portador pode ser medida usando uma célula de medição ilustrada na FIG. 1 como na sequência. A célula de medição é compreendida de um recipiente de fluororesina 2 em que eletrodos 1a e 1b cada um tendo uma área de superfície de 2,5 cm x 4 cm são posicionados em uma distância de 0,2 cm afastados entre si. A célula de medição é cheia com um portador 3 e afunilada a partir de uma altura de 1 cm pro 10 vezes em uma velocidade de toque de 30 vezes/min. A seguir, uma voltagem de corrente direta de 1.000 V é aplicada a entre os eletrodos 1a e 1b por 30 segundos para medir a resistividade r [Q] por um medidor de resistência alta 4329A (produto de Agilent Technologies, Inc.). A resistividade volumétrica [Q.cm] do portador pode ser calculada a partir da seguinte Fórmula de cálculo (2):r x (2,5 x 4)/0,2 ... Fórmula de cálculo (2)
[00073] As resina de revestimentos do portador, por exemplo, resinas de silicone, resinas acrílicas, ou uma combinação das mesmas podem ser usadas. As resinas acrílicas possuem alta adesividade e baixa fragilidade, o que quer dizer que resinas acrílicas possuem uma resistência à abrasão excelente. No entanto, como as resinas acrílicas possuem alta energia de superfície, um problema pode ocorrer tal como uma diminuição na quantidade de carga causado pelo acúmulo de componente de toner gasto quando usado em combinação com um toner tendo uma tendência a ser gasto. Este problema pode ser resolvido usando resinas de silicone em combinação já que resinas de silicone possuem baixa energia de superfície, de forma que o componente de toner é menos provável de ser gasto e assim o componente gasto que causa raspagem das camadas de revestimento não se acumula facilmente. No entanto, resinas de silicone possuem baixa adesividade e alta fragilidade, o que quer dizer que resinas de silicone possuem uma desvantagem de baixa resistência à abrasão. Portanto, é essencial usar as 2 resinas acima de uma maneira equilibrada para obter camadas de revestimento que suprimem o toner gasto e possuem resistência à abrasão, o que resulta em efeito de aprimoramento significativo. Isto ocorre pois resinas de silicone possuem baixa energia de superfície, de forma que o componente de toner é menos provável de ser gasto e assim o componente gasto que causa a raspagem das camadas de revestimento não se acumula facilmente.
[00074] O termo “resina de silicone” como usado aqui se refere a qualquer resina de silicone em geral conhecida. Exemplos das mesmas incluem resinas de silicone retas que contêm apenas ligações de organo-siloxano; e resinas de silicone modificadas com, por exemplo, resinas alquídicas, resinas de poliéster, resinas epoxi, resinas acrílicas, ou resinas de uretano.
[00075] As resinas de silicone podem ser produtos comercialmente disponíveis. Exemplos de resinas de silicone retas comercialmente disponíveis incluem KR271, KR255 e KR152 (estes produtos são de Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); e SR2400, SR2406 e SR2410 (estes produtos são de Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.). Estas resinas de silicone podem ser usadas sozinhas ou em combinação com, por exemplo, componentes que passam por reação de reticulação, e componentes para ajustar a quantidade carregada.
[00076] Exemplos de resinas de silicone modificadas comercialmente disponíveis incluem KR206 (resina modificada alquídica), KR5208 (resina modificada acrílica), ES1001N (resina modificada por epoxi) e KR305 (resina modificada por uretano) (estes produtos são de Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.); e SR2115 (resina modificada por epoxi) e SR2110 (resina modificada alquídica) (estes produtos são de Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.).
[00077] Um catalisador de policondensação é usado para policondensar resinas de silicone. A reticulação das resinas juntas pode transmitir resistência para a camada de revestimento.
[00078] Exemplos do catalisador de policondensação incluem catalisadores baseados em titânio, catalisadores baseados em estanho, catalisadores baseados em zircônio, ou catalisadores baseados em alumínio. Dentre eles, catalisadores baseados em titânio são preferidos e di- isopropoxibis(etil acetoacetato) titânio é mais preferido. Acredita-se que isto ocorre pois os catalisadores acima aceleram de maneira efetiva a reação de condensação de grupo silanol e não são inativados com facilidade.
[00079] O termo “resina acrílica” como usado aqui se refere a qualquer resina contendo um componente acrílico e não está particularmente limitado. A resina acrílica pode ser usada sozinha, ou em combinação com pelo menos um outro componente que é reticulado com a mesma. Exemplos dos outros componentes que reticulam com a mesma incluem, mas não estão limitados a, resinas de amino e catalisadores ácidos. Exemplos das resinas de amino incluem resinas de guanamina e melamina. O termo “catalisador ácido” como usado aqui se refere a qualquer um daqueles tendo uma função catalítica. Exemplos dos mesmos incluem, mas não estão limitados a, aqueles tendo um grupo reativo tal como um grupo alquil completo, um grupo metilol, um grupo imino e um grupo metilol/imino.
[00080] A camada de revestimento preferivelmente contém adicionalmente um produto reticulado de uma resina acrílica e uma resina de amino, que suprime a fusão de camadas de revestimento entre si enquanto mantém a elasticidade apropriada.
[00081] A resina de amino não está particularmente limitada e pode ser selecionada de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado, mas preferivelmente é resinas de melamina ou resinas de benzoguanamina a partir do ponto de vista de ser capaz de aprimorar a capacidade que origina carga do portador resultante. No caso onde a capacidade que origina carga é necessária de ser controlada de maneira apropriada, as resinas de melamina, a resina de benzoguanamina, ou uma combinação das mesmas pode ser usada em combinação com outras resina de amino.
[00082] Resinas acrílicas que podem reticular com as resinas de amino preferivelmente são aquelas tendo um grupo hidroxila, um grupo carboxila, ou uma combinação dos mesmos, e são mais preferivelmente aqueles tendo um grupo hidroxila a partir do ponto de vista de ser capaz de aprimorar a adesividade com as partículas de núcleo ou partículas eletrocondutoras, e estabilidade de dispersão da partícula eletrocondutora. A resina acrílica preferivelmente possui um valor de hidroxila de 10 mg de KOH/g ou mais, mais preferivelmente 20 mg de KOH/g ou mais.
[00083] -Agente de acoplamento de silano-
[00084] As camadas de revestimento preferivelmente contêm a agente de acoplamento de silano, que podem dispersar de maneira estável as partículas eletrocondutoras.
[00085] O agente de acoplamento de silano não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos do mesmo incluem r-(2-aminoetil)aminopropil trimetoxisilano, r-(2-aminoetil)aminopropilmetil dimetoxisilano, r-metacriloxipropil trimetoxisilano, N-β- (N-vinilbenzilaminoetil)-r-aminopropil trimetoxisilano hidrocloreto, r-glicidoxipropil trimetoxisilano, r- mercaptopropil trimetoxisilano, metil trimetoxisilano, metil trietoxisilano, vinil triacetoxisilano, r-cloropropil trimetoxisilano, hexametil disilazano, r-anilinopropil trimetoxisilano, vinil trimetoxisilano, cloreto de octadecildimetil[3-(trimetoxisilil)propil] amônio, r- cloropropilmetil dimetoxisilano, metil triclorosilano, dimetil diclorosilano, trimetil clorosilano, alil trietoxisilano, 3-aminopropilmetil dietoxisilano, 3- aminopropil trimetoxisilano, dimetil dietoxisilano, 1,3- diviniltetrametil disilazano, e metacriloxietildimetil(3- trimetoxisililpropil) amônio cloreto. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
[00086] O agente de acoplamento de silano pode ser produtos disponíveis comercialmente. Exemplos dos mesmos incluem AY43-059, SR6020, SZ6023, SH6026, SZ6032, SZ6050, AY43-310M, SZ6030, SH6040, AY43-026, AY43-031, sh6062, Z- 6911, sz6300, sz6075, sz6079, sz6083, sz6070, sz6072, Z- 6721, AY43-004, Z-6187, AY43-021, AY43-043, AY43-040, AY43- 047, Z-6265, AY43-204M, AY43-048, Z-6403, AY43-206M, AY43- 206E, Z6341, AY43-210MC, AY43-083, AY43-101, AY43-013, AY43-158E, Z-6920, e Z-6940 (estes produtos são de Dow Corning Toray Co., Ltd.). Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
[00087] A quantidade do agente de acoplamento de silano preferivelmente é 0,1% em massa a 10% em massa com relação a aquela da resina de silicone. Quando a quantidade é menor do que 0,1% em massa, a adesividade entre a resina de silicone e as partículas de núcleo ou as partículas eletrocondutoras pode ser ruim, levando potencialmente à esfoliação das camadas de revestimento durante um uso de longo prazo. Quando a quantidade é maior do que 10% em massa, a formação de filme do toner pode ocorrer durante um uso de longo prazo.
[00088] As camadas de revestimento revestem completamente as partículas de núcleo sem deficiência, e preferivelmente possuem a espessura média de 0,05 μm a 0,5 μm. Quando a espessura média é menor do que 0,05 μm, as camadas de revestimento podem ser facilmente destruídas ou raspadas com o uso. Quando a espessura média é maior do que 0,5 μm, o portador pode aderir facilmente nas imagens por já que as camadas de revestimento não são magnéticas, e o efeito de controle de resistividade descrito abaixo se torna difícil de ser bem exibido.
[00089] As partículas de núcleo não estão particularmente limitadas desde que elas possam ser magnéticas. Exemplos das mesmas incluem metais ferromagnéticos (por exemplo, ferro ou cobalto); óxido de ferros (por exemplo, magnetita, hematita ou ferrita); várias ligas ou compostos; e partículas de resina em que qualquer uma dos ditos acima são dispersos em uma resina. Dentre eles, Mn ferrita, Mn-Mg ferrita, e Mn-Mg-Sr ferrita são preferidos já que são ambientalmente amigáveis.
(Revelador de dois componentes)
[00090] Um revelador de dois componentes da presente invenção contém o portador da presente invenção e um toner.
<Toner>
[00091] O toner contém uma resina ligante e um colorante; e, se for necessário, contém adicionalmente outros ingredientes.
[00092] O toner pode ser tanto um toner monocromático quanto um toner colorido. O toner pode conter um agente de liberação de maneira a adaptar a um sistema sem óleo em que um óleo de prevenção de adesão de toner não é aplicado em um rolo de fixação. Apesar de tal toner contendo um agente de liberação, em geral, causa facilmente a formação de filme, o portador da presente invenção pode suprimir a ocorrência de formação de filme. Portanto, o revelador de dois componentes da presente invenção pode manter alta qualidade de imagem por um longo período de tempo.
[00093] Em adição, um toner de cor, em particular, um toner amarelo possui uma desvantagem de ocorrerem manchas de cor devido à raspagem das camadas de revestimento no portador. No entanto, o revelador de dois componentes da presente invenção pode suprimir manchas de cor de ocorrerem.
[00094] O toner pode ser produzido por métodos conhecidos tais como métodos de pulverização ou métodos de polimerização. Por exemplo, no caso do método de pulverização, materiais de toner primeiramente são amassados juntos para obter desta forma um produto amassado fundido. O produto amassado fundido é resfriado, seguido pela pulverização e classificação para produzir desta forma partículas de base de toner. Então, de maneira a aprimorar adicionalmente a capacidade de transferência e durabilidade, um aditivo externo é adicionado às partículas de base de toner para produzir desta forma um toner.
[00095] Os amassadores para amassar os materiais de toner não estão particularmente limitados e podem ser selecionados de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos dos mesmos incluem um moinho de dois rolos do tipo batelada; misturador de Banbury; extrusoras contínuas de parafuso duplo tal como extrusora de parafuso duplo do tipo KTK (produto de Kobe Steel, Ltd. ) , extrusora de parafuso duplo do tipo TEM (produto de Toshiba Machine Co., Ltd.), extrusora de parafuso duplo (produto de KCK Co., Ltd.), extrusora de parafuso duplo do tipo PCM (produto de Ikegai Corp), e extrusora de parafuso duplo do tipo KEX (produto de Kurimoto, Ltd.); e amassadores contínuos de parafuso único tais como KO-KNEADER (produto de Buss Corporation).
[00096] O produto amassado fundido resfriado pode ser pulverizado para partículas grosseiras por, por exemplo, um moinho de martelo ou um roatplex, e então pulverizado adicionalmente para partículas finas, por exemplo, por um pulverizador que usa corrente de jato ou um pulverizador mecânico. O produto amassado fundido resfriado preferivelmente é pulverizado de forma a ter o diâmetro de partícula médio de 3 μm a 15 μm.
[00097] O produto amassado fundido pulverizado pode ser classificado por, por exemplo, um classificador de energia eólica. O produto amassado fundido pulverizado preferivelmente é classificado de forma que as partículas de base de toner resultantes possuem o diâmetro de partícula médio de 5 μm a 20 μm.
[00098] No caso da adição de aditivo externo para as partículas de base de toner, elas são misturadas e agitadas por um misturador de forma que o aditivo externo é aderido às superfícies do partículas de base de toner enquanto são pulverizadas.
- Resina ligante -
[00099] A resina ligante não está particularmente limitada e pode ser selecionada de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos da mesma incluem poliéster; homopolímeros de estireno e estirenos substituídos tais como poliestirenos, poli-p-estirenos, e poliviniltoluenos; copolímeros de estireno tais como copolímeros de estireno - p-cloroestireno, copolímeros de estireno - propileno, copolímeros de estireno - viniltolueno, copolímeros de estireno - metil acrilato, copolímeros de estireno - etil acrilato, copolímeros de estireno - ácido metacrílico, copolímeros de estireno - metil metacrilato, copolímeros de estireno - etil metacrilato, copolímeros de estireno - butil metacrilato, copolímeros de estireno - α-clorometil metacrilato, copolímeros de estireno - acrilonitrila, copolímeros de estireno - vinilmetiléter, copolímeros de estireno - vinilmetilcetona, copolímeros de estireno - butadieno, copolímeros de estireno - isopreno, copolímeros de estireno - éster maleico; polimetil metacrilato, polibutil metacrilato, polivinil cloreto, polivinil acetato, polietileno, poliuretano, resinas epoxi, polivinil butiral, ácido poliacrílico, rosinas, rosinas modificadas, resinas de terpeno, resinas fenólicas, resinas de hidrocarboneto alifáticas ou aromáticas, e resinas de petróleo aromáticas. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
[000100] As resinas ligantes para fixação de pressão não estão particularmente limitadas e podem ser selecionadas de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos das mesmas incluem poliolefinas tais como polietileno de baixo peso molecular ou polipropileno de baixo peso molecular; copolímeros olefínicos tais como copolímero de etileno - ácido acrílico, copolímero de etileno - éster acrílico, copolímero de estireno - ácido metacrílico, copolímero de etileno - éster metacrílico, copolímero de etileno - vinil cloreto, copolímero de etileno - vinil acetato, ou resinas de ionômero; resinas epoxi, poliéster, copolímero de estireno - butadieno, polivinil pirrolidona, metil vinil copolímero de éter - anidrido maleico, resinas de fenol modificadas por maleico, e resinas de terpeno modificadas por fenol. Estas podem ser usadas sozinhas ou em combinação.
- Colorante -
[000101] O colorante (pigmento ou corante) não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos do mesmo incluem pigmentos amarelos tais como Cádmio Amarelo, Fast Amarelo Mineral, Níquel Titan Amarelo, Nápoles Amarelo, Naftol Amarelo S, Hansa Amarelo G, Hansa Amarelo 10G, Benzidina Amarelo GR, Quinolina Amarelo Lago, Permanente Amarelo NCG, e Lago tartrazina; pigmentos laranja tais como Molibdato Laranja, Permanente Laranja GTR, Pirazolona Laranja, Vulcan Laranja, Indantreno Brilhante Laranja RK, Benzidina Laranja G, e Indantreno Brilhante Laranja GK; pigmentos vermelho tais como óxido de ferro vermelho, Cádmio Vermelho, Permanente vermelho 4R, Litol Vermelho, Pirazolona Vermelho, sal de cálcio vermelho de Watchung, Lago vermelho D, Brilhante Carmim 6B, Lago Eosina, Rodamina Lago B, Alizarina Lago, e Brilhante Carmim 3B; pigmentos roxo tais como Fast Violeta B e Lago Metil Violeta; pigmentos azul tais como Azul Cobalto, Azul Alcalino, Lago Azul Victoria, Ftalocianina Azul, Ftalocianina Azul livre de metal, Ftalocianina Azul parcialmente cloratada, Fast Azul Céu, e Indantreno Azul BC; pigmentos verde tais como Verde Cromo, óxido de cromo, Pigmento Verde B, e Lago Verde Malaquita; pigmentos preto tais como negro de carbono, negro de forno óleo, negro de canal, negro de lâmpada, negro de acetileno, corantes azina tais como negro de anilina, corantes azo de sais de metal, óxidos de metal, e óxidos de metal complexos. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
- Agente de liberação -
[000102] O agente de liberação não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos dos mesmos incluem polietileno, poliolefinas (por exemplo, polipropileno), sais metálicos de ácido graxo, ésteres de ácido graxo, ceras de parafina, ceras de amida, ceras de álcool polivalente, vernizes de silicone, ceras de carnaúba, e ceras de éster. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
- Outros ingredientes -
[000103] Exemplos dos outros ingredientes incluem um agente de controle de carga e um aditivo externo.
- - Agente de controle de carga -
[000104] O toner pode conter adicionalmente um agente de controle de carga. O agente de controle de carga não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos dos mesmos incluem nigrosina; corantes azina que contêm grupo alquil C2-C16 (ver JP-B No. 42-1627); corantes básicos tais como C.I. Amarelo Básico 2 (C.I. 41000), C.I. Amarelo Básico 3, C.I. Vermelho Básico 1 (C.I.45160), C.I. Vermelho Básico 9 (C.I. 42500), C.I. Violeta Básico 1 (C.I. 42535), C.I. Violeta Básico 3 (C.I. 42555), C.I. Violeta Básico 10 (C.I. 45170), C.I. Violeta Básico 14 (C.I. 42510), C.I. Azul Básico 1 (C.I. 42025), C.I. Azul Básico 3 (C.I. 51005), C.I. Azul Básico 5 (C.I. 42140), C.I. Azul Básico 7 (C.I. 42595), C.I. Azul Básico 9 (C.I. 52015), C.I. Azul Básico 24 (C.I. 52030), C.I. Azul Básico 25 (C.I. 52025), C.I. Azul Básico 26 (C.I. 44045), C.I. Verde Básico 1 (C.I. 42040), e C.I. Verde Básico 4 (C.I. 42000); pigmentos lago destes corantes básicos; C.I. Solvente Negro 8 (C.I. 26150); sais de amônio quaternários tais como benzoilmetil-hexadecilamônio cloreto e deciltrimetil cloreto; compostos de dialquil (por exemplo dibutil ou dioctil) estanho; compostos de borato de dialquil estanho; derivados de guanidina; resinas de poliamina tais como polímeros de vinil que contêm grupo amino ou polímeros de condensação que contêm grupo amino; sais complexos de metal dos corantes monoazo descritos em JP-B Nos. 41-20153, 43-27596, 44-6397 e 45-26478; metal (por exemplo Zn, Al, Co, Cr, ou Fe) complexos de ácido salicílico, ácidos dialquil salicílicos, ácido naftoico ou ácidos dicarboxílicos descritos em JP-B Nos. 55-42752 e 59-7385; pigmentos de cobre ftalocianina sulfonados; sais de boro orgânicos; sais de amônio quaternários que contêm flúor; e compostos de calixareno. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
[000105] Com relação aos toners de cor diferentes do que um toner negro, sais de metal tais como derivados de ácido salicílico que são de cor branca são preferidos.
- - Aditivo Externo -
[000106] O aditivo externo não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos do mesmo incluem partículas inorgânicas tais como sílica, óxido de titânio, alumina, carbeto de silício, nitreto de silício, e nitreto de boro; e partículas de resina (por exemplo, partículas de polimetil metacrilato ou partículas de poliestireno) tendo o diâmetro de partícula médio de 0, 05 μm a 1 μm obtidas por polimerização em emulsão livre de sabão. Estes podem ser usados sozinhos ou em combinação.
[000107] Dentre eles, partículas de óxido de metal hidrofobizado em superfície (por exemplo, sílica e óxido de titânio) são preferidas. Quando sílica hidrofobizada e óxido de titânio hidrofobizado são usados em combinação e a quantidade do óxido de titânio hidrofobizado é maior do que aquela da sílica hidrofobizada, um toner sendo excelente em estabilidade de carga independentemente da umidade pode ser alcançado.
(Revelador suplementar)
[000108] Um revelador suplementar da presente invenção contém o portador da presente invenção e um toner.
[000109] Qualidade de imagem estável pode ser alcançada por um período de tempo muito longo produzindo um revelador suplementar contendo o portador e um toner usando o portador da presente invenção, e então fornecendo o mesmo para o aparelho de formação de imagem em que uma imagem é formada enquanto descarrega um excesso de revelador dentro de uma unidade de revelação. Em outras palavras, portador deteriorado dentro da unidade de revelação é substituído com portador fresco contido no revelador suplementar, que mantém uma quantidade de carga em um nível constante e assim alcança qualidade de imagem estável por um longo período de tempo. O uso de revelador suplementar é eficaz quando imprime uma região de imagem grande. Na impressão de uma grande região de imagem, um portador é deteriorado principalmente pela deterioração de carga devido ao toner gasto. No entanto, quando usando o revelador suplementar, uma grande quantidade de portador é fornecido quando uma maior região de imagem é impressa. Assim, a frequência em que o portador deteriorado é substituído com portador fresco é aumentada, que alcança qualidade de imagem estável por um longo período de tempo.
[000110] O revelador suplementar preferivelmente contém 2 partes em massa a 50 partes em massa do toner com relação a 1 parte em massa do portador. Quando a quantidade do toner é menor do que 2 partes em massa, uma quantidade de carga do revelador tende a aumentar já que uma quantidade excessiva do portador é fornecida, isto é, o portador é fornecido em excesso, levando a uma concentração alta indesejável do portador dentro de uma unidade de revelação. Em adição, um aumento da quantidade de carga do revelador deteriora a capacidade de revelação e assim diminui a densidade de imagem. Quando a quantidade de toner é maior do que 50 partes em massa, a frequência em que o portador deteriorado é substituído com portador fresco é diminuída, que torna impossível exibir um efeito satisfatório contra a deterioração do portador.
(Método de formação de imagem e aparelho de formação de imagem)
[000111] Um método de formação de imagem da presente invenção inclui uma etapa de formação de imagem latente eletrostática, uma etapa de revelação, uma etapa de transferência e uma etapa de fixação; e, se for necessário, inclui adicionalmente outras etapas tais como uma etapa de eliminação de carga, uma etapa de limpeza, uma etapa de reciclagem e uma etapa de controle.
[000112] Um aparelho de formação de imagem da presente invenção inclui um membro de suporte de imagem latente eletrostática, uma unidade de formação de imagem latente eletrostática, uma unidade de revelação, uma unidade de transferência e uma unidade de fixação; e, se for necessário, inclui adicionalmente outras unidades selecionadas de maneira apropriada tais como uma unidade de eliminação de carga, uma unidade de limpeza, uma unidade de reciclagem e uma unidade de controle.
<Etapa de formação de imagem latente eletrostática e unidade de formação de imagem latente eletrostática>
[000113] A etapa de formação de imagem latente eletrostática é uma etapa de formação de uma imagem latente eletrostática em um membro de suporte de imagem latente eletrostática.
[000114] O material, a forma, a estrutura, o tamanho do membro de suporte de imagem latente eletrostática (aqui a seguir podem ser referidos como “fotocondutor eletrofotográfico”, “fotocondutor” ou “membro de suporte de imagem”) não estão particularmente limitados e pode ser selecionado de maneira apropriada a partir daqueles conhecidos na técnica. Exemplos adequados da forma incluem formas semelhantes a tambor. Exemplos de material incluem fotocondutores inorgânicos tais como silício amorfo ou selênio, ou fotocondutores orgânicos tais como polisilano ou ftalopolimetina. Dentre eles, silício amorfo são preferidos a partir do ponto de vista da longa vida de serviço.
[000115] A imagem latente eletrostática pode ser formada, por exemplo carregando de maneira uniforme a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática e então expondo a superfície no sentido da imagem. A imagem latente eletrostática pode ser formada pela unidade de formação de imagem latente eletrostática. Por exemplo, a unidade de formação de imagem latente eletrostática inclui pelo menos um dispositivo de carregamento configurado para carregar de maneira uniforme a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática, e um dispositivo de exposição configurado para expor a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática no sentido da imagem.
[000116] O carregamento pode ser realizado, por exemplo, através da aplicação de voltagem para a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática usando um dispositivo de carregamento.
[000117] O dispositivo de carregamento não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado. Exemplos do mesmo incluem dispositivos de carregamento do tipo de carregamento conhecidos providos com, por exemplo, rolos eletrocondutores e semieletrocondutores, escovas, filmes ou lâminas de borracha e dispositivos de carregamento do tipo sem contato que usam descarga corona, tais como carregadores de corotron e carregadores de scorotron.
[000118] A exposição pode ser realizada, por exemplo, através da exposição da superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática no sentido da imagem usando um dispositivo de exposição.
[000119] O dispositivo de exposição não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado desde que possa expor, na maneira do sentido de imagem intencionada, a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática carregada pelo dispositivo de carregamento. Exemplos do mesmo incluem dispositivos de exposição que empregam um sistema óptico de cópia, um sistema de arranjo de lente de haste, um sistema óptico de laser, e um sistema óptico de obturador de cristal líquido.
[000120] Notavelmente, na presente invenção, um método de retroiluminação pode ser empregado em que exposição no sentido de imagem é realizado a partir do lado de superfície de trás do membro de suporte de imagem latente eletrostática.
<Etapa de revelação e unidade de revelação>
[000121] A etapa de revelação é uma etapa de revelação da imagem latente eletrostática usando o revelador da presente invenção para formar desta maneira uma imagem visível.
[000122] A imagem visível pode ser formada, por exemplo, através da revelação da imagem latente eletrostática usando o revelador da presente invenção, que pode ser realizada pela unidade de revelação.
[000123] A unidade de revelação não está particularmente limitada e pode ser selecionada de maneira apropriada a partir daquelas conhecidas na técnica desde que possa revelar a imagem latente eletrostática usando o revelador da presente invenção. Exemplos adequados da mesma incluem uma unidade de revelação provida com pelo menos um dispositivo de revelação que aloja o revelador da presente invenção e que é capaz de fornecer o revelador para a imagem latente eletrostática de uma maneira com contato ou sem contato.
[000124] O dispositivo de revelação pode ser do tipo de revelação seco ou do tipo de revelação úmido, e pode ser um dispositivo de revelação para uma única cor ou um dispositivo de revelação para múltiplas cores. Exemplos adequados do mesmo incluem um dispositivo de revelação provido com um agitador para alterar o toner definido ou o revelador definido com fricção gerada durante a agitação, e um rolo de imã rotativo.
[000125] No dispositivo de revelação, por exemplo, o toner são misturados e agitados com o portador, o toner é carregado pela fricção gerada através da mistura e da agitação, e partículas de toner são mantidas na forma semelhante à cadeia na superfície do rolo de imã rotativo, formando desta forma uma escova magnética. Já que o rolo de imã é posicionado na vizinhança do membro de suporte de imagem latente eletrostática (fotocondutor), uma parte do toner que constitui a escova magnética formada na superfície do rolo de imã se move para a superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática (fotocondutor) por sucção elétrica. Como um resultado, a imagem latente eletrostática é revelada com o toner, e uma imagem visível feita do toner é formada na superfície do membro de suporte de imagem latente eletrostática(fotocondutor) .
[000126] <Etapa de transferência e unidade detransferência>
[000127] A etapa de transferência é uma etapa de transferência da imagem visível para um meio de gravação. Em um aspecto preferido da etapa de transferência, um membro de transferência intermediário é usado, uma imagem visível é primariamente transferido para o membro de transferência intermediário e então a imagem visível é transferida por segundo para um meio de gravação. Em um aspecto mais preferido da etapa de transferência, toners de duas ou mais cores, preferivelmente toners de cor são usados, e estão incluídos uma etapa de transferência primária de transferência de imagens visíveis para um membro de transferência intermediário para formar desta maneira uma imagem de transferência de composto na mesma, e uma etapa de transferência secundária de transferência da imagem de transferência de composto para um meio de gravação.
[000128] A transferência pode ser realizada, por exemplo, através do carregamento da imagem visível no membro de suporte de imagem latente eletrostática (fotocondutor) usando um dispositivo de carregamento de transferência, que pode ser realizado pela unidade de transferência. Um aspecto preferido da unidade de transferência inclui uma unidade de transferência primária configurada para transferir imagens visíveis para um membro de transferência intermediário para formar desta maneira uma imagem de transferência de composto no mesmo, e uma unidade de transferência secundária configurada para transferir a imagem de transferência de composto para um meio de gravação.
[000129] O membro de transferência intermediário não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada a partir de membros de transferência conhecidos. Exemplos adequados dos mesmos incluem correias de transferência.
[000130] A unidade de transferência (a unidade de transferência primária e a unidade de transferência secundária) preferivelmente inclui pelo menos um dispositivo de transferência configurado para transferir as imagens visíveis formadas no membro de suporte de imagemlatente eletrostática (fotocondutor) para o meio degravação através de carregamento. Uma unidade detransferência, ou duas ou mais unidade de transferênciaspodem ser providas.
[000131] Exemplos do dispositivo de transferência incluem dispositivos de transferência de corona que usam descarga corona, correias de transferência, rolos de transferência, rolos de transferência de pressão e dispositivos de transferência de adesão.
[000132] O meio de gravação não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada a partir dos meios de gravação conhecidos (papéis de gravação).
<Etapa de fixação e unidade de fixação>
[000133] A etapa de fixação é uma etapa de fixação da imagem visível transferida para o meio de gravação usando uma unidade de fixação. A fixação pode ser realizada para cada toner de cor em cada transferência para o meio de gravação ou pode ser realizada para imagens de toner de cor todas juntas em um estado onde todas as imagens de toner de cor são sobrepostas.
[000134] A unidade de fixação não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado, mas preferivelmente é conhecido unidades de pressurização e aquecimento. Exemplos da unidade de pressurização e aquecimento incluem uma combinação de um rolo de aquecimento e um rolo de pressurização, e uma combinação de um rolo de aquecimento, um rolo de pressurização e uma correia sem fim.
[000135] Em geral, a temperatura em que o aquecimento é realizado pela unidade de pressurização e aquecimento preferivelmente é 80°C a 200°C.
[000136] Notavelmente, na presente invenção, um dispositivo de fixação óptico conhecido na técnica, por exemplo, pode ser usado junto com ou em vez da etapa de fixação e a unidade de fixação.
<Outras etapas e outras unidades>
[000137] Exemplos das outras etapas incluem uma etapa de eliminação de carga, uma etapa de limpeza, uma etapa de reciclagem e uma etapa de controle.
[000138] Exemplos das outras unidades incluem uma unidade de eliminação de carga, uma unidade de limpeza, uma unidade de reciclagem e uma unidade de controle.
- Etapa de eliminação de carga e unidade de eliminação de carga -
[000139] A etapa de eliminação de carga é uma etapa de eliminação de carga através da aplicação de uma polarização que elimina carga para o membro de suporte de imagem latente eletrostática, que pode ser realizado pela unidade de eliminação de carga.
[000140] A unidade de eliminação de carga não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada a partir de dispositivos de eliminação de carga conhecidos desde que possa aplicar uma polarização que elimina carga para o membro de suporte de imagem latente eletrostática. Exemplos adequados dos mesmos incluem lâmpadas de eliminação de carga.
- Etapa de limpeza e unidade de limpeza -
[000141] A etapa de limpeza é uma etapa de remoção do toner que permanece no membro de suporte de imagem latente eletrostática, que pode ser realizada pela unidade de limpeza.
[000142] A unidade de limpeza não está particularmente limitado e pode ser selecionado de maneira apropriada a partir de limpadores conhecidos desde que possa remover o toner eletrofotográfico que permanece no membro de suporte de imagem latente eletrostática. Exemplos adequados dos mesmos incluem limpadores de escova magnética, limpadores de escova eletrostática, limpadores de rolo magnético, limpadores de lâmina, limpadores de escova e limpadores de tela.
- Etapa de reciclagem e unidade de reciclagem -
[000143] A etapa de reciclagem é uma etapa de reciclagem do toner removido pela etapa de limpeza para a unidade de revelação, que pode ser realizada pela unidade de reciclagem.
[000144] A unidade de reciclagem não está particularmente limitada e pode ser unidades de transporte conhecidas.
- Etapa de controle e unidade de controle -
[000145] A etapa de controle é uma etapa de controle de cada uma das etapas acima, que pode ser realizada de maneira adequada pela unidade de controle.
[000146] A unidade de controle não está particularmente limitada e pode ser selecionada de maneira apropriada dependendo do propósito intencionado desde que possa controlar a operação de cada uma das unidades acima. Exemplos dos mesmos incluem aparelhos tais como seqüenciadores e computadores.
(Cartucho de processo)
[000147] Um cartucho de processo da presente invenção inclui pelo menos um membro de suporte de imagem latente eletrostática; e uma unidade de revelação configurada para revelar com o uso do revelador a imagem latente eletrostática formada no membro de suporte de imagem latente eletrostática para formar desta maneira uma imagem visível; e, se for necessário, inclui adicionalmente outras unidades.
[000148] O revelador é o revelador de dois componentes da presente invenção ou o revelador suplementar da presente invenção.
[000149] A FIG. 2 ilustra um exemplo de cartucho de processo de acordo com a presente invenção. Um cartucho de processo 110 mostrado na FIG. 2 inclui um fotocondutor 111; uma unidade de carregamento 112 configurada para carregar o fotocondutor 111; um dispositivo de revelação 113 configurado para revelar com o uso do revelador da presente invenção uma imagem latente eletrostática formada no fotocondutor 111 para uma imagem de toner; e uma unidade de limpeza 114 configurada para remover toner residual que permanece no fotocondutor 111 após a imagem de toner formada no fotocondutor 111 ser transferida para um meio de gravação, que são suportadas de maneira integral. O cartucho de processo 110 é anexado de maneira destacável para o aparelho de formação de imagem tal como copiadoras e impressoras .
[000150] Um método de formação de imagem usando um aparelho de formação de imagem provido com o cartucho de processo 110 não será explicado. O fotocondutor 111 é acionado para girar em uma velocidade periférica predeterminada. Uma superfície periférica do fotocondutor 111 é carregada de maneira uniforme para um potencial positivo ou negativo predeterminado pela unidade de carregamento 112. A superfície periférica carregada do fotocondutor 111 é irradiada com uma luz de exposição emitida a partir de um dispositivo de exposição (por exemplo, um dispositivo de exposição de fenda ou um dispositivo de exposição de varredura usando feixe de laser) (não mostrado) para formar desta forma sequencialmente uma imagem latente eletrostática. A imagem latente eletrostática formada na superfície periférica do fotocondutor 111 é revelada com o revelador da presente invenção para uma imagem de toner pela unidade de revelação 113. A imagem de toner formada na superfície periférica do fotocondutor 11 é transferida sequencialmente para um papel de transferência que é alimentada entre o fotocondutor 111 e um dispositivo de transferência (não mostrado) a partir de uma porção de alimentação de papel (não mostrado) em sincronia com a rotação do fotocondutor 111. O papel de transferência em que a imagem de toner foi transferida é separado a partir da a superfície periférica do fotocondutor 111 e introduzida para um dispositivo de fixação (não mostrado) , onde a imagem de toner é fixada no papel de transferência. A seguir, o papel de transferência é descarregado como uma cópia a partir do aparelho de formação de imagem. A unidade de limpeza 114 remove toner residual que permanece na superfície periférica do fotocondutor 111 a partir da qual a imagem de toner foi transferida. O fotocondutor limpo 111 tem a carga eliminada por uma unidade de eliminação de carga (não mostrado) a estar pronta para uma próxima operação de formação de imagem.
[000151] A FIG. 3 ilustra de maneira esquemática um exemplo de aparelho de formação de imagem da presente invenção. Na FIG. 3, numeral de referência “1” denota um corpo principal de aparelho de uma copiadora colorida em conjunto como um aparelho de formação de imagem, “3” denota uma seção de alimentação de documento que alimenta documentos para uma seção de leitura de documento, “4” denota uma seção de leitura de documento que lê informação de imagem do documento, “5” denota uma bandeja de descarga em que as imagens de saída devem ser empilhadas, “7” denota uma seção de alimentação de papel em que meios de gravação P tal como papel de transferência são alojados, “9” denota rolos de registro que ajustam a temporização de transporte dos meios de gravação P, “11Y”, “11M”, “11C” e “11BK” são tambores fotocondutores servindo como membros de suporte de imagem em que imagens de toner de cores (amarelo, magenta, ciano e preto) devem ser formadas, “13” denota um dispositivo de revelação que revela uma imagem latente eletrostática formada em cada um dos tambores de fotocondutor 11Y, 11M, 11C e 11BK, “14” denota um rolo de polarização de transferência (um rolo de polarização de transferência primário) que transfere as imagens de toner formadas nos tambores fotocondutores 11Y, 11M, 11C e 11BK para os meios de gravação P um sobre o outro.
[000152] Ainda, “17” denota uma correia de transferência intermediária em que imagens de toner de cores devem ser transferidas uma sobre a outra, “18” denota um rolo de polarização de transferência secundário para transferir as imagens de toner de cor na correia de transferência intermediária 17 para os meios de gravação P, “20” denota a dispositivo de fixação que fixa uma imagem não fixa nos meios de gravação P, e “28” denota um recipiente para cada toner de cor que fornece um toner (partículas de toner) de cada cor (amarelo, magenta, ciano ou preto) para o dispositivo de revelação 13.
Exemplos
[000153] A presente invenção, aqui a seguir, será explicada especificamente com referência aos seguintes Exemplos e Exemplos Comparativos. No entanto, a presente invenção não está limitada a estes.
[Exemplo de Produção 1 de partículas de núcleo]
[000154] MnCO3, Mg(OH)2, Fe2O3, e SrCO3foram pesados e misturados na forma de pó para obter desta forma a mistura em pó.
[000155] A mistura em pó foi calcinada em um forno de aquecimento a 850°C por 1 hora sob a atmosfera. A mistura em pó calcinada resultante foi resfriada, e então pulverizada para obter pó tendo o diâmetro de partícula de 3 μm ou menos. O pó e um agente de dispersão de 1% em massa foram adicionados à água para obter desta forma a pasta fluida. A pasta fluida foi granulada em um secador por pulverização para obter desta forma grânulos tendo o diâmetro de partícula médio de cerca de 40 μm. Os grânulos foram carregados em um forno de queima e queimados em 1.120°C por 4 horas sob atmosfera de nitrogênio.
[000156] O produto queimado resultante foi rachado com uma máquina de rachadura e peneirado para ajustar o tamanho de partícula do mesmo para obter desta forma as partículas de ferrita esféricas C1 tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de cerca de 35 μm.
[Exemplo de Produção 2 de partículas de núcleo]
[000157] MnCO3, Mg(OH)2, e Fe2O3foram pesados e misturados na forma de pó para obter desta forma a mistura em pó. A mistura em pó foi calcinada em um forno de aquecimento a 900°C por 3 horas sob a atmosfera. A mistura em pó calcinada resultante foi resfriada, e então pulverizada para obter pó tendo o diâmetro de partícula de cerca de 7 μm. O pó e um agente de dispersão de 1% em massa foram adicionados à água para obter desta forma a pasta fluida. A pasta fluida foi granulada em um secador por pulverização para obter desta forma grânulos tendo o diâmetro de partícula médio de cerca de 40 μm.
[000158] Os grânulos foram carregados em um forno de queima e queimados em 1.250°C por 5 horas sob atmosfera de nitrogênio.
[000159] O produto queimado resultante foi rachado com uma máquina de rachadura e peneirado para ajustar o tamanho de partícula do mesmo para obter desta forma as partículas de ferrita esféricas C2 tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de cerca de 35 μm.
[000160] O diâmetro de partícula médio volumétrico foi medido em água usando o analisador de tamanho de partícula MICROTRAC HRA9320-X100 (produto de Nikkiso Co., Ltd.) com os seguintes ajustes: índice de refração da amostra: 2,42; índice de refração do solvente: 1,33; e concentração: cerca de 0,06.
[Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras]
[000161] Um líquido de suspensão foi preparado através da dispersão de 100 g de óxido de alumínio (AKP-30, produto de Sumitomo Chemical Co., Ltd.) em 1 L de água, seguido pelo aquecimento até 65°C. Uma solução de cloreto estanico (77 g) e pentóxido de fósforo (0,8 g) em ácido hidroclorídrico 2N (1,7 L) e uma água de amônia de 12% em massa foram adicionados gota a gota para o líquido de suspensão por 1 hora 30 min de forma a ter um pH de 7 a 8. Após o fim da adição gota a gota, o líquido de suspensão foi filtrado e lavado para obter desta forma um bolo. O bolo foi seco a 110°C. O pó seco resultante foi tratado em 500°C por 1 hora sob escoamento de gás nitrogênio para obter desta forma as partículas eletrocondutoras P1, que foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,30 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 24 Q'cm.
[000162] O diâmetro de partícula médio volumétrico foi medido em água usando NANOTRAC UPA-EX150 (produto de Nikkiso Co., Ltd.) com os seguintes ajustes: índice de refração da amostra: 1,66 e índice de refração do solvente: 1,33.
[000163] A resistividade específica do pó das partículas eletrocondutoras foi obtida como na sequência. Uma amostra em pó foi moldada por compressão a 230 kg/cm2, e então medida para resistividade elétrica usando medidor de LCR (produto de Agilent Technologies, Inc.). Com base na resistividade elétrica, a resistividade específica foi calculada.
[000164] A razão de dope foi obtida através de medição por XPS usando os seguintes dispositivo e condições, e calculando a partir da quantidade detectada (% em átomo).
[000165] Dispositivo de medição: AXIS-ULTRA (produto de Kratos Group Plc.).
[000166] Fonte de luz de medição: Al (monochromator)
[000167] Saída de medição: 105 W (15 kV, 7 mA)
[000168] Área de medição: 900 x 600 μm2
[000169] Energia de passagem: (varredura larga) 160 eV, (varredura estreita) 40 eV
[000170] Etapa de energia: (varredura larga) 1,0 eV, (varredura estreita) 0,2 eV
[000171] Controlador de imã: LIGADO
[000172] Fator de sensibilidade relativo: usando o fator de sensibilidade relativo disponível a partir de Kratos Group Plc.
[Exemplo de Produção 2 de partículas eletrocondutoras]
[000173] Partículas eletrocondutoras P2 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras, exceto que 2.100 g de cloreto estanico e 23 g de pentóxido de fósforo foram adicionados gota a gota por 42 horas. As partículas eletrocondutoras P2 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,70 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 2 Q.cm.
[000174] [Exemplo de Produção 3 de partículas eletrocondutoras]
[000175] Partículas eletrocondutoras P3 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 2 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 8 g. As partículas eletrocondutoras P3 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,30 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 21 Q.cm.
[Exemplo de Produção 4 de partículas eletrocondutoras]
[000176] Partículas eletrocondutoras P4 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 2 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 220 g. As partículas eletrocondutoras P4 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,70 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 2 Q.cm.
[000177] [Exemplo de Produção 5 de partículas eletrocondutoras]
[000178] Partículas eletrocondutoras P5 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras, exceto que 180 g de cloreto estanico e 1,9 g de pentóxido de fósforo foram adicionados gota a gota por 3 horas 30 min. As partículas eletrocondutoras P5 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,35 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 22 Q.cm.
[Exemplo de Produção 6 de partículas eletrocondutoras]
[000179] Partículas eletrocondutoras P6 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras, exceto que 1,700 g de cloreto estanico e 180 g de pentóxido de fósforo foram adicionados gota a gota por 34 horas. As partículas eletrocondutoras P6 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,65 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 2 Q.cm.
[Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras]
[000180] Partículas eletrocondutoras P7 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras, exceto que 720 g de cloreto estanico e 75 g de pentóxido de fósforo foram adicionados gota a gota por 14 horas 30 min. As partículas eletrocondutoras P7 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 20 Q.cm.
[Exemplo de Produção 8 de partículas eletrocondutoras]
[000181] Partículas eletrocondutoras P8 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 6 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 17 g. As partículas eletrocondutoras P8 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,65 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 16 Q.cm.
[Exemplo de Produção 9 de partículas eletrocondutoras]
[000182] Partículas eletrocondutoras P9 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 38 g. As partículas eletrocondutoras P9 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,050, e a resistividade específica do pó de 10 Q.cm.
[Exemplo de Produção 10 de partículas eletrocondutoras]
[000183] Partículas eletrocondutoras P10 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 5 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 19 g. As partículas eletrocondutoras P10 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,35 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 6 Q.cm.
[Exemplo de Produção 11 de partículas eletrocondutoras ]
[000184] Partículas eletrocondutoras P11 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 75 g. As partículas eletrocondutoras P11 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 5 Q.cm.
[Exemplo de Produção 12 de partículas eletrocondutoras]
[000185] Partículas eletrocondutoras P12 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras, exceto que 0,6 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P12 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,30 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 21 Q.cm.
[Exemplo de Produção 13 de partículas eletrocondutoras]
[000186] Partículas eletrocondutoras P13 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 2 de partículas eletrocondutoras, exceto que 16 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P13 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,70 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 13 Q.cm.
[Exemplo de Produção 14 de partículas eletrocondutoras]
[000187] Partículas eletrocondutoras P14 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 3 de partículas eletrocondutoras, exceto que 5.6 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P14 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,30 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 7 Q.cm.
[Exemplo de Produção 15 de partículas eletrocondutoras]
[000188] Partículas eletrocondutoras P15 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 4 de partículas eletrocondutoras, exceto que 155 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P15 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,70 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 2 Q.cm.
[Exemplo de Produção 16 de partículas eletrocondutoras]
[000189] Partículas eletrocondutoras P16 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 5 de partículas eletrocondutoras, exceto que 180 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P16 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,35 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 21 Q.cm.
[Exemplo de Produção 17 de partículas eletrocondutoras]
[000190] Partículas eletrocondutoras P17 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 6 de partículas eletrocondutoras, exceto que 124 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P17 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,65 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 2 Q.cm.
[Exemplo de Produção 18 de partículas eletrocondutoras]
[000191] Partículas eletrocondutoras P18 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras, exceto que 5,5 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P18 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 19 Q.cm.
[Exemplo de Produção 19 de partículas eletrocondutoras]
[000192] Partículas eletrocondutoras P19 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 8 de partículas eletrocondutoras, exceto que 12 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P19 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,65 μm, a razão de dope de 0,010, e a resistividade específica do pó de 15 Q.cm.
[Exemplo de Produção 20 de partículas eletrocondutoras]
[000193] Partículas eletrocondutoras P20 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 9 de partículas eletrocondutoras, exceto que 2,8 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P20 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,050, e a resistividade específica do pó de 8 Q.cm.
[Exemplo de Produção 21 de partículas eletrocondutoras]
[000194] Partículas eletrocondutoras P21 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 10 de partículas eletrocondutoras, exceto que 1,3 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P21 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,35 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 5 Q.cm.
[Exemplo de Produção 22 de partículas eletrocondutoras]
[000195] Partículas eletrocondutoras P22 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 11 de partículas eletrocondutoras, exceto que 2,8 g de tungstato de sódio foi usado em vez de pentóxido de fósforo. As partículas eletrocondutoras P22 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,100, e a resistividade específica do pó de 3 Q.cm.
[Exemplo de Produção 23 de partículas eletrocondutoras]
[000196] Partículas eletrocondutoras P23 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 9 de partículas eletrocondutoras, exceto que dióxido de titânio (produto de Titan Kogyo, Ltd., KR-310) foi usado em vez de óxido de alumínio. As partículas eletrocondutoras P23 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,050, e a resistividade específica do pó de 9 Q.cm.
[Exemplo de Produção 24 de partículas eletrocondutoras]
[000197] Partículas eletrocondutoras P24 foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 9 de partículas eletrocondutoras, exceto que sulfato de bário (B-50, produto de Sakai Chemical Industry Co. Ltd.) foi usado em vez de óxido de alumínio. As partículas eletrocondutoras P24 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,050, e a resistividade específica do pó de 10 Q.cm.
[Exemplo de Produção 25 de partículas eletrocondutoras ]
[000198] As partículas eletrocondutoras P9 obtidas no Exemplo de Produção 9 de partículas eletrocondutoras foram sujeitadas a um tratamento térmico em 500°C por 1,5 horas sob escoamento de gás nitrogênio (1 L/min), seguido pela pulverização. Ao produto pulverizado resultante, foi adicionado 4% em massa de vinil tetraetoxi silano enquanto se agita em um MISTURADOR HENSCHEL que foi aquecido até 70°C, seguido pelo aquecimento a 100°C por 1 hora para obter desta forma as partículas eletrocondutoras P25. As partículas eletrocondutoras P25 foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,050, e a resistividade específica do pó de 10 Q.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 1 de partículas eletrocondutoras]
[000199] Partículas eletrocondutoras P1’ foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 7 g. As partículas eletrocondutoras P1’ foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,009, e a resistividade específica do pó de 30 Q.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 2 de partículas eletrocondutoras ]
[000200] Partículas eletrocondutoras P2’ foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 7 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de pentóxido de fósforo foi alterada para 83 g. As partículas eletrocondutoras P2’ foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,110, e a resistividade específica do pó de 4 Q.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 3 de partículas eletrocondutoras ]
[000201] Partículas eletrocondutoras P3’ foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 18 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de tungstato de sódio foi alterada para 4,5 g. As partículas eletrocondutoras P3’ foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,009, e a resistividade específica do pó de 28 Q.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 4 de partículas eletrocondutoras ]
[000202] Partículas eletrocondutoras P4’ foram obtidas da mesma maneira que no Exemplo de Produção 18 de partículas eletrocondutoras, exceto que a quantidade de tungstato de sódio foi alterada para 58 g. As partículas eletrocondutoras P4’ foram descobertas como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 0,50 μm, a razão de dope de 0,110, e a resistividade específica do pó de 3 Q.cm.
[Exemplo sintético 1 da resina]
[000203] Um frasco equipado com um agitador foi carregado com 300 g de tolueno e aquecido até 90°C sob escoamento de gás nitrogênio. Ao frasco, uma mistura de 84,4 g (200 mmol) de 3-metacriloxipropil tris(trimetilsiloxi)silano representado por CH2=CMe-COO- C3H6-Si(OSiMe3)3(onde Me denota grupo metil) (SILAPLANE TM- 0701T, produto de Chisso Corporation), 39 g (150 mmol) de 3-metacriloxipropilmetildietoxisilano, 65,0 g (650 mmol) de metil metacrilato, e 0,58 g (3 mmol) de 2,2'-azobis—2- metilbutilonitrila foi adicionado gota a gota por 1 hora.
[000204] Após o fim da adição gota a gota, uma solução de 0,06 g (0,3 mmol) de 2,2'-azobis—2- metilbutilonitrola em 15 g de tolueno foi adicionado ao frasco (a quantidade total de 2,2'-azobis-2- metilbutilonitrola foi de 0,64 g, isto é, 3,3 mmol), seguido por mistura por 3 horas a 90°C a 100°C, e permitindo que o radical copolimerize para obter desta forma um copolímero metacrílico R1.
[Exemplo de Produção 1 do portador] <Composição da camada de revestimento>
[000205] Solução de resina acrílica (conteúdo desólidos: 50% em massa) 51,3 partes emmassa
[000206] Solução de guanamina (conteúdo de sólidos:70% em massa) 14,6 partes em massa
[000207] Catalisador de titânio [conteúdo de sólidos:60% em massa (TC-750, produto de Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)] 4 partes em massa
[000208] Solução de resina de silicone [conteúdo de sólidos: 20% em massa (SR2410, produto de Dow Corning Toray Co., Ltd.)] 648 partes em massa
[000209] Amino silano [conteúdo de sólidos: 100% emmassa (SH6020, produto de Dow Corning Toray Co., Ltd.)]i. 3,2 partes em massa
[000210] Partículas eletrocondutoras P1 110 partes em massa
[000211] Tolueno 1.000 partes emmassa
[000212] Os materiais acima da camada de revestimento foram dispersos com um homomisturador por 10 min para desta forma uma solução de formação de camada de revestimento contendo a resina acrílica e a resina de silicone. A solução de formação de camada de revestimento é aplicada à superfície das partículas de núcleo C1 (5.000 partes em massa) de forma a ter uma espessura de 0,30 μm usando SPIRA COTA (produto de OKADA SEIKO CO.,LTD.) em uma temperatura interna de 55°C, e então seca para desta forma obter um portador. O portador resultante foi queimado deixando o mesmo em um forno elétrico a 200°C por 1 hora.
[000213] Após o resfriamento, um volume de ferrita em pó foi peneirado com uma peneira tendo uma abertura de 63 μm para desta forma obter o portador 1, O portador 1 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[000214] O diâmetro de partícula médio volumétrico foi medido em água usando o analisador de tamanho de partícula MICROTRAC HRA9320-X100 (produto de Nikkiso Co., Ltd.) com os seguintes ajustes: índice de refração da amostra: 2,42; índice de refração do solvente: 1,33; e concentração: cerca de 0,06.
[000215] A resistividade volumétrica do portador foi medida usando uma célula de medição ilustrada na FIG. 1 como na sequência. A célula de medição foi compreendida de um recipiente de fluororesina 2 em que eletrodos 1a e 1b cada um tendo uma área de superfície de 2,5 cm x 4 cm foram posicionados em uma distância de 0,2 cm afastados entre si. A célula de medição foi cheia com um portador 3 e batida a partir de uma altura de 1 cm por 10 vezes em uma velocidade de toque de 30 vezes/min. A seguir, uma voltagem de corrente direta de 1.000 V foi aplicada entre os eletrodos 1a e 1b por 30 segundos para medir a resistividade r [Q] por um medidor de resistência alta 4329A (produto de Agilent Technologies, Inc.). A resistividade volumétrica [Q.cm] do portador foi calculada a partir da seguinte Fórmula de Cálculo (2):
[000216] r x (2,5 x 4)/0,2 ... Fórmula de Cálculo(2)
[Exemplo de Produção 2 do portador]
[000217] Portador 2 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P2. O portador 2 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 3 do portador]
[000218] Portador 3 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P3. O portador 3 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 4 do portador]
[000219] Portador 4 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P4. O portador 4 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 5 do portador]
[000220] Portador 5 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P5. O portador 5 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 6 do portador]
[000221] Portador 6 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P6. O portador 6 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 7 do portador]
[000222] Portador 7 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P7. O portador 7 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 8 do portador]
[000223] Portador 8 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P8. O portador 8 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 9 do portador]
[000224] Portador 9 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P9. O portador 9 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 10 do portador]
[000225] Portador 10 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P10. O portador 10 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 11 do portador]
[000226] Portador 11 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P11. O portador 11 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 12 do portador]
[000227] Portador 12 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P12. O portador 12 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 13 do portador]
[000228] Portador 13 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P13. O portador 13 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 14 do portador]
[000229] Portador 14 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P14. O portador 14 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 15 do portador]
[000230] Portador 15 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P15. O portador 15 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 16 do portador]
[000231] Portador 16 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P16. O portador 16 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 17 do portador]
[000232] Portador 17 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P17. O portador 17 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 18 do portador]
[000233] Portador 18 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P18. O portador 18 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 19 do portador]
[000234] Portador 19 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P19. O portador 19 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 20 do portador]
[000235] Portador 20 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P2 0. O portador 2 0 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 21 do portador]
[000236] Portador 21 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P21. O portador 21 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 22 do portador]
[000237] Portador 22 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P22. O portador 22 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 12 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 23 do portador]
[000238] Portador 23 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P23. O portador 23 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 24 do portador]
[000239] Portador 24 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P24. O portador 24 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 25 do portador]
[000240] Portador 25 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que 110 partes em massa das partículas eletrocondutoras P1 foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P25. O portador 25 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 26 do portador] <Composição da camada de revestimento>
[000241] Copolímero metacrílico R1 (conteúdo de sólidos: 20% em massa) 780 partes em massa
[000242] Catalisador de titânio [conteúdo de sólidos: 60% em massa (TC-750, produto de Matsumoto Fine Chemical Co., Ltd.)] 4 partes em massa
[000243] Amino silano [conteúdo de sólidos: 100% em massa (SH6020, produto de Dow Corning Toray Co., Ltd.)] i. 3,2 partes em massa
[000244] Partículas eletrocondutoras P9 100 partes em massa
[000245] Tolueno 1.000 partes emmassa
[000246] Os materiais acima da camada de revestimento foram dispersos com um homomisturador por 10 min para desta forma uma solução de formação de camada de revestimento. A solução de formação de camada de revestimento é aplicada à superfície das partículas de núcleo C1 (5.000 partes em massa) de forma a ter uma espessura de 0,30 μm usando SPIRA COTA (produto de OKADA SEIKO CO.,LTD.) em uma temperatura interna de 55°C, e então seca para desta forma obter um portador. O portador resultante foi queimado deixando o mesmo em um forno elétrico a 200°C por 1 hora. Após o resfriamento, um volume de ferrita em pó foi peneirado com uma peneira tendo uma abertura de 63 μm para desta forma obter o portador 26. O portador 2 6 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo de Produção 27 do portador]
[000247] Portador 27 foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que as partículas de núcleo foi alterada para 5.000 partes em massa de C2. O portador 27 foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 1 do portador]
[000248] Portador 1’ foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que as partículas eletrocondutoras foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P1’. O portador 1’ foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 13 LogQ.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 2 do portador]
[000249] Portador 2’ foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que as partículas eletrocondutoras foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P2’. O portador 2’ foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 3 do portador]
[000250] Portador 3’ foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que as partículas eletrocondutoras foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P3’ . O portador 3’ foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 13 LogQ.cm.
[Exemplo Comparativo de Produção 4 do portador]
[000251] Portador 4’ foi obtido da mesma maneira que no Exemplo de Produção 1 do portador, exceto que as partículas eletrocondutoras foram alteradas para 100 partes em massa de partículas eletrocondutoras P4’. O portador 4’ foi descoberto como tendo o diâmetro de partícula médio volumétrico de 36 μm e a resistividade volumétrica de 11 LogQ.cm.
[000252] Propriedades dos portadores obtidos são mostradas nas Tabelas 1-1 e 1-2. Tabela 1-1
Figure img0001
Figure img0002
[000253] Tabela 1-2
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<Exemplo de Produção de toner> [Exemplo sintético da resina de poliéster A]
[000254] Um vaso de reação equipado com um termômetro, um agitador, um condensador, e um tubo de entrada de nitrogênio foi carregado com aduto de PO de bisfenol A (valor de hidroxila: 320 mg de KOH/g) (443 partes em massa), dietileno glicol (135 partes em massa), ácido tereftálico (422 partes em massa), e óxido de dibutilestanho (2,5 partes em massa), seguido por deixar reagir a 200°C até o valor de ácido ser de 10 mg de KOH/g para obter desta forma a [resina de poliéster A]. A [resina de poliéster A] foi descoberta como tendo a temperatura de transição vítrea (Tg) de 63°C e o peso molecular médio numérico de pico de 6.000.
[Exemplo sintético da resina de poliéster B]
[000255] Um vaso de reação equipado com um termômetro, um agitador, um condensador, e um tubo de entrada de nitrogênio foi carregado com aduto de PO de bisfenol A (valor de hidroxila: 320 mg de KOH/g) (443 partes em massa), dietileno glicol (135 partes em massa), ácido tereftálico (422 partes em massa), e óxido de dibutilestanho (2,5 partes em massa), seguido por deixar reagir a 230°C até o valor de ácido ser de 7 mg de KOH/g para obter desta forma a [resina de poliéster B]. A [resina de poliéster B] foi descoberta como tendo a temperatura de transição vítrea (Tg) de 65°C e o peso molecular médio numérico de pico de 16.000.
[Produção de partículas de base de toner 1]
[000256] Resina de poliéster A 40 partesem massa
[000257] Resina de poliéster B 60 partesem massa
[000258] Cera de carnaúba 1 parte emmassa
[000259] Negro de carbono (#44, produto de Mitsubishi Chemical Corporation) 15 partesem massa
[000260] Os materiais acima de toner foram misturados por 3 min a 1.500 rpm pelo MISTURADOR HENSCHEL 20B (produto de Nippon Coke & Engineering Co., Ltd.) . A misturaresultante foi amassada por um amassador de parafuso único (tipo compacto de BUSS-KO-KNEADER, produto de BussCorporation) com o seguinte ajuste: a temperatura deentrada: 100°C; a temperatura de saída: 50°C; e a taxa dealimentação: 2 kg/hr. Assim, [partículas de base de toner A1] foi obtida.
[000261] As [partículas de base de toner A1] então foram amassadas, resfriadas por rolagem, e pulverizadas por um pulverizador. As partículas resultantes foram adicionalmente pulverizadas para partículas finas pelo moinho do tipo I (IDS-2, produto de Nippon Pneumatic Mfg. Co., Ltd.) usando uma placa de colisão plana com os seguintes ajustes: a pressão do ar: 6,8 atm/cm2; e a taxa de alimentação: 0,5 kg/hr. As partículas finas resultantes foram classificadas por um classificador (132MP, produto de Hosokawa Alpine AG.) . Assim, as [partículas de base de toner 1] foram obtidas.
(Tratamento de adição externo)
[000262] A 100 partes em massa das [partículas de base de toner 1], foi adicionada 1,0 parte em massa de partículas de sílica hidrofóbica (R972, produto de Nippon Aerosil Co., Ltd.), seguido por mistura com HENSCHEL MIXER para desta forma obter um toner (aqui a seguir referido como “toner 1”).
[Produção dos reveladores 1 a 27 e 1’ a 4’]
[000263] A cada um dos portadores 1 a 27 e 1’ a 4’ obtidos nos Exemplos de Produção do portador (93 partes em massa), foi adicionado o toner 1 (diâmetro de partícula médio volumétrico: 7,2 μm) (7,0 partes em massa), seguido pela agitação por 20 min usando um moinho de esfera. Assim, reveladores 1 a 27 e 1’ a 4’ foram preparados.
[Avaliação de propriedades de revelador]
[000264] Os reveladores foram sujeitados a avaliação de imagem usando uma impressora - copiadora colorida digital de múltiplas funções (RICOH PRO C901, produto de Ricoh Company, Ltd.).
[000265] Especificamente, a quantidade de carga do portador e a resistividade volumétrica antes e após a impressão de 1 milhão de folhas na ocupação de área de imagem de 20% foi medida usando os reveladores 1 a 27 e 1’ a 4’ e o toner 1, seguido pelo cálculo da taxa de diminuição da quantidade de carga e a taxa de alteração da resistividade volumétrica da mesma.
[000266] Notavelmente, a quantidade de carga do portador antes da impressão (Q1) foi medida como na sequência. Os portadores 1 a 27 e 1’ a 4’ foram misturados com o toner 1 na razão de massa de 93:7, e então carregados pela fricção para desta forma obter uma amostra. A amostra foi sujeitada a uma medição usando um dispositivo de sopro (TB-200, produto de Toshiba Chemical Corporation). A quantidade de carga do portador após imprimir 1 milhão de folhas (Q2) foi medido da mesma maneira que a dita acima, exceto que o toner de cada cor não continha reveladores após a impressão ser removida usando o dispositivo de sopro. Um valor alvo da taxa de diminuição da quantidade de carga é de 10 (μC/g) ou menos.
[000267] A resistividade volumétrica do portador antes da impressão (LogR1) foi expressa como um valor logarítmico comum da resistividade volumétrica do portador medida da mesma maneira que na [resistividade volumétrica]. A resistividade volumétrica do portador após a impressão de 1 milhão de folhas (LogR2) foi medido da mesma maneira que a dita acima, exceto que o toner de cada cor não continha reveladores após a impressão ser removida usando o dispositivo de sopro. Um valor alvo da resistividade volumétrica é menor do que 2,0 (LogQ.cm) como o valor absoluto. Os resultados de avaliação dos reveladores são mostrados nas Tabelas 2-1 e 2-2. Tabela 2-1
Figure img0004
Tabela 2-2
Figure img0005
Figure img0006
<Avaliação usando máquina real>
[000268] A qualidade da imagem foi avaliada usando uma impressora - copiadora colorida digital de múltiplas funções (RICOH PRO C901, produto de Ricoh Company, Ltd.) sob as seguintes condições de revelação.
[000269] Lacuna de revelação (entre fotocondutor e manga de revelação): 0,3 mm
[000270] Lacuna de médico (entre a manga de revelação e a lâmina de médico): 0,65 mm
[000271] Velocidade linear do fotocondutor: 440 mm/s
[000272] (velocidade linear da manga de revelação)/(velocidade linear do fotocondutor): 1,80
[000273] Densidade de escrita: 600 dpi
[000274] Potencial carregado (Vd): -600 V
[000275] Potencial após expor na porção de imagem(porção sólida): -100 V
[000276] Polarização de revelação: DC -500V/componente de polarização de corrente alternada: 2 kHz, - 100 V a -900 V, 50% de carga
<<Densidade de Imagem na porção sólida>>
[000277] A densidade de imagem média foi calculada a partir das densidades de imagem nos centros de 5 porções sólidas (30 mm x 30 mm) (Nota 1) medidas por densitômetro espectral X-Rite 938 sob as condições de revelação descritas acima.
[000278] Nota 1: Porções em que o potencial de revelação corresponde com 400 V = (Potencial de porções expostas - DC de Polarização de revelação) = -100 V - (-500 V)
[000279] A diferença entre a ID inicial e a ID após a impressão de 1 milhão de folhas foi avaliada de acordo com os seguintes critérios.
[Critérios de avaliação]
[000280] A (Muito bom) : 0 ou mais mas menos do que 0,2
[000281] B (Bom): 0,2 ou mais mas menos do que 0,3
[000282] C (Útil): 0,3 ou mais mas menos do que 0,4
[000283] D (Não útil): 0,4 ou mais
<<Densidade de imagem na porção de destaque>>
[000284] A densidade de imagem média foi calculada a partir das densidades de imagem nos centros de 5 porções de destaque (30 mm x 30 mm) (Nota 2) medidas por densitômetro espectral X-Rite 938 sob as condições de revelação descritas acima.
[000285] Nota 2: Porções em que o potencial de revelação corresponde com 150 V = (Potencial de porções de destaque - DC de polarização de revelação) = -350 V - (-500 V)
[000286] A diferença entre a ID inicial e a ID após a impressão de 1 milhão de folhas foi avaliada de acordo com os seguintes critérios.
[Critérios de avaliação]
[000287] A (Muito bom) : 0 ou mais mas menos do que 0,2
[000288] B (Bom): 0,2 ou mais mas menos do que 0,3
[000289] C (Útil): 0,3 ou mais mas menos do que 0,4
[000290] D (Não útil): 0,4 ou mais
Granularidade>>
[000291] Granularidade (faixa de brilho: 50 a 80) definida de acordo com a seguinte equação foi determinada e classificada pelos seguintes critérios.
[000292] Granularidade = exp (aL+b) J (WS(f))1/2 □ VTF(f)df
[000293] onde L denota o brilho médio, f denota a frequência espacial (ciclo/mm), WS(f) denota o espectro de energia da variação de brilho, VTF(f) denota a característica de frequência espacial da visão, e cada um de a e b denota um coeficiente.
[000294] A (Muito bom) : 0 ou mais mas menos do que 0,2
[000295] B (Bom): 0,2 ou mais mas menos do que 0,3
[000296] C (Útil): 0,3 ou mais mas menos do que 0,4
[000297] D (Não útil): 0,4 ou mais
[000298] <<Adesão de portador na porção sólida>>
[000299] A adesão de portador causa uma deficiência em um tambor fotocondutor e um rolo de fixação, e deteriora a qualidade da imagem. Mesmo quando a adesão do portador ocorre em um fotocondutor, apenas algumas das partículas de portador aderidas são transferidas para o papel. Assim, a adesão do portador foi avaliada como na sequência.
[000300] O número de partículas de portador aderido em uma imagem sólida (30 mm x 30 mm) formada por RICOH PRO C901 sob as condições de revelação descritas acima (Potencial de carga (Vd) : -600 V; Potencial após expor na porção de imagem (porção sólida): -100 V; Polarização de revelação: DC -500 V) foi contada em um fotocondutor. Com base no número contado, adesão de portador na porção sólida após a impressão de 1 milhão de folhas foi avaliada de acordo com os seguintes critérios.
[000301] A (Muito bom)
[000302] B (Bom)
[000303] C (Útil)
[000304] D (Não útil) Tabela 3
Figure img0007
[000305] Modalidades da presente invenção são como nasequência:
<1> Um portador incluindo:
[000306] partículas de núcleo magnético; e
[000307] uma camada de revestimento em uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético,
[000308] em que a camada de revestimento contém partículas eletrocondutoras;
[000309] em que as partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras em que pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com estanho dopado com fósforo ou estanho dopado com tungstênio; e
[000310] em que uma razão de dope de fósforo ou tungstênio para estanho no estanho dopado com fósforo ou o estanho dopado com tungstênio é 0,010 a 0,100. < 2> O portador de acordo com <1>, em que um diâmetro de partícula dos pigmentos inorgânicos brancos nas partículas eletrocondutoras R1 (μm) e um diâmetro de partícula das partículas eletrocondutoras R2 (μm) satisfazem a seguinte expressão: 1,4 < R2/R1 < 2,6. < 3> O portador de acordo com <1> ou <2>, em que os pigmentos inorgânicos brancos são óxido de alumínio, dióxido de titânio, ou sulfato de bário. < 4> O portador de acordo com qualquer um de <1> a <3>, em que uma resistividade específica do pó das partículas eletrocondutoras é 3 Q.cm a 20 Q.cm. < 5> O portador de acordo com qualquer um de <1> a <4>, em que um diâmetro de partícula médio volumétrico das partículas eletrocondutoras é 0,35 μm a 0,65 μm. < 6> O portador de acordo com qualquer um de <1> a <5>, em que um diâmetro de partícula médio volumétrico do portador é 32 μm a 40 μm. < 7> O portador de acordo com qualquer um de <1> a <6>, em que uma resistividade volumétrica do portador é 8 LogQ.cm a 14 LogQ.cm. < 8> Um revelador de dois componentes incluindo:
[000311] o portador de acordo com qualquer um de <1> a <7>; e
[000312] um toner.< 9> O revelador de dois componentes de acordo com< 8>, em que o toner é um toner colorido.< 10> Um revelador suplementar incluindo:
[000313] um portador; e
[000314] um toner,
[000315] em que 2 partes em massa a 50 partes em massa do toner estão contidas em relação a 1 parte em massa do portador, e
[000316] em que o portador é o portador de acordo com qualquer um de <1> a <7>.< 11> Um aparelho de formação de imagem incluindo:
[000317] um membro de suporte de imagem latente eletrostática;
[000318] uma unidade de formação de imagem latente eletrostática configurada para formar uma imagem latente eletrostática no membro de suporte de imagem latente eletrostática;
[000319] uma unidade de revelação configurada para revelar a imagem latente eletrostática com um revelador para formar desta maneira uma imagem visível;
[000320] uma unidade de transferência configurada para transferir a imagem visível para um meio de gravação; e
[000321] uma unidade de fixação configurada para fixar a imagem visível transferida para o meio de gravação,
[000322] em que o revelador é o revelador de dois componentes de acordo com <8> ou <9> ou o revelador suplementar de acordo com <10>.
< 12> Um cartucho de processo incluindo:
[000323] um membro de suporte de imagem latente eletrostática; e
[000324] uma unidade de revelação configurada para revelar com um revelador uma imagem latente eletrostática formada no membro de suporte de imagem latente eletrostática para formar desta maneira uma imagem visível,
[000325] em que o revelador é o revelador de dois componentes de acordo com <8> ou <9> ou o revelador suplementar de acordo com <10>.
< 13> Um método de formação de imagem incluindo:
[000326] formar uma imagem latente eletrostática em um membro de suporte de imagem latente eletrostática;
[000327] revelar a imagem latente eletrostática com um revelador para formar desta maneira uma imagem visível;
[000328] transferir a imagem visível para um meio de gravação; e
[000329] fixar a imagem visível transferida para o meio de gravação,
[000330] em que o revelador é o revelador de dois componentes de acordo com <8> ou <9> ou o revelador suplementar de acordo com <10>. Lista de Sinais de Referência 1a: Eletrodo 1b: Eletrodo 2: Fluororesina 3: Portador 10: Cartucho de processo 11: Fotocondutor 12: Unidade de carregamento 13: Unidade de revelação 14: Unidade de limpeza

Claims (14)

1. Portador caracterizado pelo fato de que compreende: partículas de núcleo magnético; euma camada de revestimento sobre uma superfície de cada uma das partículas de núcleo magnético;em que a camada de revestimento contém partículas eletrocondutoras;em que as partículas eletrocondutoras são partículas eletrocondutoras nas quais os pigmentos inorgânicos brancos são revestidos com óxido de estanho dopado com fósforo ou óxido de estanho dopado com tungstênio; eem que a relação de dopagem de fósforo ou tungstênio para estanho no estanho dopado com fósforo ou o estanho dopado com tungstênio é 0,010-0,100, em que a relação de dopagem é calculada de resultados de medição de XPS (espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X), em que um diâmetro de partícula dos pigmentos inorgânicos brancos nas partículas eletrocondutoras R1 (μm) e um diâmetro de partícula de partículas eletrocondutoras R2 (μm) satisfaz a seguinte expressão: 1,4 < R2/R1 < 2,6.
2. Portador, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que os pigmentos inorgânicos brancos são o óxido de alumínio, dióxido de titânio, ou sulfato de bário.
3. Portador, de acordo com a reivindicação 1 ou 2, caracterizado pelo fato de que uma resistividade específica do pó das partículas eletrocondutoras é 3 Q.cm a 20 Q.cm.
4. Portador, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 3, caracterizado pelo fato de que um diâmetro de partícula de volume médio das partículas eletrocondutoras é de 0,35 μm a 0,65 μm.
5. Portador, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 4, caracterizado pelo fato de que um diâmetro de partícula de volume médio do portador é de 32 μm a 40 μm.
6. Portador, de acordo com qualquer uma das reivindicações 1 a 5, caracterizado pelo fato de que uma resistividade de volume do portador é de 8 LogQ.cm a 14 LogQ.cm.
7. Revelador de dois componentes caracterizado pelo fato de que compreende:o portador conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 6; eum toner.
8. Revelador de dois componentes, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado pelo fato de que o toner é um toner colorido.
9. Revelador suplementar caracterizado pelo fato de que compreende: um portador; eum toner,em que 2 partes em massa para 50 partes em massa do toner está contida com relação a 1 parte em massa do portador, eem que o portador é o portador conforme definido em qualquer uma das reivindicações 1 a 6.
10. Aparelho de formação de imagem caracterizado pelo fato de que compreende:um revelador, o qual é um revelador de dois componentes conforme definido na reivindicação 7 ou 8;um membro de suporte de imagem latente eletrostática;uma unidade de formação de imagem latente eletrostática configurada para formar uma imagem latente eletrostática no membro de suporte de imagem latente eletrostática;uma unidade de revelação configurada para revelar a imagem latente eletrostática com o revelador para assim formar uma imagem visível;uma unidade de transferência configurada para transferir a imagem visível para um meio de gravação; euma unidade de fixação configurada para fixar a imagem visível transferida para o meio de gravação.
11. Aparelho de formação de imagem caracterizado pelo fato de que compreende: o revelador, o qual é o revelador suplementar conforme definido na reivindicação 9;um membro de suporte de imagem latente eletrostática;uma unidade de formação de imagem latente eletrostática configurada para formar uma imagem latente eletrostática no membro de suporte de imagem latente eletrostática;uma unidade de revelação configurada para revelar a imagem latente eletrostática com o revelador para assim formar uma imagem visível;uma unidade de transferência configurada para transferir a imagem visível para um meio de gravação; euma unidade de fixação configurada para fixar a imagem visível transferida para o meio de gravação.
12. Cartucho de processo caracterizado pelo fato de que compreende:um revelador, o qual é um revelador de dois componentes conforme definido na reivindicação 7 ou 8;um membro de suporte de imagem latente eletrostática; euma unidade de revelação configurada para revelar com o revelador, uma imagem latente eletrostática formada no membro de suporte de imagem latente eletrostática para assim formar uma imagem visível.
13. Cartucho de processo caracterizado pelo fato de que compreende:um revelador, o qual é o revelador suplementar conforme definido na reivindicação 9;um membro de suporte de imagem latente eletrostática; euma unidade de revelação configurada para revelar com o revelador, uma imagem latente eletrostática formada no membro de suporte de imagem latente eletrostática para assim formar uma imagem visível.
14. Método de formação de imagem caracterizado pelo fato de que compreende: formar uma imagem latente eletrostática em um membro de suporte de imagem latente eletrostática; revelar a imagem latente eletrostática com um revelador para assim formar uma imagem visível;transferir a imagem visível para um meio de gravação; efixar a imagem visível transferida para o meio de gravação,em que o revelador é o revelador de dois componentes conforme definido na reivindicação 7 ou 8.
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