WO2022196158A1 - ワイドバンドギャップ半導体装置 - Google Patents

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main surface
semiconductor device
wide bandgap
bandgap semiconductor
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佑紀 中野
保徳 久津間
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ローム株式会社
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Abstract

ワイドバンドギャップ半導体装置は、ワイドバンドギャップ半導体を含み、主面を有するチップと、前記主面の上に配置された主面電極と、マトリクス樹脂および複数のフィラーを含み、前記主面電極の一部を露出させるように前記主面を被覆する熱硬化性樹脂と、を含む。

Description

ワイドバンドギャップ半導体装置
　この出願は、２０２１年３月１８日に日本国特許庁に提出された特願２０２１－０４５１１５号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。本発明は、ワイドバンドギャップ半導体装置に関する。
　特許文献１は、半導体基板、電極および有機保護層を含む半導体装置を開示している。半導体基板は、ＳｉＣによって形成されている。電極は、半導体基板の上に形成されている。有機保護膜は、電極を部分的に被覆している。
米国特許出願公開第２０１９／００８０９７６号明細書
　一実施形態は、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置を提供する。
　一実施形態は、ワイドバンドギャップ半導体を含み、主面を有するチップと、前記主面の上に配置された主面電極と、マトリクス樹脂および複数のフィラーを含み、前記主面電極の一部を露出させるように前記主面を被覆する熱硬化性樹脂と、を含む、ワイドバンドギャップ半導体装置を提供する。
　本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面の参照によって説明される実施形態により明らかにされる。
図１は、第１実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す斜視図である。 図２は、図１に示すワイドバンドギャップ半導体装置の平面図である。 図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。 図４は、図３に示す領域IVの拡大図である。 図５は、図３に対応し、第２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図６は、図３に対応し、第３実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図７は、図３に対応し、第４実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図８は、図３に対応し、第５実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図９は、図３に対応し、第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図１０は、第７実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す斜視図である。 図１１は、図１０に示すワイドバンドギャップ半導体装置の平面図である。 図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う断面図である。 図１３は、図１１に示す領域XIIIを内部構造と共に示す平面図である。 図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。 図１５は、図１２に示す領域XVの拡大図である。 図１６は、図１２に対応し、第８実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図１７は、図１２に対応し、第９実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図１８は、図１２に対応し、第１０実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図１９は、図１２に対応し、第１１実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図２０は、図１２に対応し、第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置を示す断面図である。 図２１は、図３に対応し、パッド電極の変形例を示す断面図である。 図２２は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置が搭載される半導体パッケージを示す平面図である。 図２３は、第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置が搭載される半導体パッケージを示す平面図である。 図２４は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置および第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置が搭載される半導体パッケージを示す斜視図である。 図２５は、図２４に示す半導体パッケージの分解斜視図である。 図２６は、図２４に示すXXVI-XXVI線に沿う断面図である。
　添付図面は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではなく、縮尺等は必ずしも一致しない。また、添付図面の間で対応する構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は省略または簡略化される。また、以下の実施形態において、説明が省略または簡略化された構造については、省略または簡略化される前になされた説明が適用される。
　図１は、第１実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａを示す斜視図である。図２は、図１に示すワイドバンドギャップ半導体装置１Ａの平面図である。図３は、図２に示すIII-III線に沿う断面図である。図４は、図３に示す領域IVの拡大図である。
　図１～図４を参照して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、機能デバイスの一例としてのＳＢＤ（Schottky Barrier Diode）を含む半導体装置である。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、ワイドバンドギャップ半導体からなり、六面体形状（具体的には直方体形状）に形成されたチップ２を含む。チップ２は、「半導体チップ」または「ワイドバンドギャップ半導体チップ」と称されてもよい。ワイドバンドギャップ半導体は、Ｓｉ（シリコン）のバンドギャップを超えるバンドギャップを有する半導体である。
　チップ２は、この形態（this embodiment）では、ワイドバンドギャップ半導体の一例として六方晶のＳｉＣ（炭化シリコン）単結晶からなるＳｉＣチップである。つまり、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、ＳｉＣ半導体装置である。六方晶のＳｉＣ単結晶は、２Ｈ（Hexagonal）－ＳｉＣ単結晶、４Ｈ－ＳｉＣ単結晶、６Ｈ－ＳｉＣ単結晶等を含む複数種のポリタイプを有している。この形態では、チップ２が４Ｈ－ＳｉＣ単結晶からなる例を示すが、他のポリタイプを除外するものではない。
　チップ２は、一方側の第１主面３、他方側の第２主面４、ならびに、第１主面３および第２主面４を接続する側面５を有している。第１主面３および第２主面４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状に形成されている。第２主面４は研削痕を有する研削面からなることが好ましい。
　側面５は、第１～第４側面５Ａ～５Ｄを含む。第１側面５Ａおよび第２側面５Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに交差（具体的には直交）する第２方向Ｙに対向している。第３側面５Ｃおよび第４側面５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。チップ２は、法線方向Ｚに関して、１０μｍ以上２５０μｍ以下の厚さを有していてもよい。チップ２の厚さは、８０μｍ以下であることが好ましい。チップ２の厚さは、４０μｍ以下であることが特に好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、チップ２内において第２主面４側の領域に形成されたｎ型（第１導電型）の第１半導体領域６を含む。第１半導体領域６は、第２主面４に沿って延びる層状に形成され、第２主面４および第１～第４側面５Ａ～５Ｄから露出している。第１半導体領域６は、法線方向Ｚに関して、５μｍ以上２００μｍ以下の厚さを有していてもよい。第１半導体領域６の厚さは、５０μｍ以下であることが好ましい。第１半導体領域６の厚さは、２０μｍ以下であることが特に好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、チップ２内において第１主面３側の領域に形成されたｎ型の第２半導体領域７を含む。第２半導体領域７は、第１半導体領域６よりも低いｎ型不純物濃度を有し、第１半導体領域６に電気的に接続されている。第２半導体領域７は、第１主面３に沿って延びる層状に形成され、第１主面３および第１～第４側面５Ａ～５Ｄから露出している。
　第２半導体領域７は、法線方向Ｚに関して、５μｍ以上５０μｍ以下の厚さを有していてもよい。第２半導体領域７の厚さは、３０μｍ以下であることが好ましい。第２半導体領域７の厚さは、２０μｍ以下であることが特に好ましい。第２半導体領域７の厚さは、第１半導体領域６の厚さを超えていることが好ましい。
　第１半導体領域６は、この形態では、ワイドバンドギャップ半導体基板（具体的にはＳｉＣ半導体基板）からなる。第２半導体領域７は、この形態では、ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層（具体的にはＳｉＣエピタキシャル層）からなる。つまり、チップ２は、ワイドバンドギャップ半導体基板およびワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層を含む積層構造を有している。ワイドバンドギャップ半導体基板は、第２主面４および第１～第４側面５Ａ～５Ｄの一部を形成している。ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層は、第１主面３および第１～第４側面５Ａ～５Ｄの一部を形成している。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面３の表層部に形成されたｐ型（第２導電型）のガード領域８を含む。ガード領域８のｐ型不純物は、活性化されていてもよいし、活性化されていなくてもよい。ガード領域８は、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から内方に間隔を空けて第２半導体領域７の表層部に形成されている。ガード領域８は、この形態では、平面視において第１主面３の内方部を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。これにより、ガード領域８は、ガードリング領域として形成されている。ガード領域８は、第１主面３の内方部側の内縁部、および、第１主面３の周縁側の外縁部を有している。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面３を被覆する第１無機絶縁膜９を含む。第１無機絶縁膜９は、第１主面３の周縁およびガード領域８の間の領域を被覆している。第１無機絶縁膜９は、具体的には、第１主面３およびガード領域８の外縁部を被覆し、第１主面３の内方部およびガード領域８の内縁部を露出させている。第１無機絶縁膜９は、この形態では、平面視において第１主面３の内方部を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。
　第１無機絶縁膜９は、第１主面３の内方部側の内壁、および、第１主面３の周縁側の外壁を有している。第１無機絶縁膜９の内壁は、第１主面３の内方部において第２半導体領域７およびガード領域８の内縁部を露出させるコンタクト開口１０を区画している。コンタクト開口１０は、平面視においてガード領域８に沿う四角形状に形成されている。第１無機絶縁膜９の外壁は、第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部において第２半導体領域７を露出させている。
　むろん、第１無機絶縁膜９は、第１主面３の周縁およびガード領域８の間の領域の全域を被覆していてもよい。この場合、第１無機絶縁膜９は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なる外壁を有する。第１無機絶縁膜９の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。第１無機絶縁膜９の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　第１無機絶縁膜９は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。第１無機絶縁膜９は、酸化シリコン膜からなる単層構造を有していることが好ましい。第１無機絶縁膜９は、チップ２の酸化物からなる酸化シリコン膜を含むことが特に好ましい。第１無機絶縁膜９は、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の厚さを有していてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面３を被覆する第１主面電極１１を含む。第１主面電極１１は、第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて第１主面３の上に形成されている。第１主面電極１１は、この形態では、平面視において第１主面３の周縁に平行な４辺を有する四角形状に形成されている。第１主面電極１１は、第１主面３の内方部において第２半導体領域７およびガード領域８の内縁部に電気的に接続されている。
　第１主面電極１１は、具体的には、コンタクト開口１０内に位置する本体部１１ａ、および、本体部１１ａから第１無機絶縁膜９の上に引き出された引き出し部１１ｂを有している。本体部１１ａは、第２半導体領域７（第１主面３）とショットキ接合を形成している。引き出し部１１ｂは、第１無機絶縁膜９の外壁から内方に間隔を空けて形成され、第１無機絶縁膜９を挟んでガード領域８の外縁部および第２半導体領域７に対向している。第１主面電極１１は、０．５μｍ以上１１μｍ以下の厚さを有していてもよい。
　図４を参照して、第１主面電極１１は、チップ２側からこの順に積層された第１主面電極膜１２および第２主面電極膜１３を含む積層構造を有している。第１主面電極膜１２は、この形態では、Ｔｉ系金属膜を含む。第１主面電極膜１２は、Ｔｉ膜またはＴｉＮ膜からなる単層構造を有していてもよい。第１主面電極膜１２は、Ｔｉ膜およびＴｉＮ膜を任意の順序で含む積層構造を有していてもよい。第１主面電極膜１２は、１０ｎｍ以上１μｍ以下の厚さを有していてもよい。
　第２主面電極膜１３は、Ｃｕ系金属膜またはＡｌ系金属膜からなる。第２主面電極膜１３は、純Ｃｕ膜（純度が９９％以上のＣｕ膜）、純Ａｌ膜（純度が９９％以上のＡｌ膜）、ＡｌＣｕ合金膜、ＡｌＳｉ合金膜、および、ＡｌＳｉＣｕ合金膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。第２主面電極膜１３は、この形態では、Ａｌ系金属膜からなる。第２主面電極膜１３は、第１主面電極膜１２の厚さを超える厚さを有している。第２主面電極膜１３の厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面電極１１を被覆する第２無機絶縁膜１４を含む。第２無機絶縁膜１４は、具体的には、第１無機絶縁膜９および第１主面電極１１の周縁部を被覆し、第１主面電極１１の内方部を露出させている。第２無機絶縁膜１４は、より具体的には、第１主面電極１１の引き出し部１１ｂを被覆し、本体部１１ａを露出させている。第２無機絶縁膜１４は、本体部１１ａの一部を被覆していてもよい。第２無機絶縁膜１４は、第１無機絶縁膜９の上から第１主面３の周縁部の上に引き出され、第２半導体領域７を直接被覆している。
　第２無機絶縁膜１４は、この形態では、平面視において第１主面３の内方部を取り囲む環状（この形態では四角環状）に形成されている。第２無機絶縁膜１４は、第１主面電極１１の内方部側の内壁、および、第１主面３の周縁側の外壁を有している。第２無機絶縁膜１４の内壁は、第１主面電極１１の内方部（本体部１１ａ）を露出させる第１開口１５を区画している。第１開口１５は、平面視において第１主面電極１１の周縁に沿う四角形状に形成されている。
　第２無機絶縁膜１４の外壁は、第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部を露出させるダイシングストリート１６を区画している。むろん、第２無機絶縁膜１４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっていてもよい。この場合、第２無機絶縁膜１４の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。第２無機絶縁膜１４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　第２無機絶縁膜１４は、比較的高い緻密度を有する無機絶縁体からなり、水分（湿気）に対するバリア性（遮蔽性）を有している。第２無機絶縁膜１４は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含む。第２無機絶縁膜１４は、第１無機絶縁膜９とは異なる絶縁材料を含むことが好ましい。第２無機絶縁膜１４は、窒化シリコン膜を含むことが好ましい。第２無機絶縁膜１４は、第１主面電極１１の厚さ未満の厚さを有していることが好ましい。第２無機絶縁膜１４の厚さは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面電極１１の周縁部を被覆する感光性樹脂１７を含む。感光性樹脂１７は、「第１有機膜」または「第１有機絶縁膜」と称されてもよい。感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の上に形成され、第２無機絶縁膜１４を挟んで第１主面電極１１を被覆している。感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４の硬度よりも低い硬度を有している。換言すると、感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４の弾性率よりも小さい弾性率を有し、外力に対する緩衝材（保護膜）として機能する。感光性樹脂１７は、チップ２、第１主面電極１１、第２無機絶縁膜１４等を保護する。
　感光性樹脂１７は、平面視において第１主面電極１１の周縁部に沿って帯状に延びている。感光性樹脂１７は、この形態では、平面視において第１主面電極１１の内方部を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成され、全周に亘って第１主面電極１１の周縁部を被覆している。感光性樹脂１７は、具体的には、第１主面電極１１の引き出し部１１ｂを被覆し、本体部１１ａを露出させている。感光性樹脂１７は、本体部１１ａの一部を被覆していてもよい。
　感光性樹脂１７は、第１主面電極１１の内方部側の内壁、および、第１主面３の周縁側の外壁を有している。感光性樹脂１７の内壁は、第１主面電極１１の内方部において第１主面電極１１の内方部を露出させる第２開口１８を区画している。第２開口１８は、平面視において第１主面電極１１の周縁に沿う四角形状に形成されている。感光性樹脂１７の外壁は、第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第１主面３の周縁部を露出させるダイシングストリート１６を区画している。
　感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）および外周縁部（外壁）の双方を露出させるように第２無機絶縁膜１４の上に形成されている。したがって、感光性樹脂１７の内壁は、第２無機絶縁膜１４の第１開口１５に連通する第２開口１８を区画している。また、感光性樹脂１７の外壁は、第２無機絶縁膜１４と共にダイシングストリート１６を区画している。第２無機絶縁膜１４の外壁がチップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっている場合、感光性樹脂１７の外壁は第２無機絶縁膜１４を露出させるダイシングストリート１６を区画する。
　感光性樹脂１７の内壁は、第１主面電極１１の内方部側に向けて膨出した湾曲形状に形成されていてもよい。感光性樹脂１７の外壁は、チップ２の周縁側に向けて膨出した湾曲形状に形成されていてもよい。感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４の内壁および外壁のいずれか一方または双方を被覆していてもよい。つまり、感光性樹脂１７は、第１主面電極１１の一部を直接被覆する部分、および、チップ２の周縁部（第２半導体領域７）を直接被覆する部分のいずれか一方または双方を有していてもよい。
　感光性樹脂１７は、第１無機絶縁膜９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。感光性樹脂１７の厚さは、第２無機絶縁膜１４の厚さを超えていることが好ましい。感光性樹脂１７の厚さは、第１主面電極１１の厚さを超えていることが好ましい。感光性樹脂１７の厚さは、３μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。感光性樹脂１７の厚さは、２０μｍ以下であることが好ましい。
　感光性樹脂１７は、ネガティブタイプであってもよいし、ポジティブタイプであってもよい。感光性樹脂１７は、ポリイミド膜、ポリアミド膜およびポリベンゾオキサゾール膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。感光性樹脂１７は、この形態では、ポリベンゾオキサゾール膜を含む。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面３を被覆する熱硬化性樹脂１９を含む。熱硬化性樹脂１９は、「封止樹脂」、「第２有機膜」または「第２有機絶縁膜」と称されてもよい。熱硬化性樹脂１９は、この形態では、第１主面電極１１の少なくとも一部を露出させるように感光性樹脂１７を被覆し、感光性樹脂１７を挟んで第１主面電極１１および第２無機絶縁膜１４を被覆している。
　熱硬化性樹脂１９は、平面視において第１主面３の周縁に沿って帯状に延びている。熱硬化性樹脂１９は、この形態では、平面視において第１主面電極１１の内方部を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成され、全周に亘って感光性樹脂１７を挟んで第１主面電極１１の周縁部を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、この形態では、感光性樹脂１７を挟んで第１主面電極１１の引き出し部１１ｂを被覆し、本体部１１ａを露出させている。感光性樹脂１７が本体部１１ａを被覆している場合、熱硬化性樹脂１９は感光性樹脂１７を挟んで本体部１１ａの一部を被覆していてもよい。
　熱硬化性樹脂１９は、この形態では、感光性樹脂１７の内壁（第２開口１８）を露出させ、感光性樹脂１７の外壁を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、チップ２の周縁部において感光性樹脂１７（第２無機絶縁膜１４）によって区画されたダイシングストリート１６を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、ダイシングストリート１６において第１主面３から露出した第２半導体領域７を直接被覆している。
　熱硬化性樹脂１９は、樹脂主面２０、第１主面電極１１の内方部側の樹脂内壁２１、および、第１主面３の周縁側の樹脂側面２２を有している。樹脂主面２０、樹脂内壁２１および樹脂側面２２は、それぞれ「有機主面」、「有機内壁」および「有機側面」と称されてもよい。樹脂主面２０は、第１主面３に沿って延びている。樹脂主面２０は、具体的には、第１主面３に対してほぼ平行に延びている。樹脂主面２０は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。
　樹脂内壁２１は、樹脂主面２０の内方部において第１主面電極１１の内方部を露出させるパッド開口２３を区画している。パッド開口２３は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の第１開口１５および感光性樹脂１７の第２開口１８に連通している。パッド開口２３は、平面視においてチップ２（第１主面電極１１）の周縁に沿う四角形状に形成されている。樹脂内壁２１は、研削痕を有さない平滑面からなることが好ましい。
　樹脂内壁２１は、樹脂主面２０側の上端部（開口端）およびチップ２（感光性樹脂１７）側の下端部を有している。樹脂内壁２１の下端部は、感光性樹脂１７の外面に沿って窪み、感光性樹脂１７と間隙２４を形成している。樹脂内壁２１は、具体的には、開口端側の第１壁部２５、および、下端部側の第２壁部２６を有している。第１壁部２５は、開口端および下端部の間を厚さ方向に延びている。第１壁部２５は、断面視において樹脂内壁２１の８０％以上の範囲を占めていることが好ましい。
　第２壁部２６は、感光性樹脂１７の外面および第１壁部２５の間において感光性樹脂１７の外壁に向けて第１壁部２５に交差する方向に延び、感光性樹脂１７の外面と間隙２４を区画している。第２壁部２６は、具体的には、第１壁部２５から感光性樹脂１７の外面に向けて斜めに傾斜し、第１壁部２５（第１主面電極１１）から離れるに従って法線方向Ｚに沿う幅が漸減する先細り形状の間隙２４を区画している。第２壁部２６（間隙２４）は、断面視において樹脂内壁２１の２０％未満の範囲を占めていることが好ましい。
　樹脂側面２２は、第１～第４樹脂側面２２Ａ～２２Ｄを含む。第１樹脂側面２２Ａは第１側面５Ａ側に位置し、第２樹脂側面２２Ｂは第２側面５Ｂ側に位置し、第３樹脂側面２２Ｃは第３側面５Ｃ側に位置し、第４樹脂側面２２Ｄは第４側面５Ｄ側に位置している。第１樹脂側面２２Ａおよび第２樹脂側面２２Ｂは、第１主面３に沿う第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙに対向している。第３樹脂側面２２Ｃおよび第４樹脂側面２２Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。
　樹脂側面２２（第１～第４樹脂側面２２Ａ～２２Ｄ）は、チップ２に向かって延び、樹脂外壁を形成している。樹脂側面２２は、樹脂主面２０に対してほぼ直角に形成されている。樹脂側面２２が樹脂主面２０との間で成す角度は、８８°以上９２°以下であってもよい。樹脂側面２２は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっている。樹脂側面２２は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。樹脂側面２２は、チップ２の側面５と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　熱硬化性樹脂１９は、第１無機絶縁膜９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、第２無機絶縁膜１４の厚さを超えていることが好ましい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、第１主面電極１１の厚さを超えていることが好ましい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、感光性樹脂１７の厚さを超えていることが特に好ましい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、この形態では、チップ２の厚さを超えている。熱硬化性樹脂１９の厚さは、１０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、３０μｍ以上であることが好ましい。熱硬化性樹脂１９の厚さは、２００μｍ以下であってもよい。
　熱硬化性樹脂１９は、感光性樹脂１７の硬度よりも高い硬度を有している。換言すると、熱硬化性樹脂１９は、感光性樹脂１７の弾性率よりも大きい弾性率を有している。熱硬化性樹脂１９は、第１主面３の上からチップ２を補強する。図４を参照して、熱硬化性樹脂１９は、マトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８によって構成されている。マトリクス樹脂２７は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂および熱硬化性ポリイミド樹脂のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。マトリクス樹脂２７は、この形態では、エポキシ樹脂を含む。マトリクス樹脂２７は、カーボンブラック等の色材によって着色されていてもよい。
　複数のフィラー２８は、セラミック、酸化物、絶縁体等によって構成された球状物からそれぞれなる。つまり、複数のフィラー２８は、繊維状には形成されていない。複数のフィラー２８は、この形態では、酸化シリコン粒子（シリカ粒子）からそれぞれなる。熱硬化性樹脂１９は、粒径（particle sizes）の異なる複数のフィラー２８を含む。
　複数のフィラー２８は、具体的には、複数の小径フィラー２８ａ（第１フィラー）、複数の中径フィラー２８ｂ（第２フィラー）、および、複数の大径フィラー２８ｃ（第３フィラー）を含む。小径フィラー２８ａは、第１主面電極１１の厚さ未満の厚さを有している。中径フィラー２８ｂは、第１主面電極１１の厚さを超えて感光性樹脂１７の厚さ以下の厚さを有している。大径フィラー２８ｃは、感光性樹脂１７の厚さを超える厚さを有している。
　複数の小径フィラー２８ａ、複数の中径フィラー２８ｂおよび複数の大径フィラー２８ｃは、マトリクス樹脂２７と共に感光性樹脂１７よりも樹脂主面２０側の領域に充填されている。中径フィラー２８ｂおよび大径フィラー２８ｃに起因するチップ２側の構造物へのフィラーアタックは、感光性樹脂１７によって緩和される。
　複数の小径フィラー２８ａおよび複数の中径フィラー２８ｂは、マトリクス樹脂２７と共に感光性樹脂１７よりも下側の領域に充填されている。特に、小径フィラー２８ａは、マトリクス樹脂２７と共に感光性樹脂１７に起因した隙間（この形態では、第２無機絶縁膜１４および感光性樹脂１７の間の隙間）に充填されている。チップ２側の構造物に対するマトリクス樹脂２７の密着力は、粒径の異なる複数のフィラー２８によっても高められる。
　複数のフィラー２８は、熱硬化性樹脂１９の表層部において破断された粒形（particle shapes）を有する複数のフィラー欠片２９（a plurality of filler fragments）を含む。複数のフィラー欠片２９は、樹脂主面２０の表層部に形成された複数の第１フィラー欠片２９ａ（主面側フィラー欠片）、および、樹脂側面２２の表層部に形成された複数の第２フィラー欠片２９ｂ（側面側フィラー欠片）を含む。
　第１フィラー欠片２９ａおよび第２フィラー欠片２９ｂは、小径フィラー２８ａの一部、中径フィラー２８ｂの一部および大径フィラー２８ｃの一部のうちのいずれかによってそれぞれ形成されている。複数のフィラー欠片２９は、熱硬化性樹脂１９の外面において研削痕の一部をそれぞれ形成している。
　熱硬化性樹脂１９は、樹脂内壁２１（第１壁部２５および第２壁部２６）の表層部においてフィラー欠片２９を殆ど有さない。つまり、樹脂内壁２１（パッド開口２３）は、マトリクス樹脂２７および正常な複数のフィラー２８によって形成されている。この場合、樹脂内壁２１を形成する複数のフィラー２８のうちのフィラー欠片２９の割合は、樹脂内壁２１を形成する正常なフィラー２８の割合未満である。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面電極１１の露出部の上に配置されたパッド電極３０を含む。パッド電極３０は、導電接続部材（たとえば導線や導体板等）に電気的に接続される外部端子である。パッド電極３０は、第１主面電極１１の周縁から内方に間隔を空けて第１主面電極１１の上に配置されている。パッド電極３０は、この形態では、パッド開口２３内に配置され、第１主面電極１１の内方部を被覆している。つまり、パッド電極３０は、パッド開口２３内においてマトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８に接している。
　パッド電極３０は、パッド開口２３外に配置されていない。パッド電極３０は、平面視においてパッド開口２３に整合した平面形状（この形態では四角形状）を有している。パッド電極３０は、第１主面電極１１の平面積未満の平面積を有している。パッド電極３０は、この形態では、パッド開口２３から第２開口１８および第１開口１５に入り込み、第１主面電極１１、第２無機絶縁膜１４、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接している。
　パッド電極３０は、第１無機絶縁膜９の厚さを超える厚さを有していることが好ましい。パッド電極３０の厚さは、第２無機絶縁膜１４の厚さを超えていることが好ましい。パッド電極３０の厚さは、第１主面電極１１の厚さを超えていることが好ましい。パッド電極３０の厚さは、感光性樹脂１７の厚さを超えていることが特に好ましい。パッド電極３０の厚さは、この形態では、チップ２の厚さを超えている。
　パッド電極３０の厚さは、１０μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。パッド電極３０の厚さは、３０μｍ以上であることが好ましい。パッド電極３０の厚さは、２００μｍ以下であってもよい。比較的厚い（たとえば第１主面電極１１よりも厚い）パッド電極３０は、チップ２側で生じた熱を外部に放散させるヒートシンク電極を兼ねる。
　パッド電極３０は、熱硬化性樹脂１９（パッド開口２３）から露出した電極面３０ａを有している。電極面３０ａは、第１主面３に沿って延びている。電極面３０ａは、具体的には、第１主面３に対してほぼ平行に延びている。電極面３０ａは、熱硬化性樹脂１９の樹脂主面２０に連なっている。電極面３０ａは、研削痕を有する研削面からなる。電極面３０ａは、樹脂主面２０と１つの研削面を形成している。
　パッド電極３０は、熱硬化性樹脂１９の間隙２４内において感光性樹脂１７の外面に乗り上げた張り出し部３０ｂを有している。張り出し部３０ｂは、間隙２４内において感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接し、間隙２４に整合した断面形状を有している。つまり、張り出し部３０ｂは、第１壁部２５側から感光性樹脂１７の外面に向けて斜めに下り傾斜し、第１壁部２５から離れるに従って厚さが漸減する先細り形状に形成されている。
　張り出し部３０ｂの第１主面３に沿う長さは、感光性樹脂１７の厚さを超えていてもよい。むろん、張り出し部３０ｂの長さは、感光性樹脂１７の厚さ以下であってもよい。張り出し部３０ｂは、熱硬化性樹脂１９からのパッド電極３０の抜け落ちを抑制する。張り出し部３０ｂは、「抜け止め部」と称されてもよい。
　図４を参照して、パッド電極３０は、第１主面電極１１側からこの順に積層された第１パッド電極膜３１および第２パッド電極膜３２を含む。第１パッド電極膜３１は、第１主面電極１１を被覆している。第１パッド電極膜３１は、この形態では、第１主面電極１１の上から第２無機絶縁膜１４の上および感光性樹脂１７の上に膜状に引き出されている。
　第１パッド電極膜３１は、第１主面電極１１の厚さ未満の厚さを有し、第１開口１５内および第２開口１８内に位置する部分を有している。第１パッド電極膜３１は、厚さ方向（法線方向Ｚ）に関して、間隙２４の幅未満の厚さを有し、間隙２４内において感光性樹脂１７を被覆する部分を有している。第１パッド電極膜３１は、この形態では、間隙２４内においてパッド開口２３の第２壁部２６を部分的に被覆し、パッド開口２３の第１壁部２５を露出させている。
　第２パッド電極膜３２は、第１パッド電極膜３１を被覆し、パッド電極３０の本体を形成している。第２パッド電極膜３２は、感光性樹脂１７の厚さ（この形態ではチップ２の厚さ）を超える厚さを有し、第１開口１５、第２開口１８およびパッド開口２３内に位置する部分を有している。
　第２パッド電極膜３２は、厚さ方向（法線方向Ｚ）に関して、間隙２４の幅を超える厚さを有し、間隙２４内において第１パッド電極膜３１および熱硬化性樹脂１９に接する部分を有している。つまり、パッド電極３０膜の張り出し部３０ｂは、第１パッド電極膜３１および第２パッド電極膜３２を含む。パッド電極３０の電極面３０ａは、第２パッド電極膜３２によって形成されている。
　第１パッド電極膜３１は、この形態では、スパッタ法によって形成されたシード膜からなる。第１パッド電極膜３１は、Ｔｉ系金属膜を含んでいてもよい。第１パッド電極膜３１は、Ｔｉ膜またはＴｉＮ膜からなる単層構造を有していてもよい。第１パッド電極膜３１は、任意の順序で積層されたＴｉ膜およびＴｉＮ膜を含む積層構造を有していてもよい。第２パッド電極膜３２は、この形態では、電解めっき法または無電解めっき法によって形成されためっき膜からなる。第２パッド電極膜３２は、Ｃｕ系金属めっき膜を含んでいてもよい。第２パッド電極膜３２は、この形態では、純Ｃｕめっき膜（純度が９９％以上のＣｕ膜）からなる単層構造を有している。
　パッド電極３０は、第１主面電極１１との接続部において少なくとも１つの微小な空隙３３を有していてもよい。図４では、空隙３３が、第１パッド電極膜３１および第１主面電極１１の間に形成された例が示されている。むろん、空隙３３は、第１パッド電極膜３１および第２パッド電極膜３２の間に形成されていてもよい。空隙３３は、第１主面電極１１の厚さよりも小さいサイズを有している。パッド電極３０の厚さ方向に関して、空隙３３のサイズは１μｍ以下であってもよい。空隙３３のサイズは、０．５μｍ以下であることが好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第２主面４を被覆する第２主面電極３４を含む。第２主面電極３４は、第２主面４に電気的に接続されている。第２主面電極３４は、具体的には、第２主面４から露出した第１半導体領域６とオーミック接触を形成している。第２主面電極３４は、チップ２の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なるように第２主面４の全域を被覆している。第２主面電極３４の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。第２主面電極３４の外壁は、チップ２の側面５と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、チップ２、第１主面電極１１、および、熱硬化性樹脂１９を含む。チップ２は、ワイドバンドギャップ半導体を含み、第１主面３を有している。第１主面電極１１は、第１主面３を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、マトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８によって構成され、第１主面電極１１の少なくとも一部を露出させるように第１主面３を被覆している。
　この構造によれば、第１主面電極１１とのコンタクト部を確保しながら、熱硬化性樹脂１９によってチップ２を補強し、保護できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ａを提供できる。
　熱硬化性樹脂１９は、第１主面電極１１の周縁部を被覆していることが好ましい。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、ワイドバンドギャップ半導体の特性上、ハイブリッド車、電気自動車、燃料電池自動車等のモータを駆動源とする車両等に搭載される。そのため、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａでは、過酷な使用環境条件に適合する耐久性が求められる。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａの耐久性は、たとえば、高温高湿バイアス試験によって評価される。高温高湿バイアス試験では、高温高湿環境下に曝された状態で、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａの電気的動作が評価される。
　高温環境下では、第１主面電極１１の熱膨張に起因する応力によって第１主面電極１１が剥離する可能性がある。高湿環境下では、第１主面電極１１の剥離部に侵入した水分（湿気）に起因して第１主面電極１１等の電気的特性が変動する可能性がある。したがって、第１主面電極１１の周縁部を被覆する熱硬化性樹脂１９によれば、第１主面電極１１の剥離起点を削減できると同時に、外部からの水分の侵入を抑制できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ａを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、第１主面電極１１の周縁部を被覆する感光性樹脂１７をさらに含むことが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂１９は、感光性樹脂１７を被覆していることが好ましい。この構造によれば、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９の双方によって第１主面電極１１の剥離起点を削減できる。
　この構造において、複数のフィラー２８は、感光性樹脂１７よりも厚い複数の大径フィラー２８ｃを含んでいてもよい。この構造によれば、複数の大径フィラー２８ｃを利用してマトリクス樹脂２７の流動性を向上できると同時に、大径フィラー２８ｃに起因する衝撃を感光性樹脂１７によって緩和できる。よって、感光性樹脂１７等を適切に保護する熱硬化性樹脂１９を形成できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａは、熱硬化性樹脂１９のパッド開口２３内において第１主面電極１１に電気的に接続されたパッド電極３０を含むことが好ましい。この構造によれば、第１主面電極１１および熱硬化性樹脂１９の間に段差が形成された構造において、第１主面電極１１および導電接続部材（たとえば導線や導体板等）の間の電気信号をパッド電極３０によって適切に伝達できる。
　図５は、図３に対応し、第２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｂを示す断面図である。第１実施形態では、感光性樹脂１７が第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）を露出させている例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｂは、第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）を被覆する感光性樹脂１７を含む。
　つまり、感光性樹脂１７は、第１主面電極１１を直接被覆する部分を含む。熱硬化性樹脂１９の樹脂内壁２１（パッド開口２３）は、感光性樹脂１７および第１主面電極１１の内方部を露出させ、第２無機絶縁膜１４を露出させていない。パッド電極３０は、パッド開口２３内において第１主面電極１１、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接し、第２無機絶縁膜１４には接していない。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｂによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。
　図６は、図３に対応し、第３実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｃを示す断面図である。第１実施形態では、熱硬化性樹脂１９が第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）および感光性樹脂１７の内周縁部（内壁）を露出させている例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｃは、第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）および感光性樹脂１７の内周縁部（内壁）を被覆する熱硬化性樹脂１９を含む。
　つまり、熱硬化性樹脂１９は、第１主面電極１１を直接被覆する部分を含む。熱硬化性樹脂１９の樹脂内壁２１（パッド開口２３）は、第１主面電極１１のみを露出させ、第２無機絶縁膜１４および感光性樹脂１７を露出させていない。樹脂内壁２１の下端部は、この形態では、第１主面電極１１と間隙２４を形成している。パッド電極３０は、パッド開口２３内において第１主面電極１１および熱硬化性樹脂１９に接し、第２無機絶縁膜１４および感光性樹脂１７には接していない。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｃによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。むろん、第３実施形態に係る熱硬化性樹脂１９の形態は、第２実施形態に適用されてもよい。
　図７は、図３に対応し、第４実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｄを示す断面図である。第１実施形態では、チップ２が第２主面４側からこの順に形成された第１半導体領域６（ワイドバンドギャップ半導体基板）および第２半導体領域７（ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層）を含む積層構造を有している例が説明された。
　これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｄは、第１半導体領域６（ワイドバンドギャップ半導体基板）を有さず、第２半導体領域７（ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層）からなる単層構造を有するチップ２を含む。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｄによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｄによれば、第１半導体領域６の抵抗値を削減できるので、チップ２全体の抵抗値を削減できる。また、熱硬化性樹脂１９によってチップ２が支持されているので、薄化したチップ２の強度を熱硬化性樹脂１９によって補完できる。よって、信頼性を高めながら、電気的特性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｄを提供できる。むろん、第４実施形態に係るチップ２の形態は、第２～第３実施形態に適用されてもよい。
　図８は、図３に対応し、第５実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅを示す断面図である。第１実施形態では、第２無機絶縁膜１４が第１主面電極１１の周縁部を被覆している例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅは、第１主面電極１１の電極側壁を露出させる除去部１４ａを有し、第１主面電極１１を部分的に被覆する第２無機絶縁膜１４を含む。以下、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅの構造が具体的に説明される。
　第１無機絶縁膜９は、この形態では、第１主面３の周縁およびガード領域８の間の領域の全域を被覆している。第１無機絶縁膜９は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なる外壁を有している。第１無機絶縁膜９の外壁は、研削痕を有する研削面からなる。第１無機絶縁膜９の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成している。むろん、第１無機絶縁膜９は、第１実施形態の場合と同様の態様で形成されていてもよい。
　第２無機絶縁膜１４は、第１実施形態の場合と同様、第１主面電極１１および第１無機絶縁膜９を被覆し、第１主面電極１１の内方部側の内壁、および、第１主面３の周縁側の外壁を有している。第２無機絶縁膜１４の内壁は、第１主面電極１１の内方部（本体部１１ａ）を露出させる第１開口１５を区画している。第２無機絶縁膜１４の外壁は、この形態では、第１主面３の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第１無機絶縁膜９を露出させるダイシングストリート１６を区画している。
　第２無機絶縁膜１４は、この形態では、第１主面電極１１および第１無機絶縁膜９の間で第１主面電極１１の電極側壁を露出させる少なくとも１つの除去部１４ａを有している。除去部１４ａは、具体的には、内壁および外壁から間隔を空けて形成され、第１主面電極１１の周縁部および第１無機絶縁膜９の一部を露出させている。
　第２無機絶縁膜１４は、本体部１１ａの一部および引き出し部１１ｂの一部を被覆していてもよいし、引き出し部１１ｂから間隔を空けて本体部１１ａの一部を被覆していてもよい。つまり、除去部１４ａは、引き出し部１１ｂの一部または全部を露出させていてもよいし、引き出し部１１ｂの全部および本体部１１ａの一部を露出させていてもよい。
　第２無機絶縁膜１４が１つの除去部１４ａを有している場合、１つの除去部１４ａは、平面視において第１主面電極１１の周縁部に沿って延びる帯状に形成され、第１主面電極１１の周縁部を部分的に露出させていてもよい。また、１つの除去部１４ａは、第１主面電極１１の周縁部に沿って延びる環状に形成され、第１主面電極１１の周縁部を全周に亘って露出させていてもよい。
　第２無機絶縁膜１４が複数の除去部１４ａを有している場合、複数の除去部１４ａは第１主面電極１１の周縁部に沿って間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数の除去部１４ａは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、第１主面電極１１の周縁部に沿って延びる帯状にそれぞれ形成されていてもよい。
　また、複数の除去部１４ａは、第１主面電極１１の周縁部から内方部に間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数の除去部１４ａは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、第１主面電極１１の周縁部に沿って延びる帯状または環状にそれぞれ形成されていてもよい。この場合、少なくとも１つの除去部１４ａが、第１主面電極１１の電極側壁（周縁部）を露出させていればよい。
　感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の上から除去部１４ａに入り込んでいる。感光性樹脂１７は、除去部１４ａ内において第１主面電極１１の電極側壁を被覆している。感光性樹脂１７は、具体的は、除去部１４ａ内において第１主面電極１１の周縁部および第１無機絶縁膜９の一部を直接被覆している。つまり、感光性樹脂１７は、除去部１４ａ内に位置する樹脂アンカー部を有している。
　熱硬化性樹脂１９は、この形態では、感光性樹脂１７を挟んで第２無機絶縁膜１４の除去部１４ａを被覆する部分を含む。つまり、熱硬化性樹脂１９は、第２無機絶縁膜１４を介さずに感光性樹脂１７のみを挟んで第１無機絶縁膜９および第１主面電極１１の周縁部を被覆する部分を含む。熱硬化性樹脂１９は、平面視および断面視において除去部１４ａの全域を被覆していることが好ましい。熱硬化性樹脂１９は、この形態では、ダイシングストリート１６において第１主面３から露出した第１無機絶縁膜９を直接被覆する部分を含む。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅは、第１主面電極１１の電極側壁を露出させる除去部１４ａを有する第２無機絶縁膜１４を含む。この構造によれば、第１主面電極１１の熱膨張に起因する第２無機絶縁膜１４の剥離起点を削減できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅは、このような構造において、除去部１４ａ内において第１主面電極１１の電極側壁を被覆する感光性樹脂１７を含む。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４が除去部１４ａを有する構造において第１主面電極１１の剥離起点を削減できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｅは、さらにこのような構造において、感光性樹脂１７を挟んで第２無機絶縁膜１４の除去部１４ａを被覆する部分を含む熱硬化性樹脂１９を有している。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４が除去部１４ａを有する構造において第１主面電極１１の剥離起点を感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９によって削減できる。むろん、第５実施形態に係る第１無機絶縁膜９、第１主面電極１１、第２無機絶縁膜１４、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９の形態は、第２～第４実施形態に適用されてもよい。
　図９は、図３に対応し、第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｆを示す断面図である。第１実施形態では、感光性樹脂１７が第１主面電極１１の内方部側に向けて膨出した湾曲形状の内壁およびチップ２の周縁側に向けて膨出した湾曲形状の外壁を有している例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｆは、第１主面電極１１の内方部側に向けて斜め下り傾斜した内壁、および、チップ２の周縁側に向けて斜め下り傾斜した外壁を有する感光性樹脂１７を含む。つまり、感光性樹脂１７は、断面視において台形状（テーパ形状）に形成されている。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｆによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｆによれば、感光性樹脂１７に対する熱硬化性樹脂１９（マトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８）の流動性を向上させることができる。これにより、熱硬化性樹脂１９および感光性樹脂１７の間の間隙の形成を抑制できる。むろん、第６実施形態に係る感光性樹脂１７の形態は、第２～第５実施形態に適用されてもよい。
　図１０は、第７実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇを示す斜視図である。図１１は、図１０に示すワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇの平面図である。図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う断面図である。図１３は、図１１に示す領域XIIIを内部構造と共に示す平面図である。図１４は、図１３に示すXIV-XIV線に沿う断面図である。図１５は、図１２に示す領域XVの拡大図である。
　図１０～図１５を参照して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、機能デバイスの一例としてのＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）を含む半導体装置である。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、前述のチップ２、前述の第１半導体領域６および前述の第２半導体領域７を含む。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、この形態では、チップ２の第１主面３に形成された活性面４１（active surface）、外側面４２（outer surface）および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄ（connecting surface）を含む。
　活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄは、第１主面３において活性台地４４（active mesa）を区画している。活性面４１が「第１面」と称され、外側面４２が「第２面」と称され、活性台地４４が「台地」と称されてもよい。活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄ（つまり活性台地４４）は、第１主面３の構成要素と見なされてもよい。
　活性面４１は、第１主面３の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）から内方に間隔を空けて形成されている。活性面４１は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延びる平坦面を有している。活性面４１は、この形態では、平面視において第１～第４側面５Ａ～５Ｄに平行な４辺を有する四角形状に形成されている。
　外側面４２は、活性面４１外に位置し、活性面４１からチップ２の厚さ方向（第２主面４側）に窪んでいる。外側面４２は、具体的には、第２半導体領域７を露出させるように第２半導体領域７の厚さ未満の深さで窪んでいる。外側面４２は、平面視において活性面４１に沿って延びる帯状に形成されている。外側面４２は、この形態では、平面視において活性面４１を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。外側面４２は、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延びる平坦面を有し、活性面４１に対してほぼ平行に形成されている。外側面４２は、第１～第４側面５Ａ～５Ｄに連なっている。
　第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄは、法線方向Ｚに延び、活性面４１および外側面４２を接続している。第１接続面４３Ａは第１側面５Ａ側に位置し、第２接続面４３Ｂは第２側面５Ｂ側に位置し、第３接続面４３Ｃは第３側面５Ｃ側に位置し、第４接続面４３Ｄは第４側面５Ｄ側に位置している。第１接続面４３Ａおよび第２接続面４３Ｂは、第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙに対向している。第３接続面４３Ｃおよび第４接続面４３Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。
　第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄは、四角柱状の活性台地４４が区画されるように活性面４１および外側面４２の間をほぼ垂直に延びていてもよい。第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄは、四角錘台状の活性台地４４が区画されるように活性面４１から外側面４２に向かって斜め下り傾斜していてもよい。このように、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１主面３において第２半導体領域７に形成された活性台地４４を含む。活性台地４４は、第２半導体領域７のみに形成され、第１半導体領域６には形成されていない。
　図１３および図１４を参照して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、活性面４１に形成されたＭＩＳＦＥＴを含む。ＭＩＳＦＥＴは、この形態では、トレンチゲート型である。以下、ＭＩＳＦＥＴの構造が具体的に説明される。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、活性面４１の表層部に形成されたｐ型のボディ領域４８を含む。ボディ領域４８は、活性面４１の表層部の全域に形成されていてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、ボディ領域４８の表層部に形成されたｎ型のソース領域４９を含む。ソース領域４９は、ボディ領域４８の表層部の全域に形成されていてもよい。ソース領域４９は、第２半導体領域７のｎ型不純物濃度を超えるｎ型不純物濃度を有している。ソース領域４９は、ボディ領域４８内において第２半導体領域７とＭＩＳＦＥＴのチャネルＣＨを形成する。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、活性面４１に形成された複数のトレンチゲート構造５０を含む。複数のトレンチゲート構造５０は、チャネルＣＨの反転および非反転を制御する。複数のトレンチゲート構造５０は、ボディ領域４８およびソース領域４９を貫通して第２半導体領域７に至っている。複数のトレンチゲート構造５０は、第２半導体領域７の底部から活性面４１側に間隔を空けて形成されている。複数のトレンチゲート構造５０は、平面視において第１方向Ｘに間隔を空けて形成され、第２方向Ｙに延びる帯状にそれぞれ形成されている。
　各トレンチゲート構造５０は、ゲートトレンチ５１、ゲート絶縁膜５２およびゲート電極５３を含む。ゲートトレンチ５１は、活性面４１に形成されている。ゲート絶縁膜５２は、ゲートトレンチ５１の内壁を被覆している。ゲート電極５３は、ゲート絶縁膜５２を挟んでゲートトレンチ５１に埋設されている。ゲート電極５３は、ゲート絶縁膜５２を挟んで第２半導体領域７、ボディ領域４８およびソース領域４９に対向している。ゲート電極５３には、ゲート電位が印加される。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、活性面４１に形成された複数のトレンチソース構造５４を含む。複数のトレンチソース構造５４は、活性面４１において近接する２つのトレンチゲート構造５０の間の領域にそれぞれ形成されている。複数のトレンチソース構造５４は、平面視において第２方向Ｙに延びる帯状にそれぞれ形成されている。複数のトレンチソース構造５４は、ボディ領域４８およびソース領域４９を貫通して第２半導体領域７に至っている。
　複数のトレンチソース構造５４は、第２半導体領域７の底部から活性面４１側に間隔を空けて形成されている。複数のトレンチソース構造５４は、トレンチゲート構造５０の深さを超える深さを有している。複数のトレンチソース構造５４の底壁は、この形態では、外側面４２とほぼ同一平面上に位置している。むろん、各トレンチソース構造５４は、トレンチゲート構造５０の深さとほぼ等しい深さを有していてもよい。
　各トレンチソース構造５４は、ソーストレンチ５５、ソース絶縁膜５６およびソース電極５７を含む。ソーストレンチ５５は、活性面４１に形成されている。ソース絶縁膜５６は、ソーストレンチ５５の内壁を被覆している。ソース電極５７は、ソース絶縁膜５６を挟んでソーストレンチ５５に埋設されている。ソース電極５７には、ソース電位が印加される。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第２半導体領域７において複数のトレンチソース構造５４に沿う領域にそれぞれ形成された複数のｐ型のコンタクト領域５８を含む。複数のコンタクト領域５８のｐ型不純物濃度は、ボディ領域４８のｐ型不純物濃度を超えている。複数のコンタクト領域５８は、第２方向Ｙに間隔を空けて一対多の対応関係で対応するトレンチソース構造５４をそれぞれ被覆している。各コンタクト領域５８は、各トレンチソース構造５４の側壁および底壁を被覆し、ボディ領域４８に電気的に接続されている。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、活性面４１の表層部において複数のトレンチソース構造５４に沿う領域にそれぞれ形成された複数のｐ型のウェル領域５９を含む。複数のウェル領域５９のｐ型不純物濃度は、ボディ領域４８のｐ型不純物濃度を超え、コンタクト領域５８のｐ型不純物濃度未満であることが好ましい。
　複数のウェル領域５９は、複数のコンタクト領域５８を挟んで対応するトレンチソース構造５４をそれぞれ被覆している。各ウェル領域５９は、対応するトレンチソース構造５４に沿って延びる帯状に形成されていてもよい。各ウェル領域５９は、各トレンチソース構造５４の側壁および底壁を被覆し、ボディ領域４８に電気的に接続されている。
　図１５を参照して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、外側面４２において第２半導体領域７の表層部に形成されたｐ型のアウターコンタクト領域６０を含む。アウターコンタクト領域６０は、ボディ領域４８のｐ型不純物濃度を超えるｐ型不純物濃度を有していることが好ましい。アウターコンタクト領域６０は、平面視において活性面４１の周縁および外側面４２の周縁から間隔を空けて形成されている。
　アウターコンタクト領域６０は、平面視において活性面４１に沿って延びる帯状に形成されている。アウターコンタクト領域６０は、この形態では、平面視において活性面４１を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。アウターコンタクト領域６０は、第２半導体領域７の底部から外側面４２に間隔を空けて形成されている。アウターコンタクト領域６０は、複数のトレンチゲート構造５０の底壁に対して第２半導体領域７の底部側に位置している。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、外側面４２の表層部に形成されたｐ型のアウターウェル領域６１を含む。アウターウェル領域６１は、アウターコンタクト領域６０のｐ型不純物濃度未満のｐ型不純物濃度を有している。アウターウェル領域６１のｐ型不純物濃度は、ウェル領域５９のｐ型不純物濃度とほぼ等しいことが好ましい。アウターウェル領域６１は、平面視において活性面４１の周縁およびアウターコンタクト領域６０の間の領域に形成されている。
　アウターウェル領域６１は、平面視において活性面４１に沿って延びる帯状に形成されている。アウターウェル領域６１は、この形態では、平面視において活性面４１を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。アウターウェル領域６１は、アウターコンタクト領域６０に電気的に接続されている。アウターウェル領域６１は、この形態では、外側面４２から第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄに向けて延び、チップ２内において第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。
　アウターウェル領域６１は、アウターコンタクト領域６０よりも深く形成されている。アウターウェル領域６１は、第２半導体領域７の底部から外側面４２に間隔を空けて形成されている。アウターウェル領域６１は、複数のトレンチゲート構造５０の底壁に対して第２半導体領域７の底部側に位置している。アウターウェル領域６１は、活性面４１の表層部においてボディ領域４８に電気的に接続されている。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、外側面４２の表層部においてアウターコンタクト領域６０および外側面４２の周縁の間の領域に形成された少なくとも１つ（好ましくは２個以上２０個以下）のｐ型のフィールド領域６２を含む。ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、この形態では、５個のフィールド領域６２を含む。複数のフィールド領域６２は、外側面４２においてチップ２内の電界を緩和する。フィールド領域６２の個数、幅、深さ、ｐ型不純物濃度等は任意であり、緩和すべき電界に応じて種々の値を取り得る。
　複数のフィールド領域６２は、アウターコンタクト領域６０側から外側面４２の周縁側に向けて間隔を空けて形成されている。複数のフィールド領域６２は、平面視において活性面４１に沿って延びる帯状に形成されている。複数のフィールド領域６２は、この形態では、平面視において活性面４１を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。これにより、複数のフィールド領域６２は、ＦＬＲ（Field Limiting Ring）領域としてそれぞれ形成されている。
　複数のフィールド領域６２は、第２半導体領域７の底部から外側面４２に間隔を空けて形成されている。複数のフィールド領域６２は、複数のトレンチゲート構造５０の底壁に対して第２半導体領域７の底部側に位置している。複数のフィールド領域６２は、アウターコンタクト領域６０よりも深く形成されている。最内のフィールド領域６２は、アウターコンタクト領域６０に接続されていてもよい。最内のフィールド領域６２以外のフィールド領域６２は、電気的に浮遊状態に形成されていてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１主面３を被覆する前述の第１無機絶縁膜９を含む。第１無機絶縁膜９は、この形態では、活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。第１無機絶縁膜９は、ゲート絶縁膜５２およびソース絶縁膜５６に連なり、ゲート電極５３およびソース電極５７を露出させている。第１無機絶縁膜９の外壁は、外側面４２の周縁から内方に間隔を空けて形成され、外側面４２の周縁部から第２半導体領域７を露出させている。
　むろん、第１無機絶縁膜９は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なるように外側面４２を被覆していてもよい。この場合、第１無機絶縁膜９は、チップ２の側面５に連なる外壁を有する。第１無機絶縁膜９の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。第１無機絶縁膜９の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄのうちの少なくとも１つを被覆するように外側面４２側において第１無機絶縁膜９の上に形成されたサイドウォール構造６３を含む。サイドウォール構造６３は、この形態では、平面視において活性面４１を取り囲む環状（四角環状）に形成されている。サイドウォール構造６３は、無機絶縁体またはポリシリコンを含んでいてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１無機絶縁膜９の上に形成された層間絶縁膜６４を含む。層間絶縁膜６４は、第１無機絶縁膜９を挟んで活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。層間絶縁膜６４は、サイドウォール構造６３を挟んで第１無機絶縁膜９を被覆している。層間絶縁膜６４は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜および酸窒化シリコン膜のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。層間絶縁膜６４の外壁は、第１無機絶縁膜９の外壁と同様に外側面４２の周縁から内方に間隔を空けて形成され、外側面４２の周縁部から第２半導体領域７を露出させている。
　むろん、層間絶縁膜６４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっていてもよい。この場合、層間絶縁膜６４の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。層間絶縁膜６４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１主面３の上（層間絶縁膜６４の上）に形成された複数の第１主面電極１１を含む。複数の第１主面電極１１は、第１実施形態の場合と同様に、チップ２側からこの順に積層された第１主面電極膜１２および第２主面電極膜１３を含む積層構造をそれぞれ有している。複数の第１主面電極１１は、ゲート主面電極６５およびソース主面電極６７を含む。
　ゲート主面電極６５には、外部からゲート電位が入力される。ゲート主面電極６５は、活性面４１の上に配置され、外側面４２の上には配置されていない。ゲート主面電極６５は、この形態では、活性面４１の周縁部において第１接続面４３Ａの中央部に近接する領域に配置されている。ゲート主面電極６５は、この形態では、平面視において四角形状に形成されている。
　ソース主面電極６７は、ゲート主面電極６５から間隔を空けて活性面４１の上に配置されている。ソース主面電極６７には、外部からソース電位が入力される。ソース主面電極６７は、この形態では、平面視においてゲート主面電極６５に整合する凹部を有する多角形状に形成されている。むろん、ソース主面電極６７は、平面視において四角形状に形成されていてもよい。ソース主面電極６７は、層間絶縁膜６４および第１無機絶縁膜９を貫通し、複数のトレンチソース構造５４、ソース領域４９および複数のウェル領域５９に電気的に接続されている。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１主面３の上（層間絶縁膜６４の上）に形成されたゲート配線電極６６およびソース配線電極６８を含む。ゲート配線電極６６およびソース配線電極６８は、複数の第１主面電極１１と同様に、チップ２側からこの順に積層された第１主面電極膜１２および第２主面電極膜１３を含む積層構造をそれぞれ有している。
　ゲート配線電極６６は、ゲート主面電極６５から層間絶縁膜６４の上に引き出されている。ゲート配線電極６６は、平面視において複数のトレンチゲート構造５０の端部に交差（具体的には直交）するように活性面４１の周縁に沿って延びる帯状に形成されている。ゲート配線電極６６は、層間絶縁膜６４を貫通し、複数のトレンチゲート構造５０（ゲート電極５３）に電気的に接続されている。ゲート配線電極６６は、ゲート主面電極６５に印加されたゲート電位を複数のトレンチゲート構造５０に伝達する。
　ソース配線電極６８は、ソース主面電極６７から層間絶縁膜６４の上に引き出されている。ソース配線電極６８は、ゲート配線電極６６よりも外側面４２側の領域において活性面４１の周縁（第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄ）に沿って延びる帯状に形成されている。ソース配線電極６８は、この形態では、平面視においてゲート主面電極６５、ソース主面電極６７およびゲート配線電極６６を取り囲む環状（具体的には四角環状）に形成されている。
　ソース配線電極６８は、層間絶縁膜６４を挟んでサイドウォール構造６３を被覆し、活性面４１側から外側面４２側に引き出されている。ソース配線電極６８は、外側面４２側において層間絶縁膜６４および第１無機絶縁膜９を貫通して、アウターコンタクト領域６０に電気的に接続されている。ソース配線電極６８は、全周に亘ってサイドウォール構造６３の全域およびアウターコンタクト領域６０の全域を被覆していることが好ましい。ソース配線電極６８は、ソース主面電極６７に印加されたソース電位を複数のアウターコンタクト領域６０に伝達する。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、層間絶縁膜６４および複数の第１主面電極１１を被覆する前述の第２無機絶縁膜１４を含む。第２無機絶縁膜１４は、この形態では、層間絶縁膜６４等を挟んで活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。第２無機絶縁膜１４の厚さは、層間絶縁膜６４の厚さ未満であることが好ましい。第２無機絶縁膜１４は、層間絶縁膜６４および複数の第１主面電極１１の周縁部を被覆し、複数の第１主面電極１１の内方部を露出させている。
　第２無機絶縁膜１４は、具体的には、平面視においてゲート主面電極６５の内方部を露出させ、全周に亘ってゲート主面電極６５の周縁部を被覆している。また、第２無機絶縁膜１４は、平面視においてソース主面電極６７の内方部を露出させ、全周に亘ってソース主面電極６７の周縁部を被覆している。第２無機絶縁膜１４は、ゲート配線電極６６の全域およびソース配線電極６８の全域を被覆している。
　第２無機絶縁膜１４は、ゲート主面電極６５側の第１ゲート内壁、ソース主面電極６７側の第１ソース内壁、および、外側面４２側の外壁を有している。第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁は、ゲート主面電極６５の内方部を露出させる第１ゲート開口６９を区画している。第１ゲート開口６９は、平面視においてゲート主面電極６５の周縁に沿う四角形状に形成されている。
　第２無機絶縁膜１４の第１ソース内壁は、ソース主面電極６７の内方部を露出させる第１ソース開口７０を区画している。第１ソース開口７０は、平面視においてソース主面電極６７の凹部に沿う凹部を有する多角形状に形成されている。むろん、第１ソース開口７０は、平面視において四角形状に形成されていてもよい。第２無機絶縁膜１４の外壁は、外側面４２の周縁から内方に間隔を空けて形成され、外側面４２の周縁部から第２半導体領域７を露出させるダイシングストリート１６を区画している。
　むろん、第２無機絶縁膜１４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっていてもよい。この場合、第２無機絶縁膜１４の外壁は、研削痕を有する研削面からなることが好ましい。第２無機絶縁膜１４の外壁は、チップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成していることが好ましい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、複数の第１主面電極１１を被覆する前述の感光性樹脂１７を含む。感光性樹脂１７の厚さは、層間絶縁膜６４の厚さを超えていることが好ましい。感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の上に形成され、第２無機絶縁膜１４等を挟んで活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。
　感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４を挟んでゲート主面電極６５の周縁部およびソース主面電極６７の周縁部を被覆し、ゲート主面電極６５の内方部およびソース主面電極６７の内方部を露出させている。感光性樹脂１７は、具体的には、平面視において、全周に亘ってゲート主面電極６５の周縁部を被覆し、全周に亘ってソース主面電極６７の周縁部を被覆している。感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４を挟んでゲート配線電極６６の全域およびソース配線電極６８の全域を被覆している。
　感光性樹脂１７は、ゲート主面電極６５側の第２ゲート内壁、ソース主面電極６７側の第２ソース内壁、および、第１主面３の周縁側の外壁を有している。感光性樹脂１７の第２ゲート内壁は、ゲート主面電極６５の内方部を露出させる第２ゲート開口７１を区画している。第２ゲート開口７１は、平面視においてゲート主面電極６５の周縁に沿う四角形状に形成されている。感光性樹脂１７の第２ソース内壁は、ソース主面電極６７の内方部を露出させる第２ソース開口７２を区画している。第２ソース開口７２は、平面視においてソース主面電極６７の周縁に沿う多角形状に形成されている。
　感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁、第１ソース内壁および外壁の全てを露出させるように第２無機絶縁膜１４の上に形成されている。したがって、第２ゲート開口７１は、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート開口６９に連通している。また、第２ソース開口７２は、第２無機絶縁膜１４の第１ソース開口７０に連通している。また、感光性樹脂１７の外壁は、第２無機絶縁膜１４と共にダイシングストリート１６を区画している。
　第２無機絶縁膜１４の外壁がチップ２の側面５（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なっている場合、感光性樹脂１７の外壁は第２無機絶縁膜１４を露出させるダイシングストリート１６を区画する。感光性樹脂１７の第２ゲート内壁は、ゲート主面電極６５の内方部側に向けて膨出した湾曲形状に形成されていてもよい。感光性樹脂１７の第２ソース内壁は、ソース主面電極６７の内方部側に向けて膨出した湾曲形状に形成されていてもよい。感光性樹脂１７の外壁は、外側面４２の周縁側に向けて膨出した湾曲形状に形成されていてもよい。
　感光性樹脂１７は、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁、第１ソース内壁および外壁のうちの少なくとも１つを被覆していてもよい。つまり、感光性樹脂１７は、ゲート主面電極６５の一部を直接被覆する部分、ソース主面電極６７の一部を直接被覆する部分、および、外側面４２の周縁部（第２半導体領域７）を直接被覆する部分のうちの少なくとも１つを有していてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１主面３を被覆する前述の熱硬化性樹脂１９を含む。熱硬化性樹脂１９は、感光性樹脂１７の上に形成され、感光性樹脂１７等を挟んで活性面４１、外側面４２および第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄを被覆している。熱硬化性樹脂１９は、この形態では、複数の第１主面電極１１の少なくとも一部をそれぞれ露出させるように感光性樹脂１７を被覆し、感光性樹脂１７を挟んで複数の第１主面電極１１の周縁部および第２無機絶縁膜１４を被覆している。
　熱硬化性樹脂１９は、具体的には、平面視において全周に亘って感光性樹脂１７を挟んでゲート主面電極６５の周縁部を被覆している。また、熱硬化性樹脂１９は、平面視において全周に亘って感光性樹脂１７を挟んでソース主面電極６７の周縁部を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、感光性樹脂１７を挟んでゲート配線電極６６の全域およびソース配線電極６８の全域を被覆している。
　熱硬化性樹脂１９は、この形態では、感光性樹脂１７の第２ゲート内壁および第２ソース内壁を露出させ、感光性樹脂１７の外壁を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、外側面４２の周縁部において感光性樹脂１７（第２無機絶縁膜１４）によって区画されたダイシングストリート１６を被覆している。熱硬化性樹脂１９は、ダイシングストリート１６において外側面４２から露出した第２半導体領域７を直接被覆している。
　熱硬化性樹脂１９は、樹脂主面２０、複数の樹脂内壁２１および樹脂側面２２を有している。樹脂主面２０および樹脂側面２２は、第１実施形態と同様の態様で形成されている。複数の樹脂内壁２１は、この形態では、複数の第１主面電極１１をそれぞれ露出させる複数のパッド開口２３を区画している。複数の樹脂内壁２１は、具体的には、ゲート樹脂内壁７３およびソース樹脂内壁７４を含む。
　ゲート樹脂内壁７３は、樹脂主面２０の内方部においてゲート主面電極６５の内方部を露出させるゲートパッド開口７５（パッド開口２３）を区画している。ゲートパッド開口７５は、感光性樹脂１７の上に区画され、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート開口６９および感光性樹脂１７の第２ゲート開口７１に連通している。ゲートパッド開口７５は、平面視においてゲート主面電極６５の周縁に沿う四角形状に形成されている。ゲート樹脂内壁７３は、研削痕を有さない平滑面からなることが好ましい。
　ソース樹脂内壁７４は、樹脂主面２０の内方部においてソース主面電極６７の内方部を露出させるソースパッド開口７６（パッド開口２３）を区画している。ソースパッド開口７６は、感光性樹脂１７の上に区画され、第２無機絶縁膜１４の第１ソース開口７０および感光性樹脂１７の第２ソース開口７２に連通している。ソースパッド開口７６は、平面視においてソース主面電極６７の周縁に沿う四角形状に形成されている。ソース樹脂内壁７４は、研削痕を有さない平滑面からなることが好ましい。
　複数の樹脂内壁２１（ゲート樹脂内壁７３およびソース樹脂内壁７４）は、第１実施形態の場合と同様に、樹脂主面２０側の上端部（開口端）およびチップ２（感光性樹脂１７）側の下端部をそれぞれ有している。複数の樹脂内壁２１の下端部は、感光性樹脂１７の外面に沿って窪み、感光性樹脂１７と間隙２４をそれぞれ形成している。複数の樹脂内壁２１は、具体的には、開口端側の第１壁部２５、および、下端部側の第２壁部２６をそれぞれ有している。第１壁部２５は、開口端および下端部の間を厚さ方向に延びている。第１壁部２５は、断面視において樹脂内壁２１の８０％以上の範囲を占めていることが好ましい。
　第２壁部２６は、感光性樹脂１７の外面および第１壁部２５の間において感光性樹脂１７の外壁に向けて第１壁部２５に交差する方向に延び、感光性樹脂１７の外面と間隙２４を区画している。第２壁部２６は、具体的には、第１壁部２５から感光性樹脂１７の外面に向けて斜めに傾斜し、第１壁部２５（第１主面電極１１）から離れるに従って法線方向Ｚに沿う幅が狭まる先細り形状の間隙２４を区画している。第２壁部２６は、断面視において樹脂内壁２１の２０％未満の範囲を占めていることが好ましい。
　熱硬化性樹脂１９は、第１実施形態の場合と同様に、マトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８によって構成されている。複数のフィラー２８は、第１実施形態の場合と同様に、複数の小径フィラー２８ａ（第１フィラー）、複数の中径フィラー２８ｂ（第２フィラー）、および、複数の大径フィラー２８ｃ（第３フィラー）を含む。小径フィラー２８ａは、第１主面電極１１の厚さ未満の厚さを有している。中径フィラー２８ｂは、第１主面電極１１の厚さを超えて感光性樹脂１７の厚さ以下の厚さを有している。大径フィラー２８ｃは、感光性樹脂１７の厚さを超える厚さを有している。
　複数のフィラー２８は、第１実施形態の場合と同様に、熱硬化性樹脂１９の表層部において破断された粒形を有する複数のフィラー欠片２９を含む。複数のフィラー欠片２９は、樹脂主面２０の表層部に形成された複数の第１フィラー欠片２９ａ、および、樹脂側面２２の表層部に形成された複数の第２フィラー欠片２９ｂを含む。複数のフィラー欠片２９は、熱硬化性樹脂１９の外面において研削痕の一部をそれぞれ形成している。
　熱硬化性樹脂１９は、複数の樹脂内壁２１（第１壁部２５および第２壁部２６）の表層部においてフィラー欠片２９を殆ど有さない。つまり、複数の樹脂内壁２１（パッド開口２３）は、マトリクス樹脂２７および正常な複数のフィラー２８によって形成されている。この場合、樹脂内壁２１を形成する複数のフィラー２８のうちのフィラー欠片２９の割合は、樹脂内壁２１を形成する正常なフィラー２８の割合未満である。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、複数のパッド開口２３内に配置された複数のパッド電極３０を含む。複数のパッド電極３０は、ゲートパッド開口７５内に配置されたゲートパッド電極８０、および、ソースパッド開口７６内に配置されたソースパッド電極８１を含む。ゲートパッド電極８０は、ゲートパッド開口７５から第２ゲート開口７１および第１ゲート開口６９に入り込み、ゲート主面電極６５、第２無機絶縁膜１４、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接している。
　つまり、ゲートパッド電極８０は、ゲートパッド開口７５内においてマトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８に接している。ゲートパッド電極８０は、ゲートパッド開口７５外に配置されていない。ゲートパッド電極８０は、平面視においてゲートパッド開口７５に整合した平面形状（この形態では四角形状）を有している。ゲートパッド電極８０は、ゲート主面電極６５の平面積未満の平面積を有している。
　ゲートパッド電極８０は、ゲートパッド開口７５から露出したゲート電極面８０ａを有している。ゲート電極面８０ａは、熱硬化性樹脂１９の樹脂主面２０に連なっている。ゲート電極面８０ａは、研削痕を有する研削面からなる。ゲート電極面８０ａは、樹脂主面２０と１つの研削面を形成している。
　ソースパッド電極８１は、ソースパッド開口７６から第２ソース開口７２および第１ソース開口７０に入り込み、ソース主面電極６７、第２無機絶縁膜１４、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接している。つまり、ソースパッド電極８１は、ソースパッド開口７６内においてマトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８に接している。ソースパッド電極８１は、ソースパッド開口７６外に配置されていない。ソースパッド電極８１は、平面視においてソースパッド開口７６に整合した平面形状（この形態では多角形状）を有している。ソースパッド電極８１は、ソース主面電極６７の平面積未満の平面積を有している。
　ソースパッド電極８１は、ソースパッド開口７６から露出したソース電極面８１ａを有している。ソース電極面８１ａは、熱硬化性樹脂１９の樹脂主面２０に連なっている。ソース電極面８１ａは、研削痕を有する研削面からなる。ソース電極面８１ａは、樹脂主面２０と１つの研削面を形成している。
　複数のパッド電極３０（ゲートパッド電極８０およびソースパッド電極８１）は、第１実施形態の場合と同様に、間隙２４内において感光性樹脂１７の外面に乗り上げた張り出し部３０ｂをそれぞれ有している。張り出し部３０ｂは、間隙２４内において感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接し、間隙２４に整合した断面形状を有している。
　つまり、張り出し部３０ｂは、第１壁部２５側から感光性樹脂１７の外面に向けて斜めに下り傾斜し、第１壁部２５から離れるに従って厚さが漸減する先細り形状に形成されている。張り出し部３０ｂの第１主面３に沿う長さは、感光性樹脂１７の厚さを超えていてもよい。むろん、張り出し部３０ｂの長さは、感光性樹脂１７の厚さ以下であってもよい。
　複数のパッド電極３０は、第１実施形態の場合と同様に、第１主面電極１１側からこの順に積層された第１パッド電極膜３１および第２パッド電極膜３２を含む積層構造をそれぞれ有している。複数のパッド電極３０は、第１実施形態の場合と同様に、第１主面電極１１との接続部において少なくとも１つの微小な空隙３３を形成していてもよい。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇは、第１実施形態の場合と同様に、第２主面４を被覆する第２主面電極３４を含む。第２主面電極３４は、第２主面４に電気的に接続されている。第２主面電極３４は、具体的には、第２主面４から露出した第１半導体領域６とオーミック接触を形成している。第２主面電極３４は、チップ２の周縁（第１～第４側面５Ａ～５Ｄ）に連なるように第２主面４の全域を被覆している。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇによってもワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。
　図１６は、図１２に対応し、第８実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｈを示す断面図である。第７実施形態では、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇが、第２無機絶縁膜１４の内周縁部（内壁）を露出させる感光性樹脂１７を含む例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｈは、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁および第１ソース内壁を被覆する感光性樹脂１７を含む。つまり、感光性樹脂１７は、複数の第１主面電極１１を直接被覆する部分を含む。
　熱硬化性樹脂１９の複数の樹脂内壁２１（ゲート樹脂内壁７３およびソース樹脂内壁７４）は、感光性樹脂１７および複数の第１主面電極１１（ゲート主面電極６５およびソース主面電極６７）の内方部を露出させ、第２無機絶縁膜１４を露出させていない。複数のパッド電極３０（ゲートパッド電極８０およびソースパッド電極８１）は、対応するパッド開口２３（ゲートパッド開口７５およびソースパッド開口７６）内において対応する第１主面電極１１、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９に接し、第２無機絶縁膜１４には接していない。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｈによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。
　図１７は、図１２に対応し、第９実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｉを示す断面図である。第７実施形態では、熱硬化性樹脂１９が、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁および第１ソース内壁、ならびに、感光性樹脂１７の第２ゲート内壁および第２ソース内壁を露出させている例が説明された。
　これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｉは、第２無機絶縁膜１４の第１ゲート内壁および第１ソース内壁、ならびに、感光性樹脂１７の第２ゲート内壁および第２ソース内壁を被覆する熱硬化性樹脂１９を含む。つまり、熱硬化性樹脂１９は、複数の第１主面電極１１を直接被覆する部分を含む。
　複数の樹脂内壁２１（パッド開口２３）は、対応する第１主面電極１１のみをそれぞれ露出させ、第２無機絶縁膜１４および感光性樹脂１７を露出させていない。複数の樹脂内壁２１の下端部は、この形態では、対応する第１主面電極１１と間隙２４をそれぞれ形成している。複数のパッド電極３０は、対応するパッド開口２３内において対応する第１主面電極１１および熱硬化性樹脂１９に接し、第２無機絶縁膜１４および感光性樹脂１７には接していない。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｉによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。むろん、第９実施形態に係る熱硬化性樹脂１９の形態は、第８実施形態に適用されてもよい。
　図１８は、図１２に対応し、第１０実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｊを示す断面図である。第７実施形態では、チップ２が第２主面４側からこの順に形成された第１半導体領域６（ワイドバンドギャップ半導体基板）および第２半導体領域７（ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層）を含む積層構造を有している例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｊは、第１半導体領域６（ワイドバンドギャップ半導体基板）を有さず、第２半導体領域７（ワイドバンドギャップ半導体エピタキシャル層）からなる単層構造を有するチップ２を含む。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｊによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｊによれば、第１半導体領域６の抵抗値を削減できるので、チップ２の全体の抵抗値を削減できる。また、熱硬化性樹脂１９によってチップ２が支持されているので、薄化したチップ２の強度を熱硬化性樹脂１９によって補完できる。よって、信頼性を高めながら、電気的特性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｊを提供できる。むろん、第１０実施形態に係るチップ２の形態は、第８～第９実施形態に適用されてもよい。
　図１９は、図１２に対応し、第１１実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋを示す断面図である。第７実施形態では、第２無機絶縁膜１４が、ゲート主面電極６５の電極側壁およびソース主面電極６７の電極側壁を被覆している例が説明された。これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、ゲート主面電極６５の電極側壁を露出させるゲート除去部１４Ｇおよびソース主面電極６７の電極側壁を露出させるソース除去部１４Ｓを有し、ゲート主面電極６５およびソース主面電極６７を部分的に被覆する第２無機絶縁膜１４を含む。以下、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋの構造が具体的に説明される。
　第２無機絶縁膜１４は、第７実施形態の場合と同様、ゲート主面電極６５、ソース主面電極６７および層間絶縁膜６４を被覆し、ゲート主面電極６５側の第１ゲート内壁、ソース主面電極６７側の第１ソース内壁、および、外側面４２側の外壁を有している。第１ゲート内壁は、ゲート主面電極６５の内方部を露出させる第１ゲート開口６９を区画している。第１ソース内壁は、ソース主面電極６７の内方部を露出させる第１ソース開口７０を区画している。外壁は、外側面４２の周縁から内方に間隔を空けて形成され、第２半導体領域７を露出させるダイシングストリート１６を区画している。
　第２無機絶縁膜１４は、この形態では、ゲート主面電極６５および層間絶縁膜６４の間でゲート主面電極６５の電極側壁を露出させる少なくとも１つのゲート除去部１４Ｇを含む。ゲート除去部１４Ｇは、具体的には、第１ゲート内壁および外壁から間隔を空けて形成され、ゲート主面電極６５の周縁部および層間絶縁膜６４の一部を露出させている。
　第２無機絶縁膜１４が１つのゲート除去部１４Ｇを有している場合、１つのゲート除去部１４Ｇは、平面視においてゲート主面電極６５の周縁部に沿って延びる帯状に形成され、ゲート主面電極６５の周縁部を部分的に露出させていてもよい。また、１つのゲート除去部１４Ｇは、ゲート主面電極６５の周縁部に沿って延びる環状に形成され、ゲート主面電極６５の周縁部を全周に亘って露出させていてもよい。
　第２無機絶縁膜１４が複数のゲート除去部１４Ｇを有している場合、複数のゲート除去部１４Ｇはゲート主面電極６５の周縁部に沿って間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数のゲート除去部１４Ｇは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、ゲート主面電極６５の周縁部に沿って延びる帯状にそれぞれ形成されていてもよい。
　また、複数のゲート除去部１４Ｇは、ゲート主面電極６５の周縁部から内方部に間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数のゲート除去部１４Ｇは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、ゲート主面電極６５の周縁部に沿って延びる帯状または環状にそれぞれ形成されていてもよい。この場合、少なくとも１つのゲート除去部１４Ｇが、ゲート主面電極６５の電極側壁（周縁部）を露出させていればよい。
　ゲート除去部１４Ｇは、この形態では、ゲート配線電極６６の電極側壁も露出させている。ゲート除去部１４Ｇは、ゲート配線電極６６の全域を露出させていることが好ましい。つまり、第２無機絶縁膜１４は、ゲート配線電極６６を被覆していないことが好ましい。
　第２無機絶縁膜１４は、この形態では、ソース主面電極６７および層間絶縁膜６４の間でソース主面電極６７の電極側壁を露出させる少なくとも１つのソース除去部１４Ｓを含む。ソース除去部１４Ｓは、具体的には、第１ソース内壁および外壁から間隔を空けて形成され、ソース主面電極６７の周縁部および層間絶縁膜６４の一部を露出させている。
　第２無機絶縁膜１４が１つのソース除去部１４Ｓを有している場合、１つのソース除去部１４Ｓは、平面視においてソース主面電極６７の周縁部に沿って延びる帯状に形成され、ソース主面電極６７の周縁部を部分的に露出させていてもよい。また、１つのソース除去部１４Ｓは、ソース主面電極６７の周縁部に沿って延びる環状に形成され、ソース主面電極６７の周縁部を全周に亘って露出させていてもよい。
　第２無機絶縁膜１４が複数のソース除去部１４Ｓを有している場合、複数のソース除去部１４Ｓはソース主面電極６７の周縁部に沿って間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数のソース除去部１４Ｓは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、ソース主面電極６７の周縁部に沿って延びる帯状にそれぞれ形成されていてもよい。
　また、複数のソース除去部１４Ｓは、ソース主面電極６７の周縁部から内方部に間隔を空けて配列されていてもよい。この場合、複数のソース除去部１４Ｓは、平面視においてドット状に配列されていてもよいし、ソース主面電極６７の周縁部に沿って延びる帯状または環状にそれぞれ形成されていてもよい。この場合、少なくとも１つのソース除去部１４Ｓが、ソース主面電極６７の電極側壁（周縁部）を露出させていればよい。
　ソース除去部１４Ｓは、この形態では、ソース配線電極６８の電極側壁も露出させている。ソース除去部１４Ｓは、ソース配線電極６８の全域を露出させていることが好ましい。つまり、第２無機絶縁膜１４は、ソース配線電極６８を被覆していないことが好ましい。また、ソース除去部１４Ｓは、活性面４１および外側面４２の間に形成された段差部（第１～第４接続面４３Ａ～４３Ｄ）を露出させていることが好ましい。
　感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の上からゲート除去部１４Ｇに入り込んでいる。感光性樹脂１７は、ゲート除去部１４Ｇ内においてゲート主面電極６５の電極側壁およびゲート配線電極６６の電極側壁を被覆している。感光性樹脂１７は、この形態では、ゲート除去部１４Ｇ内においてゲート主面電極６５の周縁部、ゲート配線電極６６の全域、および、層間絶縁膜６４の一部を直接被覆している。つまり、感光性樹脂１７は、ゲート除去部１４Ｇ内に位置する樹脂ゲートアンカー部を有している。
　感光性樹脂１７は、この形態では、第２無機絶縁膜１４の上からソース除去部１４Ｓに入り込んでいる。感光性樹脂１７は、ソース除去部１４Ｓ内においてソース主面電極６７の電極側壁およびソース配線電極６８の電極側壁を被覆している。感光性樹脂１７は、この形態では、ソース除去部１４Ｓ内においてソース主面電極６７の周縁部、ソース配線電極６８の全域、および、層間絶縁膜６４の一部を直接被覆している。つまり、感光性樹脂１７は、ソース除去部１４Ｓ内に位置する樹脂ソースアンカー部を有している。
　熱硬化性樹脂１９は、この形態では、感光性樹脂１７を挟んで第２無機絶縁膜１４のゲート除去部１４Ｇおよびソース除去部１４Ｓを被覆する部分を含む。つまり、熱硬化性樹脂１９は、第２無機絶縁膜１４を介さずに感光性樹脂１７のみを挟んでゲート主面電極６５の周縁部およびゲート配線電極６６を被覆する部分を含む。また、熱硬化性樹脂１９は、第２無機絶縁膜１４を介さずに感光性樹脂１７のみを挟んでソース主面電極６７の周縁部およびソース配線電極６８を被覆する部分を含む。熱硬化性樹脂１９は、平面視および断面視においてゲート除去部１４Ｇの全域およびソース除去部１４Ｓの全域を被覆していることが好ましい。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、ゲート主面電極６５の電極側壁を露出させるゲート除去部１４Ｇを有する第２無機絶縁膜１４を含む。この構造によれば、ゲート主面電極６５の熱膨張に起因する第２無機絶縁膜１４の剥離起点を削減できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、ゲート除去部１４Ｇ内においてゲート主面電極６５の電極側壁を被覆する感光性樹脂１７を含むことが好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４がゲート除去部１４Ｇを有する構造においてゲート主面電極６５の剥離起点を削減できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、感光性樹脂１７を挟んでゲート除去部１４Ｇを被覆する部分を含む熱硬化性樹脂１９を有していることが好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４がゲート除去部１４Ｇを有する構造においてゲート主面電極６５の剥離起点を感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９によって削減できる。
　また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、ソース主面電極６７の電極側壁を露出させるソース除去部１４Ｓを有する第２無機絶縁膜１４を含む。この構造によれば、ソース主面電極６７の熱膨張に起因する第２無機絶縁膜１４の剥離起点を削減できる。よって、信頼性を向上できるワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋを提供できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、ソース除去部１４Ｓ内においてソース主面電極６７の電極側壁を被覆する感光性樹脂１７を含むことが好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４がソース除去部１４Ｓを有する構造においてソース主面電極６７の剥離起点を感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９によって削減できる。
　ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｋは、感光性樹脂１７を挟んでソース除去部１４Ｓを被覆する部分を含む熱硬化性樹脂１９を有していることが好ましい。この構造によれば、第２無機絶縁膜１４がソース除去部１４Ｓを有する構造においてソース主面電極６７の剥離起点を感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９によって削減できる。
　第２無機絶縁膜１４は、ゲート配線電極６６の電極側壁を露出させるゲート除去部１４Ｇを有していることが好ましい。この構造によれば、ゲート配線電極６６の熱膨張に起因する第２無機絶縁膜１４の剥離起点を削減できる。第２無機絶縁膜１４は、ソース配線電極６８の電極側壁を露出させるソース除去部１４Ｓを有していることが好ましい。この構造によれば、ソース配線電極６８の熱膨張に起因する第２無機絶縁膜１４の剥離起点を削減できる。
　むろん、第１１実施形態に係るゲート主面電極６５、ゲート配線電極６６、ソース主面電極６７、ソース配線電極６８、第２無機絶縁膜１４、感光性樹脂１７および熱硬化性樹脂１９の形態は、第８～第１０実施形態に適用されてもよい。
　図２０は、図１２に対応し、第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｌを示す断面図である。第７実施形態では、感光性樹脂１７が、ゲート主面電極６５の内方部側に向けて膨出した湾曲形状の第２ゲート内壁、ソース主面電極６７の内方部側に向けて膨出した湾曲形状の第２ソース内壁、および、外側面４２の周縁側に向けて膨出した湾曲形状の外壁を有している例が説明された。
　これに対して、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｌは、ゲート主面電極６５の内方部側に向けて斜め下り傾斜した第２ゲート内壁、ソース主面電極６７の内方部側に向けて斜め下り傾斜した第２ソース内壁、および、チップ２（外側面４２）の周縁側に向けて斜め下り傾斜した外壁を有する感光性樹脂１７を含む。つまり、感光性樹脂１７は、断面視において台形状（テーパ形状）に形成されている。
　以上、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｌによっても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。また、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ｌによれば、感光性樹脂１７に対する熱硬化性樹脂１９（マトリクス樹脂２７および複数のフィラー２８）の流動性を向上させることができる。これにより、熱硬化性樹脂１９および感光性樹脂１７の間の間隙の形成を抑制できる。むろん、第１２実施形態に係る感光性樹脂１７の形態は、第８～第１１実施形態に適用されてもよい。
　以下、パッド電極３０の変形例が示される。図２１は、図３に対応し、パッド電極３０の変形例を示す断面図である。前述の第１実施形態では、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａが、第１主面電極１１側からこの順に積層された第１パッド電極膜３１および第２パッド電極膜３２を含む積層構造を有するパッド電極３０を含む例が説明された。
　しかし、図２１に示されるように、パッド電極３０は、第１主面電極１１側からこの順に積層されたニッケル膜９０、パラジウム膜９１および金膜９２を含む積層構造を有していてもよい。ニッケル膜９０、パラジウム膜９１および金膜９２は、電解めっき法および／または無電解めっき法によって形成されていてもよい。
　ニッケル膜９０は、第１開口１５および第２開口１８を埋めて樹脂内壁２１に接する厚さで形成されていてもよい。ニッケル膜９０は、熱硬化性樹脂１９（パッド開口２３）から露出した電極面９０ａを有していてもよい。電極面９０ａは、第１主面３に沿って延びていてもよい。電極面９０ａは、第１主面３に対してほぼ平行に延びていてもよい。電極面９０ａは、樹脂主面２０に連なっていてもよい。電極面９０ａは、研削痕を有する研削面からなっていてもよい。電極面９０ａは、樹脂主面２０と１つの研削面を形成していてもよい。ニッケル膜９０は、間隙２４内において感光性樹脂１７の外面に乗り上げた張り出し部３０ｂを有していてもよい。
　パラジウム膜９１は、樹脂主面２０から突出するようにニッケル膜９０を被覆していてもよい。パラジウム膜９１は、樹脂側面２２から間隔を空けて熱硬化性樹脂１９（樹脂主面２０）の一部を被覆する被覆部を有していてもよい。パラジウム膜９１の被覆部は、少なくとも１つのフィラー欠片２９（第１フィラー欠片２９ａ）を被覆していてもよい。
　金膜９２は、樹脂主面２０から突出するようにパラジウム膜９１を被覆していてもよい。金膜９２は、樹脂側面２２から間隔を空けて熱硬化性樹脂１９（樹脂主面２０）の一部を被覆する被覆部を有していてもよい。金膜９２の被覆部は、少なくとも１つのフィラー欠片２９（第１フィラー欠片２９ａ）を被覆していてもよい。金膜９２は、熱硬化性樹脂１９（樹脂主面２０）から露出する電極面９２ａを有していてもよい。この場合、電極面９２ａは、研削痕を有さない平滑面であってもよい。
　以上、変形例に係るパッド電極３０を有する場合においても、ワイドバンドギャップ半導体装置１Ａに対して述べられた効果と同様の効果が奏される。この形態では、パラジウム膜９１および金膜９２がパッド開口２３外に位置する例が示された。しかし、ニッケル膜９０、パラジウム膜９１および金膜９２の全てがパッド開口２３内に配置されていてもよい。この場合、金膜９２の電極面９２ａは、研削痕を有さない平滑面であってもよい。
　また、パッド電極３０は、必ずしもパラジウム膜９１を含む必要はなく、第１主面電極１１側からこの順に積層されたニッケル膜９０および金膜９２を含んでいてもよい。むろん、変形例に係るパッド電極３０は、第２～第１２実施形態に係るパッド電極３０（ゲートパッド電極８０およびソースパッド電極８１を含む）に適用されてもよい。
　以下、第１～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａ～１Ｌが搭載されるパッケージの形態例が示される。図２２は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａ～１Ｆが搭載される半導体パッケージ１０１Ａを示す平面図である。
　半導体パッケージ１０１Ａは、直方体形状のパッケージ本体１０２を含む。パッケージ本体１０２は、マトリクス樹脂（たとえばエポキシ樹脂）および複数のフィラーを含むモールド樹脂からなる。パッケージ本体１０２は、一方側の第１面１０３、他方側の第２面１０４、ならびに、第１面１０３および第２面１０４を接続する第１～第４側壁１０５Ａ～１０５Ｄを有している。
　第１面１０３および第２面１０４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状に形成されている。第１側壁１０５Ａおよび第２側壁１０５Ｂは、第１方向Ｘに延び、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに対向している。第３側壁１０５Ｃおよび第４側壁１０５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。
　半導体パッケージ１０１Ａは、パッケージ本体１０２内に配置された金属板１０６（導体板）を含む。金属板１０６は、平面視において四角形状（具体的には長方形状）に形成されている。金属板１０６は、第４側壁１０５Ｄからパッケージ本体１０２の外部に引き出された引き出し板部１０７を含む。引き出し板部１０７は、「ヒートスプレッダ部」と称されてもよい。引き出し板部１０７は、円形の貫通孔１０８を有している。金属板１０６は、第２面１０４から露出していてもよい。
　半導体パッケージ１０１Ａは、パッケージ本体１０２の内部から外部に引き出された複数（この形態では２個）の端子電極１０９を含む。複数の端子電極１０９は、第３側壁１０５Ｃ側に配置されている。複数の端子電極１０９は、第３側壁１０５Ｃの直交方向（つまり第２方向Ｙ）に延びる帯状にそれぞれ形成されている。一方の端子電極１０９は金属板１０６から間隔を空けて配置され、他方の端子電極１０９は金属板１０６と一体的に形成されている。
　半導体パッケージ１０１Ａは、パッケージ本体１０２内において金属板１０６の上に配置されたＳＢＤチップ１１０を含む。ＳＢＤチップ１１０は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａ～１Ｆのいずれか一つからなる。ＳＢＤチップ１１０の第２主面電極３４は、金属板１０６に電気的に接続されている。半導体パッケージ１０１Ａは、導電接合材１１１を含む。導電接合材１１１は、半田または金属ペースト（好ましくは半田）を含んでいてもよい。導電接合材１１１は、第２主面電極３４および金属板１０６の間に介在され、ＳＢＤチップ１１０を金属板１０６に接続している。
　半導体パッケージ１０１Ａは、パッケージ本体１０２内において端子電極１０９およびＳＢＤチップ１１０のパッド電極３０を接続する少なくとも１つの導線１１２（導電接続部材）を含む。導線１１２は、「ボンディングワイヤ」と称されてもよい。導線１１２は、金ワイヤ、銅ワイヤおよびアルミニウムワイヤのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
　図２３は、第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇ～１Ｌが搭載される半導体パッケージ１０１Ｂを示す平面図である。図２３を参照して、半導体パッケージ１０１Ｂは、パッケージ本体１０２、金属板１０６、複数（この形態では３個）の端子電極１０９、ＭＩＳＦＥＴチップ１１３、導電接合材１１１および複数の導線１１２を含む。以下、半導体パッケージ１０１Ａと異なる点が説明される。
　複数の端子電極１０９のうちの両サイドの端子電極１０９は、金属板１０６から間隔を空けて配置され、中央の端子電極１０９は金属板１０６と一体的に形成されている。金属板１０６に接続される端子電極１０９の配置は任意である。ＭＩＳＦＥＴチップ１１３は、第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇ～１Ｌのいずれか一つからなる。
　ＭＩＳＦＥＴチップ１１３の第２主面電極３４は、金属板１０６に電気的に接続されている。導電接合材１１１は、第２主面電極３４および金属板１０６の間に介在され、ＭＩＳＦＥＴチップ１１３を金属板１０６に接続している。複数の導線１１２は、複数の端子電極１０９、ゲートパッド電極８０およびソースパッド電極８１にそれぞれ接続されている。
　図２４は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａ～１Ｆおよび第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇ～１Ｌが搭載される半導体パッケージ１０１Ｃを示す斜視図である。図２５は、図２４に示す半導体パッケージ１０１Ｃの分解斜視図である。図２６は、図２４に示すXXVI-XXVI線に沿う断面図である。
　図２４～図２６を参照して、半導体パッケージ１０１Ｃは、直方体形状のパッケージ本体１２２を含む。パッケージ本体１２２は、マトリクス樹脂（たとえばエポキシ樹脂）および複数のフィラーを含むモールド樹脂からなる。パッケージ本体１２２は、一方側の第１面１２３、他方側の第２面１２４、ならびに、第１面１２３および第２面１２４を接続する第１～第４側壁１２５Ａ～１２５Ｄを有している。
　第１面１２３および第２面１２４は、それらの法線方向Ｚから見た平面視において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。第１側壁１２５Ａおよび第２側壁１２５Ｂは、第１面１２３に沿う第１方向Ｘに延び、第２方向Ｙに対向している。第１側壁１２５Ａおよび第２側壁１２５Ｂは、パッケージ本体１２２の短辺を形成している。第３側壁１２５Ｃおよび第４側壁１２５Ｄは、第２方向Ｙに延び、第１方向Ｘに対向している。第３側壁１２５Ｃおよび第４側壁１２５Ｄは、パッケージ本体１２２の長辺を形成している。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、パッケージ本体１２２の内外に配置された第１金属板１２６（第１導体板、端子電極）を含む。第１金属板１２６は、パッケージ本体１２２の第１面１２３側に配置され、第１パッド部１２７および第１端子部１２８を含む。第１パッド部１２７は、パッケージ本体１２２内において第２方向Ｙに延びる長方形状に形成され、第１面１２３から露出している。
　第１端子部１２８は、第３側壁１２５Ｃを貫通するように第１パッド部１２７から第１方向Ｘに延びる帯状に引き出されている。第１端子部１２８は、平面視において第２側壁１２５Ｂ側に配置されている。第１端子部１２８は、パッケージ本体１２２内において第１面１２３側から第２面１２４側に屈曲した第１屈曲部１２９を介して第１パッド部１２７に接続されている。第１端子部１２８は、第１面１２３から第２面１２４側に間隔を空けて第３側壁１２５Ｃから露出している。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、パッケージ本体１２２の内外に配置された第２金属板１３０（導体板、端子電極）を含む。第２金属板１３０は、第１金属板１２６から法線方向Ｚに間隔を空けてパッケージ本体１２２の第２面１２４側に配置され、第２パッド部１３１および第２端子部１３２を含む。第２パッド部１３１は、パッケージ本体１２２内において第２方向Ｙに延びる長方形状に形成され、第２面１２４から露出している。
　第２端子部１３２は、第３側壁１２５Ｃを貫通するように第２パッド部１３１から第１方向Ｘに延びる帯状に引き出されている。第２端子部１３２は、平面視において第１側壁１２５Ａ側に配置されている。第２端子部１３２は、パッケージ本体１２２内において第２面１２４側から第１面１２３側に屈曲した第２屈曲部１３３を介して第２パッド部１３１に接続されている。第２端子部１３２は、第２面１２４から第１面１２３側に間隔を空けて第３側壁１２５Ｃから露出している。
　第２端子部１３２は、法線方向Ｚに関して第１端子部１２８とは異なる厚さ位置から引き出されている。第２端子部１３２は、この形態では、第１端子部１２８から第２面１２４側に間隔を空けて形成され、第２方向Ｙに第１端子部１２８と対向していない。第２端子部１３２は、第１方向Ｘに関して第１端子部１２８とは異なる長さを有している。第１端子部１２８および第２端子部１３２は、それらの形状（長さ）から識別される。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、パッケージ本体１２２の内部から外部に引き出された複数（この形態では５つ）の端子電極１３４を含む。複数の端子電極１３４は、この形態では、第１パッド部１２７および第２パッド部１３１の間の厚さ位置に配置されている。複数の端子電極１３４は、第１端子部１２８および第２端子部１３２が露出した第３側壁１２５Ｃとは反対側の第４側壁１２５Ｄから露出している。
　複数の端子電極１３４の配置は任意である。複数の端子電極１３４は、この形態では、平面視において第２端子部１３２と同一直線上に位置するように第４側壁１２５Ｄ側に配置されている。複数の端子電極１３４は、第１方向Ｘに延びる帯状にそれぞれ形成されている。複数の端子電極１３４は、パッケージ本体１２２外に位置する部分において第１面１２３および／または第２面１２４に向けて窪んだ湾曲部を有していてもよい。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、パッケージ本体１２２内に配置されたＳＢＤチップ１３５を含む。ＳＢＤチップ１３５は、第１～第６実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ａ～１Ｆのいずれか一つからなる。ＳＢＤチップ１３５は、第１パッド部１２７および第２パッド部１３１の間に配置されている。ＳＢＤチップ１３５は、平面視において第２側壁１２５Ｂ側に配置されている。ＳＢＤチップ１３５の第２主面電極３４は、第２パッド部１３１に電気的に接続されている。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、ＳＢＤチップ１３５から間隔を空けてパッケージ本体１２２内に配置されたＭＩＳＦＥＴチップ１３６を含む。ＭＩＳＦＥＴチップ１３６は、第７～第１２実施形態に係るワイドバンドギャップ半導体装置１Ｇ～１Ｌのいずれか一つからなる。ＭＩＳＦＥＴチップ１３６は、第１パッド部１２７および第２パッド部１３１の間に配置されている。ＭＩＳＦＥＴチップ１３６は、平面視において第１側壁１２５Ａ側に配置されている。ＭＩＳＦＥＴチップ１３６の第２主面電極３４は、第２パッド部１３１に電気的に接続されている。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、パッケージ本体１２２内にそれぞれ配置された第１導体スペーサ１３７（第１導電接続部材）および第２導体スペーサ１３８（第２導電接続部材）を含む。第１導体スペーサ１３７は、ＳＢＤチップ１３５および第１パッド部１２７の間に介在され、ＳＢＤチップ１３５および第１パッド部１２７に電気的に接続されている。
　第２導体スペーサ１３８は、ＭＩＳＦＥＴチップ１３６および第１パッド部１２７の間に介在され、ＭＩＳＦＥＴチップ１３６および第１パッド部１２７に電気的に接続されている。第１導体スペーサ１３７および第２導体スペーサ１３８は、金属板（たとえばＣｕ系金属板）をそれぞれ含んでいてもよい。第２導体スペーサ１３８は、この形態では、第１導体スペーサ１３７とは別体からなるが、第１導体スペーサ１３７と一体的に形成されていてもよい。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、第１～第６導電接合材１３９Ａ～１３９Ｆを含む。第１～第６導電接合材１３９Ａ～１３９Ｆは、半田または金属ペースト（好ましくは半田）をそれぞれ含んでいてもよい。第１導電接合材１３９Ａは、ＳＢＤチップ１３５の第２主面電極３４および第２パッド部１３１の間に介在され、ＳＢＤチップ１３５を第２パッド部１３１に接続している。
　第２導電接合材１３９Ｂは、ＭＩＳＦＥＴチップ１３６の第２主面電極３４および第２パッド部１３１の間に介在され、ＭＩＳＦＥＴチップ１３６を第２パッド部１３１に接続している。第３導電接合材１３９Ｃは、ＳＢＤチップ１３５のパッド電極３０および第１導体スペーサ１３７の間に介在され、第１導体スペーサ１３７をＳＢＤチップ１３５に接続している。
　第４導電接合材１３９Ｄは、ＭＩＳＦＥＴチップ１３６のソースパッド電極８１および第２導体スペーサ１３８の間に介在され、第２導体スペーサ１３８をＭＩＳＦＥＴチップ１３６に接続している。第５導電接合材１３９Ｅは、第１パッド部１２７および第１導体スペーサ１３７の間に介在され、第１パッド部１２７を第１導体スペーサ１３７に接続している。第６導電接合材１３９Ｆは、第１パッド部１２７および第２導体スペーサ１３８の間に介在され、第１パッド部１２７を第２導体スペーサ１３８に接続している。
　半導体パッケージ１０１Ｃは、複数の導線１４０（第３導電接続部材）を含む。複数の導線１４０は、複数の端子電極１３４の内端部およびＭＩＳＦＥＴチップ１３６のゲートパッド電極８０にそれぞれ接続されている。複数の導線１４０は、任意の端子電極１３４の内端部および第２パッド部１３１に接続された導線１４０を含んでいてもよい。複数の導線１４０は、「ボンディングワイヤ」と称されてもよい。複数の導線１４０は、金ワイヤ、銅ワイヤおよびアルミニウムワイヤのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
　前述の各実施形態はさらに他の形態で実施できる。たとえば、前述の各実施形態において、第１主面３および第２主面４は、ＳｉＣ単結晶のｃ面（（０００１）面）によってそれぞれ形成されていてもよい。この場合、第１主面３はＳｉＣ単結晶のシリコン面によって形成され、第２主面４はＳｉＣ単結晶のカーボン面よって形成されていることが好ましい。
　第１主面３および第２主面４は、ｃ面に対して所定のオフ方向に所定の角度で傾斜したオフ角を有していてもよい。オフ方向は、ＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であることが好ましい。オフ角は、０°を超えて１０°以下であってもよい。オフ角は、５°以下であることが好ましい。オフ角は、２°以上４．５°以下であることが特に好ましい。
　前述の各実施形態において、第１方向ＸはＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）であり、第２方向ＹはＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であることが好ましい。むろん、前述の各実施形態において、第１方向ＸがＳｉＣ単結晶のａ軸方向（［１１－２０］方向）であり、第２方向ＹがＳｉＣ単結晶のｍ軸方向（［１－１００］方向）であってもよい。
　前述の各実施形態では、ＳｉＣ単結晶からなるチップ２が採用された例が説明された。しかし、ＳｉＣ以外のワイドバンドギャップ半導体からなるワイドバンドギャップ半導体チップが採用されてもよい。ＳｉＣ以外のワイドバンドギャップ半導体として、ダイヤモンドやＧａＮ（窒化ガリウム）が採用されてもよい。
　むろん、前述の各実施形態に係るチップ２は、Ｓｉ（シリコン）単結晶からなっていてもよい。ただし、この場合、Ｓｉの電気的特性（特にブレークダウン電圧）を鑑みて、第２半導体領域７（Ｓｉエピタキシャル層）を厚く形成する必要があるため、熱硬化性樹脂１９を設けた場合、ワイドバンドギャップ半導体装置の場合よりも大型化する点に留意する。
　前述の各実施形態では、第２無機絶縁膜１４が形成された例が説明された。しかし、第２無機絶縁膜１４は必ずしも必要ではなく、必要に応じて取り除かれてもよい。前述の各実施形態では、熱硬化性樹脂１９が感光性樹脂１７と間隙２４を区画し、パッド電極３０が間隙２４内に位置する張り出し部３０ｂを有している例が説明された。しかし、感光性樹脂１７と間隙２４を区画しない熱硬化性樹脂１９が形成され、張り出し部３０ｂを有さないパッド電極３０が形成されてもよい。
　前述の各実施形態では、機能デバイスの一例としてのＳＢＤおよびＭＩＳＦＥＴが異なるチップ２にそれぞれ形成された例について説明された。しかし、ＳＢＤおよびＭＩＳＦＥＴは、同一のチップ２において第１主面３の異なる領域に形成されていてもよい。
　前述の各実施形態では、第１導電型がｎ型であり、第２導電型がｐ型である形態が説明された。しかし、前述の各実施形態において、第１導電型がｐ型であり、第２導電型がｎ型である形態が採用されてもよい。この場合の具体的な構成は、前述の説明および添付図面において、ｎ型領域をｐ型領域に置き換え、ｐ型領域をｎ型領域に置き換えることによって得られる。
　以下、この明細書および添付図面から抽出される特徴の例を示す。以下の［Ａ１］～［Ａ２０］および［Ｂ１］～［Ｂ２１］は、信頼性を向上できる半導体装置を提供する。以下、括弧内の英数字は前述の実施形態における対応構成要素等を表すが、各項目の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下の項目において、「ワイドバンドギャップ半導体」は「半導体」に置き換えられてもよい。
　［Ａ１］ワイドバンドギャップ半導体を含み、主面（３）を有するチップ（２）と、前記主面（３）の上に配置された第１主面電極（１１、６５、６７）と、マトリクス樹脂（２７）および複数のフィラー（２８）を含み、前記第１主面電極（１１、６５、６７）の一部を露出させるように前記主面（３）を被覆する熱硬化性樹脂（１９）と、を含む、ワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ２］前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも厚い、Ａ１またはＡ２に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ３］複数の前記フィラー（２８）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも薄い複数の第１フィラー（２８ａ）、および、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも厚い複数の第２フィラー（２８ｂ、２８ｃ）を含む、Ａ２に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ４］前記第１主面電極（１１、６５、６７）の周縁部を被覆する感光性樹脂（１７）をさらに含み、前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記感光性樹脂（１７）を被覆している、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ５］前記感光性樹脂（１７）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも厚く、前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記感光性樹脂（１７）よりも厚い、Ａ４に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ６］複数の前記フィラー（２８）は、前記感光性樹脂（１７）よりも厚い複数の大径フィラー（２８ｃ）を含む、Ａ５に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ７］前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記チップ（２）よりも厚い、Ａ１～Ａ６のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ８］前記第１主面電極（１１、６５、６７）における前記熱硬化性樹脂（１９）から露出した部分の上に形成され、前記熱硬化性樹脂（１９）から露出した電極面（３０ａ、８０ａ、８１ａ、９０ａ、９２ａ）を有するパッド電極（３０、８０、８１）をさらに含む、Ａ１～Ａ７のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ９］前記電極面（３０ａ、８０ａ、８１ａ、９０ａ）は、前記熱硬化性樹脂（１９）の外面と１つの平坦面を形成している、Ａ８に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１０］前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）を被覆する第１電極膜（３１）、および、前記第１電極膜（３１）を被覆する第２電極膜（３２）を含む積層構造を有している、Ａ８またはＡ９に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１１］複数の前記フィラー（２８）は、前記熱硬化性樹脂（１９）の表層部において破断された粒形を有する複数のフィラー欠片（２９、２９ａ、２９ｂ）を含む、Ａ１～Ａ１０のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１２］前記チップ（２）は、側面（５、５Ａ～５Ｄ）を有し、前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記側面（５、５Ａ～５Ｄ）に連なる樹脂側面（２２、２２Ａ～２２Ｄ）を有している、Ａ１～Ａ１１のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１３］前記樹脂側面（２２、２２Ａ～２２Ｄ）は、前記チップ（２）の前記側面（５、５Ａ～５Ｄ）と１つの研削面を形成している、Ａ１２に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１４］前記熱硬化性樹脂（１９）は、前記チップ（２）の周縁部において前記主面（３）を直接被覆する部分を含む、Ａ１～Ａ１３のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１５］複数の前記第１主面電極（１１、６５、６７）が前記主面の上に配置され、前記熱硬化性樹脂（１９）は、複数の前記第１主面電極（１１、６５、６７）の一部をそれぞれ露出させるように前記主面（３）を被覆している、Ａ１～Ａ１４のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１６］前記チップ（２）は、ワイドバンドギャップ半導体によってそれぞれ構成された半導体基板（６）およびエピタキシャル層（７）を含む積層構造を有し、前記エピタキシャル層（７）によって形成された前記主面（３）を含む、Ａ１～Ａ１５のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１７］前記チップ（２）は、ワイドバンドギャップ半導体によって構成されたエピタキシャル層（７）からなる単層構造を有している、Ａ１～Ａ１５のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１８］前記チップ（２）に形成された機能デバイスをさらに含み、前記第１主面電極（１１、６５、６７）は、前記機能デバイスに電気的に接続されている、Ａ１～Ａ１７のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ１９］前記機能デバイスは、ダイオード（ＳＢＤ）およびトランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）のうちの少なくとも１つを含む、Ａ１８に記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ａ２０］モールド樹脂からなるパッケージ本体（１０２、１２２）と、前記パッケージ本体（１０２、１２２）内に配置された導体板（１０６、１２６）と、前記パッケージ本体（１０２、１２２）から部分的に露出するように前記導体板（１０６、１２６）から間隔を空けて前記パッケージ本体（１０２、１２２）内に配置された端子電極（１０９、１３０、１３４）と、前記パッケージ本体（１０２、１２２）内において前記導体板（１０６、１２６）の上に配置されたＡ１～Ａ１９のいずれか一つに記載のワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）と、前記パッケージ本体（１０２、１２２）内において前記端子電極（１０９、１３０、１３４）および前記ワイドバンドギャップ半導体装置（１Ａ～１Ｌ）に電気的に接続された導電接続部材（１１２、１３７、１３８、１４０）と、を含む、半導体パッケージ（１０１Ａ～１０１Ｃ）。
　［Ｂ１］主面（３）を有するチップ（２）と、前記主面（３）の上に配置された第１主面電極（１１、６５、６７）と、前記第１主面電極（１１、６５、６７）の周縁部を被覆する第１有機膜（１７）と、マトリクス樹脂（２７）および複数のフィラー（２８）を含み、前記第１主面電極（１１、６５、６７）の一部を露出させるように前記主面（３）および前記第１有機膜（１７）を被覆する第２有機膜（１９）と、を含む、半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ２］前記第２有機膜（１９）は、粒径の異なる複数の前記フィラー（２８）を含む、Ｂ１に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ３］複数の前記フィラー（２８）は、前記第２有機膜（１９）の表層部において破断された粒形を有する複数のフィラー欠片（２９、２９ａ、２９ｂ）を含む、Ｂ１またはＢ２に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ４］前記第２有機膜（１９）は、前記第１有機膜（１７）よりも厚い、Ｂ１～Ｂ３のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ５］複数の前記フィラー（２８）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも薄い複数の小径フィラー（２８ａ）、および、前記第２有機膜（１９）よりも厚い複数の大径フィラー（２８ｃ）を含む、Ｂ４に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ６］前記第１有機膜（１７）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）よりも厚い、Ｂ１～Ｂ５のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ７］前記第１主面電極（１１、６５、６７）における前記第２有機膜（１９）から露出した部分の上に配置されたパッド電極（３０、８０、８１）をさらに含む、Ｂ１～Ｂ６のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ８］前記第２有機膜（１９）は、前記第１有機膜（１７）上に位置する壁面によって区画された開口（２３、７５、７６）を有し、前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記開口（２３、７５、７６）内において前記第１有機膜（１７）および前記第２有機膜（１９）に接している、Ｂ７に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ９］前記開口（２３、７５、７６）の前記壁面は、前記第１有機膜（１７）の外面と間隙（２４）を形成する下端部を有し、前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記間隙（２４）内に位置し、前記第１有機膜（１７）の外面の上に乗り上げた張り出し部（３０ｂ）を有している、Ｂ８に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１０］前記開口（２３、７５、７６）の前記壁面は、開口端から前記下端部まで厚さ方向に延びる第１壁部（２５）、および、前記下端部において前記第１有機膜（１７）の外面と前記間隙（２４）を形成するように前記第１壁部（２５）に交差する方向に延びる第２壁部（２６）を有している、Ｂ９に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１１］前記張り出し部（３０ｂ）の長さは、前記第１有機膜（１７）の厚さを超えている、Ｂ９またはＢ１０に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１２］前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）を被覆する第１電極膜（３１）、および、前記第１電極膜（３１）を被覆する第２電極膜（３２）を含む積層構造を有し、前記張り出し部（３０ｂ）は、前記第１電極膜（３１）および前記第２電極膜（３２）を含む、Ｂ９～Ｂ１１のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１３］前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記第１主面電極（１１、６５、６７）との接続部において前記第１主面電極（１１、６５、６７）の厚さよりも小さい空隙（３３）を形成している、Ｂ７～Ｂ１２のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１４］前記空隙（３３）は、１μｍ以下である、Ｂ１３に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１５］前記パッド電極（３０、８０、８１）は、前記第２有機膜（１９）の外面と１つの平坦面を形成する電極面（３０ａ、８０ａ、８１ａ）を有している、Ｂ７～Ｂ１４のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１６］前記チップ（２）は、側面（５、５Ａ～５Ｄ）を有し、前記第２有機膜（１９）は、前記チップ（２）の前記側面（５、５Ａ～５Ｄ）と１つの平坦面を形成する有機側面（２３、２３Ａ～２３Ｄ）を有している、Ｂ１～Ｂ１５のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１７］前記チップ（２）は、前記主面（３）に背向し、研削面からなる第２主面（４）を有している、Ｂ１～Ｂ１６のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｌ）。
　［Ｂ１８］単一の前記第１主面電極（１１）を含む、Ｂ１～Ｂ１７のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ａ～１Ｆ）。
　［Ｂ１９］前記第１主面電極（１１）は、前記主面（３）とショットキ接合を形成している、Ｂ１８に記載の半導体装置（１Ａ～１Ｆ）。
　［Ｂ２０］複数の前記第１主面電極（１１、６５、６６）を含み、前記第１有機膜（１７）は、複数の前記第１主面電極（１１、６５、６６）の周縁部をそれぞれ被覆し、前記第２有機膜（１９）は、複数の前記第１主面電極（１１、６５、６６）の一部をそれぞれ露出させるように前記主面（３）を被覆している、Ｂ１～Ｂ１７のいずれか一つに記載の半導体装置（１Ｇ～１Ｌ）。
　［Ｂ２１］前記主面（３）の表層部に形成されるチャネル（ＣＨ）と、前記チャネル（ＣＨ）を制御するように前記主面（３）に形成されたゲート構造（５０）と、をさらに含み、複数の前記第１主面電極（１１、６５、６６）は、前記ゲート構造（５０）に電気的に接続されたゲート主面電極（１１、６５）、および、前記チャネル（ＣＨ）に電気的に接続されたチャネル主面電極（１１、６６）を含む、Ｂ２０に記載の半導体装置（１Ｇ～１Ｌ）。
　実施形態について詳細に説明してきたが、これらは技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によって限定される。
１Ａ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｂ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｃ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｄ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｅ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｆ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｇ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｈ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｉ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｊ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｋ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
１Ｌ　　　ワイドバンドギャップ半導体装置
２　　　　チップ
３　　　　第１主面
４　　　　第２主面
５　　　　側面
６　　　　第１半導体領域（半導体基板）
７　　　　第２半導体領域（エピタキシャル層）
１１　　　第１主面電極
１７　　　感光性樹脂
１９　　　熱硬化性樹脂
２０　　　パッド開口
２１　　　樹脂主面
２３　　　樹脂側面
２７　　　マトリクス樹脂
２８　　　フィラー
２８ａ　　小径フィラー
２８ｂ　　中径フィラー
２８ｃ　　大径フィラー
２９　　　フィラー欠片
２９ａ　　第１フィラー欠片
２９ｂ　　第２フィラー欠片
３０　　　パッド電極
３０ａ　　電極面
３１　　　第１パッド電極膜
３２　　　第２パッド電極膜
６５　　　ゲート主面電極（第１主面電極）
６７　　　ソース主面電極（第１主面電極）
７３　　　ゲートパッド開口（パッド開口）
７４　　　ソースパッド開口（パッド開口）
８０　　　ゲートパッド電極（パッド電極）
８０ａ　　電極面
８１　　　ソースパッド電極（パッド電極）
８１ａ　　電極面
１０１Ａ　半導体パッケージ
１０１Ｂ　半導体パッケージ
１０１Ｃ　半導体パッケージ
１０２　　パッケージ本体
１０６　　金属板（導体板）
１０９　　端子電極
１１２　　導線（導電接続部材）
１２２　　パッケージ本体
１２６　　第１金属板（導体板、端子電極）
１３０　　第２金属板（導体板、端子電極）
１３４　　端子電極
１３７　　第１導体スペーサ（導電接続部材）
１３８　　第２導体スペーサ（導電接続部材）
１３９　　導線（導電接続部材）

Claims (20)

  1. 　ワイドバンドギャップ半導体を含み、主面を有するチップと、
    　前記主面の上に配置された主面電極と、
    　マトリクス樹脂および複数のフィラーを含み、前記主面電極の一部を露出させるように前記主面を被覆する熱硬化性樹脂と、を含む、ワイドバンドギャップ半導体装置。
  2. 　前記熱硬化性樹脂は、前記主面電極よりも厚い、請求項１に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  3. 　複数の前記フィラーは、前記主面電極よりも薄い複数の第１フィラー、および、前記主面電極よりも厚い複数の第２フィラーを含む、請求項１または２に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  4. 　前記主面電極の周縁部を被覆する感光性樹脂をさらに含み、
    　前記熱硬化性樹脂は、前記感光性樹脂を被覆している、請求項１～３のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  5. 　前記感光性樹脂は、前記主面電極よりも厚く、
    　前記熱硬化性樹脂は、前記感光性樹脂よりも厚い、請求項４に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  6. 　複数の前記フィラーは、前記感光性樹脂よりも厚い複数の大径フィラーを含む、請求項５に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  7. 　前記熱硬化性樹脂は、前記チップよりも厚い、請求項１～６のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  8. 　前記主面電極における前記熱硬化性樹脂から露出した部分の上に形成され、前記熱硬化性樹脂から露出した電極面を有するパッド電極をさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  9. 　前記電極面は、前記熱硬化性樹脂の外面と１つの平坦面を形成している、請求項８に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  10. 　前記パッド電極は、前記主面電極を被覆する第１電極膜、および、前記第１電極膜を被覆する第２電極膜を含む積層構造を有している、請求項８または９に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  11. 　複数の前記フィラーは、前記熱硬化性樹脂の表層部において破断された粒形を有する複数のフィラー欠片を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  12. 　前記チップは、側面を有し、
    　前記熱硬化性樹脂は、前記側面に連なる樹脂側面を有している、請求項１～１１のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  13. 　前記樹脂側面は、前記チップの前記側面と１つの研削面を形成している、請求項１２に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  14. 　前記熱硬化性樹脂は、前記チップの周縁部において前記主面を直接被覆する部分を含む、請求項１～１３のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  15. 　複数の前記主面電極が前記主面の上に配置され、
    　前記熱硬化性樹脂は、複数の前記主面電極の一部をそれぞれに露出させるように前記主面を被覆している、請求項１～１４のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  16. 　前記チップは、ワイドバンドギャップ半導体によってそれぞれ構成された半導体基板およびエピタキシャル層を含む積層構造を有し、前記エピタキシャル層によって形成された前記主面を含む、請求項１～１５のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  17. 　前記チップは、エピタキシャル層からなる単層構造を有している、請求項１～１５のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  18. 　前記チップに形成された機能デバイスをさらに含み、
    　前記主面電極は、前記機能デバイスに電気的に接続されている、請求項１～１７のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  19. 　前記機能デバイスは、ダイオードおよびトランジスタのうちの少なくとも１つを含む、請求項１８に記載のワイドバンドギャップ半導体装置。
  20. 　モールド樹脂からなるパッケージ本体と、
    　前記パッケージ本体内に配置された導体板と、
    　前記パッケージ本体から部分的に露出するように前記導体板から間隔を空けて前記パッケージ本体内に配置された端子電極と、
    　前記パッケージ本体内において前記導体板の上に配置された請求項１～１９のいずれか一項に記載のワイドバンドギャップ半導体装置と、
    　前記パッケージ本体内において前記端子電極および前記ワイドバンドギャップ半導体装置に電気的に接続された接続部材と、を含む、半導体パッケージ。
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