WO2021049146A1 - 蒸着源及び真空処理装置 - Google Patents

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WO2021049146A1
WO2021049146A1 PCT/JP2020/026591 JP2020026591W WO2021049146A1 WO 2021049146 A1 WO2021049146 A1 WO 2021049146A1 JP 2020026591 W JP2020026591 W JP 2020026591W WO 2021049146 A1 WO2021049146 A1 WO 2021049146A1
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heating mechanism
vapor deposition
deposition source
reflector
top plate
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PCT/JP2020/026591
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English (en)
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厳 藤井
琢真 宮内
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株式会社アルバック
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material

Definitions

  • the present invention relates to a vapor deposition source and a vacuum processing apparatus.
  • the vacuum processing devices for example, there is a device for depositing an organic material on a large substrate for a display.
  • the substrate and the vapor deposition source are opposed to each other, and the vapor deposition material is ejected from the vapor deposition source toward the substrate to deposit the vapor deposition material on the substrate.
  • the vaporization source includes an evaporation container ( ⁇ ⁇ ) that houses the vaporized material, a top plate that closes the evaporation container, an ejection nozzle provided on the top plate, and a heating mechanism that heats the evaporation vessel, the top plate, and the ejection nozzle.
  • ⁇ ⁇ evaporation container
  • a heating mechanism that heats the evaporation vessel, the top plate, and the ejection nozzle.
  • One of the measures to increase the production volume using the vacuum processing equipment as described above is to extend the continuous operation time.
  • the thin-film deposition material adheres not only to the substrate but also to the portion around the ejection nozzle. Therefore, if the continuous operation time is long, the ejection nozzle may be covered with the vapor deposition material deposited on the peripheral portion, and the ejection nozzle may be blocked by the vapor deposition material.
  • an object of the present invention is to suppress blockage of the ejection nozzle by the vapor deposition material and to provide a highly productive vapor deposition source and a vacuum processing apparatus.
  • the vapor deposition source includes an evaporation container, a first heating mechanism, a second heating mechanism, a first reflector, and a second reflector.
  • the evaporation container has a container body including a bottom portion and a side wall portion connected to the bottom portion, and a top plate facing the bottom portion and provided with a ejection nozzle.
  • the vaporized material is housed in the space surrounded by.
  • the first heating mechanism faces the side wall portion.
  • the second heating mechanism faces the side portions of the top plate and the ejection nozzle, and is provided apart from the first heating mechanism in the direction from the bottom portion toward the top plate.
  • the first reflector faces the first heating mechanism and is provided on the opposite side of the side wall portion.
  • the second reflector is provided on the opposite side of the side portion so as to face the second heating mechanism, and is provided apart from the first reflector in the above direction.
  • the vapor deposition source further includes a cooling mechanism that surrounds the side wall portion and the side portion, and the first reflector and the first heating mechanism are located between the cooling mechanism and the side wall portion.
  • the 2 reflector and the second heating mechanism may be located between the cooling mechanism and the side portion.
  • a heat shield is provided between the bottom and the top plate inside the evaporation container, and the vapor deposition material is housed in a space surrounded by the container body and the heat shield. Then, a part of the heat shield plate may be in contact with the side wall portion.
  • the heat emissivity of the surface of the container body facing the space region where the first reflector and the second reflector are separated is higher than the heat emissivity of the surface of the container body other than the surface. May be high.
  • the surface of the container body facing the space region may be a blasted surface.
  • the blockage of the ejection nozzle by the thin-film deposition material is more reliably suppressed, and the productivity of vacuum treatment using the thin-film deposition source is improved. improves.
  • the height h of the first heating mechanism from the bottom with respect to the depth d of the container body may be two-thirds or less of the depth d.
  • the vacuum processing apparatus includes a vacuum vessel, the vapor deposition source, and a substrate holding mechanism in the vacuum vessel facing the vapor deposition source.
  • a highly productive vapor deposition source and a vacuum processing apparatus are provided by suppressing blockage of the ejection nozzle due to the vapor deposition material.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the vapor deposition source of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic top view of the vapor deposition source of the present embodiment.
  • FIG. 1 shows a cross section taken along line A1-A1 of FIG. In FIG. 2, when the vapor deposition source 30A is viewed from above, the heat insulating plate 60 is omitted to show the evaporation container 31 included in the vapor deposition source 30A.
  • the thin-film deposition source 30A shown in FIG. 1 is used as a film-forming source for the vacuum processing apparatus 1 (FIG. 3).
  • the vapor deposition source 30A includes an evaporation container (crucible) 31, a lower heating mechanism (first heating mechanism) 331, an upper heating mechanism (second heating mechanism) 332, a lower reflector (first reflector) 341, and an upper reflector (upper reflector).
  • a second reflector) 342 and a heat insulating plate 60 are provided.
  • the lower heating mechanism 331 and the upper heating mechanism 332 are controlled by the control device 80 (FIG. 3).
  • the evaporation container 31 extends in the uniaxial direction (X-axis direction in the figure) as the longitudinal direction. When the evaporation container 31 is viewed from above in the Z-axis direction, its outer shape is, for example, a rectangle.
  • the evaporation container 31 has a container body 311 and a top plate 312.
  • the container body 311 includes a bottom portion 31b and a side wall portion 31w connected to the bottom portion 31b.
  • the top plate 312 faces the bottom 31b.
  • the top plate 312 is placed on the side wall portion 31w.
  • the top plate 312 may be fixed to the side wall portion 31w by fitting, or may be fixed to the side wall portion 31w by a fixing jig. Further, a sealing member may be arranged between the top plate 312 and the side wall portion 31w.
  • the vapor deposition material 30 m is housed in the space 315 surrounded by the container body 311 and the top plate 312.
  • the vapor-deposited material 30 m is, for example, an organic material, a metal, or the like.
  • the top plate 312 is provided with a plurality of ejection nozzles 32.
  • Each of the plurality of ejection nozzles 32 is arranged in a row in the longitudinal direction (X-axis direction) of the evaporation container 31 at a predetermined interval. Each of the plurality of ejection nozzles 32 communicates with the space 315 of the evaporation vessel 31.
  • the vaporized material 30 m filled in the evaporation container 31 is ejected from the ejection port 320. For example, when the vapor-deposited material 30 m is heated by the lower heating mechanism 331, the steam of the vapor-deposited material 30 m gradually evaporates from the evaporation surface 30 s (interface between the space 315 and the vapor-deposited material 30 m) of the vapor-deposited material 30 m toward the ejection nozzle 32. ..
  • the ejection port 320 of the ejection nozzle 32 faces the substrate 90 (FIG. 3).
  • the ejection nozzles 32 arranged near both sides of the row are inclined so as to disobey the substrate 90 in order to make the film thickness distribution in the X-axis direction more uniform.
  • the central axes 32c of the ejection nozzles 32 arranged on both sides and in the vicinity of both sides of the plurality of ejection nozzles 32 intersect the normal line of the top plate 312.
  • the lower heating mechanism 331 faces the lower part of the side wall portion 31w. When the vapor deposition source 30A is viewed from the Z-axis direction, the lower heating mechanism 331 surrounds the container body 311.
  • the lower heating mechanism 331 is an induction heating type or resistance heating type heating mechanism.
  • the upper heating mechanism 332 faces the side portion 312w of the top plate 312 and the side portion 32w of the ejection nozzle 32 below the heat insulating plate 60.
  • the upper heating mechanism 332 is not provided directly above the evaporation surface 30s of the vapor deposition material 30m.
  • the upper heating mechanism 332 is an induction heating type or resistance heating type heating mechanism.
  • the upper heating mechanism 332 When the direction from the bottom portion 31b to the top plate 312 is the Z-axis direction, the upper heating mechanism 332 is provided so as to be separated from the lower heating mechanism 331 in the Z-axis direction.
  • the upper heating mechanism 332 surrounds the top plate 312 and the ejection nozzle 32.
  • the lower end of the upper heating mechanism 332 is located, for example, on the lower surface of the top plate 312 (or the upper end of the container body 311).
  • the upper heating mechanism 332 is controlled by the control device 80 independently of the lower heating mechanism 331.
  • the upper heating mechanism 332 preferentially heats the top plate 312 and the ejection nozzle 32
  • the lower heating mechanism 331 preferentially heats the vapor-deposited material 30 m via the container body 311.
  • the lower reflector 341 faces the lower heating mechanism 331.
  • the lower reflector 341 is provided on the opposite side of the side wall portion 31w.
  • the lower heating mechanism 331 is provided between the lower reflector 341 and the side wall portion 31w.
  • the lower reflector 341 surrounds the container body 311.
  • the lower reflector 341 is composed of at least a single plate material.
  • the lower reflector 341 arranged in the lower heating mechanism 331 may have a support mechanism for supporting the lower heating mechanism 331. In this case, for example, the heater wire included in the lower heating mechanism 331 is fixedly supported by the lower reflector 341.
  • the upper reflector 342 faces the upper heating mechanism 332.
  • the upper reflector 342 is provided on the opposite side of the side portion 312w of the top plate 312.
  • the upper reflector 342 is provided so as to be separated from the lower reflector 341 in the Z-axis direction.
  • the upper heating mechanism 332 is provided between the upper reflector 342 and the top plate 312.
  • the upper reflector 342 surrounds the top plate 312.
  • the upper reflector 342 is composed of at least a single plate material.
  • the upper reflector 342 aligned with the upper heating mechanism 332 may have a support mechanism for supporting the upper heating mechanism 332. In this case, for example, the heater wire included in the upper heating mechanism 332 is fixedly supported by the upper reflector 342.
  • the height h of the lower heating mechanism 331 from the bottom 31b is set to two-thirds or less with respect to the depth d of the container body 311. Further, in the present embodiment, the region A of the container body 311 facing the space region A'where the lower heating mechanism 331 and the upper heating mechanism 332 are separated from each other is defined as the region A. Immediately after the start of vaporization, the height of the evaporation surface 30s of the vaporized material 30 m is located in the region A.
  • FIG. 1 shows a state in which the evaporation of the vaporized material 30 m has progressed to some extent.
  • the heat insulating plate 60 covers the upper heating mechanism 332. Each of the plurality of ejection nozzles 32 penetrates, for example, the heat insulating plate 60 so as not to be blocked by the heat insulating plate 60.
  • the heat insulating plate 60 is composed of at least a single plate material.
  • the container body 311 and the top plate 312, and the ejection nozzle 32 are made of metals such as titanium, molybdenum, tantalum, and stainless steel.
  • the material of the lower reflector 341 and the upper reflector 342 is, for example, a metal such as stainless steel, copper, or aluminum.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the vacuum processing apparatus of this embodiment.
  • the vacuum processing device 1 includes a vacuum container 10, a substrate support mechanism 20, a vapor deposition source 30A, a heat insulating plate 60, and a control device 80.
  • the vacuum processing apparatus 1 is a vapor deposition apparatus that deposits a vapor deposition material 30 m on a substrate 90.
  • the vacuum container 10 is a container that maintains a decompressed state.
  • the gas inside the vacuum container 10 is exhausted by the exhaust mechanism 70.
  • the planar shape of the vacuum vessel 10 when viewed from above in the direction from the substrate support mechanism 20 toward the vapor deposition source 30A (hereinafter, the Z-axis direction) is, for example, a rectangular shape.
  • the vacuum container 10 houses the substrate support mechanism 20, the vapor deposition source 30A, the heat insulating plate 60, and the like.
  • the vacuum vessel 10 may be provided with a gas supply mechanism capable of supplying gas. Further, the vacuum vessel 10 may be equipped with a pressure gauge for measuring the pressure inside the vacuum vessel 10. Further, the vacuum vessel 10 may be provided with a film thickness meter that indirectly measures the vapor deposition rate of the film formed on the substrate 90.
  • the substrate support mechanism 20 is located above the vacuum vessel 10.
  • the substrate support mechanism 20 faces the vapor deposition source 30A in the Z-axis direction.
  • the substrate support mechanism 20 conveys the substrate 90 and the substrate holder 91 in the Y-axis direction while supporting the substrate holder 91 that holds the substrate 90. That is, the vapor deposition material 30 m is deposited on the substrate 90 while the substrate 90 is conveyed.
  • the substrate 90 is, for example, a large rectangular glass substrate. Further, a mask member 92 may be provided between the substrate 90 and the vapor deposition source 30A. Further, a heating mechanism for adjusting the temperature of the substrate 90 may be provided on the side of the substrate 90 opposite to the mask member 92 (the back surface side of the substrate 90).
  • the vapor deposition source 30A is located at the bottom of the vacuum vessel 10.
  • the vapor deposition source 30A faces the substrate 90 in the Z-axis direction.
  • the vapor deposition source 30A is fixed to, for example, a support (not shown).
  • the vapor deposition source 30A extends in a direction (X-axis direction) orthogonal to the direction in which the substrate 90 is conveyed.
  • the number of thin-film deposition sources 30A is not limited to one, and for example, a plurality of vapor deposition sources 30A may be arranged side by side in the Y-axis direction. In this case, each of the plurality of evaporation containers 31 is parallel to each other and is arranged in the Y-axis direction.
  • Each of the plurality of evaporation containers 31 can be filled with 30 m of different types of vaporized material.
  • a transport mechanism that changes the relative distance between the vapor deposition source 30A and the substrate 90 may be provided on the vapor deposition source 30A side.
  • the relative distance between the vapor deposition source 30A and the substrate 90 can be changed by moving the vapor deposition source 30A and the transport mechanism that conveys the vapor deposition source 30A to the fixed substrate 90.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating the operation of the vapor deposition source.
  • the vaporized material 30 m housed in the evaporation container 31 is heated by the lower heating mechanism 331, the vaporized material 30 m evaporates, and the vapor pressure of the vaporized material 30 m increases.
  • the vaporized material 30 m in the evaporation container 31 may be sublimated from a solid material, or may be once melted in a liquid and then evaporated through the liquid.
  • the vapor-deposited material 30 m is mounded as a steam flow from each of the plurality of ejection nozzles 32.
  • the heat flow received by the vapor-deposited material 30 m from the lower heating mechanism 331 is schematically indicated by an arrow h1.
  • the top plate 312 and the ejection nozzle 32 are heated by the upper heating mechanism 332.
  • the vapor deposition material 30 m is separated from each inner wall.
  • the flow of heat received by the top plate 312 and the ejection nozzle 32 from the upper heating mechanism 332 is schematically indicated by an arrow h2.
  • the vapor deposition material 30 m is less likely to be deposited on the inner walls of the top plate 312 and the ejection nozzle 32.
  • the vaporized material 30 m vaporized from the evaporation surface 30s evaporates toward the substrate 90 via the space 315 and the ejection nozzle 32 without being captured in the evaporation container 31 and the ejection nozzle 32.
  • a part of the heat received by the top plate 312 by the upper heating mechanism 332 is conducted toward the bottom 31b through the side wall portion 31w of the container body 311.
  • a part of the heat flow is schematically indicated by an arrow h3.
  • the heat indicated by the arrow h3 is the region A because the region A of the container body 311 is released from the heating mechanism (lower heating mechanism 331, upper heating mechanism 332) and the reflector (lower reflector 341, upper reflector 342). It is discharged into the vacuum container 10 through.
  • the thin-film deposition material 30 m is not easily affected by the upper heating mechanism 332 and is preferentially heated by the lower heating mechanism 331.
  • the vapor deposition material 30m is heated not only by the lower heating mechanism 331 but also by the upper heating mechanism 332. It ends up. As a result, the amount of evaporation of the vaporized material 30m that evaporates from the evaporation surface 30s becomes excessive, and the amount of the vaporized material 30m that separates from the inner walls of the top plate 312 and the ejection nozzle 32 is greater than the amount that the vapor deposition material 30m separates from the top plate 312 and the ejection nozzle 32. The amount of the vaporized material 30 m incident on each inner wall of the above increases. As a result, the vapor deposition material 30 m is deposited on the inner walls of the top plate 312 and the ejection nozzle 32, and for example, the vapor deposition material 30 m at the ejection nozzle 32 may be clogged.
  • the functions of the upper and lower heating mechanisms are separated, the lower heating mechanism 331 preferentially heats the vapor-deposited material 30 m, and the upper heating mechanism 332 preferentially heats the top plate 312 and the ejection nozzle 32. In other words, there is a temperature difference between the portion heated by the lower heating mechanism 331 and the portion heated by the upper heating mechanism 332.
  • the frequency at which the vapor-deposited material 30m separates from the inner walls of the top plate 312 and the ejection nozzle 32 is always higher than the frequency at which the vapor-deposited material 30m is incident on the inner walls of the top plate 312 and the ejection nozzle 32.
  • the vapor deposition material 30 m at the ejection nozzle 32 is less likely to be clogged.
  • the upper heating mechanism 332 does not face the top plate 312 in the Z-axis direction.
  • the upper heating mechanism 332 does not interfere with the work of removing the top plate 312 from the container body 311 and the top plate 312 can be easily removed from the container body 311.
  • the lower heating mechanism 331 is also provided along the Z-axis direction, the lower heating mechanism 331 and the upper heating mechanism 332 do not interfere with the work even when the entire evaporation container 31 is pulled upward.
  • the upper heating mechanism 332 is provided along the Z-axis direction, the amount of heat received by the substrate 90 from the upper heating mechanism 332 is low, and the temperature rise of the substrate 90 by the upper heating mechanism 332 is suppressed.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view according to the first modification of the present embodiment.
  • the vapor deposition source 30B further includes a cooling mechanism 40.
  • the cooling mechanism 40 surrounds the evaporation container 31.
  • the cooling mechanism 40 surrounds the side wall portion 31w of the container body 311 and the side portion 312w of the top plate 312.
  • the cooling mechanism 40 is composed of a plate member in which a water channel is embedded inside or a plate member in which a water channel is fixed on the surface.
  • the lower reflector 341 and the lower heating mechanism 331 are located between the cooling mechanism 40 and the side wall portion 31w.
  • the upper reflector 342 and the upper heating mechanism 332 are located between the cooling mechanism 40 and the side portion 312w.
  • the region A faces the cooling mechanism 40.
  • the heat indicated by the arrow h3 (FIG. 4) is easily absorbed by the cooling mechanism 40, and the heat indicated by the arrow h3 is more efficiently released to the outside of the side wall portion 31w through the region A.
  • the top plate 312 and the ejection nozzle 32 are heated more efficiently by the upper heating mechanism 332, and the vapor-deposited material 30 m is heated more efficiently by the lower heating mechanism 331.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view according to the second modification of the present embodiment.
  • a heat shield plate 50 is provided inside the evaporation container 31.
  • the heat shield plate 50 is provided between the bottom portion 31b and the top plate 312.
  • the thin-film deposition material 30 m is housed in a space 315 surrounded by the container body 311 and the heat shield plate 50.
  • a part of the heat shield plate 50 is in contact with the side wall portion 31w.
  • the side wall portion 31w is provided with a locking portion 313 for locking the heat shield plate 50.
  • the heat shield plate 50 has a flat plate portion 501 and a pair of bent portions 502 connected to the flat plate portion 501.
  • the bent portion 502 intersects the flat plate portion 501 and is, for example, substantially orthogonal to the flat plate portion 501.
  • the bent portion 502 faces the A region of the side wall portion 31w and is in contact with the A region of the side wall portion 31w.
  • the flat plate portion 501 is provided with a plurality of hole portions 510 arranged side by side in the Y-axis direction.
  • the holes 510 are not limited to the Y-axis direction, and may be arranged side by side in the X-axis direction.
  • the vaporized material 30 m evaporated from the evaporation surface 30s passes through the hole 510 and proceeds to the ejection nozzle 32.
  • the heat shield plate 50 Due to the arrangement of the heat shield plate 50, even if the residual heat stored in the top plate 312 is radiated from the top plate 312 toward the vapor deposition material 30 m, this radiant heat is blocked by the heat shield plate 50. Since the bent portion 502 of the heat shield plate 50 is in contact with the A region of the side wall portion 31w, the radiant heat is less likely to accumulate in the heat shield plate 50, and the radiant heat is less likely to accumulate through the bent portion 502 and the side wall portion 31w. It is discharged to the outside of the side wall portion 31w.
  • the heat indicated by the arrow h3 (FIG. 4) is released to the outside of the side wall portion 31w through the region A, and the residual heat stored in the top plate 312 is blocked by the heat shield plate 50. Then, this residual heat is released to the outside of the side wall portion 31w via the bent portion 502 and the side wall portion 31w.
  • the top plate 312 and the ejection nozzle 32 are heated more efficiently by the upper heating mechanism 332, and the vapor-deposited material 30 m is heated more efficiently by the lower heating mechanism 331.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view according to the third modification of the present embodiment.
  • the heat emissivity of the surface 314 of the container body 311 in the region A is relatively higher than the heat emissivity of the surface of the container body 311 other than the surface 314.
  • the surface 314 has a surface roughness coarser than the surface roughness other than the surface 314, and is, for example, a blasted surface selectively treated with ceramic bead blasting.
  • the heat emissivity of the surface 314 is 0.3 or more, while the heat emissivity of the surfaces other than the surface 314 is set to 0.2 or less.
  • the heat indicated by the arrow h3 (FIG. 4) is more efficiently released to the outside of the side wall portion 31w through the surface 311. Therefore, the top plate 312 and the ejection nozzle 32 are further generated by the upper heating mechanism 332. It is heated efficiently, and the vapor-deposited material 30 m is heated more efficiently by the lower heating mechanism 331.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view according to the modified example 4 of the present embodiment.
  • a plurality of fins 35 are provided on the container body 311 in the region A.
  • the heat indicated by the arrow h3 (FIG. 4) is more efficiently released to the outside of the side wall portion 31w through the plurality of fins 35, so that the top plate 312 and the ejection nozzle 32 are provided with the upper heating mechanism 332.
  • the vapor-deposited material 30 m is heated more efficiently by the lower heating mechanism 331.
  • the term "opposing" in the present specification includes not only the case where a certain member directly faces another member but also the case where a certain member faces another member via a third member. In the latter case, at least a portion of the third member is located between one member and another.
  • Vacuum processing device 10 ... Vacuum container 20 ... Substrate support mechanism 30A, 30B, 30C, 30D, 30E ... Evaporation source 30m ... Evaporation material 30s ... Evaporation surface 31 ... Evaporation container 31b ... Bottom 31w ... Side wall 32 ... Ejection nozzle 32c ... Central axis 32w ... Side 35 ... Fins 40 ... Cooling mechanism 50 ... Heat shield plate 60 ... Insulation plate 70 ... Exhaust mechanism 80 ... Control device 90 ... Board 91 ... Board holder 92 ... Mask member 311 ... Container body 312 ... Top plate 312w ... Side 313 ... Locking part 314 ... Surface 315 ... Space 320 ... Spout 331 ... Lower heating mechanism 332 ... Upper heating mechanism 341 ... Lower reflector 342 ... Upper reflector 501 ... Flat plate part 502 ... Bent part 510 ... Hole

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Abstract

【課題】蒸着材料による噴出ノズルの閉塞を抑制する。 【解決手段】蒸着源において、蒸発容器は、底部と上記底部に連設された側壁部とを含む容器本体と、上記底部に対向し、噴出ノズルが設けられた天板とを有し、上記容器本体と上記天板とによって囲まれた空間に蒸着材料が収容される。第１加熱機構は、上記側壁部に対向する。第２加熱機構は、上記天板及び上記噴出ノズルのそれぞれの側部に対向し、上記第１加熱機構とは上記底部から上記天板に向かう方向に離間して設けられる。第１リフレクタは、上記第１加熱機構と対向し、上記側壁部の反対側に設けられる。第２リフレクタは、上記第２加熱機構と対向し、上記側部の反対側に設けられ、上記第１リフレクタとは上記方向に離間して設けられる。

Description

蒸着源及び真空処理装置
　本発明は、蒸着源及び真空処理装置に関する。
　真空処理装置の中に、例えば、ディスプレイ用の大型基板に有機材料を蒸着する装置がある。このような装置では、基板と蒸着源とを対向させ、蒸着源から基板に向けて蒸着材料を噴出させて、基板に蒸着材料を蒸着する。
　蒸着源は、蒸着材料を収容する蒸発容器（坩堝）と、蒸発容器を塞ぐ天板と、天板に設けられた噴出ノズルと、蒸発容器、天板、及び噴出ノズルを加熱する加熱機構とを備える（例えば、特許文献１参照）。蒸着材料が加熱機構によって加熱されると、噴出ノズルから蒸着材料が基板に向けて噴出される。
特開２０１２－２１４８３５号公報
　上記のような真空処理装置を用いた生産量を増やす方策の１つに、連続稼動時間を延ばす方法がある。但し、蒸着材料は、基板のほか、噴出ノズル周辺の部位にも付着してしまう。このため、連続稼動時間が長くなると、周辺部位に堆積した蒸着材料によって噴出ノズルが覆われ、噴出ノズルが蒸着材料で閉塞される可能性がある。
　このような噴出ノズルの閉塞を防ぐため、噴出ノズルの長さを長くする方法もある。しかし、噴出ノズルの長さが長くなると、今度は噴出ノズルの先端部が冷えやすくなって、噴出ノズル内で蒸着材料が捕捉され、結局の所、噴出ノズル内で蒸着材料が詰まる等の現象が起きる。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞を抑制し、生産性の高い蒸着源及び真空処理装置を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る蒸着源は、蒸発容器と、第１加熱機構と、第２加熱機構と、第１リフレクタと、第２リフレクタとを具備する。
　上記蒸発容器は、底部と上記底部に連設された側壁部とを含む容器本体と、上記底部に対向し、噴出ノズルが設けられた天板とを有し、上記容器本体と上記天板とによって囲まれた空間に蒸着材料が収容される。
　上記第１加熱機構は、上記側壁部に対向する。
　上記第２加熱機構は、上記天板及び上記噴出ノズルのそれぞれの側部に対向し、上記第１加熱機構とは上記底部から上記天板に向かう方向に離間して設けられる。
　上記第１リフレクタは、上記第１加熱機構と対向し、上記側壁部の反対側に設けられる。
　上記第２リフレクタは、上記第２加熱機構と対向し、上記側部の反対側に設けられ、上記第１リフレクタとは上記方向に離間して設けられる。
　このような蒸着源によれば、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞が抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記の蒸着源においては、上記側壁部及び上記側部を囲む冷却機構をさらに具備し、上記第１リフレクタ及び上記第１加熱機構が上記冷却機構と上記側壁部との間に位置し、上記第２リフレクタ及び上記第２加熱機構が上記冷却機構と上記側部との間に位置してもよい。
　このような蒸着源によれば、蒸発容器を囲む冷却機構が設けられているため、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞がより確実に抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記の蒸着源においては、上記蒸発容器の内部において、上記底部と上記天板との間に遮熱板を設け、上記容器本体と上記遮熱板とによって囲まれた空間に上記蒸着材料が収容され、上記遮熱板の一部が上記側壁部に接してもよい。
　このような蒸着源によれば、容器本体に接する遮熱板が蒸発容器内に設けられているため、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞がより確実に抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記の蒸着源においては、上記第１リフレクタと上記第２リフレクタとが離間した空間領域に対向する上記容器本体の表面の熱輻射率は、上記表面以外の上記容器本体の表面の熱輻射率よりも高くてもよい。
　このような蒸着源によれば、容器本体の一部の表面の熱輻射率が相対的に高く構成されているため、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞がより確実に抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記の蒸着源においては、上記空間領域に対向する上記容器本体の上記表面は、ブラスト処理面であってもよい。
　このような蒸着源によれば、容器本体の一部の表面がブラスト処理面であるため、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞がより確実に抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記の蒸着源においては、上記容器本体の深さｄに対する、上記底部からの上記第１加熱機構の高さｈは、上記深さｄの３分の２以下であってもよい。
　このような蒸着源によれば、上部加熱機構と下部加熱機構とが上記距離で離れているために、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞がより確実に抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る真空処理装置は、真空容器と、上記蒸着源と、上記真空容器内において、上記蒸着源に対向する基板保持機構とを具備する。
　このような真空処理装置によれば、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞が抑制されて、蒸着源を用いた真空処理の生産性が向上する。
　以上述べたように、本発明によれば、蒸着材料による噴出ノズルの閉塞を抑制し、生産性の高い蒸着源及び真空処理装置が提供される。
本実施形態の蒸着源の模式的断面図である。 本実施形態の蒸着源の模式的上面図である。 本実施形態の真空処理装置を示す模式的断面図である。 蒸着源の作用を説明する模式的断面図である。 本実施形態の変形例１に係る模式的断面図である。 本実施形態の変形例２に係る模式的断面図である。 本実施形態の変形例３に係る模式的断面図である。 本実施形態の変形例４に係る模式的断面図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。各図面には、ＸＹＺ軸座標が導入される場合がある。また、同一の部材または同一の機能を有する部材には同一の符号を付す場合があり、その部材を説明した後には適宜説明を省略する場合がある。
　図１は、本実施形態の蒸着源の模式的断面図である。図２は、本実施形態の蒸着源の模式的上面図である。図１には、図２のＡ１－Ａ１線断面が示されている。図２では、上方から蒸着源３０Ａを見た場合、蒸着源３０Ａに含まれる蒸発容器３１を示すために断熱板６０が略されている。
　図１に示す蒸着源３０Ａは、真空処理装置１（図３）の成膜源として用いられる。蒸着源３０Ａは、蒸発容器（坩堝）３１と、下部加熱機構（第１加熱機構）３３１と、上部加熱機構（第２加熱機構）３３２と、下部リフレクタ（第１リフレクタ）３４１と、上部リフレクタ（第２リフレクタ）３４２と、断熱板６０とを具備する。下部加熱機構３３１と、上部加熱機構３３２とは、制御装置８０（図３）によって制御される。
　蒸発容器３１は、一軸方向（図では、Ｘ軸方向）を長手方向として延在する。蒸発容器３１をＺ軸方向から上面視した場合、その外形は、例えば、長方形である。蒸発容器３１は、容器本体３１１と、天板３１２とを有する。
　容器本体３１１は、底部３１ｂと、底部３１ｂに連設された側壁部３１ｗとを含む。天板３１２は、底部３１ｂに対向する。天板３１２は、側壁部３１ｗ上に載置される。天板３１２は、嵌めこみにより側壁部３１ｗに固定されてもよく、固定冶具により側壁部３１ｗに固定されてもよい。また、天板３１２と側壁部３１ｗとの間には、シール部材が配置されてもよい。容器本体３１１と天板３１２とによって囲まれた空間３１５には、蒸着材料３０ｍが収容される。蒸着材料３０ｍは、例えば、有機材料、金属等である。天板３１２には、複数の噴出ノズル３２が設けられている。
　複数の噴出ノズル３２のそれぞれは、所定の間隔を隔てて、蒸発容器３１の長手方向（Ｘ軸方向）に列状に並んでいる。複数の噴出ノズル３２のそれぞれは、蒸発容器３１の空間３１５に連通する。噴出口３２０からは、蒸発容器３１に充填された蒸着材料３０ｍが噴出する。例えば、蒸着材料３０ｍが下部加熱機構３３１によって温められると、蒸着材料３０ｍの蒸気が蒸着材料３０ｍの蒸発面３０ｓ（空間３１５と蒸着材料３０ｍとの界面）から噴出ノズル３２に向かって徐々に蒸発する。
　噴出ノズル３２の噴出口３２０は、基板９０（図３）に対向する。但し、複数の噴出ノズル３２においては、Ｘ軸方向における膜厚分布をより均一にするため、列の両側近傍に配置された噴出ノズル３２が基板９０に背くように傾斜している。例えば、複数の噴出ノズル３２の両側及び両側近傍に配置された噴出ノズル３２の中心軸３２ｃは、天板３１２の法線と交差している。
　下部加熱機構３３１は、側壁部３１ｗの下部に対向する。Ｚ軸方向から蒸着源３０Ａを見た場合、下部加熱機構３３１は、容器本体３１１を囲む。下部加熱機構３３１は、誘導加熱方式または抵抗加熱方式の加熱機構である。
　上部加熱機構３３２は、天板３１２の側部３１２ｗと、断熱板６０から下の部分の噴出ノズル３２の側部３２ｗとに対向する。上部加熱機構３３２は、蒸着材料３０ｍの蒸発面３０ｓの直上には設けられていない。上部加熱機構３３２は、誘導加熱方式または抵抗加熱方式の加熱機構である。
　底部３１ｂから天板３１２に向かう方向をＺ軸方向としたとき、上部加熱機構３３２は、下部加熱機構３３１とはＺ軸方向に離間して設けられる。Ｚ軸方向から蒸着源３０Ａを見た場合、上部加熱機構３３２は、天板３１２及び噴出ノズル３２を囲む。上部加熱機構３３２の下端は、例えば、天板３１２の下面（または、容器本体３１１の上端）に位置する。
　上部加熱機構３３２は、制御装置８０によって下部加熱機構３３１とは独立して制御される。例えば、上部加熱機構３３２は、天板３１２及び噴出ノズル３２を優先的に加熱し、下部加熱機構３３１は、容器本体３１１を介して蒸着材料３０ｍを優先的に加熱する。
　下部リフレクタ３４１は、下部加熱機構３３１と対向する。下部リフレクタ３４１は、側壁部３１ｗの反対側に設けられる。下部加熱機構３３１は、下部リフレクタ３４１と側壁部３１ｗとの間に設けられる。Ｚ軸方向から蒸着源３０Ａを見た場合、下部リフレクタ３４１は、容器本体３１１を囲む。下部リフレクタ３４１は、少なくとも一重の板材で構成される。下部加熱機構３３１に並ぶ下部リフレクタ３４１は、下部加熱機構３３１を支持する支持機構を有してもよい。この場合、下部加熱機構３３１に含まれる、例えば、ヒータ線は、下部リフレクタ３４１に固定支持される。
　上部リフレクタ３４２は、上部加熱機構３３２と対向する。上部リフレクタ３４２は、天板３１２の側部３１２ｗの反対側に設けられる。上部リフレクタ３４２は、下部リフレクタ３４１とはＺ軸方向に離間して設けられる。上部加熱機構３３２は、上部リフレクタ３４２と天板３１２との間に設けられる。Ｚ軸方向から蒸着源３０Ａを見た場合、上部リフレクタ３４２は、天板３１２を囲む。上部リフレクタ３４２は、少なくとも一重の板材で構成される。上部加熱機構３３２に並ぶ上部リフレクタ３４２は、上部加熱機構３３２を支持する支持機構を有してもよい。この場合、上部加熱機構３３２に含まれる、例えば、ヒータ線は、上部リフレクタ３４２に固定支持される。
　蒸着源３０Ａにおいては、容器本体３１１の深さｄに対する、底部３１ｂからの下部加熱機構３３１の高さｈが３分の２以下に設定されている。また、本実施形態では、下部加熱機構３３１と上部加熱機構３３２とが離間した空間領域Ａ'に対向する容器本体３１１の領域を領域Ａとする。蒸着開始直後では、蒸着材料３０ｍの蒸発面３０ｓの高さは、領域Ａに位置する。図１では、蒸着材料３０ｍの蒸発がある程度進行した状態が示されている。
　断熱板６０は、上部加熱機構３３２を覆う。複数の噴出ノズル３２のそれぞれは、断熱板６０によって遮られないように、例えば、断熱板６０を貫通する。断熱板６０は、少なくとも一重の板材で構成される。
　容器本体３１１、天板３１２、及び噴出ノズル３２は、チタン、モリブデン、タンタル、ステンレス鋼等の金属である。下部リフレクタ３４１、上部リフレクタ３４２の材料は、例えば、ステンレス鋼、銅、アルミニウム等の金属である。
　図３は、本実施形態の真空処理装置を示す模式的断面図である。
　真空処理装置１は、真空容器１０と、基板支持機構２０と、蒸着源３０Ａと、断熱板６０と、制御装置８０とを具備する。真空処理装置１は、蒸着材料３０ｍを基板９０に蒸着する蒸着装置である。
　真空容器１０は、減圧状態を維持する容器である。真空容器１０は、排気機構７０によって、内部の気体が排気される。真空容器１０を基板支持機構２０から蒸着源３０Ａに向かう方向（以下、Ｚ軸方向）に上面視したときの平面形状は、例えば、矩形状である。
　真空容器１０は、基板支持機構２０、蒸着源３０Ａ、断熱板６０等を収容する。真空容器１０には、ガスを供給することが可能なガス供給機構が取り付けられてもよい。また、真空容器１０には、その内部の圧力を計測する圧力計が取り付けられてもよい。また、真空容器１０には、基板９０に形成された膜の蒸着速度等を間接的に計測する膜厚計が設けられてもよい。
　基板支持機構２０は、真空容器１０の上部に位置する。基板支持機構２０は、Ｚ軸方向において蒸着源３０Ａに対向する。基板支持機構２０は、基板９０を保持する基板ホルダ９１を支持しつつ、基板９０及び基板ホルダ９１をＹ軸方向に搬送する。すなわち、基板９０が搬送されながら、基板９０に蒸着材料３０ｍが蒸着される。
　基板９０は、例えば、矩形状の大型ガラス基板である。また、基板９０と蒸着源３０Ａとの間には、マスク部材９２が設けられてもよい。また、基板９０のマスク部材９２とは反対側（基板９０の裏面側）には、基板９０の温度を調節する加熱機構が設けられてもよい。
　蒸着源３０Ａは、真空容器１０の下部に位置する。蒸着源３０Ａは、Ｚ軸方向において基板９０に対向する。蒸着源３０Ａは、例えば、図示しない支持台に固定されている。蒸着源３０Ａは、基板９０が搬送される方向と直交する方向（Ｘ軸方向）に延在する。蒸着源３０Ａは、１つに限らず、例えば、Ｙ軸方向に複数となって並設されてもよい。この場合、複数の蒸発容器３１のそれぞれは、互いに平行になってＹ軸方向に並ぶことになる。複数の蒸発容器３１のそれぞれには、種類が異なる蒸着材料３０ｍを充填することができる。
　蒸着源３０Ａと基板９０との相対距離を変える搬送機構は、蒸着源３０Ａ側に設けられてもよい。例えば、固定された基板９０に対して蒸着源３０Ａ及び蒸着源３０Ａを搬送する搬送機構が移動することにより、蒸着源３０Ａと基板９０との相対距離を変えることができる。
　蒸着源３０Ａの作用について説明する。図４は、蒸着源の作用を説明する模式的断面図である。
　蒸発容器３１に収容された蒸着材料３０ｍが下部加熱機構３３１によって加熱されること、蒸着材料３０ｍが蒸発し、蒸着材料３０ｍの蒸気圧が増加する。ここで、蒸発容器３１内の蒸着材料３０ｍは、固体物から昇華してもよく、液体に一旦溶融して、液体を介して蒸発してもよい。これにより、複数の噴出ノズル３２のそれぞれから蒸着材料３０ｍが蒸気流となって墳出する。図４では、蒸着材料３０ｍが下部加熱機構３３１から受容する熱の流れが模式的に矢印ｈ１で示されている。
　さらに、蒸着材料３０ｍの蒸気が天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁に入射したとしても、天板３１２及び噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３２によって加熱されている。これにより、それぞれの内壁では、蒸着材料３０ｍの離脱が起きる。図４では、天板３１２及び噴出ノズル３２が上部加熱機構３３２から受容する熱の流れが模式的に矢印ｈ２で示されている。この結果、天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁には、蒸着材料３０ｍが堆積しにくくなる。
　従って、蒸発面３０ｓから蒸発した蒸着材料３０ｍは、蒸発容器３１内及び噴出ノズル３２内で捕捉されることなく、空間３１５、噴出ノズル３２を経由して、基板９０に向かって蒸発していく。
　一方、上部加熱機構３３２によって天板３１２が受けた熱の一部は、容器本体３１１の側壁部３１ｗを通じて底部３１ｂに向かって伝導する。図４では、その熱の一部の流れが模式的に矢印ｈ３で示されている。
　しかし、矢印ｈ３で示す熱は、容器本体３１１のＡ領域が加熱機構（下部加熱機構３３１、上部加熱機構３３２）及びリフレクタ（下部リフレクタ３４１、上部リフレクタ３４２）から開放されているために、領域Ａを通じて真空容器１０内に放出されていく。これにより、蒸着材料３０ｍは、上部加熱機構３３２の影響を受けにくく、下部加熱機構３３１によって優先的に加熱される。
　仮に、Ａ領域のような熱放出領域がなく、蒸着材料３０ｍが上部加熱機構３３２の影響を受けてしまうと、蒸着材料３０ｍは、下部加熱機構３３１のほか、上部加熱機構３３２によっても温められてしまう。これにより、蒸発面３０ｓから蒸発する蒸着材料３０ｍの蒸発量が過剰となって、天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁から蒸着材料３０ｍが離脱する量よりもが天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁に蒸着材料３０ｍが入射する量が増えてしまう。この結果、天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁では、蒸着材料３０ｍが堆積して、例えば、噴出ノズル３２での蒸着材料３０ｍの目詰まりが起き得る。
　本実施形態では、上下の加熱機構の機能を分け、下部加熱機構３３１は、優先的に蒸着材料３０ｍを加熱し、上部加熱機構３３２は、天板３１２及び噴出ノズル３２を優先的に加熱する。換言すれば、下部加熱機構３３１によって加熱される部分と、上部加熱機構３３２によって加熱される部分とに温度差が生じている。
　これにより、天板３１２及び噴出ノズル３２の内壁に蒸着材料３０ｍが入射する頻度よりも、天板３１２及び噴出ノズル３２のそれぞれの内壁から蒸着材料３０ｍが離脱する頻度が勝る状態が常時保たれ、噴出ノズル３２での蒸着材料３０ｍの目詰まりが起きにくくなっている。
　また、蒸着源３０Ａにおいては、上部加熱機構３３２がＺ軸方向において天板３１２に対向していない。これにより、蒸着源３０Ａのメンテナンス時に、上部加熱機構３３２が天板３１２を容器本体３１１から取り外す作業の妨げとならず、簡便に天板３１２を容器本体３１１から取り外すことができる。また、下部加熱機構３３１もＺ軸方向に沿って設けられているため、蒸発容器３１の全体を上方に引き上げるときも、下部加熱機構３３１及び上部加熱機構３３２が該作業の障害にはならない。
　また、上部加熱機構３３２がＺ軸方向に沿って設けられていることから、基板９０が上部加熱機構３３２から受ける熱量は低く、上部加熱機構３３２による基板９０の温度上昇は抑えられる。
　（変形例１）
　図５は、本実施形態の変形例１に係る模式的断面図である。
　蒸着源３０Ｂは、冷却機構４０をさらに具備する。Ｚ軸方向から蒸着源３０Ｂを見たとき、冷却機構４０は、蒸発容器３１を囲む。例えば、冷却機構４０は、容器本体３１１の側壁部３１ｗ及び天板３１２の側部３１２ｗを囲む。冷却機構４０は、内部に水路が埋設された板部材、または、表面に水路が固定された板部材で構成されている。
　下部リフレクタ３４１及び下部加熱機構３３１は、冷却機構４０と側壁部３１ｗとの間に位置する。上部リフレクタ３４２及び上部加熱機構３３２は、冷却機構４０と側部３１２ｗとの間に位置する。領域Ａは、冷却機構４０に対向する。
　これにより、矢印ｈ３で示す熱（図４）は、冷却機構４０によって吸収されやすくなり、矢印ｈ３で示す熱は、領域Ａを通じて側壁部３１ｗ外にさらに効率よく放出される。これにより、天板３１２及び噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３２によってより効率的に加熱され、蒸着材料３０ｍは、下部加熱機構３３１によってより効率的に加熱されることになる。
　（変形例２）
　図６は、本実施形態の変形例２に係る模式的断面図である。
　蒸着源３０Ｃにおいては、蒸発容器３１の内部に遮熱板５０が設けられている。遮熱板５０は、底部３１ｂと天板３１２との間に設けられる。蒸着材料３０ｍは、容器本体３１１と遮熱板５０とによって囲まれた空間３１５に収容される。遮熱板５０の一部は、側壁部３１ｗに接している。側壁部３１ｗには、遮熱板５０を係止する係止部３１３が設けられている。
　遮熱板５０は、平板部５０１と、平板部５０１に連設された一対の折曲部５０２とを有する。折曲部５０２は、平板部５０１に対して交差し、例えば、略直交する。折曲部５０２は、側壁部３１ｗのＡ領域に対向し、側壁部３１ｗのＡ領域に接している。また、平板部５０１には、Ｙ軸方向に並設された複数の孔部５１０が設けられている。孔部５１０は、Ｙ軸方向とは限らず、Ｘ軸方向に並設されてもよい。蒸発面３０ｓから蒸発した蒸着材料３０ｍは、孔部５１０を通過して、噴出ノズル３２にまで進む。
　遮熱板５０の配置により、天板３１２に蓄えられた余熱が天板３１２から蒸着材料３０ｍに向かって放射されたとしても、この放射熱は、遮熱板５０によって遮られる。そして、放射熱は、遮熱板５０の折曲部５０２が側壁部３１ｗのＡ領域に接していることから、遮熱板５０には溜りにくくなり、折曲部５０２及び側壁部３１ｗを介して側壁部３１ｗ外に放出される。
　このように、蒸着源３０Ｃにおいては、矢印ｈ３で示す熱（図４）が領域Ａを通じて側壁部３１ｗ外に放出されるほか、天板３１２に蓄えられた余熱が遮熱板５０によって遮られる。そして、この余熱は、折曲部５０２及び側壁部３１ｗを介して側壁部３１ｗ外に放出される。これにより、天板３１２及び噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３２によってより効率的に加熱され、蒸着材料３０ｍは、下部加熱機構３３１によってより効率的に加熱されることになる。
　（変形例３）
　図７は、本実施形態の変形例３に係る模式的断面図である。
　蒸着源３０Ｄにおいては、領域Ａにおける容器本体３１１の表面３１４の熱輻射率が表面３１４以外の容器本体３１１の表面の熱輻射率よりも相対的に高く構成されている。例えば、表面３１４は、表面３１４以外の表面粗さよりも粗い表面粗さを持ち、例えば、選択的にセラミックビーズブラストで処理されたブラスト処理面である。例えば、表面３１４の熱輻射率は、０．３以上であるのに対し、表面３１４以外の表面の熱輻射率は、０．２以下で設定されている。
　このような構成であれば、矢印ｈ３で示す熱（図４）は、表面３１１を通じて側壁部３１ｗ外にさらに効率よく放出されるため、天板３１２及び噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３２によってより効率的に加熱され、蒸着材料３０ｍは、下部加熱機構３３１によってより効率的に加熱されることになる。
　（変形例４）
　図８は、本実施形態の変形例４に係る模式的断面図である。
　蒸着源３０Ｅにおいては、領域Ａにおける容器本体３１１に複数のフィン３５が設けられている。
　このような構成であれば、矢印ｈ３で示す熱（図４）は、複数のフィン３５を通じて側壁部３１ｗ外にさらに効率よく放出されるため、天板３１２及び噴出ノズル３２は、上部加熱機構３３２によってより効率的に加熱され、蒸着材料３０ｍは、下部加熱機構３３１によってより効率的に加熱されることになる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、蒸着源３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅの少なくとも２つは、複合することができる。各実施形態は、独立の形態とは限らず、技術的に可能な限り複合することができる。
　また、本明細書における「対向する」とは、ある部材が別の部材に直接向き合っている場合のほか、ある部材が第３部材を介して別の部材に向き合っている場合も含む。後者の場合、第３部材の少なくとも一部は、ある部材と別の部材との間に位置する。
　１…真空処理装置
　１０…真空容器
　２０…基板支持機構
　３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ、３０Ｅ…蒸着源
　３０ｍ…蒸着材料
　３０ｓ…蒸発面
　３１…蒸発容器
　３１ｂ…底部
　３１ｗ…側壁部
　３２…噴出ノズル
　３２ｃ…中心軸
　３２ｗ…側部
　３５…フィン
　４０…冷却機構
　５０…遮熱板
　６０…断熱板
　７０…排気機構
　８０…制御装置
　９０…基板
　９１…基板ホルダ
　９２…マスク部材
　３１１…容器本体
　３１２…天板
　３１２ｗ…側部
　３１３…係止部
　３１４…表面
　３１５…空間
　３２０…噴出口
　３３１…下部加熱機構
　３３２…上部加熱機構
　３４１…下部リフレクタ
　３４２…上部リフレクタ
　５０１…平板部
　５０２…折曲部
　５１０…孔部

Claims (7)

  1. 　底部と前記底部に連設された側壁部とを含む容器本体と、前記底部に対向し、噴出ノズルが設けられた天板とを有し、前記容器本体と前記天板とによって囲まれた空間に蒸着材料が収容される蒸発容器と、
    　前記側壁部に対向する第１加熱機構と、
    　前記天板及び前記噴出ノズルのそれぞれの側部に対向し、前記第１加熱機構とは前記底部から前記天板に向かう方向に離間して設けられた第２加熱機構と、
    　前記第１加熱機構と対向し、前記側壁部の反対側に設けられた第１リフレクタと、
    　前記第２加熱機構と対向し、前記側部の反対側に設けられ、前記第１リフレクタとは前記方向に離間して設けられた第２リフレクタと
    　を具備する蒸着源。
  2. 　請求項１に記載の蒸着源であって、
    　前記側壁部及び前記側部を囲む冷却機構をさらに具備し、
    　前記第１リフレクタ及び前記第１加熱機構が前記冷却機構と前記側壁部との間に位置し、
    　前記第２リフレクタ及び前記第２加熱機構が前記冷却機構と前記側部との間に位置する
    　蒸着源。
  3. 　請求項１または２に記載の蒸着源であって、
    　前記蒸発容器の内部において、前記底部と前記天板との間に遮熱板を設け、
    　前記容器本体と前記遮熱板とによって囲まれた空間に前記蒸着材料が収容され、
    　前記遮熱板の一部が前記側壁部に接している
    　蒸着源。
  4. 　請求項１～３のいずれか１つに記載の蒸着源であって、
    　前記第１リフレクタと前記第２リフレクタとが離間した空間領域に対向する前記容器本体の表面の熱輻射率は、前記表面以外の前記容器本体の表面の熱輻射率よりも高い
    　蒸着源。
  5. 　請求項４に記載の蒸着源であって、
    　前記空間領域に対向する前記容器本体の前記表面は、ブラスト処理面である
    　蒸着源。
  6. 　請求項１～５のいずれか１つに記載の蒸着源であって、
    　前記容器本体の深さｄに対する、前記底部からの前記第１加熱機構の高さｈは、前記深さｄの３分の２以下である
    　蒸着源。
  7. 　真空容器と、
    　底部と前記底部に連設された側壁部とを含む容器本体と、前記底部に対向し、噴出ノズルが設けられた天板とを有し、前記容器本体と前記天板とによって囲まれた空間に蒸着材料が収容される蒸発容器と、前記側壁部に対向する第１加熱機構と、前記天板の側部に対向し、前記第１加熱機構とは前記底部から前記天板に向かう方向に離間して設けられた第２加熱機構と、前記第１加熱機構と対向し、前記側壁部の反対側に設けられた第１リフレクタと、前記第２加熱機構と対向し、前記側部の反対側に設けられ、前記第１リフレクタとは前記方向に離間して設けられた第２リフレクタとを有する蒸着源と、
    　前記真空容器内において、前記蒸着源に対向する基板保持機構と
    　を具備する真空処理装置。
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