CN107400858A - 蒸发源及蒸镀系统 - Google Patents

蒸发源及蒸镀系统 Download PDF

Info

Publication number
CN107400858A
CN107400858A CN201710842203.9A CN201710842203A CN107400858A CN 107400858 A CN107400858 A CN 107400858A CN 201710842203 A CN201710842203 A CN 201710842203A CN 107400858 A CN107400858 A CN 107400858A
Authority
CN
China
Prior art keywords
docking section
evaporation
evaporation source
thermal insulation
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710842203.9A
Other languages
English (en)
Inventor
胡长奇
苏志玮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710842203.9A priority Critical patent/CN107400858A/zh
Publication of CN107400858A publication Critical patent/CN107400858A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种蒸发源，包括：坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。本发明还涉及一种蒸镀系统。本发明的有益效果是：隔热层的设置避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，增加坩埚本体和喷嘴盖板之间的温度差，改善材料塞孔问题。

Description

蒸发源及蒸镀系统
技术领域
本发明涉及显示产品制作技术领域，尤其涉及一种蒸发源及蒸镀系统。
背景技术
有机发光二极管显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件是有多种功能层堆叠组成的发光器件，目前OLED器件的主要制作工艺是真空热蒸镀技术，即通过加热容纳蒸镀材料的坩埚本体，蒸镀材料受热蒸发，然后通过喷嘴喷射到基板表面。由于喷嘴设置于扣盖于所述坩埚本体上的喷嘴盖板上，所述坩埚本体内的蒸发腔室是具有一定的高度的，以致于喷嘴处的温度较低，易造成材料堵塞孔壁，现在常用的解决方法是加热喷嘴盖板的温度高于坩埚本体的温度，但由于坩埚本体与喷嘴盖板紧密接触，坩埚本体和喷嘴盖板之间很难形成比较大的温差，从而对于改善塞孔问题不明显；当前蒸发源采用水冷的冷却方式，降温时间较长，蒸镀设备的稼动率较低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种蒸发源及蒸镀系统，避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，改善材料塞孔问题。
为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种蒸发源，包括：
坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；
以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；
所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。
进一步的，所述隔热层与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层与所述第二对接部之间设有第二密封结构。
进一步的，所述隔热层包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。
进一步的，所述隔热层包括与所述第二对接部连接的第二接合面，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。
进一步的，所述第一对接部为环形结构，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。
本发明还提供一种蒸镀系统，包括上述的蒸发源。
进一步的，所述蒸镀系统还包括用于对所述蒸发源进行冷却的冷却装置，所述冷却装置包括用于吸收所述蒸发源的热量以对蒸发源进行冷却的热吸收结构，以及用于将所述热吸收结构吸收的热量转化为其他形式的能量的能量转换结构。
进一步的，所述热吸收结构包括容纳有冷却介质的管道，所述管道的两端均连接于所述能量转换结构上，所述管道的中部包括由多个首尾相接的U形结构形成的蛇形弯曲结构。
进一步的，所述冷却介质为液态金属。
进一步的，还包括真空腔室，所述蒸发源和所述热吸收结构均容置于所述真空腔室内，所述能量转换结构设置在所述真空腔室内或真空腔室外。
本发明的有益效果是：隔热层的设置避免坩埚本体和喷嘴盖板之间的热传导，增加坩埚本体和喷嘴盖板之间的温度差，改善材料塞孔问题。
附图说明
图1表示本发明实施例中蒸发源剖面结构示意图；
图2表示本发明实施例中蒸发源侧面结构示意图；
图3表示本发明实施例中隔热层结构示意图；
图4表示本发明实施例中冷却装置结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本发明，并非以此限定本发明的保护范围。
如图1-图3所示，本实施例提供一种蒸发源，包括：
坩埚本体1，所述坩埚本体1具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；
以及，扣盖于所述坩埚本体1的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板2，所述喷嘴21盖上设有喷嘴21；
所述坩埚本体1包括用于与所述喷嘴盖板2对接的第一对接部；所述喷嘴盖板2包括用于与所述坩埚本体1对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层3。
隔热层3的设置避免坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的热传导，能够更大限度的增加坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的温度差，从根本上解决蒸镀材料在蒸发过程遇冷堆积在喷嘴21内壁，造成喷嘴21堵塞的问题，改善材料塞孔问题。
为了实现避免坩埚本体1和喷嘴盖板2之间的热传导，隔热层3采用耐高温材质制成，所述隔热层3的具体结构形式也可以有多种。
本实施例中，所述隔热层3与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层3与所述第二对接部之间设有第二密封结构。
第一密封结构和第二密封结构的设置，确保所述第一对接部和所述隔热层3之间、所述第二对接部和所述隔热层3之间的密封性能，进一步的有效避免所述坩埚本体1和所述喷嘴盖板2之间的热传导。
所述第一密封结构和所述第二密封结构的具体结构形式可以有多种，所述第一密封结构和所述第二密封结构的结构形式可以相同，也可以不同，只要实现所述第一对接部和所述隔热层3之间、所述第二对接部和所述隔热层3之间的密封，本实施例中，所述隔热层3包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面31，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面31上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。
所述第一凹凸结构的设置可以是规律的，也可以是不规律的，所述第一凹凸结构的凹部的深度也可以根据实际需要设定，所述第二凹凸结构与所述第一凹凸结构相卡合以实现所述第一对接部和所述隔热层3第一接合面31之间的密封。
所述隔热层3包括与所述第二对接部连接的第二接合面32，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面32上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。
所述第三凹凸结构的设置可以是规律的，也可以是不规律的，所述第三凹凸结构的凹部的深度也可以根据实际需要设定，所述第四凹凸结构与所述第三凹凸结构相卡合以实现所述第二对接部和所述隔热层3第二接合面32之间的密封。
为了避免所述隔热层3伸入到蒸发腔室内部，以致于气化的蒸镀材料残留于所述隔热层3上，本实施例中，所述第一对接部为环形结构，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第二对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层3的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第二对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。即为了避免隔热层3延伸到蒸发腔室内，将隔热层设计为靠近蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部及所述第二对接部的靠近蒸发腔室的内侧边缘齐平、或者所述第一对接部和所述第二对接部在靠近蒸发腔室的内侧至少部分未被隔热层所覆盖，而在所述第一对接部和所述第二对接部的靠近蒸发腔室的内侧边缘与所述隔热层的靠近蒸发腔室的内侧边缘之间具有一预留间隙。所述隔热层3的设置在实现避免所述坩埚本体1与所述喷嘴盖板2之间的隔热传导的目的同时，所述隔热层3不能延伸至蒸发腔室内部，以致于影响蒸镀材料蒸发变成蒸汽后的上升空间。
所述隔热层3远离所述蒸发腔室的外侧边缘可以与所述第一对接部和所述第二对接部的远离所述蒸发腔室的外侧边缘平齐。
如图1和图2所示，本实施例中，所述第一对接部为由四条边组成的环形框架结构，所述第二对接部为与所述第一对接部相同的环形框架结构，所述隔热层3为由四条边组成的环形框架结构，所述隔热层3的一条边的长度与对应的所述第一对接部或第二对接部的一条边的长度相同，所述隔热层3的一条边的宽度不大于对应的所述第一对接部或所述第二对接部的一条边的宽度。
如图4所示，本实施例还提供一种蒸镀系统，包括上述的蒸发源，以及用于对所述蒸发源进行冷却的冷却装置，所述冷却装置包括用于吸收所述蒸发源的热量以对蒸发源进行冷却的热吸收结构，以及用于将所述热吸收结构吸收的热量转化为其他形式的能量的能量转换结构。
所述冷却装置的设置用于在蒸发源的温度过高时，对蒸发源进行冷却，使得蒸发源的温度保持在稳定的范围内，保证蒸镀材料的气化效果，提高蒸镀质量。
能量转化结构将所述热吸收结构吸收的热量转换成其他形式的能，比如电能、机械能、风能等，达到节能的效果。
本实施例中，所述热吸收结构包括容纳有冷却介质的管道，所述管道的两端均连接于所述能量转换结构上，所述管道的中部包括由多个首尾相接的U形结构形成的蛇形弯曲结构。
蛇形弯曲结构的设置，增大了所述热吸收结构吸收热量的面积，提高的冷却装置的冷却能力，利于蒸发源的快速降温。
本实施例中，所述冷却介质为液态金属。液态金属即为常温下成液态的金属，采用液态金属冷却的方式能够大幅度降低蒸发源的降温时间，提高蒸镀设备的稼动率。
本实施例中，所述蒸镀系统还包括真空腔室，所述蒸发源和所述热吸收结构均容置于所述真空腔室内，所述能量转换结构设置在所述真空腔室内或真空腔室外。
所述冷却装置可以与所述蒸发源相接触，也可以不接触，只要实现蒸发源的冷却即可。
以上所述为本发明较佳实施例，需要说明的是，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。

Claims (10)

1.一种蒸发源，包括：
坩埚本体，所述坩埚本体具有用于容纳蒸镀材料的蒸发腔室，且所述蒸发腔室一端开口；
以及，扣盖于所述坩埚本体的蒸发腔室的开口上的喷嘴盖板，所述喷嘴盖上设有喷嘴；
其特征在于，
所述坩埚本体包括用于与所述喷嘴盖板对接的第一对接部；所述喷嘴盖板包括用于与所述坩埚本体对接的第二对接部；所述第一对接部和所述第二对接部之间设有隔热层。
2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层与所述第一对接部之间设置有第一密封结构，所述隔热层与所述第二对接部之间设有第二密封结构。
3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层包括用于与所述第一对接部连接的第一接合面，所述第一密封结构包括设置于所述第一接合面上的第一凹凸结构，以及设置于所述第一对接部上、与所述第一凹凸结构相配合的第二凹凸结构。
4.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于，所述隔热层包括与所述第二对接部连接的第二接合面，所述第二密封结构包括设置于所述第二接合面上的第三凹凸结构，以及设置于所述第二对接部上与所述第三凹凸结构相配合的第四凹凸结构。
5.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，所述第一对接部为环形结构，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘齐平，或者，所述隔热层的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘与所述第一对接部的靠近所述蒸发腔室的内侧边缘之间具有间隙。
6.一种蒸镀系统，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的蒸发源。
7.根据权利要求6所述的蒸镀系统，其特征在于，还包括：用于对所述蒸发源进行冷却的冷却装置，所述冷却装置包括用于吸收所述蒸发源的热量以对蒸发源进行冷却的热吸收结构，以及用于将所述热吸收结构吸收的热量转化为其他形式的能量的能量转换结构。
8.根据权利要求7所述的蒸镀系统，其特征在于，所述热吸收结构包括容纳有冷却介质的管道，所述管道的两端均连接于所述能量转换结构上，所述管道的中部包括由多个首尾相接的U形结构形成的蛇形弯曲结构。
9.根据权利要求8所述的蒸镀系统，其特征在于，所述冷却介质为液态金属。
10.根据权利要求9所述的蒸镀系统，其特征在于，还包括真空腔室，所述蒸发源和所述热吸收结构均容置于所述真空腔室内，所述能量转换结构设置在所述真空腔室内或所述真空腔室外。
CN201710842203.9A 2017-09-18 2017-09-18 蒸发源及蒸镀系统 Pending CN107400858A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710842203.9A CN107400858A (zh) 2017-09-18 2017-09-18 蒸发源及蒸镀系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710842203.9A CN107400858A (zh) 2017-09-18 2017-09-18 蒸发源及蒸镀系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107400858A true CN107400858A (zh) 2017-11-28

Family

ID=60388389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710842203.9A Pending CN107400858A (zh) 2017-09-18 2017-09-18 蒸发源及蒸镀系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107400858A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107916401A (zh) * 2017-12-15 2018-04-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
CN111188014A (zh) * 2020-02-10 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸发源
CN112210758A (zh) * 2020-09-23 2021-01-12 铜陵市超越电子有限公司 金属化薄膜蒸镀用错位组合式料炉
CN112505286A (zh) * 2019-09-16 2021-03-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种锌致液态金属裂纹形成条件的检测装置及方法
CN112680698A (zh) * 2021-03-15 2021-04-20 苏州盟萤电子科技有限公司 真空蒸镀用加热坩埚及真空蒸镀装置
CN113227442A (zh) * 2019-09-09 2021-08-06 株式会社爱发科 蒸镀源以及真空处理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203582959U (zh) * 2013-12-06 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置
CN205990463U (zh) * 2016-09-14 2017-03-01 苏州奥趋光电技术有限公司 一种用于氮化铝晶体生长炉的热场
CN106756804A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 蒸镀坩埚及其蒸镀方法
CN206467334U (zh) * 2016-09-19 2017-09-05 山东天岳晶体材料有限公司 一种防止硅蒸汽溢出的坩埚

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN203582959U (zh) * 2013-12-06 2014-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置
CN205990463U (zh) * 2016-09-14 2017-03-01 苏州奥趋光电技术有限公司 一种用于氮化铝晶体生长炉的热场
CN206467334U (zh) * 2016-09-19 2017-09-05 山东天岳晶体材料有限公司 一种防止硅蒸汽溢出的坩埚
CN106756804A (zh) * 2016-12-20 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 蒸镀坩埚及其蒸镀方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107916401A (zh) * 2017-12-15 2018-04-17 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
CN107916401B (zh) * 2017-12-15 2023-09-22 合肥鑫晟光电科技有限公司 蒸镀坩埚和蒸镀装置
CN113227442A (zh) * 2019-09-09 2021-08-06 株式会社爱发科 蒸镀源以及真空处理装置
CN113227442B (zh) * 2019-09-09 2023-07-18 株式会社爱发科 蒸镀源以及真空处理装置
CN112505286A (zh) * 2019-09-16 2021-03-16 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种锌致液态金属裂纹形成条件的检测装置及方法
CN112505286B (zh) * 2019-09-16 2023-08-11 中国科学院上海光学精密机械研究所 一种锌致液态金属裂纹形成条件的检测装置及方法
CN111188014A (zh) * 2020-02-10 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸发源
CN112210758A (zh) * 2020-09-23 2021-01-12 铜陵市超越电子有限公司 金属化薄膜蒸镀用错位组合式料炉
CN112680698A (zh) * 2021-03-15 2021-04-20 苏州盟萤电子科技有限公司 真空蒸镀用加热坩埚及真空蒸镀装置
CN112680698B (zh) * 2021-03-15 2021-06-29 苏州盟萤电子科技有限公司 真空蒸镀用加热坩埚及真空蒸镀装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107400858A (zh) 蒸发源及蒸镀系统
AU2003221812A1 (en) Induction furnace for high temperature operation
JP2003161566A (ja) 熱伝導方法，装置及び製品
CN105132865B (zh) 蒸发源装置及蒸镀设备
CN112011825B (zh) 生长氮化铝晶体的坩埚装置
CN106073377A (zh) 自动晾水杯
CN104233460A (zh) 反应腔室及设置有该反应腔室的mocvd设备
CN203728587U (zh) 一种还原炉复合隔热屏及还原炉
CN108103447A (zh) 一种自封防漏低沸点材料热蒸发镀膜装置
CN210237531U (zh) 一种新型焦炉炉顶区保温盖装置
CN208862064U (zh) 电池包结构
CN203614998U (zh) 一种液氯加热保温管
CN215251126U (zh) 一种镀膜材料的蒸发源结构
CN206467334U (zh) 一种防止硅蒸汽溢出的坩埚
CN209840725U (zh) 一种方型高温石墨化处理加热炉炉门加热装置
CN106486698B (zh) 软包电池封装设备
CN201556155U (zh) 一种散热器
WO2016023280A1 (zh) 蒸镀线源
CN107024128B (zh) 一种散热片内部通孔的散热装置
CN205456762U (zh) 带导热液的加热制冷容器
CN205448365U (zh) 一种低热损的平板太阳能集热器
CN104767105A (zh) 一种用于激光晶体与紫铜热沉紧密连接的铟封方法
CN206314163U (zh) 一种通讯系统的散热装置
KR101723521B1 (ko) 그래핀 성장 장치
CN205662585U (zh) 一种小型辉光离子模具处理设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171128

RJ01 Rejection of invention patent application after publication