CN105132865B - 蒸发源装置及蒸镀设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种蒸发源装置及蒸镀设备。该蒸发源装置包括：热源结构，包括加热源和导热体，其中所述导热体与放置蒸发材料的蒸发容器接触连接，所述加热源围绕所述蒸发容器设置，且通过所述导热体的热传导，所述加热源的热量传导至所述蒸发容器上，为所述蒸发容器加热。本发明所述蒸发源装置和蒸镀设备通过在加热源与蒸发容器之间设置导热体，利用导热体将加热源的热量传导至蒸发容器上，能够实现对蒸发容器的均匀加热。

Description

蒸发源装置及蒸镀设备
技术领域
本发明涉及显示器制作技术领域，尤其是指一种蒸发源装置及蒸镀设备。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器的制作中，蒸发镀膜是一项必不可少的制作工艺。
在蒸发镀膜工艺所采用蒸镀设备中，最主要的是坩埚和用于放置坩埚的蒸发源结构，该两个装置的设计合理与否直接关系到成膜的质量和膜的特性。现有技术其中一种蒸发源结构如图1所示，蒸发源结构包括呈螺旋状的加热丝1，围绕坩埚2设置，利用一条加热丝可以对整个坩埚2进行加热；图2为现有技术另一种蒸发源结构的示意图，蒸发源结构包括多个平行设置的加热丝3，竖直地设置在坩埚2的外围，用于对整个坩埚2进行加热。
上述两种形式的蒸发源结构，由于加热丝分散设置在坩埚的外围，使得坩埚整体受热不均，靠近加热丝的坩埚部分升温较快，远离加热丝的坩埚部分升温较慢，加热工艺控制不好，易造成坩埚内材料局部受热过高，出现材料变质或者喷发的现象。
发明内容
本发明技术方案的目的是提供一种蒸发源装置及蒸镀设备，通过改进蒸发源装置的结构，达到提高坩埚整体受热均匀性的目的。
本发明提供一种蒸发源装置，包括：
热源结构，包括加热源和导热体，其中所述导热体与放置蒸发材料的蒸发容器接触连接，所述加热源围绕所述蒸发容器设置，且通过所述导热体的热传导，所述加热源的热量传导至所述蒸发容器上，为所述蒸发容器加热。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述导热体包括用于放置所述蒸发容器的第一容纳空间，所述加热源在所述第一容纳空间的外围围绕所述蒸发容器设置。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述加热源与所述导热体的外表面接触连接。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述加热源嵌设在所述导热体的内部。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述导热体形成为内部中空的筒状结构，其中内部中空的部分形成为所述第一容纳空间。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述导热体包括第一结构部分，所述第一结构部分包括多个相互平行且间隔设置的导热片，且多个所述导热片围绕一预定空间均匀分布，所述预定空间形成为所述第一容纳空间。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述导热体还包括第二结构部分，形成为内部中空的筒状结构，每一所述导热片连接设置在所述第二结构部分的内壁上。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述蒸发源装置还包括用于对加热中或加热后所述蒸发容器冷却的冷却结构，所述冷却结构与所述热源结构相组合构成一组合结构。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述冷却结构包括基体及设置在所述基体中的多条相互连通、用于通入冷却介质的第一循环通道，其中所述基体与所述热源结构接触连接，且围绕所述热源结构设置。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述冷却结构包括设置在所述导热体中的多条相互连通、用于通入冷却介质的第二循环通道。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述蒸发源装置还包括保温层，与所述组合结构接触连接，且在所述组合结构的外围设置。
优选地，上述所述的蒸发源装置，其中，所述保温层包括环绕所述组合结构设置的第一保温层以及位于所述第一保温层的底面的第二保温层，其中所述第二保温层与所述第一保温层组合围设成具有一开口的第二容纳空间，所述组合结构设置在所述第二容纳空间中。
本发明还提供一种蒸镀设备，包括如上任一项所述的蒸发源装置。
本发明具体实施例上述技术方案中的至少一个具有以下有益效果：
通过在加热源与蒸发容器之间设置导热体，利用导热体将加热源的热量传导至蒸发容器上，能够实现对蒸发容器的均匀加热。
附图说明
图1表示现有技术一种蒸发源结构的示意图；
图2表示现有技术另一种蒸发源结构的示意图；
图3表示本发明第一实施例所述蒸发源装置的结构示意图；
图4表示本发明第二实施例所述蒸发源装置的结构示意图；
图5表示本发明第三实施例所述蒸发源装置的结构示意图；
图6表示本发明第四实施例所述蒸发源装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明实施例所述蒸发源装置，包括：
热源结构，包括加热源和导热体，其中所述导热体与放置蒸发材料的蒸发容器接触连接，所述加热源围绕所述蒸发容器设置，且通过所述导热体的热传导，所述加热源的热量传导至所述蒸发容器上，为所述蒸发容器加热。
上述结构的蒸发源装置，通过在加热源与蒸发容器之间设置导热体，利用导热体将加热源的热量传导至蒸发容器上，能够实现对蒸发容器的均匀加热。
具体地，所述蒸发源装置可以应用于蒸发镀膜工艺的蒸镀设备中，所述蒸发容器为坩埚。
较佳地，导热体围绕蒸发容器的外表面设置，且与蒸发容器外表面相接触的接触点在蒸发容器的外表面上均匀分布，或者更佳地，蒸发容器的外表面的每一位置点均与导热体接触连接。
另一方面，较佳地，本发明实施例所述蒸发源装置还包括用于对加热中或加热后所述蒸发容器冷却的冷却结构，所述冷却结构与所述热源结构相组合构成一组合结构。利用冷却结构的设置，能够使处在加热过程中的蒸发容器的加热温度冷却至预设温度，或者达到控制加热后坩埚的冷却速率的效果。较佳地，为达到最佳的冷却效果，冷却结构与加热源直接接触连接，以便于控制冷却速率。
另一方面，较佳地，本发明实施例所述蒸发源装置还包括保温层，与冷却结构与热源结构相组合构成的组合结构接触连接，且围绕该组合结构设置，用于实现加热源对蒸发容器加热过程中的保温，有效防止热量的耗散以及防止热能出现不必要的损失。
以下以蒸发源装置应用于蒸发镀膜工艺的蒸镀设备中，所述蒸发容器为坩埚为例，结合图3至图6对本发明所述蒸发源装置的具体实施结构进行详细描述。
实施例一
图3为本发明第一实施例所述蒸发源装置的结构示意图。参阅图3，第一实施例中，所述蒸发源装置包括导热体10和加热源20。
其中，导热体10包括用于放置坩埚(蒸发容器)100的第一容纳空间，加热源20在第一容纳空间的外围围绕坩埚100设置。
本发明第一实施例中，加热源20与导热体10的外表面直接接触连接，且在坩埚100的整个外围空间围绕坩埚100设置。
本发明第一实施例中，导热体10具体包括第一结构部分11和第二结构部分12，其中第二结构部分12形成为内部中空的筒状结构，第一结构部分11包括多个相互平行且间隔设置的导热片111，每一导热片111连接设置在第二结构部分12的内壁上，且与第二结构部分12的内壁相垂直，围绕预定空间均匀分布，其中该预定空间即形成为用于放置坩埚100的第一容纳空间。
如图3所示，当坩埚100设置于第一结构部分11所组合构成的第一容纳空间内时，第一结构部分11的每一导热片111与坩埚100相抵接，且较佳地，导热片111与坩埚100相接触的位置点均匀分布在坩埚100的外表面，这样当加热源20围绕第二结构部分12的外表面设置，且与第二结构部分12的外表面接触连接时，利用第二结构部分12和第一结构部分11在坩埚100外围均匀分布的结构，使加热源20的热量能够均匀传导至坩埚100上，使得坩埚100能够整体受热均匀，提高坩埚的整体受热均一性，避免出现现有技术的坩埚整体受热不均，靠近加热丝的坩埚部分升温较快，远离加热丝的坩埚部分升温较慢，加热工艺控制不好，易造成坩埚内材料局部受热过高，出现材料变质或者喷发的问题。
此外，本发明实施例中，加热源20可以形成为加热丝结构，具体可以采用一条加热丝螺旋环绕或者多条加热丝相互平行或者两者组合的方式围绕第二结构部分12的外表面设置。
进一步，如图3所示，本发明第一实施例所述蒸发源装置还包括冷却结构30和设置在冷却结构30外围的保温层40。利用冷却结构30的设置，能够使加热坩埚100的加热温度冷却至预设温度，或者达到控制加热后坩埚100的冷却速率的效果。利用保温层40的设置，用于实现加热源20对坩埚100加热过程中的保温，有效防止热量的耗散以及防止热能出现不必要的损失。
冷却结构30可以采用冷却介质为气体或液体的方式进行，具体地，如图3所示，冷却结构30包括基体31及设置在基体31中的多条相互连通、用于通入冷却介质的第一循环通道(图中未显示)。本实施例中，基体31与加热源20接触连接，且第一循环通道围绕加热源20均匀分散设置，以实现对整个加热源20的均匀冷却。
保温层40在冷却结构30的基体31外围设置，与基体31相接触连接。具体地，保温层40还包括环绕基体31设置的第一保温层41，形成为中空、且上下开口的筒体结构；以及包括位于第一保温层41的底面的第二保温层42，使第一保温层41所形成筒体结构的底面密封，第二保温层42与第一保温层41组合围设成具有一开口的第二容纳空间，包括上述冷却结构与热源结构的组合结构设置于该第二容纳空间内。
实施例二
图4为本发明第二实施例所述蒸发源装置的结构示意图。参阅图4，与第一实施例相同，蒸发源装置包括导热体10和加热源20。
其中，导热体10包括用于放置坩埚100的第一容纳空间，加热源20在第一容纳空间的外围围绕坩埚100设置。
本发明第二实施例中，加热源20为嵌设在导热体10的内部。通过该种设置方式，使加热源20的加热过程更加便利，且使加热源20上的热量更加有效地传导至导热体10上，以使得更多的热量通过导热体10传导至坩埚100。
本发明第二实施例与第一实施例相同，导热体10具体包括第一结构部分11和第二结构部分12，其中第二结构部分12形成为内部中空的筒状结构，第一结构部分11包括多个相互平行且间隔设置的导热片111，每一导热片111连接设置在第二结构部分12的内壁上，且与第二结构部分12的内壁相垂直，围绕预定空间均匀分布，其中该预定空间即形成为用于放置坩埚100的第一容纳空间。
如图4所示，当坩埚100设置于第一结构部分11所组合构成的第一容纳空间内时，第一结构部分11的每一导热片111与坩埚100相抵接，且较佳地，导热片111与坩埚100相接触的位置点均匀分布在坩埚100的外表面，这样当加热源20围绕第二结构部分12的外表面设置，且与第二结构部分12的外表面接触连接时，利用第二结构部分12和第一结构部分11在坩埚100外围均匀分布的结构，使加热源20的热量能够均匀传导至坩埚100上，使得坩埚100能够整体受热均匀，提高坩埚的整体受热均一性，避免出现现有技术的坩埚整体受热不均，靠近加热丝的坩埚部分升温较快，远离加热丝的坩埚部分升温较慢，加热工艺控制不好，易造成坩埚内材料局部受热过高，出现材料变质或者喷发的问题。
在导热体10具有上述结构的基础上，如图4所示加热源20分布设置于第二结构部分12的内部，且较佳地围绕坩埚100的外围均匀分布，当然也可以延伸至第一结构部分11的每一导热片111中。具体地，加热源20可以形成为加热丝结构，设置于第二结构部分12内部的加热丝，可以采用一条加热丝螺旋环绕或者多条加热丝相互平行或者两者组合的方式围绕坩埚100外围分布设置。
进一步，在该实施例中，加热源20的设置结构，除可以为如图4所示嵌设于导热体10内的结构形式外，也可以形成为第一实施例与第二实施例相组合的结构，也即其中一部分的加热源20嵌设于导热体10的内部，另一部分的加热源20在导热体10的外表面围绕导热体10设置，两部分可以分别单独控制，也可以统一控制。
此外，第二实施例所述蒸发源装置还可以包括冷却结构30和保温层40，且冷却结构30与保温层40的结构分别与第一实施例相同，具体结构可以参阅以上第一实施例中的描述，在此不再赘述。
实施例三
图5为本发明第三实施例所述蒸发源装置的结构示意图。参阅图5，与第一实施例相同，蒸发源装置包括导热体10和加热源20。
其中，导热体10包括用于放置坩埚100的第一容纳空间，加热源20在第一容纳空间的外围围绕坩埚100设置。
第三实施例中，导热体10形成为内部中空的筒状结构，其中内部中空的部分形成为用于放置坩埚100的第一容纳空间，根据图5，当坩埚100放置于导热体10内部中空部分所形成的第一容纳空间中时，导热体10内壁的整个壁面与坩埚100的外表面接触连接。相较于第一实施例导热体10所形成的导热片111与坩埚100分散接触的形式，第三实施例中导热体10与坩埚100接触的面积相较于第一实施例增大，从而能够将设置于导热体10外围的加热源20上的热量有效传导至坩埚100上，以便于热量的有效、及时传导。
本发明第三实施例中，加热源20与导热体10的外表面直接接触连接，且在坩埚100的整个外围空间围绕坩埚100设置。具体地，加热源20可以形成为加热丝结构，采用一条加热丝螺旋环绕或者多条加热丝相互平行或者两者组合的方式在导热体10的外表面围绕导热体10设置。
当然，在导热体10形成为图5所示结构形式时，除可以将加热源20设置为如图5所示，在导热体10的外表面围绕导热体10的结构外，也可以形成为嵌设于导热体10内部的结构，或者为其中一部分的加热源20嵌设于导热体10的内部，另一部分的加热源20在导热体10的外表面围绕导热体10设置的组合结构。
另外如图5所示，与第一实施例和第二实施例相同，第三实施例所述蒸发源装置还可以包括冷却结构30和保温层40，且冷却结构30与保温层40的结构分别与上述实施例相同，在此不再赘述。
实施例四
图6为本发明第四实施例所述蒸发源装置的结构示意图。参阅图6，与上述实施例相同，蒸发源装置包括导热体10、加热源20、冷却结构30和保温层40，其中冷却结构30与导热体10、加热源20组合为一整体，形成为一组合结构，保温层40围绕该组合结构设置。
具体地，根据图6，导热体10的具体结构与第一实施例相同，包括第一结构部分11和第二结构部分12，其中第一结构部分11包括多个相互平行且间隔设置的导热片111，每一导热片111连接设置在第二结构部分12的内壁上，且与第二结构部分12的内壁相垂直，围绕预定空间均匀分布，其中该预定空间即形成为用于放置坩埚100的第一容纳空间。
其中，加热源20和冷却结构30分别嵌设于第二结构部分12内，且环绕第一容纳空间设置。当然，当导热片111的厚度足够时，加热源20和冷却结构30也可以分别延伸设置于各导热片111内。本发明实施例通过该种将加热源20和冷却结构30嵌设于导热体10内部的结构形式，能够保证通过导热体10将加热源20的热量有效传导至坩埚100上，以及通过冷却结构30对加热后或加热中坩埚100的有效冷却。
基于上述冷却结构30与导热体10、加热源20组合的结构，保温层40设置于导热体10的外表面，与导热体10的外表面贴合连接，且围绕导热体10的外表面设置，以达到保温效果。
本发明第四实施例中，其中加热源20、冷却结构30和保温层40的具体实施结构与第一实施例相同，在此不再详细描述。
另一方面，上述冷却结构30与导热体10、加热源20组合所构成的组合结构中，导热体10不限于采用图6所示结构形式，当然也可以形成为图5所示的结构形式，在此不再赘述。
本发明上述第一至第四实施例的蒸发源装置，在应用于显示器的薄膜制作工艺时，能够对坩埚进行均匀加热，提高坩埚整体受热的均一性，并有效防止热量的耗散、减少能量的消耗，避免出现现有技术坩埚内加热材料局部受热过高、材料变质或者喷发的现象，以保证成膜质量。
本发明具体实施例另一方面还提供一种包括如上第一至第四实施例的其中一种实施例所述蒸发源装置的蒸镀设备，本领域技术人员应该能够了解采用上述结构的蒸发源装置时，蒸镀设备的具体结构构成，在此不再详细描述。以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种蒸发源装置，其特征在于，包括：
热源结构，包括加热源和导热体，其中所述导热体与放置蒸发材料的蒸发容器接触连接，所述加热源围绕所述蒸发容器设置，且通过所述导热体的热传导，所述加热源的热量传导至所述蒸发容器上，为所述蒸发容器加热；
所述蒸发源装置还包括用于对加热中或加热后所述蒸发容器冷却的冷却结构，所述冷却结构与所述热源结构相组合构成一组合结构；
所述冷却结构包括基体及设置在所述基体中的多条相互连通、用于通入冷却介质的第一循环通道，其中所述基体与所述热源结构接触连接，且围绕所述热源结构设置；或者
所述冷却结构包括设置在所述导热体中的多条相互连通、用于通入冷却介质的第二循环通道。
2.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，所述导热体包括用于放置所述蒸发容器的第一容纳空间，所述加热源在所述第一容纳空间的外围围绕所述蒸发容器设置。
3.如权利要求2所述的蒸发源装置，其特征在于，所述加热源与所述导热体的外表面接触连接。
4.如权利要求2所述的蒸发源装置，其特征在于，所述加热源嵌设在所述导热体的内部。
5.如权利要求2所述的蒸发源装置，其特征在于，所述导热体形成为内部中空的筒状结构，其中内部中空的部分形成为所述第一容纳空间。
6.如权利要求2所述的蒸发源装置，其特征在于，所述导热体包括第一结构部分，所述第一结构部分包括多个相互平行且间隔设置的导热片，且多个所述导热片围绕一预定空间均匀分布，所述预定空间形成为所述第一容纳空间。
7.如权利要求6所述的蒸发源装置，其特征在于，所述导热体还包括第二结构部分，形成为内部中空的筒状结构，每一所述导热片连接设置在所述第二结构部分的内壁上。
8.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，所述蒸发源装置还包括保温层，与所述组合结构接触连接，且在所述组合结构的外围设置。
9.如权利要求8所述的蒸发源装置，其特征在于，所述保温层包括环绕所述组合结构设置的第一保温层以及位于所述第一保温层的底面的第二保温层，其中所述第二保温层与所述第一保温层组合围设成具有一开口的第二容纳空间，所述组合结构设置在所述第二容纳空间中。
10.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的蒸发源装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107190237A (zh) * 2017-06-26 2017-09-22 深圳市华星光电技术有限公司 蒸发源加热系统
CN108130513B (zh) * 2017-12-14 2019-11-19 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀装置及蒸镀方法
CN108239749A (zh) * 2018-01-26 2018-07-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀机
KR102157476B1 (ko) * 2018-02-14 2020-09-21 (주)알파플러스 진공 증발원용 히터 및 절연체 어셈블리
CN113373412B (zh) * 2021-06-16 2023-10-13 Tcl华星光电技术有限公司 蒸发源及蒸镀设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6871507B1 (en) * 2003-12-19 2005-03-29 Aaron Goldsmith Expansion valve metered control of water misters
CN102828236A (zh) * 2012-06-20 2012-12-19 合肥景坤新能源有限公司 单晶炉用自控式加热系统
CN103673596A (zh) * 2013-11-22 2014-03-26 江苏博迁新材料有限公司 一种半熔式坩埚加热装置
CN104078626A (zh) * 2014-07-22 2014-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 用于oled材料蒸镀的加热装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2767300A (en) * 1954-05-07 1956-10-16 Verter Walton G De Electrical soldering pot
US3155759A (en) * 1962-07-03 1964-11-03 Leslie H Marshall High temperature furnace
US3694165A (en) * 1970-08-11 1972-09-26 Monsanto Co Crucible apparatus for a semiconductor crystal puller
US3940589A (en) * 1971-12-08 1976-02-24 Tup! (Panama) S.A. Portable cooking equipment
US4581521A (en) * 1980-08-28 1986-04-08 Grise Frederick Gerard J Electrically heated pipe assembly
JPS62169321A (ja) * 1986-01-21 1987-07-25 Hitachi Ltd 真空蒸着用蒸発源
US5031229A (en) * 1989-09-13 1991-07-09 Chow Loren A Deposition heaters
US5883349A (en) * 1993-09-24 1999-03-16 Duquesne University Of The Holy Ghost Method and apparatus for microwave assisted chemical reactions
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
US6708864B2 (en) * 2001-06-15 2004-03-23 Lincoln Global, Inc. “S” shaped cast in wire
DE10316228B3 (de) * 2003-04-09 2004-12-16 Dr. Eberl Mbe-Komponenten Gmbh Effusionszelle mit verbesserter Temperaturkontrolle des Tiegels
US7342206B2 (en) * 2004-01-06 2008-03-11 Watlow Electric Manufacturing Company Tailored heat transfer layered heater system
CN101258375B (zh) * 2005-09-01 2012-05-23 日本坩埚株式会社 通电加热装置
DE102007035166B4 (de) * 2007-07-27 2010-07-29 Createc Fischer & Co. Gmbh Hochtemperatur-Verdampferzelle mit parallel geschalteten Heizbereichen, Verfahren zu deren Betrieb und deren Verwendung in Beschichtungsanlagen
DE102007042644A1 (de) * 2007-09-07 2009-03-12 Benecke-Kaliko Ag Elektrisch leitfähiges, flexibles Flächengebilde
US9410652B2 (en) * 2009-02-13 2016-08-09 Gates Corporation Heated fluid conduits, systems and methods
WO2011010394A1 (ja) * 2009-07-21 2011-01-27 トヨタ自動車株式会社 溶液法による単結晶成長用種結晶軸
JP5447206B2 (ja) * 2010-06-15 2014-03-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板
WO2012172764A1 (ja) * 2011-06-17 2012-12-20 パナソニック株式会社 光音響撮像システム、および光音響撮像装置
CN102778787B (zh) * 2012-07-09 2015-08-19 北京京东方光电科技有限公司 一种取向膜固化装置及其使用方法
US10100432B2 (en) * 2012-07-19 2018-10-16 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Apparatus for producing SiC single crystal and method for producing SiC single crystal
US20150332942A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Eng Sheng Peh Pedestal fluid-based thermal control

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6871507B1 (en) * 2003-12-19 2005-03-29 Aaron Goldsmith Expansion valve metered control of water misters
CN102828236A (zh) * 2012-06-20 2012-12-19 合肥景坤新能源有限公司 单晶炉用自控式加热系统
CN103673596A (zh) * 2013-11-22 2014-03-26 江苏博迁新材料有限公司 一种半熔式坩埚加热装置
CN104078626A (zh) * 2014-07-22 2014-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 用于oled材料蒸镀的加热装置

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