JP2012521494A - 原料供給ユニットと原料供給方法及び薄膜蒸着装置 - Google Patents
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 title claims abstract description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 61
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 31
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 19
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 13
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 11
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 25
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】原料物質が格納された炉と、前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む原料供給ユニット及び原料供給方法を提供する。
【解決手段】本発明は、高周波誘導加熱法と抵抗発熱加熱法を混用して原料物質を気化させて供給するので、大容量の原料物質を用いることができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易である。
【選択図】図2
【解決手段】本発明は、高周波誘導加熱法と抵抗発熱加熱法を混用して原料物質を気化させて供給するので、大容量の原料物質を用いることができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易である。
【選択図】図2
Description
本発明は、原料供給ユニットに関するものであって、より詳しくは原料物質を気化させ供給する原料供給ユニットと原料供給方法及び薄膜蒸着装置に関するものである。
太陽電池(Solar Cell)は、光起電効果を用いて光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体素子として、化石燃料の枯渇問題の台頭によって最近注目を浴びている。特に、CIGS(Copper Indium Galium Selenide)薄膜太陽電池やCdTe(Cadmium Telluride)太陽電池など化合物薄膜太陽電池は、比較的に生産工程が簡単で生産費が安く、光変換効率を既存の太陽電池と同様の水準まで得ることができて次世代太陽電池として注目を浴びている。
また、有機発光素子(Organic Light Emiited Diode:OLED)は、液晶表示装置とは異なり自体発光が可能であるためバックライトが不要で消費電力が低い。また、視野角が広くて応答速度が速いため、これを用いた表示装置は、視野角及び残像の問題が無い優れた画像を具現できる。
一方、太陽電池及び有機発光素子の製造の際に使用される無機薄膜及び金属薄膜は、太陽電池の光吸収/透過層及び電極として使用されるか有機発光素子の電子注入層(Electron Injection Layer:EIL)または電極(cathode)として使用される。この無機薄膜及び金属薄膜は、抵抗加熱式真空蒸着法、スパッタリング法、CVD法、高周波誘導加熱法などの工程を介して製作することができ、この工程を選択的に採用して無機薄膜及び金属薄膜を形成することが普通である。
しかし、従来の製作方法である抵抗加熱式真空蒸着法は、原料物質の投入容量に限界があって生産性が低くて、工程方向が上向き式に限られており、基板の面積が大きくなるほど基板のたるみ現象が著しくなる短所が有る。また、スパッタリング法は、エネルギーが大きいことから有機発光素子の製造の際に下層の有機薄膜が損傷を受け素子特性が低下される恐れがあって、化合物薄膜太陽電池など太陽電池素子の製作の際に幾つの材料の同時蒸着が困難であるため幾つの材料の混合蒸着を介する太陽電池素子の特性改善が困難である。また、高周波誘導加熱法の場合には、大容量の原料物質を用いて生産性を改善することができるが、原料物質の気化密度が均一にならず気化品質が悪く薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が困難である短所がある。
本発明は、上述の問題を解決するために提案されたことであって、大容量の原料物質を使用することができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易に行われるようにした原料供給ユニットと原料供給方法及び薄膜蒸着装置を提供する。
また、本発明は、原料供給ユニットを介する蒸着方向が特定方向に限らず基板の大面積化による基板のたるみ現象を克服できるようにした原料供給ユニットと原料供給方法及び薄膜蒸着装置を提供する。
本発明の一側面による原料供給ユニットは、原料物質が格納された炉と、
前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む。
前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む。
前記高周波コイル部は、前記炉の外側を囲むコイル状の導電体管と、前記導電体管の内部を循環する冷却媒体と、を含むことが好ましい。
前記導電体管は、銅材質で形成されることが好ましい。
前記インジェクターは、前記炉から気化された原料物質が流動するように本体内部に形成された連通流路及び前記連通流路と接続されて本体外部へ開口された複数の噴射口を含むことが好ましい。
前記噴射口は、所定長さに突出された噴射ノズル状に形成されることが好ましい。
前記抵抗式発熱部は、インジェクターの外側領域全体またはインジェクターの外側領域の中、一部を囲むように形成されることが好ましい。
前記抵抗式発熱部の外側に冷却部材が設けられることが好ましい。
前記冷却部材は、インジェクターの外側領域全体またはインジェクターの外側領域の中、一部を囲むように形成されることが好ましい。
本発明の他の側面による原料供給方法は、炉に原料物質を充填するステップと、前記炉に入った原料物質を高周波誘導加熱を介して気化させるステップと、前記炉と接続されるインジェクターを介して流動する原料物質を抵抗式発熱加熱を介してさらに気化させるステップと、を含む。
前記の原料供給方法は、前記抵抗式発熱加熱を介して気化された原料物質を線状または面状に基板上に噴射するステップをさらに含むことが好ましい。
前記高周波誘導加熱ステップ及び前記抵抗式発熱加熱ステップにおいて、前記原料物質が供給される外側空間を冷却することが好ましい。
本発明のまた他の側面による薄膜蒸着装置は、チャンバーと、前記チャンバー内に設けて基板を支持する基板支持部と、前記基板と対向配置されて基板に原料物質を供給する原料供給部と、を含めて、前記原料供給部は、原料物質を高周波誘導加熱で1次気化させる第1気化部と、前記第1気化部を介して気化された原料物質を抵抗式発熱加熱で2次気化させる第2気化部と、を含む。
前記第1気化部は、原料物質が格納された炉及び前記炉の外側を囲むように設けた高周波コイル部を含むことが好ましい。
前記高周波コイル部は、前記炉の外側を囲むコイル形状の導電体管と、前記導電体管の内部を循環する冷却媒体と、を含むことが好ましい。
前記第2気化部は、気化された原料物質を噴射するインジェクター及び前記インジェクターの外側に設けた抵抗式発熱部と、を含むことが好ましい。
前記抵抗式発熱部の外側に冷却部材が設けられることが好ましい。
本発明は、高周波誘導加熱法と抵抗発熱加熱法を混用して原料物質を気化させて供給するので、大容量の原料物質を用いることができて、薄膜厚さ及び薄膜品質の制御が容易である。
また、本発明は、原料供給ユニットを介する蒸着方向が特定方向に限定されないので、基板の面積に応じて最も適合の方向を選択して工程を進行することができる。従って、大面積基板を使用する場合にも蒸着方向を下向き式に構成することから基板のたるみ現象を克服できるため基板上に高品質の薄膜を均一の厚さに形成することができる。
以後、添付の図面を参照して、本発明による実施例をより詳しく説明する。しかし本発明は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく互いに異なる多様な形態に具現され、ただ本実施例は本発明の開示が完全であるようにし、通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。図面上の同一符号は、同じ要素を示す。
図1は、本発明の実施例による原料供給ユニットを具備した薄膜蒸着装置の模式図で、図2は、本発明の実施例よる原料供給ユニットの斜視図である。図3は、図2に示す原料供給ユニットをY軸に沿って切り取った断面図であって、図4は、図2に示す原料供給ユニットをX軸に沿って切り取った断面図である。ここで、図3及び図4は、図2に示す原料供給ユニットからハウジングを除き概略的な断面を示した。
図1〜図4を参照すると、薄膜蒸着装置は、チャンバー100と、前記チャンバー100内に設けて基板Gを支持する基板支持部410と、前記基板Gと対向配置されて基板Gに原料物質を供給する原料供給ユニット500及び前記基板支持部410と前記原料供給ユニット500相互間の相対的移動のための基板移動部材420を含む。また、前記の薄膜蒸着装置は、前記基板支持部410上に支持された基板Gを所定温度に加熱する基板加熱部材430をさらに含めてもよい。
チャンバー100は、中が空いている円筒状または矩形ボックス状に製作されて、内部には基板Gを処理できる所定の反応空間が設けられる。前記チャンバー100の形状は、これに限定されず、基板Gの現状に対応される多様な形状を有するように製作されることができる。例えば、本実施例ではチャンバー100を四角形状のガラス基板Gに対応するように矩形ボックス状に形成した。チャンバー100の一側壁には、基板Gの引込み及び引出すためのゲート200が形成されて、チャンバー100の下部壁には、真空形成及び内部排気のための排気部300が形成される。ここで、ゲート200は、スリット弁(slit valve)で構成されてもよく、排気部300は、真空ポンプで構成されてもよい。一方、上述ではチャンバー100を一体型にして説明したが、チャンバー100を上部が開放された下部チャンバーと、下部チャンバーの上部を覆うチャンバー蓋(lid)に分けて構成できることは勿論である。
基板支持部410は、チャンバー100内の下側空間に設けられ、チャンバー100内に引込めた基板Gを支持する。この際、基板Gが安着される基板支持部410の一面すなわち、上面には安着された基板Gを固定するための手段例えば、機械力、真空吸入力及び静電力などを用いて基板Gを引き止める多様なチャック(chuck)手段が設けられるか、クランプ(clamp)などのようなホルダ手段が設けられることが好ましい。また、示されていないが、前記基板支持部410の上部には基板Gの縁部に薄膜が形成されることを防止するかまたは基板に形成される薄膜が所定のパターンを有するように作用するシャドーマスク(shadow mask)が配置されてもよい。勿論、前記のシャドーマスクは、基板支持部410とは別度にチャンバー100の内側の側壁に支持されるように設けられてもよい。
前記基板支持部410の下部には、基板支持部410を垂直移送、水平移送及び回転させるための基板移動部材420が設けられる。例えば、本実施例による基板移動部材420は、コンベヤーベルト421及び前記コンベヤーベルト421の左右移動を制御する駆動輪422を具備し、前記コンベヤーベルト421の上面に支持された基板支持部410を左右に往復移動させる。この際、チャンバー100内には、一つの基板支持部410が設けているが、これに限定されず、チャンバー100内には複数の基板支持部が設けられてもよい。また、前記基板支持部410上には、一つの基板Gが安着されているが、これに限定されず、一つの基板支持部410上には複数の基板が安着されてもよいことは勿論である。
一方、基板移動部材420の下部には、基板支持部410に安着された基板Gを所定温度に加熱するための基板加熱部材430が設けられることが好ましい。前記の基板加熱部材430は、基板支持部410に安着された基板Gに所定の熱を加えて基板Gの上部に蒸着される蒸着物質との反応性を向上する役割を果たし、抵抗発熱ヒーター、ランプヒーターなどの多様な加熱手段で構成されることができる。
原料供給ユニット500は、基板支持部410によって支持された基板Gに対向するようにチャンバー100内の上部に設けられて基板Gに気化された原料物質を供給する役割を果たす。この原料供給ユニット500は、少なくとも一つ以上の個数510、520、530で設けられて、複数の原料供給ユニット510、520、530は同じ間隔で離隔されて同じ水平面または同じ垂直面上に配置されることができる。
各々の原料供給ユニット510、520、530は、原料物質Sが格納される炉511と、前記炉511と連通されて炉511で気化された原料物質を噴射するインジェクター(injector)512と、前記炉511と前記インジェクター512を所定温度に加熱する加熱部513、514及びこれを囲んで収容するハウジング600を含む。特に、上述の加熱部513、514は、炉511の外側を囲むように設けられた高周波コイル部513と前記インジェクター512の外側に設けられた抵抗式発熱部514を含む。この際、炉511と高周波コイル部513は、原料物質を高周波誘導加熱で1次気化させる第1気化部を構成して、インジェクター512及び抵抗式発熱部514は前記第1気化部を介して気化された原料物質を抵抗式発熱加熱で2次気化させる第2気化部を構成する。
炉511は、一側が開放されたボックス状または円筒状に製作され、炉511の内部には基板G上に蒸着させる薄膜の原料物質Sを満たす。例えば、本実施例は、基板G上に無機薄膜が形成されるように粉末状の無機原料を満たす。インジェクター512は、炉511の一側で水平方向に延長されて所定の長さを有するバー(bar)状に製作される。勿論、前記のインジェクター512は、工程方向に沿って垂直方向または傾斜方向に延長されるように形成されてもよく、バー(bar)状と同様の線型(line−type)噴射方式が点型(point−type)噴射方式または面型(plane−type)噴射方式で構成されてもよい。このインジェクター512の本体内部には、炉511で気化された原料物質Sが流入される連通流路512aが形成されて、本体外面には前記連通流路512aから延長されて外側に開口された複数の噴射口512bが形成される。この際、噴射口512bの形成位置及び形成個数は、気化された原料物質Sが基板Gが位置された方向にだけ噴射されるように制御されることが好ましい。また、噴射口512bは、インジェクター512の本体から外側に所定長さに突出された噴射ノズル状に形成されてもよい。よって、炉511で気化された原料物質Sは、インジェクター512の連通流路512aを経てインジェクター512の噴射口512bを介して基板G上部に均一に噴射される。
高周波コイル部513は、炉511の外側を囲むコイル状の導電体管513a及び前記導電体管513aの内部を循環する冷却媒体513bを含む。この際、導電体管513aとしては導電性がよい銅管を用いてもよく、冷却媒体513bとしては水を用いてもよい。前記冷却媒体513bは、高周波が印加される導電体管513aの内部を循環しつつ導電体管513bが過熱されることを防止すると共に導電体管513bの外側に熱が発散されてチャンバー100内部の工程環境が変動されることを防止する。
抵抗式発熱部514は、噴射口512bが形成されていないインジェクター512の外側領域全体または一部を囲むように形成される。この抵抗式発熱部514は、高周波コイル部513によって加熱された炉511で気化されてインジェクター512の連通流路512bに流動された原料物質Sをさらに加熱(2次気化)する役割を果たす。これを介して連通流路512bに沿って流動される原料物質Sの気化状態をそのまま維持させることができて、気化密度及び気化品質をさらに向上することができる。一方、抵抗式発熱部514によってチャンバー100内部の工程環境が変動されることを防止するように抵抗式発熱部514の外側には冷却部材515が設けられることが好ましい。例えば、本実施例は、抵抗式発熱部514の外側に冷却水515bが循環される冷却管515aが設けられる。
ハウジング600は、炉511及び高周波コイル部513の外側を囲んで収容する第1ハウジング610と、インジェクター512、抵抗式発熱部514及び冷却部材515の外側を囲んで収容する第2ハウジング620とを含む。前記第2ハウジング620は、インジェクター512の噴射口512bが形成された方向が開放された電灯の傘状に製作され、気化されて噴射された原料物質Sを基板Gが位置された所定方向に供給されることに差し支えないようにする。
このように構成された原料供給ユニット500は、大容量原料の気化が容易な高周波誘導加熱方式と気化された原料の品質制御が容易な抵抗式発熱加熱方式の長所をすべて備えているので、頻繁な原料交替による工程中断なしに高品質の薄膜を素早く連続的に形成することができる。
一方、前記の原料供給ユニット500を具備した薄膜蒸着装置の動作過程を図1〜図4を参照して簡略に説明すると以下のようである。
まず、チャンバー100内部に基板Gが搬入されて基板支持部410上に安着されると、基板加熱部材430が作動して基板Gを所定の工程温度に加熱する。以後、基板移動部材420が基板Gを左右に往復移動させて、各々の原料供給部510、520、530は基板Gの上面に気化状態の原料物質Sを噴射する。各々の原料供給ユニット500では、高周波コイル部513によって炉511が所定温度に加熱されて、これによって炉511内部の原料物質Sが1次に気化される。気化された原料物質Sは、炉511と接続されたインジェクター512内部の連通流路512aに沿って流動する。この際、連通流路512aに沿って流動する原料物質Sは、インジェクター512の外側に設けられた抵抗式発熱部514から提供された熱によって2次に気化されるため気化密度はより均一になって、気化品質がより向上される。従って、インジェクター512の噴射口512bを介して気化密度が均一で優れた気化品質の原料物質が噴射されて基板G上に高品質の薄膜を均一な厚さに形成することができる。
このように、本発明の実施例による原料供給ユニット500は、高周波誘導加熱方式で炉511の原料物質を1次に気化させて、抵抗式発熱加熱方式で炉で気化されてインジェクター512の内部へ流動する原料物質を2次に気化させた後、これを基板G上に噴射させる。よって、高周波誘導加熱方式の長所、すなわち、大容量原料を素早く気化させることができるので、頻繁な原料交替による工程中断及び気化遅延に従う工程遅延を避けることができる。また、抵抗式発熱加熱方式の長所である均一な気化品質を維持することができるので、薄膜厚さの調節が容易で高品質の薄膜を形成することができる。
一方、本発明の実施例による原料供給ユニット500は、基板Gの上部において原料物質を供給する下向き式に構成される。これによって、基板支持部410の上面に基板Gの下面全体が安定的に支持されることができるので、大面積の基板Gを用いても基板Gのたるみ現象がほぼ生じられない。勿論、本発明は、原料供給ユニット500の設置位置が制限されないので、工程方向が上述の下向き式構成と限定されない。すなわち、図5に示すように原料供給ユニット500は、基板Gの下部で原料物質を供給する上向き式に構成されてもよくて、図6に示すように垂直状態に配置された基板Gの側面から原料物質を供給する側面式に構成されてもよい。ここで、図5及び図6は、本発明の実施例による原料供給ユニットの工程方向を説明するための模式図である。
このように、本発明の実施例による原料供給ユニット500を具備する薄膜蒸着装置は、蒸着方向の制限が少ないので、使用される基板の特性に応じて適合の工程方向を自由に選択できるという長所がある。
以上、本発明に対して上述の実施例及び添付された図面を参照して説明したが、本発明は、これに限定されず、後述される特許請求範囲により限定される。よって、本技術分野の通常の知識を持つ者であれば後述される特許請求範囲の技術的思想から外さない範囲内で本発明が多様に変形及び修正できるということがわかるだろう。
100:チャンバー
410:基板支持部
420:基板移動部材
430:基板加熱部材
500:原料供給ユニット
511:炉
512:インジェクター
513:高周波コイル部
514:抵抗式発熱部
515:冷却部材
600:ハウジング
G:基板
S:原料物質
410:基板支持部
420:基板移動部材
430:基板加熱部材
500:原料供給ユニット
511:炉
512:インジェクター
513:高周波コイル部
514:抵抗式発熱部
515:冷却部材
600:ハウジング
G:基板
S:原料物質
Claims (16)
- 原料物質が格納される炉と、
前記炉と連通されて前記炉で気化された原料物質を噴射するインジェクターと、
前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、
前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む原料供給ユニット。 - 前記高周波コイル部は、
前記炉の外側を囲むコイル状の導電体管と、
前記導電体管の内部を循環する冷却媒体と、を含む請求項1に記載の原料供給ユニット。 - 前記導電体管は、銅材質で形成された請求項2に記載の原料供給ユニット。
- 前記インジェクターは、
前記炉で気化された原料物質が流動するように本体内部に形成された連通流路と、
前記連通流路と接続されて本体外部に開口された複数の噴射口と、を含む請求項1に記載の原料供給ユニット。 - 前記インジェクターは、
前記炉で気化された原料物質が流動するように本体内部に形成された連通流路と、
前記連通流路と接続されて本体外部に開口された複数の噴射口と、を含み、
前記噴射口は、所定長さに突出された噴射ノズル状に形成された請求項1に記載の原料供給ユニット。 - 前記抵抗式発熱部は、インジェクターの外側領域全体またはインジェクターの外側領域のうち一部を囲むように形成された請求項1に記載の原料供給ユニット。
- 前記抵抗式発熱部の外側には、冷却部材が設けられる請求項1に記載の原料供給ユニット。
- 前記冷却部材は、インジェクターの外側領域全体またはインジェクターの外側領域のうち一部を囲むように形成された請求項7に記載の原料供給ユニット。
- 炉に原料物質を充填するステップと、
前記炉に入っている原料物質を高周波誘導加熱を介して気化させるステップと、
前記炉と接続されたインジェクターを介して流動する原料物質を抵抗式発熱加熱を介してさらに気化させるステップと、を含む原料供給方法。 - 前記抵抗式発熱加熱を介して気化された原料物質を線状または面状で基板上に噴射するステップを含む請求項9に記載の原料供給方法。
- 前記高周波誘導加熱ステップ及び前記抵抗式発熱加熱ステップにおいて、
前記原料物質が供給される外側空間を冷却するステップを含む請求項9に記載の原料供給方法。 - チャンバーと、
前記チャンバー内に設けられて基板を支持する基板支持部と、
前記基板と対向は配置されて基板に原料物質を供給する原料供給部と、を含み、
前記原料供給部は、
原料物質を高周波誘導加熱で1次気化させる第1気化部と、
前記第1気化部を介して気化された原料物質を抵抗式発熱加熱で2次気化させる第2気化部と、を含む薄膜蒸着装置。 - 前記第1気化部は、
原料物質が格納された炉と、
前記炉の外側を囲むように設けられた高周波コイル部と、を含む請求項12に記載の薄膜蒸着装置。 - 前記高周波コイル部は、
前記炉の外側を囲むコイル状の導電体管と、
前記導電体管の内部を循環する冷却媒体と、を含む請求項13に記載の薄膜蒸着装置。 - 前記第2気化部は、
気化された原料物質を噴射するインジェクターと、
前記インジェクターの外側に設けられた抵抗式発熱部と、を含む請求項12に記載の薄膜蒸着装置。 - 前記抵抗式発熱部の外側には、冷却部材が設けられる請求項15に記載の薄膜蒸着装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090025893A KR100952313B1 (ko) | 2009-03-26 | 2009-03-26 | 원료 공급 유닛과 원료 공급 방법 및 박막 증착 장치 |
KR10-2009-0025893 | 2009-03-26 | ||
PCT/KR2010/001849 WO2010110615A2 (en) | 2009-03-26 | 2010-03-26 | Source supplying unit, method for supplying source, and thin film depositing apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012521494A true JP2012521494A (ja) | 2012-09-13 |
Family
ID=42219780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012501940A Withdrawn JP2012521494A (ja) | 2009-03-26 | 2010-03-26 | 原料供給ユニットと原料供給方法及び薄膜蒸着装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120090546A1 (ja) |
EP (1) | EP2412005A4 (ja) |
JP (1) | JP2012521494A (ja) |
KR (1) | KR100952313B1 (ja) |
CN (1) | CN102365711A (ja) |
WO (1) | WO2010110615A2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101679222B1 (ko) * | 2010-04-21 | 2016-11-24 | 주성엔지니어링(주) | 인젝터 어셈블리 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
KR101207719B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2012-12-03 | 주식회사 포스코 | 건식 코팅 장치 |
KR101295725B1 (ko) * | 2011-10-11 | 2013-08-16 | 주식회사 아바코 | Cigs계 화합물 태양 전지의 광흡수층 제조 장치 및 제조 방법 |
KR102509630B1 (ko) * | 2021-03-23 | 2023-03-16 | (주)에스브이엠테크 | 수평형 고주파 유도가열 시스템 |
CN113351143A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-07 | 清华大学 | 反应器 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4854264A (en) * | 1986-12-10 | 1989-08-08 | Fuji Seiki Inc. | Vacuum evaporating apparatus |
JPH11229149A (ja) * | 1998-02-18 | 1999-08-24 | Nissin Electric Co Ltd | 液体原料気化成膜装置と液体原料気化成膜方法 |
JP2005154903A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Samsung Sdi Co Ltd | 蒸着膜形成方法及び蒸着膜形成装置 |
KR101121417B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2012-03-15 | 주성엔지니어링(주) | 표시소자의 제조장치 |
KR100761079B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 냉각수단을 갖는 증발원 및 이를 이용한 증착 장치 |
KR101214451B1 (ko) * | 2005-07-06 | 2012-12-21 | 주성엔지니어링(주) | 유기 박막 증착 장치 |
JP4974504B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、発光装置の作製方法 |
KR20080097505A (ko) * | 2007-05-02 | 2008-11-06 | 주성엔지니어링(주) | 박막 증착 장치 |
-
2009
- 2009-03-26 US US13/260,271 patent/US20120090546A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-26 KR KR1020090025893A patent/KR100952313B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-03-26 JP JP2012501940A patent/JP2012521494A/ja not_active Withdrawn
- 2010-03-26 WO PCT/KR2010/001849 patent/WO2010110615A2/en active Application Filing
- 2010-03-26 EP EP10756370.2A patent/EP2412005A4/en not_active Withdrawn
- 2010-03-26 CN CN2010800158284A patent/CN102365711A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120090546A1 (en) | 2012-04-19 |
EP2412005A2 (en) | 2012-02-01 |
WO2010110615A3 (en) | 2010-12-09 |
KR100952313B1 (ko) | 2010-04-09 |
WO2010110615A2 (en) | 2010-09-30 |
EP2412005A4 (en) | 2013-11-20 |
CN102365711A (zh) | 2012-02-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
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