WO2020111257A1 - 配線基板、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置 - Google Patents

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WO2020111257A1
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白崎　隆行
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/10—Containers or parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 

Definitions

  • the present disclosure relates to a wiring board, an electronic component mounting package, and an electronic device.
  • a modulation method is applied to an optical waveguide in order to perform high-speed and large-capacity communication.
  • An electrode for applying a DC bias for modulation has a comb-shaped structure (see Patent Document 1).
  • a wiring board of the present disclosure includes a dielectric board having a first surface, A pair of differential signal transmission lines that are located on the first surface of the dielectric substrate and perform differential signal transmission;
  • the pair of differential signal transmission lines includes a first transmission line having a first end and a second end, and a second transmission line having a third end and a fourth end,
  • the second end portion has a first connection region and a comb-teeth-shaped first region adjacent to the first connection region,
  • the fourth end portion is located opposite to the first connection region and is adjacent to the second connection region and a second connection region that is connected to the first connection region via an electronic component, and is adjacent to the second connection region.
  • a comb-teeth-shaped second region facing one region, The first region and the second region are located in mesh with each other with a space therebetween.
  • the electronic component mounting package of the present disclosure includes the wiring board described above, A substrate having a second surface, A pedestal protruding from the second surface of the base, The wiring board is arranged on the pedestal.
  • the electronic component mounting package of the present disclosure includes the wiring board described above, A substrate having a second surface, A heat sink located on the second surface of the substrate, The wiring board is arranged on the heat sink.
  • An electronic device includes the above electronic component mounting package, And an electronic component mounted on the wiring board.
  • FIG. 3 is a perspective view of an electronic component mounting package and an electronic device. It is a perspective view of a structure provided with a lid. It is a graph which shows a simulation result. It is a graph which shows a simulation result.
  • the wiring board 1 includes a dielectric substrate 2, a pair of differential signal transmission lines 3 and 4, a first ground wiring 5, and a second ground wiring 6. And a third ground wiring 7.
  • the dielectric substrate 2 is a substrate made of a dielectric material. On the first surface 2a of the dielectric substrate 2, a pair of differential signal transmission lines 3 and 4, a first ground wiring 5, a second ground wiring 6 and a third ground wiring 7 are provided.
  • the dielectric substrate 2 of the present embodiment has, for example, a rectangular plate shape.
  • the dielectric material include a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body or a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic. Materials can be used.
  • the pair of differential signal transmission lines 3 and 4 are provided on the first surface 2a of the dielectric substrate 2 and transmit differential signals.
  • the pair of differential signal transmission lines 3 and 4 includes a first transmission line 3 and a second transmission line 4, and a differential signal is transmitted through each. That is, the high frequency signal transmitted through the first transmission line 3 and the high frequency signal transmitted through the second transmission line 4 have opposite phases.
  • the first transmission line 3 has a first end 3a on one end side and a second end 3b on the other end side
  • the second transmission line 4 has one end. It has a third end 4a on the part side and a fourth end 4b on the other end side.
  • the first end portion 3a of the first transmission line 3 is located on one side (S1) side of the two opposite sides of the first surface 2a of the dielectric substrate 2, and the second transmission The third end 4a of the line 4 is located on the other side (S2) of the two opposite sides of the first surface 2a of the dielectric substrate 2.
  • the first transmission line 3 and the second transmission line 4 extend toward the center side of the first surface 2a of the dielectric substrate 2, respectively, and the second end 3b of the first transmission line 3 and the fourth end of the second transmission line 4 are formed.
  • the end 4b faces.
  • a first ground wiring 5 is provided along one side of the first transmission line 3 and a second ground wiring 6 along one side of the second transmission line 4. Is provided. Further, the third ground wiring 7 is provided along the other side of the first transmission line 3 and the other side of the second transmission line 4.
  • the first ground wiring 5 and the second ground wiring 6 reach one side (S3) of the other two facing sides of the first surface 2a of the dielectric substrate 2.
  • the third ground wiring 7 reaches one side (S4) of the other two sides of the first surface 2a of the dielectric substrate 2 which face each other.
  • the second end portion 3b and the fourth end portion 4b have a first connection region 30 and a second connection region 40, which are connected to each other via a semiconductor element (electronic component) described later.
  • the first connection region 30 and the second connection region 40 are located opposite to each other.
  • the connection region 30 of the second end 3b and the connection region 40 of the fourth end 4b may not be directly connected, but may be electrically connected via a semiconductor element therebetween. For example, when the semiconductor element has two connection terminals, one connection terminal is connected to the connection region 30 and the other terminal is connected to the connection region 40.
  • the second end 3 b has a first comb tooth region (first region) 31 adjacent to the connection region 30.
  • the first region 31 is a comb-shaped region facing the fourth end 4b of the second transmission line 4.
  • the first region 31 is a region including a plurality of comb teeth 31a.
  • the fourth end portion 4 b has a second comb tooth region (second region) 41 adjacent to the connection region 40.
  • the second region 41 is a region facing the second end 3b of the first transmission line 3, and is a comb-teeth-shaped region that is meshed with the first region 31 with a gap.
  • the second region 41 is a region including a plurality of comb teeth 41a.
  • connection regions 30 and 40 adjacent to the first region 31 and the second region 41 are connected via a semiconductor element, and the connection member such as a wire connecting the connection regions 30 and 40 and the semiconductor element is a reactance element. It becomes a component (L component). In this region, the characteristic impedance increases due to the increase of the reactance component.
  • the transmission lines such as the first transmission line 3 and the second transmission line 4 are designed so that the characteristic impedance is constant in the state where the semiconductor element is not connected. However, by connecting the semiconductor elements, the characteristic impedance locally increases, and the characteristic impedance mismatching deteriorates the transmission characteristic of the high-frequency signal.
  • the first region 31 and the second region 41 are provided so as to be meshed with each other with a constant space therebetween, and the capacitance component (C component) due to capacitive coupling is compared to other regions of the transmission line. ) Increases.
  • the increase of the C component due to the first region 31 and the second region 41 can reduce the characteristic impedance mismatch due to the connection of the semiconductor elements and reduce the deterioration of the transmission characteristic of the high frequency signal.
  • a fixed space is provided between the first area 31 and the second area 41 for electrical insulation.
  • the comb teeth 31a of the first region 31 and the comb teeth 41a of the second region 41 are the same in the meshed portions, that is, in the tooth portions adjacent to the surface direction of the first surface 2a (the direction along S1). It has become a length.
  • the comb teeth 31a in the first region 31 have the same length
  • the comb teeth 41a in the second region 41 also have the same length.
  • the shorter the length of the comb teeth the better the transmission characteristics in the high frequency band.
  • the transmission characteristic in a specific frequency region can be improved.
  • the length of the comb teeth is, for example, in the present embodiment, the dimension of the comb teeth in the direction along S3. That is, as shown in FIG. 1, the comb teeth 31a of the first region 31 are, in other words, a portion that is elongated and protrudes from S1 to S2. Therefore, the dimension of this protruding portion may be the length L31a of the comb teeth 31a of the first region 31.
  • the length L41a of the comb teeth 41a of the second region 41 may be defined similarly.
  • the first region 31 has the comb teeth 31as located closest to S4.
  • the comb teeth 31as include the other side of the first transmission line 3, and the length L31as of the comb teeth 31as is shorter than the length L31a of the comb teeth 31a.
  • the distance between the first connection area 30 and the second connection area is constant, but the distance may change.
  • the distance between the first connection region 30 and the second connection region can be set as appropriate according to the type and characteristics of the intervening electronic components.
  • the distance between the first region 31 and the second region 41 and the semiconductor element that is, the distance D1 between the first region 31 and the connection region 30 and the distance D2 between the second region 41 and the connection region 40 are the shorter ones. can do. That is, the distances D1 and D2 may be reduced.
  • the distances D1 and D2 may be ⁇ /4 or less, and further may be ⁇ /8. In this case, reflection of high frequency signals in the transmission line can be further reduced.
  • the length of the comb teeth may be ⁇ /4 or less, and may be ⁇ /8. In this case, reflection of high frequency signals in the transmission line can be further reduced.
  • the second embodiment is the same as the wiring board 1 of the first embodiment except that the configurations of the first region 31 and the second region 41 are different from those of the first embodiment. And the description is omitted.
  • the comb teeth 31a of the first comb teeth 31 and the comb teeth 41a of the second region 41 have the same comb teeth length, but in the present embodiment, as shown in FIG. , The lengths are different. As described above, by changing the comb tooth length in the first region 31 and the second region 41 depending on the relationship between the comb tooth length and the frequency of the transmission signal, the transmission characteristic in a wider band is improved. Is possible.
  • the length of the second comb tooth on the side closer to the connection region 30 is longer than the length of the first comb tooth on the side far from the connection region 30.
  • the length of the fourth comb tooth on the side closer to the connection region 40 is longer than the length of the third comb tooth on the side far from the connection region 40.
  • the comb teeth 31a of the first region 31 and the comb teeth 41a of the second region 41 are, for example, three or more, the comb teeth closest to the connection regions 30 and 40 and the comb teeth farthest from each other have the above-described relationship.
  • the comb teeth located between them may have the same length as any of these comb teeth, or may have a different length. In the case of different lengths, the length may be between the lengths of these comb teeth.
  • the comb tooth length Ls3 on the side S3 side and the comb tooth length on the side S4 side are provided.
  • the comb tooth length L described above may be, for example, the longer one of the lengths Ls3 and Ls4.
  • the third embodiment is the same as the wiring board 1 of the first embodiment except that the configurations of the first region 31 and the second region 41 are different from those of the first embodiment. And the description is omitted.
  • the tips of the comb teeth 31a and 41a in the first region 31 and the second region 41 are semicircular or R-shaped. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the tips of the comb teeth are semicircular. With such a tip shape, the distances from the center of the comb teeth to the contour line are equal at the tips of the comb teeth. For example, if the tip has a rectangular shape, the distance from the center of the comb teeth to the outline is longer in the corner portion than in other portions.
  • the distances from the center of the comb teeth to the outline are equal. Further, in the case of the R shape in which the corners of the tips of the comb teeth are rounded, the difference in distance is smaller than that in the rectangular shape.
  • the characteristic impedance may be mismatched locally and the transmission characteristics may deteriorate.
  • the tips of the comb teeth 31a and 41a are semicircular or rounded, it is possible to reduce the local mismatch of the characteristic impedances and the deterioration of the transmission characteristics.
  • the tip shape of the comb teeth may be a semi-circular shape or a rounded corner shape of at least one of the comb teeth 31a and 41a of the first area 31 and the second area 41. May have the shape, and the tips of all the comb teeth may have the shape.
  • the tip shape of the comb teeth shown in this embodiment can be applied not only to the first embodiment but also to the second embodiment.
  • Each of the pair of differential signal transmission lines 3 and 4, the first ground wiring 5, the second ground wiring 6 and the third ground wiring 7 is made of a metal material such as gold, silver, copper, nickel, tungsten, molybdenum and manganese. Consists of.
  • Each wiring may be formed by co-firing or metal-plating the surface layer of the dielectric substrate 2 in the form of a metallized layer, a plated layer, or the like.
  • each wiring is manufactured by processing a wire material of a metal material into a predetermined shape, and is connected to a plating layer provided on the surface layer of the dielectric substrate 2 through a bonding material such as a brazing material. Good.
  • each wiring is not limited to, for example, a metal material that can be co-fired with the dielectric substrate 2, but a metal alloy made of iron, nickel, cobalt, chromium, or the like is processed into a predetermined wiring shape, and What was joined to the plating layer provided in the surface layer with the brazing material can also be used.
  • the dielectric substrate 2 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, it can be manufactured as follows. First, raw material powders such as aluminum oxide and silicon oxide are molded into a sheet shape together with an appropriate organic binder and an organic solvent to produce a plurality of rectangular green sheet-shaped ceramic green sheets. Next, these ceramic green sheets are laminated to produce a laminated body. After that, the dielectric substrate 2 can be manufactured by firing this laminate at a temperature of 1300 to 1600°C. It should be noted that the ceramic green sheet does not necessarily have to be laminated in a plurality of layers, and may have only one layer as long as there is no problem in terms of mechanical strength as the dielectric substrate 2.
  • each wiring contains, for example, tungsten, and can be manufactured as follows.
  • a method such as a screen printing method is used so that a metal paste prepared by mixing tungsten powder with an organic solvent and an organic binder is formed into a predetermined pattern on the surface (main surface) of the ceramic green sheet to be the dielectric substrate 2.
  • the electronic component mounting package 10 includes the wiring board 1 and is a package for mounting an electronic component 21 such as an optical semiconductor element.
  • the electronic device 100 is a semiconductor device that receives and transmits an optical signal using an optical communication device, and includes an electronic component mounting package 10 and an electronic component 21 mounted on the electronic component mounting package 10. It
  • the electronic component mounting package 10 includes a plate-shaped base body 11, a pedestal 12 protruding from the second surface 11a on one side in the thickness direction of the base body 11, and a wiring located on the second surface 11a side of the base body 11.
  • substrate 1 and the heat sink 14 in which the wiring board 1 is located in the surface 14a are provided.
  • the base body 11 is plate-shaped and has a second surface 11a on one side in the thickness direction. Further, it has a through hole 11b penetrating in the thickness direction.
  • the base 11 has a function of dissipating the heat generated by the mounted electronic component 21 to the outside of the electronic component mounting package 10 and is electrically connected to an external ground wiring (reference potential wiring) to form an electronic component. It also has a function as a ground conductor of the mounting package 10.
  • the base 11 is made of a metal material having good thermal conductivity.
  • the metal material for example, a material having a thermal expansion coefficient close to that of the electronic component 21 mounted on the electronic device 100 or the connection board 16 made of ceramics or a material having a low cost, for example, Fe—Ni—Co alloy or Fe—Mn alloy is used. Metals such as iron-based alloys and pure iron are selected. More specifically, there is an SPC (Steel Plate Cold) material of Fe 99.6 mass%-Mn 0.4 mass% system.
  • the base 11 is made of SPC material
  • the ingot (lump) is manufactured into a predetermined shape by subjecting the ingot to a known metal working method such as rolling or punching.
  • the through hole 11b is formed by, for example, drilling.
  • the shape of the base 11 is, for example, a flat plate having a thickness of 0.5 to 2 mm, and the shape is not particularly limited.
  • the base 11 has, for example, a disk shape with a diameter of 3 to 10 mm, a semi-disk shape with a part of the circumference having a radius of 1.5 to 8 mm cut out, and a square plate shape with a side of 3 to 15 mm.
  • the thickness of the base 11 does not have to be uniform. For example, if the thickness of the outer side of the base 11 is increased, it becomes easier to closely adhere a heat sink such as a housing that houses the electronic device 100. Thereby, the heat generated from the electronic component 21 can be more easily released to the outside via the base 11.
  • a Ni layer having excellent corrosion resistance and excellent wettability with a bonding material (brazing material) for bonding and fixing the electronic component 21, the connection substrate 16 or a lid body described later is formed on the second surface 11a of the substrate 11. It is preferable that the Au layer and the Au layer are sequentially deposited by a plating method. As a result, it is possible to effectively prevent the base body 11 from being oxidized and corroded, and it is possible to braze (join) the lid and the like to the base body 11 well.
  • the Ni layer may have a thickness of 0.5 to 9 ⁇ m, and the Au layer may have a thickness of 0.5 to 5 ⁇ m.
  • the pedestal 12 is provided on the second surface 11a of the base 11 so as to project from the second surface 11a.
  • the pedestal 12 may be formed integrally with the base 11, or may be joined to the second surface 11 a of the base 11.
  • the pedestal 12 may be formed of the same metal material as the base body 11, or may be a different material as long as it has electrical conductivity.
  • the pedestal 12 may have any shape as long as it has a surface on which the connection board 16 can be arranged, and may have, for example, a rectangular parallelepiped shape or a prismatic shape.
  • the pedestal 12 is electrically connected to the base 11, and the pedestal 12 also functions as a ground conductor like the base 11.
  • the pedestal 12 may include a first pedestal portion 120 and a second pedestal portion 121 that are located apart from each other in a direction parallel to the second surface 11a.
  • the first pedestal portion 120 and the second pedestal portion 121 may have the same shape or different shapes. Further, it may include three or more pedestal portions.
  • the above-mentioned wiring board 1 is arranged on the surface 14a of the heat sink 14, and the electronic component 21 which is a semiconductor element is mounted thereon.
  • the differential signal transmission lines 3 and 4 and the electronic component 21 may be electrically connected by a bonding wire, and terminals provided on the electronic component 21 and the differential signal transmission lines 3 and 4 may be soldered or the like. It may be a bump connection or the like that is directly joined by.
  • the bonding wire is a wire member provided between the electronic component 21 and the differential signal transmission lines 3 and 4 by a known wire bonding method.
  • As the bonding wire for example, a gold wire, an aluminum wire or the like can be used.
  • connection terminals are provided on the upper and lower sides, respectively. By mounting the electronic component 21 in the connection region 40 of the second transmission line 4, the connection terminal below the electronic component 21 and the second transmission line 4 are electrically connected. The connection terminal on the upper part of the electronic component 21 and the connection region 30 of the first transmission line 3 are electrically connected by the bonding wire 22.
  • the heat sink 14 is a heat transfer member on the surface 14a of which the wiring board 1 is located.
  • a high frequency signal is supplied to the electronic component 21 mounted on the wiring board 1 to operate, Joule heat is generated.
  • the electronic component 21 is, for example, a light emitting element or the like, the amount of light emission is reduced by its own heat generation, and the life of the electronic component 21 is shortened due to deterioration of the element.
  • Part of the heat generated by the electronic component 21 is dissipated and part of the heat flows to the wiring board 1.
  • the electronic component 21 can be easily cooled.
  • the heat sink 14 is made of a metal material having good thermal conductivity, and for example, copper or aluminum can be used.
  • the heat sink 14 may have a shape having the surface 14a on which the wiring board 1 is located. By making the surface 14a the same size as or larger than the size of the wiring board 1, the heat transfer area with the wiring board 1 can be increased.
  • the heat sink 14 of the present embodiment has a rectangular parallelepiped shape having the surface 14a having such a size.
  • the heat sink 14 may be arranged so as to be in contact with the base 11, or a thermoelectric element such as a Peltier may be interposed between the base 11 and the heat sink 14. This makes it easier to dissipate the heat generated in the electronic component 21.
  • connection terminal 18 is formed in a rod shape and is inserted into the through hole 11b so that the one end portion 18a is exposed on the second surface 11a side of the base 11. A portion of the through hole 11b other than the connection terminal 18 is filled with an insulating material and the connection terminal 18 is fixed.
  • the insulating material is, for example, an insulating inorganic dielectric material such as glass or ceramics. Any insulating material may be used as long as it can secure the insulating space between the connection terminal 18 and the base body 11 and fix the connection terminal 18 in the through hole 11b.
  • connection terminal 18 is a terminal for electrically connecting the electronic component mounting package 10 to an external board or the like.
  • the connection terminal 18 is electrically connected to the wiring board 1, and a high-frequency signal (differential signal) supplied from the outside is transmitted to the wiring board 1.
  • the connection terminal 18 may be directly connected to the wiring board 1, or the connection terminal 18 and the wiring board 1 may be connected via the connection board 16 as in the present embodiment.
  • the connection board 16 Similar to the wiring board 1, the connection board 16 has a configuration in which a wiring conductor including a signal line conductor is formed on an insulating substrate.
  • the one end portion 18a of the connection terminal 18 and the signal line conductor of the connection board 16 are electrically connected, and the signal line conductor of the connection board 16 and the differential signal transmission lines 3 and 4 of the wiring board 1 are electrically connected.
  • the electronic component mounting package 10 and the electronic device 100 further include a lid 50 that covers the second surface 11a side of the base 11. After the electronic components are mounted, the lid body 50 seals and protects the second surface 11a side of the base body 11.
  • the electronic components 21 mounted on the electronic device 100 include optical semiconductor elements such as LDs (laser diodes) and PDs (photodiodes), semiconductor elements including semiconductor integrated circuit elements, crystal oscillators, surface acoustic wave elements, and the like. Piezoelectric elements, pressure sensor elements, capacitance elements, resistors, and the like.
  • the lid 50 has an outer shape along the outer peripheral region of the base 11, and has a space for covering the electronic component 21, the wiring board 1, the pedestal 12, the heat sink 14, the connection board 16, and the like on the second surface 11 a of the base 11. It is of a shape.
  • the electronic component 21 is an optical semiconductor element such as an LD (laser diode) or PD (photodiode)
  • a window member 50a for transmitting light may be provided in a portion of the lid body facing the electronic component 21.
  • an optical fiber and an optical isolator for preventing return light may be joined.
  • the lid 50 is made of a metal such as an Fe—Ni—Co alloy, an Fe—Ni alloy, or an Fe—Mn alloy, and is manufactured by subjecting these plate materials to a well-known metal working method such as pressing or punching. ..
  • the lid 50 may have a coefficient of thermal expansion similar to that of the material of the base 11. Further, the lid 50 may use the same material as the material of the base 11.
  • a flat or lens-shaped window member 50a made of glass may be joined to a member having a hole in a portion facing the electronic component 21 by a low melting point glass or the like. ..
  • the electronic component mounting package 10 using the circular base 11 has been described as an example, but a box-shaped electronic component mounting package may be used.
  • the wiring board 1 of the first embodiment shown in FIG. 1 is modeled, and the same wiring board as the first embodiment is modeled as a conventional configuration except that the first region 31 and the second region 41 are not provided for comparison.
  • the comb tooth length is changed to 0.08 mm, 0.18 mm, and 0.28 mm.
  • the thickness of the dielectric substrate 1 is 0.2 mm
  • the materials of the first transmission line 3 and the second transmission line 4 are The calculation was performed by using as money.
  • FIG. 7A and 7B are graphs showing simulation results.
  • FIG. 7A shows reflection loss
  • FIG. 7B shows transmission loss. Both the reflection loss and the transmission loss of the wiring board 1 of this embodiment showed better results than the wiring board of the conventional configuration.

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Abstract

本開示に係る配線基板１は、誘電体基板２と、一対の差動信号伝送線路３，４と、を備える。一対の差動信号伝送線路３，４は、第１伝送線路３と第２伝送線路４とを含む。第１伝送線路３は、第１端部３ａおよび第２端部３ｂを有し、第２伝送線路４は、第３端部４ａおよび第４端部４ｂを有している。第２端部３ｂは、第１接続領域３０と、これに隣接する櫛歯状の第１領域３１とを有する。第４端部４ｂは、第１接続領域３０と対向して位置するとともに電子部品を介して第１接続領域３０に接続される第２接続領域４０と、これに隣接する第２領域４１とを有する。第１領域３１と第２領域４１とは間隔を空けて噛み合って位置している。

Description

配線基板、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
　本開示は、配線基板、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置に関する。
　近年、高速通信に対する需要が急激に増加しており、たとえば、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置等の電子装置の高速化が求められている。たとえば、光通信では高速かつ大容量の通信を行うために、光導波路に変調方式を適用している。変調用にＤＣバイアスを印加する電極が櫛歯状構造を有している（特許文献１参照）。
特開２０１７－１８１６７４号公報
　本開示の配線基板は、第１面を有する誘電体基板と、
　前記誘電体基板の前記第１面に位置するとともに、差動信号伝送を行う一対の差動信号伝送線路と、を備え、
　前記一対の差動信号伝送線路は、第１端部および第２端部を有する第１伝送線路と、第３端部および第４端部を有する第２伝送線路と、を含み、
　前記第２端部は、第１接続領域と、前記第１接続領域に隣接する櫛歯状の第１領域と、を有し、
　前記第４端部は、前記第１接続領域と対向して位置するとともに電子部品を介して前記第１接続領域と接続される第２接続領域と、前記第２接続領域に隣接するとともに前記第１領域に臨む櫛歯状の第２領域と、を有しており、
　前記第１領域と前記第２領域とは間隔を空けて噛み合って位置している。
　本開示の電子部品搭載用パッケージは、上記の配線基板と、
　第２面を有する基体と、
　前記基体の前記第２面から突出している台座と、を備え、
　前記配線基板が前記台座に配置されている。
　本開示の電子部品搭載用パッケージは、上記の配線基板と、
　第２面を有する基体と、
　前記基体の前記第２面に位置しているヒートシンクと、を備え、
　前記配線基板が前記ヒートシンクに配置されている。
　本開示の電子装置は、上記の電子部品搭載用パッケージと、
　前記配線基板に搭載された電子部品と、を備える。
　本開示の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
第１実施形態の配線基板の平面図である。 配線基板の斜視図である。 第２実施形態の配線基板の平面図である。 第３実施形態の配線基板の平面図である。 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置の斜視図である。 蓋体を備える構成の斜視図である。 シミュレーション結果を示すグラフである。 シミュレーション結果を示すグラフである。
　本開示の実施形態に係る配線基板、電子部品搭載用パッケージおよび電子装置について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜配線基板＞
　＜第１実施形態＞
　図１及び図２に示すように、第１実施形態の配線基板１は、誘電体基板２と、一対の差動信号伝送線路３，４と、第１接地配線５と、第２接地配線６と、第３接地配線７とを含む。
　誘電体基板２は、誘電体材料からなる基板である。この誘電体基板２の第１面２ａに、一対の差動信号伝送線路３，４、第１接地配線５、第２接地配線６および第３接地配線７の各配線が設けられる。本実施形態の誘電体基板２は、たとえば、矩形板状である。誘電体材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体のようなセラミック材料、またはガラスセラミック材料を用いることができる。
　一対の差動信号伝送線路３，４は、誘電体基板２の第１面２ａに設けられており、差動信号の伝送を行う。一対の差動信号伝送線路３，４は、第１伝送線路３と第２伝送線路４とからなり、それぞれを差動信号が伝送する。すなわち、第１伝送線路３を伝送する高周波信号と、第２伝送線路４を伝送する高周波信号とが逆異相となっている。
　図１に示すように、第１伝送線路３は、一方端部側の第１端部３ａおよび他方端部側の第２端部３ｂを有しており、第２伝送線路４は、一方端部側の第３端部４ａおよび他方端部側の第４端部４ｂを有している。本実施形態では、たとえば、第１伝送線路３の第１端部３ａが、誘電体基板２の第１面２ａの対向する２辺のうちの１辺（Ｓ１）側に位置し、第２伝送線路４の第３端部４ａが、誘電体基板２の第１面２ａの対向する２辺のうちのもう１辺（Ｓ２）側に位置している。第１伝送線路３および第２伝送線路４は、それぞれ誘電体基板２の第１面２ａの中央側に延びて、第１伝送線路３の第２端部３ｂと第２伝送線路４の第４端部４ｂとが対向する。
　誘電体基板２の第１面２ａには、第１伝送線路３の一側方に沿って第１接地配線５が設けられ、第２伝送線路４の一側方に沿って第２接地配線６が設けられる。また第３接地配線７は、第１伝送線路３の他側方から第２伝送線路４の他側方に沿って設けられる。なお、本実施形態においては、第１接地配線５および第２接地配線６は、誘電体基板２の第１面２ａの対向する他の２辺のうちの１辺（Ｓ３）に達している。第３接地配線７は、誘電体基板２の第１面２ａの対向する他の２辺のうちの１辺（Ｓ４）に達している。
　第２端部３ｂと第４端部４ｂは、それぞれ後述の半導体素子（電子部品）を介して接続される第１接続領域３０，第２接続領域４０を有している。第１接続領域３０と第２接続領域４０とは対向して位置している。第２端部３ｂの接続領域３０と第４端部４ｂの接続領域４０とが直接的に接続するのではなく、その間に半導体素子を介するようにして電気的に接続すればよい。たとえば、半導体素子が２つの接続端子を有する場合、一方の接続端子を接続領域３０と接続し、他方の端子を接続領域４０と接続する。
　第２端部３ｂは、接続領域３０に隣接する第１櫛歯領域（第１領域）３１を有する。第１領域３１は、第２伝送線路４の第４端部４ｂに臨む櫛歯状の領域である。第１領域３１は、複数の櫛歯３１ａを含む領域である。第４端部４ｂは、接続領域４０に隣接する第２櫛歯領域（第２領域）４１を有する。第２領域４１は、第１伝送線路３の第２端部３ｂに臨む領域であり、第１領域３１と間隔を空けて噛み合う櫛歯状の領域である。第２領域４１は、複数の櫛歯４１ａを含む領域である。
　上記のように第１領域３１と第２領域４１に隣接する接続領域３０，４０では、半導体素子を介して接続しており、接続領域３０，４０と半導体素子を接続するワイヤなど接続部材がリアクタンス成分（Ｌ成分）となる。この領域において、リアクタンス成分増加による特性インピーダンスの増加が生じる。本来、配線基板においては、第１伝送線路３と第２伝送線路４のような伝送線路は、半導体素子が接続されていない状態で、特性インピーダンスが一定となるように設計される。しかしながら、半導体素子を接続することで、局所的な特性インピーダンスの増加が生じ、特性インピーダンスの不整合によって高周波信号の伝送特性が低下する。
　本実施形態においては、第１領域３１と第２領域４１とは、一定の間隔を空けて噛み合うように設けられており、伝送線路の他の領域に比べて、容量結合によるキャパシタンス成分（Ｃ成分）が増加する。第１領域３１と第２領域４１によるＣ成分の増加は、半導体素子の接続による特性インピーダンス不整合を低減し、高周波信号の伝送特性の低下を低減することができる。
　第１領域３１と第２領域４１との間には、電気的な絶縁のために一定の間隔が空けられている。第１領域３１の各櫛歯３１ａと第２領域４１の各櫛歯４１ａとは、それぞれ噛み合う部分、すなわち、第１面２ａの面方向（Ｓ１に沿う方向）に隣接する歯の部分において、同じ長さとなっている。また、本実施形態では、第１領域３１の各櫛歯３１ａ同士も同じ長さであり、第２領域４１の各櫛歯４１ａ同士も同じ長さである。この櫛歯の長さを変えることによって、伝送特性が改善される周波数帯域を変えることができる。櫛歯の長さと伝送信号の波長との関係により、櫛歯の長さを長くするほど、低周波帯域での伝送特性が改善される。櫛歯の長さを短くするほど、高周波帯域での伝送特性が改善される。第１伝送線路３と第２伝送線路４を伝送する高周波信号の周波数帯域に合わせて、櫛歯の長さを変えることで、特定の周波数領域の伝送特性を改善することができる。
　ここで、櫛歯の長さとは、例えば、本実施形態においては、Ｓ３に沿う方向における櫛歯の寸法のことである。すなわち、図１に示すように、第１領域３１の櫛歯３１ａは、言い換えれば、Ｓ１からＳ２に向かって細長く突出した部分である。そのため、この突出した部分の寸法を第１領域３１の櫛歯３１ａの長さＬ３１ａとしてもよい。第２領域４１の櫛歯４１ａの長さＬ４１ａも同様に定義してもよい。
　なお、本実施形態においては、図１に示すように、第１領域３１は、Ｓ４に最も近接して位置する櫛歯３１ａｓを有している。櫛歯３１ａｓは、第１伝送線路３の他側方を含んでおり、櫛歯３１ａｓの長さＬ３１ａｓは、櫛歯３１ａの長さＬ３１ａよりも短い。
　なお、本実施形態においては、図１に示すように、第１接続領域３０と第２接続領域との間に位置する間隔は一定であるが、該間隔は変化していてもよい。例えば、第１接続領域３０と第２接続領域との間に位置する間隔は、介在する電子部品の種類、特性などに応じて適宜設定可能である。
　第１領域３１および第２領域４１と、半導体素子との距離、すなわち、第１領域３１と接続領域３０との距離Ｄ１および第２領域４１と接続領域４０との距離Ｄ２は、より近い方とすることができる。すなわち、距離Ｄ１、Ｄ２は小さくしてもよい。たとえば、第１伝送線路３と第２伝送線路４を伝送する高周波信号の波長をλとしたとき、距離Ｄ１，Ｄ２はλ／４以下であればよく、さらにはλ／８であればよい。この場合、さらに伝送線路内における高周波信号の反射を低減できる。また、櫛歯の長さもλ／４以下であればよく、さらにλ／８であればよい。この場合、さらに伝送線路内における高周波信号の反射を低減できる。
　＜第２実施形態＞
　第２実施形態は、第１領域３１と第２領域４１の構成が第１実施形態と異なること以外は、第１実施形態の配線基板１と同じであるので、同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。第１実施形態では、第１櫛歯３１の各櫛歯３１ａと第２領域４１の各櫛歯４１ａは、櫛歯の長さが同じであるが、図３に示すように、本実施形態では、長さが異なっている。上記のように、櫛歯の長さと伝送信号の周波数との関係により、第１領域３１および第２領域４１の中で櫛歯の長さを異ならせることで、より広帯域での伝送特性の改善が可能となる。本実施形態では、第１領域３１は、接続領域３０に近い側の第２櫛歯の長さが、接続領域３０から遠い側の第１櫛歯の長さより長くなっている。第２領域４１は、接続領域４０に近い側の第４櫛歯の長さが、接続領域４０から遠い側の第３櫛歯の長さより長くなっている。このように、櫛歯の長さを半導体素子からの距離に応じて変えることで、インピーダンス不整合を低減できると同時に、高周波信号の反射を低減することができる。
　第１領域３１の各櫛歯３１ａと第２領域４１の各櫛歯４１ａが、たとえば３本以上ある場合、接続領域３０，４０に最も近い櫛歯と最も遠い櫛歯の長さが上記の関係になっていればよく、間に位置する櫛歯は、これらの櫛歯のいずれかと同じ長さであってもよく、異なる長さであってもよい。異なる長さの場合は、これらの櫛歯の長さの間の長さであればよい。なお、本実施形態のように、任意の１つの櫛歯（図１では第１領域３１の櫛歯３１ａ）において、辺Ｓ３側における櫛歯の長さＬｓ３と辺Ｓ４側における櫛歯の長さＬｓ４とが異なる場合には、上述した櫛歯の長さＬとは、例えば、長さＬｓ３、Ｌｓ４のうち長い方を用いることができる。
　＜第３実施形態＞
　第３実施形態は、第１領域３１と第２領域４１の構成が第１実施形態と異なること以外は、第１実施形態の配線基板１と同じであるので、同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。第１領域３１と第２領域４１の各櫛歯３１ａ，４１ａの先端が、半円状またはＲ形状である。本実施形態では、図４に示すように、櫛歯の先端が半円状である。このような先端形状とすることで、櫛歯の先端において、櫛歯の中心から外形線までの距離が等しくなる。たとえば、先端形状が矩形状であれば、角部分において、櫛歯の中心から外形線までの距離が、他の部分よりも長くなる。櫛歯の先端が半円状であれば、櫛歯の中心から外形線までの距離が等しくなる。また、櫛歯の先端の角を丸めたＲ形状であれば、矩形状に比べて距離の差が小さくなる。
　矩形状の角部など櫛歯の中心から外形線までの距離の差が大きい箇所では、局所的に特性インピーダンスの不整合が生じて伝送特性が低下する場合がある。本実施形態では、各櫛歯３１ａ，４１ａの先端が、半円状または角丸状であるので、局所的な特性インピーダンスの不整合を低減でき、伝送特性の低下を低減することができる。
　櫛歯の先端形状は、第１領域３１と第２領域４１の各櫛歯３１ａ，４１ａのうち、少なくともいずれか１つが、半円状または角丸状であればよく、複数の櫛歯の先端が当該形状であってもよく、全ての櫛歯の先端が当該形状であってもよい。本実施形態で示す櫛歯の先端形状は、第１実施形態だけではなく、第２実施形態に適用することもできる。
　一対の差動信号伝送線路３，４、第１接地配線５、第２接地配線６および第３接地配線７の各配線は、金、銀、銅、ニッケル、タングステン、モリブデンおよびマンガンなどの金属材料からなる。各配線は、誘電体基板２の表層にメタライズ層やめっき層等の形態で同時焼成されたり、金属めっきされてなるものでもよい。また、各配線は、金属材料の線材が所定の形状に加工されて作製され、誘電体基板２の表層に設けられためっき層にろう材等の接合材を介して接合されて接続されていてもよい。また、各配線は、例えば誘電体基板２との同時焼成が可能な金属材料に限らず、鉄、ニッケル、コバルトおよびクロム等からなる金属合金が所定の配線形状に加工され、誘電体基板２の表層に設けられためっき層にろう材で接合されたものも使用できる。
　誘電体基板２が、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして作製することができる。まず酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末を適当な有機バインダおよび有機溶剤とともにシート状に成形して矩形シート状の複数のセラミックグリーンシートを作製する。次にこれらのセラミックグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を１３００～１６００℃の温度で焼成することによって誘電体基板２を作製することができる。なお、セラミックグリーンシートは必ずしも複数層を積層する必要はなく、誘電体基板２としての機械的な強度等の点で支障がなければ、１層のみでも構わない。
　また、誘電体基板２が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、各配線は、例えばタングステンを含んでなり、次のようにして作製することができる。タングステンの粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを誘電体基板２となるセラミックグリーンシートの表面（主面）に、所定のパターン形状となるように、スクリーン印刷法等の方法で印刷する。その後、これらのセラミックグリーンシートおよび金属ペーストを同時焼成する方法で、各配線を形成することができる。
＜電子部品搭載用パッケージおよび電子装置＞
　図５に示すように、電子部品搭載用パッケージ１０は、配線基板１を含み、光半導体素子等の電子部品２１を搭載するためのパッケージである。電子装置１００は、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置であり、電子部品搭載用パッケージ１０と、該電子部品搭載用パッケージ１０に搭載された電子部品２１とを含んで構成される。
　電子部品搭載用パッケージ１０は、板状の基体１１と、基体１１の厚み方向一方側の第２面１１ａから突出している台座１２と、基体１１の第２面１１ａの側に位置している配線基板１と、表面１４ａに配線基板１が位置しているヒートシンク１４と、を備える。本実施形態では、台座１２の表面に位置しており、配線基板１と電気的に接続している接続基板１６と、貫通孔１１ｂに挿通され、配線基板１と電気的に接続する接続端子１８と、をさらに備える。
　基体１１は、板状であり、厚み方向一方側の第２面１１ａを有する。また、厚み方向に貫通した貫通孔１１ｂを有する。基体１１は、搭載された電子部品２１が発生する熱を、電子部品搭載用パッケージ１０の外部に放散させる機能を有するとともに、外部の接地配線（基準電位配線）と電気的に接続して電子部品搭載用パッケージ１０の接地導体としての機能も有する。基体１１は、熱伝導性の良い金属材料から成る。該金属材料としては、電子装置１００に搭載される電子部品２１やセラミックス製の接続基板１６の熱膨張係数に近いものやコストの安いものとして、たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金やＦｅ－Ｍｎ合金等の鉄系の合金や純鉄等の金属が選ばれる。より具体的には、Ｆｅ９９．６質量％－Ｍｎ０．４質量％系のＳＰＣ（Steel Plate Cold）材がある。たとえば基体１１がＳＰＣ材から成る場合は、このインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。貫通孔１１ｂは、例えばドリル加工によって形成される。
　基体１１の形状は、たとえば厚みが０．５～２ｍｍの平板状であり、その形状には特に制限はない。基体１１は、たとえば直径が３～１０ｍｍの円板状、半径が１．５～８ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状、一辺が３～１５ｍｍの四角板状等である。基体１１の厚みは一様でなくてもよく、たとえば、基体１１の外側の厚みを厚くすると、電子装置１００を収納する筐体等の放熱体となるものを密着させやすくなる。これにより、電子部品２１から発生した熱を、基体１１を介して外部に、より放出しやすくすることができる。
　基体１１の第２面１１ａには、耐食性に優れ、電子部品２１や接続基板１６あるいは後述する蓋体を接合し固定するための接合材（ろう材）との濡れ性に優れた、Ｎｉ層とＡｕ層とをめっき法によって順次被着させておくのがよい。これにより、基体１１が酸化腐食するのを有効に防止できるとともに蓋体などを基体１１に良好にろう接（接合）することができる。Ｎｉ層の厚さは、たとえば０．５～９μｍ、Ａｕ層の厚さは、たとえば０．５～５μｍとしてもよい。
　台座１２は、基体１１の第２面１１ａ上に、第２面１１ａから突出して設けられている。台座１２は、基体１１と一体に形成されていてもよく、基体１１の第２面１１ａに接合されてもよい。台座１２は、基体１１と同じ金属材料で形成されてもよく、電気伝導性を有するものであれば、異なる材料であってもよい。台座１２の形状は、接続基板１６が配置できる表面を有するものであればよく、たとえば、直方体形状または角柱形状などであってもよい。台座１２は、基体１１と電気的に接続し、台座１２も基体１１と同様に接地導体として機能する。
　また、図５に示す本実施形態のように、台座１２は、第２面１１ａに平行な方向に離れて位置する第１台座部分１２０および第２台座部分１２１を含んでいてもよい。第１台座部分１２０および第２台座部分１２１とは、同じ形状であってもよく、異なる形状であってもよい。また、３つ以上の台座部分を含んでいてもよい。
　前述の配線基板１は、ヒートシンク１４の表面１４ａに配置され、半導体素子である電子部品２１が実装される。差動信号伝送線路３，４と、電子部品２１とは、ボンディングワイヤによって電気的に接続されてもよく、電子部品２１に設けられた端子と差動信号伝送線路３，４とを、はんだなどによって直接接合するバンプ接続などであってもよい。
　ボンディングワイヤは、公知のワイヤボンディング方法によって電子部品２１と、差動信号伝送線路３，４との間に設けられるワイヤ部材である。ボンディングワイヤとしては、例えば、金ワイヤ、アルミニウムワイヤなどを用いることができる。本実施形態の電子部品２１は、接続端子が上下にそれぞれ設けられている。電子部品２１を、第２伝送線路４の接続領域４０に実装することで電子部品２１の下部の接続端子と第２伝送線路４とが電気的に接続される。電子部品２１の上部の接続端子と、第１伝送線路３の接続領域３０とがボンディングワイヤ２２によって電気的に接続される。
　ヒートシンク１４は、その表面１４ａに配線基板１が位置している伝熱部材である。配線基板１に実装された電子部品２１に高周波信号が供給され動作すると、ジュール熱が発生する。電子部品２１が、たとえば発光素子などである場合、自己の発熱によって発光量の低下、素子の劣化による短寿命化などが生じる。電子部品２１で発生した熱は、一部が放熱し、一部は配線基板１に流れる。配線基板１に流れた熱をさらにヒートシンク１４に伝導させることで、電子部品２１を冷却しやすくする。ヒートシンク１４に伝導した熱は、一部はヒートシンク１４表面から放熱され、一部は台座１２または基体１１へと流れる。ヒートシンク１４は、熱伝導性の良い金属材料から成り、たとえば、銅またはアルミニウムなどを用いることができる。ヒートシンク１４は、配線基板１が位置する表面１４ａを有する形状であればよい。表面１４ａを、配線基板１の大きさと同じか、それ以上の大きさとすることで、配線基板１との伝熱面積を大きくすることができる。本実施形態のヒートシンク１４は、このような大きさの表面１４ａを有する直方体形状である。また、ヒートシンク１４は基体１１に接触するよう配置されていてもよいし、基体１１とヒートシンク１４の間にペルチェなどの熱電素子が介在していてもよい。これにより、電子部品２１で発生した熱をより放熱しやすくなる。
　接続端子１８は、棒状に形成され、基体１１の第２面１１ａ側に一端部１８ａが露出するように、貫通孔１１ｂに挿通される。貫通孔１１ｂの接続端子１８を除く部分は、絶縁材料によって充填され、接続端子１８が固定されている。絶縁材料は、たとえば、ガラスやセラミックスなどの絶縁性の無機誘電材料から成る。絶縁材料は、接続端子１８と基体１１との絶縁間隔を確保するとともに、接続端子１８を貫通孔１１ｂ内に固定できるものであればよい。
　接続端子１８は、電子部品搭載用パッケージ１０を外部基板などと電気的に接続するための端子である。接続端子１８は、配線基板１と電気的に接続し、外部から供給される高周波信号（差動信号）が配線基板１へと伝送される。接続端子１８は、配線基板１と直接接続してもよく、本実施形態のように、接続端子１８と配線基板１とを、接続基板１６を介して接続してもよい。接続基板１６は、配線基板１と同様に、絶縁基板に信号線路導体を含む配線導体が形成された構成である。接続端子１８の一端部１８ａと接続基板１６の信号線路導体とが電気的に接続し、接続基板１６の信号線路導体と配線基板１の差動信号伝送線路３，４とが電気的に接続される。
　図６に示すように、電子部品搭載用パッケージ１０および電子装置１００は、基体１１の第２面１１ａ側を覆う蓋体５０をさらに備えている。電子部品が実装されたのち、蓋体５０によって基体１１の第２面１１ａ側は密閉され保護される。
　電子装置１００に搭載される電子部品２１としては、ＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオ－ド）等の光半導体素子、半導体集積回路素子を含む半導体素子、水晶振動子や弾性表面波素子等の圧電素子、圧力センサー素子、容量素子、抵抗器等が挙げられる。
　蓋体５０は、基体１１の外周領域に沿った外形で、基体１１の第２面１１ａ上の電子部品２１、配線基板１や台座１２、ヒートシンク１４、接続基板１６などを覆うような空間を有する形状のものである。電子部品２１がＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオ－ド）等の光半導体素子の場合は、蓋体の電子部品２１と対向する部分に光を透過させる窓部材５０ａを設けてもよいし、窓部材に換えて、光ファイバおよび戻り光防止用の光アイソレータを接合したものでもよい。
　蓋体５０は、Ｆｅ－Ｎｉ－Ｃｏ合金やＦｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｍｎ合金等の金属から成り、これらの板材にプレス加工や打ち抜き加工等の周知の金属加工方法を施すことによって作製される。蓋体５０は、基体１１の材料と同程度の熱膨張係数を有するものを用いてもよい。また、蓋体５０は、基体１１の材料と同じ材料を用いてもよい。蓋体５０が窓部材５０ａを有する場合には、電子部品２１と対向する部分に孔を設けたものに、平板状やレンズ状のガラス製の窓部材５０ａを低融点ガラスなどによって接合すればよい。
　なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行なうことは何等差し支えない。
　例えば、上述の実施形態では、円形の基体１１を用いた電子部品搭載用パッケージ１０を例として説明したが、箱型の電子部品搭載用パッケージでも構わない。
　本実施形態の効果を確認するために、Ｓパラメータのシミュレーションを行った。図１に示す第１実施形態の配線基板１をモデル化し、比較のために第１領域３１および第２領域４１を設けていないこと以外は、第１実施形態と同じ配線基板を従来構成としてモデル化した。また、本実施形態の配線基板１としては、櫛歯長を０．０８ｍｍ、０．１８ｍｍ、０．２８ｍｍと変更した。Ｓパラメータシミュレーションは、誘電体基板１の厚みを０．２ｍｍとし、誘電体基板１の材質を窒化アルミ（比誘電率＝９．０）とし、第１伝送線路３および第２伝送線路４の材質を金として、演算を行った。
　図７Ａおよび図７Ｂは、シミュレーション結果を示すグラフである。図７Ａは反射損失を示し、図７Ｂは透過損失を示す。反射損失および透過損失ともに本実施形態の配線基板１は、従来構成の配線基板より良好な結果を示した。また、本実施形態では、櫛歯長が長いほど共振周波数が低周波側に現れ、櫛歯長が短いほど共振周波数が高周波側に現れ、特性改善が見られた。
　本開示は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。
　１　　　配線基板
　２　　　誘電体基板
　２ａ　　誘電体基板の第１面
　３　　　第１伝送線路
　３ａ　　第１端部
　３ｂ　　第２端部
　４　　　第２伝送線路
　４ａ　　第３端部
　４ｂ　　第４端部
　５　　　第１接地配線
　６　　　第２接地配線
　７　　　第３接地配線
　１０　　電子部品搭載用パッケージ
　１１　　基体
　１１ａ　基体の第２面
　１１ｂ　貫通孔
　１２　　台座
　１４　　ヒートシンク
　１４ａ　表面
　１６　　接続基板
　１８　　接続端子
　１８ａ　一端部
　２１　　電子部品
　２２　　ボンディングワイヤ
　３０　　第１接続領域
　３１　　第１櫛歯領域（第１領域）
　３１ａ　第１領域の櫛歯
　４０　　第２接続領域
　４１　　第２櫛歯領域（第２領域）
　４１ａ　第２領域の櫛歯
　５０　　蓋体
　５０ａ　窓部材
　１００　電子装置
　１２０　第１台座部分
　１２１　第２台座部分

Claims (10)

  1. 　第１面を有する誘電体基板と、
    　前記誘電体基板の前記第１面に位置するとともに、差動信号伝送を行う一対の差動信号伝送線路と、を備え、
    　前記一対の差動信号伝送線路は、第１端部および第２端部を有する第１伝送線路と、第３端部および第４端部を有する第２伝送線路と、を含み、
    　前記第２端部は、第１接続領域と、前記第１接続領域に隣接する櫛歯状の第１領域と、を有し、
    　前記第４端部は、前記第１接続領域と対向して位置するとともに電子部品を介して前記第１接続領域と接続される第２接続領域と、前記第２接続領域に隣接するとともに前記第１領域に臨む櫛歯状の第２領域と、を有しており、
    　前記第１領域と前記第２領域とは間隔を空けて噛み合って位置している、配線基板。
  2. 　前記第１領域は、第１櫛歯と該第１櫛歯よりも前記第１接続領域に近い第２櫛歯とを有し、
    　前記第２領域は、第３櫛歯と該第３櫛歯よりも前記第２接続領域に近い第４櫛歯とを有しており、
    　前記第２櫛歯の長さが前記第１櫛歯の長さよりも長く、前記第４櫛歯の長さが前記第３櫛歯の長さよりも長い、請求項１に記載の配線基板。
  3. 　前記第１領域は、前記第１接続領域に近い側の櫛歯の長さが、前記接続領域から遠い側の櫛歯の長さより長く、
    　前記第２領域は、前記第２接続領域に近い側の櫛歯の長さが、前記接続領域から遠い側の櫛歯の長さより長い、請求項１または２に記載の配線基板。
  4. 　前記第１領域および前記第２領域の少なくとも一方は、櫛歯の先端が、半円状またはＲ形状である、請求項１～３のいずれかに記載の配線基板。
  5. 　前記第１接続領域と前記第１領域との距離Ｄ１および前記第２接続領域と前記第２領域との距離Ｄ２は、前記一対の差動信号伝送線路を伝送する電気信号の波長をλとしたとき、λ／４以下である、請求項１～４のいずれか１つに記載の配線基板。
  6. 　前記第１領域の櫛歯の長さおよび前記第２領域の櫛歯の長さは、前記一対の差動信号伝送線路を伝送する電気信号の波長をλとしたとき、λ／４以下である、請求項１～５のいずれか１つに記載の配線基板。
  7. 　請求項１～６のいずれか１つに記載の配線基板と、
    　第２面を有する基体と、
    　前記基体の前記第２面から突出している台座と、を備え、
    　前記配線基板が前記台座に配置されている、電子部品搭載用パッケージ。
  8. 　請求項１～６のいずれか１つに記載の配線基板と、
    　第２面を有する基体と、
    　前記基体の前記第２面に位置しているヒートシンクと、を備え、
    　前記配線基板が前記ヒートシンクに配置されている、電子部品搭載用パッケージ。
  9. 　前記基体の前記第２面を覆う蓋体をさらに備える、請求項７または８に記載の電子部品搭載用パッケージ。
  10. 　請求項７～９のいずれかに記載の電子部品搭載用パッケージと、
    　前記配線基板に搭載された電子部品と、を備える、電子装置。
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