JP3457921B2 - 入出力端子および半導体素子収納用パッケージ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、１ＧＨｚ程度以上
の高周波帯域で作動するＬＤ（半導体レーザ），ＰＤ
（フォトダイオード）等の光半導体素子およびＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体素子を収納し、光ファイバによる光通信
分野，ミリ波通信分野等で用いられる半導体素子収納用
パッケージに組み込まれる入出力端子およびそれを用い
た半導体素子収納用パッケージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ファイバによる光通信分野等の
高い周波数で作動するＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を収
容する、半導体素子収納用パッケージ（以下、半導体パ
ッケージという）の１種である光半導体素子収納用パッ
ケージ（以下、光半導体パッケージという）を図３に示
す。同図に示すように、光半導体パッケージは一般に、
上面に光半導体素子１７が載置される載置部１１ａを有
する鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）
合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属材
料から成る基体１１と、載置部１１ａを囲繞するように
して基体１１の上面に銀ロウ等のロウ材を介して接合さ
れ、側部に絶縁端子であるガラスビード端子１３設置用
の貫通孔１２ａおよび光透過用の貫通孔１２ｂを有する
鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金
属材料から成る枠体１２とを有する。

【０００３】また、貫通孔１２ａに配置されるガラスビ
ード端子１３は、光半導体パッケージの交換のための外
部ソケットの着脱が可能なレセプタクル構造を有してお
り、またＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属材料からなり、
さらにＡｕ−Ｓｎ合金半田等の低融点のろう材によりろ
う付けされるホルダー１３ａと、このホルダー１３ａの
一端に形成された貫通孔に充填された低融点ガラス１３
ｂと、低融点ガラス１３ｂの中心部分に装着され光半導
体パッケージの内外を導通させる１本の金属端子１３ｃ
とから成る。この低融点ガラス１３ｂは、電気的絶縁
用、金属端子１３ｃの接合用、および光半導体パッケー
ジ内の気密保持用として機能する。また、金属端子１３
ｃはＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等からなり、光半導体素子１
７と外部電気回路との接続を行うものである。

【０００４】また、枠体１２の他の側部には貫通孔１２
ｂが形成され、この貫通孔１２ｂに銀ろう等のろう材で
接合され、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金等か
らなり内部に光信号を伝送させる空間を有し、集光レン
ズ等を内部に設置固定するための筒状の固定部材１４
と、この固定部材１４の内部に２００〜４００℃の融点
を有するＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点のろう材により接合
され、非晶質ガラス等からなり、集光レンズとして機能
するとともに光半導体パッケージの内部を塞ぐ透光性部
材１５と、また枠体１２の上面にシーム溶接等によって
接合され、光半導体素子１７を気密に封止する蓋体１６
とから構成されている。なお、固定部材１４の外側の端
面には、光ファイバ２０と戻り光防止用の光アイソレー
タ１８とが樹脂接着剤で接着された金属ホルダ１９が、
ＹＡＧレーザ溶接等により接合される。

【０００５】また、光半導体素子１７の下面にはペルチ
ェ素子等の電子冷却素子１７ａが配置されており、光半
導体素子１７の作動時にそれを冷却する。さらに、載置
１１ａ上には、光半導体素子１７の駆動用または信号増
幅用のＬＳＩ等の半導体素子１７'が設けられ、この半
導体素子１７'の下面にも電子冷却素子１７ａまたはヒ
ートシンクを配設し得る。そして、この光半導体素子１
７の各電極からボンディングワイヤを介して外部リード
端子に接続し、また光半導体素子１７と半導体素子１
７'とをボンディングワイヤ，内部配線パターンを介し
て接続し、半導体素子１７'はガラスビード端子１３に
接続される。

【０００６】そして、基体１１の載置部１１ａに光半導
体素子１７を樹脂接着剤、ろう材等の接着剤を介して接
着固定するとともに、半導体素子１７'の電極をボンデ
ィングワイヤを介してガラスビード端子１３の金属端子
１３ｃに接続し、しかる後、枠体１２の上面に蓋体１６
をシーム溶接等によって接合する。このようにして、基
体１１，枠体１２，ガラスビード端子１３，透光性部材
１５および蓋体１６とから成る容器内部に光半導体素子
１７，半導体素子１７'を気密に収容するとともに、固
定部材１４に光ファイバ２０をＹＡＧレーザ溶接等によ
り接合することによって、製品としての光半導体装置と
なる。

【０００７】このような光半導体装置は、例えば外部電
気回路から供給される駆動信号によって光半導体素子１
７を光励起させ、励起したレーザ光等の光を透光性部材
１５を通して光ファイバ２０に授受させるとともに光フ
ァイバ２０内を伝送させることにより、大容量の情報を
高速に伝送できる光電変換装置として機能するととも
に、光通信分野等に多く用いられる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光半導体パッケージにおいて、ガラスビード端子１
３の高さは、ホルダー１３ａの高さと、枠体１２と金属
端子１３ｃとの絶縁性が十分となるように十分な体積で
厚く、即ち高くなるように設けられた低融点ガラス１３
ｂの高さとから成っているため、電気的な接続を行う金
属端子１３ｃの高さが非常に高くなる。そのため、ガラ
スビード端子１３を接合する貫通孔１２ａが大きくなる
とともに枠体１２の高さも高くなり、その結果光半導体
パッケージの低背化、即ち小型化がきわめて困難である
という問題点があった。

【０００９】そこで、このような問題点を解決する構成
として、ガラスビード端子１３に代えて、例えば図４に
示すようなセラミックスから成る入出力端子２３を用い
るものが考えられる。この入出力端子２３は、平板部２
３ａと、平板部２３ａ上面に形成され１つの高周波信号
の伝送路（入力線路および／または出力線路）として設
けられた１本の線路導体２３ｂと、線路導体２３ｂの両
側に形成された接地導体層２３ｃと、平板部２３ａ上面
に設置された立壁部２３ｄとから成り、十分な絶縁性を
有するため厚くする必要がなく小型化が可能なアルミナ
（Ａｌ₂Ｏ₃）セラミックス等から成る。しかし、一般に
線路導体２３ｂと半導体素子１７'，光半導体素子１７
との電気的接続は、Ａｕ等から成るボンディングワイ
ヤ，Ａｕ等から成るリボンを介して行われるため、ボン
ディングワイヤ，リボンによるインダクタンス（Ｌ）成
分が大きくなり、そのため半導体素子１７'，光半導体
素子１７と外部電気回路との間で高周波信号の伝送損失
が大きくなり、高周波信号の伝達が円滑になされないと
いう問題点があった。

【００１０】従って、本発明は上記問題点に鑑み完成さ
れたもので、その目的は、小型化できるとともに、半導
体素子および光半導体素子と外部電気回路との高周波信
号の入出力を伝送損失を小さくして、正確かつ円滑に行
うことができるものとすることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の入出力端子は、
窒化アルミニウムセラミックス、アルミナセラミックス
またはガラスセラミックスから成る略長方形状の誘電体
板から成り、上面にその１辺から対向する他辺にかけて
形成された、１０〜４０ＧＨｚの高周波信号が伝送され
る直線状の線路導体とその両側に形成された接地導体層
とを有する平板部と、該平板部の上面に前記線路導体お
よび前記接地導体を間に挟んで接合された、窒化アルミ
ニウムセラミックス、アルミナセラミックスまたはガラ
スセラミックスから成る誘電体から成る立壁部とから成
り、前記線路導体は、１組の入力線路および／または出
力線路として２本が直線状にかつ互いに平行に形成され
た差動線路とされているとともに、前記平板部の厚さを
ｔ，前記２本の差動線路の間隔をＧ，前記線路導体と前
記接地導体層との間隔をＷとした場合、０．０５ｍｍ≦
Ｇ≦ｔかつｔ／２≦Ｗ≦３ｔであることを特徴とする。

【００１２】本発明は、上記構成により、薄型化および
小型化が可能であり、半導体素子および光半導体素子と
外部電気回路との高周波信号の入出力を伝送損失を小さ
くして、正確かつ円滑に行うことができる。即ち、ボン
ディングワイヤ等によるインダクタンス（Ｌ）成分が発
生しても、一対の線路導体で入出力される伝搬モードに
よりＬ成分の影響が緩和され、伝送特性を良好に保持す
ることができる。

【００１３】また、本発明の半導体素子収納用パッケー
ジは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基
体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着さ
れた枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成さ
れた入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された上記
入出力端子とを具備することを特徴とする。

【００１４】本発明は、このような構成により、半導体
素子収納用パッケージを小型化でき、また半導体素子お
よび光半導体素子と外部電気回路との高周波信号の入出
力を、伝送損失を小さくして、高速、正確かつ円滑に行
うことができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の半導体パッケージとして
の光半導体パッケージを以下に詳細に説明する。図１は
本発明の光半導体パッケージの実施の形態の一例を示す
断面図、図２はこの光半導体パッケージに組み込まれる
入出力端子の拡大斜視図である。これらの図において、
１は基体、２は枠体、３は高周波信号の入出力用の入出
力端子、４は光ファイバや透光性部材５を内部に設置固
定する筒状の固定部材、５は球状レンズ等の透光性部
材、６は蓋体、７はＬＤ（半導体レーザ），ＰＤ（フォ
トダイオード）等の光半導体素子である。これら基体
１，枠体２，入出力端子３，透光性部材５および蓋体６
とで、内部に光半導体素子７を収容するための容器が構
成される。

【００１６】また、固定部材４の外側の端面には、光フ
ァイバ１０と戻り光防止用の光アイソレータ８とが樹脂
接着剤で接着された金属ホルダ９が、ＹＡＧレーザ溶接
等により接合される。さらに、光半導体素子７の下面に
はペルチェ素子等の電子冷却素子７ａが配置されてお
り、光半導体素子７の作動時にそれを冷却する。さら
に、載置部１ａ上には、光半導体素子７の駆動用または
信号増幅用のＬＳＩ等の半導体素子７'が設けられ、こ
の半導体素子７'の下面にも電子冷却素子７ａまたはＣ
ｕ−Ｗ合金等から成るヒートシンクを配設し得る。そし
て、この光半導体素子７の各電極からボンディングワイ
ヤを介して外部リード端子に接続し、また光半導体素子
７と半導体素子７'とをボンディングワイヤ，内部配線
パターンを介して接続し、半導体素子７'は入出力端子
３にボンディングワイヤで接続される。

【００１７】基体１は、光半導体素子７を支持するため
の支持部材ならびに光半導体素子７から発せられる熱を
放散するための放熱板として機能し、その上面の略中央
部に光半導体素子７を載置するための載置部１ａを有し
ており、この載置部１ａに光半導体素子７が鉛（Ｐｂ）
−錫（Ｓｎ）半田等の接着剤を介して接着固定されると
ともにこの接着剤を介して光半導体素子７から発せられ
た熱が伝えられ、外部に効率良く放熱され、光半導体素
子７の作動性を良好なものとする。

【００１８】この基体１は、鉄−ニッケル−コバルト合
金や銅−タングステン合金等の金属材料や、アルミナセ
ラミックス，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス
等のセラミックスから成り、金属材料から成る場合に
は、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来
周知の金属加工法を施すことによって所定の形状に製作
される。一方、セラミックスから成る場合には、その原
料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペー
スト状と成すとともに、このペーストをドクターブレー
ド法やカレンダーロール法によってセラミックスグリー
ンシートと成し、しかる後セラミックスグリーンシート
に適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し約１
６００℃の高温で焼成することによって作製される。

【００１９】なお、基体１が金属材料から成る場合に
は、その表面に耐蝕性に優れかつロウ材との濡れ性に優
れる金属、具体的には厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層と、
厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層を順次メッキ法により被着
させておくと、基体１が酸化腐蝕するのを有効に防止す
ることができるとともに、基体１上面に光半導体素子７
を強固に接着固定させることができる。したがって、基
体１が金属材料から成る場合には、その表面に厚さ０．
５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の
金属層をメッキ法により被着させておくことが好まし
い。

【００２０】一方、基体１がセラミックスから成る場
合、光半導体素子７を載置する載置部１ａに耐蝕性に優
れかつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ
０．５〜９μｍのＮｉ層と厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層
とを順次メッキ法により被着させておくと、基体１上面
に光半導体素子７を強固に接着固定させることができ
る。従って、基体１がセラミックスから成る場合には、
その表面に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜
５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させて
おくと良い。

【００２１】また、基体１は、その上面に光半導体素子
７が載置される載置部１ａを囲繞するように、貫通孔２
ａが形成された枠体２が接合されており、この枠体２の
内側に光半導体素子７を収容するための空所が形成され
る。

【００２２】この枠体２は、基体１と同様に金属材料か
ら成る場合やセラミックスから成る場合があり、基体１
と同様の加工法で、側部に貫通孔２ａを、他の側部に光
透過用の貫通孔２ｂを有するような形状に加工作製され
る。

【００２３】そして、枠体２が鉄−ニッケル−コバルト
合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成る場合、例
えば鉄−ニッケル合金の場合はこの合金のインゴットに
圧延加工やプレス加工等の金属加工を施すことによって
所定の形状に製作される。また、枠体２の基体１への接
合は、基体１の上面と枠体２の下面とを、基体１上面に
敷設した適度なボリュームを有するプリフォームとされ
た銀ロウ等のロウ材を介してロウ接合される。さらに、
基体１と同様にして、枠体２の表面に厚さ０．５〜９μ
ｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層を
メッキ法により被着させておくと良い。一方、枠体２が
セラミックスから成る場合には、光半導体素子７と外部
電気回路との電気的接続を行う手段として、枠体２の内
周側面の一部および外周側面の一部に、ボンディングワ
イヤやリード端子等を接続するための厚さ０．５〜９μ
ｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層を
メッキ法により被着させておくと良い。

【００２４】本発明において、枠体２の貫通孔２ａまた
は切欠部から成る取付部に嵌着される入出力端子３は、
図２に示すような構成である。即ち、間隔Ｇでもって形
成された２本の差動線路としての線路導体３ｂとそれら
の両側に沿って間隔Ｗを開けて形成された接地導体層３
ｃとを、枠体２の内外を導通（導出）するように形成し
た略長方形状の誘電体板から成る厚さｔの平板部３ａ
と、この平板部３ａの上面に線路導体３ｂおよび接地導
体層３ｃを間に挟んで接合され、枠体２の内外を遮断す
るように形成された立壁部３ｄとから成っている。そし
て、０．０５ｍｍ≦Ｇ≦ｔかつｔ／２≦Ｗ≦３ｔとする
ことによって、光半導体素子７と入出力端子３とのイン
ピーダンスの整合がとれ、その結果光半導体素子７と外
部電気回路との高周波信号の入出力が円滑に行われ、光
半導体素子７の作動性を良好なものとできる。

【００２５】また、平板部３ａおよび立壁部３ｄは、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）セラミックス，アルミナセラ
ミックス，ガラスセラミックス等の絶縁材料からなる。

【００２６】また、線路導体３ｂは、タングステン
（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等で形
成されており。例えば、タングステン等の粉末に有機溶
剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストを、平板部３
ａおよび立壁部３ｄ用のセラミックグリーンシートに、
予め従来周知のスクリーン印刷法により所定パターンに
印刷塗布しておくことによって平板部３ａおよび立壁部
３ｄに形成される。

【００２７】上記間隔Ｇが０．０５ｍｍ未満の場合、線
路導体３ｂ形成用の金属ペーストを印刷塗布した際に２
本の金属ペーストが接触する傾向があり、２本の線路導
体３ｂの絶縁性がとれなくなるおそれがある。また、間
隔Ｇがｔを超える場合には、２本の線路導体３ｂに１つ
の高周波信号の同相モード（Even Mode）と逆相モード
（Odd Mode）をそれぞれ入力することで行われるイン
ピーダンス制御が困難になる。このような２本の線路導
体３ｂ、所謂差動線路（Differential PairLine，Coup
led Line）は、上記の如く１つの高周波信号の同相モ
ードと逆相モードをそれぞれ入力することにより、イン
ピーダンス制御を精密に行うことができる。例えば、２
本の線路導体３ｂからの高周波信号の反射成分のレベル
は、同相モードと逆相モードをそれぞれ入力することで
殆ど０、または両モードの位相をずらすことにより最大
で高周波信号のレベルのほぼ２倍になる。従って、両モ
ードの位相を微妙にずらすことで、２本の線路導体３ｂ
の特性インピーダンスを制御することが可能になる。

【００２８】なお、本発明における高周波信号の周波数
は、ＬＳＩ，ＩＣ等用の１０ＧＨｚ〜４０ＧＨｚ程度の
帯域である。

【００２９】また本発明では、平板部３ａの厚さｔは
０．１２７ｍｍ程度以上であり、０．１２７ｍｍ未満で
は、平板部３ａの反りや捩じれ等の変形が生じ易くな
り、枠体２とのロウ付け接合が困難になり、また接合で
きたとしてもその信頼性に欠けたものとなる。なお、平
板部３ａの厚さｔは３ｍｍ程度以下がよく、３ｍｍを超
えると厚さ、即ち高さが高くなり小型化にきわめて不利
なものとなり、実用性が失われる。

【００３０】また、２本の線路導体３ｂに１つの高周波
信号の同相モードと逆相モードをそれぞれ入力すること
で、高周波信号のノイズを小さくすることもできる。

【００３１】また、間隔Ｗがｔ／２未満の場合、線路導
体３ｂと接地導体層３ｃとの電磁的な結合が強くなり、
２本の線路導体３ｂのそれぞれで行われるインピーダン
ス整合が困難になる傾向がある。また、間隔Ｗが３ｔを
超える場合、外部との電磁的なシールド性（電磁遮蔽
性）が損なわれ易くなり、そのため２本の線路導体３ｂ
のそれぞれで行われるインピーダンス整合が困難にな
る。

【００３２】このような線路導体３ｂの表面には、基体
１や枠体２と同様に、ボンディングワイヤやリード端子
等を接続するための厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ
０．５〜５μｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被
着させおくとよい。

【００３３】また、枠体２の側部に内外を貫通するよう
に形成された光透過用の貫通孔２ｂ周囲の枠体２の外側
側部に、内部で光信号が伝送されるように筒状に形成さ
れ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属材
料から成る固定部材４が、銀ろう等のろう材を介して接
合される。

【００３４】この固定部材４は、基体１や枠体２と同様
の加工法で所望の形状に加工作製されるとともに、その
表面に厚さ０．５〜９μｍのＮｉ層や厚さ０．５〜５μ
ｍのＡｕ層等の金属層をメッキ法により被着させておく
とよい。

【００３５】また、固定部材４の内周面には、集光レン
ズとして機能するとともに光半導体パッケージの内部を
塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材５が、その接合
部の表面に形成されたメタライズ層を介して、２００〜
４００℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ合金等の低融点のろ
う材で接合される。

【００３６】この透光性部材５は、熱膨張係数が４〜１
２ｐｐｍ／℃（室温〜４００℃）のサファイア（単結晶
アルミナ）や非晶質ガラス等から成り、球状，半球状，
凸レンズ状，ロッドレンズ状等とされ、外部のレーザ光
等の光を光ファイバを伝わって光半導体素子７に入力さ
せる、または光半導体素子７で出力したレーザ光等の光
を光ファイバに入力させるための集光用部材として用い
られる。透光性部材５が、例えば結晶軸の存在しない非
晶質ガラスの場合、酸化珪素（ＳｉＯ₂），酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）を主成分とする鉛系、またはホウ酸やケイ砂を主
成分とするホウケイ酸系のものを用いる。

【００３７】また、この透光性部材５は、その熱膨張係
数が枠体２のそれと異なっていても固定部材４が熱膨張
差による応力を吸収し緩和するので、結晶軸が応力のた
めにある方向に揃うことによって光の屈折率の変化を起
こすようなことは発生しにくい。従って、このような透
光性部材５を用いることによって、光半導体素子７と光
ファイバとの間の光の結合効率を高くできる。

【００３８】また、蓋体６は、貫通孔２ａや光透過用の
貫通孔２ｂが形成されている枠体２の上面にシーム溶接
等によって接合され、光半導体素子７を光半導体パッケ
ージ内に封止する。

【００３９】このように、本発明の光半導体パッケージ
は、金属材料またはセラミックスから成る基体１と、そ
の上面に光半導体素子７の載置部１ａを囲繞するように
接合され、貫通孔２ａを有し金属材料またはセラミック
スから成る枠体２と、精密なインピーダンス制御が可能
な入出力端子３とを具備する。また、この入出力端子３
は、上面に間隔Ｇを開けて形成された２本の差動線路と
しての線路導体３ｂ、およびその両側に間隔Ｗを設けて
形成された接地導体層３ｃとから成る平板部３ａと、枠
体２の内外を遮断する立壁部３ｄとから成り、そして入
出力端子３は貫通孔２ａに接合される。

【００４０】本発明の光半導体パッケージは、ＬＤ，Ｐ
Ｄ等の光半導体素子およびＬＳＩ等の半導体素子を収納
した光通信用のものの場合、枠体２の側部に内外を貫通
する貫通孔２ｂを形成し、貫通孔２ｂの周辺部で枠体２
の外側側壁に金属材料から成る筒状の固定部材４を接合
し、この固定部材４の内部に、光半導体素子７と光ファ
イバとの間で光を集光させ結合させる透光性部材５が接
合される。そして、光半導体素子７および半導体素子
７'と入出力端子３の線路導体３ｂの一端とをボンディ
ングワイヤによって接続した後、枠体２の上面に光半導
体素子７を封止するための蓋体６をシーム溶接等によっ
て接合する。しかる後、光ファイバを固定部材４にＹＡ
Ｇレーザ溶接等によって接合し、固定部材４の外側の端
面に、光ファイバ１０と戻り光防止用の光アイソレータ
８とが樹脂接着剤で接着された金属ホルダ９を、ＹＡＧ
レーザ溶接等により接合することによって、製品として
の光半導体装置となる。

【００４１】かくして、本発明は、薄型化および小型化
がなされ、入出力端子が精密なインピーダンス制御が可
能な構造であるとともに、光半導体素子および半導体素
子と外部電気回路との高周波信号の入出力を、正確かつ
円滑（低損失）に行うことができる。

【００４２】なお、本発明は、上記実施の形態に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の
変更を行なうことは何等支障ない。

【００４３】例えば、線路導体３ｂは、１つの高周波信
号の入力線路および／または出力線路として２本の線路
導体３ｂを用いるものであり、複数の高周波信号の入力
線路および／または出力線路を入出力端子３に設ける場
合は、線路導体３ｂを４本，６本，…等の偶数本設ける
こともできる。さらに、上記実施形態では、光半導体素
子７としてＬＤ，ＰＤ等の光半導体素子を用いる場合に
ついて説明したが、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子７'の
みを用いてもよいことはいうまでもない。

【００４４】

【発明の効果】本発明の入出力端子は、線路導体が、１
組の入力線路および／または出力線路として２本が形成
された差動線路とされているとともに、前記平板部の厚
さをｔ，前記２本の差動線路の間隔をＧ，前記線路導体
と前記接地導体層との間隔をＷとした場合、０．０５ｍ
ｍ≦Ｇ≦ｔかつｔ／２≦Ｗ≦３ｔであることにより、薄
型化および小型化が可能であり、半導体素子および光半
導体素子と外部電気回路との高周波信号の入出力を伝送
損失を小さくして、正確かつ円滑に行うことができる。
即ち、ボンディングワイヤ等によるインダクタンス
（Ｌ）成分が発生しても、２本の線路導体で入出力され
る伝搬モードによりＬ成分の影響が緩和され、伝送特性
を良好に保持することができる。

【００４５】また、本発明の半導体素子収納用パッケー
ジは、上面に半導体素子が載置される載置部を有する基
体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するように取着さ
れた枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠いて形成さ
れた入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着された上記
入出力端子とを具備することにより、半導体素子収納用
パッケージを小型化でき、また半導体素子および光半導
体素子と外部電気回路との高周波信号の入出力を、伝送
損失を小さくして、正確かつ円滑に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光半導体パッケージの実施形態の一例
を示す断面図である。

【図２】図１の光半導体パッケージ用の入出力端子の拡
大斜視図である。

【図３】従来の光半導体パッケージの断面図である。

【図４】図３の光半導体パッケージ用の入出力端子の拡
大斜視図である。

【符号の説明】

１：基体 １ａ：載置部 ２：枠体 ２ａ：貫通孔 ２ｂ：貫通孔 ３：入出力端子 ３ａ：平板部 ３ｂ：線路導体 ３ｃ：接地導体層 ３ｄ：立壁部 ４：固定部材 ５：透光性部材 ７：光半導体素子 ７'：半導体素子

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 23/02

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒化アルミニウムセラミックス、アルミ
   ナセラミックスまたはガラスセラミックスから成る略長
   方形状の誘電体板から成り、上面にその１辺から対向す
   る他辺にかけて形成された、１０〜４０ＧＨｚの高周波
   信号が伝送される直線状の線路導体とその両側に形成さ
   れた接地導体層とを有する平板部と、該平板部の上面に
   前記線路導体および前記接地導体を間に挟んで接合され
   た、窒化アルミニウムセラミックス、アルミナセラミッ
   クスまたはガラスセラミックスから成る誘電体から成る
   立壁部とから成り、前記線路導体は、１組の入力線路お
   よび／または出力線路として２本が直線状にかつ互いに
   平行に形成された差動線路とされているとともに、前記
   平板部の厚さをｔ，前記２本の差動線路の間隔をＧ，前
   記線路導体と前記接地導体層との間隔をＷとした場合、
   ０．０５ｍｍ≦Ｇ≦ｔかつｔ／２≦Ｗ≦３ｔであること
   を特徴とする入出力端子。
2. 【請求項２】 上面に半導体素子が載置される載置部を
   有する基体と、該基体上面に前記載置部を囲繞するよう
   に取着された枠体と、該枠体を貫通してまたは切り欠い
   て形成された入出力端子の取付部と、該取付部に嵌着さ
   れた請求項１記載の入出力端子とを具備することを特徴
   とする半導体素子収納用パッケージ。