WO2020111256A1 - 配線基板、電子装置及び電子モジュール - Google Patents

配線基板、電子装置及び電子モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2020111256A1
WO2020111256A1 PCT/JP2019/046867 JP2019046867W WO2020111256A1 WO 2020111256 A1 WO2020111256 A1 WO 2020111256A1 JP 2019046867 W JP2019046867 W JP 2019046867W WO 2020111256 A1 WO2020111256 A1 WO 2020111256A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
intermediate layer
insulating substrate
concentration
conductor layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/046867
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
恭平 山下
細井　義博
Original Assignee
京セラ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to JP2020557872A priority Critical patent/JP7239610B2/ja
Priority to EP19890821.2A priority patent/EP3890006A4/en
Priority to CN201980077261.4A priority patent/CN113169136A/zh
Priority to US17/297,890 priority patent/US11823966B2/en
Publication of WO2020111256A1 publication Critical patent/WO2020111256A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/025—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of glass or ceramic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0271—Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/388—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a metallic or inorganic thin film adhesion layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/04—Ceramic interlayers
    • C04B2237/06—Oxidic interlayers
    • C04B2237/068—Oxidic interlayers based on refractory oxides, e.g. zirconia
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/58—Forming a gradient in composition or in properties across the laminate or the joined articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/64—Forming laminates or joined articles comprising grooves or cuts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09009—Substrate related
    • H05K2201/09036—Recesses or grooves in insulating substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating

Definitions

  • the present disclosure relates to a wiring board, an electronic device, and an electronic module.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-182926 discloses a method for manufacturing a wiring board in which an Al (aluminum)-based wiring is provided on a board with a barrier metal layer sandwiched therebetween.
  • the barrier metal layer and the wiring layer are continuously formed by the sputtering method.
  • a Ti-based material is used as the barrier metal layer.
  • the wiring board according to the present disclosure An insulating substrate containing AlN, A conductor layer containing Cu, An intermediate layer located between the insulating substrate and the conductor layer, Equipped with The intermediate layer has a first region near the insulating substrate and a second region near the conductor layer, The concentration of Cu is higher in the second region than in the first region, The concentration of Al in the first region is higher than that in the second region.
  • the electronic device includes The above wiring board, An electronic component mounted on the wiring board, It is configured to include.
  • the electronic module according to the present disclosure includes The above electronic device, A module substrate on which the electronic device is mounted, It is configured to include.
  • a wiring board that can obtain a high bond strength between an insulating substrate containing AlN and a conductor layer containing Cu as a constituent element, and an electronic device and an electronic module including the wiring board.
  • FIG. 1B is a partially enlarged view showing a part of the wiring board of FIG. 1A. It is a figure which shows the electronic module which concerns on embodiment of this indication. It is a figure which shows the concentration distribution of the structural element of the intermediate layer periphery in the wiring board of embodiment. It is a figure which shows the concentration distribution of the component element of the intermediate layer periphery in a comparative example. It is sectional drawing which shows the structure of the interface periphery of an insulating substrate. It is a figure which shows the concentration distribution of the constituent element of the interface periphery in a recessed part. It is a figure explaining an example of the manufacturing method of the wiring substrate of embodiment.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a wiring board according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1B is a partially enlarged view showing a part of the wiring board of FIG. 1A.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view showing an electronic module according to an embodiment of the present disclosure.
  • the wiring board 10 of the present embodiment has an insulating substrate 12 and a conductor layer 14 formed on the plate surface of the insulating substrate 12.
  • the conductor layer 14 is formed on the insulating substrate 12 in an arbitrary pattern and functions as an electrode or a connection pad for connecting a wiring for transmitting a signal or electric power or an electronic component 20 such as an optical element.
  • Wiring or connection pads 31 may be separately provided inside the insulating substrate 12 and on the back surface of the insulating substrate 12 (on the side opposite to the conductor layer 14 ).
  • the wiring board 10 may be a package including a recess that accommodates the electronic component 20.
  • the electronic device 40 of the present embodiment is configured by mounting the electronic component 20 on the wiring board 10 of FIG. 1A.
  • the electronic component 20 is mounted with the terminals of the electronic component 20 electrically connected to the conductor layer 14.
  • the connection form between the terminals of the electronic component 20 and the conductor layer 14 may be any connection form such as connection with a bonding material such as solder or connection with wire bonding.
  • the electronic component 20 is mounted on the conductor layer 14 in FIG. 1C, the electronic component 20 may be mounted on a portion of the wiring board 10 where the conductor layer 14 is not provided.
  • the electronic components 20 include optical elements such as LD (Laser Diode), PD (Photo Diode), LED (Light Emitting Diode), CCD (Charge Coupled Device) type, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) type, and the like.
  • Various electronic components such as a piezoelectric oscillator such as a crystal oscillator, a surface acoustic wave element, a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element (IC: Integrated Circuit), an electric capacitance element, an inductor element or a resistor can be applied.
  • the electronic module 100 of the present embodiment is configured by mounting an electronic device 40 on a module substrate 110, as shown in FIG. 1C.
  • an electronic device 40 on a module substrate 110, as shown in FIG. 1C.
  • other electronic components and other electrical components may be mounted on the module substrate 110.
  • the module substrate 110 has circuit wiring and connection pads 111 that connect each component.
  • the electronic device 40 can be mounted on the module substrate 110 via a bonding material 113 such as solder.
  • the insulating substrate 12 in the wiring substrate 10 contains AlN (aluminum nitride) as the main component of the constituent elements.
  • the conductor layer 14 has a constituent element of Cu (copper).
  • An intermediate layer 16 exists at the interface between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14.
  • the intermediate layer 16 has a thickness of 20 nm to 80 nm or the like.
  • FIG. 2A is a diagram showing concentration distributions of constituent elements around the intermediate layer in the wiring board of the embodiment.
  • FIG. 2B is a diagram showing concentration distributions of constituent elements around the intermediate layer in the comparative example.
  • the constituent elements of the intermediate layer 16 and the concentration distributions of the constituent elements of the intermediate layer 16 shown below were obtained by measurement of electron energy loss spectroscopy (TEM-EELS: Electron Energy-Loss Spectroscopy).
  • the concentration distribution is represented by a concentration of at% (atomic percent). Note that the graphs in FIGS. 2A and 2B do not represent the values of the concentration distribution exactly, but show the changes in the values in a simplified manner.
  • the intermediate layer 16 contains Al (aluminum), N (nitrogen), and Cu (copper), as shown in FIG. 2A.
  • the Cu concentration in the second region 16r2 is higher than that in the first region 16r1. high.
  • the Al concentration is higher in the first region 16r1 than in the second region 16r2.
  • the concentration of N may be higher in the first region 16r1 than in the second region 16r2.
  • the concentration of AL and the concentration of N may be gradually reduced from the insulating substrate 12 toward the conductor layer 14.
  • the first region 16r1 and the second region 16r2 are two regions that do not overlap each other and have an arbitrary thickness in the layer direction (for example, may be 10% of the thickness of the intermediate layer 16).
  • the first region 16r1 may be a region closer to the insulating substrate 12 than the second region 16r2, and the second region 16r2 may be a region closer to the conductor layer 14 than the first region 16r1.
  • the first region 16r1 may be closer to the insulating substrate 12 than the center of the intermediate layer 16
  • the second region 16r2 may be a region closer to the conductor layer 14 than the center of the intermediate layer 16.
  • the constituent elements of the intermediate layer 16 may have a concentration distribution as shown below. That is, the concentration gradient of Al and N is such that the concentration is lower toward the conductor layer 14, and the concentration gradient of Cu is such that the concentration is higher toward the conductor layer 14.
  • the above concentration gradient may exist from the conductor layer 14 side of the intermediate layer 16 to the insulating substrate 12 side.
  • the intermediate layer 16 may include C (carbon). However, even if C is contained, the concentration of C in the intermediate layer 16 is 10 at% or less. The concentration of 10 at% or less of C may be substantially the same as the concentration of C of the conductor layer 14.
  • the comparative example of FIG. 2B shows the concentration distribution of the constituent elements at the interface when the sintering treatment under the predetermined conditions described later is not performed.
  • the concentration changes of the constituent elements Al, N, Cu
  • the concentration changes of the constituent elements are steep between the insulating substrate 212 side of the intermediate layer 216 and the conductor layer 214 side of the intermediate layer 216.
  • the intermediate layer 216 of the comparative example has a portion having a high concentration of C, for example, a concentration higher than the total concentration of Al, N and Cu.
  • the conductor layer 214 is generated by the plating process, the intermediate layer 216 is mixed with the carbon component contained in the plating solution, and the sintering process under the predetermined condition described later is not performed, so that the concentration of C is high. .
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the structure around the interface of the insulating substrate.
  • the insulating substrate 12 has many fine recesses 12D at the interface with the conductor layer 14 as shown in FIG.
  • the constituent elements of the conductor layer 14 enter the recess 12D, and the intermediate layer 16 is formed between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 not only on the interface of the region outside the recess 12D but also on the inner surface of the recess 12D. .
  • the elemental composition and concentration distribution of the intermediate layer 16 are as described in FIG. 2A.
  • the contact regions e1 containing TiO 2 (titanium oxide) as a constituent element are scattered on the inner surface of the recess 12D.
  • the close contact area e1 may be scattered on the interface between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 in the area outside the recess 12D. Dotted means that the adhesion region e1 and a region other than the adhesion region e1 are mixed at the interface between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14.
  • FIG. 4 is a diagram showing the concentration distribution of constituent elements around the interface including the adhesion region e1 in the recess.
  • the graph of FIG. 4 does not represent the value of the concentration distribution exactly, but shows the change of the value in a simplified manner.
  • the intermediate layer 16A contains Al, N, Cu, Ti (titanium), and O (oxygen). Also in the intermediate layer 16A, there is a concentration gradient in which the concentrations of Al, N, and Cu gradually change. The directions of the Al, N, and Cu concentration gradients are the same as the concentration gradients in the intermediate layer 16 described above. The Al, N, and Cu concentration gradients exist from the insulating substrate 12 side of the intermediate layer 16A to the conductor layer 14 side. Further, also in the intermediate layer 16A, the concentration of C is 10 at% or less.
  • the intermediate layer 16A further contains Ti and O, so that the interdiffusion of Cu and Al is promoted in the sintering process under the predetermined conditions described later. Therefore, the concentration gradient of Al, N, and Cu in the intermediate layer 16A is gentle as compared with the concentration gradient of the intermediate layer 16 in the portion where the adhesion region e1 is not included.
  • the intermediate layer 16A including the adhesion region e1 a concentration gradient of O (oxygen) is generated on the conductor layer 14 side, so that the adhesion strength of the conductor layer 14 is increased.
  • O oxygen
  • the adhesion strength between the conductor layer 14 and the insulating board 12 was tested.
  • the test method is to apply a tensile force in a direction perpendicular to the interface to the first jig to which the insulating substrate 12 is fixed and a second jig to which the conductor layer 14 is fixed, in the direction perpendicular to the interface, to bring the maximum tensile strength into close contact. It was measured as strength.
  • the tensile force is increased, the interface between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 may be broken or the insulating substrate 12 may be broken. I asked.
  • the test target is a substrate that has not been subjected to sintering treatment, a substrate that has been subjected to sintering treatment under conditions that are different from the prescribed conditions described below, and that has been subjected to sintering treatment under the prescribed conditions that will be described later, and the adhesion regions e1 are scattered at the interface.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of a method of manufacturing the wiring board according to the embodiment.
  • the pretreatment process J1 of cleaning and drying the AlN substrate 70, the process J2 of applying the organic Ti liquid 71 to the AlN substrate 70, and the AlN liquid of the organic Ti liquid 71 are applied in chronological order.
  • anisotropic etching using chemicals or reactive ions may be performed to form the fine recesses 12D on the surface of the AlN substrate 70.
  • baking process J3 baking is performed under conditions of 400° C. or higher and 30 minutes or longer. Therefore, the organic Ti liquid 71 becomes the solidified titanium oxide layer 71A.
  • the present manufacturing method includes a step J4 of applying electroless Cu plating 74 to the substrate 72 after baking and cooling, and a sintering step J5 of performing a sintering process.
  • the wiring board 10 can be manufactured at low cost.
  • the sintering process is performed in an atmosphere of an inert gas under the conditions of 300° C. or higher and 30 minutes or longer.
  • Cu of the electroless Cu plating 74 reaches the AlN substrate 70 over the titanium oxide layer 71A, and the intermediate layer 16 having a concentration gradient of Al, N, Cu is formed at the interface. .
  • the sintering treatment under the above conditions causes the C (carbon) component of the electroless Cu plating 74 to diffuse from the interface to the electroless Cu plating 74 side.
  • the C component of the electroless Cu plating 74 reacts with the O (oxygen) component contained in the plating solution and scatters outside as CO gas or CO 2 gas.
  • the concentration of C in the intermediate layer 16 is reduced to 10 at% or less.
  • the titanium oxide layer 71A is changed to the adhesion region e1 scattered at the interface, and the intermediate layer 16A containing Ti and O is formed at the adhesion region e1.
  • the Cu concentration is The second region 16r2 is higher than the first region 16r1.
  • the Al concentration is higher in the first region 16r1 than in the second region 16r2. Due to the above-mentioned concentration gradient, the change in the coefficient of thermal expansion in the intermediate layer 16 becomes gentle from the insulating substrate 12 side to the conductor layer 14 side. Therefore, the concentration of stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the films is reduced, and high adhesion strength between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 can be obtained.
  • the concentration of N is higher in the first region 16r1 closer to the insulating substrate 12 than in the second region 16r2 closer to the conductor layer 14, so that the change in the coefficient of thermal expansion in the intermediate layer 16 is further increased. Get loose. Therefore, the concentration of stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the films is further reduced, and higher adhesion strength between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 can be obtained.
  • the concentration of AL and the concentration of N in the intermediate layer 16 gradually decrease from the insulating substrate 12 toward the conductor layer 14, so that the change in the coefficient of thermal expansion in the intermediate layer 16 becomes more gradual. Therefore, the concentration of stress due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the films is further reduced, and higher adhesion strength between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 can be obtained.
  • the intermediate layer 16 having a concentration gradient of Al, N, and Cu is formed on the interface of the region outside the fine recess 12D of the insulating substrate 12 and the inner surface of the recess 12D. Exists. Therefore, higher adhesion strength between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 can be obtained.
  • the intermediate layer 16A containing Ti and O is scattered on the inner surface of the recess 12D. Since Ti and O do not form a layer and are scattered, a more gradual concentration gradient of Al, N, and Cu can be obtained in the scattered portion and the periphery of the intermediate layer 16A containing Ti and O. A higher adhesion strength can be obtained. Furthermore, since a higher adhesion strength is obtained inside the recess 12D, the adhesion strength of the entire insulating substrate 12 and the conductor layer 14 can be further improved.
  • the concentration of C in the intermediate layers 16 and 16A is 10 at% or less.
  • the concentration of C in the intermediate layers 16 and 16A is 10 at% or less.
  • the use of the wiring board 10 having a high adhesion strength of the conductor layer 14 brings about an effect that high reliability can be obtained.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the configuration in which the adhesion region containing Ti and O is scattered at the interface between the insulating substrate 12 and the conductor layer 14 has been described, but the above configuration may not be necessary.
  • the concentration of C (carbon) in the intermediate layer may be other than the concentration shown in the embodiment.
  • an example of the method of manufacturing the wiring board is shown, but the wiring board according to the present invention may be manufactured by a manufacturing method different from that of the embodiment.
  • the details shown in the embodiment can be appropriately changed without departing from the spirit of the invention.
  • the present disclosure can be used for wiring boards, electronic devices, and electronic modules.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

ＡｌＮ（窒化アルミニウム）を含む絶縁基板とＣｕ（銅）系の導体層との高い結合強度が得られる配線基板を提供する。配線基板は、ＡｌＮを含む絶縁基板と、Ｃｕを含む導体層と、絶縁基板と導体層との間に位置する中間層とを備える。中間層は、絶縁基板に近い第１領域と、導体層に近い第２領域とにおいて、Ｃｕの濃度が、第１領域よりも第２領域が高く、Ａｌの濃度が、第２領域よりも第１領域が高い。

Description

配線基板、電子装置及び電子モジュール
　本開示は、配線基板、電子装置及び電子モジュールに関する。
　特開平５－１８２９２６号公報には、基板に、バリアメタル層を挟んで、Ａｌ（アルミニウム）系の配線が設けられた配線基板の製造方法について開示されている。上記の製造方法においては、基板の表面に小径の接続孔を形成した後、スパッタ法によって連続的にバリアメタル層と配線層とが成膜される。バリアメタル層としてはＴｉ系材料が適用されている。
　本開示に係る配線基板は、
　ＡｌＮを含む絶縁基板と、
　Ｃｕを含む導体層と、
　前記絶縁基板と前記導体層との間に位置する中間層と、
　を備え、
　前記中間層は、前記絶縁基板に近い第１領域と、前記導体層に近い第２領域とにおいて、
　Ｃｕの濃度が、前記第１領域よりも前記第２領域が高く、
　Ａｌの濃度が、前記第２領域よりも前記第１領域が高い、構成とした。
　本開示に係る電子装置は、
　上記の配線基板と、
　前記配線基板に搭載された電子部品と、
　を備える構成とした。
　本開示に係る電子モジュールは、
　上記の電子装置と、
　前記電子装置を搭載したモジュール用基板と、
　を備える構成とした。
　本開示によれば、ＡｌＮを含む絶縁基板とＣｕを構成元素とする導体層との高い結合強度が得られる配線基板、並びに、上記の配線基板を有する電子装置及び電子モジュールを提供できる。
本開示の実施形態に係る配線基板を示す図である。 図１Ａの配線基板の一部を示す部分拡大図である。 本開示の実施形態に係る電子モジュールを示す図である。 実施形態の配線基板における中間層周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。 比較例における中間層周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。 絶縁基板の界面周辺の構造を示す断面図である。 凹部内の界面周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。 実施形態の配線基板の製造方法の一例を説明する図である。
　以下、本開示の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
　図１Ａは、本開示の実施形態に係る配線基板の断面図である。図１Ｂは図１Ａの配線基板の一部を示す部分拡大図である。図１Ｃは本開示の実施形態に係る電子モジュールを示す断面図である。
　本実施形態の配線基板１０は、絶縁基板１２と、絶縁基板１２の板面上に形成された導体層１４とを有する。導体層１４は、絶縁基板１２上に任意のパターンで形成され、信号又は電力を伝送するための配線あるいは光素子等の電子部品２０を接続するための電極又は接続パッドとして機能する。絶縁基板１２の内部、並びに、絶縁基板１２の裏面（導体層１４の反対側）には、別途、配線又は接続パッド３１（図１Ｃ）が設けられていてもよい。配線基板１０は、電子部品２０を収容する凹部を備えたパッケージであってもよい。
　本実施形態の電子装置４０は、図１Ｃに示すように、図１Ａの配線基板１０に、電子部品２０が搭載されて構成される。電子部品２０は、電子部品２０の端子が導体層１４と電気的に接続されて実装される。電子部品２０の端子と導体層１４との接続形態は、半田等の接合材による接続、ワイヤーボンディングによる接続など、どのような接続形態であってもよい。図１Ｃでは、導体層１４に電子部品２０が搭載されているが、配線基板１０の導体層１４の無い部分に、電子部品２０が搭載されていてもよい。電子部品２０としては、ＬＤ（Laser Diode）、ＰＤ（Photo Diode）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等の光素子、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）型、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型等の撮像素子、水晶振動子等の圧電振動子、弾性表面波素子、半導体集積回路素子（ＩＣ：Integrated Circuit）等の半導体素子、電気容量素子、インダクタ素子又は抵抗器等の種々の電子部品を適用できる。
　本実施形態の電子モジュール１００は、図１Ｃに示すように、電子装置４０がモジュール用基板１１０に搭載されて構成される。モジュール用基板１１０には、電子装置４０に加えて、他の電子部品及び他の電気部品が搭載されていてもよい。モジュール用基板１１０は、回路配線と、各部品を接続する接続パッド１１１とを有する。電子装置４０は、例えば半田等の接合材１１３を介してモジュール用基板１１０に実装することができる。
　＜配線基板＞
　配線基板１０における絶縁基板１２は、構成元素の主成分としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）を含む。導体層１４は、構成元素がＣｕ（銅）である。絶縁基板１２と導体層１４との界面には、中間層１６が存在する。中間層１６は、２０ｎｍ～８０ｎｍ等の厚みを有する。
　図２Ａは、実施形態の配線基板における中間層周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。図２Ｂは、比較例における中間層周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。以下に示す中間層１６の構成元素及び中間層１６の構成元素の濃度分布は、電子エネルギー損失分光法（ＴＥＭ－ＥＥＬＳ：Electron Energy-Loss Spectroscopy）の測定により得られた。濃度分布はａｔ％（アトミックパーセント）の濃度により表される。なお、図２Ａ及び図２Ｂのグラフは、濃度分布の値を厳密に表わしたものではなく、値の変化を単純化して示している。
　中間層１６は、図２Ａに示すように、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎ（窒素）、Ｃｕ（銅）を含む。中間層１６の各領域のうち、絶縁基板１２に近い第１領域１６ｒ１と導体層１４に近い第２領域１６ｒ２とを比較したとき、Ｃｕの濃度は第１領域１６ｒ１よりも第２領域１６ｒ２のほうが高い。さらに、Ａｌの濃度は、第２領域１６ｒ２よりも第１領域１６ｒ１のほうが高い。さらに、Ｎの濃度は、第２領域１６ｒ２よりも第１領域１６ｒ１のほうが高くてもよい。中間層１６において、ＡＬの濃度及びＮの濃度は、絶縁基板１２から導体層１４に向かって漸減していてもよい。第１領域１６ｒ１及び第２領域１６ｒ２は、互いに重ならず、層方向に任意の厚み（例えば中間層１６の１０％の厚みであってもよい）を有する２つの領域である。第１領域１６ｒ１は第２領域１６ｒ２よりも絶縁基板１２に近い領域であり、第２領域１６ｒ２は第１領域１６ｒ１よりも導体層１４に近い領域であってよい。あるいは、第１領域１６ｒ１は、中間層１６の中央よりも絶縁基板１２に近く、第２領域１６ｒ２は、中間層１６の中央よりも導体層１４に近い領域であってもよい。
　中間層１６の構成元素は、より具体的には、次に示すような濃度分布を有していてもよい。すなわち、Ａｌ、Ｎの濃度勾配は、導体層１４に近いほど濃度が低い勾配であり、Ｃｕの濃度勾配は、導体層１４に近いほど濃度が高い勾配である。上記の濃度勾配は、中間層１６の導体層１４側から絶縁基板１２側にかけて存在してもよい。
　さらに、中間層１６は、Ｃ（炭素）を含んでもよい。しかし、Ｃが含まれる場合でも、中間層１６のＣの濃度は１０ａｔ％以下である。Ｃの１０ａｔ％以下の濃度は、導体層１４のＣの濃度とほぼ同じであってもよい。
　図２Ｂの比較例は、後述する所定条件のシンター処理を行わなかった場合の界面の構成元素の濃度分布を示す。比較例の構成においては、中間層２１６の絶縁基板２１２側と、中間層２１６の導体層２１４側とで、構成元素（Ａｌ、Ｎ、Ｃｕ）の濃度変化が急峻である。
　さらに、比較例の中間層２１６は、Ｃの濃度が高く、例えばＡｌ、Ｎ、Ｃｕの合計の濃度以上含まれる箇所を有する。中間層２１６には、導体層２１４をめっき処理により生成する際、めっき液に含まれる炭素成分が混入され、後述する所定条件のシンター処理が行われないことで、Ｃの濃度が高くなっている。
　＜密着成分＞
　図３は、絶縁基板の界面周辺の構造を示す断面図である。
　絶縁基板１２には、導体層１４との界面において、図３に示すような、微細な凹部１２Ｄを多数有する。凹部１２Ｄには、導体層１４の構成元素が入り込み、凹部１２Ｄの外の領域の界面だけではなく、凹部１２Ｄの内面にも絶縁基板１２と導体層１４との間に中間層１６が形成される。上記の中間層１６の元素成分及び濃度分布は、図２Ａで説明した通りである。
　さらに、凹部１２Ｄの内面には、ＴｉＯ２（酸化チタン）を構成元素に含む密着領域ｅ１が点在している。密着領域ｅ１は、凹部１２Ｄの外の領域の絶縁基板１２と導体層１４との界面にも点在していてもよい。点在とは、絶縁基板１２と導体層１４との界面において、密着領域ｅ１と、密着領域ｅ１以外の領域とが混在していることを意味する。
　続いて、密着領域ｅ１が含まれる箇所の中間層１６Ａについて説明する。密着領域ｅ１が含まれる箇所の中間層１６Ａと、密着領域ｅ１が含まれない箇所の中間層１６とを、異なる符号により区別する。図４は、凹部内の密着領域ｅ１が含まれる界面周辺の構成元素の濃度分布を示す図である。図４のグラフは、濃度分布の値を厳密に表わしたものではなく、値の変化を単純化して示している。
　中間層１６Ａには、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕ、Ｔｉ（チタン）、Ｏ（酸素）が含まれる。中間層１６Ａにおいても、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度が徐々に変化する濃度勾配が存在する。Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの各濃度勾配の向きは、前述した中間層１６における濃度勾配と同様である。Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度勾配は、中間層１６Ａの絶縁基板１２側から導体層１４側にかけて存在する。また、中間層１６Ａにおいても、Ｃの濃度は１０ａｔ％以下である。
　中間層１６Ａにおいては、さらに、Ｔｉ及びＯが含まれることにより、後述する所定条件のシンター処理においてＣｕとＡｌの相互拡散が促進されている。したがって、中間層１６ＡのＡｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度勾配は、密着領域ｅ１が含まれない箇所の中間層１６の濃度勾配と比較して、緩やかである。
　さらに、密着領域ｅ１が含まれる中間層１６Ａは、導体層１４側にＯ（酸素）の濃度勾配が発生し、よって、導体層１４の密着強度が増している。凹部１２Ｄにおける絶縁基板１２と導体層１４との密着強度が増すことで、絶縁基板１２と導体層１４との全体の密着強度がより増強する。
　＜密着強度＞
　実施形態の配線基板１０と、後述する所定条件のシンター処理を行っていない基板とについて、導体層１４と絶縁基板１２との密着強度について試験した。試験方法は、絶縁基板１２を固定した第１冶具と、導体層１４とを固定した第２冶具とに、界面に垂直な方向に互いを引き離す方向の引っ張り力を加え、最大の引っ張り強度を密着強度として測定した。引っ張り力を大きくしていくと、絶縁基板１２と導体層１４との界面が破壊される場合と、絶縁基板１２が破壊される場合とがあり、破壊モードとして、絶縁基板１２が破壊される割合を求めた。
　試験対象は、シンター処理を行っていない基板と、後述する所定条件とは別条件のシンター処理を行った基板と、後述する所定条件のシンター処理を行いかつ界面に密着領域ｅ１が点在する実施形態の配線基板１０との３つである。
　試験の結果、次の比較表に示すように、実施形態の配線基板１０の密着強度に大きな改善が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　＜製造方法＞
　図５は、実施形態の配線基板の製造方法の一例を説明する図である。
　本実施形態の製造方法は、時系列順に、ＡｌＮ基板７０を洗浄及び乾燥する前処理工程Ｊ１と、ＡｌＮ基板７０に有機Ｔｉ液７１を塗布する工程Ｊ２と、有機Ｔｉ液７１が塗布されたＡｌＮ基板７０を焼き付ける焼付工程Ｊ３とを含む。前処理工程Ｊ１では、薬剤又は反応性イオンを用いた異方性エッチングを行って、ＡｌＮ基板７０の表面に微細な凹部１２Ｄを形成してもよい。焼付工程Ｊ３では、４００℃以上、３０分以上の条件で焼き付けを実行する。したがって、有機Ｔｉ液７１は固化された酸化チタン層７１Ａとなる。さらに、本製造方法は、焼き付け放冷後の基板７２に、無電解Ｃｕめっき７４を施す工程Ｊ４と、シンター処理を施すシンター工程Ｊ５とを含む。
　本製造方法においては、塗布及び焼き付け、並びに、めっきにより、酸化チタンと導体層１４との成膜を行っているので、低コストに配線基板１０を製造できる。
　シンター工程Ｊ５では、不活性ガスの雰囲気中、３００℃以上、３０分以上の条件でシンター処理を実行する。上記の条件のシンター処理により、無電解Ｃｕめっき７４のＣｕが、酸化チタン層７１Ａを越えてＡｌＮ基板７０まで達し、界面において、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度勾配を有する中間層１６が形成される。
　また、上記条件のシンター処理により、無電解Ｃｕめっき７４のＣ（炭素）の成分が、界面から無電解Ｃｕめっき７４側に拡散する。加えて、上記条件のシンター処理により、無電解Ｃｕめっき７４のＣの成分が、めっき液に含まれるＯ（酸素）の成分と反応し、ＣＯガス又はＣＯ２ガスとして外部に飛散する。上記によって、中間層１６のＣの濃度が１０ａｔ％以下に低減する。
　さらに、上記条件のシンター処理により、酸化チタン層７１Ａは、界面に点在する密着領域ｅ１へと変化し、密着領域ｅ１の箇所では、ＴｉとＯとを含んだ中間層１６Ａが形成される。
　以上のように、本実施形態の配線基板１０によれば、中間層１６のうち絶縁基板１２に近い第１領域１６ｒ１と導体層１４に近い第２領域１６ｒ２とを比較したとき、Ｃｕの濃度は第１領域１６ｒ１よりも第２領域１６ｒ２のほうが高い。さらに、Ａｌの濃度は、第２領域１６ｒ２よりも第１領域１６ｒ１のほうが高い。上記の濃度勾配により、中間層１６において絶縁基板１２側から導体層１４側にかけて熱膨張率の変化が緩やかになる。よって、膜間で熱膨張率の違いによる応力の集中が低減され、絶縁基板１２と導体層１４との高い密着強度を得ることができる。
　さらに、中間層１６において、Ｎの濃度は、導体層１４に近い第２領域１６ｒ２よりも、絶縁基板１２に近い第１領域１６ｒ１のほうが高いことで、中間層１６における熱膨張率の変化がより緩やかになる。よって、膜間で熱膨張率の違いによる応力の集中がより低減され、絶縁基板１２と導体層１４とのより高い密着強度を得ることができる。同様に、中間層１６においてＡＬの濃度及びＮの濃度は、絶縁基板１２から導体層１４に向かって漸減していることで、中間層１６における熱膨張率の変化がより緩やかになる。よって、膜間で熱膨張率の違いによる応力の集中がより低減され、絶縁基板１２と導体層１４とのより高い密着強度を得ることができる。
　さらに、本実施形態の配線基板１０によれば、絶縁基板１２の微細な凹部１２Ｄの外の領域の界面と、凹部１２Ｄの内面とに、Ａｌ、Ｎ、Ｃｕの濃度勾配を有する中間層１６が存在する。よって、絶縁基板１２と導体層１４とのより高い密着強度が得られる。
　さらに、本実施形態の配線基板１０によれば、凹部１２Ｄの内面には、Ｔｉ、Ｏを含んだ中間層１６Ａが点在する。Ｔｉ、Ｏが層とならず、点在することで、Ｔｉ、Ｏを含んだ中間層１６Ａの点在する部分及び周囲においてＡｌ、Ｎ、Ｃｕのより緩やかな濃度勾配が得られ、よって、界面のより高い密着強度が得られる。さらに、凹部１２Ｄの内側でより高い密着強度が得られることから、絶縁基板１２と導体層１４との全体の密着強度をより向上できる。
　さらに、本実施形態の配線基板１０によれば、中間層１６、１６ＡにおいてＣの濃度が１０ａｔ％以下である。界面がＣで占められていると、界面の強度が低下するが、本実施形態では、界面のＣによる強度低下が抑制される。Ｃの濃度についての構成及び効果は、導体層１４をめっきにより生成する場合に、特に有効である。
　さらに、本実施形態の電子装置４０及び電子モジュール１００によれば、導体層１４の密着強度の高い配線基板１０が用いられることで、高い信頼性が得られるという効果が奏される。
　以上、本開示の各実施形態について説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限られない。例えば、上記実施形態では、Ｔｉ及びＯを含む密着領域が絶縁基板１２と導体層１４との界面に点在する構成を示したが、上記の構成はなくてもよい。また、中間層のＣ（炭素）の濃度は、実施形態で示した濃度以外であってもよい。さらに、上記実施形態では、配線基板を製造する方法の一例を示したが、本発明に係る配線基板は実施形態とは別の製造方法により製造されてもよい。その他、実施形態で示した細部は、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
　本開示は、配線基板、電子装置及び電子モジュールに利用できる。

Claims (9)

  1. 　ＡｌＮを含む絶縁基板と、
    　Ｃｕを含む導体層と、
    　前記絶縁基板と前記導体層との間に位置する中間層と、
    　を備え、
    　前記中間層は、前記絶縁基板に近い第１領域と、前記導体層に近い第２領域とにおいて、
    　Ｃｕの濃度が、前記第１領域よりも前記第２領域が高く、
    　Ａｌの濃度が、前記第２領域よりも前記第１領域が高い、
    　配線基板。
  2. 　Ｎの濃度が、前記第２領域よりも前記第１領域が高い、
    　請求項１記載の配線基板。
  3. 　前記中間層は、Ａｌ及びＮの濃度が、前記絶縁基板から前記導体層に向かって漸減している、
    　請求項１または請求項２に記載の配線基板。
  4. 　前記絶縁基板は前記導体層側に複数の凹部を有し、
    　前記中間層が、前記凹部外及び前記凹部内に存在する、
    　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の配線基板。
  5. 　前記中間層は、更にＴｉ及びＯを含む、
    　請求項４記載の配線基板。
  6. 　前記中間層のＴｉが、前記凹部内の前記絶縁基板の界面に点在している、
    　請求項４記載の配線基板。
  7. 　前記中間層の前記絶縁基板側から前記導体層側にかけて、Ｃの濃度が１０ａｔ％以下である、
    　請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の配線基板。
  8. 　請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の配線基板と、
    　前記配線基板に搭載された電子部品と、
    　を備える電子装置。
  9. 　請求項８記載の電子装置と、
    　前記電子装置を搭載したモジュール用基板と、
    　を備える電子モジュール。
PCT/JP2019/046867 2018-11-30 2019-11-29 配線基板、電子装置及び電子モジュール WO2020111256A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020557872A JP7239610B2 (ja) 2018-11-30 2019-11-29 配線基板、電子装置及び電子モジュール
EP19890821.2A EP3890006A4 (en) 2018-11-30 2019-11-29 CIRCUIT BOARD, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC MODULE
CN201980077261.4A CN113169136A (zh) 2018-11-30 2019-11-29 布线基板、电子装置以及电子模块
US17/297,890 US11823966B2 (en) 2018-11-30 2019-11-29 Wiring substrate, electronic device, and electronic module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018224350 2018-11-30
JP2018-224350 2018-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020111256A1 true WO2020111256A1 (ja) 2020-06-04

Family

ID=70853032

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/046867 WO2020111256A1 (ja) 2018-11-30 2019-11-29 配線基板、電子装置及び電子モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11823966B2 (ja)
EP (1) EP3890006A4 (ja)
JP (1) JP7239610B2 (ja)
CN (1) CN113169136A (ja)
WO (1) WO2020111256A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177634A (ja) * 1984-02-24 1985-09-11 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板の製造方法
JPH05218229A (ja) * 1992-01-28 1993-08-27 Toshiba Corp セラミック回路基板
JP2016058706A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 Ｊｘ金属株式会社 金属セラミック接合基板及び、その製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05182926A (ja) 1991-12-30 1993-07-23 Sony Corp 配線形成方法
JP4077888B2 (ja) * 1995-07-21 2008-04-23 株式会社東芝 セラミックス回路基板
TWI462236B (zh) * 2005-03-18 2014-11-21 Dowa Electronics Materials Co 副載置片及其製造方法
JP2007123798A (ja) * 2005-09-28 2007-05-17 Kyocera Corp 配線基板および電子装置
WO2015141295A1 (ja) * 2014-03-20 2015-09-24 三菱マテリアル株式会社 接合体、パワーモジュール用基板、パワーモジュール、及び、接合体の製造方法
EP3398205B1 (en) * 2015-12-28 2019-10-30 NGK Insulators, Ltd. Bonded substrate and method for manufacturing bonded substrate
JP6965768B2 (ja) * 2017-02-28 2021-11-10 三菱マテリアル株式会社 銅／セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅／セラミックス接合体の製造方法、絶縁回路基板の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60177634A (ja) * 1984-02-24 1985-09-11 Toshiba Corp パワ−半導体モジユ−ル基板の製造方法
JPH05218229A (ja) * 1992-01-28 1993-08-27 Toshiba Corp セラミック回路基板
JP2016058706A (ja) * 2014-09-10 2016-04-21 Ｊｘ金属株式会社 金属セラミック接合基板及び、その製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3890006A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113169136A (zh) 2021-07-23
EP3890006A1 (en) 2021-10-06
EP3890006A4 (en) 2022-08-17
JP7239610B2 (ja) 2023-03-14
US11823966B2 (en) 2023-11-21
US20220037220A1 (en) 2022-02-03
JPWO2020111256A1 (ja) 2021-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100531393B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
TWI447862B (zh) Electronic parts, electronic machines, and base member manufacturing methods
JP3684978B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR101655926B1 (ko) 반도체장치 및 반도체장치의 제조방법
US9445503B2 (en) Carrier device, electrical device having a carrier device and method for producing same
JP3506393B2 (ja) 液晶表示装置とその製造方法、プリンタとその製造方法
CN111788675B (zh) 高频模块
WO2015114987A1 (ja) パワーモジュール用基板とその製造方法とそのパワーモジュール用基板を用いたパワーモジュール
US8067698B2 (en) Wiring substrate for use in semiconductor apparatus, method for fabricating the same, and semiconductor apparatus using the same
KR20010070094A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
US5946597A (en) Semiconductor chip mounting method
WO2020111256A1 (ja) 配線基板、電子装置及び電子モジュール
WO2020196616A1 (ja) 配線基板、電子装置及び電子モジュール
JP7237687B2 (ja) 配線基板、電子装置及び電子モジュール
US20200136345A1 (en) Light module
JP7478569B2 (ja) 配線基板、電子装置及び電子モジュール
TWI826866B (zh) 安裝基板及電路基板
US20230230907A1 (en) Substrate structure, module, method for manufacturing the substrate structure, and method for manufacturing the module
JP3645391B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH04291993A (ja) 薄膜ユニットの接合方法
JPH1012985A (ja) 混成集積回路用基板、その製造方法、及びそれを用いた混成集積回路
JP2005217134A (ja) 複合配線基板及び複合配線基板装置
JPH1154532A (ja) 半導体素子用パッケージ
JP2855960B2 (ja) 電子部品実装基材の形成方法および電子部品実装体の形成方法
JP2004047622A (ja) 電極間を電気的に接続する方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19890821

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020557872

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019890821

Country of ref document: EP

Effective date: 20210630