JPH1012985A - 混成集積回路用基板、その製造方法、及びそれを用いた混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路用基板、その製造方法、及びそれを用いた混成集積回路Info
- Publication number
- JPH1012985A JPH1012985A JP15831596A JP15831596A JPH1012985A JP H1012985 A JPH1012985 A JP H1012985A JP 15831596 A JP15831596 A JP 15831596A JP 15831596 A JP15831596 A JP 15831596A JP H1012985 A JPH1012985 A JP H1012985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- hybrid integrated
- circuit
- aluminum
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
板に優れる大電力用途向け回路基板、及びそれを安定し
て、生産性良く供給する製造方法を提供する。又、熱衝
撃に強い、電気的信頼性の高い混成集積回路を提供す
る。 【解決手段】 Al板上に絶縁接着剤層を介して厚さ2
00〜1000μmのAl回路が形成され、該Al回路
上の一部に銅メッキ層を有する混成集積回路用基板であ
り、Al板上に絶縁接着剤層を介してAl箔を接合し、
更に銅メッキ層を形成し、しかる後回路を形成する混成
集積回路用基板製造方法であり、更に、前記基板に電子
部品を半田及び/又はワイヤー線で接合した混成集積回
路である。
Description
発熱性電子部品或いは高発熱性電子部品と制御回路電子
部品とを実装することができて電源用途等の大電力用途
にも適用可能な混成集積回路に適した高い放熱性が実現
される混成集積用基板とその製造方法に係わり、更に前
記混成集積回路用基板を用いた混成集積回路に係わる。
して、熱伝導性の良好な金属ベース回路基板が用いられ
ている。金属ベース回路基板は、アルミニウム等の金属
板上にエポキシ樹脂等の樹脂に無機質フィラーを充填し
た厚さ数十μm程度の絶縁剤を介して回路形成された導
電箔を接合した構造を有する。金属ベース回路基板は高
い熱伝導性を有するので、発熱量が大きい電子部品が搭
載され利用される大電力用途分野に用いられている。
化、基板の高密度化、或いは更に適用分野の拡大を目的
に、より一層熱放散性の高い金属ベース回路基板が要望
されていて、例えば、300μmと厚い銅箔を回路導体
として用いた金属ベース回路基板が開発されている。
た金属ベース混成集積回路用基板には、金属板であるア
ルミニウムと導体である銅との熱膨張率の差により回路
基板の反りが大きい、また、熱膨張率等の差から生じる
残留応力により金属ベース回路基板の絶縁破壊電圧値が
低下するという問題点がある。
抗等の電子部品を搭載した際、銅のヤング率が小さいた
めか、電子部品と銅回路とを接合している半田が熱衝撃
により破断し、電気的な信頼性に欠けるという問題もあ
る。
ーボンディング性を改良したアルミニウム/銅クラッド
箔を用いた金属ベース回路基板が公知である(特公平1
−15153号公報参照)が、アルミニウムの厚みは最
大100μmであった。アルミニウムの厚みが100μ
m以上のものは、ロール状に作製できないというアルミ
ニウム/銅クラッド箔の製造上の理由から、入手するこ
とができなかったからである。
知技術に鑑み、上記問題点の解決を図るべく、いろいろ
検討した結果、従来なかった、アルミニウム板上に厚み
の厚いアルミニウム箔を絶縁層を介して接合する構造を
採用するとき、極めて優れた特性を有する混成集積回路
用基板が得られるという知見を得て、本発明に至ったも
のである。
なく、絶縁破壊電圧が高く、熱放散性にすぐれる大電力
用途向けの混成集積回路用基板を得ることで有り、第2
の目的は、前記混成集積回路用基板を安定して、生産性
良く提供することであり、第3の目的は、前記混成集積
回路用基板を用いて熱衝撃に強く、電気的信頼性の高い
混成集積回路を提供することにある。
板の少なくとも一主面上に絶縁接着剤層を介して厚さ2
00μm以上1000μm以下のアルミニウム回路が形
成され、該アルミニウム回路上の少なくとも一部分に銅
メッキ層が形成されていることを特徴とする混成集積回
路用基板であり、好ましくは、前記銅メッキ層の厚みが
2μm以上20μm以下であること、また、前記アルミ
ニウム回路が、Cuを0.03〜7.0重量%含有する
合金、Mnを0.1〜2.0重量%含有する合金、Si
を0.05〜15重量%含有する合金又はMgを0.5
〜6.0重量%含有する合金の少なくとも1種以上から
なることを特徴とする前記混成集積回路用基板である。
なくとも一主面上に絶縁接着剤層を介してアルミニウム
箔を接合する工程、(2)前記アルミニウム箔上に銅メ
ッキ層を形成する工程、(3)回路を形成する工程を順
次経ることを特徴とする混成集積回路用基板の製造方法
であり、とりわけ、前記(2)工程の前に、前記アルミ
ニウム箔表面にジンケート処理、ニッケルメッキ処理、
亜鉛合金メッキ処理のうちの少なくとも1種以上の前処
理を施すことを特徴とする前記の混成集積回路用基板の
製造方法である。
板に電子部品を半田及び/又はワイヤー線で接合したこ
とを特徴とする混成集積回路であり、特に、混成集積回
路用基板上の一部に樹脂基板を接合したことを特徴とす
る前記混成集積回路である。
詳細に説明する。図1は本発明の混成集積回路用基板の
一例を示す断面図である。アルミニウム板1上に絶縁接
着剤層2を介してアルミニウム回路3が形成され、更に
アルミニウム回路3の一部分の上に銅メッキ回路4が形
成されている。
ニウム回路3の厚みは200μm以上1000μm以下
である。アルミニウム回路3の厚みは、集積回路用基板
の用途を大電力用とする場合には、厚いほど好ましい。
しかし、その厚さが増す程作製上の困難が生じる。即
ち、肉厚のアルミニウム回路3は、アルミニウム板1に
肉厚のアルミニウム箔を絶縁接着剤層2を介して接合後
にエッチングすることで作製可能であるが、該エッチン
グ工程におけるエッチングファクターの影響で、アルミ
ニウム箔従ってアルミニウム回路3の厚みが1000μ
mを超えると、得られる混成集積回路用基板の実装密度
が低下し、実使用可能な集積回路用基板を得ることがで
きなくなるからである。
満の場合、混成集積回路用基板の特性面では何等問題な
いが、アルミニウム回路の幅が同じのときには断面が小
さくなるので、当然ながらアルミニウム回路に流せる電
流量に制限が生じるし、アルミニウム回路の幅を広げ、
大電流を流せるように対応しようとすれば、混成集積回
路基板の高密度化が妨げられ、いずれの場合も用途面で
若干の制限を受ける。また、電気抵抗の観点からは、2
00μmのアルミニウム箔は、厚み105μm程度の銅
箔に相当し、この程度の厚みであれば、アルミニウム板
の剛性により反り量は100μm以下に限定できる。2
00μm未満であっても電気的にも実装上も問題となら
ない。尚、上記のことは、アルミニウム箔から予めアル
ミニウム回路3を形成し、これをアルミニウム板1上に
絶縁接着剤層2を介して接合する方法を採用する場合に
も、同様に言える。
0.03〜7.0重量%含有する合金、Mnを0.1〜
2.0重量%含有する合金、Siを0.05〜15重量
%含有する合金またはMgを0.5〜6.0重量%含有
する合金のうち少なくとも1種類以上からなるものであ
る。アルミニウム回路3のアルミニウム純度が高すぎる
と、理由は不明であるが、該アルミニウム回路3上の少
なくとも一部分に銅メッキ層4をメッキしたときに、密
着性が十分ででなく、アルミニウム回路と銅メッキとの
間で剥離が生じることがある。これに対して、Cuを
0.03〜7.0重量%含有する合金、Mnを0.1〜
2.0重量%含有する合金、Siを0.05〜15重量
%含有する合金またはMgを0.5〜6.0重量%含有
する合金のうち少なくとも1種類をアルミニウム回路3
に適用する場合には、前記の密着性不良、剥離といった
問題が防止される。
銅メッキ層4の厚みは2μm以上20μm以下が好まし
い。2μm未満であると半導体素子等の電子部品を半田
付けする際に、半田が上手く接合することができないこ
とがあるし、厚さが20μmを超えると、電子部品との
熱膨張率の差に原因して、電子部品/半田層/銅メック
層4の接続が時として十分に密接なものでない場合があ
るからである。尚、銅メッキ層4を形成する方法は、特
に限定するものでは無く、回路を形成する前に行っても
良いし、回路を形成した後必要な部分に行うなどいずれ
の手順を経てもかまわない。
の密着不良や剥離を防止する目的で、アルミニウム回路
3表面を銅メッキ層4形成前にジンケート処理、ニッケ
ルメッキ処理、亜鉛合金メッキ処理および/またはこの
複合処理を行うことが好ましい。これらの処理をするこ
とで、前記目的を達成することができるばかりでなく、
銅メッキ層4の厚みのバラツキを低減し、回路が形成し
易くする利点もある。
する面の表面粗さは0.1μm以上10μm以下が好ま
しい。アルミニウム回路3の絶縁接着層2に接する面の
表面粗さが0.1μm未満であると接着強度が不足し、
電子部品を実装する上でアルミニウム回路3が剥離する
等の問題を生じることがある。また、10μmを越える
と、混成集積回路用基板を実用に供した際に、絶縁接着
剤層2内部での電界集中が著しくなり、絶縁破壊強度が
低下する等電気的信頼性が低下することがある。アルミ
ニウム回路3の絶縁接着剤層2と接する面の表面粗さを
上記0.1〜10μmの範囲に制御する方法に関して
は、従来から公知の方法、例えば研磨等の機械的加工方
法やメッキ、エッチング等の化学的方法等、のいずれの
方法によっても構わない。
層2と接する表面には、厚みが100nm以上200n
m以下の針状の酸化膜層を有することが好ましい。上記
範囲の針状の酸化膜層が存在するとき、アルミニウム回
路3と絶縁接着剤層2とのより強固な接着が実現され、
信頼性のある接着状況が達成される。
質フィラーを充填したものが用いられる。樹脂としては
接着性、絶縁性の面よりエポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ブチラール等が用いられ、無機質フィラーとしては
酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、窒化
アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素等が用いられる。ま
た、無機フィラーの他にガラス繊維、ガラスクロス、無
機ファイバー等を混ぜてもかまわない。
00μm以下が好ましい。絶縁接着剤層2の厚みがあま
りに薄いと絶縁破壊等の電気的信頼性が低下するし、絶
縁接着剤層の厚みがあまりに厚いと電気的信頼性は確保
されるがものの、熱伝導性が低下し高発熱量の素子を搭
載することができなくなる。実用的には、両特性のバラ
ンスがとれる50μm以上200μmの範囲が選択され
る。
ニウム板1としては、特に規定するものではなく、一般
公知のアルミニウム及びアルミニウム合金を用いること
ができる。これらのアルミニウム及びアルミニウム合金
のうち、前記アルミニウム回路3と同じ組成のものを選
択することが、得られる混成集積回路用基板の反りを低
減するので、好ましい。これは、絶縁接着剤層2を挟ん
で熱膨張率が同じ、同材質のものが配置されるためと考
えられる。更に、前記アルミニウム合金のうち、Mgを
0.5〜6.0重量%含有する合金は、金属ベース回路
基板としての熱伝導性、加工性等といった特性にバラン
スがとれ、好適である。また、アルミニウム板1の厚み
としては、特に制限はないが0.5mm以上5.0mm
以下のものが一般的に用いられる。
回路用基板を用いている。前記混成集積回路用基板上に
は、半導体素子やセラミックスチップ抵抗、コンデンサ
ー等の電子部品が必要に応じて配置され、前記電子部品
は半田及び/又はワイヤー線等を利用して適宜接続さ
れ、混成集積回路を形成する。特に、前記混成集積回路
用基板上の一部分的に樹脂基板を搭載したものは、制御
回路を樹脂基板上に配置することで、外部からの雑音を
拾うこと等の電気的障害を防止できるので、一層好まし
い。
す。半導体素子6やセラミックスチップ抵抗8、コンデ
ンサー11等の電子部品がアルミニウム回路3上の銅メ
ッキ層4に半田5を介して接合・固定されている。ま
た、前記電子部品は必要に応じてワイヤー線7にてアル
ミニウム回路3に接続されている。尚、アルミニウム部
分は半田をはじくので、半田レジストの役割を兼ねるこ
とができる。
流を必要としない制御回路が搭載された樹脂基板9を配
設することができ、この場合混成集積回路の高密度実装
化に優れ、好ましい。
ェノール樹脂基板、ガラスエポキシ樹脂基板、ポリイミ
ド樹脂基板、ビスマレインイミド樹脂基板が挙げられ
る。また、無機フィラー等を充填した樹脂を絶縁接着剤
とし、該絶縁接着剤と回路形成した金属箔とを交互に塗
り重ねて制御回路を形成した回路基板をも用いることが
できる。尚、本発明の混成集積回路は放電を防ぐために
シリコンゲル、エポキシ樹脂等で封止しても構わない。
する。
接着剤を厚さ80μmに塗布し、その上に厚さ0.5m
mのアルミニウム箔を張り合わせて、金属ベース基板を
作製した。この時、絶縁接着層と接するアルミニウム箔
面の粗さはRzで5μmとした。この金属ベース基板の
アルミニウム箔上に厚さ10μmの銅メッキ層を形成
し、スクリーン印刷法を用いて回路を形成し、金属ベー
ス回路基板(混成集積回路用基板)とした。この金属ベ
ース回路基板について、反り、銅メッキ層の密着性、箔
接着強さ、および回路部と金属板の間の絶縁破壊電圧を
以下の方法にて測定した。
素子、セラミックスチップ抵抗、コンデンサー等の電子
部品を実装し、混成集積回路を形成した。尚、前記電子
部品は半田にて銅メッキ層4上に固定され、また必要に
応じてアルミニウム回路3にワイヤー線にて接合されて
いる。この混成集積回路を、以下に示したヒートサイク
ル試験にかけ、半田割れ等による電気的信頼性を確認し
た。
ース回路基板のアルミニウム回路部分の材質と厚み、銅
メッキ層の厚み、およびアルミニウム回路表面の処理方
法を表1に示した条件で変えた以外は、実施例1と同一
の操作を経て得られたいろいろの金属ベース回路基板並
びに混成集積回路について、実施例1と同一の評価を行
い、実施例2〜13、比較例1、2とした。これらの結
果を表1に示した。
プリント配線板試験方法の6.2.10項「平たん度
(1)そりの試験方法」に準じ、試験を行った。
C 5012 プリント配線板試験方法の8.4項「め
っき密着性の試験方法」に準じ、試験を行った。
6841 プリント配線板用銅張り積層板試験方法の
5.7項「引きはがし強さの試験方法」に準じ、試験を
行った。
2110 固体電気絶縁材料の絶縁耐力の試験方法の
8.2項「段階破壊試験方法」に準じ、試験を行った。
性の測定方法>混成集積回路を試験片とし、−50℃、
30分と150℃、30分の温度条件を一サイクルとし
たヒートサイクル試験にかける。200サイクル、50
0サイクル、1000サイクル後に、試験片を取り出
し、半導体素子、セラミックスチップ抵抗等の電子部品
が、電気的に回路基板と接続しているか否かを調べた。
確認は、テスターによる導通確認と外観検査によるクラ
ックの発生状態の有無を黙視確認する方法により行っ
た。
小さく、絶縁破壊電圧が高く、しかも熱放散性に優れる
ているので、大電力用途向けの混成集積回路に好適であ
る。また、本発明の混成集積回路用基板の製造方法によ
れば、前記の反りが小さく、絶縁破壊電圧が高く、しか
も熱放散性に優れる混成集積回路用基板を容易に、生産
性高く得ることができる。加えて、本発明の混成集積回
路を用いてなる混成集積回路は、耐熱衝撃性に優れ、電
気的信頼性が高いので、大電力用途に安心して用いるこ
とができ、有用である。
面図
Claims (7)
- 【請求項1】 アルミニウム板の少なくとも一主面上に
絶縁接着剤層を介して厚さ200μm以上1000μm
以下のアルミニウム回路が形成され、該アルミニウム回
路上の少なくとも一部分に銅メッキ層が形成されている
ことを特徴とする混成集積回路用基板。 - 【請求項2】 前記銅メッキ層の厚みが2μm以上20
μm以下であることを特徴とする請求項1記載の混成集
積回路用基板。 - 【請求項3】 前記アルミニウム回路が、Cuを0.0
3〜7.0重量%含有する合金、Mnを0.1〜2.0
重量%含有する合金、Siを0.05〜15重量%含有
する合金又はMgを0.5〜6.0重量%含有する合金
の少なくとも1種以上からなることを特徴とする請求項
1又は請求項2記載の混成集積回路用基板。 - 【請求項4】 (1)アルミニウム板の少なくとも一主
面上に絶縁接着剤層を介してアルミニウム箔を接合する
工程、(2)前記アルミニウム箔上に銅メッキ層を形成
する工程、(3)回路を形成する工程を順次経ることを
特徴とする混成集積回路用基板の製造方法。 - 【請求項5】 前記(2)工程の前に、前記アルミニウ
ム箔表面にジンケート処理、ニッケルメッキ処理、亜鉛
合金メッキ処理のうちの少なくとも1種以上の前処理を
施すことを特徴とする請求項4記載の混成集積回路用基
板の製造方法。 - 【請求項6】 請求項1、請求項2、又は請求項3記載
の混成集積回路用基板に電子部品を半田及び/又はワイ
ヤー線で接合したことを特徴とする混成集積回路。 - 【請求項7】 混成集積回路用基板上の一部に樹脂基板
を接合したことを特徴とする請求項6記載の混成集積回
路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15831596A JP3257953B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 混成集積回路用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15831596A JP3257953B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 混成集積回路用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1012985A true JPH1012985A (ja) | 1998-01-16 |
JP3257953B2 JP3257953B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=15668955
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15831596A Expired - Fee Related JP3257953B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 混成集積回路用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3257953B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008160A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
WO2012090360A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース回路基板、金属ベース回路基板の製造方法 |
JP2015517213A (ja) * | 2012-04-05 | 2015-06-18 | タイコ エレクトロニクス アンプ コリア リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP15831596A patent/JP3257953B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003008160A (ja) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板 |
WO2012090360A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベース回路基板、金属ベース回路基板の製造方法 |
CN103283313A (zh) * | 2010-12-28 | 2013-09-04 | 住友电木株式会社 | 金属基电路基板、金属基电路基板的制造方法 |
JP2015517213A (ja) * | 2012-04-05 | 2015-06-18 | タイコ エレクトロニクス アンプ コリア リミテッド | 印刷回路基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3257953B2 (ja) | 2002-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7394663B2 (en) | Electronic component built-in module and method of manufacturing the same | |
KR100382631B1 (ko) | 금속기재다층회로기판과이를구비하는반도체모듈 | |
US5362926A (en) | Circuit substrate for mounting a semiconductor element | |
US6328201B1 (en) | Multilayer wiring substrate and method for producing the same | |
JP4882562B2 (ja) | 熱伝導基板とその製造方法及び電源ユニット及び電子機器 | |
JP2000100987A (ja) | 半導体チップモジュール用多層回路基板およびその製造方法 | |
JP2004274035A (ja) | 電子部品内蔵モジュールとその製造方法 | |
JP5069485B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
JP3257953B2 (ja) | 混成集積回路用基板の製造方法 | |
JP2004221388A (ja) | 電子部品搭載用多層基板及びその製造方法 | |
JP3156798B2 (ja) | 半導体搭載用回路基板 | |
JPH08288605A (ja) | 金属回路基板 | |
JP7298988B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP3862632B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板とそれを用いた混成集積回路 | |
JPH0613723A (ja) | 混成集積回路 | |
JPH10335769A (ja) | 混成集積回路用基板 | |
JP3174026B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
JP3358694B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
JP3516381B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
JP4318374B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
JP2676107B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JP4187082B2 (ja) | 金属ベース回路基板とその製造方法 | |
JP3282776B2 (ja) | 金属ベース多層回路基板 | |
JP2008021817A (ja) | 熱伝導基板とその製造方法及び電源ユニット及び電子機器 | |
JP3231295B2 (ja) | 金属ベース回路基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071207 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081207 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091207 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091207 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101207 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111207 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121207 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131207 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |