JP3282776B2 - 金属ベース多層回路基板 - Google Patents
金属ベース多層回路基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属ベース多層回路基
板、とくに多層化された部分に発熱性の高いパワー電子
素子の搭載が可能であり、かつその信頼性に優れた金属
ベース多層回路基板に関する。
板、とくに多層化された部分に発熱性の高いパワー電子
素子の搭載が可能であり、かつその信頼性に優れた金属
ベース多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体搭載用の回路基板では高密
度実装化および高性能化が要求され、半導体素子の小型
化、高性能化、配線密度の微細化にともない、半導体素
子から発生した熱を如何に放散するかということが問題
となっている。
度実装化および高性能化が要求され、半導体素子の小型
化、高性能化、配線密度の微細化にともない、半導体素
子から発生した熱を如何に放散するかということが問題
となっている。
【０００３】この様な要求のもと、電源分野を中心に、
金属板上に絶縁層を介して金属箔を積層した金属ベース
回路基板が熱放散性が良いという理由で使用されてきて
いるが、金属板の上に薄い絶縁層を塗布した構造である
ため、ノイズが発生しやすく、モジュールの誤動作を引
き起こしやすいという問題があった。
金属板上に絶縁層を介して金属箔を積層した金属ベース
回路基板が熱放散性が良いという理由で使用されてきて
いるが、金属板の上に薄い絶縁層を塗布した構造である
ため、ノイズが発生しやすく、モジュールの誤動作を引
き起こしやすいという問題があった。
【０００４】上記ノイズ対策として、金属板上または表
面に絶縁剤層を設けた金属板上に接着剤層を介して上層
基板を積層した金属ベース多層回路基板が広く使用され
てきているが、この様な金属ベース多層回路基板では、
一般に、金属板と上層基板の間の絶縁剤層にエポキシ含
浸ガラスクロス等の熱放散性の悪い材料が使用されてい
ること、加えて接着剤層が介在するということのため
に、高パワーの電子素子を搭載する場合には、熱放散性
が不十分であり、電子素子の温度が上昇し、ひいては誤
動作を生ぜしめるという問題があった。
面に絶縁剤層を設けた金属板上に接着剤層を介して上層
基板を積層した金属ベース多層回路基板が広く使用され
てきているが、この様な金属ベース多層回路基板では、
一般に、金属板と上層基板の間の絶縁剤層にエポキシ含
浸ガラスクロス等の熱放散性の悪い材料が使用されてい
ること、加えて接着剤層が介在するということのため
に、高パワーの電子素子を搭載する場合には、熱放散性
が不十分であり、電子素子の温度が上昇し、ひいては誤
動作を生ぜしめるという問題があった。
【０００５】この対策として、ガラスエポキシ多層基板
等の樹脂基板や無機物を充填した樹脂を介して２つの金
属箔を接合した両面樹脂基板等の回路基板を、熱伝導性
を高める為の無機フィラーを充填した絶縁接着材層を介
して、金属板に積層した金属ベース多層回路基板が考案
されている。（特願平６−２２３６９２号）しかしなが
ら、この様な金属ベース多層回路基板には、絶縁接着剤
層と回路基板との接着力が不十分なため、この界面で剥
離してしまうという問題があった。
等の樹脂基板や無機物を充填した樹脂を介して２つの金
属箔を接合した両面樹脂基板等の回路基板を、熱伝導性
を高める為の無機フィラーを充填した絶縁接着材層を介
して、金属板に積層した金属ベース多層回路基板が考案
されている。（特願平６−２２３６９２号）しかしなが
ら、この様な金属ベース多層回路基板には、絶縁接着剤
層と回路基板との接着力が不十分なため、この界面で剥
離してしまうという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたものであって、多層化された部分に発
熱性の高パワー電子素子の搭載が可能であり、信頼性に
優れた金属ベース多層回路基板を提供するものである。
に鑑みてなされたものであって、多層化された部分に発
熱性の高パワー電子素子の搭載が可能であり、信頼性に
優れた金属ベース多層回路基板を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は金属板上に金属
酸化物及び／または金属窒化物の一種以上よりなる粉体
を含有する樹脂からなる絶縁接着剤層を設け、少なくと
も下層に回路形成された両面樹脂基板を、前記絶縁接着
剤層上に直接積層してなる金属ベース多層回路基板であ
って、前記の下層の回路表面に少なくともニッケル（Ｎ
ｉ）またはコバルト（Ｃｏ）のいずれかを含むＣｕメッ
キ層が設けられ、しかも表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上1
0μｍ以下であることを特徴とする金属ベース多層回路
基板である。
酸化物及び／または金属窒化物の一種以上よりなる粉体
を含有する樹脂からなる絶縁接着剤層を設け、少なくと
も下層に回路形成された両面樹脂基板を、前記絶縁接着
剤層上に直接積層してなる金属ベース多層回路基板であ
って、前記の下層の回路表面に少なくともニッケル（Ｎ
ｉ）またはコバルト（Ｃｏ）のいずれかを含むＣｕメッ
キ層が設けられ、しかも表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上1
0μｍ以下であることを特徴とする金属ベース多層回路
基板である。
【０００８】
【０００９】以下、図を用いて本発明について詳細に説
明する。図１は、本発明と同じ構造を有するが、下層の
回路表面が特定の組成、表面粗さを有していない金属ベ
ース多層回路基板の断面図であり、金属板１上の少なく
とも一主面上の一部または全面に、少なくとも下層にシ
ールド回路等の回路を有する金属層５と上層に金属層４
を有する両面樹脂基板３を、絶縁接着剤層２を介して積
層され一体化された構造を有し、前記両面樹脂基板３が
前記絶縁接着剤層２に直接積層されている。図示してい
ないが両面樹脂基板３上には、一般に回路だけでなく電
子素子も必要に応じ搭載されるし、両面樹脂基板３上に
さらに複数層の回路基板が積層されていても構わない。
図２は、本発明の金属ベース多層回路基板の他の一例を
示す断面図で、両面樹脂基板３の下層の金属層５の表面
に少なくともニッケル（Ｎｉ）またはコバルト（Ｃｏ）
のいずれかを含むＣｕメッキ層７を有している。
明する。図１は、本発明と同じ構造を有するが、下層の
回路表面が特定の組成、表面粗さを有していない金属ベ
ース多層回路基板の断面図であり、金属板１上の少なく
とも一主面上の一部または全面に、少なくとも下層にシ
ールド回路等の回路を有する金属層５と上層に金属層４
を有する両面樹脂基板３を、絶縁接着剤層２を介して積
層され一体化された構造を有し、前記両面樹脂基板３が
前記絶縁接着剤層２に直接積層されている。図示してい
ないが両面樹脂基板３上には、一般に回路だけでなく電
子素子も必要に応じ搭載されるし、両面樹脂基板３上に
さらに複数層の回路基板が積層されていても構わない。
図２は、本発明の金属ベース多層回路基板の他の一例を
示す断面図で、両面樹脂基板３の下層の金属層５の表面
に少なくともニッケル（Ｎｉ）またはコバルト（Ｃｏ）
のいずれかを含むＣｕメッキ層７を有している。
【００１０】本発明の両面樹脂基板３とは、無機質充填
剤を含んだ樹脂を硬化して得られる絶縁接着剤層６を介
して２層以上の金属層４、５が積層されているものであ
り、無機質充填剤として窒化硼素、酸化アルミニウム、
酸化珪素のいずれか或いはこれらの２種以上を含む混合
物を45体積％〜80体積％樹脂に含有させたものである。
剤を含んだ樹脂を硬化して得られる絶縁接着剤層６を介
して２層以上の金属層４、５が積層されているものであ
り、無機質充填剤として窒化硼素、酸化アルミニウム、
酸化珪素のいずれか或いはこれらの２種以上を含む混合
物を45体積％〜80体積％樹脂に含有させたものである。
【００１１】上記の樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリ
イミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられるが、接着力
が強いことからエポキシ樹脂が好ましい。尚、両面樹脂
基板３の絶縁接着剤層６の厚みについては、得られる金
属ベース多層回路基板の熱放散性と耐電圧特性の面から
20μｍ以上200μｍ以下のものが好ましい。又、金属ベ
ース多層回路基板に要求される特性に応じて、両面樹脂
基板３に替えて、従来から知られているガラスエポキシ
樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、フェノール樹脂基板等
の樹脂基板や、表面を電気絶縁性とした金属基板あるい
はセラミック基板等を用いることも可能である。
イミド樹脂、フェノール樹脂等が挙げられるが、接着力
が強いことからエポキシ樹脂が好ましい。尚、両面樹脂
基板３の絶縁接着剤層６の厚みについては、得られる金
属ベース多層回路基板の熱放散性と耐電圧特性の面から
20μｍ以上200μｍ以下のものが好ましい。又、金属ベ
ース多層回路基板に要求される特性に応じて、両面樹脂
基板３に替えて、従来から知られているガラスエポキシ
樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、フェノール樹脂基板等
の樹脂基板や、表面を電気絶縁性とした金属基板あるい
はセラミック基板等を用いることも可能である。
【００１２】本発明に於いて、両面樹脂基板３の下層の
回路の表面は、Ｒｚで0.1μｍ以上10μｍ以下の表面粗
さである。両面樹脂基板３は、金属板１上に絶縁接着剤
層２を介して積層されるが、その接合力は回路自身の有
する凹凸に加え、絶縁接着剤層２と接する回路及び両面
樹脂基板３の絶縁接着剤層６の材質と表面性状に影響さ
れる。発明者らは、この点について実験的に検討を重
ね、回路表面の表面粗さが前記接合力を支配しているこ
と、特に、回路表面がＣｕあるいは少なくともＮｉ又は
Ｃｏを含むＣｕメッキした層であって、しかもその表面
の粗さがＲｚで0.1μｍ以上の時に前記接合力が向上で
きることを見いだし、本発明に至ったものである。
回路の表面は、Ｒｚで0.1μｍ以上10μｍ以下の表面粗
さである。両面樹脂基板３は、金属板１上に絶縁接着剤
層２を介して積層されるが、その接合力は回路自身の有
する凹凸に加え、絶縁接着剤層２と接する回路及び両面
樹脂基板３の絶縁接着剤層６の材質と表面性状に影響さ
れる。発明者らは、この点について実験的に検討を重
ね、回路表面の表面粗さが前記接合力を支配しているこ
と、特に、回路表面がＣｕあるいは少なくともＮｉ又は
Ｃｏを含むＣｕメッキした層であって、しかもその表面
の粗さがＲｚで0.1μｍ以上の時に前記接合力が向上で
きることを見いだし、本発明に至ったものである。
【００１３】両面樹脂基板３の下層の回路表面の表面粗
さがＲｚで0.1μｍ未満の場合には、充分な接合力が得
られず、使用中あるいは使用前から、両面樹脂基板の下
層回路と絶縁接着剤層２との間に隙間を生じ、その結
果、熱放散性が著しく不良となる。一方、表面粗さがＲ
ｚで10μｍを越える場合には、表面の凹凸部において電
界集中が起き、耐電圧性が不良となる。又、両面樹脂基
板３の下層の回路の表面の材質について、理由は不明で
あるが、銅である時に強固な接合力が得られるので好ま
しく、特に、少なくともＮｉ又はＣｏを含有するＣｕメ
ッキ層７が積層されている時に、上記効果が顕著であ
り、好ましい。
さがＲｚで0.1μｍ未満の場合には、充分な接合力が得
られず、使用中あるいは使用前から、両面樹脂基板の下
層回路と絶縁接着剤層２との間に隙間を生じ、その結
果、熱放散性が著しく不良となる。一方、表面粗さがＲ
ｚで10μｍを越える場合には、表面の凹凸部において電
界集中が起き、耐電圧性が不良となる。又、両面樹脂基
板３の下層の回路の表面の材質について、理由は不明で
あるが、銅である時に強固な接合力が得られるので好ま
しく、特に、少なくともＮｉ又はＣｏを含有するＣｕメ
ッキ層７が積層されている時に、上記効果が顕著であ
り、好ましい。
【００１４】両面樹脂基板３の下層の回路の材質につい
ては、特に規定するものでなく、銅、アルミニウム、ニ
ッケル、鉄、錫、銀、チタニウムあるいはこれら金属の
合金あるいはこれらの金属あるいは合金を数種積層した
クラッド箔あるいはＮｉメッキ、（Ｎｉ＋金）メッキ等
の金属メッキがほどこされていてもかまわない。これら
の金属あるいは合金は、一般的に9〜500μｍ程度の薄い
層状の箔の形態で供給され、その表面の粗さはＲｚで0.
1μｍ未満である。
ては、特に規定するものでなく、銅、アルミニウム、ニ
ッケル、鉄、錫、銀、チタニウムあるいはこれら金属の
合金あるいはこれらの金属あるいは合金を数種積層した
クラッド箔あるいはＮｉメッキ、（Ｎｉ＋金）メッキ等
の金属メッキがほどこされていてもかまわない。これら
の金属あるいは合金は、一般的に9〜500μｍ程度の薄い
層状の箔の形態で供給され、その表面の粗さはＲｚで0.
1μｍ未満である。
【００１５】本発明では、両面樹脂基板３の下層の回路
の表面となる金属層５の表面を荒らし、前記の0.1μｍ
以上10μｍ以下となるように調整する。
の表面となる金属層５の表面を荒らし、前記の0.1μｍ
以上10μｍ以下となるように調整する。
【００１６】又、本発明は、Ｃｕメッキの条件を選択す
ることで前記の表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上10μｍ以
下であるＣｕメッキ層をえることができるという知見に
もとづいたものである。本発明の両面樹脂基板３の下層
の回路形成された金属層５の表面に設けられるＣｕ合金
層７は、その表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上10μｍ以下
の表面粗さを有するものであり、更に、少なくともＮｉ
又はＣｏを含むものである。
ることで前記の表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上10μｍ以
下であるＣｕメッキ層をえることができるという知見に
もとづいたものである。本発明の両面樹脂基板３の下層
の回路形成された金属層５の表面に設けられるＣｕ合金
層７は、その表面粗さがＲｚで0.1μｍ以上10μｍ以下
の表面粗さを有するものであり、更に、少なくともＮｉ
又はＣｏを含むものである。
【００１７】Ｃｕメッキを行う方法としては電気Ｃｕメ
ッキと無電解Ｃｕメッキがあるが、本発明では、得られ
るＣｕメッキの表面粗さがＲｚで0.1μｍ〜10μｍのも
のが得られる限りいずれの方法でも良いが、無電解Ｃｕ
メッキはいろいろな合金、表面構造のメッキ層を得るこ
とができるので好ましい方法である。無電解Ｃｕメッキ
は、例えば、還元剤にホルマリン、グリオキシル酸塩或
いは次亜リン酸ナトリウムを含む硫酸銅水溶液中に被メ
ッキ物を数十秒浸漬することで容易に行うことができ
る。この時、電解液の安定性を確保するために、例えば
ほう酸等の緩衝剤、クエン酸ナトリウム等の錯化剤を用
いる。本発明に利用できるＣｕメッキの一例としては、
浴組成として硫酸銅0.032Ｍ、次亜リン酸ナトリウム0.2
7Ｍ、クエン酸ナトリウム0.052Ｍ、ほう酸0.5Ｍを基本
とし、所望に応じて硫酸コバルト、硫酸ニッケルを0.00
1〜0.01Ｍを加えたものを用い、浴温度50〜70℃の条件
下で被メッキ物を数十秒〜数時間浸漬することがあげら
れ、このメッキ条件で得られるＣｕメッキ層の表面粗さ
も調整することができる。
ッキと無電解Ｃｕメッキがあるが、本発明では、得られ
るＣｕメッキの表面粗さがＲｚで0.1μｍ〜10μｍのも
のが得られる限りいずれの方法でも良いが、無電解Ｃｕ
メッキはいろいろな合金、表面構造のメッキ層を得るこ
とができるので好ましい方法である。無電解Ｃｕメッキ
は、例えば、還元剤にホルマリン、グリオキシル酸塩或
いは次亜リン酸ナトリウムを含む硫酸銅水溶液中に被メ
ッキ物を数十秒浸漬することで容易に行うことができ
る。この時、電解液の安定性を確保するために、例えば
ほう酸等の緩衝剤、クエン酸ナトリウム等の錯化剤を用
いる。本発明に利用できるＣｕメッキの一例としては、
浴組成として硫酸銅0.032Ｍ、次亜リン酸ナトリウム0.2
7Ｍ、クエン酸ナトリウム0.052Ｍ、ほう酸0.5Ｍを基本
とし、所望に応じて硫酸コバルト、硫酸ニッケルを0.00
1〜0.01Ｍを加えたものを用い、浴温度50〜70℃の条件
下で被メッキ物を数十秒〜数時間浸漬することがあげら
れ、このメッキ条件で得られるＣｕメッキ層の表面粗さ
も調整することができる。
【００１８】Ｎｉ及び／又はＣｏの含有量は特に規定す
るものでないが、Ｃｕメッキ層７中0.1重量％以上15重
量％以下が好ましい。Ｎｉ及び／又はＣｏの含有量は、
Ｃｕメッキする際に0.001Ｍ以上の所望の量が電解液中
に加えられ、Ｃｕが析出する際の核形成剤の役割を果た
すとともに、Ｃｕとともに共析出されると考えられる。
Ｎｉ及び／又はＣｏをＣｕメッキ層中に15重量％を越え
る場合には、得られるＣｕメッキ層の表面粗さが10μｍ
を越えることがある。このように、Ｎｉ及び／又はＣｏ
の加える量を調整することで、Ｒｚで0.1μｍ以上10μ
ｍ以下の表面粗さを有するＣｕメッキ層を容易に、しか
も後処理することなく得ることができる。
るものでないが、Ｃｕメッキ層７中0.1重量％以上15重
量％以下が好ましい。Ｎｉ及び／又はＣｏの含有量は、
Ｃｕメッキする際に0.001Ｍ以上の所望の量が電解液中
に加えられ、Ｃｕが析出する際の核形成剤の役割を果た
すとともに、Ｃｕとともに共析出されると考えられる。
Ｎｉ及び／又はＣｏをＣｕメッキ層中に15重量％を越え
る場合には、得られるＣｕメッキ層の表面粗さが10μｍ
を越えることがある。このように、Ｎｉ及び／又はＣｏ
の加える量を調整することで、Ｒｚで0.1μｍ以上10μ
ｍ以下の表面粗さを有するＣｕメッキ層を容易に、しか
も後処理することなく得ることができる。
【００１９】同様に、例えば、Ｃｕメッキする時に電解
液温度を低く保つことで、Ｎｉ及びＣｏのいずれも含ま
ないＣｕメッキ層であって、しかも表面粗さがＲｚで0.
1μｍ以上10μｍ以下のものを得ることができる。尚、
Ｃｕメッキ層７の厚みについては、Ｎｉ及び／又はＣｏ
を含むと含まないに拘らず、0.01〜10μｍであることが
好ましい。Ｃｕメッキ層の厚みが0.01μｍ未満である
と、その接着力が発揮されないし、厚みが10μｍを越え
るとメッキ層が凝集破壊を生じ、期待する接着強度を得
られない。
液温度を低く保つことで、Ｎｉ及びＣｏのいずれも含ま
ないＣｕメッキ層であって、しかも表面粗さがＲｚで0.
1μｍ以上10μｍ以下のものを得ることができる。尚、
Ｃｕメッキ層７の厚みについては、Ｎｉ及び／又はＣｏ
を含むと含まないに拘らず、0.01〜10μｍであることが
好ましい。Ｃｕメッキ層の厚みが0.01μｍ未満である
と、その接着力が発揮されないし、厚みが10μｍを越え
るとメッキ層が凝集破壊を生じ、期待する接着強度を得
られない。
【００２０】本発明に用いる絶縁接着剤層２としては、
金属酸化物及び／または金属窒化物の一種以上よりなる
粉体を含有する樹脂であり、含有される金属酸化物、金
属窒化物としては、放熱性の点から酸化アルミニウム、
酸化珪素、窒化硼素が好ましい。樹脂としては、特に規
定するものではなく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ＢＴレジン、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ブチラール
樹脂、およびその混合物等が用いられる。前記の樹脂の
うちでは、両面樹脂基板３の下層の回路形成された金属
層５の表面にＣｕメッキを施した時に接合力の向上が図
れることからエポキシ樹脂が特に好ましい。尚、絶縁接
着剤層２の厚みは、特に規定するものではないが、熱伝
導性を考慮すると200μｍ以下のものが好ましい。
金属酸化物及び／または金属窒化物の一種以上よりなる
粉体を含有する樹脂であり、含有される金属酸化物、金
属窒化物としては、放熱性の点から酸化アルミニウム、
酸化珪素、窒化硼素が好ましい。樹脂としては、特に規
定するものではなく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、
ＢＴレジン、フェノール樹脂、フッ素樹脂、ブチラール
樹脂、およびその混合物等が用いられる。前記の樹脂の
うちでは、両面樹脂基板３の下層の回路形成された金属
層５の表面にＣｕメッキを施した時に接合力の向上が図
れることからエポキシ樹脂が特に好ましい。尚、絶縁接
着剤層２の厚みは、特に規定するものではないが、熱伝
導性を考慮すると200μｍ以下のものが好ましい。
【００２１】本発明の金属ベース多層回路基板に用いる
金属板１としては、良熱伝導性を持つアルミニウムおよ
びアルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金
等あるいは銅／鉄−ニッケル系合金／銅、アルミニウム
／鉄−ニッケル系合金／アルミニウム等の複合材料等が
使用可能である。また、金属板１の厚みとしては、特に
制限はないが0.5ｍｍ〜3.0ｍｍが一般に用いられる。
金属板１としては、良熱伝導性を持つアルミニウムおよ
びアルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金
等あるいは銅／鉄−ニッケル系合金／銅、アルミニウム
／鉄−ニッケル系合金／アルミニウム等の複合材料等が
使用可能である。また、金属板１の厚みとしては、特に
制限はないが0.5ｍｍ〜3.0ｍｍが一般に用いられる。
【００２２】以下、実施例に基づき、発明を更に詳しく
説明する。
説明する。
【実施例】〔参考例１〕厚さ1.5ｍｍのアルミニウム板
上に絶縁接着剤層として、破砕状酸化アルミニウムを78
重量％含有させたエポキシ樹脂を200μｍの厚みで塗布
した。一方、60μｍの基材厚みで両面に35μｍ厚みの金
属層を有するガラスエポキシ樹脂基板を、所望の回路及
びスルーホールを形成後、その一面の回路についてエッ
チング処理により表面を粗化し、更にＣｕメッキ処理を
施した。この時、Ｃｕメッキ層の表面粗さは、Ｒｚで0.
1μｍであった。次に、前記のアルミニウム板上の絶縁
接着剤層の上に、Ｃｕメッキを施した回路を前記絶縁接
着剤層に面して、ラミネート法により直接張り合わせ、
金属ベース多層回路基板を作製した。この金属ベース多
層回路基板について、絶縁接着剤層と回路基板との接着
強さをJIS C6481による90度剥離法にて調べた。又、同
じ金属ベース多層回路基板を260℃のはんだバス上に浮
かべ、60分処理した後の接着強さと、膨れの有無を観察
した。はんだバスでの処理前後の90度剥離強さは、それ
ぞれ1.9、1.8kgf／cmで良好であった。また、膨れの発
生もなかった。
上に絶縁接着剤層として、破砕状酸化アルミニウムを78
重量％含有させたエポキシ樹脂を200μｍの厚みで塗布
した。一方、60μｍの基材厚みで両面に35μｍ厚みの金
属層を有するガラスエポキシ樹脂基板を、所望の回路及
びスルーホールを形成後、その一面の回路についてエッ
チング処理により表面を粗化し、更にＣｕメッキ処理を
施した。この時、Ｃｕメッキ層の表面粗さは、Ｒｚで0.
1μｍであった。次に、前記のアルミニウム板上の絶縁
接着剤層の上に、Ｃｕメッキを施した回路を前記絶縁接
着剤層に面して、ラミネート法により直接張り合わせ、
金属ベース多層回路基板を作製した。この金属ベース多
層回路基板について、絶縁接着剤層と回路基板との接着
強さをJIS C6481による90度剥離法にて調べた。又、同
じ金属ベース多層回路基板を260℃のはんだバス上に浮
かべ、60分処理した後の接着強さと、膨れの有無を観察
した。はんだバスでの処理前後の90度剥離強さは、それ
ぞれ1.9、1.8kgf／cmで良好であった。また、膨れの発
生もなかった。
【００２３】〔実施例１〜６、比較例１〕Ｃｕメッキ層
を作製する条件をいろいろ変えたこと以外は、参考例１
と同一の操作を経て得られたいろいろの金属ベース多層
回路基板について、参考例１と同一の評価を行い実施例
１〜６とした。又、比較例として、エッチングによる表
面の粗化とＣｕメッキ層を設けないものについても同様
の操作、評価を行った。これらの結果を表１に示す。
を作製する条件をいろいろ変えたこと以外は、参考例１
と同一の操作を経て得られたいろいろの金属ベース多層
回路基板について、参考例１と同一の評価を行い実施例
１〜６とした。又、比較例として、エッチングによる表
面の粗化とＣｕメッキ層を設けないものについても同様
の操作、評価を行った。これらの結果を表１に示す。
【００２４】〔参考例２〕厚さ1.5ｍｍのアルミニウム
板上に絶縁接着剤層として、破砕状酸化アルミニウムを
78重量％含有させたエポキシ樹脂を200μｍの厚みで塗
布した。一方、60μｍの基材厚みで両面に35μｍ厚みの
金属層を有するガラスエポキシ樹脂基板を、所望の回路
及びスルーホールを形成後、その一面の回路について亜
塩素酸塩を主剤とするアルカリ水溶液で黒化処理を行っ
た。この時、黒化処理した回路の表面粗さはＲｚで0.2
μｍであった。次に、前記のアルミニウム板上の絶縁接
着剤層の上に、黒化処理を施した回路を前記絶縁接着剤
層に面して、ラミネート法により直接張り合わせ、金属
ベース多層回路基板を作製した。この金属ベース多層回
路基板について、参考例１と同一の評価を行った。この
結果を表１に示す。
板上に絶縁接着剤層として、破砕状酸化アルミニウムを
78重量％含有させたエポキシ樹脂を200μｍの厚みで塗
布した。一方、60μｍの基材厚みで両面に35μｍ厚みの
金属層を有するガラスエポキシ樹脂基板を、所望の回路
及びスルーホールを形成後、その一面の回路について亜
塩素酸塩を主剤とするアルカリ水溶液で黒化処理を行っ
た。この時、黒化処理した回路の表面粗さはＲｚで0.2
μｍであった。次に、前記のアルミニウム板上の絶縁接
着剤層の上に、黒化処理を施した回路を前記絶縁接着剤
層に面して、ラミネート法により直接張り合わせ、金属
ベース多層回路基板を作製した。この金属ベース多層回
路基板について、参考例１と同一の評価を行った。この
結果を表１に示す。
【００２５】〔参考例３〕黒化処理に変えて、硫酸−過
酸化水素水溶液にてエッチング処理をしたこと以外は参
考例２と同一の操作で得た金属ベース多層回路基板につ
いて、参考例１と同一の評価を行った。その結果を表１
に示す。
酸化水素水溶液にてエッチング処理をしたこと以外は参
考例２と同一の操作で得た金属ベース多層回路基板につ
いて、参考例１と同一の評価を行った。その結果を表１
に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、両面樹脂基板と金属板
とが絶縁接着剤層を介して強固に接合され、その結果と
して熱放散性に優れた金属ベース多層回路基板を容易に
得ることができる。
とが絶縁接着剤層を介して強固に接合され、その結果と
して熱放散性に優れた金属ベース多層回路基板を容易に
得ることができる。
【図１】 本発明と同じ構造を有するが、下層の回路表
面が特定の組成、表面粗さを有していない金属ベース多
層回路基板の断面図。
面が特定の組成、表面粗さを有していない金属ベース多
層回路基板の断面図。
【図２】本発明の金属ベース回路基板の一例を示す断面
図。
図。
１ 金属板 ２ 絶縁接着剤層 ３ 両面樹脂基板 ４ 両面樹脂基板の上層の金属層 ５ 両面樹脂基板の下層の回路形成された金属層 ６ 両面樹脂基板の絶縁接着剤層 ７ Ｃｕメッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−327169（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−29490（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−175626（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】金属板上に金属酸化物及び／または金属窒
化物の一種以上よりなる粉体を含有する樹脂からなる絶
縁接着剤層を設け、少なくとも下層に回路形成された両
面樹脂基板を、前記絶縁接着剤層上に直接積層してなる
金属ベース多層回路基板であって、前記の下層の回路表
面に少なくともニッケル（Ｎｉ）またはコバルト（Ｃ
ｏ）のいずれかを含むＣｕメッキ層が設けられ、しかも
表面粗さがＲｚで０．１μｍ以上１０μｍ以下であるこ
とを特徴とする金属ベース多層回路基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8804595A JP3282776B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 金属ベース多層回路基板 |
| US08/629,229 US6175084B1 (en) | 1995-04-12 | 1996-04-08 | Metal-base multilayer circuit substrate having a heat conductive adhesive layer |
| EP96105663A EP0738007A3 (en) | 1995-04-12 | 1996-04-10 | Metal-base multilayer circuit substrate |
| KR1019960010843A KR100382631B1 (ko) | 1995-04-12 | 1996-04-10 | 금속기재다층회로기판과이를구비하는반도체모듈 |
| US09/593,059 US6369332B1 (en) | 1995-04-12 | 2000-06-13 | Metal-base multilayer circuit substrate with heat conducting adhesive |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8804595A JP3282776B2 (ja) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 金属ベース多層回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288659A JPH08288659A (ja) | 1996-11-01 |
| JP3282776B2 true JP3282776B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=13931869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8804595A Expired - Fee Related JP3282776B2 (ja) | 1995-04-12 | 1995-04-13 | 金属ベース多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282776B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328807B1 (ko) | 1998-05-08 | 2002-03-14 | 가네코 히사시 | 제조비용이 저렴하고 충분한 접착 강도가 수득될 수 있는 수지구조물 및 이의 제조 방법 |
| CN111372771A (zh) | 2017-12-08 | 2020-07-03 | 积水化学工业株式会社 | 叠层体以及电子装置 |
-
1995
- 1995-04-13 JP JP8804595A patent/JP3282776B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08288659A (ja) | 1996-11-01 |
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