JP4318374B2 - 金属ベース回路基板 - Google Patents
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高発熱性電子部品或いは高発熱性電子部品と制御回路電子部品とを実装することができ、電源用途等の大電力用の混成集積回路に好適な、高い放熱性が実現される混成集積回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高発熱性電子部品を実装する回路基板として、アルミニウム等の金属板を基材に用い、該金属板上に数十μｍ程度の厚さの無機フィラー含有樹脂からなる絶縁層を設け、更に前記絶縁層上に回路形成されてなる構造を有する金属ベース回路基板が、熱伝導性の良好なことから、特に発熱量が大きい電子部品が搭載されて利用される大電力用途を初めとして、広く用いられている。
【０００３】
近年、大電力用途における大電力化、基板密度の増大化、或いは更に適用分野の拡大を目的に、より一層熱放散性の高い金属ベース回路基板が要望され、例えば、３００μｍと厚い銅箔を回路導体として用いた金属ベース回路基板が開発されている。
【０００４】
しかし、金属ベース回路基板は、一般に、金属板と金属箔が異なる金属により形成されているため、製造時等に受ける熱により応力が絶縁層近傍に発生し易い。そのため、熱衝撃を繰り返すような使用条件においては、絶縁層にクラックが入り、最悪の場合には絶縁破壊を起こすことがあった。
【０００５】
上記問題解決を目的として、金属板を回路と同じ銅板にするという試みも行われたが、重量が重くなる、コストが高くなる等の問題点があり、現在、ほとんど用いられていない。
【０００６】
また、回路導体としてアルミニウムを用いるという試みも行われたが、この場合、導体と絶縁接着層との密着力が低く表面処理を行わなければ使用できないという問題点がある。
【０００７】
前記表面処理方法としては、機械的に粗化する方法や化学的に表面をアルマイト処理をする方法等が公知であるが、しかし、機械的に表面を粗化する方法ではピール強度は向上するものの、得られる金属ベース回路基板の耐電圧特性が低下するし、化学的に表面をアルマイト処理する方法では熱衝撃試験を行うとアルミニウム層とアルマイト層との界面で熱膨張率の差より剥離すると言う問題点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱衝撃を繰り返すような或いは強い熱衝撃を受ける使用条件においても、絶縁層にクラックが発生せず、回路や絶縁層の剥離が無く、信頼性の高い、大電流用途向けに好適な金属ベース回路基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属板上に絶縁層を介して回路を設けてなる金属ベース回路基板であって、特定純度のアルミニウムを回路とすることにより、導体と絶縁層との密着力が高く、熱衝撃信頼性を高めたことを特徴としている。
【００１０】
即ち、本発明は、厚さ０．５〜３ｍｍのアルミニウム板上の少なくとも一主面に、無機充填材を含むビスフェノールＡ型エポキシ樹脂からなる絶縁層を介してアルミニウムからなる回路を設けた金属ベース回路基板であって、アルミニウム回路が９９質量％以上のアルミニウムからなり、アルミニウム回路の厚みが３００μｍ以上１０００μｍ以下であり、アルミニウム回路のピール強度が４２〜１０３Ｎ／ｃｍであり、２３０℃６０秒加熱後室温まで空冷し３ＫＶ×３秒の耐電圧試験を繰り返えすとき、絶縁破壊に至るまでの回数が１００回以上であることを特徴とする金属ベース回路基板である。
【００１１】
また、本発明は、前記アルミニウム回路上にニッケル、銅、金からなる群から選ばれる１種以上のめっきが施されていることを特徴とする前記の金属ベース回路基板である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図に基づいて、本発明を説明する。
図１は、本発明の金属ベース回路基板の一例について、その断面を示す模式図である。本発明の金属ベース回路基板は、アルミニウム板１上に絶縁層２を介してアルミニウムからなる回路３が設けられ、前記回路３上の一部には、銅、ニッケル、金、金−ニッケル、銅−ニッケル等からなる金属層４と、更に必要に応じて金属層５とが積層してなる多層構造部分が設けられている。また、回路３上には、半導体素子、抵抗チップ等の電子部品６が、一般にハンダ７を介して設けられ、前記電子部品６は、必要に応じて、金、アルミニウム等のボンディング用のワイヤー８を経由して、回路３上に設けられた金属層４、５を介して電気的に接続されている。また、図示していないが、金属ベース回路基板の全面若しくは一部に他の回路基板が設けられていても何ら差し支えない。
【００１３】
本発明において、アルミニウムからなる回路３は、９９質量％以上の純度のアルミニウム、好ましくは９９．５質量％以上の純度のアルミニウムからなることが本質的である。然るに、本発明者の実験的検討結果に拠れば、アルミニウムの純度が９９質量％未満では、絶縁層との密着力が低下し、部品を実装するだけの強度を得ることが出来ない。一方、理由は明確でないが、アルミニウムの純度が９９質量％以上あれば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｍｇなどを含有するアルミニウム合金であっても前記不都合は見いだせず、例えば、ＪＩＳ番号の１０００番台の呼称を有するもの、即ち、１Ｎ９９、１Ｎ９０、１０８５、１０８０、１０７０、１０６０、１０５０、１２３０、１Ｎ３０、１１００、１２００、１Ｎ００などを本発明において用いることができる。
【００１４】
本発明の金属ベース回路基板は、前述の通りに、回路が特定組成のアルミニウムからなり、その結果として、回路と絶縁層とが３０Ｎ／ｃｍ以上の接着力を有しているという特徴がある。本発明の金属ベース回路基板は、従来から行われていた回路表面の処理等の面倒な処理を行うことなく、３０Ｎ／ｃｍ以上の高い接着力を有しており、実使用条件下において回路の剥離等の異常を発生しがたく、信頼性の高い、しかも安価であるという特徴を有している。
【００１５】
本発明において、アルミニウム回路の厚みは、３００〜１０００μｍである。即ち、３００μｍ以上のときに実用条件下で蒙る加熱冷却の繰り返しを受けても十分に耐え得る金属ベース回路基板が得られるが、１０００μｍを越える場合には、パターン形成に困難が伴ってきて実用的でなくなる。前記範囲のうち、応力緩和を確実に達成し、しかも生産上の困難さがないことから３００〜５００μｍがより好ましい範囲として選択される。
【００１６】
アルミニウム回路上に設けられる金属層としては、銅が一般的であるが、ニッケル、金、銅−ニッケル、ニッケル−金の他、アルミニウム等の金やアルミニウムからなるボンディングワイヤー（以下、単にワイヤーという）との接合性に富む材質のものであればよい。また、必要に応じて、前記金属層の上に他の金属層を設けても良い。
【００１７】
前記の金属層を設けたアルミニウム回路の多層構造部分は、アルミニウムと金属層の２種以上の複合箔を用いても良いが、アルミニウム箔を絶縁層上に設けた後、金属層を順次メッキ等の方法で設けたものが、特に最外表面にめっきの金属層を設けたものが、表面性状がワイヤー接合性に優れることから、好ましい。
【００１８】
本発明に用いるアルミニウム板は、アルミニウム或いはその合金であれば良く、その厚さは０．５〜３ｍｍが用いられる。また、絶縁層としては、絶縁性を有する材質で有ればいずれも採用でき、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂等やそれらをガラス布等に含浸させたものや無機フィラーを充填したもの、あるいは前記樹脂を塗布した樹脂層のみで形成したもの、さらに前記樹脂をフィルム状にして接着したもの等が用いられる。また、前記絶縁層には、熱伝導性を向上する目的で、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、ガラスファイバー等の無機充填材を含むことが一般的である。
【００１９】
以下、実施例に基づき、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
【実施例】
〔実施例１〕
厚さ３．０ｍｍのアルミニウム板上に、酸化アルミニウムを５０体積％含有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化エポキシ社製エピコート８２８）を絶縁層の厚さが８０μｍになるように塗布し、アルミニウム（厚さ４００μｍ）／銅（厚さ２０μｍ）の複合箔をアルミニウム層側が絶縁層に接するように配置し、加熱下で加圧することにより金属ベース基板を作製した。この金属ベース基板についてアルミニウム箔と絶縁層との密着力を測定し、この結果を表１に示した。
【００２１】
次ぎに、スクリーン印刷法を用いて所望の位置をマスクした後、まず銅箔をエッチングした後、再度所望の位置をマスクしてアルミニウムをエッチングすることで、一部に多層構造部分を有するアルミニウム回路を形成し、更に所定の部分をマスクした後、アルミニウム回路の一部、また前記銅層を設けた部分の上にニッケル層めっきして、金属ベース回路基板を作製した。
【００２２】
前記金属ベース回路基板を用いて、２３０℃のホットプレート上で６０秒加熱した後、室温まで空冷し、３ＫＶ×３秒の耐電圧試験を実施した。これを絶縁破壊が発生するまで繰り返し、破壊回数を調べた。結果を表１に示した。
【００２３】
また、金属ベース回路基板の回路パターン上に、半導体素子、セラミックスチップ抵抗等をハンダ付けして実装し、混成集積回路を形成した。このとき、半導体素子と回路との電気的接続には、φ３００μｍのアルミ線を用いたワイヤーボンディングを行いモジュールを形成し、前記半導体に負荷を与えるとともに、半導体下面とそれに対応する金属板裏面との温度差から、金属ベース回路基板の熱抵抗を測定した。この結果を表１に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
〔実施例２〜４〕
表１に示したとおりに、アルミニウム材質、アルミニウム層の厚さが異なるいろいろな金属ベース回路基板を実施例１と同じ操作で作製し、実施例１と同じ試験を行った。これらの結果を表１に示した。
【００２６】
〔比較例〕
実施例１において、アルミニウム回路と同じ厚みを有し、回路が銅からなる金属ベース基板とそれを用いた金属ベース回路基板とモジュールを作成し、評価を行い比較例とした。その結果を表１に示した。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の金属ベース回路基板は、アルミニウム回路が９９．０質量％以上のアルミニウムからなり、絶縁層との密着力が３０Ｎ／ｃｍ以上と高いので、実使用条件下においても回路の剥離等の異常を発生しがたく、高信頼性であるという特徴を有しており、産業上非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の金属ベース回路基板の一例を示す模式図（断面図）。
【符号の説明】
１ 金属板
２ 絶縁層
３ アルミニウム回路
４ 金属層
５ 金属層
６ 電子部品
７ ハンダ
８ ワイヤー
【発明の属する技術分野】
本発明は、高発熱性電子部品或いは高発熱性電子部品と制御回路電子部品とを実装することができ、電源用途等の大電力用の混成集積回路に好適な、高い放熱性が実現される混成集積回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高発熱性電子部品を実装する回路基板として、アルミニウム等の金属板を基材に用い、該金属板上に数十μｍ程度の厚さの無機フィラー含有樹脂からなる絶縁層を設け、更に前記絶縁層上に回路形成されてなる構造を有する金属ベース回路基板が、熱伝導性の良好なことから、特に発熱量が大きい電子部品が搭載されて利用される大電力用途を初めとして、広く用いられている。
【０００３】
近年、大電力用途における大電力化、基板密度の増大化、或いは更に適用分野の拡大を目的に、より一層熱放散性の高い金属ベース回路基板が要望され、例えば、３００μｍと厚い銅箔を回路導体として用いた金属ベース回路基板が開発されている。
【０００４】
しかし、金属ベース回路基板は、一般に、金属板と金属箔が異なる金属により形成されているため、製造時等に受ける熱により応力が絶縁層近傍に発生し易い。そのため、熱衝撃を繰り返すような使用条件においては、絶縁層にクラックが入り、最悪の場合には絶縁破壊を起こすことがあった。
【０００５】
上記問題解決を目的として、金属板を回路と同じ銅板にするという試みも行われたが、重量が重くなる、コストが高くなる等の問題点があり、現在、ほとんど用いられていない。
【０００６】
また、回路導体としてアルミニウムを用いるという試みも行われたが、この場合、導体と絶縁接着層との密着力が低く表面処理を行わなければ使用できないという問題点がある。
【０００７】
前記表面処理方法としては、機械的に粗化する方法や化学的に表面をアルマイト処理をする方法等が公知であるが、しかし、機械的に表面を粗化する方法ではピール強度は向上するものの、得られる金属ベース回路基板の耐電圧特性が低下するし、化学的に表面をアルマイト処理する方法では熱衝撃試験を行うとアルミニウム層とアルマイト層との界面で熱膨張率の差より剥離すると言う問題点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱衝撃を繰り返すような或いは強い熱衝撃を受ける使用条件においても、絶縁層にクラックが発生せず、回路や絶縁層の剥離が無く、信頼性の高い、大電流用途向けに好適な金属ベース回路基板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属板上に絶縁層を介して回路を設けてなる金属ベース回路基板であって、特定純度のアルミニウムを回路とすることにより、導体と絶縁層との密着力が高く、熱衝撃信頼性を高めたことを特徴としている。
【００１０】
即ち、本発明は、厚さ０．５〜３ｍｍのアルミニウム板上の少なくとも一主面に、無機充填材を含むビスフェノールＡ型エポキシ樹脂からなる絶縁層を介してアルミニウムからなる回路を設けた金属ベース回路基板であって、アルミニウム回路が９９質量％以上のアルミニウムからなり、アルミニウム回路の厚みが３００μｍ以上１０００μｍ以下であり、アルミニウム回路のピール強度が４２〜１０３Ｎ／ｃｍであり、２３０℃６０秒加熱後室温まで空冷し３ＫＶ×３秒の耐電圧試験を繰り返えすとき、絶縁破壊に至るまでの回数が１００回以上であることを特徴とする金属ベース回路基板である。
【００１１】
また、本発明は、前記アルミニウム回路上にニッケル、銅、金からなる群から選ばれる１種以上のめっきが施されていることを特徴とする前記の金属ベース回路基板である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図に基づいて、本発明を説明する。
図１は、本発明の金属ベース回路基板の一例について、その断面を示す模式図である。本発明の金属ベース回路基板は、アルミニウム板１上に絶縁層２を介してアルミニウムからなる回路３が設けられ、前記回路３上の一部には、銅、ニッケル、金、金−ニッケル、銅−ニッケル等からなる金属層４と、更に必要に応じて金属層５とが積層してなる多層構造部分が設けられている。また、回路３上には、半導体素子、抵抗チップ等の電子部品６が、一般にハンダ７を介して設けられ、前記電子部品６は、必要に応じて、金、アルミニウム等のボンディング用のワイヤー８を経由して、回路３上に設けられた金属層４、５を介して電気的に接続されている。また、図示していないが、金属ベース回路基板の全面若しくは一部に他の回路基板が設けられていても何ら差し支えない。
【００１３】
本発明において、アルミニウムからなる回路３は、９９質量％以上の純度のアルミニウム、好ましくは９９．５質量％以上の純度のアルミニウムからなることが本質的である。然るに、本発明者の実験的検討結果に拠れば、アルミニウムの純度が９９質量％未満では、絶縁層との密着力が低下し、部品を実装するだけの強度を得ることが出来ない。一方、理由は明確でないが、アルミニウムの純度が９９質量％以上あれば、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｍｇなどを含有するアルミニウム合金であっても前記不都合は見いだせず、例えば、ＪＩＳ番号の１０００番台の呼称を有するもの、即ち、１Ｎ９９、１Ｎ９０、１０８５、１０８０、１０７０、１０６０、１０５０、１２３０、１Ｎ３０、１１００、１２００、１Ｎ００などを本発明において用いることができる。
【００１４】
本発明の金属ベース回路基板は、前述の通りに、回路が特定組成のアルミニウムからなり、その結果として、回路と絶縁層とが３０Ｎ／ｃｍ以上の接着力を有しているという特徴がある。本発明の金属ベース回路基板は、従来から行われていた回路表面の処理等の面倒な処理を行うことなく、３０Ｎ／ｃｍ以上の高い接着力を有しており、実使用条件下において回路の剥離等の異常を発生しがたく、信頼性の高い、しかも安価であるという特徴を有している。
【００１５】
本発明において、アルミニウム回路の厚みは、３００〜１０００μｍである。即ち、３００μｍ以上のときに実用条件下で蒙る加熱冷却の繰り返しを受けても十分に耐え得る金属ベース回路基板が得られるが、１０００μｍを越える場合には、パターン形成に困難が伴ってきて実用的でなくなる。前記範囲のうち、応力緩和を確実に達成し、しかも生産上の困難さがないことから３００〜５００μｍがより好ましい範囲として選択される。
【００１６】
アルミニウム回路上に設けられる金属層としては、銅が一般的であるが、ニッケル、金、銅−ニッケル、ニッケル−金の他、アルミニウム等の金やアルミニウムからなるボンディングワイヤー（以下、単にワイヤーという）との接合性に富む材質のものであればよい。また、必要に応じて、前記金属層の上に他の金属層を設けても良い。
【００１７】
前記の金属層を設けたアルミニウム回路の多層構造部分は、アルミニウムと金属層の２種以上の複合箔を用いても良いが、アルミニウム箔を絶縁層上に設けた後、金属層を順次メッキ等の方法で設けたものが、特に最外表面にめっきの金属層を設けたものが、表面性状がワイヤー接合性に優れることから、好ましい。
【００１８】
本発明に用いるアルミニウム板は、アルミニウム或いはその合金であれば良く、その厚さは０．５〜３ｍｍが用いられる。また、絶縁層としては、絶縁性を有する材質で有ればいずれも採用でき、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びポリイミド樹脂等やそれらをガラス布等に含浸させたものや無機フィラーを充填したもの、あるいは前記樹脂を塗布した樹脂層のみで形成したもの、さらに前記樹脂をフィルム状にして接着したもの等が用いられる。また、前記絶縁層には、熱伝導性を向上する目的で、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、ガラスファイバー等の無機充填材を含むことが一般的である。
【００１９】
以下、実施例に基づき、本発明を詳細に説明する。
【００２０】
【実施例】
〔実施例１〕
厚さ３．０ｍｍのアルミニウム板上に、酸化アルミニウムを５０体積％含有するビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化エポキシ社製エピコート８２８）を絶縁層の厚さが８０μｍになるように塗布し、アルミニウム（厚さ４００μｍ）／銅（厚さ２０μｍ）の複合箔をアルミニウム層側が絶縁層に接するように配置し、加熱下で加圧することにより金属ベース基板を作製した。この金属ベース基板についてアルミニウム箔と絶縁層との密着力を測定し、この結果を表１に示した。
【００２１】
次ぎに、スクリーン印刷法を用いて所望の位置をマスクした後、まず銅箔をエッチングした後、再度所望の位置をマスクしてアルミニウムをエッチングすることで、一部に多層構造部分を有するアルミニウム回路を形成し、更に所定の部分をマスクした後、アルミニウム回路の一部、また前記銅層を設けた部分の上にニッケル層めっきして、金属ベース回路基板を作製した。
【００２２】
前記金属ベース回路基板を用いて、２３０℃のホットプレート上で６０秒加熱した後、室温まで空冷し、３ＫＶ×３秒の耐電圧試験を実施した。これを絶縁破壊が発生するまで繰り返し、破壊回数を調べた。結果を表１に示した。
【００２３】
また、金属ベース回路基板の回路パターン上に、半導体素子、セラミックスチップ抵抗等をハンダ付けして実装し、混成集積回路を形成した。このとき、半導体素子と回路との電気的接続には、φ３００μｍのアルミ線を用いたワイヤーボンディングを行いモジュールを形成し、前記半導体に負荷を与えるとともに、半導体下面とそれに対応する金属板裏面との温度差から、金属ベース回路基板の熱抵抗を測定した。この結果を表１に示した。
【００２４】
【表１】
〔実施例２〜４〕
表１に示したとおりに、アルミニウム材質、アルミニウム層の厚さが異なるいろいろな金属ベース回路基板を実施例１と同じ操作で作製し、実施例１と同じ試験を行った。これらの結果を表１に示した。
【００２６】
〔比較例〕
実施例１において、アルミニウム回路と同じ厚みを有し、回路が銅からなる金属ベース基板とそれを用いた金属ベース回路基板とモジュールを作成し、評価を行い比較例とした。その結果を表１に示した。
【００２７】
【発明の効果】
本発明の金属ベース回路基板は、アルミニウム回路が９９．０質量％以上のアルミニウムからなり、絶縁層との密着力が３０Ｎ／ｃｍ以上と高いので、実使用条件下においても回路の剥離等の異常を発生しがたく、高信頼性であるという特徴を有しており、産業上非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の金属ベース回路基板の一例を示す模式図（断面図）。
【符号の説明】
１ 金属板
２ 絶縁層
３ アルミニウム回路
４ 金属層
５ 金属層
６ 電子部品
７ ハンダ
８ ワイヤー
Claims (2)
- 厚さ０．５〜３ｍｍのアルミニウム板上の少なくとも一主面に、無機充填材を含むビスフェノールＡ型エポキシ樹脂からなる絶縁層を介してアルミニウムからなる回路を設けた金属ベース回路基板であって、アルミニウム回路が９９質量％以上のアルミニウムからなり、アルミニウム回路の厚みが３００μｍ以上１０００μｍ以下であり、アルミニウム回路のピール強度が４２〜１０３Ｎ／ｃｍであり、２３０℃６０秒加熱後室温まで空冷し３ＫＶ×３秒の耐電圧試験を繰り返えすとき、絶縁破壊に至るまでの回数が１００回以上であることを特徴とする金属ベース回路基板。
- アルミニウム回路上にニッケル、銅、金からなる群から選ばれる１種以上のめっきが施されていることを特徴とする請求項１記載の金属ベース回路基板
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000064880A JP4318374B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 金属ベース回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000064880A JP4318374B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 金属ベース回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257440A JP2001257440A (ja) | 2001-09-21 |
| JP4318374B2 true JP4318374B2 (ja) | 2009-08-19 |
Family
ID=18584501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000064880A Expired - Lifetime JP4318374B2 (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | 金属ベース回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4318374B2 (ja) |
-
2000
- 2000-03-09 JP JP2000064880A patent/JP4318374B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001257440A (ja) | 2001-09-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070126 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070220 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070327 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070518 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090526 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120605 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130605 Year of fee payment: 4 |
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