JP3436582B2 - 金属ベース多層回路基板 - Google Patents
金属ベース多層回路基板Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属ベース多層回路基板
に関し、特にノイズシールド性、優れた耐電圧性と良好
な熱放散性を有する金属ベース多層回路基板に関する。
に関し、特にノイズシールド性、優れた耐電圧性と良好
な熱放散性を有する金属ベース多層回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体搭載用の回路基板では基板
の小型化、高密度実装化および、半導体素子のハイパワ
ー化の要求にともない、半導体素子から発生した熱を如
何に放散するかということが問題となっている。この様
な要求のもと、近年、電源分野を中心に金属ベース回路
基板上に絶縁層を介して導電性金属箔を張り合わせた
後、回路を形成した金属ベース回路基板が優れて熱放散
性を有するため、その使用が増加してきている。しか
し、金属ベース回路基板は金属ベース基板の上に薄い絶
縁層を塗布した構造であるため、ノイズが発生しやす
く、電子モジュールの誤動作を引き起こしやすいという
問題があった。このノイズをシールドし、さらに高密度
実装化するため、例えば金属ベース回路基板上に、両面
に回路を有する上層回路基板を積層して、その上層回路
基板上に発熱性の電子部品を搭載した金属ベース多層回
路基板が使用されるようになってきている。この金属ベ
ース多層回路基板においては、上層回路基板の絶縁層で
ある絶縁基板、この上層回路基板を接着するための接着
剤層、金属ベース回路基板の絶縁層と多数の絶縁層を通
して発生した熱が放散されるが、その放散性が不十分で
あるため、電子部品の温度が上昇し、ひいては誤動作を
生ずるという問題があった。
の小型化、高密度実装化および、半導体素子のハイパワ
ー化の要求にともない、半導体素子から発生した熱を如
何に放散するかということが問題となっている。この様
な要求のもと、近年、電源分野を中心に金属ベース回路
基板上に絶縁層を介して導電性金属箔を張り合わせた
後、回路を形成した金属ベース回路基板が優れて熱放散
性を有するため、その使用が増加してきている。しか
し、金属ベース回路基板は金属ベース基板の上に薄い絶
縁層を塗布した構造であるため、ノイズが発生しやす
く、電子モジュールの誤動作を引き起こしやすいという
問題があった。このノイズをシールドし、さらに高密度
実装化するため、例えば金属ベース回路基板上に、両面
に回路を有する上層回路基板を積層して、その上層回路
基板上に発熱性の電子部品を搭載した金属ベース多層回
路基板が使用されるようになってきている。この金属ベ
ース多層回路基板においては、上層回路基板の絶縁層で
ある絶縁基板、この上層回路基板を接着するための接着
剤層、金属ベース回路基板の絶縁層と多数の絶縁層を通
して発生した熱が放散されるが、その放散性が不十分で
あるため、電子部品の温度が上昇し、ひいては誤動作を
生ずるという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたものであって、金属ベース多層回路基
板を構成する各絶縁層の厚さと熱伝動率について検討
し、これらを適正に設定することにより、熱抵抗が少な
く熱放散性の良好な金属ベース多層回路基板を得ること
ができることを見出した。すなわち、本発明の目的はノ
イズシールド性及び耐電圧特性を損なうことなく、優れ
た熱放散性を有する金属ベース多層回路基板を得ること
にある。
に鑑みてなされたものであって、金属ベース多層回路基
板を構成する各絶縁層の厚さと熱伝動率について検討
し、これらを適正に設定することにより、熱抵抗が少な
く熱放散性の良好な金属ベース多層回路基板を得ること
ができることを見出した。すなわち、本発明の目的はノ
イズシールド性及び耐電圧特性を損なうことなく、優れ
た熱放散性を有する金属ベース多層回路基板を得ること
にある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の金属ベース多層
回路基板は、金属板上の少なくとも一主面上に、絶縁層
を介して回路が形成された金属ベース回路基板の上に、
接着剤層を介して両面に回路を有し、下面に磁気シール
ド用の回路を有する上層回路基板が積層一体化された金
属ベース多層回路基板において、前記金属ベース回路基
板の絶縁層の熱伝導率が３．５×１０ -3 〜１．０×１０
-2 cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつ厚さが６０〜２００
μｍであり、（１）前記上層回路基板の絶縁基板の熱伝
導率が６×１０-4〜１．２×１０-3cal／ｃｍ・sec・℃
であり、かつその厚さが３０〜７０μｍであること、
（２）前記接着剤層の熱伝導率が３×１０-4〜１×１０
-3cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつその厚さが２０〜５
０μｍであること、を特徴とするものである。
回路基板は、金属板上の少なくとも一主面上に、絶縁層
を介して回路が形成された金属ベース回路基板の上に、
接着剤層を介して両面に回路を有し、下面に磁気シール
ド用の回路を有する上層回路基板が積層一体化された金
属ベース多層回路基板において、前記金属ベース回路基
板の絶縁層の熱伝導率が３．５×１０ -3 〜１．０×１０
-2 cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつ厚さが６０〜２００
μｍであり、（１）前記上層回路基板の絶縁基板の熱伝
導率が６×１０-4〜１．２×１０-3cal／ｃｍ・sec・℃
であり、かつその厚さが３０〜７０μｍであること、
（２）前記接着剤層の熱伝導率が３×１０-4〜１×１０
-3cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつその厚さが２０〜５
０μｍであること、を特徴とするものである。
【０００５】
【作用および実施例】以下、図面により本発明について
さらに詳細に説明する。本発明の金属ベース多層回路基
板は図１に示すように金属板１上に絶縁層２を介して回
路５が形成された金属ベース回路基板７の上に、接着剤
層６を介して両面に回路４を有する絶縁基板３からなる
上層回路基板が積層一体化された構造を有する。
さらに詳細に説明する。本発明の金属ベース多層回路基
板は図１に示すように金属板１上に絶縁層２を介して回
路５が形成された金属ベース回路基板７の上に、接着剤
層６を介して両面に回路４を有する絶縁基板３からなる
上層回路基板が積層一体化された構造を有する。
【０００６】本発明の回路基板に用いるベース金属板１
としては、良好な熱伝導性を持つアルミニウムおよびア
ルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金等、
あるいは銅／鉄−ニッケル系合金、アルミニウム／鉄−
ニッケル系合金などの二層あるいは、銅／鉄−ニッケル
系合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル系合金／アル
ミニウムなどの三層の多層複合材料等が使用可能であ
る。また、ベース金属基板１の厚みとしては、特に制限
はないが0.5 ｍｍ〜3.0 ｍｍが一般に用いられる。
としては、良好な熱伝導性を持つアルミニウムおよびア
ルミニウム合金、銅および銅合金、鉄および鉄合金等、
あるいは銅／鉄−ニッケル系合金、アルミニウム／鉄−
ニッケル系合金などの二層あるいは、銅／鉄−ニッケル
系合金／銅、アルミニウム／鉄−ニッケル系合金／アル
ミニウムなどの三層の多層複合材料等が使用可能であ
る。また、ベース金属基板１の厚みとしては、特に制限
はないが0.5 ｍｍ〜3.0 ｍｍが一般に用いられる。
【０００７】回路４及び５を形成する材料は銅、アルミ
ニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウムなどのいず
れか、またはこれらの金属を２種類以上含む合金及びそ
れぞれの金属を使用したクラッド箔が用いられる。ま
た、この時の箔の製造方法は電解法でも圧延法で作製し
たものでもよく、箔上にはＮｉめっき、Ｎｉ＋Ａｕめっ
き、はんだめっきなどの金属めっきがほどこされていて
もかまわない。
ニウム、ニッケル、鉄、錫、銀、チタニウムなどのいず
れか、またはこれらの金属を２種類以上含む合金及びそ
れぞれの金属を使用したクラッド箔が用いられる。ま
た、この時の箔の製造方法は電解法でも圧延法で作製し
たものでもよく、箔上にはＮｉめっき、Ｎｉ＋Ａｕめっ
き、はんだめっきなどの金属めっきがほどこされていて
もかまわない。
【０００８】前記上層回路基板は両面に回路を有し、そ
の下面の回路が磁気シールドの役目を果たす。下面の回
路は必ずしも特定の形状の回路を形成していなくても磁
気シルドの役目を果たすことが可能である。例えば、単
に板状であってもかまわない。そしてこの上層回路基板
の絶縁基板３としては、ＦＲ−４、ＦＲ−５等のガラス
エポキシ材、ポリイミド材、フェノール材及びセラミッ
クス材等の絶縁材料を用いることができる。そしてその
熱伝導率が６×１０-4〜１．２×１０-3cal/cm .sec .
℃ であり、かつその厚さが３０〜７０μｍである。そ
の熱伝導率が６×１０-4cal/cm .sec . ℃より小さいと
金属ベース多層回路基板の熱抵抗が大きくなり目的とす
る良好な熱放散性が得られず、１．２×１０-3cal/cm .
sec . ℃より大きいものは工業的に得ることが難しい。
また、その厚さが３０μｍより小さいと耐電圧性が低下
し、７０μｍより大きいと熱抵抗が大きくなり好ましく
ない。
の下面の回路が磁気シールドの役目を果たす。下面の回
路は必ずしも特定の形状の回路を形成していなくても磁
気シルドの役目を果たすことが可能である。例えば、単
に板状であってもかまわない。そしてこの上層回路基板
の絶縁基板３としては、ＦＲ−４、ＦＲ−５等のガラス
エポキシ材、ポリイミド材、フェノール材及びセラミッ
クス材等の絶縁材料を用いることができる。そしてその
熱伝導率が６×１０-4〜１．２×１０-3cal/cm .sec .
℃ であり、かつその厚さが３０〜７０μｍである。そ
の熱伝導率が６×１０-4cal/cm .sec . ℃より小さいと
金属ベース多層回路基板の熱抵抗が大きくなり目的とす
る良好な熱放散性が得られず、１．２×１０-3cal/cm .
sec . ℃より大きいものは工業的に得ることが難しい。
また、その厚さが３０μｍより小さいと耐電圧性が低下
し、７０μｍより大きいと熱抵抗が大きくなり好ましく
ない。
【０００９】前記上層回路基板を接着する接着剤層とし
ては、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタ
ン系等をはじめとしてあらゆる有機接着剤を用いること
ができる。その熱伝導率は３×１０-4〜１×１０-3cal/
cm .sec . ℃ でありかつ厚みが２０〜５０μｍであ
る。その熱伝導率が３×１０-4より小さいと金属ベース
多層回路基板の熱抵抗が大きくなり目的とする良好な熱
放散性が得られず、１×１０-3cal/cm .sec . ℃より大
きいものは工業的に得ることが難しい。また、その厚さ
が２０μｍより小さいと耐電圧性が低下し、５０μｍよ
り大きいと熱抵抗が大きくなりし好ましくない。
ては、アクリル系、エポキシ系、シリコーン系、ウレタ
ン系等をはじめとしてあらゆる有機接着剤を用いること
ができる。その熱伝導率は３×１０-4〜１×１０-3cal/
cm .sec . ℃ でありかつ厚みが２０〜５０μｍであ
る。その熱伝導率が３×１０-4より小さいと金属ベース
多層回路基板の熱抵抗が大きくなり目的とする良好な熱
放散性が得られず、１×１０-3cal/cm .sec . ℃より大
きいものは工業的に得ることが難しい。また、その厚さ
が２０μｍより小さいと耐電圧性が低下し、５０μｍよ
り大きいと熱抵抗が大きくなりし好ましくない。
【００１０】本発明に用いる絶縁層としては、各種セラ
ミックス、無機粉体からなる充填材を含有する高分子樹
脂絶縁層、ガラス繊維を含有する高分子樹脂絶縁層、お
よび耐熱性高分子樹脂絶縁層を用いることができる。前
記高分子樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、各種エンジニアプラスチック等が
用いられる。前記充填材としては、アルミナ、ベリリ
ヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化ケ
イ素、窒化アルミ等の材質が好ましい。
ミックス、無機粉体からなる充填材を含有する高分子樹
脂絶縁層、ガラス繊維を含有する高分子樹脂絶縁層、お
よび耐熱性高分子樹脂絶縁層を用いることができる。前
記高分子樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、各種エンジニアプラスチック等が
用いられる。前記充填材としては、アルミナ、ベリリ
ヤ、ボロンナイトライド、マグネシア、シリカ、窒化ケ
イ素、窒化アルミ等の材質が好ましい。
【００１１】そしてこの絶縁層は、その熱伝導率が３．
５×１０-3〜１．０×１０-2cal/cm .sec . ℃であり、
かつ厚さが６０〜２００μｍであること、その熱伝導率
が３．５×１０-3より小さいと金属ベース多層回路基板
の熱抵抗が大きくなり目的とする良好な熱放散性が得ら
れず、１．０×１０-2cal/cm .sec . ℃より大きいもの
は工業的に得ることが難しい。また、この絶縁層の厚さ
が６０μｍより小さいと耐電圧性が低下し、２００μｍ
より大きいと熱抵抗が大きくなり好ましくない。
５×１０-3〜１．０×１０-2cal/cm .sec . ℃であり、
かつ厚さが６０〜２００μｍであること、その熱伝導率
が３．５×１０-3より小さいと金属ベース多層回路基板
の熱抵抗が大きくなり目的とする良好な熱放散性が得ら
れず、１．０×１０-2cal/cm .sec . ℃より大きいもの
は工業的に得ることが難しい。また、この絶縁層の厚さ
が６０μｍより小さいと耐電圧性が低下し、２００μｍ
より大きいと熱抵抗が大きくなり好ましくない。
【００１２】以下、実施例に基づき、発明の内容を具体
的に説明する。
的に説明する。
〔実施例１〕まず、５１０×５１０×１．５mm tのアル
ミニウム板上に、アルミナを充填したエポキシ樹脂を塗
布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を張り合わせ加熱硬化
させ、熱伝導率が４．２×１０-3cal/cm .sec . ℃で、
厚さ１５０μｍの絶縁層を形成した後、エッチングによ
り所望の導電回路を形成した。次に、上面に箔厚７０μ
ｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有し、熱伝導率
が８×１０-4cal/cm ・sec .℃でかつ厚みが５０μｍの
ガラスエポキシ基板に所望の回路及びスルーホールを形
成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板の下面の３５
μｍの箔側を接着面として予め一定形状に打ち抜かれた
熱伝導率が５×１０-4cal/cm ・ sec .℃でかつ厚みが２
５μｍの接着シート（デュポン社製；パイララックス）
を用いて前記のアルミニウムベースの金属ベース回路基
板の絶縁層上に張り合わせた。この金属ベース多層回路
基板の絶縁破壊電圧及び熱抵抗を測定した。絶縁破壊電
圧の測定法はＪＩＳ Ｚ１０２０で規定している段階昇
圧法（ＡＣ電圧）にて測定した。また、熱抵抗及びノイ
ズシールド性については下記測定方法によって測定し
た。その結果を表１に示すが、絶縁破壊電圧は１０ｋＶ
以上、熱抵抗は１．９８℃／Ｗであった。また、ノイズ
シールド性も良好であった。
ミニウム板上に、アルミナを充填したエポキシ樹脂を塗
布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を張り合わせ加熱硬化
させ、熱伝導率が４．２×１０-3cal/cm .sec . ℃で、
厚さ１５０μｍの絶縁層を形成した後、エッチングによ
り所望の導電回路を形成した。次に、上面に箔厚７０μ
ｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有し、熱伝導率
が８×１０-4cal/cm ・sec .℃でかつ厚みが５０μｍの
ガラスエポキシ基板に所望の回路及びスルーホールを形
成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板の下面の３５
μｍの箔側を接着面として予め一定形状に打ち抜かれた
熱伝導率が５×１０-4cal/cm ・ sec .℃でかつ厚みが２
５μｍの接着シート（デュポン社製；パイララックス）
を用いて前記のアルミニウムベースの金属ベース回路基
板の絶縁層上に張り合わせた。この金属ベース多層回路
基板の絶縁破壊電圧及び熱抵抗を測定した。絶縁破壊電
圧の測定法はＪＩＳ Ｚ１０２０で規定している段階昇
圧法（ＡＣ電圧）にて測定した。また、熱抵抗及びノイ
ズシールド性については下記測定方法によって測定し
た。その結果を表１に示すが、絶縁破壊電圧は１０ｋＶ
以上、熱抵抗は１．９８℃／Ｗであった。また、ノイズ
シールド性も良好であった。
【００１３】
【表１】
【００１４】（熱抵抗の測定方法）金属ベース回路基板
上に上層回路基板が形成された金属ベース多層回路基板
の前記上層回路基板上の導電箔をエッチングして１０×
１５mmのパッド部を形成し、この上にトランジスター
（TO220 、株式会社東芝製）をはんだ付けする。ベース
金属板面側を冷却し、トランジスターに通電して、絶縁
層を挟んだトランジスター側と金属板側の温度差と通電
量より熱抵抗を測定した。（デンカHITTプレートのカタ
ログに記載されている方法において、前記トランジスタ
ーを上層回路基板上にはんだ付けして行う）。
上に上層回路基板が形成された金属ベース多層回路基板
の前記上層回路基板上の導電箔をエッチングして１０×
１５mmのパッド部を形成し、この上にトランジスター
（TO220 、株式会社東芝製）をはんだ付けする。ベース
金属板面側を冷却し、トランジスターに通電して、絶縁
層を挟んだトランジスター側と金属板側の温度差と通電
量より熱抵抗を測定した。（デンカHITTプレートのカタ
ログに記載されている方法において、前記トランジスタ
ーを上層回路基板上にはんだ付けして行う）。
【００１５】（ノイズシールド性測定法）実施例１のよ
うにして得られた金属ベース多層回路基板において、金
属ベース回路基板上に形成された回路と同一の回路を上
層回路基板上に形成し、２００ｋＨｚに於いて上層回路
基板上に形成された回路のみによって発生するノイズ量
から、同じく２００ｋＨｚに於いて金属ベース回路基板
上に形成された回路のみによって発生するノイズ量を差
し引いた量をノイズ低減量とし、この値（ｄＢ）をノイ
ズシールド性とした。ノイズ発生量は横河ヒューレット
パッカード社製；２／４チャンネルＦＦＴアナライザＨ
Ｐ２５６７０Ａにて測定した。
うにして得られた金属ベース多層回路基板において、金
属ベース回路基板上に形成された回路と同一の回路を上
層回路基板上に形成し、２００ｋＨｚに於いて上層回路
基板上に形成された回路のみによって発生するノイズ量
から、同じく２００ｋＨｚに於いて金属ベース回路基板
上に形成された回路のみによって発生するノイズ量を差
し引いた量をノイズ低減量とし、この値（ｄＢ）をノイ
ズシールド性とした。ノイズ発生量は横河ヒューレット
パッカード社製；２／４チャンネルＦＦＴアナライザＨ
Ｐ２５６７０Ａにて測定した。
【００１６】〔実施例２〕まず、５１０×５１０×１．
５mm tのアルミニウム板上にアルミナを填材したエポキ
シ樹脂を塗布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を張り合わ
せ加熱硬化させ、熱伝導率が３．５×１０-3cal/cm .se
c . ℃で、厚さ６０μｍの絶縁層を形成した後、エッチ
ングにより所望の導電回路を形成した。次に、上面に箔
厚７０μｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有す
る、熱伝導率が６×１０-4cal/cm ・ sec .℃でかつ厚み
が３０μｍのガラスエポキシ基板に所望の回路及びスル
ーホールを形成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板
の下面の３５μｍの箔側を接着面として予め一定形状に
打ち抜かれた熱伝導率が３×１０-4cal/cm ・ sec .℃で
かつ厚みが２０μｍの接着シートを用いて前記のアルミ
ニウムベースの金属ベース回路基板の絶縁層上に張り合
わせた。この金属ベース多層回路基板の絶縁破壊電圧お
よび熱抵抗を測定した。その結果を表１に示すが絶縁破
壊電圧は６．２ｋＶ、熱抵抗は１．１４℃／Ｗであっ
た。また、ノイズシールド性も良好であった。
５mm tのアルミニウム板上にアルミナを填材したエポキ
シ樹脂を塗布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を張り合わ
せ加熱硬化させ、熱伝導率が３．５×１０-3cal/cm .se
c . ℃で、厚さ６０μｍの絶縁層を形成した後、エッチ
ングにより所望の導電回路を形成した。次に、上面に箔
厚７０μｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有す
る、熱伝導率が６×１０-4cal/cm ・ sec .℃でかつ厚み
が３０μｍのガラスエポキシ基板に所望の回路及びスル
ーホールを形成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板
の下面の３５μｍの箔側を接着面として予め一定形状に
打ち抜かれた熱伝導率が３×１０-4cal/cm ・ sec .℃で
かつ厚みが２０μｍの接着シートを用いて前記のアルミ
ニウムベースの金属ベース回路基板の絶縁層上に張り合
わせた。この金属ベース多層回路基板の絶縁破壊電圧お
よび熱抵抗を測定した。その結果を表１に示すが絶縁破
壊電圧は６．２ｋＶ、熱抵抗は１．１４℃／Ｗであっ
た。また、ノイズシールド性も良好であった。
【００１７】〔実施例３〜５〕金属ベース回路基板の絶
縁層の厚さ及び熱伝導率、上層回路基板の厚さ及び熱伝
導率、接着シートの厚さ及び熱伝導率を表１のように変
えた以外は実施例１と同様にして金属ベース多層回路基
板を作製した。これらの金属ベース多層回路基板の絶縁
破壊電圧および熱抵抗を実施例１と同様にして測定し
た。その結果を表１に示すが絶縁破壊電圧は高く、熱抵
抗は小さかった。
縁層の厚さ及び熱伝導率、上層回路基板の厚さ及び熱伝
導率、接着シートの厚さ及び熱伝導率を表１のように変
えた以外は実施例１と同様にして金属ベース多層回路基
板を作製した。これらの金属ベース多層回路基板の絶縁
破壊電圧および熱抵抗を実施例１と同様にして測定し
た。その結果を表１に示すが絶縁破壊電圧は高く、熱抵
抗は小さかった。
【００１８】〔比較例１〕比較例として、５１０×５１
０×１．５mm tのアルミニウム板上にアルミナを充填し
たエポキシ樹脂を塗布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を
張り合わせ加熱硬化させ、熱伝導率が１×１０-2cal/cm
・ sec .℃で、厚さ５０μｍの絶縁層を形成した後、エ
ッチングにより所望の回路を形成した。次に、上面に箔
厚７０μｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有し、
熱伝導率が１．２×１０-3cal/cm ・sec .℃でかつ厚み
が２５μｍのガラスエポキシ基板に所望の回路及びスル
ーホールを形成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板
の下面の３５μｍの箔側を接着面として予め一定形状に
打ち抜かれた熱伝導率が１×１０-3cal/cm ・ sec .℃で
かつ厚みが１５μｍのプリプレグを用いて前記のアルミ
ニウムベースの金属ベース回路基板の絶縁層上に張り合
わせた。この金属ベース多層回路基板の絶縁破壊電圧及
び熱抵抗を実施例１と同様の方法で測定した。その結果
を表１に示すが絶縁破壊電圧は４．５ｋＶ、熱抵抗は
１．２５℃／Ｗであった。
０×１．５mm tのアルミニウム板上にアルミナを充填し
たエポキシ樹脂を塗布し、その上に３５μｍ厚の銅箔を
張り合わせ加熱硬化させ、熱伝導率が１×１０-2cal/cm
・ sec .℃で、厚さ５０μｍの絶縁層を形成した後、エ
ッチングにより所望の回路を形成した。次に、上面に箔
厚７０μｍおよび下面に箔厚３５μｍの導電箔を有し、
熱伝導率が１．２×１０-3cal/cm ・sec .℃でかつ厚み
が２５μｍのガラスエポキシ基板に所望の回路及びスル
ーホールを形成後、絶縁基板であるガラスエポキシ基板
の下面の３５μｍの箔側を接着面として予め一定形状に
打ち抜かれた熱伝導率が１×１０-3cal/cm ・ sec .℃で
かつ厚みが１５μｍのプリプレグを用いて前記のアルミ
ニウムベースの金属ベース回路基板の絶縁層上に張り合
わせた。この金属ベース多層回路基板の絶縁破壊電圧及
び熱抵抗を実施例１と同様の方法で測定した。その結果
を表１に示すが絶縁破壊電圧は４．５ｋＶ、熱抵抗は
１．２５℃／Ｗであった。
【００１９】〔比較例２、３〕金属ベース回路基板の絶
縁層の厚さ及び熱伝導率、上層回路基板の厚さ及び熱伝
導率、接着シートの厚さ及び熱伝導率を表１のように変
えた以外は比較例１と同様にして金属ベース多層回路基
板を作製した。これらの金属ベース多層回路基板の絶縁
破壊電圧および熱抵抗を実施例１と同様の方法で測定し
た。その結果を表１に示すが絶縁破壊電圧は高かった
が、熱抵抗が大きく好ましくなかった。
縁層の厚さ及び熱伝導率、上層回路基板の厚さ及び熱伝
導率、接着シートの厚さ及び熱伝導率を表１のように変
えた以外は比較例１と同様にして金属ベース多層回路基
板を作製した。これらの金属ベース多層回路基板の絶縁
破壊電圧および熱抵抗を実施例１と同様の方法で測定し
た。その結果を表１に示すが絶縁破壊電圧は高かった
が、熱抵抗が大きく好ましくなかった。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ノイズシールド性及び
耐電圧性にすぐれた熱放散性が良好な金属ベース多層回
路基板を得ることができる。
耐電圧性にすぐれた熱放散性が良好な金属ベース多層回
路基板を得ることができる。
【図１】 本発明の金属ベース多層回路基板の構造の一
例を示す断面概略図である。
例を示す断面概略図である。
１；金属板
２；金属ベース回路基板の絶縁層
３；接着剤層
４；上層回路基板の絶縁基板
５；上層回路基板の上面回路
６；上層回路基板の下面回路
７；金属ベース回路基板の回路
８；金属ベース回路基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−119696（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−246897（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−5999（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−342986（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H05K 3/46
H05K 1/05
Claims (3)
- 【請求項１】金属板上の少なくとも一主面上に、絶縁層
を介して回路が形成された金属ベース回路基板の上に、
接着剤層を介して両面に回路を有し、下面に磁気シール
ド用の回路を有する上層回路基板が積層一体化された金
属ベース多層回路基板において、前記金属ベース回路基
板の絶縁層の熱伝導率が３．５×１０ -3 〜１．０×１０
-2 cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつ厚さが６０〜２００
μｍであり、前記上層回路基板の絶縁基板の熱伝導率が
６×１０-4〜１．２×１０-3cal／ｃｍ・sec・℃であ
り、かつその厚さが３０〜７０μｍであることを特徴と
する金属ベース多層回路基板。 - 【請求項２】金属板上の少なくとも一主面上に、絶縁層
を介して回路が形成された金属ベース回路基板の上に、
接着剤層を介して両面に回路を有し、下面に磁気シール
ド用の回路を有する上層回路基板が積層一体化された金
属ベース多層回路基板において、前記金属ベース回路基
板の絶縁層の熱伝導率が３．５×１０ -3 〜１．０×１０
-2 cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつ厚さが６０〜２００
μｍであり、前記接着剤層の熱伝導率が３×１０-4〜１
×１０-3cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつその厚さが２
０〜５０μｍであることを特徴とする金属ベース多層回
路基板。 - 【請求項３】金属板上の少なくとも一主面上に、絶縁層
を介して回路が形成された金属ベース回路基板の上に、
接着剤層を介して両面に回路を有し、下面に磁気シール
ド用の回路を有する上層回路基板が積層一体化された金
属ベース多層回路基板において、前記金属ベース回路基
板の絶縁層の熱伝導率が３．５×１０ -3 〜１．０×１０
-2 cal／ｃｍ・sec・℃であり、かつ厚さが６０〜２００
μｍであり、前記上層回路基板の絶縁基板の熱伝導率が
６×１０-4〜１．２×１０-3cal／ｃｍ・sec・℃であ
り、かつその厚さが３０〜７０μｍであり、更に、前記
接着剤層の熱伝導率が３×１０-4〜１×１０-3cal／ｃ
ｍ・sec・℃であり、かつその厚さが２０〜５０μｍで
あることを特徴とする金属ベース多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9508094A JP3436582B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 金属ベース多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9508094A JP3436582B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 金属ベース多層回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302978A JPH07302978A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3436582B2 true JP3436582B2 (ja) | 2003-08-11 |
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ID=14127981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9508094A Expired - Fee Related JP3436582B2 (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 金属ベース多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3436582B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120082947A (ko) * | 2010-03-23 | 2012-07-24 | 도요 알루미늄 가부시키가이샤 | 실장 기판용 방열 적층재 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246897A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | 日立化成工業株式会社 | 金属ベ−ス２層配線板の製造法 |
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| JP3196331B2 (ja) * | 1992-06-23 | 2001-08-06 | 松下電工株式会社 | 片面複層金属ベースプリント配線板 |
| JPH06342986A (ja) * | 1993-06-02 | 1994-12-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 多層回路基板構造およびその多層回路基板を用いてなる多層金属ベース基板 |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP9508094A patent/JP3436582B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07302978A (ja) | 1995-11-14 |
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