WO2020021732A1 - スラリ及び研磨方法 - Google Patents

スラリ及び研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2020021732A1
WO2020021732A1 PCT/JP2018/035463 JP2018035463W WO2020021732A1 WO 2020021732 A1 WO2020021732 A1 WO 2020021732A1 JP 2018035463 W JP2018035463 W JP 2018035463W WO 2020021732 A1 WO2020021732 A1 WO 2020021732A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
particles
mass
slurry
polishing
abrasive grains
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/035463
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
貴彬 松本
友洋 岩野
智康 長谷川
友美 久木田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to SG11202100589TA priority Critical patent/SG11202100589TA/en
Priority to KR1020217003478A priority patent/KR102589119B1/ko
Priority to JP2020532133A priority patent/JP6965999B2/ja
Priority to CN201880097200.XA priority patent/CN112640053A/zh
Priority to US17/262,640 priority patent/US11505731B2/en
Priority to TW108126208A priority patent/TWI804659B/zh
Publication of WO2020021732A1 publication Critical patent/WO2020021732A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409—Abrasive particles per se
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
    • H10P74/238—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes comprising acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection or in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H10P95/06—Planarisation of inorganic insulating materials
    • H10P95/062—Planarisation of inorganic insulating materials involving a dielectric removal step
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F17/00—Compounds of rare earth metals
    • C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
    • C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
    • C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
    • C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
    • C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties

Definitions

  • the present invention relates to a slurry and a polishing method.
  • a CMP (Chemical Mechanical Polishing) technique which is one of the processing techniques, forms a shallow trench isolation (shallow trench isolation; hereinafter, referred to as "STI") in a semiconductor device manufacturing process. It is an indispensable technique for flattening a premetal insulating material or an interlayer insulating material, forming a plug or a buried metal wiring, and the like.
  • the most frequently used polishing liquid is, for example, a silica-based polishing liquid containing silica (silicon oxide) particles such as fumed silica and colloidal silica as abrasive grains.
  • the silica-based polishing liquid is characterized by being highly versatile, and can appropriately polish a wide variety of materials irrespective of insulating materials and conductive materials by appropriately selecting the abrasive content, pH, additives, and the like.
  • a polishing liquid mainly for an insulating material such as silicon oxide the demand for a polishing liquid containing cerium compound particles as abrasive grains is also increasing.
  • a cerium oxide-based polishing liquid containing cerium oxide particles as abrasive grains can polish silicon oxide at high speed even with a lower abrasive content than a silica-based polishing liquid (for example, see Patent Documents 1 and 2 below).
  • the step of the insulating material at the time of forming the cell is several times higher than that of the conventional planar type. Accordingly, in order to maintain the device manufacturing throughput, it is necessary to quickly eliminate the high steps as described above in the CMP process or the like, and it is necessary to improve the polishing rate of the insulating material.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a slurry capable of improving a polishing rate of an insulating material, and a polishing method using the slurry.
  • a slurry according to one aspect of the present invention is a slurry containing abrasive grains and a liquid medium, wherein the abrasive grains include first particles and second particles in contact with the first particles.
  • the particle size of the second particles is smaller than the particle size of the first particles, the first particles contain a cerium oxide, the second particles contain a cerium compound,
  • the solid phase obtained by centrifuging the slurry at a centrifugal acceleration of 1.1 ⁇ 10 4 G for 60 minutes has a BET specific surface area of 40 m 2 / g or more. is there.
  • the polishing rate of the insulating material can be improved, and the insulating material can be polished at a high polishing rate.
  • a polishing method includes a step of polishing a surface to be polished using the slurry. According to such a polishing method, the same effect as that of the slurry can be obtained by using the slurry.
  • a slurry capable of improving the polishing rate of an insulating material for example, silicon oxide
  • a polishing method using the slurry can be provided.
  • the use of a slurry for polishing a surface to be polished containing silicon oxide can be provided.
  • a numerical range indicated by using “to” indicates a range including numerical values described before and after “to” as a minimum value and a maximum value, respectively.
  • the upper limit or the lower limit of a numerical range in one step can be arbitrarily combined with the upper limit or the lower limit of a numerical range in another step.
  • the upper limit or the lower limit of the numerical range may be replaced with the value shown in the embodiment.
  • “A or B” may include one of A and B, and may include both.
  • the materials exemplified in the present specification can be used alone or in combination of two or more, unless otherwise specified.
  • the content of each component in the composition if there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition, unless otherwise specified, the total amount of the plurality of substances present in the composition Means
  • step is included in the term as well as an independent step, even if it is not clearly distinguishable from other steps, provided that the intended action of that step is achieved.
  • the slurry according to the present embodiment contains abrasive grains.
  • the abrasive grains are also referred to as “abrasive particles”, but are referred to herein as “abrasive grains”.
  • Abrasive grains are generally solid particles, and are removed by a mechanical action (physical action) of the abrasive grains during polishing and a chemical action of the abrasive grains (mainly, the surface of the abrasive grains). It is contemplated, but not limited to, that the object is removed.
  • the polishing rate when the slurry according to the present embodiment is used is, for example, the polishing rate obtained when the content of abrasive grains (total amount of particles) is adjusted to 0.1% by mass based on the total mass of the slurry. Can be compared based on
  • the slurry according to the present embodiment contains abrasive grains and a liquid medium as essential components.
  • the slurry according to the present embodiment can be used, for example, as a polishing liquid (CMP polishing liquid).
  • CMP polishing liquid polishing liquid
  • the term "polishing liquid, abrasive” is defined as a composition that comes into contact with a surface to be polished during polishing.
  • the phrase "polishing liquid” itself does not limit the components contained in the polishing liquid at all.
  • the abrasive contains composite particles including first particles and second particles in contact with the first particles.
  • the particle size of the second particles is smaller than the particle size of the first particles.
  • the first particles contain a cerium oxide and the second particles contain a cerium compound.
  • the BET specific surface area of the solid phase obtained when the slurry according to the present embodiment is centrifuged at a centrifugal acceleration of 1.1 ⁇ 10 4 G for 60 minutes, 40 m 2 / g or more.
  • the polishing rate of the insulating material (for example, silicon oxide) can be improved.
  • a high polishing rate of the insulating material can be obtained even when the content of the abrasive grains is small.
  • the reasons why the polishing rate of the insulating material is improved as described above include, for example, the following reasons. However, the reason is not limited to the following.
  • the polishing of the insulating material proceeds by the mechanical action and the chemical action between the surface of the abrasive grains contributing to the polishing and the surface of the insulating material.
  • the first particles containing cerium oxide and having a larger particle size than the second particles have a stronger mechanical action (mechanical properties) on the insulating material than the second particles.
  • the second particles containing the cerium compound and having a smaller particle size than the first particles have a smaller mechanical action on the insulating material than the first particles, but have a specific surface area of the whole particles. Since the surface area per unit mass is large, the chemical action (chemical properties) on the insulating material is strong.
  • the BET specific surface area of the solid phase obtained by centrifugation is 40 m 2 / g or more.
  • the abrasive grains collected as the solid phase have a high specific surface area, so that the polishing rate is easily improved. From the above, it is estimated that the polishing rate of the insulating material can be improved by using the slurry according to the present embodiment.
  • the dried BET specific surface area of the solid phase obtained by centrifuging the slurry can be used.
  • the BET specific surface area of the solid phase is preferably 41 m 2 / g or more from the viewpoint that the polishing rate of the insulating material is easily improved.
  • the BET specific surface area of the solid phase, from the viewpoint of polishing rate tends to increase the insulating material is preferably 70m 2 / g or less, more preferably 60 m 2 / g or less, still more preferably 50 m 2 / g or less, 45 m 2 / g or less, particularly preferably 43 m 2 / g or less, and very preferably 42 m 2 / g or less. From the above viewpoint, the BET specific surface area of the solid phase is more preferably 40 to 70 m 2 / g.
  • the BET specific surface area of the solid phase can be measured using a gas adsorption method, for example, using a specific surface area / pore diameter analyzer (trade name: QUADRASORB EVO) manufactured by Quantachrome Co. under the following conditions.
  • a specific surface area / pore diameter analyzer (trade name: QUADRASORB EVO) manufactured by Quantachrome Co. under the following conditions.
  • an average value of two measurements can be used as the BET specific surface area of the solid phase.
  • Pretreatment vacuum degassing (100 ° C, 2 hours)
  • Measurement method Constant volume method
  • Adsorption gas Nitrogen gas Measurement temperature: 77.35K (-195.8 ° C)
  • Measurement cell size 1.5cm 3
  • Measurement item Measure several points while changing the value of P / P 0 in the range of 0 to 0.3
  • Analysis item Specific surface area by BET multipoint method Number of measurements: Change twice for different samples
  • the solid phase for measuring the BET specific surface area can be recovered from the slurry by, for example, centrifugation and vacuum drying under the following conditions.
  • [Centrifugation conditions] Apparatus: Centrifuge manufactured by Hitachi Koki Co., Ltd. (trade name: himac CR7) Separation conditions: centrifugal acceleration 1.1 ⁇ 10 4 G for 60 minutes [vacuum drying conditions] Equipment: Vacuum dryer manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. (Product name: Standard type ADP200) Drying condition: 24 hours at room temperature (25 ° C)
  • the abrasive grains of the slurry according to the present embodiment contain composite particles including the first particles and the second particles in contact with the first particles.
  • the particle size of the second particles is smaller than the particle size of the first particles.
  • the magnitude relationship between the particle diameters of the first particles and the second particles can be determined from an SEM image or the like of the composite particles.
  • the particle size of the first particles is preferably in the following range.
  • the lower limit of the particle diameter of the first particles is preferably 15 nm or more, more preferably 25 nm or more, still more preferably 35 nm or more, particularly preferably 40 nm or more, and most preferably 50 nm or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material.
  • 80 nm or more is very preferable, and 100 nm or more is still more preferable.
  • the upper limit of the particle diameter of the first particles is preferably 1,000 nm or less, more preferably 800 nm or less, and 600 nm or less, from the viewpoint of improving the dispersibility of the abrasive grains, and from the viewpoint that scratches on the surface to be polished are easily suppressed.
  • the following is still more preferred, particularly preferably 400 nm or less, particularly preferably 300 nm or less, very preferably 200 nm or less, and even more preferably 150 nm or less.
  • the particle diameter of the first particles is more preferably 15 to 1000 nm.
  • the average particle size (average secondary particle size) of the first particles may be in the above range.
  • the particle diameter of the second particles is preferably in the following range.
  • the lower limit of the particle size of the second particles is preferably 1 nm or more, more preferably 2 nm or more, and still more preferably 3 nm or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material.
  • the upper limit of the particle size of the second particles is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, and 25 nm from the viewpoint that the dispersibility of the abrasive grains is improved and that the surface to be polished is easily suppressed from being damaged.
  • the thickness is particularly preferably 20 nm or less, particularly preferably 15 nm or less, and very preferably 10 nm or less. From the above viewpoint, the particle size of the second particles is more preferably 1 to 50 nm.
  • the average particle size (average secondary particle size) of the second particles may be in the above range.
  • the average particle size (average secondary particle size) of the abrasive grains (the entire abrasive grains including composite particles) in the slurry is preferably in the following range.
  • the lower limit of the average particle size of the abrasive grains is preferably 16 nm or more, more preferably 20 nm or more, still more preferably 30 nm or more, particularly preferably 40 nm or more, and most preferably 50 nm or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. , 100 nm or more is very preferable, 120 nm or more is more preferable, and 140 nm or more is further preferable.
  • the upper limit of the average particle size of the abrasive grains is preferably 1050 nm or less, more preferably 1000 nm or less, and 800 nm or less, from the viewpoint of improving the dispersibility of the abrasive grains and from the viewpoint that the surface to be polished is easily suppressed from being damaged.
  • the average particle diameter of the abrasive grains is more preferably 16 to 1050 nm.
  • the average particle size is measured using, for example, a light diffraction scattering type particle size distribution meter (for example, trade name: N5, manufactured by Beckman Coulter, Inc., or Microtrac Bell, Inc., trade name: Microtrac MT3300EXII). can do.
  • a light diffraction scattering type particle size distribution meter for example, trade name: N5, manufactured by Beckman Coulter, Inc., or Microtrac Bell, Inc., trade name: Microtrac MT3300EXII.
  • the first particles contain a cerium oxide (eg, ceria), and the second particles contain a cerium compound.
  • the cerium compound of the second particles include cerium hydroxide and cerium oxide.
  • the cerium compound of the second particles a compound different from cerium oxide can be used.
  • the cerium compound preferably contains cerium hydroxide. Abrasive grains containing cerium hydroxide have a higher reactivity (chemical action) with an insulating material (eg, silicon oxide) due to the action of a hydroxyl group than particles made of silica, cerium oxide, and the like. Polishing can be performed at a higher polishing rate.
  • Cerium hydroxide is, for example, a compound containing tetravalent cerium (Ce 4+ ) and at least one hydroxide ion (OH ⁇ ).
  • Cerium hydroxide may include anions other than hydroxide ions (eg, nitrate ions NO 3 ⁇ and sulfate ions SO 4 2 ⁇ ).
  • cerium hydroxide may include anions (eg, nitrate NO 3 ⁇ and sulfate SO 4 2 ⁇ ) bound to tetravalent cerium.
  • Cerium hydroxide can be produced by reacting a cerium salt with an alkali source (base).
  • the cerium hydroxide is preferably produced by mixing a cerium salt and an alkaline liquid (for example, an alkaline aqueous solution).
  • an alkaline liquid for example, an alkaline aqueous solution.
  • Cerium hydroxide can be obtained by mixing a cerium salt solution (for example, a cerium salt aqueous solution) and an alkali solution.
  • the cerium salt include Ce (NO 3 ) 4 , Ce (SO 4 ) 2 , Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , Ce (NH 4 ) 4 (SO 4 ) 4 and the like.
  • Ce (OH) a X b the reactivity of hydroxide ions is improved by the action of an electron-withdrawing anion (X c ⁇ ), and the abundance of Ce (OH) a X b increases. It is thought that the polishing rate increases with the increase in the polishing rate.
  • Examples of the anion (X c ⁇ ) include NO 3 — and SO 4 2- . It is thought that the particles containing cerium hydroxide may include not only Ce (OH) a Xb but also Ce (OH) 4 , CeO 2 and the like.
  • the fact that the particles containing cerium hydroxide contain Ce (OH) a Xb is based on the fact that the particles are thoroughly washed with pure water and then the FT-IR ATR method (Fourier transform Infra Red Spectrometer Attenuated Total Reflection method, Fourier transform method) It can be confirmed by a method of detecting a peak corresponding to an anion (X c ⁇ ) by a spectrophotometer total reflection measurement method). The presence of an anion (X c ⁇ ) can also be confirmed by the XPS method (X-ray Photoelectron Spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy).
  • the composite particles including the first particles and the second particles are brought into contact with the first particles and the second particles using a homogenizer, a nanomizer, a ball mill, a bead mill, an ultrasonic treatment machine, or the like, and the charges opposite to each other are used.
  • a homogenizer a nanomizer, a ball mill, a bead mill, an ultrasonic treatment machine, or the like.
  • the lower limit of the content of cerium oxide in the first particles is based on the entire first particles (the entire first particles contained in the slurry; the same applies hereinafter) from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. Is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, still more preferably 90% by mass or more, and particularly preferably 95% by mass or more.
  • the first particles may be in an aspect substantially composed of cerium oxide (an aspect in which 100% by mass of the first particles is cerium oxide).
  • the lower limit of the content of the cerium compound in the second particles is based on the entire second particles (the entire second particles contained in the slurry; the same applies hereinafter) from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. , 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, still more preferably 90% by mass or more, and particularly preferably 95% by mass or more.
  • the second particles may have an aspect substantially composed of a cerium compound (an aspect in which substantially 100% by mass of the second particles is a cerium compound).
  • the lower limit of the content of the first particles in the abrasive grains is 50% by mass or more based on the entire abrasive grains (the entirety of the abrasive grains contained in the slurry. The same applies hereinafter). Preferably, it exceeds 50% by mass, more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more, very preferably 75% by mass or more, and very preferably 80% by mass or more.
  • the upper limit of the content of the first particles in the abrasive grains is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, and more preferably 90% by mass, based on the entire abrasive particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. % Or less, particularly preferably 88% by mass or less, particularly preferably 86% by mass or less, very preferably 85% by mass or less, and even more preferably 82% by mass or less. From the above viewpoint, the content of the first particles in the abrasive grains is more preferably 50 to 95% by mass based on the entire abrasive grains.
  • the lower limit of the content of the second particles in the abrasive grains is preferably 5% by mass or more based on the entire abrasive grains (the entire abrasive grains contained in the slurry). It is more preferably at least 10 mass%, still more preferably at least 10 mass%, particularly preferably at least 12 mass%, particularly preferably at least 14 mass%, very preferably at least 15 mass%, and even more preferably at least 18 mass%.
  • the upper limit of the content of the second particles in the abrasive grains is preferably 50% by mass or less, more preferably less than 50% by mass, and more preferably 40% by mass, based on the entire abrasive particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. % Or less, particularly preferably 30% by mass or less, particularly preferably 25% by mass or less, and very preferably 20% by mass or less. From the above viewpoint, the content of the second particles in the abrasive grains is more preferably 5 to 50% by mass based on the entire abrasive grains.
  • the lower limit of the cerium oxide content in the abrasive grains is preferably 50% by mass or more, and more preferably 50% by mass, based on the entire abrasive grains (the entire abrasive grains contained in the slurry) from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. %, More preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more, particularly preferably 75% by mass or more, and very preferably 80% by mass or more.
  • the upper limit of the content of cerium oxide in the abrasive grains is preferably 95% by mass or less, more preferably 93% by mass or less, and more preferably 90% by mass, based on the whole abrasive particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material.
  • the amount is particularly preferably 88% by mass or less, particularly preferably 86% by mass or less, very preferably 85% by mass or less, and further preferably 82% by mass or less.
  • the content of cerium oxide in the abrasive grains is more preferably 50 to 95% by mass based on the entire abrasive grains.
  • the lower limit of the content of cerium hydroxide in the abrasive grains is preferably 5% by mass or more based on the entire abrasive grains (the entire abrasive grains contained in the slurry) from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. It is more preferably at least 10 mass%, still more preferably at least 10 mass%, particularly preferably at least 12 mass%, particularly preferably at least 14 mass%, very preferably at least 15 mass%, and even more preferably at least 18 mass%.
  • the upper limit of the content of cerium hydroxide in the abrasive grains is preferably 50% by mass or less, more preferably less than 50% by mass, and more preferably 40% by mass, based on the whole abrasive particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. % Or less, particularly preferably 30% by mass or less, particularly preferably 25% by mass or less, and very preferably 20% by mass or less. From the above viewpoint, the content of cerium hydroxide in the abrasive grains is more preferably 5 to 50% by mass based on the entire abrasive grains.
  • the lower limit of the content of the first particles is preferably 50% by mass or more, and more preferably 50% by mass, based on the total amount of the first particles and the second particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. More preferably, it is more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more, particularly preferably 75% by mass or more, and very preferably 80% by mass or more. From the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material, the upper limit of the content of the first particles is preferably 95% by mass or less, and more preferably 93% by mass or less, based on the total amount of the first particles and the second particles.
  • the content of the first particles is more preferably 50 to 95% by mass based on the total amount of the first particles and the second particles.
  • the lower limit of the content of the second particles is preferably 5% by mass or more, more preferably 7% by mass or more based on the total amount of the first particles and the second particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. Is more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 12% by mass or more, particularly preferably 14% by mass or more, very preferably 15% by mass or more, and still more preferably 18% by mass or more.
  • the upper limit of the content of the second particles is preferably 50% by mass or less, and less than 50% by mass, based on the total amount of the first particles and the second particles, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material.
  • the content of the second particles is more preferably 5 to 50% by mass based on the total amount of the first particles and the second particles.
  • the lower limit of the content of the first particles in the slurry is preferably 0.005% by mass or more, more preferably 0.008% by mass or more based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. It is preferably at least 0.01% by mass, more preferably at least 0.05% by mass, particularly preferably at least 0.07% by mass, and most preferably at least 0.08% by mass.
  • the upper limit of the content of the first particles in the slurry is preferably 5% by mass or less based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material and increasing the storage stability of the slurry.
  • the content of the first particles in the slurry is more preferably 0.005 to 5% by mass based on the total mass of the slurry.
  • the lower limit of the content of the second particles in the slurry is based on the total mass of the slurry, from the viewpoint that the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished is further improved and the polishing rate of the insulating material is further improved. , 0.005% by mass or more, more preferably 0.008% by mass or more, still more preferably 0.01% by mass or more, particularly preferably 0.012% by mass or more, and very preferably 0.015% by mass or more, 0.018% by mass or more is very preferable, and 0.02% by mass or more is even more preferable.
  • the upper limit of the content of the second particles in the slurry makes it easier to avoid agglomeration of the abrasive grains, further enhances the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished, and improves the properties of the abrasive grains.
  • the amount is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, still more preferably 1% by mass or less, particularly preferably 0.5% by mass or less, based on the total mass of the slurry.
  • the content is very preferably 1% by mass or less, very preferably 0.05% by mass or less, further preferably 0.04% by mass or less, still more preferably 0.035% by mass or less, and still more preferably 0.03% by mass or less.
  • the content of the second particles in the slurry is more preferably 0.005 to 5% by mass based on the total mass of the slurry.
  • the lower limit of the content of cerium oxide in the slurry is preferably 0.005% by mass or more, more preferably 0.008% by mass or more based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. , 0.01% by mass or more, particularly preferably 0.05% by mass or more, particularly preferably 0.07% by mass or more, and very preferably 0.08% by mass or more.
  • the upper limit of the content of cerium oxide in the slurry is preferably 5% by mass or less, based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material and increasing the storage stability of the slurry.
  • the content is more preferably 1% by mass or less. From the above viewpoint, the content of cerium oxide in the slurry is more preferably 0.005 to 5% by mass based on the total mass of the slurry.
  • the lower limit of the content of cerium hydroxide in the slurry is based on the total mass of the slurry, from the viewpoint that the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished is further improved and the polishing rate of the insulating material is further improved. , 0.005% by mass or more, more preferably 0.008% by mass or more, still more preferably 0.01% by mass or more, particularly preferably 0.012% by mass or more, and very preferably 0.015% by mass or more, 0.018% by mass or more is very preferable, and 0.02% by mass or more is even more preferable.
  • the upper limit of the content of cerium hydroxide in the slurry makes it easier to avoid agglomeration of the abrasive grains, and further enhances the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished, thereby improving the properties of the abrasive grains.
  • the amount is preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, still more preferably 1% by mass or less, particularly preferably 0.5% by mass or less, based on the total mass of the slurry.
  • the content is very preferably 1% by mass or less, very preferably 0.05% by mass or less, further preferably 0.04% by mass or less, still more preferably 0.035% by mass or less, and still more preferably 0.03% by mass or less.
  • the content of the cerium hydroxide in the slurry is more preferably 0.005 to 5% by mass based on the total mass of the slurry.
  • the lower limit of the content of the abrasive grains in the slurry is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. It is more preferably at least 0.08 mass%, particularly preferably at least 0.1 mass%.
  • the upper limit of the content of the abrasive grains in the slurry is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and more preferably 1% by mass or less, based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of increasing the storage stability of the slurry.
  • the content is particularly preferably 0.5% by mass or less, particularly preferably 0.1% by mass or less, very preferably 0.2% by mass or less, still more preferably 0.15% by mass or less, and 0.135% by mass.
  • the content is particularly preferably 0.13% by mass or less, and particularly preferably 0.12% by mass or less. From the above viewpoint, the content of the abrasive grains in the slurry is more preferably 0.01 to 10% by mass based on the total mass of the slurry.
  • the first particles can have a negative zeta potential.
  • the second particles can have a positive zeta potential.
  • the zeta potential indicates the surface potential of the particles.
  • the zeta potential can be measured using, for example, a dynamic light scattering zeta potential measuring device (for example, trade name: DelsaNano @ C, manufactured by Beckman Coulter, Inc.).
  • the zeta potential of the particles can be adjusted using additives. For example, by bringing a monocarboxylic acid (for example, acetic acid) into contact with particles containing cerium oxide, particles having a positive zeta potential can be obtained. Further, particles having a negative zeta potential can be obtained by bringing ammonium dihydrogen phosphate, a material having a carboxyl group (eg, polyacrylic acid) or the like into contact with particles containing cerium oxide.
  • the slurry according to the present embodiment may contain particles other than the composite particles including the first particles and the second particles.
  • particles for example, the first particles not in contact with the second particles; the second particles not in contact with the first particles; silica, alumina, zirconia, yttria And the like (particles not containing the first particles and the second particles).
  • the liquid medium is not particularly limited, but water such as deionized water and ultrapure water is preferable.
  • the content of the liquid medium may be the remainder of the slurry excluding the content of other components, and is not particularly limited.
  • the slurry according to the present embodiment may further contain an optional additive for the purpose of adjusting polishing characteristics and the like.
  • the optional additive include a material having a carboxyl group (excluding a compound corresponding to a polyoxyalkylene compound or a water-soluble polymer), a polyoxyalkylene compound, a water-soluble polymer, an oxidizing agent (for example, hydrogen peroxide), and a dispersion.
  • Agents for example, phosphoric acid-based inorganic salts.
  • Each of the additives can be used alone or in combination of two or more.
  • An optional additive can enhance the dispersion stability of abrasive grains in a slurry, and has the effect of polishing an insulating material (eg, silicon oxide) at a higher speed.
  • an insulating material eg, silicon oxide
  • the ability to eliminate a step is improved and high flatness can be obtained. This is considered to be because the polishing rate of the convex portion is significantly improved as compared with the concave portion.
  • Examples of the material having a carboxyl group include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, butyric acid, and valeric acid; hydroxy acids such as lactic acid, malic acid, and citric acid; and dicarboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, fumaric acid, and maleic acid.
  • Monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid, butyric acid, and valeric acid
  • hydroxy acids such as lactic acid, malic acid, and citric acid
  • dicarboxylic acids such as malonic acid, succinic acid, fumaric acid, and maleic acid.
  • Polycarboxylic acids such as polyacrylic acid and polymaleic acid
  • amino acids such as arginine, histidine and lysine.
  • Polyoxyalkylene compounds include polyalkylene glycols, polyoxyalkylene derivatives and the like.
  • polyalkylene glycol examples include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutylene glycol and the like.
  • polyalkylene glycol at least one selected from the group consisting of polyethylene glycol and polypropylene glycol is preferable, and polyethylene glycol is more preferable.
  • the polyoxyalkylene derivative is, for example, a compound obtained by introducing a functional group or a substituent into polyalkylene glycol, or a compound obtained by adding a polyalkylene oxide to an organic compound.
  • the functional group or the substituent include an alkyl ether group, an alkyl phenyl ether group, a phenyl ether group, a styrenated phenyl ether group, a glyceryl ether group, an alkylamine group, a fatty acid ester group, and a glycol ester group.
  • polyoxyalkylene derivative examples include polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene bisphenol ether (for example, BA glycol series manufactured by Nippon Emulsifier Co., Ltd.), and polyoxyethylene styrenated phenyl ether (for example, Emulgen manufactured by Kao Corporation) Series), polyoxyethylene alkylphenyl ether (eg, Neugen EA series manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd.), polyoxyalkylene polyglyceryl ether (eg, SC-E series and SC-P series manufactured by Sakamoto Yakuhin Kogyo Co., Ltd.) Polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester (for example, Daiichi Kogyo Seiyaku Co., Ltd., Sorgen TW series), polyoxyethylene fatty acid ester (for example, Kao Corporation, Emanon series), Lioxyethylene alkylamine (for example, Amiradin D, manufactured by Daiichi Kogyo Seiyaku
  • the water-soluble polymer is used for the dispersion stability of the abrasive grains, the flatness, the in-plane uniformity, the polishing selectivity of silicon oxide to silicon nitride (polishing rate of silicon oxide / polishing rate of silicon nitride), This has the effect of adjusting polishing characteristics such as polishing selectivity (polishing rate of silicon oxide / polishing rate of polysilicon).
  • the “water-soluble polymer” is defined as a polymer that is soluble in 0.1 g or more with respect to 100 g of water. The polymer corresponding to the polyoxyalkylene compound is not included in the “water-soluble polymer”.
  • water-soluble polymer there is no particular limitation on the water-soluble polymer, and acrylic polymers such as polyacrylamide and polydimethylacrylamide; polysaccharides such as carboxymethyl cellulose, agar, curdlan, dextrin, cyclodextrin, and pullulan; polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and polysaccharide Vinyl-based polymers such as acrolein; glycerin-based polymers such as polyglycerin and polyglycerin derivatives; and polyethylene glycol.
  • acrylic polymers such as polyacrylamide and polydimethylacrylamide
  • polysaccharides such as carboxymethyl cellulose, agar, curdlan, dextrin, cyclodextrin, and pullulan
  • polyvinyl alcohol, polyvinylpyrrolidone, and polysaccharide Vinyl-based polymers such as acrolein
  • glycerin-based polymers such as polyglycerin and polyg
  • the lower limit of the content of the water-soluble polymer is set at 0 based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of obtaining the effect of adding the water-soluble polymer while suppressing sedimentation of the abrasive grains.
  • 0.001% by mass or more is preferable, 0.01% by mass or more is more preferable, 0.1% by mass or more is further preferable, 0.3% by mass or more is particularly preferable, and 0.5% by mass or more is very preferable.
  • the upper limit of the content of the water-soluble polymer is preferably 10% by mass or less, and more preferably 8% by mass, based on the total mass of the slurry, from the viewpoint of obtaining the effect of adding the water-soluble polymer while suppressing sedimentation of the abrasive grains.
  • the content is more preferably 6% by mass or less, further preferably 5% by mass or less, particularly preferably 3% by mass or less, and very preferably 1% by mass or less.
  • the polishing rate of the insulating material can be further improved.
  • the reasons why the polishing rate of the insulating material is improved as described above include, for example, the following reasons. However, the reason is not limited to the following.
  • the composite particles are easily removed selectively, and contain free particles (hereinafter, referred to as “free particles”; for example, second particles that are not in contact with the first particles) as a solid content. If it is possible to obtain a liquid phase and the absorbance is greater than 0, the abrasive contains free particles in addition to the composite particles in the slurry. Since the free particles have a smaller particle size than the composite particles, the diffusion speed in the slurry is high, and the free particles are preferentially adsorbed on the surface of the insulating material to cover the surface.
  • the composite particles can act not only directly on the insulating material but also indirectly on the free material adsorbed on the insulating material (eg, adsorbed on the insulating material). Mechanical action can be transferred to the insulating material via the free particles.) Thereby, the polishing rate of the insulating material is improved.
  • the slurry according to the present embodiment is centrifuged at a centrifugal acceleration of 5.8 ⁇ 10 4 G for 5 minutes to obtain light having a wavelength of 380 nm in a liquid phase.
  • the absorbance is preferably in the following range. From the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material, the absorbance is more preferably 0.001 or more, still more preferably 0.002 or more, particularly preferably 0.003 or more, particularly preferably 0.005 or more.
  • 01 or more is very preferable, 0.03 or more is still more preferable, 0.05 or more is still more preferable, 0.08 or more is particularly preferable, 0.09 or more is very preferable, 0.1 or more is very preferable, and 0 or more is preferable. .15 or more is more preferable.
  • the absorbance is preferably 0.5 or less, more preferably 0.4 or less, still more preferably 0.3 or less, particularly preferably 0.25 or less, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. The following are highly preferred.
  • the absorbance is more preferably more than 0 and 0.5 or less.
  • the absorbance can be adjusted by adjusting the content of free particles in the abrasive grains. For example, increasing the surface area of the first particles with which the second particles come into contact, adjusting the dispersion state to be insufficient when the first particles are brought into contact with the second particles (reducing the dispersion time)
  • the absorbance can be reduced by reducing the number of revolutions in stirring the liquid containing the first particles and the second particles, weakening the electrostatic repulsion generated between the particles, and the like.
  • the slurry having a wavelength of 500 nm in a liquid phase obtained when the slurry according to the present embodiment (for example, a slurry having an abrasive content of 0.1% by mass) is centrifuged at a centrifugal acceleration of 5.8 ⁇ 10 4 G for 5 minutes.
  • the light transmittance to light is preferably 50% / cm or more, more preferably 60% / cm or more, further preferably 70% / cm or more, and further preferably 80% / cm or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material. Is particularly preferable, 90% / cm or more is very preferable, and 92% / cm or more is very preferable.
  • the upper limit of the light transmittance is 100% / cm.
  • the lower limit of the pH of the slurry according to this embodiment is preferably 2.0 or more, more preferably 2.5 or more, still more preferably 2.8 or more, from the viewpoint of further improving the polishing rate of the insulating material.
  • the above is particularly preferable, 3.2 or more is extremely preferable, 3.5 or more is very preferable, 4.0 or more is more preferable, 4.2 or more is further preferable, and 4.3 or more is particularly preferable.
  • the upper limit of the pH is preferably 7.0 or less, more preferably 6.5 or less, still more preferably 6.0 or less, particularly preferably 5.0 or less, from the viewpoint of further improving the storage stability of the slurry.
  • the pH is more preferably from 2.0 to 7.0.
  • the pH of the slurry is defined as the pH at a liquid temperature of 25 ° C.
  • the pH of the slurry can be adjusted by an acid component such as an inorganic acid and an organic acid; and an alkaline component such as ammonia, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), imidazole and alkanolamine.
  • a buffer may be added to stabilize the pH.
  • a buffer may be added as a buffer (a solution containing a buffer). Examples of such a buffer include an acetate buffer, a phthalate buffer and the like.
  • the pH of the slurry according to the present embodiment can be measured with a pH meter (for example, model number PHL-40 manufactured by Toa DKK Ltd.). Specifically, for example, after two-point calibration of a pH meter using a phthalate pH buffer (pH: 4.01) and a neutral phosphate pH buffer (pH: 6.86) as a standard buffer, The electrode of the pH meter is put in the slurry, and the value is measured after 2 minutes or more have passed and stabilized. The temperature of both the standard buffer and the slurry is 25 ° C.
  • the constituent components of the polishing liquid may be stored as a one-part polishing liquid, and a slurry (a first liquid) containing abrasive grains and a liquid medium, and an additive And an additive liquid (second liquid) containing a liquid medium, and the constituent components of the polishing liquid are separated into a slurry and an additive liquid so that the polishing liquid becomes the polishing liquid. It may be stored as a polishing liquid set.
  • the additive liquid may contain, for example, an oxidizing agent.
  • the constituents of the polishing liquid may be stored as a polishing liquid set divided into three or more liquids.
  • the slurry and the additive liquid are mixed immediately before or during polishing to prepare a polishing liquid.
  • the one-component polishing liquid may be stored as a polishing liquid storage liquid in which the content of the liquid medium is reduced, and may be used after being diluted with the liquid medium during polishing.
  • the plural-liquid type polishing liquid set may be stored as a storage liquid for slurry and a storage liquid for additive liquid in which the content of the liquid medium is reduced, and may be used after being diluted with the liquid medium during polishing.
  • the polishing method according to the present embodiment (such as a method for polishing a substrate) includes a polishing step of polishing a surface to be polished (such as a surface to be polished of a substrate) using the slurry.
  • the slurry in the polishing step may be a polishing liquid obtained by mixing the slurry in the polishing liquid set and the additive liquid.
  • the slurry is supplied between the material to be polished and the polishing pad while the material to be polished of the substrate having the material to be polished is pressed against a polishing pad (polishing cloth) of a polishing platen.
  • the substrate and the polishing platen are relatively moved to polish the surface to be polished of the material to be polished.
  • at least a part of the material to be polished is removed by polishing.
  • the substrate to be polished includes a substrate to be polished and the like.
  • the substrate to be polished include a substrate in which a material to be polished is formed on a substrate (for example, a semiconductor substrate on which an STI pattern, a gate pattern, a wiring pattern, and the like are formed) for manufacturing a semiconductor element.
  • the material to be polished include an insulating material such as silicon oxide.
  • the material to be polished may be a single material or a plurality of materials. When a plurality of materials are exposed on the surface to be polished, they can be regarded as the materials to be polished.
  • the material to be polished may be a film (a film to be polished) or an insulating film such as a silicon oxide film.
  • a material to be polished (for example, an insulating material such as silicon oxide) formed on such a substrate is polished with the slurry, and an excess portion is removed, so that unevenness on the surface of the material to be polished is eliminated.
  • a smooth surface can be obtained over the entire surface of the polishing material.
  • a general polishing apparatus having a holder capable of holding a substrate having a surface to be polished and a polishing platen to which a polishing pad can be attached can be used as the polishing apparatus.
  • Each of the holder and the polishing table is provided with a motor or the like whose rotation speed can be changed.
  • a polishing apparatus for example, a polishing apparatus: F-REX300 manufactured by Ebara Corporation or a polishing apparatus: MIRRA manufactured by APPLIED @ MATERIALS can be used.
  • polishing pad a general nonwoven fabric, foam, non-foam, or the like can be used.
  • material of the polishing pad include polyurethane, acrylic resin, polyester, acrylic-ester copolymer, polytetrafluoroethylene, polypropylene, polyethylene, poly4-methylpentene, cellulose, cellulose ester, polyamide (eg, nylon (trade name)) And aramid), polyimide, polyimide amide, polysiloxane copolymer, oxirane compound, phenol resin, polystyrene, polycarbonate, epoxy resin and the like.
  • the material of the polishing pad is preferably at least one selected from the group consisting of foamed polyurethane and non-foamed polyurethane, particularly from the viewpoint of further improving the polishing rate and flatness.
  • the polishing pad is preferably provided with a groove processing for accumulating slurry.
  • the slurry and the polishing method according to the present embodiment are preferably used for polishing a surface to be polished including silicon oxide.
  • the slurry and polishing method according to the present embodiment can be suitably used for forming STI and high-speed polishing of an interlayer insulating material.
  • the lower limit of the polishing rate of the insulating material is preferably 360 nm / min or more, more preferably 400 nm / min or more, further preferably 450 nm / min or more, and particularly preferably 500 nm / min or more.
  • This embodiment can also be used for polishing a premetal insulating material.
  • the premetal insulating material include silicon oxide, phosphorus-silicate glass, boron-phosphorus-silicate glass, silicon oxyfluoride, and amorphous carbon fluoride.
  • This embodiment can be applied to materials other than insulating materials such as silicon oxide.
  • materials include high dielectric constant materials such as Hf-based, Ti-based, and Ta-based oxides; semiconductor materials such as silicon, amorphous silicon, SiC, SiGe, Ge, GaN, GaP, GaAs, and organic semiconductors; and GeSbTe. Phase change materials; inorganic conductive materials such as ITO; and polymer resin materials such as polyimide, polybenzoxazole, acrylic, epoxy, and phenol.
  • the present embodiment is applicable not only to a film-shaped polishing target but also to various substrates made of glass, silicon, SiC, SiGe, Ge, GaN, GaP, GaAs, sapphire, plastic, or the like.
  • This embodiment is applicable not only to the manufacture of semiconductor elements, but also to image display devices such as TFTs and organic ELs; optical components such as photomasks, lenses, prisms, optical fibers, and single-crystal scintillators; A light-emitting element such as a solid-state laser or a blue laser LED; and a light-emitting element such as a magnetic disk or a magnetic head.
  • image display devices such as TFTs and organic ELs
  • optical components such as photomasks, lenses, prisms, optical fibers, and single-crystal scintillators
  • a light-emitting element such as a solid-state laser or a blue laser LED
  • a light-emitting element such as a magnetic disk or a magnetic head.
  • a method for producing abrasive grains including a step of bringing first particles containing a cerium oxide into contact with second particles containing a cerium compound.
  • a slurry manufacturing method including a step of obtaining abrasive grains by the abrasive grain manufacturing method.
  • cerium oxide particles Particles containing cerium oxide (first particles; hereinafter, referred to as “cerium oxide particles”) mixed with ammonium dihydrogen phosphate (molecular weight: 97.99) manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • a cerium oxide slurry (pH: 7) containing 5.0% by mass (solid content) of cerium oxide particles was prepared.
  • the amount of ammonium dihydrogen phosphate was adjusted to 1% by mass based on the total amount of cerium oxide particles.
  • cerium oxide slurry An appropriate amount of cerium oxide slurry was charged into Beckman Coulter Co., Ltd. trade name: DelsaNano @ C, and the measurement was performed twice at 25 ° C. The average value of the indicated zeta potential was obtained as the zeta potential.
  • the zeta potential of the cerium oxide particles in the cerium oxide slurry was -55 mV.
  • the obtained precipitate (precipitate containing cerium hydroxide) was centrifuged (4000 min -1 , 5 minutes), and then the liquid phase was removed by decantation to perform solid-liquid separation. After mixing 10 g of the particles obtained by the solid-liquid separation and 990 g of water, the particles are dispersed in water using an ultrasonic cleaner, and the particles containing cerium hydroxide (second particles; hereinafter, referred to as “second particles”). A cerium hydroxide slurry containing “cerium hydroxide particles” (particle content: 1.0% by mass) was prepared.
  • the average particle size (average secondary particle size) of the cerium hydroxide particles in the cerium hydroxide slurry was measured using a trade name: N5 manufactured by Beckman Coulter KK and found to be 10 nm.
  • the measuring method is as follows. First, about 1 mL of a measurement sample (cerium hydroxide slurry; aqueous dispersion) containing 1.0% by mass of cerium hydroxide particles was placed in a 1 cm square cell, and then the cell was placed in N5.
  • the refractive index of the measurement sample information of N5 software was set to 1.333, the viscosity was set to 0.887 mPa ⁇ s, the measurement was performed at 25 ° C., and the value indicated as Unimodal Size Mean was read.
  • the cerium hydroxide particles at least partially contained particles having nitrate ions bonded to the cerium element. Further, since the particles having hydroxide ions bonded to the cerium element are contained in at least a part of the cerium hydroxide particles, it was confirmed that the cerium hydroxide particles contained cerium hydroxide. From these results, it was confirmed that the cerium hydroxide contained hydroxide ions bonded to the cerium element.
  • Example 1 While stirring at a rotation speed of 300 rpm using a two-blade stirring blade, 30 g of the cerium hydroxide slurry and 1930 g of ion-exchanged water were mixed to obtain a mixed solution. Subsequently, 40 g of the cerium oxide slurry was mixed with the mixture while stirring the mixture, and the mixture was irradiated with ultrasonic waves using an ultrasonic cleaning machine (device name: US-105) manufactured by SND Corporation. While stirring.
  • an ultrasonic cleaning machine device name: US-105
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.015% by mass, pH: 3.9, average particle size of abrasive grains: 155 nm).
  • Example 2 35 g of the cerium hydroxide slurry and 1925 g of ion-exchanged water were mixed while stirring at a rotation speed of 300 rpm using two stirring blades to obtain a mixed solution. Subsequently, 40 g of the cerium oxide slurry was mixed with the mixture while stirring the mixture, and the mixture was irradiated with ultrasonic waves using an ultrasonic cleaning machine (device name: US-105) manufactured by SND Corporation. While stirring.
  • an ultrasonic cleaning machine device name: US-105
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.0175% by mass, pH: 4.0, average particle size of abrasive grains: 155 nm) was prepared.
  • Example 3 While stirring at a rotation speed of 300 rpm using two stirring blades, 40 g of the cerium hydroxide slurry and 1920 g of ion-exchanged water were mixed to obtain a mixed solution. Subsequently, 40 g of the cerium oxide slurry was mixed with the mixture while stirring the mixture, and the mixture was irradiated with ultrasonic waves using an ultrasonic cleaning machine (device name: US-105) manufactured by SND Corporation. While stirring.
  • an ultrasonic cleaning machine device name: US-105
  • Example 4 50 g of the cerium hydroxide slurry and 1910 g of ion-exchanged water were mixed while stirring at a rotation speed of 300 rpm using two stirring blades to obtain a mixed solution. Subsequently, 40 g of the cerium oxide slurry was mixed with the mixture while stirring the mixture, and the mixture was irradiated with ultrasonic waves using an ultrasonic cleaning machine (device name: US-105) manufactured by SND Corporation. While stirring.
  • an ultrasonic cleaning machine device name: US-105
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.025% by mass, pH: 4.3, average particle size of abrasive grains: 155 nm).
  • Example 5 The cerium hydroxide slurry (70 g) and ion-exchanged water (1890 g) were mixed while stirring at a rotation speed of 300 rpm using a two-blade stirring blade to obtain a mixed solution. Subsequently, 40 g of the cerium oxide slurry was mixed with the mixture while stirring the mixture, and the mixture was irradiated with ultrasonic waves using an ultrasonic cleaning machine (device name: US-105) manufactured by SND Corporation. While stirring.
  • an ultrasonic cleaning machine device name: US-105
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.035% by mass, pH: 4.5, average particle size of abrasive grains: 155 nm) was prepared.
  • Example 6 20 g of the cerium hydroxide slurry, 60 g of ion-exchanged water, and 20 g of the cerium oxide slurry were sequentially added to a cylindrical container containing 1 mm-diameter zirconia beads to obtain a mixed solution. Subsequently, the mixture was placed on a mix rotor (device name: MR-5) manufactured by AS ONE Corporation and stirred at 100 rpm. After that, 900 g of ion-exchanged water was added, followed by stirring.
  • MR-5 mix rotor manufactured by AS ONE Corporation
  • Example 7 25 g of the cerium hydroxide slurry, 55 g of ion-exchanged water, and 20 g of the cerium oxide slurry were sequentially added to a cylindrical container containing zirconia beads having a diameter of 1 mm to obtain a mixed solution. Subsequently, the mixture was placed on a mix rotor (device name: MR-5) manufactured by AS ONE Corporation and stirred at 100 rpm. After that, 900 g of ion-exchanged water was added, followed by stirring.
  • MR-5 mix rotor manufactured by AS ONE Corporation
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.025% by mass, pH: 4.3, average particle size of abrasive grains: 155 nm).
  • Example 8 30 g of the cerium hydroxide slurry, 50 g of ion-exchanged water, and 20 g of the cerium oxide slurry were sequentially added to a cylindrical container containing zirconia beads having a diameter of 1 mm to obtain a mixed solution. Subsequently, the mixture was placed on a mix rotor (device name: MR-5) manufactured by AS ONE Corporation and stirred at 100 rpm. After that, 900 g of ion-exchanged water was added, followed by stirring.
  • MR-5 mix rotor manufactured by AS ONE Corporation
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.035% by mass, pH: 4.4, average particle size of abrasive grains: 155 nm).
  • a test slurry containing a composite particle containing cerium oxide particles and cerium hydroxide particles in contact with the cerium oxide particles (cerium oxide particle content: 0.1% by mass, cerium oxide particles (Content of hydroxide particles: 0.01% by mass, pH: 4.1, average particle size of abrasive grains: 220 nm) was prepared.
  • the average particle size of the above-mentioned abrasive grains was obtained by putting an appropriate amount of each test slurry into Microtrac MT3300EXII (trade name, manufactured by Microtrac Bell Co., Ltd.). The indicated average particle size value was obtained as the average particle size of the abrasive grains (average secondary particle size).
  • a test liquid was prepared by adjusting the content (total amount of particles) of the abrasive grains in the test slurry to 0.1% by mass (diluted with ion-exchanged water). 7.5 g of the test solution is put in a centrifuge (trade name: Optima MAX-TL) manufactured by Beckman Coulter, Inc., and treated for 5 minutes at a centrifugal acceleration of 5.8 ⁇ 10 4 G (58148G) and a set temperature of 25 ° C. To obtain a supernatant.
  • a test liquid was prepared by adjusting the content (total amount of particles) of the abrasive grains in the test slurry to 0.1% by mass (diluted with ion-exchanged water). After a precipitate was obtained by subjecting each test solution to centrifugation under the following conditions, the precipitate was vacuum-dried under the following conditions to collect a solid phase for measuring the BET specific surface area.
  • Apparatus Centrifuge manufactured by Hitachi Koki Co., Ltd. (trade name: himac CR7) Separation conditions: centrifugal acceleration 1.1 ⁇ 10 4 G for 60 minutes
  • Equipment Vacuum dryer manufactured by Yamato Scientific Co., Ltd. (Product name: Standard type ADP200) Drying conditions: 24 hours at room temperature
  • the BET specific surface area of the solid phase was measured under the following conditions using a specific surface area / pore diameter analyzer (trade name: QUADRASORB Evo) manufactured by Quantachrome. The average of the two measurements was obtained as the BET specific surface area of the solid phase. Table 1 shows the measurement results.
  • Pretreatment vacuum degassing (100 ° C, 2 hours)
  • Measurement method Constant volume method
  • Adsorption gas Nitrogen gas Measurement temperature: 77.35K (-195.8 ° C)
  • Measurement cell size 1.5cm 3
  • Analysis item Specific surface area by BET multipoint method Number of measurements: Measured twice with different samples
  • ⁇ CMP evaluation> The content of abrasive grains (total amount of particles) in the test slurry was adjusted to 0.1% by mass (diluted with ion-exchanged water) to obtain a CMP polishing liquid.
  • the substrate to be polished was polished under the following polishing conditions using the CMP polishing liquid.
  • the values of the pH and the average particle size of the abrasive grains in the CMP polishing liquid were equivalent to the values of the test slurry described above.
  • Polishing device MIRRA (manufactured by APPLIED MATERIALS) Flow rate of CMP polishing liquid: 200 mL / min Substrate to be Polished: As a blanket wafer on which no pattern was formed, a substrate to be polished having a silicon oxide film (TEOS film) with a thickness of 2 ⁇ m formed by a plasma CVD method on a silicon substrate was used.
  • TEOS film silicon oxide film

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Disintegrating Or Milling (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

砥粒と、液状媒体と、を含有するスラリであって、前記砥粒が、第１の粒子と、当該第１の粒子に接触した第２の粒子と、を含み、前記第２の粒子の粒径が第１の粒子の粒径よりも小さく、前記第１の粒子がセリウム酸化物を含有し、前記第２の粒子がセリウム化合物を含有し、前記砥粒の含有量が０．１質量％である場合において遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分間前記スラリを遠心分離したときに得られる固相のＢＥＴ比表面積が４０ｍ２／ｇ以上である、スラリ。

Description

スラリ及び研磨方法
　本発明は、スラリ及び研磨方法に関する。
　近年の半導体素子の製造工程では、高密度化及び微細化のための加工技術の重要性がますます高まっている。加工技術の一つであるＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング：化学機械研磨）技術は、半導体素子の製造工程において、シャロートレンチ分離（シャロー・トレンチ・アイソレーション。以下「ＳＴＩ」という。）の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成等に必須の技術となっている。
　最も多用されている研磨液としては、例えば、砥粒として、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ（酸化珪素）粒子を含むシリカ系研磨液が挙げられる。シリカ系研磨液は、汎用性が高いことが特徴であり、砥粒含有量、ｐＨ、添加剤等を適切に選択することで、絶縁材料及び導電材料を問わず幅広い種類の材料を研磨できる。
　一方で、主に酸化珪素等の絶縁材料を対象とした研磨液として、セリウム化合物粒子を砥粒として含む研磨液の需要も拡大している。例えば、セリウム酸化物粒子を砥粒として含むセリウム酸化物系研磨液は、シリカ系研磨液よりも低い砥粒含有量でも高速に酸化珪素を研磨できる（例えば、下記特許文献１及び２参照）。
　近年、半導体素子の製造工程では、更なる配線の微細化を達成することが求められており、研磨時に発生する研磨傷が問題となっている。すなわち、従来のセリウム酸化物系研磨液を用いて研磨を行った際に微小な研磨傷が発生しても、この研磨傷の大きさが従来の配線幅より小さいものであれば問題にならなかったが、更なる配線の微細化を達成しようとする場合には、研磨傷が微小であっても問題となってしまう。
　この問題に対し、セリウム水酸化物の粒子を用いた研磨液が検討されている（例えば、下記特許文献３～５参照）。また、セリウム水酸化物の粒子の製造方法についても検討されている（例えば、下記特許文献６及び７参照）。
特開平１０－１０６９９４号公報 特開平０８－０２２９７０号公報 国際公開第２００２／０６７３０９号 国際公開第２０１２／０７０５４１号 国際公開第２０１２／０７０５４２号 特開２００６－２４９１２９号公報 国際公開第２０１２／０７０５４４号
　ところで、近年、デバイスのセル部を縦方向に積層させる３Ｄ－ＮＡＮＤデバイスが台頭してきている。本技術では、セル形成時の絶縁材料の段差が従来のプレーナ型と比べて数倍高くなっている。それに伴い、デバイス製造のスループットを維持するためには、前記のとおりの高い段差をＣＭＰ工程等において素早く解消する必要があり、絶縁材料の研磨速度を向上させる必要がある。
　本発明は、前記課題を解決しようとするものであり、絶縁材料の研磨速度を向上させることが可能なスラリ、及び、当該スラリを用いた研磨方法を提供することを目的とする。
　本発明の一側面に係るスラリは、砥粒と、液状媒体と、を含有するスラリであって、前記砥粒が、第１の粒子と、当該第１の粒子に接触した第２の粒子と、を含み、前記第２の粒子の粒径が第１の粒子の粒径よりも小さく、前記第１の粒子がセリウム酸化物を含有し、前記第２の粒子がセリウム化合物を含有し、前記砥粒の含有量が０．１質量％である場合において遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分間前記スラリを遠心分離したときに得られる固相のＢＥＴ比表面積が４０ｍ２／ｇ以上である。
　このようなスラリによれば、絶縁材料の研磨速度を向上させることが可能であり、絶縁材料を高い研磨速度で研磨できる。
　本発明の他の一側面に係る研磨方法は、前記スラリを用いて被研磨面を研磨する工程を備えている。このような研磨方法によれば、前記スラリを用いることにより、前記スラリと同様の前記効果を得ることができる。
　本発明によれば、絶縁材料（例えば酸化珪素）の研磨速度を向上させることが可能なスラリを提供することができる。本発明によれば、前記スラリを用いた研磨方法を提供することができる。
　本発明によれば、酸化珪素を含む被研磨面の研磨へのスラリの使用を提供することができる。本発明によれば、半導体素子の製造技術である基体表面の平坦化工程へのスラリの使用を提供することができる。本発明によれば、ＳＴＩ絶縁材料、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化工程へのスラリの使用を提供することができる。
　以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
＜定義＞
　本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値又は下限値は、他の段階の数値範囲の上限値又は下限値と任意に組み合わせることができる。本明細書に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。本明細書において、組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
　後述するように、本実施形態に係るスラリは砥粒（abrasive　grain）を含有する。砥粒は、「研磨粒子」（abrasive　particle）ともいわれるが、本明細書では「砥粒」という。砥粒は、一般的には固体粒子であって、研磨時に、砥粒が有する機械的作用（物理的作用）、及び、砥粒（主に砥粒の表面）の化学的作用によって、除去対象物が除去（remove）されると考えられるが、これに限定されない。本実施形態に係るスラリを用いた場合の研磨速度は、例えば、砥粒の含有量（粒子の合計量）をスラリの全質量を基準として０．１質量％に調整したときに得られる研磨速度に基づき比較することができる。
＜スラリ＞
　本実施形態に係るスラリは、必須成分として砥粒と液状媒体とを含有する。本実施形態に係るスラリは、例えば、研磨液（ＣＭＰ研磨液）として用いることができる。本明細書において、「研磨液」（polishing　liquid、abrasive）とは、研磨時に被研磨面に触れる組成物として定義される。「研磨液」という語句自体は、研磨液に含有される成分を何ら限定しない。
　砥粒は、第１の粒子と、当該第１の粒子に接触した第２の粒子と、を含む複合粒子を含有する。第２の粒子の粒径は、第１の粒子の粒径よりも小さい。第１の粒子はセリウム酸化物を含有し、第２の粒子はセリウム化合物を含有する。砥粒の含有量が０．１質量％である場合において、本実施形態に係るスラリを遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分間遠心分離したときに得られる固相のＢＥＴ比表面積は、４０ｍ２／ｇ以上である。
　本実施形態に係るスラリを用いることにより絶縁材料（例えば酸化珪素）の研磨速度を向上させることができる。このようなスラリによれば、砥粒の含有量が少ない場合であっても絶縁材料の高い研磨速度を得ることができる。このように絶縁材料の研磨速度が向上する理由としては、例えば、下記の理由が挙げられる。但し、理由は下記に限定されない。
　すなわち、絶縁材料の研磨は、研磨に寄与する砥粒の表面と、絶縁材料の表面との機械的作用及び化学的作用によって進行する。
　セリウム酸化物を含有すると共に、第２の粒子よりも大きい粒径を有する第１の粒子は、第２の粒子と比較して、絶縁材料に対する機械的作用（メカニカル性）が強い。一方、セリウム化合物を含有すると共に、第１の粒子よりも小さい粒径を有する第２の粒子は、第１の粒子と比較して、絶縁材料に対する機械的作用は小さいものの、粒子全体における比表面積（単位質量当たりの表面積）が大きいため、絶縁材料に対する化学的作用（ケミカル性）が強い。このように、機械的作用が強い第１の粒子と、化学的作用が強い第２の粒子と、を併用することにより研磨速度向上の相乗効果が得られやすい。
　さらに、本実施形態では、遠心分離により得られる固相のＢＥＴ比表面積が４０ｍ２／ｇ以上である。この場合、固相として回収される砥粒が高い比表面積を有するため、砥粒と絶縁材料との上述の相互作用が強いことから研磨速度が向上しやすい。
　以上により、本実施形態に係るスラリを用いることにより絶縁材料の研磨速度を向上させることができると推察される。
　前記固相のＢＥＴ比表面積としては、スラリを遠心分離して得られた固相の乾燥後のＢＥＴ比表面積を用いることができる。前記固相のＢＥＴ比表面積は、絶縁材料の研磨速度が向上しやすい観点から、４１ｍ２／ｇ以上が好ましい。前記固相のＢＥＴ比表面積は、絶縁材料の研磨速度が向上しやすい観点から、７０ｍ２／ｇ以下が好ましく、６０ｍ２／ｇ以下がより好ましく、５０ｍ２／ｇ以下が更に好ましく、４５ｍ２／ｇ以下が特に好ましく、４３ｍ２／ｇ以下が極めて好ましく、４２ｍ２／ｇ以下が非常に好ましい。前記観点から、前記固相のＢＥＴ比表面積は、４０～７０ｍ２／ｇであることがより好ましい。
　前記固相のＢＥＴ比表面積は、ガス吸着法を利用し、例えば、Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ社製の比表面積・細孔径分析装置（商品名：ＱＵＡＤＲＡＳＯＲＢ　ｅｖｏ）を用いて下記条件で測定することができる。前記固相のＢＥＴ比表面積としては、２回の測定の平均値を用いることができる。
　前処理：真空脱気（１００℃、２時間）
　測定方式：定容法
　吸着ガス：窒素ガス
　測定温度：７７．３５Ｋ（－１９５．８℃）
　測定セルサイズ：１．５ｃｍ３
　測定項目：Ｐ／Ｐ０の値を０～０．３の範囲で変化させて数点を測定
　解析項目：ＢＥＴ多点法による比表面積
　測定回数：試料を変えて２回測定
　ＢＥＴ比表面積を測定する固相は、例えば、下記条件の遠心分離及び真空乾燥によってスラリから回収することができる。
［遠心分離条件］
　装置：日立工機株式会社製の遠心分離機（商品名：ｈｉｍａｃ　ＣＲ７）
　分離条件：遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分
［真空乾燥条件］
　装置：ヤマト科学株式会社製の真空乾燥機（商品名：スタンダードタイプＡＤＰ２００）
　乾燥条件：室温（２５℃）で２４時間
（砥粒）
　本実施形態に係るスラリの砥粒は、上述のとおり、第１の粒子と、当該第１の粒子に接触した第２の粒子と、を含む複合粒子を含有する。第２の粒子の粒径は、第１の粒子の粒径よりも小さい。第１の粒子及び第２の粒子の粒径の大小関係は、複合粒子のＳＥＭ画像等から判別することができる。
　第１の粒子の粒径は、下記の範囲が好ましい。第１の粒子の粒径の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、１５ｎｍ以上が好ましく、２５ｎｍ以上がより好ましく、３５ｎｍ以上が更に好ましく、４０ｎｍ以上が特に好ましく、５０ｎｍ以上が極めて好ましく、８０ｎｍ以上が非常に好ましく、１００ｎｍ以上がより一層好ましい。第１の粒子の粒径の上限は、砥粒の分散性が向上する観点、及び、被研磨面に傷がつくことが抑制されやすい観点から、１０００ｎｍ以下が好ましく、８００ｎｍ以下がより好ましく、６００ｎｍ以下が更に好ましく、４００ｎｍ以下が特に好ましく、３００ｎｍ以下が極めて好ましく、２００ｎｍ以下が非常に好ましく、１５０ｎｍ以下がより一層好ましい。前記観点から、第１の粒子の粒径は、１５～１０００ｎｍであることがより好ましい。第１の粒子の平均粒径（平均二次粒径）が上述の範囲であってもよい。
　第２の粒子の粒径は、下記の範囲が好ましい。第２の粒子の粒径の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、１ｎｍ以上が好ましく、２ｎｍ以上がより好ましく、３ｎｍ以上が更に好ましい。第２の粒子の粒径の上限は、砥粒の分散性が向上する観点、及び、被研磨面に傷がつくことが抑制されやすい観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以下がより好ましく、２５ｎｍ以下が更に好ましく、２０ｎｍ以下が特に好ましく、１５ｎｍ以下が極めて好ましく、１０ｎｍ以下が非常に好ましい。前記観点から、第２の粒子の粒径は、１～５０ｎｍであることがより好ましい。第２の粒子の平均粒径（平均二次粒径）が上述の範囲であってもよい。
　スラリ中の砥粒（複合粒子を含む砥粒全体）の平均粒径（平均二次粒径）は、下記の範囲が好ましい。砥粒の平均粒径の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、１６ｎｍ以上が好ましく、２０ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上が更に好ましく、４０ｎｍ以上が特に好ましく、５０ｎｍ以上が極めて好ましく、１００ｎｍ以上が非常に好ましく、１２０ｎｍ以上がより一層好ましく、１４０ｎｍ以上が更に好ましい。砥粒の平均粒径の上限は、砥粒の分散性が向上する観点、及び、被研磨面に傷がつくことが抑制されやすい観点から、１０５０ｎｍ以下が好ましく、１０００ｎｍ以下がより好ましく、８００ｎｍ以下が更に好ましく、６００ｎｍ以下が特に好ましく、５００ｎｍ以下が極めて好ましく、４００ｎｍ以下が非常に好ましく、３００ｎｍ以下がより一層好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましく、１６０ｎｍ以下が特に好ましく、１５５ｎｍ以下が極めて好ましい。前記観点から、砥粒の平均粒径は、１６～１０５０ｎｍであることがより好ましい。
　平均粒径は、例えば、光回折散乱式粒度分布計（例えば、ベックマン・コールター株式会社製、商品名：Ｎ５、又は、マイクロトラック・ベル株式会社製、商品名：マイクロトラックＭＴ３３００ＥＸＩＩ）を用いて測定することができる。
　第１の粒子はセリウム酸化物（例えばセリア）を含有し、第２の粒子はセリウム化合物を含有する。第２の粒子のセリウム化合物としては、セリウム水酸化物、セリウム酸化物等が挙げられる。第２の粒子のセリウム化合物としては、セリウム酸化物とは異なる化合物を用いることができる。セリウム化合物は、セリウム水酸化物を含むことが好ましい。セリウム水酸化物を含む砥粒は、シリカ、セリウム酸化物等からなる粒子と比較して、水酸基の作用によって絶縁材料（例えば酸化珪素）との反応性（化学的作用）が高く、絶縁材料を更に高い研磨速度で研磨することができる。セリウム水酸化物は、例えば、４価セリウム（Ｃｅ４＋）と、少なくとも１つの水酸化物イオン（ＯＨ－）とを含む化合物である。セリウム水酸化物は、水酸化物イオン以外の陰イオン（例えば、硝酸イオンＮＯ３ －及び硫酸イオンＳＯ４ ２－）を含んでいてもよい。例えば、セリウム水酸化物は、４価セリウムに結合した陰イオン（例えば、硝酸イオンＮＯ３ －及び硫酸イオンＳＯ４ ２－）を含んでいてもよい。
　セリウム水酸化物は、セリウム塩とアルカリ源（塩基）とを反応させることにより作製できる。セリウム水酸化物は、セリウム塩とアルカリ液（例えばアルカリ水溶液）とを混合することにより作製されることが好ましい。これにより、粒径が極めて細かい粒子を得ることができ、優れた研磨傷の低減効果を得やすい。このような手法は、例えば、特許文献６及び７に開示されている。セリウム水酸化物は、セリウム塩溶液（例えばセリウム塩水溶液）とアルカリ液とを混合することにより得ることができる。セリウム塩としては、Ｃｅ（ＮＯ３）４、Ｃｅ（ＳＯ４）２、Ｃｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６、Ｃｅ（ＮＨ４）４（ＳＯ４）４等が挙げられる。
　セリウム水酸化物の製造条件等に応じて、４価セリウム（Ｃｅ４＋）、１～３個の水酸化物イオン（ＯＨ－）及び１～３個の陰イオン（Ｘｃ－）からなるＣｅ（ＯＨ）ａＸｂ（式中、ａ＋ｂ×ｃ＝４である）を含む粒子が生成すると考えられる（なお、このような粒子もセリウム水酸化物である）。Ｃｅ（ＯＨ）ａＸｂでは、電子吸引性の陰イオン（Ｘｃ－）が作用して水酸化物イオンの反応性が向上しており、Ｃｅ（ＯＨ）ａＸｂの存在量が増加するに伴い研磨速度が向上すると考えられる。陰イオン（Ｘｃ－）としては、例えば、ＮＯ３ －及びＳＯ４ ２－が挙げられる。セリウム水酸化物を含む粒子は、Ｃｅ（ＯＨ）ａＸｂだけでなく、Ｃｅ（ＯＨ）４、ＣｅＯ２等も含み得ると考えられる。
　セリウム水酸化物を含む粒子がＣｅ（ＯＨ）ａＸｂを含むことは、粒子を純水でよく洗浄した後に、ＦＴ－ＩＲ　ＡＴＲ法（Ｆｏｕｒｉｅｒ　ｔｒａｎｓｆｏｒｍ　Ｉｎｆｒａ　Ｒｅｄ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ　Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ　Ｔｏｔａｌ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ法、フーリエ変換赤外分光光度計全反射測定法）で、陰イオン（Ｘｃ－）に該当するピークを検出する方法により確認できる。ＸＰＳ法（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ、Ｘ線光電子分光法）により、陰イオン（Ｘｃ－）の存在を確認することもできる。
　第１の粒子及び第２の粒子を含む複合粒子は、ホモジナイザー、ナノマイザー、ボールミル、ビーズミル、超音波処理機等を用いて第１の粒子と第２の粒子とを接触させること、互いに相反する電荷を有する第１の粒子と第２の粒子とを接触させること、粒子の含有量が少ない状態で第１の粒子と第２の粒子とを接触させることなどにより得ることができる。
　第１の粒子におけるセリウム酸化物の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第１の粒子の全体（スラリに含まれる第１の粒子の全体。以下同様）を基準として、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましい。第１の粒子は、実質的にセリウム酸化物からなる態様（実質的に第１の粒子の１００質量％がセリウム酸化物である態様）であってもよい。
　第２の粒子におけるセリウム化合物の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第２の粒子の全体（スラリに含まれる第２の粒子の全体。以下同様）を基準として、５０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましい。第２の粒子は、実質的にセリウム化合物からなる態様（実質的に第２の粒子の１００質量％がセリウム化合物である態様）であってもよい。
　スラリに特定の波長の光を透過させた際に分光光度計によって得られる下記式の吸光度の値により第２の粒子の含有量を推定することができる。すなわち、粒子が特定の波長の光を吸収する場合、当該粒子を含む領域の光透過率が減少する。光透過率は、粒子による吸収だけでなく、散乱によっても減少するが、第２の粒子では、散乱の影響が小さい。そのため、本実施形態では、下記式によって算出される吸光度の値により第２の粒子の含有量を推定することができる。
　吸光度　＝－ＬＯＧ１０（光透過率［％］／１００）
　砥粒における第１の粒子の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体（スラリに含まれる砥粒全体。以下同様）を基準として、５０質量％以上が好ましく、５０質量％を超えることがより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、７０質量％以上が特に好ましく、７５質量％以上が極めて好ましく、８０質量％以上が非常に好ましい。砥粒における第１の粒子の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体を基準として、９５質量％以下が好ましく、９３質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましく、８８質量％以下が特に好ましく、８６質量％以下が極めて好ましく、８５質量％以下が非常に好ましく、８２質量％以下がより一層好ましい。前記観点から、砥粒における第１の粒子の含有量は、砥粒全体を基準として５０～９５質量％であることがより好ましい。
　砥粒における第２の粒子の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体（スラリに含まれる砥粒全体）を基準として、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましく、１２質量％以上が特に好ましく、１４質量％以上が極めて好ましく、１５質量％以上が非常に好ましく、１８質量％以上がより一層好ましい。砥粒における第２の粒子の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体を基準として、５０質量％以下が好ましく、５０質量％未満がより好ましく、４０質量％以下が更に好ましく、３０質量％以下が特に好ましく、２５質量％以下が極めて好ましく、２０質量％以下が非常に好ましい。前記観点から、砥粒における第２の粒子の含有量は、砥粒全体を基準として５～５０質量％であることがより好ましい。
　砥粒におけるセリウム酸化物の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体（スラリに含まれる砥粒全体）を基準として、５０質量％以上が好ましく、５０質量％を超えることがより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、７０質量％以上が特に好ましく、７５質量％以上が極めて好ましく、８０質量％以上が非常に好ましい。砥粒におけるセリウム酸化物の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体を基準として、９５質量％以下が好ましく、９３質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましく、８８質量％以下が特に好ましく、８６質量％以下が極めて好ましく、８５質量％以下が非常に好ましく、８２質量％以下がより一層好ましい。前記観点から、砥粒におけるセリウム酸化物の含有量は、砥粒全体を基準として５０～９５質量％であることがより好ましい。
　砥粒におけるセリウム水酸化物の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体（スラリに含まれる砥粒全体）を基準として、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましく、１２質量％以上が特に好ましく、１４質量％以上が極めて好ましく、１５質量％以上が非常に好ましく、１８質量％以上がより一層好ましい。砥粒におけるセリウム水酸化物の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、砥粒全体を基準として、５０質量％以下が好ましく、５０質量％未満がより好ましく、４０質量％以下が更に好ましく、３０質量％以下が特に好ましく、２５質量％以下が極めて好ましく、２０質量％以下が非常に好ましい。前記観点から、砥粒におけるセリウム水酸化物の含有量は、砥粒全体を基準として５～５０質量％であることがより好ましい。
　第１の粒子の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として、５０質量％以上が好ましく、５０質量％を超えることがより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、７０質量％以上が特に好ましく、７５質量％以上が極めて好ましく、８０質量％以上が非常に好ましい。第１の粒子の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として、９５質量％以下が好ましく、９３質量％以下がより好ましく、９０質量％以下が更に好ましく、８８質量％以下が特に好ましく、８６質量％以下が極めて好ましく、８５質量％以下が非常に好ましく、８２質量％以下がより一層好ましい。前記観点から、第１の粒子の含有量は、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として５０～９５質量％であることがより好ましい。
　第２の粒子の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましく、１２質量％以上が特に好ましく、１４質量％以上が極めて好ましく、１５質量％以上が非常に好ましく、１８質量％以上がより一層好ましい。第２の粒子の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として、５０質量％以下が好ましく、５０質量％未満がより好ましく、４０質量％以下が更に好ましく、３０質量％以下が特に好ましく、２５質量％以下が極めて好ましく、２０質量％以下が非常に好ましい。前記観点から、第２の粒子の含有量は、第１の粒子及び第２の粒子の合計量を基準として５～５０質量％であることがより好ましい。
　スラリにおける第１の粒子の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、スラリの全質量を基準として、０．００５質量％以上が好ましく、０．００８質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０５質量％以上が特に好ましく、０．０７質量％以上が極めて好ましく、０．０８質量％以上が非常に好ましい。スラリにおける第１の粒子の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点、及び、スラリの保存安定性を高くする観点から、スラリの全質量を基準として、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．３質量％以下が極めて好ましく、０．２質量％以下が非常に好ましく、０．１質量％以下がより一層好ましい。前記観点から、スラリにおける第１の粒子の含有量は、スラリの全質量を基準として０．００５～５質量％であることがより好ましい。
　スラリにおける第２の粒子の含有量の下限は、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が更に向上して絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、スラリの全質量を基準として、０．００５質量％以上が好ましく、０．００８質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０１２質量％以上が特に好ましく、０．０１５質量％以上が極めて好ましく、０．０１８質量％以上が非常に好ましく、０．０２質量％以上がより一層好ましい。スラリにおける第２の粒子の含有量の上限は、砥粒の凝集を避けることが容易になると共に、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が更に良好となり、砥粒の特性を有効に活用しやすい観点から、スラリの全質量を基準として、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．１質量％以下が極めて好ましく、０．０５質量％以下が非常に好ましく、０．０４質量％以下がより一層好ましく、０．０３５質量％以下が更に好ましく、０．０３質量％以下が更に好ましい。前記観点から、スラリにおける第２の粒子の含有量は、スラリの全質量を基準として０．００５～５質量％であることがより好ましい。
　スラリにおけるセリウム酸化物の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、スラリの全質量を基準として、０．００５質量％以上が好ましく、０．００８質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０５質量％以上が特に好ましく、０．０７質量％以上が極めて好ましく、０．０８質量％以上が非常に好ましい。スラリにおけるセリウム酸化物の含有量の上限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点、及び、スラリの保存安定性を高くする観点から、スラリの全質量を基準として、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．３質量％以下が極めて好ましく、０．２質量％以下が非常に好ましく、０．１質量％以下がより一層好ましい。前記観点から、スラリにおけるセリウム酸化物の含有量は、スラリの全質量を基準として０．００５～５質量％であることがより好ましい。
　スラリにおけるセリウム水酸化物の含有量の下限は、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が更に向上して絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、スラリの全質量を基準として、０．００５質量％以上が好ましく、０．００８質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上が更に好ましく、０．０１２質量％以上が特に好ましく、０．０１５質量％以上が極めて好ましく、０．０１８質量％以上が非常に好ましく、０．０２質量％以上がより一層好ましい。スラリにおけるセリウム水酸化物の含有量の上限は、砥粒の凝集を避けることが容易になると共に、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が更に良好となり、砥粒の特性を有効に活用しやすい観点から、スラリの全質量を基準として、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．１質量％以下が極めて好ましく、０．０５質量％以下が非常に好ましく、０．０４質量％以下がより一層好ましく、０．０３５質量％以下が更に好ましく、０．０３質量％以下が更に好ましい。前記観点から、スラリにおけるセリウム水酸化物の含有量は、スラリの全質量を基準として、０．００５～５質量％であることがより好ましい。
　スラリにおける砥粒の含有量の下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、スラリの全質量を基準として、０．０１質量％以上が好ましく、０．０５質量％以上がより好ましく、０．０８質量％以上が更に好ましく、０．１質量％以上が特に好ましい。スラリにおける砥粒の含有量の上限は、スラリの保存安定性を高くする観点から、スラリの全質量を基準として、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましく、０．５質量％以下が特に好ましく、０．１質量％以下が極めて好ましく、０．２質量％以下が非常に好ましく、０．１５質量％以下がより一層好ましく、０．１３５質量％以下が更に好ましく、０．１３質量％以下が特に好ましく、０．１２質量％以下が極めて好ましい。前記観点から、スラリにおける砥粒の含有量は、スラリの全質量を基準として０．０１～１０質量％であることがより好ましい。
　第１の粒子は、負のゼータ電位を有することができる。第２の粒子は、正のゼータ電位を有することができる。ゼータ電位とは、粒子の表面電位を表す。ゼータ電位は、例えば、動的光散乱式ゼータ電位測定装置（例えば、ベックマン・コールター株式会社製、商品名：ＤｅｌｓａＮａｎｏ　Ｃ）を用いて測定することができる。粒子のゼータ電位は、添加剤を用いて調整できる。例えば、セリウム酸化物を含有する粒子にモノカルボン酸（例えば酢酸）を接触させることにより、正のゼータ電位を有する粒子を得ることができる。また、セリウム酸化物を含有する粒子に、リン酸二水素アンモニウム、カルボキシル基を有する材料（例えばポリアクリル酸）等を接触させることにより、負のゼータ電位を有する粒子を得ることができる。
　本実施形態に係るスラリは、前記第１の粒子及び前記第２の粒子を含む複合粒子以外の他の粒子を含有していてもよい。このような他の粒子としては、例えば、前記第２の粒子に接触していない前記第１の粒子；前記第１の粒子に接触していない前記第２の粒子；シリカ、アルミナ、ジルコニア、イットリア等からなる第３の粒子（第１の粒子及び第２の粒子を含まない粒子）が挙げられる。
（液状媒体）
　液状媒体としては、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等の水が好ましい。液状媒体の含有量は、他の構成成分の含有量を除いたスラリの残部でよく、特に限定されない。
（任意成分）
　本実施形態に係るスラリは、研磨特性を調整する等の目的で、任意の添加剤を更に含有していてもよい。任意の添加剤としては、カルボキシル基を有する材料（ポリオキシアルキレン化合物又は水溶性高分子に該当する化合物を除く）、ポリオキシアルキレン化合物、水溶性高分子、酸化剤（例えば過酸化水素）、分散剤（例えばリン酸系無機塩）等が挙げられる。添加剤のそれぞれは、一種を単独で又は二種以上を組み合わせて使用することができる。
　任意の添加剤（水溶性高分子等）は、スラリにおける砥粒の分散安定性を高めることができ、絶縁材料（例えば酸化珪素）を更に高速に研磨できる効果がある。また、絶縁材料（例えば酸化珪素）を高速に研磨できることにより、段差解消性が向上し、高い平坦性を得ることもできる。これは、凸部の研磨速度が凹部と比較して大幅に向上するためであると考える。
　カルボキシル基を有する材料としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸等のモノカルボン酸；乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシ酸；マロン酸、コハク酸、フマル酸、マレイン酸等のジカルボン酸；ポリアクリル酸、ポリマレイン酸等のポリカルボン酸；アルギニン、ヒスチジン、リシン等のアミノ酸などが挙げられる。
　ポリオキシアルキレン化合物としては、ポリアルキレングリコール、ポリオキシアルキレン誘導体等が挙げられる。
　ポリアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコール等が挙げられる。ポリアルキレングリコールとしては、ポリエチレングリコール及びポリプロピレングリコールからなる群より選択される少なくとも一種が好ましく、ポリエチレングリコールがより好ましい。
　ポリオキシアルキレン誘導体は、例えば、ポリアルキレングリコールに官能基若しくは置換基を導入した化合物、又は、有機化合物にポリアルキレンオキシドを付加した化合物である。前記官能基又は置換基としては、例えば、アルキルエーテル基、アルキルフェニルエーテル基、フェニルエーテル基、スチレン化フェニルエーテル基、グリセリルエーテル基、アルキルアミン基、脂肪酸エステル基、及び、グリコールエステル基が挙げられる。ポリオキシアルキレン誘導体としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンビスフェノールエーテル（例えば、日本乳化剤株式会社製、ＢＡグリコールシリーズ）、ポリオキシエチレンスチレン化フェニルエーテル（例えば、花王株式会社製、エマルゲンシリーズ）、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル（例えば、第一工業製薬株式会社製、ノイゲンＥＡシリーズ）、ポリオキシアルキレンポリグリセリルエーテル（例えば、阪本薬品工業株式会社製、ＳＣ－Ｅシリーズ及びＳＣ－Ｐシリーズ）、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル（例えば、第一工業製薬株式会社製、ソルゲンＴＷシリーズ）、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル（例えば、花王株式会社製、エマノーンシリーズ）、ポリオキシエチレンアルキルアミン（例えば、第一工業製薬株式会社製、アミラヂンＤ）、並びに、ポリアルキレンオキシドを付加したその他の化合物（例えば、日信化学工業株式会社製、サーフィノール４６５、及び、日本乳化剤株式会社製、ＴＭＰシリーズ）が挙げられる。
　水溶性高分子は、砥粒の分散安定性、平坦性、面内均一性、窒化珪素に対する酸化珪素の研磨選択性（酸化珪素の研磨速度／窒化珪素の研磨速度）、ポリシリコンに対する酸化珪素の研磨選択性（酸化珪素の研磨速度／ポリシリコンの研磨速度）等の研磨特性を調整する効果がある。ここで、「水溶性高分子」とは、水１００ｇに対して０．１ｇ以上溶解する高分子として定義する。前記ポリオキシアルキレン化合物に該当する高分子は「水溶性高分子」に含まれないものとする。
　水溶性高分子としては、特に制限はなく、ポリアクリルアミド、ポリジメチルアクリルアミド等のアクリル系ポリマ；カルボキシメチルセルロース、寒天、カードラン、デキストリン、シクロデキストリン、プルラン等の多糖類；ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン等のビニル系ポリマ；ポリグリセリン、ポリグリセリン誘導体等のグリセリン系ポリマ；ポリエチレングリコールなどが挙げられる。
　水溶性高分子を使用する場合、水溶性高分子の含有量の下限は、砥粒の沈降を抑制しつつ水溶性高分子の添加効果が得られる観点から、スラリの全質量を基準として、０．００１質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．１質量％以上が更に好ましく、０．３質量％以上が特に好ましく、０．５質量％以上が極めて好ましい。水溶性高分子の含有量の上限は、砥粒の沈降を抑制しつつ水溶性高分子の添加効果が得られる観点から、スラリの全質量を基準として、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、６質量％以下が更に好ましく、５質量％以下が特に好ましく、３質量％以下が極めて好ましく、１質量％以下が非常に好ましい。
（スラリの特性）
　砥粒の含有量が０．１質量％である場合において、本実施形態に係るスラリを遠心加速度５．８×１０４Ｇで５分間遠心分離したときに得られる液相（上澄み液）における波長３８０ｎｍの光に対する吸光度は０を超えることが好ましい。これにより、絶縁材料の研磨速度を更に向上させることができる。このように絶縁材料の研磨速度が向上する理由としては、例えば、下記の理由が挙げられる。但し、理由は下記に限定されない。
　上述の遠心分離では、複合粒子が選択的に除去されやすく、遊離した粒子（以下、「遊離粒子」という。例えば、第１の粒子と接触していない第２の粒子）を固形分として含有する液相を得ることが可能であり、吸光度が０を超える場合、砥粒は、スラリにおいて複合粒子に加えて遊離粒子を含む。遊離粒子は複合粒子と比較して粒径が小さいため、スラリ中における拡散速度が高く、絶縁材料の表面に優先的に吸着して当該表面を被覆する。この場合、複合粒子は、絶縁材料に直接的に作用するだけでなく、絶縁材料に吸着した遊離粒子にも作用して間接的にも絶縁材料に作用することができる（例えば、絶縁材料に吸着した遊離粒子を介して機械的作用を絶縁材料へ伝達することができる）。これにより、絶縁材料の研磨速度が向上する。
　砥粒の含有量が０．１質量％である場合において、本実施形態に係るスラリを遠心加速度５．８×１０４Ｇで５分間遠心分離したときに得られる液相における波長３８０ｎｍの光に対する吸光度は、下記の範囲が好ましい。前記吸光度は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、０．００１以上がより好ましく、０．００２以上が更に好ましく、０．００３以上が特に好ましく、０．００５以上が極めて好ましく、０．０１以上が非常に好ましく、０．０３以上がより一層好ましく、０．０５以上が更に好ましく、０．０８以上が特に好ましく、０．０９以上が極めて好ましく、０．１以上が非常に好ましく、０．１５以上がより一層好ましい。スラリ中の遊離粒子の含有量が多い場合には、絶縁材料に対する遊離粒子の吸着量が増加することから、絶縁材料の研磨速度が更に向上すると推察される。前記吸光度は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、０．５以下が好ましく、０．４以下がより好ましく、０．３以下が更に好ましく、０．２５以下が特に好ましく、０．２以下が極めて好ましい。前記観点から、前記吸光度は、０を超え０．５以下であることがより好ましい。砥粒における遊離粒子の含有量を調整することにより前記吸光度を調整できる。例えば、第２の粒子が接触する第１の粒子の表面積を増加させること、第１の粒子と第２の粒子とを接触させる際に不充分な分散状態に調整すること（分散時間を減少させること、第１の粒子及び第２の粒子を含む液の撹拌における回転数を減少させること、粒子間に生じる静電反発力を弱める等）などによって前記吸光度を減少させることができる。
　本実施形態に係るスラリ（例えば、砥粒の含有量が０．１質量％であるスラリ）を遠心加速度５．８×１０４Ｇで５分間遠心分離したときに得られる液相における波長５００ｎｍの光に対する光透過率は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、５０％／ｃｍ以上が好ましく、６０％／ｃｍ以上がより好ましく、７０％／ｃｍ以上が更に好ましく、８０％／ｃｍ以上が特に好ましく、９０％／ｃｍ以上が極めて好ましく、９２％／ｃｍ以上が非常に好ましい。光透過率の上限は１００％／ｃｍである。
　本実施形態に係るスラリのｐＨの下限は、絶縁材料の研磨速度が更に向上する観点から、２．０以上が好ましく、２．５以上がより好ましく、２．８以上が更に好ましく、３．０以上が特に好ましく、３．２以上が極めて好ましく、３．５以上が非常に好ましく、４．０以上がより一層好ましく、４．２以上が更に好ましく、４．３以上が特に好ましい。ｐＨの上限は、スラリの保存安定性が更に向上する観点から、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましく、５．０以下が特に好ましく、４．８以下が極めて好ましく、４．７以下が非常に好ましく、４．６以下がより一層好ましく、４．５以下が更に好ましく、４．４以下が特に好ましい。前記観点から、ｐＨは、２．０～７．０であることがより好ましい。スラリのｐＨは、液温２５℃におけるｐＨと定義する。
　スラリのｐＨは、無機酸、有機酸等の酸成分；アンモニア、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、イミダゾール、アルカノールアミン等のアルカリ成分などによって調整できる。ｐＨを安定化させるため、緩衝剤を添加してもよい。緩衝液（緩衝剤を含む液）として緩衝剤を添加してもよい。このような緩衝液としては、酢酸塩緩衝液、フタル酸塩緩衝液等が挙げられる。
　本実施形態に係るスラリのｐＨは、ｐＨメータ（例えば、東亜ディーケーケー株式会社製の型番ＰＨＬ－４０）で測定することができる。具体的には例えば、フタル酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：４．０１）及び中性リン酸塩ｐＨ緩衝液（ｐＨ：６．８６）を標準緩衝液として用いてｐＨメータを２点校正した後、ｐＨメータの電極をスラリに入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定する。標準緩衝液及びスラリの液温は、共に２５℃とする。
　本実施形態に係るスラリをＣＭＰ研磨液として用いる場合、研磨液の構成成分を一液式研磨液として保存してもよく、砥粒及び液状媒体を含むスラリ（第１の液）と、添加剤及び液状媒体を含む添加液（第２の液）とを混合して前記研磨液となるように前記研磨液の構成成分をスラリと添加液とに分けた複数液式（例えば二液式）の研磨液セットとして保存してもよい。添加液は、例えば酸化剤を含んでいてもよい。前記研磨液の構成成分は、三液以上に分けた研磨液セットとして保存してもよい。
　前記研磨液セットにおいては、研磨直前又は研磨時に、スラリ及び添加液が混合されて研磨液が作製される。また、一液式研磨液は、液状媒体の含有量を減じた研磨液用貯蔵液として保存されると共に、研磨時に液状媒体で希釈して用いられてもよい。複数液式の研磨液セットは、液状媒体の含有量を減じたスラリ用貯蔵液及び添加液用貯蔵液として保存されると共に、研磨時に液状媒体で希釈して用いられてもよい。
＜研磨方法＞
　本実施形態に係る研磨方法（基体の研磨方法等）は、前記スラリを用いて被研磨面（基体の被研磨面等）を研磨する研磨工程を備えている。研磨工程におけるスラリは、前記研磨液セットにおけるスラリと添加液とを混合して得られる研磨液であってもよい。
　研磨工程では、例えば、被研磨材料を有する基体の当該被研磨材料を研磨定盤の研磨パッド（研磨布）に押圧した状態で、前記スラリを被研磨材料と研磨パッドとの間に供給し、基体と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨材料の被研磨面を研磨する。研磨工程では、例えば、被研磨材料の少なくとも一部を研磨により除去する。
　研磨対象である基体としては、被研磨基板等が挙げられる。被研磨基板としては、例えば、半導体素子製造に係る基板（例えば、ＳＴＩパターン、ゲートパターン、配線パターン等が形成された半導体基板）上に被研磨材料が形成された基体が挙げられる。被研磨材料としては、酸化珪素等の絶縁材料などが挙げられる。被研磨材料は、単一の材料であってもよく、複数の材料であってもよい。複数の材料が被研磨面に露出している場合、それらを被研磨材料と見なすことができる。被研磨材料は、膜状（被研磨膜）であってもよく、酸化珪素膜等の絶縁膜などであってもよい。
　このような基板上に形成された被研磨材料（例えば、酸化珪素等の絶縁材料）を前記スラリで研磨し、余分な部分を除去することによって、被研磨材料の表面の凹凸を解消し、被研磨材料の表面全体にわたって平滑な面を得ることができる。
　本実施形態に係る研磨方法において、研磨装置としては、被研磨面を有する基体を保持可能なホルダーと、研磨パッドを貼り付け可能な研磨定盤とを有する一般的な研磨装置を使用できる。ホルダー及び研磨定盤のそれぞれには、回転数が変更可能なモータ等が取り付けてある。研磨装置としては、例えば、株式会社荏原製作所製の研磨装置：Ｆ－ＲＥＸ３００、又は、ＡＰＰＬＩＥＤ　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製の研磨装置：ＭＩＲＲＡを使用できる。
　研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡体、非発泡体等が使用できる。研磨パッドの材質としては、ポリウレタン、アクリル樹脂、ポリエステル、アクリル－エステル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ４－メチルペンテン、セルロース、セルロースエステル、ポリアミド（例えば、ナイロン（商標名）及びアラミド）、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリシロキサン共重合体、オキシラン化合物、フェノール樹脂、ポリスチレン、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等の樹脂が使用できる。研磨パッドの材質としては、特に、研磨速度及び平坦性に更に優れる観点から、発泡ポリウレタン及び非発泡ポリウレタンからなる群より選択される少なくとも一種が好ましい。研磨パッドには、スラリがたまるような溝加工が施されていることが好ましい。
　研磨条件に制限はないが、研磨定盤の回転速度の上限は、基体が飛び出さないように２００ｍｉｎ－１（ｍｉｎ－１＝ｒｐｍ）以下が好ましく、基体にかける研磨圧力（加工荷重）の上限は、研磨傷が発生することを抑制しやすい観点から、１００ｋＰａ以下が好ましい。研磨している間、ポンプ等で連続的にスラリを研磨パッドに供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常にスラリで覆われていることが好ましい。
　本実施形態に係るスラリ及び研磨方法は、酸化珪素を含む被研磨面を研磨するために使用されることが好ましい。本実施形態に係るスラリ及び研磨方法は、ＳＴＩの形成及び層間絶縁材料の高速研磨に好適に使用できる。絶縁材料（例えば酸化珪素）の研磨速度の下限は、３６０ｎｍ／ｍｉｎ以上が好ましく、４００ｎｍ／ｍｉｎ以上がより好ましく、４５０ｎｍ／ｍｉｎ以上が更に好ましく、５００ｎｍ／ｍｉｎ以上が特に好ましい。
　本実施形態は、プリメタル絶縁材料の研磨にも使用できる。プリメタル絶縁材料としては、酸化珪素、リン－シリケートガラス、ボロン－リン－シリケートガラス、シリコンオキシフロリド、フッ化アモルファスカーボン等が挙げられる。
　本実施形態は、酸化珪素等の絶縁材料以外の材料にも適用できる。このような材料としては、Ｈｆ系、Ｔｉ系、Ｔａ系酸化物等の高誘電率材料；シリコン、アモルファスシリコン、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、有機半導体等の半導体材料；ＧｅＳｂＴｅ等の相変化材料；ＩＴＯ等の無機導電材料；ポリイミド系、ポリベンゾオキサゾール系、アクリル系、エポキシ系、フェノール系等のポリマ樹脂材料などが挙げられる。
　本実施形態は、膜状の研磨対象だけでなく、ガラス、シリコン、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、サファイヤ、プラスチック等から構成される各種基板にも適用できる。
　本実施形態は、半導体素子の製造だけでなく、ＴＦＴ、有機ＥＬ等の画像表示装置；フォトマスク、レンズ、プリズム、光ファイバー、単結晶シンチレータ等の光学部品；光スイッチング素子、光導波路等の光学素子；固体レーザ、青色レーザＬＥＤ等の発光素子；磁気ディスク、磁気ヘッド等の磁気記憶装置などの製造に用いることができる。
　本実施形態によれば、セリウム酸化物を含有する第１の粒子と、セリウム化合物を含有する第２の粒子と、を接触させる工程を備える砥粒の製造方法を提供することができる。本実施形態によれば、前記砥粒の製造方法により砥粒を得る工程を備える、スラリの製造方法を提供することができる。
　以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
＜セリウム酸化物スラリの準備＞
　セリウム酸化物を含む粒子（第１の粒子。以下、「セリウム酸化物粒子」という）と、和光純薬工業株式会社製の商品名：リン酸二水素アンモニウム（分子量：９７．９９）とを混合して、セリウム酸化物粒子を５．０質量％（固形分含量）含有するセリウム酸化物スラリ（ｐＨ：７）を調製した。リン酸二水素アンモニウムの配合量は、セリウム酸化物粒子の全量を基準として１質量％に調整した。
　マイクロトラック・ベル株式会社製の商品名：マイクロトラックＭＴ３３００ＥＸＩＩ内にセリウム酸化物スラリを適量投入し、セリウム酸化物粒子の平均粒径を測定した。表示された平均粒径値を平均粒径（平均二次粒径）として得た。セリウム酸化物スラリにおけるセリウム酸化物粒子の平均粒径は１４５ｎｍであった。
　ベックマン・コールター株式会社製の商品名：ＤｅｌｓａＮａｎｏ　Ｃ内に適量のセリウム酸化物スラリを投入し、２５℃において測定を２回行った。表示されたゼータ電位の平均値をゼータ電位として得た。セリウム酸化物スラリにおけるセリウム酸化物粒子のゼータ電位は－５５ｍＶであった。
＜セリウム水酸化物スラリの準備＞
（セリウム水酸化物の合成）
　４８０ｇのＣｅ（ＮＨ４）２（ＮＯ３）６５０質量％水溶液（日本化学産業株式会社製、商品名：ＣＡＮ５０液）を７４５０ｇの純水と混合して溶液を得た。次いで、この溶液を撹拌しながら、７５０ｇのイミダゾール水溶液（１０質量％水溶液、１．４７ｍｏｌ／Ｌ）を５ｍＬ／ｍｉｎの混合速度で滴下して、セリウム水酸化物を含む沈殿物を得た。セリウム水酸化物の合成は、温度２０℃、撹拌速度５００ｍｉｎ－１で行った。撹拌は、羽根部全長５ｃｍの３枚羽根ピッチパドルを用いて行った。
　得られた沈殿物（セリウム水酸化物を含む沈殿物）を遠心分離（４０００ｍｉｎ－１、５分間）した後にデカンテーションで液相を除去することによって固液分離を施した。固液分離により得られた粒子１０ｇと、水９９０ｇと、を混合した後、超音波洗浄機を用いて粒子を水に分散させて、セリウム水酸化物を含む粒子（第２の粒子。以下、「セリウム水酸化物粒子」という）を含有するセリウム水酸化物スラリ（粒子の含有量：１．０質量％）を調製した。
（平均粒径の測定）
　ベックマン・コールター株式会社製、商品名：Ｎ５を用いてセリウム水酸化物スラリにおけるセリウム水酸化物粒子の平均粒径（平均二次粒径）を測定したところ、１０ｎｍであった。測定法は次のとおりである。まず、１．０質量％のセリウム水酸化物粒子を含む測定サンプル（セリウム水酸化物スラリ。水分散液）を１ｃｍ角のセルに約１ｍＬ入れた後、Ｎ５内にセルを設置した。Ｎ５のソフトの測定サンプル情報の屈折率を１．３３３、粘度を０．８８７ｍＰａ・ｓに設定し、２５℃において測定を行い、Ｕｎｉｍｏｄａｌ　Ｓｉｚｅ　Ｍｅａｎとして表示される値を読み取った。
（ゼータ電位の測定）
　ベックマン・コールター株式会社製の商品名：ＤｅｌｓａＮａｎｏ　Ｃ内に適量のセリウム水酸化物スラリを投入し、２５℃において測定を２回行った。表示されたゼータ電位の平均値をゼータ電位として得た。セリウム水酸化物スラリにおけるセリウム水酸化物粒子のゼータ電位は＋５０ｍＶであった。
（セリウム水酸化物粒子の構造分析）
　セリウム水酸化物スラリを適量採取し、真空乾燥してセリウム水酸化物粒子を単離した後に、純水で充分に洗浄して試料を得た。得られた試料について、ＦＴ－ＩＲ　ＡＴＲ法による測定を行ったところ、水酸化物イオン（ＯＨ－）に基づくピークの他に、硝酸イオン（ＮＯ３ －）に基づくピークが観測された。また、同試料について、窒素に対するＸＰＳ（Ｎ－ＸＰＳ）測定を行ったところ、ＮＨ４ ＋に基づくピークは観測されず、硝酸イオンに基づくピークが観測された。これらの結果より、セリウム水酸化物粒子は、セリウム元素に結合した硝酸イオンを有する粒子を少なくとも一部含有することが確認された。また、セリウム元素に結合した水酸化物イオンを有する粒子がセリウム水酸化物粒子の少なくとも一部に含有されることから、セリウム水酸化物粒子がセリウム水酸化物を含有することが確認された。これらの結果より、セリウムの水酸化物が、セリウム元素に結合した水酸化物イオンを含むことが確認された。
＜スラリの調製＞
（実施例１）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ３０ｇと、イオン交換水１９３０ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０１５質量％、ｐＨ：３．９、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例２）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ３５ｇと、イオン交換水１９２５ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０１７５質量％、ｐＨ：４．０、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例３）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ４０ｇと、イオン交換水１９２０ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０２質量％、ｐＨ：４．１、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例４）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ５０ｇと、イオン交換水１９１０ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０２５質量％、ｐＨ：４．３、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例５）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ７０ｇと、イオン交換水１８９０ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０３５質量％、ｐＨ：４．５、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例６）
　１ｍｍ径のジルコニア製ビーズが入った円筒形状の容器に前記セリウム水酸化物スラリ２０ｇ、イオン交換水６０ｇ、及び、前記セリウム酸化物スラリ２０ｇを順次添加して混合液を得た。続いて、前記混合液をアズワン株式会社製のミックスローター（装置名：ＭＲ－５）上に設置して１００ｒｐｍで撹拌した。その後、イオン交換水９００ｇを添加した後に撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０２質量％、ｐＨ：４．１、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例７）
　１ｍｍ径のジルコニア製ビーズが入った円筒形状の容器に前記セリウム水酸化物スラリ２５ｇ、イオン交換水５５ｇ、及び、前記セリウム酸化物スラリ２０ｇを順次添加して混合液を得た。続いて、前記混合液をアズワン株式会社製のミックスローター（装置名：ＭＲ－５）上に設置して１００ｒｐｍで撹拌した。その後、イオン交換水９００ｇを添加した後に撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０２５質量％、ｐＨ：４．３、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（実施例８）
　１ｍｍ径のジルコニア製ビーズが入った円筒形状の容器に前記セリウム水酸化物スラリ３０ｇ、イオン交換水５０ｇ、及び、前記セリウム酸化物スラリ２０ｇを順次添加して混合液を得た。続いて、前記混合液をアズワン株式会社製のミックスローター（装置名：ＭＲ－５）上に設置して１００ｒｐｍで撹拌した。その後、イオン交換水９００ｇを添加した後に撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０３５質量％、ｐＨ：４．４、砥粒の平均粒径：１５５ｎｍ）を調製した。
（比較例１）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら、前記セリウム水酸化物スラリ２０ｇと、イオン交換水１９４０ｇとを混合して混合液を得た。続いて、前記混合液を撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇを前記混合液に混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子と、当該セリウム酸化物粒子に接触したセリウム水酸化物粒子と、を含む複合粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、セリウム水酸化物粒子の含有量：０．０１質量％、ｐＨ：４．１、砥粒の平均粒径：２２０ｎｍ）を調製した。
（比較例２）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら前記セリウム酸化物スラリ４０ｇとイオン交換水１９６０ｇとを混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム酸化物粒子を含有する試験用スラリ（セリウム酸化物粒子の含有量：０．１質量％、ｐＨ：７．０、砥粒の平均粒径：１４５ｎｍ）を調製した。
（比較例３）
　２枚羽根の撹拌羽根を用いて３００ｒｐｍの回転数で撹拌しながら前記セリウム水酸化物スラリ２００ｇとイオン交換水１８００ｇとを混合した後、株式会社エスエヌディ製の超音波洗浄機（装置名：ＵＳ－１０５）を用いて超音波を照射しながら撹拌した。これにより、セリウム水酸化物粒子を含有する試験用スラリ（セリウム水酸化物粒子の含有量：０．１質量％、ｐＨ：４．０、砥粒の平均粒径：１０ｎｍ）を調製した。
＜試験用スラリのｐＨ測定＞
　各試験用スラリの上述のｐＨは、東亜ディーケーケー株式会社製の型番ＰＨＬ－４０を用いて測定した。
＜砥粒の平均粒径測定＞
　マイクロトラック・ベル株式会社製の商品名：マイクロトラックＭＴ３３００ＥＸＩＩ内に各試験用スラリを適量投入して測定を行うことにより、上述の砥粒の平均粒径を得た。表示された平均粒径値を砥粒の平均粒径（平均二次粒径）として得た。
＜上澄み液の吸光度及び光透過率の測定＞
　前記試験用スラリにおける砥粒の含有量（粒子の合計量）を０．１質量％に調整（イオン交換水で希釈）して試験液を調製した。試験液７．５ｇをベックマン・コールター株式会社製の遠心分離機（商品名：Ｏｐｔｉｍａ　ＭＡＸ－ＴＬ）に入れ、遠心加速度５．８×１０４Ｇ（５８１４８Ｇ）、設定温度２５℃で５分間処理して上澄み液を得た。
　前記上澄み液を１ｃｍ角の石英製セルに約４ｍＬ入れた後、セルを株式会社日立製作所製の分光光度計（装置名：Ｕ３３１０）内に設置した。波長２００～６００ｎｍの範囲で吸光度の測定を行い、得られたチャートから波長３８０ｎｍにおける吸光度の値を読み取った。測定結果を表１に示す。また、実施例１～８について、得られたチャートから波長５００ｎｍにおける光透過率の値を読み取ったところ、９２％／ｃｍ以上であった。
＜ＢＥＴ比表面積測定＞
　前記試験用スラリにおける砥粒の含有量（粒子の合計量）を０．１質量％に調整（イオン交換水で希釈）して試験液を調製した。各試験液に対して下記条件の遠心分離を施すことにより沈殿物を得た後、下記条件で沈殿物を真空乾燥することにより、ＢＥＴ比表面積を測定するための固相を回収した。
［遠心分離条件］
　装置：日立工機株式会社製の遠心分離機（商品名：ｈｉｍａｃ　ＣＲ７）
　分離条件：遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分
［真空乾燥条件］
　装置：ヤマト科学株式会社製の真空乾燥機（商品名：スタンダードタイプＡＤＰ２００）
　乾燥条件：室温で２４時間
　Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ社製の比表面積・細孔径分析装置（商品名：ＱＵＡＤＲＡＳＯＲＢ　ｅｖｏ）を用いて下記条件で前記固相のＢＥＴ比表面積を測定した。２回の測定の平均値を固相のＢＥＴ比表面積として得た。測定結果を表１に示す。
　前処理：真空脱気（１００℃、２時間）
　測定方式：定容法
　吸着ガス：窒素ガス
　測定温度：７７．３５Ｋ（－１９５．８℃）
　測定セルサイズ：１．５ｃｍ３
　測定項目：Ｐ／Ｐ０＝０～０．３の吸着側数点
　解析項目：ＢＥＴ多点法による比表面積
　測定回数：試料を変えて２回測定
＜ＣＭＰ評価＞
　前記試験用スラリにおける砥粒の含有量（粒子の合計量）を０．１質量％に調整（イオン交換水で希釈）してＣＭＰ研磨液を得た。このＣＭＰ研磨液を用いて下記研磨条件で被研磨基板を研磨した。ＣＭＰ研磨液におけるｐＨ及び砥粒の平均粒径の値は、上述の試験用スラリの値と同等であった。
［ＣＭＰ研磨条件］
　研磨装置：ＭＩＲＲＡ（ＡＰＰＬＩＥＤ　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製）
　ＣＭＰ研磨液の流量：２００ｍＬ／ｍｉｎ
　被研磨基板：パターンが形成されていないブランケットウエハとして、プラズマＣＶＤ法で形成された厚さ２μｍの酸化珪素膜（ＴＥＯＳ膜）をシリコン基板上に有する被研磨基板を用いた。
　研磨パッド：独立気泡を有する発泡ポリウレタン樹脂（ダウ・ケミカル日本株式会社製、型番ＩＣ１０１０）
　研磨圧力：１３ｋＰａ（２．０ｐｓｉ）
　被研磨基板及び研磨定盤の回転数：被研磨基板／研磨定盤＝９３／８７ｒｐｍ
　研磨時間：１分（６０秒）
　ウエハの洗浄：ＣＭＰ処理後、超音波を印加しながら水で洗浄し、さらに、スピンドライヤで乾燥させた。
　前記条件で研磨及び洗浄した酸化珪素膜の研磨速度（ＳｉＯ２ＲＲ）を下記式より求めた。結果を表１に示す。研磨前後における酸化珪素膜の膜厚差は、光干渉式膜厚測定装置（フィルメトリクス株式会社製、商品名：Ｆ８０）を用いて求めた。
　研磨速度（ＲＲ）＝（研磨前後での酸化珪素膜の膜厚差［ｎｍ］）／（研磨時間：１［ｍｉｎ］）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001

Claims (6)

  1. 　砥粒と、液状媒体と、を含有するスラリであって、
    　前記砥粒が、第１の粒子と、当該第１の粒子に接触した第２の粒子と、を含み、
    　前記第２の粒子の粒径が第１の粒子の粒径よりも小さく、
    　前記第１の粒子がセリウム酸化物を含有し、
    　前記第２の粒子がセリウム化合物を含有し、
    　前記砥粒の含有量が０．１質量％である場合において遠心加速度１．１×１０４Ｇで６０分間前記スラリを遠心分離したときに得られる固相のＢＥＴ比表面積が４０ｍ２／ｇ以上である、スラリ。
  2. 　前記砥粒の含有量が０．１質量％である場合において遠心加速度５．８×１０４Ｇで５分間前記スラリを遠心分離したときに得られる液相における波長３８０ｎｍの光に対する吸光度が０を超える、請求項１に記載のスラリ。
  3. 　前記セリウム化合物がセリウム水酸化物を含む、請求項１又は２に記載のスラリ。
  4. 　前記砥粒の含有量が０．０１～１０質量％である、請求項１～３のいずれか一項に記載のスラリ。
  5. 　酸化珪素を含む被研磨面を研磨するために使用される、請求項１～４のいずれか一項に記載のスラリ。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載のスラリを用いて被研磨面を研磨する工程を備える、研磨方法。
PCT/JP2018/035463 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及び研磨方法 Ceased WO2020021732A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG11202100589TA SG11202100589TA (en) 2018-07-26 2018-09-25 Slurry and polishing method
KR1020217003478A KR102589119B1 (ko) 2018-07-26 2018-09-25 슬러리 및 연마 방법
JP2020532133A JP6965999B2 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及び研磨方法
CN201880097200.XA CN112640053A (zh) 2018-07-26 2018-09-25 浆料及研磨方法
US17/262,640 US11505731B2 (en) 2018-07-26 2018-09-25 Slurry and polishing method
TW108126208A TWI804659B (zh) 2018-07-26 2019-07-24 研漿及研磨方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/028105 WO2020021680A1 (ja) 2018-07-26 2018-07-26 スラリ及び研磨方法
JPPCT/JP2018/028105 2018-07-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2020021732A1 true WO2020021732A1 (ja) 2020-01-30

Family

ID=69180670

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/028105 Ceased WO2020021680A1 (ja) 2018-03-22 2018-07-26 スラリ及び研磨方法
PCT/JP2018/035443 Ceased WO2020021731A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ、研磨液の製造方法、及び、研磨方法
PCT/JP2018/035485 Ceased WO2020021733A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及びそのスクリーニング方法、並びに、研磨方法
PCT/JP2018/035438 Ceased WO2020021729A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及び研磨方法
PCT/JP2018/035463 Ceased WO2020021732A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及び研磨方法
PCT/JP2018/035441 Ceased WO2020021730A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ、研磨液の製造方法、及び、研磨方法
PCT/JP2019/028712 Ceased WO2020022290A1 (ja) 2018-07-26 2019-07-22 スラリ及び研磨方法

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/028105 Ceased WO2020021680A1 (ja) 2018-03-22 2018-07-26 スラリ及び研磨方法
PCT/JP2018/035443 Ceased WO2020021731A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ、研磨液の製造方法、及び、研磨方法
PCT/JP2018/035485 Ceased WO2020021733A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及びそのスクリーニング方法、並びに、研磨方法
PCT/JP2018/035438 Ceased WO2020021729A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ及び研磨方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/035441 Ceased WO2020021730A1 (ja) 2018-07-26 2018-09-25 スラリ、研磨液の製造方法、及び、研磨方法
PCT/JP2019/028712 Ceased WO2020022290A1 (ja) 2018-07-26 2019-07-22 スラリ及び研磨方法

Country Status (7)

Country Link
US (9) US12173219B2 (ja)
JP (6) JP6989020B2 (ja)
KR (6) KR102589117B1 (ja)
CN (6) CN112640050A (ja)
SG (6) SG11202100567YA (ja)
TW (6) TWI835824B (ja)
WO (7) WO2020021680A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020021680A1 (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
JP6888744B2 (ja) * 2018-09-25 2021-06-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 スラリ及び研磨方法
JPWO2021220787A1 (ja) * 2020-04-27 2021-11-04
KR102453292B1 (ko) * 2020-07-07 2022-10-12 주식회사 나노신소재 산화세륨 복합분말의 분산 조성물
JP7235164B2 (ja) * 2021-01-06 2023-03-08 株式会社レゾナック 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
US11650939B2 (en) * 2021-02-02 2023-05-16 Dell Products L.P. Managing access to peripherals in a containerized environment
KR102620964B1 (ko) * 2021-07-08 2024-01-03 에스케이엔펄스 주식회사 반도체 공정용 연마 조성물 및 이를 이용한 연마된 물품의 제조방법
KR102679084B1 (ko) * 2021-08-30 2024-06-27 주식회사 케이씨텍 산화세륨 연마입자 및 연마 슬러리 조성물
KR102728251B1 (ko) * 2021-12-31 2024-11-11 주식회사 케이씨텍 컨택 공정용 금속막 슬러리 조성물

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997029510A1 (fr) * 1996-02-07 1997-08-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasif d'oxyde de cerium, microplaquette semi-conductrice, dispositif semi-conducteur, procede pour les produire et procede pour polir les substrats
WO2002067309A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing compound and method for polishing substrate
JP2008112990A (ja) * 2006-10-04 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
WO2010143579A1 (ja) * 2009-06-09 2010-12-16 日立化成工業株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法
JP2011518098A (ja) * 2008-03-20 2011-06-23 エルジー・ケム・リミテッド 酸化セリウム製造方法、これから得られる酸化セリウムおよびこれを含むｃｍｐスラリー
WO2012070542A1 (ja) * 2010-11-22 2012-05-31 日立化成工業株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板
WO2012070541A1 (ja) * 2010-11-22 2012-05-31 日立化成工業株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板
JP2015093932A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 花王株式会社 硬脆材料用研磨液組成物
JP2017052858A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 デンカ株式会社 研磨用シリカ添加剤及びそれを用いた方法
JP2017203076A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及びこれを用いた研磨方法

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4941430B1 (ja) 1970-08-25 1974-11-08
JPS5943073U (ja) 1982-09-13 1984-03-21 三洋電機株式会社 小型電気機器
JP2524020B2 (ja) * 1990-08-20 1996-08-14 株式会社日立製作所 液中微粒子付着制御法
US5409544A (en) * 1990-08-20 1995-04-25 Hitachi, Ltd. Method of controlling adhesion of fine particles to an object in liquid
US5700180A (en) * 1993-08-25 1997-12-23 Micron Technology, Inc. System for real-time control of semiconductor wafer polishing
JP3278532B2 (ja) 1994-07-08 2002-04-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
TW311905B (ja) 1994-07-11 1997-08-01 Nissan Chemical Ind Ltd
JPH10154672A (ja) 1996-09-30 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
JPH10106994A (ja) 1997-01-28 1998-04-24 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
TW571361B (en) * 2001-02-20 2004-01-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing agent and method for polishing a substrate
US6821897B2 (en) 2001-12-05 2004-11-23 Cabot Microelectronics Corporation Method for copper CMP using polymeric complexing agents
EP1405889A1 (en) * 2002-02-20 2004-04-07 Nihon Micro Coating Co., Ltd. Polishing slurry
US7071105B2 (en) 2003-02-03 2006-07-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a silicon-containing dielectric
US6939211B2 (en) 2003-10-09 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions including abrasive elements, and methods for manufacturing and using such planarizing solutions
US7112123B2 (en) 2004-06-14 2006-09-26 Amcol International Corporation Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces
US20050119360A1 (en) 2003-11-28 2005-06-02 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Method for producing porous material
JP2006249129A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤の製造方法及び研磨剤
KR101267971B1 (ko) 2005-08-31 2013-05-27 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 연마 방법
JP5105869B2 (ja) 2006-04-27 2012-12-26 花王株式会社 研磨液組成物
JP2013141041A (ja) * 2006-10-04 2013-07-18 Hitachi Chemical Co Ltd 基板の研磨方法
WO2008136593A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-13 Lg Chem, Ltd. Cerium oxide powder for abrasive and cmp slurry comprising the same
JP5281758B2 (ja) * 2007-05-24 2013-09-04 ユシロ化学工業株式会社 研磨用組成物
CN101977873A (zh) * 2008-02-12 2011-02-16 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 二氧化铈及其形成方法
CN101550318B (zh) * 2008-04-03 2012-11-14 北京有色金属研究总院 一种含Ce3+的稀土抛光粉及其制备方法
CN102766407B (zh) 2008-04-23 2016-04-27 日立化成株式会社 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法
JP5287174B2 (ja) * 2008-04-30 2013-09-11 日立化成株式会社 研磨剤及び研磨方法
TW201038690A (en) 2008-09-26 2010-11-01 Rhodia Operations Abrasive compositions for chemical mechanical polishing and methods for using same
JP2010153781A (ja) 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法
JP2010153782A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法
JP5397386B2 (ja) 2008-12-11 2014-01-22 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法
KR101075491B1 (ko) 2009-01-16 2011-10-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조방법
WO2011007588A1 (ja) 2009-07-16 2011-01-20 日立化成工業株式会社 パラジウム研磨用ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
JP2011054906A (ja) 2009-09-04 2011-03-17 Hitachi Chem Co Ltd スラリーの保存方法及び保存容器
KR101172647B1 (ko) 2009-10-22 2012-08-08 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 연마제, 농축 1액식 연마제, 2액식 연마제 및 기판의 연마 방법
JP2011142284A (ja) 2009-12-10 2011-07-21 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液、基板の研磨方法及び電子部品
KR101907863B1 (ko) 2010-09-08 2018-10-15 바스프 에스이 수성 폴리싱 조성물, 및 전기적, 기계적 및 광학적 장치용 기판 재료의 화학적 기계적 폴리싱 방법
KR20130129398A (ko) 2010-11-22 2013-11-28 히타치가세이가부시끼가이샤 지립의 제조 방법, 슬러리의 제조 방법 및 연마액의 제조 방법
WO2012102187A1 (ja) * 2011-01-25 2012-08-02 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液及びその製造方法、複合粒子の製造方法、並びに基体の研磨方法
JP2012186339A (ja) 2011-03-07 2012-09-27 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法
WO2013035545A1 (ja) * 2011-09-09 2013-03-14 旭硝子株式会社 研磨砥粒およびその製造方法、研磨スラリー並びにガラス製品の製造方法
JP5883609B2 (ja) * 2011-10-12 2016-03-15 一般財団法人ファインセラミックスセンター 研磨材料、研磨用組成物及び研磨方法
JP6044629B2 (ja) * 2012-02-21 2016-12-14 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP2015088495A (ja) 2012-02-21 2015-05-07 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP5943073B2 (ja) 2012-05-22 2016-06-29 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法
WO2014034358A1 (ja) 2012-08-30 2014-03-06 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP2014060205A (ja) 2012-09-14 2014-04-03 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2014061417A1 (ja) * 2012-10-16 2014-04-24 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液、貯蔵液及び研磨方法
JP6139975B2 (ja) 2013-05-15 2017-05-31 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR102225154B1 (ko) 2013-06-12 2021-03-09 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 Cmp용 연마액 및 연마 방법
WO2014208414A1 (ja) * 2013-06-27 2014-12-31 コニカミノルタ株式会社 酸化セリウム研磨材、酸化セリウム研磨材の製造方法及び研磨加工方法
JP6428625B2 (ja) 2013-08-30 2018-11-28 日立化成株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、及び、基体の研磨方法
WO2015052988A1 (ja) 2013-10-10 2015-04-16 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
US9340706B2 (en) * 2013-10-10 2016-05-17 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive polishing compositions
JP6256482B2 (ja) 2013-12-26 2018-01-10 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP6360311B2 (ja) 2014-01-21 2018-07-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその製造方法
US9583359B2 (en) * 2014-04-04 2017-02-28 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods for selectively polishing silicon nitride over silicon oxide films
WO2016006553A1 (ja) 2014-07-09 2016-01-14 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
KR101613359B1 (ko) 2014-07-15 2016-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 화학적 기계적 연마용 나노 세리아 슬러리 조성물 및 이의 제조방법
JP6435689B2 (ja) 2014-07-25 2018-12-12 Ａｇｃ株式会社 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液
CN106661429B (zh) 2014-08-26 2019-07-05 凯斯科技股份有限公司 抛光浆料组合物
JP5893700B1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-23 花王株式会社 酸化珪素膜用研磨液組成物
JP2016069535A (ja) 2014-09-30 2016-05-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びその製造方法並びに研磨方法
US9422455B2 (en) 2014-12-12 2016-08-23 Cabot Microelectronics Corporation CMP compositions exhibiting reduced dishing in STI wafer polishing
JP2016154208A (ja) 2015-02-12 2016-08-25 旭硝子株式会社 研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法
CN107406752B (zh) 2015-03-10 2020-05-08 日立化成株式会社 研磨剂、研磨剂用储存液和研磨方法
KR101773543B1 (ko) * 2015-06-30 2017-09-01 유비머트리얼즈주식회사 연마 입자, 연마 슬러리 및 연마 입자의 제조 방법
KR101761792B1 (ko) 2015-07-02 2017-07-26 주식회사 케이씨텍 Sti 연마용 슬러리 조성물
US11046869B2 (en) * 2015-09-09 2021-06-29 Showa Denko Materials Co., Ltd. Polishing liquid, polishing liquid set, and substrate polishing method
JP6645136B2 (ja) * 2015-11-20 2020-02-12 日立化成株式会社 半導体基板の製造方法及び洗浄液
JP2017110177A (ja) 2015-12-14 2017-06-22 日立化成株式会社 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法
KR101737938B1 (ko) 2015-12-15 2017-05-19 주식회사 케이씨텍 다기능성 연마 슬러리 조성물
JP6589622B2 (ja) * 2015-12-22 2019-10-16 日立化成株式会社 研磨液、研磨方法、半導体基板及び電子機器
KR101761789B1 (ko) 2015-12-24 2017-07-26 주식회사 케이씨텍 첨가제 조성물 및 이를 포함하는 포지티브 연마 슬러리 조성물
CN108473850A (zh) 2016-01-06 2018-08-31 嘉柏微电子材料股份公司 低k基板的抛光方法
CN108603076A (zh) 2016-02-16 2018-09-28 3M创新有限公司 抛光系统以及制备和使用抛光系统的方法
WO2018012174A1 (ja) 2016-07-15 2018-01-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨方法
KR101823083B1 (ko) 2016-09-07 2018-01-30 주식회사 케이씨텍 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물
JP6720791B2 (ja) 2016-09-13 2020-07-08 Ａｇｃ株式会社 研磨剤と研磨方法、および研磨用添加液
KR20190055112A (ko) * 2016-09-29 2019-05-22 카오카부시키가이샤 연마액 조성물
KR102619722B1 (ko) 2016-10-27 2024-01-02 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판의 제조 방법 및 이에 이용되는 연마 슬러리
KR102268320B1 (ko) * 2016-11-14 2021-06-22 니끼 쇼꾸바이 카세이 가부시키가이샤 세리아계 복합미립자 분산액, 그의 제조방법 및 세리아계 복합미립자 분산액을 포함하는 연마용 지립분산액
US11649377B2 (en) 2017-08-14 2023-05-16 Resonac Corporation Polishing liquid, polishing liquid set and polishing method
CN111566179B (zh) * 2017-11-15 2022-03-04 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 用于实施材料去除操作的组合物及其形成方法
US11572490B2 (en) * 2018-03-22 2023-02-07 Showa Denko Materials Co., Ltd. Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method
WO2020021680A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 日立化成株式会社 スラリ及び研磨方法
JP6888744B2 (ja) * 2018-09-25 2021-06-16 昭和電工マテリアルズ株式会社 スラリ及び研磨方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997029510A1 (fr) * 1996-02-07 1997-08-14 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasif d'oxyde de cerium, microplaquette semi-conductrice, dispositif semi-conducteur, procede pour les produire et procede pour polir les substrats
WO2002067309A1 (en) * 2001-02-20 2002-08-29 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polishing compound and method for polishing substrate
JP2008112990A (ja) * 2006-10-04 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd 研磨剤及び基板の研磨方法
JP2011518098A (ja) * 2008-03-20 2011-06-23 エルジー・ケム・リミテッド 酸化セリウム製造方法、これから得られる酸化セリウムおよびこれを含むｃｍｐスラリー
WO2010143579A1 (ja) * 2009-06-09 2010-12-16 日立化成工業株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基板の研磨方法
WO2012070542A1 (ja) * 2010-11-22 2012-05-31 日立化成工業株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板
WO2012070541A1 (ja) * 2010-11-22 2012-05-31 日立化成工業株式会社 スラリー、研磨液セット、研磨液、基板の研磨方法及び基板
JP2015093932A (ja) * 2013-11-12 2015-05-18 花王株式会社 硬脆材料用研磨液組成物
JP2017052858A (ja) * 2015-09-09 2017-03-16 デンカ株式会社 研磨用シリカ添加剤及びそれを用いた方法
JP2017203076A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨剤及びこれを用いた研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020021729A1 (ja) 2020-01-30
SG11202100636YA (en) 2021-03-30
TWI804660B (zh) 2023-06-11
WO2020021733A1 (ja) 2020-01-30
TWI804661B (zh) 2023-06-11
TWI835824B (zh) 2024-03-21
CN112640050A (zh) 2021-04-09
JP6965999B2 (ja) 2021-11-10
US20210261821A1 (en) 2021-08-26
KR20210027466A (ko) 2021-03-10
WO2020021680A1 (ja) 2020-01-30
JPWO2020021732A1 (ja) 2021-08-05
US12173219B2 (en) 2024-12-24
CN112930585A (zh) 2021-06-08
KR102580184B1 (ko) 2023-09-18
WO2020021730A1 (ja) 2020-01-30
SG11202100610RA (en) 2021-02-25
JP6965996B2 (ja) 2021-11-10
CN112640053A (zh) 2021-04-09
CN112640051B (zh) 2025-03-04
US20210309884A1 (en) 2021-10-07
SG11202100586PA (en) 2021-03-30
KR102637046B1 (ko) 2024-02-14
TWI771603B (zh) 2022-07-21
TWI804659B (zh) 2023-06-11
US20210246346A1 (en) 2021-08-12
KR20210027467A (ko) 2021-03-10
JP6965997B2 (ja) 2021-11-10
CN112640052A (zh) 2021-04-09
US20250129279A1 (en) 2025-04-24
JPWO2020021730A1 (ja) 2021-08-02
JPWO2020021729A1 (ja) 2021-08-05
WO2020022290A1 (ja) 2020-01-30
SG11202100567YA (en) 2021-03-30
TWI811406B (zh) 2023-08-11
TW202010820A (zh) 2020-03-16
JP6989020B2 (ja) 2022-01-05
US11518920B2 (en) 2022-12-06
SG11202100627YA (en) 2021-03-30
CN112640051A (zh) 2021-04-09
TW202010821A (zh) 2020-03-16
US20210324237A1 (en) 2021-10-21
US20240425737A1 (en) 2024-12-26
KR20210029228A (ko) 2021-03-15
JPWO2020021731A1 (ja) 2021-08-05
US12104112B2 (en) 2024-10-01
SG11202100589TA (en) 2021-03-30
TW202012588A (zh) 2020-04-01
TW202020957A (zh) 2020-06-01
JPWO2020022290A1 (ja) 2021-08-12
US20210301179A1 (en) 2021-09-30
US20250084294A1 (en) 2025-03-13
KR20210027457A (ko) 2021-03-10
WO2020021731A1 (ja) 2020-01-30
KR20210029227A (ko) 2021-03-15
JPWO2020021733A1 (ja) 2021-08-02
US11499078B2 (en) 2022-11-15
KR102589119B1 (ko) 2023-10-12
KR102676956B1 (ko) 2024-06-19
US11492526B2 (en) 2022-11-08
KR102589118B1 (ko) 2023-10-12
JP6965998B2 (ja) 2021-11-10
KR20210029229A (ko) 2021-03-15
TW202010822A (zh) 2020-03-16
US11505731B2 (en) 2022-11-22
JP6966000B2 (ja) 2021-11-10
US20210261820A1 (en) 2021-08-26
TW202012589A (zh) 2020-04-01
KR102589117B1 (ko) 2023-10-12
CN112655075A (zh) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11767448B2 (en) Polishing liquid, polishing liquid set, and polishing method
JP6965999B2 (ja) スラリ及び研磨方法
JP7056728B2 (ja) 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
JP6888744B2 (ja) スラリ及び研磨方法
JP6708994B2 (ja) スラリ及び研磨方法
JPWO2018179062A1 (ja) 研磨液、研磨液セット、添加液及び研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18927333

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020532133

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20217003478

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18927333

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1