WO2019159768A1 - 酸化錫系焼結体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

従来の酸化錫系焼結体と比べてより低い体積抵抗率を有する酸化錫系焼結体、およびこのような酸化錫系焼結体の製造方法を提供する。　本発明の酸化錫系焼結体は、実質的に錫および酸素からなり、体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満である。さらに、本発明に係る酸化錫系焼結体の製造方法は、少なくともＳｎＯ粉末を含む原料粉末を得る工程と、原料粉末を充填率が４０％以上となるように金属カプセルに充填する工程と、金属カプセルに充填された原料粉末をカプセルＨＩＰ法に供して焼結体を得る工程とを含む。

Description

酸化錫系焼結体およびその製造方法

　本発明は、酸化錫系焼結体およびその製造方法に関する。

　透明導電膜は、高い導電性と可視光領域での高い透過率とを有するため、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネルなどのディスプレイの電極、太陽電池の電極、窓ガラスの熱線反射膜、帯電防止膜、電磁波遮蔽膜などに用いられている。太陽電池や液晶表示素子、その他各種受光素子の電極などに利用されているばかりでなく、自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、あるいは冷凍ショーケースなどの防曇用透明発熱体としても利用されている。

　酸化錫系の透明導電膜は高い導電性と優れた透光性、優れた化学的耐久性（耐熱性、耐薬品性、耐酸化性、耐還元性など）を有するので、ＩＴＯとともに、透明導電膜として利用されている。このような透明導電膜の製造方法として、スパッタリング法（例えば、ＤＣスパッタリング法）がよく用いられている。特にスパッタリング法は、蒸気圧の低い材料の成膜の際や、精密な膜厚制御を必要とする際に有効な手法であり、操作が非常に簡便であるため、工業的に広範に利用されている。

　スパッタリング法に使用されるスパッタリングターゲットは、酸化錫系の透明導電膜の場合、酸化錫系焼結体を加工して得られる。例えば、特許文献１に酸化錫系焼結体からなるスパッタリングターゲットが記載されている。スパッタリングターゲットには、高電力で行ってもスパッタリング異常が起きず、安定した成膜を実現するために、高密度および低抵抗という要件が要求される。特許文献１に記載のスパッタリングターゲットは、低くても１．２２Ω・ｃｍと比較的高い体積抵抗率（比抵抗）を有している。

特開２００１－３０３２３８号公報

　本発明の課題は、従来の酸化錫系焼結体と比べてより低い体積抵抗率を有する酸化錫系焼結体、およびこのような酸化錫系焼結体の製造方法、ならびにこれら酸化錫系焼結体から得られる酸化錫系透明導電膜を提供することにある。

　本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
　（１）実質的に錫および酸素からなり、体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする酸化錫系焼結体。
　（２）焼結体中に金属錫が偏析することなく均一に分散している上記（１）に記載の酸化錫系焼結体。
　（３）９５％以上の相対密度を有する上記（１）または（２）に記載の酸化錫系焼結体。
　（４）カチオンドーパントおよびアニオンドーパントの少なくとも一方をさらに含む上記（１）～（３）のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
　（５）カチオンドーパントが、５ｍｏｌ％以下の割合で含有される上記（４）に記載の酸化錫系焼結体。
　（６）アニオンドーパントが、２０ｍｏｌ％以下の割合で含有される（４）または（５）に記載の酸化錫系焼結体。
　（７）カチオンドーパントが、タンタル、アンチモンおよびニオブからなる群より選択される少なくとも１種である上記（４）～（６）のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
　（８）アニオンドーパントが、フッ素および塩素の少なくとも１種である上記（４）～（７）のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
　（９）カチオンドーパントとしてタンタルと、アニオンドーパントとしてフッ素とを含む上記（４）～（８）のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
　（１０）上記（１）～（９）のいずれかに記載の酸化錫系焼結体を含むターゲット。
　（１１）少なくとも酸化錫粉末（ＩＩ）を含む原料粉末を得る工程と、原料粉末を充填率が４０％以上となるように金属カプセルに充填する工程と、金属カプセルに充填された原料粉末をカプセルＨＩＰ法に供して焼結体を得る工程とを含む酸化錫系焼結体の製造方法。
　（１２）実質的に錫および酸素からなる酸化錫系焼結体を形成する工程と、酸化錫系焼結体からターゲットを形成する工程と、ターゲットをＤＣスパッタリング法に供して、酸化錫系透明導電膜を形成する工程とを含み、酸化錫系焼結体中に、金属錫が偏析することなく均一に分散しており、酸化錫系焼結体の体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満である酸化錫系透明導電膜の製造方法。
　（１３）酸化錫系焼結体が、タンタルおよびフッ素の少なくとも１種をドーパントとしてさらに含む上記（１２）に記載の製造方法。
　（１４）酸化錫系透明導電膜が、８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する上記（１２）または（１３）に記載の製造方法。
　（１５）体積抵抗率が８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下である酸化錫系透明導電膜。
　（１６）酸化錫系透明導電膜の結晶配向性が、実質的に（１０１）配向からなる上記（１５）に記載の酸化錫系透明導電膜。
　（１７）上記（１０）に記載のターゲットから形成される酸化錫系半導体膜。
　（１８）上記（１７）に記載の酸化錫系半導体膜を含む半導体ガスセンサー。
　（１９）実質的に錫および酸素からなる酸化錫系焼結体を形成する工程と、酸化錫系焼結体からターゲットを形成する工程と、ターゲットをＤＣスパッタリング法に供して、酸化錫系半導体膜を形成する工程とを含み、酸化錫系焼結体中に、金属錫が偏析することなく均一に分散しており、酸化錫系焼結体の体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満である酸化錫系半導体膜の製造方法。

　本発明によれば、従来の酸化錫系焼結体と比べてより低い体積抵抗率を有する酸化錫系焼結体が提供される。このような本発明の酸化錫系焼結体をスパッタリングターゲットとして使用すると、高電力で行ってもスパッタリング異常が起きず、安定した成膜を実現し、低い体積抵抗率を有する酸化錫系透明導電膜を提供することができる。

実施例で用いた成膜装置の概略図を示す。 実施例２で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、ガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、ガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、実施例５の成膜条件にてガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、実施例６の成膜条件にてガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例２６で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、サファイア基板ｒ面上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例２９で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、ガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例３２で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、ガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、実施例３７の成膜条件にてガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例３８で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、ガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、実施例３９の成膜条件にてガラス基板上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４０で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、サファイア基板ｒ面上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４１で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、サファイア基板ｒ面上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例４２で得られた焼結体をスパッタリングターゲットとして、サファイア基板ｍ面上に成膜した酸化錫系透明導電膜のＸ線回折パターンである。 実施例１５で得られた焼結体のＸ線回折パターンである。 実施例１５で得られた焼結体のビデオマイクロスコープによる観察結果を示し、（Ａ）は倍率１０倍で観察した際の写真であり、（Ｂ）は倍率２０倍で観察した際の写真であり、（Ｃ）は倍率５０倍で観察した際に写真である。 実施例で得られた酸化錫系透明導電膜のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による観察結果を示し、（Ａ）は実施例２６で得られた酸化錫系透明導電膜を観察した際の写真であり、（Ｂ）は実施例２９で得られた酸化錫系透明導電膜を観察した際の写真であり、（Ｃ）は実施例３８で得られた酸化錫系透明導電膜を観察した際の写真であり、（Ｄ）は実施例４２で得られた酸化錫系透明導電膜を観察した際の写真である。 市販品ＦＴＯのＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による観察結果を示し、（Ａ）は０．６０５μｍの膜厚を有する市販品を観察した際の写真であり、（Ｂ）は０．３９μｍの膜厚を有する市販品を観察した際の写真である。

　本発明に係る酸化錫系焼結体は、実質的に錫および酸素からなる。本明細書において「実質的」とは、酸化錫系焼結体を構成する全原子の８５％以上が錫および酸素であることを意味する。具体的には、一実施形態に係る酸化錫系焼結体は、酸化錫相と金属錫相とから構成されるか、あるいは酸化錫相および金属錫相以外にドーパントとして他の元素を含む。

　一実施形態に係る酸化錫系焼結体は、１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満の体積抵抗率（比抵抗）を有している。体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ以上の場合には、酸化錫系焼結体をターゲットに加工してＤＣスパッタリングを行うと、異常放電などスパッタリング異常が起きやすく、高速にて安定した均一な成膜ができない。一実施形態に係る酸化錫系焼結体は、好ましくは７．０×１０^－２Ω・ｃｍ未満の体積抵抗率を有し、通常、１．０×１０^－６Ω・ｃｍ以上である。

　一実施形態に係る酸化錫系焼結体は高い相対密度を有しており、好ましくは９５％以上、より好ましくは９９％以上の相対密度を有している。酸化錫系焼結体の相対密度は、下記の式により算出される。
　相対密度（％）＝（得られた酸化錫系焼結体の密度／酸化錫系焼結体の理論密度）×１００

　一実施形態に係る酸化錫系焼結体において、金属錫相の分布は特に限定されない。例えば、金属錫相は偏析することなく均一に分散しているのが好ましい。金属錫相が酸化錫系焼結体中に偏析することなく均一に分散していると、焼結体の比抵抗の面内分布が均一になりやすくなる。その結果、酸化錫系焼結体をターゲットに加工してＤＣスパッタリングを行う場合に、プラズマがより安定的に放電し成膜することが可能となり、成膜された膜の組成ムラもより生じにくくなる。

　一実施形態に係る酸化錫系焼結体は、上記のように、好ましくはドーパントを含んでいてもよい。ドーパントは特に限定されず、カチオンドーパントであってもよく、アニオンドーパントであってもよく、カチオンドーパントおよびアニオンドーパントが併用されてもよい。ドーパントは、錫および酸素が上述の範囲を満足するように含まれる。具体的には、カチオンドーパントは、好ましくは５ｍｏｌ％以下の割合で含まれ、アニオンドーパントは、好ましくは２０ｍｏｌ％以下の割合で含まれる。

　カチオンドーパントとしては、タンタル、アンチモン、ニオブ、タングステン、モリブデン、インジウム、ガリウム、亜鉛、チタン、ビスマス、鉄、アルミニウム、ジルコニウム、ハフニウム、イットリウム、スカンジウム、シリコン、カルシウム、銅、ゲルマニウム、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、バナジウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウム、ランタン、セリウム、プラセオジウム、ネオジウム、サマリウム、ユーロピウム、ホウ素、リン、シリコン
などが挙げられる。これらの中でもタンタル、アンチモンおよびニオブが好ましい。カチオンドーパントは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

　アニオンドーパントとしては、フッ素、塩素、窒素、硫黄などが挙げられる。これらの中でもフッ素および塩素が好ましい。アニオンドーパントは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

　一実施形態に係る酸化錫系焼結体の製造方法は特に限定されず、例えば、下記の工程（Ｉ）～（ＩＩＩ）によって製造される。
　（Ｉ）少なくとも酸化錫（ＩＩ）粉末を含む原料粉末を得る工程。
　（ＩＩ）原料粉末を充填率が４０％以上となるように金属カプセルに充填する工程。
　（ＩＩＩ）金属カプセルに充填された原料粉末をカプセルＨＩＰ法に供して焼結体を得る工程。

　工程（Ｉ）によって得られる原料粉末は、少なくとも酸化錫（ＩＩ）粉末を含む粉末であれば限定されない。また、原料粉末は、酸化錫（ＩＩ）以外の酸化錫粉末を混合してもよく、酸化錫（ＩＩ）以外の酸化錫粉末としては、例えば、酸化錫（ＩＶ）粉末、三酸化二錫（Ｓｎ_２Ｏ_３）、四酸化三錫（Ｓｎ_３Ｏ_４）などが挙げられる。酸化錫粉末は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。酸化錫粉末は市販品を用いてもよいが、得られる酸化錫系焼結体の相対密度をより向上させ、体積抵抗率をより小さくするために、タップ密度が高められた酸化錫粉末を用いるのが好ましい。

　通常、酸化錫（ＩＶ）粉末は１．９５ｇ／ｃｍ^３程度のタップ密度を有しており、酸化錫（ＩＩ）粉末は３．１ｇ／ｃｍ^３程度のタップ密度を有している。「タップ密度が高められた酸化錫粉末」とは、具体的には、４．０ｇ／ｃｍ^３以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＶ）粉末、および４．０ｇ／ｃｍ^３以上のタップ密度を有する酸化錫（ＩＩ）粉末を意味する。タップ密度が高められた酸化錫（ＩＶ）粉末は、例えば、タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ^３未満である酸化錫（ＩＩ）粉末を、大気中、開放系で１６００℃程度の高温にて４時間以上焼成することによって得られる。タップ密度が高められた酸化錫（ＩＩ）粉末は、例えば、タップ密度が４．０ｇ／ｃｍ^３未満である酸化錫（ＩＩ）粉末を、ＣＩＰ成形（冷間等方圧成形）に供することによって得られる。

　原料粉末としては、少なくとも酸化錫（ＩＩ）粉末を含んでいればよく、酸化錫（ＩＶ）粉末と酸化錫（ＩＩ）粉末との併用が好ましい。これらの粉末を併用する場合、酸化錫（ＩＶ）粉末が好ましくは０～９９質量％、より好ましくは２０～９０質量％、さらに好ましくは３０～８０質量％の割合、酸化錫（ＩＩ）粉末が好ましくは１～１００質量％、より好ましくは２０～８０質量％、さらに好ましくは２０～７０質量％の割合となるように混合するのが好ましい。

　原料粉末には、酸化錫粉末以外に、必要に応じてドーパント源となる粉末が含まれていてもよい。カチオンドーパント源となる粉末としては、例えば、Ｔａ金属粉末、Ｓｂ金属粉末、Ｎｂ金属粉末、Ｔｉ金属粉末、Ｆｅ金属粉末、Ｚｒ金属粉末、Ｈｆ金属粉末、Ｙ金属粉末、Ｓｉ金属粉末、Ｃｕ金属粉末、Ｇｅ金属粉末、Ｎｉ金属粉末、Ｃｏ金属粉末、Ｓｃ金属粉末、Ｍｎ金属粉末、Ｃｒ金属粉末、Ｖ金属粉末、Ｐｒ金属粉末、Ｎｄ金属粉末、Ｓｍ金属粉末、Ｅｕ金属粉末、Ｂ金属粉末、Ｍｏ金属粉末、Ｓｉ金属粉末、Ｗ金属粉末などの金属粉末や、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴａＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_５、ＮｂＯ、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＮｂＯ_２、ＷＯ_３、ＭｏＯ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２、ＴｉＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＦｅＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｓｃ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、ＣａＯ、ＣｕＯ、ＧｅＯ_２、ＮｉＯ、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、Ｐｒ_２Ｏ_３、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｓｍ_２Ｏ_３、Ｅｕ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３などの酸化物粉末などが挙げられる。アニオンドーパント源となる粉末としては、例えば、フッ化錫粉末、塩化錫粉末、硫化錫粉末、窒化錫粉末などが挙げられる。

　酸化錫粉末（酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化錫（ＩＩ）粉末）や、ドーパント源となる粉末の平均粒子径は限定されず、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは１～５０μｍ程度である。

　工程（ＩＩ）において、４０％以上の充填率で原料粉末が金属カプセルに充填されれば、充填方法は限定されない。充填方法としては、例えば下記の方法（ｉ）～（ｉｉｉ）が挙げられる。
　（ｉ）原料粉末を焼成（仮焼）して得られる仮焼粉を、金属カプセルに充填する方法。
　（ｉｉ）原料粉末に分散媒やバインダーなどを添加して得られるスラリーを乾燥および造粒し、金属カプセルに応じた形状に得られた粉末（顆粒）を成形して、金属カプセルに充填する方法。
　（ｉｉｉ）原料粉末に分散媒やバインダーなどを添加して得られるスラリーを乾燥および造粒し、得られた粉末（顆粒）を金属カプセルに充填する方法。

　方法（ｉ）において仮焼の条件は特に限定されない。例えば１１００～１６００℃程度で１～２４時間程度焼成すればよい。

　方法（ｉｉ）および（ｉｉｉ）で使用される分散媒としては特に限定されず、例えば、水、エタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール類；塩化メチル、クロロフォルム、１，２ジクロロエタン、トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、炭酸プロピレン、酢酸プロピルなどのエステル類；プロピオントリル、Ｎ－メチルピロリドンなどの窒素化合物；ジメチルスルホキシドなどの硫黄化合物；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレンオキシド、２－エトキシエチルアセタートなどのエーテル類；ベンゼン、スチレンなどの炭化水素類などが挙げられる。必要に応じて、ポリカルボン酸アンモニウム、ナフタレンスルホン酸アンモニウム、ポリエチレングリコール、ポリカルボン酸アルキルエステル系、ポリエーテル系、ポリアルキルポリアミン系、アルキルスルホン酸系、四級アンモニウム系、高級アルコールアルキレンオキサイド系、多価アルコールエステル系、アルキルポリアミン系、ポリリン酸系などの分散剤を用いてもよい。

　バインダーとしては特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、酢酸ビニル、エチルセルロース、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、ポリα-メチルスチレン、ポリ乳酸メチル、（ポリ）ビニルブチラール、（ポリ）ビニルアセテート、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリブタジエン、（ポリ）ビニルピロリドン、ポリアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリルアミド、ポリメタクリレートおよび種々のアクリルポリマーとそれらのコポリマーやターポリマー、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ニトロセルロース、ポリアルキレンカーボネート樹脂などが挙げられる。スラリーを得るために、例えば、スーパーミキサー、インテンシブミキサー、ヘンシェルミキサー、自動乳鉢などにより乾式混合してもよいし、硬質ＺｒＯ_２ボールなどを用いた湿式ボールミルや振動ミル、遊星ボールミルなどによって湿式混合が行われる。湿式ボールミルや振動ミルを用いた場合の混合時間は、１２～７８時間程度が好ましい。

　方法（ｉｉ）において、粉末（顆粒）を成形する方法は特に限定されず、例えば、ＣＩＰ成形（冷間等方圧成形）、一軸プレス成型などの加圧成型が挙げられる。一軸プレス成型と冷間等方圧成型（ＣＩＰ）とを併用しても構わない。加圧成型時の圧力は、通常５０～４５０ＭＰａであり、好ましくは１００～４００ＭＰａである。成型する際のプレス圧力は、一軸プレスの場合は、少なくとも３０ＭＰａ以上１００ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは４０ＭＰａ以上である。圧力がこのような範囲の場合、比較的優れた強度を有するプレス成型体が安定して得られる。

　冷間等方圧成形（ＣＩＰ）の場合のプレス圧力は、少なくとも５０ＭＰａ以上４５０ＭＰａ未満であることが好ましく、より好ましくは１００ＭＰａ以上である。圧力がこのような範囲の場合、比較的優れた強度を有するプレス成型体が安定して得られ、コスト面でも有利となる。保持時間は1～３０分である。保持時間が１分未満であると密度があがらないおそれがあり、６０分を超えると時間が掛かりすぎ不経済となるおそれがある。保持時間がこのような範囲の場合、得られるプレス成型体が十分な密度を有し、コスト面でも有利となる。また、プレス圧力の値は、１ＭＰａ＝１０．１９７２ｋｇ／ｃｍ^２と変換することができる。

　方法（ｉｉ）および（ｉｉｉ）において、造粒し粉末（顆粒）を作製する方法として、得られたスラリーをスプレードライにより、乾燥、造粒し、所定のタップ密度を有する造粒粉末とする。スプレードライに用いるスプレードライヤーとしては、少なくとも（ａ）スラリーの噴霧、（ｂ）噴霧されたスラリーと熱風との接触、（ｃ）スラリー中の液相の蒸発、および（ｄ）造粒粉末の分離補集の４つの機能を有するものであればよい。（ａ）の噴霧は、回転円盤型のアトマイザー（ロータリーアトマイザーやデイスクアトマイザーとも呼ばれる）、またはノズルアトマイザーにより行われるが、回転円盤型のアトマイザーを備えた乾燥機が好ましい。

　スプレードライの熱乾燥条件は、得られる造粒粉末のタップ密度が２．８ｇ／ｃｍ^３以上となる条件であれば、特に限定されず、例えば、乾燥は常圧で行い、供給する熱風の温度は通常、１５０～３００℃、好ましくは２００～２７０℃であり、乾燥機出口の温度は通常、７０～２００℃、好ましくは８５～１４０℃である。

　原料粉末を粉末（顆粒）状態で充填する場合、充填率は下記の式で算出される。
　充填率（％）＝（原料粉末のタップ密度／酸化錫系焼結体の理論密度）×１００

　原料粉末を成型体に成形して充填する場合、充填率は下記の式で算出される。
　充填率（％）＝（成型体の充填密度／酸化錫系焼結体の理論密度）×１００

　４０％以上の充填率で原料粉末が金属カプセルに充填されると、カプセルＨＩＰ処理における金属カプセルの収縮率を小さく（例えば６０％以下）することができ、金属カプセルが破壊されずに焼結反応が進行し、原料粉末が揮発するのを抑制することができる。その結果、得られる酸化錫系焼結体と原料粉末との間で組成がほとんど変わらず、相対密度の高い酸化錫系焼結体を得ることができる。金属カプセルへの原料粉末の充填率は、好ましくは５０％以上、より好ましくは５５％以上である。金属カプセルの収縮率は下記の式で算出される。
　収縮率（％）＝［１－（処理後の容器の内容積／処理前の容器の内容積）］×１００

　カプセルＨＩＰ処理に用いられる金属カプセルは、原料粉末を十分に真空封止でき、カプセルＨＩＰ処理の焼結温度にて十分に変形するが破裂するおそれがない材料で形成されている。このような材料としては、例えば、鉄、ステンレス、チタン、アルミニウム、タンタル、ニオブ、銅、ニッケルなどが挙げられる。比較的低温（約１０００℃以下）でカプセルＨＩＰ処理が行われる場合、通常、銅、ニッケルまたはアルミニウム製の金属カプセルが使用される。１０００～１３５０℃程度で処理が行われる場合、通常、鉄またはステンレス製の金属カプセルが使用される。比較的高温（約１３５０℃以上）で処理が行われる場合、通常、タンタルまたはニオブ製の金属カプセルが使用される。処理温度にもよるが、アルミニウム、鉄またはステンレス製の金属カプセルがコスト面で好ましい。

　金属カプセルの形状および寸法は特に限定されず、カプセルＨＩＰ処理の際に等方的に加圧されやすい形状であればよい。このような形状としては、例えば円柱状容器、直方体状容器、立方体状容器などが挙げられる。金属カプセルの壁厚は、特に限定されない。例えば、金属カプセルが容易に軟化して変形することができ、焼結反応が進行するにつれて、酸化錫系焼結体に追随して収縮しやすい点で、１．５～４ｍｍ程度が好ましい。

　原料粉末を金属カプセル内に充填した後、通常、金属カプセルを加熱（１００～６００℃程度）し、例えば加圧成型の際に用いたバインダーなどを除去する。その後、金属カプセルを封止してカプセルＨＩＰ処理が行われる。加熱しながら、金属カプセル内の圧力が１．３３×１０^－２Ｐａ以下となるまで減圧し、減圧後、金属カプセルを封止してカプセルＨＩＰ処理を行ってもよい。

　工程（ＩＩＩ）において、金属カプセルに充填された原料粉末はカプセルＨＩＰ処理に供される。カプセルＨＩＰ処理は、原料が真空封止された金属カプセル内に閉じ込められている。すなわち、閉鎖空間内に原料が充填されて処理が行われるため、ホットプレスのような加圧焼結と異なり、原料の揮散が抑制される。その結果、得られる酸化錫系焼結体と原料との間で組成がほとんど変わらず、高い相対密度を有する酸化錫系焼結体を得ることができる。

　封止された金属カプセルをＨＩＰ装置内に配置し、高温高圧のガスを圧力媒体として用い、金属カプセル自体に圧力を加えて、金属カプセル内の原料粉末の焼結反応を進行させる。圧力媒体として用いられるガスとしては、例えば、窒素、アルゴンなどの不活性ガスが挙げられる。カプセル容器に加えられる圧力は５０ＭＰａ以上が好ましく、処理時間は１時間以上が好ましい。処理温度は、通常４００～１３００℃であり、好ましくは５００～１２００℃である。

　このように、低抵抗であり高い相対密度を有する酸化錫系焼結体は、例えば、スパッタリングターゲットとして好適に使用される。酸化錫系焼結体を加工して、スパッタリングターゲットを製造する方法は特に限定されず、公知の方法が採用される。例えば、酸化錫系焼結体を所望の形状および寸法に加工し、外周面および上下面を研削することによってスパッタリングターゲットが得られる。スパッタリングターゲットの表面粗さ（Ｒａ）は、５μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。通常、スパッタリングターゲットは、さらに、銅やチタンなどからなるバッキングプレートやバッキングチューブに、インジウム系合金などをボンディングメタルとして、貼り合わせた形態で用いられる。

　スパッタリングターゲットは、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられる。このようにして得られたスパッタリングターゲットは、低抵抗であり高い相対密度を有しているため、成膜時の異常放電が発生しにくく、安定的に成膜することができる。このような成膜の際に用いる固形材料のことを「タブレット」と称する場合もあるが、本明細書においてはこれらを含め「スパッタリングターゲット」と称することとする。

　スパッタリング方式としては、ＤＣスパッタ法、ＡＣスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、エレクトロンビーム蒸着法およびイオンプレーティング法が挙げられ、好ましくはＤＣスパッタ法である。ＤＣスパッタ法の場合、スパッタリング時のチャンバー内の圧力は、通常０．１～２．０ＭＰａであり、好ましくは０．３～１．０ＭＰａであり、より好ましくは０．５～０．７ＭＰａである。ＤＣスパッタ法の場合、スパッタ時におけるターゲット面の単位面積当たりの投入電力は、通常０．５～６．０Ｗ／ｃｍ^２であり、好ましくは１．０～５．０Ｗ／ｃｍ^２である。

　スパッタ時のキャリアーガスとしては、酸素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、窒素およびクリプトンが挙げられ、好ましくはアルゴンと酸素の混合ガスである。アルゴンと酸素の混合ガス中のアルゴン：酸素の比（Ａｒ：Ｏ_２）は、通常１００：０～７５：２５であるが、薄膜の体積抵抗率を効果的に下げる観点から、好ましくは９９．５：０．５～８０：２０、より好ましくは９９．５：０．５～９０：１０、さらに好ましくは９９．５：０．５～９５：５である。供給ガス流量としては、アルゴンは、１～１０ｓｃｃｍ、好ましくは１．５～２．０ｓｃｃｍであり、酸素は、０～０．５ｓｃｃｍである。基板としては、ガラス、樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＳ、ＰＩなど）などが挙げられ、スパッタ時のターゲットとの距離は、５０～１５０ｍｍ、好ましくは９０～１２０ｍｍである。スパッタ時の成膜温度（薄膜を形成する基板の温度）は、通常２５～６００℃、好ましくは３０～５８０℃、より好ましくは３５～５５０℃である。

　このようにして形成された薄膜は、例えば、酸化錫系透明導電膜として使用される。酸化錫系透明導電膜は、好ましくは５．０×１０^－３Ω・ｃｍ以下、より好ましくは８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは７．５×１０^－４Ω・ｃｍ以下、よりさらに好ましくは６．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下、特に好ましくは３．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する。通常、形成された薄膜の体積抵抗率は、１．０×１０^－６Ω・ｃｍ以上である。膜厚は、通常０．５～３．０μｍとすることが多いが、体積抵抗率と透明性を両立させるために、好ましくは０．８０～２．５μｍであり、特に体積抵抗率を８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下とする上で、より好ましくは１．０～２．５μｍ、さらに好ましくは１．０～２．０μｍである。

　通常、酸化錫系焼結体を用いてスパッタリング法から薄膜を形成する場合、基板上で形成される薄膜の結晶配向性は、その安定性から（１０１）配向、（２１１）配向や（１１０）配向、またはこれら配向の混合となりやすい。しかし、形成された薄膜が、これら配向性を含めると導電性が著しく低下することが知られている。そのため、透明導電膜として利用する場合、スパッタ条件を煩雑な特殊な条件とし、サファイア単結晶基板や酸化チタン単結晶基板などの酸化錫と格子整合しやすい結晶面上にて、導電性（体積抵抗率８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下とするのに）に優位とされる準安定相である結晶配向性（（２００）配向または（００２）配向）とさせる必要があり、例えば、サファイア単結晶基板ｍ面（１‘１’００）上にて、（００２）配向とすることができる（なお、「‘１’」は、上に横線（オーバーライン）が付された「１」を示す。以下、同様である。）。

　しかし、本発明の焼結体をターゲットとして、サファイア単結晶基板ｒ面（１‘１’０２）上で一般的な条件で成膜された導電膜の配向性は、実質的に（１０１）配向からなり、得られた導電膜は、低抵抗（１．９７×１０^－４Ω・ｃｍ以下）であることが明らかとなった。このような結晶的に安定で導電性の高い酸化錫系導電膜は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ、タッチパネルなどの表示素子、太陽電池、その他各種受光素子の電極として利用することができ、特に、耐久性が要求される自動車窓や建築用の熱線反射膜、帯電防止膜、防曇用透明発熱体として好適に利用することができる。また、今後ガラスなどのアモルファス（無配向）基板上で成膜しても、低抵抗の導電膜が得られることが期待できる。

　導電膜の結晶配向性が、実質的に（１０１）配向からなるとは、成膜された導電膜に対しＸ線回折測定を実施し、得られた回折パターンにおいて、（１０１）配向に由来する回折ピーク（（１０１）および（２０２））が、ほぼ主要なピークである。それ以外の回折ピークは、殆ど観測されないことを示す。具体的には、すべてのピークのピーク面積の内、８５％以上が、（１０１）配向に由来する回折ピーク（（１０１）および（２０２））の面積で占める場合である。

　また、本発明により得られた薄膜は、従来のＣＶＤ法により成膜されたＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）よりも平滑性に優れているとの特徴も有している。薄膜の平滑性は、太陽電池用途、特にＣｄＴｅ太陽電池やペロブスカイト太陽電池で重要であり、表面粗さＲａが小さいほど変換効率向上の観点から好ましい。従来品のＦＴＯの表面粗さＲａは、通常１０ｎｍを超える程度であるが、本発明により得られた薄膜の表面粗さＲａは、通常１０ｎｍ以下であり、太陽電池の変換効率向上の観点から、好ましくは８ｎｍ以下、より好ましくは５ｎｍ以下である。

　また、本発明の焼結体を含むターゲットは、製膜する際のスパッタリングの条件により半導体性の薄膜を形成することができる。半導体性の薄膜は、半導体ガスセンサーの部材として使用できる。半導体性の薄膜を製膜する際のスパッタリング方式としては、ＤＣスパッタ法が挙げられる。

　半導体ガスセンサーの半導体性の薄膜としては、例えば、酸化物半導体が挙げられる。酸化物半導体からなるセラミックスは、Ｈ_２、ＣＯ、Ｏ_２、ＣＯ_２、ＮＯｘ、毒ガス、揮発性有機ガス、アンモニア、メタン、環境ガス、湿度などのガスと接触すると、酸化物の表面にガスが吸着して酸化／還元反応が生じる結果、電気比抵抗が変化する。酸化物半導体を利用した半導体ガスセンサー（以下、酸化物半導体ガスセンサーと記載する場合がある）は、このような酸化物半導体の特性を利用するものであり、廉価であり感度も高く、長期間使用しても劣化しにくいため長期使用時の信頼性も高い。

　酸化物としては、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、ＷＯ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｖ_２Ｏ_５、ＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３などが挙げられる。これらの中でも、ＳｎＯ_２などの酸化錫系を用いた半導体ガスセンサーは感度も高く、また化学的耐久性にも優れるため、長期使用時の信頼性により優れる傾向にある。

　酸化錫系半導体ガスセンサーは、以下の原理によりガスを検知することができる。酸化錫はｎ型半導体であり、１００～４５０℃程度に加熱されると清浄空気中では酸素の電子吸着により酸化錫表面に空間電荷層が形成される。そのため、導電率が低下して抵抗値が高くなっている。空気中に上記のようなガスが存在する場合、上記ガスは、酸化錫表面に吸着している酸素と反応する。その結果、酸化錫中の電子濃度が増加するため電気抵抗が減少する。

　従来の酸化物半導体ガスセンサーは、ガスとの反応性の観点から、１００～４５０℃程度の高温に加熱する必要があり、この加熱が電力を消費する要因となっている。従来の酸化錫から形成された薄膜を含むガスセンサーは、スクリーン印刷などの方法で薄膜の厚みを可能な限り薄くして、薄膜の熱容量を小さくしている。しかし、数１０μｍの膜となりこれは充分な薄さではない。このため、例えば電池駆動とするには、薄膜の熱容量が大きすぎるため電池の消耗が大きいという問題がある。

　酸化錫系半導体ガスセンサーにおける半導体性の薄膜は、薄膜中の結晶の粒径の幾何学的サイズが小さい程、比表面積が大きくなる。その結果、ガスに対する感度が高くなり、かつ熱容量が低くなるため、低消費電力化には有利である。一方、長期安定性、微細加工精度、薄膜成膜方法、あるいは時間などの制約により、そのサイズは、通常、数１００μｍ角であり、厚さは１μｍ以下である。

　酸化物半導体ガスセンサーは、例えば、絶縁性基板、半導体性の薄膜、センサーの電気的信号を感知するための金属電極トランスデューサ、およびマイクロ薄膜ヒーターを含む。マイクロ薄膜ヒーターは、薄膜の上部または下部面に位置し、金属トランスデューサと独立した構造で形成されている。従来、半導体性の薄膜以外は、主に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法、スクリーン印刷法などにて作製されている。半導体性の薄膜は、高密度で低抵抗のターゲットがないため、主にスパッタリング以外の方法（例えばゾルーゲル法、スクリーン印刷法など）で作製されている。このように、半導体性の薄膜のみ別のプロセスであるため、プロセスの一貫性という観点からも非効率な製造プロセスとなっている。

　本発明の焼結体を含むターゲットは、高密度および低抵抗であるため、スパッタリングにて高速に成膜でき、スパッタリング条件により比表面積が大きい構造も容易に作製することができる。また、ＤＣスパッタリングも可能であることから、高速成膜、効率的な製造プロセス、量産設備への適用が可能となる。

　本発明の焼結体を含むターゲットから半導体性の薄膜を作製する場合、原料粉末は、ドーパント源となる粉末を含んでいてもよい。ドーパント源となる粉末としては、上記と同様のものが挙げられる。ドーパント源となる粉末の含有量は、１ｍｏｌ％以下、好ましくは０．０１～０．５ｍｏｌ％、より好ましくは０．０３～０．３ｍｏｌ％である。

　半導体性の薄膜をＤＣスパッタリングで作製する場合、成膜温度は、上記透明導電膜で記載した温度と同様であるが、半導体膜であるため透明導電膜より低い温度領域であることが好ましい。得られる半導体性の薄膜は、ガスとの速い応答速度、高い感度、高い選択性、低電力のセンサーであることを達成するため、極めて大きい比表面積であることが求められる傾向にある。

　ＤＣスパッタリングにて半導体性の薄膜の比表面積を大きくする方法としては、スパッタリング時の成膜圧力を高くすることにより、膜の密度を疎（多孔質）にすることが挙げられる。圧力は、好ましくは１．５～１０Ｐａ以下、より好ましくは２．０～５Ｐａである。

　半導体性の薄膜は、スパッタによる成膜工程と逆スパッタによるエッチング工程を交互に行い、成膜することもできる。これにより、微細なガス導入孔ができ、薄膜内に分子拡散可能なガス導入孔を高密度に形成することができる。本発明の焼結体を含むターゲットは、従来にない高密度および低抵抗であることから、これを用いて成膜された半導体性の薄膜は、活性化された表面を有する。その結果、ガスとの反応性（センサーの感度）が向上するため、またガスとの反応温度がより低温化できることが期待されるため、電力消費を低減することが可能となる。

　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
　２５０ｇの酸化錫（ＩＩ）粉末（ＳｎＯ、タップ密度：３．１ｇ／ｃｍ^３、和光純薬工業（株）製）をるつぼに入れた。るつぼには蓋をせず開放した状態で、大気雰囲気下１６００℃で４時間焼成した。得られた焼成物を粉末状に粉砕し、次いで、得られた粉末を分析すると酸化錫（ＩＶ）であることがわかった。分析は、粉末Ｘ線回折（リガクＵｌｔｉｍａＩＩＩ、（株）リガク製）によって行った。具体的には、得られた粉末を、粉末測定用ホルダーにセットし、２θ＝２０～８０°の範囲のＸ線回折パターンを下記の条件でθ－２θ法により測定し、ＳｎＯ_２の回折パターンと比較した。得られた粉末（酸化錫（ＩＶ））のタップ密度を測定した。得られた酸化錫（ＩＶ）粉末は４．４ｇ／ｃｍ^３のタップ密度を有していた。
　＜測定条件＞
　　走査方法：ステップスキャン法（ＦＴ法）
　　Ｘ線源：ＣｕＫα
　　パワー：４０ｋＶ、４０ｍＡ
　　ステップ幅：０．０２°
　　２θ：２０～８０°

　一方、高密度酸化錫（ＩＶ）粉末とは別に、高密度酸化錫（ＩＩ）粉末を調製した。２５０ｇの酸化錫（ＩＩ）粉末（ＳｎＯ、タップ密度：３．３６ｇ／ｃｍ^３、和光純薬工業（株）製）を、ゴム製の容器に充填した。酸化錫（ＩＩ）粉末を充填した容器を成形圧４０００ｋｇ/ｃｍ^２にてＣＩＰ成型（冷間等方圧成形）に供して、成形物を得た。得られた成形物を実施例１と同様に分析すると、酸化錫（ＩＩ）であることがわかった。得られた成形物（酸化錫（ＩＩ））を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末は４．０８ｇ／ｃｍ^３のタップ密度を有していた。

　次いで、得られた高密度酸化錫（ＩＶ）粉末、得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および金属タンタル粉末（Ｔａ、（株）高純度化学研究所製）を、６８：３０：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分、乾式混合を行い、混合粉末を得た。

　＜ＨＩＰ処理＞
　次に、得られた混合粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に、粉末の体積変化がなくなるまで、且つカプセル容器が一杯になるまで振動を付与しながら充填した。混合粉末のタップ密度は４．３５ｇ／ｃｍ^３であり、仮焼粉（混合粉末）の理論密度は６．９９ｇ／ｃｍ^３であることから、充填率は６２．２％であった。

　混合粉末を充填したカプセル容器の上蓋に排気管を溶接し、さらに上蓋とカプセル容器とを溶接した。カプセル容器の溶接部からのガス漏れの有無を確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。漏れ量は１×１０^－６Ｔｏｒｒ・Ｌ／秒以下であった。３００℃で７時間、カプセル容器内のガスを排気管から除去した後、排気管を閉じてカプセル容器を封止した。次いで、封止したカプセル容器をＨＩＰ処理装置（（株）神戸製鋼所製）に設置して、カプセルＨＩＰ処理を行った。処理は、アルゴンガス（純度９９．９％）を圧力媒体として１１８ＭＰａ加圧条件下、１０００℃で２時間行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．４％の相対密度を有し、１．５×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。比抵抗は、抵抗率計（三菱化学（株）製「ＬＯＲＥＳＴＡ－ＧＰ、ＭＣＰ－Ｔ６１０」)を用いて、四端子四探針法により測定した。詳しくは、サンプルに４本の針状の電極を直線上に置き、外側の二探針間と内側の二探針間とに一定の電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定して抵抗を求めた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６１．３ＭＰａであった。

　焼結体の表面および外周を研削し、さらに表面を研磨して直径５０．８ｍｍおよび厚さ３．５ｍｍの酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体を、銅板をバッキングプレートとして用い、インジウムはんだによりボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が、９８．４％で比抵抗が１．５×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いてＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。成膜条件は下記の通りである。
　＜スパッタリング条件＞
　　ターゲット寸法：直径５０ｍｍおよび厚さ３ｍｍ
　　成膜装置：（株）ＶＩＣインターナショナル製のマグネトロンスパッタリング装置（図１）
　　スパッタ方式：ＤＣマグネトロンスパッタリング
　　ターゲットと基板との距離：１００ｍｍ
　　到達真空度：１．０×１０^－５Ｐａ
　　成膜圧力：０．５Ｐａ
　　添加ガス：アルゴンおよび酸素
　　酸素分圧：Ｏ_２／Ａｒ　６．８％
　　基板温度：５８０℃
　　スパッタ電力：１３Ｗ
　　基板：無アルカリガラス（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．７μｍの膜厚を有し、５．３８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１４×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８１．６％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例２）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６８：３０：２のモル比となるようにポットに入れた。これらの粉末を、ジルコニアボールによりボールミル混合して混合粉末を調製した。次いで、このポットに、バインダーとしてポリビニルアルコールを混合粉末１００質量部に対して０．１質量部、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムを混合粉末１００質量部に対して０．３質量部、および分散媒として水を混合粉末１００質量部に対して３０質量部の割合で加え、ボールミル混合してスラリーを調製した。

　このスラリーをスプレードライ装置に供給し、アトマイズ回転数１００００ｒｐｍ、入口温度２５０℃の条件でスプレードライを行い、混合粉末の顆粒を調製した。この顆粒を成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填し、充填率が７０．５％であった。加熱脱気工程でバインダーの脱脂も兼ねるため、５００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．４％の相対密度を有し、１．５×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６１．３ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．４％で比抵抗が１．５×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．７６μｍの膜厚を有し、５．３８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１４×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８１．６％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図２）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６８：３０：２のモル比となるようにポットに入れた。これらの粉末を、ジルコニアボールによりボールミル混合して混合粉末を調製した。次いで、このポットに、バインダーとしてポリビニルアルコールを混合粉末１００質量部に対して０．１質量部、分散剤としてポリカルボン酸アンモニウムを混合粉末１００質量部に対して０．３質量部、および分散媒として水を混合粉末１００質量部に対して３０質量部の割合で加え、ボールミル混合してスラリーを調製した。

　このスラリーをスプレードライ装置に供給し、アトマイズ回転数１００００ｒｐｍ、入口温度２５０℃の条件でスプレードライを行い、混合粉末の顆粒を調製した。得られた顆粒をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６５．０％であった。加熱脱気工程でバインダーの脱脂も兼ねるため、５００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．４％の相対密度を有し、１．５×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６１．３ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．４％で比抵抗が１．５×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．７６μｍの膜厚を有し、５．３８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１４×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８１．６％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例４）
　酸化錫（ＩＶ）粉末（ＳｎＯ_２、和光純薬工業（株）製）、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６８：３０：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５２．３％であった。８５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．３％の相対密度を有し、１．１８×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．８ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９７．３％で比抵抗が１．１８×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、膜厚を０．９６μｍとした以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．９６μｍの膜厚を有し、７．５９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２２．９ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．６０×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８６．０％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図３）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例５）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　７．０％」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．６６μｍの膜厚を有し、５．６８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２７．３ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．０３×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８０．１％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図４）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例６）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．７％」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．５７８μｍの膜厚を有し、５．９８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２５．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．０６×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８０．０％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図５）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例７）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．９％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「９５ｍｍ」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．４８９μｍの膜厚を有し、７．８２×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．２ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１５×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８７．５％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例８）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．９４％」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．６１６μｍの膜厚を有し、７．９０×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．９ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．９８×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８３．９％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例９）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．８％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５８７μｍの膜厚を有し、７．８２×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．４ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１２×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８２．２％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１０）
　実施例９にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　３．８％」に変更した以外は、実施例９と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５８３μｍの膜厚を有し、７．２３×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．３８×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８９．７％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１１）
　実施例９にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．０％」に変更した以外は、実施例９と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５７４μｍの膜厚を有し、７．３９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．２ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．４１×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８２．５％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１２）
　実施例９にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．３％」に変更した以外は、実施例９と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５７７μｍの膜厚を有し、７．３５×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．６ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．３５×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均９０．１％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１３）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７：３０：３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５５．８％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．０％の相対密度を有し、１．２×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．５ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．０％で比抵抗が１．２×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　６．８３％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１１０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．９１６μｍの膜厚を有し、７．５１×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．９ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．１８×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８３．５％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１４）
　実施例１３にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　４．８２％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１３と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．９９６μｍの膜厚を有し、７．２０×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、１９．５ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．４４×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均７８．８％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１５）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９６．１：２．２：１．７のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５４．４％であった。９５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．７％の相対密度を有し、４．１×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６６．７ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９７．７％で比抵抗が４．１×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　１．４８％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「６０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．４９μｍの膜厚を有し、７．８９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２６．５ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および２．９９×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８９．６％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例１６）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９８：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６３．２％であった。７５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．４％の相対密度を有し、２．３３×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、３８．９ＭＰａであった。

（実施例１７）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末と実施例１で用いた金属タンタル粉末とのモル比を９８．５：１．５に変更した以外は、実施例１６と同様の手順で円柱型の成形体を得た。得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６３．６％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９９．９％の相対密度を有し、１．８×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、３７．１ＭＰａであった。

（実施例１８）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末と実施例１で用いた金属タンタル粉末とのモル比を９７．５：２．５に変更した以外は、実施例１６と同様の手順で円柱型の成形体を得た。得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６２．８％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９９．９％の相対密度を有し、１．５×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、３６．５ＭＰａであった。

（実施例１９）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末のみを使用した以外は、実施例１６と同様の手順で円柱型の成形体を得た。得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６７．５％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．４％の相対密度を有し、２．３×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、４１．２ＭＰａであった。

（実施例２０）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末および実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末を、６０：４０のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は６５．４％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．１％の相対密度を有し、１．２×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５５．８ＭＰａであった。

（実施例２１）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、２８：７０：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．７％であった。７８０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．０％の相対密度を有し、９．３×１０^－３Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５１．０ＭＰａであった。

（実施例２２）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および金属ニオブ粉末（Ｎｂ、（株）高純度化学研究所製）を、６８：３０：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５８．７％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．６％の相対密度を有し、２．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｎｂ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５８．５ＭＰａであった。

（実施例２３）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、およびフッ化錫（ＩＩ）粉末（ＳｎＦ_２、（株）高純度化学研究所製）を、９３：２：５のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５９．７％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９５．８％の相対密度を有し、５．６×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。

（実施例２４）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、実施例１で用いた金属タンタル粉末、および実施例２３で用いたフッ化錫（ＩＩ）粉末を、９４：２：１：３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５０．１％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．６％の相対密度を有し、３．７×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。

（実施例２５）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、実施例１で用いた金属タンタル粉末、および実施例２３で用いたフッ化錫（ＩＩ）粉末を、９１：２：２：５のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５０．１％であった。７７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９５．２％の相対密度を有し、５．６×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。

（実施例２６）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の成膜圧力を「０．５３Ｐａ」に変更し、基板を「サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）配向基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５５μｍの膜厚を有し、１．９７×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、７２．３ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．３８×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてサファイア基板ｒ面配向基板）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均９５．９％であった。サファイア基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図６）には、（１０１）配向由来のピークのみが観測され、（１０１）配向の単結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例２７）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７.５：３０：２．５のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５５．８％であった。７８０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．３％の相対密度を有し、１．７×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５７．８ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９７．３％で比抵抗が１．７×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　６．８３％」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は２．１２７μｍの膜厚を有し、５．７９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２７．０ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．００×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均６６．４％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例２８）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　６．４８％」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．７５７μｍの膜厚を有し、４．９９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２７．８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．５１×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均６６．４％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例２９）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．７％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．６１９μｍの膜厚を有し、５．２４×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２７．８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．２９×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均７１．１％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図７）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３０）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７：３０：３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５５．８％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．０％の相対密度を有し、１．２×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．５ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．０％で比抵抗が１．２×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　９．６３％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「８０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．９８６μｍの膜厚を有し、６．３７×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２４．９ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．９４×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均６７．４％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３１）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９５．０：２．０：３．０のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５５．６％であった。９５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．５％の相対密度を有し、３．８×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６９．８ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．５％で比抵抗が３．８×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１０２ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．０８μｍの膜厚を有し、６．７７×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２０．２ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．５６×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均６６．６％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３２）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．６６％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．０２１μｍの膜厚を有し、７．０６×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２３．２ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．８１×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８４．８％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図８）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３３）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９５．４：２．０：２．６のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５４．４％であった。９７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．１％の相対密度を有し、３．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６４．６ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．１％で比抵抗が３．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１０２ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．９８μｍの膜厚を有し、７．３２×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２５．１ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．４０×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８８．８％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３４）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９５．４：２．０：２．６のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５４．４％であった。９７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．１％の相対密度を有し、３．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６４．６ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．１％で比抵抗が３．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１１０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．０７μｍの膜厚を有し、６．０９×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２６．５ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．８６×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８７．６％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３５）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９５．４：２．０：２．６のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５４．４％であった。９７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．１％の相対密度を有し、３．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６４．６ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．１％で比抵抗が３．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は１．２２μｍの膜厚を有し、５．３６×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、２７．１ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．３０×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８４．２％であった。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３６）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９５．４：２．０：２．６のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５４．４％であった。９７０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９８．１％の相対密度を有し、３．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、６４．６ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９８．１％で比抵抗が３．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更し、基板を「サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）」に変更した以外は実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）配向基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５６μｍの膜厚を有し、２．４１×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、５５．２ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．７１×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてサファイア基板ｒ面配向基板）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８５．７％であった。サファイア基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターンには、図６と同様に（１０１）配向由来のピークのみが観測され、（１０１）配向の単結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３７）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　６．８％」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．４８３μｍの膜厚を有し、１．３５×１０^－３Ω・ｃｍの比抵抗、１３．４ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および３．４５×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８７．３％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図９）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３８）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．６６％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５６３μｍの膜厚を有し、１．３９×１０^－３Ω・ｃｍの比抵抗、１５．７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および２．８６×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８５．２％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図１０）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例３９）
　実施例４にて得られた酸化錫系焼結体を用い、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　３．８％」に変更した以外は、実施例４と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流、電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．７６７μｍの膜厚を有し、４．７２×１０^－３Ω・ｃｍの比抵抗、３．７７ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．０７×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてブランクガラス）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均７５．５％であった。ガラス基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図１１）には、（１１０）、（１０１）、（２００）、（２１１）配向由来のピークが観察され、多結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例４０）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．６６％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更し、基板を「サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）配向基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．５２８μｍの膜厚を有し、２．２７×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、６２．４ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．４２×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてサファイア基板ｒ面配向基板）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均９２．３％であった。サファイア基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図１２）には、図６と同様に（１０１）配向由来のピークのみが観察され、（１０１）配向の単結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例４１）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．６６％」に変更し、ターゲットと基板との距離を「１２０ｍｍ」に変更し、基板を「サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（サファイア基板ｒ面（１‘１’０２）配向基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．９３４μｍの膜厚を有し、２．１５×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、６１．９ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および４．６９×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてサファイア基板ｒ面配向基板）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８５．５％であった。サファイア基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターン（図１３）には、図６と同様に（１０１）配向由来のピークのみが観察され、（１０１）配向の単結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例４２）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、６７．７：３０：２．３のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５６．３％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９６．３％の相対密度を有し、１．３×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．０ＭＰａであった。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは、相対密度が９６．３％で比抵抗が１．３×１０^－２Ω・ｃｍと高密度かつ低抵抗であり、スパッタリングターゲットとしての欠陥がなく、ＤＣスパッタリングが十分可能である。得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　５．６６％」に変更し、基板を「サファイア基板ｍ面（１‘１’００）（２０ｍｍ×２０ｍｍ×０．７ｍｍ）」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（サファイア基板ｍ面（１‘１’００）配向基板）上に酸化錫系透明導電膜を成膜した。

　成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。得られた酸化錫系透明導電膜は０．８６５μｍの膜厚を有し、１．７４×１０^－４Ω・ｃｍの比抵抗、６１．８ｃｍ^２／Ｖｓの移動度、および５．８×１０^２０／ｃｍ^３のキャリア濃度を有していた。得られた酸化錫系透明導電膜の透過率（レファレンスとしてサファイア基板ｍ面配向基板）は、可視領域（３８０～７２０ｎｍ）で平均８０．８％であった。サファイア基板上に成膜された酸化錫系透明導電膜をそのまま測定用フォルダーにセットして、Ｘ線回折測定を行った。得られたＸ線回折パターンには、図１４に示すように（００２）配向由来のピークのみが観察され、（００２）配向の単結晶構造であることを確認した。また、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を１０分加えても、スパッタリングターゲットに割れが発生しなかった。さらに、異常放電もほとんど発生せずに均一な酸化錫系透明導電膜を効率よく形成することができた。

（実施例４３）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および金属Ｔａ粉末（Ｔａ、（株）高純度化学研究所製）を、６８：３０：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径１９５．２ｍｍ、内径１８９．６ｍｍ、容器内部の高さ１５０ｍｍ）に充填した。充填率は５８．７％であった。８００℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、マルチワイヤーソーを用いてカプセル容器ごと１９枚に切断し、得られた１９枚の切断物の外殻に切れ目を入れ、外殻を裂くようにして剥離し、プレート状の焼結体を得た。焼結体は容易に取り出すことができた。

　得られた酸化錫系焼結体は９７．３％の相対密度を有し、１．１８×１０^－２Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。機械的特性として、抗折強度（三点曲げ試験）を測定したところ、５９．８ＭＰａであった。

　酸化錫系焼結体のＸ線回折測定およびビデオマイクロスコープの結果は、実施例１～４、９、１３、１５～３８、４０～４３においてはほぼ同様の結果が得られている。一例として、実施例１５のＸ線回折パターン（図１５）およびビデオマイクロスコープによる観察結果（図１６）を示す。なお、図１６（Ａ）は倍率１０倍で観察した結果であり、図１６（Ｂ）は倍率２０倍で観察した結果であり、図１６（Ｃ）は倍率５０倍で観察した結果である。ビデオマイクロスコープの測定条件は以下のとおりである。
＜ビデオマイクロスコープ測定条件＞
・デジタルマイクロスコープ
　　メーカー：（株）ハイロックス
　　型番：ＫＨ－７７００
・レンズユニット
　　型式：ＭＸＧ－２０１６Ｚ
　　レンズ：ＭＸ（Ｇ）－２０１６Ｚ:Ｎｏｒｍａｌ:×４０
　　Ｈ視野：７．６８３ｍｍ
　　分解能：０．００４８０２ｍｍ

　また、実施例２６、２９、３８および４２で得られた酸化錫系透明導電膜のＡＦＭ（原子間力顕微鏡）による表面観察における結果を図１７（Ａ）～（Ｄ）に示し、市販（従来）品のＦＴＯ（日本板硝子（株）製、ＮＳＧ ＴＥＣ^ＴＭ ７（膜厚：０．６０５μｍ）およびＮＳＧ ＴＥＣ^ＴＭ １５（膜厚：０．３９μｍ））のＡＦＭによる表面観察における結果を図１８（Ａ）および（Ｂ）に示す。

　実施例２６で得られた酸化錫系透明導電膜の表面粗さ（Ｒａ）は１．３ｎｍ（図１７（Ａ））、実施例２９で得られた酸化錫系透明導電膜のＲａは５．５ｎｍ（図１７（Ｂ））、実施例３８で得られた酸化錫系透明導電膜のＲａは２．６ｎｍ（図１７（Ｃ））、実施例４２で得られた酸化錫系透明導電膜のＲａは０．３４ｎｍ（図１７（Ｄ））であり、いずれも小さい値であった。一方、市販品であるＮＳＧ ＴＥＣ^ＴＭ ７のＲａは２９．４ｎｍ（図１８（Ａ））であり、ＮＳＧ ＴＥＣ^ＴＭ １５のＲａは１０．４ｎｍ（図１８（Ｂ））であり、いずれも１０ｎｍを超えていた。

　したがって、本発明の酸化錫系透明導電膜は、太陽電池用の受光素子電極としても、好適に利用することが期待できる。各実施例の酸化錫系透明導電膜と市販（従来）品とのＦＴＯの観察に用いたＡＦＭ（原子間力顕微鏡）は、（株）日立ハイテクサイエンス製の走査型プローブ顕微鏡（原子間力顕微鏡）（型式：NanoNaviReals/Nanocuteセット）を使用した。

（比較例１）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化タンタル（Ｖ）粉末（Ｔａ_２Ｏ_５、和光純薬工業（株）製）を、９８：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。

　得られた成形体をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は５７．４％であった。９５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り外して円柱型の酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は８１．３％の相対密度を有し、比抵抗はオーバーロード（Ｏ．Ｖ．）であり、得られた酸化錫系焼結体は絶縁体であった。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相が一部存在しており、金属Ｓｎ相は存在していなかった。比較例１と同様にスパッタリングターゲットを作製し、ＤＣスパッタリング法により成膜を試みた。しかし、ターゲット（酸化錫系焼結体）が絶縁体であり、さらに相対密度も低すぎるため、プラズマを発生させることができなかった。

（比較例２）
　実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末および比較例２で用いた酸化タンタル（Ｖ）粉末を、９８：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を、黒鉛からなる金型（ダイス、直径１００ｍｍ）に入れた。次いで、アルゴン（Ａｒ）雰囲気下、黒鉛からなるパンチにて５０ＭＰａの圧力で加圧した。加圧後、約５分間で室温から８００℃まで昇温し、８００℃で１０分間放電プラズマ（ＳＰＳ）焼結を行った。直径約５０．８ｍｍおよび厚さ約４ｍｍの円盤型を有する酸化錫系焼結体を得た。

　得られた酸化錫系焼結体は９１．７％の相対密度を有し、３．８×１０^－１Ω・ｃｍの比抵抗を有していた。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相および金属Ｓｎ相も一部存在しており、金属Ｓｎ相が偏析することなく均一に分散していた。

　得られた酸化錫系焼結体を用いた以外は、実施例１と同様の手順でスパッタリングターゲットを得た。得られたスパッタリングターゲットは高密度であるものの、比抵抗が３．８×１０^－１Ω・ｃｍと少し高めであった。得られたスパッタリングターゲットを用いて、比較例１スパッタリング条件の酸素分圧を「Ｏ_２／Ａｒ　０％」に変更した以外は、実施例１と同様の手順でＤＣスパッタリング法により透明基材（無アルカリガラス基板）上に酸化錫系透明導電膜の成膜を試みた。成膜中、スパッタリング中の電流値および電圧値の大きな変動はなく、安定したＤＣスパッタリングが可能であった。しかし、１２Ｗ／ｃｍ^２の電力密度の電力を加えると、ターゲットに割れが発生し、異常放電が多発した。ターゲットの機械的強度が小さいため、電力を大きくすると発生する熱応力に耐えることができなかった。

（比較例３）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末および酸化タンタル（Ｖ）粉末（Ｔａ_２Ｏ_５、和光純薬工業（株）製）を、９８：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、さらに成形圧３０００ｋｇ/ｃｍ^２にて３分間ＣＩＰ成形して円柱型の成形体を得た。得られた成形体の相対密度は５２．９％であった。

　得られた成形体を大気雰囲気中にて１６００℃で８時間常圧焼結を行い、酸化錫系焼結体を得た。得られた酸化錫系焼結体は５０．９％の相対密度を有し、比抵抗はオーバーロード（Ｏ．Ｖ．）であり、得られた酸化錫系焼結体は絶縁体であった。また、Ｘ線回折およびビデオマイクロスコープによって、得られた酸化錫焼結体の結晶構造および表面状態を観察した。結晶相は大部分がＳｎＯ_２相であり、Ｓｎ_２Ｔａ_２Ｏ_７相が一部存在しており、金属Ｓｎ相は存在していなかった。得られた酸化錫系焼結体は、相対密度が低すぎ、機械的強度も弱いため、機械加工でスパッタリングターゲットを作製することができなかった。

（比較例４）
　実施例４で用いた酸化錫（ＩＶ）粉末、実施例１で得られた高密度酸化錫（ＩＩ）粉末、および実施例１で用いた金属タンタル粉末を、９６：２：２のモル比となるように混合して混合物を得た。得られた混合物をスーパーミキサーにて、３０００ｒｐｍで６０分間、乾式混合を行って混合粉末を得た。得られた混合粉末を５００ｋｇ／ｃｍ^２にて３分間、一軸プレスを行い、得られた成形体を粉末状に粉砕してタップ密度を測定した。得られた粉末は２．４ｇ／ｃｍ^３のタップ密度を有していた。

　得られた粉末をステンレス（ＳＵＳ３０４）製のカプセル容器（外径８９．１ｍｍ、内径８４．９ｍｍ、容器内部の高さ５０ｍｍ）に充填した。充填率は３３．６％であった。９５０℃で実施した以外は、実施例１と同様の手順でカプセルＨＩＰ処理を行った。処理後、カプセル容器を取り出すと、カプセル容器の一部が破裂していた。カプセル容器の内部にアルゴンガス（Ａｒ）が侵入し、酸化錫系焼結体を作製することができなかった。充填率が３３．６％と低く、カプセル容器の収縮率が６６．４％となるため、粉末の収縮にカプセル容器の収縮が追随できず、カプセル容器が破裂したと推察される。

Claims (19)

1. 　実質的に錫および酸素からなり、体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満であることを特徴とする酸化錫系焼結体。
2. 　焼結体中に金属錫が偏析することなく均一に分散している請求項１に記載の酸化錫系焼結体。
3. 　９５％以上の相対密度を有する請求項１または２に記載の酸化錫系焼結体。
4. 　カチオンドーパントおよびアニオンドーパントの少なくとも一方をさらに含む請求項１～３のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
5. 　前記カチオンドーパントが、５ｍｏｌ％以下の割合で含有される請求項４に記載の酸化錫系焼結体。
6. 　前記アニオンドーパントが、２０ｍｏｌ％以下の割合で含有される請求項４または５に記載の酸化錫系焼結体。
7. 　前記カチオンドーパントが、タンタル、アンチモンおよびニオブからなる群より選択される少なくとも１種である請求項４～６のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
8. 　前記アニオンドーパントが、フッ素および塩素の少なくとも１種である請求項４～７のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
9. 　前記カチオンドーパントとしてタンタルと、前記アニオンドーパントとしてフッ素とを含む請求項４～８のいずれかに記載の酸化錫系焼結体。
10. 　請求項１～９のいずれかに記載の酸化錫系焼結体を含むターゲット。
11. 　少なくとも酸化錫粉末（ＩＩ）を含む原料粉末を得る工程と、
    　前記原料粉末を充填率が４０％以上となるように金属カプセルに充填する工程と、
    　前記金属カプセルに充填された原料粉末をカプセルＨＩＰ法に供して、焼結体を得る工程と、
    を含む酸化錫系焼結体の製造方法。
12. 　実質的に錫および酸素からなる酸化錫系焼結体を形成する工程と、
    　酸化錫系焼結体からターゲットを形成する工程と、
    　ターゲットをＤＣスパッタリング法に供して、酸化錫系透明導電膜を形成する工程と、
    を含み、
    　酸化錫系焼結体中に、金属錫が偏析することなく均一に分散しており、
    　酸化錫系焼結体の体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満である
    酸化錫系透明導電膜の製造方法。
13. 　前記酸化錫系焼結体が、タンタルおよびフッ素の少なくとも１種をドーパントとしてさらに含む請求項１２に記載の製造方法。
14. 　前記酸化錫系透明導電膜が、８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下の体積抵抗率を有する請求項１２または１３に記載の製造方法。
15. 　体積抵抗率が８．０×１０^－４Ω・ｃｍ以下である酸化錫系透明導電膜。
16. 　前記酸化錫系透明導電膜の結晶配向性が、実質的に（１０１）配向からなる請求項１５に記載の酸化錫系透明導電膜。
17. 　請求項１０に記載のターゲットから形成される酸化錫系半導体膜。
18. 　請求項１７に記載の酸化錫系半導体膜を含む半導体ガスセンサー。
19. 　実質的に錫および酸素からなる酸化錫系焼結体を形成する工程と、
    　酸化錫系焼結体からターゲットを形成する工程と、
    　ターゲットをＤＣスパッタリング法に供して、酸化錫系半導体膜を形成する工程と、
    を含み、
    　酸化錫系焼結体中に、金属錫が偏析することなく均一に分散しており、
    　酸化錫系焼結体の体積抵抗率が１．０×１０^－１Ω・ｃｍ未満である、
    酸化錫系半導体膜の製造方法。

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