WO2019054148A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５で表される含フッ素エーテル化合物。（Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖；Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、置換基を有しても良いアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基、水素原子のいずれか；－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は式（２）、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は式（３）で表される。） －［Ａ］－［Ｂ］－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３　（２） Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－［Ｃ］－［Ｄ］－　（３） （［Ａ］は式（４）、［Ｂ］は式（５）、［Ｃ］は式（６）、［Ｄ］は式（７）で表さられ、式中のａおよびｂは０～２の整数、ｃは２～５の整数、ｄおよびｆは０～２の整数、ｅは２～５の整数。式中のｂとｄの少なくとも一方が１以上である。）

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、磁気記録媒体の潤滑剤用途に好適な含フッ素エーテル化合物、それを含む磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０１７年９月１３日に、日本に出願された特願２０１７－１７６０３０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基等の極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１～３参照）。
　例えば、特許文献１には、両方の末端部分に複数のヒドロキシル基を有し、該ヒドロキシル基間の最短距離が３原子以上離れている置換基が配置された化合物が開示されている。また、特許文献２には、片方の末端に芳香族を有し、他方の末端に水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物が開示されている。また、特許文献３には、パーフルオロポリエーテル主鎖を有し、分子の末端に芳香族基とヒドロキシル基を有し、芳香族基とヒドロキシル基はそれぞれ異なる炭素原子と結合している化合物が開示されている。

特許第４６３２１４４号公報 特許第５９０９８３７号公報 特許第５４６５４５４号公報

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、潤滑層の被覆性が低下して、磁気記録媒体の耐摩耗性が低下する傾向がある。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた信頼性および耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを課題とする。

　本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
　その結果、パーフルオロポリエーテル鎖と、両末端基との間にそれぞれ、エーテル結合（－Ｏ－）とメチレン基（－ＣＨ_２－）と１つの水素原子が水酸基で置換されたメチレン基（－ＣＨ（ＯＨ）－）とを組み合わせた特定構造を有する連結基を配置した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
　すなわち、本発明は以下の事項に関する。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　（１）
（式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ^１はＲ^２に結合された末端基であり、Ｒ^５はＲ^４に結合された末端基であり、Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、置換基を有しても良いアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基、及び水素原子のいずれかであり、－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は下記式（２）で表され、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は下記式（３）で表される。）
－［Ａ］－［Ｂ］－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３　　（２）
Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－［Ｃ］－［Ｄ］－　　（３）
（式（２）中、［Ａ］は下記式（４）で表わされ、［Ｂ］は下記式（５）で表わされ、式（２）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えても良い。）
（式（３）中、［Ｃ］は下記式（６）で表わされ、［Ｄ］は下記式（７）で表わされ、式（３）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えても良い。）

（式（４）中のａおよび式（５）中のｂは０～２の整数であり、式（５）中のｃは２～５の整数であり、式（６）中のｄおよび式（７）中のｆは０～２の整数であり、式（６）中のｅは２～５の整数であり、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である。）

［２］　前記置換基を有しても良いアルキル基が、水酸基またはシアノ基を有する炭素数１～６のアルキル基である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］　前記二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基が、芳香族環を含む基、複素環を含む基、アルケニル基、アルキニル基のいずれかである［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［４］　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（８）～（１０）のいずれかである［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（８）
（式（８）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す。但し、_ｍまたは_ｎが０．１以上である。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｙ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
（式（９）中のｙは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０）
（式（１０）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
［５］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内にある［１］～［４］のいずれかに記載に含フッ素エーテル化合物。

［６］　［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
［７］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［８］　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである［７］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が設けられているものであるため、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。例えば、本発明は以下の例のみに限定されることは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、比率、材料、構成等について、付加、省略、置換や、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　（１）（式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^１はＲ^２に結合された末端基であり、Ｒ^５はＲ^４に結合された末端基である。Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、置換基を有しても良いアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基、水素原子のいずれかである。－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は下記式（２）で表され、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は下記式（３）で表される。）

－［Ａ］－［Ｂ］－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３　　（２）
Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－［Ｃ］－［Ｄ］－　　（３）
（式（２）中、［Ａ］は下記式（４）で表わされ、［Ｂ］は下記式（５）で表わされ、式（２）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えても良い。）
（式（３）中、［Ｃ］は下記式（６）で表わされ、［Ｄ］は下記式（７）で表わされ、式（３）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えても良い。）

（式（４）中のａおよび式（５）中のｂは０～２の整数であり、式（５）中のｃは２～５の整数であり、式（６）中のｄおよび式（７）中のｆは０～２の整数であり、式（６）中のｅは２～５の整数であり、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である。）

　ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性が得られる理由について説明する。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）に示すように、Ｒ^３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（以下「ＰＦＰＥ鎖」と略記する場合がある。）を有する。ＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。

　また、式（１）における－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は式（２）で表され、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は式（３）で表される。式（２）中、［Ａ］は式（４）で表わされ、［Ｂ］は式（５）で表わされる。式（３）中、［Ｃ］は式（６）で表わされ、［Ｄ］は式（７）で表わされる。式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である。
　したがって、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^２とＲ^４に合計で１以上の水酸基を含む。Ｒ^２、Ｒ^４に含まれる水酸基は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させて、耐摩耗性を向上させる。よって、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、厚みを薄くしても、優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できると推定される。

　また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、他の化合物と比較した場合、優れた効果が得られる。例えば、式（１）において、－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は式（２）で表され、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は式（３）で表され、式（２）中、［Ａ］は式（４）で表わされ、［Ｂ］は式（５）で表わされ、式（３）中、［Ｃ］は式（６）で表わされ、［Ｄ］は式（７）で表わされ、式（５）中のｂと式（６）中のｄが０（ゼロ）であり、式（４）中のａと式（７）中のｆの少なくとも一方が１以上である、（言い換えると、［Ｂ］と［Ｃ］を含まず［Ａ］と［Ｄ］の少なくとも一方を含む）、化合物と比較して、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、以下に示す効果が得られる。

　すなわち、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である（言い換えると、［Ｂ］と［Ｃ］の少なくとも一方を含む）。このため、ｂとｄが０（ゼロ）でａとｆの少なくとも一方が１以上である化合物と比較して、Ｒ^２（Ｒ^４）中の最もＲ^３に近い水酸基とＲ^１（Ｒ^５）との距離が長い。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、含フッ素エーテル化合物内の相互作用（例えば水素結合）が小さく、含フッ素エーテル化合物中のＲ^１（Ｒ^５）および水酸基と、保護層との親和性が高いものとなり、その結果、良好な耐摩耗性が得られると推定される。

　Ｒ^２は二価の連結基であり、－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は上記式（２）で表される。式（２）中、［Ａ］は上記式（４）で表わされ、［Ｂ］は上記式（５）で表わされる。式（４）中のａおよび式（５）中のｂは０～２の整数であり、式（５）中のｃは２～５の整数である。

　式（４）中のａおよび式（５）中のｂは、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性をより向上させるために、少なくとも一方が１以上である（すなわち式（２）が［Ａ］と［Ｂ］の少なくとも一方を含む）ことが好ましい。式（４）中のａと式（５）中のｂとの合計は、４以下であり、２以下であることが好ましい。式（４）中のａと式（５）中のｂとの合計が２以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止でき、好ましい。
　式（５）中のｃは２～５の整数であり、２～４の整数であることが好ましく、２であることが最も好ましい。式（５）中のｃが２～５の整数であると、式（５）中の水酸基とＲ^１との距離および／または式（５）中の水酸基同士の距離が適切となり、好ましい。

　式（２）中の－Ｒ^２－は、下記式（１１）～式（１３）で表されるいずれかの構造であることが好ましい。式（１１）～式（１３）で表される構造では、最も左側に配置された酸素原子にＲ^１が結合される。式（１１）～式（１３）中において、ａは式（４）中のａの数値であり、ｂおよびｃはそれぞれ式（５）中のｂ、ｃの数値である。
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、式（２）中の－Ｒ^２－は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

　Ｒ^４は二価の連結基であり、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は上記式（３）で表される。式（３）中、［Ｃ］は上記式（６）で表わされ、［Ｄ］は上記式（７）で表わされる。式（６）中のｄおよび式（７）中のｆは０～２の整数であり、式（６）中のｅは２～５の整数である。

　式（６）中のｄおよび式（７）中のｆは、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性をより向上させるために、少なくとも一方が１以上である（すなわち式（３）が［Ｃ］と［Ｄ］の少なくとも一方を含む）ことが好ましい。式（６）中のｄと式（７）中のｆとの合計は、４以下であり、２以下であることが好ましい。式（６）中のｄと式（７）中のｆとの合計が２以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止でき、好ましい。
　式（６）中のｅは２～５の整数であり、２～４の整数であることが好ましく、２であることが最も好ましい。式（６）中のｅが２～５の整数であると、式（６）中の水酸基とＲ^５との距離および／または式（６）中の水酸基同士の距離が適切となり、好ましい。

　式（３）中の－Ｒ^４－は、下記式（１４）～式（１７）で表されるいずれかの構造であることが好ましい。式（１４）～式（１７）で表される構造では、最も右側に配置された酸素原子にＲ^５が結合される。式（１４）～式（１７）中において、ｄおよびｅはそれぞれ式（６）中のｄ、ｅの数値であり、ｆは式（７）中のｆの数値である。
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、式（３）中の－Ｒ^４－は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

　　　　

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である。したがって、式（４）中のａと式（７）中のｆが共に０（ゼロ）であって、式（５）中のｂと式（６）中のｄの一方が０（ゼロ）である（すなわち［Ａ］と［Ｄ］を含まず［Ｂ］と［Ｃ］の少なくとも一方を含む）場合、式（１）におけるＲ^２またはＲ^４のうち、いずれか一方のみを有する含フッ素エーテル化合物となる。

　本実施形態では、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上であって、式（４）中のａと式（５）中のｂとの合計および式（６）中のｄと式（７）中のｆとの合計が１以上であることが好ましい。
　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、より良好な耐摩耗性が得られるように、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である場合、Ｒ^２は[Ｂ]を含むことが好ましい。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、より良好な耐摩耗性が得られるように、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^１が水素原子である場合、Ｒ^４は[Ｃ]を含むことが好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^２に含まれる水酸基（－ＯＨ）の数とＲ^４に含まれる水酸基の数との合計は１以上であり、２以上であることが好ましく、Ｒ^２とＲ^４にそれぞれ１以上の水酸基が含まれていることがより好ましい。Ｒ^２とＲ^４にそれぞれ１以上の水酸基が含まれていると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物と保護層との密着性がより良好となり、好ましい。
　Ｒ^２に含まれる水酸基の数とＲ^４に含まれる水酸基の数との合計は、８以下であり、６以下であることが好ましく、４以下であることがより好ましい。Ｒ^２に含まれる水酸基の数とＲ^４に含まれる水酸基の数との合計が８以下であると、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止でき、より好ましい。

　上記式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１はＲ^２に結合された末端基であり、Ｒ^５はＲ^４に結合された末端基である。
　Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、置換基を有しても良いアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基、水素原子のいずれかである。置換基を有しても良いアルキル基、および二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含むものであってもよい。

　置換基を有してもよいアルキル基におけるアルキル基としては、炭素数１～８のアルキル基であることが好ましく、炭素数１～６のアルキル基であることがより好ましい。具体的には、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基が挙げられ、直鎖であってもよいし、分岐を有していてもよい。

　置換基を有してもよいアルキル基における置換基としては、例えば、ハロゲノ基、アルコキシ基、水酸基、シアノ基などが挙げられる。置換基を有してもよいアルキル基がこれらの置換基を有する場合、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
　ハロゲノ基を有するアルキル基としては、例えば、トリフロロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、オクタフルオロペンチル基、トリデカフロオロオクチル基などが挙げられる。

　置換基として水酸基を有するアルキル基としては、例えば、下記式（１８）で示されるアルキル基が挙げられる。Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方が、式（１８）で示されるアルキル基であると、この含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と保護層との親和性がより一層良好となり、好ましい。

（式（１８）中、Ｒ_６は炭素数１～４のアルキル基または水素原子であり、ｈは１～６の整数を表す。）

　式（１８）中、Ｒ_６は炭素数１～４のアルキル基または水素原子であり、水素原子であることが好ましい。式（１８）で表される構造では、左側がＲ^２またはＲ^４と結合される。式（１８）中、ｈは１～６の整数を表し、１～４の整数であることが好ましい。式（１８）中の炭素数（Ｒ_６に含まれる炭素数とｈとの合計数）が１～６であると、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低いことによる分子全体の表面自由エネルギーの低下がなく、好ましい。

　置換基としてシアノ基を有するアルキル基としては、例えば、下記式（１９）で示されるアルキル基が挙げられる。

（式（１９）中、Ｒ_６は炭素数１～４のアルキル基または水素原子であり、ｉは１～６の整数を表す。）

　式（１９）中、Ｒ_６は炭素数１～４のアルキル基または水素原子であり、水素原子であることが好ましい。式（１９）で表される構造は、左側がＲ^２またはＲ^４と結合される。
式（１９）中、ｉは１～６の整数を表し、１～４の整数であることが好ましい。式（１９）中の炭素数（Ｒ_６に含まれる炭素数とｉとの合計数）が１～６であると、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低いことによる分子全体の表面自由エネルギーの低下がなく、好ましい。

　二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基としては、例えば、芳香族環を含む基、複素環を含む基、アルケニル基、アルキニル基などが挙げられる。具体的には、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基とすることができる。

　二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基としては、上記の中でも特に、フェニル基、メトキシフェニル基、チエニルエチル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基のいずれかであることが好ましく、フェニル基、チエニルエチル基、アリル基、ブテニル基がさらに好ましい。二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基が、フェニル基、チエニルエチル基、アリル基、ブテニル基のいずれかである場合、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。
　上記の二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、シアノ基などの置換基を有していても良い。

　上記式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ^３は、特に限定されるものではなく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。ＰＦＰＥ鎖としては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド重合体、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体、これらの共重合体からなるものなどが挙げられる。

　具体的には、式（１）におけるＲ^３は、下記式（８）～（１０）のいずれかであることが好ましい。なお、式（８）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（８）は、モノマー単位（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。

－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（８）
（式（８）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す。但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｙ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
（式（９）中のｙは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０）
（式（１０）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

　式（９）および式（１０）におけるｙ、ｚがそれぞれ０．１～３０であると、及び、式（８）におけるｍ、ｎがそれぞれ０～３０であって、ｍまたはｎが０．１以上であると、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。しかし、ｍ、ｎ、ｙ、ｚがそれぞれ３０を超えると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなり、これを含む潤滑剤が塗布しにくいものとなる場合がある。したがって、ｍ、ｎ、ｙ、ｚは３０以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましい。

　式（１）におけるＲ^３が、式（８）～式（１０）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。Ｒ^３が式（８）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
　また、Ｒ^３が、式（８）～式（１０）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の、炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が、適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ^３が式（８）～（１０）のいずれかである場合、良好な耐摩耗性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１とＲ^５は同じであってもよいし、異なっていても良い。Ｒ^１とＲ^５が同じであると、容易に製造できるため好ましい。
　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２とＲ^４は同じであってもよいし、異なっていても良い。Ｒ^２とＲ^４が同じであると、容易に製造できるため好ましい。
　したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物のＲ^１とＲ^５が同じで、かつＲ^２とＲ^４が同じあると、より容易に製造でき、好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）～（Ｑ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（Ａ）～（Ｌ）、及び（Ｎ）～（Ｑ）中の繰り返し数ｍ、ｎ、および式（Ｍ）中の繰り返し数ｚは、平均値を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。

　式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１が芳香族環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１が芳香族環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１が芳香族環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。

　式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。

　式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１が複素環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１が複素環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１が複素環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。

　式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。
　式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ａ］と［Ｂ］を有し、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。
　式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ａ］と［Ｂ］を有し、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］と［Ｄ］を有し、Ｒ^５がアルケニル基である。式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１、Ｒ^５が同じで、Ｒ^２、Ｒ^４が同じである。

　式（Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（１０）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基である。
　式（Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１が芳香族環を含む基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が芳香族環を含む基であり、Ｒ^１、Ｒ^５が同じで、Ｒ^２、Ｒ^４が同じである。
　式（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^１が末端に水酸基を有するアルキル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が末端に水酸基を有するアルキル基であり、Ｒ^１、Ｒ^５が同じで、Ｒ^２、Ｒ^４が同じである。

　式（Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ａ］と［Ｂ］を有し、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｄ］のみであり、Ｒ^５が末端にシアノ基を有するアルキル基である。
　式（Ｑ）で表される化合物は、Ｒ^１がアルケニル基であり、Ｒ^２が［Ｂ］のみであり、Ｒ^３が式（８）であり、Ｒ^４が［Ｃ］のみであり、Ｒ^５が末端にシアノ基を有するアルキル基である。

　以下に、式（Ａ）～（Ｔ）で表される化合物を示す。

（式（Ａ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｂ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｃ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｄ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｅ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｆ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｇ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｈ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｉ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｊ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｋ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｌ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｍ）中、ｚは平均重合度を示し、ｚは１～３０を表す。）

（式（Ｎ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｏ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｐ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

（式（Ｑ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

 
（式（Ｒ）中、ｍは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表す。）

 
（式（Ｓ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

 
（式（Ｔ）中、ｍ、ｎは平均重合度を示し、ｍは１～３０を表し、ｎは０～３０を表す。）

　式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｔ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、厚みが薄くても優れた耐摩耗性が得られる潤滑層を形成できるため好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　まず、式（１）におけるＲ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。

　次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－からなる基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における－Ｒ^４－Ｒ^５からなる末端基に置換する（第２反応）。
　第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。Ｒ^１、Ｒ^５が同じで、Ｒ^２、Ｒ^４が同じである場合、第１反応と第２反応とを同時に行ってもよい。
　以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。

　本実施形態においては、Ｒ^２が式（２）、Ｒ^４が式（３）で表される含フッ素エーテル化合物を製造するために、エポキシ化合物を用いることが好ましい。このエポキシ化合物は、市販品を購入することもできるが、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１またはＲ^５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－ブロモエチルオキシランから選ばれるいずれかとを用いて合成できる。また、不飽和結合を酸化して合成してもよい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。したがって、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成すると、式（１）においてＲ^３で表されるＰＦＰＥ鎖によって、保護層の表面が被覆されるとともに、磁気ヘッドと保護層との摩擦力が低減される。また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて形成した潤滑層では、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基と、Ｒ^２とＲ^４の少なくとも一方の有する１以上の水酸基との間における分子内相互作用および／またはＲ^１およびＲ^５で表される末端基と保護層の相互作用により、優れた耐摩耗性が得られる。

　また、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、ＰＦＰＥ鎖が、ＰＦＰＥ鎖に連結されたＲ^２とＲ^４の少なくとも一方の有する１以上の水酸基と保護層との結合によって、保護層上に密着される。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物によれば、潤滑層と保護層とが強固に結合され、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。上限は任意に選択できるが、例を挙げれば、９９質量％以下であっても良く、９５質量％以下であっても良く、９０質量％以下や、８５質量％以下であっても良い。

　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。

　また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層に密着（吸着）せずに存在している潤滑剤層中の含フッ素エーテル化合物が、凝集しにくい。よって、含フッ素エーテル化合物が凝集して、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制される。
　また、本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、式（１）におけるＲ^１およびＲ^５で表される末端基、Ｒ^２とＲ^４の少なくとも一方の有する１以上の水酸基との間における分子内相互作用および／または該末端基と保護層との相互作用により、優れた耐摩耗性を有する潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１は、任意に選択できる。基材１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された、非磁性基板等を好ましく用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上に、さらにＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を、基板１１として用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、任意に選択できるが、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、任意に選択できるが、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向や結晶サイズを制御するための層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいは、ＣｒＭｏ，ＣｏＷ，ＣｒＷ，ＣｒＶ，ＣｒＴｉの合金層などが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は任意に選択できるが、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は任意に選択できるが、好ましくは、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、及び、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい、磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
　保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して好ましく形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、任意に選択できるが、０．５ｎｍ（５Å）～２ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

　保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

　汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性化合物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。
このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面を被覆している。
よって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止されている。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少ないものである。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、優れた耐摩耗性を有する。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、優れた信頼性および耐久性を有する。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

「潤滑剤の製造」
（実施例１）
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。

　窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑ（ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０．０ｇと、下記式（２０）で示される化合物１．９７ｇと、ｔ－ブタノール１２ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．６７４ｇ加え、７０℃で８時間撹拌して反応させ、反応生成物を得た。
　式（２０）で示される化合物は、フェノールと２－ブロモエチルオキシランとを用いて合成した。

　得られた反応生成物を２５℃に冷却し、０．５ｍｏｌ／Ｌの塩酸で中和後、三井デュポンフロロケミカル社製バートレルＸＦ（以下、バートレルＸＦ）で抽出し、有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（２１）で示される化合物９．３１ｇを得た。

（式（２１）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）

　窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコに、上記式（２１）で示される化合物５．８１ｇと、下記式（２２）で示される化合物１．９０ｇと、ｔ－ブタノール５０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．１６８ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応が終了した液を室温に戻し、１０％の塩化水素・メタノール溶液２０ｇを加え、室温で１時間撹拌した。反応液を８％重曹水７０ｍＬが入ったビーカーに移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。
乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ａ）を３．７１ｇ得た。式（Ａ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ａ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．６～４．２（１４Ｈ）、６．９（５Ｈ）

（実施例２）
　式（２２）で示される化合物の代わりに、下記式（２３）で示される化合物を１．０３ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）を３．７５ｇ得た。式（Ｂ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（２３）で示される化合物は、３－ブテン－１－オールのヒドロキシ基を、ジヒドロピランを用いて保護し、二重結合を酸化させて合成した。

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｂ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．６～４．２（１６Ｈ）、６．９（５Ｈ）

（実施例３）
　式（２２）で示される化合物の代わりに、下記式（２４）で示される化合物を１．２１ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）を３．８４ｇ得た。式（Ｃ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（２４）で示される化合物は、エチレングリコールモノアリルエーテルのヒドロキシ基を、ジヒドロピランを用いて保護し、その後、二重結合を酸化して合成した。

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｃ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．６～４．２（１８Ｈ）、６．９（５Ｈ）

（実施例４）
　式（２０）で示される化合物の代わりに、式（２５）で表される化合物を１．５３ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、式（２６）で示される中間体を経て、化合物（Ｄ）を３．５６ｇ得た。式（Ｄ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（２５）で表される化合物は、アリルアルコールと２－ブロモエチルオキシランとを用いて合成した。

（式（２６）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｄ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．５～４．２（１６Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例５）
　式（２１）で示される化合物の代わりに、式（２６）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）を３．６０ｇ得た。式（Ｅ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｅ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．５～４．２（１８Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例６）
　式（２１）で示される化合物の代わりに、式（２６）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）を３．６９ｇ得た。式（Ｆ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｆ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．５～４．２（２０Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例７）
　式（２０）で示される化合物の代わりに、下記式（２７）で示される化合物を２．２１ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、式（２８）で示される中間体を経て、化合物（Ｇ）を３．７７ｇ得た。式（Ｇ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（２７）で表される化合物は、チオフェンエタノールと２－ブロモエチルオキシランとを用いて合成した。
　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｇ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５～４．２（１６Ｈ）、６．８～７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）

（式（２８）中、ｍは４．５であり、ｎは４．５である。）

（実施例８）
　式（２１）で示される化合物の代わりに、式（２８）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、化合物（Ｈ）を３．８１ｇ得た。式（Ｈ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｈ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５～４．２（１８Ｈ）、６．８～７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）

（実施例９）
　式（２１）で示される化合物の代わりに、式（２８）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）を３．９０ｇ得た。式（Ｉ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｉ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５～４．２（２０Ｈ）、６．８～７．０（２Ｈ）、７．２（１Ｈ）

（実施例１０）
　式（２４）で示される化合物の代わりに、式（２９）で示される化合物１．３０ｇを用いたこと以外は、実施例６と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）を３．９０ｇ得た。式（Ｊ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（２９）で示される化合物は、エチレングリコールの片側のヒドロキシ基をジヒドロピランで保護した化合物と、２－ブロモエチルオキシランとの反応で合成した。

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｊ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５～４．２（２０Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１１）
　式（２０）で示される化合物の代わりに、式（３０）で示される化合物を用いたこと以外は実施例３と同様な操作を行い、化合物（Ｋ）を３．９９ｇ得た。式（Ｋ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（３０）で示される化合物は、３－ブテン１－オールとエピクロロヒドリンとの反応物の片側二重結合基を酸化して合成した。

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｋ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、２．４（２Ｈ）、３．５～４．２（２５Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１２）
　窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑ（ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）５．０ｇと、式（３０）で示される化合物２．１６ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．３３７ｇ加え、７０℃で１２時間撹拌して反応させた。

　反応液を室温に戻し、水を４０ｍＬ加え、酢酸エチル８０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（Ｌ）を４．２９ｇ得た。式（Ｌ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｌ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、２．４（４Ｈ）、３．５～４．２（２８Ｈ）、５．１～５．３（４Ｈ）、５．９（２Ｈ）

（実施例１３）
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑ（ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｑは４．５であり、ｒは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｓは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇを用いたこと以外は、実施例（１０）と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）を３．８１ｇ得た。式（Ｍ）中、ｚは４．５である。

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｍ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、３．５～４．２（２０Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１４）
　式（３０）で表される化合物の代わりに、式（２０）で表される化合物１．６４ｇを用いたこと以外は、実施例（１２）と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）を３．９８ｇ得た。
式（Ｎ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｎ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、３．６～４．２（１４Ｈ）、６．９（１０Ｈ）

（実施例１５）
　式（３０）で表される化合物の代わりに、式（２９）で表される化合物２．１６ｇを用いたこと以外は、実施例（１２）と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）を３．７８ｇ得た。
式（Ｏ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｏ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、３．６～４．２（２２Ｈ）

（実施例１６）
　式（２４）で表される化合物の代わりに、式（３１）で表される化合物０．７６ｇを用いたこと以外は、実施例（１１）と同様な操作を行い、化合物（Ｐ）を４．０６ｇ得た。
式（Ｐ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（３１）で表される化合物は、エチレンシアノヒドリンとアリルブロマイドの反応物を酸化して合成した。

　得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｏ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、２．４（２Ｈ）、３．５～４．２（２５Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１７）
　式（２９）で示される化合物の代わりに、式（３２）で示される化合物０．８５ｇを用いたこと以外は、実施例１０と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）を３．８０ｇ得た。式（Ｑ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
　式（３２）で示される化合物は、エチレンシアノヒドリンと４－ブロモ－１－ブテンの反応物を酸化して合成した。

　得られた化合物（Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｑ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（４Ｈ）、３．１（２Ｈ）、３．５～４．２（２０Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１８）
　式（８）で示される化合物の代わりに、式（９）で示される化合物２０．５ｇを用いたこと以外は、実施例１１と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）を３．６２ｇ得た。式（Ｒ）中、ｍは４．５である。

得られた化合物（Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｒ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、２．４（２Ｈ）、３．５～４．２（２５Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例１９）
　式（２４）で示される化合物の代わりに、式（３３）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１１と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）を３．５５ｇ得た。式（Ｓ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
式（３３）で示される化合物は、エチレングリコールモノtert-ブチルエーテルとエピブロモヒドリンの反応物を加水分解した後、１級水酸基をtert-ブチルジメチルシリル基で保護し、次いで２級水酸基をテトラヒドロピラン基で保護した化合物からtert-ブチルジメチルシリル基を脱保護した化合物とエピブロモヒドリンから得た。

 
　　　　　　　　　　　　　　　　

得られた化合物（Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｓ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、２．４（２Ｈ）、３．５～４．２（３０Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

（実施例２０）
　式（２４）で示される化合物の代わりに、式（３４）で示される化合物を用いたこと以外は、実施例１１と同様な操作を行い、化合物（Ｔ）を３．６５ｇ得た。式（Ｔ）中、ｍは４．５、ｎは４．５である。
式（３４）で示される化合物は、シアノプロパノールとエピブロモヒドリンの反応物を加水分解した後、１級水酸基をtert-ブチルジメチルシリル基で保護し、次いで２級水酸基をテトラヒドロピラン基で保護した化合物からtert-ブチルジメチルシリル基を脱保護した化合物とエピブロモヒドリンから得た。

 
 
　　　　　　　　　　　　　　　　

得られた化合物（Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
化合物（Ｔ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．６～１．８（２Ｈ）、２．２～２．４（４Ｈ）、２．７（２Ｈ）、３．５～４．２（２８Ｈ）、５．１～５．３（２Ｈ）、５．９（１Ｈ）

「比較例１」
　下記式（Ｘ）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（Ｘ）中、ｊは４．５であり、ｋは４．５である。）

「比較例２」
　下記式（Ｙ）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（Ｙ）中、ｊは４．５であり、ｋは４．５である。）

「比較例３」
　下記式（Ｚ）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（Ｚ）中、ｊは４．５であり、ｋは４．５である。）

　このようにして得られた実施例１～２０および比較例１～３の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ^１～Ｒ^５の構造を表１～表２に示す。また、実施例１～２０および比較例１～３の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上述した^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１～表２に示す。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～２０および比較例１～３で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２０および比較例１～３の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～２０および比較例１～３で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０Åになるようにバートレルで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２０および比較例１～３の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

　このようにして得られた実施例１～２０および比較例１～３の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表３に示す。

　次に、実施例１～２０および比較例１～３の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
　ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナの球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。
　実施例１～２０の化合物および比較例１～３の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を表３に示す。摩擦係数増大時間の評価は、以下のとおりとした。なお摩擦係数増大時間は、数値が大きいほど、良い結果であると理解される。
◎：６５０ｓｅｃ以上
○：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×：４５０ｓｅｃ未満

　なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。

　表３に示すように、実施例１～２０の磁気記録媒体は、比較例１～３の磁気記録媒体と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。
　これは、実施例１～２０の磁気記録媒体では、潤滑層を形成している式（１）で表される化合物中の－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３が式（２）で表される連結基であり、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－が式（３）で表される連結基であることで、達成できたと推定される。
　また、実施例３，６，９では、実施例１，４，７と比較して、摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間が長く、耐摩耗性が良好であった。これは、実施例３，６，９の磁気記録媒体では、潤滑層中に含まれる式（１）で表される化合物のＲ^４に含まれる水酸基とＲ^５に含まれる水酸基との距離が長いため、保護層上で面方向に広がった状態で配置されやすいことによるものであると推定される。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐摩耗性を実現できる潤滑層を形成できる。
すなわち、本発明によれば、厚みが薄くても優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適な含フッ素エーテル化合物を提供できる。

　１０・・・磁気記録媒体
　１１・・・基板
　１２・・・付着層
　１３・・・軟磁性層
　１４・・・第１下地層
　１５・・・第２下地層
　１６・・・磁性層
　１７・・・保護層
　１８・・・潤滑層

Claims (8)

1. 　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
   　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｒ^５　　　（１）
   （式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖であり、Ｒ^１はＲ^２に結合された末端基であり、Ｒ^５はＲ^４に結合された末端基であり、Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、置換基を有しても良いアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基、及び水素原子のいずれかであり、－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３は下記式（２）で表され、Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－は下記式（３）で表される。）
   －［Ａ］－［Ｂ］－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３　　（２）
   Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－［Ｃ］－［Ｄ］－　　（３）
   （式（２）中、［Ａ］は下記式（４）で表わされ、［Ｂ］は下記式（５）で表わされ、式（２）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えても良い。）
   （式（３）中、［Ｃ］は下記式（６）で表わされ、［Ｄ］は下記式（７）で表わされ、式（３）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えても良い。）
   

   

   

   （式（４）中のａおよび式（５）中のｂは０～２の整数であり、式（５）中のｃは２～５の整数であり、式（６）中のｄおよび式（７）中のｆは０～２の整数であり、式（６）中のｅは２～５の整数であり、式（５）中のｂと式（６）中のｄの少なくとも一方が１以上である。）
2. 　前記置換基を有しても良いアルキル基が、水酸基またはシアノ基を有する炭素数１～６のアルキル基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
3. 　前記二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基が、芳香族環を含む基、複素環を含む基、アルケニル基、及びアルキニル基のいずれかである、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
4. 　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（８）～（１０）のいずれかである、請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   －ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（８）
   （式（８）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す。但し、_ｍまたは_ｎが０．１以上である。）
   －ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｙ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
   （式（９）中のｙは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
   －ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０）
   （式（１０）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
5. 　数平均分子量が５００～１００００の範囲内にある、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載に含フッ素エーテル化合物。
6. 　請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体用潤滑剤。
7. 　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体であって、前記潤滑層が、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする、磁気記録媒体。
8. 　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２ｎｍである、請求項７の磁気記録媒体。

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