WO2021251318A1

WO2021251318A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Info

Publication number: WO2021251318A1
Application number: PCT/JP2021/021500
Authority: WO
Inventors: 剛加藤; 綾乃浅野; 夏実芝田; 大輔柳生; 拓麻黒田; 直也福本
Original assignee: 昭和電工株式会社
Priority date: 2020-06-11
Filing date: 2021-06-07
Publication date: 2021-12-16
Also published as: JPWO2021251318A1; US20240002743A1; CN115667195B; CN115667195A

Abstract

下記式で表される含フッ素エーテル化合物とする。Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５（Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖；Ｒ^２は式（２）で表され、Ｒ^４は式（３）で表され、Ｒ^１およびＲ^５は水素原子または式（４）；式（２）中のａおよびｂは０～２の整数、ｃは２～５の整数；式（３）中のｄおよびｅは０～２の整数、ｆは２～５の整数；式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上；式（４）中のｋは３～６の整数。）

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２０年６月１１日に、日本に出願された特願２０２０－１０１５７５号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置における記録密度を高くするために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボンなどからなる保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。また、保護層は、記録層を被覆して、記録層に含まれる金属が環境物質により腐食されるのを防止する。

　しかし、磁気記録媒体の耐久性は、記録層上に保護層を設けただけでは十分には得られない。そのため、保護層の表面に潤滑剤を塗布して、厚さ０．５～３ｎｍ程度の潤滑層を形成している。潤滑層は、保護層の耐久性および保護力を向上させて、磁気記録媒体内部への汚染物質の侵入を防止する。
　また、保護層の表面に潤滑層を形成した後、磁気記録媒体の表面に存在する突起およびパーティクルを除去し、表面の平滑性を向上させるために、バーニッシュ工程を行う場合がある。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有し、末端に水酸基などの極性基を有するフッ素系のポリマーを含有するものがある。
　例えば、特許文献１～特許文献４には、末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルを含む潤滑層を含む磁気記録媒体が開示されている。

特許第５７８６０４７号公報特許第４６３２１４４号公報国際公開第２０１９／０５４１４８号国際公開第２０１９／０４９５８５号

　　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における保護層および潤滑層の厚みを薄くすることが求められている。
　しかしながら、保護層および／または潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となる場合があった。特に、潤滑層を形成した後の磁気記録媒体の表面に、テープバーニッシュを行った場合、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となりやすかった。このことから、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果の高い潤滑層が要求されている。

　　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が得られる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
　その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の一方または両方の端部と、末端水酸基（－ＯＨ）との間に、エーテル結合（－Ｏ－）と、直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基（－（ＣＨ_２）_ｑ－（式中のｑは２～５の整数である。）と、１つの水素原子が水酸基で置換されたメチレン基（－ＣＨ（ＯＨ）－）と、メチレン基（－ＣＨ_２－）とを組み合わせた特定構造の連結基を配置した含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
　すなわち、本発明は以下の事項に関する。本発明は以下の第一の態様を含む。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５　（１）
（式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２は下記式（２）で表される；Ｒ^４は下記式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^５は、水素原子または下記式（４）である。）

（式（２）中のａおよびｂは０～２の整数であり、ｃは２～５の整数である；式（３）中のｄおよびｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である；式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上である；式（４）中のｋは３～６の整数である。）

　本発明の第一の態様の化合物は、以下の[２]～［８］に述べる特徴を好ましく含む。これらの特徴は２つ以上を組み合わせることも好ましい。
［２］　前記式（２）中のａとｂとの合計が１または２である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［３］　前記式（１）中のＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－が、下記式（２－１）～（２－８）のいずれかである、［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－１）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－２）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－３）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－４）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－５）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－６）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－７）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－８）

［４］　前記式（３）中のｄとｅとの合計が１または２である［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［５］　前記式（１）中の－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５が、下記式（３－１）～（３－８）のいずれかである、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－１）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－２）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－３）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－４）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－５）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－６）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－７）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－８）
［６］　前記式（１）中のＲ^２およびＲ^４に含まれる水酸基の合計数が１～４である［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［７］　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（５）～（７）のいずれかである［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す；但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
　－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｇ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（６）
（式（６）中のｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（７）
（式（７）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

［８］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　本発明の第二の態様は、以下の潤滑剤である。
［９］　［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

　本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体である。
［１０］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１１］　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２．０ｎｍである［１０］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物である。このため、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が得られる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として用いることができる。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有するため、優れた耐腐食性を有する。このため、本発明の磁気記録媒体は、優れた信頼性および耐久性を有する。また、本発明の磁気記録媒体は、腐食抑制効果の高い潤滑層を有するため、保護層および／または潤滑層の厚みを薄くできる。

本発明の好ましい磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。例えば、本発明は以下の例のみに限定されることは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、比率、組成、種類、位置、材料、構成等について、付加、省略、置換や、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
　Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５　（１）
（式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２は下記式（２）で表される；Ｒ^４は下記式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^５は、水素原子または下記式（４）である。）

　式（１）中のＲ^１およびＲ^５は、水素原子または式（４）である。したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、鎖状構造の最末端に水酸基を有する。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。よって、保護層との密着性に優れる潤滑層となる。

　式（４）中のｋは３～６の整数であり、４～６の整数であることが好ましい。式（４）中のｋが３以上であるため、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である場合、Ｒ^１および／またはＲ^５は、Ｒ^２またはＲ^４の酸素原子と直鎖状に結合された３つ以上のメチレン基に、水酸基が結合されたものとなる。Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、Ｒ^１および／またはＲ^５の有する直鎖状に結合された３つ以上のメチレン基に含まれる炭素原子の疎水性によって、適切な疎水性を有する。その結果、潤滑層によって、磁気記録媒体内部への水の侵入を防止できる。これに対し、例えば、式（４）中のｋが１または２である場合、Ｒ^２またはＲ^４の酸素原子と直鎖状に結合されたメチレン基の数が不十分であるため、適切な疎水性が得られない。

　また、式（４）中のｋが６以下であるため、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である場合に、Ｒ^１および／またはＲ^５の疎水性が高すぎて保護層との密着性に支障を来すことがない。これらのことから、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　式（１）中のＲ^２は二価の連結基であり、式（２）で表される。式（２）中のａは０～２の整数であり、ｂは０～２の整数であり、ｃは２～５の整数である。式（２）中のａおよびｂが０である場合、Ｒ^２は単結合である。式（２）中のａとｂとの合計（Ｒ^２に含まれる水酸基の数）は０～４である。ａとｂとの合計が４以下であるので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体において、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎて異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。

　式（２）中のａとｂとの合計（Ｒ^２に含まれる水酸基の数）は、１～３であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ａとｂとの合計が１以上であると、Ｒ^２が１以上の極性基を含む含フッ素エーテル化合物となり、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。その結果、保護層との密着性が良好な潤滑層となる。ａとｂとの合計が３以下、より好ましくは２以下であると、分子の親水性が高すぎないことにより、適度な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となり、より好ましい。

　Ｒ^１が式（４）である場合、式（２）中のａとｂとの合計が１であることが好ましい。Ｒ^１が式（４）であって式（２）中のａとｂとの合計が１である場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中におけるＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－の占める割合が多くなりすぎることがない。よって、分子中にＲ^３で示されるパーフルオロポリエーテル鎖が十分に含まれるものとなり、より疎水性の良好な含フッ素エーテル化合物となる。

　式（２）中のｃは２～５の整数である。式（２）中のｃが２～５の整数であるので、式（２）中のｂが１または２である場合、Ｒ^２は、直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基（－（ＣＨ_２）_ｑ－（式中のｑは２～５の整数である。））を有する。式（２）中のｂが１または２である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、Ｒ^２の有する直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基に含まれる炭素原子の疎水性によって、適切な疎水性を有する。その結果、潤滑層によって、磁気記録媒体内部への水の侵入を防止できる。また、式（２）中のｃが５以下であるため、式（２）中のｂが１または２である場合に、Ｒ^２の疎水性が高すぎて保護層との密着性に支障を来すことがない。これらのことから、式（２）中のｂが１または２である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果のより高いものとなる。
　式（２）中のｃは、Ｒ^１が水素原子である場合、３～５の整数であることがより好ましく、４～５であることがさらに好ましい。式（２）中のｃは、Ｒ^１が式（４）である場合、２～３の整数であることがより好ましい。

　式（２）中のｂが０である場合、より適正な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となるため、Ｒ^１は式（４）であることが好ましい。

　式（２）中において［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂは［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａよりもＲ^１側に配置されている。このため、例えば、［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａが［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂよりもＲ^１側に配置されている場合と比較して、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。これは、以下に示す理由によるものであると推定される。

　例えば、［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａが［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂよりもＲ^１側に配置されている場合、［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａによって、酸素原子の結合しているメチレン基の間に、水酸基の結合している炭素原子が配置された構造が形成される。この構造は柔軟性が高いため、Ｒ^２は柔軟性の高いものとなる。このことにより、保護層上に形成された潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物におけるＲ^１－Ｒ^２が凝集しやすくなる。その結果、潤滑層中の［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂに含まれる疎水性の部分（直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基）が、保護層と反対側の面に向いた状態で配列されにくくなり、潤滑層の疎水性が不十分となって、磁気記録媒体の腐食抑制効果が不足するものと推定される。

　これに対し、［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂが［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａよりもＲ^１側に配置されている場合、［ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ａによって柔軟性が付与されても、Ｒ^２のうち、Ｒ^３で示されるパーフルオロポリエーテル鎖側の部分の柔軟性が高くなるのみで、Ｒ^１－Ｒ^２の柔軟性に与える影響は小さい。このため、潤滑層中における［Ｏ（ＣＨ_２）_ｃＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２］_ｂに含まれる疎水性の部分の配列に与える影響も小さく、潤滑層の疎水性が十分に確保されるものと推定される。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、式（１）中のＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。式（１）中のＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－は、下記式（２－１）～（２－８）のいずれかであることが好ましい。

　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－１）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－２）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－３）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－４）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－５）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－６）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－７）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－８）

　式（２－１）～（２－８）の構造を式（２）に当てはめたときのａ、ｂ、ｃはそれぞれ以下のとおりである。
式（２－１）：ａ＝０、ｂ＝１、ｃ＝２
式（２－２）：ａ＝０、ｂ＝１、ｃ＝３
式（２－３）：ａ＝０、ｂ＝１、ｃ＝４
式（２－４）：ａ＝０、ｂ＝１、ｃ＝５
式（２－５）：ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝２
式（２－６）：ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝３
式（２－７）：ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝４
式（２－８）：ａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝５

　式（１）中のＲ^４は二価の連結基であり、式（３）で表される。式（３）中のｄは０～２の整数であり、ｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である。式（３）中のｄおよびｅが０である場合、Ｒ^４は単結合である。式（３）中のｄとｅとの合計（Ｒ^４に含まれる水酸基の数）は０～４である。ｄとｅとの合計が４以下であるので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体において、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎて異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。

　式（３）中のｄとｅとの合計（Ｒ^４に含まれる水酸基の数）は、１～３であることが好ましく、１または２であることがより好ましい。ｄとｅとの合計が１以上であると、Ｒ^４が１以上の極性基を含む含フッ素エーテル化合物となり、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。その結果、保護層との密着性が良好な潤滑層となる。ｄとｅとの合計が３以下、より好ましくは２以下であると、分子の親水性が高すぎないことにより、適度な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となり、より好ましい。

　Ｒ^５が式（４）である場合、式（３）中のｄとｅとの合計が１であることが好ましい。Ｒ^５が式（４）であって式（３）中のｄとｅとの合計が１である場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中における－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５の占める割合が多くなりすぎることがない。よって、分子中にＲ^３で示されるパーフルオロポリエーテル鎖が十分に含まれるものとなり、より疎水性の良好な含フッ素エーテル化合物となる。

　式（３）中のｆは２～５の整数である。式（３）中のｆが２～５の整数であるため、式（３）中のｅが１または２である場合、Ｒ^４は、直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基（－（ＣＨ_２）_ｑ－（式中のｑは２～５の整数である。））を有する。式（３）中のｅが１または２である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、Ｒ^４の有する直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基に含まれる炭素原子の疎水性によって、適切な疎水性を有する。その結果、潤滑層によって、磁気記録媒体内部への水の侵入を防止できる。また、式（３）中のｆが５以下であるため、式（３）中のｅが１または２である場合に、Ｒ^４の疎水性が高すぎて保護層との密着性に支障を来すことがない。これらのことから、式（３）中のｅが１または２である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果のより高いものとなる。
　式（３）中のｆは、Ｒ^５が水素原子である場合、３～５の整数であることがより好ましく、４～５であることがさらに好ましい。式（３）中のｆは、Ｒ^５が式（４）である場合、２～３の整数であることがより好ましい。

　式（３）中のｅが０である場合、より適正な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となるため、Ｒ^５は式（４）であることが好ましい。

　式（３）中において［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅは［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ］_ｄよりもＲ^５側に配置されている。このため、例えば、［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ］_ｄが［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅよりもＲ^５側に配置されている場合と比較して、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。これは、以下に示す理由によるものであると推定される。

　例えば、［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ］_ｄが［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅよりもＲ^５側に配置されている場合、酸素原子の結合しているメチレン基の間に、水酸基の結合している炭素原子が配置された構造が形成される。この構造は柔軟性が高いため、Ｒ^４は柔軟性の高いものとなる。このことにより、保護層上に形成された潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物におけるＲ^４－Ｒ^５が凝集しやすくなる。その結果、潤滑層中の［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅに含まれる疎水性の部分（直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基）が、保護層と反対側の面に向いた状態で配列されにくくなり、潤滑層の疎水性が不十分となって、磁気記録媒体の腐食抑制効果が不足するものと推定される。

　これに対し、［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅが［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ］_ｄよりもＲ^５側に配置されている場合、［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ］_ｄによって柔軟性が付与されても、Ｒ^４－Ｒ^５の柔軟性に与える影響は小さい。このため、潤滑層中における［ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_ｆＯ］_ｅに含まれる疎水性の部分の配列に与える影響も小さく、潤滑層の疎水性が十分に確保されるものと推定される。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、式（１）中の－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。式（１）中の－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５は、下記式（３－１）～（３－８）のいずれかであることが好ましい。

　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－１）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－２）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－３）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－４）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－５）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－６）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－７）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－８）

　式（３－１）～（３－８）の構造を式（３）に当てはめたときのｄ、ｅ、ｆはそれぞれ以下のとおりである。
式（３－１）：ｄ＝０、ｅ＝１、ｆ＝２
式（３－２）：ｄ＝０、ｅ＝１、ｆ＝３
式（３－３）：ｄ＝０、ｅ＝１、ｆ＝４
式（３－４）：ｄ＝０、ｅ＝１、ｆ＝５
式（３－５）：ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝２
式（３－６）：ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝３
式（３－７）：ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝４
式（３－８）：ｄ＝１、ｅ＝１、ｆ＝５

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２およびＲ^４は、それぞれ０～４の水酸基を含む。式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上であるため、Ｒ^２に含まれる水酸基と、Ｒ^４に含まれる水酸基との合計数は、１～８である。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^２およびＲ^４に含まれる水酸基の合計数が１以上であるので、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合、保護層との密着性に優れる潤滑層が得られる。Ｒ^２およびＲ^４に含まれる水酸基の合計数が８以下であるので、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。Ｒ^２およびＲ^４に含まれる水酸基の合計数は、１～４であることが好ましく、２～３であることがより好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－と－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５は、同じであっても良いし、異なっていても良い。Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－と－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５が同じである場合、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となる。その結果、この含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、良好な被覆率を有するものとなりやすく、好ましい。また、Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－と－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５が同じである場合、Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－と－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５が異なる場合と比較して、少ない製造工程で効率よく製造できる。

　上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を、保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆する。また、潤滑層に潤滑性を付与して、磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。さらに、ＰＦＰＥ鎖は、その低い表面エネルギーによって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層に耐水性を付与し、潤滑層の設けられた磁気記録媒体の耐腐食性を向上させる。

　Ｒ^３は、ＰＦＰＥ鎖であればよく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。ＰＦＰＥ鎖としては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド重合体、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体、これらの共重合体からなるものなどが挙げられる。

　具体的には、式（１）におけるＲ^３は、下記式（５）～（７）のいずれかであることが好ましい。なお、式（５）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（５）は、モノマー単位（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。

　－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す；但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
　－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｇ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（６）
（式（６）中のｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（７）
（式（７）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

　式（５）における平均重合度を示すｍ、ｎはそれぞれ０～３０であり（但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）、式（６）おける平均重合度を示すｇは０．１～３０であり、式（７）における平均重合度を示すｚは０．１～３０である。ｍ、ｎ、ｇ、ｚが０．１以上であると、良好な耐摩耗性を有し、かつ磁気記録媒体の腐食をより抑制できる潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、ｍ、ｎ、ｇ、ｚがそれぞれ３０以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｍ、ｎ、ｇ、ｚはいずれも、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、２～２０であることが好ましく、３～８であることがより好ましい。ｍ、ｎ、ｇ、ｚは、必要に応じて、それぞれ、０．１～２５や、０．５～１８や、１～１５や、５～１０や、３～１０や、３～６などであってもよい。

　式（１）におけるＲ^３が、式（５）～式（７）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。Ｒ^３が式（５）または式（７）である場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
　また、Ｒ^３が、式（５）～式（７）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の、炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が、適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。

　特に、式（１）におけるＲ^３が、直鎖状に結合された３つの－ＣＦ_２－を含む繰り返し単位を有する式（７）である場合、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、ＰＦＰＥ鎖に起因する優れた疎水性によって、磁気記録媒体の腐食をより効果的に抑制できるものとなる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（１Ａ）～（１Ｐ）、（２Ａ）～（２Ｐ）、（３Ａ）～（３Ｐ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。なお、式（１Ａ）～（１Ｐ）中の繰り返し数ｚａ～ｚｐ、式（２Ａ）～（２Ｐ）中の繰り返し数ｙａ～ｙｐ、及び（３Ａ）～（３Ｐ）中の繰り返し数ｍａ～ｍｐ、ｎａ～ｎｐは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。

　式（１Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝３であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（１Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝５であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（１Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（１Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が式（４）であってｋ＝３である。

　式（１Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（１Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝６である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（７）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。

　式（２Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝３であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（２Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝５であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（２Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（２Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が式（４）でｋ＝３である。

　式（２Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（２Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝６である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であってｎ＝０である。Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。

　式（３Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝３であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（３Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝５であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（３Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝５である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝４である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４であり、Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１が水素原子であり、Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２であり、Ｒ^５が水素原子である。

　式（３Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝４である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝１であり、ｂ＝０である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝０であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が式（４）であってｋ＝３である。

　式（３Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝３である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝３である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。
　式（３Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^１が式（４）であってｋ＝６である。Ｒ^２が式（２）であってａ＝０であり、ｂ＝１であり、ｃ＝２である。Ｒ^３が式（５）であり、Ｒ^４が式（３）であってｄ＝１であり、ｅ＝１であり、ｆ＝２である。Ｒ^５が水素原子である。

（式（１Ａ）中のｚａは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｂ）中のｚｂは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｃ）中のｚｃは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｄ）中のｚｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｅ）中のｚｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｆ）中のｚｆは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｇ）中のｚｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

（式（１Ｈ）中のｚｈは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｉ）中のｚｉは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｊ）中のｚｊは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｋ）中のｚｋは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｌ）中のｚｌは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｍ）中のｚｍは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｎ）中のｚｎは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（１Ｐ）中のｚｐは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

（式（２Ａ）中のｙａは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｂ）中のｙｂは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｃ）中のｙｃは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｄ）中のｙｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｅ）中のｙｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｆ）中のｙｆは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｇ）中のｙｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

（式（２Ｈ）中のｙｈは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｉ）中のｙｉは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｊ）中のｙｊは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｋ）中のｙｋは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｌ）中のｙｌは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｍ）中のｙｍは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｎ）中のｙｎは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（２Ｐ）中のｙｐは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

（式（３Ａ）中のｍａ、ｎａは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｂ）中のｍｂ、ｎｂは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｃ）中のｍｃ、ｎｃは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｄ）中のｍｄ、ｎｄは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｅ）中のｍｅ、ｎｅは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｆ）中のｍｆ、ｎｆは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｇ）中のｍｇ、ｎｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

（式（３Ｈ）中のｍｈ、ｎｈは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｉ）中のｍｉ、ｎｉは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｊ）中のｍｊ、ｎｊは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｋ）中のｍｋ、ｎｋは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｌ）中のｍｌ、ｎｌは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｍ）中のｍｍ、ｎｍは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｎ）中のｍｎ、ｎｎは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
（式（３Ｐ）中のｍｐ、ｎｐは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）

　式（１）で表される化合物が上記式（１Ａ）～（１Ｐ）、（２Ａ）～（２Ｐ）、（３Ａ）～（３Ｐ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、潤滑層の厚みが薄くても磁気記録媒体の腐食を抑制できる潤滑層を形成できるため好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、任意に選択できるが、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、３０００以下であることが好ましい。前記数平均分子量は、例えば、５００～３０００や、６００～２５００や、７００～２０００や、８００～１６００や、９００～１５００や、１０００～１４００や、１１００～１３００などの範囲であってもよい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

　まず、式（１）におけるＲ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。
　次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－からなる基に置換する（第１反応）。その後、他方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基を、式（１）における－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５からなる末端基に置換する（第２反応）。

　第１反応および第２反応は、従来公知の方法を用いて行うことができ、式（１）におけるＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５の種類などに応じて適宜決定できる。また、第１反応と第２反応のうち、どちらの反応を先に行ってもよい。Ｒ^１とＲ^５が同じであって、Ｒ^２とＲ^４も同じである場合、第１反応と第２反応とを同時に行ってもよい。
　以上の方法により、式（１）で表される化合物が得られる。

　本実施形態においては、Ｒ^２が式（２）、Ｒ^４が式（３）で表される含フッ素エーテル化合物を製造するために、エポキシ化合物を用いることが好ましい。このエポキシ化合物は、市販品を購入して使用してもよい。また、エポキシ化合物は、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１またはＲ^５で表される末端基に対応する構造を有するアルコールと、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－ブロモエチルオキシランから選ばれるいずれかとを反応させて合成してもよい。また、エポキシ化合物は、不飽和結合を酸化する方法を用いて合成してもよい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であり、Ｒ^２は式（２）で表され、Ｒ^４は式（３）で表され、Ｒ^１およびＲ^５は、水素原子または式（４）である。さらに、式（２）中のａおよびｂは０～２の整数であり、式（３）中のｄおよびｅは０～２の整数であり、式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上である。したがって、式（１）に示す含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^２および／またはＲ^４と、鎖状構造の両方の最末端とに合計で３つ以上の水酸基を含む。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性が良好である。

　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^３で表されるパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）を有する。Ｒ^３は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層の表面を被覆するとともに、表面エネルギーが低いことによって潤滑層に耐水性を付与する。しかも、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中のｃが２～５の整数であり、式（３）中のｆが２～５の整数であり、式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上である。したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^２および／またはＲ^４が、直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基からなる疎水性の部分を有する。これらのことから、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、耐水性が良好で、水が通り抜けにくく、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、親水性の部分（３つ以上の水酸基）と疎水性の部分（ＰＦＰＥ鎖および直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基）とを分子内に併せ持つ。このことにより、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤では、含フッ素エーテル化合物中の親水性の部分が保護層と相互作用を持ち、疎水性の部分が保護層と反対側の面に向いた状態で配列されると推定される。その結果、保護層との密着性が良好で、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができ、磁気記録媒体の腐食を抑制できる潤滑層が得られると推定される。

　さらに、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である場合、式（４）中のｋが３～６の整数であるため、鎖状構造の一方または両方の最末端の水酸基が、直鎖状に結合された３つ以上のメチレン基に結合する。したがって、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（４）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、直鎖状に結合された３つ以上のメチレン基の疎水性によって、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができ、より効果的に磁気記録媒体の腐食を抑制できるものと推定される。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、８０質量％以上であってもよいし、９０質量％以上であってもよい。ただしこれら例のみに限定されない。

　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層との密着性が良好で、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができ、磁気記録媒体の腐食を抑制できる潤滑層を形成できる。本実施形態の潤滑剤からなる潤滑層は、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものであるため、厚みを薄くできる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性が向上するとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
　保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレン、トルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜できる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．０ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

　保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下に侵入した環境物質は、保護層１７に吸着、結合し、汚染物質を生成させる。生成した汚染物質（凝集成分）は、磁気記録再生の際に、スメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

　汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、基板１１の表面に潤滑層１８を形成した後、バーニッシュ（精密研磨）工程を行うことが好ましい。バーニッシュ工程を行うことにより、潤滑層１８を形成した基板１１の表面に存在する突起欠陥およびパーティクルを除去することができ、表面の平滑な磁気記録媒体１０が得られる。磁気記録媒体１０の表面が平滑であると、磁気ヘッドとのスペーシングロスを少なくでき、信号特性の向上が図れるため、好ましい。

　バーニッシュ工程としては、例えば、潤滑層１８を形成した基板１１の表面上に、バーニッシュテープを走査する工程とすることができる。バーニッシュテープとしては、例えば、砥粒を保持させた樹脂フィルムからなるものを用いることができる。砥粒の粒度は、例えば、＃６０００～＃２００００とすることができる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の腐食を抑制する効果の高いものである。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少なく、優れた耐腐食性を有し、信頼性および耐久性が良好である。また、本実施形態の磁気記録媒体１０は、腐食抑制効果の高い潤滑層１８を有するため、保護層１７および／または潤滑層１８の厚みを薄くできる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
　窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｚは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０２５、分子量分布１．１）１０．３ｇと、下記式（１２）で示される化合物３．４４ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３４ｇを加え、７０℃で３０時間撹拌して反応させ、反応生成物を得た。
　式（１２）に示される化合物は、３－ブテン－１オールの水酸基をテトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基で保護した後、二重結合を酸化して得た。

　得られた反応生成物を２５℃まで放冷し、１０％の塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）２０ｇを加え、室温で２時間撹拌した。反応液を８％重曹水７０ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル１５０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウム（乾燥剤）による脱水を行った。
　乾燥剤を濾別後、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（１Ａ）（式（１Ａ）中、平均重合度を示すｚａは４．５である。）を７．６５ｇ得た。

　得られた化合物（１Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ａ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

（実施例２）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（１３）で示される化合物を３．７３ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（１Ｂ）（式（１Ｂ）中、平均重合度を示すｚｂは４．５である。）を７．８３ｇ得た。
　化合物（１３）は、４－ペンテン－１オールの水酸基をＴＨＰ基で保護した後、二重結合を酸化して得た。

　得られた化合物（１Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｂ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

（実施例３）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（１４）で示される化合物を３．７３ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（１Ｃ）（式（１Ｃ）中、平均重合度を示すｚｃは４．５である。）を８．０１ｇ得た。
　化合物（１４）は、５－ヘキセン－１オールの水酸基をＴＨＰ基で保護した後、二重結合を酸化して得た。

　得られた化合物（１Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｃ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１２Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

（実施例４）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（１５）で示される化合物を３．７３ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（１Ｄ）（式（１Ｄ）中、平均重合度を示すｚｄは４．５である。）を８．１９ｇ得た。
　化合物（１５）は、６－ヘプテン－１オールの水酸基をＴＨＰ基で保護した後、二重結合を酸化して得た。

　得られた化合物（１Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｄ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１６Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

（実施例５）
　窒素ガス雰囲気下、１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｚは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０２５、分子量分布１．１）２０．０ｇと、上記式（１２）で示される化合物２．０７ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．６７ｇを加え、７０℃で３０時間撹拌して反応させ、反応生成物を得た。

　得られた反応生成物を２５℃まで放冷し、５０ｍＬの水が入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１５０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウム（乾燥剤）による脱水を行った。
　乾燥剤を濾別後、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、式（１６）で示される化合物を９．３８ｇ得た。

（式（１６）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記式（１６）で示される化合物９．３０ｇと、下記式（１７）で示される化合物１．９９ｇと、ｔ－ブタノール２５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．１４ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。
　式（１７）で示される化合物は、１，２，４－ブタントリオールとベンズアルデヒドを反応させ、アセタール化合物とした後、エピブロモヒドリンと反応させて得た。

　得られた反応生成物を２５℃まで放冷し、１０％の塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）２０ｇを加え、室温で２時間撹拌した。反応液を８％重曹水７０ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル１５０ｍＬで２回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウム（乾燥剤）による脱水を行った。
　乾燥剤を濾別後、ろ液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（１Ｅ）（式（１Ｅ）中、平均重合度を示すｚｅは４．５である。）を６．４５ｇ得た。

　得られた化合物（１Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｅ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

（実施例６）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を２．４０ｇ用い、下記式（１８）で示される化合物を中間体として９．６０ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｆ）（式（１Ｆ）中、平均重合度を示すｚｆは４．５である。）を６．５８ｇ得た。

（式（１８）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｆ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

（実施例７）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、上記式（１５）で示される化合物を２．５７ｇ用い、下記式（１９）で示される化合物を中間体として９．７０ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｇ）（式（１Ｇ）中、平均重合度を示すｚｇは４．５である。）を６．５０ｇ得た。

（式（１９）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｇ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１０Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

（実施例８）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、上記式（１４）で示される化合物を２．４０ｇ用い、式（１８）で示される化合物を中間体として合成した。そして、式（１７）で示される化合物の代わりに、下記式（２０）で示される化合物を２．８４ｇ用いたこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｈ）（式（１Ｈ）中、平均重合度を示すｚｈは４．５である。）を６．６９ｇ得た。
　式（２０）で示される化合物は、式（１４）で示される化合物とアリルアルコールとを反応させて生じた化合物の水酸基をＴＨＰ基で保護し、さらに二重結合を酸化させて得た。

　得られた化合物（１Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｈ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

（実施例９）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、式（１７）で示される化合物を５．００ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（１Ｉ）（式（１Ｉ）中、平均重合度を示すｚｉは４．５である。）を８．５５ｇ得た。
　得られた化合物（１Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｉ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（３０Ｈ）

（実施例１０）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、式（１４）で示される化合物を２．４０ｇ用い、式（１８）で示される化合物を中間体として合成した。そして、式（１７）で示される化合物の代わりに、下記式（２１）で示される化合物を１．６８ｇ用いたこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｊ）（式（１Ｊ）中、平均重合度を示すｚｊは４．５である。）を６．２６ｇ得た。
　式（２１）で示される化合物は、プロパンジオールの片方の水酸基をＴＨＰ基で保護し、もう片方の水酸基とエピブロモヒドリンを反応させて得た。

　得られた化合物（１Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｊ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２２Ｈ）

（実施例１１）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、上記式（２１）で示される化合物を２．６０ｇ用い、式（２２）で示される化合物を中間体として９．７３ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｋ）（式（１Ｋ）中、平均重合度を示すｚｋは４．５である。）を６．２６ｇ得た。

（式（２２）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｋ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

（実施例１２）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（２３）で示される化合物を４．６１ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、化合物（１Ｌ）（式（１Ｌ）中、平均重合度を示すｚｌは４．５である。）を８．４０ｇ得た。
　式（２３）で示される化合物は、３－ブテン－１オールと２－（３－クロロプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて得た化合物の二重結合を酸化して得た。

　得られた化合物（１Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｌ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２６Ｈ）

（実施例１３）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、上記式（２３）で示される化合物を２．７６ｇ用い、下記式（２４）で示される化合物を中間体として９．８２ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｍ）（式（１Ｍ）中、平均重合度を示すｚｍは４．５である。）を６．７１ｇ得た。

（式（２４）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｍ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（６Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

（実施例１４）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（２５）で示される化合物を２．９３ｇ用い、下記式（２６）で示される化合物を中間体として９．９９ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｎ）（式（１Ｎ）中、平均重合度を示すｚｎは４．５である。）を６．６２ｇ得た。
　式（２５）で示される化合物は、４－ペンテン－１オールと２－（３－クロロプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて得た化合物の二重結合を酸化して得た。

（式（２６）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｎ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

（実施例１５）
　式（１２）で示される化合物の代わりに、下記式（２７）で示される化合物を３．２７ｇ用い、下記式（２８）で示される化合物を中間体として１０．１０ｇ得たこと以外は、実施例５と同様な操作を行い、式（１Ｐ）（式（１Ｐ）中、平均重合度を示すｚｐは４．５である。）を６．８０ｇ得た。
　式（２７）で示される化合物は、ヘキサンジオールの片方の水酸基をＴＨＰ基で保護し、もう片方の水酸基と２－ブロモエチルオキシランと反応させて得た。

（式（２８）中、平均重合度を示すｚは４．５である。）

　得られた化合物（１Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（１Ｐ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（１２Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

（実施例１６～３０）
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｚは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０２５、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｍは７．０である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は、実施例１～１５とそれぞれ同様な操作を行い、式（２Ａ）～（２Ｐ）を得た。

　得られた化合物（２Ａ）（式（２Ａ）中、平均重合度を示すｙａは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ａ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｂ）（式（２Ｂ）中、平均重合度を示すｙｂは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｂ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｃ）（式（２Ｃ）中、平均重合度を示すｙｃは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｃ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１２Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

　得られた化合物（２Ｄ）（式（２Ｄ）中、平均重合度を示すｙｄは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｄ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１６Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｅ）（式（２Ｅ）中、平均重合度を示すｙｅは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｅ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（２Ｆ）（式（２Ｆ）中、平均重合度を示すｙｆは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｆ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

　得られた化合物（２Ｇ）（式（２Ｇ）中、平均重合度を示すｙｇは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｇ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１０Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（２Ｈ）（式（２Ｈ）中、平均重合度を示すｙｈは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｈ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（２Ｉ）（式（２Ｉ）中、平均重合度を示すｙｉは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｉ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（３０Ｈ）

　得られた化合物（２Ｊ）（式（２Ｊ）中、平均重合度を示すｙｊは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｊ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２２Ｈ）
　得られた化合物（２Ｋ）（式（２Ｋ）中、平均重合度を示すｙｋは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｋ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｌ）（式（２Ｌ）中、平均重合度を示すｙｌは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｌ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２６Ｈ）

　得られた化合物（２Ｍ）（式（２Ｍ）中、平均重合度を示すｙｍは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｍ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（６Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｎ）（式（２Ｎ）中、平均重合度を示すｙｎは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｎ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（２Ｐ）（式（２Ｐ）中、平均重合度を示すｙｐは７．０である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（２Ｐ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（１２Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

（実施例３１～４５）
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｚは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０２５、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中のｍは４．５であり、ｎは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は、実施例１～１５とそれぞれ同様な操作を行い、式（３Ａ）～（３Ｐ）を得た。

　得られた化合物（３Ａ）（式（３Ａ）中、平均重合度を示すｍａ、ｎａは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ａ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｂ）（式（３Ｂ）中、平均重合度を示すｍｂ、ｎｂは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｂ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｃ）（式（３Ｃ）中、平均重合度を示すｍｃ、ｎｃは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｃ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１２Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）

　得られた化合物（３Ｄ）（式（３Ｄ）中、平均重合度を示すｍｄ、ｎｄは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｄ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１６Ｈ）、３．４－４．２（１８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｅ）（式（３Ｅ）中、平均重合度を示すｍｅ、ｎｅは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｅ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（３Ｆ）（式（３Ｆ）中、平均重合度を示すｍｆ、ｎｆは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｆ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）

　得られた化合物（３Ｇ）（式（３Ｇ）中、平均重合度を示すｍｇ、ｎｇは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｇ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１０Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（３Ｈ）（式（３Ｈ）中、平均重合度を示すｍｈ、ｎｈは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｈ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（１４Ｈ）、３．４－４．２（２４Ｈ）
　得られた化合物（３Ｉ）（式（３Ｉ）中、平均重合度を示すｍｉ、ｎｉは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｉ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（４Ｈ）、３．４－４．２（３０Ｈ）

　得られた化合物（３Ｊ）（式（３Ｊ）中、平均重合度を示すｍｊ、ｎｊは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｊ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２２Ｈ）
　得られた化合物（３Ｋ）（式（３Ｋ）中、平均重合度を示すｍｋ、ｎｋは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｋ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（４Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｌ）（式（３Ｌ）中、平均重合度を示すｍｌ、ｎｌは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｌ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．３－１．７（８Ｈ）、３．４－４．２（２６Ｈ）

　得られた化合物（３Ｍ）（式（３Ｍ）中、平均重合度を示すｍｍ、ｎｍは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｍ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（６Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｎ）（式（３Ｎ）中、平均重合度を示すｍｎ、ｎｎは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｎ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（８Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）
　得られた化合物（３Ｐ）（式（３Ｐ）中、平均重合度を示すｍｐ、ｎｐは４．５である。）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果より構造を同定した。
化合物（３Ｐ）；^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；
δ［ｐｐｍ］１．５－１．８（１２Ｈ）、３．４－４．２（２８Ｈ）

「比較例１」
　下記式（Ｓ）で表される化合物を特許文献１に記載の方法で合成した。
　ＨＯ－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（Ｃ_３Ｆ_６Ｏ）_ｚｓＣＦ_２ＣＦ_２－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－ＯＨ　（Ｓ）
（式（Ｓ）中、平均重合度を示すｚｓは４．５である。）

「比較例２」
　下記式（Ｔ）で表される化合物を特許文献２に記載の方法で合成した。
　ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍｔ（ＣＦ_２Ｏ）_ｎｔＣＦ_２－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２－ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ　（Ｔ）
（式（Ｔ）中、平均重合度を示すｍｔは４．５であり、平均重合度を示すｎｔは４．５である。）

「比較例３」
　下記式（Ｕ）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（Ｕ）中、平均重合度を示すｍｕは４．５であり、平均重合度を示すｎｕは４．５である。）

「比較例４」
　下記式（Ｖ）で表される化合物を特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（Ｖ）中、平均重合度を示すｍｖは４．５であり、平均重合度を示すｎｖは４．５である。）

「比較例５」
　下記式（Ｗ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（Ｗ）中、平均重合度を示すｍｗは４．５であり、平均重合度を示すｎｗは４．５である。）

「比較例６」
　下記式（Ｘ）で表される化合物を特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（Ｘ）中、平均重合度を示すｍｘは４．５であり、平均重合度を示すｎｘは４．５である。）

　このようにして得られた実施例１～４５、比較例１～６の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ^１およびＲ^５の構造、Ｒ^２の構造（式（２）中のａ、ｂ、ｃ）、Ｒ^３の構造、Ｒ^４の構造（式（３）中のｄ、ｅ、ｆ）を表１～表４に示す。

　また、実施例１～４５、比較例１～６の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表１～表４に示す。なお、化合物の原料として用いたフルオロポリエーテルの分子量分布、化合物を合成する際の操作の差異などによって、合成した化合物の平均分子量の値には１～５程度のばらつきが存在しているものと推定される。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～４５および比較例１～６で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～４５および比較例１～６の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～４５および比較例１～６で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が約９Åになるようにバートレルで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、厚み２．７ｎｍの炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～４５および比較例１～６の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。

　その後、潤滑層を形成した磁気記録媒体の表面に、粒度＃６０００の砥粒が保持されたバーニッシュテープを走査させるバーニッシュ工程を行った。
　バーニッシュ工程後の磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱する熱処理を行った。
　以上の工程により、実施例１～４５、比較例１～６の磁気記録媒体（バーニッシュ有り）を得た。

　また、バーニッシュ工程を行わなかったこと以外は、バーニッシュ有りの磁気記録媒体と同様にして、実施例１～４５、比較例１～６の磁気記録媒体（バーニッシュ無し）を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～４５、比較例１～６の磁気記録媒体（バーニッシュ無し）の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表５～表８に示す。

　次に、実施例１～４５、比較例１～６のバーニッシュ有りおよびバーニッシュ無しの磁気記録媒体に対して、それぞれ以下に示す耐腐食性試験を行なった。
（耐腐食性試験）
　磁気記録媒体を８５℃相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体の腐食した場所の数を、光学表面分析装置を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表５～表８に示す。

「評価基準」
Ａ：５００以下
Ｂ：５０１以上、１０００以下
Ｃ：１００１以上、１５００以下
Ｄ：１５０１以上、２０００以下
Ｅ：２００１以上

　表５～表７に示すように、式（１）で表される化合物を含む潤滑層を有する実施例１～４５の磁気記録媒体は、バーニッシュ無しの場合も有りの場合も、耐腐食性試験の結果がＡまたはＢであり、耐腐食性が良好であった。これは、実施例１～４５の磁気記録媒体の潤滑層に含まれる式（１）で表される化合物が、親水性の部分（４～６つの水酸基）と疎水性の部分（ＰＦＰＥ鎖および直鎖状に結合された２つ以上のメチレン基）とを分子内に併せ持つことにより、達成できたと推定される。

　特に、式（１）におけるＲ^３が、直鎖状に結合された３つの－ＣＦ_２－を含む繰り返し単位を有する式（７）である場合（例えば、実施例１、１０、１５）、直鎖状に結合された２つの－ＣＦ_２－を含む繰り返し単位を有する式（５）である場合（例えば、実施例１６、２５、３０、３１、４０、４５）と比較して、バーニッシュ有りの場合の耐腐食性試験の結果が良好であった。

　また、式（２）中のｃが４である場合（例えば、実施例６、実施例２１、実施例３６）では、式（２）中のｃが２である場合（例えば、実施例５、実施例２０、実施例３５）と比較して、バーニッシュ有りの場合の耐腐食性試験の結果が良好であった。
　また、式（３）中のｆが４である場合（例えば、実施例１０）では、式（２）中のｆが２である場合（例えば、実施例１１）と比較して、バーニッシュ有りの場合の耐腐食性試験の結果が良好であった。

　また、式（２）中のａが０でｂが１であり、式（３）中のｄが０でｅが１である場合（例えば、実施例１、実施例１６、実施例３１）、式（２）中のａおよびｂが１であり、式（３）中のｄおよびｅが１である場合（例えば、実施例９、実施例２４、実施例３９）と比較して、バーニッシュ無しおよび／または有りの場合の耐腐食性試験の結果が良好であった。
　また、式（１）におけるＲ^１が式（４）であってｋが６である場合（例えば、実施例１５）、式（１）におけるＲ^１が水素原子である場合（例えば、実施例５）と比較して、バーニッシュ有りの場合の耐腐食性試験の結果が良好であった。

　これに対し、式（２）中のｂおよび式（３）中のｅがいずれも０である比較例１、式（２）中のｂおよび式（３）中のｅがいずれも０であり、式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が式（４）であってｋが２である比較例２、式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が式（４）であってｋが２である比較例３、式（１）におけるＲ^１が水素原子または式（４）でない比較例４～６の磁気記録媒体は、表８に示すように、バーニッシュ無しの場合、耐腐食性試験の結果がＣであり、バーニッシュ有りの場合、耐腐食性試験の結果がＤまたはＥであり、実施例１～４５の磁気記録媒体と比較して、耐腐食性が劣っていた。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた耐腐食性を実現できる潤滑層を形成できる。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５　（１）
（式（１）中、Ｒ^３はパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^２は下記式（２）で表される；Ｒ^４は下記式（３）で表される；Ｒ^１およびＲ^５は、水素原子または下記式（４）である。）

（式（２）中のａおよびｂは０～２の整数であり、ｃは２～５の整数である；式（３）中のｄおよびｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である；式（２）中のｂと式（３）中のｅのうち、少なくとも一方が１以上である；式（４）中のｋは３～６の整数である。）
　前記式（２）中のａとｂとの合計が１または２である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）中のＲ^１－Ｒ^２－Ｏ－が、下記式（２－１）～（２－８）のいずれかである、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－１）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－２）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－３）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－４）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－５）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－６）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_４ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－７）
　Ｒ^１－Ｏ（ＣＨ_２）_５ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－　（２－８）
　前記式（３）中のｄとｅとの合計が１または２である請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）中の－Ｏ－Ｒ^４－Ｒ^５が、下記式（３－１）～（３－８）のいずれかである、請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－１）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－２）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－３）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－４）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_２Ｏ－Ｒ^５　（３－５）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_３Ｏ－Ｒ^５　（３－６）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_４Ｏ－Ｒ^５　（３－７）
　－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）（ＣＨ_２）_５Ｏ－Ｒ^５　（３－８）
　前記式（１）中のＲ^２およびＲ^４に含まれる水酸基の合計数が１～４である請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（５）～（７）のいずれかである請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２－　（５）
（式（５）中のｍ、ｎは平均重合度を示し、それぞれ０～３０を表す；但し、ｍまたはｎが０．１以上である。）
　－ＣＦ（ＣＦ_３）－（ＯＣＦ（ＣＦ_３）ＣＦ_２）_ｇ－ＯＣＦ（ＣＦ_３）－　（６）
（式（６）中のｇは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　（７）
（式（７）中のｚは平均重合度を示し、０．１～３０を表す。）
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２．０ｎｍである請求項１０に記載の磁気記録媒体。