WO2022215703A1

WO2022215703A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Info

Publication number: WO2022215703A1
Application number: PCT/JP2022/017159
Authority: WO
Inventors: 夏実芝田; 直也福本; 綾乃浅野; 剛加藤; 拓麻黒田; 大輔柳生; 千鶴笠原; 優丹治
Original assignee: 昭和電工株式会社
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2022-04-06
Publication date: 2022-10-13
Also published as: JPWO2022215703A1; CN117157271A

Abstract

下記式で表される含フッ素エーテル化合物。Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５－ＣＨ_２－Ｒ^６－ＣＨ_２－Ｒ^７（Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^６はパーフルオロポリエーテル鎖；Ｒ^３は式（２）；Ｒ^５は式（３）；Ｒ^１およびＲ^７はそれぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基。）

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２１年４月８日に、日本に出願された特願２０２１－０６５８６９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置における記録密度を高くするために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボンなどからなる保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。また、保護層は、記録層を被覆して、記録層に含まれる金属が環境物質により腐食されるのを防止する。

　しかし、磁気記録媒体の耐久性は、記録層上に保護層を設けただけでは十分には得られない。そのため、保護層の表面に潤滑剤を塗布して、厚さ０．５～３ｎｍ程度の潤滑層を形成している。潤滑層は、保護層の耐久性および保護力を向上させて、磁気記録媒体内部への汚染物質の侵入を防止する。
　また、保護層の表面に潤滑層を形成した後、磁気記録媒体の表面に存在する突起およびパーティクルを除去し、表面の平滑性を向上させるために、バーニッシュ工程を行う場合がある。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有し、末端に水酸基などの極性基を有するフッ素系のポリマーを含有するものがある。
　例えば、特許文献１には、分子内に３つのパーフルオロポリエーテル鎖を含み、両末端の構造が同一である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられた磁気ディスクが開示されている。
　特許文献２には、分子内に３つのパーフルオロポリエーテル鎖を含み、２つの末端の構造が異なる含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられた磁気ディスクが開示されている。
　また、特許文献３には、分子内に３つのパーフルオロポリエーテル鎖を含み、パーフルオロポリエーテル鎖の間の連結基が２つの水酸基を有する潤滑剤を含む潤滑層を有する磁気ディスクが開示されている。

国際公開第２０１８／１１６７４２号国際公開第２０１７／１４５９９５号米国特許出願公開第２０１６／０２６０４５２号明細書

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかし、潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となる場合があった。特に、潤滑層を形成した後の磁気記録媒体の表面に、テープバーニッシュ工程を行った場合、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となりやすかった。このことから、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果の高い潤滑層が要求されている。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として、好適な含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含み、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられ、優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　すなわち、本発明は以下の事項に関する。
　本発明の第一の態様は、以下の含フッ素エーテル化合物を提供する。
［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５－ＣＨ_２－Ｒ^６－ＣＨ_２－Ｒ^７
（１）
（式（１）中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^６は、同じまたは異なるパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３は下記式（２）で表される連結基である；Ｒ^５は下記式（３）で表される連結基である；Ｒ^１およびＲ^７はそれぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）

（式（２）中のａは１～３の整数であり、ｂは１～２の整数である；式（３）中のｃは１～３の整数であり、ｄは１～２の整数である；ただし、式（２）中のａと式（３）中のｃが同時に１となることはない。）

　本発明の第一の態様の前記含フッ素エーテル化合物は、以下の［２］～［８］に記載される特徴を有することが好ましい。以下の［２］～［８］に記載される特徴は、２つ以上を任意に組み合わせることも好ましい。
［２］　前記式（２）中のａが２～３の整数であり、前記式（３）中のｃが２～３の整数である［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］　前記式（１）において、Ｒ^１およびＲ^７の有する極性基がすべて水酸基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［４］　前記式（１）において、－Ｒ^１および－Ｒ^７がそれぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－５）で表される末端基である［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（４－１）中のｅは０～１の整数であり、ｆは１～４の整数である。）
（式（４－２）中のｇは１～２の整数であり、ｈは１～３の整数である。）
（式（４－３）中のｉは１～３の整数である。）
（式（４－４）中のｊは１～２の整数である。）

［５］　前記式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６がそれぞれ独立に、下記式（５）～（９）のいずれかである［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｋ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｌ－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｋおよびｌは平均重合度を示し、それぞれ０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｍは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（８）
（式（８）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_ｐ－ＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
（式（９）中のｐは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

［６］　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^７が同じである［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［７］　前記式（１）において、Ｒ^２とＲ^６が同じである［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［８］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

　本発明の第二の態様は、以下の磁気記録媒体用潤滑剤を提供する。
［９］　［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体を提供する。
［１０］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　本発明の第三の態様の磁気記録媒体は、以下の［１１］に記載される特徴を有することが好ましい。
［１１］　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである［１０］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であるので、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤の材料として使用できる。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられているため、優れた耐腐食性を有する。このため、本発明の磁気記録媒体は、優れた信頼性および耐久性を有する。また、本発明の磁気記録媒体は、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が設けられているため、保護層および／または潤滑層の厚みを薄くできる。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態の例を示した概略断面図である。

　本発明者らは、上記課題を解決するために、含フッ素エーテル化合物の鎖状骨格および末端基に着目して鋭意研究を重ねた。
　その結果、メチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とからなる鎖状構造に１以上の水酸基が結合した２つの特定の連結基によって、３つのパーフルオロポリエーテル鎖が結合された鎖状骨格を有し、鎖状骨格の両端にそれぞれメチレン基を介して、２つまたは３つの極性基を含む特定の末端基が結合された含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

　上記の鎖状骨格を有する含フッ素エーテル化合物では、２つの連結基のうち一方または両方を、中心のパーフルオロポリエーテル鎖と水酸基が結合した炭素原子との間に炭素数２または３のメチレン鎖を有するものとする。このことにより、上記の鎖状骨格を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、適正な疎水性を有するものになると推定される。

　また、上記の鎖状骨格を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を、保護層上に形成すると、鎖状骨格の中心に配置されているパーフルオロポリエーテル鎖の両端が、パーフルオロポリエーテル鎖間に配置されている連結基の有する水酸基によって、保護層に密着される。このため、上記の鎖状骨格を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤は、１つまたは２つのパーフルオロポリエーテル鎖を有し、上記の鎖状骨格と炭素原子数が同等である含フッ素エーテル化合物を含む場合と比較して、保護層上に濡れ広がりやすく、均一に保護層に密着でき、被覆率の高い密着性の良好な潤滑層を形成できる。

　しかも、上記の鎖状骨格の両端には、それぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基が配置されている。この末端基の有する２つまたは３つの極性基は、極性基の結合している炭素原子同士が結合している末端基と異なり、保護層に密着できる配向となることができる。このため、例えば、極性基の結合している炭素原子同士が結合している末端基を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、被覆率が高く密着性の良好な潤滑層を形成できる。さらに、末端基が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を有するため、極性基の結合している炭素原子同士が結合している末端基を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層と比較して、疎水性が良好となる。

　このように、上記鎖状骨格の両端にそれぞれ、上記の特定の末端基が結合された含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、適正な疎水性を有し、かつ保護層との密着性が良好である。このため、上記の潤滑層は、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものになると推定される。
　本発明者らは、さらに検討を重ね、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を保護層上に形成し、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高いことを確認し、本発明を想到した。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体の好ましい例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、位置、比率、材料、構成等について、付加、省略、置換、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５－ＣＨ_２－Ｒ^６－ＣＨ_２－Ｒ^７
（１）
（式（１）中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^６は、同じまたは異なるパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３は下記式（２）で表される連結基である；Ｒ^５は下記式（３）で表される連結基である；Ｒ^１およびＲ^７はそれぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）

（Ｒ^１およびＲ^７）
　上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^７はそれぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１およびＲ^７がそれぞれ２つまたは３つの極性基を有する。このため、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。

　極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、アルデヒド基（－ＣＯＨ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）などが挙げられる。Ｒ^１および／またはＲ^７は、極性基として水酸基を含むことが好ましく、Ｒ^１およびＲ^７に含まれる極性基がすべて水酸基であることがより好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^７が水酸基を有する含フッ素エーテル化合物であると、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間により好適な相互作用が発生する。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１に含まれる極性基と、Ｒ^７に含まれる極性基との合計数は、４～６である。上記合計数が４以上であるので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との付着性（密着性）が高いものとなる。また、上記の合計数が６以下であるので、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体において、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎて異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。

　Ｒ^１に含まれる極性基の数と、Ｒ^７に含まれる極性基の数は、同じであることが好ましい。すなわち、Ｒ^１およびＲ^７がそれぞれ２つの極性基を含む、または、Ｒ^１およびＲ^７がそれぞれ３つの極性基を含むことが好ましい。この場合、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が、保護層にバランス良く密着するため、高い被覆率を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が得られやすい。特に、Ｒ^１およびＲ^７がそれぞれ３つの極性基を含む場合、含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基が保護層に強固に密着するため、被覆率が高くなり、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　Ｒ^１およびＲ^７に含まれる各極性基は、それぞれ異なる炭素原子に結合している。Ｒ^１およびＲ^７において、極性基の結合している炭素原子同士は、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、例えば、極性基の結合している炭素原子同士が結合している末端基を有する化合物と比較して、疎水性が良好である。このことにより、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食を効果的に抑制できるものと推定される。

　また、極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している場合、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基によって、最末端の極性基（末端極性基）と、末端極性基に隣接する極性基の両方が、保護層へ密着できる配向となることができる。このことから、極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している場合、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が得られるものと推定される。

　これに対し、潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物が、最末端の極性基（末端極性基）の結合している炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基の結合している炭素原子とが結合している末端基を有する場合、末端極性基と、末端極性基に隣接する極性基のうち、どちらかの極性基は、保護層に対して配向が逆方向となる。このため、末端極性基と、末端極性基に隣接する極性基のうち、どちらか一方の極性基が保護層に密着しにくく、潤滑層と保護層との密着性が劣るものとなる。

　Ｒ^１およびＲ^７において、末端極性基が結合する炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含む場合（例えば、下記式（４－２）、（４－３）、（４－４）で表される末端基である場合）、Ｒ^１およびＲ^７の有する上記連結基は、極性基の結合していない２～５の炭素原子を含む直鎖状の構造を有することが好ましい。上記連結基が酸素原子を含む場合であっても、極性基の結合していない２以上の炭素原子を含む直鎖状の構造である場合、良好な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。また、上記連結基が５以下の炭素原子を含む直鎖状の構造である場合、連結基の疎水性が高すぎて保護層との密着性に支障を来すことがない。特に、Ｒ^１およびＲ^７がそれぞれ３つの極性基を有する場合、保護層との密着性がより優れる潤滑層を形成できる。したがって、Ｒ^１およびＲ^７の有する上記連結基が、上記範囲内の炭素原子数を含む直鎖状の構造である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、かつ適正な疎水性を有することにより水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。
　また、Ｒ^１およびＲ^７の有する上記連結基が酸素原子を含む場合、上記連結基は、３～９原子からなる直鎖状の構造を有することが好ましく、３～６原子からなる直鎖状の構造を有することがより好ましい。上記連結基に含まれる原子数が上記範囲内であると、分子の運動性が適切であり、分子内凝集が起こりにくくなる。このため、より一層保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　Ｒ^１およびＲ^７において、末端極性基が結合する炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基が結合する炭素原子との間の連結基が、酸素原子を含まない場合（例えば、下記式（４－１）、（４－５）で表される末端基である場合）、Ｒ^１およびＲ^７の有する極性基が２つまたは３つのいずれの場合においても、上記連結基は、極性基の結合していない１～４の炭素原子を含む直鎖状の構造を有することが好ましい。上記連結基が酸素原子を含まず、極性基の結合していない１以上の炭素原子を含む直鎖状の構造である場合、良好な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。また、上記連結基が４以下の炭素原子を含む直鎖状の構造である場合、連結基の疎水性が高すぎて、保護層との密着性に支障を来すことがない。また、末端極性基が結合する炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含まないため、分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくい。このため、より一層保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。その結果、Ｒ^１およびＲ^７の有する上記連結基が、上記範囲内の炭素原子数を含む直鎖状の構造である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、かつ適正な疎水性を有することにより水の侵入を防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１とＲ^７は、同じであってもよいし、異なっていてもよく、同じであることが好ましい。Ｒ^１とＲ^７が同じであると、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となる。その結果、この含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、良好な被覆率を有するものとなり、好ましい。また、Ｒ^１とＲ^７が同じである場合、Ｒ^１とＲ^７が異なる場合と比較して、少ない製造工程で効率よく含フッ素エーテル化合物を製造できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、－Ｒ^１および－Ｒ^７がそれぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－５）のいずれかで表される末端基であることが好ましい。－Ｒ^１および－Ｒ^７が、式（４－１）～（４－５）のいずれかで表される末端基である場合、－Ｒ^１および－Ｒ^７は、２つまたは３つの水酸基を含み、末端の水酸基が結合する炭素原子と、末端の水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が、適正な炭素原子数を含む直鎖状の構造を有するものとなる。よって、－Ｒ^１および－Ｒ^７が式（４－１）～（４－５）で表される末端基である場合、適切な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。

　さらに、－Ｒ^１および－Ｒ^７が、下記式（４－１）、（４－２）、（４－４）、（４－５）のいずれかで表される末端基であって、３つの水酸基を含む場合、パーフルオロポリエーテル鎖側に配置されている水酸基が結合する炭素原子と、その水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基も、適正な炭素原子数を含む直鎖状の構造を有するものとなる。したがって、より保護層との密着性に優れ、かつ適正な疎水性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　式（４－１）で表される末端基において、ｅは０～１の整数であり、ｆは１～４の整数である。式（４－１）で表される末端基は、末端水酸基の結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含まない。このため、適切な疎水性を示す。また、ｆが４以下であるため、連結基の疎水性が高すぎて、保護層との密着性に支障を来すことがなく、優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示す。さらに、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含まないため、末端基に含まれる水酸基同士の分子内相互作用が小さい。したがって、分子内凝集が起こりにくく、より一層保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できる。また、ｅが１である場合、式（４－１）で表される末端基が、３つの水酸基を含むため、保護層とのより優れた密着性を示す。

　式（４－２）で表される末端基において、ｇは１～２の整数であり、ｈは１～３の整数である。このため、式（４－２）で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、良好な疎水性を有し、優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示す。式（４－２）で表される末端基は、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含む。式（４－２）で表される末端基は、ｈが１～３であるため、分子の運動性が適切である。したがって、末端基に含まれる水酸基同士の分子内凝集が起こりにくく、より一層保護層との密着性に優れる。また、ｇが２である場合、式（４－２）で表される末端基が、３つの水酸基を含むため、保護層とのより優れた密着性を示す。

　式（４－３）で表される末端基において、ｉは１～３の整数である。このため、式（４－３）で表される末端基を含む含フッ素エーテル化合物は、良好な疎水性を有し、優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示す。式（４－３）で表される末端基は、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含む。式（４－３）で表される末端基は、ｉが１～３であるため、分子の運動性が適切である。したがって、末端基に含まれる水酸基同士の分子内凝集が起こりにくく、より一層保護層との密着性に優れる。

　式（４－４）で表される末端基において、ｊは１～２の整数である。このため、式（４－４）で表される末端基を含む含フッ素エーテル化合物は、良好な疎水性を有し、優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示す。式（４－４）で表される末端基は、３つの水酸基を含むため、保護層との優れた密着性を示す。

　式（４－５）で表される末端基は、末端水酸基が結合する炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基が結合する炭素原子との間の連結基が酸素原子を含まないため、良好な疎水性を有する。よって、式（４－５）で表される末端基を有する含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示す。また、式（４－５）で表される末端基は、３つの水酸基を含むため、保護層との優れた密着性を示す。

（Ｒ^３およびＲ^５）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３は下記式（２）で表される連結基である。式（２）で表される連結基は、式（２）における最も右側の、括弧内の酸素原子がＲ^４に隣接するメチレン基（－ＣＨ_２－）と結合される。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^５は下記式（３）で表される連結基である。式（３）で表される連結基は、式（３）における最も左側の、括弧内の酸素原子がＲ^４に隣接するメチレン基（－ＣＨ_２－）と結合される。

　式（２）中のａは１～３の整数であり、式（３）中のｃは１～３の整数である。式（２）中のａと式（３）中のｃが同時に１になることはない。すなわち、ａとｃの少なくとも一方は、２～３の整数である。よって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^３を表す式（２）中のａが１であって、かつＲ^５を表す式（３）中のｃが１である化合物と比較して、Ｒ^３および／またはＲ^５で表される連結基中に含まれる炭素原子の数が多く、疎水性が良好なものとなる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、式（２）中のａが２～３の整数であり、かつ式（３）中のｃが２～３の整数であることが好ましい。この場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の疎水性がより良好となり、これを含む潤滑層は、より優れた磁気記録媒体の腐食抑制効果を示すものとなる。

　式（２）中のｂは１～２の整数であり、式（３）中のｄは１～２の整数である。式（２）および式（３）中の水酸基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、保護層との密着性を向上させる。式（２）中のｂおよび式（３）中のｄは、合成の容易な含フッ素エーテル化合物となるため、１であることが好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^３が式（２）で表される連結基であり、Ｒ^５が式（３）で表される連結基である。よって、Ｒ^３およびＲ^５の両端部に配置された酸素原子は、それぞれＲ^３およびＲ^５の両側に配置されるメチレン基（－ＣＨ_２－）と結合してエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。このようにして形成された４つのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、Ｒ^３およびＲ^５の有する水酸基と保護層との親和性を増大させる。

（Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６は、同じまたは異なるパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）である。Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を、保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。また、ＰＦＰＥ鎖は、その低い表面エネルギーによって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層に耐水性を付与し、潤滑層の設けられた磁気記録媒体の耐腐食性を向上させる。

　Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６は、ＰＦＰＥ鎖であればよく、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。ＰＦＰＥ鎖としては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド重合体、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体、これらの共重合体からなるものなどが挙げられる。

　ＰＦＰＥ鎖は、例えば、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する下記式（Ｒｆ）で表される構造であってもよい。
－（ＣＦ_２）_ｗ１Ｏ（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５（ＣＦ_２）_ｗ６－　（Ｒｆ）
（式（Ｒｆ）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５のすべてが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（Ｒｆ）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）
　式（Ｒｆ）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表し、０～１５であることが好ましく、０～１０であることがより好ましい。
　式（Ｒｆ）中、ｗ１、ｗ６は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。ｗ１、ｗ６は、式（Ｒｆ）で表される重合体において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。
　式（Ｒｆ）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（Ｒｆ）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（Ｒｆ）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

　式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６はそれぞれ独立に、例えば、下記式（Ｒｆ－１）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
－（ＣＦ_２）_ｗ７Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　（Ｒｆ－１）
（式（Ｒｆ－１）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に０．１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）
　式（Ｒｆ－１）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（Ｒｆ－１）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。式（Ｒｆ－１）において、平均重合度を示すｗ８およびｗ９は、それぞれ独立に０．１～２０を表し、０．１～１５であることが好ましく、１～１０であることがより好ましい。式（Ｒｆ－１）におけるｗ７およびｗ１０は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。ｗ７およびｗ１０は、式（Ｒｆ－１）で表される重合体において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

　式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６はそれぞれ独立に、下記式（５）～（９）のいずれかであることも好ましい。なお、式（５）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（５）は、モノマー単位（ＣＦ_２－ＣＦ_２－Ｏ）と（ＣＦ_２－Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。

－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｋ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｌ－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｋおよびｌは平均重合度を示し、それぞれ０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｍは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（８）
（式（８）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_ｐ－ＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
（式（９）中のｐは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

　式（５）における平均重合度を示すｋ、ｌはそれぞれ０．１～２０であり、式（６）における平均重合度を示すｍは０．１～２０であり、式（７）における平均重合度を示すｎは０．１～２０であり、式（８）における平均重合度を示すｏは０．１～１０であり、式（９）における平均重合度を示すｐは０．１～２０である。ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、上記範囲の中で任意に選択できる。ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐがそれぞれ０．１以上であると、磁気記録媒体の腐食をより抑制できる潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｐがそれぞれ２０以下であり、ｏが１０以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐはいずれも、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、１～１０であることが好ましく、２～８であることがより好ましい。なおｋ、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐは、例えば、０．５～９や、１～８や、２～７や、３～６や、４～５などであってもよい。

　式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が、式（５）～式（９）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が式（５）～式（７）のいずれかである場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
　また、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が、式（５）～式（９）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の、炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が、適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６で示されるＰＦＰＥ鎖は、全て同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよいし、一部のみ同じであってもよい。なお、本実施形態において、ＰＦＰＥ鎖が同じであるとは、ＰＦＰＥ鎖の構造（繰り返し単位）が同じであって、平均重合度が異なる場合も含む。
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、合成が容易なものとなるため、Ｒ^２とＲ^６とが同じであることが好ましい。Ｒ^２とＲ^６が同じである場合、Ｒ^３とＲ^５も同じであって、Ｒ^１とＲ^７も同じであることがより好ましい。このような含フッ素エーテル化合物は、少ない製造工程で容易に効率よく製造できる。なお、本明細書においてＲ^３とＲ^５が同じであるとは、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の中央に配置されたパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^４）に対して、Ｒ^３に含まれる原子とＲ^５に含まれる原子とが対称配置されていることを意味する。すなわち、式（２）中のａが式（３）中のｃと同じであり、式（２）中のｂが式（３）中のｄと同じであることを意味する。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には下記式（Ａ）～（Ｔ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
　なお、式（Ａ）～（Ｔ）中のｒａ、ｑｂ、ｓｃ、ｔｃ、ｒｄ、ｑｅ、ｑｆ、ｓｇ、ｔｇ、ｒｈ、ｑｉ、ｓｊ、ｔｊ、ｑｋ、ｒｋ、ｓｌ、ｔｌ、ｒｌ、ｑｍ、ｒｍ、ｑｎ、ｒｎ、ｑｏ、ｒｏ、ｑｐ、ｓｐ、ｔｐ、ｑｑ、ｓｑ、ｔｑ、ｓｒ、ｔｒ、ｒｒ、ｑｓ、ｓｓ、ｔｓ、ｓｔ、ｔｔ、ｒｔは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数とはならない。

　下記式（Ａ）～（Ｔ）で表される化合物は、いずれもＲ^１とＲ^７が同じである。
　下記式（Ａ）～（Ｊ）で表される化合物は、いずれもＲ^２とＲ^４とＲ^６が同じである。　下記式（Ｋ）～（Ｔ）で表される化合物は、いずれもＲ^２とＲ^６が同じである。

　下記式（Ａ）～（Ｇ）、（Ｋ）、（Ｌ）、（Ｎ）～（Ｐ）、（Ｒ）、（Ｓ）で表される化合物は、いずれもＲ^３とＲ^５が同じであり、式（２）におけるａが２、ｂが１であり、式（３）におけるｃが２、ｄが１である。
　下記式（Ｈ）～（Ｊ）、（Ｍ）、（Ｑ）、（Ｔ）で表される化合物は、いずれもＲ^３とＲ^５が同じであり、式（２）におけるａが３、ｂが１であり、式（３）におけるｃが３、ｄが１である。

　下記式（Ａ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが１であり、ｈが２であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが２であり、ｈが２であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが０であり、ｆが１であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－５）で表される末端基であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｅ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが１であり、ｈが１であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｆ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－３）で表される末端基であり、式（４－３）におけるｉが１であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｇ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが１であり、ｆが１であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｈ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが０であり、ｆが２であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｉ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－４）で表される末端基であり、式（４－４）におけるｊが２であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｊ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが２であり、ｈが１であり、Ｒ^２とＲ^４とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｋ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが１であり、ｆが１であり、Ｒ^２とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｌ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－４）で表される末端基であり、式（４－４）におけるｊが１であり、Ｒ^２とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｍ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが１であり、ｈが２であり、Ｒ^２とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが２であり、ｈが２であり、Ｒ^２とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－５）で表される末端基であり、Ｒ^２とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｐ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが１であり、ｈが３であり、Ｒ^２とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｑ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが１であり、ｈが１であり、Ｒ^２とＲ^６が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｒ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－２）で表される末端基であり、式（４－２）におけるｇが２であり、ｈが１であり、Ｒ^２とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｓ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが０であり、ｆが３であり、Ｒ^２とＲ^６が式（７）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｔ）で表される化合物は、Ｒ^１とＲ^７が式（４－１）で表される末端基であり、式（４－１）におけるｅが１であり、ｆが２であり、Ｒ^２とＲ^６が式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒ^４が式（５）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

（式（Ａ）中のＦｐａ_１、Ｆｐａ_２は式（ＡＦ）で表される。Ｆｐａ_１およびＦｐａ_２中、ｒａは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐａ_１中のｒａとＦｐａ_２中のｒａは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（Ｂ）中のＦｄｂ_１、Ｆｄｂ_２は式（ＢＦ）で表される。Ｆｄｂ_１およびＦｄｂ_２中、ｑｂは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｄｂ_１中のｑｂとＦｄｂ_２中のｑｂは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（Ｃ）中のＦｆｃ_１、Ｆｆｃ_２は式（ＣＦ）で表される。Ｆｆｃ_１およびＦｆｃ_２中のｓｃ、ｔｃは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｃ_１中のｓｃ、ｔｃとＦｆｃ_２中のｓｃ、ｔｃは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（Ｄ）中のＦｐｄ_１、Ｆｐｄ_２は式（ＤＦ）で表される。Ｆｐｄ_１およびＦｐｄ_２中、ｒｄは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｄ_１中のｒｄとＦｐｄ_２中のｒｄは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（Ｅ）中のＦｄｅ_１、Ｆｄｅ_２は式（ＥＦ）で表される。Ｆｄｅ_１およびＦｄｅ_２中、ｑｅは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｄｅ_１中のｑｅとＦｄｅ_２中のｑｅは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（Ｆ）中のＦｄｆ_１、Ｆｄｆ_２は式（ＦＦ）で表される。Ｆｄｆ_１およびＦｄｆ_２中、ｑｆは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｄｆ_１中のｑｆとＦｄｆ_２中のｑｆは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（Ｇ）中のＦｆｇ_１、Ｆｆｇ_２は式（ＧＦ）で表される。Ｆｆｇ_１およびＦｆｇ_２中のｓｇ、ｔｇは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｇ_１中のｓｇ、ｔｇとＦｆｇ_２中のｓｇ、ｔｇは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（Ｈ）中のＦｐｈ_１、Ｆｐｈ_２は式（ＨＦ）で表される。Ｆｐｈ_１およびＦｐｈ_２中、ｒｈは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｈ_１中のｒｈとＦｐｈ_２中のｒｈは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（Ｉ）中のＦｄｉ_１、Ｆｄｉ_２は式（ＩＦ）で表される。Ｆｄｉ_１およびＦｄｉ_２中、ｑｉは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｄｉ_１中のｑｉとＦｄｉ_２中のｑｉは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（Ｊ）中のＦｆｊ_１、Ｆｆｊ_２は式（ＪＦ）で表される。Ｆｆｊ_１およびＦｆｊ_２中のｓｊ、ｔｊは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｊ_１中のｓｊ、ｔｊとＦｆｊ_２中のｓｊ、ｔｊは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（Ｋ）中のＦｄｋ_１、Ｆｐｋ_１は式（ＫＦ）で表される。Ｆｄｋ_１中、ｑｋは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｋ_１中、ｒｋは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
（式（Ｌ）中のＦｆｌ_１、Ｆｐｌ_１は式（ＬＦ）で表される。Ｆｆｌ_１中、ｓｌ、ｔｌは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｌ_１中、ｒｌは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

（式（Ｍ）中のＦｄｍ_１、Ｆｐｍ_１は式（ＭＦ）で表される。Ｆｄｍ_１中、ｑｍは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｍ_１中、ｒｍは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
（式（Ｎ）中のＦｄｎ_１、Ｆｐｎ_１は式（ＮＦ）で表される。Ｆｄｎ_１中、ｑｎは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｎ_１中、ｒｎは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

（式（Ｏ）中のＦｄｏ_１、Ｆｐｏ_１は式（ＯＦ）で表される。Ｆｄｏ_１中、ｑｏは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｏ_１中、ｒｏは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
（式（Ｐ）中のＦｄｐ_１、Ｆｆｐ_１は式（ＰＦ）で表される。Ｆｄｐ_１中、ｑｐは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｐ_１中、ｓｐ、ｔｐは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

（式（Ｑ）中のＦｄｑ_１、Ｆｆｑ_１は式（ＱＦ）で表される。Ｆｄｑ_１中、ｑｑは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｑ_１中、ｓｑ、ｔｑは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
（式（Ｒ）中のＦｆｒ_１、Ｆｐｒ_１は式（ＲＦ）で表される。Ｆｆｒ_１中、ｓｒ、ｔｒは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｒ_１中、ｒｒは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

（式（Ｓ）中のＦｄｓ_１、Ｆｆｓ_１は式（ＳＦ）で表される。Ｆｄｓ_１中、ｑｓは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｆｓ_１中、ｓｓ、ｔｓは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
（式（Ｔ）中のＦｆｔ_１、Ｆｐｔ_１は式（ＴＦ）で表される。Ｆｆｔ_１中、ｓｔ、ｔｔは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。Ｆｐｔ_１中、ｒｔは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）

　式（１）で表わされる化合物が上記式（Ａ）～（Ｔ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、厚みが薄くても磁気記録媒体の腐食を抑制できる潤滑層を形成でき、好ましい。
　式（１）で表される化合物が、式（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）～（Ｔ）で表される化合物のいずれかであると、特に、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成でき、好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、７００～７０００の範囲内であることがより好ましく、１０００～５０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。数平均分子量が５０００以下であると、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、より好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとした。^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　本実施形態においては、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物として、Ｒ^４を中心とする対称構造を有する化合物を製造する場合を例に挙げて説明する。具体的には、式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じ構造を有し、Ｒ^１とＲ^７とが同じで、Ｒ^３とＲ^５とが同じである化合物を製造する場合を例に挙げて説明する。

　まず、式（１）におけるＲ^４に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の両末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３（＝Ｒ^５）に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる（第一反応）。このことにより、Ｒ^４に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、Ｒ^３（＝Ｒ^５）に対応するエポキシ基を有する中間体化合物１が得られる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造する際に、前記第一反応において使用されるエポキシ基を有するハロゲン化合物としては、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－（２－ブロモエチル）オキシラン、２－（２－クロロエチル）オキシラン、２－（３－ブロモプロピル）オキシラン、２－（３－クロロプロピル）オキシランなどが挙げられる。式（１）におけるＲ^３を表す式（２）中のａおよび／またはＲ^５を表す式（３）中のｃが２～３の整数である場合、エポキシ基を有するハロゲン化合物として、例えば、２－（２－ブロモエチル）オキシラン、２－（２－クロロエチル）オキシラン、２－（３－ブロモプロピル）オキシラン、２－（３－クロロプロピル）オキシランなどを用いることができる。

　次いで、式（１）におけるＲ^２（＝Ｒ^４＝Ｒ^６）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。そして、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１（＝Ｒ^７）に対応する基を有するエポキシ化合物とを反応させる（第二反応）。このことにより、Ｒ^２（＝Ｒ^６）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１（＝Ｒ^７）に対応する基を有する中間体化合物２が得られる。
　Ｒ^１（＝Ｒ^７）に対応する基を有するエポキシ化合物は、水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造する際に、前記第二反応において使用されるエポキシ化合物は、例えば、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１（またはＲ^７）に対応する構造を有するアルコールと、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－ブロモエチルオキシラン、アリルグリシジルエーテルから選ばれるいずれかのエポキシ基を有する化合物とを反応させることにより合成できる。このようなエポキシ化合物は、不飽和結合を酸化する方法により合成してもよいし、市販品を購入して使用してもよい。

　その後、前記中間体化合物２の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、前記中間体化合物１の両末端に配置されたエポキシ基とを反応させる（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）においてＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じ構造を有し、Ｒ^１とＲ^７とが同じで、Ｒ^３とＲ^５とが同じである化合物を製造できる。ここで、第一反応と第二反応の順は逆であっても良い。

　また、例えば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物として、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が同じで、Ｒ^３とＲ^５とが同じであって、Ｒ^１とＲ^７とが異なる化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　すなわち、上述した第二反応において、Ｒ^１に対応する基を有する中間体化合物２ａと、Ｒ^７に対応する基を有する中間体化合物２ｂとをそれぞれ合成する。その後、上述した第三反応において、中間体化合物１の各末端に配置されたＲ^３（＝Ｒ^５）に対応するエポキシ基に対して、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとを順次反応させる方法により製造できる。

　また、例えば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物として、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が同じで、Ｒ^１とＲ^７とが同じであって、Ｒ^３とＲ^５とが異なる化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　すなわち、上述した第一反応において、前記フッ素系化合物の各末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基に対して、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物と、Ｒ^５に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを順次反応させる。このことにより、Ｒ^４に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一端に、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有し、他端にＲ^５に対応するエポキシ基を有する中間体化合物１ａが得られる。その後、上述した第三反応において、中間体化合物１に代えて中間体化合物１ａを用いる方法により製造できる。

　また、例えば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物として、Ｒ^１とＲ^７とが同じで、Ｒ^３とＲ^５とが同じであって、Ｒ^２とＲ^６で示される２つのＰＦＰＥ鎖と、Ｒ^４で示されるＰＦＰＥ鎖とが異なる化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　すなわち、上述した第一反応と第二反応とにおいて、種類の異なるＰＦＰＥ鎖を有するフッ素系化合物を使用し、それ以外は、上記と同じ方法により製造できる。

　また、例えば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物として、Ｒ^１とＲ^７とが同じまたは異なり、Ｒ^３とＲ^５とが同じであって、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６で示されるＰＦＰＥ鎖が、それぞれ異なる化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いて製造できる。
　すなわち、上述した第二反応において、フッ素系化合物として、第一反応で使用したフッ素系化合物とＰＦＰＥ鎖の種類が異なる２種類のものを用いる。そして、第二反応において、Ｒ^２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１に対応する基を有する中間体化合物２ｃと、Ｒ^６に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^７に対応する基を有する中間体化合物２ｄとを、それぞれ合成する。その後、上述した第三反応において、中間体化合物１の各末端に配置されたＲ^３（＝Ｒ^５）に対応するエポキシ基に対して、中間体化合物２ｃと中間体化合物２ｄとを順次反応させる方法により製造できる。

　ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層の機能について説明する。
　磁気記録媒体の腐食の原因としては、磁気記録媒体の表面に存在するイオン性の汚染物質が挙げられる。イオン性の汚染物質の多くは、磁気記録媒体の製造工程において外部から付着する。イオン性の汚染物質は、ハードディスクドライブ（磁気記録再生装置）内に侵入した環境物質が、磁気記録媒体に付着して生成されることもある。具体的には、例えば、磁気記録媒体および／またはハードディスクドライブが高温・高湿条件下で保持されることにより、イオンなどの環境物質を含む水が磁気記録媒体の表面に付着する場合がある。イオンなどの環境物質を含む水は、磁気記録媒体の表面に形成された潤滑層を通り抜けると、潤滑層の下に存在する微少のイオン成分を凝縮させて、イオン性の汚染物質を生成させる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であるので、これを含む潤滑層は、磁気記録媒体内部への汚染物質の侵入を妨げる腐食抑制効果の高いものとなる。この効果は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、下記＜１＞～＜５＞の機能を有することにより、保護層との密着性に優れ、適切な疎水性を有し、均一な被覆状態で保護層上に形成されやすいことの相乗効果によって得られる。

＜１＞上記の潤滑層は、式（１）で表される化合物におけるＲ^３およびＲ^５がそれぞれ有する１つ以上の水酸基（－ＯＨ）と、Ｒ^１およびＲ^７にそれぞれ２つまたは３つ含まれる極性基とによって、保護層との間に好適な相互作用が発生し、保護層に密着される。このため、上記の潤滑層は、磁気記録媒体内部への汚染物質の侵入を妨げることができ、磁気記録媒体の腐食を抑制できる。

＜２＞式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、３つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６）が、Ｒ^１とＲ^３との間、Ｒ^３とＲ^５との間、Ｒ^５とＲ^７との間に、それぞれ配置されている。
　このため、Ｒ^１の有する極性基とＲ^３の有する水酸基との距離、Ｒ^３とＲ^５の有する水酸基同士の距離、Ｒ^５の有する水酸基とＲ^７の有する極性基との距離が、いずれも適正である。したがって、Ｒ^３およびＲ^５の有する水酸基も、Ｒ^１およびＲ^７の有する極性基も、保護層上の活性点との結合を、隣接する極性基によって阻害されにくい。よって、Ｒ^３およびＲ^５の有する水酸基、およびＲ^１およびＲ^７の有する極性基は、いずれも保護層上の活性点との結合に関与しやすい。言い換えると、上記含フッ素エーテル化合物の有する極性基は、全て保護層上の活性点との結合に関与しない極性基になりにくい。その結果、上記含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の数が抑制され、保護層との密着性に優れる。

　また、Ｒ^３の有する水酸基とＲ^５の有する水酸基との距離、Ｒ^１の有する極性基とＲ^３の有する水酸基との距離、Ｒ^５の有する水酸基とＲ^７の有する極性基との距離が、いずれも適正であるため、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^１、Ｒ^７の有する極性基同士の分子内相互作用が小さく、凝集しにくい。したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有し、被覆率が高く、密着性の良好な潤滑層を保護層上に形成できる。

　さらに、各パーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６）の両端部がそれぞれ、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^１、Ｒ^７のいずれかの有する極性基によって保護層に密着される。このため、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくい。したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有し、被覆率が高く、密着性の良好な潤滑層を保護層上に形成できる。

＜３＞式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、３つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６）を有する。潤滑層に含まれる各パーフルオロポリエーテル鎖は、保護層の表面を被覆するとともに、表面エネルギーが低いことによって潤滑層に耐水性を付与する。
　潤滑層に含まれる式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、高温・高湿条件下で保持されると、熱による分子運動を起こす。イオンなどの環境物質を含む水は、潤滑層中で分子運動する分子間の隙間から侵入すると考えられる。
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、適切な耐水性および疎水性を有するため、潤滑層中で分子運動する分子間の隙間から磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げ、磁気記録媒体の耐腐食性を向上させる。

＜４＞式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３は式（２）で表される連結基であり、Ｒ^５は式（３）で表される連結基であり、式（２）中のａと式（３）中のｃが同時に１となることはない。すなわち、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中および／または式（３）中の水酸基が結合した炭素原子と、Ｒ^４との間に炭素数２または３のメチレン鎖を有している。したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中のａが１であり、かつ式（３）中のｃが１である化合物と比較して、Ｒ^３および／またはＲ^５で表される連結基中に含まれる炭素原子の数が多く、疎水性が良好である。このことにより、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、水が通り抜けにくく、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができる。

＜５＞式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１およびＲ^７に含まれる各極性基が、それぞれ異なる炭素原子に結合し、極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。このため、Ｒ^１およびＲ^７に含まれる極性基の結合している炭素原子、およびＲ^１およびＲ^７の有する連結基に含まれる炭素原子の疎水性によって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、適切な疎水性を有するものとなる。その結果、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、水が通り抜けにくく、磁気記録媒体内部への水の侵入を妨げることができ、磁気記録媒体の腐食を抑制できるものとなる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、８０質量％以上であってもよいし、９０質量％以上であってもよい。

　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果の高い潤滑層を形成できる。本実施形態の潤滑剤からなる潤滑層は、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものであるため、厚みを薄くできる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と保護層と潤滑層が順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進され、第１下地層（シード層）の配向性が向上するとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔを含む層であり、さらにＳＮＲ特性を改善するために、酸化物や、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
　保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法や、エチレン、トルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えばＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜できる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．０ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

　保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下に侵入した環境物質は、保護層１７に吸着、結合し、汚染物質を生成させる。生成した汚染物質（凝集成分）は、磁気記録再生の際に、スメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

　汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、基板１１の表面に潤滑層１８を形成した後、バーニッシュ（精密研磨）工程を行うことが好ましい。バーニッシュ工程を行うことにより、潤滑層１８を形成した基板１１の表面に存在する突起欠陥およびパーティクルを除去することができ、表面の平滑な磁気記録媒体１０が得られる。磁気記録媒体１０の表面が平滑であると、磁気記録媒体１０と磁気ヘッドとのスペーシングロスを少なくでき、信号特性を向上できる。
　バーニッシュ工程は、例えば、潤滑層１８を形成した基板１１の表面上に、バーニッシュテープを走査する工程とすることができる。バーニッシュテープとしては、例えば、砥粒を保持させた樹脂フィルムからなるものを用いることができる。砥粒の粒度は、例えば、＃６０００～＃２００００とすることができる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は１０～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の腐食を抑制する効果の高いものである。このため、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少なく、優れた耐腐食性を有し、信頼性および耐久性が良好である。また、本実施形態の磁気記録媒体１０は、腐食抑制効果の高い潤滑層１８を有するため、保護層１７および／または潤滑層１８の厚みを薄くできる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。
（第一反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）９．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、６０％水素化ナトリウム１．７６ｇ（４４ｍｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１５．６ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液に２－（２－ブロモエチル）オキシラン６．３４ｇ（４２ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で２時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水８０ｍＬを加えて反応を停止し、分液漏斗へ移し、酢酸エチル１５０ｍＬで２回抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物１として下記式（１０）で示される化合物３．７ｇ（分子量６０８、６．０ｍｍｏｌ）を得た。

（式（１０）中、平均重合度を示すｒは２．５である。）

（第二反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）１４．０ｇと、下記式（１１）で表される化合物３．８９ｇ（分子量２１６．２８、１８ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール２８ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１．０ｇ（分子量１１２．２、９ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　式（１１）で表される化合物は、１，３－プロパンジオールの片方の水酸基をＴＨＰ基（テトラヒドロピラニル基）で保護し、もう片方の水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。
　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物２として下記式（１２）で示される化合物８．２ｇ（分子量６８４、１２．０ｍｍｏｌ）を得た。

（式（１１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（１２）中、平均重合度を示すｒは２．５である。）

（第三反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに式（１２）で表される中間体化合物２（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）６．８ｇと、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３４ｇと、ｔ－ブタノール９．４ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらに式（１０）で表される中間体化合物１（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）１．８ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、上記式（Ａ）で示される化合物（式（Ａ）におけるＦｐａ_１、Ｆｐａ_２は式（ＡＦ）で表される。Ｆｐａ_１中の平均重合度を示すｒａは２．５、Ｆｐａ_２中の平均重合度を示すｒａは２．５である。）を３．３ｇ（分子量１８０９、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３８～１．７５（８Ｈ）、３．３７～４．３１（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例２］
　第一反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６９３、分子量分布１．１）を１３．９ｇ用いたことと、第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６９３、分子量分布１．１）を２０．８ｇ用いたことと、式（１１）で表される化合物の代わりに、下記式（１３）で表される化合物を６．０２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）におけるＦｄｂ_１、Ｆｄｂ_２は式（ＢＦ）で表される。Ｆｄｂ_１中の平均重合度を示すｑｂは２．５、Ｆｄｂ_２中の平均重合度を示すｑｂは２．５である。）を４．７ｇ（分子量２６３２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１３）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールの１級水酸基にＴＢＳ基（ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基）を導入し、得られた化合物の２級水酸基にＭＯＭ基（メトキシメチル基）を導入した。得られた化合物のＴＢＳ基を除去した後、生じた１級水酸基に２－(クロロプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた。得られた化合物の二重結合を酸化した。以上の工程により、式（１３）で表される化合物を得た。

（式（１３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３７～１．８１（８Ｈ）、３．３６～４．３５（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５Ｆ）

［実施例３］
　第一反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６３３、分子量分布１．１）を１２．７ｇ用いたことと、第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６３３、分子量分布１．１）を１９．０ｇ用いたことと、式（１１）で表される化合物の代わりに、下記式（１４）で表される化合物を３．１０ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）におけるＦｆｃ_１、Ｆｆｃ_２は式（ＣＦ）で表される。Ｆｆｃ_１中の平均重合度を示すｓｃ、ｔｃは２．５、Ｆｆｃ_２中の平均重合度を示すｓｃ、ｔｃは２．５である。）を４．０ｇ（分子量２２１６、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１４）で表される化合物は、３－ブテン－１－オールの１級水酸基にＴＨＰ基（テトラヒドロピラニル基）を導入し、得られた化合物の二重結合を酸化させることにより合成した。

（式（１４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６７（８Ｈ）、３．３９～４．３４（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１５Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例４］
　第二反応において式（１１）で表される化合物の代わりに、下記式（１５）で表される化合物を４．７６ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）におけるＦｐｄ_１、Ｆｐｄ_２は式（ＤＦ）で表される。Ｆｐｄ_１中の平均重合度を示すｒｄは２．５、Ｆｐｄ_２中の平均重合度を示すｒｄは２．５である。）を３．４ｇ（分子量１８９７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１５）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　１，２，４－ブタントリオールにベンズアルデヒドジメチルアセタールを反応させて、１，２，４－ブタントリオールの２位の炭素と４位の炭素に結合した水酸基を保護した化合物を合成した。この化合物と２－ブロモエチルオキシランとを反応させることで、式（１５）で表される化合物を合成した。

（式（１５）中、Ｐｈはフェニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６５（１２Ｈ）、３．４２～４．３５（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例５］
　第二反応において式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（１６）で表される化合物を３．６４ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、上記式（Ｅ）で表される化合物（式（Ｅ）におけるＦｄｅ_１、Ｆｄｅ_２は式（ＥＦ）で表される。Ｆｄｅ_１中の平均重合度を示すｑｅは２．５、Ｆｄｅ_２中の平均重合度を示すｑｅは２．５である。）を４．４ｇ（分子量２４５６、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１６）で表される化合物は、ジヒドロピランを用いて、エチレングリコールモノアリルエーテルを保護した化合物を、酸化することにより合成した。

（式（１６）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３７～１．６４（４Ｈ）、３．４２～４．３５（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５Ｆ）

［実施例６］
　第二反応において式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（１７）で表される化合物を３．８９ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）におけるＦｄｆ_１、Ｆｄｆ_２は式（ＦＦ）で表される。Ｆｄｆ_１中の平均重合度を示すｑｆは２．５、Ｆｄｆ_２中の平均重合度を示すｑｆは２．５である。）を４．５ｇ（分子量２４８４、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１７）で表される化合物は、３－ブテン－１－オールと２－ブロモエトキシテトラヒドロピランとを反応させて得られた化合物の二重結合を酸化させることにより合成した。

（式（１７）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．５９（８Ｈ）、３．３７～４．３８（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５Ｆ）

［実施例７］
　第二反応において式（１４）で表される化合物の代わりに、下記式（１８）で表される化合物を４．５１ｇ用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）におけるＦｆｇ_１、Ｆｆｇ_２は式（ＧＦ）で表される。Ｆｆｇ_１中の平均重合度を示すｓｇ、ｔｇは２．５、Ｆｆｇ_２中の平均重合度を示すｓｇ、ｔｇは２．５である。）を４．３ｇ（分子量２３６４、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１８）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　１，２，４－ブタントリオールにベンズアルデヒドジメチルアセタールを反応させて、１，２，４－ブタントリオールの２位の炭素と４位の炭素に結合した水酸基を保護した化合物を合成した。この化合物とエピブロモヒドリンとを反応させることにより、式（１８）で表される化合物を合成した。

（式（１８）中、Ｐｈはフェニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６７（８Ｈ）、３．３８～４．３３（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１５Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例８］
　第一反応において２－（２－ブロモエチル）オキシランの代わりに、２－（３－ブロモプロピル）オキシランを用いたことと、第二反応において式（１１）で表される化合物の代わりに、下記式（１９）で表される化合物を３．３５ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中のＦｐｈ_１、Ｆｐｈ_２は式（ＨＦ）で表される。Ｆｐｈ_１中の平均重合度を示すｒｈは２．５であり、Ｆｐｈ_２中の平均重合度を示すｒｈは２．５である。）を３．２ｇ（分子量１７７７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１９）で表される化合物は、４－ペンテン－１－オールの１級水酸基にＴＨＰ基（テトラヒドロピラニル基）を導入し、得られた化合物の二重結合を酸化させることにより合成した。

（式（１９）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６５（１６Ｈ）、３．４２～４．３５（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例９］
　第一反応において２－（２－ブロモエチル）オキシランの代わりに、２－（３－ブロモプロピル）オキシランを用いたことと、第二反応において式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２０）で表される化合物を６．９９ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中のＦｄｉ_１、Ｆｄｉ_２は式（ＩＦ）で表される。Ｆｄｉ_１中の平均重合度を示すｑｉは２．５、Ｆｄｉ_２中の平均重合度を示すｑｉは２．５である。）を４．８ｇ（分子量２６８８、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２０）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　エチレングリコールモノアリルエーテルを、ジヒドロピランを用いて保護した化合物を酸化させて、第１化合物を得た。第１化合物と、４－ペンテン－１－オールの水酸基とを反応させて、第２化合物を得た。第２化合物の２級水酸基をＴＨＰ基で保護した化合物の二重結合を酸化した。以上の工程により、式（２０）で表される化合物を得た。

（式（２０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３８～１．５８（１６Ｈ）、３．３８～４．４１（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５Ｆ）

［実施例１０］
　第一反応において２－（２－ブロモエチル）オキシランの代わりに、２－（３－ブロモプロピル）オキシランを用いたことと、第二反応において式（１４）で表される化合物の代わりに、下記式（２１）で表される化合物を５．７７ｇ用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）におけるＦｆｊ_１、Ｆｆｊ_２は式（ＪＦ）で表される。Ｆｆｊ_１中の平均重合度を示すｓｊ、ｔｊは２．５、Ｆｆｊ_２中の平均重合度を示すｓｊ、ｔｊは２．５である。）を４．４ｇ（分子量２４５２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２１）で表される化合物は以下の方法で合成した。
　３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールの有する１級水酸基に、保護基としてｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基を導入し、得られた化合物の２級水酸基に保護基としてメトキシメチル（ＭＯＭ）基を導入した。その後、化合物からＴＢＳ基を除去し、生じた１級水酸基に２－ブロモエトキシテトラヒドロピランを反応させた。得られた化合物の二重結合を酸化した。以上の工程により、式（２１）で表される化合物を得た。

（式（２１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６６（８Ｈ）、３．３９～４．３５（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１５Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例１１］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６９３、分子量分布１．１）を２０．８ｇ用いたことと、式（１１）で表される化合物の代わりに、上記式（１８）で表される化合物を４．５１ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｋ）で表される化合物（式（Ｋ）中のＦｄｋ_１、Ｆｐｋ_１は式（ＫＦ）で表される。Ｆｄｋ_１中の平均重合度を示すｑｋは２．５であり、Ｆｐｋ_１中の平均重合度を示すｒｋは２．５である）を４．２ｇ（分子量２３１９、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６３（８Ｈ）、３．３９～４．３５（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（２Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－９０．０～－８８．５（１０Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１０Ｆ）

［実施例１２］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６３３、分子量分布１．１）を用いたことと、式（１１）で表される化合物の代わりに、下記式（２２）で表される化合物を６．０２ｇ用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（Ｌ）で表される化合物（式（Ｌ）中のＦｆｌ_１、Ｆｐｌ_１は式（ＬＦ）で表される。Ｆｆｌ_１中の平均重合度を示すｓｌ、ｔｌは２．５であり、Ｆｐｌ_１中の平均重合度を示すｒｌは２．５である。）を４．１ｇ（分子量２２８７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２２）で表される化合物は以下の方法で合成した。
　ジヒドロピランを用いて、エチレングリコールモノアリルエーテルを保護し、得られた化合物を酸化して第１化合物とした。次に、第１化合物と、３－ブテン－１－オールの水酸基とを反応させて第２化合物とした。得られた第２化合物の２級水酸基をＭＯＭ基で保護し、二重結合を酸化させることにより、式（２２）で表される化合物を得た。

（式（２２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３５～１．６２（８Ｈ）、３．４１～４．３５（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例１３］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６９３、分子量分布１．１）を２０．８ｇ用いたことと、式（１９）で表される化合物の代わりに、上記式（１１）で表される化合物を３．８９ｇ用いたこと以外は、実施例８と同様な操作を行い、上記式（Ｍ）で表される化合物（式（Ｍ）中のＦｄｍ_１、Ｆｐｍ_１は式（ＭＦ）で表される。Ｆｄｍ_１中の平均重合度を示すｑｍは２．５であり、Ｆｐｍ_１中の平均重合度を示すｒｍは２．５である。）を４．１ｇ（分子量２２８７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３５～１．５６（１２Ｈ）、３．４１～４．３７（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（２Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－９０．０～－８８．５（１０Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１０Ｆ）

［実施例１４］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）を１４．０ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、上記式（Ｎ）で表される化合物（式（Ｎ）中のＦｄｎ_１、Ｆｐｎ_１は式（ＮＦ）で表される。Ｆｄｎ_１中の平均重合度を示すｑｎは２．５であり、Ｆｐｎ_１中の平均重合度を示すｒｎは２．５である。）を３．９ｇ（分子量２１８２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３９～１．６１（８Ｈ）、３．４１～４．４５（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－８４．０～－８３．０（１０Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（２４Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（５Ｆ）

［実施例１５］
　第二反応において上記式（１３）で表される化合物の代わりに、上記式（１５）で表される化合物を４．７６ｇ用いたこと以外は、実施例１４と同様な操作を行い、上記式（Ｏ）で表される化合物（式（Ｏ）中のＦｄｏ_１、Ｆｐｏ_１は式（ＯＦ）で表される。Ｆｄｏ_１中の平均重合度を示すｑｏは２．５であり、Ｆｐｏ_１中の平均重合度を示すｒｏは２．５である。）を３．８ｇ（分子量２１２２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．５８（１２Ｈ）、３．３８～４．４１（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－８４．０～－８３．０（１０Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（２４Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（５Ｆ）

［実施例１６］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６３３、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２３）で表される化合物を４．１５ｇ用いたこと以外は、実施例２と同様な操作を行い、上記式（Ｐ）で表される化合物（式（Ｐ）中のＦｄｐ_１、Ｆｆｐ_１は式（ＰＦ）で表される。Ｆｄｐ_１中の平均重合度を示すｑｐは２．５を表す。Ｆｆｐ_１中の平均重合度を示すｓｐ、ｔｐは２．５である。）を４．３ｇ（分子量２３９２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２３）で表される化合物は、１，４－ブタンジオールの片方の水酸基をＴＨＰ基で保護し、もう片方の水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

（式（２３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３７～１．６１（１２Ｈ）、３．４０～４．４３（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８４．０～－８３．０（１０Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２０Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（５Ｆ）

［実施例１７］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６３３、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（２０）で表される化合物の代わりに、上記式（１６）で表される化合物を３．６４ｇ用いたこと以外は、実施例９と同様な操作を行い、上記式（Ｑ）で表される化合物（式（Ｑ）中のＦｄｑ_１、Ｆｆｑ_１は式（ＱＦ）で表される。Ｆｄｑ_１中の平均重合度を示すｑｑは２．５であり、Ｆｆｑ_１中の平均重合度を示すｓｑ、ｔｑは２．５である。）を４．３ｇ（分子量２３６４、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３６～１．５７（８Ｈ）、３．３９～４．３７（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８４．０～－８３．０（１０Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２０Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（５Ｆ）

［実施例１８］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）を１４．０ｇ用いたことと、上記式（１４）で表される化合物の代わりに、上記式（２１）で表される化合物を５．７７ｇ用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（Ｒ）で表される化合物（式（Ｒ）中のＦｆｒ_１、Ｆｐｒ_１は式（ＲＦ）で表される。Ｆｆｒ_１中の平均重合度を示すｓｒ、ｔｒは２．５であり、Ｆｐｒ_１中の平均重合度を示すｒｒは２．５である。）を３．８ｇ（分子量２０９４、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．５９（４Ｈ）、３．４０～４．４３（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（５Ｆ）、－７７．７（２Ｆ）、－７８．６（４Ｆ）、－８０．３（２Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［実施例１９］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｑＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｑは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量６９３、分子量分布１．１）を２０．８ｇ用いたことと、上記式（１４）で表される化合物の代わりに、下記式（２４）で表される化合物を３．６１ｇ用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（Ｓ）で表される化合物（式（Ｓ）中のＦｄｓ_１、Ｆｆｓ_１は式（ＳＦ）で表される。Ｆｄｓ_１中の平均重合度を示すｑｓは２．５であり、Ｆｆｓ_１中の平均重合度を示すｓｓ、ｔｓは２．５である。）を４．３ｇ（分子量２３９２、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２４）で表される化合物は、５－ヘキセン－１－オールの１級水酸基にＴＨＰ基（テトラヒドロピラニル基）を導入し、得られた化合物の二重結合を酸化させることで合成した。

（式（２４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．５７（１６Ｈ）、３．４１～４．３７（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（５Ｆ）、－７７．７（２Ｆ）、－８０．３（２Ｆ）、－８４．０～－８３．０（２０Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１０Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１０Ｆ）

［実施例２０］
　第二反応においてＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｓ（ＣＦ_２Ｏ）_ｔＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｓ、ｔは２．５である。）で表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）を用いたことと、上記式（２１）で表される化合物の代わりに、下記式（２５）で表される化合物を５．４８ｇ用いたこと以外は、実施例１０と同様な操作を行い、上記式（Ｔ）で表される化合物（式（Ｔ）中のＦｆｔ_１、Ｆｐｔ_１は式（ＴＦ）で表される。Ｆｆｔ_１中の平均重合度を示すｓｔ、ｔｔは２．５であり、Ｆｐｔ_１中の平均重合度を示すｒｔは２．５である。）を３．７６ｇ（分子量２０９０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２５）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　式（１９）で表される化合物とアリルアルコールとを反応させて得られた化合物の２級水酸基をＭＯＭ基で保護した。得られた化合物の二重結合を酸化させることにより式（２５）で表される化合物を得た。

（式（２５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　得られた化合物（Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３５～１．６０（１６Ｈ）、３．４２～４．４２（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（５Ｆ）、－７７．７（２Ｆ）、－７８．６（４Ｆ）、－８０．３（２Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１］
　下記式（ＡＡ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＡ）中のＦｐａａ_１、Ｆｆａａ_１は式（ＡＡＦ）で表される。Ｆｐａａ_１中の平均重合度を示すｐａａは２．５であり、Ｆｆａａ_１中の平均重合度を示すｍａａ、ｎａａはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＡ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４２～４．２８（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例２］
　下記式（ＡＢ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＢ）中のＦｐａｂ_１、Ｆｆａｂ_１は式（ＡＢＦ）で表される。Ｆｐａｂ_１中の平均重合度を示すｐａｂは２．５であり、Ｆｆａｂ_１中の平均重合度を示すｍａｂ、ｎａｂはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＢ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．５４～１．７６（４Ｈ）、３．４２～４．２８（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例３］
　下記式（ＡＣ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＣ）中のＦｐａｃ_１、Ｆｆａｃ_１は式（ＡＣＦ）で表される。Ｆｐａｃ_１中の平均重合度を示すｐａｃは２．５であり、Ｆｆａｃ_１中の平均重合度を示すｍａｃ、ｎａｃはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＣ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．１８（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例４］
　下記式（ＡＤ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＤ）中のＦｐａｄ_１、Ｆｆａｄ_１は式（ＡＤＦ）で表される。Ｆｐａｄ_１中の平均重合度を示すｐａｄは２．５であり、Ｆｆａｄ_１中の平均重合度を示すｍａｄ、ｎａｄはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＤ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６７（４Ｈ）、３．３９～４．３４（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例５］
　下記式（ＡＥ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＥ）中のＦｐａｅ_１、Ｆｆａｅ_１は式（ＡＥＦ）で表される。Ｆｐａｅ_１中の平均重合度を示すｐａｅは２．５であり、Ｆｆａｅ_１中の平均重合度を示すｍａｅ、ｎａｅはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＥ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．３４～１．６５（８Ｈ）、３．４２～４．３５（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例６］
　下記式（ＡＦ）で表される化合物を、以下の方法で合成した。
　第一反応において２－（２－ブロモエチル）オキシランの代わりに、エピブロモヒドリンを用いたことと、第二反応において式（２２）で表される化合物の代わりに、下記式（２６）で表される化合物を４．４７ｇ用いたこと以外は、実施例１２と同様な操作を行い、下記式（ＡＦ）で表される化合物を３．９ｇ（分子量２１４３、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２６）で表される化合物は、３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールの有する１級および２級水酸基に、保護基としてＴＨＰ基を導入し、得られた化合物の二重結合を酸化することにより得た。

（式（２６）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（ＡＦ）中のＦｐａｆ_１、Ｆｆａｆ_１は式（ＡＦＦ）で表される。Ｆｐａｆ_１中の平均重合度を示すｐａｆは２．５であり、Ｆｆａｆ_１中の平均重合度を示すｍａｆ、ｎａｆはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＦ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４２～４．３５（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例７］
　下記式（ＡＧ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＧ）中のＦｐａｇ_１、Ｆｆａｇ_１は式（ＡＧＦ）で表される。Ｆｐａｇ_１中の平均重合度を示すｐａｇは２．５であり、Ｆｆａｇ_１中の平均重合度を示すｍａｇ、ｎａｇはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＧ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．５４～１．７６（２Ｈ）、３．４２～４．２８（３２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１０Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－７８．６（２Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－８１．３（２Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例８］
　下記式（ＡＨ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＨ）中のＦｐａｈ_１、Ｆｆａｈ_１は式（ＡＨＦ）で表される。Ｆｐａｈ_１中の平均重合度を示すｐａｈは２．５であり、Ｆｆａｈ_１中の平均重合度を示すｍａｈ、ｎａｈはそれぞれ２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＨ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４２～４．２８（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（５Ｆ）、－７７．７（２Ｆ）、－７８．６（４Ｆ）、－８０．３（２Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例９］
　下記式（ＡＩ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＩ）中のＦｐａｉ_１、Ｆｐａｉ_２は式（ＡＩＦ）で表される。Ｆｐａｉ_１中の平均重合度を示すｐａｉは２．５であり、Ｆｐａｉ_２中の平均重合度を示すｐａｉは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４２～４．２８（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１０］
　下記式（ＡＪ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＪ）中のＦｆａｊ_１、Ｆｆａｊ_２は式（ＡＪＦ）で表される。Ｆｆａｊ_１中の平均重合度を示すｍａｊ、ｎａｊは２．５であり、Ｆｆａｊ_２中の平均重合度を示すｍａｊ、ｎａｊは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＪ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４２～４．２８（３８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１５Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１１］
　下記式（ＡＫ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＫ）中のＦｐａｋ_１、Ｆｐａｋ_２は式（ＡＫＦ）で表される。Ｆｐａｋ_１中の平均重合度を示すｐａｋは２．５であり、Ｆｐａｋ_２中の平均重合度を示すｐａｋは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＫ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．１８（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１２］
　下記式（ＡＬ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＬ）中のＦｆａｌ_１、Ｆｆａｌ_２は式（ＡＬＦ）で表される。Ｆｆａｌ_１中の平均重合度を示すｍａｌ、ｎａｌは２．５であり、Ｆｆａｌ_２中の平均重合度を示すｍａｌ、ｎａｌは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＬ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．１８（４６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１５Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１３］
　下記式（ＡＭ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＭ）中のＦｐａｍ_１、Ｆｐａｍ_２は式（ＡＭＦ）で表される。Ｆｐａｍ_１中の平均重合度を示すｐａｍは２．５であり、Ｆｐａｍ_２中の平均重合度を示すｐａｍは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＭ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
（同定データ）
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．１８（３２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

［比較例１４］
　下記式（ＡＮ）で表される化合物を、以下の方法で合成した。
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）１４．０ｇと、ｔｅｒｔ－ブチルグリシジルエーテル２．３４ｇ（分子量１３０．１９、１８ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール２８ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１．０ｇ（分子量１１２．２、９ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（２７）で示される化合物７．２ｇ（分子量５９８、１２．０ｍｍｏｌ）を得た。

（式（２７）中、平均重合度を示すｒは２．５である。）

　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに式（２７）で表される化合物（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）７．２ｇと、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．６７ｇと、ｔ－ブタノール１０．５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらに下記式（２８）で表される化合物２．６０ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。
　式（２８）で表される化合物は、ジアリルエーテルを酸化させることによって合成した。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（２９）で示される化合物５．９ｇ（分子量７２８、７．７ｍｍｏｌ）を得た。

（式（２９）中、平均重合度を示すｒは２．５である。）

　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに式（２９）で表される化合物（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）５．９ｇと、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．１２ｇと、ｔ－ブタノール２．８ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｒＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｒは２．５である。）で表される化合物（数平均分子量４６８、分子量分布１．１）１．６ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、下記式（ＡＮ）で示される化合物を３．３ｇ（分子量１８１２、２．４ｍｍｏｌ）を得た。

（式（ＡＮ）中のＦｐａｎ_１、Ｆｐａｎ_２は式（ＡＮＦ）で表される。Ｆｐａｎ_１中の平均重合度を示すｐａｎは２．５であり、Ｆｐａｎ_２中の平均重合度を示すｐａｎは２．５を表す。）

　得られた化合物（ＡＮ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４７～４．２４（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（３０Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～２０、比較例１～１４の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ^１およびＲ^７の構造（式（４－１）中のｅおよびｆ、式（４－２）中のｇおよびｈ、式（４－３）中のｉ、式（４－４）中のｊ、式（４－５））、Ｒ^３およびＲ^５の構造（式（２）中のａおよびｂ、式（３）中のｃおよびｄ）、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６の構造（式（５）中のｋおよびｌ、式（６）中のｍ、式（７）中のｎ）を表１～表２に示す。

　また、実施例１～２０、比較例１～１４の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上述した^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表３に示す。なお、化合物の原料として用いたフルオロポリエーテルの分子量分布、化合物を合成する際の操作の差異などによって、合成した化合物の平均分子量の値には１～５程度のばらつきが存在しているものと推定される。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～２０、比較例１～１４で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２０、比較例１～１４の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～２０、比較例１～１４で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の塗膜の膜厚が９Å～１１ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、厚み１～５ｎｍの炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２０、比較例１～１４の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。

　その後、潤滑層を形成した磁気記録媒体の表面に、粒度＃６０００の砥粒が保持されたバーニッシュテープを走査させるバーニッシュ工程を行った。
　バーニッシュ工程後の磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱する熱処理を行った。
　以上の工程により、実施例１～２０、比較例１～１４の磁気記録媒体（バーニッシュ有り）を得た。
　また、バーニッシュ工程を行わなかったこと以外は、バーニッシュ有りの磁気記録媒体と同様にして、実施例１～２０、比較例１～１４の磁気記録媒体（バーニッシュ無し）を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～２０、比較例１～１４の磁気記録媒体（バーニッシュ有りおよび無し）の有する潤滑層の膜厚を、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。実施例１～２０、比較例１～１４の磁気記録媒体のいずれにおいても、バーニッシュ有りと無しとで潤滑層の膜厚に差はなかった。その結果を表３に示す。

　次に、実施例１～２０、比較例１～１４のバーニッシュ有りおよびバーニッシュ無しの磁気記録媒体に対して、それぞれ以下に示す耐腐食性試験を行なった。
（耐腐食性試験）
　磁気記録媒体を８５℃相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体の腐食した場所の数を、光学表面分析装置を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表３に示す。

「評価基準」
Ａ：１２０未満
Ｂ：１２０以上、１５０未満
Ｃ：１５０以上、３５０未満
Ｄ：３５０以上、１０００未満
Ｅ：１０００以上

　表３に示すように、式（１）で表される化合物を含む潤滑層を有する実施例１～２０の磁気記録媒体は、耐腐食性試験の結果が、テープバーニッシュ無しの場合、Ａであり、テープバーニッシュ有りの場合、ＡまたはＢであり、耐腐食性が良好であった。
　これに対し、比較例１～１４の磁気記録媒体は、テープバーニッシュ無しの場合も有りの場合も、耐腐食性試験の結果がＣ～Ｅであり、実施例１～２０の磁気記録媒体と比較して、耐腐食性が劣っていた。

　より詳細には、実施例１～２０の磁気記録媒体は、潤滑層が、式（１）中のＲ^３が式（２）（式（２）中のａが２、ｂが１）であって、Ｒ^５が式（３）（式（３）中のｃが２、ｄが１）、またはＲ^３が式（２）（式（２）中のａが３、ｂが１）であって、Ｒ^５が式（３）（式（３）中のｃが３、ｄが１）であり、Ｒ^１およびＲ^７が式（４－１）～（４－５）で表される末端基である化合物を含む。このため、実施例１～２０の磁気記録媒体は、比較例１～１４の磁気記録媒体と比較して、潤滑層中の化合物のＲ^３およびＲ^５に含まれる炭素原子の数が多く、疎水性が良好である。しかも、この潤滑層は、Ｒ^１およびＲ^７に含まれる極性基の結合している炭素原子、およびＲ^１およびＲ^７中の連結基に含まれる炭素原子の疎水性によって、適切な疎水性を有する。さらに、この潤滑層は、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^１およびＲ^７それぞれの有する極性基によって、保護層との良好な密着性が得られる。これらのことから、実施例１～２０の磁気記録媒体では、外部から潤滑層内への水の侵入が防止され、良好な腐食抑制効果が得られたものと推定される。

　さらに、実施例８～１０、実施例１３、実施例１７、実施例２０の磁気記録媒体は、バーニッシュ有り、バーニッシュ無しのいずれも耐腐食性試験結果がＡであり、特に優れた腐食抑制効果を示した。これは、実施例８～１０、実施例１３、実施例１７、実施例２０の磁気記録媒体の潤滑層が、Ｒ^３が式（２）（式（２）中のａが３、ｂが１）であって、Ｒ^５が式（３）（式（３）中のｃが３、ｄが１）である化合物を含むため、化合物のＲ^３およびＲ^５に含まれる炭素原子の数がより多く（メチレン鎖が長く）、疎水性がより一層良好となったことによるものと推定される。

　例えば、Ｒ^１およびＲ^７で表される末端基が同じであり、Ｒ^３およびＲ^５で表される連結基が異なる化合物を用いた磁気記録媒体を比較（実施例１および１３に対して比較例４；実施例３に対して比較例２；実施例５および１７に対して比較例３、１１および１２；実施例１６に対して比較例５）すると、Ｒ^３およびＲ^５に含まれる炭素原子の数がより多い（メチレン鎖が長い）ものほど、高い腐食抑制効果を示した。

　また、Ｒ^１とＲ^７が、末端極性基が結合する炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基が結合する炭素原子との間の連結基がエーテル結合（－Ｏ－）を含まない式（４－１）、（４－５）で表される末端基である実施例３、実施例４、実施例７、実施例８、実施例１１、実施例１５、実施例１９、実施例２０の磁気記録媒体は、良好な腐食抑制効果を示した。これは、式（４－１）、（４－５）で表される末端基に含まれる連結基が、エーテル結合を含まず、適正な数の炭素原子を含むため、良好な疎水性を有する潤滑層となり、水の侵入が防止されたためであると推定される。

　また、Ｒ^１とＲ^７が、末端極性基が結合する炭素原子と、末端極性基に隣接する極性基が結合する炭素原子との間の連結基がエーテル結合を含む式（４－２）、（４－３）、（４－４）で表される末端基である実施例１、実施例２、実施例５、実施例６、実施例９、実施例１０、実施例１２～１４、実施例１６～１８の磁気記録媒体は、良好な腐食抑制効果を示した。これは、式（４－２）、（４－３）、（４－４）で表される末端基に含まれる連結基が、適正な数の炭素原子を含むため、良好な疎水性を有する潤滑層となり、水の侵入が防止されたためであると推定される。

　さらに、式（１）中のＲ^１とＲ^７がそれぞれ３つの水酸基を有する実施例２、実施例４、実施例７、実施例９～１２、実施例１４、実施例１５、実施例１８、実施例２０は、バーニッシュ有り、バーニッシュ無しのいずれも耐腐食性試験結果がＡであり、特に優れた腐食抑制効果を示した。これは、式（１）中のＲ^１およびＲ^７にそれぞれ含まれる３つの水酸基が、保護層との優れた密着性を示したことによるものと考えられる。潤滑層と保護層との密着性が優れていると、外部から潤滑層内への水の侵入を防止できる。

　これに対し、比較例６は、式（１）中のＲ^１とＲ^７がそれぞれ３つの水酸基を有するものの、耐腐食性試験の結果がＥ（バーニッシュ有り）およびＤ（バーニッシュ無し）であった。これは、比較例６の磁気記録媒体の有する潤滑層に含まれる化合物では、式（１）中のＲ^３が式（２）（式（２）中のａが１、ｂが１）であって、Ｒ^５が式（３）（式（３）中のｃが１、ｄが１）であり、しかも、Ｒ^１とＲ^７に含まれる末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子とが結合しているためであると推定される。このような化合物を有する潤滑層では、末端水酸基と、末端水酸基に隣接する水酸基のどちらかが、保護層に対して配向が逆方向となるため、水酸基の保護層への密着が得られにくくなる。また、このような化合物を有する潤滑層は、十分な疎水性が得られない。

　また、式（１）中のＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６が、式（５）、式（６）、式（７）から選ばれるいずれか一種のＰＦＰＥ鎖である実施例１～１０においても、式（５）、式（６）、式（７）から選ばれる２種類のＰＦＰＥ鎖である実施例１１～２０においても、良好な耐腐食性試験結果が得られた。

　また、式（１）中のＲ^３が式（２）（式（２）中のａが１、ｂが１）であって、Ｒ^５が式（３）（式（３）中のｃが１、ｄが１）であり、しかも、Ｒ^１が－ＯＨである比較例７、比較例１３は、いずれも耐腐食性試験結果がＥであった。これは、潤滑層の疎水性が不十分であり、しかも、Ｒ^１の有する水酸基の保護層への密着が十分に得られず、潤滑層の被覆率が低いためであると推定される。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５－ＣＨ_２－Ｒ^６－ＣＨ_２－Ｒ^７
（１）
（式（１）中、Ｒ^２、Ｒ^４およびＲ^６は、同じまたは異なるパーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３は下記式（２）で表される連結基である；Ｒ^５は下記式（３）で表される連結基である；Ｒ^１およびＲ^７はそれぞれ独立に、２つまたは３つの極性基を含み、各極性基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記極性基の結合している炭素原子同士が、極性基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。）

（式（２）中のａは１～３の整数であり、ｂは１～２の整数である；式（３）中のｃは１～３の整数であり、ｄは１～２の整数である；ただし、式（２）中のａと式（３）中のｃが同時に１となることはない。）
　前記式（２）中のａが２～３の整数であり、前記式（３）中のｃが２～３の整数である請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）において、Ｒ^１およびＲ^７の有する極性基がすべて水酸基である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）において、－Ｒ^１および－Ｒ^７がそれぞれ独立に、下記式（４－１）～（４－５）で表される末端基である請求項１～請求項３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（４－１）中のｅは０～１の整数であり、ｆは１～４の整数である。）
（式（４－２）中のｇは１～２の整数であり、ｈは１～３の整数である。）
（式（４－３）中のｉは１～３の整数である。）
（式（４－４）中のｊは１～２の整数である。）
　前記式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４、Ｒ^６がそれぞれ独立に、下記式（５）～（９）のいずれかである請求項１～請求項４のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｋ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｌ－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｋおよびｌは平均重合度を示し、それぞれ０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｍ－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｍは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎ－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｏ－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（８）
（式（８）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
－ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）Ｏ）_ｐ－ＣＦ（ＣＦ_３）－　（９）
（式（９）中のｐは平均重合度を示し、０．１～２０を表す。）
　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^７が同じである請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）において、Ｒ^２とＲ^６が同じである請求項１～請求項６のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１～請求項７のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１～請求項８のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである請求項１０に記載の磁気記録媒体。