WO2023286626A1

WO2023286626A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Info

Publication number: WO2023286626A1
Application number: PCT/JP2022/026256
Authority: WO
Inventors: 千鶴笠原; 剛加藤; 夏実芝田; 大輔柳生; 優丹治; 拓麻黒田
Original assignee: 昭和電工株式会社
Priority date: 2021-07-14
Filing date: 2022-06-30
Publication date: 2023-01-19
Also published as: CN117597325A; JPWO2023286626A1

Abstract

厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供する。下記式で表される含フッ素エーテル化合物とする。Ｒ１－ＣＨ２－Ｒ２－ＣＨ２－ＯＣＨ２－ＣＨＲ３－ＣＨ２Ｏ－ＣＨ２－Ｒ４－ＣＨ２－Ｒ５（式中、Ｒ２およびＲ４は、パーフルオロポリエーテル鎖。Ｒ１およびＲ５は、２つまたは３つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基。Ｒ３は、下記式で表される。－（ＣＨ２）ａ－ＯＨ（ａは２～８の整数））

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２１年７月１４日に、日本に出願された特願２０２１－１１６２５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。
　保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。さらに、保護層は、記録層を被覆して、記録層に含まれる金属が環境汚染物質により腐食されるのを防ぐ役割を有する。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。

　そのため、保護層の表面に潤滑剤を塗布して、厚さ０．５～３ｎｍ程度の潤滑層を形成している。潤滑層は、保護層の耐久性および保護力を改善し、磁気記録媒体内部への汚染物質の侵入を防ぐ。
　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、ＣＦ_２を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、ヒドロキシ基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、潤滑剤として、分子の中央部に、ヒドロキシ基を有する脂肪族炭化水素鎖が配置され、その両側に、パーフルオロポリエーテルがそれぞれ結合している化合物を含むものもある（例えば、特許文献２～特許文献５参照）。

ＷＯ２００９／０６６７８４ＵＳ９８０５７５５ＵＳ２０２０／０００２６４０ＷＯ２０２１／０１９９９８ＷＯ２０１６／０８４７８１

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の化学物質耐性が低下する傾向がある。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有し、優れた化学物質耐性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。
　その結果、鎖状構造の中央に、プロパンジオール骨格の２位に、１級水酸基を１つ含む構造が配置され、その両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）を介してパーフルオロポリエーテル鎖と、メチレン基と、２つまたは３つの水酸基を含む末端基とがこの順にそれぞれ結合され、末端基中の水酸基間の距離が適正である含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出し、本発明を想到した。
　すなわち、本発明は以下の事項に関する。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２－ＣＨＲ^３－ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２およびＲ^４は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^１およびＲ^５は、２つまたは３つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。Ｒ^３は、下記式（２）で表される。）
－（ＣＨ_２）_ａ－ＯＨ　（２）
（式（２）中、ａは２～８の整数を表す。）

［２］　前記式（２）におけるａが３～６の整数である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［３］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が、それぞれ独立に下記式（３－１）～（３－５）で表されるいずれかである、［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－１）中のｉは０～１の整数であり、ｊは１～４の整数である。）
（式（３－２）中のｋは１～２の整数であり、ｌは１～３の整数である。）
（式（３－３）中のｍは１～３の整数である。）
（式（３－４）中のｎは１～２の整数である。）

［４］　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、それぞれ独立に下記式（４）で表される、［１］～［３］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－（ＣＦ_２）_ｖＯ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－（ＣＦ_２）_ｖ’－　　（４）
（式（４）中、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０の実数である。ｗ、ｘ、ｙ、ｚのすべてが同時に０になることはない。ｖ、ｖ’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３の実数である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）

［５］　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、それぞれ独立に下記式（５）～（９）のいずれかで表される、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ５－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｗ５およびｘ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ６－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｘ６は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ７－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｙ７は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－（ＣＦ_２）_ｖ８Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ８－（ＣＦ_２）_ｖ８’－　（８）
（式（８）中、ｘ８およびｙ８は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。ｖ８およびｖ８’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ９－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（９）
（式（９）中、ｚ９は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）

［６］　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^５が同じである、［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［７］　前記式（１）において、Ｒ^２とＲ^４が同じである、［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［８］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［９］　［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

［１０］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１１］　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、［１０］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であるため、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が設けられているため、優れた化学物質耐性を示し、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２－ＣＨＲ^３－ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２およびＲ^４は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^１およびＲ^５は、２つまたは３つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。Ｒ^３は、下記式（２）で表される。）
－（ＣＨ_２）_ａ－ＯＨ　（２）
（式（２）中、ａは２～８の整数を表す。）

「Ｒ^１およびＲ^５」
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５は、２つまたは３つの水酸基を含む末端基である。Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基に含まれる２つまたは３つの水酸基は、それぞれ異なる炭素原子に結合している。Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基においては、水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基を有しているので、適切な表面エネルギーを有する。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、Ｒ^１およびＲ^５に含まれる水酸基によって保護層に密着される。これらのことから、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　これに対し、例えば、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基にそれぞれ含まれている２つまたは３つの水酸基の一部または全部が、同じ炭素原子に結合している場合、または、水酸基の結合している炭素原子同士が直接結合している場合、分子構造の立体的な制約によって、保護層との相互作用が発現しない水酸基の数が増加する。保護層との相互作用に関与しない水酸基は、含フッ素エーテル化合物間の分子間力を増加させて、含フッ素エーテル化合物の凝集を促進する。含フッ素エーテル化合物の凝集は、含フッ素エーテル化合物を用いて形成される潤滑層の厚みが薄くなりにくくなるため、好ましくない。また、保護層との相互作用に関与しない水酸基は、シロキサン等の不純物との相互作用に関与して、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の化学物質汚染を促進させるため、好ましくない。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１に含まれる水酸基と、Ｒ^５に含まれる水酸基との合計数は、４～６である。上記の合計数が４以上であるので、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との付着性（密着性）が高いものとなる。また、上記の合計数が６以下であるので、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体において、含フッ素エーテル化合物の極性が高すぎて、潤滑層が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着するピックアップが発生することを防止できる。

　Ｒ^１に含まれる水酸基の数と、Ｒ^５に含まれる水酸基の数とは、同じであることが好ましい。すなわち、Ｒ^１およびＲ^５がそれぞれ２つの水酸基を含む、または、Ｒ^１およびＲ^５がそれぞれ３つの水酸基を含むことが好ましい。この場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、保護層にバランス良く密着するものとなる。このため、高い被覆率を有する潤滑層が得られやすい。

　Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基は、具体的には、それぞれ独立に下記式（３－１）～（３－５）のいずれかであることが好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５が、それぞれ独立に上記式（３－１）～（３－５）のいずれかで表される末端基である場合、下記（ａ）～（ｃ）を備えることによる相乗効果によって、より適切な表面エネルギーを有するものとなる。その結果、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成することにより、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。このことから、Ｒ^１およびＲ^５が、それぞれ独立に上記式（３－１）～（３－５）のいずれかで表される末端基である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、これを備える磁気記録媒体に、より優れた化学物質耐性を付与する。

（ａ）Ｒ^１およびＲ^５に含まれる水酸基がそれぞれ２つまたは３つである。
（ｂ）最末端に配置された末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に、適正な原子数からなる直鎖状の連結基が配置されている。
（ｃ）Ｒ^１および／またはＲ^５に含まれる水酸基が３つである場合には、水酸基が３つである末端基において、パーフルオロポリエーテル鎖側に配置された水酸基の結合している炭素原子と、その水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に、適正な原子数からなる直鎖状の連結基が配置されている。

　式（３－１）において、ｉは０～１の整数であり、ｊは１～４の整数である。式（３－１）で表される末端基は、最末端に配置された末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に酸素原子を含まない。このため、式（３－１）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、表面エネルギーが十分に低いものとなり、これを含む潤滑層を備える磁気記録媒体により優れた化学物質耐性を付与する。

　式（３－１）で表される末端基においては、ｉが０または１であるので、２つまたは３つの水酸基を有する。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との相互作用に関与する水酸基の数が十分に多いものとなり、保護層との優れた密着性を示す潤滑層を形成できる。また、式（３－１）で表される末端基の有する水酸基の数は、３つ以下である。このため、例えば、末端基の有する水酸基の数が３つ超である場合と比較して、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが低いものとなり、含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが適切となる。

　式（３－１）で表される末端基では、ｊが１以上の整数であるので、末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に、１つ以上のメチレン基からなる連結基を有する。このため、末端水酸基と、末端水酸基に隣接する水酸基との分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくい。その結果、保護層との優れた密着性を示し、優れたピックアップ抑制効果を示す潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　式（３－１）で表される末端基では、ｊが４以下の整数である。このことにより、式（３－１）に含まれる水酸基の数に対する、式（３－１）に含まれる炭素原子の数が適切な範囲となる。したがって、式（３－１）で表される末端基は、保護層との相互作用に適した極性を有する。よって、式（３－１）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との相互作用がより好適となる。

　式（３－２）において、ｋは１～２の整数であり、ｌは１～３の整数である。
　式（３－２）で表される末端基においては、ｋが１または２であるので、２つまたは３つの水酸基を有する。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との相互作用に関与する水酸基の数が十分に多いものとなり、保護層との優れた密着性を示す潤滑層を形成できる。また、式（３－２）で表される末端基の有する水酸基の数は、３つ以下である。このため、例えば、末端基の有する水酸基の数が３つ超である場合と比較して、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが低いものとなり、含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが適切となる。

　式（３－２）で表される末端基は、末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に配置された連結基に、酸素原子が含まれている。しかし、式（３－２）で表される末端基は、ｌが１以上の整数であるので、末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する酸素原子（エーテル結合）との間に、１つ以上のメチレン基が連結された直鎖状の連結基を有する。このため、分子の運動性が適切であり、末端水酸基と、末端水酸基に隣接する水酸基との分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくい。その結果、式（３－２）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との優れた密着性を示し、優れたピックアップ抑制効果を示す潤滑層を形成できる。

　式（３－２）で表される末端基では、ｌが３以下の整数である。このことにより、式（３－２）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、表面エネルギーが十分に低いものとなる。その結果、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、より一層、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　式（３－３）で表される末端基は、末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に配置された連結基に、酸素原子が含まれている。しかし、式（３－３）で表される末端基は、ｍが１以上の整数であるので、式（３－２）で表される末端基と同様に、末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する酸素原子（エーテル結合）との間に、１つ以上のメチレン基が連結された直鎖状の連結基を有する。さらに、式（３－３）で表される末端基は、末端水酸基に隣接する酸素原子（エーテル結合）と、パーフルオロポリエーテル鎖側に配置された水酸基の結合している炭素原子との間に、２つのメチレン基が連結された直鎖状の連結基を有する。このため、分子の運動性が適切であり、末端水酸基と、末端水酸基に隣接する水酸基との分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくい。

　式（３－３）で表される末端基におけるｍは、式（３－２）で表される末端基におけるｌと同様に、３以下の整数である。このため、式（３－３）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（３－２）で表される末端基を有する場合と同様に、表面エネルギーが十分に低いものとなる。

　式（３－４）においてｎは１～２の整数である。式（３－４）で表される末端基ではｎが１または２であるので、例えば、ｎが０である場合と比較して、パーフルオロポリエーテル鎖側に配置された水酸基と、その水酸基に隣接する水酸基との分子内相互作用が小さく、分子内凝集が起こりにくい。その結果、保護層との優れた密着性を示し、良好なピックアップ抑制効果を示す含フッ素エーテル化合物となる。また、式（３－４）で表される末端基ではｎが１または２であるので、例えば、ｎが３である場合と比較して、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが低いものとなる。また、式（３－４）で表される末端基は３つの水酸基を含むため、式（３－４）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との優れた密着性を示す潤滑層を形成できる。これらのことから、式（３－４）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、より一層、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　式（３－５）で表される末端基は、最末端に配置された末端水酸基の結合している炭素原子と、末端水酸基に隣接する水酸基の結合している炭素原子との間に酸素原子を含まない。このため、式（３－５）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、表面エネルギーが十分に低いものとなる。また、式（３－５）で表される末端基は、３つの水酸基を含むため、保護層との優れた密着性を示し、優れたピックアップ抑制効果を示す潤滑層を形成できる。これらのことから、式（３－５）で表される末端基を有する式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、より一層、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１とＲ^５は同じであることが好ましい。Ｒ^１とＲ^５が同じであると、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となる。その結果、この含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、良好な被覆率を有するものとなりやすく、より一層、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。また、Ｒ^１とＲ^５が同じである場合、Ｒ^１とＲ^５が異なる場合と比較して、含フッ素エーテル化合物を少ない製造工程で効率よく製造できる場合がある。

「Ｒ^３」
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３は、１つの１級水酸基を含む置換基であり、下記式（２）で表される。
－（ＣＨ_２）_ａ－ＯＨ　（２）
（式（２）中、ａは２～８の整数を表す。）
　式（２）で表される置換基中のａは、２～８の整数であり、３～６の整数であることが好ましく、４～５の整数であることがより好ましい。

　式（２）で表される置換基中のａが２以上であるので、Ｒ^３に含まれる水酸基とパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）との距離が適切となる。そのため、これを含む潤滑層中のＲ^３の有する水酸基と、保護層との静電相互作用による結合が、隣接するパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）によって阻害されにくい。したがって、潤滑層中のＲ^３の有する水酸基と保護層との静電相互作用によって、潤滑層と保護層との良好な密着性が得られる。その結果、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、被覆率が高く、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできるものとなる。式（２）で表される置換基中のａは３以上であることが好ましく、４以上であることがより好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層において、含フッ素エーテル化合物に含まれるパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）は、保護層との静電相互作用をもたない。潤滑層中のＲ^２、Ｒ^４は、保護層から３Å以上離れた位置に膜を形成する。一方、含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基は、保護層と静電相互作用をもつことができる。しかし、潤滑層中の水酸基が、保護層との静電相互作用をもつためには、水酸基と保護層との距離を２Å程度まで近接させる必要がある。

　したがって、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^２、Ｒ^４との距離が近すぎると、保護層から３Å以上離れた位置に膜を形成するＲ^２、Ｒ^４によって、Ｒ^３に含まれる水酸基が保護層に近づきにくくなる。すなわち、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基が、保護層との静電相互作用をもつことが阻害される。その結果、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基と、保護層との静電相互作用が得られにくくなり、潤滑層と保護層との密着性が不十分となって、潤滑層の備えられている磁気記録媒体の化学物質耐性が低下する。

　具体的には、例えば、以下２つの場合は、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^２、Ｒ^４との距離が近すぎる。
　（ｉ）式（１）で表される含フッ素エーテル化合物におけるＲ^３が－ＯＨである（言い換えると、式（２）中のａが０である）場合;
　（ｉｉ）式（１）で表される含フッ素エーテル化合物におけるＲ^３が－ＣＨ_２ＯＨである（言い換えると、式（２）中のａが１である）場合。
　このため、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基が、保護層との静電相互作用をもつことが阻害されてしまう。その結果、潤滑層中のＲ^３に含まれる水酸基は、保護層への吸着ユニットとしての機能を十分に発現しにくいものとなる。

　また、式（２）で表される置換基中のａが２以上であるので、Ｒ^３に含まれる水酸基は、分子中での自由度が十分に高いものとなる。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、Ｒ^３に含まれる水酸基と保護層との相互作用が得られやすく、保護層との良好な密着性が得られる。
　これに対し、例えば、Ｒ^３が－ＯＨまたは－ＣＨ_２ＯＨである場合、式（２）で表される置換基である場合と比較して、Ｒ^３に含まれる水酸基の分子中での自由度が低い。このため、Ｒ^３に含まれる水酸基と保護層との相互作用が得られにくく、保護層との密着性が十分に得られない。

　また、式（２）で表される置換基中のａが８以下であるので、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくく、厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、式（２）で表される置換基中のａが８以下であるので、含フッ素エーテル化合物分子全体の表面エネルギーが十分に低いものとなり、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。式（２）で表される置換基中のａは６以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましい。

　これに対し、式（２）で表される置換基中のａが８超であると、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の式（２）中に含まれるメチレン鎖が、保護層に対して垂直な状態で相互作用した場合に、厚みの薄い潤滑層が得られない可能性がある。また、式（２）中のメチレン鎖が長くなるほど、含フッ素エーテル化合物分子全体の表面エネルギーが高くなり、これを含む潤滑層に化学物質が付着しやすくなる。式（２）で表される置換基中のａが８超であると、含フッ素エーテル化合物分子全体の表面エネルギーが高いため、十分な化学物質耐性が得られない。

　これらのことから、Ｒ^３が上記式（２）で表される置換基である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、保護層との密着性に優れ、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３の結合している炭素原子に、Ｒ^２に結合する連結基と、Ｒ^４に結合する連結基と、水素原子とが結合している。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層中のＲ^３は、Ｒ^２またはＲ^４以外の原子または原子団による立体障害を受けることなく、保護層に近づくことができる。その結果、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との優れた密着性を示し、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成できる。
　これに対し、例えば、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物におけるＲ^３の結合している炭素原子に、水素原子に代えて他の原子または原子団が結合している場合、Ｒ^３が他の原子または原子団による立体障害を受ける。このため、潤滑層中のＲ^３が保護層に近づきにくく、保護層との密着性が不十分になりやすい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、２つのパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）の間に配置されている水酸基の数は、Ｒ^３に含まれる水酸基１つのみである。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、例えば、２つのパーフルオロポリエーテル鎖の間に、２つ以上の水酸基が配置されている含フッ素エーテル化合物と比較して、保護層上の活性点との相互作用に関与しない水酸基の数が少ないものとなる。よって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との密着性が良好で、化学物質汚染の原因物質が付着しにくい潤滑層を形成できる。

　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^１と－ＣＨＲ^３－との間、－ＣＨＲ^３－とＲ^５との間に、それぞれパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）が配置されている。このため、Ｒ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基との距離が適正である。このことから、Ｒ^３に含まれる水酸基も、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基も、保護層上の活性点との結合を、隣接する水酸基によって阻害されにくい。

　したがって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３の有する水酸基と、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基は、いずれも保護層上の活性点との結合に関与しやすい。言い換えると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物の有する水酸基は、全て保護層上の活性点との結合に関与しない水酸基になりにくい。その結果、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、被覆率が高いものとなり、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　また、上記の含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３の有する水酸基と、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基との距離が適正であるため、Ｒ^３の有する水酸基が、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基と凝集しにくい。しかも、各パーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^２、Ｒ^４）の両端部がそれぞれ、Ｒ^３の有する水酸基と、Ｒ^１で表される末端基の有する水酸基、またはＲ^５で表される末端基の有する水酸基とによって、保護層に密着される。このため、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくい。したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有する潤滑層が得られやすい。その結果、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

「Ｒ^２およびＲ^４」
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２、Ｒ^４はパーフルオロポリエーテル鎖（以下、「ＰＦＰＥ鎖」という場合がある）である。Ｒ^２、Ｒ^４で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を、保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。Ｒ^２およびＲ^４は、それぞれ含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

　Ｒ^２およびＲ^４は、例えば、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する式（４）で表される構造であってもよい。
－（ＣＦ_２）_ｖＯ（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ（ＣＦ_２）_ｖ’－　（４）
（式（４）中、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０の実数である。ｗ、ｘ、ｙ、ｚのすべてが同時に０になることはない。ｖ、ｖ’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３の実数である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）

　式（４）中、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０の実数であり、０～１６の実数であることが好ましく、０～６の実数であることがより好ましい。　式（４）中、ｖ、ｖ’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３の実数である。ｖ、ｖ’は、式（４）で表される重合体において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。
　式（４）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（４）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

　式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４は、それぞれ独立に下記式（５）～（９）のいずれかであることがより好ましい。
　式（５）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（５）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。
　式（８）における繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（８）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、及び、交互共重合体のいずれを含むものであってもよい。式（８）におけるｖ８およびｖ８’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２の実数である。ｖ８およびｖ８’は、式（８）で表される重合体において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ５－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｗ５およびｘ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ６－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｘ６は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ７－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｙ７は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－（ＣＦ_２）_ｖ８Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ８－（ＣＦ_２）_ｖ８’－　（８）
（式（８）中、ｘ８およびｙ８は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。ｖ８およびｖ８’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ９－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（９）
（式（９）中、ｚ９は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）

　式（５）における平均重合度を示すｗ５、ｘ５は、それぞれ独立に１～２０の実数である。式（６）における平均重合度を示すｘ６は、１～２０の実数である。式（７）おける平均重合度を示すｙ７は、１～２０の実数である。式（８）における平均重合度を示すｘ８、ｙ８は、それぞれ独立に１～２０の実数である。式（９）における平均重合度を示すｚ９は、１～２０の実数である。

　上記のｗ５、ｘ５、ｘ６、ｙ７、ｘ８、ｙ８、ｚ９が１以上であると、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。上記のｗ５、ｘ５、ｘ６、ｙ７、ｘ８、ｙ８がそれぞれ２０以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなる。また、上記のｚ９が１０以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤がより塗布しやすいものとなり、好ましい。

　また、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、式（５）中のｗ５、ｘ５は、１～１６であることが好ましく、２～８であることがより好ましい。同様の理由により、式（６）中のｘ６は、１～１６であることが好ましく、２～８であることがより好ましい；式（７）中のｙ７は、１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい；式（８）中のｘ８、ｙ８は、１～１０であることが好ましく、１～５であることがより好ましい；式（９）中のｚ９は、１～６であることがより好ましく、１～３であることがさらに好ましい。

　式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４が、式（５）～式（９）のいずれかである場合、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり好ましい。Ｒ^２、Ｒ^４が、式（５）～式（７）のいずれかである場合、原料入手が容易であるため、より好ましい。
　また、Ｒ^２、Ｒ^４が、式（６）～式（８）のいずれかである場合、パーフルオロポリエーテル鎖中の、炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が、適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２、Ｒ^４で示されるＰＦＰＥ鎖は、同じであることが好ましい。なお、ＰＦＰＥ鎖が同じであるとは、ＰＦＰＥ鎖の構造（繰り返し単位の種類および数）が同じであって、平均重合度が異なる場合も含む。Ｒ^２、Ｒ^４で示されるＰＦＰＥ鎖が同じである場合、ＰＦＰＥ鎖の運動性の違いによって分子に歪みが生じ、分子の非対称性が増加することがない。このため、均一に保護層に密着でき、保護層への被覆率を高めることができるものと推定される。

　さらに、Ｒ^２とＲ^４が同じであって、Ｒ^１とＲ^５も同じである含フッ素エーテル化合物は、－ＯＣＨ_２－ＣＨＲ^３－ＣＨ_２Ｏ－を中心とした対称構造を有するため、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすく、より好ましい。また、Ｒ^２とＲ^４が同じであって、Ｒ^１とＲ^５も同じである含フッ素エーテル化合物は、少ない製造工程で容易に効率よく製造できる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）～（Ｊ）、（Ｏ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
　なお、式（Ａ）～（Ｊ）、（Ｏ）中のｘａ１、ｘａ２、ｘｂ１、ｘｂ２、ｚｃ１、ｚｃ２、ｙｄ１、ｙｄ２、ｙｅ１、ｙｅ２、ｙｆ１、ｙｆ２、ｙｇ１、ｙｇ２、ｘｈ１、ｘｈ２、ｗｈ１、ｗｈ２、ｘｉ１、ｘｉ２、ｙｉ１、ｙｉ２、ｘｊ１、ｘｊ２、ｗｊ１、ｗｊ２、ｘｏ１、ｘｏ２は、平均重合度を示す値である。そのため、これらが必ずしも整数とはならない。

　下記式（Ａ）～（Ｊ）、（Ｏ）で表される化合物は、いずれもＲ^１とＲ^５が同じである。また、下記式（Ａ）～（Ｊ）、（Ｏ）で表される化合物は、いずれもＲ^２とＲ^４が同じである。
　下記式（Ａ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが２である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－１）で表され、式（３－１）におけるｉが１であり、ｊが１である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（６）で表される。
　下記式（Ｂ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが２である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－２）で表され、式（３－２）におけるｋが１であり、ｌが３である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（６）で表される。

　下記式（Ｃ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが３である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－４）で表され、式（３－４）におけるｎが１である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（９）で表される。
　下記式（Ｄ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが３である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－２）で表され、式（３－２）におけるｋが２であり、ｌが３である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（７）で表される。

　下記式（Ｅ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが４である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－２）で表され、式（３－２）におけるｋが１であり、ｌが２である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（７）で表される。
　下記式（Ｆ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが４である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－２）で表され、式（３－２）におけるｋが２であり、ｌが１である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（７）で表される。

　下記式（Ｇ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが５である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－２）で表され、式（３－２）におけるｋが１であり、ｌが１である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（７）で表される。
　下記式（Ｈ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが６である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－１）で表され、式（３－１）におけるｉが１であり、ｊが４である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（５）で表される。

　下記式（Ｉ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが６である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－３）で表され、式（３－３）におけるｍが１である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（５）で表される。
　下記式（Ｊ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが８である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－３）で表され、式（３－３）におけるｍが２である。Ｒ^２およびＲ^４は、式（５）で表される。

　下記式（Ｏ）で表される化合物におけるＲ^３は、式（２）で表され、式（２）中のａが２である。Ｒ^１およびＲ^５は、式（３－５）で表される。Ｒ^２およびＲ^４は、式（６）で表される。

（式（Ａ）中のｘａ１、ｘａ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
（式（Ｂ）中のｘｂ１、ｘｂ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

（式（Ｃ）中のｚｃ１、ｚｃ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
（式（Ｄ）中のｙｄ１、ｙｄ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

（式（Ｅ）中のｙｅ１、ｙｅ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
（式（Ｆ）中のｙｆ１、ｙｆ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

（式（Ｇ）中のｙｇ１、ｙｇ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
（式（Ｈ）中のｘｈ１、ｘｈ２、ｗｈ１、ｗｈ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

（式（Ｉ）中のｘｉ１、ｘｉ２、ｗｉ１、ｗｉ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
（式（Ｊ）中のｘｊ１、ｘｊ２、ｗｊ１、ｗｊ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

（式（Ｏ）中のｘｏ１、ｘｏ２は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）

　式（１）で表される化合物が上記式（Ａ）～（Ｊ）、（Ｏ）で表されるいずれかの化合物であると、原料が入手しやすく、厚みが薄くても磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層を形成でき、好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、５００～５０００の範囲内であることがより好ましく、１０００～３０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤が蒸散しにくいものとなり、潤滑剤が蒸散して磁気ヘッドに移着することを防止できる。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に厚みの薄い潤滑層を形成できる。数平均分子量が５０００以下であると、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、より好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定において、試料をヘキサフルオロベンゼン、ｄ－アセトン、ｄ－テトラヒドロフランなどの単独または混合溶媒へ希釈し、測定に使用した。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとした。^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとした。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

（第１製造方法）
　Ｒ^１とＲ^５とが同じであって、Ｒ^２、Ｒ^４で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。
　まず、式（１）におけるＲ^２（＝Ｒ^４）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１（＝Ｒ^５）からなる基を有するエポキシ化合物とを反応させる（第一反応）。第一反応を行うことにより、Ｒ^２（＝Ｒ^４）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１（＝Ｒ^５）に対応する基を有する中間体化合物１が得られる。

　Ｒ^１（＝Ｒ^５）からなる基を有するエポキシ化合物は、水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造する際に、前記第一反応において使用されるエポキシ化合物は、以下の方法により合成できる。例えば、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１（またはＲ^５）からなる基に対応する構造を有するアルコールと、エポキシ基を有する化合物とを反応させることにより合成できる。前記エポキシ基を有する化合物としては、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－ブロモエチルオキシラン、アリルグリシジルエーテルから選ばれるいずれかを用いることができる。エポキシ化合物は、不飽和結合を酸化する方法により合成してもよいし、市販品を購入して使用してもよい。

　その後、第一反応により得られた中間体化合物１の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、下記式（１０）で示される化合物中のＸで示される２つのハロゲン基とを、求核置換反応させる（第二反応）。式（１０）中のＸは、クロロ基、ブロモ基、ヨード基のいずれかである。

　第二反応を行うことにより、式（１）中のＲ^３に対応する基が、鎖状構造の中央に配置された炭素原子に結合し、前記炭素原子が、上記Ｒ^３に対応する基中の炭素原子と、二重結合を形成している中間体化合物２が得られる。中間体化合物２において、Ｒ^３に対応する基が結合している鎖状構造中の炭素原子は、Ｒ^２（＝Ｒ^４）に対応する２つのパーフルオロポリエーテル鎖とそれぞれ連結基を介して結合している。中間体化合物２に含まれるＲ^２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の末端には、メチレン基を介して、Ｒ^１に対応する基が結合している。また、Ｒ^４に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の末端には、メチレン基を介して、Ｒ^５に対応する基が結合している。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造する際に、前記第二反応において使用される、式（１０）で示される化合物は、以下の方法により合成できる。式（１０）で示される化合物としては、目的物である式（１）で示される含フッ素エーテル化合物におけるＲ^３に対応する基を有するものを製造する。具体的には、式（１０）で示される化合物中のａ－１が、目的物である式（１）で示される含フッ素エーテル化合物のＲ^３である式（２）中のａよりも１小さい数値であるものを製造する。

　式（１０）で示される化合物を製造するには、まず、Ｒ^３に対応する構造を有するカルボニル化合物と、マロン酸エステルとのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ縮合反応により、下記式（１１）で示される化合物を合成する。式（１１）で示される化合物の製造に使用するカルボニル化合物においては、式（１）中のＲ^３に対応する構造中の水酸基を、テトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基などの保護基により、マロン酸エステルと反応させる前に保護しておくことが好ましい。

　次に、式（１１）で示される化合物のエステルを還元することにより、下記式（１２）で示される化合物を合成する。
　その後、式（１２）で示される化合物の水酸基をＡｐｐｅｌ反応により、ハロゲン化する。ハロゲン化は、塩素化、臭素化、ヨウ素化のいずれであってもよい。
　以上の工程により、式（１０）で示される化合物が得られる。

（式（１０）中、Ｘはクロロ基、ブロモ基、ヨード基のいずれかを表す。Ｒ^６は保護基を表す。ａ－１は式（１）で示される含フッ素エーテル化合物のＲ^３である式（２）中のａよりも１小さい数値である。）
（式（１１）中、Ｒ^６は保護基を表す。ａ－１は式（１）で示される含フッ素エーテル化合物のＲ^３である式（２）中のａよりも１小さい数値である。）
（式（１２）中、Ｒ^６は保護基を表す。ａ－１は式（１）で示される含フッ素エーテル化合物のＲ^３である式（２）中のａよりも１小さい数値である。）

　その後、第二反応により得られた中間体化合物２中の二重結合を、接触水素化反応により飽和結合に変換する（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）においてＲ^１とＲ^５とが同じであって、Ｒ^２、Ｒ^４で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造できる。

（第２製造方法）
　式（１）において、Ｒ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^２、Ｒ^４で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いることができる。第２製造方法においては、第１製造方法と異なる方法のみ説明し、第１製造方法と同じ方法については説明を省略する。
　第２製造方法では、第一反応において、Ｒ^１に対応する基を有する中間体化合物１ａと、Ｒ^５に対応する基を有する中間体化合物１ｂとをそれぞれ合成する。

　その後、第一反応により得られた中間体化合物１ａに対し過剰量の式（１０）で表される化合物を作用させ、さらに副生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで除くことで、中間体化合物２ａを得る。続いて、中間体化合物２ａと中間体化合物１ｂとを反応させて、中間体化合物２ａｂを得る（第二反応）。
　その後、第二反応により得られた中間体化合物２ａｂ中の二重結合を、接触水素化反応で飽和結合に変換する（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）においてＲ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^２、Ｒ^４で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造できる。

（第３製造方法）
　式（１）において、Ｒ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^２とＲ^４とが異なる化合物を製造する場合には、以下に示す製造方法を用いることができる。第３製造方法においては、第１製造方法と異なる方法のみ説明し、第１製造方法と同じ方法については説明を省略する。
　第３製造方法では、第一反応において、Ｒ^２に対応するパーフルオロポリエーテル鎖を有するフッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^１からなる基を有するエポキシ化合物とを反応させて中間体化合物１ｃを合成する。また、Ｒ^４に対応するパーフルオロポリエーテル鎖を有するフッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^５からなる基を有するエポキシ化合物とを反応させて中間体化合物１ｄを合成する。

　その後、第一反応により得られた中間体化合物１ｃに対し過剰量の式（１０）で表される化合物を作用させ、さらに副生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで除くことで、中間体化合物２ｃを得る。続いて、中間体化合物２ｃと中間体化合物１ｄとを反応させて、中間体化合物２ｃｄを得る（第二反応）。
　その後、第二反応により得られた中間体化合物２ｃｄ中の二重結合を、接触水素化反応で飽和結合に変換する（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）においてＲ^１とＲ^５とが異なり、Ｒ^２とＲ^４とが異なる化合物を製造できる。

　ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、保護層上に形成した潤滑層の機能について説明する。
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であるので、これを含む潤滑層は、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできるものとなる。この効果は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層が、保護層との密着性に優れ、適切な表面エネルギーを有し、均一な被覆状態で保護層上に形成されていることの相乗効果に基づく。

　より詳細には、保護層上に形成した潤滑層は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物のＲ^３の有する水酸基（－ＯＨ）と、Ｒ^１およびＲ^５にそれぞれ２つまたは３つ含まれる水酸基とによって、保護層に密着される。しかも、Ｒ^１およびＲ^５に含まれる水酸基数が３つ以下であるため、水酸基数が３つ超である場合と比較して、含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが低いものとなり、含フッ素エーテル化合物の表面エネルギーが適切となる。このことから、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、化学物質が付着しにくく、磁気記録媒体の化学物質汚染を抑制できる。

　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基との間に、Ｒ^２、Ｒ^４で表されるＰＦＰＥ鎖が配置されている。このため、Ｒ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基との距離が適正である。その結果、Ｒ^３に含まれる水酸基は、Ｒ^１およびＲ^５で表される末端基の有する水酸基と凝集しにくく、保護層に密着される。よって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、これを含む潤滑層は、均一な被覆状態で形成されやすい。均一な被覆状態で形成された潤滑層は、被覆率が高いため、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる。

　また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、Ｒ^２、Ｒ^４で表されるＰＦＰＥ鎖を有する。潤滑層に含まれるＲ^２、Ｒ^４で表されるＰＦＰＥ鎖は、保護層の表面を被覆するとともに、表面エネルギーが低いことによって潤滑層に化学物質耐性を付与する。
　さらに、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^３が式（２）で表される構造であることにより、Ｒ^３に含まれる水酸基と、Ｒ^２、Ｒ^４で表されるＰＦＰＥ鎖との距離が適正となっている。その結果、Ｒ^３に含まれる水酸基が、Ｒ^２およびＲ^４で表されるＰＦＰＥ鎖によって阻害されることなく保護層に近づける。このため、保護層との優れた密着性を示す潤滑層となる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）などが挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が５００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量は、８０質量％以上であってもよいし、９０質量％以上であってもよい。

　本実施形態の潤滑剤は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、保護層との密着性に優れ、厚みを薄くしても、高い被覆率で保護層の表面を被覆でき、被覆性が良好な潤滑層を形成できる。よって、本実施形態の潤滑剤によれば、厚みが薄くても、磁気記録媒体の化学物質耐性を高くできる潤滑層が得られる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に付着層および／または軟磁性層を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進される。その結果、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などからなるものが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔとを含む層である。磁性層１６は、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来の公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、一層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７の材料としては、炭素、窒素を含む炭素、炭化ケイ素などが挙げられる。
　保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる水酸基との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量はＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍとするのがよい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．０ｎｍ（１０Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。このため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を十分小さくできる。

　保護層１７の表面が潤滑層１８によって十分に高い被覆率で被覆されていない場合、磁気記録媒体１０の表面に吸着した環境物質が、潤滑層１８の隙間を通り抜けて、潤滑層１８の下に侵入する。潤滑層１８の下層に侵入した環境物質は、保護層１７と吸着、結合し汚染物質を生成する。そして、磁気記録再生の際に、この汚染物質（凝集成分）がスメアとして磁気ヘッドに付着（転写）して、磁気ヘッドを破損したり、磁気記録再生装置の磁気記録再生特性を低下させたりする。

　汚染物質を生成させる環境物質としては、例えば、シロキサン化合物（環状シロキサン、直鎖シロキサン）、イオン性不純物、オクタコサン等の比較的分子量の高い炭化水素、フタル酸ジオクチル等の可塑剤等が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、塩素イオン、臭素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、アンモニウムイオン等を挙げることができる。イオン性不純物に含まれる有機物イオンとしては、例えば、シュウ酸イオン、蟻酸イオン等を挙げることができる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は、１００～１８０℃とすることが好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が十分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、１０～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、保護層１７との密着性に優れ、適切な表面エネルギーを有し、厚みが薄くても、均一な被覆状態で高い被覆率で保護層１７の表面を被覆でき、被覆性が良好である。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０では、イオン性不純物などの汚染物質を生成させる環境物質が、潤滑層１８の隙間から侵入することが防止される。また、本実施形態の磁気記録媒体１０における潤滑層１８は、異物（スメア）を生じさせにくく、ピックアップを抑制できる。このことから、本実施形態の磁気記録媒体１０は、表面上に存在する汚染物質が少なく、優れた化学物質耐性を有し、信頼性および耐久性が良好である。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で示される化合物を製造した。
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）２０ｇと、下記式（１３）で表される化合物３．００ｇ（分子量２５０．２９、１２．０ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．６７ｇ（分子量１１２．２１、６．０ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（１４）で示される化合物１０．００ｇ（分子量１２５０．２９、８．０ｍｍｏｌ）を得た。

（式（１３）中、Ｐｈはフェニル基を表す。）
（式（１４）中、平均重合度を示すｘａは７．１を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。）

　なお、式（１３）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　１，２，４－ブタントリオールにベンズアルデヒドジメチルアセタールを反応させて、１，２，４－ブタントリオールの２位の炭素と４位の炭素に結合した水酸基を保護した化合物を合成した。この化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、式（１３）で表される化合物を合成した。

　続いて、窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（１４）で示される化合物１０．００ｇ（分子量１２５０．２９、８．０ｍｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド８０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一な溶液を０℃に冷却し、水素化ナトリウム０．３３ｇ（純度６０％、分子量２４．００、８．２ｍｍｏｌ）を加えて３０分撹拌した後、式（１５）で示される化合物１．３１ｇ（分子量３２８．０４、４．０ｍｍоｌ）を徐々に加えた。上記操作で得られた懸濁液を室温で２４時間撹拌した。

（式（１５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　反応後に得られた反応液に氷冷下で水１０ｍＬを徐々に加えた後、反応液を飽和食塩水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒２００ｍＬで３回抽出した。各有機層を食塩水１００ｍＬで洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として式（１６）で示される化合物４．２７ｇ（分子量２６６６．８３、１．６ｍｍｏｌ）を得た。

（式（１６）中、平均重合度を示すｘａ１、ｘａ２はいずれも７．１を表す。Ｐｈはフェニル基を表し、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコに、上記式（１６）で示される化合物４．２７ｇ（分子量２６６６．８３、１．６ｍｍｏｌ）と、エタノール３０ｍＬと、Ｐｄ／Ｃ（５％Ｐｄ）０．１０ｇとを加えた。反応系中を水素雰囲気下にした後、室温で１６時間撹拌した。セライト濾過でＰｄ／Ｃを取り除いた後、濾液に５％塩化水素メタノール溶液３０ｍＬを加え、室温で２時間撹拌した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１２５ｍＬで中和した後、酢酸エチル２５０ｍＬで３回抽出した。各有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液１２５ｍＬで洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ａ）（式（Ａ）中、平均重合度を示すｘａ１、ｘａ２はいずれも７．１である。）を３．２７ｇ（分子量２４０８．５３、１．４ｍｍｏｌ）得た。

　上記反応に使用した式（１５）で表される化合物は、以下に示す第一反応～第五反応の５段階の反応により合成した。
　エチレングリコールの片方の水酸基を、テトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基で保護（第一反応）した。次に、エチレングリコールのもう片方の水酸基を、スワーン酸化によりアルデヒド基に変化させ（第二反応）、式（１７）で示されるアルデヒド化合物を得た。得られた式（１７）で示されるアルデヒド化合物と、マロン酸ジメチルとのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ縮合反応（第三反応）により、式（１８）で示される化合物を得た。得られた式（１８）で示される化合物のエステルを還元（第四反応）することにより、式（１９）で示される化合物を得た。その後、式（１９）で示される化合物の水酸基を、Ａｐｐｅｌ反応（第五反応）で臭素化することにより、式（１５）で示される化合物を得た。

（式（１７）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（１８）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（１９）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（７Ｈ）、３．４～４．３（４１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７７～－８０（８Ｆ）、－８８～－９１（５６Ｆ）

［実施例２］
　式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２０）で表される化合物を２．７６ｇ（分子量２３０．３０、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行った。上記式（Ｂ）で表される化合物（式（Ｂ）中、平均重合度を示すｘｂ１、ｘｂ２はいずれも７．１である。）を３．２３ｇ得た。

（式（２０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２０）で表される化合物は、１，４－ブタンジオールの片方の水酸基をテトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基で保護し、もう片方の水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．８９（１１Ｈ）、３．４～４．３（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７７～－８０（８Ｆ）、－８８～－９１（５６Ｆ）

［実施例３］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｚは２．９である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２１）で表される化合物を４．０１ｇ（分子量３３４．４１、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（２２）で表される化合物を１．３７ｇ（分子量３４２．０７、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｃ）で表される化合物（式（Ｃ）中、平均重合度を示すｚｃ１、ｚｃ２はいずれも２．９である。）を３．４１ｇ得た。

（式（２１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）
（式（２２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２１）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　ジヒドロピランを用いてエチレングリコールモノアリルエーテルを保護した化合物を、酸化することで得られる化合物と、３－ブテン－１－オールの水酸基とを反応させた。得られた化合物の２級水酸基をメトキシメチル（ＭＯＭ）基で保護し、得られた化合物の二重結合を酸化させることにより、式（２１）で表される化合物を合成した。

　式（２２）で表される化合物は、出発物質としてエチレングリコールの代わりに、１，３－プロパンジオールを使用したこと以外は、式（１５）で表される化合物と同様の方法により合成した。

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（９Ｈ）、３．４～４．３（４９Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８３．７（３１Ｆ）、－１２０．５（４Ｆ）、－１２２．８ｐｐｍ（４Ｆ）、－１２５．８（２３Ｆ）、－１２７．６（８Ｆ）

［実施例４］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｙは４．４である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２３）で表される化合物を４．１８ｇ（分子量３４８．４４、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、上記式（２２）で表される化合物を１．３７ｇ（分子量３４２．０７、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｄ）で表される化合物（式（Ｄ）中、平均重合度を示すｙｄ１、ｙｄ２はいずれも４．４である。）を３．４５ｇ得た。

（式（２３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　式（２３）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールの１級水酸基に、保護基としてｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基を導入し、得られた化合物の２級水酸基に、保護基としてメトキシメチル（ＭＯＭ）基を導入した。その後、化合物からＴＢＳ基を除去し、生じた１級水酸基に２－（４－ブロモブトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた。得られた化合物の二重結合を酸化した。以上の工程により、式（２３）で表される化合物を得た。

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（１３Ｈ）、３．４～４．３（４９Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．３（３６Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．２（４Ｆ）、－１３０．１（１８Ｆ）

［実施例５］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｙは４．４である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２４）で表される化合物を２．５９ｇ（分子量２１６．２７、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（２５）で表される化合物を１．４２ｇ（分子量３５６．１、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｅ）で表される化合物（式（Ｅ）中、平均重合度を示すｙｅ１、ｙｅ２はいずれも４．４である。）を３．２３ｇ得た。

（式（２４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２４）で表される化合物は、１，３－プロパンジオールの片方の水酸基をテトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基で保護し、もう片方の水酸基とエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

（式（２５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２５）で表される化合物は、出発物質としてエチレングリコールの代わりに、１，４－ブタンジオールを使用したこと以外は、式（１５）で表される化合物と同様の方法により合成した。

　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（１１Ｈ）、３．４～４．３（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．３（３６Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．２（４Ｆ）、－１３０．１（１８Ｆ）

［実施例６］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｙは４．４である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２６）で表される化合物を３．８４ｇ（分子量３２０．３８、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、上記式（２５）で表される化合物を１．４２ｇ（分子量３５６．１、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｆ）で表される化合物（式（Ｆ）中、平均重合度を示すｙｆ１、ｙｆ２はいずれも４．４である。）を３．３９ｇ得た。

（式（２６）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表し、ＭＯＭはメトキシメチル基を表す。）

　式（２６）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールの１級水酸基に、保護基としてｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル（ＴＢＳ）基を導入し、得られた化合物の２級水酸基に、保護基としてメトキシメチル（ＭＯＭ）基を導入した。その後、化合物からＴＢＳ基を除去し、生じた１級水酸基に２－（２－ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた。得られた化合物の二重結合を酸化した。以上の工程により、式（２６）で表される化合物を得た。

　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（７Ｈ）、３．４～４．３（４９Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．３（３６Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．２（４Ｆ）、－１３０．１（１８Ｆ）

［実施例７］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｙは４．４である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２７）で表される化合物を２．４２ｇ（分子量２０２．２５、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（２８）で表される化合物を１．４８ｇ（分子量３７０．１３、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｇ）で表される化合物（式（Ｇ）中、平均重合度を示すｙｇ１、ｙｇ２はいずれも４．４である。）を３．２１ｇ得た。

（式（２７）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（２８）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２７）で表される化合物は、ジヒドロピランを用いてエチレングリコールモノアリルエーテルを保護した化合物を、酸化することで合成した。
　式（２８）で表される化合物は、出発物質としてエチレングリコールの代わりに、１，５－ペンタンジオールを使用したこと以外は、式（１５）で表される化合物と同様の方法により合成した。

　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（９Ｈ）、３．４～４．３（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．３（３６Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．２（４Ｆ）、－１３０．１（１８Ｆ）

［実施例８］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｗは４．５であり、平均重合度を示すｘは４．５である）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（２９）で表される化合物を４．４７ｇ（分子量３７２．５１、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（３０）で表される化合物を１．５４ｇ（分子量３８４．１６、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｈ）で表される化合物（式（Ｈ）中、平均重合度を示すｗｈ１、ｗｈ２はいずれも４．５であり、平均重合度を示すｘｈ１、ｘｈ２はいずれも４．５である。）を３．４６ｇ得た。

（式（２９）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（２９）で表される化合物は、以下の方法で合成した。６－ヘプテン－１－オールの水酸基を、テトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基で保護した化合物の酸化反応により、エポキシ化合物を得た。得られたエポキシ化合物にアリルアルコールを作用させ、次いで２級水酸基をＴＨＰ基で保護した後、酸化反応を経て、式（２９）で表される化合物を得た。
　式（３０）で表される化合物は、出発物質としてエチレングリコールの代わりに、１，６－ヘキサンジオールを使用したこと以外は、式（１５）で表される化合物と同様の方法により合成した。

　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（２３Ｈ）、３．４～４．３（４５Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例９］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｗは４．５であり、平均重合度を示すｘは４．５である）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（３１）で表される化合物を２．５９ｇ（分子量２１６．２８、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、上記式（３０）で表される化合物を１．５４ｇ（分子量３８４．１６、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｉ）で表される化合物（式（Ｉ）中、平均重合度を示すｗｉ１、ｗｉ２はいずれも４．５であり、平均重合度を示すｘｉ１、ｘｉ２はいずれも４．５である。）を３．２７ｇ得た。

（式（３１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（３１）で表される化合物は、以下の方法で合成した。３－ブテン－１－オールと２－（２－ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて得られた化合物の二重結合を酸化させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．８（１５Ｈ）、３．４～４．２（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１０］
　以下の（ｉ）～（ｉｉｉ）以外は、実施例１と同様な操作を行った。
　（ｉ）実施例１において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_xＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｘは７．１である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｗは４．５であり、平均重合度を示すｘは４．５である）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を２０ｇ使用したこと；
　（ｉｉ）実施例１において、式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（３２）で表される化合物を２．７６ｇ（分子量２３０．３０、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと；
　（ｉｉｉ）実施例１において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（３３）で表される化合物を１．６４ｇ（分子量４１２．２２、４．０ｍｍｏｌ）使用したこと。
　その結果、上記式（Ｊ）で表される化合物（式（Ｊ）中、平均重合度を示すｗｊ１、ｗｊ２はいずれも４．５であり、平均重合度を示すｘｊ１、ｘｊ２はいずれも４．５である。）を３．３４ｇ得た。

（式（３２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（３２）で表される化合物は、以下の方法で合成した。３－ブテン－１－オールと２－（３－ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させて得られた化合物の二重結合を酸化させることで合成した。

（式（３３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　式（３３）で表される化合物は、出発物質としてエチレングリコールの代わりに、１，８－オクタンジオールを使用したこと以外は、式（１５）で表される化合物と同様の方法により合成した。

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（２３Ｈ）、３．４～４．２（３７Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［比較例１］
　下記式（Ｋ）で表される化合物を、特許文献３に記載された方法により合成した。下記式（Ｋ）で表される化合物は、特許文献３のＥｘａｍｐｌｅ２の生成物である。

（式（Ｋ）中、平均重合度を示すｙｋ１、ｙｋ２はいずれも４．４である。）

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝３．４～４．２（２８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（８Ｆ）、－８０．３（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［比較例２］
　下記式（Ｌ）で表される化合物を、特許文献４に記載された方法により合成した。下記式（Ｌ）で表される化合物は、特許文献４の化合物９である。

（式（Ｌ）中、平均重合度を示すｙｌ１、ｙｌ２はいずれも４．４である。）

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝３．４～４．４（４１Ｈ）２．２（１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（８Ｆ）、－８０．３（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［比較例３］
　下記式（Ｍ）で表される化合物を、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙmＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｙｍは１０．４である。）で表される化合物（数平均分子量２０００、分子量分布１．１）に、グリシドールのテトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基保護体を作用させた後、ＴＨＰ基を脱保護する方法により合成した。下記式（Ｍ）で表される化合物は、特許文献１の化合物（１）である。

（式（Ｍ）中、平均重合度を示すｙｍは１０．４である。）

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝３．４～４．２（１８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（２１Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（４２Ｆ）

［比較例４］
　下記式（Ｎ）で表される化合物を、特許文献５に記載された方法により合成した。下記式（Ｎ）で表される化合物は、特許文献５の化合物１である。

（式（Ｎ）中、平均重合度を示すｙｎ１、ｙｎ２はいずれも４．４である。）

　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝３．４～４．４（３０Ｈ）１．３（８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１８Ｆ）、－７７．７（８Ｆ）、－８０．３（８Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３６Ｆ）

［実施例１１］
　式（１３）で表される化合物の代わりに、下記式（３４）で表される化合物を３．１７ｇ（分子量２６４．３２、１２．０ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行った。上記式（Ｏ）で表される化合物（式（Ｏ）中、平均重合度を示すｘｏ１、ｘｏ２はいずれも７．１である。）を３．２６ｇ得た。

（式（３４）中、Ｐｈはフェニル基を表す。）

　式（３４）で表される化合物は、以下の方法で合成した。
　１，２，４－ブタントリオールにベンズアルデヒドジメチルアセタールを反応させて、１，２，４－ブタントリオールの２位の炭素と４位の炭素に結合した水酸基を保護した化合物を合成した。この化合物と２－（２－ブロモエチル）オキシランとを反応させることで、式（３４）で表される化合物を合成した。
　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）；δ［ｐｐｍ］＝１．５～１．９（１１Ｈ）、３．４～４．３（４１Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７７～－８０（８Ｆ）、－８８～－９１（５６Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～１１の化合物を、式（１）に当てはめたときのＲ^１およびＲ^５の構造（式（３－１）中のｉおよびｊ、式（３－２）中のｋおよびｌ、式（３－３）中のｍ、式（３－４）中のｎ）、Ｒ^２およびＲ^４の構造（式（５）～式（９）中の平均重合度）、Ｒ^３の構造（式（２）中のａ）を表１に示す。

　また、実施例１～１１、比較例１～４の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上述した^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲの測定により求めた。その結果を表２に示す。なお、化合物の原料として用いたフルオロポリエーテルの分子量分布、化合物を合成する際の操作の差異などによって、合成した化合物の平均分子量の値には１～５程度のばらつきが存在しているものと推定される。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～１１、比較例１～４で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～１１、比較例１～４の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～１１、比較例１～４で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９Å～１０ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１１、比較例１～４の潤滑層形成用溶液を、それぞれディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を、１２０℃の恒温槽に入れ、１０分間加熱して潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去することにより、保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～１１、比較例１～４の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表２に示す。

　次に、実施例１～１１、比較例１～４の磁気記録媒体に対して、以下に示す化学物質耐性試験を行なった。

（化学物質耐性試験）
　以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

　具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用い、以下のように評価した。その結果を表２に示す。
◎：０．７０未満
○：０．７０以上、０．８０未満
△：０．８０以上、１．００未満
×：１．００以上

　表２に示すように、実施例１～１１の磁気記録媒体は、いずれもＳｉ吸着量が０．８０未満であった。このことから、実施例１～１１の磁気記録媒体は、潤滑層の厚みが薄くても、優れた化学物質耐性を示すことが確認できた。
　特に、式（２）中のａが４～６である化合物を用いた実施例５、６、７、８では、Ｓｉ吸着量が０．７０未満であり、優れた化学物質耐性を示すことが確認できた。これは、以下に示す＜１＞および＜２＞の理由によるものであると推定される。

＜１＞潤滑層に含まれる式（２）で表される置換基中のａが４～６の整数である化合物と、保護層との相互作用が強いため、潤滑層の被覆性が良好であることによるものと推定される。
＜２＞実施例５、６、７、８においては、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない水酸基の数がその他実施例と比較して少ない。このため、潤滑層と保護層上の活性点との相互作用に関与していない水酸基が、汚染物質を生成させる環境物質を誘引することが抑制されているものと推定される。

　これに対し、比較例１では、鎖状構造の中央にグリセリン構造を配置し、その両側に、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物（Ｋ）を用いた。比較例１では、実施例１～１１と比較してＳｉ吸着量が多かった。これは、比較例１で使用した化合物（Ｋ）中のパーフルオロポリエーテル鎖間に配置された水酸基と、保護層との相互作用が弱いため、潤滑層の被覆性が不十分であることによるものと推定される。また、化合物（Ｋ）中のパーフルオロポリエーテル鎖間に配置された水酸基が、潤滑層と保護層上の活性点との相互作用に関与していない水酸基として、汚染物質を生成させる環境物質を誘引することにより、化学物質耐性が低下した可能性も考えられる。

　また、比較例２では、鎖状構造の中央に１個の１級水酸基と２個の２級水酸基が配置され、その両側に、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物（Ｌ）を用いた。比較例２では、実施例１～１１と比較してＳｉ吸着量が多かった。これは、比較例２で使用した化合物（Ｌ）中のパーフルオロポリエーテル鎖間の水酸基が、潤滑層と保護層上の活性点との相互作用に関与していない水酸基として、汚染物質を生成させる環境物質を誘引しているためであると推定される。

　また、比較例３では、パーフルオロポリエーテル鎖の両側に、２つの水酸基を有する末端基が結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物（Ｍ）を用いた。比較例３では、実施例１～１１と比較してＳｉ吸着量が多かった。これは、比較例３で使用した化合物（Ｍ）が、鎖状構造の中央に水酸基を持たない構造であるため、潤滑層と保護層との相互作用が不十分であり、潤滑層の被覆性が十分に得られないことが原因であるものと推定される。

　さらに、比較例４では、鎖状構造の中央に２個の２級水酸基が配置され、その両側に、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合され、鎖状構造の両最末端にそれぞれ水酸基が配置された化合物（Ｎ）を用いた。比較例４では、実施例１～１１と比較してＳｉ吸着量が多かった。これは、比較例４で使用した化合物（Ｎ）中のパーフルオロポリエーテル鎖間の２つの２級水酸基が、潤滑層と保護層上の活性点との相互作用に関与していない水酸基として、汚染物質を生成させる環境物質を誘引しているためであると推定される。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた化学物質耐性を有する潤滑層を形成できる。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－ＣＨ_２－Ｒ^２－ＣＨ_２－ＯＣＨ_２－ＣＨＲ^３－ＣＨ_２Ｏ－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^５　　（１）
（式（１）中、Ｒ^２およびＲ^４は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^１およびＲ^５は、２つまたは３つの水酸基を含み、各水酸基がそれぞれ異なる炭素原子に結合し、前記水酸基の結合している炭素原子同士が、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結基を介して結合している末端基である。Ｒ^３は、下記式（２）で表される。）
－（ＣＨ_２）_ａ－ＯＨ　（２）
（式（２）中、ａは２～８の整数を表す。）
　前記式（２）におけるａが３～６の整数である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^５が、それぞれ独立に下記式（３－１）～（３－５）で表されるいずれかである、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－１）中のｉは０～１の整数であり、ｊは１～４の整数である。）
（式（３－２）中のｋは１～２の整数であり、ｌは１～３の整数である。）
（式（３－３）中のｍは１～３の整数である。）
（式（３－４）中のｎは１～２の整数である。）
　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、それぞれ独立に下記式（４）で表される、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
－（ＣＦ_２）_ｖＯ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ－（ＣＦ_２）_ｖ’－　　（４）
（式（４）中、ｗ、ｘ、ｙ、ｚは平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０の実数である。ｗ、ｘ、ｙ、ｚのすべてが同時に０になることはない。ｖ、ｖ’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３の実数である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）
　前記式（１）におけるＲ^２およびＲ^４が、それぞれ独立に下記式（５）～（９）のいずれかで表される、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ５－ＣＦ_２－　　（５）
（式（５）中、ｗ５およびｘ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ６－ＣＦ_２－　　（６）
（式（６）中、ｘ６は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ７－ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（７）
（式（７）中、ｙ７は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
－（ＣＦ_２）_ｖ８Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｘ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｙ８－（ＣＦ_２）_ｖ８’－　（８）
（式（８）中、ｘ８およびｙ８は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０の実数を表す。ｖ８およびｖ８’は－ＣＦ_２－の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２の実数を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｚ９－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（９）
（式（９）中、ｚ９は平均重合度を示し、１～２０の実数を表す。）
　前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^５が同じである、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）において、Ｒ^２とＲ^４が同じである、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１～３のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、請求項１０に記載の磁気記録媒体。