WO2023238906A1

WO2023238906A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Info

Publication number: WO2023238906A1
Application number: PCT/JP2023/021328
Authority: WO
Inventors: 夏実吉村; 綾乃浅野; 優丹治; 大輔柳生; 卓矢宇野; 剛加藤; 直也福本
Original assignee: 株式会社レゾナック
Priority date: 2022-06-10
Filing date: 2023-06-08
Publication date: 2023-12-14
Also published as: CN119156367A; JPWO2023238906A1

Abstract

Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－ＣＨ_２－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－ＣＨ_２－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４で表される含フッ素エーテル化合物（［Ａ］は式（２－１）。［Ｂ］は式（２－２）。［Ｃ］は式（３－１）。［Ｄ］は式（３－２）。Ｒ^４は式（４）。Ｒ^１はＲ^４と同じであっても異なっていてもよい末端基。ｚは１または２。Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖。Ｒ^３は式（５）。）。

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２２年６月１０日に、日本に出願された特願２０２２－０９４４８２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、インターネットを介した情報処理量が、飛躍的に増大している。それに伴って、情報を保存する記録媒体の開発に注目が集まっている。とりわけ、記録媒体の一種である磁気記録媒体は、低コストで大容量の情報を保存できることから、増大する情報の受け皿として期待されている。

　一般に、磁気記録媒体の磁性層（磁気記録層）の上には、磁気記録媒体の耐久性および信頼性を確保するために、保護層と潤滑層とが設けられている。磁気記録媒体の最表面に配置される潤滑層には、長期安定性、化学物質耐性（シロキサンなどのコンタミネーションを防ぐ）、耐摩耗性、耐熱性等の様々な特性を有することが要求されている。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。

　例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３には、分子内に２つのパーフルオロポリエーテル鎖を含み、２つのパーフルオロポリエーテル鎖間に、２級水酸基を有する連結基が配置されている含フッ素エーテル化合物が開示されている。
　特許文献４には、分子内に２つのパーフルオロポリエーテル鎖を含み、２つのパーフルオロポリエーテル鎖間に、１級水酸基および２級水酸基を有する連結基が配置されている含フッ素エーテル化合物が開示されている。

　特許文献５、特許文献６および特許文献７には、３つのパーフルオロポリエーテル鎖が２級水酸基を有する連結基を介して結合した骨格を有し、その両側に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介して極性基を有する末端基がそれぞれ結合されている含フッ素エーテル化合物が開示されている。

　特許文献８には、磁気媒体用の潤滑剤として有用なポリオール（ペル）フルオロポリエーテル誘導体を製造する方法が開示されている。特許文献８には、２個の保護ヒドロキシル官能基および１個の遊離ヒドロキシル基を有する保護トリオールを、活性化剤と反応させて活性化保護トリオールを生成させ、官能性（ペル）フルオロポリエーテル誘導体の末端に配置された水酸基と求核置換反応させて、保護ポリオール（ペル）フルオロポリエーテル誘導体を生成させることが記載されている。

国際公開第２０２１／２５１３３５号米国特許出願公開第２０２０／０００２６４０号明細書国際公開第２０１６／０８４７８１号国際公開第２０２１／０１９９９８号米国特許出願公開第２０１６／０２６０４５２号明細書国際公開第２０１８／１１６７４２号国際公開第２０１７／１４５９９５号特許第５３３４０６４号公報

　近年、磁気記録媒体の用途の多様化により、磁気記録媒体に求められる環境耐性が非常に厳しくなっている。それに伴って、磁気記録媒体の信頼性および耐久性に大きな影響を及ぼす潤滑層には、より一層、長期安定性を向上させることが求められている。
　潤滑層の長期安定性の指標としては、ピックアップ特性とスピンオフ特性が知られている。ピックアップとは、潤滑剤が異物（スメア）として磁気ヘッドに付着する現象のことである。ピックアップは、磁気ヘッドの飛行安定性に影響する。スピンオフとは、磁気記録媒体の回転に伴う遠心力および発熱によって、潤滑剤が飛散したり蒸発したりする現象である。スピンオフが発生すると潤滑層の膜厚が減少するため、潤滑層の化学物質耐性および耐摩耗性が劣化する。

　また、近年、磁気記録媒体の大容量化に向けて、さらなる磁気スペーシング（磁気ヘッドと磁気記録媒体の磁性層との距離）の低減と、磁気記録媒体の回転速度の高速化が求められている。しかし、磁気ヘッドの浮上高さを低くすると、ピックアップが発生しやすくなる。また、磁気記録媒体の回転速度を速くすると、スピンオフが発生しやすくなる。また、磁気ヘッドの浮上量を小さくするために潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が低下する傾向がある。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、ピックアップおよびスピンオフの生じにくい潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有し、ピックアップおよびスピンオフが生じにくく、優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　すなわち、本発明は以下の事項に関する。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－ＣＨ_２－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－ＣＨ_２－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４　（１）
（式（１）中、［Ａ］は下記式（２－１）で表され、式（２－１）中のａは０～３の整数である。［Ｂ］は下記式（２－２）で表され、式（２－２）中のｂは０～３の整数であり、ｃは２～５の整数である。ただし、ａとｂの値の合計は１～３である。式（１）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えてもよい。［Ｃ］は下記式（３－１）で表され、式（３－１）中のｄは０～２の整数である。［Ｄ］は下記式（３－２）で表され、式（３－２）中のｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である。ただし、ｄとｅの値の合計は１または２である。式（１）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えてもよい。Ｒ^４は炭素原子数が３～３０の分岐型末端基であり、下記式（４）で表される。式（４）中のＬは０～６の整数を表す。式（４）中のＹ^１およびＹ^２は、それぞれ独立に、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基である。式（４）中のＹ^３は、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基、または水素原子である。Ｒ^１は、Ｒ^４と同じであっても異なっていてもよい末端基であり、式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基、［Ａ］または［Ｂ］と結合する末端にエーテル酸素原子を有する炭素原子数１～３０の有機基、または水酸基である。ｚは、１または２を表す。Ｒ^２は、パーフルオロポリエーテル鎖である。２つまたは３つのＲ^２は一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ｒ^３は、下記式（５）で表される２価の連結基である。式（５）中のｙ１は１～３の整数であり、ｙ２は１～３の整数である。式（５）中の左側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^１側のメチレン基との結合を示し、右側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^４側のメチレン基との結合を示す。ｚが２である場合、２つのＲ^３は同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。）

［２］　前記式（１）におけるＲ^４を表す前記式（４）が、下記式（６－１）～（６－３）のいずれかである［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（６－１）中、ｇは１～６の整数を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、式（７）で表される。Ｘ^１とＸ^２は同じであっても異なっていてもよい。）
（式（６－２）中、ｈは０～６の整数を表す。ｉおよびｊは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。Ｘ^３およびＸ^４は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^３とＸ^４は同じであっても異なっていてもよい。）
（式（６－３）中、ｋは０～６の整数を表す。ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（７）中、ｓは２～６の整数を表し、ｔは１または２を表す。）

［３］　前記式（１）におけるＲ^１が、前記式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基である［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］　前記式（１）におけるＲ^１とＲ^４の両方が、前記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基である［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［５］　前記式（１）におけるＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じである［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［６］　前記式（１）におけるｚが２であって、２つのＲ^３に含まれる原子が、分子の鎖状構造中央に配置されたＲ^２に対して対称配置されている［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［７］　前記式（１）におけるＲ^１が下記式（８）で表される［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（８）中、ｕは２～６の整数を表し、ｖは０または１を表す。Ｒ^５は、水素原子、水酸基を含まない置換基を有してもよいアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基のいずれかである。ただし、前記アルキル基および前記有機基は、直鎖であっても、分岐を有していてもよい。）

［８］　前記式（８）におけるＲ^５が、炭素原子数１～６のアルキル基である［７］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［９］　前記式（８）におけるＲ^５が、置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基であり、前記置換基がフルオロ基またはシアノ基である［７］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１０］　前記式（８）におけるＲ^５が、芳香族炭化水素を有する炭素原子数６～１２の有機基、芳香族複素環を有する炭素原子数３～１０の有機基、炭素原子数２～８のアルケニル基、および炭素原子数３～８のアルキニル基のいずれかである［７］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１１］　前記式（８）におけるＲ^５が、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、２,２,３,３,３－ペンタフルオロプロピル基、２,２,２,２,２,２－ヘキサフルオロイソプロピル基、２－シアノエチル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、フェネチル基、チエニルエチル基、Ｎ－メチルピラゾリルメチル基、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基、プロパルギル基、３－ブチニル基、および４－ペンチニル基からなる群から選択される１つの基である［７］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１２］　前記式（８）におけるＲ^５が、水素原子である［７］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［１３］　前記式（１）における２つまたは３つのＲ^２が、それぞれ独立に、下記式（９）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である［１］～［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（９）
（式（９）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（９）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

［１４］　前記式（１）における２つまたは３つのＲ^２が、それぞれ独立に、下記式（１０－１）～（１０－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である［１］～［１２］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｌ－（ＯＣＦ_２）_ｍ－ＯＣＦ_２－　（１０－１）
（式（１０－１）中、ｌおよびｍは平均重合度を示し、ｌは０．１～２０を表し、ｍは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－２）
（式（１０－２）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｏ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－３）
（式（１０－３）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　（１０－４）
（式（１０－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に０．１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

［１５］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である［１］～［１４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［１６］　［１］～［１５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

［１７］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［１５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１８］　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２．０ｎｍである［１７］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む。このため、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、保護層との密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる。
　本発明の磁気記録媒体は、保護層との密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制でき、優れた耐腐食性が得られる潤滑層を有している。このため、優れた信頼性および耐久性を有する。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態の例を示した概略断面図である。

　本発明者らは、上記課題を解決するために、潤滑層に含まれる含フッ素エーテル化合物の分子構造と、保護層との関係に着目し、以下に示すように、鋭意研究を重ねた。
　従来、保護層の表面に塗布される磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）の材料として、鎖状構造の末端に水酸基などの極性基を有する含フッ素エーテル化合物が用いられている。しかしながら、従来の潤滑剤を用いて形成した潤滑層は、保護層に対する密着性および／または磁気記録媒体の腐食抑制効果が十分に得られない場合があった。また、本発明者らが、鋭意検討した結果、潤滑層の保護層に対する密着性が不十分であると、ピックアップおよびスピンオフが生じやすいことが分かった。

　そこで、本発明者らは、潤滑層の保護層に対する密着性および磁気記録媒体の腐食抑制効果を高めるべく、さらに検討を重ねた。その結果、潤滑剤として、水酸基を有する含フッ素エーテル化合物であって、以下に示す＜１＞～＜３＞の機能が得られるものを用いる必要があることが分かった。

＜１＞パーフルオロポリエーテル（以下、ＰＦＰＥと呼ぶことがある。）系化合物中の水酸基が、保護層上の活性点との結合に有効に関与すること。
＜２＞ＰＦＰＥ系化合物中の水酸基が、ＰＦＰＥ系化合物同士の分子間水素結合の形成に関与すること。
＜３＞パーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）を含むことによる十分な疎水性が得られ、かつＰＦＰＥ鎖が保護層から離れすぎないこと。

　このことから、本発明者らは、上記＜１＞～＜３＞の機能が効果的に得られる含フッ素エーテル化合物の分子構造について検討を重ねた。
　その結果、２つまたは３つのパーフルオロポリエーテル鎖（ＰＦＰＥ鎖）が、メチレン基（－ＣＨ_２－）と、２級水酸基を有する特定の２価の連結基とを介して結合し、両端のパーフルオロポリエーテル鎖に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介して２級水酸基を有する特定の連結基がそれぞれ結合し、少なくとも片末端に１級水酸基を複数有する分岐型末端基が配置された含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。そして、このような含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、ピックアップおよびスピンオフを抑制できることを確認し、本発明を想到した。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。例えば、本発明は以下の例のみに限定されることは無く、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、比率、組成、種類、位置、材料、構成等について、付加、省略、置換、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、下記式（１）で表される。
Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－ＣＨ_２－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－ＣＨ_２－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４　（１）
（式（１）中、［Ａ］は下記式（２－１）で表され、式（２－１）中のａは０～３の整数である。［Ｂ］は下記式（２－２）で表され、式（２－２）中のｂは０～３の整数であり、ｃは２～５の整数である。ただし、ａとｂの値の合計は１～３である。式（１）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えてもよい。［Ｃ］は下記式（３－１）で表され、式（３－１）中のｄは０～２の整数である。［Ｄ］は下記式（３－２）で表され、式（３－２）中のｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である。ただし、ｄとｅの値の合計は１または２である。式（１）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えてもよい。Ｒ^４は炭素原子数が３～３０の分岐型末端基であり、下記式（４）で表される。式（４）中のＬは０～６の整数を表す。式（４）中のＹ^１およびＹ^２は、それぞれ独立に、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基である。式（４）中のＹ^３は、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基、または水素原子である。Ｒ^１は、Ｒ^４と同じであっても異なっていてもよい末端基であり、式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基、［Ａ］または［Ｂ］と結合する末端にエーテル酸素原子を有する炭素原子数１～３０の有機基、または水酸基である。ｚは１または２を表す。Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖である。２つまたは３つのＲ^２は一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ｒ^３は下記式（５）で表される２価の連結基である。式（５）中のｙ１は１～３の整数であり、ｙ２は１～３の整数である。式（５）中の左側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^１側のメチレン基との結合を示し、右側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^４側のメチレン基との結合を示す。ｚが２である場合、２つのＲ^３は同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。）

（－［Ｂ］－［Ａ］－で示される連結基）
　式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、［Ａ］は前記式（２－１）で表され、［Ｂ］は前記式（２－２）で表される。式（１）における［Ａ］および［Ｂ］は、２価の連結基である。式（１）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えてもよい。式（２－１）中のａおよび式（２－２）中のｂは０～３の整数である。ただし、ａとｂの値の合計は１～３である。

　式（２－１）および式（２－２）は、原料入手および合成の容易さの観点から、ａが１であってｂが０である組み合わせ、またはａが０であってｂが１である組み合わせが好ましい。

　また、式（２－１）および式（２－２）は、保護層との密着性の観点から、ａが２であってｂが０である組み合わせ、またはａが１であってｂが１である組み合わせが好ましい。特に、ａが２であってｂが０である場合、含フッ素エーテル化合物において、式（２－１）の有する２つの水酸基の配置される方向が、ＰＦＰＥ鎖の延在方向に対して立体的に同じ方向となり、式（２－１）の有する２つの水酸基が保護層に吸着しやすいものとなる傾向がみられる。また、ａおよびｂが１であって［Ａ］と［Ｂ］の結合順がＲ^１側から－［Ａ］－［Ｂ］－である場合、－［Ａ］－［Ｂ］－構造中に含まれる水酸基同士間の距離がより遠くなる。このため、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子内水素結合を小さくし、保護層との親和性を高くすることが出来る。

　式（２－２）中のｃは２～５の整数である。ｂが１～３の整数である場合、ｃは２～４の整数であることが好ましく、２であることが最も好ましい。これは、－［Ｂ］－［Ａ］－構造中に含まれる炭素原子数が多すぎることがなく、より一層、保護層への密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるためである。

（－［Ｃ］－［Ｄ］－で示される連結基）
　式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、［Ｃ］は前記式（３－１）で表され、［Ｄ］は前記式（３－２）で表される。式（１）における［Ｃ］および［Ｄ］は、２価の連結基である。式（１）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えてもよい。式（３－１）中のｄおよび式（３－２）中のｅは０～２の整数である。ただし、ｄとｅの値の合計は１または２である。

　式（３－１）および式（３－２）は、原料入手および合成の容易さの観点から、ｄが１であってｅが０である組み合わせ、またはｄが０であってｅが１である組み合わせが好ましい。

　また、式（３－１）および式（３－２）は、保護層との密着性の観点から、ｄが２であってｅが０である組み合わせ、またはｄが１であってｅが１である組み合わせが好ましい。特に、ｄが２であってｅが０である場合、含フッ素エーテル化合物において、式（３－１）の有する２つの水酸基の配置される方向が、ＰＦＰＥ鎖の延在方向に対して立体的に同じ方向となり、式（３－１）の有する２つの水酸基が保護層に吸着しやすいものとなる傾向がみられる。また、ｄおよびｅが１であって［Ｃ］と［Ｄ］の結合順がＲ^２側から－［Ｄ］－［Ｃ］－である場合、－［Ｄ］－［Ｃ］－構造中に含まれる水酸基同士間の距離がより遠くなる。このため、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子内水素結合を小さくし、保護層との親和性を高くすることが出来る。

　式（３－２）中のｆは２～５の整数である。ｅが１～２の整数である場合、ｆは２～３の整数であることが好ましく、２であることが最も好ましい。これは、－［Ｃ］－［Ｄ］－構造中に含まれる炭素原子数が多すぎることがなく、より一層、保護層への密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるためである。

（Ｒ^４で示される分岐型末端基）
　式（１）中、Ｒ^４は式（４）で表される、炭素原子数が３～３０の分岐型末端基である。Ｒ^４の炭素原子数は、３～２０が好ましく、さらに好ましくは３～１２である。Ｒ^４の炭素原子数は、３～５や、５～１０や、１０～１５などであってもよい。Ｒ^４の炭素原子数が３～１２であると、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低下して、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなってしまうことを抑制できる。

　式（４）は、１級水酸基を２つまたは３つ含み、炭素原子を分岐点とする分岐型末端基である。Ｒ^４に含まれる複数の１級水酸基は、含フッ素エーテル化合物同士の分子間水素結合の形成に関与する。
　式（４）中のＬは０～６の整数を表す。式（４）中、Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ独立に、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基である。Ｙ^１およびＹ^２で示される炭化水素基は、直鎖であっても分岐であってもよく、２級水酸基および３級水酸基を含まないことが好ましい。Ｙ^３は、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基、または水素原子である。Ｙ^３で示される炭化水素基は、直鎖であっても分岐であってもよく、２級水酸基および３級水酸基を含まないことが好ましい。

　Ｒ^４は、エーテル結合（－Ｏ－）を３つ以上含むことが好ましい。この場合、Ｒ^４が適度な柔軟性を有するものとなるため、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性に優れるものとなる。
　Ｒ^４が複数のエーテル結合を有する場合、隣接するエーテル結合同士は、２つ以上の炭素原子が連結された連結基を介して結合していることが好ましい。この場合、隣接するエーテル結合の間の距離が適正となり、凝集しにくい含フッ素エーテル化合物となる。

　Ｒ^４を表す式（４）は、下記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基であることが好ましい。Ｒ^４が、式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基である場合、Ｒ^４に含まれる１級水酸基の結合している炭素原子同士が、メチン基および／またはメチレン基と、エーテル結合とを含む連結基を介して結合している。このため、Ｒ^４の有する隣接する１級水酸基同士の間の距離が適正となり、Ｒ^４の有する複数の１級水酸基が、含フッ素エーテル化合物同士の分子間で水素結合を形成しやすい配置となっている。しかも、Ｒ^４が下記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基であると、Ｒ^４の分子量が大きいことにより、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低下して、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなることを抑制できる。Ｒ^４は、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなることを抑制できるため、式（６－１）または（６－２）であることがより好ましい。

　式（６－１）中、ｇは１～６の整数を表す。ｇは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、１～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは１または２である。また、ｇが１～４の整数であると、Ｒ^４中の炭素原子数が多いことによって末端の運動性が高くなりすぎることがない。このため、より一層、保護層への密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となり、好ましい。
　Ｘ^１およびＸ^２は、式（７）で表される。Ｘ^１とＸ^２は同じであっても異なっていてもよい。

　式（６－２）中、ｈは０～６の整数を表す。ｈは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、０～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは０～２の整数である。また、ｈが０～５の整数であると、Ｒ^４中の炭素原子数が多いことによって末端の運動性が高くなりすぎることがない。このため、より一層、保護層への密着性が良好で、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となり、好ましい。

　式（６－２）中、ｉおよびｊは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。ｉおよびｊは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、それぞれ独立して、１～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは１または２である。ｉおよびｊは、同じであってもよいし、異なっていてもよい。ｉおよびｊは、含フッ素エーテル化合物の製造が容易であるため、同じであることが好ましい。
　Ｘ^３およびＸ^４は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^３とＸ^４は同じであっても異なっていてもよい。

　式（６－３）中、ｋは０～６の整数を表す。ｋは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、０～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは０～２の整数である。
　ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。ｐ、ｑおよびｒは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、それぞれ独立して、１～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは１または２である。ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。ｐ、ｑおよびｒは、含フッ素エーテル化合物の製造が容易であるため、全て同じであることが好ましい。
　Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。

　式（７）中、ｓは２～６の整数を表す。ｓは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、２～４の整数であることが好ましく、さらに好ましくは２または３である。
　ｔは１または２を表す。ｔが２である場合、それぞれの［－（ＣＨ_２）_ｓ－Ｏ－］におけるｓは同じであってもよいし、異なっていてもよい。ｔは、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合を確保しやすくなるため、１であることが好ましい。
　式（６－１）中のＸ^２としての式（７）は、ｓが３以上である、および／またはｔが２であることが好ましく、式（６－１）中のＸ^１としての式（７）および式（６－１）中のＸ^２としての式（７）の両方が、ｓが３以上である、および／またはｔが２であることがより好ましい。式（６－１）中の分岐点となっている炭素原子から１級水酸基までの距離が近すぎることがなく適正となり、ピックアップおよびスピンオフを、より効果的に抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるためである。

　式（１）の－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４は、具体的には、下記式（１１－１）～（１１－２５）で表されるいずれかの構造であることが好ましく、ピックアップおよびスピンオフを効果的に抑制できる潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となるため、下記式（１１－１）～（１１－５）、（１１－７）～（１１－１０）、（１１－１３）～（１１－２１）、（１１－２４）、（１１－２５）で表されるいずれかの構造であることがより好ましい。

（Ｒ^１で示される末端基）
　（１）においてＲ^１で示される末端基は、Ｒ^４と同じであっても異なっていてもよい末端基であり、式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基、［Ａ］または［Ｂ］と結合する末端にエーテル酸素原子を有する炭素原子数１～３０の有機基、または水酸基である。Ｒ^１で示される末端基は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

　Ｒ^１が式（４）で表される炭素原子数３～３０の末端基である場合、Ｒ^１は、１級水酸基を２つまたは３つ含み、炭素原子を分岐点とする分岐型末端基となる。このため、Ｒ^１に含まれる複数の１級水酸基が、含フッ素エーテル化合物同士の分子間水素結合の形成に関与するものとなり、含フッ素エーテル化合物同士の分子間水素結合がより強められる。

　Ｒ^１が式（４）で表される末端基である場合、Ｒ^１を表す式（４）は、前記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基であることが好ましい。この場合、式（６－１）中のｇ、式（６－２）中のｈ～ｊ、式（６－３）中のｋ、ｐ～ｒ、および式（７）中のｓ、ｔの好ましい値は、Ｒ^４が式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基である場合と同じである。
　Ｒ^１が式（４）で表される末端基である場合、－［Ａ］－［Ｂ］－Ｒ^１は、具体的には、前記式（１１－１）～（１１－２５）で表される構造であることが好ましい。

　式（１）において、Ｒ^１が式（４）で表される末端基である場合、Ｒ^１とＲ^４の両方が、前記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基であることがさらに好ましい。
　式（１）において、Ｒ^１が式（４）で表される末端基である場合、Ｒ^１とＲ^４とが同じであることが好ましく、Ｒ^１とＲ^４の両方が、前記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基であることがさらに好ましい。

　式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１が式（４）で表される分岐型末端基でない場合、Ｒ^１は、［Ａ］または［Ｂ］と結合する末端にエーテル酸素原子を有する炭素原子数１～３０の有機基、または水酸基である。具体的には、Ｒ^１は下記式（８）で表される末端基であることが好ましい。この場合、Ｒ^１の分子量が大きいことにより、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低下して、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなることを抑制できる。

　式（８）中、ｕは２～６の整数を表し、ｖは０または１を表す。式（８）のｖが０である場合、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低下して、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなることを、より効果的に抑制できる。ｖが１である場合、式（８）に含まれるエーテル結合が、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物に柔軟性を付与するため、より一層保護層に吸着しやすいものとなる。

　また、式（８）中のｖが１である場合、ｕが２～６の整数であるため、Ｒ^１で表される末端基が化学的に安定で分解しにくいものとなる。ｕは２～４の整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましい。ｕが２または３であると、含フッ素エーテル化合物分子中におけるフッ素原子の割合が低下して、分子全体の表面自由エネルギーが大きくなることを抑制できる。

　式（８）中のＲ^５は、水素原子、水酸基を含まない置換基を有してもよいアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基のいずれかである。
　Ｒ^５が水素原子である場合、Ｒ^５は式（８）中の酸素原子とともに水酸基を形成する。式（８）中のｖが１である場合、式（８）で表されるＲ^１は、末端に水酸基を有するアルコキシ基である。式（８）中のｖが０である場合、式（８）で表されるＲ^１は水酸基である。

　Ｒ^５が水素原子であって、式（８）中のｖが１である場合、式（８）で表されるＲ^１の好ましい具体例として、－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＯＨ（式（８）中のｕが２）、－Ｏ－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－ＯＨ（式（８）中のｕが３）が挙げられる。

　Ｒ^５が水素原子であって、式（８）中のｖが０である場合（すなわちＲ^１が水酸基である場合）、Ｒ^１は式（２－１）で表される［Ａ］に結合してもよく、式（２－２）で表される［Ｂ］に結合してもよい。Ｒ^１が［Ｂ］に結合する場合、Ｒ^１で表される水酸基と、隣接する水酸基の間の距離がより適正となるため好ましい。

　Ｒ^５が、水酸基を含まない置換基を有してもよいアルキル基である場合、前記置換基としては、フルオロ基、シアノ基、アルコキシ基などが挙げられる。前記置換基には、ヒドロキシアルコキシ基などの、水酸基を含む置換基は含まない。
　置換基を有してもよいアルキル基は、置換基を有さない炭素原子数１～６のアルキル基、または置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基であることが好ましい。置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基の有する置換基は、フルオロ基またはシアノ基であることが好ましい。置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基は、アルキル基の有する水素原子の１つ以上が置換基で置換されたものであり、アルキル基の有する水素原子の全てが置換基で置換されたものであってもよい。

　置換基を有さない炭素原子数１～６のアルキル基、および置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基の有するアルキル基は、直鎖であってもよいし、分岐を有していてもよい。具体的には、アルキル基として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基とその構造異性体、ｎ－ヘキシル基とその構造異性体が挙げられる。

　水素原子の１つ以上がフルオロ基で置換された炭素原子数１～６のアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、２,２,３,３,３－ペンタフルオロプロピル基、２,２,２,２,２,２－ヘキサフルオロイソプロピル基、２,２,３,３,４,４,４－ヘプタフルオロブチル基、２,２,３,３,４,４,５,５,５－ノナフルオロペンチル基、２,２,３,３,４,４,５,５,６,６,６－ウンデカフルオロヘキシル基が挙げられる。

　水素原子の１つ以上がシアノ基で置換された炭素原子数１～６のアルキル基の有するシアノ基の数は、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。シアノ基の数が多いと含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎるため、シアノ基の数は２つ以下であることが好ましく、最も好ましくは１である。
　水素原子の１つ以上がシアノ基で置換された炭素原子数１～６のアルキル基としては、例えば、２－シアノエチル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基、５－シアノペンチル基、６－シアノヘキシル基、２－シアノ－１－メチルエチル基、２,２’－ジシアノイソプロピル基が挙げられる。

　二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基としては、芳香族炭化水素を有する炭素原子数６～１２の有機基、芳香族複素環を有する炭素原子数３～１０の有機基、炭素原子数２～８のアルケニル基、および炭素原子数３～８のアルキニル基のいずれかであることが好ましい。二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、直鎖であってもよいし、分岐を有していてもよい。二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、水酸基を含まない置換基を有していてもよい。

　芳香族炭化水素を有する炭素原子数６～１２の有機基としては、例えば、フェニル基、メトキシフェニル基、ジメトキシフェニル基、シアノフェニル基、ジシアノフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、メトキシナフチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基が挙げられる。芳香族炭化水素が置換基を有する場合、置換基の結合されている位置は、どこでもよい。

　芳香族複素環を有する炭素原子数３～１０の有機基としては、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルメチル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基が挙げられる。

　炭素原子数２～８のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、３－ブテニル基とその構造異性体、４－ペンテニル基とその構造異性体、５－ヘキセニル基とその構造異性体、６－ヘプテニル基とその構造異性体、７－オクテニル基とその構造異性体が挙げられる。

　炭素原子数３～８のアルキニル基としては、１－プロピニル基、プロパルギル基、３－ブチニル基とその構造異性体、４－ペンチニル基とその構造異性体、５－ヘキシニル基とその構造異性体、６－ヘプチニル基とその構造異性体、７－オクチニル基とその構造異性体が挙げられる。

　式（８）におけるＲ^５は、入手および／または合成の容易さの観点から、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、２,２,３,３,３－ペンタフルオロプロピル基、２,２,２,２,２,２－ヘキサフルオロイソプロピル基、２－シアノエチル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、フェネチル基、チエニルエチル基、Ｎ－メチルピラゾリルメチル基、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基、プロパルギル基、３－ブチニル基、４－ペンチニル基からなる群から選択される１つの基であることが好ましい。これらの中でも、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、２,２,３,３,３－ペンタフルオロプロピル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、Ｎ－メチルピラゾリルメチル基、チエニルエチル基、プロパルギル基、アリル基、３－ブテニル基からなる群から選択される１つの基であることがより好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、ｚは１または２を表す。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、ｚが１または２であるため、Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖の数（ｚ＋１）が２つまたは３つであり、Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖の数が１つである化合物と比較して、良好な疎水性を有する。このため、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果の高い潤滑層を形成できる。また、ｚが１または２であるため、Ｒ^２間に配置されるＲ^３の数が１または２となる。このことから、式（１）における－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－の有する極性基の数が適正となり、例えば、ｚが０である場合と比較して、保護層との密着性の良好な潤滑層を形成できる。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、例えば、ｚが３以上である場合と比較して、分子内における極性基同士の相互作用を防ぐことができ、含フッ素エーテル化合物の有する極性基同士が凝集しにくい。

（Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、（ｚ＋１）個のＲ^２は、それぞれ独立にパーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、（ｚ＋１）個のＲ^２は、一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていても良い。（ｚ＋１）個のＲ^２は全て同じであることが好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態が均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。
　（ｚ＋１）個のＲ^２のうち２つ以上のＲ^２が同じであるとは、（ｚ＋１）個のＲ^２のうち、ＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位の構造が同じＲ^２が２つ以上含まれていることを意味する。同じＲ^２には、繰り返し単位の構造が同じであって、平均重合度が異なるものも含まれる。

　Ｒ^２で示されるＰＦＰＥ鎖としては、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体からなるものなどが挙げられる。パーフルオロアルキレンオキシドとしては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド、パーフルオロエチレンオキシド、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド、パーフルオロイソプロピレンオキシド、パーフルオロブチレンオキシドなどが挙げられる。

　式（１）における２つまたは３つのＲ^２は、それぞれ独立に、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する下記式（９）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（９）
（式（９）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（９）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

　式（９）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表し、０～１５であることが好ましく、０～１０であることがより好ましい。
　式（９）中、ｗ１、ｗ６はＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。ｗ１、ｗ６は、式（９）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。
　式（９）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（９）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（９）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

　式（１）における２つまたは３つのＲ^２は、それぞれ独立に、下記式（１０－１）～（１０－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であることが好ましい。
　式（１）における（ｚ＋１）個のＲ^２がそれぞれ式（１０－１）～（１０－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であると、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、（ｚ＋１）個のＲ^２がそれぞれ式（１０－１）～（１０－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、ＰＦＰＥ鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、含フッ素エーテル化合物が適度な柔軟性を有することにより、ピックアップ特性およびスピンオフ特性のより良好な潤滑層を形成できる。

　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｌ－（ＯＣＦ_２）_ｍ－ＯＣＦ_２－　（１０－１）
（式（１０－１）中、ｌおよびｍは平均重合度を示し、ｌは０．１～２０を表し、ｍは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－２）
（式（１０－２）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｏ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－３）
（式（１０－３）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　（１０－４）
（式（１０－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に０．１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

　式（１０－１）において、繰り返し単位である（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）との配列順序に、特に制限はない。式（１０－１）において、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の数ｌと（ＯＣＦ_２）の数ｍは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（１０－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の重合体であってもよい。また、式（１０－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかであってもよい。

　式（１０－１）～（１０－３）においては、平均重合度を示すｌが０．１～２０、ｍが０～２０、ｎが０．１～１５、ｏが０．１～１０であるので、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（１０－１）～（１０－３）においては、平均重合度を示すｌ、ｍが２０以下、ｎが１５以下、ｏが１０以下であるので、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｌ、ｍ、ｎ、ｏは、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、１～１０であることが好ましく、１．５～８であることがより好ましく、２～７であることがさらに好ましい。

　式（１０－４）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（１０－４）において、平均重合度を示す（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ８と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ９は同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（１０－４）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

　式（１０－４）において、平均重合度を示すｗ８およびｗ９は、それぞれ独立に０．１～２０であり、１～１５であることが好ましく、さらに１～１０であることが好ましい。
　式（１０－４）におけるｗ７およびｗ１０は、ＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。ｗ７およびｗ１０は、式（１０－４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

（Ｒ^３で示される２価の連結基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、１つまたは２つのＲ^３は、上記式（５）で表される２価の連結基である。式（５）中の左側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^１側のメチレン基との結合を示し、右側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^４側のメチレン基との結合を示す。式（１）中のｚが１である場合、Ｒ^３は２つのＲ^２で示されるＰＦＰＥ鎖の間に配置される。ｚが２である場合、２つのＲ^３は、Ｒ^１側のＲ^２と中央のＲ^２との間と、Ｒ^４側のＲ^２と中央のＲ^２との間に、それぞれ配置される。

　Ｒ^３は、２級水酸基を有する２価の連結基である。このため、Ｒ^３は、２級水酸基に起因する保護層への良好な密着性を有している。よって、Ｒ^３は、Ｒ^３の両末端に配置されているＲ^２で示されるＰＦＰＥ鎖が保護層から離れすぎることを抑制し、Ｒ^２に由来する良好な疎水性を有する潤滑層と磁気ヘッドとの距離を適正に保つ。すなわち、Ｒ^３は、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果の高い潤滑層を、十分な被覆率で形成することに寄与する。

　式（５）において、ｙ１は１～３の整数であり、ｙ２は１～３の整数である。ｙ１、ｙ２のうち少なくとも一方は１であることが好ましい。ｙ１、ｙ２のうち少なくとも一方が１であると、製造が容易になり、好ましい。連結基全体の柔軟性を保つため、ｙ１が１かつｙ２が１であることがより好ましい。

　式（１）中のｚが２である場合、２つのＲ^３は同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。２つのＲ^３が同じであると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できる。また、２つのＲ^３が同じである場合、製造の容易な含フッ素エーテル化合物となり、好ましい。
　「２つのＲ^３が同じである」とは、２つのＲ^３に含まれる原子が、分子の鎖状構造中央に配置されたＲ^２に対して対称配置されていることを意味する。すなわち、ｚが２である場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、２つのＲ^３における式（５）中のｙ１、ｙ２が、鎖状構造中央に配置されたＲ^２に対して対称となる値である含フッ素エーテル化合物であることが好ましい。例えば、Ｒ^１側のＲ^３における式（５）中のｙ１が１、ｙ２が２であり、Ｒ^４側のＲ^３における式（５）中のｙ１が２、ｙ２が１である場合、２つのＲ^３は同じである。また、例えば、Ｒ^１側のＲ^３における式（５）中のｙ１が２、ｙ２が１あり、Ｒ^４側のＲ^３における式（５）中のｙ１が１、ｙ２が２である場合、２つのＲ^３は同じである。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであることにより、－ＣＨ_２－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－ＣＨ_２－で表される構造の両側に、原子が対称配置されていることが好ましい。この場合、製造が容易であるため、製造コストが安価となる。
　式（１）においては、ｚが１である場合、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであり、２つのＲ^２が同じであることがより好ましい。合成の容易な含フッ素エーテル化合物となるためである。
　式（１）においては、ｚが２である場合、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであり、３つのＲ^２が同じであることがより好ましい。合成の容易な含フッ素エーテル化合物となるためである。さらに、ｚが２である場合、２つのＲ^３に含まれる原子が、分子の鎖状構造中央に配置されたＲ^２に対して対称配置されていることが好ましい。より一層合成の容易な含フッ素エーテル化合物となるためである。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（１Ａ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｖ）で表される化合物であることが好ましい。
　下記式（１Ａ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｖ）で表される化合物において、ＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１、Ｒｆ_２は、それぞれ下記の構造である。すなわち、Ｒｆ_１は上記式（１０－１）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒｆ_２は、上記式（１０－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、式（１Ａ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｖ）中のＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１におけるｌおよびｍ、Ｒｆ_２におけるｎは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数になるとは限らない。

（式（１Ａ）中のＲｆ_２１ａは式（１ＡＦ）で表される。Ｒｆ_２１ａ中、ｎ１ａは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ａ）中の２つのＲｆ_２１ａにおけるｎ１ａは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｂ）中のＲｆ_２１ｂは式（１ＢＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｂ中、ｎ１ｂは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｂ）中の２つのＲｆ_２１ｂにおけるｎ１ｂは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｃ）中のＲｆ_１１ｃは式（１ＣＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｃ中、ｌ１ｃおよびｍ１ｃは平均重合度を示し、ｌ１ｃは０．１～２０を表し、ｍ１ｃは０～２０を表す。式（１Ｃ）中の２つのＲｆ_１１ｃにおけるｌ１ｃおよびｍ１ｃはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｄ）中のＲｆ_１１ｄは式（１ＤＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｄ中、ｌ１ｄおよびｍ１ｄは平均重合度を示し、ｌ１ｄは０．１～２０を表し、ｍ１ｄは０～２０を表す。式（１Ｄ）中の２つのＲｆ_１１ｄにおけるｌ１ｄおよびｍ１ｄはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｅ）中のＲｆ_２１ｅは式（１ＥＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｅ中、ｎ１ｅは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｅ）中の２つのＲｆ_２１ｅにおけるｎ１ｅは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｆ）中のＲｆ_２１ｆは式（１ＦＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｆ中、ｎ１ｆは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｆ）中の２つのＲｆ_２１ｆにおけるｎ１ｆは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｇ）中のＲｆ_２１ｇは式（１ＧＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｇ中、ｎ１ｇは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｇ）中の２つのＲｆ_２１ｇにおけるｎ１ｇは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｈ）中のＲｆ_１１ｈは式（１ＨＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｈ中、ｌ１ｈおよびｍ１ｈは平均重合度を示し、ｌ１ｈは０．１～２０を表し、ｍ１ｈは０～２０を表す。式（１Ｈ）中の２つのＲｆ_１１ｈにおけるｌ１ｈおよびｍ１ｈはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｉ）中のＲｆ_１１ｉは式（１ＩＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｉ中、ｌ１ｉおよびｍ１ｉは平均重合度を示し、ｌ１ｉは０．１～２０を表し、ｍ１ｉは０～２０を表す。式（１Ｉ）中の２つのＲｆ_１１ｉにおけるｌ１ｉおよびｍ１ｉはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｊ）中のＲｆ_２１ｊは式（１ＪＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｊ中、ｎ１ｊは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｊ）中の２つのＲｆ_２１ｊにおけるｎ１ｊは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｋ）中のＲｆ_１１ｋは式（１ＫＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｋ中、ｌ１ｋおよびｍ１ｋは平均重合度を示し、ｌ１ｋは０．１～２０を表し、ｍ１ｋは０～２０を表す。式（１Ｋ）中の２つのＲｆ_１１ｋにおけるｌ１ｋおよびｍ１ｋはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｌ）中のＲｆ_２１ｌは式（１ＬＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｌ中、ｎ１ｌは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｌ）中の２つのＲｆ_２１ｌにおけるｎ１ｌは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｍ）中のＲｆ_２１ｍは式（１ＭＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｍ中、ｎ１ｍは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｍ）中の２つのＲｆ_２１ｍにおけるｎ１ｍは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｎ）中のＲｆ_２１ｎは式（１ＮＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｎ中、ｎ１ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｎ）中の２つのＲｆ_２１ｎにおけるｎ１ｎは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｏ）中のＲｆ_２１ｏは式（１ＯＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｏ中、ｎ１ｏは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｏ）中の２つのＲｆ_２１ｏにおけるｎ１ｏは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｐ）中のＲｆ_２１ｐは式（１ＰＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｐ中、ｎ１ｐは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｐ）中の２つのＲｆ_２１ｐにおけるｎ１ｐは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｑ）中のＲｆ_１１ｑは式（１ＱＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｑ中、ｌ１ｑおよびｍ１ｑは平均重合度を示し、ｌ１ｑは０．１～２０を表し、ｍ１ｑは０～２０を表す。式（１Ｑ）中の２つのＲｆ_１１ｑにおけるｌ１ｑおよびｍ１ｑはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｒ）中のＲｆ_１１ｒは式（１ＲＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｒ中、ｌ１ｒおよびｍ１ｒは平均重合度を示し、ｌ１ｒは０．１～２０を表し、ｍ１ｒは０～２０を表す。式（１Ｒ）中の２つのＲｆ_１１ｒにおけるｌ１ｒおよびｍ１ｒはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｓ）中のＲｆ_１１ｓは式（１ＳＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｓ中、ｌ１ｓおよびｍ１ｓは平均重合度を示し、ｌ１ｓは０．１～２０を表し、ｍ１ｓは０～２０を表す。式（１Ｓ）中の２つのＲｆ_１１ｓにおけるｌ１ｓおよびｍ１ｓはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｔ）中のＲｆ_１１ｔは式（１ＴＦ）で表される。Ｒｆ_１１ｔ中、ｌ１ｔおよびｍ１ｔは平均重合度を示し、ｌ１ｔは０．１～２０を表し、ｍ１ｔは０～２０を表す。式（１Ｔ）中の２つのＲｆ_１１ｔにおけるｌ１ｔおよびｍ１ｔはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。）

（式（１Ｕ）中のＲｆ_２１ｕは式（１ＵＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｕ中、ｎ１ｕは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｕ）中の２つのＲｆ_２１ｕにおけるｎ１ｕは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（１Ｖ）中のＲｆ_２１ｖは式（１ＶＦ）で表される。Ｒｆ_２１ｖ中、ｎ１ｖは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（１Ｖ）中の２つのＲｆ_２１ｖにおけるｎ１ｖは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（２Ａ）中のＲｆ_２２ａは式（２ＡＦ）で表される。Ｒｆ_２２ａ中、ｎ２ａは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ａ）中の３つのＲｆ_２２ａにおけるｎ２ａは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｂ）中のＲｆ_２２ｂは式（２ＢＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｂ中、ｎ２ｂは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｂ）中の３つのＲｆ_２２ｂにおけるｎ２ｂは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｃ）中のＲｆ_１２ｃは式（２ＣＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｃ中、ｌ２ｃおよびｍ２ｃは平均重合度を示し、ｌ２ｃは０．１～２０を表し、ｍ２ｃは０～２０を表す。式（２Ｃ）中の３つのＲｆ_１２ｃにおけるｌ２ｃおよびｍ２ｃは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｄ）中のＲｆ_１２ｄは式（２ＤＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｄ中、ｌ２ｄおよびｍ２ｄは平均重合度を示し、ｌ２ｄは０．１～２０を表し、ｍ２ｄは０～２０を表す。式（２Ｄ）中の３つのＲｆ_１２ｄにおけるｌ２ｄおよびｍ２ｄは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｅ）中のＲｆ_２２ｅは式（２ＥＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｅ中、ｎ２ｅは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｅ）中の３つのＲｆ_２２ｅにおけるｎ２ｅは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｆ）中のＲｆ_２２ｆは式（２ＦＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｆ中、ｎ２ｆは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｆ）中の３つのＲｆ_２２ｆにおけるｎ２ｆは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｇ）中のＲｆ_２２ｇは式（２ＧＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｇ中、ｎ２ｇは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｇ）中の３つのＲｆ_２２ｇにおけるｎ２ｇは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｈ）中のＲｆ_１２ｈは式（２ＨＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｈ中、ｌ２ｈおよびｍ２ｈは平均重合度を示し、ｌ２ｈは０．１～２０を表し、ｍ２ｈは０～２０を表す。式（２Ｈ）中の３つのＲｆ_１２ｈにおけるｌ２ｈおよびｍ２ｈは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｉ）中のＲｆ_１２ｉは式（２ＩＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｉ中、ｌ２ｉおよびｍ２ｉは平均重合度を示し、ｌ２ｉは０．１～２０を表し、ｍ２ｉは０～２０を表す。式（２Ｉ）中の３つのＲｆ_１２ｉにおけるｌ２ｉおよびｍ２ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｊ）中のＲｆ_２２ｊは式（２ＪＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｊ中、ｎ２ｊは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｊ）中の３つのＲｆ_２２ｊにおけるｎ２ｊは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｋ）中のＲｆ_１２ｋは式（２ＫＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｋ中、ｌ２ｋおよびｍ２ｋは平均重合度を示し、ｌ２ｋは０．１～２０を表し、ｍ２ｋは０～２０を表す。式（２Ｋ）中の３つのＲｆ_１２ｋにおけるｌ２ｋおよびｍ２ｋは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｌ）中のＲｆ_２２ｌは式（２ＬＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｌ中、ｎ２ｌは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｌ）中の３つのＲｆ_２２ｌにおけるｎ２ｌは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｍ）中のＲｆ_２２ｍは式（２ＭＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｍ中、ｎ２ｍは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｍ）中の３つのＲｆ_２２ｍにおけるｎ２ｍは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｎ）中のＲｆ_２２ｎは式（２ＮＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｎ中、ｎ２ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｎ）中の３つのＲｆ_２２ｎにおけるｎ２ｎは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｏ）中のＲｆ_２２ｏは式（２ＯＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｏ中、ｎ２ｏは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｏ）中の３つのＲｆ_２２ｏにおけるｎ２ｏは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｐ）中のＲｆ_２２ｐは式（２ＰＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｐ中、ｎ２ｐは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｐ）中の３つのＲｆ_２２ｐにおけるｎ２ｐは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｑ）中のＲｆ_１２ｑは式（２ＱＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｑ中、ｌ２ｑおよびｍ２ｑは平均重合度を示し、ｌ２ｑは０．１～２０を表し、ｍ２ｑは０～２０を表す。式（２Ｑ）中の３つのＲｆ_１２ｑにおけるｌ２ｑおよびｍ２ｑは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｒ）中のＲｆ_１２ｒは式（２ＲＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｒ中、ｌ２ｒおよびｍ２ｒは平均重合度を示し、ｌ２ｒは０．１～２０を表し、ｍ２ｒは０～２０を表す。式（２Ｒ）中の３つのＲｆ_１２ｒにおけるｌ２ｒおよびｍ２ｒは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｓ）中のＲｆ_１２ｓは式（２ＳＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｓ中、ｌ２ｓおよびｍ２ｓは平均重合度を示し、ｌ２ｓは０．１～２０を表し、ｍ２ｓは０～２０を表す。式（２Ｓ）中の３つのＲｆ_１２ｓにおけるｌ２ｓおよびｍ２ｓは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｔ）中のＲｆ_１２ｔは式（２ＴＦ）で表される。Ｒｆ_１２ｔ中、ｌ２ｔおよびｍ２ｔは平均重合度を示し、ｌ２ｔは０．１～２０を表し、ｍ２ｔは０～２０を表す。式（２Ｔ）中の３つのＲｆ_１２ｔにおけるｌ２ｔおよびｍ２ｔは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（２Ｕ）中のＲｆ_２２ｕは式（２ＵＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｕ中、ｎ２ｕは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｕ）中の３つのＲｆ_２２ｕにおけるｎ２ｕは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（２Ｖ）中のＲｆ_２２ｖは式（２ＶＦ）で表される。Ｒｆ_２２ｖ中、ｎ２ｖは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（２Ｖ）中の３つのＲｆ_２２ｖにおけるｎ２ｖは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、下記式（４Ａ）～（４Ｏ）、（５Ａ）～（５Ｏ）で表される化合物であることも好ましい。
　下記式（４Ａ）～（４Ｏ）、（５Ａ）～（５Ｏ）で表される化合物において、ＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１は、上記式（１０－１）で表されるＰＦＰＥ鎖であり、Ｒｆ_２は、上記式（１０－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、式（４Ａ）～（４Ｏ）、（５Ａ）～（５Ｏ）中のＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１におけるｌおよびｍ、Ｒｆ_２におけるｎは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数になるとは限らない。

（式（４Ａ）中のＲｆ_２４ａは式（４ＡＦ）で表される。Ｒｆ_２４ａ中、ｎ４ａは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ａ）中の２つのＲｆ_２４ａにおけるｎ４ａは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｂ）中のＲｆ_２４ｂは式（４ＢＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｂ中、ｎ４ｂは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｂ）中の２つのＲｆ_２４ｂにおけるｎ４ｂは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｃ）中のＲｆ_２４ｃは式（４ＣＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｃ中、ｎ４ｃは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｃ）中の２つのＲｆ_２４ｃにおけるｎ４ｃは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｄ）中のＲｆ_２４ｄは式（４ＤＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｄ中、ｎ４ｄは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｄ）中の２つのＲｆ_２４ｄにおけるｎ４ｄは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｅ）中のＲｆ_２４ｅは式（４ＥＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｅ中、ｎ４ｅは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｅ）中の２つのＲｆ_２４ｅにおけるｎ４ｅは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｆ）中のＲｆ_２４ｆは式（４ＦＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｆ中、ｎ４ｆは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｆ）中の２つのＲｆ_２４ｆにおけるｎ４ｆは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｇ）中のＲｆ_２４ｇは式（４ＧＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｇ中、ｎ４ｇは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｇ）中の２つのＲｆ_２４ｇにおけるｎ４ｇは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｈ）中のＲｆ_２４ｈは式（４ＨＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｈ中、ｎ４ｈは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｈ）中の２つのＲｆ_２４ｈにおけるｎ４ｈは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｉ）中のＲｆ_２４ｉは式（４ＩＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｉ中、ｎ４ｉは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｉ）中の２つのＲｆ_２４ｉにおけるｎ４ｉは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｊ）中のＲｆ_２４ｊは式（４ＪＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｊ中、ｎ４ｊは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｊ）中の２つのＲｆ_２４ｊにおけるｎ４ｊは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｋ）中のＲｆ_２４ｋは式（４ＫＦ）で表される。Ｍｅはメチル基を表す。Ｒｆ_２４ｋ中、ｎ４ｋは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｋ）中の２つのＲｆ_２４ｋにおけるｎ４ｋは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｌ）中のＲｆ_２４ｌは式（４ＬＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｌ中、ｎ４ｌは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｌ）中の２つのＲｆ_２４ｌにおけるｎ４ｌは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｍ）中のＲｆ_２４ｍは式（４ＭＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｍ中、ｎ４ｍは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｍ）中の２つのＲｆ_２４ｍにおけるｎ４ｍは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（４Ｎ）中のＲｆ_２４ｎは式（４ＮＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｎ中、ｎ４ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｎ）中の２つのＲｆ_２４ｎにおけるｎ４ｎは同じであっても異なっていてもよい。）

（式（４Ｏ）中のＲｆ_２４ｏは式（４ＯＦ）で表される。Ｒｆ_２４ｏ中、ｎ４ｏは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（４Ｏ）中の２つのＲｆ_２４ｏにおけるｎ４ｏは同じであっても異なっていてもよい。）
（式（５Ａ）中のＲｆ_２５ａは式（５ＡＦ）で表される。Ｒｆ_２５ａ中、ｎ５ａは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ａ）中の３つのＲｆ_２５ａにおけるｎ５ａは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｂ）中のＲｆ_２５ｂは式（５ＢＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｂ中、ｎ５ｂは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｂ）中の３つのＲｆ_２５ｂにおけるｎ５ｂは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｃ）中のＲｆ_２５ｃは式（５ＣＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｃ中、ｎ５ｃは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｃ）中の３つのＲｆ_２５ｃにおけるｎ５ｃは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｄ）中のＲｆ_２５ｄは式（５ＤＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｄ中、ｎ５ｄは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｄ）中の３つのＲｆ_２５ｄにおけるｎ５ｄは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｅ）中のＲｆ_２５ｅは式（５ＥＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｅ中、ｎ５ｅは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｅ）中の３つのＲｆ_２５ｅにおけるｎ５ｅは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｆ）中のＲｆ_２５ｆは式（５ＦＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｆ中、ｎ５ｆは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｆ）中の３つのＲｆ_２５ｆにおけるｎ５ｆは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｇ）中のＲｆ_２５ｇは式（５ＧＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｇ中、ｎ５ｇは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｇ）中の３つのＲｆ_２５ｇにおけるｎ５ｇは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｈ）中のＲｆ_２５ｈは式（５ＨＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｈ中、ｎ５ｈは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｈ）中の３つのＲｆ_２５ｈにおけるｎ５ｈは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｉ）中のＲｆ_２５ｉは式（５ＩＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｉ中、ｎ５ｉは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｉ）中の３つのＲｆ_２５ｉにおけるｎ５ｉは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｊ）中のＲｆ_２５ｊは式（５ＪＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｊ中、ｎ５ｊは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｊ）中の３つのＲｆ_２５ｊにおけるｎ５ｊは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｋ）中のＲｆ_２５ｋは式（５ＫＦ）で表される。Ｍｅはメチル基を表す。Ｒｆ_２５ｋ中、ｎ５ｋは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｋ）中の３つのＲｆ_２５ｋにおけるｎ５ｋは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｌ）中のＲｆ_２５ｌは式（５ＬＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｌ中、ｎ５ｌは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｌ）中の３つのＲｆ_２５ｌにおけるｎ５ｌは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｍ）中のＲｆ_２５ｍは式（５ＭＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｍ中、ｎ５ｍは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｍ）中の３つのＲｆ_２５ｍにおけるｎ５ｍは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

（式（５Ｎ）中のＲｆ_２５ｎは式（５ＮＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｎ中、ｎ５ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｎ）中の３つのＲｆ_２５ｎにおけるｎ５ｎは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（５Ｏ）中のＲｆ_２５ｏは式（５ＯＦ）で表される。Ｒｆ_２５ｏ中、ｎ５ｏは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。式（５Ｏ）中の３つのＲｆ_２５ｏにおけるｎ５ｏは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）

　上記式（４Ａ）～（４Ｏ）、（５Ａ）～（５Ｏ）を、それぞれ式（１）に当てはめたときのｚの値、Ｒ^１、［Ａ］、［Ｂ］、Ｒ^２、Ｒ^３、［Ｃ］、［Ｄ］、Ｒ^４の構造を表１～表４に示す。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物が、上記式（１Ａ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｖ）、（４Ａ）～（４Ｏ）、（５Ａ）～（５Ｏ）のいずれかで表される化合物であると、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成でき、好ましい。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、６００～５０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、６００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、５０００以下であることがより好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求める。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定においては、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈して測定する。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとする。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
　本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法などによる分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

　ここで、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成した場合に、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成できる理由について説明する。

　式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物において、［Ａ］、［Ｂ］、［Ｃ］および［Ｄ］は、それぞれ２級水酸基を有する２価の連結基である。そして、本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、１～３個の２級水酸基を含む－［Ｂ］－［Ａ］－構造（以下、「ＢＡ構造」と略記する場合がある。）と、１～２個の２級水酸基を含む－［Ｃ］－［Ｄ］－構造（以下、「ＣＤ構造」と略記する場合がある。）とが、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介して－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－の両端にそれぞれバランス良く配置されている。しかも、ＢＡ構造およびＣＤ構造の有するエーテル性酸素原子が、式（１）で示される含フッ素エーテル化合物の分子構造に適度な柔軟性を付与している。

　また、ＢＡ構造および／またはＣＤ構造が、複数の２級水酸基を含む場合、２級水酸基の結合している炭素原子同士は、メチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）とからなる連結基を介して結合される。このため、ＢＡ構造および／またはＣＤ構造が複数の２級水酸基を有する場合でも、隣接した２級水酸基同士の間の距離が適正となり、各２級水酸基が保護層に対して吸着しやすい配置とされている。
　これらのことから、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を保護層上に形成した場合、ＢＡ構造に含まれる２級水酸基およびＣＤ構造に含まれる２級水酸基が、保護層上の活性点との結合に有効に関与する。

　また、式（１）中のＲ^４は、１級水酸基を２つまたは３つ含む分岐型末端基である。１級水酸基は、２級水酸基および３級水酸基と比べて、立体障害が小さいため、含フッ素エーテル化合物同士の分子間水素結合の形成に効果的に関与する。
　このように、式（１）で表される本実施形態の含フッ素エーテル化合物では、＜１＞ＢＡ構造に含まれる２級水酸基およびＣＤ構造に含まれる２級水酸基が、保護層上の活性点との結合に有効に関与し、かつ＜２＞Ｒ^４に含まれる複数の１級水酸基が、含フッ素エーテル化合物同士の分子間水素結合の形成に関与する。

　したがって、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、式（１）における－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－の両端に配置された２級水酸基が示す保護層に対する優れた吸着力と、分岐型末端基の有する１級水酸基が示す優れた分子間力とがバランス良く効果的に作用するものである。
　さらに、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層では、＜３＞式（１）中のＲ^２で示される２つまたは３つのＰＦＰＥ鎖を含むことによる十分な疎水性が得られ、しかも隣接するＲ^２間に配置された２級水酸基を有するＲ^３によって、Ｒ^２が保護層から離れすぎることが抑制される。

　このように、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、上記＜１＞～＜３＞の機能を有するものであり、これらの機能の相乗効果によって、保護層に対する密着性および磁気記録媒体の腐食抑制効果が十分に得られるものである。その結果、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する磁気記録媒体は、保護層に密着（吸着）せずに存在している含フッ素エーテル化合物が、異物（スメア）として磁気ヘッドに付着することを防止でき、ピックアップが抑制されたものとなる。また、この磁気記録媒体は、高速で回転させることに起因する遠心力および／または発熱によって、潤滑剤が飛散・蒸発して、潤滑層の膜厚が減少するスピンオフが抑制されたものとなる。さらに、この磁気記録媒体は、優れた耐腐食性を有し、信頼性および耐久性の良好なものとなる。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

［第１製造方法（ｚが１である場合）］
（Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、２つのＲ^２が同じ場合）
　まず、式（１）におけるＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応するエポキシ化合物とを反応させる（第一反応）。このことにより、Ｒ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端にＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）に対応する基を有する中間体化合物１－１が得られる。

　第一反応においては、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応するエポキシ化合物の有する水酸基を、適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物を製造する際に使用される、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（または、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応するエポキシ化合物は、合成してもよいし、市販品を購入して使用してもよい。
　上記エポキシ化合物を合成する場合、例えば、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（または、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応する構造を有するアルコールと、エポキシ基を有する化合物とを反応させる方法を用いることができる。この方法では、エポキシ基を有する化合物として、例えば、エピクロロヒドリン、エピブロモヒドリン、２－ブロモエチルオキシラン、アリルグリシジルエーテルから選ばれるいずれかの化合物を用いることができる。また、上記エポキシ化合物を合成する他の方法として、製造する含フッ素エーテル化合物のＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（または、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応する構造を有する不飽和化合物を用意し、その不飽和結合を酸化する方法を用いてもよい。

　次に、前記中間体化合物１－１の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる。そして、得られたエポキシ化合物に、さらにもう一分子の前記中間体化合物１－１の末端に配置された水酸基を反応させる（第二反応）。

　上記Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物としては、例えば、Ｒ^３が式（５）で表され、式（５）中のｙ１、ｙ２がともに１である場合、エピブロモヒドリンを用いることができる。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが１であって、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであって、Ｒ^２で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造できる。

（Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／または２つのＲ^２が異なる場合）
　第１製造方法における第一反応において、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであって、Ｒ^２で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造する場合と同様にして、Ｒ^１側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端にＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－に対応する基を有し、他方の末端にヒドロキシメチル基が配置された中間体化合物１－２を製造する。

　さらに、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／またはＲ^２で示される２つのＰＦＰＥ鎖が異なる場合、第一反応において、一方の末端にＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－に対応する基を有する中間体化合物１－２と同様にして、Ｒ^４側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端に－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４に対応する基を有し、他方の末端にヒドロキシメチル基が配置された中間体化合物１－３を製造する。

　その後、中間体化合物１－２と、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させてエポキシ化合物を得る。続いて、得られたエポキシ化合物に、中間体化合物１－３を反応させる（第二反応）。
　なお、第二反応において、中間体化合物１－２と、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させて得られたエポキシ化合物と、中間体化合物１－３とを反応させる場合を例に挙げて説明したが、中間体化合物１－３と、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させて得られたエポキシ化合物と、中間体化合物１－２とを反応させてもよい。

　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが１であって、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／またはＲ^２で示される２つのＰＦＰＥ鎖が異なる化合物を製造できる。

［第２製造方法（ｚが２である場合）］
（Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、２つのＲ^３が同じで、３つのＲ^２が同じである場合）
　まず、式（１）におけるＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の両末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる（第一反応）。このことにより、Ｒ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有する中間体化合物２－１が得られる。

　また、式（１）におけるＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。そして、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応するエポキシ化合物とを反応させる（第二反応）。このことにより、Ｒ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端に、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）に対応する基を有し、他方の末端にヒドロキシメチル基が配置された中間体化合物２－２が得られる。

　第二反応においては、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－（＝－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４）からなる基に対応するエポキシ化合物の有する水酸基を、適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。
　また、第２製造方法における第二反応は、第一反応の後に行ってもよいし、第一反応の前に行ってもよい。

　その後、前記中間体化合物２－２の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、前記中間体化合物２－１の両末端に配置されたエポキシ基とを反応させる（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが２であって、Ｒ^３で示される２つの連結基が同じであって、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであって、Ｒ^２で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造できる。

（２つのＲ^３が同じで、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／または３つのＲ^２のうちいずれか１つ以上が異なる場合）
　第２製造方法における第一反応において、分子中央のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、Ｒ^３に対応するエポキシ基を有する中間体化合物２－１を合成する。
　次に、第二反応において、中間体化合物２－２と同様にして、下記の中間体化合物２－２ａと、中間体化合物２－２ｂとをそれぞれ合成する。

　具体的には、Ｒ^１側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基が配置されたフッ素系化合物を用意する。そして、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－からなる基に対応するエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^１側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端にＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－に対応する基を有し、他方の末端にヒドロキシメチル基が配置された中間体化合物２－２ａが得られる。
　また、Ｒ^４側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基が配置されたフッ素系化合物を用意する。そして、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）における－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４からなる基に対応するエポキシ化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^４側のＲ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一方の末端に－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４に対応する基を有し、他方の末端にヒドロキシメチル基が配置された中間体化合物２－２ｂが得られる。

　その後、第三反応において、中間体化合物２－１の各末端に配置されたＲ^３に対応するエポキシ基に対して、中間体化合物２－２ａと中間体化合物２－２ｂとをそれぞれ反応させる。第三反応において、中間体化合物２－１の末端と中間体化合物２－２ａとの反応は、中間体化合物２－１の末端と中間体化合物２－２ｂとの反応の前に行ってもよいし、後に行ってもよい。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが２であって、Ｒ^３で示される２つの連結基が同じであって、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／またはＲ^２で示される３つのＰＦＰＥ鎖のうちいずれか１つ以上が異なる化合物を製造できる。

（２つのＲ^３が異なり、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、３つのＲ^２が同じ場合）
　第２製造方法における第一反応において、前記フッ素系化合物の各末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基に対して、公知の方法により、一方のＲ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物と、もう一方のＲ^３に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とをそれぞれ反応させる。このことにより、Ｒ^２に対応するＰＦＰＥ鎖の一端に、一方のＲ^３に対応するエポキシ基を有し、他端にもう一方のＲ^３に対応するエポキシ基を有する中間体化合物２－１ｂが得られる。

　次に、第二反応において、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、２つのＲ^３が同じで、３つのＲ^２が同じである場合と同様にして、中間体化合物２－２を合成する。
　その後、第三反応において、中間体化合物２－１に代えて中間体化合物２－１ｂを用いること以外は、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、２つのＲ^３が同じで、３つのＲ^２が同じである場合と同様にして、中間体化合物２－１ｂと中間体化合物２－２とを反応させる。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが２であって、Ｒ^３で示される２つの連結基が異なり、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じであって、Ｒ^２で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じである化合物を製造できる。

（２つのＲ^３が異なり、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／または３つのＲ^２のうちいずれか１つ以上が異なる場合）
　第２製造方法における第一反応において、２つのＲ^３が異なり、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じで、３つのＲ^２が同じ場合と同様にして、中間体化合物２－１ｂを合成する。
　その後、第二反応において、２つのＲ^３が同じで、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／または３つのＲ^２のうちいずれか１つ以上が異なる場合と同様にして、中間体化合物２－２ａと、中間体化合物２－２ｂとをそれぞれ合成する。

　その後、第三反応において、中間体化合物２－１に代えて、中間体化合物２－１ｂを用いること以外は、２つのＲ^３が同じで、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／または３つのＲ^２のうちいずれか１つ以上が異なる場合と同様にして、中間体化合物２－１ｂのＲ^１側のＲ^３に対応するエポキシ基と中間体化合物２－２ａとを反応させ、中間体化合物２－１ｂのＲ^４側のＲ^３に対応するエポキシ基と中間体化合物２－２ｂとを反応させる。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｚが２であって、Ｒ^３で示される２つの連結基が異なり、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが異なる、および／またはＲ^２で示される３つのＰＦＰＥ鎖のうちいずれか１つ以上が異なる化合物を製造できる。

「磁気記録媒体用潤滑剤」
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上、Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。
　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、保護層との密着性が良好であり、磁気記録媒体のピックアップ特性およびスピンオフ特性の良好な潤滑層を形成できる。

「磁気記録媒体」
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進される。その結果、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などからなるものが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔとを含む層である。磁性層１６は、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜できる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．２ｎｍ（１２Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分に小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００℃～１８０℃とすることが好ましく、１００℃～１６０℃とすることがより好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、熱処理による潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、熱処理温度に応じて適宜調整でき、１０分～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、良好なピックアップ特性およびスピンオフ特性が得られるものである。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、耐久性に優れる。また、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気ヘッドの浮上量を低く（例えば、１０ｎｍ以下）することができ、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（Ｌｏａｄ　Ｕｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（１Ａ）で示される化合物を製造した。
（第一反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｎは３．８である。）で表される化合物（数平均分子量９０９、分子量分布１．１）２０ｇと、下記式（１２）で表される化合物５．３ｇ（分子量４０４、１３．２ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．７４ｇ（分子量１１２．２１、６．６ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物１－１として下記式（１３）で示される化合物１１．６ｇ（分子量１３１３、８．８ｍｍｏｌ）を得た。

　下記式（１２）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。１当量の３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールと、２当量の２－（２－ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させた。得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、下記式（１２）で表される化合物を合成した。

（式（１２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（１３）中、平均重合度を示すｎは３．８を表す。ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

（第二反応）
　窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコに、中間体化合物１－１である式（１３）で示される化合物１１．６ｇ（分子量１３１３、８．８ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール６．０ｍＬと、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．５９ｇ（分子量１１２．２１、５．３ｍｍｏｌ）とを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にエピブロモヒドリン０．５０ｇ（分子量１３７、３．６ｍｍоｌ）を加え、７０℃で２４時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％の塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）３１ｇを加え、室温で２時間撹拌した。反応液を食塩水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで３回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。
　以上の工程を行うことにより、化合物（１Ａ）（式（１Ａ）中のＲｆ_２１ａは式（１ＡＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ａ中、平均重合度を示すｎ１ａは３．８である。）を４．２ｇ（数平均分子量２３４９、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（１Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．２４（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例２］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（１４）で表される化合物を５．５ｇ（分子量４１９、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｂ）で表される化合物（式（１Ｂ）中のＲｆ_２１ｂは式（１ＢＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｂ中、平均重合度を示すｎ１ｂは３．８である。）を４．３ｇ（数平均分子量２３７７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１４）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。アリルグリシジルエーテルとテトラヒドロピラニルエチレングリコールとを反応させた。得られた化合物と、２－（３－ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで合成した。

（式（１４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例３］
　第一反応において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｌ（ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｌは４．０、平均重合度を示すｍは４．０である。）で表される化合物（数平均分子量９０６、分子量分布１．１）２０ｇを用い、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（１５）で表される化合物を５．７ｇ（分子量４３２、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｃ）で表される化合物（式（１Ｃ）中のＲｆ_１１ｃは式（１ＣＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｃ中、平均重合度を示すｌ１ｃは４．０、平均重合度を示すｍ１ｃは４．０である。）を４．３ｇ（数平均分子量２３９９、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１５）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。１当量の３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールと、２当量の２－（３－ブロモプロポキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させた。得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、式（１５）で表される化合物を合成した。

（式（１５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（８Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１６Ｆ）、－７７．７（４Ｆ）、－８０．３（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（３２Ｆ）

［実施例４］
　第一反応において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｌ（ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｌは６．３、平均重合度を示すｍは０である。）で表される化合物（数平均分子量９０９、分子量分布１．１）２０ｇを用い、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（１６）で表される化合物を６．１ｇ（分子量４６１、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｄ）で表される化合物（式（１Ｄ）中のＲｆ_１１ｄは式（１ＤＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｄ中、平均重合度を示すｌ１ｄは６．３、平均重合度を示すｍ１ｄは０である。）を４．４ｇ（数平均分子量２４６０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１６）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。１当量の３－アリルオキシ－１，２－プロパンジオールと、２当量の２－（４－ブロモブトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させた。得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、下記式（１６）で表される化合物を合成した。

（式（１６）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１６Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５０．４Ｆ）

［実施例５］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（１８）で表される化合物を５．７ｇ（分子量４３２、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｅ）で表される化合物（式（１Ｅ）中のＲｆ_２１ｅは式（１ＥＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｅ中、平均重合度を示すｎ１ｅは３．８である。）を４．３ｇ（数平均分子量２４０５、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（１８）で表される化合物は以下に示す方法により合成した。ジ（３－ブテニル）エーテルの片側の二重結合を、１当量のｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化してエポキシ基とした後、濃硫酸を用いてエポキシ基を開環することにより、下記式（１７）で表される化合物を合成した。得られた式（１７）で表される化合物に、２当量の２－（２－ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた。その後、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて二重結合を酸化することにより、式（１８）で表される化合物を合成した。

（式（１８）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（８Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例６］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２０）で表される化合物を６．８ｇ（分子量５１６、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｆ）で表される化合物（式（１Ｆ）中のＲｆ_２１ｆは式（１ＦＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｆ中、平均重合度を示すｎ１ｆは３．８である。）を４．６ｇ（数平均分子量２５７３、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２０）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。ジ（６－ヘプテニル）エーテルの片側の二重結合を、１当量のｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化してエポキシ基とした後、濃硫酸を用いてエポキシ基を開環することにより、下記式（１９）で表される化合物を合成した。得られた式（１９）で表される化合物に、２当量の２－（２－ブロモエトキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランを反応させた。その後、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することにより、下記式（２０）で表される化合物を合成した。

（式（２０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３２Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例７］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２１）で表される化合物を６．３ｇ（分子量４７９、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｇ）で表される化合物（式（１Ｇ）中のＲｆ_２１ｇは式（１ＧＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｇ中、平均重合度を示すｎ１ｇは３．８である。）を４．５ｇ（数平均分子量２４９７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　下記式（２１）で表される化合物は、上記式（１２）で表される化合物に、アリルアルコールを反応させた後、得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで合成した。

（式（２１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（６８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例８］
　第一反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（２３）で表される化合物を２．５ｇ（分子量１８８、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（１Ｈ）で表される化合物（式（１Ｈ）中のＲｆ_１１ｈは式（１ＨＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｈ中、平均重合度を示すｌ１ｈは４．０、平均重合度を示すｍ１ｈは４．０である。）を３．９ｇ（数平均分子量２１６７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　下記式（２３）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２，２－ジメチル－１，３－ジオキサン－５－オンのカルボニル部位を、水素化アルミニウムリチウムで還元することで、下記式（２２）で表される化合物を合成した。得られた式（２２）で表される化合物に、エピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（２３）で表される化合物を合成した。

　得られた化合物（１Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（４０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例９］
　第一反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、下記式（２４）で表される化合物を２．７ｇ（分子量２０２、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例４と同様な操作を行い、上記式（１Ｉ）で表される化合物（式（１Ｉ）中のＲｆ_１１ｉは式（１ＩＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｉ中、平均重合度を示すｌ１ｉは６．３、平均重合度を示すｍ１ｉは０である。）を４．０ｇ（数平均分子量２２００、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２４）で表される化合物は、５－ヒドロキシメチル－２，２－ジメチル－１，３－ジオキサンにエピブロモヒドリンを反応させることで合成した。

　得られた化合物（１Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（２Ｈ）、３．３９～４．３５（５２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５０．４Ｆ）

［実施例１０］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２５）で表される化合物を２．９ｇ（分子量２１６、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｊ）で表される化合物（式（１Ｊ）中のＲｆ_２１ｊは式（１ＪＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｊ中、平均重合度を示すｎ１ｊは３．８である。）を４．０ｇ（数平均分子量２２２８、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２５）で表される化合物は、５－ヒドロキシエチル－２，２－ジメチル－１，３－ジオキサンにエピブロモヒドリンを反応させることで合成した。

　得られた化合物（１Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（６Ｈ）、３．３９～４．３５（４２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１１］
　第一反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、下記式（２６）で表される化合物を３．６ｇ（分子量２７２、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例４と同様な操作を行い、上記式（１Ｋ）で表される化合物（式（１Ｋ）中のＲｆ_１１ｋは式（１ＫＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｋ中、平均重合度を示すｌ１ｋは６．３、平均重合度を示すｍ１ｋは０である。）を４．２ｇ（数平均分子量２３４０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２６）で表される化合物は、５－ヒドロキシヘキシル－２，２－ジメチル－１，３－ジオキサンにエピブロモヒドリンを反応させることで合成した。

　得られた化合物（１Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（２２Ｈ）、３．３９～４．３５（４２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５０．４Ｆ）

［実施例１２］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２７）で表される化合物を２．７ｇ（分子量２０２、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｌ）で表される化合物（式（１Ｌ）中のＲｆ_２１ｌは式（１ＬＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｌ中、平均重合度を示すｎ１ｌは３．８である。）を４．０ｇ（数平均分子量２２００、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２７）で表される化合物は、上記式（２２）で表される化合物に３－ブテニルブロミドを反応させた後、得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで合成した。

　得られた化合物（１Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（４０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１３］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２８）で表される化合物を３．６ｇ（分子量２７６、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｍ）で表される化合物（式（１Ｍ）中のＲｆ_２１ｍは式（１ＭＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｍ中、平均重合度を示すｎ１ｍは３．８である。）を４．２ｇ（数平均分子量２３４９、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２８）で表される化合物は、上記式（２３）で表される化合物に、３－ブテン－１－オールを反応させた後、得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで合成した。

　得られた化合物（１Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（５２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１４］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（２９）で表される化合物を５．３ｇ（分子量４０５、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｎ）で表される化合物（式（１Ｎ）中のＲｆ_２１ｎは式（１ＮＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｎ中、平均重合度を示すｎ１ｎは３．８である。）を４．２ｇ（数平均分子量２３２１、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（２９）で表される化合物は、上記式（２３）で表される化合物に、アリルアルコールを反応させた後、得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで合成した。

　得られた化合物（１Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（５２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１５］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（３１）で表される化合物を５．３ｇ（分子量４０４、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｏ）で表される化合物（式（１Ｏ）中のＲｆ_２１ｏは式（１ＯＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｏ中、平均重合度を示すｎ１ｏは３．８である。）を４．２ｇ（数平均分子量２３４９、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（３１）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２当量のテトラヒドロピラニルエチレングリコールと、１当量のエピクロロヒドリンとを反応させて、下記式（３０）で表される化合物を合成した。得られた式（３０）で表される化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（３１）で表される化合物を合成した。

（式（３０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１６］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（３３）で表される化合物を５．７ｇ（分子量４３３、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｐ）で表される化合物（式（１Ｐ）中のＲｆ_２１ｐは式（１ＰＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｐ中、平均重合度を示すｎ１ｐは３．８である。）を４．３ｇ（数平均分子量２４０５、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（３３）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２当量のテトラヒドロピラニルトリメチレングリコールと、１当量のエピクロロヒドリンとを反応させて、下記式（３２）で表される化合物を合成した。得られた式（３２）で表される化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（３３）で表される化合物を合成した。

（式（３２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１０Ｈ）、３．３９～４．３５（５４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１７］
　第一反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（３５）で表される化合物を６．１ｇ（分子量４６１、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（１Ｑ）で表される化合物（式（１Ｑ）中のＲｆ_１１ｑは式（１ＱＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｑ中、平均重合度を示すｌ１ｑは４．０、平均重合度を示すｍ１ｑは４．０である。）を４．４ｇ（数平均分子量２４５５、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（３５）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２当量のテトラヒドロピラニルテトラメチレングリコールと、１当量のエピクロロヒドリンとを反応させて、下記式（３４）で表される化合物を合成した。得られた式（３４）で表される化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（３５）で表される化合物を合成した。

（式（３４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１８Ｈ）、３．３９～４．３５（５４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例１８］
　第一反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、下記式（３７）で表される化合物を６．８ｇ（分子量５１７、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例４と同様な操作を行い、上記式（１Ｒ）で表される化合物（式（１Ｒ）中のＲｆ_１１ｒは式（１ＲＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｒ中、平均重合度を示すｌ１ｒは６．３、平均重合度を示すｍ１ｒは０である。）を４．６ｇ（数平均分子量２５７３、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（３７）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２当量のテトラヒドロピラニルヘキサメチレングリコールと、１当量のエピクロロヒドリンとを反応させて、下記式（３６）で表される化合物を合成した。得られた式（３６）で表される化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（３７）で表される化合物を合成した。

（式（３６）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３７）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３２Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５０．４Ｆ）

［実施例１９］
　第一反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、下記式（３９）で表される化合物を７．０ｇ（分子量５３１、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例３と同様な操作を行い、上記式（１Ｓ）で表される化合物（式（１Ｓ）中のＲｆ_１１ｓは式（１ＳＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｓ中、平均重合度を示すｌ１ｓは４．０、平均重合度を示すｍ１ｓは４．０である。）を４．７ｇ（数平均分子量２５９５、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（３９）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。１当量の４－アリルオキシ－１，２－ブタンジオールと、２当量の２－（６－ブロモヘキシルオキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（３８）で表される化合物を合成した。得られた式（３８）で表される化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、下記式（３９）で表される化合物を合成した。

（式（３８）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（３９）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３６Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例２０］
　第一反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、下記式（４１）で表される化合物を７．７ｇ（分子量５８７、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例４と同様な操作を行い、上記式（１Ｔ）で表される化合物（式（１Ｔ）中のＲｆ_１１ｔは式（１ＴＦ）で表される。２つのＲｆ_１１ｔ中、平均重合度を示すｌ１ｔは６．３、平均重合度を示すｍ１ｔは０である。）を４．９ｇ（数平均分子量２７１３、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（４１）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。１当量の８－アリルオキシ－１，２－オクタンジオールと、２当量の２－（６－ブロモヘキシルオキシ）テトラヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、下記式（４０）で表される化合物を合成した。得られた式（４０）で表される化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、下記式（４１）で表される化合物を合成した。

（式（４０）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（４１）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（５２Ｈ）、３．３９～４．３５（５６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（４Ｆ）、－８１．３（４Ｆ）、－９０．０～－８８．５（５０．４Ｆ）

［実施例２１］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（４３）で表される化合物を６．５ｇ（分子量４９３、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｕ）で表される化合物（式（１Ｕ）中のＲｆ_２１ｕは式（１ＵＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｕ中、平均重合度を示すｎ１ｕは３．８である。）を４．５ｇ（数平均分子量２５２５、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（４３）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２当量のテトラヒドロピラニルジエチレングリコールと、１当量のエピクロロヒドリンとを反応させて、下記式（４２）で表される化合物を合成した。得られた式（４２）で表される化合物とエピブロモヒドリンを反応させることで、下記式（４３）で表される化合物を合成した。

（式（４２）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（４３）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｕ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（７２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例２２］
　第一反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、下記式（４５）で表される化合物を５．９ｇ（分子量４４５、１３．２ｍｍｏｌ）用いたこと以外は、実施例１と同様な操作を行い、上記式（１Ｖ）で表される化合物（式（１Ｖ）中のＲｆ_２１ｖは式（１ＶＦ）で表される。２つのＲｆ_２１ｖ中、平均重合度を示すｎ１ｖは３．８である。）を４．１ｇ（数平均分子量２２６０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　式（４５）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。２－（ブロモメチル）－２－（ヒドロキシメチル）－１，３－プロパンジオールと、３，４－ジヒドロ－２Ｈ－ピランとを反応させて、２－（ブロモメチル）－２－（ヒドロキシメチル）－１，３－プロパンジオールの水酸基をテトラヒドロピラニル基で保護し、下記式（４４）で表される化合物を合成した。得られた式（４４）で表される化合物とアリルアルコールとを反応させた後、得られた化合物の二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸を用いて酸化することで、下記式（４５）で表される化合物を合成した。

（式（４４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）
（式（４５）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）

　得られた化合物（１Ｖ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（４８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３０．４Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１５．２Ｆ）

［実施例２３］
　以下に示す方法により、上記式（２Ａ）で示される化合物を製造した。
（第一反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｎは２．０である。）で表される化合物（数平均分子量６１０、分子量分布１．１）１２．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、６０％水素化ナトリウム１．７６ｇ（４４ｍｍｏｌ）と、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド１５．６ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にエピブロモヒドリン３．４５ｍＬ（４２ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で２時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水８０ｍＬを加えて反応を停止し、分液漏斗へ移し、酢酸エチル１５０ｍＬで２回抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物２－１として下記式（４６）で示される化合物３．５ｇ（分子量５８０、６．０ｍｍｏｌ）を得た。

（式（４６）中、平均重合度を示すｎは２．０である。）

（第二反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｎは２．０である。）で表される化合物（数平均分子量６１０、分子量分布１．１）１４ｇと、上記式（１２）で表される化合物５．４ｇ（分子量４０５、１３ｍｍｏｌ）と、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．７４ｇ（分子量１１２、６．６ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物２－２として上記式（１３）で示される化合物（式（１３）中、平均重合度を示すｎは２．０を表す。ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。）１２ｇ（分子量１０１５、１２．０ｍｍｏｌ）を得た。

（第三反応）
　窒素ガス雰囲気下、２００ｍＬナスフラスコに式（１３）で表される中間体化合物２－２（式中の平均重合度を示すｎは２．０である。）１０ｇと、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３８ｇと、ｔ－ブタノール９．５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらに式（４６）で表される中間体化合物２－１（式中の平均重合度を示すｎは２．０である。）２．２ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、上記式（２Ａ）で示される化合物（式（２Ａ）中のＲｆ_２２ａは式（２ＡＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ａ中、平均重合度を示すｎ２ａは２．０である。）を４．４ｇ（分子量２４１９、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．４６～４．２４（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例２４］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（１４）で表される化合物を５．６ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｂ）で表される化合物（式（２Ｂ）中のＲｆ_２２ｂは式（２ＢＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｂ中、平均重合度を示すｎ２ｂは２．０である。）を４．４ｇ（分子量２４４７、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例２５］
　第一反応および第二反応において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｌ（ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｌは２．４、平均重合度を示すｍは２．４である。）で表される化合物（数平均分子量６１５、分子量分布１．１）１２ｇを用い、第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（１５）で表される化合物を５．７ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｃ）で表される化合物（式（２Ｃ）中のＲｆ_１２ｃは式（２ＣＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｃ中、平均重合度を示すｌ２ｃは２．４、平均重合度を示すｍ２ｃは２．４である。）を４．５ｇ（数平均分子量２４９０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（８Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１４．４Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２８．８Ｆ）

［実施例２６］
　第一反応および第二反応において、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｎＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｌ（ＣＦ_２Ｏ）_ｍＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｌは３．８、平均重合度を示すｍは０である。）で表される化合物（数平均分子量６１９、分子量分布１．１）１２ｇを用い、第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（１６）で表される化合物を６．０ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｄ）で表される化合物（式（２Ｄ）中のＲｆ_１２ｄは式（２ＤＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｄ中、平均重合度を示すｌ２ｄは３．８、平均重合度を示すｍ２ｄは０である。）を４．６ｇ（数平均分子量２５５７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１６Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（４５．６Ｆ）

［実施例２７］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（１８）で表される化合物を５．７ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｅ）で表される化合物（式（２Ｅ）中のＲｆ_２２ｅは式（２ＥＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｅ中、平均重合度を示すｎ２ｅは２．０である。）を４．５ｇ（分子量２４７５、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（８Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例２８］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２０）で表される化合物を６．８ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｆ）で表される化合物（式（２Ｆ）中のＲｆ_２２ｆは式（２ＦＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｆ中、平均重合度を示すｎ２ｆは２．０である。）を４．８ｇ（分子量２６４４、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３２Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例２９］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２１）で表される化合物を６．４ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｇ）で表される化合物（式（２Ｇ）中のＲｆ_２２ｇは式（２ＧＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｇ中、平均重合度を示すｎ２ｇは２．０である。）を４．６ｇ（分子量２５６７、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（７８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３０］
　第二反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、式（２３）で表される化合物を２．５ｇ用いたこと以外は、実施例２５と同様な操作を行い、上記式（２Ｈ）で表される化合物（式（２Ｈ）中のＲｆ_１２ｈは式（２ＨＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｈ中、平均重合度を示すｌ２ｈは２．４、平均重合度を示すｍ２ｈは２．４である。）を４．１ｇ（数平均分子量２２５７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１４．４Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２８．８Ｆ）

［実施例３１］
　第二反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、式（２４）で表される化合物を２．６ｇ用いたこと以外は、実施例２６と同様な操作を行い、上記式（２Ｉ）で表される化合物（式（２Ｉ）中のＲｆ_１２ｉは式（２ＩＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｉ中、平均重合度を示すｌ２ｉは３．８、平均重合度を示すｍ２ｉは０である。）を４．１ｇ（数平均分子量２２９７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（２Ｈ）、３．３９～４．３５（６２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（４５．６Ｆ）

［実施例３２］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２５）で表される化合物を２．９ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｊ）で表される化合物（式（２Ｊ）中のＲｆ_２２ｊは式（２ＪＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｊ中、平均重合度を示すｎ２ｊは２．０である。）を４．１ｇ（分子量２２９９、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（６Ｈ）、３．３９～４．３５（５２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３３］
　第二反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、式（２６）で表される化合物を３．６ｇ用いたこと以外は、実施例２６と同様な操作を行い、上記式（２Ｋ）で表される化合物（式（２Ｋ）中のＲｆ_１２ｋは式（２ＫＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｋ中、平均重合度を示すｌ２ｋは３．８、平均重合度を示すｍ２ｋは０である。）を４．４ｇ（数平均分子量２４３７、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（２２Ｈ）、３．３９～４．３５（５２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（４５．６Ｆ）

［実施例３４］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２７）で表される化合物を２．７ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｌ）で表される化合物（式（２Ｌ）中のＲｆ_２２ｌは式（２ＬＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｌ中、平均重合度を示すｎ２ｌは２．０である。）を４．１ｇ（分子量２２７１、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（５０Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３５］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２８）で表される化合物を３．７ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｍ）で表される化合物（式（２Ｍ）中のＲｆ_２２ｍは式（２ＭＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｍ中、平均重合度を示すｎ２ｍは２．０である。）を４．４ｇ（分子量２４１９、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（４Ｈ）、３．３９～４．３５（６２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３６］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（２９）で表される化合物を３．５ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｎ）で表される化合物（式（２Ｎ）中のＲｆ_２２ｎは式（２ＮＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｎ中、平均重合度を示すｎ２ｎは２．０である。）を４．３ｇ（分子量２３９１、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（６２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３７］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（３１）で表される化合物を５．４ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｏ）で表される化合物（式（２Ｏ）中のＲｆ_２２ｏは式（２ＯＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｏ中、平均重合度を示すｎ２ｏは２．０である。）を４．４ｇ（分子量２４１９、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３８］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（３３）で表される化合物を５．７ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｐ）で表される化合物（式（２Ｐ）中のＲｆ_２２ｐは式（２ＰＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｐ中、平均重合度を示すｎ２ｐは２．０である。）を４．５ｇ（分子量２４７５、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１０Ｈ）、３．３９～４．３５（６４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例３９］
　第二反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、式（３５）で表される化合物を６．１ｇ用いたこと以外は、実施例２５と同様な操作を行い、上記式（２Ｑ）で表される化合物（式（２Ｑ）中のＲｆ_１２ｑは式（２ＱＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｑ中、平均重合度を示すｌ２ｑは２．４、平均重合度を示すｍ２ｑは２．４である。）を４．６ｇ（数平均分子量２５４６、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（１８Ｈ）、３．３９～４．３５（６４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１４．４Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２８．８Ｆ）

［実施例４０］
　第二反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、式（３７）で表される化合物を６．８ｇ用いたこと以外は、実施例２６と同様な操作を行い、上記式（２Ｒ）で表される化合物（式（２Ｒ）中のＲｆ_１２ｒは式（２ＲＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｒ中、平均重合度を示すｌ２ｒは３．８、平均重合度を示すｍ２ｒは０である。）を４．８ｇ（数平均分子量２６７０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３２Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（４５．６Ｆ）

［実施例４１］
　第二反応において、式（１５）で表される化合物の代わりに、式（３９）で表される化合物を７．０ｇ用いたこと以外は、実施例２５と同様な操作を行い、上記式（２Ｓ）で表される化合物（式（２Ｓ）中のＲｆ_１２ｓは式（２ＳＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｓ中、平均重合度を示すｌ２ｓは２．４、平均重合度を示すｍ２ｓは２．４である。）を４．８ｇ（数平均分子量２６８６、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（３６Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．６～－５０．６（１４．４Ｆ）、－７７．７（６Ｆ）、－８０．３（６Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２８．８Ｆ）

［実施例４２］
　第二反応において、式（１６）で表される化合物の代わりに、式（４１）で表される化合物を７．７ｇ用いたこと以外は、実施例２６と同様な操作を行い、上記式（２Ｔ）で表される化合物（式（２Ｔ）中のＲｆ_１２ｔは式（２ＴＦ）で表される。３つのＲｆ_１２ｔ中、平均重合度を示すｌ２ｔは３．８、平均重合度を示すｍ２ｔは０である。）を５．１ｇ（数平均分子量２８１０、１．８ｍｍｏｌ）得た。

　得られた化合物（２Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５～１．８１（５２Ｈ）、３．３９～４．３５（６６Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－７８．６（６Ｆ）、－８１．３（６Ｆ）、－９０．０～－８８．５（４５．６Ｆ）

［実施例４３］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（４３）で表される化合物を６．５ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｕ）で表される化合物（式（２Ｕ）中のＲｆ_２２ｕは式（２ＵＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｕ中、平均重合度を示すｎ２ｕは２．０である。）を４．７ｇ（分子量２５９５、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｕ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（８２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

［実施例４４］
　第二反応において、式（１２）で表される化合物の代わりに、式（４５）で表される化合物を５．９ｇ用いたこと以外は、実施例２３と同様な操作を行い、上記式（２Ｖ）で表される化合物（式（２Ｖ）中のＲｆ_２２ｖは式（２ＶＦ）で表される。３つのＲｆ_２２ｖ中、平均重合度を示すｎ２ｖは２．０である。）を４．２ｇ（分子量２３３１、１．８ｍｍｏｌ）を得た。

　得られた化合物（２Ｖ）の^１Ｈ－ＮＭＲ測定および^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝３．３９～４．３５（５８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ＣＤ_３ＣＯＣＤ_３）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２４Ｆ）、－８６．４（１２Ｆ）、－１２４．３（１２Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１２Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～４４の化合物（１Ａ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｖ）を、それぞれ式（１）に当てはめたときのｚの値、Ｒ^１、［Ａ］、［Ｂ］、Ｒ^２、Ｒ^３、［Ｃ］、［Ｄ］、Ｒ^４の構造を表５～表９に示す。

［比較例１］
　下記式（３Ａ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（３Ａ）中のＲｆ_１３ａは、上記式（３ＡＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１３ａ中において、平均重合度を示すｌ３ａは４．０を表し、平均重合度を示すｍ３ａは４．０を表す。）

［比較例２］
　下記式（３Ｂ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（３Ｂ）中のＲｆ_２３ｂは、上記式（３ＢＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２３ｂ中において、平均重合度を示すｎ３ｂは３．８を表す。）

［比較例３］
　下記式（３Ｃ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（３Ｃ）中のＲｆ_２３ｃは、上記式（３ＣＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２３ｃ中において、平均重合度を示すｎ３ｃは３．８を表す。）

［比較例４］
　下記式（３Ｄ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（３Ｄ）中のＲｆ_２３ｄは、上記式（３ＤＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｍｅはメチル基を表す。２つのＲｆ_２３ｄ中において、平均重合度を示すｎ３ｄは３．８を表す。）

［比較例５］
　下記式（３Ｅ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（３Ｅ）中のＲｆ_２３ｅは、上記式（３ＥＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２３ｅ中において、平均重合度を示すｎ３ｅは３．８を表す。）

［比較例６］
　下記式（３Ｆ）で表される化合物を、特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（３Ｆ）中のＲｆ_２３ｆは、上記式（３ＦＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２３ｆ中において、平均重合度を示すｎ３ｆは３．８を表す。）

［比較例７］
　下記式（３Ｇ）で表される化合物を、特許文献６に記載の方法で合成した。

（式（３Ｇ）中のＲｆ_１３ｇは、上記式（３ＧＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１３ｇのうち中央のＲｆ_１３ｇにおいて、平均重合度を示すｌ３ｇは３．８を表し、平均重合度を示すｍ３ｇは０を表す。末端側の２つのＲｆ_１３ｇにおいて、平均重合度を示すｌ３ｇは２．４を表し、平均重合度を示すｍ３ｇは２．４を表す。）

［比較例８］
　下記式（３Ｈ）で表される化合物を、特許文献７に記載の方法で合成した。

（式（３Ｈ）中のＲｆ_１３ｈは、上記式（３ＨＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１３ｈ中において、平均重合度を示すｌ３ｈは３．８を表し、平均重合度を示すｍ３ｈは０を表す。）

［比較例９］
　下記式（３Ｉ）で表される化合物を、特許文献５に記載の方法で合成した。

（式（３Ｉ）中のＲｆ_１３ｉは、上記式（３ＩＦ）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１３ｉ中において、平均重合度を示すｌ３ｉは３．８を表し、平均重合度を示すｍ３ｉは０を表す。）

［比較例１０］
　下記式（３Ｊ）で表される化合物を、特許文献８に記載の方法で合成した。

（式（３Ｊ）中、平均重合度を示すｌ３ｊは４．５を表し、平均重合度を示すｍ３ｊは４．５を表す。）

［比較例１１］
　下記式（３Ｋ）で表される化合物を、特許文献８に記載の方法で合成した。

（式（３Ｋ）中、平均重合度を示すｌ３ｋは４．５を表し、平均重合度を示すｍ３ｋは４．５を表す。）

　このようにして得られた実施例１～４４および比較例１～１１の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上記の方法により測定した。その結果を表１０～表１２に示す。
　次に、以下に示す方法により、実施例１～４４および比較例１～１１で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～４４および比較例１～１１の磁気記録媒体を得た。

［潤滑層形成用溶液］
　実施例１～４４および比較例１～１１で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９．４Å～９．７ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、化合物の濃度が０．００１質量％～０．０１質量％である潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～４４および比較例１～１１の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。

　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を恒温槽に入れ、潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去して保護層と潤滑層との密着性を向上させる熱処理を、１２０℃で１０分間行うことにより保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～４４および比較例１～１１の磁気記録媒体の有する潤滑層について、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ、商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて、Ｃ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。次いで、後述の方法により求めた相関式を用いて、潤滑層のＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さの測定値から、潤滑層の膜厚を算出した。

（相関式の算出方法）
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けたディスクを用意した。このディスクの保護層上に、６～２０Å（２Å刻み）の膜厚でそれぞれ潤滑層を形成した。
　その後、潤滑層を形成した各ディスクについて、エリプソメータを用いて、潤滑層を形成していないディスク表面からの膜厚増加分を測定し、潤滑層の膜厚とした。また、潤滑層を形成した各ディスクについて、ＦＴ－ＩＲを用いてＣ－Ｆ振動伸縮におけるピーク高さを測定した。
　そして、ＦＴ－ＩＲにより得たピーク高さと、エリプソメータを用いて得た潤滑層の膜厚との相関式を求めた。

　次に、実施例１～４４および比較例１～１１の磁気記録媒体に対して、以下に示すピックアップ特性試験、スピンオフ特性試験、耐腐食性試験を行い、評価した。その結果を表１０～表１２に示す。

（ピックアップ特性試験）
　スピンスタンドに磁気記録媒体および磁気ヘッドを装着し、常温減圧下（約２５０ｔｏｒｒ）で回転を行い、１０分間磁気ヘッドを定点浮上させた。その後、磁気ヘッドの磁気記録媒体と相対する面を、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｆｏｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）分析装置を用いて分析した。ＥＳＣＡ分析装置を用いた分析により得たフッ素由来ピークの強度（信号強度（ａ.ｕ.））は、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着量を示す。得られた信号強度を用いて、以下に示す評価基準により、ピックアップ特性を評価した。

（ピックアップ特性の評価基準）
Ａ（優）：信号強度１６０以下（付着量が非常に少ない）
Ｂ（良）：信号強度１６１～３００（付着量が少ない）
Ｃ（可）：信号強度３０１～１０００（付着量が多い）
Ｄ（不可）：信号強度１００１以上（付着量が非常に多い）

（スピンオフ特性試験）
　スピンスタンドに磁気記録媒体を装着し、８０℃の環境下、回転速度１００００ｒｐｍで７２時間にわたり回転させた。この操作の前後において、磁気記録媒体の中心から半径２０ｍｍの位置における潤滑層の膜厚を、上記の方法によりＦＴ－ＩＲを用いて測定し、試験前後での潤滑層の膜厚減少率を算出した。算出した膜厚減少率を用いて、以下に示す評価基準により、スピンオフ特性を評価した。

（スピンオフ特性の評価基準）
Ａ（優）：膜厚減少率２％以下
Ｂ（良）：膜厚減少率２％超、３％以下
Ｃ（可）：膜厚減少率３％超、８％以下
Ｄ（不可）：膜厚減少率８％超

（耐腐食性試験）
　磁気記録媒体を温度８５℃、相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体上の表面に生じた直径５μｍ以上のコロージョンスポットの数を、光学表面分析装置（ケーエルエー・テンコール株式会社製Ｃａｎｄｅｌａ７１４０）を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。

（耐腐食性試験の評価基準）
Ａ（優）：１５０箇所未満
Ｂ（良）：１５０箇所以上、２００箇所未満
Ｃ（可）：２００箇所以上、４００箇所未満
Ｄ（不可）：４００箇所以上

　表１０～表１１に示すように、実施例１～４４の磁気記録媒体は、すべての評価項目において評価がＡ～Ｂであった。このことから、実施例１～４４の磁気記録媒体の潤滑層は、ピックアップ特性試験、スピンオフ特性試験、耐腐食性試験の結果がいずれも良好であることが確認できた。

　特に、実施例１～５、７～１０、１２～２７、２９～３２、３４～４４の磁気記録媒体の潤滑層は、ピックアップ特性試験およびスピンオフ特性試験の結果がいずれもＡであり、良好であった。上記実施例の潤滑層に使用した化合物（１Ａ）～（１Ｅ）、（１Ｇ）～（１Ｊ）、（１Ｌ）～（１Ｖ）、（２Ａ）～（２Ｅ）、（２Ｇ）～（２Ｊ）、（２Ｌ）～（２Ｖ）は、いずれもＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－および－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４に含まれる炭素原子数が比較的少ない、または、炭素原子数が多くても、分岐型末端基において分岐点となっている炭素原子から１級水酸基までの距離が近すぎることがなく適正である。このため、Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－および－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４中に存在する２級水酸基が示す保護層に対する優れた吸着力と、分岐型末端基の有する１級水酸基が示す優れた分子間力とがバランス良く効果的に作用し、水酸基の保護層への密着力がより効果的に得られたものと推定される。その結果、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着が抑制され、優れたピックアップ特性を示したものと推定される。また、潤滑層の保護層への密着が保持され、良好なスピンオフ特性が得られたものと推定される。

　一方、表１２に示すように、比較例１～１１の磁気記録媒体は、ピックアップ特性試験およびスピンオフ特性試験の結果がいずれもＣ～Ｄであった。

　比較例１および７は、潤滑層に使用した化合物中のＲ^１およびＲ^４に相当する構造が、それぞれ１級水酸基を１つのみしか有していない。このため、比較例１および７の潤滑層は、Ｒ^１およびＲ^４が１級水酸基をそれぞれ２つまたは３つ有する分岐型末端基である化合物を含む実施例１～４４の潤滑層と比較して、保護層への密着力が得られにくい。その結果、比較例１および７では、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着が起こり、ピックアップ特性試験の結果がＣになったものと推定される。また、比較例１および７では、保護層への密着を保持しにくいため、スピンオフ特性試験の結果がＣになったものと推定される。

　比較例２～６および９は、潤滑層に使用した化合物中のＲ^１およびＲ^４に相当する構造が、１級水酸基を２つ有する分岐型末端基を有しておらず、両末端に配置された２つの水酸基がそれぞれ隣り合う炭素原子に結合している。比較例２～６および９において使用した化合物を含む潤滑層では、化合物中の両末端に配置された２つの水酸基のうち、どちらか一方の水酸基が保護層に密着しにくい。その結果、比較例２～６および９では、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着が起こり、ピックアップ特性試験の結果がＤになったものと推定される。また、保護層への密着を保持できず、スピンオフ特性試験の結果がＤになったものと推定される。さらに、比較例２～６、９では、両末端に配置された２つの水酸基がそれぞれ隣り合う炭素原子に結合している化合物を用いているため、保護層への密着力が不足して、耐腐食性試験の結果がＣになったものと推定される。

　比較例８は、潤滑層に使用した化合物中のＲ^１およびＲ^４に相当する構造がそれぞれ１級水酸基を１つのみしか有しておらず、－［Ｂ］－［Ａ］－構造と－［Ｃ］－［Ｄ］－構造のうち一方に相当する２価の連結基のみしか存在しない。このことから、比較例８の潤滑層は、保護層への密着性が不足しているものと推定される。その結果、比較例８では、磁気ヘッドへの潤滑剤の付着が起こり、ピックアップ特性試験の結果がＤになったものと推定される。また、比較例８では、保護層への密着を保持できず、スピンオフ特性試験の結果もＤになったものと推定される。さらに、比較例８では、片方の末端がＯＨのみである化合物を用いているため、保護層への密着力が不足して、耐腐食性試験の結果がＣになったものと推定される。

　比較例１０、１１では、１級水酸基を２つ有する末端基が分子の両末端に配置された化合物を潤滑層に用いている。しかし、比較例１０、１１において潤滑層に使用した化合物は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物における－［Ｂ］－［Ａ］－構造および－［Ｃ］－［Ｄ］－構造に該当する２価の連結基を含まない。そのため、比較例１０、１１の潤滑層は、実施例１～４４の潤滑層と比較して、保護層に対する吸着力が劣り、ピックアップ特性試験の結果がＣまたはＤとなり、スピンオフ特性試験の結果がＤになったものと推定される。さらに、比較例１０、１１において潤滑層に使用した化合物は、ＰＦＰＥ鎖が１つのみであるため、潤滑層の疎水性が不十分となり、耐腐食性試験の結果がＤになったものと推定される。

　保護層との密着性が良好で、厚みが薄くても、磁気記録媒体の腐食を抑制する効果が高く、ピックアップおよびスピンオフを抑制できる潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることが出来る含フッ素エーテル化合物を提供する。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－［Ｂ］－［Ａ］－ＣＨ_２－Ｒ^２［－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^２］_ｚ－ＣＨ_２－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４　（１）
（式（１）中、［Ａ］は下記式（２－１）で表され、式（２－１）中のａは０～３の整数である。［Ｂ］は下記式（２－２）で表され、式（２－２）中のｂは０～３の整数であり、ｃは２～５の整数である。ただし、ａとｂの値の合計は１～３である。式（１）において［Ａ］と［Ｂ］は入れ替えてもよい。［Ｃ］は下記式（３－１）で表され、式（３－１）中のｄは０～２の整数である。［Ｄ］は下記式（３－２）で表され、式（３－２）中のｅは０～２の整数であり、ｆは２～５の整数である。ただし、ｄとｅの値の合計は１または２である。式（１）において［Ｃ］と［Ｄ］は入れ替えてもよい。Ｒ^４は炭素原子数が３～３０の分岐型末端基であり、下記式（４）で表される。式（４）中のＬは０～６の整数を表す。式（４）中のＹ^１およびＹ^２は、それぞれ独立に、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基である。式（４）中のＹ^３は、１級水酸基を１つのみ有する、エーテル酸素原子を含んでもよい炭化水素基、または水素原子である。Ｒ^１は、Ｒ^４と同じであっても異なっていてもよい末端基であり、式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基、［Ａ］または［Ｂ］と結合する末端にエーテル酸素原子を有する炭素原子数１～３０の有機基、または水酸基である。ｚは１または２を表す。Ｒ^２はパーフルオロポリエーテル鎖である。２つまたは３つのＲ^２は一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。Ｒ^３は下記式（５）で表される２価の連結基である。式（５）中のｙ１は１～３の整数であり、ｙ２は１～３の整数である。式（５）中の左側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^１側のメチレン基との結合を示し、右側の酸素原子に結合する点線は、Ｒ^４側のメチレン基との結合を示す。ｚが２である場合、２つのＲ^３は同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。）
　前記式（１）におけるＲ^４を表す前記式（４）が、下記式（６－１）～（６－３）のいずれかである請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（６－１）中、ｇは１～６の整数を表す。Ｘ^１およびＸ^２は、式（７）で表される。Ｘ^１とＸ^２は同じであっても異なっていてもよい。）
（式（６－２）中、ｈは０～６の整数を表す。ｉおよびｊは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。Ｘ^３およびＸ^４は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^３とＸ^４は同じであっても異なっていてもよい。）
（式（６－３）中、ｋは０～６の整数を表す。ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ独立して１～６の整数を表す。Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、水素原子または式（７）で表される。Ｘ^５、Ｘ^６およびＸ^７は、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。）
（式（７）中、ｓは２～６の整数を表し、ｔは１または２を表す。）
　前記式（１）におけるＲ^１が、前記式（４）で表される炭素原子数３～３０の分岐型末端基である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１とＲ^４の両方が、前記式（６－１）～（６－３）のいずれかの分岐型末端基である請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１－［Ｂ］－［Ａ］－と、－［Ｃ］－［Ｄ］－Ｒ^４とが同じである請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるｚが２であって、２つのＲ^３に含まれる原子が、分子の鎖状構造中央に配置されたＲ^２に対して対称配置されている請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１が下記式（８）で表される請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（８）中、ｕは２～６の整数を表し、ｖは０または１を表す。Ｒ^５は、水素原子、水酸基を含まない置換基を有してもよいアルキル基、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基のいずれかである。ただし、前記アルキル基および前記有機基は、直鎖であっても、分岐を有していてもよい。）
　前記式（８）におけるＲ^５が、炭素原子数１～６のアルキル基である請求項７に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（８）におけるＲ^５が、置換基を有する炭素原子数１～６のアルキル基であり、前記置換基がフルオロ基またはシアノ基である請求項７に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（８）におけるＲ^５が、芳香族炭化水素を有する炭素原子数６～１２の有機基、芳香族複素環を有する炭素原子数３～１０の有機基、炭素原子数２～８のアルケニル基、および炭素原子数３～８のアルキニル基のいずれかである請求項７に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（８）におけるＲ^５が、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、２,２,２－トリフルオロエチル基、２,２,３,３,３－ペンタフルオロプロピル基、２,２,２,２,２,２－ヘキサフルオロイソプロピル基、２－シアノエチル基、３－シアノプロピル基、４－シアノブチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、シアノフェニル基、フェネチル基、チエニルエチル基、Ｎ－メチルピラゾリルメチル基、アリル基、３－ブテニル基、４－ペンテニル基、プロパルギル基、３－ブチニル基、および４－ペンチニル基からなる群から選択される１つの基である請求項７に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（８）におけるＲ^５が、水素原子である請求項７に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）における２つまたは３つのＲ^２が、それぞれ独立に、下記式（９）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（９）
（式（９）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（９）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）
　前記式（１）における２つまたは３つのＲ^２が、それぞれ独立に、下記式（１０－１）～（１０－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｌ－（ＯＣＦ_２）_ｍ－ＯＣＦ_２－　（１０－１）
（式（１０－１）中、ｌおよびｍは平均重合度を示し、ｌは０．１～２０を表し、ｍは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｎ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－２）
（式（１０－２）中、ｎは平均重合度を示し、０．１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｏ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　（１０－３）
（式（１０－３）中、ｏは平均重合度を示し、０．１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　（１０－４）
（式（１０－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に０．１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が０．５ｎｍ～２．０ｎｍである請求項１７に記載の磁気記録媒体。