WO2023033055A1

WO2023033055A1 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

Info

Publication number: WO2023033055A1
Application number: PCT/JP2022/032804
Authority: WO
Inventors: 優丹治; 剛加藤; 大輔柳生; 夏実吉村; 拓麻黒田; 千鶴笠原; 直也福本; 綾乃浅野
Original assignee: 株式会社レゾナック
Priority date: 2021-09-02
Filing date: 2022-08-31
Publication date: 2023-03-09
Also published as: JPWO2023033055A1; CN117794895A

Abstract

下記式で表される含フッ素エーテル化合物とする。Ｒ１－Ｒ２－ＣＨ２－Ｒ３［－ＣＨ２－Ｒ４－ＣＨ２－Ｒ３'］ｎ－ＣＨ２－Ｒ５－Ｒ６（ｎは１または２；Ｒ３およびＲ３'はパーフルオロポリエーテル鎖；Ｒ４は極性基を１つ有する２価の連結基；Ｒ２およびＲ５は極性基を１つ以上有する２価の連結基；Ｒ２のＲ１と結合する側の末端、Ｒ５のＲ６と結合する側の末端が酸素原子；Ｒ１およびＲ６はＲ２またはＲ５の末端の酸素原子に結合された末端基；Ｒ１およびＲ６は炭素原子数１～５０の有機基であり、少なくとも一方は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基。）

Description

含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体

　本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
　本願は、２０２１年９月２日に、日本に出願された特願２０２１－１４３４１７号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
　従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

　磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基、アミノ基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。
　例えば、特許文献１および特許文献２には、分子の中央部に存在する水酸基を有する脂肪族炭化水素鎖の両側に、パーフルオロポリエーテルがそれぞれ結合しているフルオロポリエーテル化合物が開示されている。
　また、特許文献３には、複数のパーフルオロポリエーテル基が、水酸基を有する脂肪族炭化水素基によって連結されているフルオロポリエーテル化合物が開示されている。

　また、特許文献４には、パーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、極性基を有する２価の連結基を連結し、その少なくとも一方に、炭素原子数１～８の鎖状有機基の１以上の水素がアミド結合を有する基で置換された末端基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。

米国特許第１０５４０９９７号明細書特許第６８０４９８１号公報特許第６７６３９８０号公報国際公開第２０１９／０３９２６５号国際公開第２０１７／１５４４０３号

　磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
　しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。また、潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となる場合があった。このことから、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が要求されている。

　本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含み、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ優れた耐腐食性を有する潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する、化学物質耐性および耐摩耗性の良好で、優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

　本発明は以下の態様を含む。
　本発明の第一の態様は、以下の含フッ素エーテル化合物を提供する。

［１］　下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］_ｎ－ＣＨ_２－Ｒ^５－Ｒ^６
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
（式（１）中、ｎは、１または２である；Ｒ^３およびＲ^３’は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、一部または全部が同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^４は、極性基を１つ有する２価の連結基である；ｎが２である場合、２つのＲ^４は、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２およびＲ^５は、極性基を１つ以上有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２は、Ｒ^１と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^５は、Ｒ^６と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^１およびＲ^６は、Ｒ^２またはＲ^５の末端の酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^６は、炭素原子数１～５０の有機基であり、少なくとも一方は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である。）

　本発明の第一の態様の前記含フッ素エーテル化合物は、以下の［２］～［１１］に記載される特徴を有することが好ましい。以下の［２］～［１１］に記載される特徴は、２つ以上を任意に組み合わせることも好ましい。
［２］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^６のうち少なくとも一方が、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］　前記式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４およびＲ^５の有する極性基が、全て水酸基である、［１］または［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］　前記式（１）におけるＲ^２の有する水酸基と、Ｒ^５の有する水酸基との合計数が２～６である、［３］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［５］　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^６が、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である、［１］～［４］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［６］　前記式（１）におけるＲ^２が、下記式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、
　前記式（１）におけるＲ^５が、下記式（２－３）または（２－４）で表される連結基である、［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（２－１）中、ｐ１は１～３の整数を表す。）
（式（２－２）中、ｑ１は２～４の整数を表す。）
（式（２－３）中、ｐ２は１～３の整数を表す。）
（式（２－４）中、ｑ２は２～４の整数を表す。）

［７］　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が全て同じであり、　Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである、［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

［８］　前記式（１）におけるＲ^４が、下記式（３－１）～（３－３）のいずれかで表される連結基である、［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－２）中、ｒは２～４の整数である。）
（式（３－３）中、ｓは２～４の整数である。）

［９］　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が、それぞれ独立に下記式（４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）
（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）

［１０］　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が、それぞれ独立に下記式（４－１）～（４－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

［１１］　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、［１］～［１０］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
　本発明の第二の態様は、以下の磁気記録媒体用潤滑剤を提供する。
［１２］　［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　本発明の第三の態様は、以下の磁気記録媒体を提供する。

［１３］　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、［１］～［１１］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　本発明の第三の態様の磁気記録媒体は、以下の［１４］に記載される特徴を有することが好ましい。
［１４］　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、［１３］に記載の磁気記録媒体。

　本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であり、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
　本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

　本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する。このため、本発明の磁気記録媒体は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、優れた耐腐食性を有し、信頼性および耐久性に優れる。また、本発明の磁気記録媒体の有する潤滑層は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好であって、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものであるため、厚みを薄くできる。

本発明の磁気記録媒体の好ましい一実施形態を示した概略断面図である。

　本発明者らは、上記課題を解決するために、以下に示すように、鋭意研究を重ねた。
　従来、保護層の表面に塗布される磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）の材料として、鎖状構造の末端に水酸基などの極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、好ましく用いられている。含フッ素エーテル化合物中の極性基は、保護層上の活性点と結合して、潤滑層の保護層に対する密着性を向上させる。このことから、潤滑剤の材料として、鎖状構造の末端だけでなく、鎖状構造中にも極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、特に好ましく用いられている。

　しかしながら、従来の潤滑剤を用いて保護層上に厚みの薄い潤滑層を形成した場合、以下に示すように、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ優れた耐腐食性の得られる潤滑層を実現することは困難であった。
　すなわち、潤滑剤の保護層に対する密着性が不足していると、保護層上に塗布された潤滑剤の状態が嵩高いものとなる。このため、保護層に対する潤滑層の被覆状態が不均一になりやすい。潤滑層の被覆状態が不均一であると、潤滑層の化学物質耐性および耐腐食性が不十分となる。したがって、潤滑層の密着性が不十分である場合、膜厚を厚くして、保護層に対する潤滑層の被覆状態を均一にしないと、十分な化学物質耐性および耐腐食性が得られない。

　保護層に対する潤滑剤の密着性を向上させる方法としては、潤滑剤の材料として、鎖状構造の両方の末端における最末端の炭素原子と、最末端の炭素原子に結合した炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している含フッ素エーテル化合物を用いることが考えられる。
　しかし、このような含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層では、保護層との密着性が強すぎることにより潤滑性が損なわれ、耐摩耗性が不足する場合があった。
　また、このような含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層では、潤滑剤の親水性が高すぎることにより水の侵入が容易になり、磁気記録媒体の腐食が観測されることがあった。

　潤滑剤の保護層に対する密着性は、例えば、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布した後に必要に応じて行われる熱処理において、熱処理温度を変化させることによって調整できる。具体的には、潤滑剤の保護層に対する密着性は、上記熱処理温度を高くすると強くなり、上記熱処理温度を低くすると弱くなる。
　したがって、潤滑剤の保護層に対する密着性が強すぎる場合には、上記熱処理温度を低くする方法などを用いて潤滑層と保護層との密着性を弱め、潤滑層と保護層との密着性を適正な強さにすることで、潤滑層の耐摩耗性を改善できる。

　しかしながら、鎖状構造の両方の末端における最末端の炭素原子と、最末端の炭素原子に結合した炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層において、上記の方法を用いて保護層との密着性を弱くすると、潤滑層の化学物質耐性および耐腐食性が悪化する。これは、含フッ素エーテル化合物中の極性基のうち、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の割合が多くなるためであると推定される。すなわち、保護層上の活性点との結合に関与していない含フッ素エーテル化合物中の極性基が、汚染物質を生成させる環境物質や磁気記録媒体の腐食の原因となる水を潤滑層に誘引し、潤滑層の化学物質耐性および磁気記録媒体の耐腐食性を悪化させるものと推定される。

　そこで、本発明者らは、含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基と、保護層上の活性点との結合に着目した。そして、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が生じにくく、保護層に対する被覆状態が均一で優れた密着性を有し、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物を実現すべく、鋭意検討を重ねた。

　その結果、複数のパーフルオロポリエーテル鎖が極性基を１つ有する連結基を介して結合した骨格を有し、その両側に、メチレン基（－ＣＨ_２－）を介して極性基を有する２価の連結基と、炭素原子数１～５０の有機基である末端基とがこの順にそれぞれ結合され、少なくとも一方の末端基が、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

　このような含フッ素エーテル化合物では、以下に示す理由により、保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合しない極性基が生じにくい。しかも、このような含フッ素エーテル化合物では、以下に示す理由により、少なくとも一方の末端基に含まれるアミド、および２価の連結基の有する極性基が、それぞれ独立して保護層との良好な相互作用を示し、それぞれ独立して保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合できる。これらのことから、上記含フッ素エーテル化合物は、保護層に対して良好な密着性を有する潤滑層を形成でき、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できるものと推定される。

　すなわち、上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端基にアミド結合が含まれている。末端基のアミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子に隣接した炭素原子の有する結合は、自由回転が難しい。したがって、少なくとも一方の末端基に含まれるアミドと、含フッ素エーテル化合物中の２価の連結基の有する極性基とは、相互作用が困難である。このため、含フッ素エーテル化合物中の少なくとも一方の末端基に含まれるアミド、および２価の連結基の有する極性基は、互いの保護層との相互作用を阻害する能力は極めて小さい。

　また、上記の含フッ素エーテル化合物では、含フッ素エーテル化合物中の２価の連結基間に、それぞれパーフルオロポリエーテル鎖が配置されている。このため、隣接する２価の連結基の有する極性基同士の距離が適正である。しかも、少なくとも一方の末端基が、自由回転の難しいアミド結合を有する有機基である。これらの理由から、含フッ素エーテル化合物中の２価の連結基の有する極性基は、いずれも保護層上の活性点との結合を、少なくとも一方の末端基に含まれるアミドまたは隣接する２価の連結基の有する極性基によって阻害されにくい。

　したがって、上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端基に含まれるアミドおよび２価の連結基の有する極性基が、互いに保護層上の活性点との結合を阻害することなく、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとされている。その結果、保護層上の活性点と結合しない極性基が生じにくく、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の数が抑制される。しかも、上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端基に含まれるアミド、および２価の連結基の有する極性基が、互いに保護層上の活性点との結合を阻害しにくいため、それぞれ独立して保護層との良好な相互作用を示す。その結果、少なくとも一方の末端基に含まれるアミド、および２価の連結基の有する極性基は、それぞれ独立して保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合できる。

　さらに、上記の含フッ素エーテル化合物では、２価の連結基の有する極性基同士の距離が適正であるため、２価の連結基の有する極性基同士が凝集しにくい。しかも、各パーフルオロポリエーテル鎖の両端部がそれぞれ、２価の連結基の有する極性基によって保護層に密着される。このため、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物の状態が嵩高いものとなりにくく、含フッ素エーテル化合物が保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被覆状態を有する潤滑層が得られやすい。これらのことから、上記の含フッ素エーテル化合物は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層を形成できるものと推定される。

　さらに、本発明者らは、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いることにより、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ優れた耐腐食性の得られる潤滑層を形成できることを確認し、本発明を想到した。

　以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体の例について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、比率、材料、構成等について、付加、省略、置換、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］_ｎ－ＣＨ_２－Ｒ^５－Ｒ^６　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
（式（１）中、ｎは、１または２である；Ｒ^３およびＲ^３’は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^４は、極性基を１つ有する２価の連結基である；ｎが２である場合、２つのＲ^４は、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２およびＲ^５は、極性基を１つ以上有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２は、Ｒ^１と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^５は、Ｒ^６と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^１およびＲ^６は、Ｒ^２またはＲ^５の末端の酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^６は、炭素原子数１～５０の有機基であり、少なくとも一方は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である。）

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で示されるように、メチレン基と、Ｒ^４で示される極性基を１つ有する２価の連結基と、メチレン基とがこの順に結合した連結構造を介して、Ｒ^３およびＲ^３’で示される複数のパーフルオロポリエーテル鎖（以下、「ＰＦＰＥ鎖」という場合がある。）が連結された骨格を有する。骨格の両側には、メチレン基と、Ｒ^２およびＲ^５で示される極性基を１つ以上有する２価の連結基と、Ｒ^１およびＲ^６で示される末端基とがこの順にそれぞれ結合されている。そして、Ｒ^１およびＲ^６のうち少なくとも一方の末端基が、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基（以下、「アミド結合を有する末端基」という場合がある。）である。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）中の繰り返し単位である［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］の数ｎが１または２である。ｎが１である場合、Ｒ^４で示される極性基を１つ有する２価の連結基を中心とし、その両側にメチレン基を介してＲ^３とＲ^３’の２つのＰＦＰＥ鎖が配置された骨格を有するものとなる。このため、保護層上に均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となり、好ましい。ｎが２である場合、Ｒ^３’を中心として、その両側にＲ^４で示される連結基と、ＰＦＰＥ鎖（Ｒ^３またはＲ^３’）とがそれぞれ配置された骨格を有するものとなる。このため、保護層上に均一に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となり、好ましい。ｎは、含フッ素エーテル化合物の用途などに応じて、適宜決定できる。

（Ｒ^４で示される２価の連結基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^４は、極性基を１つ有する２価の連結基である。Ｒ^４は、Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖の間にそれぞれ配置されている。このことにより、Ｒ^４は、含フッ素エーテル化合物と保護層とを密着させ、厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成する。

　式（１）中の繰り返し単位である［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］の数ｎが２である場合、２つのＲ^４は、同じであっても異なっていても良い。２つのＲ^４が同じであると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できる。
　本明細書において、「２つのＲ^４が同じである」とは、含フッ素エーテル化合物の有する２つのＲ^３’のうち、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の中央に配置されたＲ^３’に対して、２つのＲ^４に含まれる原子が対称配置されていることを意味する。

　Ｒ^４で示される２価の連結基は、その両端部に酸素原子が配置されていることが好ましい。該連結基の両端部に配置された酸素原子は、Ｒ^４の両側に配置されるメチレン基（－ＣＨ_２－）とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。この２つのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、Ｒ^４で示される２価の連結基の有する極性基と保護層との親和性を増大させる。

　Ｒ^４で示される２価の連結基は、炭素原子数３～６のアルキレン基の有する炭素原子に１つの極性基が結合し、両端部が酸素原子である基であることが好ましい。炭素原子数３～６のアルキレン基としては、炭素原子数３～４のアルキレン基であることが好ましい。炭素原子数３～６のアルキレン基は、直鎖状の構造を有することが好ましい。Ｒ^４は、特に直鎖状の炭素原子数３～６のアルキレン基の中心近傍に配置されている炭素原子に、極性基が結合していることが好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。

　Ｒ^４の有する極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、アルデヒド基（－ＣＯＨ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルフォン酸基（－ＳＯ_３Ｈ）などが挙げられる。これらの中でも特に、極性基が水酸基であることが好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。このため、Ｒ^４の有する極性基が水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性が高いものとなる。ｎが２である場合、２つのＲ^４がそれぞれ１つずつ有している極性基のうち、少なくとも一方が水酸基であることが好ましく、両方とも水酸基であることがより好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^４が極性基を１つ有する２価の連結基であるため、例えば、Ｒ^４に代えて極性基を２つ以上有する２価の連結基を有する含フッ素エーテル化合物と比較して、これを含む潤滑層は、磁気記録媒体の腐食抑制効果が十分に得られる。これは、含フッ素エーテル化合物の親水性が高すぎることがなく、これを含む潤滑層が磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入を許容してしまうことを抑制できるためである。

　Ｒ^４は、具体的には、下記式（３－１）～（３－３）のいずれかであることが好ましい。式（３－１）～（３－３）中、左側の酸素原子は、Ｒ^４と結合している２つのメチレン基のうち、Ｒ^２側のメチレン基に結合し、右側の酸素原子は、Ｒ^５側のメチレン基に結合する。
　Ｒ^４が、式（３－１）～（３－３）のいずれかであると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。特に、Ｒ^４が式（３－１）であると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の合成がより容易であり、好ましい。

　式（３－２）中、ｒは２～４の整数であり、２～３の整数であることが好ましく、２であることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。
　式（３－３）中、ｓは２～４の整数であり、２～３の整数であることが好ましく、２であることがより好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。

　式（３－２）または（３－３）で示される連結基は、グリセリンの骨格（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）に１～３つのメチレン基を増加させた構造を有する。このため、Ｒ^４が式（３－２）または（３－３）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、疎水性の良好なものとなる。その結果、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層となる。

（Ｒ^３およびＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３およびＲ^３’は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^３およびＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。Ｒ^３およびＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

　Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていても良い。Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、全て同じであることが好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層となるためである。Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’が同じであるとは、ＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位の構造が同じであって、平均重合度が異なる場合も含む。

　Ｒ^３およびＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖としては、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体からなるものなどが挙げられる。パーフルオロアルキレンオキシドとしては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド、パーフルオロエチレンオキシド、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド、パーフルオロブチレンオキシドなどが挙げられる。

　式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、例えば、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する下記式（４）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）
（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）

　式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表し、０～１５であることが好ましく、０～１０であることがより好ましい。例えば、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は、それぞれ独立に１～１８や、２～１３や、３～８や、４～６などであってもよい。
　式（４）中、ｗ１、ｗ６はＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。ｗ１、ｗ６は、式（４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。
　式（４）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（４）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

　Ｒ^３およびＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖は、具体的には、それぞれ独立に下記式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であることが好ましい。
　Ｒ^３およびＲ^３’がそれぞれ式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であると、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、Ｒ^３およびＲ^３’がそれぞれ式（４－１）～（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、ＰＦＰＥ鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、含フッ素エーテル化合物が適度な柔軟性を有することにより、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できる。

　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

　式（４－１）において、繰り返し単位である（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）との配列順序に、特に制限はない。式（４－１）において、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の数ｈと（ＯＣＦ_２）の数ｉは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の重合体であってもよい。また、式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかであってもよい。

　式（４－１）～（４－３）においては、平均重合度を示すｈが１～２０、ｉが０～２０、ｊが１～１５、ｋが１～１０であるので、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（４－１）～（４－３）においては、平均重合度を示すｈ、ｉが２０以下、ｊが１５以下、ｋが１０以下であるので、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｈ、ｉ、ｊ、ｋは、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、１～１０であることが好ましく、１．５～８であることがより好ましく、２～７であることがさらに好ましい。

　式（４－４）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（４－４）において、平均重合度を示す（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ８と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ９は同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（４－４）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

　式（４－４）において、平均重合度を示すｗ８およびｗ９は、それぞれ独立に１～２０であり、１～１５であることが好ましく、１～１０であることがより好ましい。
　式（４－４）におけるｗ７およびｗ１０は、ＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。ｗ７およびｗ１０は、式（４－４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

（Ｒ^２およびＲ^５で示される極性基を有する２価の連結基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２およびＲ^５は、極性基を１つ以上有する２価の連結基である。Ｒ^２は、Ｒ^１に結合する側の末端に酸素原子を有し、エーテル結合によりＲ^１と結合する。Ｒ^５は、Ｒ^６に結合する側の末端に酸素原子を有し、エーテル結合によりＲ^６と結合する。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物では、Ｒ^２およびＲ^５がそれぞれ１つ以上の極性基を有するため、これを含む潤滑剤を用いて保護層上に潤滑層を形成した場合に、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。Ｒ^２およびＲ^５は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

　Ｒ^２およびＲ^５は、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^２とＲ^５が同じであると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できる。
　本明細書において、「Ｒ^２とＲ^５が同じである」とは、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の中央に配置された骨格（－Ｒ^３［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］_ｎ－）に対して、Ｒ^２に含まれる原子とＲ^５に含まれる原子とが、対称配置されていることを意味する。

　Ｒ^２およびＲ^５の有する極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、アルデヒド基（－ＣＯＨ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルフォン酸基（－ＳＯ_３Ｈ）などが挙げられる。これらの中でも特に、極性基が水酸基であることが好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。このため、Ｒ^２および／またはＲ^５の有する極性基の少なくとも一部が水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性が高いものとなる。本実施形態では、Ｒ^２およびＲ^５の有する極性基が、全て水酸基であることがより好ましい。
　Ｒ^２およびＲ^５の有する極性基の数は、それぞれ１～３であることが好ましく、１～２であることがより好ましい。Ｒ^２および／またはＲ^５の有する極性基の数が２以上である場合、極性基の種類は一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。

　Ｒ^２および／またはＲ^５の有する極性基が水酸基を含む場合、式（１）におけるＲ^２に含まれる水酸基とＲ^５に含まれる水酸基との合計数は、２～６であることが好ましく、２～４であることがより好ましく、２であることが最も好ましい。上記の水酸基の合計数が２以上であると、Ｒ^２および／またはＲ^５の有する水酸基と保護層との相互作用が、効果的に得られる。その結果、保護層との密着性が高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。また、上記の水酸基の合計数が６以下であると、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない極性基が少なくなる。このため、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない極性基が、汚染物質を生成させる環境物質や磁気記録媒体の腐食の原因となる水を潤滑層に誘引することを防止できる。よって、磁気記録媒体の汚染および腐食を、より効果的に抑制できる潤滑層を形成できるものとなる。また、上記の水酸基の合計数が４以下であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の流動性が十分に高いものとなる。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の一部が摩耗によって変形し、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が別の箇所に移動しても、再び元の位置に戻る修復力が高く、より優れた耐摩耗性が得られる。

　Ｒ^２で示される２価の連結基は、Ｒ^１に結合する側の末端に酸素原子を有し、もう一方の末端（Ｒ^２に隣接するＣＨ_２に結合する端部）にも、酸素原子が配置されていることが好ましい。また、Ｒ^５で示される２価の連結基は、Ｒ^６に結合する側の末端に酸素原子を有し、もう一方の末端（Ｒ^５に隣接するＣＨ_２に結合する端部）にも、酸素原子が配置されていることが好ましい。Ｒ^２およびＲ^５で示される２価の連結基の両端部に配置された酸素原子は、その両側に結合される原子とエーテル結合（－Ｏ－）を形成する。これらのエーテル結合は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物に適度な柔軟性を付与し、Ｒ^２およびＲ^５で示される２価の連結基の有する極性基と保護層との親和性を増大させる。

　Ｒ^２およびＲ^５で示される２価の連結基は、炭素原子数３～８のアルキレン基の有する炭素原子に、１つ以上の極性基が結合し、両端部が酸素原子である基であることが好ましい。前記アルキレン基は、炭素原子間にエーテル結合を含んでいてもよい。炭素原子数３～８のアルキレン基は、炭素原子数３～５のアルキレン基であることが好ましい。炭素原子数３～８のアルキレン基は、直鎖状の構造を有することが好ましい。これは、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できるためである。

　式（１）におけるＲ^２は、下記式（２－１）または（２－２）で表される連結基であることが好ましい。式（２－１）および（２－２）中、左側の酸素原子は、Ｒ^１に結合し、右側の酸素原子は、Ｒ^２に隣接するＣＨ_２に結合する。
　Ｒ^２が、下記式（２－１）または（２－２）で表される連結基であると、Ｒ^２とＲ^１とがエーテル結合しているとともに、Ｒ^２と、Ｒ^２に隣接するＣＨ_２との間にエーテル結合が配置されたものとなる。その結果、適度な柔軟性を有する含フッ素エーテル化合物となり、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できるものとなる。また、Ｒ^２が式（２－１）であると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。

（式（２－１）中、ｐ１は１～３の整数を表す。）
（式（２－２）中、ｑ１は２～４の整数を表す。）

　式（２－２）で示される連結基は、グリセリンの骨格（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）に１～３つのメチレン基を増加させた構造を有する。このため、Ｒ^２が式（２－２）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、疎水性の良好なものとなる。その結果、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層となる。

　式（１）におけるＲ^５は、下記式（２－３）または（２－４）で表される連結基であることが好ましい。式（２－３）および（２－４）中、左側の酸素原子は、Ｒ^５に隣接するＣＨ_２に結合し、右側の酸素原子は、Ｒ^６に結合する。
　Ｒ^５が、下記式（２－３）または（２－４）で表される連結基であると、Ｒ^５とＲ^６とがエーテル結合しているとともに、Ｒ^５と、Ｒ^５に隣接するＣＨ_２との間にエーテル結合が配置されたものとなる。その結果、適度な柔軟性を有する含フッ素エーテル化合物となり、化学物質耐性および耐摩耗性のより良好な潤滑層を形成できるものとなる。また、Ｒ^５が式（２－３）であると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の合成が容易であり、好ましい。

（式（２－３）中、ｐ２は１～３の整数を表す。）
（式（２－４）中、ｑ２は２～４の整数を表す。）

　式（２－４）で示される連結基は、グリセリンの骨格（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）に１～３つのメチレン基を増加させた構造を有する。このため、Ｒ^５が式（２－４）である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、疎水性の良好なものとなる。その結果、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層となる。

　式（１）においては、Ｒ^２が式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、かつＲ^５が式（２－３）または（２－４）で表される連結基であることがより好ましい。　式（２－１）～（２－４）で表される連結基は、いずれも極性基の中でも特に保護層との相互作用が大きい極性基である水酸基を有する。また、式（２－１）～（２－４）で表される連結基では、水酸基の結合している炭素原子の両側にメチレン基（－ＣＨ_２－）が配置されている。このため、Ｒ^２が式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、かつＲ^５が式（２－３）または（２－４）で表される連結基である場合、以下に示す理由により、保護層との密着性がより一層高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　すなわち、式（２－１）～（２－４）で表される連結基において、水酸基の結合している炭素原子と、Ｒ^１またはＲ^６との間には、メチレン基と、Ｒ^２またはＲ^５の有する酸素原子（－Ｏ－）とが少なくとも配置される。このため、式（２－１）～（２－４）で表される連結基に含まれる水酸基と、Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミド結合との距離が適正となる。また、Ｒ^１とＲ^２、および／または、Ｒ^５とＲ^６の連結部分であるエーテル結合によって、末端基の自由回転がわずかに抑制される。このため、Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、式（２－１）～（２－４）で表される連結基の有する水酸基は、互いに相互作用しにくい。よって、式（２－１）～（２－４）で表される連結基の有する水酸基と、Ｒ^１および／またはＲ^６で示される末端基とが、それぞれ独立して保護層との良好な相互作用を示し、それぞれ独立して保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合されやすい。

　式（２－１）で表される連結基において、ｐ１は１～３の整数である。式（２－１）で示される連結基におけるｐ１が１以上であるので、Ｒ^２が式（２－１）で示される連結基である場合、極性基として特に保護層との相互作用が大きい水酸基を１以上含むものとなる。その結果、より一層保護層との密着性の良好な潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（２－１）で示される連結基は、式（２－１）におけるｐ１が３以下であるので、式（２－１）で示される連結基中の水酸基が多いことによって、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、これを含む潤滑層を備える磁気記録媒体を汚染させたり腐食を発生させたりすることを防止できる。

　また、式（２－１）で表される連結基では、式（２－１）中のｐ１が２または３である場合、式（２－１）で表される連結基に含まれる水酸基同士の距離が適正となる。その結果、Ｒ^２に含まれる水酸基の数が複数であっても、Ｒ^２に含まれる水酸基が、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとなる。
　式（２－１）で表される連結基において、ｐ１は１または２であることが好ましい。式（２－１）で表される連結基において、ｐ１が１である場合、合成が容易な含フッ素エーテル化合物となるため、より好ましい。

　式（２－２）で表される連結基において、ｑ１は２～４の整数であり、２～３の整数であることが好ましく、２であることがより好ましい。式（２－２）中のｑ１が２～４であると、式（２－２）に含まれるメチレン基によって含フッ素エーテル化合物の疎水性が向上し、より一層、高い腐食抑制効果が得られるものとなる。

　式（２－３）で表される連結基において、ｐ２は１～３の整数である。式（２－３）で示される連結基におけるｐ２が１以上であるので、Ｒ^５が式（２－３）で示される連結基である場合、極性基として特に保護層との相互作用が大きい水酸基を１以上含むものとなる。その結果、より一層保護層との密着性が良好な潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（２－３）で示される連結基は、式（２－３）におけるｐ２が３以下であるので、式（２－３）で示される連結基中の水酸基が多いことによって、含フッ素エーテル化合物の極性が高くなりすぎて、これを含む潤滑層を備える磁気記録媒体を汚染させたり腐食を発生させたりすることを防止できる。

　また、式（２－３）で表される連結基では、式（２－３）中のｐ２が２または３である場合、式（２－３）で表される連結基に含まれる水酸基同士の距離が適正となる。その結果、Ｒ^５に含まれる水酸基の数が複数であっても、Ｒ^５に含まれる水酸基が、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとなる。
　式（２－３）で表される連結基において、ｐ２は１または２であることが好ましい。式（２－３）で表される連結基において、ｐ２が１である場合、合成が容易な含フッ素エーテル化合物となるため、より好ましい。

　式（２－４）で表される連結基において、ｑ２は２～４の整数であり、２～３の整数であることが好ましく、２であることがより好ましい。式（２－４）中のｑ２が２～４であると、式（２－４）に含まれるメチレン基によって含フッ素エーテル化合物の疎水性が向上し、より一層、高い腐食抑制効果が得られるものとなる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２が式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、かつＲ^５が式（２－３）または（２－４）で表される連結基である場合、Ｒ^２とＲ^５とが同じであることがより好ましい。具体的には、「Ｒ^２が式（２－１）、Ｒ^５が式（２－３）であって、式（２－１）中のｐ１と式（２－３）中のｐ２が同じである」または「Ｒ^２が式（２－２）、Ｒ^５が式（２－４）であって、式（２－２）中のｑ１と式（２－４）中のｑ２が同じである」ことが好ましい。

（Ｒ^１およびＲ^６で示される末端基）
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^６で示される末端基は、炭素原子数１～５０の有機基であり、少なくとも一方は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基（アミド結合を有する末端基）である。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、アミド結合を有する末端基に含まれるアミドは、保護層と適度な相互作用を示す。このため、アミド結合を有する末端基は、潤滑層と保護層との密着性を向上させて、化学物質耐性および耐摩耗性の良好な潤滑層を形成する機能を有する。
　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、アミド結合を有する末端基の種類は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択できる。

　アミド結合を有する末端基の有するアミド結合の数は、特に限定されるものではなく、１つであってもよいし、２つ以上であってもよい。アミド結合を有する末端基の有するアミド結合の数は、製造が比較的容易な含フッ素エーテル化合物となるため、好ましくは１つである。

　アミド結合を有する末端基は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、上記有機基の炭素原子数が１～８であるので、アミド結合を有する末端基が立体障害となることがなく、アミドと保護層との親和性の良好な含フッ素エーテル化合物となる。

　アミド結合を有する末端基における有機基としては、フェニル基または、直鎖状または分岐鎖状の構造を有する炭素原子数１～８のアルキル基などが挙げられ、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基であることが好ましい。アミド結合を有する末端基における有機基が、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基であると、Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、隣接する連結基（Ｒ^２またはＲ^５）の有する極性基との相互作用がより効果的に抑えられ、アミドと保護層との親和性が大きい含フッ素エーテル化合物となる。

　炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に結合する基としては、具体的には、下記式（５－１）または（５－２）で示される基が挙げられる。
　式（５－１）および（５－２）中の点線は、Ｒ^１またはＲ^６中の有機基に結合される結合手である。アミド結合を有する末端基が式（５－１）で示される基を有する場合、アミド結合を有する末端基は、Ｒ^１またはＲ^６中の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合した基となる。アミド結合を有する末端基が式（５－２）で示される基を有する場合、アミド結合を有する末端基は、Ｒ^１またはＲ^６中の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成する窒素原子が結合した基となる。

（式（５－１）および（５－２）中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４は、それぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、オクタフルオロペンチル基、トリデカフルオロオクチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基から選択されるいずれかの基である。）

　式（５－１）において、Ｘ^１、Ｘ^２はそれぞれ独立して水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリフルオロメチル基、アリル基から選択される基であることが好ましい。
　式（５－２）において、Ｘ^３はメチル基、エチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、ナフチル基、トリフルオロメチル基、アリル基から選択される基であることが好ましい。Ｘ^４は水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、メトキシフェニル基、トリフルオロメチル基、アリル基から選択される基であることが好ましい。

　式（５－１）におけるＸ^１とＸ^２は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。この場合、式（５－１）におけるＸ^１－Ｘ^２は、例えば、メチレン基（－ＣＨ_２－）、エーテル結合（－Ｏ－）、アミン構造（－ＮＨ－）からなる群から選択される１種以上の基の組み合わせからなる構造とすることができる。式（５－１）におけるＸ^１とＸ^２が互いに結合して形成する環状構造は、アミド結合を構成する窒素原子を含む、５～７員環であることが好ましい。

　また、式（５－２）におけるＸ^３とＸ^４は、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。この場合、式（５－２）におけるＸ^３－Ｘ^４は、例えば、メチレン基（－ＣＨ_２－）、エーテル結合（－Ｏ－）、アミン構造（－ＮＨ－）からなる群から選択される１種以上の基の組み合わせからなる構造とすることができる。式（５－２）におけるＸ^３とＸ^４が互いに結合して形成する環状構造は、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子および窒素原子を含む、５～７員環であることが好ましい。

　アミド結合を有する末端基としては、例えば、下記式（６－１）～（６－１２）で示されるいずれかの有機基が挙げられる。式（６－１）～（６－１２）中の点線は、式（１）中のＲ^２またはＲ^５に結合される結合手である。
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物におけるアミド結合を有する末端基は、式（６－１）～（６－１２）で示される有機基に限定されない。

（式（６－１）において、ｔは０～７の整数を表す。）
（式（６－２）において、ｕは０～７の整数を表す。）

　アミド結合を有する末端基としては、式（６－１）～（６－１２）で示される末端基の中でも、式（６－１）～（６－４）で示される末端基を用いることが好ましい。製造が比較的容易な含フッ素エーテル化合物となるためである。
　式（６－１）または（６－２）で示される末端基は、直鎖状脂肪族アミドを有しており、式（６－３）～（６－１２）で示される末端基と比較して流動性が高い。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の一部が摩耗によって変形し、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が別の箇所に移動しても、再び元の位置に戻る修復力が高い。その結果、式（６－１）または（６－２）で示される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。

　式（６－１）において、ｔは０～７の整数であり、０～５の整数であることが好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、隣接する連結基（Ｒ^２またはＲ^５）の有する極性基との相互作用がより効果的に抑えられるためである。
　式（６－２）において、ｕは０～７の整数であり、０～５の整数であることが好ましい。Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、隣接する連結基（Ｒ^２またはＲ^５）の有する極性基との相互作用がより効果的に抑えられるためである。

　また、式（６－３）または（６－４）で示される末端基は、比較的剛直な芳香族アミドを有するため、分子の運動がある程度制限される。このため、式（６－３）または（６－４）で示される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、式（６－１）または（６－２）で示される末端基を有する含フッ素エーテル化合物と比較して、Ｒ^１およびＲ^６の有するアミドと、Ｒ^２およびＲ^５の有する極性基が、互いの保護層との相互作用を阻害する能力が小さい。

　しかも、式（６－３）または（６－４）で示される末端基の有する芳香族アミドは、ｓｐ^２混成軌道を有する炭素、酸素および窒素から成る平面構造を、芳香環からアミド骨格まで広く有している。このため、式（６－３）または（６－４）で示される末端基の有する芳香族アミドと保護層との相互作用は、式（６－１）または（６－２）で示される末端基の有する脂肪族アミドと保護層との相互作用と比較して、より強固であると推測される。

　また、式（６－３）または（６－４）で示される末端基の有する芳香族アミドは、末端基における有機基としてフェニル基を有している。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、疎水性が良好なものとなり、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害できる。
　これらのことから、式（６－３）または（６－４）で示される末端基を有する含フッ素エーテル化合物は、より優れた化学物質耐性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果がより一層高い潤滑層を形成できる。

　式（６－３）で示されるアミド結合を有する末端基においては、有機基であるフェニル基のオルト位、メタ位、パラ位のどこにアミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合していてもよい。Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、隣接する連結基（Ｒ^２またはＲ^５）の有する極性基との相互作用がより効果的に抑えられるため、フェニル基のパラ位に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合していることが好ましい。
　式（６－４）で示されるアミド結合を有する末端基においては、有機基であるフェニル基のオルト位、メタ位、パラ位のどこにアミド結合を構成する窒素原子が結合していてもよい。Ｒ^１および／またはＲ^６の有するアミドと、隣接する連結基（Ｒ^２またはＲ^５）の有する極性基との相互作用がより効果的に抑えられるため、フェニル基のパラ位に、アミド結合を構成する窒素原子が結合していることが好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^６で示される末端基の両方が、アミド結合を有する末端基である場合、Ｒ^１とＲ^６とは、同じであってもよいし、異なっていても良い。Ｒ^１とＲ^６が同じであると、含フッ素エーテル化合物の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できる。
　本明細書において、「Ｒ^１とＲ^６が同じである」とは、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の中央に配置された骨格（－Ｒ^３［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］_ｎ－）に対して、メチレン基とＲ^２またはＲ^５を介して、Ｒ^１に含まれる原子とＲ^６に含まれる原子とが、対称配置されていることを意味する。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^６で示される末端基のうち一方（例えば、Ｒ^１）のみが、アミド結合を有する末端基である場合、アミド結合を有する末端基でない他方の末端基（例えば、Ｒ^６）は、炭素原子数１～５０の有機基であれば、如何なる基であってもよく、特に限定されない。他方の末端基は、炭素原子数１～３０の有機基であることが好ましく、炭素原子数１～１５の有機基であることがより好ましい。

　他方の末端基は、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基であることが好ましく、例えば、芳香族環を含む基、不飽和複素環を含む基、アルケニル基を含む基、アルキニル基を含む基などが挙げられる。二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基は、例えば、シアノ基を含む基であってもよい。すなわち、二重結合および三重結合は、炭素－炭素結合であってもよく、炭素原子とヘテロ原子との結合（例えば、炭素－窒素結合）であってもよい。
　他方の末端基は、置換基を有しても良い炭素原子数１～８のアルキル基であってもよい。前記置換基としては、アルコキシ基、水酸基、メルカプト基、カルボキシ基、カルボニル基、アミノ基、フルオロ基などが挙げられる。前記アルキル基は、炭素原子数１～６であることがより好ましく、炭素原子数１～４であることがさらに好ましい。置換基を有しても良い炭素原子数１～８のアルキル基のうち、水酸基を有する炭素原子数１～８のアルキル基が好ましい。

　上記他方の末端基が、二重結合または三重結合を少なくとも一つ有する有機基である場合、具体的には、フェニル基、メトキシフェニル基、フッ化フェニル基、ナフチル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ベンジル基、メトキシベンジル基、ナフチルメチル基、メトキシナフチル基、ピロリル基、ピラゾリル基、メチルピラゾリルメチル基、イミダゾリル基、フリル基、フルフリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チエニル基、チエニルエチル基、チアゾリル基、メチルチアゾリルエチル基、イソチアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、インドリニル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾピラゾリル基、ベンゾイソオキサゾリル基、ベンゾイソチアゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、キノキサリニル基、フタラジニル基、シンノリニル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基などが挙げられる。

　上記他方の末端基が、置換基を有しても良い炭素原子数１～８のアルキル基である場合、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、オクタフルオロペンチル基、トリデカフルオロオクチル基、ヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシエチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシプロピル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、ヒドロキシブチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）などが挙げられる。

　上記他方の末端基は、上記の中でも、フェニル基、メトキシフェニル基、チエニルエチル基、ナフチル基、ブテニル基、アリル基、プロパルギル基、フェネチル基、メトキシフェネチル基、フッ化フェネチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基のいずれかであることが好ましく、特に、フェニル基、ナフチル基、チエニルエチル基、アリル基、ブテニル基、ヒドロキシエチル基のいずれかであることが好ましい。この場合、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物においては、式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が全て同じであり、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じであることが好ましい。これは、容易に効率よく製造できる含フッ素エーテル化合物となるためである。さらに、Ｒ^４が式（３－１）で表される連結基である含フッ素エーテル化合物である場合、より容易に効率よく製造でき、より好ましい。

　式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（Ａ）～（Ｙ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
　式（１）で表される化合物が下記式（Ａ）～（Ｙ）で表されるいずれかの化合物である場合、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても優れた密着性を有し、化学物質耐性および耐摩耗性がより一層良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

　下記式（Ａ）～（Ｙ）で表される化合物は、いずれも式（１）中においてＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖が、すべて同じである。下記式（Ａ）～（Ｙ）で表される化合物において、ＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１、Ｒｆ_２、Ｒｆ_３は、それぞれ下記の構造である。すなわち、下記式（Ａ）～（Ｍ）、（Ｐ）～（Ｘ）で表される化合物において、Ｒｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（Ｎ）、（Ｙ）で表される化合物において、Ｒｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（Ｏ）で表される化合物において、Ｒｆ_３は、上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、式（Ａ）～（Ｙ）中のＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１におけるｈおよびｉ、Ｒｆ_２におけるｊ、Ｒｆ_３におけるｋは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数になるとは限らない。

　下記式（Ａ）～（Ｙ）で表される化合物は、いずれもＲ^２が上記式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、Ｒ^５が上記式（２－３）または（２－４）で表される連結基である。
　下記式（Ａ）～（Ｙ）で表される化合物は、いずれもＲ^４が上記式（３－１）～（３－３）で表される連結基である。
　下記式（Ａ）～（Ｙ）で表される化合物は、いずれもＲ^１および／またはＲ^６が式（５－１）または（５－２）で示される基を有する。

　下記式（Ａ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｂ）～（Ｄ）で表される化合物は、いずれも式（１）におけるｎが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｂ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－２）で表される末端基でｕが１である。下記式（Ｃ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－２）で表される末端基でｕが３である。下記式（Ｄ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－２）で表される末端基でｕが５である。

　下記式（Ｅ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－３）で表される末端基であり、フェニル基のパラ位に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合している。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｆ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－４）で表される末端基であり、フェニル基のパラ位に、アミド結合を構成する窒素原子が結合している。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｇ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が２ある。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｈ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｉ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－２）で表される連結基でｑ１が２である。Ｒ^５が上記式（２－４）で表される連結基でｑ２が２である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｊ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－３）で表される連結基でｓが２である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｋ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^６がアミド結合を有しない末端基であるヒドロキシエチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｌ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^６がアミド結合を有しない末端基であるアリル基である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｍ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^６がアミド結合を有しない末端基であるフェニル基である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｎ）、（Ｏ）で表される化合物は、いずれも式（１）におけるｎが１である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。Ｒ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。
　下記式（Ｎ）で表される化合物は、Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（Ｏ）で表される化合物は、Ｒ^３およびＲ^３’が上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｐ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｑ）、（Ｒ）で表される化合物は、いずれも式（１）におけるｎが２である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。
　下記式（Ｑ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－２）で表される末端基でｕが１である。下記式（Ｒ）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－２）で表される末端基でｕが３である。

　下記式（Ｓ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－３）で表される末端基であり、フェニル基のパラ位に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合している。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｔ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４は、上記式（３－２）で表される連結基と上記式（３－３）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｕ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が２である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｖ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－２）で表される連結基でｑ１が２である。Ｒ^５が上記式（２－４）で表される連結基でｑ２が２である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｗ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^６がアミド結合を有しない末端基であるヒドロキシエチル基（－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｘ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^６がアミド結合を有しない末端基であるアリル基である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

　下記式（Ｙ）で表される化合物は、式（１）におけるｎが２である。Ｒ^１およびＲ^６が上記式（６－１）で表される末端基でｔが１である。Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である。Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である。２つのＲ^４が上記式（３－１）で表される連結基である。Ｒ^３および２つのＲ^３’が上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。

（式（Ａ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｂ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｃ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ｄ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｅ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｆ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ｇ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｈ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｉ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ｊ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｋ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｌ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ｍ）中の２つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；２つのＲｆ_１において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｎ）中の２つのＲｆ_２において、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す；２つのＲｆ_２において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）
（式（Ｏ）中の２つのＲｆ_３において、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す；２つのＲｆ_３において、平均重合度は同じであってもよく、異なっていてもよい。）

（式（Ｐ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｑ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｒ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）

（式（Ｓ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｔ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｕ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）

（式（Ｖ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｗ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）

（式（Ｘ）中の３つのＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す；３つのＲｆ_１において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_１の平均重合度が同じであってもよい。）
（式（Ｙ）中の３つのＲｆ_２において、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す；３つのＲｆ_２において、平均重合度はそれぞれ異なっていてもよいし、２つまたは３つのＲｆ_２の平均重合度が同じであってもよい。）

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、１０００～５０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、５０００以下であることが好ましい。

　含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求める。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定においては、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈して測定する。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとする。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
　本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法などによる分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

「製造方法」
　本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

（第１製造方法）
　式（１）におけるｎが１であって、Ｒ^３およびＲ^３’で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。
　まず、式（１）におけるＲ^３およびＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。

　次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－となる基）を有するエポキシ化合物のエポキシ基とを反応させる。このことにより、Ｒ^３（＝Ｒ^３’）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－（＝Ｒ^６－Ｒ^５－）に対応する基を有する第１中間体化合物が得られる。

　式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－となる基）を有するエポキシ化合物としては、例えば、下記式（７－１ａ）～（７－１ｃ）、（７－２ａ）～（７－２ｃ）、（７－３）、（７－４）で表される化合物などを用いることができる。
　上記フッ素系化合物と上記エポキシ化合物とを反応させて、上記第１中間体化合物を合成する場合、上記エポキシ化合物の有する水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－となる基）を有するエポキシ化合物は、例えば、Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が１である（＝Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が１である）場合、以下に示す方法を用いて製造できる。すなわち、下記式（８）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造（式（８）中におけるＲ）を有するアルコールと、Ｒ^２またはＲ^５に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる方法を用いて製造できる。

（式（８）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造を示す。）

　また、上記エポキシ化合物は、例えば、Ｒ^２が上記式（２－１）で表される連結基でｐ１が２である（＝Ｒ^５が上記式（２－３）で表される連結基でｐ２が２である）場合、以下に示す方法を用いて製造できる。すなわち、下記式（９）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造（式（９）中におけるＲ）を有するアルコールと、アリルグリシジルエーテルとを付加反応させる。その後、付加反応により得られた化合物を、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を作用させて酸化させる方法を用いて製造できる。

（式（９）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造を示す。）

　また、上記エポキシ化合物は、例えば、Ｒ^２が上記式（２－２）で表される連結基でｑ１が２である（＝Ｒ^５が上記式（２－４）で表される連結基でｑ２が２である）場合、以下に示す方法を用いて製造できる。すなわち、下記式（１０）に示すように、式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造（式（１０）中におけるＲ）を有するアルコールと、Ｒ^２またはＲ^５に対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物とを反応させる。その後、得られた化合物を、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を作用させて酸化させる方法を用いて製造できる。

（式（１０）中、Ｒは式（１）におけるＲ^１またはＲ^６で表される末端基に対応する構造を示す。）

　上記エポキシ化合物としては、市販品を購入して使用してもよい。
　次に、Ｒ^３（＝Ｒ^３’）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－に対応する基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－に対応する基）を有する第１中間体化合物と、Ｒ^４に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物または保護された水酸基を有するジハロゲン化合物とを反応させる。

　第１製造方法においては、上記工程に代えて、以下に示す工程を行ってもよい。
　すなわち、Ｒ^３（＝Ｒ^３’）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－に対応する基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－に対応する基）を有する第１中間体化合物と、Ｒ^４に対応するアルケニル基を有するハロゲン化合物とを反応させて、第２中間体化合物を製造する。その後、得られた第２中間体化合物を酸化してエポキシ化合物とし、上記の第１中間体化合物を反応させる方法を用いて製造してもよい。

　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｎが１であって、Ｒ^３およびＲ^３’で示される２つのＰＦＰＥ鎖が同じであって、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物が得られる。

（第２製造方法）
　式（１）におけるｎが１であって、Ｒ^１とＲ^６、Ｒ^２とＲ^５、Ｒ^３とＲ^３’で示される２つのＰＦＰＥ鎖のうち、いずれか１つ以上が異なる化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。
　この場合にも、第１製造方法と同様にして、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する第１中間体化合物を製造する。

　次に、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する第１中間体化合物と、Ｒ^４に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物、または保護された水酸基を有するジハロゲン化合物とを反応させる。このことにより、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有し、他方の末端にＲ^４に対応するエポキシ基またはハロゲン基を有する第３中間体化合物を製造する。

　次に、第１中間体化合物と同様にして、Ｒ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^６－Ｒ^５－に対応する基を有する第４中間体化合物を製造する。
　その後、第３中間体化合物と第４中間体化合物とを反応させる。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｎが１であって、Ｒ^１とＲ^６、Ｒ^２とＲ^５、Ｒ^３とＲ^３’で示される２つのＰＦＰＥ鎖のうち、いずれか１つ以上が異なる化合物を製造できる。

（第３製造方法）
　式（１）におけるｎが２であり、Ｒ^３と２つのＲ^３’で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じで、Ｒ^４で示される２つの連結基が同じであり、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。

　まず、式（１）における分子中央のＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の両末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^４に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる（第一反応）。このことにより、式（１）における分子中央のＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、エポキシ基を有する中間体化合物１が得られる。

　次いで、式（１）におけるＲ^３（＝Ｒ^６側のＲ^３’）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－となる基）を有するエポキシ化合物とを反応させる（第二反応）。このことにより、Ｒ^３（＝Ｒ^６側のＲ^３’）に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端に、Ｒ^１－Ｒ^２－に対応する基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－に対応する基）を有する中間体化合物２が得られる。

　式（１）におけるＲ^１－Ｒ^２－となる基（＝Ｒ^６－Ｒ^５－となる基）を有するエポキシ化合物としては、第１製造方法と同様に、例えば、上記式（７－１ａ）～（７－１ｃ）、（７－２ａ）～（７－２ｃ）、（７－３）、（７－４）で表される化合物などを用いることができる。
　上記フッ素系化合物と上記エポキシ化合物とを反応させて、中間体化合物２を合成する場合、上記エポキシ化合物の有する水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

　その後、前記中間体化合物２の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、前記中間体化合物１の両末端に配置されたエポキシ基とを反応させる（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｎが２であり、Ｒ^３と２つのＲ^３’で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じで、Ｒ^４で示される２つの連結基が同じであり、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物を製造できる。
　本実施形態では、第一反応の後に第二反応を行ったが、第二反応の後に第一反応を行っても良い。

（第４製造方法）
　式（１）におけるｎが２であって、Ｒ^４で示される２つの連結基が同じであり、Ｒ^１とＲ^６、Ｒ^２とＲ^５、Ｒ^３とＲ^６側のＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖のうち、いずれか１つ以上が異なる化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。
　まず、第３製造方法と同様にして第一反応を行い、中間体化合物１を製造する。

　次に、第二反応において、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物２ａを合成する。さらに、第二反応において、Ｒ^６側のＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^６－Ｒ^５－に対応する基を有する中間体化合物２ｂを合成する。

　そして、第三反応において、中間体化合物１の各末端に配置されたエポキシ基に対して、中間体化合物２ａと中間体化合物２ｂとを順次反応させる。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｎが２であって、Ｒ^４で示される２つの連結基が同じであり、Ｒ^１とＲ^６、Ｒ^２とＲ^５、Ｒ^３とＲ^６側のＲ^３’で示されるＰＦＰＥ鎖のうち、いずれか１つ以上が異なる化合物を製造できる。

（第５製造方法）
　式（１）におけるｎが２であり、Ｒ^３と２つのＲ^３’で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じで、Ｒ^４で示される２つの連結基が異なり、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物を製造する場合、以下に示す製造方法を用いることができる。

　まず、第一反応において、式（１）における分子中央のＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。次いで、前記フッ素系化合物の一方の端部に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^４で示される２つの連結基のうちの一方に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる。続いて、前記フッ素系化合物のもう一方の端部に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、Ｒ^４で示される２つの連結基のうちのもう一方に対応するエポキシ基を有するハロゲン化合物とを反応させる（第一反応）。このことにより、式（１）における分子中央のＲ^３’に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端にそれぞれ、Ｒ^４で示される２つの連結基に対応するエポキシ基を有する中間体化合物１ａが得られる。

　次いで、第３製造方法と同様にして第二反応を行い、中間体化合物２を製造する。
　その後、前記中間体化合物２の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、前記中間体化合物１ａの両末端に配置されたエポキシ基とを反応させる（第三反応）。
　以上の工程を行うことにより、式（１）におけるｎが２であり、Ｒ^３と２つのＲ^３’で示される３つのＰＦＰＥ鎖が同じで、Ｒ^４で示される２つの連結基が異なり、Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである化合物を製造できる。

　本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、式（１）で表される化合物であり、メチレン基と、極性基を１つ有する２価の連結基（Ｒ^４）と、メチレン基とがこの順に結合した連結構造を介して、複数のパーフルオロポリエーテル鎖（Ｒ^３およびＲ^３’）が連結された骨格を有し、骨格の両側に、メチレン基と、極性基を１つ以上有する２価の連結基（Ｒ^２およびＲ^５）と、末端基（Ｒ^１およびＲ^６）とがこの順にそれぞれ結合されている。そして、Ｒ^１およびＲ^６のうち少なくとも一方の末端基が、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である。このため、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて保護層上に形成した潤滑層は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものとなる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
　本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

　公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標）　ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ　ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖａｙ　Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ　Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。　本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

　本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましい。

　本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体］
　本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
　本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

　図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
　基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
　また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
　付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
　付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
　軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
　第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進される。その結果、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
　軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
　第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
　第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などからなるものが挙げられる。
　第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
　第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
　第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
　第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
　磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔとを含む層である。磁性層１６は、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
　磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

　磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
　例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２等を好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

　第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
　第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。

　第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

　磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

　磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
　非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

　磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
　磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
　保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

　炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％～１５原子％であることが好ましい。

　炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

　保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

　保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
　保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜することができる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
　潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
　潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

　潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

　潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．２ｎｍ（１２Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分に小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
　潤滑層１８を形成するには、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布する方法が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
　潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

　潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
　ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
　ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

　本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
　熱処理温度は１００℃～１８０℃とすることが好ましく、１００℃～１６０℃とすることがより好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、熱処理による潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、熱処理温度に応じて適宜調整でき、１０分～１２０分とすることが好ましい。

　本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

　本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、優れた密着性を有し、良好な化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、特にシリコンコンタミネーションの抑制、耐久性に優れる。このことから、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気ヘッド浮上量を低く（例えば、１０ｎｍ以下）することができ、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（Ｌｏａｄ　Ｕｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

　以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
　以下に示す方法により、上記式（Ａ）で表される化合物を得た。
　窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは３．２であり、平均重合度を示すｉは３．２である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）２０ｇと、上記式（７－１ａ）で表される化合物４．１５ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１．６０ｇ加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。
　なお、式（７－１ａ）で表される化合物は、３－ヒドロキシプロパンアミドとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　反応後に得られた反応生成物を室温に戻し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（１５）で示される化合物８．６９ｇを得た。

（式（１５）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　次に、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（１５）で示される化合物８．６９ｇと、エピブロモヒドリン０．８４５ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．９２ｇ加え、７０℃で２３時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ａ）（式（Ａ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．７４ｇ得た。

　得られた化合物（Ａ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｂ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－２ａ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｂ）（式（Ｂ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．８９ｇ得た。
　なお、式（７－２ａ）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）アセトアミドとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｂ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（６Ｈ）、３．４０－４．００（２６Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｃ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－２ｂ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｃ）（式（Ｃ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を６．０８ｇ得た。
　なお、式（７－２ｂ）で表される化合物は、４－アミノブタノールと塩化アセチルとを反応させて得た中間体と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｃ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（８Ｈ）、３．４０－４．００（２６Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｄ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－２ｃ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｄ）（式（Ｄ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を６．２８ｇ得た。
　なお、式（７－２ｃ）で表される化合物は、６－アミノヘキサノールと塩化アセチルとを反応させて得た中間体と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｄ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（１６Ｈ）、３．４０－４．００（２６Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｅ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｅ）（式（Ｅ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を６．１４ｇ得た。
　なお、式（７－３）で表される化合物は、４－ヒドロキシベンズアミドとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｅ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０－４．００（１８Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）、７．３０－７．８０（８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｆ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｆ）（式（Ｆ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を６．０９ｇ得た。
　なお、式（７－４）で表される化合物は、Ｎ－（４－ヒドロキシフェニル）アセトアミドとエピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｆ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（６Ｈ）、３．４０－４．００（１８Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）、７．３０－７．８０（８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｇ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－１ｂ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｇ）（式（Ｇ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．９５ｇ得た。

　なお、式（７－１ｂ）で表される化合物は、３－ヒドロキシプロパンアミドとアリルグリシジルエーテルとを反応させて得た中間体に、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｇ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（３４Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例８］
　以下に示す方法により、上記式（Ｈ）で表される化合物を得た。
　実施例１の中間体である上記式（１５）で示される化合物と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより、中間体として下記式（１６）で示される化合物を得た。

（式（１６）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　次に、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（１６）で示される化合物４．２３ｇと、実施例７の中間体である下記式（１７）で示される化合物４．１５ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．９２ｇ加え、７０℃で２３時間撹拌して反応させた。

（式（１７）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｈ）（式（Ｈ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．５２ｇ得た。

　得られた化合物（Ｈ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例９］
　以下に示す方法により、上記式（Ｉ）で表される化合物を得た。
　実施例１の式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－１ｃ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｉ）（式（Ｉ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を６．０２ｇ得た。
　なお、式（７－１ｃ）で表される化合物は、３－ヒドロキシプロパンアミドと４－ブロモ－１－ブテンとを反応させて得た中間体に、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させることにより合成した。

　得られた化合物（Ｉ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（４Ｈ）、１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１０］
　以下に示す方法により、上記式（Ｊ）で表される化合物を得た。
　実施例１の中間体である上記式（１５）で示される化合物と、４－ブロモ－１－ブテンを反応させた後、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させることにより、中間体として下記式（１８）で示される化合物を得た。

（式（１８）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　実施例８の式（１６）で表される化合物の代わりに、式（１８）で表される化合物を用いたことと、式（１７）で表される化合物の代わりに、式（１５）で表される化合物を用いたこと以外は実施例８と同様な操作を行い、化合物（Ｊ）（式（Ｊ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．８９ｇ得た。

　得られた化合物（Ｊ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（２Ｈ）、１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１１］
　以下に示す方法により、上記式（Ｋ）で表される化合物を得た。
　窒素ガス雰囲気下で２００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは３．２であり、平均重合度を示すｉは３．２である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）１４ｇと、下記式（１９）で表される化合物２．４ｇと、ｔ－ブタノール１４ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にさらにカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．４５ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

　式（１９）で表される化合物は、ジヒドロピランを用いて、エチレングリコールモノアリルエーテルを保護した化合物を、酸化することで合成した。
　反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬが入った分液漏斗へ移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体として下記式（２０）で示される化合物６．６２ｇを得た。

（式（２０）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　次に、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体である式（２０）で示される化合物３．６３ｇと、実施例８の中間体である式（１６）で表される化合物４．０５ｇと、ｔ－ブタノール１０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌した。この均一の液にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシドを０．９０ｇ加え、７０℃で２３時間撹拌して反応させた。

　反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％の塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）１８ｇを加え、室温で２時間撹拌した。水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（Ｋ）（式（Ｋ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．０３ｇ得た。

　得られた化合物（Ｋ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（２Ｈ）、３．４０－４．００（２５Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｌ）で表される化合物を得た。
　式（１７）で表される化合物の代わりに、式（２１）で表される化合物を用いたこと以外は実施例８と同様な操作を行い、化合物（Ｌ）（式（Ｌ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．４０ｇ得た。
　なお、式（２１）で表される化合物は、特許文献５に従って合成した。

（式（２１）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　得られた化合物（Ｌ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（２Ｈ）、２．４０－２．６０（２Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、５．４０－６．１０（３Ｈ）、６．３０－６．７０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｍ）で表される化合物を得た。
　実施例８の式（１７）で表される化合物の代わりに、式（２２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例８と同様な操作を行い、化合物（Ｍ）（式（Ｍ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を５．４０ｇ得た。
　なお、式（２２）で表される化合物は、特許文献５に従って合成した。

（式（２２）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　得られた化合物（Ｍ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（２Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－５０（９Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｎ）で表される化合物を得た。
　実施例１のＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは２．６である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｎ）（式（Ｎ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは２．６を表す。）を６．１７ｇ得た。

　得られた化合物（Ｎ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３６Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１８Ｆ）

［実施例１５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｏ）で表される化合物を得た。
　実施例１のＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｋは１．６である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｏ）（式（Ｏ）中のＲｆ_３は、上記式（４－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_３において、平均重合度を示すｋは１．６を表す。）を６．０２ｇ得た。

　得られた化合物（Ｏ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（３４Ｆ）、－１２２．５（８Ｆ）、－１２６．０（１３Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（８Ｆ）

［実施例１６］
　以下に示す方法により、上記式（Ｐ）で表される化合物を得た。
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは３．２であり、平均重合度を示すｉは３．２である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）と、エピブロモヒドリンとを反応させて、式（２３）で表される中間体を得た。

（式（２３）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　続いて、実施例１における式（１５）で表される化合物とエピブロモヒドリンとの反応において、エピブロモヒドリンの代わりに式（２３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（Ｐ）（式（Ｐ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．７５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｐ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１７］
　以下に示す方法により、上記式（Ｑ）で表される化合物を得た。
　式（１５）で表される化合物を合成する工程において、式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－２ａ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｑ）（式（Ｑ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．８１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｑ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（６Ｈ）、３．４０－４．００（３２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１８］
　以下に示す方法により、上記式（Ｒ）で表される化合物を得た。
　式（１５）で表される化合物を合成する工程において、式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－２ｂ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｒ）（式（Ｒ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．８９ｇ得た。

　得られた化合物（Ｒ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（８Ｈ）、３．４０－４．００（３２Ｈ）、４．１０－４．２０（８Ｈ）、６．３０－６．５０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例１９］
　以下に示す方法により、上記式（Ｓ）で表される化合物を得た。
　式（１５）で表される化合物を合成する工程において、式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｓ）（式（Ｓ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．９９ｇ得た。

　得られた化合物（Ｓ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．４０－４．００（２４Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）、７．３０－７．８０（８Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２０］
　以下に示す方法により、上記式（Ｔ）で表される化合物を得た。
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは３．２であり、平均重合度を示すｉは３．２である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）と、４－ブロモ－１－ブテンとを反応させた後、ｍ－クロロ過安息香酸を作用させることにより、式（２４）で表される中間体を得た。

　実施例１６の式（２３）で表される化合物の代わりに、式（２４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｔ）（式（Ｔ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．３２ｇ得た。

（式（２４）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）

　得られた化合物（Ｔ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（４Ｈ）、１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２１］
　以下に示す方法により、上記式（Ｕ）で表される化合物を得た。
　式（１５）で表される化合物を合成する工程において、式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに式（７－１ｂ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｕ）（式（Ｕ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．６５ｇ得た。

　得られた化合物（Ｕ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（４０Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２２］
　以下に示す方法により、上記式（Ｖ）で表される化合物を得た。
　式（１５）で表される化合物を合成する工程において、式（７－１ａ）で表される化合物の代わりに、式（７－１ｃ）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｖ）（式（Ｖ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．４１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｖ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．８０（４Ｈ）、１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２３］
　以下に示す方法により、上記式（Ｗ）で表される化合物を得た。
　式（２０）で示される化合物と式（１６）で表される化合物とを反応させる工程において、式（１６）で表される化合物の代わりに、式（１５）で表される化合物と式（２３）で表される化合物とを反応させて得た中間体を用いたこと以外は、実施例１１と同様な操作を行い、化合物（Ｗ）（式（Ｗ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．１１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｗ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（２Ｈ）、３．４０－４．００（３１Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２４］
　以下に示す方法により、上記式（Ｘ）で表される化合物を得た。
　式（２０）で表される化合物の代わりに、式（２１）で表される化合物を用いたこと以外は実施例２３と同様な操作を行い、化合物（Ｘ）（式（Ｘ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは３．２を表し、平均重合度を示すｉは３．２を表す。）を４．３１ｇ得た。

　得られた化合物（Ｘ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（２Ｈ）、２．４０－２．６０（２Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、５．４０－６．１０（３Ｈ）、６．３０－６．７０（２Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（１３Ｆ）、－７８．５（４Ｆ）、－８０．５（４Ｆ）、－９１．０～－８８．５（２６Ｆ）

［実施例２５］
　以下に示す方法により、上記式（Ｙ）で表される化合物を得た。
　ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨの代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは２．６である。）で表される化合物（数平均分子量７００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例１６と同様な操作を行い、化合物（Ｙ）（式（Ｙ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは２．６を表す。）を４．８９ｇ得た。

　得られた化合物（Ｙ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９０－２．０５（４Ｈ）、３．４０－４．００（２８Ｈ）、４．１０－４．２０（１２Ｈ）、６．３０－６．７０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（２６Ｆ）、－８６．４（８Ｆ）、－１２４．３（８Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（１３Ｆ）

　このようにして得られた実施例１～２５の化合物（Ａ）～（Ｙ）を、それぞれ式（１）に当てはめたときのＲ^１（アミド基、有機基）、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^３´、Ｒ^４、Ｒ^５の構造、Ｒ^６（アミド基、有機基）、ｎの数を表１および表２に示す。

［比較例１］
　下記式（ＡＡ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＡＡ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_１において、平均重合度を示すｈは７．０、ｉは０である。）

［比較例２］
　下記式（ＡＢ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法で合成した。

（式（ＡＢ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。２つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．０である。）

［比較例３］
　下記式（ＡＣ）で表される化合物を、特許文献３に記載の方法で合成した。

（式（ＡＣ）中のＲｆ_２は、上記式（４－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。３つのＲｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．０である。）

［比較例４］
　下記式（ＡＤ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（ＡＤ）中のＲｆ_１は、上記式（４－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈ、ｉはいずれも４．５である。）

　このようにして得られた実施例１～２５および比較例１～４の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上記の方法により測定した。その結果を表３に示す。

　次に、以下に示す方法により、実施例１～２５および比較例１～４で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～２５および比較例１～４の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
　実施例１～２５および比較例１～４で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９．０Å～９．５ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
　直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
　保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～２５および比較例１～４の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。
　その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を恒温槽に入れ、潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去して保護層と潤滑層との密着性を向上させる熱処理を、１２０℃で１０分間行うことにより保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
　このようにして得られた実施例１～２５および比較例１～４の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ　ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ　Ｆｉｓｈｅｒ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表３に示す。

　次に、実施例１～２５および比較例１～４の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験、化学物質耐性試験、耐腐食性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
　ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナ球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。

　実施例１～２５の化合物および比較例１～４の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を、それぞれ表３に示す。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間による耐摩耗性の評価は、以下のとおりとした。
◎（優）：６５０ｓｅｃ以上
○（良）：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
△（可）：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
×（不可）：４５０ｓｅｃ未満

　なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。

（化学物質耐性試験）
　以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

　具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用いて、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表３に示す。

「評価基準」
◎（優）：Ｓｉ吸着量が０．７０未満
〇（良）：Ｓｉ吸着量が０．７０以上０．９０未満
△（可）：Ｓｉ吸着量が０．９０以上１．１０未満
×（不可）：Ｓｉ吸着量が１．１０以上

（耐腐食性試験）
　磁気記録媒体を温度８５℃、相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体上の腐食した場所の数を、光学表面分析装置（ケーエルエー・テンコール株式会社製Ｃａｎｄｅｌａ７１４０）を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表３に示す。
「評価基準」
◎（優）：１５０未満
〇（良）：１５０以上、２５０未満
△（可）：２５０以上、１０００未満
×（不可）：１０００以上

　表３に示すように、実施例１～２５の磁気記録媒体は、すべての評価項目において評価が◎（優）または〇（良）であった。このことから、実施例１～２５の磁気記録媒体の潤滑層は、耐摩耗性および化学物質耐性が良好であり、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高いことが確認できた。

　特に、化合物（Ａ）～（Ｄ）、（Ｉ）、（Ｊ）、（Ｎ）～（Ｒ）、（Ｔ）、（Ｖ）、（Ｙ）を用いた実施例１～４、９、１０、１４～１８、２０、２２、２５の磁気記録媒体の潤滑層は、耐摩耗性が良好であった。
　上記の実施例に用いた化合物群においては、Ｒ^２とＲ^５に含まれる水酸基の数が等しく、ｎが１の場合にはＲ^４を中心とし、ｎが２の場合には分子中央のＲ^３’を中心とした対称構造となっている。このため、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、被覆性が良好となったため、より良好な耐摩耗性が得られたものと考えられる。

　さらに、化合物（Ａ）～（Ｄ）、（Ｉ）、（Ｊ）、（Ｎ）～（Ｒ）、（Ｔ）、（Ｖ）、（Ｙ）は、いずれもＲ^１およびＲ^６が式（６－１）または式（６－２）であり、直鎖状脂肪族アミドを有するため、流動性が高い。このため、実施例１～４、９、１０、１４～１８、２０、２２、２５の磁気記録媒体は、潤滑層の一部が摩耗によって変形し、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が別の箇所に移動しても、再び元の位置に戻る修復力が高い。その結果、特に優れた耐摩耗性が得られたものと推測される。

　また、実施例１～４、９、１０、１４～１８、２０、２２、２５の磁気記録媒体は、Ｒ^１およびＲ^６が式（６－１）であって、Ｒ^２とＲ^５に含まれる水酸基の合計数が３以上である化合物（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｕ）を用いた実施例７、８、２１の磁気記録媒体と比較して、耐摩耗性が良好であった。これは、化合物（Ａ）～（Ｄ）、（Ｉ）、（Ｊ）、（Ｎ）～（Ｒ）、（Ｔ）、（Ｖ）、（Ｙ）は、Ｒ^２とＲ^５に含まれる水酸基の合計数が２であるため、上記合計数が３以上である化合物と比較して、潤滑層と保護層との吸着に関与する水酸基が少なく、分子の流動性が高いため、上述の修復力が高くなることによるものと考えられる。

　また、Ｒ^１が式（６－１）であって、Ｒ^６がアリル基またはフェニル基である化合物（Ｌ）、（Ｍ）、（Ｘ）を用いた実施例１２、１３、２４の磁気記録媒体は、耐摩耗性が良好であった。これは、Ｒ^１の有する直鎖状脂肪族アミドによって保護層に対する適度な密着性が得られ、かつ、アミド結合を有さないＲ^６によって含フッ素エーテル化合物に流動性が付与されたことによるものと考えられる。

　また、式（１）におけるＲ^１およびＲ^６が式（６－３）または式（６－４）のいずれかである化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）を用いた実施例５、６、１９の磁気記録媒体は、Ｓｉ吸着量が０．７０未満であり化学物質耐性が良好であるとともに、耐腐食性も良好であった。これは、以下に示す理由によるものであると推定される。

　化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）は、Ｒ^１およびＲ^６が比較的剛直な芳香族アミドを有するため、分子の運動がある程度制限される。このことから、化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）を用いた潤滑層は、例えば、Ｒ^１およびＲ^６が脂肪族アミドを有する化合物である場合と比較して、Ｒ^１およびＲ^６の有するアミドと、Ｒ^２およびＲ^５の有する水酸基が、互いの保護層との相互作用を阻害する能力が極めて小さい。したがって、Ｒ^１およびＲ^６の有するアミドと、Ｒ^２およびＲ^５の有する水酸基が、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものと推定される。

　また、化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）のＲ^１およびＲ^６は、ｓｐ^２混成軌道を有する炭素、酸素および窒素から成る平面構造を、芳香環からアミド骨格まで広く有している。このため、化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）のＲ^１およびＲ^６の有する芳香族アミドと保護層との相互作用は、Ｒ^１およびＲ^６の有する脂肪族アミドと保護層との相互作用と比較して、より強固であると推測される。
　さらに、化合物（Ｅ）、（Ｆ）、（Ｓ）は、Ｒ^２とＲ^５に含まれる水酸基の数が等しく、ｎが１の場合にはＲ^４を中心とし、ｎが２の場合には分子中央のＲ^３’を中心とした対称構造となっている。このため、保護層上で均一に濡れ広がりやすく、被覆性が良好であると考えられる。

　このように、実施例５、６、１９の磁気記録媒体では、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない極性基の数が少なく、芳香族アミドと保護層との相互作用が適度に強固である。このため、潤滑層と保護層上の活性点との結合に関与していない極性基が、汚染物質を生成させる環境物質を誘引することが抑制され、特に良好な化学物質耐性が得られたものと考えられる。
　さらに、実施例５、６、１９の磁気記録媒体では、Ｒ^１およびＲ^６に芳香環が導入されていることにより、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、疎水性の良好なものである。このため、磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入が効果的に阻害され、特に優れた耐腐食性が得られたものと考えられる。

　式（１）におけるＲ^２がグリセリンの骨格（－ＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２Ｏ－）中にメチレン基を１つ増加させた構造である式（２－２）であり、Ｒ^５がグリセリンの骨格中にメチレン基を１つ増加させた構造である式（２－４）である化合物（Ｉ）、（Ｖ）を用いた実施例９および２２の磁気記録媒体では、耐腐食性が良好であった。
　また、式（１）における２つのＲ^４が、グリセリンの骨格中にメチレン基を１つ増加させた構造である式（３－２）と式（３－３）である化合物（Ｔ）を用いた実施例２０の磁気記録媒体では、耐腐食性が良好であった。

　化合物（Ｉ）、（Ｔ）、（Ｖ）は、Ｒ^４または、Ｒ^２およびＲ^５がグリセリンの骨格中にメチレン基を１つ増加させた構造を有する。このため、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、疎水性の良好なものとなり、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が侵入することを効果的に阻害する。このため、実施例９、２０、２２の磁気記録媒体では、特に優れた耐腐食性が得られたものと考えられる。

　これに対し、鎖状構造の中央にグリセリン構造を有し、その両側にそれぞれ、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合された化合物（ＡＡ）を用いた比較例１の磁気記録媒体では、耐摩耗性、化学物質耐性、耐腐食性の試験結果がいずれも「△（可）」となった。
　また、鎖状構造の中央に、２つの水酸基を有する炭素数８のアルキル鎖を配置し、その両側にそれぞれ、パーフルオロポリエーテル鎖と、２つの水酸基を有する末端基とがこの順に結合された化合物（ＡＢ）を用いた比較例２の磁気記録媒体では、耐摩耗性の試験結果が「△（可）」であり、化学物質耐性および耐腐食性の試験結果が「×（不可）」となった。

　これは、比較例１、２の磁気記録媒体では、化合物（ＡＡ）または化合物（ＡＢ）中の水酸基と保護層との強固な相互作用によって、潤滑層と保護層との密着性が強すぎるものとなり、潤滑層の流動性が損なわれて、耐摩耗性が不十分になったものと考えられる。
　また、比較例１、２の磁気記録媒体における潤滑層では、化合物（ＡＡ）または化合物（ＡＢ）中の、保護層上の活性点との結合に関与していない水酸基が多い。このため、潤滑層と保護層との間に、Ｓｉおよび／または水が混入しやすくなり、化学物質耐性および耐腐食性が不十分になったものと考えられる。

　また、２つの水酸基を有する炭素数８のアルキル鎖を介して連結された３つのパーフルオロポリエーテル鎖からなる骨格を有し、その両端にそれぞれ１つの水酸基を有する２価の連結基とメトキシフェニル基とがこの順に結合された化合物（ＡＣ）を用いた比較例３の磁気記録媒体では、耐摩耗性、化学物質耐性、耐腐食性の試験結果がいずれも「△（可）」となった。

　化合物（ＡＣ）では、鎖状構造の中央に配置されたパーフルオロポリエーテル鎖の両端に、それぞれ２つの水酸基を有する炭素数８のアルキル鎖が配置されている。このため、比較例３の磁気記録媒体における潤滑層は、親水性が高く、潤滑層から水が混入しやすい。その結果、耐腐食性が不十分になったものと考えられる。
　また、化合物（ＡＣ）では、分子の両端に、吸着力の乏しいメトキシフェニル基が配置されている。このため、比較例３の磁気記録媒体では、潤滑層の密着性が不足して、保護層と潤滑層の間にＳｉが入り込める隙間が生じたり、保護層が露出したりしやすい。その結果、化学物質耐性および耐摩耗性が不十分になったものと考えられる。

　また、鎖状構造の中央に配置されたパーフルオロポリエーテル鎖の両端に、それぞれ水酸基を有する連結基を介してアミド結合を有する末端基が配置された化合物（ＡＤ）を用いた比較例４の磁気記録媒体では、化学物質耐性の試験結果が「△（可）」、耐腐食性の試験結果が「×（不可）」となった。
　化合物（ＡＤ）は、鎖状構造の中央に極性基を含む構造が配置されていない。このため、比較例４の磁気記録媒体の潤滑層では、化合物（ＡＤ）の分子の両末端のみが保護層に密着し、鎖状構造の中央部は保護層から離れている。このため、保護層と潤滑層との間にＳｉおよび／または水が混入しやすく、化学物質耐性および耐腐食性が実施例に比べて劣る結果になったものと推定される。

　本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた密着性を有し、良好な化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層を形成できる。前記含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる。

　１０・・・磁気記録媒体、１１・・・基板、１２・・・付着層、１３・・・軟磁性層、１４・・・第１下地層、１５・・・第２下地層、１６・・・磁性層、１７・・・保護層、１８・・・潤滑層。

Claims

　下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
　Ｒ^１－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３［－ＣＨ_２－Ｒ^４－ＣＨ_２－Ｒ^３’］_ｎ－ＣＨ_２－Ｒ^５－Ｒ^６　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（１）
（式（１）中、ｎは、１または２である；Ｒ^３およびＲ^３’は、パーフルオロポリエーテル鎖である；Ｒ^３および１つまたは２つのＲ^３’は、一部または全部が同じであってもよいし、それぞれ異なっていても良い；Ｒ^４は、極性基を１つ有する２価の連結基である；ｎが２である場合、２つのＲ^４は、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２およびＲ^５は、極性基を１つ以上有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^２は、Ｒ^１と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^５は、Ｒ^６と結合する側の末端が酸素原子である；Ｒ^１およびＲ^６は、Ｒ^２またはＲ^５の末端の酸素原子に結合された末端基であり、同じであっても異なっていても良い；Ｒ^１およびＲ^６は、炭素原子数１～５０の有機基であり、少なくとも一方は、炭素原子数１～８の有機基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である。）
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^６のうち少なくとも一方が、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２、Ｒ^４およびＲ^５の有する極性基が、全て水酸基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２の有する水酸基と、Ｒ^５の有する水酸基との合計数が２～６である、請求項３に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^１およびＲ^６が、フェニル基または炭素原子数１～６のアルキル基の有する炭素原子に、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子または窒素原子が結合した基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^２が、下記式（２－１）または（２－２）で表される連結基であり、
　前記式（１）におけるＲ^５が、下記式（２－３）または（２－４）で表される連結基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（２－１）中、ｐ１は１～３の整数を表す。）
（式（２－２）中、ｑ１は２～４の整数を表す。）
（式（２－３）中、ｐ２は１～３の整数を表す。）
（式（２－４）中、ｑ２は２～４の整数を表す。）
　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が全て同じであり、
　Ｒ^１－Ｒ^２－とＲ^６－Ｒ^５－とが同じである、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　前記式（１）におけるＲ^４が、下記式（３－１）～（３－３）のいずれかで表される連結基である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（３－２）中、ｒは２～４の整数である。）
（式（３－３）中、ｓは２～４の整数である。）
　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が、それぞれ独立に下記式（４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－　　　（４）
（式（４）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す；ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない；ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す；式（４）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。）
　前記式（１）におけるＲ^３および１つまたは２つのＲ^３’が、それぞれ独立に下記式（４－１）～（４－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－　　（４－１）
（式（４－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－２）
（式（４－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
　－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－　　（４－３）
（式（４－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
　－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－　　（４－４）
（式（４－４）中のｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す；ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）
　数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
　請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
　基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
　前記潤滑層が、請求項１または請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
　前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、請求項１３に記載の磁気記録媒体。