WO2019039831A1 - 금속-고분자 수지 접합체 제조방법 - Google Patents

금속-고분자 수지 접합체 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
WO2019039831A1
WO2019039831A1 PCT/KR2018/009591 KR2018009591W WO2019039831A1 WO 2019039831 A1 WO2019039831 A1 WO 2019039831A1 KR 2018009591 W KR2018009591 W KR 2018009591W WO 2019039831 A1 WO2019039831 A1 WO 2019039831A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
acid
metal
polymer resin
etching
weight
Prior art date
Application number
PCT/KR2018/009591
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
김재호
Original Assignee
주식회사 플라스탈
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=63407618&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2019039831(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 주식회사 플라스탈 filed Critical 주식회사 플라스탈
Priority to US16/636,387 priority Critical patent/US11235498B2/en
Priority to EP18848368.9A priority patent/EP3674052B1/en
Priority to PL18848368.9T priority patent/PL3674052T3/pl
Publication of WO2019039831A1 publication Critical patent/WO2019039831A1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14336—Coating a portion of the article, e.g. the edge of the article
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14311—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles using means for bonding the coating to the articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/20—Acidic compositions for etching aluminium or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/32—Alkaline compositions
    • C23F1/36—Alkaline compositions for etching aluminium or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F17/00—Multi-step processes for surface treatment of metallic material involving at least one process provided for in class C23 and at least one process covered by subclass C21D or C22F or class C25
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
    • C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
    • C23G1/22—Light metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/06—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used
    • C25D11/10—Anodisation of aluminium or alloys based thereon characterised by the electrolytes used containing organic acids
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/16—Pretreatment, e.g. desmutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C2045/1486—Details, accessories and auxiliary operations
    • B29C2045/14868—Pretreatment of the insert, e.g. etching, cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2705/00—Use of metals, their alloys or their compounds, for preformed parts, e.g. for inserts

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따르면, 탈지액을 이용하여 금속을 탈지하는 탈지 단계, 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 에칭 단계, 전해액을 이용하여 상기 금속에 전해를 수행하는 전해 단계, 및 상기 금속에 고분자 수지를 접합하는 고분자 수지 사출 단계를 포함하며, 상기 전해액은 증류수, 옥살산, 카르복실산을 포함하는 화합물 및 황산을 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법을 제공한다.

Description

[규칙 제26조에 의한 보정 28.08.2018]　금속-고분자 수지 접합체 제조방법
본 발명은 금속-고분자 수지 접합체 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로 금속 및 고분자 수지간의 접착력이 개선될 수 있는 금속-고분자 수지 접합체의 제조방법에 관한 것이다.
알루미늄, 철(Fe) 등의 금속 부재와 고분자 수지로 형성되는 플라스틱 부재를 견고하게 접합하여 일체화한 금속-고분자 수지 접합체는 산업의 많은 분야에서 사용될 수 있다. 이러한 금속-고분자 수지 접합체는 항공기 부품이나 2차 전지의 하우징 등에 적용되었으며, 최근에는 스마트폰 등의 외장재에도 많이 적용되고 있다.
금속-고분자 수지 접합체는 일반적으로 금속과 고분자 수지로 형성된 플라스틱 부재를 접착제로 접합하거나, 금속을 금형 내부에 삽입한 채 인서트 사출을 통해 제조되고 있다.
하지만 일반적으로 금속과 고분자 수지 간의 충분한 접착력이 확보되지 않는 문제점이 있어 금속-고분자 수지 접합체에 있어서 금속과 고분자 수지 간의 충분한 접착력을 확보하기 위한 기술 개발의 필요성이 증대되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 금속 및 고분자 수지 간의 접착력이 개선될 수 있는 금속-고분자 수지 접합체의 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따르면, 탈지액을 이용하여 금속을 탈지하는 탈지 단계, 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 에칭 단계, 전해액을 이용하여 상기 금속에 전해를 수행하는 전해 단계, 및 상기 금속에 고분자 수지를 접합하는 고분자 수지 사출 단계를 포함하며, 상기 전해액은 증류수, 옥살산, 황산 및 카르복실산을 포함하는 화합물을 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법을 제공한다.
상기 카르복실산을 포함하는 화합물은 이미다졸-5-카복실산, 1,2,3-티아디아졸카복실산, 시클로헥산폴리카복실산, 헤테로아릴카복실산, 아미노카르복실산, 벤젠폴리카복실산, 벤조인돌카복실산, 하이드록시카복실산, 피라졸카복실산, 퀴놀린카복실산, 폴리플루오로카복실산, 이소티아졸카복실산, 피리돈카복실산, 아미노티오펜카복실산, 벤조페논테트라카복실산, 3-카바모일피라진-2-카복실산, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산, 나프탈렌아세트산, 테트라아세트산, 인돌아세트산 및 카테골-O,O-디아세트산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 전해액은 상기 증류수 100중량부 대비 옥살산 0.5~5중량부, 카르복실산을 포함하는 화합물 0.1~10중량부 및 황산 5~50중량부를 포함할 수 있다.
상기 전해 단계는 5~60℃에서 180~1800초간 수행할 수 있다.
상기 에칭 단계는 제1 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 제1 에칭 단계 및 제2 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 제2 에칭 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 에칭액은 옥살산, 아세트산, 질산, 염산 및 과산화수소 중 적어도 어느 하나와 증류수를 포함하고, 상기 제2 에칭액은 탄산수소나트륨, 수산화나트륨, 사붕산나트륨 및 증류수를 포함할 수 있다.
상기 제2 에칭액은 상기 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 0.5~8중량부, 수산화나트륨 5~20중량부 및 사붕산나트륨 0.5~8중량부를 포함할 수 있다.
상기 제1 에칭 단계 및 상기 제2 에칭 단계는 각각 30~80℃에서 30~300초간 수행할 수 있다.
상기 탈지 단계는 초음파 처리와 함께 수행되고, 상기 탈지액은 탄산수소나트륨 및 헥사메티인산나트륨 중 적어도 어느 하나와 증류수를 포함할 수 있다.
상기 금속은 알루미늄, 철, 구리, 금 및 은 중 어느 하나이고, 상기 고분자 수지는 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리프탈아미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아릴에테르케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체 제조방법에 따르면, 금속 및 고분자 수지 간의 접착력이 개선될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체 제조방법의 공정도이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다. 또한 본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.
이하, 도 1을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체의 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체 제조방법의 공정도이다.
본 발명의 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체의 제조방법은 금속 탈지 단계(S100), 제1 에칭 단계(S200), 제2 에칭 단계(S300), 전해 단계(S400) 및 고분자 수지 사출 단계(S500)를 포함한다.
이하, 각 단계 별로 상세히 설명한다.
먼저 금속의 탈지 단계(S100)를 수행한다.
본 발명의 실시예에 따른 금속은 알루미늄(Al)을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 철, 구리, 금, 은 등의 다양한 금속을 포함할 수 있다.
금속의 탈지 단계(S100)는 금속의 표면을 초음파 처리와 함께 탈지액을 이용하여 수행할 수 있으며, 금속 표면에 초음파 처리와 함께 탈지액을 적용하여 금속 표면에 존재하는 유분 등의 오염을 제거하는 단계이다.
초음파 처리는 초음파 세척기를 이용하여 수행할 수 있고, 탈지액의 적용은 금속을 탈지액에 교반 침적시켜 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 탈지액은 탄산수소나트륨(NaHCO3) 및 헥사메타인산나트륨((NaPO3)6) 중 어느 하나와 증류수를 포함할 수 있고, 금속의 탈지 단계(S100)는 30~80℃에서 30~300초간 수행할 수 있다.
탈지액은 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 0.5~10중량부, 헥사메타인산나트륨 0.5~10중량부를 포함할 수 있다.
이는 상기 온도, 시간 범위와 상기 함량의 탈지액을 사용할 때 성형유 제거 효과가 우수하기 때문이다.
이어서, 탈지 단계를 거친 금속의 에칭 단계(S200, S300)를 수행한다.
본 발명의 실시예에 따른 금속의 에칭 단계(S200, S300)는 제1 에칭 단계(S200) 및 제2 에칭 단계(S300)의 두 단계 에칭을 수행할 수 있다.
제1 에칭 단계(S200)는 금속의 표면을 제1 에칭액을 이용하여 수행할 수 있으며, 금속 표면에 1차 포어(pore)를 형성하기 위한 단계이다.
제1 에칭 단계(S200)는 금속을 제1 에칭액에 교반 침적시켜 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 제1 에칭액은 옥살산(C2H2O4), 아세트산(CH3COOH), 질산(HNO3), 염산(HCl) 및 과산화수소(H2O2) 중 적어도 어느 하나와 증류수를 포함할 수 있다.
제1 에칭액은 증류수 100중량부 대비 옥살산 0.5~5중량부, 아세트산 0.1~5중량부, 질산 5~40중량부, 염산 5~40중량부, 과산화수소 0.5~5중량부를 포함할 수 있다.
상기 함량의 제1 에칭액을 사용할 때 금속 표면에 균일한 1차 포어가 형성될 수 있다.
제1 에칭 단계(S200)를 수행한 후 이어지는 제2 에칭 단계(S300)는 금속의 표면을 제2 에칭액으로 수행할 수 있으며, 제1 에칭 단계(S200)를 통해 1차 포어(pore)가 형성된 금속에 1차 포어(pore)보다 더욱 미세한 2차 포어(pore)를 형성하기 위한 단계이다.
도면에는 도시하지 않았으나, 필요에 따라 제1 에칭 단계(S200) 후 제2 에칭 단계(S300)를 수행하기 전에 제1 에칭 단계(S200)에서 발생한 금속 표면의 잔류 오염물을 세척하는 공정을 수행할 수 있다.
제2 에칭 단계(S300)는 금속을 제2 에칭액에 교반 침적시켜 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 제2 에칭액은 탄산수소나트륨(NaHCO3), 수산화나트륨(NaOH), 사붕산나트륨(Na2B4O7) 및 증류수를 포함할 수 있다.
제2 에칭액은 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 0.5~8중량부, 수산화나트륨 5~20중량부 및 사붕산나트륨 0.5~8중량부를 포함할 수 있다.
상기 함량의 제2 에칭액을 사용할 때 금속 표면에 균일한 2차 포어가 형성될 수 있다.
제1 에칭 단계(S200) 및 제2 에칭 단계(S300)는 각각 30~80℃에서 30~300초간 수행할 수 있다.
이는 상기 온도 및 시간 범위로 금속의 에칭을 수행할 때 균일한 포어(pore)가 형성되어 고분자 수지와의 접착력이 최대가 될 수 있기 때문이다.
다음으로, 에칭 단계(S200, S300)를 거친 금속의 전해 단계(S400)를 수행한다.
도면에는 도시하지 않았으나, 필요에 따라 에칭 단계(S200, S300) 후 전해 단계(S400)를 수행하기 전에 전해 단계(S400)의 공정 효율을 극대화하기 위해 질산(HNO3) 수용액 등을 이용한 금속 표면 활성화 단계를 더 수행할 수 있다.
금속의 전해 단계(S400)는 금속의 표면을 전해액을 이용하여 수행할 수 있으며, 포어(pore)가 형성된 금속의 표면에 미세한 돌기를 포함하는 코팅층을 형성하기 위한 단계이다.
전해 단계(S400)는 금속을 양극으로 하고, 불용성 전극을 음극으로 하여 전해액 중에서 전해를 수행할 수 있다. 이 때, 음극으로는 백금, 스테인리스, 탄소 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 전해액은 옥살산(C2H2O4), 황산(H2SO4), 카르복실산(CO2H)을 포함하는 화합물 및 증류수를 포함할 수 있다.
여기서, 카르복실산을 포함하는 화합물은 이미다졸-5-카복실산, 1,2,3-티아디아졸카복실산, 시클로헥산폴리카복실산, 헤테로아릴카복실산, 아미노카르복실산, 벤젠폴리카복실산, 벤조인돌카복실산, 하이드록시카복실산, 피라졸카복실산, 퀴놀린카복실산, 폴리플루오로카복실산, 이소티아졸카복실산, 피리돈카복실산, 아미노티오펜카복실산, 벤조페논테트라카복실산, 3-카바모일피라진-2-카복실산, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산, 나프탈렌아세트산, 테트라아세트산, 인돌아세트산 및 카테골-O,O-디아세트산 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
전해액은 증류수 100중량부 대비 옥살산 0.5~5중량부, 카르복실산을 포함하는 화합물 0.1~10중량부 및 황산 5~50중량부를 포함할 수 있다.
전해 단계(S400)는 5~60℃에서 180~1800초간 수행할 수 있다.
또한, 전해 단계(S400)에서 전해의 전류 밀도는 0.1~5A/dm2로 수행할 수 있다.
이는 상기 온도, 시간 범위 및 전류 밀도로 금속의 전해를 수행할 때 균일한 미세 돌기가 형성되어 고분자 수지와의 접착력이 최대가 될 수 있기 때문이다.
다음으로, 전해 단계(S400)를 거친 금속에 고분자 수지 사출 단계(S500)를 수행한다.
도면에는 도시하지 않았으나, 필요에 따라 전해 단계(S400) 후 고분자 수지 사출 단계(S500)를 수행하기 전에 금속 표면의 수분을 제거하여 금속 표면의 부식을 방지하기 위해 열풍 등을 이용한 건조 단계를 더 수행할 수 있다.
고분자 수지로서는 폴리부틸렌테레프탈레이트(polybutylene terephthalate, PBT), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리프탈아미드(polyphthalamides, PPA), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리아릴에테르케톤(polyaryletherketone, PAEK), 폴리에테르에테르케톤(polyether-ether-ketone, PEEK) 등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 다양한 고분자 수지가 적용될 수 있다.
고분자 수지 사출 단계(S500)는 금속을 금형 내부에 배치하고, 고분자 수지가 용융된 상태로 금형 내부에 사출되고 경화되어 금속-고분자 수지 접합체가 제조될 수 있다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
금속 소재로서 가로 12mm x 세로 40mm x 높이 3mm 크기의 알루미늄 합금(AL6063)을 30℃ 온도 조건에서 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 3.5중량부 및 헥사메타인산나트륨 2.5중량부를 포함하는 탈지액에 30초간 교반 침적시키는 동시에 초음파 처리를 하여 탈지 단계를 수행하였다. 탈지 처리된 알루미늄 합금을 70℃ 온도 조건에서 증류수 100중량부 대비 옥살산 3.5중량부, 아세트산 1.5중량부, 질산 30중량부, 염산 35중량부 및 과산화수소 3.5중량부를 포함하는 제1 에칭액에 300초간 교반 침적시켜 제1 에칭 단계를 수행한 후, 70℃ 온도 조건에서 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 8중량부, 수산화나트륨 15중량부 및 사붕산나트륨 6중량부를 포함하는 제2 에칭액에 30초간 교반 침적시켜 제2 에칭 단계를 수행하였다. 그 후, 에칭 처리된 알루미늄 합금을 20℃ 온도 조건에서 증류수 100중량부 대비 옥살산 3.5중량부, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 6중량부 및 황산 40중량부를 포함하는 전해액을 이용하여 전류 밀도 3.5A/dm2에서 1200초간 전해를 수행하였다. 탈지, 에칭 및 전해 단계를 거친 알루미늄 합금에 다대 사출기(TB시리즈 120톤 수평사출기, 우진사)를 이용하여 알루미늄 합금의 측면에 알루미늄 합금과 동일 규격의 폴리페닐렌 설파이드(PPS, toray사)를 접합, 경화시켜 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 2
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 이미다졸-5-카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 3
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 1,2,3-티아디아졸카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 4
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 시클로헥산폴리카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 5
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 헤테로아릴카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 6
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 아미노카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 7
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 벤젠폴리카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 8
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 벤조인돌카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 9
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 하이드록시카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 10
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 피라졸카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 11
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 퀴놀린카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 12
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 폴리플루오로카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 13
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 이소티아졸카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 14
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 피리돈카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 15
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 아미노티오펜카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 16
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 벤조페논테트라카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 17
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 3-카바모일피라진-2-카복실산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 18
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 나프탈렌아세트산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 19
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 테트라아세트산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 20
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 인돌아세트산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 21
전해액에서 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 대신 카테골-0,0-디아세트산을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 22
제2 에칭 단계에서 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 8중량부, 수산화나트륨 20중량부 및 사붕산나트륨 8중량부를 포함하는 제2 에칭액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 23
제2 에칭 단계에서 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 0.5중량부, 수산화나트륨 5중량부 및 사붕산나트륨 0.5중량부를 포함하는 제2 에칭액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 24
전해 단계에서 증류수 100중량부 대비 옥살산 5중량부, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 10중량부 및 황산 50중량부를 포함하는 전해액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실시예 25
전해 단계에서 증류수 100중량부 대비 옥살산 0.5중량부, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산 0.1중량부 및 황산 5중량부를 포함하는 전해액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 1
전해 단계에서 전해액에 황산만을 포함시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 2
전해 단계에서 전해액에 황산 및 옥살산만을 포함시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 3
제2 에칭 단계를 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 4
제1 에칭 단계를 생략한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 5
제2 에칭 단계에서 제2 에칭액에 질산만을 포함시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 6
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 10초간 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 7
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 20초간 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 8
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 310초간 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 9
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 320초간 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 10
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 10℃ 온도 조건에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 11
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 20℃ 온도 조건에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 12
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 90℃ 온도 조건에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
비교예 13
제1 에칭 단계 및 제2 에칭 단계를 100℃ 온도 조건에서 수행한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 금속-고분자 수지 접합체를 제조하였다.
실험예
(1) 인장 강도 측정
알루미늄 합금과 경화된 고분자 수지 간의 접착력을 알아보기 위해 인장 시험기(UTM, 타임그룹사)를 이용하여 3mm/min로 알루미늄 합금과 고분자 수지가 분리되는 시점의 인장 강도를 측정하였다. 인장 강도는 동일 실험을 10회 반복실시하여 평균 값을 산출하였다.
(2) 헬륨 누설량 측정
알루미늄 합금과 경화된 고분자 수지 간의 접착 균일성을 알아보기 위해 헬륨 누설량 측정 장비를 이용하여 알루미늄 합금과 고분자 수지 접착면에서의 헬륨 누설량을 측정하였다. 이 때, 헬륨 누설량이 10- 8Pa.m3/s 이하인 경우 ○로, 헬륨 누설량이 10-8Pa.m3/s 초과인 경우 X로 표시하였다.
실험 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
인장강도(MPa) 헬륨 누설량
실시예 1 43.4 ○
실시예 2 43.5 ○
실시예 3 43.2 ○
실시예 4 42.9 ○
실시예 5 43.9 ○
실시예 6 44.0 ○
실시예 7 43.4 ○
실시예 8 43.5 ○
실시예 9 43.1 ○
실시예 10 44.0 ○
실시예 11 43.8 ○
실시예 12 43.6 ○
실시예 13 43.2 ○
실시예 14 43.7 ○
실시예 15 43.8 ○
실시예 16 44.1 ○
실시예 17 43.8 ○
실시예 18 42.9 ○
실시예 19 43.2 ○
실시예 20 43.1 ○
실시예 21 43.4 ○
실시예 22 43.4 ○
실시예 23 43.5 ○
실시예 24 42.9 ○
실시예 25 43.8 ○
비교예 1 38.5 X
비교예 2 41.3 X
비교예 3 36.7 X
비교예 4 40.8 X
비교예 5 40.2 X
비교예 6 25.0 X
비교예 7 31.6 X
비교예 8 33.8 X
비교예 9 29.7 X
비교예 10 9.7 X
비교예 11 30.2 X
비교예 12 37.0 X
비교예 13 20.2 X
표 1에 나타난 바와 같이, 전해액으로서 황산만을 포함하거나 황산 및 옥살산만을 포함하고 있는 비교예 1~2, 두 단계의 에칭 단계 중 어느 한 단계를 생략한 비교예 3~4, 제2 에칭액으로서 질산 수용액을 사용한 비교예 5, 두 단계의 에칭 단계를 각각 30초 미만 혹은 300초를 초과하여 수행한 비교예 6~9, 두 단계의 에칭 단계를 30℃ 미만 혹은 80℃를 초과하여 수행한 비교예 10~13에 따른 금속-고분자 수지 접합체의 경우 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체보다 인장 강도가 떨어질 뿐만 아니라, 헬륨 누설량이 10- 8Pa.m3/s 초과하여 접착 균일성도 떨어지는 것을 확인할 수 있었다.이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 금속-고분자 수지 접합체 제조방법에 따르면, 금속 및 고분자 수지 간의 접착력이 개선될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (10)

  1. 탈지액을 이용하여 금속을 탈지하는 탈지 단계,
    에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 에칭 단계,
    전해액을 이용하여 상기 금속에 전해를 수행하는 전해 단계, 및
    상기 금속에 고분자 수지를 접합하는 고분자 수지 사출 단계를 포함하며,
    상기 전해액은 증류수, 옥살산, 황산 및 카르복실산을 포함하는 화합물을 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  2. 제1항에서,
    상기 카르복실산을 포함하는 화합물은 이미다졸-5-카복실산, 1,2,3-티아디아졸카복실산, 시클로헥산폴리카복실산, 헤테로아릴카복실산, 아미노카르복실산, 벤젠폴리카복실산, 벤조인돌카복실산, 하이드록시카복실산, 피라졸카복실산, 퀴놀린카복실산, 폴리플루오로카복실산, 이소티아졸카복실산, 피리돈카복실산, 아미노티오펜카복실산, 벤조페논테트라카복실산, 3-카바모일피라진카-2-복실산, 3-카르복시-1-아다만탄아세트산, 나프탈렌아세트산, 테트라아세트산, 인돌아세트산 및 카테골-O,O-디아세트산 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  3. 제2항에서,
    상기 전해액은 상기 증류수 100중량부 대비 옥살산 0.5~5중량부, 카르복실산을 포함하는 화합물 0.1~10중량부 및 황산 5~50중량부를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  4. 제3항에서,
    상기 전해 단계는 5~60℃에서 180~1800초간 수행하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  5. 제2항에서,
    상기 에칭 단계는 제1 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 제1 에칭 단계 및 제2 에칭액을 이용하여 상기 금속을 에칭하는 제2 에칭 단계를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 에칭액은 옥살산, 아세트산, 질산, 염산 및 과산화수소 중 적어도 어느 하나와 증류수를 포함하고,
    상기 제2 에칭액은 탄산수소나트륨, 수산화나트륨, 사붕산나트륨 및 증류수를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  7. 제6항에서,
    상기 제2 에칭액은 상기 증류수 100중량부 대비 탄산수소나트륨 0.5~8중량부, 수산화나트륨 5~20중량부 및 사붕산나트륨 0.5~8중량부를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  8. 제6항에서,
    상기 제1 에칭 단계 및 상기 제2 에칭 단계는 각각 30~80℃에서 30~300초간 수행하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  9. 제1항에서,
    상기 탈지 단계는 초음파 처리와 함께 수행되고,
    상기 탈지액은 탄산수소나트륨 및 헥사메티인산나트륨 중 적어도 어느 하나와 증류수를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
  10. 제1항에서,
    상기 금속은 알루미늄, 철, 구리, 금 및 은 중 어느 하나이고,
    상기 고분자 수지는 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리프탈아미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아릴에테르케톤 및 폴리에테르에테르케톤 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속-고분자 수지 접합체 제조방법.
PCT/KR2018/009591 2017-08-25 2018-08-21 금속-고분자 수지 접합체 제조방법 WO2019039831A1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/636,387 US11235498B2 (en) 2017-08-25 2018-08-21 Manufacturing method of metal-polymer resin bonded component
EP18848368.9A EP3674052B1 (en) 2017-08-25 2018-08-21 Method for producing metal-polymer resin conjugate
PL18848368.9T PL3674052T3 (pl) 2017-08-25 2018-08-21 Sposób wytwarzania koniugatu metal - żywica polimerowa

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170108019A KR101893884B1 (ko) 2017-08-25 2017-08-25 금속-고분자 수지 접합체 제조방법
KR10-2017-0108019 2017-08-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019039831A1 true WO2019039831A1 (ko) 2019-02-28

Family

ID=63407618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2018/009591 WO2019039831A1 (ko) 2017-08-25 2018-08-21 금속-고분자 수지 접합체 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11235498B2 (ko)
EP (1) EP3674052B1 (ko)
KR (1) KR101893884B1 (ko)
CN (1) CN109421207B (ko)
HU (1) HUE059598T2 (ko)
PL (1) PL3674052T3 (ko)
WO (1) WO2019039831A1 (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11756797B2 (en) * 2020-04-15 2023-09-12 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Etching method of copper-molybdenum film and array substrate
KR102470590B1 (ko) * 2020-07-07 2022-11-25 주식회사 플라스탈 티타늄-수지 접합체 제조방법 및 이를 위한 티타늄 처리 용액
KR102383600B1 (ko) * 2020-10-22 2022-04-06 주식회사 서연이화 금속과 플라스틱 접합체의 제조방법
KR102388883B1 (ko) 2021-01-03 2022-04-21 박소빈 금속-수지 복합체의 제조방법
KR102475459B1 (ko) 2021-01-25 2022-12-08 주식회사 플라스탈 다이캐스팅 금속 부품-고분자 수지 복합체 및 이의 제조방법
DE102021208630A1 (de) * 2021-08-09 2023-02-09 Mahle International Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Hybridbauteils
KR102424161B1 (ko) * 2021-11-16 2022-07-22 (주)협화산업 이종소재 방수접합 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0926266B1 (en) 1997-12-22 2002-10-16 Ford Motor Company Method and composition for etching of Al-Cu layers to form electronic circuits
JP2005179730A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toto Ltd 多孔質金属酸化物の製造方法及びそれによって得られる多孔質金属酸化物を用いたバイオチップ
KR20090027317A (ko) * 2007-09-12 2009-03-17 주식회사 코텍 금속체와 수지의 복합물 및 이의 제조방법
KR20120021616A (ko) * 2010-08-11 2012-03-09 (주)제이스 금속 모재의 표면 처리 방법
JP2013052671A (ja) 2011-07-15 2013-03-21 Mec Kk アルミニウム−樹脂複合体の製造方法
US20150251345A1 (en) 2012-12-28 2015-09-10 Byd Company Limited Stainless steel-resin composite and method of preparing the same
KR101592147B1 (ko) * 2015-08-19 2016-02-04 이대석 알루미늄 기판의 산화막 형성방법
US20160067894A1 (en) 2014-09-04 2016-03-10 Ilkwangpolymer Co., Ltd. Method of preparing aluminum-resin complex
KR101606567B1 (ko) * 2015-06-22 2016-03-25 주식회사 태성포리테크 알루미늄-고분자 수지 접합체의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 알루미늄-고분자 수지 접합체
US20160160371A1 (en) 2014-12-09 2016-06-09 Fu Tai Hua Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Metal-and-resin composite and method for making the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5124292B2 (ko) * 1972-10-06 1976-07-23
US7841577B2 (en) * 2002-12-16 2010-11-30 Corona International Corporation Composite of aluminum material and synthetic resin molding and process for producing the same
KR101271839B1 (ko) * 2006-12-22 2013-06-07 다이세이 플라스 가부시끼가이샤 금속과 수지의 복합체와 그 복합체의 제조 방법
CA2694442A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-24 Trent University Coatings for corrosion susceptible substrates
WO2012131704A2 (en) * 2011-03-28 2012-10-04 Shah Ruchir Yagneshkumar Anticounterfeit packaging foil
CN103290449B (zh) * 2012-02-24 2015-05-20 比亚迪股份有限公司 一种表面处理的铝合金及其表面处理的方法和铝合金树脂复合体及其制备方法
CN103993340B (zh) * 2014-05-20 2017-05-17 广东长盈精密技术有限公司 一种金属片、金属树脂复合体及其制备方法
KR101573913B1 (ko) * 2015-03-26 2015-12-03 와이엠티 주식회사 표면에 돌기가 형성된 초박형 무전해 동박 및 이를 이용한 인쇄회로기판의 제조방법
US20160289858A1 (en) * 2015-04-03 2016-10-06 Apple Inc. Process to mitigate grain texture differential growth rates in mirror-finish anodized aluminum
CN105128260B (zh) * 2015-09-30 2017-07-21 东莞市科泰汽车检夹具有限公司 一种电子产品金属外壳及其制作方法
CN105506703A (zh) * 2015-11-25 2016-04-20 广东长盈精密技术有限公司 金属塑胶复合体的制备方法
CN106696170A (zh) * 2016-11-23 2017-05-24 苏州焕欣化工科技有限公司 一种金属与树脂结合的制备工艺

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0926266B1 (en) 1997-12-22 2002-10-16 Ford Motor Company Method and composition for etching of Al-Cu layers to form electronic circuits
JP2005179730A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Toto Ltd 多孔質金属酸化物の製造方法及びそれによって得られる多孔質金属酸化物を用いたバイオチップ
KR20090027317A (ko) * 2007-09-12 2009-03-17 주식회사 코텍 금속체와 수지의 복합물 및 이의 제조방법
KR20120021616A (ko) * 2010-08-11 2012-03-09 (주)제이스 금속 모재의 표면 처리 방법
JP2013052671A (ja) 2011-07-15 2013-03-21 Mec Kk アルミニウム−樹脂複合体の製造方法
US20150251345A1 (en) 2012-12-28 2015-09-10 Byd Company Limited Stainless steel-resin composite and method of preparing the same
US20160067894A1 (en) 2014-09-04 2016-03-10 Ilkwangpolymer Co., Ltd. Method of preparing aluminum-resin complex
US20160160371A1 (en) 2014-12-09 2016-06-09 Fu Tai Hua Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Metal-and-resin composite and method for making the same
KR101606567B1 (ko) * 2015-06-22 2016-03-25 주식회사 태성포리테크 알루미늄-고분자 수지 접합체의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 알루미늄-고분자 수지 접합체
KR101592147B1 (ko) * 2015-08-19 2016-02-04 이대석 알루미늄 기판의 산화막 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN109421207A (zh) 2019-03-05
US11235498B2 (en) 2022-02-01
US20200171722A1 (en) 2020-06-04
KR101893884B9 (ko) 2023-06-12
KR101893884B1 (ko) 2018-08-31
EP3674052A1 (en) 2020-07-01
HUE059598T2 (hu) 2022-11-28
EP3674052B1 (en) 2022-06-08
PL3674052T3 (pl) 2022-10-31
CN109421207B (zh) 2021-01-22
EP3674052A4 (en) 2020-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019039831A1 (ko) 금속-고분자 수지 접합체 제조방법
WO2017116130A1 (ko) 내플라즈마 코팅막 및 이의 형성방법
WO2011065621A1 (ko) 진공접착을 위한 미세섬모 구조물, 이의 사용방법 및 제조방법
WO2010101423A2 (ko) 리프트 핀 및 이를 포함하는 웨이퍼 처리 장치
WO2011150781A1 (zh) 一种在电容式触摸屏表面进行化学镀金的方法
WO2018097559A1 (ko) 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법
WO2011105730A2 (ko) 화학적 기계적 연마 장치의 리테이너 링 제조 방법
WO2011162431A1 (ko) 연료전지용 분리판 및 그 제조 방법
WO2011081288A2 (ko) 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법
WO2014171681A1 (ko) 리튬 회수장치 및 회수방법
WO2018084448A2 (ko) 모판, 모판의 제조 방법, 마스크의 제조 방법 및 oled 화소 증착 방법
WO2017171282A1 (ko) 금속부품 및 그 제조 방법 및 금속부품을 구비한 공정챔버
WO2018208030A1 (ko) 광학재료용 모노머의 몰드 자동 주입방법 및 자동 주입장치
JP2000294579A (ja) 半導体チップの樹脂封止方法及びその方法に使用する離型フィルム
WO2020141925A1 (ko) 방열 시트 제조방법
WO2022158714A1 (ko) 다이캐스팅 금속 부품-고분자 수지 복합체 및 이의 제조방법
WO2018147515A1 (ko) 마그네틱 콜렛의 제조방법
WO2017007065A1 (ko) 다단으로 탈포가 가능한 오토클레이브 장치
WO2022065656A1 (ko) 다공성 자왜 전극이 적층된 자기전기 적층체의 제조방법 및 이로부터 제조되는 자기전기 적층체
WO2022010133A1 (ko) 티타늄-수지 접합체 제조방법 및 이를 위한 티타늄 처리 용액
WO2018174464A1 (ko) 고분자 기판의 선택적 접합방법
JP3112022B2 (ja) 半導体装置の製造方法
WO2020111643A1 (ko) 단속 미세조직 층이 형성된 전자부품 임베디드 금속 부품 및 이의 제조방법
WO2018043897A1 (ko) 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법
WO2011145853A2 (ko) 접착 필름을 이용한 초음파 접합방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18848368

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018848368

Country of ref document: EP

Effective date: 20200325