WO2018124664A1 - 마이크로 전기 소자의 전사 방법 - Google Patents

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WO2018124664A1
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adhesive
adhesive layer
adhesive film
film
device chip
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이성경
손세환
이종근
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주식회사 엘지화학
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Definitions

  • a light emitting diode is a device in which a material contained in the device emits light.
  • the light emitting diode converts energy generated by recombination of electrons and holes of the bonded semiconductor into light.
  • Such light emitting diodes are widely used as lighting, display devices, and light sources, and their development is being accelerated.
  • U.S. Patent Application Publication No. 2013-0210194 discloses a method of picking up a micro device portion from a wafer using a pruning head in which electrodes are formed so that voltage can be applied to a head portion made of a silicon material.
  • a pruning head in which electrodes are formed so that voltage can be applied to a head portion made of a silicon material.
  • this method not only is it difficult to detect a bad pixel after the panel is completed, there is a disadvantage that the panel size is low in scalability, and there is a limit that a complicated LED pretreatment process is required to prevent LED damage by static electricity.
  • a method of picking up and transferring microchip LED chips using a head made of an elastomeric polymer such as polydimethyl siloxane (PDMS) is also known, but a separate adhesive layer is required and the adhesive force is continued in the transfer process. Maintain There is a limit that requires a separate process for. .
  • PDMS polydimethyl siloxane
  • Patent Document 1 US Patent Publication No. 2013-0210194
  • Patent Document 2 Korean Patent Publication No. 2009-0098563
  • Patent Document 3 Korean Patent Publication No. 2005-0062886
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-0048393
  • the present invention provides a method of transferring a micro-electrical device capable of selecting and transferring a small size LED chip more efficiently without adding expensive equipment or complicated processes, and preventing damage to the LED device due to static electricity or foreign matter. It is to provide.
  • the device chip may be a micro LED chip having a size of mi to 300.
  • the size may be defined as the maximum diameter of the micro LED chip.
  • the adhesive force of the non-exposed part of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip may be a difference between the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip 5gf I 25 mm or more.
  • the difference between the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may be 5gf I 25 kW or more.
  • the adhesive force of the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 ⁇ to 800 gf I 25 ⁇
  • the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip 50 gf I 25mm to 800 gf I 25 ⁇
  • the difference between the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip 5 gf / 25 or more.
  • the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip may be 1 gf / 25k ⁇ to 100 gf I 25mm.
  • a photo mask having a fine pattern having a size of 5 ⁇ s to 300 may be used.
  • the light transmissive substrate may be a polymer resin layer having a transmittance of 50% or more with respect to a wavelength of 300 to 600 nm.
  • An adhesive binder of each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the crab 2 adhesive film ; Crosslinking agents; And photoinitiator.
  • the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film each include a polymer including a (meth) acrylate functional group and a nonpolar functional group, a (meth) acrylate polymer containing one or more fluorine, and a semi-ung functional group. doing It may further comprise a polymer additive comprising at least one polymer selected from the group consisting of silicone-modified (meth) acrylate-based polymer.
  • Each of the first adhesive film and the second adhesive film may further include a light transmissive carrier substrate in contact with one surface of the light transmissive substrate.
  • the step of selectively transferring the plurality of device chips on the first adhesive film in contact with the adhesive layer of the second adhesive film comprising a light transmissive substrate and an adhesive layer formed on the light transmissive substrate In the method of transferring the microelectric element, the step of selectively transferring the plurality of device chips on the first adhesive film in contact with the adhesive layer of the second adhesive film comprising a light transmissive substrate and an adhesive layer formed on the light transmissive substrate. Selectively exposing the adhesive layer of the second adhesive film by irradiating ultraviolet rays through a light transmissive substrate of the second adhesive film, using a photomask that is inversely opposite to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film. It may further include;
  • the adhesive layer of the selectively exposed second adhesive film may have a lower adhesive force than the non-exposed part of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip.
  • the method of transferring the microelectrical device may further include transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the crab 2 adhesive film onto a printed circuit board.
  • the method may further include exposing the other surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device chip is coupled through the light transmissive substrate of the adhesive film.
  • the adhesive layer of the selectively exposed second adhesive film may have a lower adhesive force than the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film with respect to the device chip.
  • the method of transferring the microelectrical device may further include transferring the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film onto a printed circuit board.
  • An anisotropic conductive film may be formed on one surface of the printed circuit engine in contact with the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film.
  • a microelectric element transfer method capable of selecting and transferring a small size LED chip more efficiently without the addition of expensive equipment or complicated processes and preventing damage to the LED element due to static electricity or foreign matter, etc. This may be provided.
  • FIG. 1 schematically shows an example of a method of transferring a microelectric element of an embodiment of the invention.
  • FIG. 2 schematically shows another example of a method of transferring a microelectric element of an embodiment of the invention.
  • FIG. 3 schematically illustrates another example of a method of transferring a microelectric element according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 schematically illustrates another example of a method for transferring a microelectric element of an embodiment of the invention.
  • a method of transferring a microelectric element may be provided in which the adhesive force of the exposed portion of the adhesive charge is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip.
  • the present inventors have developed a method for transferring microelectric elements more easily and efficiently by using an adhesive film having an adhesive layer whose adhesive force is adjustable through exposure.
  • the plurality of device chips formed on one surface of the wafer is transferred to the adhesive layer of the first adhesive film including the light transmissive substrate and the adhesive layer formed on the light transmissive substrate, and through the light transmissive substrate of the first adhesive film
  • the adhesive force of the respective portions of the adhesive layer of the first adhesive layer varies according to the exposure pattern, and includes an adhesive layer formed on the light transmissive substrate.
  • the plurality of device chips formed on one surface of the wafer is transferred to the adhesive layer of the first adhesive film, the portion of the adhesive layer of the first adhesive film contacting the device chip to be transferred among the plurality of device chips is optional When exposed to, the adhesive force to the device chip that the portion of the adhesive layer of the exposed crab 1 adhesive film is lowered.
  • the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is the As the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip becomes smaller, the device chip which has been in contact with the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive agent can be transferred to the second adhesive film.
  • the adhesive force of the non-exposed part of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is applied to the device chip.
  • the only element chip that was in contact with the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive is transferred to the second adhesive film, to the adhesive layer of the selectively unexposed first adhesive
  • the device chip, which has been in contact may be attached to the first adhesive film as it is.
  • the difference between the adhesive force of the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film on the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the device chip may vary depending on the type and size of the device chip used. However, for the efficient and easy transfer of the device chip, the difference between the adhesive force of the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is the difference between the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip 5 gf I 25 I or more, or 10 gf I 25mm to 50 gf I 25mm.
  • a plurality of device chips may also be transferred to the second adhesive film.
  • the difference between the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film on the device chip and the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film on the device chip may also vary depending on the type and size of the device chip used, Preferably 5 gf / 25 ⁇ or more, or 10 gf I 25mm to 50 gf I 25 ⁇ can be.
  • the device chip to be selectively transferred is transferred to the second chip. It may not be transferred to the adhesive film.
  • the adhesive force of the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip and the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip may vary.
  • the adhesive force of the non-exposed part of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is 50 gf / 25 ⁇ to 800 gf I 25mm
  • the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip is 50 gf I 25 ⁇ to 800 gf I 25mm.
  • the adhesive force of the non-exposed part of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, and the first adhesive to the device chip.
  • the adhesive force of the non-exposed portion of the adhesive layer of the adhesive film may be a difference between the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip 5 gf / 25 kPa or more.
  • the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film to the device chip may be 1 gf I 25mm to 100 gf I 25 ⁇ .
  • Adhesion as defined herein refers to an adhesive specimen having a width of 25 ⁇ s
  • the method of transferring the micro-electrical device using a photomask in which a fine pattern is formed in the step of selectively exposing the other surface of the adhesive layer on which the plurality of device chips is transferred through the light-transmissive substrate of the Crab 1 adhesive film 5 // pitch of m to 300 can be implemented, and thus a device chip having a fine size of 5 / m 3 to 300 can be used as a transfer target.
  • selectively exposing the transferred plurality of device chips through the light transmissive substrate of the first adhesive film may use a photo mask having a fine pattern of 300 to 300.
  • the device chip to be transferred may be a micro LED chip having a size of 5 / im to 300.
  • the adhesive strength of the adhesive layer of the crab adhesive film may be controlled by adjusting the intensity and time of exposure.
  • the light-transmitting substrate of the first adhesive film to the step of selectively exposing the other side of the plurality of element chips is transferred adhesive layer is irradiated with ultraviolet rays to other side of the plurality of element chips is transferred adhesive layer at a radiant exposure of 10 mJ / cm 2 to about 10, 000mJ / cm 2 It may include the step.
  • the other surface of the adhesive layer to which the plurality of device chips are transferred may be selectively exposed.
  • the light transmissive substrate may be a polymer resin layer having a transmittance of 50% or more for a wavelength of 300 to 600 nm. have.
  • the kind of the polymer resin layer which can be used as the light transmissive substrate is not particularly limited, and for example, polyester such as PET, salose such as triacetyl cellulose, cyclic olefin based
  • Co polymers, polyimides, styrene acrylonitrile copolymers (SAN), low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymers of polypropylene, block copolymers of polypropylene.
  • each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film is an adhesive binder; Crosslinking agents; And photoinitiator.
  • the adhesive binder may use a polymer resin known to be able to be used to form an adhesive layer of a dicing film without great limitation, and for example, a polymer resin in which a predetermined semi-functional functional group is substituted or a polymer of a main chain including a semi-functional functional group Resin can be used.
  • the adhesive—the binder is a (meth) acrylate polymer wherein at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxyl group, an isocyanate group, a vinyl group and a (meth) acrylate group is substituted or unsubstituted or It may contain a (meth) acrylate copolymer.
  • the adhesive binder may be an embedded adhesive binder in which an acrylate having a carbon-carbon double bond is added to the side chain of the (meth) acrylate resin.
  • an embedded adhesive binder in which an acrylate having a carbon-carbon double bond is added to the side chain of the (meth) acrylate resin.
  • a polymer resin in which 1 wt% to 45 wt% of a (meth) acrylate functional group is added to the main chain of the (meth) acrylate base resin as a side chain may be used as the internal adhesive binder.
  • the adhesive binder may include a polymer number having a weight average molecular weight of 100, 000 to 1, 500, 000.
  • At least one functional group selected from the group consisting of the hydroxyl group, the isocyanate group, the vinyl group, and the (meth) acrylate group is a (meth) acrylate-based polymer or a (meth) acrylate-based
  • the copolymer may have a weight average molecular weight of 100, 000 to 1, 500, 000.
  • (meth) acrylate is meant to include both acrylate [acrylate] and (meth) acrylate [(meth) acrylate].
  • Such a (meth) acrylate polymer or a (meth) acrylate copolymer may be, for example, a polymer or copolymer of a (meth) acrylic acid ester monomer and a crosslinkable functional group-containing monomer.
  • examples of the (meth) acrylic acid ester monomer include alkyl (meth) acrylate, and more specifically, a monomer having an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, pentyl (meth) acrylate, and n-butyl (meth).
  • examples of the crosslinkable functional group-containing monomer include one or more kinds of hydroxyl group-containing monomer, carboxyl group-containing monomer or nitrogen-containing monomer. And the like.
  • examples of the hydroxyl group-containing compound include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or 2'hydroxypropyl.
  • (Meth) acrylate, and the like, and examples of the carboxyl group-containing compound include (meth) acrylic acid.
  • examples of the nitrogen-containing monomer include (meth) acrylonitrile, N-vinyl pyridone or N. Vinyl caprolactam and the like, but is not limited thereto.
  • the (meth) acrylate resin may further include vinyl acetate, styrene or an acrylonitrile carbon-carbon double bond-containing low molecular weight compound and the like from the viewpoint of improving other functionalities such as compatibility.
  • the embedded adhesive binder in which an acrylate having a carbon ⁇ carbon double bond is added to the side chain of the (meth) acrylate resin may have a weight average molecular weight of 100, 000 to 1, 500, 000.
  • the coating property or the packing power of each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may decrease, and when the adhesive layer is peeled off Residue may remain on the adherend or the adhesive layer may be broken.
  • the increase average molecular weight of the polymer resin included in the adhesive binder is too high, UV curing of each of the adhesive layer of the U-adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may not occur sufficiently, and thus, during the selective exposure.
  • the adhesive layer force or the peeling force may not be significantly lowered, and thus the transfer success rate may be lowered.
  • photoinitiator included in each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film are not limited, and conventionally known photoinitiators may be used without particular limitation.
  • photoinitiator benzoin and its alkyl ethers, acetophenones, anthraquinones, thioxanthones, ketals, benzophenones, ⁇ -aminoacetophenones, acylphosphine oxides, and oximes Esters or two or more kinds thereof can be used.
  • the amount of the photoinitiator may be determined in consideration of the physical properties and properties of the adhesive layer to be prepared and the type and properties of the adhesive binder used, for example, each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film
  • the photoinitiator may include 0.01 to 8 parts by weight based on 100 parts by weight of the adhesive binder.
  • Each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may include a curing agent.
  • the curing agent may form crosslinking by reacting with the reactor of the adhesive binder at room temperature or at a temperature of 30 to 50 ° C.
  • the predetermined semi-unggi contained in the curing agent remains in an unreacted state, and further crosslinking may be progressed through UV irradiation before pickup, thereby lowering the adhesive force of the adhesive layer.
  • the curing agent may include one or more selected from the group consisting of an isocyanate compound, an aziridine compound, an epoxy compound, and a metal chelate compound.
  • the amount of the curing agent may be determined in consideration of the physical properties and properties of the adhesive dance to be prepared and the type and properties of the adhesive binder used, for example, each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film It may comprise 0.1 to 30 parts by weight of the curing agent relative to 100 parts by weight of the adhesive binder.
  • each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the second adhesive film may further include an ultraviolet curable compound.
  • the type of the ultraviolet curable compound is not particularly limited, and for example, a polyfunctional compound having a weight average molecular weight of about 500 to 300, 000 (ex. Polyfunctional urethane acrylate, polyfunctional acrylate monomer or oligomer, etc.) may be used. Can be. The average person skilled in the art can easily select the appropriate compound according to the intended use.
  • the content of the ultraviolet curable compound is 5 parts by weight to 400 parts by weight, preferably 10 parts by weight to 100 parts by weight of the above-described adhesive binder. 200 parts by weight. If the content of the ultraviolet curable compound is less than 5 parts by weight, there is a risk that the lowering of the adhesive strength after curing is not sufficient, and the pick-up property may be degraded. There is a possibility that it may not be easily performed.
  • each of the adhesive layer of the first adhesive film and the adhesive layer of the crab 2 adhesive film is a polymer containing a (meth) acrylate-based functional group and a non-polar functional group, a (meth) acrylate-based polymer and a semi-active functional group containing at least one fluorine It may further include a polymer additive comprising at least one polymer selected from the group consisting of a silicon-modified (meth) acrylate-based polymer comprising a.
  • each of the (meth) acrylate-based polymer and the non-polar functional group-containing polymer, the (meth) acrylate-based polymer containing at least one fluorine, and the silicone-modified (meth) acrylate-based polymer including the semi-aromatic functional group, each on the surface of the adhesive layer Certain non-polar moieties that are present within the molecule while being more compatible with the adhesive binder and can be easily blended can be exposed to the top of the increasingly adherent layer made from the composition to impart releasability and slippage.
  • the polymer additive may provide releasability and slippage more effectively as the non-polar portion is positioned on the surface of the adhesive layer while minimizing transfer by reacting with the adhesive binder.
  • the polymer additive may be used in a weight ratio of 0.01% to 4.5% : or 0.01% to 2> relative to the adhesive binder, despite the relatively low usage, the adhesive layer of the first adhesive film and the crab 2 adhesive The peeling force of the adhesive layer of the dicing film produced from each of the adhesive layers of the film can be greatly increased.
  • Examples of commercially available products of the polymer including the (meth) acrylate-based functional groups and non-polar functional groups include BYKO-350, BYK-352, BYK-354, BYK-355, BYK-356, BYK-358N, BY-336N, and BYK-. 380, BYK-392 or BYK-394, but the specific examples of the polymer additives are not limited thereto.
  • the (meth) acrylate-based polymer containing one or more of fluorine has a perfluoroalkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a fluorinated alkenyl group having 1 to 10 carbon atoms. It may include a substituted (meth) acrylate-based polymer.
  • Examples of commercially available products of the (meth) acrylate-based polymer containing one or more of fluorine include Psentant 222F (manufactured by Neos), F470 (DIC), F489 (DIC), or V-8FM.
  • Psentant 222F manufactured by Neos
  • F470 DIC
  • F489 DIC
  • V-8FM V-8FM
  • specific examples of the polymer additives are not limited thereto.
  • the silicone-modified (meth) acrylate-based polymer including the semi-functional group includes at least one semi-functional functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, an alkylene alcohol having 1 to 10 carbon atoms, an epoxy, an amino group, a thiol group, or a carboxyl group. Substituted silicone-modified (meth) acrylate-based polymer may be included.
  • silicone-modified (meth) acrylate-based polymer containing the semi-functional group examples include hydroxy functional silicone-modified polyacrylate, and examples of commercially available products thereof include BYK SIL-CLEAN 3700.
  • specific examples of the polymer additives are not limited thereto.
  • each of the first adhesive film and the second adhesive film may further include a light transmissive carrier substrate in contact with one surface of the light transmissive substrate.
  • the light-transmitting substrate included in each of the first adhesive film and the second adhesive film described above may serve as a carrier substrate in a semiconductor device or a display device, but may be selectively selected depending on the type of process and process conditions required in the manufacturing process.
  • a light transmissive carrier substrate may further be included.
  • the type of the light transmissive carrier substrate is not particularly limited, and for example, glass or a light transmissive polymer resin film may be used, and more specifically, a glass or light transmissive polymer having a transmittance of 50% or more for a wavelength of 300 to 600 nm.
  • a resin film can be used.
  • the adhesive layer of the second adhesive film also partially varies the adhesive force through exposure for more efficient transfer. It is possible to increase the efficiency and accuracy of the process of transferring only the element chip that has been in contact with the exposed adhesive layer of the first adhesive to the crab 2 adhesive film. have.
  • the plurality of device chips on the first adhesive film may include a light transmissive substrate and an adhesive layer formed on the light transmissive substrate in contact with the adhesive layer of the second adhesive film.
  • the adhesive layer of the second adhesive film by irradiating ultraviolet rays through the light-transmissive substrate of the second adhesive film using a photomask inversely opposite to the exposure pattern of the selectively exposed crab 1 adhesive film.
  • Selectively exposing the; may further include a.
  • the plurality of device chips are transferred through the light transmissive substrate of the first adhesive film described above.
  • An exposure method used in the step of selectively exposing the other surface of the adhesive layer can be used.
  • the selective exposure portion of the adhesive layer of the second adhesive film has a lower adhesive force with respect to the device chip than the non-exposed portion of the adhesive layer of the first adhesive film, and thus the device chip which is in contact with the adhesive layer of the selectively exposed first adhesive agent. Only the device chips transferred to the second adhesive film and contacting the selectively exposed portion of the adhesive layer of the first non-exposed adhesive and the adhesive layer of the second adhesive film may be attached to the first adhesive film as it is. .
  • the method of transferring the micro-electric device may further include transferring the device chip transferred to the second adhesive film to a printed circuit board.
  • a device chip for example, a micro LED chip having a size of 5 to 300, etc. may be transferred to a desired pattern shape and size, and thus the device chip transferred to the second adhesive film. Can be easily transferred to a printed circuit board designed to a predetermined shape and size.
  • Transferring the device chip transferred to the second adhesive film to a printed circuit board can be used a conventionally known device and equipment, for example, the difference in adhesion between the anisotropic conductive film and the second adhesive film or Transferability can also be transferred by the difference in adhesion between the anisotropic conductive film and the two-adhesive film with reduced adhesion after exposure.
  • the element chip selectively transferred may be directly bonded to the printed circuit board, and the device chip may be directly bonded to the printed circuit board.
  • the device bond transfer to the printed circuit board can be carried out more efficiently by lowering the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film by transmitting ultraviolet rays from the opposite side to which the device is bonded in the second adhesive film in the contact state. have.
  • the step of transferring the element chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film to the printed circuit board, in the state in which the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film and the substrate in contact with the print may further include exposing the other surface of the adhesive layer to which the selectively transferred device bundle is coupled through the light transmissive substrate of the second adhesive film.
  • the printed circuit board are not limited, and conventional RPCB or FPCB may be used.
  • An anisotropic conductive film may be formed on one surface of the printed circuit board in contact with the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film.
  • a plurality of device chips formed on one surface of the wafer are moved to (1) a light transmitting substrate and an adhesive layer formed on the light transmitting substrate so as to contact the adhesive layer of the adhesive film (2) According to the adhesive force of the adhesive layer, a plurality of device chips formed on the wafer may be transferred to the adhesive layer of the first adhesive film (3).
  • Each of the plurality of device chips formed on one surface of the wafer is fractionated and bonded to the wafer with a strength sufficient to be transferred to the adhesive layer of the first adhesive film.
  • ultraviolet rays may be irradiated using a photomask on which a pattern of a predetermined shape and size is formed. (4) Can be selectively exposed according to the pattern of the photomask.
  • the adhesive layer of the second adhesive film including the light-transmissive substrate and the adhesive layer formed on the light-transmissive substrate is in contact with a plurality of device chips transferred on the first adhesive film and selectively transferred according to the exposed portion. (4, 5, 6 of FIG. 1).
  • the device chip selectively transferred to the adhesive layer of the crab 2 adhesive film may be in contact with a printed circuit board on which an anisotropic conductive film is positioned according to a pattern, so that the device chip may be transferred to a printed circuit board (FIGS. 1 and 7). , 8, 9). .
  • the transfer method of the microelectric element of the embodiment in the transfer method of the microelectric element of the embodiment, a plurality of device chips on the first adhesive film on the light transmissive substrate and the light transmissive substrate Prior to the step of selectively transferring the contact with the adhesive layer of the second adhesive film including the formed adhesive layer, using a photomask that is inverse to the exposure pattern of the selectively exposed U-bonded film, the second adhesive film Ultraviolet rays are irradiated through the light transmissive substrate to selectively expose the adhesive layer of the second adhesive film (4 of FIG. 2).
  • the second adhesive by irradiating the light-transmitting UV light through the substrate of the film, the second selectively exposed portion of the adhesive force of the adhesive layer ", the I 12 adhesive film As the adhesive selectively exposing the adhesive layer of the film there is lowered,
  • the photomask that is inverse to the exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film With use, the element chip that has been in contact with the adhesive layer of the selectively exposed crab 1 adhesive is in contact with the selective non-exposed portion of the adhesive layer of the second adhesive film.
  • a photomask inverse to an exposure pattern of the selectively exposed first adhesive film may have an exposure pattern opposite to that of the selectively exposed first adhesive film. It means the photomask which can be formed in an adhesive layer.
  • each of the Crab 1 semiconductor film and the Crab 2 semiconductor film may further include a light transmissive carrier substrate such as glass or a light transmissive polymer resin film.
  • the second adhesive film is It can be used again to selectively transfer the device chip formed on the first adhesive film again.
  • the photomask is moved at the lower end of the light-transmissive substrate of the first adhesive film or a photomask having a different shape may be in contact with the lower portion of the previously untransferred device chip to expose the adhesive layer of the first adhesive film.
  • the exposed crab 1 adhesive film may be exposed.
  • Adhesion to the device chip of the adhesive layer portion is lowered, when the adhesive layer of the second adhesive film is in contact with the other surface of the plurality of device chips located on the first adhesive film, the first to the device chip
  • the adhesive force of the exposed portion of the adhesive layer of the adhesive film is smaller than the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film to the device chip, only the device chip that has been in contact with the adhesive layer of the first adhesive selectively exposed to the second adhesive film Can be transferred. Meanwhile,. As shown in FIG.
  • the element chip 1 selectively transferred to the adhesive layer of the second adhesive film transmits ultraviolet rays from the opposite side to which the elements are bonded in the second adhesive film in contact with the printed circuit board.
  • the adhesive force of the adhesive layer of the second adhesive film may be significantly lowered, and thus, a separate The device chip can be easily and efficiently selected and transferred from the second adhesive film to the printed circuit board without using a peeling process or an apparatus for additional transfer.

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Abstract

본 발명은, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제1접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계; 상기 제1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및 제1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며, 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며, 상기 소자칩에 대한 상기 제1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 관한 것이다.

Description

【발명의 명칭】
마이크로 전기 소자의 전사 방법
【기술분야】
관련 출원 (들)과의 상호 인용
본 출원은 2016년 12월 26일자 한국 특허 출원 제 10-2016ᅳ 0179493호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며, 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 관한 것이다.
【발명의 배경이 되는 기술】
발광 다이오드 (Light emi tt ing diode ; LED)는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서， 접합된 반도체의 전자와 정공이 재결합하며 발생하는 에너지를 광으로 변환하여 방출한다. 이러한 발광 다이오드는 현재 조명， 표시 장치 및 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
최근에서는 고화질을 구현하는 플렉서블 디스플레이의 구현을 위하여 마이크로 단위의 LED 칩을 사용하는 디스플레이 장치에 대한 개발이 이루어지고 있으며， 상기 마이크로 단위의 LED칩의 전사 기술 및 이송 방법에 대한 개발도 이루어지고 있는 실정이다. 예를 들어, 미국공개특허 제 2013-0210194호에는 실리콘 재질로 만들어진 헤드 부분에 전압이 인가 가능하도록 전극을 형성한 전정 헤드를 사용하여 웨이퍼에서 마이크로 디바이스 부분을 픽업하는 방법을 개시하고 있다. 다만， 이러한 방법에 의하면， 패널 제작 완료후 불량 화소 검출이 어려울 뿐 만 아니라， 패널 크기의 확장성이 낮은 단점이 있으며， 정전기에 의한 LED 파손 방지를 위해 복잡한 LED 전처리 공정이 필요한 한계가 있다. 또한, 폴리디메틸질록산 (PDMS) 등의 탄성 고분자 물질을 이용하여 제조된 헤드를 사용하여 마이크로 단위의 LED칩을 픽업하여 전사하는 방법 또한 알려져 있으나， 별도의 접착층이 필요하고 전사 공정에서 접착력을 계속 유지하기 위한 별도의 공정 등이 필요한 한계가 있다. .
기존에 알려진 마이크로 단위의 LED칩을 픽업 및 전사하는 방법의 경우， 정전기에 의한 LED 파손 가능성이나， 전사 효율이 층분히 확보되지 않거나， 고가의 공정 장치가 필요하는 등으로 양산성 확보가 어려움이 존재하였다.
【선행기술문헌】
【특허문헌】
(특허문헌 1) 미국공개특허 제 2013-0210194호
(특허문헌 2) 한국특허공개 제 2009-0098563호
(특허문헌 3) 한국특허공개 제 2005-0062886호
(특허문헌 4) 일본특허공개 제 2006-0048393호
[발명의 내용】
【해결하고자 하는 과제】
본 발명은, 고가의 장비나 복잡한 공정의 추가 없이도 미세 크기의 LED칩을 보다 효율적으로 선택하여 전사할 수 있고 정전기 또는 이물질 등으로 인한 LED 소자의 파손을 방지할 수 있는 마이크로 전기 소자의 전사 방법을 제공하기 위한 것이다.
【과제의 해결 수단】
본 명세서에서는， 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 거 U접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계 ; 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며， 상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며， 상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은， 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공된다. 상기 소자칩은 mi 내지 300 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩일 수 있다. 상기 크기는 상기 마이크로 LED칩의 최대 직경으로 정의될 수 있다. 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5gf I 25mm 이상일 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한- 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5gf I 25誦 이상일 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25隱 내지 800 gf I 25匪 이고， 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf I 25mm 내지 800 gf I 25隱 일 수 있고， 상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 睡 이상일 수 있다.
또한， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf / 25誦 내지 100 gf I 25mm 일 수 있다.
상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 5卿 내지 300 의 크기의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용할 수 있다.
상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는， 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10 mJ/cm2 내지 10 , 000mJ/cm2의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층일 수 있다.
상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 게 2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시게;를 포함할 수 있다.
상기 게 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각은 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자， 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반웅성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 제 1접착 필름 및 상기 제 2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은， 상기 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에， 상기 선택적으로 노광된 상기 제 1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고, 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제 2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계 ;를 더 포함할 수 있다.
상기 선택적으로 노광된 상기 계 2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가질 수 있다.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은， 상기 게 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는， 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 선택적으로 노광된 상기 제 2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가질 수 있다.
상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은， 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는, 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기관의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성될 수 있다. 【발명의 효과】
본 발명에 따르면， 고가의 장비나 복잡한 공정의 추가 없이도 미세 크기의 LED칩을 보다 효율적으로 선택하여 전사할 수 있고 정전기 또는 이물질 등으로 인한 LED 소자의 파손을 방지할 수 있는 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공될 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 다른 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 또 다론 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4은 발명의 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 또 다른 일 예를 개략적으로 나타낸 것이다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하에서는 발명의 구체적인 구현예에 따른 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 다만, 하기 구현예에 대한 설명은 본 발명의 일 예를 예시하는 것을 뿐이며， 본 발명의 구체적인 내용이 하기 구현예로만 한정되는 것은 아니다. 발명의 일 구현예에 따르면， 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 1접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계; 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며， 상기 소자첩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착충의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작은， 마이크로 전기 소자의 전사 방법이 제공될 수 있다.
본 발명자들은 , 노광을 통하여 접착력이 조절 가능한 접착층을 갖는 접착 필름을 사용함으로서 마이크로 전기 소자를 보다 용이하고 효율적으로 전사하는 방법을 개발해냈다.
구체적으로, 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 1접착 필름의 접착층으로 전사하고， 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광함으로서， 상기 노광 패턴에 따라 상기 제 1접착층의 접착층의 각 부분들이 접착력이 달라지게 되며， 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 2접착 필름의 접착층을 상기 제 1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉 시켜서， 상기 접착력 차이에 따라 선택된 소자칩만을 제 2접착 필름으로 전사시킬 수 있다.
이때， 상기 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩이 상기 게 1접착 필름의 접착층으로 전사되고， 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 제 1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면， 상기 노광된 게 1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 된다.
그리고， 상기 제 2접착 필름의 접착충을 상기 제 1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서， 상기 선택적으로 노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만흘 제 2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. 한편， 상기 선택적으로 노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제 2접착 필름으로 전사하기 위해서는， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 커서， 상기 선택적으로 노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제 2접착 필름으로 전사하게 되고, 상기 선택적으로 비노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩은 상기 게 1접착 필름에 그대로 붙어 있을 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이는 사용되는 소자칩의 종류나 크기 등에 따라서 달라질 수 있다. 다만， 상기 소자칩의 효율적이고 용이한 전사를 위하여， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이는 5 gf I 25腿 이상, 또는 10 gf I 25mm 내지 50 gf I 25mm 일 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 게 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 너무 작은 경우， 선택적으로 전사하고자 하는 소자칩 이외의 다른 소자칩들도 상기 제 2접착 필름으로 다수 전사될 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이 또한， 사용되는 소자칩의 종류나 크기 등에 따라서 달라질 수 있으나, 바람직하게는 5 gf / 25隱 이상， 또는 10 gf I 25mm 내지 50 gf I 25醒 일 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 게 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 너무 작은 경우， 선택적으로 전사하고자 하는 소자칩이 상기 제 2접착 필름으로 전사되지 않올 수 있다.
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 각각은 상술한 서로 간의 접착력 차이를 만족하는 범위 내에서， 상기 소자칩의 종류 및 크기와 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법의 구체적인 조건에 따라서 달라질 수 있다.
예를 들어， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25誦 내지 800 gf I 25mm 이고， 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf I 25匪 내지 800 gf I 25mm 일 수 있다. 이때， 상술한 바와 같이 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며 , 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착충의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 隱 이상일 수 있다.
또한， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf I 25mm 내지 100 gf I 25隱 일 수 있다.
본 명세서에서 정의하는 접착력은 25隱의 폭을 갖는 접착 시편을
180도로 꺽었을 때 걸리는 힘 (gf I 25腿 )으로 정의된다.
한편， 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은 상기 게 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용하여 5//m 내지 300 의 피치를 구현할 수 있으며， 이에 따라 5/皿 내지 300 의 미세한 크기의 소자칩을 전사 대상으로 할 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 내지 300 의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용할 수 있다.
상기 전사 대상이 되는 소자칩은 5/im 내지 300 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩일 수 있다.
한편, 상기 게 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계에서 노광의 강도 및 시간 등을 조절하여 상기 게 1접착 필름의 접착층의 접착력을 조절할 수 있다. 구체적으로， 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는， 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10 mJ/cm2 내지 10 , 000mJ/cm2 의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
한편， 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서 상기 제 1접착 필름이 광투광성 기재를 포함함에 따라서， 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광할 수 있다.
상기 광투과성 기재의 기재의 구체적인 종류나 그 특성이 한정되는 것은 아니나， 상기 선택적 노광이 효율적으로 이루어지기 위해서는 상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층일 수 있다. 상기 광투과성 기재로 사용 가능한 고분자 수지층의 종류가 크게 한정되는 것은 아니며， 예를 들어 PET 등의 폴리에스테르， 트리아세틸 셀를로오스 등의 샐를로오스, 환상 올레핀계
(공)중합체， 폴리이미드， 스티렌 아크릴로 니트릴 공중합체 (SAN) , 저밀도 폴리에틸렌， 선형 폴리에틸렌， 중밀도 폴리에틸렌， 고밀도 폴리에틸렌， 초저밀도 폴리에틸렌， 폴리프로필렌의 랜덤 공중합체， 폴리프로필렌의 블록 공중합체, . 호모폴리프로필렌， 폴리메틸펜텐 (polymethylpentene) , 에틸렌- 초산비닐 공중합체， 에틸렌ᅳ메타크릴산 공중합체， 에틸렌- 메틸메타크릴레이트 공중합체， 에틸렌 -아이오노머 공중합체， 에틸렌- 비닐알코올 공중합체， 폴리부텐， 스틸렌의 공중합체 또는 이들의 2종 이상의 흔합물 등을 포함한 고분자 수지층일 수 있다.
한편, 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시게;를 포함할 수 있다.
상기 접착 바인더는 다이싱 필름의 점착층을 형성하는데 사용될 수 있는 것으로 알려진 고분자 수지를 큰 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 소정의 반웅성 작용기가 치환된 고분자 수지 또는 반웅성 작용기를 포함한 주쇄의 고분자 수지를 사용할 수 있다.
구체적으로， 상기 접착— 바인더는 하이드록시기， 이소시아네이트기， 비닐기 및 (메타)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 1 이상 치환 또는 비치환된 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체를 포함할 수 있다.
또한， 상기 접착 바인더로는 (메타)아크릴레이트 수지의 측쇄에 탄소 -탄소 이중결합을 가지는 아크릴레이트를 부가시킨 내재형 접착 바인더일 수 있다. 예를 들어， 상기 내재형 접착 바인더로는 (메타)아크릴레이트계 베이스 수지의 주쇄에 (메타)아크릴레이트 작용기를 측쇄로 1 wt% 내지 45 wt% 부가한 고분자 수지를 사용할 수 있다.
상기 접착 바인더는 100 , 000 내지 1 , 500 , 000의 중량평균분자량을 갖는 고분자 수자를 포함할 수 있다.
구체적으로， 상기 하이드록시기， 이소시아네이트기, 비닐기 및 (메타)아크릴레이트기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 작용기가 1이상 치환 또는 비치환된 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체는 100 , 000 내지 1 , 500 , 000의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
본 명세서에서, (메타)아크릴레이트는 아크릴레이트 [acrylate] 및 (메타)크릴레이트 [ (meth)acrylate]를 모두 포함하는 의미이다.
이러한 (메타)아크릴레이트계 중합체 또는 (메타)아크릴레이트계 공중합체 는 예를 들면， (메타)아크릴산 에스테르계 단량체 및 가교성 관능기 함유 단량체의 중합체 또는 공중합체일 수 있다.
이 때 (메타)아크릴산 에스테르계 단량체의 예로는 알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있으며， 보다 구체적으로는 탄소수 1 내지 12의 알킬기를 가지는 단량체로서， 펜틸 (메타)아크릴레이트， n-부틸 (메타)아크릴레이트， 에틸 (메타)아크릴레이트， 메틸 (메타)아크릴레이트， 핵실 (메타)아크릴레이트, nᅳ옥틸 (메타)아크릴레이트， 이소옥틸 (메타)아크릴레이트， 2-에틸핵실 (메타)아크릴레이트， 도데실 (메타)아크릴레이트 또는 데실 (메타)아크릴레이트의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 알킬의 탄소수가 큰 단량체를 사용할수록, 최종 공중합체의 유리전이온도가 낮아지므로， 목적하는 유리전이온도에 따라 적절한 단량체를 선택하면 된다.
또한， 가교성 관능기 함유 단량체의 예로는 히드록시기 함유 단량체, 카복실기 함유 단량체 또는 질소 함유 단량체의 일종 또는 이종 이상의 흔합을 들 수 있다. 이 때 히드록실기 함유 화합물의 예로는， 2- 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 또는 2ᅳ히드록시프로필
(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고， 카복실기 함유 화합물의 예로는， (메타)아크릴산 등을 들 수 있으몌 질소 함유 단량체의 예로는 (메타)아크릴로니트릴， N-비닐 피를리돈 또는 N-비닐 카프로락탐 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 (메타)아크릴레이트계 수지에는 또한 상용성 등의 기타 기능성 향상의 관점에서， 초산비닐， 스틸렌 또는 아크릴로니트릴 탄소 -탄소 이중결합함유 저분자량 화합물 등이 추가로 포함될 수 있다.
또한， 상기 (메타)아크릴레이트 수지의 측쇄에 탄소ᅳ탄소 이중결합을 가지는 아크릴레이트를 부가시킨 내재형 접착 바인더는 100 , 000 내지 1 , 500 , 000의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
상기 접착 바인더에 포함되는 고분자 수지의 중량평균분자량이 너무 낮으면, 상기 게 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각의 코팅성 또는 웅집력이 저하될 수 있으며， 상기 접착층의 박리 시 피착체에 잔여물이 남거나 또는상기 접착층이 파괴될 수 있다. 또한， 상기 접착 바인더에 포함되는 고분자수지의 증량평균분자량이 너무 높으면， 상기 거 U접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각의 자외선 경화가 층분히 일어나지 않을 수 있고 이에 따라 상기 선택적 노광시 접착층력 또는 박리력이 층분히 낮아지지 않아서 전사 성공률이 저하될 수 있다.
상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각에 포함되는 광개시제의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니며， 통상적으로 알려진 광개시제를 별 다른 제한 없이 사용할 수 있다. 예를 들어， 상기 광개시제로는 벤조인과 그 알킬에테르류， 아세토페논류， 안트라퀴논류， 티오크산톤류， 케탈류， 벤조페논류, α-아미노아세토페논류， 아실포스핀옥사이드류， 옥심에스테르류 또는 이들의 2종 이상의 흔합물을 용할 수 있다. 상기 광개시제의 사용량은 제조되는 점착층의 물성 및 특성과 사용되는 접착 바인더의 종류 및 특성 등으로 고려하여 결정될 수 있으며， 예를 들어 상기 게 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각은 상기 접착 바인더 100 중량부 대비 상기 광개시제 0.01 내지 8 중량부를 포함할 수 있다.
상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각은 경화제를 포함할 수 있다. 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각을 기재 필름의 코팅시 상기 경화제는 접착 바인더의 반응기와 상온 또는 30 내지 50oC의 온도에서 반웅하여 가교를 형성할 수 있다. 또한， 상기 경화제에 포함되는 소정의 반웅기가 미반응 상태로 잔류하다가 픽업 전에 UV 조사를 통해 추가 가교가 진행되어 점착층의 점착력을 낮출 수 있다.
상기 경화제는 이소시아네이트계 화합물， 아지리딘계 화합물, 에폭시계 화합물 및 금속 킬레이트계 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
상기 경화제의 사용량은 제조되는 점착춤의 물성 및 특성과 사용되는 접착 바인더의 종류 및 특성 등으로 고려하여 결정될 수 있으며， 예를 들어 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각은 상기 접착 바인더 100 중량부 대비 상기 경화제 0. 1 내지 30중량부를 포함할 수 있다.
한편， 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각은 자외선 경화형 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 종류는 특별히 제한되지 않으며， 예를 들면， 중량평균분자량이 500 내지 300 , 000 정도인 다관능성 화합물 (ex . 다관능성 우레탄 아크릴레이트， 다관능성 아크릴레이트 단량체 또는 올리고머 등)을 사용할 수 있다. 이 분야의 평균적 기술자는 목적하는 용도에 따른 적절한 화합물을 용이하게 선택할 수 있다.
상기 자외선 경화형 화합물의 함량은 전술한 접착 바인더 100 중량부에 대하여， 5 중량부 내지 400 중량부， 바람직하게는 10 중량부 내지 200 중량부일 수 있다. 자외선 경화형 화합물의 함량이 5 중량부 미만이면, 경화 후 점착력 저하가 층분하지 않아 픽업성이 떨어질 우려가 있고， 400 중량부를 초과하면， 자외선 조사 전 점착제의 응집력이 부족하거나, 이형 필름 등과의 박리가 용이하게 이루어지지 않을 우려가 있다.
한편， 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 게 2접착 필름의 접착층 각각 은 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자， 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반웅성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이투어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함할 수 있다. 상기 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자， 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반웅성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자 각각은 점착층 표면에서 상기 접착 바인더와 보다 상용성을 가져서 용이하게 흔합될수 있으면서도 분자 내부에 존재하는 소정의 비극성 부분이 상기 조성물로부터 제조되는 점점착층 상단으로 노출되어 이형성 및 슬립성을 부여할 수 있다.
이에 따라, 상기 고분자 첨가제는 상기 접착 바인더와 반웅하여 전사를 최소화하면서도 상술한 비극성 부분이 접착층 표면에 위치하게 되면서 보다 효과적으로 이형성 및 슬립성을 부여할 수 있다.
특히， 상기 고분자 첨가제는 상기 접착 바인더 대비 0.01% 내지 4.5% : 또는 0. 1% 내지 2 >의 중량비로 사용할 수 있는데， 상대적으로 낮은 사용량에도 불구하고 상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 게 2접착 필름의 접착층 각각으로부터 제조되는 다이싱 필름의 접착층의 박리력이 크게 높아질 수 있다.
상기 (메타)아크릴레이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자의 상용 제품의 예로는 BYKO-350 , BYK-352 , BYK-354, BYK-355 , BYK- 356 , BYK-358N, BY -361N, BYK-380 , BYK-392 또는 BYK-394을 들 수 있으나, 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자는 탄소수 1 내지 10의 퍼플루오로알킬기 또는 탄소수 1 내지 10의 불소화 알케닐기가 치환된 (메타)아크릴레이트계 고분자를 포함할 수 있다.
상기 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자의 상용 제품의 예로는 프터젠트 222F (네오스사 제조)， F470(DIC사)， F489(DIC사)， 또는 V-8FM 등을 들 수 있으나， 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 반웅성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자는 히드록시기， 탄소수 1내지 10의 알킬렌 알코을， 에폭시， 아미노기， 티올기 또는 카르복실기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 반웅성 작용기가 1이상 치환된 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자를 포함할 수 있다.
상기 반웅성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자의 보다 구체적인 예로는 히드록시 기능성 실리콘 변성 폴리아크릴레이트를 들 수 있으며， 이의 상용 제품의 예로는 BYK SIL-CLEAN 3700 등을 들 수 있으나， 상기 고분자 첨가제의 구체적인 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
한편， 상기 제 1접착 필름 및 상기 제 2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수 있다. 상술한 제 1접착 필름 및 상기 게 2접착 필름 각각에 포함되는 광투광성 기재가 반도체 장치 또는 디스플레이 장치 등에서 캐리어 기판을 역할을 할 수도 있으나， 공정의 종류 및 제조 과정에서 요구되는 공정 조건 등에 따라서 선택적으로 광투광성 캐리어 기판이 추가로 포함될 수도 있다. 상기 광투광성 캐리어 기판의 종류가 크게 한정되는 것은 아니며， 예를 들어 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름을 사용할 수 있으며， 보다 구체적으로 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름을 사용할 수 있다.
한편， 상기 게 1접착 필름을 선택적으로 노광하여 상기 복수개의 소자칩을 선택적으로 전사하는 과정에서 보다 효율적인 전사를 위하여 제 2접착 필름의 접착층도 노광을 통하여 접착력을 부분적으로 달리하게 함으로서， 상기 선택적으로 노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 게 2접착 필름으로 전사하는 과정의 효율 및 정확도를 높일 수 있다.
보다 구체적으로， 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은， 상기 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에， 상기 선택적으로 노광된 상기 게 1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고ᅳ 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제 2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 게 2접착 필름의 접착층올 선택적으로 노광하는 단계에서는 상술한 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서 사용한 노광 방법 등을 사용할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 접착층의 선택적 노광부는 상기 소자칩에 대하여 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 가지게 되며， 이에 따라 상기 선택적으로 노광된 제 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 게 2접착 필름으로 전사하게 되고, 상기 선택적으로 비노광된 제 1접착제의 접착층과 상기 제 2접착 필름의 접착층의 선택적 노광부에 접촉했던 소자칩들은 상기 제 1접착 필름에 그대로 붙어 있을 수 있다.
한편， 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는 상기 제 2접착 필름으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상술한 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서 소자칩， 예들 들어 5 내지 300 의 크기를 갖는 마이크로 LED칩 등을 원하는 패턴 형상 및 크기로 전사할 수 있으며， 이에 따라 상기 제 2접착 필름으로 전사된 소자칩을 소정의 형상 및 크기로 설계된 인쇄 회로 기판으로 용이하게 전사할 수 있다.
상기 제 2접착 필름으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계에서는 통상적으로 알려진 장치 및 장비를 사용할 수 있으며， 예를 들어 이방성 전도성 필름과 제 2접착 필름과의 접착력 차이 또는 이방성 전도성 필름과 노광후 접착력이 감소된 게 2접착 필름과의 접착력 차이에 의해서도 전사 가능하다.
한편, 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계에서는 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 바로 결합시킬 수 있으며， 또한 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판에 접촉한 상태에서 상기 계 2접착 필름에서 소자가 결합된 반대면에서 자외선을 투과하여 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력을 낮춤으로서 상기 인쇄 회로 기판으로의 소자첩 전사를 보다 효율적으로 수행할 수 있다. 구체적으로， 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는, 상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 화로 기판이 접촉한 상태에서， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자첩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 인쇄 회로 기판의 구체적인 예가 한정되는 것은 아니며， 통상적인 RPCB 또는 FPCB를 사용할 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성될 수 있다. 이하에서는 도면을 바탕으로 발명의 구체적인 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에 관하여 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1에 나타난 바와 같이， 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 이동하여 ( 1) 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 1접착 필름의 접착층에 접하도록 하고 (2)， 상기 접착층의 접착력에 따라서 상기 웨이퍼에 형성된 복수개의 소자칩이 상기 제 1접착 필름의 접착층으로 전사될 수 있다 (3) . 상기 웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩은 각각 분획되고， 상기 제 1접착 필름의 접착층에 전사될 수 있을 정도의 강도로 웨이퍼와 결합하고 있다.
그리고， 소정의 형상 및 크기의 패턴이 형성된 포토마스크를 이용하여 자외선을 조사할 수 있으며， 이때 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면이 상기 포토마스크의 패턴에 따라 선택적으로 노광될 수 있다 (4) .
그리고, 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 제 1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면， 상기 노광된 게 1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 되며， 상기 게 2접착 필름의 접착층을 상기 제 1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때， 상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 게 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서， 상기 선택적으로 노광된 게 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 게 2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. 즉， 상기 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 2접착 필름의 접착층을 상기 제 1접착 필름 상에 전사되어 있는 복수개의 소자칩과 접촉하여 상기 노광부에 따라 선택적으로 전사할 수 있다 (도 1의 4 , 5 , 6) .
그리고, 상기 게 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩은 이방성 전도성 필름이 패턴에 따라 위치하는 인쇄 회로 기판과 접촉함으로서， 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판으로 전사될 수 있다 (도 1와 7 , 8 , 9) . . 한편， 도 2에 나타난 바와 같이， 상기 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는， 상기 마이크로 전기 소자의 전사 방법은， 상기 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에， 상기 선택적으로 노광된 상기 거 U접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제 2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광할 수 있다 (도 2의 4) .
이와 같이， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 제 2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광함에 따라서'， 상기 거 12접착 필름의 접착층의 선택적 노광부의 접착력은 낮아지게 되는데 , 상기 선택적으로 노광된 상기 제 1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용함에 따라서， 상기 선택적으로 노광된 게 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩은 상기 제 2접착 필름의 접착층의 선택적 비노광부와 접촉하게 된다. 도 2에서 나타난 바와 같이, 상기 선택적으로 노광된 상기 제 1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크는 상기 선택적으로 노광된 상기 제 1접착 필름의 노광 패턴과 반대의 노광 패턴을 제 2접착 필름의 접착층에 형성할 수 있는 포토마스크를 의미한다 .
한편， 도 2에 나타난 바와 같이，게 1반도체 필름 및 게 2반도체 필름 각각은 유리 또는 광투광성 고분자 수지 필름 등의 광투광성 캐리어 기판을 더 포함할 수도 있다. 한편， 도 3에 나타난 바와 같이， 상기 구현예의 마이크로 전기 소자의 전사 방법에서는, 상기 게 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사한 이후에， 상기 제 2접착 필름을 다시 사용하여 제 1접착 필름에 형성된 소자칩을 선택적으로 다시 전사할 수 있다. 이때 상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재의 하단에서는 포토 마스크가 이동하거나 다른 형상의 포토 마스크가 위치하여 이전에 미전사된 소자칩의 아래 부분에 접하는 게 1접착 필름의 접착층을 노광시킬 수 있다. 그리고， 도 1 및 도 2에서와 동일하게, 상기 복수개의 소자칩 중 전사의 대상이 되는 소자칩과 접하는 상기 게 1접착 필름의 접착층의 부분이 선택적으로 노광되면， 상기 노광된 게 1접착 필름의 접착층의 부분이 갖는 소자칩에 대한 접착력은 낮아지게 되며， 상기 제 2접착 필름의 접착층을 상기 제 1접착 필름 상에 위치한 복수개의 소자칩의 다른 일면에 접촉하였을 때， 상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 작게 됨에 따라서， 상기 선택적으로 노광된 게 1접착제의 접착층에 접촉했던 소자칩만을 제 2접착 필름으로 전사시킬 수 있다. 한편，. 도 4에 나타난 바와 같이， 제 2접착 필름의 접착충으로 선택적으로 전사된 소자칩 ( 1)은 인쇄 회로 기판에 접촉한 상태에서 상기 제 2접착 필름에서 소자가 결합된 반대면에서 자외선을 투과하여 (2) 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력을 낮춤으로서， 상기 소자칩이 인쇄 회로 기판으로 보다 용이하게 전사될 수 있다.
상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택작으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광함에 따라서, 상기 제 2접착 필름의 접착충의 접착력은 크게 낮아질 수 있으며 , 이에 따라 별도의 박리 공정이나 추가적인 전사을 위한 장치의 사용 없이도 상기 제 2접착 필름에서 인쇄 회로 기판으로 상기 소자칩을 용이하고 효율적으로 선택 전사할 수 있다.

Claims

【청구범위】
【청구항 1】
웨이퍼의 일면에 형성된 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 1접착 필름의 접착층으로 전사하는 단계 ;
상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계; 및
거 U접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 제 2접착 필름의 접착층과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계; 를 포함하며，
상기 소자칩은 마이크로 LED칩이며，
상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 게 2접착 필름의 접착층의 접착력 보다 크며，
상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 거 12접착 필름의 접착층의 접착력 보다 가으，
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 2】
거 U항에 있어서，
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 讓 이상인 ,
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 3】
제 1항에 있어서，
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 画 이상인，
마이크로 전기 소자의 전사 방법
【청구항 4]
게 1항에 있어서,
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부가 갖는 접착력이 50 gf / 25 睡 내지 800 gf / 25 麵 이고,
상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력이 50 gf I 25 mm 내지 800 gf / 25 隱 이며，
상기 소자칩에 대한 상기 제 1접착 필름의 접착층의 노광부가 갖는 접착력과 상기 소자칩에 대한 상기 제 2접착 필름의 접착층의 접착력 간의 차이가 5 gf / 25 隱 이상인，
마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 5】
제 1항에 있어서, .
상기 소자칩에 대한 상기 게 1접착 필름의 접착충의 노광부가 갖는 접착력이 1 gf / 25 隱 내지 100 gf / 25 匪 인， 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 게 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 전사된 복수개의 소자칩을 선택적으로 노광하는 단계는 5 내지 300 / m 크기의 미세 패턴이 형성된 포토 마스크를 사용하는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 7】
게 1항에 있어서，
상기 제 1접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 선택적으로 노광하는 단계에서는
상기 복수개의 소자칩이 전사된 접착층의 다른 일면을 10mJ/cm2 내지 10 , 000mJ/cm2 의 조사량으로 자외선을 조사하는 단계를 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
【청구항 8】
제 1항에 있어서,
상기 광투과성 기재는 300 내지 600 nm의 파장에 대한 투과율이 50%이상인 고분자 수지층인， 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 9】
제 1항에 있어서，
상기 제 1접착 필름의 접착층 및 상기 제 2접착 필름의 접착층 각각이 접착 바인더; 가교제; 및 광개시게;를 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
【청구항 10】
게 9항에 있어서，
상기 게 1접착 필름의 접착층 및 상기 게 2접착 필름의 접착층 각각은 (메타)아크릴레.이트계 작용기 및 비극성 작용기를 포함한 고분자， 불소를 1이상 포함하는 (메타)아크릴레이트계 고분자 및 반응성 작용기를 포함하는 실리콘 변성 (메타)아크릴레이트계 고분자로 이루어진 군에서 선택된' 1종 이상의 고분자를 포함하는 고분자 첨가제를 더 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법ᅳ
【청구항 111
게 1항에 있어서，
상기 제 1접착 필름 상의 복수개의 소자칩을 광투광성 기재와 상기 광투광성 기재 상에 형성된 접착층을 포함하는 게 2접착 필름의 접착충과 접촉시켜 선택적으로 전사하는 단계 이전에，
상기 선택적으로 노광된 상기 제 1접착 필름의 노광 패턴과 역상인 포토마스크를 이용하고， 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 자외선을 조사하여 상기 게 2접착 필름의 접착층을 선택적으로 노광하는 단계 ;를 더 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
【청구항 12]
제 11항에 있어서，
상기 선택적으로 노광된 상기 제 2접착 필름의 접착층은 상기 소자칩에 대하여 상기 제 1접착 필름의 접착층의 비노광부 보다 낮은 접착력을 갖는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
【청구항 13】
거 U항에 있어서，
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계를 더 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법.
【청구항 14】
제 13항에 있어서，
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩을 인쇄 회로 기판으로 전사하는 단계는，
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 인쇄 회로 기판이 접촉한 상태에서, 상기 제 2접착 필름의 광투과성 기재를 통하여 상기 선택적으로 전사된 소자칩이 결합된 접착층의 다른 일면을 노광하는 단계를 더 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
[청구항 15】
제 13항에 있어서，
상기 제 2접착 필름의 접착층으로 선택적으로 전사된 소자칩과 접하는 상기 인쇄 회로 기판의 일면에는 이방성 전도성 필름이 형성되는, 마이크로 전기 소자의 전사 방법ᅳ
【청구항 16】 제 1항에 있어서，
상기 마이크로 LED칩은 5 rn 내지 300 m 의 크기를 갖는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
【청구항 17]
거 U항에 있어서，
상기 게 1접착 필름 및 상기 게 2접착 필름 각각은 상기 광투광성 기재의 일면에 접하는 광투광성 캐리어 기판을 더 포함하는， 마이크로 전기 소자의 전사 방법 .
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