JP7272078B2 - 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法に関する。

近年、回路を有する回路基板に複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを配置した発光基板を用いた表示装置、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイが開発されている。マイクロＬＥＤディスプレイは、液晶ディスプレイ等に比べて、輝度、消費電力、応答速度、信頼性等の面で優れており、次世代の軽量且つ薄型のディスプレイとして注目されている。

従来、回路基板に発光ダイオードチップを配置する方法として、複数の突出部を有する粘着スタンプを用いた方法が知られている。この方法では、ウエハをダイシングして形成された複数の発光ダイオードチップを、粘着スタンプの複数の突出部の先端面にそれぞれ付着させ、付着した発光ダイオードチップを粘着スタンプで回路基板に押し付けて接合させる。

特表２０１７－５３１９１５号公報

ここで、発光ダイオードチップの寸法は非常に小さく、ウエハ上にはこのような発光ダイオードチップが密に並んでいる。このため、上述の方法で発光ダイオードチップを回路基板上に配置するには、突出部を、とりわけその先端面を、高い寸法精度で形成する必要がある。突出部の寸法精度が低いと、１つの突出部に対して複数の発光ダイオードチップが付着するなどして、発光ダイオードチップを回路基板上に所望のように配置することができず、発光基板の生産性が損なわれてしまうからである。

本発明は、以上の点を考慮してなされたものであって、発光ダイオードチップ有する発光基板の生産性を向上させることを目的とする。

本発明の保持部材は、複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
二次元配列された第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第１領域に設けられた複数の突出部と、
前記基材の前記一方の側の面上であって前記第２領域内に設けられた遮光部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える。

本発明の保持部材において、前記遮光部は導電性を有していてもよい。

この場合、前記遮光部のシート抵抗が、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下であってよい。

あるいは、本発明の保持部材は、複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
二次元配列された第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有する透光性の基材と、
前記基材の一方の側の面上であって前記第１領域に設けられた複数の遮光部と、
前記遮光部上に設けられた突出部と、
前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
を備える。

本発明の保持部材において、
前記複数の遮光部を接続する接続部を更に備え、
前記遮光部および前記接続部は導電性を有していてもよい。

この場合、前記遮光部および前記接続部は同一の厚みを有していてもよい。

また、前記遮光部および前記接続部は一体的に成形されていてもよい。

また、前記遮光部および前記接続部のシート抵抗が、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下であってもよい。

また、前記基材の一方の側の面の法線方向に沿った前記突出部の厚みは、前記遮光部の厚みよりも厚くてもよい。

また、前記突出部の厚みは５μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。

また、前記突出部の厚みの前記突出部の最大幅に対する比は、０．１以上１０以下であってもよい。

また、前記遮光部は、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、銅合金、若しくは、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物、又は、黒色顔料を含んでいてもよい。

また、前記黒色顔料は、カーボンブラック又はチタンブラックを含んでいてもよい。

また、前記遮光部の厚み方向の光学濃度（ＯＤ）値が１．０以上であってもよい。

また、本発明の転写部材は、
上記保持部材と、
各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、
を備える。

また、本発明の保持部材の製造方法は、複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
二次元配列された第１領域と前記第１領域以外の第２領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第２領域内に遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように、感光性材料を含んだ感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第１領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記感光性膜の前記露光された部分からなる突出部を形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む。

本発明による保持部材の製造方法において、前記遮光部は導電性を有していてもよい。

あるいは、本発明の保持部材の製造方法は、複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
二次元配列された第１領域と前記第１領域以外の第２領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第１領域に複数の遮光部を形成する工程と、
前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように、感光性材料を含んだ感光性膜を設ける工程と、
前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第２領域に対面する部分を露光する工程と、
前記感光性膜を現像して、前記遮光部の前記一方の側に位置する突出部を前記感光性膜から形成する工程と、
前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
を含む。

本発明による保持部材の製造方法において、
前記複数の遮光部を形成する工程において、前記複数の遮光部を接続する接続部を形成し、
前記遮光部および前記接続部は、導電性を有してもよい。

この場合、前記複数の遮光部を形成する工程において、前記基材の前記一方の側の面上に設けられた遮光膜をパターニングすることで、前記遮光部および前記接続部を一体的に成形してもよい。

また、本発明による転写部材の製造方法は、
ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を上記保持部材の前記粘着層に接触させて、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記複数の突出部に保持させる工程を含む。

また、本発明による発光基板の製造方法は、
上記転写部材を、回路基板上に異方性導電性粘着層またははんだ層を介して配置して、発光ダイオードチップを前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層に接触させる工程と、
前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層を介して各発光ダイオードチップと前記回路基板とを接合させる工程と、
前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程と、
を含む。

本発明による発光基板の製造方法において、
前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記転写部材を前記回路基板に向けて押圧して各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含んでいてもよい。

あるいは、前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の後に、前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記回路基板に向けて押圧して、各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含んでいてもよい。

また、前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記粘着層の粘着性を低下させる工程を更に含んでいてもよい。

本発明によれば、発光ダイオードチップを有する発光基板の生産性を高めることができる。

図１は、発光ダイオードチップを有する発光基板を用いた表示装置を示す分解斜視図である。 図２は、発光ダイオードチップを有する発光基板の平面図である。 図３は、図２の発光基板の一部を拡大して示す図である。 図４は、図２に示す発光基板のＩ－Ｉ線に沿った縦断面図である。 図５は、転写部材の平面図である。 図６は、図５に示す転写部材のＩＩ－ＩＩ線に沿った縦断面図である。 図７は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図８は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図９は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１０は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１１は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１２は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１３は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１４は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１５は、保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図１６は、ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を示す平面図である。 図１７は、転写部材の製造方法を説明するための図であって、チップ基板とチップ基板に対向して配置された保持部材とを示す平面図である。 図１８は、転写部材の製造方法を説明するための図であって、チップ基板とチップ基板に粘着層を接触させた保持部材とを示す縦断面図である。 図１９は、転写部材の製造方法を説明するための図であって、チップ基板と発光ダイオードチップを保持しチップ基板から離間された保持部材とを示す縦断面図である。 図２０は、発光基板の製造方法を説明するための図であって、回路基板と回路基板に押圧された転写部材とを示す縦断面図である。 図２１は、発光基板の製造方法を説明するための図であって、回路基板に接合した発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップが粘着層から剥離された保持部材とを示す縦断面図である。 図２２は、発光ダイオードチップを回路基板の全域に配置する方法を説明するための図であって、回路基板と回路基板の第１領域に位置決めされた転写部材とを示す平面図である。 図２３は、保持部材の変形例を示す平面図である。 図２４は、図２３に示す保持部材のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿った縦断面図である。 図２５は、図２３に示す保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図２６は、図２３に示す保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図２７は、図２３に示す保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。 図２８は、比較例による保持部材の製造方法を説明するための縦断面図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

また、「シート面（板面、フィルム面）」とは、対象となるシート状（板状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となるシート状部材（板状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件ならびにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

図１は、表示装置１を概略的に示す分解斜視図である。表示装置１は、表示面５に画像等を表示する。図１に示された例において、表示装置１は、発光基板１０と、発光基板１０に対向して配置された拡散層７と、を有している。拡散層７の発光基板１０に対向する側とは反対側の面が、表示装置１の表示面５となっている。表示装置１は、１つ又は複数の発光ダイオード５０から発光した光を１つの画素として用いている、いわゆるマイクロＬＥＤディスプレイである。拡散層７は、発光基板１０で発光した光を拡散層７で拡散する。ただし、表示装置１の構成としては、図１に示すものに限られない。例えば、表示装置１は、拡散層７を有していなくてもよい。

発光基板１０は、表示面５に表示する画像を形成する光を発光する。図２は、発光基板１０の一部を示す平面図であり、図３は、図２の発光基板１０の一部を拡大して示す平面図である。また、図４は、図２に示す発光基板１０のＩ－Ｉ線に沿った縦断面の一部を示している。

図２に示すように、発光基板１０は、回路基板１１と、回路基板１１上に規則的に二次元配列された複数のマイクロ発光ダイオードチップ５０（以下、単に「発光ダイオードチップ」とも呼ぶ）と、を有している。回路基板１１は、後述する転写部材３５の発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に配置する工程において、転写部材３５を回路基板１１に対して位置決めするための位置決め手段を有している。図２に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ１である。ただし、位置決めマークＭ１の形状としてはこれに限られず、例えば四角形、三角形、丸等、種々の形状を採用可能である。位置決めマークＭ１は、回路基板１１を一定の間隔で区画する領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，・・，Ｒｎ（図２２参照）毎に、回路基板１１の発光ダイオードチップ５０が配置される面上に複数設けられている。また、図３に示すように、回路基板１１は、回路１３を有している。図４に示すように、回路基板１１の発光ダイオードチップ５０が配置される位置には、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接着させるための異方性導電性粘着層１２が形成されている。さらに、図４に示すように、各発光ダイオードチップ５０は、２つの電極５１を有している。発光ダイオードチップ５０は、電極５１を介して、回路１３に電気的に接続している。回路１３に流れる電流を制御して２つの電極５１の間に電圧を印加することで、任意の発光ダイオードチップ５０を発光させることができる。発光ダイオードチップ５０の発光の組み合わせにより、表示装置１が表示する画像を形成することができる。

発光ダイオードチップ５０から発光する光の波長は、発光ダイオードチップ５０を構成する半導体材料等によって決定される。発光ダイオードチップ５０は、例えばＧａＡｓ系化合物半導体、ＩｎＰ系化合物半導体やＧａＮ系化合物半導体を含んでいる。平面視における発光ダイオードチップ５０の寸法は、例えば１辺が３μｍ以上１０００μｍ以下の矩形形状とすることができ、発光ダイオードチップ５０の厚みは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下とすることができる。

図示された例では、発光ダイオードチップ５０は、波長域６２０ｎｍ～６８０ｎｍの赤色の光を発光する第１発光ダイオードチップ５０Ｒと、波長域５３０ｎｍ～５７０ｎｍの緑色の光を発光する第２発光ダイオードチップ５０Ｇと、波長域４４０ｎｍ～４８０ｎｍの青色の光を発光する第３発光ダイオードチップ５０Ｂと、を含んでいる。互いの近傍に配置された第１発光ダイオードチップ５０Ｒ、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂが、表示装置１の１つの画素を形成している。このため、発光基板１０は、フルカラーで表示する画像を形成する光を発光することができる。

発光基板１０は、回路基板１１の回路１３が形成された位置に発光ダイオードチップ５０を配置することで製造される。本実施の形態では、複数の発光ダイオードチップ５０が配置された発光基板１０の生産性を向上させるために、図５および図６に示すような転写部材３５が用いられる。図５は、転写部材３５の平面図であり、図６は、図５に示す転写部材３５のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。転写部材３５は、複数の突出部３２を有する保持部材３０と、各突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０と、を含む。このような転写部材３５を使用して複数の発光ダイオードチップ５０を一括して回路基板１１に配置することにより、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

以下、保持部材３０について、図５及び図６を参照しつつ説明する。

保持部材３０は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持して、一括で回路基板１１に配置することを可能にする部材である。保持部材３０は、透光性の基材３１と、基材３１の一方の側の面３１ａ上に配列された複数の突出部３２と、突出部３２の先端面にそれぞれ設けられた粘着層３３と、を備えている。また、保持部材３０は、基材３１の一方の側の面３１ａ上に遮光部３４を有している。

基材３１は、後述する発光ダイオードチップ５０を複数の突出部３２に保持させる工程、および、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に配置する工程において、チップ基板４０と保持部材３０とを位置決めするための、および、回路基板１１と保持部材３０とを位置決めするための位置決め手段を有している。図５に示す例では、位置決め手段は、十字型の位置決めマークＭ２である。ただし、位置決めマークＭ２の形状としてはこれに限られず、例えば四角形、三角形、丸等、種々の形状を採用可能である。また、位置決めマークＭ２の観察を容易にするために、基材３１は、単に透光性を有するだけでなく、透明であることが好ましい。図示された例では、基材３１は、透明なガラスで形成されている。

なお、透光性を有するとは、基材を通してマークを目視で確認し得る程度の透光性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。また、透明とは、当該基材を介して当該基材の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ－３１００ＰＣ」、ＪＩＳ Ｋ ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ～７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。

基材３１の平面視における面積は、後述する複数の発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０に対応する大きさである。基材３１の厚みは、突出部３２の適切な支持性等を考慮すると、０．０５ｍｍ以上５ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。

基材３１は、規則的に二次元配列された第１領域３１１と、第１領域３１１以外の第２領域３１２と、を有している。第１領域３１１の規則的な二次元配列は、回路基板１１上に配置される複数の発光ダイオードチップ５０の規則的な二次元配列に対応している。図示された例では、基材３１の一方の側の面３１ａ上かつ第１領域３１１には、複数の突出部３２が設けられている。また、基材３１の一方の側の面３１ａ上かつ第２領域３１２内には、遮光部３４が設けられている。

遮光部３４は、遮光性を有している。図５から理解されるように、基材３１の平面視において、第１領域３１１は遮光部３４によって囲まれている。後述するように、このような遮光部３４によって、突出部３２を精度よく形成することができる。なお、図示された例では、遮光部３４は、その厚み方向の光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ（ＯＤ））値が１．０以上である。光学濃度にて表されるＯＤ値は、例えば、分光測色計により測色し、分光のＹ値から光学濃度を算出することができる。分光測色計には、例えば、ＯＬＹＭＰＡＳ（株）製の分光測色計を用いることができる。

なお、図示された例では、遮光部３４は、基材３１の第２領域３１２の全てを覆っていない。図５に示す例では、遮光部３４は、基材３１の平面視において位置決めマークＭ２と重なる領域には設けられていない。これにより、遮光部３４によって位置決めマークＭ２，Ｍ３あるいはＭ２，Ｍ１の観察が阻害される、ということが防止される。

以上のような遮光部３４は、基材３１の一方の側の面３１ａ上に形成された遮光膜６０を、フォトリソグラフィ技術を用いて加工することにより、形成することができる。

図示された例では、遮光部３４は、導電性を有している。これにより、後述するように、発光基板１０の製造工程において、保持部材３０に帯電した静電気によって発光ダイオードチップ５０が静電破壊されてしまうことが防止される。なお、遮光部３４のシート抵抗は、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下であることが好ましい。

遮光部３４を形成するための導電性を有する材料としては、例えば、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、若しくは銅合金、又は、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物を含む材料を採用することができる。なお、遮光部３４は導電性を有さない材料で形成されてもよく、例えば黒色顔料を含む材料で形成されてもよい。この場合、黒色顔料を含む材料として、カーボンブラックやチタンブラック等を含む材料が採用可能である。もちろん、遮光部３４は、導電性を有する黒色顔料で形成されてもよい。

突出部３２は、後述する粘着層３３を介して、発光ダイオードチップ５０を保持する部分である。図６に示すように、突出部３２は、全体として、基材３１の一方の側の面３１ａから当該面３１ａの法線方向に突出している。突出部３２の平面視における寸法は、発光ダイオードチップ５０の寸法以下であることが好ましい。図示された例では、突出部３２の平面視における寸法は、発光ダイオードチップ５０の寸法に等しい。

図６に示すように、突出部３２は、基材３１の一方の側の面３１ａ上かつ第１領域３１１に設けられている。したがって、基材３１の当該面３１ａ上には、複数の突出部３２が、回路基板１１上に配置される複数の発光ダイオードチップ５０の規則的な二次元配列に対応して、規則的に二次元配列されている。言い換えると、複数の突出部３２の保持部材３０における配列間隔および配列パターンは、当該複数の突出部３２に保持される複数の発光ダイオードチップ５０が回路基板１１上で配列されるべき配列間隔および配列パターンと同一となっている。突出部３２は、第１方向ｄ１にピッチｐ１ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ１ｙで配列されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ１ｘ、ｐ１ｙは、例えば５０μｍ以上８７０μｍ以下である。

基材３１の一方の側の面３１ａの法線方向に沿った突出部３２の厚みＴ１は、当該法線方向に沿った遮光部３４の厚みよりも厚い。また、突出部３２の厚みＴ１は、発光ダイオードチップ５０の厚みより厚いことが好ましく、例えば５μｍ以上５００μｍ以下である。図示された例では、突出部３２の厚みＴ１の突出部３２の最大幅Ｗ（図５参照）に対する比は、０．１以上１０以下である。

以上のような突出部３２は、後述するように、基材３１の一方の側の面３１ａ上に設けられた感光性膜６５にフォトリソグラフィ技術を利用して加工を施すことにより、形成することができる。

なお、突出部３２は、柔軟性を有していることが好ましい。これにより、後述するように、複数の突出部３２の厚みＴ１が均一でなくても、複数の突出部３２をチップ基板４０に接触させて、各突出部３２に発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。また、複数の突出部３２に保持された複数の発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上に一括して配置することができる。具体的には、突出部３２のヤング率は、１０ＧＰａ以下であることが好ましく、５ＧＰａ以下であることがより好ましい。

粘着層３３は、粘着性を有している。なお、本明細書において、粘着性とは、粘り着く性質のことであり、接着性と区別しない。図示された例では、粘着層３３の材料として、粘着性を加熱によって低下させることができる材料が用いられている。もちろん、粘着層３３の材料としては、これに限られず、例えば粘着性を冷却や紫外線照射によって低下させることができる材料が用いられてもよい。このような材料を用いることにより、後述するように、発光基板１０の製造工程において粘着層３３の粘着性を適宜変化させて、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に効率的に配置することができる。粘着性を加熱や冷却、紫外線照射によって低下させることができる材料としては、例えばアクリル系粘着剤が挙げられる。粘着層３３の厚みは、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下である。

（保持部材の製造方法）
次に、以上のような保持部材３０の製造方法について、図７乃至図１５を参照しつつ説明する。

（遮光部の作製）
まず、基材３１の一方の側の面３１ａ上に、遮光部３４を形成する。具体的には、図７に示すように、基材３１の一方の側の面３１ａ上に、遮光部３４を形成するようになる遮光膜６０を成膜する。遮光膜６０の成膜は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、電界めっき法及び無電界めっき法を含むめっき法、ＣＶＤ法や、金属箔の積層等により行うことができる。

なお、遮光膜６０の材料は、既に説明した遮光部３４の材料を用いることができる。すなわち、遮光膜６０に用いられる材料として、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、銅合金、若しくは、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物を含む材料、又は、黒色顔料を含む材料を採用することができる。

次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、基材３１上の遮光膜６０を図５に示す遮光部３４のパターンにパターニングする。

具体的には、まず、図８に示すように、遮光膜６０上に感光性材料を含むマスク用感光性膜６１を設ける。ここでは、マスク用感光性膜６１は、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。マスク用感光性膜６１の具体的な感光特性が特に限られることはない。例えば、マスク用感光性膜６１として、光硬化型の感光性材料が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光性材料が用いられてもよい。ここでは、マスク用感光性膜６１として光硬化型の感光性材料が用いられる例を説明する。

次に、図９に示すように、マスク用感光性膜６１上にマスク６２を配置する。マスク６２は、各々が光を遮蔽する複数の遮光部６２１と、光を通過させる透過部６２２と、を含んでいる。遮光部６２１は、基材３１の第１領域３１１に対応して規則的に二次元配列されている。マスク６２は、遮光部６２１が基材３１の第１領域３１１に対面し、透過部６２２が基材３１の第２領域３１２に対面するように配置される。その後、図９に示すように、光を、マスク６２を介してマスク用感光性膜６１に照射する。この結果、マスク用感光性膜６１がマスク６２に対応したパターンで露光される。言い換えると、マスク用感光性膜６１のうち、基材３１の第２領域３１２に対面する部分が露光される。

次に、露光されたマスク用感光性膜６１を現像する。具体的には、マスク用感光性膜６１に対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、マスク用感光性膜６１を現像する。これにより、図１０に示すように、マスク用感光性膜６１のうち光が照射されていない部分が除去され、マスク用感光性膜６１が基材３１の第１領域３１１の二次元配列に対応したパターンにパターニングされる。この結果、遮光膜６０の一方の側の面上には、マスク用感光性膜６１が基材３１の第１領域３１１の二次元配列に対応するパターンでパターニングされてなるレジストパターン６３が形成される。

その後、図１１に示すように、レジストパターン６３をマスクとして、遮光膜６０をエッチングする。このエッチングにより、遮光膜６０は、基材３１の第１領域３１１の二次元配列に対応したパターンにパターニングされる。エッチング方法は特に限られることはなく、エッチング液を用いるウェットエッチングや、プラズマエッチングなどが適宜用いられる。ウェットエッチングが採用されている場合、遮光膜６０を構成する材料を溶解させることができるエッチング液が適宜選択される。例えば、塩化第２鉄水溶液、塩素等をエッチング液として用いることができる。

次に、レジストパターン６３を除去する。これによって、図１１に示すように、パターニングされた遮光膜６０によって形成された遮光部３４が、基材３１の一方の側に露出する。以上により、基材３１の一方の側の面３１ａ上に、図５に示すパターンにパターニングされた遮光部３４が形成される。

（突出部の作製）
次に、突出部３２を作製する。まず、図１２に示すように、突出部３２を構成するようになる感光性膜６５を、基材３１および遮光部３４に設ける。感光性膜６５は、基材３１および遮光部３４を、その一方の側から覆うように設けられる。感光性膜６５は、遮光部３４と基材３１の第１領域３１２とに密着して形成される。ここでは、感光性膜６５は、感光性材料を含み、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光性膜６５の具体的な感光特性が特に限られることはない。例えば、感光性膜６５として、光硬化型の感光性材料が用いられてもよく、若しくは、光溶解型の感光性材料が用いられてもよい。ここでは、感光性膜６５として光硬化型の感光性材料が用いられる例を説明する。

なお、上述した厚みＴ１の突出部３２を作製する観点から、感光性膜６５の厚みは、例えば５μｍ以上５００μｍ以下とすることが好ましい。

次に、図１３に示すように、基材３１の他方の側から光を照射する。これによって、感光性膜６５は、遮光部３４をマスクとして露光される。具体的には、基材３１に入射した光のうち、第１領域３１１に入射した光は感光性膜６５に入射し、第２領域３１２に入射した光は遮光部３４によって遮蔽される。

ここで本実施の形態によれば、感光性膜６５は、遮光部３４と基材３１の第１領域３１２とに密着している。これにより、基材３１の第１領域３１１を通過した光が感光性膜６５に入射するまでの間に拡散することが防止される。言い換えると、基材３１の第１領域３１１を通過した光が感光性膜６５のうち基材３１の第２領域３１２に対面する部分に入射する、ということを効果的に抑制することができる。したがって、感光性膜６５を、遮光部３４のパターンに対応したパターンで精度よく露光することができる。

次に、露光された感光性膜６５を現像する。具体的には、感光性膜６５に対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、感光性膜６５を現像する。これにより、図１４に示すように、感光性膜６５のうち光が照射されていない部分が除去され、感光性膜６５が遮光部３４のパターンに対応してパターニングされる。この結果、感光性膜６５が基材３１の第１領域３１１に対応したパターンにパターニングされてなる突出部３２が、基材３１の一方の側の面３１ａ上に形成される。

その後、図１５に示すように、突出部３２の先端面（一方の側となる面）に、上述した粘着剤を塗布する。これにより、突出部３２の先端面上に粘着層３３が形成される。

（転写部材の製造方法）
次に、以上のような保持部材３０に発光ダイオードチップ５０を保持させてなる転写部材３５の製造方法について、図１６乃至図１９を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、保持部材３０に第１発光ダイオードチップ５０Ｒが保持された転写部材３５の製造方法について説明する。

まず、図１６に示すように、一方の側の面上にダイシングされた複数の発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）を有するチップ基板４０を用意する。チップ基板４０は、ダイシングされたウエハ自体であってもよいし、ダイシングされたウエハから発光ダイオードチップ５０を仮転写した基板であってもよい。チップ基板４０は、チップ基材４１と、チップ基材４１上に配置された複数の発光ダイオードチップ５０と、を有している。また、チップ基板４０は、保持部材３０を位置決めするための位置決め手段を有している。図１６に示す例では、位置決め手段は、十字型の複数の位置決めマークＭ３である。ただし、位置決めマークＭ３の形状としてはこれに限られず、例えば四角形、三角形、丸等、種々の形状を採用可能である。

図示されたチップ基板４０において、各発光ダイオードチップ５０の上記２つの電極５１は、チップ基材４１の側に位置している。また、発光ダイオードチップ５０は、チップ基材４１上において、第１方向ｄ１にピッチｐ２ｘで配列されており、第１方向ｄ１に非平行な第２方向ｄ２にピッチｐ２ｙで配列されている。すなわち、発光ダイオードチップ５０は、ウエハを第１方向ｄ１及び第２方向ｄ２にダイシングすることで形成されている。なお、図示された例において、第１方向ｄ１と第２方向ｄ２は、互いに直交している。ピッチｐ２ｘ、ｐ２ｙは、例えば５μｍ以上２００μｍ以下である。

ここで、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、保持部材３０の複数の突出部３２の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘとなっている。同様に、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、保持部材３０の複数の突出部３２の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙとなっている。突出部３２の配列間隔および配列パターンが回路基板１１上で配列される複数の発光ダイオードチップ５０の配列間隔および配列パターンと同一となっているため、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍が、回路基板１１上での、ある発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第１方向ｄ１における配列のピッチの整数倍となっており、第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍が、回路基板１１上での、ある発光ダイオードチップ５０（第１発光ダイオードチップ５０Ｒ）の第２方向ｄ２における配列のピッチの整数倍となっている。

次に、図１７に示すように、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０が配置された側の面と、保持部材３０の突出部３２の側と、を対面させる。なお、図１７では、図示の明確化のため、遮光部３４の図示を省略している。その後、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めを行う。位置決めは、保持部材３０の基材３１が有する位置決め手段と、チップ基板４０が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な例として、保持部材３０の基材３１が有する位置決めマークＭ２と、チップ基板４０が有する位置決めマークＭ３とを一致させることで、位置決めが行われる。位置決めマークＭ２とＭ３とが一致していることは、例えば、保持部材３０の突出部３２が配列された側とは反対の側に配置されたカメラ８０（図１８参照）によって、確認することができる。ここで、図示された例では、基材３１は透明であり、基材３１の位置決めマークＭ２が設けられた領域には遮光部３４が形成されていない。これにより、基材３１の突出部３２が配列された側とは反対側から、基材３１を介して、位置決めマークＭ２及びＭ３を確認することが可能である。

なお、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めは、保持部材３０が有する位置決め手段及びチップ基板４０が有する位置決め手段のいずれか一方のみによって行われてもよい。

次に、図１８に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とを接近させて、チップ基板４０を保持部材３０の粘着層３３に接触させる。チップ基板４０が粘着層３３に接触すると、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０が対向する突出部３２の粘着層３３に粘着する。これにより、発光ダイオードチップ５０は、突出部３２に保持される。保持部材３０が複数の突出部３２を有していることにより、保持部材３０には複数の発光ダイオードチップ５０が保持される。その後、図１９に示すように、保持部材３０をチップ基板４０から離間させる。以上により、図５および図６に示す転写部材３５が製造される。

上述した例では、発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを保持部材３０に保持させる方法について説明したが、第２発光ダイオードチップ５０Ｇ及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂも、同様の工程によってそれぞれ別の保持部材３０に保持させることができる。

なお、突出部３２を発光ダイオードチップ５０に接触させる際、粘着層３３の粘着性を加熱等により低下させることなく、粘着性が高い状態で突出部３２を発光ダイオードチップ５０に接触させる。これにより、突出部３２から発光ダイオードチップ５０に高い押圧力を付与しなくても、突出部３２に発光ダイオードチップ５０を粘着させて保持させることができる。したがって、突出部３２から高い押圧力が付与されて発光ダイオードチップ５０が破壊されてしまう、ということが防止される。

さらに、突出部３２が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３２のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、保持部材３０の複数の突出部３２の厚みＴ１が均一でなくても、全ての突出部３２の粘着層３３をチップ基板４０上の発光ダイオードチップ５０に接触させることができる。すなわち、突出部３２が柔軟性を有しているため、保持部材３０からチップ基板４０に向けて押圧力を付与することで、厚みＴ１の大きい突出部３２を屈曲させることができる。これにより、保持部材３０の全ての突出部３２の粘着層３３をチップ基板４０に接触させることができる。したがって、保持部材３０の全ての突出部３２にチップ基板４０の発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。この結果、保持部材３０の全ての突出部３２を、発光ダイオードチップ５０を保持するために有効に利用することができる。

また、突出部３２が柔軟性を有していることにより、チップ基板４０の発光ダイオードチップ５０を突出部３２に接触させための押圧力を、突出部３２と接触している全ての発光ダイオードチップ５０に均一に付与することができる。したがって、突出部３２から一部の発光ダイオードチップ５０に高い押圧力が付与されて当該発光ダイオードチップ５０が破壊されてしまう、ということが防止される。

また、図１７に示すように、チップ基板４０と保持部材３０とが位置決めされていること、及び突出部３２の平面視における寸法が発光ダイオードチップ５０の寸法に等しくなっていることで、１つの突出部３２に対して１つの発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。さらに、図１７に示すように、保持部材３０の複数の突出部３２の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ１ｘがチップ基板４０の発光ダイオードチップ５０の第１方向ｄ１における配列のピッチｐ２ｘの整数倍（図示された例では６倍）であることから、第１方向ｄ１において保持部材３０の全ての突出部３２に対して１つの発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。同様に、保持部材３０の複数の突出部３２の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ１ｙがチップ基板４０の発光ダイオードチップ５０の第２方向ｄ２における配列のピッチｐ２ｙの整数倍（図示された例では６倍）であることから、第２方向ｄ２において保持部材３０の全ての突出部３２に対してそれぞれ１つの発光ダイオードチップ５０を保持させることができる。

なお、上述したように、本実施の形態の保持部材３０は、突出部３２を所望のパターンで精度よく形成するための工夫がなされている。具体的には、保持部材３０の製造工程において、突出部３２を形成するための感光性膜６５は、遮光部３４と基材３１の第１領域３１１とに密着して成膜される。これにより、遮光部３４を介して感光性膜６５を露光する際、基材３１の第１領域３１１を通過した光が感光性膜６５のうち基材３１の第２領域３１２に対面する部分に入射する虞が著しく低減される。したがって、感光性膜６５を、遮光部３４のパターンに対応したパターンで精度よく露光することができ、突出部３２を当該パターンで精度よく形成することができる。これにより、平面視における寸法が発光ダイオードチップ５０の寸法以下となる突出部３２を形成することが容易である。このようにして形成された突出部３２を有する保持部材３０は、１つの突出部３２に対して１つの発光ダイオードチップ５０を保持させることが容易である。

なお、突出部３２の形成方法としては、以下のような方法も考えられる。すなわち、２８に示すように、基材３１の一方の側の面３１ａ上に感光性膜６５を成膜し、感光性膜６５の一方の側の面に対面して遮光部３４と同様のマスク３３４を配置する。そして、このマスク３３４を介して感光性膜６５の一方の側から光を照明することにより、突出部３２を作製する。しかしながら、この場合、硬化前の感光性膜６５がマスク３３４に付着することを防止するため、あるいは、露光されて溶解した感光性膜６５がマスク３３４に付着することを防止するため、マスク３３４を感光性膜６５から離間して配置する必要がある。マスク３３４を感光性膜６５から離間して配置すると、マスク３３４を通過した光が感光性膜６５に入射する前に拡散して、感光性膜６５を、マスク３３４に対応したパターンに精度良く露光することができない。この結果、突出部３２の平面視における寸法が、所望の寸法よりも著しく大きくなってしまう。この結果、突出部３２の先端面の寸法が発光ダイオードチップ５０の平面視における寸法よりも大きくなって１つの突出部３２に複数の発光ダイオードチップ５０が保持される、という虞が生じる。なお、１つの突出部３２に複数の発光ダイオードチップ５０が保持されると、発光ダイオードチップ５０を所望のように回路基板１１上に配置することができない。このことは、発光基板１０の生産性を低下させてしまう。

（発光基板の製造方法）
次に、転写部材３５の発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に配置して発光基板１０を製造する方法について、図２０乃至図２２を参照しつつ説明する。以下の説明では、一例として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に配置する方法について説明する。

まず、図２０に示すように、回路基板１１の回路１３が形成された側の面と、転写部材３５の発光ダイオードチップ５０が保持された側の面と、を対面させる。その後、図２２に示すように、回路基板１１の第１領域Ｒ１と転写部材３５との位置決めを行う。位置決めは、例えば回路基板１１が有する位置決め手段と、転写部材３５（保持部材３０）が有する位置決め手段と、に基づいて行われる。具体的な一例として、位置決めは、回路基板１１が有する位置決めマークＭ１と、転写部材３５（保持部材３０）の基材３１が有する位置決めマークＭ２とを一致させることで、行われる。位置決めマークＭ１，Ｍ２が一致していることは、転写部材３５の発光ダイオードチップ５０が保持された側とは反対側に配置されたカメラ９０（図２０参照）によって、確認することができる。上述したように、図示された例では、基材３１が透明であり、基材３１の位置決めマークＭ２が設けられた領域には遮光部３４が形成されていない。このため、転写部材３５の発光ダイオードチップ５０が保持された面とは反対側から、基材３１を介して、位置決めマークＭ１，Ｍ２を確認することができる。

なお、回路基板１１と転写部材３５（保持部材３０）との位置決めに用いられる基材３１が有する位置決めマークＭ２は、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークと同一であってもよいし、チップ基板４０と保持部材３０との位置決めに用いられた位置決めマークとは異なる位置決めマークであってもよい。

次に、図２０に示すように、転写部材３５を回路基板１１の第１領域Ｒ１に接近させて、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上に設けられた異方性導電性粘着層１２に接触させる。その後、転写部材３５を回路基板１１に向けて押圧し、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１に接合させる。回路基板１１と転写部材３５（保持部材３０）とが位置決めされているため、回路基板１１の回路１３が設けられた位置に発光ダイオードチップ５０を接合して、当該回路１３と発光ダイオードチップ５０とを電気的に接続することができる。

ここで、突出部３２が柔軟性を有しているため、具体的には突出部３２のヤング率が１０ＧＰａ以下、より好ましくは５ＧＰａ以下であるため、転写部材３５（保持部材３０）の複数の突出部３２の厚みＴ１が均一でなくても、全ての突出部３２上の発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１に接合させることができる。すなわち、突出部３２が柔軟性を有しているため、転写部材３５（保持部材３０）から回路基板１１に向けて押圧力を付与することで、厚みＴ１の大きい突出部３２を屈曲させることができる。これにより、転写部材３５の全ての発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１に接合させることができる。

また、突出部３２が柔軟性を有していることにより、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合させための押圧力を、突出部３２に保持された全ての発光ダイオードチップ５０に均一に付与することができる。したがって、突出部３２から一部の発光ダイオードチップ５０に高い押圧力が付与されて、当該発光ダイオードチップ５０が破壊されてしまう、ということが防止される。

次に、転写部材３５（保持部材３０）を回路基板１１に押圧している状態で、異方性導電性粘着層１２を加熱する。異方性導電性粘着層１２が加熱されることで、回路基板１１と発光ダイオードチップ５０とが接着される。また、異方性導電性粘着層１２によれば、押圧方向に導電性を発現することができる。したがって、発光ダイオードチップ５０の各電極５１を、押圧方向に対向する回路１３と電気的に接続することができる。

また、このとき、発光ダイオードチップ５０を保持する突出部３２も加熱されて、粘着層３３の粘着性が低下する。これにより、異方性導電性粘着層１２の粘着性が粘着層３３の粘着性に勝る。この結果、突出部３２から発光ダイオードチップ５０に高い押圧力を付与しなくても、発光ダイオードチップ５０を異方性導電性粘着層１２に粘着させることができる。したがって、突出部３２から高い押圧力が付与されて発光ダイオードチップ５０が破壊されてしまう、ということが防止される。なお、粘着層３３の粘着性を低下させる工程は、異方性導電性粘着層１２を加熱する工程とは別の工程であってもよい。すなわち、粘着層３３を加熱する熱源は、異方性導電性粘着層１２を加熱する熱源とは別の熱源であってもよい。また、粘着層３３の粘着性が紫外線照射によって低下する場合は、粘着層３３に紫外線を照射することにより粘着層３３の粘着性を低下させてもよい。さらに、粘着層３３の粘着性が冷却によって低下する場合は、粘着層３３を冷却することにより粘着層３３の粘着性を低下させてもよい。

その後、図２１に示すように、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離しながら、保持部材３０を回路基板１１から離間させる。以上により、保持部材３０に保持された複数の発光ダイオードチップ５０が、回路基板１１の第１領域Ｒ１に一括で配置される。

さらに、図１６乃至図１９に示す工程を繰り返して、再び保持部材３０に発光ダイオードチップ５０を保持させ、転写部材３５を製造する。そして、図２０及び図２１に示す工程と同様の工程を繰り返して、保持部材３０を回路基板１１の第２領域Ｒ２に位置決めして押圧し、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合させる。以上の工程を回路基板の各領域Ｒ３，・・Ｒｎについて繰り返すことにより、回路基板１１の全域に発光ダイオードチップ５０を配置することができる。

上述した例では、発光ダイオードチップ５０として、第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写する方法について説明した。この工程と同様の工程を、第２発光ダイオードチップ５０Ｇを保持する別の転写部材３５及び第３発光ダイオードチップ５０Ｂを保持するさらに別の転写部材３５についても行うことで、回路基板１１に３種の発光ダイオードチップ５０を配置された発光基板１０が製造される。すなわち、フルカラーで発光することができる発光基板１０を得ることができる。

なお、保持部材３０の突出部３２の厚みＴ１が発光ダイオードチップ５０の厚みより大きい。このため、保持部材３０を用いて、例えば第１発光ダイオードチップ５０Ｒを回路基板１１に一括で転写した後に第２発光ダイオードチップ５０Ｇを回路基板１１に転写する場合でも、第２発光ダイオードチップ５０Ｇの転写は、回路基板１１に転写されている第１発光ダイオードチップ５０Ｒによって阻害されにくい。

また、上述した例では、発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上に異方性導電性粘着層１２を介して配置する方法について説明したが、これに限られない。異方性導電性粘着層１２の代わりにはんだ層を回路基板１１上に設け、当該はんだ層を介して発光ダイオードチップ５０を回路基板１１上に配置してもよい。この場合、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０をはんだ層を介して回路基板１１上に配置した後、はんだ層を加熱して発光ダイオードチップ５０を当該はんだ層にはんだ付けすることで、すなわち当該はんだ層に固定することで、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を、粘着層３３から容易に剥離することができる。なお、はんだ層を構成する材料としては、例えば、Ａｕ－Ｓｎ合金はんだ材、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系はんだ材、Ｓｎ－Ｃｕ系はんだ材、Ｓｎ－Ａｇ系はんだ材やＳｎ－Ｂｉ系はんだ材等、公知のはんだ材を用いることができる。また、はんだ層は、所定温度以下で硬化する粘着剤を含んでいてもよい。この場合、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０をはんだ層を介して回路基板１１上に配置した後、はんだ層の温度を上記所定温度以下とすることで、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０をはんだ層に固定することができ、粘着層３３から容易に剥離することができる。

また、粘着層３３は、突出部３２の先端面のみに設けられていなくてもよく、例えば突出部３２の間にも設けられていてもよい。さらには、粘着層３３は、基材３１の突出部３２が形成された側の面の全体に設けられていてもよい。この場合、例えば基材３１の突出部３２が形成された側の面を粘着性の材料でコーティングすることで、粘着層３３を容易に設けることができる。

さらに、上述した例では、発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に配置する際、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とが電気的に接続された後、発光ダイオードチップ５０は突出部３２の粘着層３３から剥離されたが、これに限られない。例えば、発光ダイオードチップ５０は、以下のような方法により回路基板１１に配置されてもよい。

すなわち、突出部３２に保持された発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上の異方性導電性粘着層１２またははんだ層に接触させた後、発光ダイオードチップ５０を保持する複数の突出部３２を回路基板１１に向けて押圧し、各発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に接合させる。この時点では、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とは電気的に接合していなくてよい。そして、粘着層３３を加熱、冷却又は紫外線照射して当該粘着層３３の粘着性を低下させ、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離させ、保持部材３０を除去する。その後、板状の部材を用いて回路基板１１上の複数の発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に向けて押圧しながら異方性導電性粘着層１２またははんだ層を加熱して、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する。

このような方法によれば、保持部材３０（すなわち、基材３１や突出部３２、粘着層３３）を形成する材料の選択の自由度が向上する。すなわち、一般に、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する際、異方性導電性粘着層１２またははんだ層を高温にし、発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを互いに高圧で押圧する必要がある。したがって、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する工程を、発光ダイオードチップ５０が保持部材３０に保持された状態で、保持部材３０を回路基板１１に向けて押圧しながら行う場合、保持部材３０を形成する材料として、上記高温および高圧の条件に耐えられる材料を選択する必要がある。しかしながら、上述したように、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する工程を、発光ダイオードチップ５０を保持部材３０の粘着層３３から剥離させた後で行う場合は、保持部材３０および粘着層３３を形成する材料として、上記高温および高圧の条件に耐えられる材料を選択する必要がない。したがって、保持部材３０や粘着層３３の材料の選択の自由度が向上する。なお、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを接合させる際、異方性導電性粘着層１２またははんだ層を加熱してもよい。また、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを接合させるための層としてはんだ層を用いる場合には、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを接合させる際、突出部３２を回路基板１１に向けて押圧せず、はんだ層を加熱してもよい。さらに、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを接合させるための層としてはんだ層を用いる場合には、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する際、各発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に向けて押圧しなくてもよい。

なお、保持部材３０が帯電していると、保持部材３０を除去する際に、保持部材３０の静電気が回路基板１１に対して放電されて、回路基板１１上の発光ダイオードチップ５０が静電破壊される虞がある。しかしながら、図示された例による保持部材３０は、発光ダイオードチップ５０が静電破壊されることを防止するための工夫がなされている。具体的には、保持部材３０には導電性の遮光部３４が形成されており、遮光部３４を図示しないアースに接続することにより、保持部材３０に帯電した静電気を除去することができる。あるいは、保持部材３０が帯電することを防止することができる。

以上のように、本実施の形態の保持部材３０は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持する保持部材３０であって、二次元配列された第１領域３１１と、第１領域３１１以外の第２領域３１２と、を有する透光性の基材３１と、基材３１の一方の側の面３１ａ上であって第１領域３１１に設けられた複数の突出部３２と、基材３１の一方の側の面３１ａ上であって第２領域３１２内に設けられた遮光部３４と、突出部３２の先端面にそれぞれ設けられた粘着層３３と、を備える。

このような保持部材３０によれば、突出部３２を寸法精度高く作製することができる。例えば、遮光部３４上に感光性材料を含む感光性膜６５を設けて基材３１の他方の側から光を照射することにより、遮光部３４のパターンに応じたパターンに精度良くパターニングされた突出部３２を、形成することができる。これにより、各突出部３２に所望のように発光ダイオードチップ５０を保持させることができ、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

具体的には、遮光部３４の厚み方向の光学濃度（ＯＤ）値が１．０以上である。この場合、基材３１の他方の側から光を照射する際、感光性膜６５のうち遮光部３４と重なる部分を十分に遮光することができ、感光性膜６５を、遮光部３４のパターンに応じたパターンに、精度良くパターニングすることができる。

遮光部３４は、例えば、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、銅合金、若しくは、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物、又は、黒色顔料を含む材料で形成することができる。黒色顔料としては、例えばカーボンブラック又はチタンブラックを含む材料を採用することができる。

また、本実施の形態において、遮光部３４は導電性を有する。具体的には、遮光部３４のシート抵抗は、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下である。これにより、遮光部３４をアースに接続するなどして、保持部材３０に帯電した静電気を逃がすことができる。あるいは、保持部材３０が帯電することを防止することができる。この結果、発光基板１０の製造工程において回路基板１１に接近して配置された保持部材３０を回路基板１１から離間させて除去する際に、保持部材３０に帯電した静電気が回路基板１１に向けて放電されて発光ダイオードチップ５０が静電破壊される、ということを防止することができる。

また、本実施の形態において、基材３１の一方の側の面３１ａの法線方向に沿った突出部３２の厚みＴ１は、遮光部３４の厚みよりも厚い。これにより、突出部３２の発光ダイオードチップ５０を容易に保持させることができる。

具体的には、突出部３２の厚みＴ１は５μｍ以上５００μｍ以下である。また、突出部３２の厚みＴ１の突出部３２の最大幅Ｗに対する比は０．１以上１０以下である。

また、本実施の形態の転写部材３５は、上述した保持部材３０と、各突出部３２に粘着層３３を介して保持された複数の発光ダイオードチップ５０と、を備える。

このような転写部材３５によれば、複数の発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上の所望の位置に、一括して配置することができる。

また、本実施の形態の保持部材３０の製造方法は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持する保持部材３０の製造方法であって、二次元配列された第１領域３１１と第１領域３１１以外の第２領域３１２とを有する透光性の基材３１の一方の側の面３１ａ上であって第２領域３１２内に遮光部３４を形成する工程と、基材３１および遮光部３４を上記一方の側から覆うように感光性膜６５を設ける工程と、基材３１の他方の側から光を照射して、感光性膜６５の第１領域３１１に対面する部分を露光する工程と、感光性膜６５を現像して、感光性膜６５の露光された部分からなる突出部３２を形成する工程と、突出部３２の上記一方の側となる面に粘着層３３を設ける工程と、を含む。

このような保持部材３０の製造方法によれば、感光性膜６５を遮光部３４のパターンに応じたパターンに精度良くパターニングして、突出部３２を高い寸法精度で形成することができる。これにより、保持部材３０の各突出部３２に所望のように発光ダイオードチップ５０を保持させることができ、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

本実施の形態において、遮光部３４は導電性を有する。これにより、遮光部３４をアースに接続するなどして、保持部材３０に帯電した静電気を逃がすことができる。あるいは、保持部材３０が帯電することを防止することができる。この結果、発光基板１０の製造工程において回路基板１１に接近して配置された保持部材３０を回路基板１１から離間させて除去する際に、保持部材３０に帯電した静電気が回路基板１１に向けて放電されて発光ダイオードチップ５０が静電破壊される、ということを防止することができる。

また、本実施の形態の転写部材３５の製造方法は、ダイシングされた発光ダイオードチップ５０を有するチップ基板４０を上述した保持部材３０の粘着層３３に接触させて、複数の発光ダイオードチップ５０を保持部材３０の複数の突出部３２に保持させる工程を含む。

このような転写部材３５の製造方法によれば、各突出部３２に発光ダイオードチップ５０を効率良く保持させて、効率良く転写部材３５を製造することができる。この結果、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態の発光基板１０の製造方法は、上述した転写部材３５を、回路基板１１上に異方性導電性粘着層１２またははんだ層を介して配置して、発光ダイオードチップ５０を異方性導電性粘着層１２またははんだ層に接触させる工程と、異方性導電性粘着層１２またははんだ層を介して各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１とを接合させる工程と、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離させて、保持部材３０を除去する工程と、を含む。

このような発光基板１０の製造方法によれば、複数の発光ダイオードチップ５０を、回路基板１１上の所望の位置に、効率良く配置することができる。この結果、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

本実施の形態の発光基板１０の製造方法は、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離させて、保持部材３０を除去する工程の前に、転写部材３５を回路基板１１に向けて押圧し、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する工程を更に含む。これにより、複数の発光ダイオードチップ５０を、一括して回路基板１１の回路１３に電気的に接続することができる。この結果、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

なお、本実施の形態の発光基板１０の製造方法は、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離させて、保持部材３０を除去する工程の後に、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を回路基板１１に向けて押圧し、各発光ダイオードチップ５０と回路基板１１に形成された回路１３とを電気的に接続する工程を更に含んでもよい。この場合も、複数の発光ダイオードチップ５０を、一括して回路基板１１の回路１３に電気的に接続することができる。この結果、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

また、本実施の形態の発光基板１０の製造方法は、回路基板１１と接合した発光ダイオードチップ５０を粘着層３３から剥離させて、保持部材３０を除去する工程の前に、粘着層３３の粘着性を低下させる工程を更に含む。これにより、保持部材３０から発光ダイオードチップ５０に高い押圧力を付与しなくても、発光ダイオードチップ５０を異方性導電性粘着層１２またははんだ層に粘着させることができる。したがって、保持部材３０の突出部３２から高い押圧力が付与されて発光ダイオードチップ５０が破壊されてしまう、ということが防止される。

＜変形例＞
次に、図２３乃至図２７を参照して、上述の一実施の形態における保持部材の変形例について説明する。図２３乃至図２７に示す変形例の保持部材１３０は、図１５に示す保持部材３０と比較して、遮光部１３４が基材３１の第１領域３１１に設けられており、突出部３２が遮光部１３４上に設けられている点で異なっている。他の構成は、図１５に示す保持部材３０と略同一である。図２３乃至図２７に示す変形例において、図１乃至図２２に示す一実施の形態と同一の部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。

図２４に示すように、また図２３から理解されるように、本変形例の遮光部１３４は、基材３１の一方の側の面３１ａ上かつ第１領域３１１に設けられている。基材３１の当該面３１ａ上には、複数の遮光部１３４が、回路基板１１上に配置される複数の発光ダイオードチップ５０の規則的な二次元配列に対応して、規則的に二次元配列されている。遮光部１３４は、遮光性を有している。図示された例では、遮光部１３４は、その厚み方向の光学濃度（ＯＤ）値が１．０以上である。このような遮光部１３４によって、後述するように、突出部１３２を精度よく形成することができる。

図示された例では、複数の遮光部１３４は、接続部１３８によって接続されている。遮光部１３４および接続部１３８は、同一の厚みＴ２を有している。また、遮光部１３４および接続部１３８は、一体的に成形されている。

このような遮光部１３４および接続部１３８は、基材３１の一方の側の面３１ａ上に形成された遮光膜６０を、フォトリソグラフィ技術を用いて加工することにより、形成することができる。

なお、接続部１３８の幅Ｌは十分に小さい。具体的には、接続部１３８の幅は、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。これにより、後述する突出部３２の形成工程において、接続部１３８上に突出部３２が形成されることが防止される。

また、図示された例では、遮光部１３４および接続部１３８は、導電性を有している。これにより、発光基板１０の製造工程において回路基板１１に接近して配置された保持部材３０を回路基板１１から離間させて除去する際に、発光ダイオードチップ５０が静電破壊されてしまうことが防止される。具体的には、複数の遮光部１３４が接続部１３８を介して接続されていることにより、接続部１３８または遮光部１３４の任意の一点を図示しないアースに接続することで、保持部材３０に帯電した静電気を除去することができる。あるいは、保持部材３０が帯電することを防止することができる。なお、遮光部１３４および接続部１３８のシート抵抗は、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下であることが好ましい。

遮光部１３４および接続部１３８を形成するための導電性を有する材料としては、例えば、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、若しくは銅合金、又は、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物を含む材料を採用することができる。なお、遮光部１３４は導電性を有さない材料で形成されてもよく、例えば黒色顔料を含む材料で形成されてもよい。この場合、黒色顔料を含む材料としては、カーボンブラックやチタンブラック等を含む材料が採用可能である。遮光部１３４は導電性を有さない材料で形成される場合、接続部１３８は形成されなくてよい。

突出部３２は、遮光部１３４上に設けられている。したがって、基材３１の一方の側の面３１ａの側には、複数の突出部３２が、回路基板１１上に配置される複数の発光ダイオードチップ５０の規則的な二次元配列に対応して、規則的に二次元配列されている。

このような突出部３２は、後述するように、基材３１の一方の側の面３１ａおよび遮光部１３４上に設けられた感光性膜６５にフォトリソグラフィ技術を利用して加工を施すことにより、形成することができる。

次に、以上のような保持部材３０の製造方法について、図２４乃至図２７を参照しつつ説明する。

（遮光部および接続部の作製）
まず、図２５に示すように、基材３１の一方の側の面３１ａ上に、遮光部１３４および接続部１３８を形成する。遮光部１３４および接続部１３８は、図７乃至図１１に示す遮光部３４の作製方法と同様の方法により、遮光膜６０から同一工程で作製することができる。

（突出部の作製）
次に、突出部３２を作製する。まず、図２６に示すように、突出部３２を構成するようになる感光性膜６５を、基材３１および遮光部３４に設ける。感光性膜６５は、基材３１および遮光部３４を、その一方の側から覆うように設けられる。感光性膜６５は、遮光部３４と基材３１の第２領域３１２とに密着して形成される。本変形例では、感光性膜６５は、光溶解型の感光性材料が用いられる。

次に、図２６に示すように、基材３１の他方の側から光を照射する。これによって、感光性膜６５は、遮光部１３４をマスクとして露光される。具体的には、基材３１に入射した光のうち、第２領域３１２に入射した光は感光性膜６５に入射し、第１領域３１１に入射した光は遮光部１３４によって遮蔽される。

ここで本実施の形態によれば、感光性膜６５は、遮光部３４と基材３１の第２領域３１２とに密着している。これにより、基材３１の第２領域３１２を通過した光が感光性膜６５に入射するまでの間に拡散することが防止される。言い換えると、基材３１の第２領域３１２を通過した光が、感光性膜６５のうち基材３１の第１領域３１１に対面する部分に入射することが防止される。したがって、感光性膜６５を、遮光部３４に対応したパターンで精度よく露光することができる。なお、感光性膜６５のうち接続部１３８上に位置する部分については、接続部１３８の幅が十分に小さいことにより、露光される。

次に、露光された感光性膜６５を現像する。具体的には、感光性膜６５に対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、感光性膜６５を現像する。これにより、図２７に示すように、感光性膜６５のうち光が照射された部分が除去され、感光性膜６５が遮光部１３４に対応したパターンにパターニングされる。この結果、感光性膜６５が基材３１の第１領域３１１に対応したパターンにパターニングされてなる突出部３２が、基材３１の一方の側、より具体的には遮光部１３４上に形成される。

その後、図２４に示すように、突出部３２の先端面（一方の側となる面）に、上述した粘着剤を塗布する。これにより、突出部３２の先端面上に粘着層３３が形成される。

以上のように、本変形例の保持部材１３０は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持する保持部材１３０であって、二次元配列された第１領域３１１と、第１領域３１１以外の第２領域３１２と、を有する透光性の基材３１と、基材３１の一方の側の面３１ａ上であって第１領域３１１に設けられた複数の遮光部１３４と、遮光部１３４上に設けられた突出部３２と、突出部３２の先端面にそれぞれ設けられた粘着層３３と、を備える。

このような保持部材１３０によれば、突出部３２を高い寸法精度で作製することができる。例えば、遮光部１３４上に感光性材料を含む感光性膜６５を設けて基材３１の他方の側から光を照射することにより、遮光部１３４のパターンに精度良くパターニングされた突出部３２を、形成することができる。これにより、各突出部３２に所望のように発光ダイオードチップ５０を保持させることができ、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

本変形例において、保持部材１３０は、複数の遮光部１３４を接続する接続部１３８を更に備え、遮光部１３４および接続部１３８は導電性を有する。具体的には、遮光部１３４および接続部１３８のシート抵抗が、１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下である。これにより、遮光部１３４および接続部１３８の任意の一点をアースに接続するなどして、保持部材１３０に帯電した静電気を逃がすことが容易である。あるいは、保持部材１３０が帯電することを防止することができる。この結果、発光基板１０の製造工程において回路基板１１に接近して配置された保持部材１３０を回路基板１１から離間させて除去する際に、保持部材１３０に帯電した静電気が回路基板１１に向けて放電されて発光ダイオードチップ５０が静電破壊される、ということを防止することができる。

本変形例において、遮光部１３４および接続部１３８は同一の厚みＴ２を有する。また、遮光部１３４および接続部１３８は一体的に成形されている。このような保持部材１３０によれば、遮光部１３４および接続部１３８を同一工程で形成することが容易である。

また、本変形例の保持部材１３０の製造方法は、複数の発光ダイオードチップ５０を保持する保持部材１３０の製造方法であって、二次元配列された第１領域３１１と第１領域３１１以外の第２領域３１２とを有する透光性の基材３１の一方の側の面３１ａ上であって第１領域３１１に複数の遮光部１３４を形成する工程と、基材３１および遮光部１３４を上記一方の側から覆うように感光性膜６５を設ける工程と、基材３１の他方の側から光を照射して、感光性膜６５の第２領域３１２に対面する部分を露光する工程と、感光性膜６５を現像して、遮光部１３４の上記一方の側に位置する突出部３２を感光性膜６５から形成する工程と、突出部３２の上記一方の側となる面に粘着層３３を設ける工程と、を含む。

このような保持部材１３０の製造方法によれば、感光性膜６５を遮光部１３４のパターンに応じたパターンに精度良くパターニングして、突出部３２を高い寸法精度で作製することができる。これにより、保持部材１３０の各突出部３２に所望のように発光ダイオードチップ５０を保持させることができ、発光基板１０の生産性を向上させることができる。

本変形例では、複数の遮光部１３４を形成する工程において、複数の遮光部１３４を接続する接続部１３８を形成し、遮光部１３４および接続部１３８は導電性を有する。遮光部１３４が接続部１３８で接続されることにより、遮光部３４および接続部１３８の任意の一点をアースに接続するなどして、保持部材１３０に帯電した静電気を逃がすことが容易である。あるいは、保持部材１３０が帯電することを防止することができる。この結果、発光基板１０の製造工程において回路基板１１に接近して配置された保持部材１３０を回路基板１１から離間して除去する際に、保持部材１３０に帯電した静電気が回路基板１１に向けて放電されて発光ダイオードチップ５０が静電破壊される、ということを防止することができる。また、接続部１３８を形成するための追加の工程を要しない。

具体的には、複数の遮光部１３４を形成する工程において、基材３１の上記一方の側の面３１ａ上に設けられた遮光膜６０をパターニングすることで、遮光部１３４および接続部１３８を一体的に成形する。これにより、遮光部１３４と接続部１３８とを同一工程で容易に形成することができる。

なお、上述した発光基板１０は、表示装置１以外にも、例えば照明装置に用いられてもよい。

１ 表示装置
５ 表示面
７ 拡散層
１０ 発光基板
１１ 回路基板
１２ 異方性導電性粘着層
１３ 回路
３０，１３０ 保持部材
３１ 基材
３１ａ 一方の側の面
３１１ 第１領域
３１２ 第２領域
３２ 突出部
３３ 粘着層
３４，１３４ 遮光部
４０ チップ基板
５０ 発光ダイオードチップ
５０Ｒ 第１発光ダイオードチップ
５０Ｇ 第２発光ダイオードチップ
５０Ｂ 第３発光ダイオードチップ
５１ 電極
６０ 遮光膜
６５ 感光性膜
１３８ 接続部
Ｒ１ 回路基板の第１領域
Ｒ２ 回路基板の第２領域
Ｒ３ 回路基板の第３領域
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３ 位置決めマーク
Ｐ１ｘ、Ｐ１ｙ、Ｐ２ｘ、Ｐ２ｙ ピッチ

Claims (25)

1. 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
   二次元配列された第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有する透光性の基材と、
   前記基材の一方の側の面上であって前記第１領域に設けられた複数の突出部と、
   前記基材の前記一方の側の面上であって前記第２領域内に設けられた遮光部と、
   前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
   を備える、保持部材。
2. 前記遮光部は導電性を有する、請求項１に記載の保持部材。
3. 前記遮光部のシート抵抗が１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下である、請求項２に記載の保持部材。
4. 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材であって、
   二次元配列された第１領域と、前記第１領域以外の第２領域と、を有する透光性の基材と、
   前記基材の一方の側の面上であって前記第１領域に設けられた複数の遮光部と、
   前記遮光部上に設けられた突出部と、
   前記突出部の先端面にそれぞれ設けられた粘着層と、
   を備える、保持部材。
5. 前記複数の遮光部を接続する接続部を更に備え、
   前記遮光部および前記接続部は導電性を有する、請求項４に記載の保持部材。
6. 前記遮光部および前記接続部は同一の厚みを有する、請求項５に記載の保持部材。
7. 前記遮光部および前記接続部は一体的に成形されている、請求項５又は６に記載の保持部材。
8. 前記遮光部および前記接続部のシート抵抗が１×１０^－３Ω／□以上１×１０^６Ω／□以下である、請求項５乃至７のいずれか一項に記載の保持部材。
9. 前記突出部の厚みは、前記遮光部の厚みよりも厚い、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の保持部材。
10. 前記突出部の厚みは５μｍ以上５００μｍ以下である、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の保持部材。
11. 前記突出部の厚みの前記突出部の最大幅に対する比は、０．１以上１０以下である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の保持部材。
12. 前記遮光部は、クロム、アルミニウム、銅、クロム合金、アルミニウム合金、銅合金、若しくは、これらの酸化物、窒化物、若しくは酸化窒化物、又は、黒色顔料を含む、請求項１又は４に記載の保持部材。
13. 前記黒色顔料は、カーボンブラック又はチタンブラックを含む、請求項１２に記載の保持部材。
14. 前記遮光部の厚み方向の光学濃度（ＯＤ）値が１．０以上である、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の保持部材。
15. 請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の保持部材と、
    各突出部に前記粘着層を介して保持された複数の発光ダイオードチップと、
    を備える、転写部材。
16. 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
    二次元配列された第１領域と前記第１領域以外の第２領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第２領域内に遮光部を形成する工程と、
    前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように感光性膜を設ける工程と、
    前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第１領域に対面する部分を露光する工程と、
    前記感光性膜を現像して、前記感光性膜の前記露光された部分からなる突出部を形成する工程と、
    前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
    を含む、保持部材の製造方法。
17. 前記遮光部は導電性を有する、請求項１６に記載の保持部材の製造方法。
18. 複数の発光ダイオードチップを保持する保持部材の製造方法であって、
    二次元配列された第１領域と前記第１領域以外の第２領域とを有する透光性の基材の一方の側の面上であって前記第１領域に複数の遮光部を形成する工程と、
    前記基材および前記遮光部を前記一方の側から覆うように感光性膜を設ける工程と、
    前記基材の他方の側から光を照射して、前記感光性膜の前記第２領域に対面する部分を露光する工程と、
    前記感光性膜を現像して、前記遮光部の前記一方の側に位置する突出部を前記感光性膜から形成する工程と、
    前記突出部の前記一方の側となる面に粘着層を設ける工程と、
    を含む、保持部材の製造方法。
19. 前記複数の遮光部を形成する工程において、前記複数の遮光部を接続する接続部を形成し、
    前記遮光部および前記接続部は、導電性を有する、請求項１８に記載の保持部材の製造方法。
20. 前記複数の遮光部を形成する工程において、前記基材の前記一方の側の面上に設けられた遮光膜をパターニングすることで、前記遮光部および前記接続部を一体的に成形する、請求項１９に記載の保持部材の製造方法。
21. ダイシングされた発光ダイオードチップを有するチップ基板を請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の保持部材の前記粘着層に接触させて、複数の前記発光ダイオードチップを前記保持部材の前記複数の突出部に保持させる工程を含む、転写部材の製造方法。
22. 請求項１５に記載された転写部材を、回路基板上に異方性導電性粘着層またははんだ層を介して配置して、発光ダイオードチップを前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層に接触させる工程と、
    前記異方性導電性粘着層または前記はんだ層を介して各発光ダイオードチップと前記回路基板とを接合させる工程と、
    前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程と、
    を含む、発光基板の製造方法。
23. 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記転写部材を前記回路基板に向けて押圧して各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含む、請求項２２に記載の発光基板の製造方法。
24. 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の後に、前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記回路基板に向けて押圧して、各発光ダイオードチップと前記回路基板に形成された回路とを電気的に接続する工程を更に含む、請求項２２に記載の発光基板の製造方法。
25. 前記回路基板と接合した発光ダイオードチップを前記粘着層から剥離させて、前記保持部材を除去する工程の前に、前記粘着層の粘着性を低下させる工程を更に含む、請求項２２乃至２４のいずれか一項に記載の発光基板の製造方法。

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