JP2019506737A - マイクロ電気素子の転写方法 - Google Patents
マイクロ電気素子の転写方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019506737A JP2019506737A JP2018535004A JP2018535004A JP2019506737A JP 2019506737 A JP2019506737 A JP 2019506737A JP 2018535004 A JP2018535004 A JP 2018535004A JP 2018535004 A JP2018535004 A JP 2018535004A JP 2019506737 A JP2019506737 A JP 2019506737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive layer
- adhesive film
- film
- element chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 242
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 213
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 115
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 115
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M acrylate group Chemical group C(C=C)(=O)[O-] NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 33
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 20
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 15
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 14
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 8
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 4
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 3
- 235000019000 fluorine Nutrition 0.000 claims description 3
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920003122 (meth)acrylate-based copolymer Polymers 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-phenylethanone Chemical class NCC(=O)C1=CC=CC=C1 HEQOJEGTZCTHCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012753 Ethylene Ionomers Polymers 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920011250 Polypropylene Block Copolymer Polymers 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 239000004708 Very-low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N acrylic acid acrylic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)C=C ATMLPEJAVWINOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920005648 ethylene methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920005680 ethylene-methyl methacrylate copolymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000005267 main chain polymer Substances 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002285 poly(styrene-co-acrylonitrile) Polymers 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005629 polypropylene homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005630 polypropylene random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 229920001866 very low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0751—Silicon-containing compounds used as adhesion-promoting additives or as means to improve adhesion
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
Abstract
本発明は、ウエハの一面に形成された複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に転写する段階と、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階と、第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階とを含み、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きく、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さいマイクロ電気素子の転写方法に関する。
Description
関連出願との相互引用
本出願は、２０１６年１２月２６日付韓国特許出願第１０-２０１６-０１７９４９３号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は、本明細書の一部として含まれる。
本出願は、２０１６年１２月２６日付韓国特許出願第１０-２０１６-０１７９４９３号に基づく優先権の利益を主張し、当該韓国特許出願の文献に開示されたすべての内容は、本明細書の一部として含まれる。
本発明は、マイクロ電気素子の転写方法に関する。
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ;ＬＥＤ）は、素子内に含まれている物質が光を発光する素子であって、接合された半導体の電子と正孔とが再結合して発生するエネルギを光に変換して放出する。このような発光ダイオードは、現在、照明、表示装置及び光源として幅広く使われており、その開発は加速化している傾向である。
最近、高画質を実現するフレキシブルディスプレイを実現するために、マイクロ単位のＬＥＤチップを用いるディスプレイ装置に対する開発が行われており、前記マイクロ単位のＬＥＤチップの転写技術及び移送方法に対する開発も行われている実情である。例えば、米国特許出願公開２０１３-０２１０１９４号明細書にはシリコン材質で作られたヘッド部分に電圧が印加可能なように電極を形成した輸送ヘッドを用いてウエハからマイクロデバイスの部分をピックアップする方法が開示されている。ただし、このような方法によれば、パネル製作を完了した後の不良画素の検出が困難であるのみならず、パネルの大きさの拡張性が低い短所があり、静電気によるＬＥＤ破損の防止のために複雑なＬＥＤ前処理工程を必要とする限界がある。また、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などの弾性高分子物質を使用して製造されたヘッドを用いてマイクロ単位のＬＥＤチップをピックアップして転写する方法も知られているが、別途の接着層が必要であり、転写工程における接着力を維持し続けるための別途の工程などを必要とする限界がある。
既に知られているマイクロ単位のＬＥＤチップをピックアップ及び転写する方法の場合、静電気によるＬＥＤの破損可能性、転写効率の十分な確保の困難、または高価の工程装置を必要とするなどにより量産性確保の困難性が存在した。
本発明は、高価の装備や複雑な工程を加えることなく、微細な大きさのＬＥＤチップをより効率的に選択して転写することができ、静電気または異物などによるＬＥＤ素子の破損を防止できるマイクロ電気素子の転写方法を提供するものである。
本明細書では、ウエハの一面に形成された複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に転写する段階と、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階と、第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階とを含み、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きく、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さい、マイクロ電気素子の転写方法が提供される。
前記素子チップは、５μｍ〜３００μｍの大きさを有するマイクロＬＥＤチップであり得る。前記大きさは、前記マイクロＬＥＤチップの最大直径で定義され得る。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は５ｇｆ／２５ｍｍ以上であり得る。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は５ｇｆ／２５ｍｍ以上であり得る。
より具体的には、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力が、５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり得、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差が５ｇｆ／２５ｍｍ以上であり得る。
また、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力は、１ｇｆ／２５ｍｍ〜１００ｇｆ／２５ｍｍであり得る。
前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記転写された複数の素子チップを選択的に露光する段階は、５μｍ〜３００μｍの大きさの微細パターンが形成されたフォトマスクを用い得る。
前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階では、前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で紫外線を照射する段階を含み得る。
前記光透過性基材は、３００〜６００ｎｍの波長に対する透過率が、５０％以上の高分子樹脂層であり得る。
前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、接着バインダー、架橋剤、及び光開始剤を含み得る。
前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、（メタ）アクリレート系官能基及び非極性官能基を含む高分子、フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子及び反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子からなる群より選ばれた１種以上の高分子を含む高分子添加剤をさらに含み得る。
前記第１接着フィルム及び前記第２接着フィルムそれぞれは、前記光透過性基材の一面に接する光透光性キャリア基板をさらに含み得る。
前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階の前に、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクを用い、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光する段階をさらに含み得る。
前記選択的に露光された前記第２接着フィルムの接着層は、前記素子チップに対して前記第１接着フィルムの接着層の非露光部より低い接着力を有し得る。
前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階をさらに含み得る。
前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階は、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと印刷回路基板とが接触した状態で、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して前記選択的に転写された素子チップが結合された接着層の他の一面を露光する段階をさらに含み得る。
前記選択的に露光された前記第２接着フィルムの接着層は、前記素子チップに対して前記第１接着フィルムの接着層の非露光部より低い接着力を有し得る。
前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階をさらに含み得る。
前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階は、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと印刷回路基板とが接触した状態で、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して前記選択的に転写された素子チップが結合された接着層の他の一面を露光する段階をさらに含み得る。
前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと接する前記印刷回路基板の一面には異方性伝導性フィルムが形成され得る。
本発明によれば、高価の装備や複雑な工程を加えることなく、微細な大きさのＬＥＤチップをより効率的に選択して転写することができ、静電気または異物などによるＬＥＤ素子の破損を防止できるマイクロ電気素子の転写方法が提供され得る。
以下、発明の具体的な実施形態によるマイクロ電気素子の転写方法についてより具体的に説明する。ただし、下記実施形態の説明は、本発明の一例を例示するだけであり、本発明の具体的な内容は下記実施形態に限定されない。
発明の一実施形態によれば、ウエハの一面に形成された複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に転写する段階と、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階と、第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階とを含み、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きく、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さい、マイクロ電気素子の転写方法が提供され得る。
本発明者らは、露光により接着力が調節可能な接着層を有する接着フィルムを用いることで、マイクロ電気素子をより容易にかつ効率的に転写する方法を開発した。
具体的に、ウエハの一面に形成された複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に転写し、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光することで、前記露光パターンに応じて前記第１接着層の接着層の各部分の接着力が変わり、光透過性基材上に形成された接着層を備える第２接着フィルムの接着層を、前記第１接着フィルム上に位置した複数の素子チップの他の一面に接触させ、前記接着力の差によって選ばれた素子チップのみを第２接着フィルムに転写させ得る。
この時、前記ウエハの一面に形成された複数の素子チップが、前記第１接着フィルムの接着層に転写され、前記複数の素子チップのうち転写対象となる素子チップと接する前記第１接着フィルムの接着層の部分が選択的に露光されると、前記露光された第１接着フィルムの接着層の部分が有する素子チップに対する接着力は低くなる。
また、前記第２接着フィルムの接着層を前記第１接着フィルム上に位置した複数の素子チップの他の一面に接触した時、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さくなることによって、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写させ得る。
一方、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写するためには、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きいため、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写するようになり、前記選択的に非露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップは、前記第１接着フィルムにそのまま付いていてもよい。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は、用いられる素子チップの種類や大きさなどによって変わり得る。ただし、前記素子チップの効率的でかつ容易な転写のために、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は、５ｇｆ／２５ｍｍ以上、または１０ｇｆ／２５ｍｍ〜５０ｇｆ／２５ｍｍであり得る。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差が小さすぎる場合、選択的に転写しようとする素子チップ以外の他の素子チップも前記第２接着フィルムに多数転写され得る。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差もまた、用いられる素子チップの種類や大きさなどによって変わり得るが、好ましくは５ｇｆ／２５ｍｍ以上、または１０ｇｆ／２５ｍｍ〜５０ｇｆ／２５ｍｍであり得る。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差が小さすぎる場合、選択的に転写しようとする素子チップが前記第２接着フィルムに転写されないこともある。
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力それぞれは、上述した相互間の接着力の差を満足する範囲内で、前記素子チップの種類及び大きさ並びに、前記マイクロ電気素子の転写方法の具体的な条件によって変わり得る。
例えば、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力が、５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり得る。この時、前述したように前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きく、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は５ｇｆ／２５ｍｍ以上であり得る。
また、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、１ｇｆ／２５ｍｍ〜１００ｇｆ／２５ｍｍであり得る。
本明細書で定義する接着力は、２５ｍｍの幅を有する接着試片を１８０度に折った時にかかる力（ｇｆ／２５ｍｍ）で定義される。
一方、前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階において、微細パターンが形成されたフォトマスクを用いて５μｍ〜３００μｍのピッチを実現することができ、そのために５μｍ〜３００μｍの微細な大きさの素子チップを転写対象とする。
より具体的に、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記転写された複数の素子チップを選択的に露光する段階は、５μｍ〜３００μｍの微細パターンが形成されたフォトマスクを用い得る。
前記転写対象となる素子チップは、５μｍ〜３００μｍの大きさを有するマイクロＬＥＤチップであり得る。
一方、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記転写された複数の素子チップを選択的に露光する段階において、露光の強度及び時間などを調節して前記第１接着フィルムの接着層の接着力を調節し得る。
具体的に、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階では、前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を、１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で紫外線を照射する段階を含み得る。
一方、前記マイクロ電気素子の転写方法において、前記第１接着フィルムが光透過性基材を含むことにより、前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光し得る。
前記光透過性基材の具体的な種類やその特性は限定されないが、前記選択的露光が効率よく行われるためには前記光透過性基材は、３００〜６００ｎｍの波長に対する透過率が５０％以上の高分子樹脂層であり得る。前記光透過性基材として使用可能な高分子樹脂層の種類は大きく限定されず、例えばＰＥＴなどのポリエステル、トリアセチルセルロースなどのセルロース、環状オレフィン系（共）重合体、ポリイミド、スチレンアクリロニトリル共重合体（ＳＡＮ）、低密度ポリエチレン、線状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ポリプロピレンのランダム共重合体、ポリプロピレンのブロック共重合体、ホモポリプロピレン、ポリメチルペンテン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｅｎｔｅｎｅ）、エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-メタクリル酸共重合体、エチレン-メチルメタクリルレート共重合体、エチレン-イオノマー共重合体、エチレン-ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、スチレンの共重合体またはこれらの２種以上の混合物などを含む高分子樹脂層であり得る。
一方、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、接着バインダー、架橋剤、及び光開始剤を含み得る。
前記接着バインダーは、ダイシングフィルムの粘着層の形成に用いられるものとして知られている高分子樹脂を大きく制限されずに用いることができ、例えば所定の反応性官能基が置換された高分子樹脂または反応性官能基を含む主鎖の高分子樹脂を用い得る。
具体的に、前記接着バインダーは、ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基及び（メタ）アクリレート基からなる群より選ばれた１種以上の官能基が１以上置換または非置換された（メタ）アクリレート系重合体または（メタ）アクリレート系共重合体を含み得る。
また、前記接着バインダーとしては、（メタ）アクリレート樹脂の側鎖に炭素-炭素二重結合を有するアクリレートを付加した内在型接着バインダーであり得る。例えば、前記内在型接着バインダーとしては、（メタ）アクリレート系ベース樹脂の主鎖に（メタ）アクリレート官能基を側鎖として１ｗｔ％〜４５ｗｔ％付加した高分子樹脂を用い得る。
前記接着バインダーは１００，０００〜１，５００，０００の重量平均分子量を有する高分子樹脂を含み得る。
具体的に、前記ヒドロキシ基、イソシアネート基、ビニル基及び（メタ）アクリレート基からなる群より選ばれた１種以上の官能基が１以上置換または非置換された（メタ）アクリレート系重合体または（メタ）アクリレート系共重合体は、１００，０００〜１，５００，０００の重量平均分子量を有し得る。
本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート[ａｃｒｙｌａｔｅ]及び（メタ）クリルレート[（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ]をいずれも含む意味である。
このような（メタ）アクリレート系重合体または（メタ）アクリレート系共重合体は、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系単量体及び架橋性官能基含有単量体の重合体または共重合体であり得る。
この時（メタ）アクリル酸エステル系単量体の例としては、アルキル（メタ）アクリレートが挙げられ、より具体的には炭素数１〜１２のアルキル基を有する単量体として、ペンチル（メタ）アクリレート、ｎ-ブチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ-オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２-エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレートまたはデシル（メタ）アクリレートの一種または異種以上の混合が挙げられる。アルキルの炭素数が大きい単量体を用いるほど、最終共重合体のガラス転移温度が低くなるので、目的のガラス転移温度に応じて適切な単量体を選択すれば良い。
また、架橋性官能基含有単量体の例としては、ヒドロキシ基含有単量体、カルボキシル基含有単量体または窒素含有単量体の一種または２種以上の混合が挙げられる。この時、ヒドロキシル基含有化合物の例としては、２-ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートまたは２-ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどが挙げられ、カルボキシル基含有化合物の例としては（メタ）アクリル酸などが挙げられ、窒素含有単量体の例としては（メタ）アクリロニトリル、Ｎ-ビニルピロリドンまたはＮ-ビニルカプロラクタムなどが挙げられるが、これに制限されない。前記（メタ）アクリレート系樹脂には、また相溶性などのその他の機能性向上の観点から、酢酸ビニル、スチレンまたはアクリロニトリル炭素-炭素二重結合含有低分子量化合物などがさらに含まれ得る。
また、前記（メタ）アクリレート樹脂の側鎖に炭素-炭素二重結合を有するアクリレートを付加した内在型接着バインダーは、１００，０００〜１，５００，０００の重量平均分子量を有し得る。
前記接着バインダーに含まれる高分子樹脂の重量平均分子量が低すぎると、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれのコーティング性または凝集力が低下し得、前記接着層の剥離時に被着体に残余物が残存するかまたは前記接着層が破壊され得る。
また、前記接着バインダーに含まれる高分子樹脂の重量平均分子量が高すぎると、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれの紫外線硬化が十分に起きず、そのため、前記選択的露光時の接着力または剥離力が十分に低くならず、転写成功率が低下し得る。
前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれに含まれる光開始剤の具体的な例は限定されず、通常知られている光開始剤を格別な制限なしに用い得る。例えば、前記光開始剤としては、ベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類、α-アミノアセトフェノン類、アシルホスフィンオキシド類、オキシムエステル類またはこれらの２種以上の混合物を使用し得る。
前記光開始剤の使用量は、製造される粘着層の物性及び特性並びに使用される接着バインダーの種類及び特性などを考慮して決定し得、例えば前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、前記接着バインダー１００重量部に対して前記光開始剤０.０１〜８重量部を含み得る。
前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは硬化剤を含み得る。前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれを基材フィルムのコーティング時、前記硬化剤は、接着バインダーの反応器と常温または３０〜５０℃の温度で反応して架橋を形成し得る。また、前記硬化剤に含まれる所定の反応器が未反応状態で残留してピックアップ前にＵＶ照射により追加架橋が行われ、粘着層の粘着力を低くし得る。
前記硬化剤はイソシアネート系化合物、アジリジン系化合物、エポキシ系化合物及び金属キレート系化合物からなる群より選ばれた１種以上を含み得る。
前記硬化剤の使用量は、製造される粘着層の物性及び特性並びに使用される接着バインダーの種類及び特性などを考慮して決定し得、例えば前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、前記接着バインダー１００重量部に対して前記硬化剤０.１〜３０重量部を含み得る。
一方、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、紫外線硬化型化合物をさらに含み得る。
前記紫外線硬化型化合物の種類は特に制限されず、例えば、重量平均分子量が５００〜３００，０００程度の多官能性化合物（例：多官能性ウレタンアクリレート、多官能性アクリレート単量体またはオリゴマーなど）を用い得る。この分野における平均的な技術者は目的とする用途に応じた適切な化合物を容易に選択し得る。
前記紫外線硬化型化合物の含有量は、前述した接着バインダー１００重量部に対して、５重量部〜４００重量部、好ましくは１０重量部〜２００重量部であり得る。紫外線硬化型化合物の含有量が５重量部未満であれば、硬化後の粘着力低下が十分でないため、ピックアップ性が落ちる恐れがあり、４００重量部を超えれば、紫外線照射前の粘着剤の凝集力が不足したり、離型フィルムなどとの剥離が容易に行われない恐れがある。
一方、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、（メタ）アクリレート系官能基及び非極性官能基を含む高分子、フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子及び反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子からなる群より選ばれた１種以上の高分子を含む高分子添加剤をさらに含み得る。
前記（メタ）アクリレート系官能基及び非極性官能基を含む高分子、フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子及び反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子それぞれは、粘着層の表面において前記接着バインダーとより相溶性を有して容易に混合され得、かつ分子の内部に存在する所定の非極性の部分が前記組成物から製造される粘着層の上端に露出して離型性及びスリップ性を付与することができる。
そのために、前記高分子添加剤は、前記接着バインダーと反応して転写を最少化しながらも上述した非極性の部分が接着層の表面に位置するようになり、より効果的に離型性及びスリップ性を付与することができる。
特に、前記高分子添加剤は、前記接着バインダーに対し、０.０１％〜４．５％、または０.１％〜２％の重量比で使用し得るが、相対的に低い使用量にもかかわらず、前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれから製造されるダイシングフィルムの接着層の剥離力が非常に高くなる。
前記（メタ）アクリレート系官能基及び非極性官能基を含む高分子の商業用製品の例としては、ＢＹＫ０-３５０、ＢＹＫ-３５２、ＢＹＫ-３５４、ＢＹＫ-３５５、ＢＹＫ-３５６、ＢＹＫ-３５８Ｎ、ＢＹＫ-３６１Ｎ、ＢＹＫ-３８０、ＢＹＫ-３９２またはＢＹＫ-３９４が挙げられるが、前記高分子添加剤の具体的な例は、これに限定されない。
前記フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子は、炭素数１〜１０のペルフルオロアルキル基または炭素数１〜１０のフッ素化アルケニル基が置換された（メタ）アクリレート系高分子を含み得る。
前記フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子の商業用製品の例としては、フタージェント２２２Ｆ（ネオス社製）、Ｆ４７０（ＤＩＣ社製）、Ｆ４８９（ＤＩＣ社製）、またはＶ-８ＦＭなどが挙げられるが、前記高分子添加剤の具体的な例は、これに限定されない。
前記反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１０のアルキレンアルコール、エポキシ、アミノ基、チオール基またはカルボキシル基からなる群より選ばれた１種以上の反応性官能基が１以上置換されたシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子を含み得る。
前記反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子のより具体的な例としては、ヒドロキシ機能性シリコン変性ポリアクリレートが挙げられ、その商業用製品の例としてはＢＹＫ ＳＩＬ-ＣＬＥＡＮ３７００などが挙げられるが、前記高分子添加剤の具体的な例はこれに限定されない。
一方、前記第１接着フィルム及び前記第２接着フィルムそれぞれは、前記光透過性基材の一面に接する光透光性キャリア基板をさらに含み得る。
上述した第１接着フィルム及び前記第２接着フィルムそれぞれに含まれる光透過性基材が半導体装置またはディスプレイ装置などにおいてキャリア基板の役割を果し得るが、工程の種類及び製造過程において求められる工程条件などによって選択的に光透光性キャリア基板がさらに含まれ得る。
前記光透光性キャリア基板の種類は大きく限定されず、例えばガラスまたは光透光性高分子樹脂フィルムを用い得、より具体的には３００〜６００ｎｍの波長に対する透過率が５０％以上のガラスまたは光透光性高分子樹脂フィルムを用い得る。
一方、前記第１接着フィルムを選択的に露光して前記複数の素子チップを選択的に転写する過程においてより効率的な転写のために第２接着フィルムの接着層も露光により接着力を部分的に異なるようにすることで、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写する過程の効率及び正確度を高めることができる。
より具体的に、前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階の前に、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクを用い、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光する段階をさらに含み得る。
前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光する段階では上述した前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階で用いた露光方法などを用い得る。
前記第２接着フィルムの接着層の選択的露光部は、前記素子チップに対して前記第１接着フィルムの接着層の非露光部より低い接着力を有するようになり、そのために前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写するようになり、前記選択的に非露光された第１接着剤の接着層と前記第２接着フィルムの接着層の選択的露光部に接触していた素子チップなどは、前記第１接着フィルムにそのまま付いていてもよい。
一方、前記マイクロ電気素子の転写方法では、前記第２接着フィルムに転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階をさらに含み得る。
上述した前記マイクロ電気素子の転写方法において、素子チップ、例えば５μｍ〜３００μｍの大きさを有するマイクロＬＥＤチップなどを所望するパターン形状及び大きさで転写し得、そのために前記第２接着フィルムに転写された素子チップを所定の形状及び大きさで設計された印刷回路基板に容易に転写し得る。
前記第２接着フィルムに転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階では、通常知られた装置及び装備を用いてもよく、例えば異方性伝導性フィルムと第２接着フィルムとの接着力の差または異方性伝導性フィルムと露光後の接着力が減少した第２接着フィルムとの接着力の差によっても転写が可能である。
一方、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階では選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に直ちに結合させ得、また前記素子チップが印刷回路基板に接触した状態で前記第２接着フィルムにおいて素子が結合された反対面から紫外線を透過して前記第２接着フィルムの接着層の接着力を低下させることで、前記印刷回路基板への素子チップ転写をより効率的に行い得る。
具体的には、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階は、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと印刷回路基板とが接触した状態で、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して前記選択的に転写された素子チップが結合された接着層の他の一面を露光する段階をさらに含み得る。
前記印刷回路基板の具体的な例は限定されず、通常のＲＰＣＢまたはＦＰＣＢを用い得る。
前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと接する前記印刷回路基板の一面には異方性伝導性フィルムが形成され得る。
以下、図面に基づいて発明の具体的な実施形態のマイクロ電気素子の転写方法についてより詳細に説明する。
図１に示すように、ウエハの一面に形成された複数の素子チップを移動し（１）、光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に接するようにし（２）、前記接着層の接着力に応じて前記ウエハに形成された複数の素子チップが前記第１接着フィルムの接着層に転写され得る（３）。前記ウエハの一面に形成された複数の素子チップはそれぞれ分画され、前記第１接着フィルムの接着層に転写できる程度の強度でウエハと結合している。
また、所定の形状及び大きさのパターンが形成されたフォトマスクを用いて紫外線を照射し得、この時、前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面が、前記フォトマスクのパターンに応じて選択的に露光され得る（４）。
そして、前記複数の素子チップのうち転写対象となる素子チップと接する前記第１接着フィルムの接着層の部分が選択的に露光されると、前記露光された第１接着フィルムの接着層の部分が有する素子チップに対する接着力は低くなり、前記第２接着フィルムの接着層を前記第１接着フィルム上に位置した複数の素子チップの他の一面に接触した時、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さくなることによって、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写させ得る。即ち、前記光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層を、前記第１接着フィルム上に転写されている複数の素子チップと接触して前記露光部に応じて選択的に転写し得る（図１の４、５、６）。
そして、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップは、異方性伝導性フィルムがパターンに応じて位置する印刷回路基板と接触することによって、前記素子チップが印刷回路基板に転写され得る（図１の７、８、９）。
一方、図２に示すように、前記実施形態のマイクロ電気素子の転写方法では、前記マイクロ電気素子の転写方法は、前記第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階の前に、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクを用い、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光し得る（図２の４）。
このように、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光することによって、前記第２接着フィルムの接着層の選択的露光部の接着力は低くなるが、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクを用いることによって、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップは、前記第２接着フィルムの接着層の選択的非露光部と接触する。
図２に示すように、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクは、前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと反対の露光パターンを第２接着フィルムの接着層に形成できるフォトマスクを意味する。
一方、図２に示すように、第１半導体フィルム及び第２半導体フィルムそれぞれは、ガラスまたは光透光性高分子樹脂フィルムなどの光透光性キャリア基板をさらに含み得る。
一方、図３に示すように、前記実施形態のマイクロ電気素子の転写方法では、前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを、印刷回路基板に転写した後に、前記第２接着フィルムを再び用いて第１接着フィルムに形成された素子チップを選択的に再び転写し得る。
この時、前記第１接着フィルムの光透過性基材の下段ではフォトマスクが移動したり、他の形状のフォトマスクが位置して以前に転写されなかった素子チップの下部に接する第１接着フィルムの接着層を露光させ得る。
また、図１及び図２と同様に、前記複数の素子チップのうち転写の対象となる素子チップと接する前記第１接着フィルムの接着層の部分が選択的に露光されると、前記露光された第１接着フィルムの接着層の部分が有する素子チップに対する接着力は低くなり、前記第２接着フィルムの接着層を前記第１接着フィルム上に位置した複数の素子チップの他の一面に接触した時、前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さくなることによって、前記選択的に露光された第１接着剤の接着層に接触していた素子チップのみを第２接着フィルムに転写し得る。
一方、図４に示すように、第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップ（１）は、印刷回路基板に接触した状態で前記第２接着フィルムにおいて素子が結合された反対面から紫外線を透過し（２）、前記第２接着フィルムの接着層の接着力を低下させることで、前記素子チップが印刷回路基板により容易に転写され得る。
前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して前記選択的に転写された素子チップが結合された接着層の他の一面を露光することによって、前記第２接着フィルムの接着層の接着力は大きく低下し得、そのため、別途の剥離工程や転写のための追加装置を用いることなく、前記第２接着フィルムから印刷回路基板に前記素子チップを容易かつ効率的に選択転写することができる。
Claims (17)
- ウエハの一面に形成された複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第１接着フィルムの接着層に転写する段階と、
前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階と、
第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階とを含み、
前記素子チップは、マイクロＬＥＤチップであり、
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より大きく、
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力より小さい、マイクロ電気素子の転写方法。 - 前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は５ｇｆ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と、前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差は５ｇｆ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の非露光部が有する接着力が、５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり、
前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力が５０ｇｆ／２５ｍｍ〜８００ｇｆ／２５ｍｍであり、
前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力と前記素子チップに対する前記第２接着フィルムの接着層の接着力との間の差が５ｇｆ／２５ｍｍ以上である、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。 - 前記素子チップに対する前記第１接着フィルムの接着層の露光部が有する接着力が、１ｇｆ／２５ｍｍ〜１００ｇｆ／２５ｍｍである、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記転写された複数の素子チップを選択的に露光する段階は、５μｍ〜３００μｍの大きさの微細パターンが形成されたフォトマスクを用いる、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルムの光透過性基材を介して前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を選択的に露光する段階では、
前記複数の素子チップが転写された接着層の他の一面を１０ｍＪ／ｃｍ２〜１０，０００ｍＪ／ｃｍ２の照射量で紫外線を照射する段階を含む、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。 - 前記光透過性基材は、３００〜６００ｎｍの波長に対する透過率が５０％以上の高分子樹脂層である、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、接着バインダー、架橋剤、及び光開始剤を含む、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルムの接着層及び前記第２接着フィルムの接着層それぞれは、（メタ）アクリレート系官能基及び非極性官能基を含む高分子、フッ素を１以上含む（メタ）アクリレート系高分子及び反応性官能基を含むシリコン変性（メタ）アクリレート系高分子からなる群より選ばれた１種以上の高分子を含む高分子添加剤をさらに含む、請求項９に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルム上の複数の素子チップを光透過性基材と前記光透過性基材上に形成された接着層とを備える第２接着フィルムの接着層と接触させて選択的に転写する段階の前に、
前記選択的に露光された前記第１接着フィルムの露光パターンと逆相のフォトマスクを用い、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して紫外線を照射して前記第２接着フィルムの接着層を選択的に露光する段階をさらに含む、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。 - 前記選択的に露光された前記第２接着フィルムの接着層は、前記素子チップに対して前記第１接着フィルムの接着層の非露光部より低い接着力を有する、請求項１１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階をさらに含む、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップを印刷回路基板に転写する段階は、
前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと印刷回路基板とが接触した状態で、前記第２接着フィルムの光透過性基材を介して前記選択的に転写された素子チップが結合された接着層の他の一面を露光する段階をさらに含む、請求項１３に記載のマイクロ電気素子の転写方法。 - 前記第２接着フィルムの接着層に選択的に転写された素子チップと接する前記印刷回路基板の一面には異方性伝導性フィルムが形成される、請求項１３に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記マイクロＬＥＤチップは、５μｍ〜３００μｍの大きさを有する、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
- 前記第１接着フィルム及び前記第２接着フィルムそれぞれは、前記光透過性基材の一面に接する光透光性キャリア基板をさらに含む、請求項１に記載のマイクロ電気素子の転写方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0179493 | 2016-12-26 | ||
| KR1020160179493A KR20180075310A (ko) | 2016-12-26 | 2016-12-26 | 마이크로 전기 소자의 전사 방법 |
| PCT/KR2017/015381 WO2018124664A1 (ko) | 2016-12-26 | 2017-12-22 | 마이크로 전기 소자의 전사 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019506737A true JP2019506737A (ja) | 2019-03-07 |
Family
ID=62710414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018535004A Pending JP2019506737A (ja) | 2016-12-26 | 2017-12-22 | マイクロ電気素子の転写方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019506737A (ja) |
| KR (1) | KR20180075310A (ja) |
| CN (1) | CN108513684A (ja) |
| TW (1) | TWI658340B (ja) |
| WO (1) | WO2018124664A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020174129A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200005237A (ko) * | 2018-07-06 | 2020-01-15 | (주)포인트엔지니어링 | 마이크로 led 전사 헤드 및 이를 이용한 마이크로 led 전사 시스템 |
| CN108807265B (zh) | 2018-07-09 | 2020-01-31 | 厦门乾照光电股份有限公司 | Micro-LED巨量转移方法、显示装置及制作方法 |
| TW202008558A (zh) * | 2018-07-23 | 2020-02-16 | 飛傳科技股份有限公司 | 晶片轉移之方法及其晶片轉移系統 |
| KR102406783B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2022-06-08 | 주식회사 엘지화학 | 신축성 기판 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR101972481B1 (ko) * | 2018-10-05 | 2019-04-25 | 주식회사 레다즈 | 마이크로 소자를 타겟 오브젝트에 선택적으로 전사하는 장치 |
| JP2020064976A (ja) * | 2018-10-17 | 2020-04-23 | 大日本印刷株式会社 | 保持体、保持部材及び発光基板の製造方法 |
| CN111129235B (zh) * | 2018-10-31 | 2021-10-22 | 成都辰显光电有限公司 | 一种微元件的批量转移方法 |
| CN109661122B (zh) * | 2018-11-09 | 2020-01-21 | 华中科技大学 | 一种适用于微型发光二极管的选择性巨量转移方法 |
| CN110034221A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-07-19 | 吴裕朝 | 发光装置封装制程 |
| CN109473532B (zh) * | 2018-11-20 | 2020-11-06 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种Micro LED显示基板的制作方法 |
| CN109673110B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-10-23 | 利亚德光电股份有限公司 | Led芯片的固晶方法及具有其的显示模组的封装方法 |
| CN109860092B (zh) * | 2019-01-02 | 2020-10-02 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种微型发光二极管巨量转移的方法及显示器 |
| CN110098289A (zh) * | 2019-05-07 | 2019-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转移装置及显示基板的制作方法 |
| KR102262748B1 (ko) | 2019-07-31 | 2021-06-09 | (주)라이타이저 | 전극패드의 확장 및 영역 이동을 통한 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조되는 디스플레이 장치 |
| CN112701076A (zh) * | 2019-10-23 | 2021-04-23 | 北京小米移动软件有限公司 | 显示屏的制作方法及系统 |
| CN110797295B (zh) * | 2019-11-15 | 2022-09-16 | 广东省半导体产业技术研究院 | 芯片转移方法及装置 |
| CN110828364B (zh) * | 2019-11-20 | 2023-07-14 | 广东省半导体产业技术研究院 | 巨量转移方法、显示装置的制作方法和显示装置 |
| KR102325792B1 (ko) * | 2020-01-08 | 2021-11-12 | 웨이브로드 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 |
| CN110993749B (zh) * | 2019-12-09 | 2021-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 微型发光二极管的巨量转移方法及显示面板 |
| US11521887B2 (en) | 2019-12-18 | 2022-12-06 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Method of transferring micro LED and micro LED transferring apparatus |
| WO2021168615A1 (zh) * | 2020-02-24 | 2021-09-02 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 发光二极管的巨量转移方法、以及显示背板组件 |
| CN112992756A (zh) * | 2020-05-28 | 2021-06-18 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 一种转移承载装置及转移方法 |
| CN112701077A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-23 | 广东省科学院半导体研究所 | 器件转移方法 |
| CN112968084A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN113764551B (zh) * | 2021-09-07 | 2023-01-03 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种led芯片转移方法 |
| CN114284401A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-05 | 深圳市思坦科技有限公司 | 一种微型发光二极管转移方法及显示面板 |
| CN114823997B (zh) * | 2022-05-26 | 2023-06-09 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种芯片转移方法 |
| CN115172192B (zh) * | 2022-09-09 | 2023-07-21 | 之江实验室 | 一种多芯粒晶圆级集成的混合键合方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007986A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| JP2005159314A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | タイル状素子、タイル状素子の製造方法、デバイスの製造方法及び電子機器 |
| JP2008251791A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 粘着シート貼付装置及び貼付方法 |
| JP2013060597A (ja) * | 2007-10-11 | 2013-04-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | 接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3406207B2 (ja) * | 1997-11-12 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| US6872635B2 (en) * | 2001-04-11 | 2005-03-29 | Sony Corporation | Device transferring method, and device arraying method and image display unit fabricating method using the same |
| US7662545B2 (en) * | 2004-10-14 | 2010-02-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Decal transfer lithography |
| KR101104134B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2012-01-13 | 전자부품연구원 | 반도체 칩 패키징 방법 |
| KR20140042317A (ko) * | 2012-09-28 | 2014-04-07 | 하나 마이크론(주) | 유연 집적회로 소자 패키지 제조용 전사 장치 |
| KR101632504B1 (ko) * | 2014-10-29 | 2016-06-21 | 한국과학기술원 | 유기 용매 증기를 이용한 접착력 제어 방식의 나노 구조체 제조 방법 및 나노 전사 프린팅 방법 |
| KR101605317B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2016-03-23 | 한국기계연구원 | 광학식 선택적 전사 장치 및 방법 |
| US10163869B2 (en) * | 2015-10-20 | 2018-12-25 | Goertek, Inc. | Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED |
-
2016
- 2016-12-26 KR KR1020160179493A patent/KR20180075310A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-12-22 JP JP2018535004A patent/JP2019506737A/ja active Pending
- 2017-12-22 WO PCT/KR2017/015381 patent/WO2018124664A1/ko active Application Filing
- 2017-12-22 CN CN201780005600.9A patent/CN108513684A/zh active Pending
- 2017-12-22 TW TW106145397A patent/TWI658340B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003007986A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Sony Corp | 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法 |
| JP2005159314A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-06-16 | Seiko Epson Corp | タイル状素子、タイル状素子の製造方法、デバイスの製造方法及び電子機器 |
| JP2008251791A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 粘着シート貼付装置及び貼付方法 |
| JP2013060597A (ja) * | 2007-10-11 | 2013-04-04 | Hitachi Chemical Co Ltd | 接着剤付きウエハ、接着剤組成物及び接着剤付きウエハの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020174129A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
| JP7272078B2 (ja) | 2019-04-10 | 2023-05-12 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、保持部材の製造方法、転写部材の製造方法、及び、発光基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180075310A (ko) | 2018-07-04 |
| TWI658340B (zh) | 2019-05-01 |
| WO2018124664A1 (ko) | 2018-07-05 |
| TW201830169A (zh) | 2018-08-16 |
| CN108513684A (zh) | 2018-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2019506737A (ja) | マイクロ電気素子の転写方法 | |
| JP6360829B2 (ja) | 半導体検査用の耐熱性粘着シート | |
| TWI671380B (zh) | 用於檢測半導體的耐熱性黏合片，以及半導體的檢測方法 | |
| KR101488047B1 (ko) | 다이싱-다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법 | |
| WO2008051015A1 (en) | Photocurable pressure-sensitive adhesive composition including acrylic binder resin, adhesive tape using the same, and associated methods | |
| JP4002236B2 (ja) | ウエハ貼着用粘着テープ | |
| JP2006282911A (ja) | 粘着剤組成物及び粘着テープ | |
| JP2009246302A (ja) | ダイソートテープ | |
| JP2010238799A (ja) | 粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
| JP2018002787A (ja) | 粘着剤組成物 | |
| KR20170043483A (ko) | 에너지선 경화성 접착제 | |
| JP4805765B2 (ja) | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法。 | |
| CN105683834B (zh) | 表膜、带表膜的光掩模及半导体元件的制造方法 | |
| JPWO2012157615A1 (ja) | 粘着シートおよび電子部品の製造方法 | |
| JP2008222894A (ja) | 電子部品固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品の製造方法 | |
| JP2002203822A (ja) | 脆性部材の加工方法および両面粘着シート | |
| JP2008021897A (ja) | 半導体部材固定用粘着シート及びそれを用いた電子部品製造方法。 | |
| WO2023042745A1 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、その硬化により得られる微粘着性のオルガノポリシロキサン粘着剤層および積層体 | |
| JP2011213919A (ja) | 放射線硬化性半導体ウエハ表面保護用粘着テープ | |
| JP5809685B2 (ja) | 粘着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
| KR100671331B1 (ko) | 다이싱테이프용 점착조성물 및 다이싱테이프 | |
| JP2012015342A (ja) | セパレータレス型ダイシングテープ | |
| JP2016207900A (ja) | 樹脂封止部品の製造方法 | |
| WO2023068315A1 (ja) | 粘着テープ | |
| TW201932302A (zh) | 積層體之製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190423 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190723 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190903 |