WO2018083918A1 - 保持装置、検査装置、検査方法、樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止品の製造方法 - Google Patents

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sealed
sealing
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直毅 高田
賢典 白澤
聡 中尾
準子 高田
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Definitions

  • the present invention relates to a holding device, an inspection device, an inspection method, a resin sealing device, a resin sealing method, and a resin sealing product manufacturing method.
  • Patent Document 1 describes a holding device that sucks a substrate through a plurality of suction holes.
  • the substrate may be bent (distorted or warped) by the mounting.
  • the substrate after resin sealing, when the substrate after resin sealing is cooled and contracted after removal from the mold, due to the difference in thermal expansion coefficient (linear expansion coefficient) between the substrate and the sealing resin
  • the substrate may be curved.
  • the substrate when the substrate is bent, the substrate may not be stably held.
  • “substrate is deformed” may be expressed including “the substrate is curved”, “the substrate is distorted”, and “the substrate is warped”.
  • a holding device includes: A table on which the object is placed; A plurality of suction holes provided in the table for sucking the object; A sealing material provided on the table and surrounding the periphery of the plurality of suction holes; A pressing member for pressing the periphery of the object against the table at a position where the sealing material is disposed; A pressure reducing mechanism connected to the plurality of suction holes; Is provided.
  • an inspection apparatus includes: A table on which the object is placed; A plurality of suction holes provided in the table for sucking objects; A sealing material provided on the table and surrounding the periphery of the plurality of suction holes; A pressing member for pressing the periphery of the object against the table at a position where the sealing material is disposed; A pressure reducing mechanism connected to the plurality of suction holes; An inspection mechanism that inspects the object in a state where the periphery of the object is pressed by the pressing member and the object is sucked through the plurality of suction holes by the decompression mechanism; Is provided.
  • an inspection method includes: Placing an object on a table provided with a plurality of suction holes and a sealing material surrounding the plurality of suction holes; Pressing the periphery of the object against the table by a pressing member at a position where the sealing material is disposed; Forming a space between the table and the object by pressing around the object; and Drawing the air through the plurality of suction holes to bring the object into close contact with the table; and Inspecting the object using an inspection mechanism with the object in close contact with the table; including.
  • FIG. 1A and 1B are schematic views showing a holding device according to Embodiment 1, wherein FIG. 3A is a plan view, and FIG. (A)-(c) is a schematic sectional drawing which shows the process in which the sealed board
  • FIG. FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a holding device according to a second embodiment, where (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view taken along line BB.
  • (A)-(b) is a schematic sectional drawing which shows the process of measuring the thickness of the board
  • FIG. 6 it is a top view which shows the outline
  • A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows the process of resin-sealing using the resin molding apparatus of Embodiment 6.
  • the “object” includes a substrate and a composite in which an insulator or a conductor is formed on the substrate.
  • the “substrate” includes a general substrate such as a glass epoxy laminate, a printed substrate, a glass substrate, a metal substrate, a semiconductor wafer, and the like.
  • the “resin-sealed product” is a resin-sealed object and includes a sealed substrate described later.
  • Embodiment 1 (Configuration of holding device) The structure of the holding device according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • the holding device is a holding device that holds an object in close contact with the table by vacuum suction.
  • the object to be held is a substrate or a complex in which an insulator, metal, or the like is formed on the substrate.
  • Embodiment 1 shows an example in which a substrate having a rectangular shape as an object is held in close contact with a table.
  • the substrate for example, a glass epoxy laminated plate, a printed substrate, a ceramic substrate, a lead frame, or the like is used. Alternatively, a sealed substrate in which a sealing resin is molded on these substrates is used.
  • the holding device 1 includes a table 2 on which a substrate is placed and a plurality of suction holes 3 provided in the table 2.
  • a plurality of suction holes 3 are formed in the table 2 in a lattice shape. In FIG. 1, ten suction holes 3 are formed along the longitudinal direction, and five suction holes 3 are formed along the lateral direction. Therefore, a total of 50 suction holes 3 are formed in the table 2. As shown in FIG. 1B, each suction hole 3 penetrates from the front surface to the back surface of the table 2.
  • the number of the suction holes 3 is arbitrarily set according to the size of the substrate 4 to be held (portion indicated by a two-dot chain line in the drawing) and the deformed state of the substrate 4 (for example, the state of distortion or warpage of the substrate). can do.
  • the plurality of suction holes 3 are connected to the decompression mechanism 6 via pipes 5 connected to the respective suction holes 3.
  • a vacuum pump or the like is used as the decompression mechanism 6.
  • the holding device 1 is provided with a pressing member 7 for pressing the periphery of the substrate 4 against the table 2 in accordance with the shape and size of the substrate 4.
  • the pressing member 7 is configured by, for example, a frame-shaped member having an opening 8 in the vertical direction.
  • the pressing member 7 is a pressing member that presses only the periphery of the substrate 4 and does not press the central portion of the substrate 4.
  • the pressing member 7 is raised and lowered by a drive mechanism (not shown) provided in the holding device 1.
  • PEEK Poly Ether Ether Ketone
  • a buffer member or an elastic member may be provided on the bottom surface of the pressing member 7.
  • the table 2 is provided with sealing grooves 9 surrounding the plurality of suction holes 3.
  • a sealing material 10 such as an O-ring is disposed in the sealing groove 9.
  • the sealing material 10 is disposed so that the upper portion of the sealing material 10 protrudes from the surface of the table 2.
  • the sealing material 10 it is preferable to use silicone rubber, fluorine rubber, or the like.
  • the sealing material 10 is preferably made of a material having an appropriate hardness and easily stretched.
  • a frame-shaped pressing member 7 is disposed above the position where the sealing material 10 is disposed.
  • the sealing material 10 is enclosed in the frame-shaped pressing member 7 in plan view.
  • FIG. 1A when the state in which the pressing member 7 and the sealing material 10 overlap is drawn as a plan view, the sealing material 10 is completely included in the pressing member 7. Therefore, as will be described later, as shown in FIG. 2B, the periphery of the substrate 4 (the sealed substrate 11 in FIG. 2) is sandwiched between the sealing material 10 and the pressing member 7 disposed on the table 2. In this state, it is pressed against the table 2. (Operation of holding device)
  • FIGS. 1 and 2 With reference to FIGS. 1 and 2, the operation of holding the object in close contact with the table 2 in the holding device 1 will be described.
  • FIG. 2 an example will be described in which, as an object, for example, a sealed substrate in which a sealing resin is molded on the substrate is held in close contact with the table 2.
  • the sealed substrate 11 is placed at a predetermined position on the table 2.
  • the sealed substrate 11 includes, for example, a substrate 12 made of a printed circuit board or a lead frame, a plurality of chip-like components (not shown) mounted in a plurality of regions of the substrate 12, and a plurality of regions collectively. And a sealing resin 13 molded so as to be covered. If the difference between the thermal expansion coefficient of the substrate 12 and the thermal expansion coefficient of the sealing resin 13 is large, the sealed substrate 11 is deformed when the sealed substrate 11 is taken out of the mold and brought to a room temperature lower than the molding temperature. There are things to do. In FIG. 2, as an example in which the sealed substrate 11 is deformed, for example, an example in which a warp that is convex on the surface side (the side on which the sealing resin 13 is molded) of the sealed substrate 11 occurs. Show.
  • the sealed substrate 11 having a warp that is convex on the surface side is placed on the table 2, the sealed substrate 11 and the table 2 are brought into close contact with each other.
  • a gap 14 is generated between the sealed substrate 11 and the table 2. If the gap 14 is large, the suction force is weak even if the sealed substrate 11 is sucked by the decompression mechanism 6, and the sealed substrate 11 may not be attracted to the table 2. Further, even if the sealed substrate 11 is sucked by the decompression mechanism 6, if the air leaks between the sealed substrate 11 and the table 2, the sealed substrate 11 may not be sufficiently adsorbed to the table 2. is there. This phenomenon becomes particularly remarkable in the sealed substrate 11 having a large area. The fact that the sealed substrate 11 cannot be attracted to the table 2 means that the warped of the sealed substrate 11 can be corrected to be flat and the sealed substrate 11 cannot be brought into close contact with the table 2.
  • the pressing member 7 is lowered from a predetermined position by using a drive mechanism (not shown) provided in the holding device 1.
  • the bottom surface of the pressing member 7 is brought into contact with the periphery of the sealed substrate 11, and the periphery of the sealed substrate 11 is brought into close contact with the sealing material 10 by the pressing member 7.
  • the sealed substrate 11 is further pressed in a state where the periphery of the sealed substrate 11 is in close contact with the sealing material 10.
  • a sealed space 15 can be formed between the sealed substrate 11 and the table 2 via the sealing material 10. Therefore, it is possible to prevent air from leaking to the outside from the sealed space 15 formed between the sealed substrate 11 and the table 2.
  • the pressure-reducing mechanism 6 and the sealed substrate 11 are pressed with the pressing member 7 pressed against the table 2 through the sealing material 10 around the sealed substrate 11.
  • Air present in the sealed space 15 formed between the table 2 is sucked.
  • the pressure in the sealed space 15 changes from atmospheric pressure to negative pressure (vacuum). Since the pressure in the sealed space 15 is smaller than the atmospheric pressure, a force for pressing the sealed substrate 11 against the table 2 is generated by the atmospheric pressure.
  • the sealed substrate 11 is attracted to the table 2 by the vacuum mechanism 6 sucking the sealed substrate 11. Thereby, the warp of the sealed substrate 11 can be corrected to be flat and the sealed substrate 11 can be brought into close contact with the table 2.
  • sucking the sealed substrate 11 to the table 2 through the plurality of suction holes 3 the sealed substrate 11 can be held in close contact with the table 2.
  • the area occupied by the sealed space 15 formed between the sealed substrate 11 and the table 2 corresponds to a vacuum adsorption area (pressure receiving area).
  • the area of the spatial region in the region indicated by A in FIG. 2B in other words, the surface area on the substrate 12 side of the pre-sealing substrate 11 not in contact with the table 2 corresponds to the pressure receiving area.
  • the larger the pressure receiving area the larger the force received from the atmospheric pressure, and the suction force for sucking the sealed substrate 11 to the table 2 increases. Therefore, even when the area of the sealed substrate 11 is large or the warp of the sealed substrate 11 is large, the warp of the sealed substrate 11 is corrected to be flat and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2.
  • the holding device 1 includes a table 2 on which a sealed substrate 11 as an object is placed, a plurality of suction holes 3 provided on the table 2 for sucking the sealed substrate 11, and the table 2.
  • a sealing member 10 that surrounds the periphery of the plurality of suction holes 3, a pressing member 7 that presses the periphery of the sealed substrate 11 against the table 2 at a position where the sealing member 10 is disposed, and a plurality of suction holes 3.
  • the pressure reducing mechanism 6 to be connected is provided.
  • a sealed space 15 is formed between the sealed substrate 11 and the table 2, and the air existing in the sealed space 15 is sucked to place the sealed substrate 11 on the table 2. Pull and stick. Therefore, the warped of the sealed substrate 11 can be corrected to be flat and the sealed substrate 11 can be held in close contact with the table 2.
  • the table 2 is provided with a plurality of suction holes 3 for sucking the sealed substrate 11 as a target object and the sealing material 10 surrounding the suction holes 3.
  • a pressing member 7 that presses the periphery of the sealed substrate 11 against the table 2 is provided at a position where the sealing material 10 is disposed. Even when warpage occurs in the sealed substrate 11, by pressing the periphery of the sealed substrate 11 with the pressing member 7, the sealed substrate 11, the table 2, A sealed space 15 can be formed between the two.
  • the pressure reduction mechanism 6 is used to suck the air present in the sealed space 15.
  • the pressure in the sealed space 15 becomes smaller than the atmospheric pressure, and a force for pressing the sealed substrate 11 against the table 2 is generated by the atmospheric pressure.
  • the decompression mechanism 6 sucks the sealed substrate 11, the sealed substrate 11 is attracted to and brought into close contact with the table 2. Therefore, the warp of the sealed substrate 11 can be corrected to be flat, and the sealed substrate 11 can be held in close contact with the table 2.
  • the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2 by sucking the air present in the sealed space 15 formed between the sealed substrate 11 and the table 2. Since the area occupied by the sealed space 15 corresponds to the vacuum pressure receiving area, the suction force for sucking the sealed substrate 11 to the table 2 increases as the area occupied by the sealed space 15 increases. Therefore, even when the area of the sealed substrate 11 is large or the warp of the sealed substrate 11 is large, the warp of the sealed substrate 11 is corrected to be flat and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2. Can be held in a state of being allowed to enter.
  • a force for pressing the sealed substrate 11 against the table 2 is generated by atmospheric pressure.
  • the warp of the sealed substrate 11 is corrected to be flat, and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2.
  • the sealed substrate 11 may slide on the sealing material 10 by loosening the pressing force of the pressing member 7 or making the sealing material 10 easy to slide. Thereby, it is possible to prevent the sealed substrate 11 from being damaged by correcting the warpage of the sealed substrate 11.
  • the holding device 16 is a holding device that holds a substrate (object) having a circular shape in close contact with the table.
  • a wafer or a wafer level package in which a sealing resin is molded on the wafer is used.
  • the holding device 16 includes a table 17 on which a circular substrate is placed and a plurality of suction holes 3 provided in the table 17.
  • a plurality of suction holes 3 are formed in a circumferential shape.
  • the number of the suction holes 3 is arbitrarily set according to the size of the substrate 18 to be held (portion indicated by a two-dot chain line in the drawing), the deformed state of the substrate 18 (the state of distortion or warpage of the substrate), and the like. Can do.
  • the plurality of suction holes 3 are connected to the decompression mechanism 6 via pipes 5 connected to the respective suction holes 3.
  • As the decompression mechanism 6, a vacuum pump or the like is used.
  • the holding device 16 is provided with a pressing member 19 for pressing the periphery of the substrate 18 against the table 17 in accordance with the size of the substrate 18.
  • the pressing member 19 is configured by an annular member having an opening 20 in the vertical direction.
  • polyether ether ketone: PEEK (PolyPoEther Ether Ketone) or the like is used as the pressing member 19.
  • a buffer member or an elastic member may be provided on the bottom surface of the pressing member 19.
  • the pressing member 19 is moved up and down by a drive mechanism (not shown) provided in the holding device 16.
  • the table 17 is provided with a sealing groove 21 that surrounds the periphery of the plurality of suction holes 3.
  • a sealing material 22 is disposed in the sealing groove 21. Therefore, the periphery of the substrate 18 is pressed against the table 17 while being sandwiched between the sealing material 22 and the pressing member 19 disposed on the table 17.
  • a wafer such as a silicon wafer or a compound semiconductor wafer, or a wafer level package that is resin-sealed in a wafer state can be held on the table 17.
  • the holding device 16 may be provided with an annular pressing member that presses the periphery of the wafer corresponding to the diameter of the wafer.
  • a plurality of suction holes 3 are formed in the table 17 in a circumferential shape.
  • the position of the plurality of suction holes 3 can be set arbitrarily.
  • the suction holes 3 may be formed so as to correspond to the respective chip regions where the manufacturing process in the semiconductor pre-process is completed and the wafer is divided and separated into individual pieces.
  • the holding device 16 Since the operation of the holding device 16 is the same as that of the holding device 1 shown in the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • the holding device 16 has the same effect as the holding device 1 shown in the first embodiment.
  • Embodiment 3 (Configuration of inspection equipment) With reference to FIG. 4, the inspection apparatus used in Embodiment 3 will be described.
  • the inspection device is obtained by adding an inspection mechanism to the holding device 1 shown in the first embodiment or the holding device 16 shown in the second embodiment.
  • the holding device can be used as an inspection device.
  • the inspection mechanism for example, a mechanism for measuring the thickness of the substrate and a mechanism for inspecting the surface state of the substrate are added. Since the configuration and operation other than the inspection mechanism are the same as those of the holding device 1 of the first embodiment or the holding device 16 of the second embodiment, description thereof is omitted.
  • the inspection device 23 has a configuration in which, for example, an inspection mechanism such as a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, and an image processing system is further added to the holding device 1.
  • an inspection mechanism such as a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, and an image processing system is further added to the holding device 1.
  • a contact displacement sensor or an optical displacement sensor as the inspection mechanism, the thickness of the substrate held in close contact with the table 2 can be accurately measured.
  • an image processing system equipped with a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor or CCD (Charge Coupled Device) image sensor as the inspection mechanism, substrate surface inspection, defect inspection, pattern inspection, etc. can be performed it can. Since the substrate is held in close contact with the table 2, an accurate inspection can be performed in a state in which the influence of deformation such as warpage or distortion is removed.
  • the thickness of the substrate held on the table 2 can also be measured by applying an image recognition system.
  • image processing general image processing such as binarization of an image captured by a camera and
  • the inspection device 23 includes a contact-type displacement sensor 24 above the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 can be moved in the X direction, the Y direction, and the Z direction by a moving mechanism (not shown) provided in the inspection device 23.
  • the thickness of the substrate can be measured at an arbitrary position.
  • the pressing member 7 is configured to press only the periphery of the substrate and not the central portion of the substrate. In other words, the entire region of the sealing resin on the sealed substrate, which is important for inspection, or the entire region of the region where the semiconductor chip of the substrate before sealing is mounted can be inspected. Therefore, the contact-type displacement sensor 24 moves in the X direction, the Y direction, and the Z direction in the opening 8 of the pressing member 7. This makes it possible to measure the thickness of the substrate at an arbitrary position on the substrate.
  • the pre-sealing substrate prevents the semiconductor chip and the like from being damaged by the pressing member.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and the predetermined position P ⁇ b> 1 of the table 2 without the sealed substrate 11 being placed on the table 2.
  • the predetermined position P1 of the table 2 corresponds to a position P2 (see FIG. 4B) where the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 is measured.
  • the height displacement h1 of the table surface is measured by the contact type displacement sensor 24.
  • the measured height position h1 of the table surface is stored in a memory or the like as the reference height of the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 is raised to stand by above the predetermined position P1.
  • the sealed substrate 11 having warpage is placed at a predetermined position of the table 2.
  • the pressing member 7 is lowered to press the periphery of the sealed substrate 11 against the table 2.
  • a sealed space 15 is formed between the sealed substrate 11 and the table 2 via the sealing material.
  • the warp of the sealed substrate 11 is corrected to be flat, and the sealed substrate 11 is held in close contact with the table 2. In this state, the warped substrate 11 is corrected to be warped and adheres flatly on the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with a predetermined position P2 of the substrate 12 included in the sealed substrate 11.
  • the height position h2 of the substrate 12 is measured by the contact displacement sensor 24. Since the sealed substrate 11 is held in flat contact with the table 2, the height position h2 of the substrate 12 can be accurately measured.
  • a difference (h2 ⁇ h1) between the measured height position h2 of the substrate 12 and the height position h1 of the table surface stored in advance is obtained. This difference (h2 ⁇ h1) corresponds to the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 at the predetermined position P2 of the sealed substrate 11.
  • the predetermined position P2 of the substrate 12 and the predetermined position P1 of the table 2 are the same measurement position in plan view. Therefore, the thickness of the substrate 2 at the predetermined position P2 can be accurately obtained by obtaining the difference (h2-h1) between the two height positions measured by the contact type displacement sensor 24. In this manner, the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 can be accurately measured using the inspection apparatus 23 in a state where the sealed substrate 11 is adhered flatly on the table 2. it can. (Function and effect)
  • the inspection apparatus 23 includes a table 2 on which the sealed substrate 11 as an object is placed, a plurality of suction holes 3 provided on the table 2 for sucking the sealed substrate 11, and the table 2.
  • a contact displacement sensor 24 which is an inspection mechanism for inspecting the finished substrate 11 is provided.
  • a sealed space 15 is formed between the sealed substrate 11 having warpage and the table 2 through the sealing material 10.
  • the sealed substrate 11 is attracted to and brought into close contact with the table 2.
  • the warp of the sealed substrate 11 can be corrected to be flat and the sealed substrate 11 can be held in close contact with the table 2. Therefore, the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 can be accurately measured using the contact-type displacement sensor 24 in a state in which the influence of deformation such as warpage or distortion is removed.
  • the inspection device 23 measures the thickness of the sealed substrate 11 and the pressing member 7 that presses the periphery of the sealed substrate 11 against the table 2 corresponding to the sealed substrate 11.
  • a contact-type displacement sensor 24 is provided. Even when the sealed substrate 11 is deformed such as warping or distortion, the sealed substrate 11 is pressed via the sealing material 10 by pressing the periphery of the sealed substrate 11 with the pressing member 7. A sealed space 15 can be formed between 11 and the table 2.
  • the pressure reduction mechanism 6 is used to suck the air present in the sealed space 15.
  • the deformation of the sealed substrate 11 can be corrected and the sealed substrate 11 can be brought into close contact with the table 2.
  • the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 is measured using the contact displacement sensor 24. Therefore, the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 can be accurately measured in a state in which the influence of deformation such as warpage or distortion is removed.
  • the sealed substrate 11 is placed on the table 2, the warpage of the sealed substrate 11 is corrected to be flat, and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 is used to measure the height position h2 of the substrate 12 at the predetermined position P2 of the sealed substrate 11.
  • the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 can be accurately obtained. . Therefore, the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 can be accurately measured in a state in which the influence of deformation such as warpage or distortion is removed.
  • the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2 by sucking the air present in the sealed space 15 formed between the sealed substrate 11 and the table 2. Since the area occupied by the sealed space 15 corresponds to a vacuum pressure receiving area, even when the area of the sealed substrate 11 is large or the warp of the sealed substrate 11 is large, the warp of the sealed substrate 11 is flat. And the sealed substrate 11 can be brought into close contact with the table 2. Therefore, even in the sealed substrate 11 having a large area or the sealed substrate 11 having a large warp, the substrate 12 of the sealed substrate 11 has the sealed substrate 11 in close contact with the table 2. Thickness can be measured accurately.
  • the case where only one thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 is measured is shown for convenience. Not only this but the thickness of the board
  • the sealed substrate 11 having warpage is placed on a predetermined position of the table 2.
  • the periphery of the sealed substrate 11 is pressed against the table 2 by lowering the pressing member 7.
  • the warpage of the sealed substrate 11 is corrected to be flat and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2. In this state, the sealed substrate 11 is held flat on the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with the predetermined position P2 of the sealed substrate 11.
  • the height position h2 of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 is measured by the contact-type displacement sensor 24.
  • the measured height position h2 of the substrate 12 is stored in a memory or the like as the relative height of the substrate 12 included in the sealed substrate 11.
  • the contact-type displacement sensor 24 is raised, and the contact-type displacement sensor 24 is moved to a predetermined position above the sealing resin 13 of the sealed substrate 11.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with the predetermined position P3 of the sealed substrate 11.
  • the height position h3 of the sealed substrate 11 is measured by the contact displacement sensor 24.
  • the difference (h3 ⁇ h2) between the measured height position h3 of the sealed substrate 11 and the relative height position h2 of the substrate 12 stored in advance is obtained.
  • This difference (h3 ⁇ h2) corresponds to the relative thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11.
  • the sealed substrate 11 is held in close contact with the table 2 in a state where the warpage is corrected to be flat. Therefore, the height position h2 of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 and the height position h3 of the sealed substrate 11 using the contact-type displacement sensor 24 in a state where the influence of deformation such as warpage and distortion is removed. Both of them can be measured. Therefore, by obtaining the difference (h3 ⁇ h2) in the measured height position, it is possible to easily obtain the thickness of the sealing resin 13 that has conventionally been difficult to measure.
  • the sealed substrate 11 is adsorbed to the table 2 by sucking the air present in the sealed space 15 formed between the sealed substrate 11 and the table 2. Since the area occupied by the sealed space 15 corresponds to a vacuum pressure receiving area, even when the area of the sealed substrate 11 is large or the warp of the sealed substrate 11 is large, the warp of the sealed substrate 11 is flat. And the sealed substrate 11 can be held in close contact with the table 2. Therefore, even in the sealed substrate 11 having a large area or the sealed substrate 11 having a large warp, the sealing resin included in the sealed substrate 11 with the sealed substrate 11 in close contact with the table 2. The thickness of 13 can be determined relatively.
  • the thickness of the sealing resin 13 of the sealed substrate 11 that is resin-sealed in the resin molding apparatus can be relatively determined. Therefore, it is possible to easily manage the film thickness of the sealing resin 13, which has been difficult in the past, in other words, to manage the thickness of the package that will eventually become a product. As a result, the molding process in the resin molding apparatus can be managed stably and easily.
  • the case where only one thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 is measured is shown for convenience.
  • the thickness of the substrate 12 and the sealed substrate 11 at a plurality of positions can be similarly measured using the contact displacement sensor 24. In that case, the average value and variation of the relative thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 can be obtained.
  • Emodiment 5 With reference to FIG. 6, the operation
  • the contact-type displacement sensor 24 is moved above the measurement position in a state where nothing is placed on the table 2 in the inspection device 23.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with a predetermined position P4 of the table 2.
  • the predetermined position P4 of the table 2 includes a position P5 (see FIG. 6B) for measuring the thickness of the substrate 12 included in the pre-sealing substrate 26 and a position P6 (see FIG. 6) for measuring the thickness of the sealed substrate 11. (C)).
  • the height displacement h4 of the table surface is measured by the contact type displacement sensor 24.
  • the measured height h4 of the table surface is stored in a memory or the like as a reference height.
  • the contact-type displacement sensor 24 is raised to stand by above the predetermined position P4.
  • the pre-sealing substrate 26 on which the plurality of semiconductor chips 25 are mounted is placed at a predetermined position on the table 2.
  • the periphery of the substrate 26 before sealing is pressed against the table 2 by lowering the pressing member 7.
  • the deformation of the pre-sealing substrate 26 is corrected and the pre-sealing substrate 26 is brought into close contact with the table 2. In this state, the deformation of the pre-sealing substrate 26 is corrected and held flat on the table 2.
  • the contact type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with a predetermined position P5 of the substrate 26 before sealing.
  • the predetermined position P5 of the substrate 26 before sealing is a region where the semiconductor chip 25 is not mounted and the upper surface of the substrate 12 is exposed.
  • the height position h5 of the substrate 26 before sealing is measured by the contact displacement sensor 24.
  • a difference (h5 ⁇ h4) between the measured height position h5 of the substrate 26 before sealing and the reference height position h4 of the table surface stored in advance is obtained.
  • This difference (h5 ⁇ h4) corresponds to the thickness of the substrate 12 included in the pre-sealing substrate 26 at the predetermined position P5 of the pre-sealing substrate 26.
  • the height position h5 of the substrate 26 before sealing is stored in a memory or the like.
  • the contact-type displacement sensor 24 is raised and waited above the predetermined position P5.
  • the pressing member 7 is raised and stopped at the original position.
  • the substrate 26 before sealing is taken out from the table 2.
  • the inspection apparatus 23 returns to the initial standby state.
  • the sealed substrate 11 is placed at a predetermined position on the table 2.
  • This sealed substrate 11 is a sealed substrate obtained by resin-sealing the unsealed substrate 26 whose height position h5 is measured at the predetermined position P5 described above. Therefore, the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11 are placed at the same position on the table 2 of the inspection apparatus 23.
  • the periphery of the sealed substrate 11 is pressed against the table 2 by lowering the pressing member 7.
  • sucking the sealed substrate 11 using the decompression mechanism 6 the deformation of the sealed substrate 11 is corrected and the sealed substrate 11 is brought into close contact with the table 2. In this state, the sealed substrate 11 is held flat on the table 2.
  • the contact-type displacement sensor 24 is lowered and brought into contact with the predetermined position P6 of the sealed substrate 11.
  • the height position h6 of the sealed substrate 11 is measured by the contact displacement sensor 24.
  • a difference (h6 ⁇ h5) between the measured height position h6 of the sealed substrate 11 and the height position h5 of the pre-sealing substrate 26 stored in advance is obtained.
  • This difference (h6 ⁇ h5) corresponds to the thickness of the sealing resin 13 of the sealed substrate 11 at the predetermined position P6 of the sealed substrate 11.
  • the sealed substrate 11 has the same position as the sealed substrate 11 in a state where the deformation of the pre-sealed substrate 26 and the sealed substrate 11 is corrected and held flat on the table 2.
  • the thickness of the substrate 12 and the thickness of the sealing resin 13 can be accurately measured.
  • the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11 are held in close contact with the table 2 in a state where the deformation is corrected. Therefore, in a state in which the influence of deformation such as warpage and distortion is removed, the contact-type displacement sensor 24 is used, and the height position h5 of the substrate 12 of the sealed substrate 11 at the same position and the sealed substrate 11 The height position h6 can be accurately measured. Therefore, from these height positions h6 and h5 and the reference height position h4 of the table surface at the same position, the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 and the thickness of the sealing resin 13 are accurately measured. Can do.
  • the deformation of the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11 is corrected and held in close contact with the table 2. be able to. Therefore, even in the sealed substrate 11 having a large area or the sealed substrate 11 having a large warp, the thickness of the substrate 12 and the thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 are accurately measured. be able to.
  • the contact-type displacement sensor 24 can be used to measure the thickness of the substrate 12 and the thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 at a plurality of positions. In that case, the average value and variation of the thickness of the substrate 12 and the thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 can be obtained.
  • the reference height position h4 of the table surface at the same position, the height position h5 of the substrate 12 included in the sealed substrate 11, and the sealed substrate 11
  • the height position h6 was measured, and the thickness of the substrate 12 included in the sealed substrate 11 and the thickness of the sealing resin 13 were obtained.
  • the measurement of the reference height position h4 on the table surface can be performed at the start of production, and the value can be shared.
  • the reference height position h4 of the table surface is measured, and the value is shared according to the number of times of resin sealing. In this way, the number of measurements of the reference height position h4 can be reduced.
  • the thickness of the substrate 12 and the thickness of the sealing resin 13 were determined for the sealed substrate 11 having a two-layer structure including the substrate 12 and the sealing resin 13. Not only this but the board
  • the height position of the pre-sealing substrate 26 is measured by the contact displacement sensor 24 in a state where the pre-sealing substrate 26 is in close contact with the table 2.
  • the state of the chip of the semiconductor chip 25 can be inspected in the state where the substrate 26 before sealing is in close contact with the table 2. In this case, it is determined whether the semiconductor chip 25 is normally disposed on the substrate 12 using the contact displacement sensor, the optical displacement sensor, the image recognition system, the line sensor, or the like, and there is no chipping. Can be inspected. When the semiconductor chip 25 is missing, the amount of resin supplied when resin molding can be adjusted.
  • Embodiment 6 (Configuration of resin molding equipment) With reference to FIG. 7, the resin molding apparatus of Embodiment 6 is demonstrated.
  • the resin molding apparatus shown in FIG. 7 is a resin molding apparatus provided with the inspection apparatus 23 described so far. In FIG. 7, for example, a resin molding apparatus using a compression molding method is shown.
  • the resin molding apparatus 27 includes a substrate supply / storage module 28, an inspection module 29, three molding modules 30A, 30B, and 30C, and a resin supply module 31 as components.
  • the substrate supply / storage module 28, the inspection module 29, the molding modules 30A, 30B, and 30C, and the resin supply module 31, which are constituent elements, can be attached to and detached from other constituent elements, respectively. And can be exchanged.
  • the substrate supply / storage module 28 includes a pre-sealing substrate supply unit 32 for supplying the pre-sealing substrate 26, a sealed substrate storage unit 33 for storing the sealed substrate 11, the pre-sealing substrate 26 and the sealing.
  • a substrate platform 34 for delivering the stopped substrate 11 and a substrate transport mechanism 35 for transporting the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11 are provided.
  • the substrate platform 34 moves in the Y direction within the substrate supply / storage module 28.
  • the substrate transport mechanism 35 moves in the X direction, the Y direction, and the Z direction in the substrate supply / storage module 28, the inspection module 29, and the molding modules 30A, 30B, and 30C.
  • the predetermined position S1 is a position to stand by when the substrate transport mechanism 35 does not operate.
  • the inspection module 29 is provided with the inspection device 23 shown in the third to fifth embodiments.
  • the inspection device 23 includes a table 2, a decompression mechanism 6, a pressing member 7, and a contact displacement sensor 24. Using the inspection apparatus 23, the height position serving as the reference of the table 2, the height position of the substrate 12 included in the pre-sealing substrate 26, the height position of the substrate 12 included in the sealed substrate 11, and the sealed substrate 11 is inspected as necessary, such as the height position of 11 and the arrangement state of the semiconductor chips on the substrate 26 before sealing.
  • Each molding module 30A, 30B, 30C is provided with a lower mold 36 that can be moved up and down, and an upper mold (see FIG. 8) that is disposed to face the lower mold 36.
  • the lower mold 36 is provided with a cavity 37 to which a resin material is supplied.
  • a release film supply mechanism 38 (a rectangular portion indicated by a two-dot chain line in FIG. 7) for supplying a long release film to the lower mold 36 is provided.
  • Each of the molding modules 30A, 30B, and 30C includes a mold clamping mechanism 39 (circular portion indicated by a two-dot chain line in FIG. 7) that molds and clamps the upper mold and the lower mold 36.
  • the resin supply module 31 includes an XY table 40, a resin container 41 placed on the XY table 40, a resin material loading mechanism 42 for loading a resin material into the resin container 41, a resin A resin transport mechanism 43 that transports the accommodating portion 41 is provided.
  • the XY table 40 moves in the X direction and the Y direction in the resin supply module 31.
  • the resin transport mechanism 43 moves in the X direction, the Y direction, and the Z direction within the resin supply module 31 and the respective molding modules 30A, 30B, and 30C.
  • the predetermined position R1 is a position to stand by when the resin transport mechanism 43 does not operate.
  • the substrate supply / storage module 28 is provided with a control unit CTL.
  • the control unit CTL performs transport of the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11, transport of the resin material, mold clamping and mold opening, thickness measurement of the pre-sealing substrate 26 and the sealed substrate 11, and the like. Control.
  • the control unit CTL may be provided in the inspection module 29, each molding module 30A, 30B, 30C, or the resin supply module 31. (Operation of resin molding equipment) With reference to FIGS. 7 to 8, the operation of resin sealing using the resin molding device 27 will be described.
  • the unsealed substrate 26 is sent from the unsealed substrate supply unit 32 to the substrate mounting unit 34.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved in the ⁇ Y direction from the predetermined position S1, and the substrate transport mechanism 35 receives the pre-sealing substrate 26 from the substrate platform 34.
  • the substrate transport mechanism 35 is returned to the predetermined position S1.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved in the + X direction to the predetermined position M1 of the molding module 30B.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved in the ⁇ Y direction to stop at a predetermined position C1 above the lower die 36.
  • a release film 44 (see FIG. 8A) is supplied from the release film supply mechanism 38 to the lower mold 36.
  • the substrate transport mechanism 35 is raised to supply the pre-sealing substrate 26 to the upper mold 45 (see FIG. 8A).
  • the substrate transport mechanism 35 is returned to the predetermined position S1 of the substrate supply / storage module 28.
  • the XY table 40 is moved in the ⁇ Y direction, and the n resin accommodating portion 41 is stopped at a predetermined position below the resin material charging mechanism 42.
  • a predetermined amount of resin material is supplied from the resin material charging mechanism 42 to the resin accommodating portion 41.
  • the XY table 40 is returned to its original position.
  • the resin transport mechanism 43 is moved in the ⁇ Y direction from the predetermined position R1.
  • the resin transport mechanism 43 receives the resin container 41 placed on the XY table 40.
  • the resin transport mechanism 43 is returned to the predetermined position R1.
  • the resin transport mechanism 43 is moved in the ⁇ X direction to the predetermined position M1 of the molding module 30B.
  • the resin transport mechanism 43 is moved in the ⁇ Y direction and stopped at a predetermined position C1 above the lower die 36.
  • the resin transport mechanism 43 is lowered and the resin material 46 (see FIG. 8A) is supplied from the resin container 41 to the cavity 37.
  • the resin transport mechanism 43 is returned to the predetermined position R1.
  • FIG. 8A shows a case where a granular resin is supplied as the resin material 46.
  • the resin material 46 is melted to produce a fluid resin 47.
  • the lower mold 36 is raised by the mold clamping mechanism 39 (see FIG. 7), and the upper mold 45 and the lower mold 36 are clamped.
  • the semiconductor chip 25 mounted on the pre-sealing substrate 26 is immersed in the fluid resin 47 melted in the cavity 37.
  • the fluid resin 47 is heated only for the time necessary to cure the fluid resin 47.
  • the fluid resin 47 is cured to form the cured resin 48.
  • the semiconductor chip 25 mounted on the pre-sealing substrate 26 is resin-sealed with the cured resin 48 molded corresponding to the shape of the cavity 37.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved from the predetermined position S1 of the substrate supply / storage module 28 to the predetermined position M1 of the molding module 30B. Further, the substrate transport mechanism 35 is moved to a predetermined position C1 above the lower mold 36, and the sealed substrate 11 is received by the substrate transport mechanism 35.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved from the molding module 30B to the inspection module 29, and stopped at a predetermined position E1 above the table 2 of the inspection apparatus 23.
  • the sealed substrate 11 is delivered from the substrate transport mechanism 35 to the inspection apparatus 23.
  • the substrate transport mechanism 35 is returned to the predetermined position S1.
  • the control unit CTL compares these height positions to determine the relative thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved to a predetermined position E1 above the table 2 of the inspection apparatus 23, and the sealed substrate 11 is received from the inspection apparatus 23.
  • the substrate transport mechanism 35 is moved to deliver the sealed substrate 11 to the substrate platform 34.
  • the sealed substrate 11 is stored in the sealed substrate storage unit 33 from the substrate platform 34.
  • the resin sealing is completed by the steps so far.
  • the inspection device 23 is provided in the inspection module 29 of the resin molding device 27.
  • the inspection device 23 uses the inspection device 23, the height position of the substrate 12 included in the pre-sealing substrate 26 and the sealing in a state where the deformation of the pre-sealing substrate 26 or the sealed substrate 11 is corrected and brought into close contact with the table 2
  • the height position of the substrate 12 included in the finished substrate 11 and the height position of the sealed substrate 11 can be measured.
  • the thickness of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11 can be accurately obtained. Therefore, the resin molding process in the resin molding device 27 can be steadily managed. This makes it possible to operate the resin molding device 27 stably.
  • the inspection device 23 is provided in the resin molding device 27 using the compression molding method.
  • the inspection apparatus 23 of the present invention can be provided not only in this but also in a resin molding apparatus using a transfer molding method or an injection molding method.
  • the inspection device 23 is integrated with the inspection module 29 of the resin molding device 27. Not limited to this, the inspection device 23 may be installed separately from the resin molding device 27. In this case, the thickness of the sealing resin molded in the plurality of resin molding apparatuses can be measured by one inspection apparatus 23.
  • the height position of the table 2 the height position of the substrate 12 included in the pre-sealing substrate 26, and the substrate included in the sealed substrate 11 are used.
  • the case where the contact type displacement sensor 24 is provided in the inspection device 23 as the inspection mechanism is shown.
  • both the contact-type displacement sensor 24 and the image processing system can be provided in the inspection apparatus 23.
  • the thickness measurement of the substrate 12 included in the sealed substrate 11, the thickness measurement of the sealing resin 13 included in the sealed substrate 11, and the surface inspection and defect inspection of the sealed substrate 11 are performed. This can be done using the inspection device 23. Further, the chip state of the semiconductor chip can be inspected on the pre-sealing substrate 26.
  • the holding device surrounds the table on which the object is placed, the plurality of suction holes provided on the table for sucking the object, and the periphery of the plurality of suction holes provided on the table.
  • the seal member is configured to include a pressing member that presses the periphery of the object against the table at a position where the seal member is disposed, and a decompression mechanism connected to the plurality of suction holes.
  • the deformation of the object can be corrected and the object can be held in close contact with the table.
  • the inspection apparatus includes a table on which an object is placed, a plurality of suction holes provided on the table for sucking the object, a sealing material provided on the table and surrounding the plurality of suction holes, and a seal At the position where the material is disposed, a pressing member that presses the periphery of the object against the table, a decompression mechanism connected to the plurality of suction holes, and the periphery of the object is pressed by the pressing member, and a plurality of suction is performed by the decompression mechanism An inspection mechanism that inspects the object in a state in which the object is sucked through the hole.
  • the inspection mechanism includes any one of a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, and an image processing system.
  • the resin molding apparatus is configured to include the inspection apparatus of the above embodiment.
  • the inspection method includes a step of placing an object on a table provided with a plurality of suction holes and a sealing material surrounding the plurality of suction holes, and a pressing member at a position where the sealing material is disposed. Pressing the periphery of the object against the table, forming the space between the table and the object by pressing the periphery of the object, and sucking the air in the space through the plurality of suction holes. This includes a step of bringing the object into close contact with the table and a step of inspecting the object using the inspection mechanism while the object is in close contact with the table.
  • the object is a pre-sealing substrate or a sealed substrate, and the object is inspected by using an inspection mechanism.
  • the inspection step includes the step of measuring the reference height information of the table using the inspection mechanism in a state where the object is not placed on the table, and the table of the object. Measuring the height information of the object using an inspection mechanism in close contact with the object, and comparing the height information of the object with the reference height information of the table. Ask for.
  • the reference thickness information of the table and the height information of the object measured with the object in close contact with the table are compared at the same position, whereby the thickness of the object is obtained more accurately. be able to.
  • the object has a substrate and an insulator formed on the substrate, and the inspection step uses an inspection mechanism in a state where the object is in close contact with the table. And measuring the substrate height information and the insulator height information, and comparing the insulator height information with the substrate height information to determine the thickness of the insulator.
  • the relative thickness of the insulator is obtained by comparing the height information of the substrate with the height information of the insulator in a state where the object having the substrate and the insulator is in close contact with the table. Can be easily obtained.
  • the inspection mechanism is any one of a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, and an image recognition system, and the thickness of the object is measured by using the inspection mechanism.
  • the thickness of an object can be accurately obtained by using any one of a contact displacement sensor, an optical displacement sensor, and an image recognition system while the object is in close contact with the table. .
  • the resin sealing method performs the inspection by the inspection method of the above embodiment after the resin sealing.
  • the thickness of the substrate or the thickness of the sealing resin can be accurately obtained after the resin sealing.
  • the resin sealing method performs inspection by the inspection method of the above embodiment before resin sealing, and performs inspection by the inspection method of the above embodiment even after resin sealing.
  • the thickness of the substrate can be accurately determined before resin sealing, and the thickness of the sealing resin can be accurately determined after resin sealing.
  • the resin-sealed product is manufactured by using the resin-sealed method of the above embodiment.
  • a resin-sealed product can be manufactured by performing an inspection before and after resin sealing.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

変形した対象物であっても対象物の変形を矯正し安定してテーブルに保持するために、保持装置は、対象物が載置されるテーブルと、テーブルに設けられ対象物を吸引する複数の吸引孔と、テーブルに設けられ複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、シール材が配置された位置において、対象物の周囲をテーブルに押圧する押圧部材と、複数の吸引孔に接続される減圧機構とを備える。

Description

保持装置、検査装置、検査方法、樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止品の製造方法
　本発明は、保持装置、検査装置、検査方法、樹脂封止装置、樹脂封止方法及び樹脂封止品の製造方法に関する。
　近年、樹脂封止された封止済基板（樹脂封止された封止済ウェーハを含む）などに要求される精度（寸法精度等）が高まってきている。そのため、樹脂封止前又は樹脂封止後に（あるいは、その両方で）、基板（ウェーハを含む）などを保持し、測定等をすることが増えてきている。
　特許文献１には、複数の吸着穴で基板を吸着する保持装置が記載されている。
特開２００７－２０１２７５号公報
　しかしながら、例えば、樹脂封止前に、基板に電子部品等が搭載される場合、その搭載により基板が湾曲する（歪む、反る）ことがある。
　また、樹脂封止後においては、成形型からの取り出し後に樹脂封止後の基板が冷却されて収縮する際に、基板と封止樹脂との間の熱膨張係数（線膨張係数）の違いにより、基板が湾曲することがある。
　従来の特許文献１に記載の保持装置では、基板が湾曲した場合、安定して基板を保持することができないことがあった。以下、本出願書類において、「基板が湾曲する」、「基板が歪む」、「基板が反る」ということを含めて「基板が変形する」と表現することがある。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る保持装置は、
　対象物が載置されるテーブルと、
　前記テーブルに設けられ前記対象物を吸引する複数の吸引孔と、
　前記テーブルに設けられ前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、
　前記シール材が配置された位置において、前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する押圧部材と、
　前記複数の吸引孔に接続される減圧機構と、
　を備える。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る検査装置は、
　対象物が載置されるテーブルと、
　前記テーブルに設けられ対象物を吸引する複数の吸引孔と、
　前記テーブルに設けられ前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、
　前記シール材が配置された位置において、前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する押圧部材と、
　前記複数の吸引孔に接続される減圧機構と、
　前記押圧部材により前記対象物の周囲が押圧され、前記減圧機構により前記複数の吸引孔を介して前記対象物が吸引された状態において、前記対象物を検査する検査機構と、
　を備える。
　上記の課題を解決するために、本発明に係る検査方法は、
　複数の吸引孔と前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材とが設けられたテーブルに対象物を載置する工程と、
　前記シール材が配置された位置において、押圧部材によって前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する工程と、
　前記対象物の周囲を押圧することによって前記テーブルと前記対象物との間に空間を形成する工程と、
　前記空間の空気を前記複数の吸引孔を介して吸引することによって前記対象物を前記テーブルに引き寄せて密着させる工程と、
　前記対象物を前記テーブルに密着させた状態で検査機構を使用して前記対象物を検査する工程と、
　を含む。
　本発明によれば、変形した（湾曲した、歪んだ、反った）対象物であっても、対象物の変形を矯正し安定してテーブルに保持することができる。
実施形態１の保持装置を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ－Ａ線断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、実施形態１において封止済基板をテーブルに吸着して密着させる過程を示す概略断面図である。 実施形態２の保持装置を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ－Ｂ線断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、実施形態３において封止済基板が有する基板の厚さを測定する過程を示す概略断面図である。 （ａ）～（ｂ）は、実施形態４において封止済基板が有する封止樹脂の厚さを測定する過程を示す概略断面図である。 （ａ）～（ｃ）は、実施形態５において封止済基板が有する基板及び封止樹脂の厚さをそれぞれ測定する過程を示す概略断面図である。 実施形態６において、検査装置を備えた樹脂成形装置の概要を示す平面図である。 （ａ）～（ｄ）は、実施形態６の樹脂成形装置を使用して樹脂封止する過程を示す概略断面図である。
　以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。なお、本出願書類において、「対象物」とは、基板及び基板の上に絶縁体や導電体などが形成された複合体を含むものである。「基板」には、ガラスエポキシ積層板、プリント基板、ガラス基板、金属基板などの一般的な基板や半導体ウェーハなどが含まれる。「樹脂封止品」とは、樹脂封止された対象物であって、後述の封止済基板を含むものである。
〔実施形態１〕
（保持装置の構成）
　本発明に係る保持装置の構成について、図１を参照して説明する。保持装置は、真空吸着によってテーブルの上に対象物を密着させて保持する保持装置である。保持する対象物は、基板又は基板の上に絶縁体や金属などが形成された複合体である。実施形態１においては、対象物として矩形状の形状を有する基板をテーブルの上に密着させて保持する例を示す。基板としては、例えば、ガラスエポキシ積層板、プリント基板、セラミックス基板、リードフレームなどが使用される。又は、これらの基板の上に封止樹脂が成形された封止済基板などが使用される。
　図１（ａ）に示されるように、保持装置１は、基板が載置されるテーブル２とテーブル２に設けられた複数の吸引孔３とを備える。テーブル２には、複数の吸引孔３が格子状に形成される。図１においては、長手方向に沿って１０個の吸引孔３が形成され、短手方向に沿って５個の吸引孔３が形成される。したがって、テーブル２には合計して５０個の吸引孔３が形成される。図１（ｂ）に示されるように、それぞれの吸引孔３はテーブル２の表面から裏面まで貫通する。吸引孔３の数は、保持する基板４（図において二点鎖線で示す部分）の大きさ及び基板４の変形した状態（例えば、基板の歪みや反りの状態）などに対応して任意に設定することができる。複数の吸引孔３は、それぞれの吸引孔３につながる配管５を介して減圧機構６に接続される。減圧機構６としては、例えば、真空ポンプなどが使用される。
　保持装置１には、基板４の形状及び大きさに対応して基板４の周囲をテーブル２に押圧するための押圧部材７が設けられる。押圧部材７は、例えば、上下方向に開口部８を有する枠状部材によって構成される。押圧部材７は、基板４の周囲のみを押圧し、基板４の中央部などを押圧しない押圧部材である。押圧部材７は、保持装置１に設けられた駆動機構（図示なし）によって昇降する。押圧部材７としては、基板４に与える機械的なダメージを抑制する材料を用いることが好ましい。例えば、ポリエーテルエーテルケトン：ＰＥＥＫ(Poly Ether Ether Ketone )などが用いられる。押圧部材７の底面に緩衝部材又は弾性部材などを設けても良い。
　図１（ｂ）に示されるように、テーブル２には、複数の吸引孔３の周囲を取り囲むシール用の溝９が設けられる。シール用の溝９には、例えば、Ｏリングなどのシール材１０が配置される。シール材１０は、シール材１０の上部がテーブル２の表面から突出するように配置される。シール材１０としては、シリコーンゴムやフッ素ゴムなどを使用することが好ましい。シール材１０は適度な硬度を有し伸張しやすい材質であることが好ましい。
　シール材１０が配置される位置の上方に枠状の押圧部材７が配置される。平面視して、シール材１０は枠状の押圧部材７に内包される。図１（ａ）に示されるように、押圧部材７とシール材１０とが重なった状態を平面図として描く場合において、シール材１０は押圧部材７に完全に含まれる。したがって、後述するが、図２（ｂ）に示されるように、基板４（図２においては封止済基板１１）の周辺は、テーブル２に配置されたシール材１０と押圧部材７とによって挟まれた状態でテーブル２に押圧される。
（保持装置の動作）
　図１～２を参照して、保持装置１において、対象物をテーブル２に密着させて保持する動作について説明する。図２においては、対象物として、例えば、基板の上に封止樹脂が成形された封止済基板をテーブル２に密着させて保持する例を説明する。
　まず、図２（ａ）に示されるように、封止済基板１１をテーブル２の所定位置に載置する。封止済基板１１は、例えば、プリント基板やリードフレームなどからなる基板１２と、基板１２が有する複数の領域に装着された複数のチップ状部品（図示なし）と、複数の領域が一括して覆われるようにして成形された封止樹脂１３とを有する。基板１２の熱膨張係数と封止樹脂１３の熱膨張係数との差が大きいと、封止済基板１１を成形型から取り出し成形温度よりも低い常温の状態にすると、封止済基板１１が変形することがある。図２においては、封止済基板１１が変形した例として、例えば、封止済基板１１の表面側（封止樹脂１３が成形されている側）に凸となるような反りが発生した例を示す。
　図２（ａ）に示されるように、表面側に凸となるような反りが発生した封止済基板１１をテーブル２の上に載置すると、封止済基板１１とテーブル２とが密着せず封止済基板１１とテーブル２との間に隙間１４が発生する。この隙間１４が大きいと、減圧機構６によって封止済基板１１を吸引しても吸引力が弱く、封止済基板１１をテーブル２に吸着できないことがある。また、減圧機構６によって封止済基板１１を吸引しても、封止済基板１１とテーブル２との間に空気の漏れが発生すると、封止済基板１１をテーブル２に十分吸着できないことがある。大面積を有する封止済基板１１ではこの現象が特に顕著になる。封止済基板１１をテーブル２に吸着できないということは、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させることができないことを意味する。
　次に、図２（ｂ）に示されるように、保持装置１に設けられた駆動機構（図示なし）を使用して押圧部材７を所定位置から下降させる。押圧部材７の底面を封止済基板１１の周囲に接触させ、押圧部材７によって封止済基板１１の周囲をシール材１０に密着させる。封止済基板１１の周囲をシール材１０に密着させた状態で、封止済基板１１を更に押圧する。このことにより、シール材１０を介して、封止済基板１１とテーブル２との間に密閉された密閉空間１５を形成することができる。したがって、封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５から外部に空気が漏れることを防止できる。この状態においては、シール材１０を介して、封止済基板１１とテーブル２との間に密閉された密閉空間１５を形成することが重要であり、封止済基板１１の周囲が必ずしもテーブル２に密着していなくてもよい。
　次に、図２（ｃ）に示されるように、押圧部材７によって封止済基板１１の周囲をシール材１０を介してテーブル２に押圧した状態で、減圧機構６によって封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５に存在する空気を吸引する。密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、密閉空間１５内の圧力が大気圧から負圧（真空）になる。密閉空間１５内の圧力が大気圧より小さくなるので、大気圧によって封止済基板１１をテーブル２に押し付ける力が発生する。言い換えれば、減圧機構６が封止済基板１１を吸引することによって封止済基板１１はテーブル２に引き寄せられる。このことによって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させることができる。封止済基板１１を複数の吸引孔３を介してテーブル２に吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で保持することができる。
　図２（ｂ）に示されるように、封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５が占める面積が、真空の吸着面積（受圧面積）に相当する。具体的には、図２（ｂ）のＡで示す領域における空間領域の面積、言い換えれば、テーブル２に接触していない封止前基板１１の基板１２側における表面積が受圧面積に相当する。この受圧面積が大きいほど大気圧から受ける力が大きくなり、封止済基板１１をテーブル２に吸引する吸引力が大きくなる。したがって、封止済基板１１の面積が大きい場合、又は、封止済基板１１の反りが大きい場合でも、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で保持することができる。
（作用効果）
　本実施形態では、保持装置１は、対象物である封止済基板１１が載置されるテーブル２と、テーブル２に設けられ封止済基板１１を吸引する複数の吸引孔３と、テーブル２に設けられ複数の吸引孔３の周囲を取り囲むシール材１０と、シール材１０が配置された位置において封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する押圧部材７と、複数の吸引孔３に接続される減圧機構６とを備える構成としている。
　このような構成とすることにより、封止済基板１１とテーブル２との間に密閉空間１５を形成し、密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に引き寄せて密着させる。したがって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で保持することができる。
　本実施形態によれば、保持装置１において、対象物である封止済基板１１を吸引する複数の吸引孔３と吸引孔３の周囲を取り囲むシール材１０とをテーブル２に設ける。シール材１０が配置された位置において、封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する押圧部材７を設ける。封止済基板１１に反りが発生している場合であっても、押圧部材７により封止済基板１１の周囲を押圧することによって、シール材１０を介して封止済基板１１とテーブル２との間に密閉された密閉空間１５を形成することができる。
　この状態で、減圧機構６を使用して密閉空間１５に存在する空気を吸引する。このことによって、密閉空間１５内の圧力が大気圧より小さくなり、大気圧によって封止済基板１１をテーブル２に押し付ける力が発生する。減圧機構６が封止済基板１１を吸引することによって封止済基板１１はテーブル２に引き寄せられて密着する。したがって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して、封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で保持することができる。
　本実施形態によれば、封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に密着させる。密閉空間１５が占める面積が真空の受圧面積に相当するので、密閉空間１５が占める面積大きいほど封止済基板１１をテーブル２に吸引する吸引力が大きくなる。したがって、封止済基板１１の面積が大きい場合、又は、封止済基板１１の反りが大きい場合でも、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で保持することができる。
　本実施形態においては、大気圧によって封止済基板１１をテーブル２に押し付ける力を発生させる。このことによって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させる。この場合に、押圧部材７の押圧力をゆるめる、又は、シール材１０をすべりやすい材質にする等をして、封止済基板１１がシール材１０の上をすべるようにしてもよい。このことによって、封止済基板１１の反りを矯正することによる封止済基板１１の破損を防止することができる。
〔実施形態２〕
（保持装置の構成）
　図３を参照して、実施形態２の保持装置について説明する。図３に示されるように、保持装置１６は、円形状の形状を有する基板（対象物）をテーブルの上に密着させて保持する保持装置である。基板としては、ウェーハやウェーハの上に封止樹脂が成形されたウェーハレベルパッケージなどが使用される。
　図３（ａ）に示されるように、保持装置１６は、円形状の基板が載置されるテーブル１７とテーブル１７に設けられた複数の吸引孔３とを備える。テーブル１７には、例えば、複数の吸引孔３が円周状に形成される。吸引孔３の数は、保持する基板１８（図において二点鎖線で示す部分）の大きさ及び基板１８の変形した状態（基板の歪みや反りの状態）などに対応して任意に設定することができる。複数の吸引孔３は、それぞれの吸引孔３につながる配管５を介して減圧機構６に接続される。減圧機構６としては、真空ポンプなどが使用される。
　実施形態１と同様に、保持装置１６には、基板１８の大きさに対応して基板１８の周囲をテーブル１７に押圧するための押圧部材１９が設けられる。押圧部材１９は、上下方向に開口部２０を有する円環状の部材によって構成される。押圧部材１９としては、ポリエーテルエーテルケトン：ＰＥＥＫ(Poly Ether Ether Ketone )などが用いられる。押圧部材１９の底面に緩衝部材又は弾性部材などを設けても良い。押圧部材１９は、保持装置１６に設けられた駆動機構（図示なし）によって昇降する。
　図３（ｂ）に示されるように、テーブル１７には、複数の吸引孔３の周囲を取り囲むシール用の溝２１が設けられる。シール用の溝２１には、シール材２２が配置される。したがって、基板１８の周辺は、テーブル１７に配置されたシール材２２と押圧部材１９とによって挟まれた状態でテーブル１７に押圧される。
　基板１８として、例えば、シリコンウェーハや化合物半導体ウェーハなどのウェーハ、又は、ウェーハの状態で樹脂封止されたウェーハレベルパッケージなどをテーブル１７に保持することができる。これらの場合には、ウェーハの口径に対応してウェーハの周囲を押圧するような円環状の押圧部材を保持装置１６に設ければよい。
　本実施形態においては、テーブル１７に複数の吸引孔３を円周状に形成した。これに限らず、複数の吸引孔３の位置は、任意に設定することができる。例えば、半導体前工程における製造工程が完了し、ウェーハが分割されて個片化されるそれぞれのチップ領域に対応するように吸引孔３を形成してもよい。
　保持装置１６の動作は、実施形態１で示した保持装置１の動作と同じなので説明を省略する。保持装置１６は、実施形態１で示した保持装置１と同様の効果を奏する。
〔実施形態３〕
（検査装置の構成）
　図４を参照して、実施形態３において使用される検査装置について説明する。検査装置は、実施形態１で示した保持装置１又は実施形態２で示した保持装置１６に検査機構を追加したものである。保持装置に検査機構を追加することによって、保持装置を検査装置として使用することができる。検査機構として、例えば、基板の厚さを測定する機構や基板の表面状態を検査する機構などが追加される。検査機構以外の構成及び動作は、実施形態１の保持装置１又は実施形態２の保持装置１６と同じなので説明を省略する。
　検査装置２３は、例えば、保持装置１に、接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像処理システムなどの検査機構を更に追加した構成としている。検査機構として接触式変位センサ又は光学式変位センサを設けることによって、テーブル２の上に密着して保持された状態の基板の厚さを正確に測定することができる。検査機構としてＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor ）イメージセンサ、又は、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）イメージセンサなどを搭載した画像処理システムを設けることによって、基板の表面検査、欠陥検査、パターン検査などを行うことができる。基板をテーブル２の上に密着させた状態で保持しているので、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で正確な検査を行うことができる。なお、画像認識システムを応用して、テーブル２に保持された基板の厚さを測定することも可能である。画像処理としては、カメラにより撮像した画像を２値化してエッジ検出を行うなど、一般的な画像処理を用いることができる。
　図４においては、例えば、検査機構として接触式変位センサを設けた場合について説明する。図４に示されるように、検査装置２３は、テーブル２の上方に接触式変位センサ２４を備える。接触式変位センサ２４は、検査装置２３に設けられた移動機構（図示なし）によってＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動可能である。接触式変位センサ２４を使用することによって、任意の位置において基板の厚さを測定することができる。
　なお、検査装置２３において、押圧部材７は基板の周囲のみを押圧し、基板の中央部などを押圧しない構成としている。すなわち、検査において重要な封止済基板の封止樹脂の全域、又は、封止前基板の半導体チップが実装されている領域の全域を検査可能な構成としている。したがって、接触式変位センサ２４は、押圧部材７が有する開口部８において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動する。このことにより、基板における任意の位置において基板の厚さを測定することが可能となる。
　本実施形態においては、押圧部材によって基板の中央部などを押圧しない構成としている。このことにより、テーブルの剛性が弱かったとしても、基板の中央部を押圧することによって基板の中央部がテーブルごと撓むことを防止している。加えて、封止前基板においては、押圧部材によって半導体チップなどを傷つけることを防止している。
（検査装置の動作）
　図４を参照して、基板（対象物）として図２で示した反りを有する封止済基板１１を検査する場合を示す。本実施形態においては、例えば、検査装置２３を使用して封止済基板１１が有する基板１２の厚さを測定する動作について説明する。なお、以下の実施形態においても、基板として反りを有する封止済基板１１を検査する場合を示す。
　まず、図４（ａ）に示されるように、検査装置２３において、テーブル２の上に封止済基板１１を載置しない状態で、接触式変位センサ２４を下降させてテーブル２の所定位置Ｐ１に接触させる。テーブル２の所定位置Ｐ１は、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを測定する位置Ｐ２（図４（ｂ）参照）に対応する。テーブル２の所定位置Ｐ１において、接触式変位センサ２４によってテーブル面の高さ位置ｈ１を測定する。この測定したテーブル面の高さ位置ｈ１を、テーブル２の基準高さとしてメモリなどに記憶しておく。接触式変位センサ２４を上昇させて、所定位置Ｐ１の上方において待機させる。
　次に、図４（ｂ）に示されるように、反りを有する封止済基板１１をテーブル２の所定位置に載置する。次に、押圧部材７を下降させて封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する。このことにより、シール材を介して、封止済基板１１とテーブル２との間に密閉空間１５（図２参照）を形成する。次に、減圧機構６により封止済基板１１を吸引することによって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させて保持する。この状態で、封止済基板１１は反りが矯正されてテーブル２の上に平坦に密着する。
　次に、接触式変位センサ２４を下降させて封止済基板１１が有する基板１２の所定位置Ｐ２に接触させる。基板１２の所定位置Ｐ２において、接触式変位センサ２４によって基板１２の高さ位置ｈ２を測定する。封止済基板１１がテーブル２の上に平坦に密着して保持されているので、基板１２の高さ位置ｈ２を正確に測定することができる。この測定した基板１２の高さ位置ｈ２と、予め記憶しておいたテーブル面の高さ位置ｈ１との差分（ｈ２－ｈ１）を求める。この差分（ｈ２－ｈ１）が、封止済基板１１の所定位置Ｐ２において、封止済基板１１が有する基板１２の厚さに相当する。基板１２の所定位置Ｐ２とテーブル２の所定位置Ｐ１とは平面視して同一の測定位置になる。したがって、接触式変位センサ２４によって測定した２点の高さ位置の差分（ｈ２－ｈ１）を求めることによって、所定位置Ｐ２における基板２の厚さを正確に求めることができる。このようにして、封止済基板１１をテーブル２の上に平坦に密着させた状態で、検査装置２３を使用して封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に測定することができる。
（作用効果）
　本実施形態では、検査装置２３は、対象物である封止済基板１１が載置されるテーブル２と、テーブル２に設けられ封止済基板１１を吸引する複数の吸引孔３と、テーブル２に設けられ複数の吸引孔３の周囲を取り囲むシール材１０と、シール材１０が配置された位置において、封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する押圧部材７と、複数の吸引孔３に接続される減圧機構６と、押圧部材７により封止済基板１１の周囲が押圧され、減圧機構６により複数の吸引孔３を介して封止済基板１１が吸引された状態において、封止済基板１１を検査する検査機構である接触式変位センサ２４とを備える構成としている。
　このような構成とすることにより、シール材１０を介して、反りを有する封止済基板１１とテーブル２との間に密閉空間１５を形成する。密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に引き寄せて密着させる。封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させて保持することができる。したがって、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、接触式変位センサ２４を使用して封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態によれば、検査装置２３に、封止済基板１１に対応して封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する押圧部材７と、封止済基板１１の厚さを測定する接触式変位センサ２４とを設ける。封止済基板１１に反りや歪などの変形が発生している場合であっても、押圧部材７により封止済基板１１の周囲を押圧することによって、シール材１０を介して封止済基板１１とテーブル２との間に密閉された密閉空間１５を形成することができる。
　この状態で、減圧機構６を使用して密閉空間１５に存在する空気を吸引する。このことにより、封止済基板１１の変形を矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させることができる。封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で、接触式変位センサ２４を使用して封止済基板１１が有する基板１２の厚さを測定する。したがって、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態によれば、検査装置２３において、最初にテーブル２の上に封止済基板１１を載置しない状態で、接触式変位センサ２４を使用して所定位置Ｐ１におけるテーブル面の高さ位置ｈ１を測定する。次に、テーブル２の上に封止済基板１１を載置し、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させる。この状態で、接触式変位センサ２４を使用して封止済基板１１の所定位置Ｐ２における基板１２の高さ位置ｈ２を測定する。測定された基板１２の高さ位置ｈ２と予め測定しておいたテーブル面の高さ位置ｈ１とを比較することによって、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に求めることができる。したがって、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態によれば、封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に密着させる。密閉空間１５が占める面積が真空の受圧面積に相当するので、封止済基板１１の面積が大きい場合、又は、封止済基板１１の反りが大きい場合でも、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させることができる。したがって、大面積を有する封止済基板１１、又は、反りが大きい封止済基板１１においても、封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態においては、便宜上、封止済基板１１が有する基板１２の厚さを１点のみ測定する場合を示した。これに限らず、接触式変位センサ２４を使用して複数の位置において基板１２の厚さを同様に測定することができる。その場合には、封止済基板１１が有する基板１２の厚さの平均値及びばらつきを求めることができる。
〔実施形態４〕
　図５を参照して、検査装置２３を使用して、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを相対的に測定する動作について説明する。
　まず、図５（ａ）に示されるように、反りを有する封止済基板１１をテーブル２の所定位置に載置する。次に、押圧部材７を下降させることによって封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する。次に、減圧機構６を使用して封止済基板１１を吸引することによって、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させる。この状態で、封止済基板１１はテーブル２の上に平坦に保持される。
　次に、接触式変位センサ２４を下降させて封止済基板１１の所定位置Ｐ２に接触させる。封止済基板１１の所定位置Ｐ２において、接触式変位センサ２４によって封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ２を測定する。この測定した基板１２の高さ位置ｈ２を封止済基板１１が有する基板１２の相対的な高さとしてメモリなどに記憶しておく。
　次に、接触式変位センサ２４を上昇させ、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の上方の所定位置に接触式変位センサ２４を移動させる。接触式変位センサ２４を下降させて封止済基板１１の所定位置Ｐ３に接触させる。封止済基板１１の所定位置Ｐ３において、接触式変位センサ２４によって封止済基板１１の高さ位置ｈ３を測定する。この測定した封止済基板１１の高さ位置ｈ３と、予め記憶しておいた基板１２の相対的な高さ位置ｈ２との差分（ｈ３－ｈ２）を求める。この差分（ｈ３－ｈ２）が、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の相対的な厚さに相当する。封止済基板１１がテーブル２の上に平坦に保持された状態で、封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ２及び封止済基板１１の高さ位置ｈ３を測定することによって、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを相対的に求めることができる。
　本実施形態によれば、封止済基板１１は反りが平坦に矯正された状態でテーブル２の上に密着して保持される。したがって、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、接触式変位センサ２４を使用して封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ２及び封止済基板１１の高さ位置ｈ３の双方を測定することができる。したがって、測定された高さ位置の差分（ｈ３－ｈ２）を求めることによって、従来は測定が困難であった封止樹脂１３の厚さを容易に求めることができる。
　本実施形態によれば、封止済基板１１とテーブル２との間に形成された密閉空間１５に存在する空気を吸引することによって、封止済基板１１をテーブル２に吸着させる。密閉空間１５が占める面積が真空の受圧面積に相当するので、封止済基板１１の面積が大きい場合、又は、封止済基板１１の反りが大きい場合でも、封止済基板１１の反りを平坦に矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させて保持することができる。したがって、大面積を有する封止済基板１１、又は、反りが大きい封止済基板１１においても、封止済基板１１をテーブル２に密着させた状態で、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを相対的に求めることができる。
　本実施形態によれば、樹脂成形装置において樹脂封止された封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを相対的に求めることができる。したがって、従来は困難であった封止樹脂１３の膜厚管理、言い換えれば、最終的に製品となるパッケージの厚さ管理を容易にすることができる。このことによって、樹脂成形装置における成形処理工程を安定にかつ容易に管理することができる。
　本実施形態においては、便宜上、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを１点のみ測定する場合を示した。これに限らず、接触式変位センサ２４を使用して複数の位置における基板１２及び封止済基板１１の厚さを同様に測定することができる。その場合には、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の相対的な厚さの平均値及びばらつきを求めることができる。
〔実施形態５〕
　図６を参照して、検査装置２３を使用して、封止済基板１１の同一位置において基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さをそれぞれ測定する動作について説明する。
　まず、図６（ａ）に示されるように、検査装置２３においてテーブル２の上に何も載置しない状態で、接触式変位センサ２４を測定位置の上方へ移動させる。次に、接触式変位センサ２４を下降させてテーブル２の所定位置Ｐ４に接触させる。テーブル２の所定位置Ｐ４は、封止前基板２６が有する基板１２の厚さを測定する位置Ｐ５（図６（ｂ）参照）及び封止済基板１１の厚さを測定する位置Ｐ６（図６（ｃ）参照）に対応する。テーブル２の所定位置Ｐ４において、接触式変位センサ２４によってテーブル面の高さ位置ｈ４を測定する。この測定したテーブル面の高さ位置ｈ４を基準高さとしてメモリなどに記憶しておく。接触式変位センサ２４を上昇させて、所定位置Ｐ４の上方において待機させる。
　次に、図６（ｂ）に示されるように、複数の半導体チップ２５が装着された封止前基板２６をテーブル２の所定位置に載置する。次に、押圧部材７を下降させることによって封止前基板２６の周囲をテーブル２に押圧する。次に、減圧機構６を使用して封止前基板２６を吸引することによって、封止前基板２６の変形を矯正して封止前基板２６をテーブル２に密着させる。この状態で、封止前基板２６は変形が矯正されてテーブル２の上に平坦に保持される。
　次に、接触式変位センサ２４を下降させて封止前基板２６の所定位置Ｐ５に接触させる。封止前基板２６の所定位置Ｐ５は、半導体チップ２５が装着されず基板１２の上面が露出している領域である。封止前基板２６の所定位置Ｐ５において、接触式変位センサ２４によって封止前基板２６の高さ位置ｈ５を測定する。この測定した封止前基板２６の高さ位置ｈ５と、予め記憶しておいたテーブル面の基準高さ位置ｈ４との差分（ｈ５－ｈ４）を求める。この差分（ｈ５－ｈ４）が、封止前基板２６の所定位置Ｐ５において、封止前基板２６が有する基板１２の厚さに相当する。封止前基板２６の高さ位置ｈ５をメモリなどに記憶しておく。
　次に、接触式変位センサ２４を上昇させて、所定位置Ｐ５の上方において待機させる。押圧部材７を上昇させ元の位置で停止させる。封止前基板２６をテーブル２から取り出す。この状態で、検査装置２３は初期の待機状態に戻る。
　次に、図６（ｃ）に示されるように、封止済基板１１をテーブル２の所定位置に載置する。この封止済基板１１は、上述した所定位置Ｐ５において高さ位置ｈ５を測定した封止前基板２６を樹脂封止した封止済基板である。したがって、封止前基板２６と封止済基板１１とは、検査装置２３のテーブル２において同じ位置に載置される。次に、押圧部材７を下降させることによって封止済基板１１の周囲をテーブル２に押圧する。次に、減圧機構６を使用して封止済基板１１を吸引することによって、封止済基板１１の変形を矯正して封止済基板１１をテーブル２に密着させる。この状態で、封止済基板１１はテーブル２の上に平坦に保持される。
　次に、接触式変位センサ２４を下降させて封止済基板１１の所定位置Ｐ６に接触させる。封止済基板１１の所定位置Ｐ６において、接触式変位センサ２４によって封止済基板１１の高さ位置ｈ６を測定する。この測定した封止済基板１１の高さ位置ｈ６と、予め記憶しておいた封止前基板２６の高さ位置ｈ５との差分（ｈ６－ｈ５）を求める。この差分（ｈ６－ｈ５）が、封止済基板１１の所定位置Ｐ６において、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さに相当する。このようにして、封止前基板２６及び封止済基板１１の変形を矯正してテーブル２の上に平坦に保持した状態で、封止済基板１１の同一位置において封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態によれば、検査装置２３において、封止前基板２６及び封止済基板１１は変形が矯正された状態でテーブル２の上に密着して保持される。したがって、反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、接触式変位センサ２４を使用して、同一位置における封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ５及び封止済基板１１の高さ位置ｈ６を正確に測定することができる。したがって、これらの高さ位置ｈ６、ｈ５及び同一位置におけるテーブル面の基準高さ位置ｈ４から、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態によれば、基板の面積が大きい場合、又は、基板の反りが大きい場合でも、封止前基板２６及び封止済基板１１の変形を矯正して、テーブル２に密着させて保持することができる。したがって、大面積を有する封止済基板１１、又は、反りが大きい封止済基板１１においても、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さを正確に測定することができる。
　本実施形態においては、便宜上、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さを１点のみ測定する場合を示した。これに限らず、接触式変位センサ２４を使用して複数の位置において封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さを測定することができる。その場合には、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さの平均値及びばらつきを求めることができる。
　本実施形態においては、接触式変位センサ２４を使用して、同一位置におけるテーブル面の基準高さ位置ｈ４、封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ５、及び封止済基板１１の高さ位置ｈ６をそれぞれ測定し、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さをそれぞれ求めた。これに限らず、テーブル面の基準高さ位置ｈ４の測定を、例えば、生産開始時に行い、その値を共有することも可能である。テーブル面の基準高さ位置ｈ４の測定を行い、樹脂封止する回数に応じてその値を共有する。このようにすれば、基準高さ位置ｈ４の測定回数を減らすことができる。
　本実施形態においては、基板１２及び封止樹脂１３を有する２層構造の封止済基板１１において、基板１２の厚さ及び封止樹脂１３の厚さをそれぞれ求めた。これに限らず、３層以上の構造を有する基板（対象物）であっても、それぞれの層において高さ位置を測定することができる。これらの測定した高さ位置の差分をそれぞれ求めることによって、各層の厚さを正確に求めることができる。
　なお、本実施形態においては、封止前基板２６をテーブル２に密着させた状態で、接触式変位センサ２４によって封止前基板２６の高さ位置を測定した。封止前基板２６の高さ位置の測定に限らず、封止前基板２６をテーブル２に密着させた状態で、例えば、半導体チップ２５の欠け状態などを検査することができる。この場合には、接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像認識システム、又はラインセンサなどを使用して基板１２の上に半導体チップ２５が正常に配置されているか、欠けがないかどうかなどを検査することができる。半導体チップ２５が欠けているような場合には、樹脂成形する際に供給する樹脂量を調整することができる。このことによって、封止前基板に半導体チップが欠けている場合であっても所定のパッケージ厚さに樹脂成形することが可能となる。
〔実施形態６〕
（樹脂成形装置の構成）
　図７を参照して、実施形態６の樹脂成形装置について説明する。図７に示される樹脂成形装置は、ここまで説明してきた検査装置２３を備えた樹脂成形装置である。図７においては、例えば、圧縮成形法を使用した樹脂成形装置を示す。
　樹脂成形装置２７は、基板供給・収納モジュール２８と、検査モジュール２９と、３つの成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃと、樹脂供給モジュール３１とを、それぞれ構成要素として備える。構成要素である基板供給・収納モジュール２８と、検査モジュール２９と、成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃと、樹脂供給モジュール３１とは、それぞれ他の構成要素に対して、互いに着脱されることができ、かつ、交換されることができる。
　基板供給・収納モジュール２８には、封止前基板２６を供給する封止前基板供給部３２と、封止済基板１１を収納する封止済基板収納部３３と、封止前基板２６及び封止済基板１１を受け渡しする基板載置部３４と、封止前基板２６及び封止済基板１１を搬送する基板搬送機構３５とが設けられる。基板載置部３４は、基板供給・収納モジュール２８内において、Ｙ方向に移動する。基板搬送機構３５は、基板供給・収納モジュール２８、検査モジュール２９及びそれぞれの成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ内において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動する。所定位置Ｓ１は、基板搬送機構３５が動作しない状態において待機する位置である。
　検査モジュール２９には、実施形態３～５で示した検査装置２３が設けられる。検査装置２３は、テーブル２と減圧機構６と押圧部材７と接触式変位センサ２４とを備える。検査装置２３を使用して、テーブル２の基準となる高さ位置、封止前基板２６が有する基板１２の高さ位置、封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置及び封止済基板１１の高さ位置、封止前基板２６における半導体チップの配置状態などが必要に応じて検査される。
　各成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃには、昇降可能な下型３６と、下型３６に対向して配置される上型（図８参照）とが設けられる。下型３６には樹脂材料が供給されるキャビティ３７が設けられる。下型３６に長尺状の離型フィルムを供給する離型フィルム供給機構３８（図７において二点鎖線によって示される矩形の部分）が設けられる。各成形モジュー３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃは、上型と下型３６とを型開き及び型締めする型締機構３９（図７において二点鎖線によって示される円形の部分）を備える。
　樹脂供給モジュール３１には、Ｘ－Ｙテーブル４０と、Ｘ－Ｙテーブル４０の上に載置される樹脂収容部４１と、樹脂収容部４１に樹脂材料を投入する樹脂材料投入機構４２と、樹脂収容部４１を搬送する樹脂搬送機構４３とが設けられる。Ｘ－Ｙテーブル４０は、樹脂供給モジュール３１内において、Ｘ方向及びＹ方向に移動する。樹脂搬送機構４３は、樹脂供給モジュール３１及びそれぞれの成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ内において、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動する。所定位置Ｒ１は、樹脂搬送機構４３が動作しない状態において待機する位置である。
　基板供給・収納モジュール２８には制御部ＣＴＬが設けられる。制御部ＣＴＬは、封止前基板２６及び封止済基板１１の搬送、樹脂材料の搬送、成形型の型締め及び型開き、封止前基板２６及び封止済基板１１の厚さ測定などを制御する。制御部ＣＴＬは、検査モジュール２９、各成形モジュール３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、又は、樹脂供給モジュール３１に設けられてもよい。
（樹脂成形装置の動作）
　図７～８を参照して、樹脂成形装置２７を使用して樹脂封止する動作について説明する。まず、基板供給・収納モジュール２８において、封止前基板供給部３２から基板載置部３４に封止前基板２６を送り出す。基板搬送機構３５を所定位置Ｓ１から－Ｙ方向に移動させて、基板搬送機構３５が基板載置部３４から封止前基板２６を受け取る。基板搬送機構３５を所定位置Ｓ１に戻す。
　次に、例えば、成形モジュール３０Ｂの所定位置Ｍ１まで、＋Ｘ方向に基板搬送機構３５を移動させる。成形モジュール３０Ｂにおいて、基板搬送機構３５を－Ｙ方向に移動させて下型３６の上方の所定位置Ｃ１に停止させる。離型フィルム供給機構３８から離型フィルム４４（図８（ａ）参照）を下型３６に供給する。基板搬送機構３５を上昇させて封止前基板２６を上型４５（図８（ａ）参照）に供給する。基板搬送機構３５を、基板供給・収納モジュール２８の所定位置Ｓ１まで戻す。
　次に、樹脂供給モジュール３１において、Ｘ－Ｙテーブル４０を－Ｙ方向に移動させて、ｎ樹脂収容部４１を樹脂材料投入機構４２の下方の所定位置に停止させる。Ｘ－Ｙテーブル４０をＸ方向及びＹ方向に移動させることにより、樹脂材料投入機構４２から樹脂収容部４１に所定量の樹脂材料を供給する。樹脂収容部４１に樹脂材料を供給した後に、Ｘ－Ｙテーブル４０を元の位置に戻す。
　次に、樹脂搬送機構４３を、所定位置Ｒ１から－Ｙ方向に移動させる。樹脂搬送機構４３が、Ｘ－Ｙテーブル４０に載置されている樹脂収容部４１を受け取る。樹脂搬送機構４３を所定位置Ｒ１に戻す。樹脂搬送機構４３を、成形モジュール３０Ｂの所定位置Ｍ１まで－Ｘ方向に移動させる。
　次に、成形モジュール３０Ｂにおいて、樹脂搬送機構４３を－Ｙ方向に移動させて下型３６の上方の所定位置Ｃ１に停止させる。樹脂搬送機構４３を下降させて、樹脂収容部４１から樹脂材料４６（図８（ａ）参照）をキャビティ３７に供給する。樹脂搬送機構４３を所定位置Ｒ１まで戻す。なお、図８（ａ）においては、樹脂材料４６として顆粒状の樹脂を供給する場合を示す。
　次に、図８（ｂ）に示されるように、樹脂材料４６を溶融して流動性樹脂４７を生成する。型締機構３９（図７参照）によって下型３６を上昇させ、上型４５と下型３６とを型締めする。型締めすることによって、封止前基板２６に装着された半導体チップ２５を、キャビティ３７内で溶融した流動性樹脂４７に浸漬させる。
　次に、図８（ｃ）に示されるように、流動性樹脂４７を硬化させるために必要な時間だけ、流動性樹脂４７を加熱する。流動性樹脂４７を硬化させて硬化樹脂４８を成形する。このことによって、封止前基板２６に装着された半導体チップ２５を、キャビティ３７の形状に対応して成形された硬化樹脂４８によって樹脂封止する。
　次に、図８（ｄ）に示されるように、所定時間が経過した後、上型４５と下型３６とを型開きする。上型４５の型面には樹脂封止された封止済基板１１が固定されている。
　次に、基板供給・収納モジュール２８の所定位置Ｓ１から成形モジュール３０Ｂの所定位置Ｍ１に基板搬送機構３５を移動させる。更に、下型３６の上方の所定位置Ｃ１に基板搬送機構３５を移動させて、基板搬送機構３５によって封止済基板１１を受け取る。
　次に、基板搬送機構３５を成形モジュール３０Ｂから検査モジュール２９に移動させて、検査装置２３のテーブル２の上方の所定位置Ｅ１に停止させる。基板搬送機構３５から検査装置２３に封止済基板１１を受け渡す。基板搬送機構３５を所定位置Ｓ１に戻す。
　次に、検査装置２３を使用して、例えば、樹脂封止された封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置ｈ２と封止済基板１１の高さ位置ｈ３とをそれぞれ測定する（図５参照）。制御部ＣＴＬがこれらの高さ位置を比較して封止済基板１１が有する封止樹脂１３の相対的な厚さを求める。
　次に、基板搬送機構３５を検査装置２３のテーブル２の上方の所定位置Ｅ１に移動させて、検査装置２３から封止済基板１１を受け取る。基板搬送機構３５を移動させて、基板載置部３４に封止済基板１１を受け渡す。基板載置部３４から封止済基板収納部３３に封止済基板１１を収納する。ここまでの工程によって、樹脂封止が完了する。
　本実施形態によれば、樹脂成形装置２７の検査モジュール２９に検査装置２３を設ける。検査装置２３を使用して、封止前基板２６又は封止済基板１１の変形を矯正してテーブル２に密着させた状態で、封止前基板２６が有する基板１２の高さ位置、封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置及び封止済基板１１の高さ位置などを測定することができる。このことにより、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さを正確に求めることができる。したがって、樹脂成形装置２７において樹脂成形する工程を定常的に管理することができる。このことにより、樹脂成形装置２７を安定して稼働させることが可能となる。
　本実施形態においては、圧縮成形法を使用した樹脂成形装置２７に検査装置２３を設けた場合を示した。これに限らず、トランスファ成形法又は射出成形法を使用した樹脂成形装置においても、本発明の検査装置２３を設けることができる。
　本実施形態においては、樹脂成形装置２７の検査モジュール２９に検査装置２３を一体化して設けた。これに限らず、検査装置２３を樹脂成形装置２７とは切り離して設置してもよい。この場合には、複数の樹脂成形装置において成形された封止樹脂の厚さを、１台の検査装置２３によって測定することができる。
　各実施形態においては、検査装置２３が有する接触式変位センサ２４を使用して、テーブル２の高さ位置、封止前基板２６が有する基板１２の高さ位置、封止済基板１１が有する基板１２の高さ位置及び封止済基板１１の高さ位置などを測定した。これに限らず、光学式変位センサ又は画像認識システムを使用して、同様の測定をすることができる。
　各実施形態においては、検査装置２３に検査機構として接触式変位センサ２４を設ける場合を示した。これに限らず、検査装置２３に接触式変位センサ２４及び画像処理システムの双方を設けることができる。この場合には、封止済基板１１が有する基板１２の厚さ測定、封止済基板１１が有する封止樹脂１３の厚さ測定、及び、封止済基板１１の表面検査、欠陥検査などを検査装置２３を使用して行うことができる。更に、封止前基板２６において、半導体チップの欠け状態などについても検査することができる。
　以上のように、上記実施形態の保持装置は、対象物が載置されるテーブルと、テーブルに設けられ対象物を吸引する複数の吸引孔と、テーブルに設けられ複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、シール材が配置された位置において、対象物の周囲をテーブルに押圧する押圧部材と、複数の吸引孔に接続される減圧機構とを備える構成としている。
　この構成によれば、対象物の変形を矯正して対象物をテーブルに密着させて保持することができる。
　上記実施形態の検査装置は、対象物が載置されるテーブルと、テーブルに設けられ対象物を吸引する複数の吸引孔と、テーブルに設けられ複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、シール材が配置された位置において、対象物の周囲をテーブルに押圧する押圧部材と、複数の吸引孔に接続される減圧機構と、押圧部材により対象物の周囲が押圧され、減圧機構により複数の吸引孔を介して対象物が吸引された状態において、対象物を検査する検査機構とを備える構成としている。
　この構成によれば、対象物をテーブルに密着させて反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、検査機構を使用して対象物の検査を正確にすることができる。
　さらに、上記実施形態の検査装置では、検査機構は接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像処理システムのいずれかを含む構成としている。
　この構成によれば、対象物の厚さ測定又は対象物の表面検査などを正確にすることができる。
　さらに、樹脂成形装置は、上記実施形態の検査装置を備える構成としている。
　この構成によれば、樹脂成形装置において樹脂成形する工程を定常的に管理することができる。したがって、樹脂成形装置を安定して稼働させることができる。
　上記実施形態の検査方法は、複数の吸引孔と複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材とが設けられたテーブルに対象物を載置する工程と、シール材が配置された位置において、押圧部材によって対象物の周囲をテーブルに押圧する工程と、対象物の周囲を押圧することによってテーブルと対象物との間に空間を形成する工程と、空間の空気を複数の吸引孔を介して吸引することによって対象物をテーブルに引き寄せて密着させる工程と、対象物をテーブルに密着させた状態で検査機構を使用して対象物を検査する工程とを含む。
　この方法によれば、対象物をテーブルに密着させて反りや歪などの変形の影響を取り除いた状態で、検査機構を使用して対象物の検査を正確にすることができる。
　さらに、上記実施形態の検査方法では、対象物は、封止前基板又は封止済基板であって、検査機構を使用することによって対象物を検査する。
　この方法によれば、封止前基板又は封止済基板をテーブルに密着させた状態で、正確に検査をすることができる。
　さらに、上記実施形態の検査方法では、検査する工程は、対象物をテーブルに載置しない状態にお２いて検査機構を使用してテーブルの基準高さ情報を測定する工程と、対象物をテーブルに密着させた状態で検査機構を使用して対象物の高さ情報を測定する工程とを備え、対象物の高さ情報とテーブルの基準高さ情報とを比較することによって対象物の厚さを求める。
　この方法によれば、テーブルの基準高さ情報と対象物をテーブルに密着させた状態で測定した対象物の高さ情報とを同一位置において比較することによって対象物の厚さをより正確に求めることができる。
　さらに、上記実施形態の検査方法では、対象物は、基板と基板の上に形成された絶縁体とを有し、検査する工程は、対象物をテーブルに密着させた状態で検査機構を使用して基板の高さ情報と絶縁体の高さ情報とを測定する工程を含み、絶縁体の高さ情報と基板の高さ情報とを比較することによって絶縁体の厚さを求める。
　この方法によれば、基板と絶縁体とを有する対象物をテーブルに密着させた状態で、基板の高さ情報と絶縁体の高さ情報とを比較することによって絶縁体の相対的な厚さを容易に求めることができる。
　さらに、上記実施形態の検査方法では、検査機構は、接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像認識システムのいずれかであって、検査機構を使用することによって対象物の厚さを測定する。
　この方法によれば、対象物をテーブルに密着させた状態で、接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像認識システムのいずれかを使用することによって対象物の厚さを正確に求めることができる。
　さらに、樹脂封止方法は、樹脂封止後に上記実施形態の検査方法による検査を行う。
　この方法によれば、樹脂封止後に基板の厚さ又は封止樹脂の厚さを正確に求めることができる。
　さらに、樹脂封止方法は、樹脂封止前に上記実施形態の検査方法による検査を行い、樹脂封止後にも上記実施形態の検査方法による検査を行う。
　この方法によれば、樹脂封止前に基板の厚さを正確に求めることができ、樹脂封止後に封止樹脂の厚さを正確に求めることができる。
　さらに、樹脂封止品の製造方法は、上記実施形態の樹脂封止方法を用いて樹脂封止品を製造する。
　この製造方法によれば、樹脂封止前及び樹脂封止後に検査を行って、樹脂封止品を製造することができる。
　本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。
　１、１６　保持装置
　２、１７　テーブル
　３　　吸引孔
　４、１８　基板（対象物）
　５　　配管
　６　　減圧機構
　７、１９　押圧部材
　８、２０　開口部
　９、２１　シール用の溝
　１０、２２　シール材
　１１　封止済基板（対象物）
　１２　基板（対象物）
　１３　封止樹脂（絶縁体）
　１４　隙間
　１５　密閉空間（空間）
　２３　検査装置
　２４　接触式変位センサ（検査機構）
　２５　半導体チップ
　２６　封止前基板（対象物）
　２７　樹脂成形装置（樹脂封止装置）
　２８　基板供給・収納モジュール
　２９　検査モジュール
　３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ　成形モジュール
　３１　樹脂供給モジュール
　３２　封止前基板供給部
　３３　封止済基板収納部
　３４　基板載置部
　３５　基板搬送機構
　３６　下型
　３７　キャビティ
　３８　離型フィルム供給機構
　３９　型締機構
　４０　Ｘ－Ｙテーブル
　４１　樹脂収容部
　４２　樹脂材料投入機構
　４３　樹脂搬送機構
　４４　離型フィルム
　４５　上型
　４６　樹脂材料
　４７　流動性樹脂
　４８　硬化樹脂
　Ａ　　密閉空間が占める面積
　Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６　所定位置
　ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４、ｈ５、ｈ６　高さ位置
　ＣＴＬ　制御部
　Ｓ１、Ｒ１、Ｍ１、Ｃ１、Ｅ１　所定位置

Claims (12)

  1. 　対象物が載置されるテーブルと、
    　前記テーブルに設けられ前記対象物を吸引する複数の吸引孔と、
    　前記テーブルに設けられ前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、
    　前記シール材が配置された位置において、前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する押圧部材と、
    　前記複数の吸引孔に接続される減圧機構と、
    　を備える、保持装置。
  2. 　対象物が載置されるテーブルと、
    　前記テーブルに設けられ前記対象物を吸引する複数の吸引孔と、
    　前記テーブルに設けられ前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材と、
    　前記シール材が配置された位置において、前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する押圧部材と、
    　前記複数の吸引孔に接続される減圧機構と、
    　前記押圧部材により前記対象物の周囲が押圧され、前記減圧機構により前記複数の吸引孔を介して前記対象物が吸引された状態において、前記対象物を検査する検査機構と、
    　を備える、検査装置。
  3. 　請求項２に記載された検査装置において、
    　前記検査機構は接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像処理システムのいずれかを含む、
    　検査装置。
  4. 　請求項２又は３に記載の検査装置を備える、
    　樹脂封止装置。
  5. 　複数の吸引孔と前記複数の吸引孔の周囲を取り囲むシール材とが設けられたテーブルに対象物を載置する工程と、
    　前記シール材が配置された位置において、押圧部材によって前記対象物の周囲を前記テーブルに押圧する工程と、
    　前記対象物の周囲を押圧することによって前記テーブルと前記対象物との間に空間を形成する工程と、
    　前記空間の空気を前記複数の吸引孔を介して吸引することによって前記対象物を前記テーブルに引き寄せて密着させる工程と、
    　前記対象物を前記テーブルに密着させた状態で検査機構を使用して前記対象物を検査する工程と、
    　を含む、検査方法。
  6. 　請求項５に記載された検査方法において、
    　前記対象物は、封止前基板又は封止済基板であって、
    　前記検査機構を使用することによって前記対象物を検査する、
    　検査方法。
  7. 　請求項５に記載された検査方法において、
    　前記検査する工程は、前記対象物を前記テーブルに載置しない状態において前記検査機構を使用して前記テーブルの基準高さ情報を測定する工程と、
    　前記対象物を前記テーブルに密着させた状態で前記検査機構を使用して前記対象物の高さ情報を測定する工程と、
    　を含み、
    　前記対象物の高さ情報と前記テーブルの基準高さ情報とを比較することによって前記対象物の厚さを求める、
    　検査方法。
  8. 　請求項５に記載された検査方法において、
    　前記対象物は、基板と前記基板の上に形成された絶縁体とを有し、
    　前記検査する工程は、前記対象物を前記テーブルに密着させた状態で前記検査機構を使用して前記基板の高さ情報と前記絶縁体の高さ情報とを測定する工程を含み、
    　前記絶縁体の高さ情報と前記基板の高さ情報とを比較することによって前記絶縁体の厚さを求める、
    　検査方法。
  9. 　請求項７又は８に記載された検査方法において、
    　前記検査機構は、接触式変位センサ、光学式変位センサ、画像認識システムのいずれかであって、
    　前記検査機構を使用することによって前記対象物の厚さを測定する、
    　検査方法。
  10. 　樹脂封止後に請求項５～９のいずれか１項に記載の検査方法による検査を行う、
    　樹脂封止方法。
  11. 　樹脂封止前に請求項５又は７に記載の検査方法による検査を行い、樹脂封止後に請求項５～９のいずれか１項に記載の検査方法による検査を行う、
    　樹脂封止方法。
  12. 　請求項１０又は１１に記載の樹脂封止方法を用いて、樹脂封止品を製造する、
    　樹脂封止品の製造方法。
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