CN113262951A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 232
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
- B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
- B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
- B05C5/0254—Coating heads with slot-shaped outlet
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
本发明的问题在于在载台上表面以高吸附力保持矩形状基板并稳定进行处理液的涂布。本发明包括：载台，在上表面具有能供矩形状基板载置的基板载置区域；喷嘴，具有喷出处理液的狭缝状喷出口；喷嘴移动部，使喷嘴在载台上方移动；第一负压产生部，自在基板载置区域的中央部由载置于载台的基板的下表面与载台夹持的空间排出第一气体而产生第一负压；凹部，以在自上方俯视时包围空间的方式设置于基板载置区域的周缘部且呈环状；以及密封构件，为设置于凹部内的弹性体且呈环状，并且密封构件的上端在基板载置前自载台上表面露出，另一方面，在基板载置于基板载置区域并且受到第一负压的状态下，与基板下表面密合，同时朝向凹部后退而将空间密闭。
Description
技术领域
本发明涉及一种对矩形状的基板、例如液晶显示装置或有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置等平面显示器(Flat Panel Display，FPD)用玻璃基板、电子纸用基板等精密电子装置用基板、半导体封装用基板(以下，简称为“基板”)进行吸附保持的技术，尤其涉及一种基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
以前，在对基板进行处理液的涂布等处理的基板处理装置中，在基板载置于载台上后，吸附保持于载台。即，在载台的上表面形成有多个吸附孔，经由所述吸附孔自由基板与载台夹持的空间排出气体而产生负压。基板通过所述负压而保持于载台(参照专利文献1)。如此，在执行基板的保持工序后，具有喷出处理液的狭缝状的喷出口的喷嘴在载台的上方移动并向基板的上表面供给处理液来进行涂布(涂布工序)。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2017-174855号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，近年来，基板的翘曲相对较大，产生了难以在载台上平坦地保持基板的情形。例如以晶片级封装(Wafer Level Packaging，WLP)或面板级封装(Panel LevelPackaging，PLP)等制造形态所制造的半导体封装中，在矩形状的玻璃基板上多层地组合有多个半导体芯片或芯片间的配线等。它们的热收缩率或热膨胀率的相差量与仅层叠抗蚀剂层等而成的半导体基板相比大，且有翘曲变大的倾向。因此，存在如下情况：难以稳定地保持矩形状的基板，且处理液朝基板的供给变得不稳定。
本发明是鉴于所述问题而成，其目的在于提供一种可在载台的上表面以高吸附力保持矩形状的基板并稳定地进行处理液的涂布的基板处理装置及基板处理方法。
[解决问题的技术手段]
本发明的第一实施例为一种基板处理装置，包括：载台，在上表面具有能够供矩形状的基板载置的基板载置区域；喷嘴，具有喷出处理液的狭缝状的喷出口；喷嘴移动部，使喷嘴在载台的上方移动；第一负压产生部，自在基板载置区域的中央部由载置于载台的基板的下表面与载台夹持的空间排出第一气体而产生第一负压；凹部，以在自上方俯视时包围空间的方式设置于基板载置区域的周缘部且呈环状；以及密封构件，为设置于凹部内的弹性体且呈环状，并且密封构件的上端在基板载置前自载台的上表面露出，另一方面，在基板载置于基板载置区域并且受到第一负压的状态下，与基板的下表面密合，同时朝向凹部后退而将空间密闭。
另外，本发明的第二实施例为一种基板处理方法，包括：保持工序，在将矩形状的基板载置于载台的上表面的基板载置区域后，自在基板载置区域的中央部由基板的下表面与载台夹持的空间排出第一气体而产生第一负压并在载台上加以保持；以及涂布工序，使具有狭缝状的喷出口的喷嘴在保持基板的载台的上方移动，同时自喷出口向基板的上表面供给处理液来进行涂布，并且保持工序具有如下工序，在基板载置前，使由弹性体构成的环状的密封构件的上端在自载台的上表面露出的状态下位于以在自上方俯视时包围空间的方式设置于基板载置区域的周缘部的环状的凹部内的工序；及在基板载置后，使受到第一负压的基板的下表面与密封构件的上端密合，同时使密封构件朝向凹部后退而将空间密闭的工序。
[发明的效果]
如上所述，根据本发明，可在载台的上表面以高吸附力保持矩形状的基板并稳定地进行处理液的涂布。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的第一实施方式的立体图。
图2A是示意性表示第一实施方式中的载台、负压产生部、顶销(lift pin)及顶销驱动部的结构的图。
图2B是示意性表示第一实施方式中的载台、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构的图。
图3A是示意性表示本发明的基板处理装置的第二实施方式中的载台、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构的图。
图3B是示意性表示本发明的基板处理装置的第二实施方式中的载台、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构的图。
图4是表示本发明的基板处理装置的第三实施方式的图。
图5是表示本发明的基板处理装置的第四实施方式的图。
图6是示意性表示气体层形成部的结构的图。
[符号的说明]
1：狭缝喷嘴
2：基台
3：载台
4：喷嘴移动部
5：(第一、第二)负压产生部
7：凹部
8A：中空衬垫(密封构件)
8B：V密封件(密封构件)
9：矫正部
10：控制部
31：(载台的)上表面
32：(载台的)下表面
41：喷嘴支撑体
41a：固定构件
41b：升降机构
42：喷嘴驱动机构
43：导轨
44：线性马达
44a：定子
44b：动子
45：线性编码器
45a：刻度部
45b：检测部
51：吸引配管
52：吸引源
53：开闭阀
61：顶销
62：顶销驱动部
91：矫正块
92：块移动部
93：气体层
94：气体层形成部
100：基板处理装置
311：基板载置区域
312：吸附槽
313：贯通孔
314：贯通孔
315：销收纳孔
941：压缩部
942：温度调节部
943：过滤器
944：针阀
945：流量计
946：压力计
947：气动阀
S：基板
Sa：有效区
Sb：非有效区
具体实施方式
图1是表示本发明的基板处理装置的第一实施方式的立体图。为了统一表示各图中的方向，如图1左上所示那样设定XYZ正交坐标轴。此处，XY平面表示水平面，Z轴表示铅垂轴。
基板处理装置100是使用狭缝喷嘴1向基板S的上表面涂布处理液的被称为狭缝涂布机的装置。作为处理液，能够使用抗蚀剂液、彩色滤光片用液、包含聚酰亚胺、硅、纳米金属油墨、导电性材料的浆料等各种处理液。在所述基板处理装置100中，在基台2上配置有载台3。所述载台3的上表面31具有能够供基板S载置的基板载置区域(图2B中的符号311)。另外，用于对载置于载台3的上表面31的基板S进行吸附保持的负压产生部(图2A、图2B中的符号5)与载台3连接。此外，关于载台3及负压产生部的结构及运行，将在下文详细叙述。
在载台3的上方配置有狭缝喷嘴1。狭缝喷嘴1具有沿Y方向延伸的狭缝状的喷出口，能够自喷出口朝向保持于载台3的基板S的上表面喷出处理液。在基板处理装置100中，设置有使狭缝喷嘴1在载台3的上方沿X方向往返移动的喷嘴移动部4。喷嘴移动部4具有：桥梁结构的喷嘴支撑体41，沿Y方向横贯载台3的上方来支撑狭缝喷嘴1；及喷嘴驱动机构42，使喷嘴支撑体41沿X方向水平移动。
喷嘴支撑体41具有固定有狭缝喷嘴1的固定构件41a、及支撑固定构件41a并使其升降的两个升降机构41b。固定构件41a是以Y方向为长边方向的剖面矩形的棒状构件，由碳纤维增强树脂等构成。两个升降机构41b与固定构件41a的长边方向的两端部连结，分别具有交流电(Alternating Current，AC)伺服马达(servo motor)及滚珠丝杠(ball screw)等。通过这些升降机构41b而使固定构件41a与狭缝喷嘴1一体地沿铅垂方向(Z方向)升降，从而可调整狭缝喷嘴1的喷出口与基板S的间隔、即喷出口相对于基板S的上表面的相对高度。
喷嘴驱动机构42包括：沿X方向引导狭缝喷嘴1的移动的两根导轨43；作为驱动源的两个线性马达44；以及用于检测狭缝喷嘴1的喷出口的位置的两个线性编码器(linearencoder)45。两根导轨43以自Y方向夹隔基板载置区域311(图2B)的方式配置于基台2的Y方向的两端，并且以包含基板载置区域311的方式沿X方向延伸设置。而且，两个升降机构41b的下端部分别沿着两根导轨43受到引导，由此狭缝喷嘴1在保持于载台3上的基板S的上方朝X方向移动。
两个线性马达44分别为具有定子44a与动子44b的AC无芯线性马达(corelesslinear motor)。定子44a沿着X方向设置于基台2的Y方向的两侧面。另一方面，动子44b固定设置于升降机构41b的外侧。线性马达44通过在这些定子44a与动子44b之间所产生的磁力而作为喷嘴驱动机构42的驱动源发挥功能。
另外，两个线性编码器45分别具有刻度(scale)部45a与检测部45b。刻度部45a沿着X方向设置在固定设置于基台2的线性马达44的定子44a的下部。另一方面，检测部45b固定设置在固定设置于升降机构41b的线性马达44的动子44b的更外侧，且与刻度部45a相向配置。线性编码器45基于刻度部45a与检测部45b的相对位置关系来检测X方向上的狭缝喷嘴1的喷出口的位置。即，在本实施方式中，通过升降机构41b沿Z方向调整狭缝喷嘴1与基板S的间隔，并通过喷嘴驱动机构42使狭缝喷嘴1相对于基板S沿X方向相对移动。而且，在这样的相对移动中，可通过自狭缝喷嘴1喷出处理液而向基板S的上表面供给处理液(处理液的涂布处理)。
为了在所述涂布处理的前后使基板S相对于载台3升降，设置有顶销及顶销驱动部。另外，为了在涂布处理中将基板S牢固地吸附保持于载台3的上表面31，在本实施方式中，以如下方式构成载台3及负压产生部。以下，参照图1、图2A及图2B并详细叙述载台3、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构及运行。
图2A及图2B是示意性表示载台、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构的图，图2A表示未吸附保持基板S的状态，图2B表示吸附保持基板S的状态。另外，在图2A及图2B(以及下文所说明的图3A、图3B、图4及图5)中，“CLOSE(关闭)”及“OPEN(打开)”表示开闭阀53的开闭情况。此处，先说明顶销及顶销驱动部的结构。
在载台3设置有沿Z方向平行地延伸设置且在上表面31开口的多个销收纳孔315，在各销收纳孔315中收容有顶销61。各顶销61具有沿Z方向平行地延伸设置的销形状，控制装置整体的控制部10向顶销驱动部62发出升降指令，由此使顶销61升降。由此，顶销61相对于销收纳孔315进退。当省略图示的机器人将基板S搬送至载台3的上方时，通过顶销驱动部62的驱动而上升的多个顶销61自销收纳孔315朝载台3的上表面31的上方突出，并以各自的上端接收基板S。继而，通过顶销驱动部62的驱动，多个顶销61下降并收入销收纳孔315内，由此基板S自多个顶销61的上端载置于基板载置区域311。此外，在自基板载置区域311抬起基板S时，通过顶销驱动部62的驱动，多个顶销61上升而自销收纳孔315朝载台3的上表面31的上方突出。
如上所述，在载台3的上表面31设置有基板载置区域311，但当更详细地观察基板载置区域311时，基板载置区域311具有与基板S的有效区Sa对应地设置有格子状的吸附槽312的中央部及以包围吸附槽312的方式设置有环状的凹部7的周缘部。
此处，所谓基板S的有效区Sa(参照图2A、图2B)，是指在基板S的上表面中央部设置有多个元件的区域。例如，在半导体封装的情况下，矩形状的玻璃基板相当于基板S，层叠配置于玻璃基板的上表面中央部的多个半导体芯片或芯片间的配线等相当于多个元件。当基板S载置于基板载置区域311时，如图2B所示，有效区Sa位于基板载置区域311的中央部的上方。在基板载置区域311的中央部，为了在载台3的上表面31牢固地吸附保持基板S的有效区Sa，如图1所示，呈格子状刻设有吸附槽312。即，槽自载台3的上表面31以一定深度沿X方向及Y方向延伸设置，并且在槽交叉的若干地点处，自所述交叉点沿Z方向贯穿设置有与载台3的下表面32相连的贯通孔313。
如图2A及图2B所示，各贯通孔313与负压产生部5连接。负压产生部5具有吸引配管51、吸引源52及开闭阀53。更详细而言，吸引源52通过吸引配管51而与贯通孔313连接。作为吸引源52，例如可使用真空泵，也可使用供基板处理装置100设置的工厂的设备。在吸引配管51中介隔插入有开闭阀53。根据来自控制部10的关闭指令而关闭开闭阀53，由此停止朝贯通孔313供给负压。另一方面，根据来自控制部10的打开指令而打开开闭阀53，由此向贯通孔313供给负压。即，如图2B所示，在基板S载置于基板载置区域311后，当根据来自控制部10的打开指令而打开开闭阀53时，向贯通孔313供给负压。由此，空气自由基板S的有效区Sa的下表面与载台3的上表面31夹持的空间(以下称为“排气对象空间”)经由吸附槽312及贯通孔313排出，从而将基板S吸附保持于载台3的上表面31。
如此，基板S的有效区Sa由负压产生部5吸附保持，但有效区Sa的外侧区域、即非有效区Sb位于基板载置区域311的周缘部的上方。因此，若在非有效区Sb产生了翘曲，则空气会自翘曲部分流入排气对象空间(有效区Sa与载台3之间)而吸附力降低。因此，在本实施方式中，在基板载置区域311的周缘部，以包围格子状的吸附槽312的方式设置有环状的凹部7，并且以本发明的“密封构件”的形式插入有由橡胶或树脂等弹性体构成的环状的中空衬垫8A。
中空衬垫8A的剖面具有圆环形状或椭圆环形状。而且，在基板S未载置于基板载置区域311上时，如图2A所示，中空衬垫8A的上端自载台3的上表面31向上方以突出量ΔZ突出而露出。另一方面，当基板S载置于基板载置区域311上时，在中空衬垫8A的上端于非有效区Sb与基板S的下表面密合后，所述上端发生弹性变形，同时朝向凹部7后退。此种密合同时的弹性变形与基板S的翘曲相对应，同时在中空衬垫8A的整周产生。因此，通过中空衬垫8A相对于基板S的整周密合而保持排气对象空间的密闭。其结果，即使基板S产生了翘曲，也可将基板S牢固地保持于载台3，可稳定地进行处理液朝基板S的涂布。
另外，在本实施方式中，如图1所示，将凹部7的角部成形为倒圆、所谓的圆边缘，因此在将环状的中空衬垫8A插入凹部7时，可有效地防止中空衬垫8A因角部而损伤。
如上所述，在第一实施方式中，负压产生部5相当于本发明的“第一负压产生部”的一例，存在于排气对象空间中的空气相当于本发明的“第一气体”的一例，并且通过排出所述空气而产生的负压相当于本发明的“第一负压”的一例。
图3A及图3B是示意性表示本发明的基板处理装置的第二实施方式中的载台、负压产生部、顶销及顶销驱动部的结构的图，图3A表示未吸附保持基板S的状态，图3B表示吸附保持基板S的状态。所述第二实施方式与第一实施方式大不相同的方面在于：使用剖面为大致V字状的密封件、所谓的V密封件8B作为本发明的密封构件这一方面及采用排出凹部7的内部的空气的凹部排气结构这一方面。此外，其他结构与第一实施方式基本相同。因此，以下以不同点为中心进行说明，对相同的结构标注相同的符号并省略结构说明。
在第二实施方式中，如图3A及图3B所示，自凹部7的底面朝向载台3的下表面贯穿设置有贯通孔314。贯通孔314通过吸引配管51而与吸引源52连接。因此，在根据来自控制部10的关闭指令而关闭开闭阀53的期间，停止朝贯通孔313、贯通孔314供给负压。另一方面，根据来自控制部10的打开指令而打开开闭阀53，由此不仅向贯通孔313供给负压，而且也向贯通孔314供给负压。因此，如图3B所示，当基板S载置于基板载置区域311上时，在V密封件8B的上端与基板S的下表面中的非有效区Sb密合后，主要是所述上端发生弹性变形，同时朝向凹部7的内部压入。其结果，与第一实施方式同样地，通过V密封件8B相对于基板S的整周密合来保持排气对象空间的密闭。其结果，即使基板S产生了翘曲，也可将基板S牢固地保持于载台3，可稳定地进行处理液朝基板S的涂布。而且，自凹部7的内部排出空气(相当于本发明的“第二气体”)而产生负压(相当于本发明的“第二负压”)。因此，不仅基板S的有效区Sa，而且非有效区Sb也吸附保持于载台3的上表面31，可进一步提高基板S的吸附力。另外，在V密封件8B发生弹性变形时，即使与基板S或载台3摩擦而产生扬尘，也可自凹部7确实地排出而确实地防止附着于基板S。
如上所述，在第二实施方式中，负压产生部5也作为本发明的“第二负压产生部”发挥功能，但也可独立于负压产生部5而另行设置自凹部7排出第二空气来产生第二负压的负压产生部，其作为本发明的“第二负压产生部”发挥功能。另外，当然也可将第二实施方式的凹部排气结构应用于第一实施方式或在下文所说明的第三实施方式或第四实施方式。
图4是表示本发明的基板处理装置的第三实施方式的图。第三实施方式与第一实施方式大不相同的方面为例如追加有与日本专利特开2017-112197号公报中所记载的矫正机构相同结构的矫正部9这一方面。其他结构与第一实施方式基本相同。因此，以下以不同点为中心进行说明，对相同的结构标注相同的符号并省略结构说明。
矫正部9通过使矫正块91直接抵接于载置于基板载置区域311的基板S的上表面的周缘部、即非有效区Sb而对非有效区Sb赋予朝向下方的按压力来矫正基板S的翘曲，关于其详细情况，在所述公报中有记载。因此，在本说明书中，关于在基板处理装置100中所采用的矫正部9的基本结构及运行，参照图4并进行说明。
矫正块91在基板载置区域311的各边各配置一个。如所述图中的白箭头所示，矫正块91设置成在基板载置区域311的周缘部的上方沿铅垂方向Z升降自如。各矫正块91与块移动部92连接。当通过所述块移动部92而使矫正块91移动至载置于基板载置区域311的基板S的非有效区Sb的上方时，矫正块91的下表面以自上方覆盖非有效区Sb的方式相向配置。而且，当矫正块91通过块移动部92而进一步下降时，矫正块91的下表面与基板S的非有效区Sb接触，进而将非有效区Sb按压于基板载置区域311的周缘部。由此，基板S的翘曲得到矫正，基板S的非有效区Sb成为平坦的状态。而且，所述非有效区Sb按压插入凹部7中的中空衬垫8A的上端，使中空衬垫8A在大致整周上均匀地发生弹性变形，从而进一步提高排气对象空间的密闭性。其结果，可将基板S更牢固地保持于载台3，可更稳定地进行处理液朝基板S的涂布。
但是，在所述第三实施方式中，使矫正块91的下表面与基板S的非有效区Sb直接接触而将所述非有效区Sb按压于基板载置区域311的周缘部来进行矫正。因此，有时会对基板S中与矫正块91物理接触的部位造成损伤。另外，通过所述接触而有时会产生尘埃或颗粒等。因此，如以下说明那样，也可在基板S的非有效区Sb与矫正块91的下表面之间形成气体层，通过气体层而向下方按压非有效区Sb来矫正基板S的翘曲，并且提高排气对象空间的密闭性(第四实施方式)。
图5是表示本发明的基板处理装置的第四实施方式的图。第四实施方式与第三实施方式大不相同的方面在于：追加有与矫正块91连结并在矫正块91和基板S之间强制形成气体层93的气体层形成部94这一方面；及经由气体层93向下方按压基板S的非有效区Sb这一方面，其他结构与第三实施方式基本相同。因此，对相同的结构标注相同的符号并省略说明。
图6是示意性表示气体层形成部的结构的图。如图6所示，气体层形成部94具有压缩机等压缩部941、温度调节部942、过滤器943、针阀944、流量计945、压力计946及气动阀947。在气体层形成部94中，利用温度调节部942将由压缩部941压缩的空气调整为规定的温度而生成气体层形成用的压缩空气。
在供所述压缩空气流通的配管中设置有过滤器943、针阀944、流量计945、压力计946及气动阀947。而且，当根据来自控制部10的指令而打开气动阀947时，在过滤器943中穿过而得到净化的压缩空气通过针阀944而进行压力调节，然后在流量计945、压力计946、气动阀947中穿过而被压送至矫正块91。压缩空气自设置于矫正块91的下表面的喷出孔(省略图示)作为本发明的“第三气体”朝向基板S的非有效区Sb喷出。由此，在基板S的非有效区Sb与矫正块91之间形成气体层93(在图5中标注点而示意性表示的区域)。
而且，在形成了气体层93的状态下，与第三实施方式同样地，当矫正块91通过块移动部92而进一步下降时，非有效区Sb在与矫正块91为非接触状态的状态下被气体层93按压于基板载置区域311的周缘部而得到矫正，基板S的非有效区Sb成为平坦的状态。而且，所述非有效区Sb按压插入凹部7中的中空衬垫8A的上端，使中空衬垫8A在大致整周上均匀地发生弹性变形，从而进一步提高排气对象空间的密闭性。其结果，可将基板S更牢固地保持于载台3，可更稳定地进行处理液朝基板S的涂布。
如上所述，与第三实施方式同样地，矫正了非有效区Sb，因此可使中空衬垫8A在大致整周上均匀地发生弹性变形，从而进一步提高排气对象空间的密闭性。其结果，可将基板S更牢固地保持于载台3，可更稳定地进行处理液朝基板S的涂布。
另外，在矫正翘曲时，与基板S接触的是气体层93，与直接接触矫正块91来进行矫正的第三实施方式相比，可防止对基板S造成损伤，并且可消除扬尘的问题，同时牢固地吸附保持基板S。
此外，本发明并不限定于所述实施方式，只要不脱离其主旨，则除所述以外，也能够进行各种变更。例如，在所述实施方式中，呈格子状设置吸附槽312来吸附保持基板S的有效区Sa的下表面，但吸附槽312的配置并不限定于格子状而为任意。另外，也可替代设置吸附槽312，或者将多个吸附孔与吸附槽312一起分散设置于基板载置区域311的中央部，经由各吸附孔排出排气对象空间的空气而产生负压。
另外，在所述实施方式中，作为基板S的一例，例示了翘曲量相对较大的半导体封装，但本发明的应用对象并不限定于此，也可应用于吸附保持矩形状的基板，同时自狭缝喷嘴向基板的上表面供给处理液的所有基板处理装置。
[产业上的可利用性]
本发明可应用于在载台的上表面吸附保持矩形状的基板，同时向基板涂布处理液的所有基板处理技术。
Claims (8)
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
载台，在上表面具有能够供矩形状的基板载置的基板载置区域；
喷嘴，具有喷出处理液的狭缝状的喷出口；
喷嘴移动部，使所述喷嘴在所述载台的上方移动；
第一负压产生部，自在所述基板载置区域的中央部由载置于所述载台的所述基板的下表面与所述载台夹持的空间排出第一气体而产生第一负压；
凹部，以在自上方俯视时包围所述空间的方式设置于所述基板载置区域的周缘部且呈环状；以及
密封构件，为设置于所述凹部内的弹性体且呈环状，并且
所述密封构件的上端在所述基板载置前自所述载台的上表面露出，另一方面，在所述基板载置于所述基板载置区域并且受到所述第一负压的状态下，与所述基板的下表面密合，同时朝向所述凹部后退而将所述空间密闭。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
在所述基板的有效区形成有多个元件，另一方面，在包围所述有效区的非有效区未形成所述元件，
所述第一负压产生部对所述有效区赋予所述第一负压，
所述凹部与所述非有效区相向设置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其包括第二负压产生部，
所述第二负压产生部在所述密封构件的上端与所述基板的下表面密合的状态下，自所述凹部的内部排出第二气体而产生第二负压。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其包括矫正部，
所述矫正部对载置于所述基板载置区域的所述基板的上表面的周缘部赋予朝向下方的按压力来矫正载置于所述基板载置区域的所述基板的翘曲。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述矫正部具有：矫正块，能够在所述基板的周缘部的上方沿上下方向移动；及块移动部，通过使所述矫正块向下方移动而将所述矫正块的下表面按压于所述基板的所述周缘部来矫正所述基板的翘曲。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述矫正部具有：矫正块，能够在所述基板的周缘部的上方沿上下方向移动；气体层形成部，自所述矫正块的下表面朝向所述基板的上表面喷出第三气体而在所述基板的上表面与所述矫正块的下表面之间形成气体层；及块移动部，通过与所述基板保持非接触状态，同时使所述矫正块向下方移动而将所述气体层按压于所述基板的所述周缘部来矫正所述基板的翘曲。
7.根据权利要求5或6所述的基板处理装置，其中，
所述矫正块的所述下表面配置成介隔所述基板的周缘部而与所述密封构件的上端相向，
受到所述按压力的所述基板的周缘部的下表面向下方按压所述密封构件的上端而提高所述空间的密闭。
8.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
保持工序，在将矩形状的基板载置于载台的上表面的基板载置区域后，自在所述基板载置区域的中央部由所述基板的下表面与所述载台夹持的空间排出第一气体而产生第一负压并在所述载台上加以保持；以及
涂布工序，使具有狭缝状的喷出口的喷嘴在保持所述基板的所述载台的上方移动，同时自所述喷出口向所述基板的上表面供给处理液来进行涂布，并且
所述保持工序具有如下工序，
在所述基板载置前，使由弹性体构成的环状的密封构件的上端在自所述载台的上表面露出的状态下位于以在自上方俯视时包围所述空间的方式设置于所述基板载置区域的周缘部的环状的凹部内的工序；及
在所述基板载置后，使受到所述第一负压的所述基板的下表面与所述密封构件的上端密合，同时使所述密封构件的上端朝向所述凹部后退而将所述空间密闭的工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020023084A JP7368263B2 (ja) | 2020-02-14 | 2020-02-14 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2020-023084 | 2020-02-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113262951A true CN113262951A (zh) | 2021-08-17 |
Family
ID=77228061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110153809.8A Pending CN113262951A (zh) | 2020-02-14 | 2021-02-04 | 基板处理装置及基板处理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7368263B2 (zh) |
| KR (1) | KR102655983B1 (zh) |
| CN (1) | CN113262951A (zh) |
| TW (1) | TWI837457B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN115350871B (zh) * | 2022-08-31 | 2023-08-18 | 江西瑞晟光电科技有限公司 | 一种cob基板封装的点胶设备及点胶方法 |
| JP7564586B1 (ja) | 2023-12-27 | 2024-10-09 | Ａｉメカテック株式会社 | 基板保持装置、及び基板処理装置 |
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-
2020
- 2020-02-14 JP JP2020023084A patent/JP7368263B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-04 CN CN202110153809.8A patent/CN113262951A/zh active Pending
- 2021-02-08 TW TW110104593A patent/TWI837457B/zh active
- 2021-02-10 KR KR1020210018831A patent/KR102655983B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202131445A (zh) | 2021-08-16 |
| KR102655983B1 (ko) | 2024-04-11 |
| JP2021129034A (ja) | 2021-09-02 |
| KR20210103968A (ko) | 2021-08-24 |
| TWI837457B (zh) | 2024-04-01 |
| JP7368263B2 (ja) | 2023-10-24 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |