WO2018029881A1 - ボンディング方法 - Google Patents

ボンディング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018029881A1
WO2018029881A1 PCT/JP2017/007852 JP2017007852W WO2018029881A1 WO 2018029881 A1 WO2018029881 A1 WO 2018029881A1 JP 2017007852 W JP2017007852 W JP 2017007852W WO 2018029881 A1 WO2018029881 A1 WO 2018029881A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
bonding
axis
wafer
drive mechanism
bonding stage
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/007852
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
秀紀 吉野
雅明 三浦
Original Assignee
株式会社カイジョー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社カイジョー filed Critical 株式会社カイジョー
Priority to US16/098,231 priority Critical patent/US10600754B2/en
Priority to KR1020187025074A priority patent/KR102152667B1/ko
Priority to CN201780003128.5A priority patent/CN108028207B/zh
Publication of WO2018029881A1 publication Critical patent/WO2018029881A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11002—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for supporting the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134—Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/43001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L2224/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H01L2224/75802—Rotational mechanism
    • H01L2224/75803—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78251—Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/787—Means for aligning
    • H01L2224/78753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H01L2224/78802—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/788—Means for moving parts
    • H01L2224/78801—Lower part of the bonding apparatus, e.g. XY table
    • H01L2224/78802—Rotational mechanism
    • H01L2224/78803—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742—Apparatus for manufacturing bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/745—Apparatus for manufacturing wire connectors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】ボンディングステージを精度良く位置決めできるボンディング方法を提供する。 【解決手段】本発明の一態様は、ボンディングステージ１θ軸を中心に回転させる回転駆動機構を有するボンディング装置を用いたボンディング方法であって、前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記ボンディングステージに保持された基板の一部の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｅ）と、前記θ軸に対するボンディングステージのロックを解除し、前記ボンディングステージを前記回転駆動機構によって前記θ軸を中心に回転させる工程（ｆ）と、前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記基板の残りの領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｇ）と、を具備するボンディング方法である。

Description

ボンディング方法
　本発明は、ボンディング方法に関する。
　特許文献１には、ワイヤボンディング装置に反転ユニットを設けることで、ワイヤボンディング装置のボンディングエリアより広いエリアを有する基板にボンディングできることが開示されている。詳細には、基板の中心にＸＹ座標を置いた時、奥側の第１象限と第２象限にＸ方向にスライドさせながらボンディングを行い、反転後に奥側に来た第３象限と第４象限をＸ方向にスライドさせながらボンディングを行う。これにより、装置のボンディングエリアより広いエリアを有する基板にボンディングが可能となる。
　上記のワイヤボンディング装置では、基板をボンディングステージから外し、反転ユニットへ移動させて反転させる際に、その移動時間に基板の温度が低下するため、反転後に第３象限と第４象限をボンディングするための再予熱が必要となる。その結果、生産性が低下することがあり、また基板に割れが発生する危険性が増すことになる。
　また、上記ワイヤボンディング装置では、厚さが異なる基板に変更してボンディングしようとした場合、オペレータが基板の高さに合うように装置を調整していたため、品種交換等に時間がかかっていた。
　特許文献２には、ワイヤボンディング装置にボンディングステージを回転させる回転駆動機構を設けることで、ワイヤボンディング装置のボンディングエリアより広いエリアを有する基板にボンディングできることが開示されている。詳細には、基板の中心にＸＹ座標を置いた時、ボンディングヘッドが搭載されているＸＹテーブルにて可動範囲を広げながら奥側の第１象限と第２象限にボンディングを行い、１８０°回転させた後に奥側に来た第３象限と第４象限にボンディングを行う。これにより、装置のボンディングエリアより広いエリアを有する基板にボンディングが可能となる。
　上記のワイヤボンディング装置では、ボンディングステージ自体の重さが重いため、この重いボンディングステージを回転駆動機構によって回転させると、ボンディングステージの剛性が低下し、ボンディングステージを確実に停止させることが困難となる。またボンディング処理中にボンディングステージに振動が発生しやすくなる。これらのことから、上記のワイヤボンディング装置では、ボンディングステージを精度良く位置決めすることが難しく、ボンディングスピードの高速化やファインピッチのボンディングも困難となる。
　特許文献３には、ワイヤボンディング装置の回転軸に電磁石によるブレーキ手段を設け、コラムが所定の回転位置に停止されると、制御回路が電磁石に通電を行って電磁石をディスクに吸着させて回転軸を固定することが開示されている。
　上記のワイヤボンディング装置では、電磁石による磁力を用いているため、その磁力がボンディング対象物内の半導体素子等に悪影響を及ぼすことがある。
特許第４３７６８８９号公報 特開平１０－３０３２４１号公報 特開昭５８－８７８４２号公報
　本発明の一態様は、ボンディングステージを精度良く位置決めできるボンディング方法を提供することを課題とする。
　以下に本発明の種々の態様について説明する。
［１］ボンディングステージをθ軸を中心に回転させる回転駆動機構を有するボンディング装置を用いたボンディング方法であって、
　前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記ボンディングステージに保持された基板の一部の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｅ）と、
　前記θ軸に対するボンディングステージのロックを解除し、前記ボンディングステージを前記回転駆動機構によって前記θ軸を中心に回転させる工程（ｆ）と、
　前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記基板の残りの領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｇ）と、
を具備することを特徴とするボンディング方法。
［２］上記［１］において、
　前記基板はキャリアテープに搭載されたウエハであり、
　前記キャリアテープは、ウエハをオリエンテーションフラットまたはノッチにより位置決めする回転止めを有し、
　前記ボンディング装置は、Ｘ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＸ軸駆動機構を有し、
　前記工程（ｅ）の前に、
　　前記キャリアテープを収容部に収容する工程（ａ）と、
　　前記キャリアテープを前記Ｘ軸駆動機構に繋ぎ、前記Ｘ軸駆動機構によって前記キャリアテープをバッファエリアに搬送する工程（ｂ）と、
　　前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程（ｃ）と、
　　前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させる工程（ｄ）と、を有し、
　前記工程（ｅ）は、前記ボンディングステージを前記θ軸及び前記Ｘ軸に対してロックし、前記ボンディングステージに保持された前記キャリアテープの前記ウエハの一部の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程であり、
　前記工程（ｇ）は、前記ボンディングステージを前記θ軸及び前記Ｘ軸に対してロックし、前記ウエハの残りの領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程であることを特徴とするボンディング方法。
［３］上記［２］において、
　前記ボンディング装置は、Ｚ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＺ軸駆動機構を有し、
　前記工程（ｃ）は、前記Ｚ軸駆動機構によってボンディングステージを下方に移動させて前記キャリアテープを前記Ｘ軸駆動機構から外し、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程であることを特徴とするボンディング方法。
［４］上記［２］または［３］において、
　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージを加熱するヒーターを有し、
　前記工程（ｃ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ウエハに予熱を加え、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程であることを特徴とするボンディング方法。
［５］上記［２］乃至［４］のいずれか一項において、
　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージに保持された前記ウエハの位置を認識する認識装置を有し、
　前記工程（ｄ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させ、前記認識装置によって前記ウエハの位置を認識した結果、前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する必要がある場合に、前記回転駆動機構によって前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する工程であることを特徴とするボンディング方法。
［５－１］上記［２］乃至［５］のいずれか一項において、
　前記工程（ｆ）は、前記θ軸に対するボンディングステージのロックを解除し、前記ボンディングステージを前記回転駆動機構によって前記θ軸を中心に回転させ、前記認識装置によって前記ウエハの位置を認識した結果、前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する必要がある場合に、前記回転駆動機構によって前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する工程であることを特徴とするボンディング方法。
［６］上記［２］乃至［５］、［５－１］のいずれか一項において、
　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージに保持された前記ウエハの高さを測定する測定装置を有し、
　前記工程（ｄ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させ、前記測定装置によって前記ウエハの高さを測定した結果、前記ウエハの高さを補正する必要がある場合に、前記Ｚ軸駆動機構によって前記ウエハの高さを補正する工程であることを特徴とするボンディング方法。
［７］基板にワイヤまたはバンプをボンディングするボンディング装置において、
　前記基板を保持するボンディングステージと、
　前記ボンディングステージに取り付けられたθ軸ガイドと、
　θ軸を中心に前記θ軸ガイドを回転させる回転駆動機構と、
　前記ボンディングステージを固定するために、エアーの圧力によって前記θ軸ガイドに押し付ける第１ロック部と、
を具備することを特徴とするボンディング装置。
［８］上記［７］において、
　前記ボンディングステージに取り付けられ、Ｘ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＸ軸駆動機構と、
　前記ボンディングステージを固定するために、エアーの圧力によって前記Ｘ軸ガイドに押し付ける第２ロック部と、
を有することを特徴とするボンディング装置。
［９］上記［８］において、
　前記ボンディングステージに取り付けられ、Ｙ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＹ軸駆動機構と、
　前記ボンディングステージを固定するために、エアーの圧力によって前記Ｙ軸ガイドに押し付ける第３ロック部と、
を有することを特徴とするボンディング装置。
［１０］上記［８］または［９］において、
　前記ボンディングステージに取り付けられ、Ｚ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＺ軸駆動機構と、
　前記ボンディングステージを固定するために、エアーの圧力によって前記Ｚ軸ガイドに押し付ける第４ロック部と、
を有することを特徴とするボンディング装置。
［１１］上記［８］乃至［１０］のいずれか一項において、
　前記基板を収容する収容部と、
　ボンディングエリアと、
　前記ボンディングエリアと前記収容部との間に位置するバッファエリアと、
　前記基板を前記Ｘ軸駆動機構に繋ぐ手段と、
を有し、
　前記Ｘ軸駆動機構は、前記Ｘ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを前記ボンディングエリアと前記バッファエリアとの間で移動させる機構であることを特徴とするボンディング装置。
［１２］上記［１１］において、
　前記基板はウエハが搭載されたキャリアテープであり、
　前記キャリアテープは、ウエハをオリエンテーションフラットまたはノッチにより位置決めする回転止めを有することを特徴とするボンディング装置。
［１３］上記［８］乃至［１２］のいずれか一項において、
　前記ボンディングステージに保持された前記基板を加熱するヒーターを有することを特徴とするボンディング装置。
［１４］上記［１０］において、
　前記ボンディングステージに保持された前記基板の高さを測定する測定装置と、
　前記測定装置によって前記基板の高さを測定した結果、前記基板の高さを補正する必要がある場合に、前記基板の高さを補正するように前記Ｚ軸駆動機構を制御する制御部と、
を有することを特徴とするボンディング装置。
［１５］上記［７］乃至［１４］のいずれか一項において、
　前記ボンディングステージに保持された前記基板の位置を認識する認識装置と、
　前記認識装置によって前記基板の位置を認識した結果、前記基板のθ軸の位置を補正する必要がある場合に、前記基板のθ軸の位置を補正するように前記回転駆動機構を制御する制御部と、
を有することを特徴とするボンディング装置。
［１６］ウエハにワイヤまたはバンプをボンディングする際に用いるキャリアテープであって、
　前記キャリアテープは、ウエハをオリエンテーションフラットまたはノッチにより位置決めする回転止めを有することを特徴とするウエハ用キャリアテープ。
　本発明の一態様によれば、ボンディングステージを精度良く位置決めできるボンディング方法を提供することができる。
[規則91に基づく訂正 03.03.2017]　
本発明の一態様に係るボンディング装置を模式的に示す平面図である。 ウエハを搭載したキャリアテープを示す平面図である。 図１に示すボンディング装置の収容部、バッファエリア、ボンディングステージ、回転駆動機構、Ｘ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構及びＺ軸駆動機構を示す斜視図である。 （Ａ）は図２に示す矢印１００の方向に視たＸ軸駆動機構及びＹ軸駆動機構を示す図、（Ｂ）は図２に示す矢印１０１の方向に視たＸ軸駆動機構及びＹ軸駆動機構を示す図、（Ｃ）は図２に示す矢印１００の方向に視た回転駆動機構を示す図である。 （Ａ）はθ軸ガイドをロックする機構を説明する模式図、（Ｂ）はＸ軸ガイドをロックする機構を説明する模式図である。 図１に示す矢印１０２の方向に視たボンディング装置を示す模式図である。 キャリアテープ（Ｃ/Ｔ）に搭載されたウエハの搬送等を示すフローチャートである。 図７に示す回転部のフローチャートである。 図１０（Ｅ）に示す工程と図１１（Ｃ）に示す工程でウエハの高さを測定する方法の詳細を示すフローチャートである。 （Ａ）～（Ｅ）はキャリアテープに搭載されたウエハの搬送シーケンスを説明するための平面図である。 （Ａ）～（Ｅ）はキャリアテープに搭載されたウエハの搬送シーケンスを説明するための平面図である。 （Ａ）～（Ｅ）はキャリアテープに搭載されたウエハの搬送シーケンスを説明するための平面図である。 本発明の他の一態様に係るボンディング装置を模式的に示す平面図である。
　以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　図１は、本発明の一態様に係るボンディング装置を模式的に示す平面図である。このボンディング装置は、基板にワイヤまたはバンプをボンディングする装置である。基板はウエハ９が搭載されたキャリアテープ（キャリアボートまたはキャリアともいう）８である。また、ボンディング装置は、キャリアテープ８を収容するマガジン（ウエハカセットまたは収容部ともいう）７と、このマガジン７を上下移動させるエレベータ（上下駆動機構）５と、マガジンに収容されたキャリアテープ８を押し出すプッシャ６を有している。マガジン７の隣にはバッファエリアが設けられており、このバッファエリアにはバッファユニット３が配置されている。バッファエリアの隣にはボンディングエリア４が配置されており、ボンディングエリア４の近傍にはボンディングエリア４でボンディングを行うためのボンディングヘッド１２が配置されている。また、このボンディング装置はボンディングエリア４とバッファエリアとの間を移動可能なボンディングステージ１を有している。
　図２は、ウエハを搭載したキャリアテープを示す平面図である。図２及び図１に示すように、キャリアテープ８にはウエハ９を搭載するための凹みまたは穴が設けられており、その凹みまたは穴にウエハ９が搭載されている。キャリアテープ８には回転止め１０が設けられており、この回転止め１０はウエハ９のオリエンテーションフラット９ａに接触させてウエハ９の回転を止めるようになっている。このようにウエハ９の位置決めをしながらキャリアテープ８にウエハ９が搭載されるため、キャリアテープ８を用いない場合に比べて、ボンディング時にウエハ９の位置決めが容易になる。
　また、キャリアテープ８にはウエハを搭載するための凹みまたは穴（図示せず）が設けられている。そのため、キャリアテープ８にはウエハを搭載することが可能となる。よって、キャリアテープ８にウエハをオリエンテーションフラットにより位置決めして搭載することが可能となる。つまり、ウエハを容易に位置決めすることができる。
　上記のように一つのサイズのキャリアテープ８にサイズが異なるウエハを搭載できるため、マガジンにサイズが異なるウエハを収容できることになる。従って、種々のウエハへの対応が可能となる。
　なお、本実施の形態では、ウエハのオリエンテーションフラットに対応する回転止め１０をキャリアテープ８に設けているが、ウエハのノッチに対応する回転止めをキャリアテープに設けてもよい。その場合、その回転止めはウエハのノッチに接触させてウエハの回転を止めるようになっているとよい。
　また、本実施の形態では、ウエハが搭載されたキャリアテープを基板としているが、これに限定されることなく、ウエハが搭載されたキャリアテープ以外の基板を用いることも可能であり、例えばフレーム、サンプル、ボンディングワークのいずれかが搭載されたキャリアテープを基板として用いることも可能であり、キャリアテープを用いずに基板自身（例えばウエハ、フレーム、サンプル、ボンディングワーク）を基板として用いてもよい。
　本実施の形態によれば、ウエハ９をキャリアテープ８に搭載するため、ウエハ９のオリエンテーションフラット９ａやノッチの位置に回転止め１０を設けることができる。そのため、ウエハ９を位置決めした状態でキャリアテープ８に搭載できるので、オリエンテーションフラット等を検出してウエハ９の方向を補正するユニットが不要となり、生産性も上げることができる。
　図３は、図１に示すボンディング装置の収容部、バッファエリア、ボンディングステージ、回転駆動機構、Ｘ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構及びＺ軸駆動機構を示す斜視図である。図４（Ａ）は、図３に示す矢印１００の方向に視たＸ軸駆動機構及びＹ軸駆動機構を示す図であり、図４（Ｂ）は、図３に示す矢印１０１の方向に視たＸ軸駆動機構及びＹ軸駆動機構を示す図であり、図４（Ｃ）は、図３に示す矢印１００の方向に視た回転駆動機構を示す図である。図５（Ａ）はθ軸ガイドをロックする機構を説明する模式図であり、図５（Ｂ）はＸ軸ガイドをロックする機構を説明する模式図である。
　図３に示すように、マガジン７はエレベータ５によって上下移動が可能となっている。マガジン７にはキャリアテープ８が収容されており、マガジン７内のキャリアテープ８はプッシャ（左右駆動機構）６によってバッファエリアのバッファユニット３へ押し出すことが可能となっている。
　ボンディングステージ１は、ウエハ９を搭載したキャリアテープ８を真空吸着により保持できるようになっている。ボンディングステージ１には図４（Ｃ）に示す回転駆動機構及びＺ軸駆動機構が取り付けられている。この回転駆動機構はθ軸（θ回転軸）２１を中心にボンディングステージ１を図３に示す矢印２４のように回転させる機構である。ボンディングステージ１にはθ軸ガイド２２が取り付けられており、回転駆動機構によってθ軸２１を中心にθ軸ガイド２２が回転されるようになっている。また、このＺ軸駆動機構はＺ軸ガイド（図示せず）に沿ってボンディングステージ１を図３に示す矢印２７の方向に移動させる機構である。前記Ｚ軸ガイドにはＺ軸ガイドをロックする図示せぬＺ軸ガイドロック部が設けられている。このＺ軸ガイドロック部については後述する。
　θ軸ガイド２２にはθ軸ガイド２２をロックするθ軸ガイドロック部２３が設けられており、θ軸ガイドロック部２３はエアーの圧力によってθ軸ガイド２２に押し付ける第１ロック部２３ａを有する。詳細には、図５（Ａ）に示すように、エアー４６をθ軸ガイドロック部２３に供給し、エアーの圧力によってθ軸ガイド２２に第１ロック部２３ａを矢印４２のように押し付けてθ軸ガイド２２を挟んでロックすることで、θ軸ガイド２２がθ軸ガイドロック部２３に固定されてボンディングステージ１が固定されるようになっている。エアーの供給のオンとオフは電磁弁４４によって制御される。
　回転駆動機構はθ軸を中心にボンディングステージ１を矢印２４のように自在に回転させるように構成されているため、この回転駆動機構によりθ軸２１上でボンディングステージ１を停止させることが可能である。しかし、この回転駆動機構だけではボンディングステージ１を回転方向に停止させるのが十分ではない。そこで、θ軸ガイドロック部２３を設けることで、ボンディングステージ１自体の重さが重くても、ボンディングステージ１を確実に停止させることができ、またボンディング処理中にボンディングステージ１に振動が発生するのを抑制できる。その結果、ボンディングステージ１を精度良く位置決めすることができる。
　また、ボンディングステージ１には図４（Ａ），（Ｂ）に示すＸ軸駆動機構及びＹ軸駆動機構が取り付けられている。このＸ軸駆動機構はＸ軸ガイド２８に沿ってボンディングステージ１を矢印２５の方向に移動させる機構である。このＹ軸駆動機構はＹ軸ガイド３２に沿ってボンディングステージ１を矢印２６の方向に移動させる機構である。なお、Ｘ軸駆動機構は、Ｘ軸ガイド２８に沿ってボンディングステージ１をボンディングエリア４とバッファエリアとの間で移動させることができるものである。
　詳細には、図３及び図４（Ａ），（Ｂ）に示すように、Ｘテーブル３４はＸ軸ガイド２８に沿って矢印２５の方向にＸ軸駆動機構によって移動させることができるようになっている。このＸテーブル３４にはＹ軸ガイド３２が取り付けられており、Ｙテーブル３５はＹ軸ガイド３２に沿って矢印２６の方向にＹ軸駆動機構によって移動させることができるようになっている。
　Ｘ軸ガイド２８にはＸ軸ガイド２８をロックするＸ軸ガイドロック部２９が設けられており、図５（Ｂ）に示すように、Ｘ軸ガイドロック部２９はエアー４７の圧力によってＸ軸ガイド２８に押し付ける第２ロック部２９ａを有する。詳細には、エアー４７をＸ軸ガイドロック部２９に供給し、エアーの圧力によってＸ軸ガイド２８に第２ロック部２９ａを矢印４３のように押し付けてＸ軸ガイド２８を挟んでロックすることで、Ｘ軸ガイドロック部２９がＸ軸ガイド２８に固定されてＸテーブル３４が固定されるようになっている。これにより、矢印２５の方向にボンディングステージ１が移動するのを固定することができる。エアーの供給のオンとオフは電磁弁４５によって制御される。
　Ｘ軸駆動機構はＸ軸ガイド２８に沿ってＸテーブル３４とともにボンディングステージ１を矢印２５の方向に自在に移動させるように構成されているため、このＸ軸駆動機構によりＸ軸ガイド２８上でＸテーブル３４とともにボンディングステージ１を停止させることが可能である。しかし、このＸ軸駆動機構だけではボンディングステージ１をＸ軸方向に停止させるのが十分ではない。そこで、Ｘ軸ガイドロック部２９を設けることで、ボンディングステージ１自体の重さが重くても、ボンディングステージ１を確実に停止させることができ、またボンディング処理中にボンディングステージ１に振動が発生するのを抑制できる。その結果、ボンディングステージ１を精度良く位置決めすることができる。
　Ｙ軸ガイド３２にはＹ軸ガイド３２をロックするＹ軸ガイドロック部３３が設けられており、Ｙ軸ガイドロック部３３はエアーの圧力によってＹ軸ガイド３２に押し付ける第３ロック部３３ａを有する。詳細には、エアーをＹ軸ガイドロック部３３に供給し、エアーの圧力によってＹ軸ガイド３２に第３ロック部３３ａを押し付けてＹ軸ガイド３２を挟んでロックすることで、Ｙ軸ガイドロック部３３がＹ軸ガイド３２に固定されてＹテーブル３５が固定されるようになっている。これにより、矢印２６の方向にボンディングステージ１が移動するのを固定することができる。エアーの供給のオンとオフは電磁弁（図示せず）によって制御される。
　Ｙ軸駆動機構はＹ軸ガイド３２に沿ってＹテーブル３５とともにボンディングステージ１を矢印２６の方向に自在に移動させるように構成されているため、このＹ軸駆動機構によりＹ軸ガイド３２上でＹテーブル３５とともにボンディングステージ１を停止させることが可能である。しかし、このＹ軸駆動機構だけではボンディングステージ１をＹ軸方向に停止させるのが十分ではない。そこで、Ｙ軸ガイドロック部３３を設けることで、ボンディングステージ１自体の重さが重くても、ボンディングステージ１を確実に停止させることができ、またボンディング処理中にボンディングステージ１に振動が発生するのを抑制できる。その結果、ボンディングステージ１を精度良く位置決めすることができる。
　前記Ｚ軸ガイドロック部はエアーの圧力によって前記Ｚ軸ガイドに押し付ける第４ロック部（図示せず）を有する。詳細には、エアーをＺ軸ガイドロック部に供給し、エアーの圧力によってＺ軸ガイドに第４ロック部を押し付けてＺ軸ガイドを挟んでロックすることで、Ｚ軸ガイドロック部がＺ軸ガイドに固定されてＺテーブル（図示せず）が固定されるようになっている。これにより、矢印２７の方向にボンディングステージ１が移動するのを固定することができる。エアーの供給のオンとオフは電磁弁（図示せず）によって制御される。
　本実施の形態によれば、Ｚ軸駆動機構を有するため、ボンディングステージ１の高さを制御することができる。これにより、θ軸の回転駆動機構とＸ軸駆動機構とＹ軸駆動機構を連動させて様々な動作が可能となる。
　また、上記のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、Ｚ軸駆動機構及び回転駆動機構は、カム機構を用いてもよいし、モータとロック機構の組み合わせでもよい。
　また、上述したように、ボンディングステージ１に複数の駆動機構を持たせても、第１～第４ロック部を設けることで、ボンディングステージ１の剛性が保たれ、振動の発生を抑制できる。その結果、ボンディングステージ１を精度良く位置決めすることができ、ボンディングスピードの高速化やファインピッチのボンディングも可能となる。また、第１～第４のロック部を設けることで、整定時間も短縮ができる為、キャリアテープの搬送速度も上げられる。
　また、θ軸ガイド２２に第１ロック部２３ａを押し付ける際、Ｘ軸ガイド２８に第２ロック部２９ａを押し付ける際などにエアーの圧力を用いているため、ボンディング時にウエハ内の半導体素子等に影響を与えることを防止できる。例えば電磁石等による磁力を用いると、その磁力がウエハ内の半導体素子に悪影響を及ぼすことがあるが、エアーの圧力を用いれば、そのような悪影響を及ぼすことがない。
　Ｘテーブル３４には図１に示すアーム１１が取り付けられている。このアーム１１は、キャリアテープ８に設けられた穴３１に引っ掛けてキャリアテープ８を引き出すことと、穴３１に引っ掛けてキャリアテープ８を押し出して排出することを行うものである。なお、このアーム１１は、基板をＸ軸駆動機構に繋ぐ手段ともいう。
　図６は、図１に示す矢印１０２の方向に視たボンディング装置を示す模式図である。ボンディングステージ１にはヒーター３８が配置されており、このヒーター３８はキャリアテープ８に搭載されたウエハ９を加熱するものである。また、ボンディング装置は、図１に示すボンディングエリア４でウエハ９にワイヤまたはバンプをボンディングするボンディングヘッド１２を有する。このボンディングヘッド１２は駆動機構のＸＹテーブル４１に取り付けられており、ＸＹテーブル４１によってボンディングヘッド１２は移動可能とされている。また、ＸＹテーブル４１には遮熱板３９が取り付けられており、この遮熱板３９はボンディングヘッド１２に対してヒーター３８の熱を遮熱するヘッドカバーまたはシャッターの役割を有する。遮熱板３９はＸＹテーブル４１と連動してＸＹ方向に移動させることができる。
　遮熱板は冷却機能を有するため、ボンディングステージ１のヒーター３８からの熱でボンディングヘッド１２が異常に加熱されない様にして、ボンディングヘッド１２の温度変化を低減する事ができる。これにより、ボンディング位置の悪化を防ぐ事ができる。
　また、ボンディング装置はボンディングステージ１に保持されたウエハ９の高さを測定する測定装置を有するとよい。この測定装置は、ウエハ９の高さやヒーター３８の高さを測定するデジタルゲージ等であってもよいが、ボンディングヘッド１２のＺ軸カウンタを使用するとよい。これにより、キャピラリがウエハ９にタッチする高さを測定できる為、ボンディング工程の途中で、ボンディング高さを測定し、補正したり、エラーを出したりすることが可能となる。
　また、ボンディング装置は、上記の測定装置によってウエハ９の高さを測定した結果、ウエハ９の高さを補正する必要がある場合に、ウエハ９の高さを補正するようにＺ軸駆動機構を制御する制御部を有するとよい。
　上記のようにＺ軸駆動機構によってウエハ９の高さを補正する理由は次のとおりである。ボンディングステージ１の表面（上面）を完全に水平に配置するには限界があり、ボンディングステージ１の表面が水平に対して僅かに傾いた状態で配置されていることがある。その場合、ボンディングステージ１に保持したウエハ９を回転駆動機構によってボンディングステージ１とともに回転させると、ウエハ９の高さが変わってしまい、ボンディング点が下がったり上がったりする。このようなときにウエハ９の高さを補正せずに認識用カメラによってボンディング位置を認識しつつボンディングを行うと、認識用カメラの焦点深度、被写界深度（ピンとが合っている範囲）に影響を及ぼし、ボンディングスピードが低下する原因となる。これに対し、上記の測定装置によってウエハ９の高さを測定し、ウエハ９の高さを補正することで、認識用カメラによるボンディング位置の精度を向上させることができ、ボンディングスピードの低下を抑制することができる。
　また、ウエハ９の厚さが違うものがボンディングエリア４に搬送された場合にも、異常として検出することが可能で、作業ミスの発生を事前に防止する事も可能となる。
　図７は、キャリアテープ（Ｃ/Ｔ）に搭載されたウエハの搬送等を示すフローチャートである。図１０～図１２は、キャリアテープに搭載されたウエハの搬送シーケンスを説明するための平面図である。
　まず、キャリアテープをマガジン（収容部）に収容する。ボンディングステージ１は、図１０（Ａ）に示すようにボンディングエリア４に位置している。次に、図１０（Ｂ）に示すように、ボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってバッファエリアのＣ/Ｔ引出位置に移動させる（Ｓ１）。次に、マガジン７内のキャリアテープ８をプッシャ６によって押し出し（Ｓ２）、キャリアテープ８をＸ軸駆動機構に繋ぐ。即ち、キャリアテープ８の穴３１にアーム１１を引っ掛ける。ここで、プッシャ６による押し出しがトルクリミットエラー等によりＮＧであった場合は、キャリアテープ８をマガジン７内へ戻す（Ｓ３）。そして再びマガジン７内のキャリアテープ８をプッシャ６によって押し出す（Ｓ２）。
　なお、本実施の形態では、ボンディングステージ１をＣ/Ｔ引出位置に移動させた後に、マガジン７内のキャリアテープ８をプッシャ６によって押し出しているが、マガジン７内のキャリアテープ８をプッシャ６によって押し出した後に、ボンディングステージ１をＣ/Ｔ引出位置に移動させてもよい。
　次に、図１０（Ｃ）に示すように、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をボンディングエリア４に移動させることで、キャリアテープ８をマガジン７からバッファエリアに引き出す。これにより、バッファエリアの予熱位置までキャリアテープ８が搬送される（Ｓ４）。
　次に、図１０（Ｄ）に示すように、Ｚ軸駆動機構によってボンディングステージ１を下方（Ｚ軸の下方）に移動させてアーム１１をキャリアテープ８の穴３１から外し、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をバッファエリアに移動させ（Ｓ５）、図６に示すヒーター３８によってウエハ９への予熱を開始する（Ｓ６）。そして、キャリアテープ８に搭載されたウエハ９をボンディングステージ１に真空吸着させる（Ｓ７）。ここで、吸着エラーが発生した場合は作業者がマガジン７内へ戻す（Ｓ８）。なお、ボンディングステージ１にウエハ９を吸着する前にウエハ９への予熱を開始するために、ヒーターの高さに応じた輻射熱を利用したウエハ９への予熱をプログラミングしておくとよい。
　次に、図１０（Ｅ）に示すように、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をボンディングエリアに移動させる（Ｓ９）。この際の移動時間もウエハ９への予熱が加えられる。ボンディング処理の直前にウエハ９を急に加熱するとウエハ９が破損したり熱変形することがあるが、このように予熱を加えておくことで、ウエハ９の破損や熱変形を抑制できる。なお、ボンディングステージ１を移動させる際はθ軸ガイド２２、Ｘ軸ガイド２８、Ｙ軸ガイド３２及びＺ軸ガイドをθ軸ガイドロック部２３、Ｘ軸ガイドロック部２９及びＹ軸ガイドロック部３３によりロックしておくとよい。
　上記のようにＺ軸駆動機構によってボンディングステージ１を下方に移動させ、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をバッファエリアに移動させ、キャリアテープ８をボンディングステージ１に保持し、そのボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってボンディングエリアに移動させるため、ボンディングステージ１の移動量を少なくすることができる。
　次に、図１０（Ｅ），図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、ウエハ９の奥側半分の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする（Ｓ１０）。ここでは、図１０（Ｅ）に示すウエハ９の奥側右１／３の領域、図１１（Ａ）に示すウエハ９の奥側中央１／３の領域、図１１（Ｂ）に示すウエハ９の奥側左１／３の領域の順に３回に分けてボンディングするが、ウエハ９のサイズによっては１回または２回に分けてボンディングしてもよい。
　次に、図１１（Ｃ）に示すように、回転駆動機構によってボンディングステージ１を１８０°回転させることでキャリアテープ８を１８０°回転させ、図１１（Ｄ），（Ｅ）及び図１２（Ａ）に示すように、ウエハ９の残り半分の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする（Ｓ１１）。なお、ボンディングの詳細については後述する。
　次に、図１２（Ｂ）に示すように、ボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってバッファエリアのＣ/Ｔ排出位置に移動させる（Ｓ１２）。次に、図１２（Ｃ）に示すように、バッファエリアのバッファユニット３にキャリアテープ８を載置し、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をボンディングエリア４に移動させ、アーム１１をキャリアテープ８の排出開始位置に移動させる（Ｓ１３）。次に、図１２（Ｄ）に示すように、ボンディングステージ１をバッファエリアに移動させることで、アーム１１によってキャリアテープ８を押し出してマガジン７に収容する。
　次に、図１に示すエレベータ５によって次にボンディング処理するキャリアテープをマガジン７内で移動させる（Ｓ１４）。そして、図１２（Ｅ）に示すように、ボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってバッファエリアのＣ/Ｔ引出位置に移動させ、マガジン７内のキャリアテープ８をプッシャ６によって押し出し、キャリアテープ８をＸ軸駆動機構に繋ぐ。
　図８は、図７に示す回転部のフローチャートである。
　図１０（Ｅ）に示すように、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をボンディングエリアに移動させる（Ｓ２１，図７のＳ９）。なお、ボンディング装置は、ボンディングステージ１に保持されたウエハ９の位置を認識する認識装置（例えば撮像装置）と、この認識装置によってウエハ９の位置を認識した結果、ウエハ９のθ軸の位置を補正する必要がある場合に、ウエハ９のθ軸の位置を補正するように回転駆動機構を制御する制御部を有する（図示せず）。
　次に、前記認識装置によってウエハ９の位置を認識し、ウエハ９のθ軸の位置を補正する必要がある場合、回転駆動機構によってウエハ９のθ軸の位置を補正する（Ｓ２２、Ｓ２３）。次に、再び前記認識装置によってウエハ９の位置を認識し、ウエハ９のθ軸の位置を補正する必要があるか否かを判断する。補正が必要と判断した場合は、再びウエハ９のθ軸の位置を補正する。補正が必要ではないと判断されるまで補正を繰り返してもよいし、補正回数を指定しておき、その指定された回数を超えたらエラーを出してもよい。
　補正が必要ではないと判断した場合は、θ軸ガイドロック部２３によってθ軸ガイド２２をロックする。またＸ軸ガイドロック部２９によってＸ軸ガイド２８をロックし、Ｙ軸ガイドロック部３３によってＹ軸ガイド３２をロックし、Ｚ軸ガイドロック部によってＺ軸ガイドをロックする。これにより、ウエハ９の位置決めが完了する（Ｓ２４）。
　次に、図１０（Ｅ），図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、ウエハ９の奥側半分の領域（第１、第２象限）にワイヤまたはバンプをボンディングする（Ｓ２５）。ウエハの移動時は駆動軸のロックを解除し、駆動完了後に再度ロックする。
　次に、図１１（Ｂ）に示すように、ウエハ９の奥側のボンディングが完了し（Ｓ２６）、その後に、各軸に対するロックを解除する（Ｓ２７）。次に、図１１（Ｃ）に示すように、回転駆動機構によってボンディングステージ１を１８０°回転させることでキャリアテープ８を１８０°回転させる（Ｓ２８）。
　次に、前記認識装置によってウエハ９の位置を認識し、ウエハ９のθ軸の位置を補正する必要がある場合、回転駆動機構によってウエハ９のθ軸の位置を補正する（Ｓ２９、Ｓ３０）。次に、再び前記認識装置によってウエハ９の位置を認識し、ウエハ９のθ軸の位置を補正する必要があるか否かを判断する。補正が必要と判断した場合は、再びウエハ９のθ軸の位置を補正する。補正が必要ではないと判断されるまで補正を繰り返してもよいし、補正回数を指定しておき、その指定された回数を超えたらエラーを出してもよい。
　補正が必要ではないと判断した場合は、θ軸ガイドロック部２３によってθ軸ガイド２２をロックする。またＸ軸ガイドロック部２９によってＸ軸ガイド２８をロックし、Ｙ軸ガイドロック部３３によってＹ軸ガイド３２をロックし、Ｚ軸ガイドロック部によってＺ軸ガイドをロックする。これにより、ウエハ９の位置決めが完了する（Ｓ３１）。
　次に、図１１（Ｄ），（Ｅ）及び図１２（Ａ）に示すように、ウエハ９の残り半分の領域（第３、第４象限）にワイヤまたはバンプをボンディングする（Ｓ３２）。
　次に、図１２（Ｂ）に示すように、キャリアテープ８の向きを変更せずにボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってバッファエリアのＣ/Ｔ排出位置に移動させてもよい（Ｓ３３、Ｓ３５）。但し、回転駆動機構によってボンディングステージ１を１８０°回転させることでキャリアテープ８の向きを図１０（Ａ）に示す向きに戻し、ボンディングステージ１をＸ軸駆動機構によってバッファエリアのＣ/Ｔ排出位置に移動させてもよい（Ｓ３４、Ｓ３５）。
　図９は、図１０（Ｅ）に示す工程と図１１（Ｃ）に示す工程でウエハの高さを測定する方法の詳細を示すフローチャートである。
　図１０（Ｅ）に示すように、Ｘ軸駆動機構によってボンディングステージ１をボンディングエリアに移動させた後に、測定装置によってウエハ９の高さを測定する。つまり、ボンディングヘッドのＺ軸カウンタにてキャピラリがウエハ９にタッチする高さを測定し、Ｚ軸原点とタッチ点との距離を測定する（Ｓ４１）。その結果、ウエハ９の高さを補正する必要がある場合に、Ｚ軸駆動機構によってウエハ９の高さを補正する（Ｓ４２、Ｓ４３）。
　次に、再び前記測定装置によってウエハ９の高さを測定し、ウエハ９の高さを補正する必要があるか否かを判断する。補正が必要と判断した場合は、再びウエハ９の高さを補正する。補正が必要ではないと判断されるまで補正を繰り返してもよいし、補正回数を指定しておき、その指定された回数を超えたらエラーを出してもよい。
　補正が必要ではないと判断した場合は、Ｚ軸ガイドロックによってＺ軸ガイドをロックする。これにより、ウエハ９の高さ決めが完了する。次に、ウエハ９の奥側半分の領域（第１、第２象限）にワイヤまたはバンプをボンディングする（Ｓ４４）。
　図１１（Ｃ）に示す工程でも上記と同様の方法でウエハ９の高さ補正等を行う。
　また、ボンディングする第１～第４象限の各象限毎に上記と同様の方法でウエハ９の高さ補正等を行ってもよい。これにより、ウエハの反りによる高さの変化をより厳密に調整することができ、より品質の良いボンディングが可能となる。
　また、回転駆動機構によりキャリアテープ８を１８０°回転させた後にウエハ９のボンディング高さが変化しても、その変化に対応することができ、品質の良いボンディングが可能となる。
　図１３は、本発明の他の一態様に係るボンディング装置を模式的に示す平面図であり、図１と同一部分には同一符号を付す。このボンディング装置は、図１に示すボンディング装置の右側に、バッファエリアのバッファユニット、マガジン及びエレベータを配置するものである（図示せず）。これにより、ボンディング終了後のウエハ９を搭載したキャリアテープ８を右側へ排出することが可能となる。
　本実施の形態によれば、ボンディングエリアを広げた装置とX,Y,Z軸駆動,θ回転のボンディングステージを組み合わせる事でボンディングエリアを可能な限り広げる事ができ、品種対応性を上げることができる。
　また、本実施の形態では、各軸に対するロック機構を設ける事で、下記の効果が見込まれる。
・駆動源の小型化(コスト低減)
・位置決め精度が上がる(生産性向上)
・各軸整定時間の短縮(生産性向上)
　また、本実施の形態では、θ軸の回転駆動機構を設ける事で、下記の効果が見込まれる。
・予熱が一回で済み、ウエハ等破損しやすい製品のアウトプットが向上する(生産性向上)。
・予熱が一回で済み、生産性が上がる(生産性向上)。
・別置きの反転ユニットが不要となる(小スペース化、コスト低減)。
　また、本実施の形態では、Ｚ軸駆動機構を設ける事で、下記の効果が見込まれる。
・ウエハの厚さの違いで、ヒーター(プレート)の交換が不要となる(品種対応性向上)。
　また、本実施の形態では、ボンディングヘッドに遮熱板(カバー/シャッター)を取り付ける事で、下記の効果が見込まれる。
・ボンディングヘッドの温度変化を低減する事ができる為、ボンディング位置の悪化を防ぐ。
　以上により、従来のボンディング装置では対応できない6インチウエハ等のワイドエリアのワークを効率的にボンディングできる為、総合して生産性(アウトプット)が向上する。
　　１…ボンディングステージ
　　３…バッファユニット
　　４…ボンディングエリア
　　５…エレベータ（上下駆動機構）
　　６…プッシャ
　　７…マガジン
　　８…キャリアテープ
　　９…ウエハ
　　９ａ…オリエンテーションフラット
　１０…回転止め
　１１…アーム
　１２…ボンディングヘッド
　２１…θ軸（θ回転軸）
　２２…θ軸ガイド
　２３…θ軸ガイドロック部
　２３ａ　第１ロック部
　２４，２５，２６，２７…矢印
　２８…Ｘ軸ガイド
　２９…Ｘ軸ガイドロック部
　２９ａ…第２ロック部
　３１…穴
　３２…Ｙ軸ガイド
　３３…Ｙ軸ガイドロック部
　３３ａ…第３ロック部
　３４…Ｘテーブル
　３５…Ｙテーブル
　３８…ヒーター
　３９…遮熱版
　４１…ＸＹテーブル
　４２，４３…矢印
　４４，４５…電磁弁
　４６，４７…エアー

Claims (6)

  1. 　ボンディングステージをθ軸を中心に回転させる回転駆動機構を有するボンディング装置を用いたボンディング方法であって、
    　前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記ボンディングステージに保持された基板の一部の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｅ）と、
    　前記θ軸に対するボンディングステージのロックを解除し、前記ボンディングステージを前記回転駆動機構によって前記θ軸を中心に回転させる工程（ｆ）と、
    　前記ボンディングステージを前記θ軸に対してロックし、前記基板の残りの領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程（ｇ）と、
    を具備することを特徴とするボンディング方法。
  2. 　請求項１において、
    　前記基板はキャリアテープに搭載されたウエハであり、
    　前記キャリアテープは、ウエハをオリエンテーションフラットまたはノッチにより位置決めする回転止めを有し、
    　前記ボンディング装置は、Ｘ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＸ軸駆動機構を有し、
    　前記工程（ｅ）の前に、
    　　前記キャリアテープを収容部に収容する工程（ａ）と、
    　　前記キャリアテープを前記Ｘ軸駆動機構に繋ぎ、前記Ｘ軸駆動機構によって前記キャリアテープをバッファエリアに搬送する工程（ｂ）と、
    　　前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程（ｃ）と、
    　　前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させる工程（ｄ）と、を有し、
    　前記工程（ｅ）は、前記ボンディングステージを前記θ軸及び前記Ｘ軸に対してロックし、前記ボンディングステージに保持された前記キャリアテープの前記ウエハの一部の領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程であり、
    　前記工程（ｇ）は、前記ボンディングステージを前記θ軸及び前記Ｘ軸に対してロックし、前記ウエハの残りの領域にワイヤまたはバンプをボンディングする工程であることを特徴とするボンディング方法。
  3. 　請求項２において、
    　前記ボンディング装置は、Ｚ軸ガイドに沿って前記ボンディングステージを移動させるＺ軸駆動機構を有し、
    　前記工程（ｃ）は、前記Ｚ軸駆動機構によってボンディングステージを下方に移動させて前記キャリアテープを前記Ｘ軸駆動機構から外し、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程であることを特徴とするボンディング方法。
  4. 　請求項２または３において、
    　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージを加熱するヒーターを有し、
    　前記工程（ｃ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージを前記バッファエリアに移動させ、前記ウエハに予熱を加え、前記ボンディングステージに前記キャリアテープを保持する工程であることを特徴とするボンディング方法。
  5. 　請求項２乃至４のいずれか一項において、
    　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージに保持された前記ウエハの位置を認識する認識装置を有し、
    　前記工程（ｄ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させ、前記認識装置によって前記ウエハの位置を認識した結果、前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する必要がある場合に、前記回転駆動機構によって前記ウエハの前記θ軸の位置を補正する工程であることを特徴とするボンディング方法。
  6. 　請求項２乃至５のいずれか一項において、
    　前記ボンディング装置は、前記ボンディングステージに保持された前記ウエハの高さを測定する測定装置を有し、
    　前記工程（ｄ）は、前記Ｘ軸駆動機構によって前記ボンディングステージをボンディングエリアに移動させ、前記測定装置によって前記ウエハの高さを測定した結果、前記ウエハの高さを補正する必要がある場合に、前記Ｚ軸駆動機構によって前記ウエハの高さを補正する工程であることを特徴とするボンディング方法。
PCT/JP2017/007852 2016-08-10 2017-02-28 ボンディング方法 WO2018029881A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/098,231 US10600754B2 (en) 2016-08-10 2017-02-28 Bonding method
KR1020187025074A KR102152667B1 (ko) 2016-08-10 2017-02-28 본딩 방법
CN201780003128.5A CN108028207B (zh) 2016-08-10 2017-02-28 键合方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016157942A JP6409033B2 (ja) 2016-08-10 2016-08-10 ボンディング方法
JP2016-157942 2016-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018029881A1 true WO2018029881A1 (ja) 2018-02-15

Family

ID=61161862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/007852 WO2018029881A1 (ja) 2016-08-10 2017-02-28 ボンディング方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10600754B2 (ja)
JP (1) JP6409033B2 (ja)
KR (1) KR102152667B1 (ja)
CN (1) CN108028207B (ja)
TW (1) TWI640048B (ja)
WO (1) WO2018029881A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220277978A1 (en) * 2021-02-28 2022-09-01 Eddie And Sons Technology Co.,Ltd Semiconductor wafer cassette roller type transportation structure system

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023228293A1 (ja) * 2022-05-24 2023-11-30 株式会社カイジョー ボンディング装置及びボンディング方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09289241A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Shinkawa Ltd ウェーハ搬送装置
JP2008140983A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP2009267413A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sts Semiconductor & Telecommunications Co Ltd 幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージの製造方法
JP2009267414A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sts Semiconductor & Telecommunications Co Ltd 幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージ製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887842A (ja) 1981-11-20 1983-05-25 Hitachi Ltd ワイヤボンデイング装置
JPH04332145A (ja) * 1991-05-07 1992-11-19 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング装置
JP2806722B2 (ja) * 1992-12-01 1998-09-30 株式会社カイジョー 基板搬送装置
US5242103A (en) * 1992-12-07 1993-09-07 Motorola, Inc. Pivotal wire bonding stage and method of use
JP3178567B2 (ja) * 1993-07-16 2001-06-18 株式会社カイジョー ワイヤボンディング装置及びその方法
JP3029371B2 (ja) * 1993-12-09 2000-04-04 株式会社カイジョー 基板搬送装置
JP2531128B2 (ja) * 1994-06-22 1996-09-04 日本電気株式会社 ワイヤ―ボンディング装置及び方法
JPH09199519A (ja) * 1996-01-17 1997-07-31 Hitachi Ltd 回転位置決め機構およびそれを用いる半導体製造方法ならびに装置
JPH09321123A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Kaijo Corp 半導体部品供給装置
JPH10303241A (ja) 1997-04-30 1998-11-13 Toshiba Corp ワイヤボンダー
JP3892105B2 (ja) * 1997-05-08 2007-03-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP4371497B2 (ja) * 1999-10-19 2009-11-25 パナソニック株式会社 バンプボンディング用加熱装置
US7320423B2 (en) * 2002-11-19 2008-01-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. High speed linear and rotary split-axis wire bonder
JP2005218203A (ja) * 2004-01-28 2005-08-11 Shinkawa Ltd アクチュエータ及びボンディング装置
JP2006226949A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Olympus Corp ホルダ装置
US8336757B2 (en) * 2011-01-04 2012-12-25 Asm Assembly Automation Ltd Apparatus for transporting substrates for bonding
CN203031568U (zh) * 2012-12-11 2013-07-03 英利能源（中国）有限公司 一种旋转工作台以及一种流水线系统
JP5815773B2 (ja) * 2014-02-26 2015-11-17 ファナック株式会社 エアパージ構造を備えた回転テーブル装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09289241A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Shinkawa Ltd ウェーハ搬送装置
JP2008140983A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Kaijo Corp ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法
JP2009267413A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sts Semiconductor & Telecommunications Co Ltd 幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージの製造方法
JP2009267414A (ja) * 2008-04-25 2009-11-12 Sts Semiconductor & Telecommunications Co Ltd 幅広リードフレーム用の半導体パッケージ製造装置及びこれを利用した半導体パッケージ製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220277978A1 (en) * 2021-02-28 2022-09-01 Eddie And Sons Technology Co.,Ltd Semiconductor wafer cassette roller type transportation structure system
US11929275B2 (en) * 2021-02-28 2024-03-12 Eddie and Sons Technology Co., Ltd Semiconductor wafer cassette roller type transportation structure system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180109984A (ko) 2018-10-08
CN108028207B (zh) 2021-01-08
US10600754B2 (en) 2020-03-24
TWI640048B (zh) 2018-11-01
CN108028207A (zh) 2018-05-11
TW201806048A (zh) 2018-02-16
KR102152667B1 (ko) 2020-09-08
JP6409033B2 (ja) 2018-10-17
JP2018026473A (ja) 2018-02-15
US20190164928A1 (en) 2019-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI629149B (zh) Substrate transfer robot and operation method thereof
KR102111183B1 (ko) 다기능 웨이퍼 및 필름 프레임 조작 시스템
KR101346391B1 (ko) 웨이퍼 검사 장치
JP5421967B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
KR101860956B1 (ko) 기판홀더쌍, 디바이스의 제조방법, 분리장치, 기판의 분리방법, 기판홀더 및 기판 위치맞춤 장치
JP6394220B2 (ja) アライメント装置及び基板処理装置
JP6409033B2 (ja) ボンディング方法
KR102436811B1 (ko) 접합 장치 및 접합 방법
US20170217017A1 (en) Substrate transfer teaching method and substrate processing system
JP5797167B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6596330B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5781988B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
CN115440637A (zh) 信息处理装置、移载位置校正方法及基板处理装置
JP2014075397A (ja) 搬送機構の位置決め方法
US20220063907A1 (en) Article storage apparatus and method of controlling the same
WO2015040915A1 (ja) 搬入出装置および搬入出方法
JP7105956B2 (ja) 接合装置
JP2017199861A (ja) 接合装置、接合システムおよび接合方法
US11705426B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
JP2011129777A (ja) 基板重ね合わせ装置及びデバイスの製造方法
JP6612947B2 (ja) 基板搬送装置、及びこれを用いた基板搬送方法
JP6842989B2 (ja) 部品実装装置、部品実装方法
CN116330803A (zh) 接合方法和接合装置
CN115376883A (zh) 接合方法和接合装置
JP6423636B2 (ja) シーム溶接装置

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187025074

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17838957

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17838957

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1